JP5899281B2 - 光半導体装置用白色硬化性組成物、光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法、光半導体装置用成型体及び光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる光半導体装置用白色硬化性組成物及び光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法に関する。また、本発明は、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠部を有する成型体が配置されている。該枠部を有する成型体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成型体は、リフレクター、ケース材又はハウジングと呼ばれることがある。上記成型体を得るために、白色顔料を含む光半導体装置用白色硬化性組成物が用いられている。

上記硬化性組成物から上記成型体を形成する方法としては、例えば、上記硬化性組成物をタブレットに成型した後、トランスファー成型する方式がある。上記トランスファー成型では、加熱及び加圧下で連続的に成型するため、得られた成型体の金型からの離型性が、生産性に著しい影響を及ぼす。

上記タブレットは、原料を加熱し溶融させて混合し、上記硬化性組成物を得る混練工程、混練後に上記硬化性組成物を冷却する冷却工程、冷却後に上記硬化性組成物を粉砕して、粉末を得る粉砕工程、並びに粉砕後に上記粉末を成型用金型に入れ、打錠する打錠工程を経て製造される。

粉砕工程及び打錠工程において、上記硬化性組成物が液状又は半固体状であると、粉砕装置や打錠機において付着等の不具合が生じるため、上記硬化性組成物には、２３℃で粉砕及び打錠が可能である程度の剛性が求められる。

また、トランスファー成型では、タブレットの強度が弱いと、トランスファー成型機のプランジャー部分へのタブレットの搬入の際に、タブレットが割れたり、欠けたりすることがある。この結果、成型体に充填不良などの不具合が生じることがある。従って、タブレットは高い強度を有することが求められる。

下記の特許文献１には、（Ａ）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と（Ｂ）酸無水物とをエポキシ基当量／酸無水物基当量０．６〜２．０の割合で反応させて、得られる反応固形物を粉砕し、得られる粉砕物を樹脂成分として配合することで得られる熱硬化性エポキシ樹脂組成物が開示されている。特許文献１では、（１）上記反応固形物として、上記（Ａ）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と上記（Ｂ）酸無水物とを予め７０〜１２０℃にて４〜２０時間反応させる方法、（２）上記（Ａ）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と上記（Ｂ）酸無水物と（Ｃ）酸化防止剤とを、予め７０〜１２０℃にて４〜２０時間反応させる方法、並びに（３）上記（Ａ）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と上記（Ｂ）酸無水物と（Ｃ）酸化防止剤と（Ｄ）硬化触媒とを予め３０〜８０℃にて１０〜７２時間反応させる方法が開示されている。

また、下記の特許文献２では、４３０ｎｍ以上に発光ピーク波長を有する窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子と、該発光素子が載置される成型体とを有する発光装置が開示されている。この成型体は、熱硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて得られる。この熱硬化性エポキシ樹脂組成物は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物とをエポキシ基当量／酸無水物基当量０．６〜２．０の割合で反応させて得られる反応物と、ウィスカーとを含む。

特許文献３には、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と（Ｃ）白色顔料とを含む光反射用熱硬化性樹脂組成物が開示されている。上記（Ｂ）硬化剤は、融点が１００℃以上の有機酸無水物を含む。

特開２００９−０２４１８５号公報 特開２００８−１９２８８０号公報 特開２０１１−２１９６３４号公報

近年、ＬＥＤデバイスの小型化が進み、上記成型体の形状が複雑になっている。

特許文献１〜３に記載のような従来の硬化性組成物を用いてトランスファー成型を行うと、金型からの離型性が低く、生産性が著しく低下することがある。

また、ＬＥＤデバイスの高輝度化が進み、光半導体素子から発せられる熱や光の量が増大している。

特許文献１〜３に記載のような従来の硬化性組成物では、該硬化性組成物を用いて得られる成型体を備えた光半導体装置において、該光半導体装置が高温高湿下で通電して使用されると、光半導体素子から発せられる熱や光によって、成型体の熱劣化及び光劣化が進行しやすい。この結果、光半導体装置から取り出される光の明るさが低下するという問題がある。

本発明の目的は、圧縮強度及び金型からの離型性を高めることができ、更に光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置が過酷な条件下で通電して使用されても、光度を低下し難くすることができる光半導体装置用白色硬化性組成物及び光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法を提供することである。

また、本発明は、上記光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた光半導体装置用成型体及び光半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、前記酸無水物硬化剤の炭素−炭素結合が単結合のみであり、示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、８０Ｊ／ｇ以下であり、かつ融解開始から融解完了までの吸熱量が０．１Ｊ／ｇ以上、１５Ｊ／ｇ以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物が提供される。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、前記エポキシ化合物と酸無水物硬化剤との双方が、２３℃で固体である。

