TW201609944A - 光半導體裝置用白色硬化性組合物、光半導體裝置用白色硬化性組合物之製造方法、光半導體裝置用成型體及光半導體裝置 - Google Patents

光半導體裝置用白色硬化性組合物、光半導體裝置用白色硬化性組合物之製造方法、光半導體裝置用成型體及光半導體裝置 Download PDF

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Hiroaki Nakagawa
Shuuji Kage
Isao Higuchi
Takashi Fukuda
Haruka Mikami
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Abstract

本發明提供一種光半導體裝置用白色硬化性組合物，其可提高壓縮強度及自模具之脫模性，進而即便使用有光半導體裝置用白色硬化性組合物之光半導體裝置於嚴苛之條件下通電使用，亦可使其不易降低光度。 本發明之光半導體裝置用白色硬化性組合物包含環氧化合物、酸酐硬化劑、白色顏料、白色顏料以外之填充材、及硬化促進劑，且上述酸酐硬化劑包含僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑，於示差掃描熱量測定中，自硬化開始至硬化結束之放熱量為20J/g以上且80J/g以下，且自熔解開始至熔解結束之吸熱量為0.1J/g以上且15J/g以下。

Description

光半導體裝置用白色硬化性組合物、光半導體裝置用白色硬化性組合物之製造方法、光半導體裝置用成型體及光半導體裝置
本發明係關於一種用於獲得具有於光半導體裝置中配置於光半導體元件之側方之框部之成型體的光半導體裝置用白色硬化性組合物及光半導體裝置用白色硬化性組合物之製造方法。又，本發明係關於一種使用有上述光半導體裝置用白色硬化性組合物之光半導體裝置用成型體及光半導體裝置。
發光二極體(LED)裝置等光半導體裝置之消耗電力較低，且壽命較長。又，光半導體裝置即便於嚴苛之環境下亦可使用。因此，光半導體裝置被使用於行動電話用背光源、液晶電視用背光源、汽車用燈、照明器具及看板等廣泛之用途。
若作為用於光半導體裝置之發光元件的光半導體元件(例如LED)與大氣直接接觸，則因大氣中之水分或懸浮之污物等，光半導體元件之發光特性會急速地降低。因此，上述光半導體元件通常由光半導體裝置用密封劑密封。又，為了填充該密封劑，而於供搭載上述光半導體元件之引線框架上配置有具有框部之成型體。於該具有框部之成型體之內側，填充有上述密封劑。該成型體有時稱為反射器、盒體材或殼體。為了獲得上述成型體，使用包含白色顏料之光半導體裝置用白色硬化性組合物。
作為由上述硬化性組合物形成上述成型體之方法，例如有將上 述硬化性組合物成型為錠劑之後進行轉移成型之方法。由於上述轉移成型係於加熱及加壓下連續地進行成型，故而所獲得之成型體自模具之脫模性會對生產性產生顯著影響。
上述錠劑係歷經如下步驟而製造：將原料進行加熱使之熔融並進行混合而獲得上述硬化性組合物之混練步驟，於混練後將上述硬化性組合物進行冷卻之冷卻步驟，於冷卻後將上述硬化性組合物進行粉碎而獲得粉末之粉碎步驟，以及於粉碎後將上述粉末加入成型用模具並進行打錠之打錠步驟。
於粉碎步驟及打錠步驟中，若上述硬化性組合物為液狀或半固體狀，則於粉碎裝置或打錠機中會產生附著等不良情況，故而對於上述硬化性組合物要求可於23℃下進行粉碎及打錠之程度之剛性。
又，轉移成型中，若錠劑之強度較弱，則存在向轉移成型機之柱塞部分搬入錠劑時錠劑會破裂、或缺損之情況。其結果為，存在成型體產生填充不良等不良情況之情況。因此，要求錠劑具有較高之強度。
下述專利文獻1揭示有一種熱硬化性環氧樹脂組合物，其係藉由如下方式而獲得：使(A)三衍生物環氧樹脂與(B)酸酐以環氧基當量/酸酐基當量為0.6~2.0之比率進行反應，將獲得之反應固形物進行粉碎，並以獲得之粉碎物作為樹脂成分進行調配。專利文獻1中揭示有如下方法：(1)使上述作為反應固形物之上述(A)三衍生物環氧樹脂與上述(B)酸酐預先於70~120℃下反應4~20小時；(2)使上述(A)三衍生物環氧樹脂、上述(B)酸酐、及(C)抗氧化劑預先於70~120℃下反應4~20小時；以及(3)使上述(A)三衍生物環氧樹脂、上述(B)酸酐、(C)抗氧化劑、及(D)硬化觸媒預先於30~80℃下反應10~72小時。
又，下述專利文獻2中揭示有一種發光裝置，其具有於430nm以 上具有發光峰值波長之氮化鎵系化合物半導體之發光元件、及載置該發光元件之成型體。該成型體係使用熱硬化性環氧樹脂組合物而獲得。該熱硬化性環氧樹脂組合物包含使三衍生物環氧樹脂與酸酐以環氧基當量/酸酐基當量為0.6~2.0之比率進行反應而獲得之反應物、及晶鬚。
專利文獻3中揭示有一種包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、及(C)白色顏料之光反射用熱硬化性樹脂組合物。上述(B)硬化劑包含熔點為100℃以上之有機酸酐。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-024185號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-192880號公報
[專利文獻3]日本專利特開2011-219634號公報
近年來，LED器件之小型化進展，上述成型體之形狀正變得複雜。
若使用如專利文獻1~3記載之先前之硬化性組合物進行轉移成型，則有自模具之脫模性較低而生產性顯著降低之情況。
又，LED器件之高亮度化進展，自光半導體元件所產生之熱或光之量正在增大。
就如專利文獻1~3記載之先前之硬化性組合物而言，於具備使用該硬化性組合物所獲得之成型體之光半導體裝置中，若該光半導體裝置於高溫高濕下通電使用，則因自光半導體元件產生之熱或光，而成型體之熱劣化及光劣化容易進展。其結果為，存在自光半導體裝置所出射之光之亮度降低之問題。
本發明之目的在於提供一種光半導體裝置用白色硬化性組合物及光半導體裝置用白色硬化性組合物之製造方法，該光半導體裝置用白色硬化性組合物可提高壓縮強度及自模具之脫模性，進而即便使用有該光半導體裝置用白色硬化性組合物之光半導體裝置於嚴苛之條件下通電使用，亦可不易降低光度。
又，本發明之目的在於提供一種使用有上述光半導體裝置用白色硬化性組合物之光半導體裝置用成型體及光半導體裝置。
根據本發明之較廣之態樣，提供一種光半導體裝置用白色硬化性組合物，其係用於獲得具有於光半導體裝置中配置於光半導體元件之側方之框部的成型體，並且為白色者，其包含環氧化合物、酸酐硬化劑、白色顏料、白色顏料以外之填充材、及硬化促進劑，上述酸酐硬化劑包含僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑，於示差掃描熱量測定中，自硬化開始至硬化結束之放熱量為20J/g以上且80J/g以下，且自熔解開始至熔解結束之吸熱量為0.1J/g以上且15J/g以下。
