JP2015038180A - 光半導体装置用成形体の製造方法及び光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】成形体を用いた光半導体装置において、光半導体素子の周辺が黒色に変色するのを抑えることができる光半導体装置用成形体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る光半導体装置用成形体４，５の製造方法は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、かつ白色である白色硬化性組成物をトランスファー成形して、アフターキュア前成形体を得る工程と、上記アフターキュア前成形体を、１５５℃以上、１９０℃以下の温度で、１時間以上、５時間以下アフターキュアを行うことで、光半導体装置１において光半導体素子３の側方に配置される枠部を有する光半導体装置用成形体４，５を得る工程とを備える。【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する光半導体装置用成形体の製造方法に関する。また、本発明は、上記光半導体装置用成形体の製造方法により得られる成形体を備える光半導体装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。また、該封止剤を充填するために、上記光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に、枠部を有する成形体が配置されている。該枠部を有する成形体の内側に、上記封止剤が充填されている。該成形体は、リフレクター、ケース材又はハウジングと呼ばれることがある。

上記成形体の製造方法の一例として、下記の特許文献１には、第１のリードと第２のリードとを一体成形する樹脂成形体の製造方法であって、底面と側面とを持つ凹部が形成されている樹脂成形体の製造方法が開示されている。上記樹脂成形体の製造方法は、上金型は樹脂成形体の凹部に相当する凹みを形成しており、第１のリードは第１のインナーリード部と第１のアウターリード部とを有しており、第２のリードは第２のインナーリード部と第２のアウターリード部とを有しており、樹脂成形体の凹部の底面に相当する第１のインナーリード部と第２のインナーリード部並びに第１のアウターリード部と第２のアウターリード部は上金型と下金型とで挟み込まれる第１の工程と、上金型と下金型とで挟み込まれた凹み部分に熱硬化性樹脂をトランスファ・モールド工程により流し込まれる第２の工程と、流し込まれた熱硬化性樹脂は加熱して硬化され、樹脂成形体が成形される第３の工程とを備える。

下記の特許文献２には、光半導体素子搭載領域となる凹部が２つ以上形成された光反射用熱硬化性樹脂組成物層を配線基板上に有する光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法が開示されている。特許文献２では、上記光反射用熱硬化性樹脂組成物層をトランスファー成型により形成することが記載されている。

下記の特許文献３には、トリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物とをエポキシ基当量／酸無水物基当量０．６〜２．０の割合で反応させて得られる固形物の粉砕物に、（Ｄ）硬化触媒、（Ｅ）反射部材及び（Ｆ）無機充填剤を混合する第１の工程と、金型内にリードを配置して上記第１の工程で得られる熱硬化性エポキシ樹脂組成物をトランスファ・モールド工程により成形する第２の工程と、上記第２の工程で成形される熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の上記リード上に発光素子を載置する第３の工程とを備える発光装置の製造方法が開示されている。

特開２００６−１５６７０４号公報 特開２００７−２３５０８５号公報 ＷＯ２００７／０１５４２６Ａ１

特許文献１〜３に記載のような従来の成形体の製造方法では、得られる成形体を用いた光半導体装置が長期間使用されている間に、光半導体装置から取り出される光の明るさが低下することがある。また、従来の成形体の製造方法により得られる成形体を用いた光半導体装置では、光半導体素子の周辺が黒色に変色することがある。特に、光半導体素子の周辺が黒色に変色すると、光半導体装置から取り出される光の明るさが大きく低下しやすい。

本発明の目的は、成形体を用いた光半導体装置において、光半導体素子の周辺が黒色に変色するのを抑えることができる光半導体装置用成形体の製造方法及び光半導体装置を提供することである。

本発明の広い局面によれば、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する光半導体装置用成形体の製造方法であって、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、かつ白色である白色硬化性組成物をトランスファー成形して、アフターキュア前成形体を得る工程と、前記アフターキュア前成形体を、１５５℃以上、１９０℃以下の温度で、１時間以上、５時間以下アフターキュアを行うことで、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する光半導体装置用成形体を得る工程とを備える、光半導体装置用成形体の製造方法が提供される。