示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が３１Ｊ／ｇ以上、５５Ｊ／ｇ以下であることが好ましい。示差走査熱量測定において、融解開始から融解完了までの吸熱量が１Ｊ／ｇ以上、１５Ｊ／ｇ以下であることが好ましい。前記エポキシ化合物のエポキシ当量が３００以下であることが好ましい。前記白色顔料が、ルチル型酸化チタンであることが好ましい。前記充填材がシリカであることが好ましい。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、前記光半導体装置用白色硬化性組成物は、トランスファー成型するためのタブレットである。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物のある特定の局面では、光半導体装置用白色硬化性組成物を得る際に、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含む混合物を、前記エポキシ化合物の融点未満の温度で混練することで、前記光半導体装置用白色硬化性組成物が得られる。

本発明の広い局面によれば、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法であって、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含む混合物を、前記エポキシ化合物の融点未満の温度で混練することにより、前記エポキシ化合物と、前記酸無水物硬化剤と、前記白色顔料と、前記白色顔料以外の充填材と、前記硬化促進剤とを含む光半導体装置用白色硬化性組成物を得る工程を備え、前記酸無水物硬化剤の炭素−炭素結合が単結合のみであり、示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、８０Ｊ／ｇ以下であり、かつ融解開始から融解完了までの吸熱量が０．１Ｊ／ｇ以上、１５Ｊ／ｇ以下である光半導体装置用白色硬化性組成物を得る、光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法が提供される。

本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成型体が提供される。

本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、前記成型体が、上述した光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置が提供される。

本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、上記酸無水物硬化剤の炭素−炭素結合が単結合のみであり、示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、８０Ｊ／ｇ以下であり、かつ融解開始から融解完了までの吸熱量が０．１Ｊ／ｇ以上、１５Ｊ／ｇ以下であるので、圧縮強度及び金型からの離型性を高めることができる。さらに、本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成型体を備える光半導体装置が過酷な条件下で通電して使用されても、光度を低下し難くすることができる。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた成型体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。 図２は、図１に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。 図３は、図２に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。 図４は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成型体が連なった分割前成型体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用白色硬化性組成物を用いた複数の成型体が連なった分割前成型体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

（光半導体装置用白色硬化性組成物）
本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物（以下、硬化性組成物と記載することがある）は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる。本発明に係る硬化性組成物は、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物である。本発明に係る硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、白色顔料（Ｃ）と、白色顔料以外の充填材（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）とを含む。

本発明に係る硬化性組成物では、上記硬化剤（Ｂ）は、炭素−炭素結合が単結合のみである酸無水物硬化剤（Ｂ１）である。この酸無水物硬化剤（Ｂ１）は、炭素−炭素多重結合を有さない。

さらに、本発明に係る硬化性組成物では、示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、８０Ｊ／ｇ以下であり、かつ示差走査熱量測定において、融解開始から融解完了までの吸熱量が０．１Ｊ／ｇ以上、１５Ｊ／ｇ以下である。

本発明に係る硬化性組成物における上記の組成を採用することで、更に硬化開始から硬化完了までの発熱量が上記下限以上、かつ融解開始から融解完了までの吸熱量が上記下限以上であることで、圧縮強度及び金型からの離型性を高めることができる。例えば、本発明に係る硬化性組成物を用いてタブレットを得たときに、タブレットの圧縮強度が高くなる。さらに、タブレット成型用金型を用いて上記硬化性組成物をタブレットに成型する際に、タブレットの金型からの離型性が高くなる。金型を用いて上記タブレットを成型体に成型する際に、成型体の金型からの離型性が高くなる。さらに、本発明に係る硬化性組成物では、本発明に係る硬化性組成物を用いた成型体を備える光半導体装置が過酷な条件下で通電して使用されても、光度を低下し難くすることができる。

なお、上記発熱量は１００Ｊ／ｇを超えても、金型からの離型性を高めることはできるが、硬化収縮による成型体の変形を抑える観点から、上記発熱量は８０Ｊ／ｇ以下である。

圧縮強度、金型からの離型性及び光度の保持性をより一層高める観点からは、上記発熱量は好ましくは３１Ｊ／ｇ以上、好ましくは５５Ｊ／ｇ以下である。特に、上記発熱量が上記上限以下であると、圧縮強度が十分に高くなり、例えばタブレットの圧縮強度を６２０Ｎ以上にすることが容易である。