本發明之光半導體裝置用白色硬化性組合物之一特定之態樣中，上述酸酐硬化劑之全部為僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑，或於上述酸酐硬化劑之整體100重量%中，僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑之含量為40重量%以上，另一特定之態樣中，上述酸酐硬化劑之全部為僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑。
本發明之光半導體裝置用白色硬化性組合物之一特定之態樣中，上述環氧化合物、及上述僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑之兩者於23℃下為固體。
本發明之光半導體裝置用白色硬化性組合物之一特定之態樣 中，上述環氧化合物包含具有脂環式骨架之環氧化合物或具有三骨架之環氧化合物。
本發明之光半導體裝置用白色硬化性組合物之一特定之態樣中，上述酸酐硬化劑包含六氫鄰苯二甲酸酐或甲基六氫鄰苯二甲酸酐。
較佳為，於示差掃描熱量測定中，自硬化開始至硬化結束之放熱量為31J/g以上且55J/g以下。較佳為，於示差掃描熱量測定中，自熔解開始至熔解結束之吸熱量為1J/g以上且15J/g以下。
本發明之光半導體裝置用白色硬化性組合物之一特定之態樣中，上述光半導體裝置用白色硬化性組合物係用以進行轉移成型之錠劑。
根據本發明之較廣之態樣，提供一種光半導體裝置用白色硬化性組合物之製造方法，該方法具備如下步驟：將包含環氧化合物、酸酐硬化劑、白色顏料、白色顏料以外之填充材、及硬化促進劑之混合物於未達上述環氧化合物之熔點之溫度下進行混練而製備混練物之混練步驟，及保持上述混練物而製備光半導體裝置用白色硬化性組合物之保持步驟，且上述酸酐硬化劑包含僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑。
根據本發明之較廣之態樣，提供一種光半導體裝置用成型體，其係具有於光半導體裝置中配置於光半導體元件之側方之框部者，且其係藉由使上述光半導體裝置用白色硬化性組合物硬化而獲得。
根據本發明之較廣之態樣，提供一種光半導體裝置，其具備引線框架、搭載於上述引線框架上之光半導體元件、及配置於上述引線框架上並且具有配置於上述光半導體元件之側方之框部的成型體，且上述成型體係藉由使上述光半導體裝置用白色硬化性組合物硬化而獲得。
本發明之光半導體裝置用白色硬化性組合物係包含環氧化合物、酸酐硬化劑、白色顏料、白色顏料以外之填充材、及硬化促進劑，且上述酸酐硬化劑包含僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑，於示差掃描熱量測定中，自硬化開始至硬化結束之放熱量為20J/g以上且80J/g以下，且自熔解開始至熔解結束之吸熱量為0.1J/g以上且15J/g以下，故而可提高壓縮強度及自模具之脫模性。進而，即便具備使用有本發明之光半導體裝置用白色硬化性組合物之成型體的光半導體裝置於嚴苛之條件下通電使用，亦可不易降低光度。
1‧‧‧光半導體裝置
2‧‧‧引線框架
2A‧‧‧分割前引線框架
3‧‧‧光半導體元件
4‧‧‧第1成型體
4A‧‧‧分割前第1成型體
4a‧‧‧內面
5‧‧‧第2成型體
5A‧‧‧分割前第2成型體
6‧‧‧接合材
7‧‧‧接合線
8‧‧‧密封劑
11‧‧‧分割前光半導體裝置用零件
12‧‧‧分割前光半導體裝置
21‧‧‧光半導體裝置
22‧‧‧接合材
23‧‧‧接合線
31‧‧‧光半導體裝置
32‧‧‧成型體
32a‧‧‧框部
32b‧‧‧填充部
A‧‧‧虛線
B‧‧‧箭頭
X‧‧‧虛線
圖1(a)及(b)係模式性地表示本發明之一實施形態之具備使用有光半導體裝置用白色硬化性組合物之成型體的光半導體裝置之一例的剖視圖及立體圖。
圖2係模式性地表示圖1所示之光半導體裝置之變化例之剖視圖。
圖3係模式性地表示圖2所示之光半導體裝置之變化例之剖視圖。
圖4係模式性地表示本發明之一實施形態之包含使用有光半導體裝置用白色硬化性組合物之複數個成型體連接而成之分割前成型體的分割前光半導體裝置用零件之一例的剖視圖。
圖5係模式性地表示本發明之一實施形態之包含使用有光半導體裝置用白色硬化性組合物之複數個成型體連接而成之分割前成型體的分割前光半導體裝置之一例之剖視圖。
以下，詳細地說明本發明。
(光半導體裝置用白色硬化性組合物)
本發明之光半導體裝置用白色硬化性組合物(以下，有時記載為硬化性組合物)係用於獲得具有於光半導體裝置中配置於光半導體元件之側方之框部的成型體。本發明之硬化性組合物為白色之光半導體裝置用白色硬化性組合物。本發明之硬化性組合物包含環氧化合物(A)、硬化劑(B)、白色顏料(C)、白色顏料以外之填充材(D)、及硬化促進劑(E)。
本發明之硬化性組合物中，作為上述硬化劑(B)，使用酸酐硬化劑(B)。上述硬化劑(B)包含僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)。單鍵之碳-碳鍵為碳-碳單鍵。該酸酐硬化劑(B1)不具有碳-碳多重鍵。
進而，本發明之硬化性組合物於示差掃描熱量測定中自硬化開始至硬化結束之放熱量為20J/g以上且80J/g以下，且於示差掃描熱量測定中自熔解開始至熔解結束之吸熱量為0.1J/g以上且15J/g以下。
藉由採用本發明之硬化性組合物之上述組成，進而藉由自硬化開始至硬化結束之放熱量為上述下限以上、且自熔解開始至熔解結束之吸熱量為上述下限以上，可提高壓縮強度及自模具之脫模性。例如，於使用本發明之硬化性組合物獲得錠劑時，錠劑之壓縮強度變高。進而，於使用錠劑成型用模具將上述硬化性組合物成型為錠劑時，錠劑自模具之脫模性變高。於使用模具將上述錠劑成型為成型體時，成型體自模具之脫模性變高。進而，就本發明之硬化性組合物而言，即便具備使用有本發明之硬化性組合物之成型體的光半導體裝置於嚴苛之條件下通電使用，亦可不易降低光度。
再者，上述放熱量即便超過100J/g，亦可提高自模具之脫模性，但就抑制因硬化收縮而引起之成型體之變形之觀點而言，上述放熱量為80J/g以下。
就進一步提高壓縮強度、自模具之脫模性及光度之保持性之觀 點而言，上述放熱量較佳為31J/g以上，且較佳為55J/g以下。尤其是若上述放熱量為上述上限以下，則壓縮強度充分地變高，例如容易使錠劑之壓縮強度為620N以上。
又，上述吸熱量即便超過15J/g，亦可提高錠劑強度，但就使轉移成型時之填充性良好之觀點而言，上述吸熱量為15J/g以下。
就進一步提高壓縮強度、自模具之脫模性及光度之保持性之觀點而言，上述吸熱量較佳為1J/g以上。尤其是若上述吸熱量為上述下限以上，則壓縮強度充分地變高，例如容易使錠劑之壓縮強度為500N以上，且容易使錠劑之壓縮強度為620N以上。