本発明に係る光半導体装置用成形体の製造方法のある特定の局面では、前記アフターキュアを、真空度３００ｋＰａ以下で行う。

本発明に係る光半導体装置用成形体の製造方法のある特定の局面では、前記酸無水物硬化剤の酸無水物硬化剤当量の、前記エポキシ化合物のエポキシ当量に対する比が、０．４以上、０．９以下である。

本発明に係る光半導体装置用成形体の製造方法のある特定の局面では、前記白色硬化性組成物が、前記酸無水物硬化剤として、融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤を含み、前記酸無水物硬化剤の全体１００重量％中、前記融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤の含有量が２０重量％以上である。

本発明に係る光半導体装置用成形体の製造方法のある特定の局面では、前記エポキシ化合物のエポキシ当量が３００以下である。

本発明に係る光半導体装置用成形体の製造方法のある特定の局面では、前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであり、かつ、前記充填材がシリカを含む。

本発明の広い局面によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成形体とを備え、前記成形体が、上述した光半導体装置用成形体の製造方法により得られる、光半導体装置が提供される。

本発明に係る光半導体装置用成形体の製造方法は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、かつ白色である白色硬化性組成物をトランスファー成形して、アフターキュア前成形体を得る工程と、上記アフターキュア前成形体を、１５５℃以上、１９０℃以下の温度で、１時間以上、５時間以下アフターキュアを行うことで、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する光半導体装置用成形体を得る工程とを備えるので、得られる光半導体装置用成形体を用いた光半導体装置において、光半導体素子の周辺が黒色に変色するのを抑えることができる。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用成形体の製造方法により得られる成形体を備える光半導体装置の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。 図２は、図１に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。 図３は、図２に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。 図４は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用成形体の製造方法に適用可能である分割前光半導体装置用部品であって、複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置用部品の一例を模式的に示す断面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置用成形体の製造方法に適用可能である分割前光半導体装置であって、複数の成形体が連なった分割前成形体を含む分割前光半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

（光半導体装置用成形体の製造方法）
本発明は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する光半導体装置用成形体（以下、成形体と記載することがある）の製造方法である。本発明に係る光半導体装置用成形体の製造方法は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、かつ白色である白色硬化性組成物をトランスファー成形して、アフターキュア前成形体を得る工程と、上記アフターキュア前成形体を、１５５℃以上、１９０℃以下の温度で、１時間以上、５時間以下アフターキュアを行うことで、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体を得る工程とを備える。上記白色硬化性組成物は、光半導体装置用白色硬化性組成物である。

本発明に係る光半導体装置用成形体の製造方法では、上述した構成が備えられているので、成形体を用いた光半導体装置において、光半導体素子の周辺が黒色に変色するのを抑えることができる。例えば、光半導体素子の周辺に位置する封止剤や電極の黒色化を抑えることができる。この結果、得られる成形体を用いた光半導体装置が長期間使用されている間に、光の明るさが低下するのを抑えることができる。このため、使用初期段階での光半導体装置と、長期間使用した後の光半導体装置とで、光半導体装置から発せられる光の明るさに差異が生じにくくなる。

なお、光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物や酸無水物硬化剤を含むので、一般に、トランスファー成形時に上記白色硬化性組成物の大部分が硬化する。しかし、一部未反応の成分が残存することがある。この結果、成形体を用いた光半導体装置において、光半導体素子の周辺が黒色に変色することがある。

これに対して、本発明者らは、従来のアフターキュア条件で、成形体を処理したとしても、成形体を用いた光半導体装置において、光半導体素子の周辺が黒色に変色することがあることを見出した。

さらに、本発明では、特定の上述した条件でアフターキュアを行うことで、光半導体素子の周辺が黒色に変色するのを抑えることができることも見出した。

また、複数の光半導体装置を得るために、後に複数のリードフレームに分割される分割前リードフレーム上に、成形体を配置した後、分割前リードフレームを分割して、複数の光半導体装置を得ることがある。さらに、複数の光半導体装置を得るために、リードフレーム上に、後に複数の成形体に分割される分割前成形体を配置した後、分割前成形体を分割して、複数の光半導体装置を得ることがある。本発明に係る光半導体装置用成形体の製造方法は、このような光半導体装置の製造時に適用可能である。