また、上記吸熱量は１５Ｊ／ｇを超えても、タブレット強度を高めることはできるが、トランスファー成型時の充填性を良好にする観点から、上記吸熱量は１５Ｊ／ｇ以下である。

圧縮強度、金型からの離型性及び光度の保持性をより一層高める観点からは、上記吸熱量は好ましくは１Ｊ／ｇ以上である。特に、上記吸熱量が上記下限以上であると、圧縮強度が十分に高くなり、例えばタブレットの圧縮強度を５００Ｎ以上にすることが容易であり、タブレットの圧縮強度を６２０Ｎ以上にすることも容易である。

上記発熱量は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）により、上記硬化性組成物の硬化開始から硬化完了までの発熱量を測定することにより求めることができる。上記ＤＳＣを行う際に、例えば、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ７０２０」等が用いられる。上記硬化開始温度は一般に５０℃以上の温度である。従って、上記ＤＳＣでは、室温（２３℃）から昇温速度１０℃／分で硬化が完了するまでの発熱量（総発熱量）を測定することにより求めることができる。上記ＤＳＣにおいて、温度と熱流とをプロットしたときに、ベースラインから熱流が上昇し始めたときを硬化開始と判断し、熱流が下降してベースラインに至ったときを硬化完了と判断する。

上記吸熱量（融解熱量）は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）により、上記硬化性組成物の融解開始から融解完了までの吸熱量を測定することにより求めることができる。上記ＤＳＣを行う際に、例えば、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ７０２０」等が用いられる。上記硬化開始温度は一般に０℃以上、１００℃未満の温度である。従って、上記ＤＳＣでは、−２０℃から昇温速度１０℃／分で融解が完了するまでの吸熱量を測定することにより求めることができる。上記ＤＳＣにおいて、温度と熱流とをプロットしたときに、ベースラインから熱流が下降し始めたときを融解開始と判断し、熱流が上昇してベースラインに至ったときを融解完了と判断する。

以下、本発明に係る硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。

［エポキシ化合物（Ａ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、上記エポキシ化合物（Ａ）を含む。上記エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物として上記エポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成型体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。上記エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、及びトリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。

上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、及びアルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記複素環式エポキシ化合物としては、ジグリシジルイソシアヌレート及びトリグリシジルイソシアヌレート等が挙げられる。

上記エポキシ化合物（Ａ）は無色であるか、又は無色に近い色であることが好ましい。このため、上記エポキシ化合物（Ａ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ジグリシジルイソシアヌレート又はトリグリシジルイソシアヌレートであることが好ましい。

光半導体装置から発せられる光の明るさをより一層低下し難くする観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）として、耐熱性に優れたエポキシ化合物を用いることが好ましい。このため、脂環式エポキシ化合物又はトリグリシジルイソシアヌレートが好ましく、トリグリシジルイソシアヌレートがより好ましい。

過酷な環境下での使用による光半導体装置の品質の低下をより一層抑える観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物を含むことが好ましく、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物であることが好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、３００以下であることが特に好ましい。上記エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、特に、上記エポキシ当量が３００以下であると、上記硬化性組成物の連続成型性、及び成型体の密着対象物に対する密着性がより一層高くなる。

上記エポキシ化合物（Ａ）は、好ましくは２３℃で固体である。上記エポキシ化合物（Ａ）が２３℃で固体であると、硬化性組成物における発熱量及び吸熱量を好適な範囲に制御することが容易であり、また圧縮強度がより一層高くなり、特にタブレットの圧縮強度がより一層高くなる。

上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記硬化性組成物１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成型体の耐熱性がより一層高くなる。

［硬化剤（Ｂ）］
上記硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤（Ｂ）を含む。上記硬化剤（Ｂ）は、上記エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤である。該酸無水物硬化剤の使用によって、成型体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成型体の成型むらをより一層抑制できる。さらに、本発明では、上記硬化剤（Ｂ）は、炭素−炭素結合が単結合のみである酸無水物硬化剤（Ｂ１）である。炭素−炭素結合が単結合のみである酸無水物硬化剤（Ｂ１）を用いることによって、圧縮強度及び金型からの離型性を高めることができ、更に硬化性組成物を用いた光半導体装置が過酷な条件下で通電して使用されても、光度を低下し難くすることができる。上記酸無水物硬化剤（Ｂ１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