上述放熱量可藉由利用DSC(示差掃描熱量測定)對上述硬化性組合物自硬化開始至硬化結束之放熱量進行測定而求出。於進行上述DSC時，例如可使用SII NanoTechnology公司製造之「EXSTAR DSC7020」等。上述硬化開始溫度一般為50℃以上之溫度。因此，上述DSC可藉由對自室溫(23℃)以升溫速度10℃/分鐘進行硬化直至結束之放熱量(總放熱量)進行測定，而求出上述放熱量。於上述DSC中，於繪製溫度與熱流時，將熱流自基準線開始上升時判斷為硬化開始，將熱流下降至基準線時判斷為硬化結束。
上述吸熱量(熔解熱量)可藉由利用DSC(示差掃描熱量測定)對上述硬化性組合物自熔解開始至熔解結束之吸熱量進行測定而求出。於進行上述DSC時，例如可使用SII NanoTechnology公司製造之「EXSTAR DSC7020」等。上述硬化開始溫度一般為0℃以上且未達100℃之溫度。因此，上述DSC可藉由對自-20℃以升溫速度10℃/分鐘進行熔解直至結束之吸熱量進行測定，而求出上述吸熱量。於上述DSC中，於繪製溫度與熱流時，將熱流自基準線開始下降時判斷為熔解開始，將熱流上升至基準線時判斷為熔解結束。
以下，對本發明之硬化性組合物所含之各成分之詳細情況進行 說明。
[環氧化合物(A)]
為了能夠藉由賦予熱而硬化，上述硬化性組合物包含上述環氧化合物(A)。上述環氧化合物(A)具有環氧基。藉由使用上述環氧化合物(A)作為熱硬化性化合物，而成型體之耐熱性及絕緣可靠性變高。上述環氧化合物(A)可僅使用1種，亦可將2種以上併用。
作為上述環氧化合物(A)之具體例，可列舉：雙酚型環氧化合物、酚醛清漆型環氧化合物、使多元酸化合物與表氯醇反應而獲得之縮水甘油酯型環氧化合物、使聚胺化合物與表氯醇反應而獲得之縮水甘油胺型環氧化合物、縮水甘油醚型環氧化合物、脂肪族環氧化合物、氫化型芳香族環氧化合物、具有脂環式骨架之環氧化合物、及具有三骨架之環氧化合物等雜環式環氧化合物等。作為上述多元酸化合物，可列舉鄰苯二甲酸及二聚酸等。作為上述聚胺化合物，可列舉二胺基二苯甲烷及異三聚氰酸等。
作為上述雙酚型環氧化合物，可列舉：雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、雙酚S型環氧化合物、及烷基取代雙酚等之二縮水甘油醚等。作為上述酚醛清漆型環氧化合物，可列舉：苯酚酚醛清漆型環氧化合物、及鄰甲酚酚醛清漆型環氧化合物等。作為上述雜環式環氧化合物，可列舉二縮水甘油基異氰尿酸酯及三縮水甘油基異氰尿酸酯等。
上述環氧化合物(A)較佳為無色、或近於無色之顏色。因此，上述環氧化合物(A)較佳為雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、雙酚S型環氧化合物、二縮水甘油基異氰尿酸酯或三縮水甘油基異氰尿酸酯等具有三骨架之環氧化合物。
就使自光半導體裝置所產生之光之亮度更不易降低之觀點而言，作為上述環氧化合物(A)，較佳為使用耐熱性優異之環氧化合 物。因此，較佳為具有脂環式骨架之環氧化合物或具有三骨架之環氧化合物，更佳為二縮水甘油基異氰尿酸酯或三縮水甘油基異氰尿酸酯，進而較佳為三縮水甘油基異氰尿酸酯。
就進一步抑制因於嚴苛環境下之使用而引起光半導體裝置品質降低之觀點而言，上述環氧化合物(A)較佳為包含不具有芳香族骨架之環氧化合物，較佳為不具有芳香族骨架之環氧化合物。
上述環氧化合物(A)之環氧當量較佳為50以上，更佳為100以上，較佳為500以下，更佳為300以下。上述環氧化合物(A)之環氧當量尤佳為300以下。若上述環氧當量為上述下限以上及上述上限以下，尤其是若上述環氧當量為300以下，則上述硬化性組合物之連續成型性、及對成型體之密接對象物之密接性變得更高。
上述環氧化合物(A)較佳為於23℃下為固體。若上述環氧化合物(A)於23℃下為固體，則容易將硬化性組合物之放熱量及吸熱量控制為適當之範圍，又，壓縮強度變得更高，尤其是錠劑之壓縮強度變得更高。
上述環氧化合物(A)之調配量可進行適當調整以使藉由賦予熱而適當地硬化，且並無特別限定。上述硬化性組合物100重量%中，上述環氧化合物(A)之含量較佳為1重量%以上，更佳為3重量%以上，進而較佳為5重量%以上，較佳為99重量%以下，更佳為95重量%以下，進而較佳為80重量%以下。若上述環氧化合物(A)之含量為上述下限以上，則硬化性組合物藉由加熱會更有效率地進行硬化。若上述環氧化合物(A)之含量為上述上限以下，則成型體之耐熱性變得更高。
[硬化劑(B)]
為了能夠藉由賦予熱而有效率地硬化，上述硬化性組合物包含上述硬化劑(B)。上述硬化劑(B)會使上述環氧化合物(A)硬化。上述硬化劑(B)為酸酐硬化劑(B)。作為硬化劑(B)，可列舉：鄰苯二甲酸酐、 順丁烯二酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸二酐、六氫鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、甲基耐地酸酐、耐地酸酐、戊二酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐及甲基四氫鄰苯二甲酸酐等。藉由該酸酐硬化劑(B)之使用，而與跟成型體接觸之密封劑或引線框架等構件之密接性變高。又，藉由上述酸酐硬化劑(B)之使用，可較高地維持硬化性，從而可進一步抑制成型體之成型不均。進而，本發明中，上述硬化劑(B)包含僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)。酸酐硬化劑(B1)之碳-碳鍵只為單鍵。藉由使用僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)，可提高壓縮強度及自模具之脫模性，進而即便使用有硬化性組合物之光半導體裝置於嚴苛之條件下通電使用，亦可使其不易降低光度。上述酸酐硬化劑(B1)可僅使用1種，亦可將2種以上併用。
作為僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)，可列舉：六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、戊二酸酐及琥珀酸酐等。上述酸酐硬化劑(B1)較佳為於23℃下為固體。若上述酸酐硬化劑(B1)於23℃下為固體，則壓縮強度變得更高，尤其是錠劑之壓縮強度變得更高。若上述酸酐硬化劑(B1)之碳-碳鍵全為單鍵，且上述酸酐硬化劑(B1)於23℃下為固體，則自模具之脫模性及光度保持性變得很高。
本發明中，作為酸酐硬化劑(B)，可將僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)與酸酐硬化劑(B1)以外之酸酐硬化劑(B2)併用。