炭素−炭素結合が単結合のみである酸無水物硬化剤（Ｂ１）としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸、及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。上記酸無水物硬化剤（Ｂ１）は、好ましくは２３℃で固体である。上記酸無水物硬化剤（Ｂ１）が２３℃で固体であると、圧縮強度がより一層高くなり、特にタブレットの圧縮強度がより一層高くなる。前記酸無水物硬化剤の炭素−炭素結合が単結合のみであり、かつ上記酸無水物硬化剤（Ｂ１）は、２３℃で固体であれば、金型からの離型性及び光度保持性がかなり高くなる。

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記酸無水物硬化剤（Ｂ１）の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下、特に好ましくは１００重量部以下である。上記酸無水物硬化剤（Ｂ１）が上記下限以上及び上記上限以下であると、圧縮強度、金型からの離型性、光度の保持性がより一層良好になる。

上記硬化性組成物中で、上記エポキシ化合物（Ａ）全体のエポキシ当量と上記酸無水物硬化剤（Ｂ１）全体の酸無水物硬化剤当量との当量比（エポキシ当量：酸無水物硬化剤当量）は、０．３：１〜３：１であることが好ましく、１．３：１〜２：１であることがより好ましい。上記当量比（エポキシ当量：酸無水物硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、成型体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。また、上記当量比（エポキシ当量：酸無水物硬化剤当量）が上記範囲を満足すると、圧縮強度、金型からの離型性、光度の保持性がより一層良好になる。

［白色顔料（Ｃ）］
上記硬化性組成物は上記白色顔料（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成型体を得ることができる。また、上記白色顔料（Ｃ）の使用によって、上記白色顔料（Ｃ）以外の充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成型体が得られる。上記白色顔料（Ｃ）は特に限定されない。上記白色顔料（Ｃ）として従来公知の白色顔料を使用可能である。上記白色顔料（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記白色顔料（Ｃ）としては、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン及び酸化マグネシウム等が挙げられる。

成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。この好ましい白色顔料を用いる場合に、酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化ジルコニウムの中で、１種又は２種以上の白色顔料を用いることができる。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン又は酸化亜鉛であることが好ましく、酸化チタンであることが好ましく、酸化亜鉛であることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化ジルコニウムであってもよい。

上記酸化チタンは、ルチル型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなり、光半導体装置が過酷な環境下で使用されても、品質が低下し難くなる。

上記酸化チタンは、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成型体の耐熱性がより一層高くなる。

上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−９０−２」、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−５８」、ルチル塩素法酸化チタンであるデュポン社製「Ｒ−９００」、並びにルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製「Ｒ−６３０」等が挙げられる。

上記酸化亜鉛は、表面処理された酸化亜鉛であることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化亜鉛は、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。

上記酸化ジルコニウムは、表面処理された酸化ジルコニウムであることが好ましい。成型体の加工性及び成型体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化ジルコニウムは、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。

上記表面処理の方法は特に限定されない。表面処理の方法として、乾式法、湿式法、インテグラルブレンド法、並びに他の公知慣用の表面処理方法を用いることができる。

上記硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）の含有量及び上記酸化チタンの含有量はそれぞれ、好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは７重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなり、上記硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。

［充填材（Ｄ）］
上記充填材（Ｄ）は、白色顔料以外の充填材である。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料（Ｃ）とは異なる。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、無機充填材であることが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料である酸化チタンではなく、白色顔料である酸化亜鉛ではなく、白色顔料である酸化ジルコニウムではない。

上記硬化性組成物の成型性、並びに成型体と密着対象物との密着性をより一層良好にする観点からは、上記充填材（Ｄ）はシリカを含むことが好ましく、シリカであることがより好ましい。

上記充填材（Ｄ）の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。上記平均粒径が上記下限以上であると、上記硬化性組成物の成型性がより一層良好になる。上記平均粒径が上記上限以下であると、成型体の外観不良がより一層生じ難くなる。

上記充填材（Ｄ）における平均粒径は、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ １３ ３２０」等が挙げられる。

上記硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量はそれぞれ、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性がより一層高くなる。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記上限以下であると、成型体の光の反射率がより一層高くなる。

上記硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性組成物の成型性及び成型体の光の反射率がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。また、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が５０重量％以上であると、成型体の強度がより一層高くなり、硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。

［硬化促進剤（Ｅ）］
上記硬化性組成物は、硬化促進剤（Ｅ）を含む。上記硬化促進剤（Ｅ）の使用により、硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成型体の耐熱性を高めることができる。上記硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。

上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。

上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。

上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。

上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。

上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。

上記硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成型体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。

［離型剤（Ｆ）］
上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含まないか又は含む。連続成型性をより一層高める観点からは、上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含んでいてもよい。上記離型剤（Ｆ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記離型剤（Ｆ）は特に限定されない。上記離型剤（Ｆ）として、従来公知の離型剤を使用可能である。上記離型剤（Ｆ）としては、脂肪酸エステル系ワックス、酸化又は非酸化ポリオレフィン系ワックス、パラフィン系ワックス、エステル系ワックス、カルナバワックス及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記シリコーン化合物としては、シリコーンオイル及び変性シリコーンオイル等が挙げられる。

上記硬化性組成物１００重量％中、上記離型剤（Ｆ）の含有量は０重量％（未使用）以上、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下である。上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含んでいなくてもよい。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記下限以上であると、連続成型性がより一層高くなる。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記上限以下であると、密着対象物と成型体との密着性がより一層高くなる。

密着対象物と成型体との密着性をより一層高める観点からは、上記硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含まないか、上記硬化性組成物１００重量％中、上記離型剤（Ｆ）を２重量％以下で含むことが特に好ましい。

［他の成分］
上記硬化性組成物は、必要に応じて、密着助剤、酸化防止剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。

上記密着助剤としては特に限定されず、カップリング剤、メラミン、イソシアネート化合物等の窒素原子を有する化合物、硫黄原子を有する化合物等が挙げられる。上記カップリング剤としては特に限定されず、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤等が挙げられる。

上記酸化防止剤としては特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。

上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。

（光半導体装置用白色硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成型体）
上記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられる。上記硬化性組成物は、金型を用いて成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有し、かつ該枠部の内面で囲まれた領域内に上記光半導体素子を封止するように封止剤が充填されて用いられる成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する成型体を得るために用いられることが好ましい。

上記硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成型体は、光半導体装置用成型体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。

光の反射率が高い成型体が得られるので、上記硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。

光の反射率が高い成型体が得られるので、上記硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成型体を得るために用いられる硬化性組成物であることが好ましい。上記成型体は、上記光半導体素子を取り囲む枠部を有することが好ましく、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましい。上記成型体は、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成型体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なることが好ましい。上記成型体は、上記ダイボンド材を含まないことが好ましい。

上記硬化性組成物は、複数の成型体が連なった分割前成型体を得た後に、該分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。上記硬化性組成物は、複数の成型体がリードフレームを介して連なった分割前成型体を得た後に、上記リードフレームを切断して上記分割前成型体を分割して個々の成型体を得るために用いられることが好ましい。

上記硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤（Ｂ１））と白色顔料（Ｃ）と白色顔料以外の充填材（Ｄ）と硬化促進剤（Ｅ）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記硬化性組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕、タブレット化する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。６５〜９０℃で５〜１００分間混練することが好ましく、７０〜８５℃で１０〜６０分間混練することがより好ましく、７５〜８５℃で１０〜４０分間混練することが更に好ましい。混合温度が６０℃以上であると、分散性の良い混合物を得ることができる。混合温度が９０℃以下であると、圧縮強度がより一層高くなり、特にタブレットの圧縮強度がより一層高くなる。

溶融混練後の保持の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。３３〜７０℃で２０〜１７０時間保持することが好ましく、３３〜６０℃で４０〜１７０時間保持することがより好ましく、３３〜５０℃で７０〜１７０時間保持することが更に好ましく、３３〜４０℃で７５〜１７０時間保持することが特に好ましい。保持温度が３３℃以上であると、保持工程の時間が長くなりすぎず、生産性が高くなる。保持時間が７０℃以下であると、硬化性組成物が水分を吸収し難くなり、硬化物の強度や弾性率などの機械的特性の低下が抑えられる。

圧縮強度、金型からの離型性及び光度の保持性をより一層高める観点からは、上記硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含む混合物を、上記エポキシ化合物の融点未満の温度で混練することで得られることが好ましい。また、この場合には、上記発熱量及び上記吸熱量の範囲を満足することが容易である。

上記発熱量を制御する方法としては、上記エポキシ化合物（Ａ）及び上記硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤（Ｂ１））の配合量を制御する方法、並びに上記溶融混練後の保持の条件により制御する方法が挙げられる。

また、上記吸熱量を上記の範囲に制御する方法としては、上記エポキシ化合物（Ａ）及び上記硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤（Ｂ１））の配合量を制御する方法、並びに上記溶融混練の温度により制御する方法が挙げられる。

本発明に係る光半導体装置用成型体は、上述した硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記硬化性組成物は所定の形状に成型される。上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる成型体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。

上記硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成型体を得る方法としては、圧縮成型法、トランスファー成型法、積層成型法、射出成型法、押出成型法及びブロー成型法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成型法が好ましい。