本發明中，較佳為酸酐硬化劑(B)之全部為僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)，或於酸酐硬化劑(B)之整體100重量%中，僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)之含量為40重量%以上。酸酐硬化劑(B)中之酸酐硬化劑(B1)之含量越多，可越有 效地發揮本發明之效果。於酸酐硬化劑(B)之整體100重量%中，僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)之含量較佳為50重量%以上，更佳為70重量%以上，進而較佳為75重量%以上。較佳為上述酸酐硬化劑之全部為僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)。
上述環氧化合物(A)與上述硬化劑(B)之調配比率並無特別限定。 相對於上述環氧化合物(A)100重量份，上述酸酐硬化劑(B)之含量較佳為0.5重量份以上，更佳為1重量份以上，進而較佳為2重量份以上，尤佳為3重量份以上，且較佳為500重量份以下，更佳為300重量份以下，進而較佳為200重量份以下，尤佳為100重量份以下。若上述酸酐硬化劑(B)為上述下限以上及上述上限以下，則壓縮強度、自模具之脫模性、光度之保持性變得更良好。相對於上述環氧化合物(A)100重量份，上述酸酐硬化劑(B1)之含量較佳為0.2重量份以上，更佳為0.5重量份以上，進而較佳為1重量份以上，進而較佳為2重量份以上，尤佳為3重量份以上，且較佳為500重量份以下，更佳為300重量份以下，進而較佳為200重量份以下，尤佳為100重量份以下。若上述酸酐硬化劑(B1)為上述下限以上及上述上限以下，則壓縮強度、自模具之脫模性、光度之保持性變得更良好。
上述硬化性組合物中，上述環氧化合物(A)整體之環氧當量與上述酸酐硬化劑(B)整體之酸酐硬化劑當量之當量比(環氧當量：酸酐硬化劑當量)較佳為0.3：1~3：1，更佳為1.3：1~2：1。上述硬化性組合物中，上述環氧化合物(A)整體之環氧當量與上述酸酐硬化劑(B1)整體之酸酐硬化劑當量之當量比(環氧當量：酸酐硬化劑當量)較佳為0.3：1~3：1，更佳為1.3：1~2：1。若上述當量比(環氧當量：酸酐硬化劑當量)滿足上述範圍，則成型體之耐熱性及耐候性變得更高。又，若上述當量比(環氧當量：酸酐硬化劑當量)滿足上述範圍，則壓 縮強度、自模具之脫模性、光度之保持性變得更良好。
[白色顏料(C)]
上述硬化性組合物由於包含上述白色顏料(C)，故而可獲得光之反射率較高之成型體。又，藉由上述白色顏料(C)之使用，與僅使用有上述白色顏料(C)以外之填充材之情形相比，可獲得光之反射率較高之成型體。上述白色顏料(C)並無特別限定。作為上述白色顏料(C)，可使用先前公知之白色顏料。上述白色顏料(C)可僅使用1種，亦可將2種以上併用。
作為上述白色顏料(C)，可列舉：氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化銻及氧化鎂等。
就進一步提高成型體之光之反射率之觀點而言，上述白色顏料(C)較佳為氧化鈦、氧化鋅或氧化鋯。於使用該較佳之白色顏料之情形時，可使用氧化鈦、氧化鋅及氧化鋯中之1種或2種以上之白色顏料。上述白色顏料(C)較佳為氧化鈦或氧化鋅，較佳為氧化鈦，更佳為氧化鋅。上述白色顏料(C)亦可為氧化鋯。
上述氧化鈦較佳為金紅石型氧化鈦。藉由金紅石型氧化鈦之使用，而成型體之耐熱性變得更高，即便光半導體裝置於嚴苛之環境下使用，亦不易降低品質。
上述氧化鈦較佳為藉由鋁氧化物進行過表面處理之金紅石型氧化鈦。上述白色顏料(C)100重量%中，上述藉由鋁氧化物進行過表面處理之金紅石型氧化鈦之含量較佳為10重量%以上，更佳為30重量%以上，且為100重量%以下。亦可上述白色顏料(C)之總量為上述藉由鋁氧化物進行過表面處理之金紅石型氧化鈦。藉由上述經鋁氧化物進行過表面處理之金紅石型氧化鈦之使用，而成型體之耐熱性變得更高。
作為上述藉由鋁氧化物進行過表面處理之金紅石型氧化鈦，例 如可列舉：金紅石氯法氧化鈦即石原產業公司製造之「CR-90-2」、金紅石氯法氧化鈦即石原產業公司製造之「CR-58」、金紅石氯法氧化鈦即Dupont公司製造之「R-900」、以及金紅石硫酸法氧化鈦即石原產業公司製造之「R-630」等。
上述氧化鋅較佳為進行過表面處理之氧化鋅。就進一步提高成型體之加工性及成型體之光之反射率之觀點而言，上述氧化鋅較佳為藉由包含矽、鋁或氧化鋯之材料進行表面處理，更佳為藉由包含矽之材料進行表面處理。上述包含矽之材料較佳為聚矽氧化合物。
上述氧化鋯較佳為進行過表面處理之氧化鋯。就進一步提高成型體之加工性及成型體之光之反射率之觀點而言，上述氧化鋯較佳為藉由包含矽、鋁或氧化鋯之材料進行表面處理，更佳為藉由包含矽之材料進行表面處理。上述包含矽之材料較佳為聚矽氧化合物。
上述表面處理之方法並無特別限定。作為表面處理之方法，可使用乾式法、濕式法、整體摻合法、以及其他公知慣用之表面處理方法。
上述硬化性組合物100重量%中，上述白色顏料(C)之含量及上述氧化鈦之含量分別較佳為3重量%以上，更佳為5重量%以上，進而較佳為7重量%以上，尤佳為10重量%以上，且較佳為95重量%以下，更佳為90重量%以下，進而較佳為85重量%以下。若上述白色顏料(C)之含量為上述下限以上及上述上限以下，則成型體之光之反射率變得更高，上述硬化性組合物之成型性變得更高。
[填充材(D)]
上述填充材(D)為白色顏料以外之填充材。上述填充材(D)與白色顏料(C)不同。上述填充材(D)可僅使用1種，亦可將2種以上併用。
作為上述填充材(D)，無機填充材及有機填充材之內之任一者均可使用。作為上述填充材(D)之具體例，可列舉：二氧化矽、雲母、 氧化鈹、鈦酸鉀、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、氧化銻、硼酸鋁、氫氧化鋁、氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋁、矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂、磷酸鈣、硫酸鈣、硫酸鋇、氮化矽、氮化硼、煅燒黏土等黏土、滑石、碳化矽、交聯丙烯酸之樹脂粒子及聚矽氧粒子等。上述填充材(D)較佳為無機填充材。上述填充材(D)並非作為白色顏料之氧化鈦，並非作為白色顏料之氧化鋅，且並非作為白色顏料之氧化鋯。
就使上述硬化性組合物之成型性、以及成型體與密接對象物之密接性更良好之觀點而言，上述填充材(D)較佳為包含二氧化矽，更佳為二氧化矽。
上述填充材(D)之平均粒徑較佳為0.1μm以上，且較佳為100μm以下。若上述平均粒徑為上述下限以上，則上述硬化性組合物之成型性變得更良好。若上述平均粒徑為上述上限以下，則更不易產生成型體之外觀不良。
上述填充材(D)之平均粒徑為體積基準粒度分佈曲線中累計值為50%時之粒徑值。該平均粒徑例如可使用雷射光式粒度分佈計進行測定。作為該雷射光式粒度分佈計之市售品，可列舉Beckman Coulter公司製造之「LS 13 320」等。
上述硬化性組合物100重量%中，上述填充材(D)之含量及上述二氧化矽之含量分別較佳為5重量%以上，更佳為10重量%以上，進而較佳為20重量%以上，且較佳為95重量%以下，更佳為90重量%以下，進而較佳為85重量%以下。若上述填充材(D)之含量及上述二氧化矽之含量為上述下限以上及上述上限以下，則硬化性組合物之成型性變得更高。若上述填充材(D)之含量及上述二氧化矽之含量為上述上限以下，則成型體之光之反射率變得更高。
上述硬化性組合物100重量%中，上述白色顏料(C)與上述填充材(D)之合計之含量較佳為20重量%以上，更佳為50重量%以上，進而較 佳為60重量%以上，且較佳為95重量%以下，更佳為90重量%以下，進而較佳為85重量%以下。若上述白色顏料(C)與上述填充材(D)之合計之含量為上述下限以上及上述上限以下，則硬化性組合物之成型性及成型體之光之反射率變得更高，硬化性組合物之流動性變得更合適。又，若上述白色顏料(C)與上述填充材(D)之合計之含量為50重量%以上，則成型體之強度變得更高，硬化性組合物之流動性變得更合適。
[硬化促進劑(E)]
上述硬化性組合物包含硬化促進劑(E)。藉由上述硬化促進劑(E)之使用，可提高硬化性組合物之硬化性，進而可提高成型體之耐熱性。上述硬化促進劑(E)可僅使用1種，亦可將2種以上併用。
作為上述硬化促進劑(E)，例如可列舉：脲化合物、鎓鹽化合物、咪唑化合物、磷化合物、胺化合物及有機金屬化合物等。
作為上述脲化合物，可列舉：脲、脂肪族脲化合物及芳香族脲化合物等。作為上述脲化合物之具體例，可列舉：脲、甲基脲、1,1-二甲基脲、1,3-二甲基脲、1,1,3,3-四甲基脲、1,3-二苯基脲及三正丁基硫脲等。亦可使用該等以外之脲化合物。
作為上述鎓鹽化合物，可列舉：銨鹽、鏻鹽及鋶鹽化合物等。
作為上述咪唑化合物，可列舉：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸鹽、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基均三、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均 三、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-二羥甲基咪唑等。
上述磷化合物含有磷，為含磷化合物。作為上述磷化合物，可列舉：三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻、o,o-二乙基二硫代磷酸四正丁基鏻、四正丁基鏻四氟硼酸鹽、及四正丁基鏻四苯基硼酸鹽等。亦可使用該等以外之磷化合物。
作為上述胺化合物，可列舉：二乙基胺、三乙基胺、二伸乙基四胺、三伸乙基四胺、4,4-二甲基胺基吡啶、二氮雜雙環烷烴、二氮雜雙環烯烴、四級銨鹽、三伸乙基二胺、及三-2,4,6-二甲基胺基甲基苯酚。亦可使用該等化合物之鹽。可列舉：苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻、o,o-二乙基二硫代磷酸四正丁基鏻、四正丁基鏻四氟硼酸鹽、四正丁基鏻四苯基硼酸鹽。
作為上述有機金屬化合物，可列舉鹼金屬化合物及鹼土金屬化合物等。作為上述有機金屬化合物之具體例，可列舉：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸亞錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮酸鈷(II)及三乙醯丙酮酸鈷(III)等。
就進一步提高上述硬化性組合物之硬化性、進而進一步提高成型體之耐熱性之觀點而言，上述硬化促進劑(E)較佳為脲化合物、鎓鹽化合物或磷化合物。上述硬化促進劑(E)較佳為脲化合物，亦較佳為鎓鹽化合物，亦較佳為磷化合物。
上述環氧化合物(A)與上述硬化促進劑(E)之調配比率並無特別限定。相對於上述環氧化合物(A)100重量份，上述硬化促進劑(E)之含量較佳為0.01重量份以上，更佳為0.1重量份以上，且較佳為100重量份以下，更佳為10重量份以下，進而較佳為5重量份以下。
[脫模劑(F)]
上述硬化性組合物不包含或包含上述脫模劑(F)。就進一步提高連續成型性之觀點而言，上述硬化性組合物可包含上述脫模劑(F)。上述脫模劑(F)可僅使用1種，亦可將2種以上併用。
上述脫模劑(F)並無特別限定。作為上述脫模劑(F)，可使用先前公知之脫模劑。作為上述脫模劑(F)，可列舉：脂肪酸酯系蠟、氧化或非氧化聚烯烴系蠟、烷烴系蠟、酯系蠟、巴西棕櫚蠟及聚矽氧化合物等。作為上述聚矽氧化合物，可列舉聚矽氧油及改性聚矽氧油等。
上述硬化性組合物100重量%中，上述脫模劑(F)之含量為0重量%(未使用)以上，較佳為0.01重量%以上，更佳為0.05重量%以上，且較佳為5重量%以下，更佳為3重量%以下。上述硬化性組合物亦可不包含上述脫模劑(F)。若上述脫模劑(F)之含量為上述下限以上，則連續成型性變得更高。若上述脫模劑(F)之含量為上述上限以下，則密接對象物與成型體之密接性變得更高。
就進一步提高密接對象物與成型體之密接性之觀點而言，上述硬化性組合物尤佳為不含上述脫模劑(F)，或於上述硬化性組合物100重量%中包含2重量%以下之上述脫模劑(F)。
[其他成分]
上述硬化性組合物視需要亦可包含密接助劑、抗氧化劑、樹脂改質劑、著色劑、稀釋劑、表面處理劑、阻燃劑、黏度調節劑、分散劑、分散助劑、表面改質劑、塑化劑、抗菌劑、防黴劑、調平劑、穩定劑、防垂流劑或螢光體等。上述稀釋劑可為反應性稀釋劑，亦可為非反應性稀釋劑。
作為上述密接助劑，並無特別限定，可列舉：偶合劑、三聚氰胺、異氰酸酯化合物等具有氮原子之化合物、具有硫原子之化合物等。作為上述偶合劑，並無特別限定，可列舉矽烷偶合劑及鈦酸酯系偶合劑等。
作為上述抗氧化劑，並無特別限定，可列舉：酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑及胺系抗氧化劑等。
作為上述著色劑，並無特別限定，可列舉：酞菁、偶氮化合物、雙偶氮化合物、喹吖酮、蒽醌、黃士酮、芘、苝、二、縮合偶氮化合物、甲亞胺化合物、紅外線吸收材及紫外線吸收劑等各種有機系色素；以及硫酸鉛、鉻黃、鋅黃、鉻紅、紅丹、鈷紫、鐵藍、群青、碳黑、鉻綠、氧化鉻及鈷綠等無機顏料等。
(光半導體裝置用白色硬化性組合物之其他詳細情況及光半導體裝置用成型體)
上述硬化性組合物係用於獲得具有於光半導體裝置中配置於光半導體元件之側方之框部的成型體。上述硬化性組合物較佳為用於使用模具而獲得成型體。上述硬化性組合物較佳為用於獲得具有於光半導體裝置中配置於光半導體元件之側方之框部、並且以將上述光半導體元件密封於該框部之內面所包圍之區域內之方式填充密封劑而使用的成型體。上述硬化性組合物較佳為用於獲得具有使自光半導體元件產生之光出射至外部之開口的成型體。