成型体の製造を容易にし、かつ圧縮強度が高いタブレットを得ることができることから、上記硬化性組成物は、トランスファー成型するためのタブレットであることが好ましい。

トランスファー成型法では、例えば、成型温度１００〜２００℃、成型圧力５〜２０ＭＰａ及び成型時間６０〜３００秒の条件で、上記硬化性組成物をトランスファー成型することにより、成型体が得られる。

（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置されており、かつ上記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備える。上記光半導体装置における上記成型体が、上記光半導体装置用白色タブレットを成型しかつ硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用白色タブレットは、上記白色硬化性組成物を用いて形成される。

本発明に係る光半導体装置では、上記成型体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。

図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に断面図及び斜視図で示す。

本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成型体４と第２の成型体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成型体４と第２の成型体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成型体４と第２の成型体５とは一体的に形成されていてもよい。第１の成型体４は、枠部である。第２の成型体５は、底部である。光半導体装置１では、成型体は、枠部（第１の成型体４）と、底部（第２の成型体５）とを有する。第１の成型体４である枠部は、外壁部である。第１の成型体４である枠部は、環状である。

なお、成型体は、底部を有さない成型体であってもよい。上記硬化性組成物を硬化させることにより得られる枠部を有する成型体と、他の底部材とを組み合わせて用いてもよい。上記成型体は、枠部のみの枠状の成型体であってもよい。上記底部材は、成型体であってもよい。

リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成型体４（枠部）が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成型体５（底部）が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成型体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第１の成型体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成型体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成型体４が配置されている。第１，第２の成型体４，５（枠部及び底部を有する成型体）は、上述した硬化性組成物の硬化物であり、上述した硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第１の成型体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成型体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成型体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。第１の成型体４のみが、上述した硬化性組成物の硬化物であってもよい。

第１の成型体４（枠部）は、光半導体素子３から発せられた光が外部に取り出される開口を有する。第１，第２の成型体４，５は、白色である。第１の成型体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。

光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。ダイボンド材６は、導電性を有する。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成型体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。

光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成型体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光は明るい。

図２に、図１に示す光半導体装置１の変形例を示す。図１に示す光半導体装置１と図２に示す光半導体装置２１とでは、ダイボンド材６，２２及びボンディングワイヤー７，２３による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置１におけるダイボンド材６は導電性を有する。これに対し、光半導体装置２１はダイボンド材２２を有し、ダイボンド材２２は導電性を有さない。光半導体装置１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図１（ａ）において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体装置２１は、ボンディングワイヤー７に加えて、ボンディングワイヤー２３を有する。光半導体装置２１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されており、更に、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において左側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー２３により電気的に接続されている。

図３に、図２に示す光半導体装置２１の変形例を示す。図３に示す光半導体装置３１は、図１に示す光半導体装置１の変形例でもある。図２に示す光半導体装置２１と、図３に示す光半導体装置３１とでは、第１，第２の成型体４，５及び成型体３２の構造のみが異なる。光半導体装置２１では、第１，第２の成型体４，５が用いられており、第１の成型体４は、リードフレーム２上に配置されており、第２の成型体５は、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とに配置されている。これに対し、光半導体装置３１では、１つの成型体３２が用いられている。成型体３２は、リードフレーム２上に配置された枠部３２ａと、複数のリードフレーム２間に配置された充填部３２ｂとを有する。枠部３２ａと充填部３２ｂとは一体的に形成されている。このように、光半導体装置は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有していればよい。リードフレームの下方に、成型体は配置されていなくてもよい。成型体は、リードフレームの下方に配置された底部を有していなくてもよい。リードフレームの裏面は、露出していてもよい。

なお、図１〜３に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成型体の構造及び光半導体素子の実装構造等は適宜変形され得る。

また、図４に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品１１を用意して、分割前光半導体装置用部品１１を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品１１は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成型体４Ａと、分割前第２の成型体５Ａとを有する。個々の光半導体装置用部品を得た後、光半導体素子３を搭載し、該光半導体素子３を封止剤８により封止して、光半導体装置１を得てもよい。分割前リードフレーム２Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、リードフレーム２が得られる。分割前第１の成型体４Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第１の成型体４が得られる。分割前第２の成型体５Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第２の成型体５が得られる。

さらに、図５に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置１２を用意して、分割前光半導体装置１２を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置１２は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成型体４Ａと、分割前第２の成型体５Ａとを有する。また、図１〜３に示す光半導体装置１，２１，３１と同様に、分割前光半導体装置１２では、分割前リードフレーム２Ａ上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。なお、図４，５において、分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成型体が連なって分割前成型体が形成されているが、複数の成型体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。