上述硬化性組合物較佳為用於獲得於光半導體裝置中配置於供搭載光半導體元件之引線框架上之成型體的硬化性組合物。上述引線框架例如為用以支持並固定光半導體元件、實現光半導體元件之電極與外部配線之電性連接的零件。上述成型體為光半導體裝置用成型體，較佳為光半導體元件搭載用基板。
由於可獲得光之反射率較高之成型體，故而上述硬化性組合物較佳為用於獲得於光半導體裝置中配置於供搭載光半導體元件之引線框架上且於上述光半導體元件之側方、並且具有對自上述光半導體元件產生之光進行反射之光反射部的成型體之硬化性組合物。
由於可獲得光之反射率較高之成型體，故而上述硬化性組合物 較佳為用於獲得於半導體裝置中以於供搭載光半導體元件之引線框架上且包圍上述光半導體元件之方式而配置、並且於內面具有對自上述光半導體元件產生之光進行反射之光反射部的成型體之硬化性組合物。上述成型體較佳為具有包圍上述光半導體元件之框部，且較佳為包圍上述光半導體元件之外壁構件。上述成型體較佳為框狀構件。再者，上述成型體較佳為於光半導體裝置中與用以將光半導體元件接合(die bonding)之接合材不同。上述成型體較佳為不含上述接合材。
上述硬化性組合物較佳為用於獲得在獲得複數個成型體連接而成之分割前成型體後，將該分割前成型體進行分割而獲得各個成型體。上述硬化性組合物較佳為用於獲得在獲得複數個成型體經由引線框架連接而成之分割前成型體後，將上述引線框架切斷而將上述分割前成型體進行分割而獲得各個成型體。
光半導體裝置用白色硬化性組合物之製造方法例如具備如下步驟：將包含環氧化合物(A)、酸酐硬化劑(B)、白色顏料(C)、白色顏料以外之填充材(D)、及硬化促進劑(E)之混合物於未達上述環氧化合物之熔點之溫度下進行混練而製備混練物之混練步驟，及保持上述混練物而製備光半導體裝置用白色硬化性組合物之保持步驟。上述酸酐硬化劑(B)包含僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑(B1)。
上述硬化性組合物可藉由將環氧化合物(A)、硬化劑(B)(酸酐硬化劑(B1))、白色顏料(C)、白色顏料以外之填充材(D)、硬化促進劑(E)、及視需要所調配之其他成分利用先前公知之方法進行混合而獲得。作為製作上述硬化性組合物之一般方法，可列舉將各成分藉由擠出機、捏合機、輥、押出機等進行混練之後將混練物進行冷卻並進行粉碎、錠劑化之方法。就提昇分散性之觀點而言，各成分之混練較佳為於熔融狀態下進行。混練之條件可根據各成分之種類及調配量而適當決定。較佳為於65~90℃下混練5~100分鐘，更佳為於70~85℃下 混練10~60分鐘，進而較佳為於75~85℃下混練10~40分鐘。若混合溫度為60℃以上，則可獲得分散性較好之混合物。若混合溫度為90℃以下，則壓縮強度變得更高，尤其是錠劑之壓縮強度變得更高。
熔融混練後之保持之條件可根據各成分之種類及調配量而適當決定。較佳為於上述保持步驟中，將上述混練物保持於33~70℃。較佳為於33~70℃下保持20~170小時，更佳為於33~60℃下保持40~170小時，進而較佳為於33~50℃下保持70~170小時，尤佳為於33~40℃下保持75~170小時。若保持溫度為33℃以上，則保持步驟之時間不會變得過長，從而生產性變高。若保持溫度為70℃以下，則硬化性組合物不易吸收水分，從而得以抑制硬化物之強度或彈性模數等機械特性之降低。
就進一步提高壓縮強度、自模具之脫模性及光度之保持性之觀點而言，上述硬化性組合物較佳為藉由將包含環氧化合物(A)、酸酐硬化劑(B)、白色顏料(C)、白色顏料以外之填充材(D)、及硬化促進劑(E)之混合物於未達上述環氧化合物(A)之熔點之溫度下進行混練而獲得。又，於此種情形時，與於環氧化合物(A)之熔點以上之溫度下進行混練之情形相比，容易滿足上述放熱量及上述吸熱量之範圍。
作為控制上述放熱量之方法，可列舉：控制上述環氧化合物(A)及上述硬化劑(B)(酸酐硬化劑(B1))之調配量之方法、以及藉由上述熔融混練後之保持之條件進行控制之方法。
又，作為將上述吸熱量控制為上述範圍之方法，可列舉：控制上述環氧化合物(A)及上述硬化劑(B)(酸酐硬化劑(B1))之調配量之方法、藉由上述熔融混練之溫度而進行控制之方法、以及藉由熔融混練後之保持之條件而進行控制之方法。
本發明之光半導體裝置用成型體可藉由使上述硬化性組合物硬化而獲得。上述硬化性組合物係經成型為特定之形狀。藉由使上述硬 化性組合物硬化而獲得之成型體於光半導體裝置中可較佳地用於反射自光半導體元件產生之光。
作為使用上述硬化性組合物獲得上述光半導體裝置用成型體之方法，可列舉：壓縮成型法、轉移成型法、積層成型法、射出成型法、押出成型法及吹塑成型法等。其中，較佳為轉移成型法。
就使成型體之製造較為容易、且可獲得壓縮強度較高之錠劑方面而言，上述硬化性組合物較佳為用以進行轉移成型之錠劑。
關於轉移成型法，例如藉由於成型溫度100~200℃、成型壓力5~20MPa及成型時間60~300秒之條件下將上述硬化性組合物進行轉移成型，而獲得成型體。
(光半導體裝置之詳細情況及光半導體裝置之實施形態)
本發明之光半導體裝置具備引線框架、搭載於該引線框架上之光半導體元件、配置於上述引線框架上並且具有配置於上述光半導體元件之側方之框部的成型體。上述光半導體裝置中之上述成型體可藉由使上述光半導體裝置用白色錠劑成型並且硬化而獲得。上述光半導體裝置用白色錠劑係使用上述白色硬化性組合物形成。
本發明之光半導體裝置中，上述成型體之內面較佳為對自上述光半導體元件產生之光進行反射之光反射部。
圖1(a)及(b)中，模式性地以剖視圖及立體圖表示本發明之一實施形態之光半導體裝置之一例。
本實施形態之光半導體裝置1具有引線框架2、光半導體元件3、第1成型體4、及第2成型體5。光半導體元件3較佳為發光二極體(LED)。第1成型體4與第2成型體5並非一體地形成，而為分開之2個構件。第1成型體4與第2成型體5亦可一體地形成。第1成型體4為框部。第2成型體5為底部。光半導體裝置1中，成型體具有框部(第1成型體4)、及底部(第2成型體5)。第1成型體4即框部為外壁部。第1成型體4 即框部為環狀。
再者，成型體亦可為不具有底部之成型體。可將藉由使上述硬化性組合物硬化而獲得之具有框部之成型體與其他底構件組合而使用。上述成型體亦可為僅為框部之框狀成型體。上述底構件亦可為成型體。
於引線框架2上搭載、配置有光半導體元件3。又，於引線框架2上配置有第1成型體4(框部)。又，於複數個引線框架2之間及引線框架2之下方配置有第2成型體5(底部)。再者，於引線框架之下方，亦可未配置成型體或底構件而露出引線框架。於第1成型體4之內側配置有光半導體元件3。於光半導體元件3之側方配置有第1成型體4，且以包圍光半導體元件3之方式配置有第1成型體4。第1、第2成型體4、5(具有框部及底部之成型體)係上述硬化性組合物之硬化物，係藉由使上述硬化性組合物硬化而獲得。因此，第1成型體4具有光反射性，且於內面4a具有光反射部。即，第1成型體4之內面4a為光反射部。因此，光半導體元件3之周圍由第1成型體4之具有光反射性之內面4a包圍。亦可僅第1成型體4為上述硬化性組合物之硬化物。
第1成型體4(框部)具有使自光半導體元件3產生之光出射至外部之開口。第1、第2成型體4、5為白色。第1成型體4之內面4a以內面4a之直徑隨著朝向開口端而增大之方式形成。因此，自光半導體元件3產生之光之中，到達內面4a之箭頭B所示之光被內面4a反射，而向光半導體元件3之前方側行進。
光半導體元件3係使用接合材6連接於引線框架2上。接合材6具有導電性。設置於光半導體元件3之接合墊(未進行圖示)與引線框架2藉由接合線7電性連接。以將光半導體元件3及接合線7密封之方式於第1成型體4之內面4a所包圍之區域內填充有密封劑8。
光半導體裝置1中，若驅動光半導體元件3，則如虛線A所示般產 生光。光半導體裝置1中，不僅存在自光半導體元件3向與引線框架2之上表面相反之側即上方照射之光，亦存在到達第1成型體4之內面4a之光如箭頭B所示般受到反射之光。因此，自光半導體裝置1出射之光較明亮。
圖2表示圖1所示之光半導體裝置1之變化例。圖1所示之光半導體裝置1與圖2所示之光半導體裝置21中，僅藉由接合材6、22及接合線7、23之電性連接構造不同。光半導體裝置1之接合材6具有導電性。相對於此，光半導體裝置21具有接合材22，接合材22不具有導電性。光半導體裝置1中，設置於光半導體元件3之接合墊(未進行圖示)與引線框架2(於圖1(a)中位於右側之引線框架)藉由接合線7而電性連接。光半導體裝置21具有接合線7、以及接合線23。光半導體裝置21中，設置於光半導體元件3之接合墊(未進行圖示)與引線框架2(於圖2中位於右側之引線框架)藉由接合線7而電性連接，進而，設置於光半導體元件3之接合墊(未進行圖示)與引線框架2(於圖2中位於左側之引線框架)藉由接合線23而電性連接。
圖3表示圖2所示之光半導體裝置21之變化例。圖3所示之光半導體裝置31亦為圖1所示之光半導體裝置1之變化例。圖2所示之光半導體裝置21與圖3所示之光半導體裝置31中，僅第1、第2成型體4、5及成型體32之構造不同。光半導體裝置21中使用有第1、第2成型體4、5，第1成型體4配置於引線框架2上，第2成型體5配置於複數個引線框架2之間及引線框架2之下方。相對於此，光半導體裝置31中使用1個成型體32。成型體32具有配置於引線框架2上之框部32a、及配置於複數個引線框架2之間之填充部32b。框部32a與填充部32b係一體地形成。如此，光半導體裝置於光半導體裝置中具有配置於光半導體元件之側方之框部即可。於引線框架之下方，亦可不配置成型體。成型體亦可不具有配置於引線框架之下方之底部。引線框架之背面可露出。
再者，圖1~3所示之構造只不過為本發明之光半導體裝置之一例，成型體之構造及光半導體元件之安裝構造等可適當變化。
又，如圖4所示，可準備複數個光半導體裝置用零件連接而成之分割前光半導體裝置用零件11，將分割前光半導體裝置用零件11沿利用虛線X所示之部分進行切斷，而獲得各個光半導體裝置用零件。分割前光半導體裝置用零件11具有分割前引線框架2A、分割前第1成型體4A、及分割前第2成型體5A。可於獲得各個光半導體裝置用零件之後，搭載光半導體元件3，並利用密封劑8將該光半導體元件3密封，而獲得光半導體裝置1。若將分割前引線框架2A沿利用虛線X所示之部分進行切斷，則獲得引線框架2。若將分割前第1成型體4A沿利用虛線X所示之部分進行切斷，則獲得第1成型體4。若將分割前第2成型體5A沿利用虛線X所示之部分進行切斷，則獲得第2成型體5。
進而，如圖5所示，可準備複數個分割前光半導體裝置連接而成之分割前光半導體裝置12，將分割前光半導體裝置12按利用虛線X所示之部分進行切斷，而獲得各個光半導體裝置。分割前光半導體裝置12具有分割前引線框架2A、分割前第1成型體4A、及分割前第2成型體5A。又，與圖1~3所示之光半導體裝置1、21、31相同，分割前光半導體裝置12中，於分割前引線框架2A上搭載、配置有光半導體元件3。再者，於圖4、5中，分割前光半導體裝置用零件及分割前光半導體裝置中，複數個成型體相連而形成分割前成型體，亦可將複數個成型體未連接之分割前光半導體裝置用零件及分割前光半導體裝置進行分割，而獲得光半導體裝置用零件及光半導體裝置。
以下，藉由列舉本發明之具體之實施例及比較例，而使本發明變得明瞭。本發明並不限定於以下實施例。實施例及比較例中使用以下材料。
(環氧化合物(A))
1)TEPIC(TEPIC-S，三縮水甘油基異氰尿酸酯，日產化學公司製造，環氧當量100，熔點110℃)
2)EHPE3150(具有脂環骨架之環氧樹脂，Daicel公司製造，環氧當量177，熔點80℃)
(硬化劑(B))
1)RIKACID TH(四氫鄰苯二甲酸酐，有雙鍵，新日本理化公司製造，熔點101℃)
2)RIKACID MH(4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐，全為單鍵，新日本理化公司製造，熔點-30℃)
3)RIKACID HH(六氫鄰苯二甲酸酐，全為單鍵，新日本理化公司製造，熔點33℃)
(白色顏料(C))
1)R-900(金紅石型氧化鈦，藉由Al進行過表面處理，平均粒徑0.41μm，Dupont公司製造)
2)CR-90-2(金紅石型氧化鈦，藉由Al及Si進行過表面處理，藉由有機物進行過表面處理，平均粒徑0.25μm，石原產業公司製造)
(填充材(D))
1)MSR-3512(球狀二氧化矽，平均粒徑30μm，龍森公司製造)
2)AA(破碎二氧化矽，平均粒徑6μm，龍森公司製造)
(硬化促進劑(E))
1)SA102(DBU-辛酸鹽，SAN-APRO公司製造)
2)PX-4ET(o,o-二乙基二硫代磷酸四正丁基鏻，日本化學工業公司製造)
(抗氧化劑)
亞磷酸三苯酯(磷系抗氧化劑，和光純藥工業公司製造)
(脫模劑(F))
1)Ceridust 3715(聚乙烯蠟，Clariant Japan公司製造)
2)Unithox 750(脂肪族醚，日油公司製造)
(實施例1~25及比較例1~2)
以下述表1、2所示之調配量調配(調配單位為重量份)下述表1、2所示之各成分，利用混合機(東洋精機製作所公司製造之「Laboplastomill R-60」)，於下述表1、2所示之溫度及時間之熔融混練條件下進行熔融混練，獲得混練物。將所獲得之混練物於35℃之烘箱內以下述表1、2所示之溫度及時間之保持條件進行保持，其後進行粉碎並錠劑化，而獲得硬化性組合物(白色錠劑)。
再者，關於比較例1~2，將以與上述相同之方式所獲得之混練物不進行保持步驟而進行粉碎並錠劑化，獲得硬化性組合物(白色錠劑)。
(測定) (1)自硬化開始至硬化結束之放熱量
稱量所獲得之硬化性組合物50mg置於鋁鍋中，並進行示差掃描熱量測定(DSC)。