（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＴＥＰＩＣ（ＴＥＰＩＣ−Ｓ、トリグリシジルイソシアヌレート、日産化学社製、エポキシ当量１００、融点１１０℃）
２）ＥＨＰＥ３１５０（脂環骨格を有するエポキシ樹脂、ダイセル社製、エポキシ当量１７７、融点８０℃）

（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＴＨ（テトラヒドロ無水フタル酸、二重結合有、新日本理化社製、融点１０１℃）
２）リカシッドＭＨ（４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、単結合のみ、新日本理化社製、融点−３０℃）
３）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、単結合のみ、新日本理化社製、融点３３℃）

（白色顔料（Ｃ））
１）Ｒ−９００（ルチル型酸化チタン、Ａｌにより表面処理されている、平均粒径０．４１μｍ、デュポン社製）
２）ＣＲ−９０−２（ルチル型酸化チタン、Ａｌ及びＳｉにより表面処理されている、有機物により表面処理されている、平均粒径０．２５μｍ、石原産業社製）

（充填材（Ｄ））
１）ＭＳＲ−３５１２（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、龍森社製）
２）ＡＡ（破砕シリカ、平均粒径６μｍ、龍森社製）

（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジオネート、日本化学工業社製）

（酸化防止剤）
亜リン酸トリフェニル（リン系酸化防止剤、和光純薬工業社製）

（離型剤（Ｆ））
１）セリダスト３７１５（ポリエチレンワックス、クラリアントジャパン社製）
２）ユニトックス７５０（脂肪族エーテル、日油社製）

（実施例１〜８，１０〜１９，２１〜２３、参考例９及び比較例１〜２）実施例９，２０、及び参考例１〜８は欠番とする
下記表１，２に示す各成分を下記表１，２に示す配合量で配合（配合単位は重量部）し、混合機（東洋精機製作所社製「ラボプラストミルＲ−６０」）にて、下記の表１，２に示す温度及び時間の溶融混練条件で溶融混練して、混練物を得た。得られた混練物を３５℃のオーブン内で下記の表１，２に示す温度及び時間の保持条件で保持した後、粉砕して、タブレット化して、硬化性組成物（白色タブレット）を得た。

（測定）
（１）硬化開始から硬化完了までの発熱量
得られた硬化性組成物５０ｍｇを、アルミパンに秤量し、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行った。

上記ＤＳＣを行うために、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ７０２０」を用いた。測定条件は、室温（２３℃）から昇温速度１０℃／分で加熱する条件とした。上記硬化性組成物の熱硬化に伴う発熱量を測定した。

（２）融解開始から融解完了までの吸熱量
得られた硬化性組成物５０ｍｇを、アルミパンに秤量し、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行った。

上記ＤＳＣを行うために、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ７０２０」を用いた。測定条件は、室温（２３℃）から昇温速度１０℃／分で加熱する条件とした。上記硬化性組成物の融解に伴う吸熱量を測定した。

（評価）
（１）連続成型性
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、リードフレーム（銀めっき表面、厚み０．２ｍｍ）を得た。

金型として、縦１５個×横１０個のマトリックス状に配置された１５０個の凹部（光半導体素子搭載部）を有する一括成型用金型を用意した。キャビティサイズは、１個当たり４ｍｍ×２ｍｍ、深さ１ｍｍとした。金型クリーニング材（日本カーバイド社製「ニカレットＲＣＣ」）を用いて、上記金型を３回クリーニングした後、金型離型回復材（日本カーバイド社製「ニカレットＥＣＲ−Ｃ ＫＵ」）を用いて、金型に離型性を付与した。

離型性が付与された金型を用いて、得られた硬化性組成物のトランスファー成型を繰り返し行い、金型に成型後の上記硬化性組成物に由来する物質が付着して、成型が不可能になるまでの成型回数を測定した。

（２）光度保持率
（１）で得られた成型体を、１７０℃２時間の条件でアフターキュアを実施した。アフターキュア後の成型体に、ＩｎＧａＮを発光層とするサファイヤ基板の青色発光の発光素子（光半導体素子）を、シリコーン樹脂接着剤を用いて載せた。発光素子とリードフレームとを直径３０μｍの金線ワイヤを用いて電気的に接続した。発光素子が底面に載せられた成型体の凹部にそれぞれ封止剤を滴下した。封止剤は、シリコーン樹脂１００重量部とＹＡＧ蛍光体３０重量部とを含む。滴下後に、１５０℃で３時間封止剤を硬化させた。最後にリードフレームよりダイシング装置（ディスコ社製「ＤＡＤ３８１」）により切り出しを行い、白色発光の光半導体装置を得た。