為了進行上述DSC，使用SII NanoTechnology公司製造之「EXSTAR DSC7020」。測定條件設為自室溫(23℃)以升溫速度10℃/分鐘進行加熱之條件。對伴隨上述硬化性組合物之熱固化的放熱量進行測定。
(2)自熔解開始至熔解結束之吸熱量
稱量所獲得之硬化性組合物50mg置於鋁鍋中，並進行示差掃描熱量測定(DSC)。
為了進行上述DSC，使用SII NanoTechnology公司製造之「EXSTAR DSC7020」。測定條件設為自室溫(23℃)以升溫速度10℃/分鐘進行加熱之條件。對伴隨上述硬化性組合物之熔解的吸熱量進行 測定。
(評價) (1)連續成型性
於銅原材料(TAMAC 194)上藉由蝕刻而形成電路之後，實施鍍銀，獲得引線框架(鍍銀表面，厚度0.2mm)。
作為模具，準備具有配置成縱15個×橫10個之矩陣狀之150個凹部(光半導體元件搭載部)的一次性成型用模具。關於模腔尺寸，每1個設為4mm×2mm，深度1mm。使用模具清潔材(Nippon Carbide公司製造「Nicaret RCC」)將上述模具清潔3次，其後使用模具脫模恢復材(Nippon Carbide公司製造「Nicaret ECR-C KU」)對模具賦予脫模性。
使用賦予過脫模性之模具，反覆進行所獲得之硬化性組合物之轉移成型，使源自成型後之上述硬化性組合物之物質附著於模具，對直至成型變得不可能之成型次數進行測定。
(2)光度保持率
對(1)所獲得之成型體以170℃ 2小時之條件實施後硬化。使用聚矽氧樹脂接著劑將以InGaN作為發光層之藍寶石基板之藍色發光之發光元件(光半導體元件)載置於後硬化後之成型體。將發光元件與引線框架使用直徑30μm之金線進行電性連接。向發光元件載置於底面之成型體之凹部分別滴加密封劑。密封劑包含聚矽氧樹脂100重量份及YAG螢光體30重量份。滴加後，於150℃下使密封劑硬化3小時。最後，自引線框架藉由切割裝置(DISCO公司製造之「DAD381」)進行切取，獲得白色發光之光半導體裝置。
對所獲得之光半導體裝置之光度(通電試驗前之光度)使用OL770(Optronic Laboratories公司製造)進行測定。其後，以溫度85℃及濕度85%之條件於電流300mA下通電1000小時之後，對光半導體裝 置之光度(通電試驗後之光度)進行測定。根據通電試驗前後之光度求出光度保持率。
光度保持率利用下述式表示。
光度保持率(%)=(通電試驗後之光度)/(通電試驗前之光度)×100
(3)錠劑之壓縮彈性模數
使用所獲得之白色錠劑，依據JIS K7181，於23℃下對壓縮彈性模數進行測定。測定5個白色錠劑之壓縮彈性模數，採用算術平均值。
(4)錠劑之壓縮強度
使用所獲得之錠劑，依據JIS K7181，於23℃下對壓縮強度進行測定。關於壓縮強度，於可見降伏點之情形時，採用降伏點時之荷重，於未見明確之降伏點之情形時，採用5%壓縮時之荷重。測定5個白色錠劑之壓縮強度，採用平均值。
將組成及結果示於下述表1、2。
1‧‧‧光半導體裝置
2‧‧‧引線框架
3‧‧‧光半導體元件
4‧‧‧第1成型體
4a‧‧‧內面
5‧‧‧第2成型體
6‧‧‧接合材
7‧‧‧接合線
8‧‧‧密封劑
A‧‧‧虛線
B‧‧‧箭頭

Claims (12)

  1. 一種光半導體裝置用白色硬化性組合物，其係用於獲得具有於光半導體裝置中配置於光半導體元件之側方之框部的成型體，並且為白色者，且其包含環氧化合物、酸酐硬化劑、白色顏料、白色顏料以外之填充材、及硬化促進劑，上述酸酐硬化劑包含僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑，於示差掃描熱量測定中，自硬化開始至硬化結束之放熱量為20J/g以上且80J/g以下，且自熔解開始至熔解結束之吸熱量為0.1J/g以上且15J/g以下。
  2. 如請求項1之光半導體裝置用白色硬化性組合物，其中上述酸酐硬化劑之全部為僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑，或於上述酸酐硬化劑之整體100重量%中，僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑之含量為40重量%以上。
  3. 如請求項2之光半導體裝置用白色硬化性組合物，其中上述酸酐硬化劑之全部為僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑。
  4. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用白色硬化性組合物，其中上述環氧化合物、及上述僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑之兩者於23℃下為固體。
  5. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用白色硬化性組合物，其中上述環氧化合物包含具有脂環式骨架之環氧化合物或具有三骨架之環氧化合物。
  6. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用白色硬化性組合物，其 中上述酸酐硬化劑包含六氫鄰苯二甲酸酐或甲基六氫鄰苯二甲酸酐。
  7. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用白色硬化性組合物，其於示差掃描熱量測定中，自硬化開始至硬化結束之放熱量為31J/g以上且55J/g以下。
  8. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用白色硬化性組合物，其於示差掃描熱量測定中，自熔解開始至熔解結束之吸熱量為1J/g以上且15J/g以下。
  9. 如請求項1至3中任一項之光半導體裝置用白色硬化性組合物，其係用以進行轉移成型之錠劑。
  10. 一種光半導體裝置用白色硬化性組合物之製造方法，其具備：混練步驟，其係將包含環氧化合物、酸酐硬化劑、白色顏料、白色顏料以外之填充材、及硬化促進劑之混合物於未達上述環氧化合物之熔點之溫度下進行混練，而製備混練物；保持步驟，其係保持上述混練物而製備光半導體裝置用白色硬化性組合物；且上述酸酐硬化劑包含僅具有單鍵之碳-碳鍵作為碳-碳鍵之酸酐硬化劑。
  11. 一種光半導體裝置用成型體，其係具有於光半導體裝置中配置於光半導體元件之側方之框部者，且藉由使如請求項1至9中任一項之光半導體裝置用白色硬化性組合物硬化而獲得。
  12. 一種光半導體裝置，其具備：引線框架，搭載於上述引線框架上之光半導體元件，及配置於上述引線框架上、並且具有配置於上述光半導體元件 之側方之框部的成型體；且上述成型體藉由使如請求項1至9中任一項之光半導體裝置用白色硬化性組合物硬化而獲得。
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