得られた光半導体装置の光度（通電試験前の光度）を、ＯＬ７７０（オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて測定した。その後、温度８５℃及び湿度８５％の条件で、電流３００ｍＡで１０００時間通電した後に、光半導体装置の光度（通電試験後の光度）を測定した。通電試験前後の光度から光度保持率を求めた。

光度保持率は下記式で表される。

光度保持率（％）＝（通電試験後の光度）／（通電試験前の光度）×１００

（３）タブレットの圧縮弾性率
得られた白色タブレットを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１８１に準拠して、２３℃で、圧縮弾性率を測定した。５個の白色タブレットの圧縮弾性率を測定し、相加平均値を採用した。

（４）タブレットの圧縮強度
得られたタブレットを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１８１に準拠して、２３℃で、圧縮強度を測定した。圧縮強度は、降伏点がみられた場合については降伏点での荷重を採用し、明確な降伏点が見られない場合については、５％圧縮時の荷重を採用した。５個の白色タブレットの圧縮強度を測定し、平均値を採用した。

組成及び結果を下記の表１，２に示す。

１…光半導体装置
２…リードフレーム
２Ａ…分割前リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成型体
４Ａ…分割前第１の成型体
４ａ…内面
５…第２の成型体
５Ａ…分割前第２の成型体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
１１…分割前光半導体装置用部品
１２…分割前光半導体装置
２１…光半導体装置
２２…ダイボンド材
２３…ボンディングワイヤー
３１…光半導体装置
３２…成型体
３２ａ…枠部
３２ｂ…充填部

Claims (10)

1. 光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体を得るために用いられ、かつ白色である光半導体装置用白色硬化性組成物であって、
   エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、
   前記エポキシ化合物が、トリグリシジルイソシアヌレートであり、
   前記酸無水物硬化剤の炭素−炭素結合が単結合のみであり、
   前記酸無水物硬化剤が、ヘキサヒドロ無水フタル酸又はメチルヘキサヒドロ無水フタル酸であり、
   前記エポキシ化合物全体のエポキシ当量と前記酸無水物硬化剤全体の酸無水物硬化剤当量との当量比が、０．３：１〜３：１であり、
   示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、８０Ｊ／ｇ以下であり、かつ融解開始から融解完了までの吸熱量が０．１Ｊ／ｇ以上、１５Ｊ／ｇ以下である、光半導体装置用白色硬化性組成物。
2. 前記エポキシ化合物と酸無水物硬化剤との双方が、２３℃で固体である、請求項１に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
3. 示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が３１Ｊ／ｇ以上、５５Ｊ／ｇ以下である、請求項１又は２に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
4. 示差走査熱量測定において、融解開始から融解完了までの吸熱量が１Ｊ／ｇ以上、１５Ｊ／ｇ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
5. 前記白色顔料が、ルチル型酸化チタンである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
6. 前記充填材がシリカである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
7. トランスファー成型するためのタブレットである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法であって、
   エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含む混合物を、前記エポキシ化合物の融点未満の温度で混練することにより、前記エポキシ化合物と、前記酸無水物硬化剤と、前記白色顔料と、前記白色顔料以外の充填材と、前記硬化促進剤とを含む光半導体装置用白色硬化性組成物を得る工程を備え、
   前記エポキシ化合物が、トリグリシジルイソシアヌレートであり、
   前記酸無水物硬化剤の炭素−炭素結合が単結合のみであり、
   前記酸無水物硬化剤が、ヘキサヒドロ無水フタル酸又はメチルヘキサヒドロ無水フタル酸であり、
   前記エポキシ化合物全体のエポキシ当量と前記酸無水物硬化剤全体の酸無水物硬化剤当量との当量比が、０．３：１〜３：１であり、
   示差走査熱量測定において、硬化開始から硬化完了までの発熱量が２０Ｊ／ｇ以上、８０Ｊ／ｇ以下であり、かつ融解開始から融解完了までの吸熱量が０．１Ｊ／ｇ以上、１５Ｊ／ｇ以下である光半導体装置用白色硬化性組成物を得る、光半導体装置用白色硬化性組成物の製造方法。
9. 光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成型体であって、 請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物である、光半導体装置用成型体。
10. リードフレームと、
    前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
    前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成型体とを備え、
    前記成型体が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用白色硬化性組成物の硬化物である、光半導体装置。

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