上記白色硬化性組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）と白色顔料（Ｃ）と白色顔料以外の充填材（Ｄ）と硬化促進剤（Ｅ）と必要に応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。上記白色硬化性組成物を作製する一般的な方法としては、各成分を押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練した後、混練物を冷却し、粉砕する方法が挙げられる。分散性を向上する観点からは、各成分の混練は、溶融状態で行うことが好ましい。混練の条件は、各成分の種類及び配合量により適宜決定される。１５〜１５０℃で５〜１００分間混練することが好ましく、１５〜１５０℃で５〜６０分間混練することがより好ましく、５〜１５０℃で５〜４０分間混練することが更に好ましく、２０〜１００℃で１０〜３０分間混練することが特に好ましい。

上記白色硬化性組成物を成形する方法としては、圧縮成形法、トランスファー成形法、積層成形法、射出成形法、押出成形法及びブロー成形法等が存在する。本発明では、トランスファー成形法が採用される。

トランスファー成形法では、例えば、成形温度１００〜２００℃、成形圧力５〜２０ＭＰａ及び成形時間６０〜３００秒の条件で、上記白色硬化性組成物をトランスファー成形することにより、上記アフターキュア前成形体が得られる。本発明では、上記白色硬化性組成物を、成形温度１００〜２００℃、成形圧力５〜２０ＭＰａ及び成形時間６０〜３００秒の条件で、トランスファー成形することが好ましい。

上記アフターキュア前成形体を、１５５℃以上、１９０℃以下の温度で、１時間以上、５時間以下アフターキュアを行うことで、上記光半導体装置用成形体を得ることができる。

上述した条件でアフターキュアを行うことは、光半導体素子の周辺の黒色化の防止に大きく寄与する。上記アフターキュアを行う際の温度及び時間について上述した条件よりも穏やかな条件であると、光半導体素子の周辺が黒色に変色することがある。上記アフターキュアを行う際の温度及び時間について上述した条件よりも過酷な条件であると、アフターキュアの熱によって、白色硬化性組成物が劣化することがある。

上記アフターキュアの条件は、１５５℃以上、１９０℃以下の温度で、３時間以上、５時間以下アフターキュアを行う条件であってもよい。

上記アフターキュアを、真空度３００ｋＰａ以下の条件で行うことが好ましく、真空度７０ｋＰａ以下で行うことがより好ましい。真空度が上記上限以下であると、光半導体装置から発せられる光の明るさがより一層低下し難くなり、光半導体素子の周辺の黒色化がより一層抑えられる。

上記成形体は、上述した白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記白色硬化性組成物は所定の形状に成形される。上記白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。

以下、上記白色硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。

［エポキシ化合物（Ａ）］
上記白色硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、上記エポキシ化合物（Ａ）を含む。上記エポキシ化合物（Ａ）はエポキシ基を有する。熱硬化性化合物として上記エポキシ化合物（Ａ）を用いることにより、成形体の耐熱性及び絶縁信頼性が高くなる。上記エポキシ化合物（Ａ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物（Ａ）の具体例としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、ノボラック型エポキシ化合物、多塩素酸化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエステル型エポキシ化合物、ポリアミン化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるグリシジルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物、水添型芳香族エポキシ化合物、脂環式骨格を有するエポキシ化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物などが挙げられる。上記多塩素酸化合物としては、フタル酸及びダイマー酸等が挙げられる。上記ポリアミン化合物としては、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等が挙げられる。

上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、及びアルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記複素環式エポキシ化合物としては、ジグリシジルイソシアヌレート及びトリグリシジルイソシアヌレート等が挙げられる。

上記エポキシ化合物（Ａ）は無色であるか、又は無色に近い色であることが好ましい。このため、上記エポキシ化合物（Ａ）は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ジグリシジルイソシアヌレート又はトリグリシジルイソシアヌレートであることが好ましい。

光半導体装置から発せられる光の明るさをより一層低下し難くする観点からは、上記エポキシ化合物として、耐熱性に優れたエポキシ化合物を用いることが好ましい。このため、脂環式エポキシ化合物又はトリグリシジルイソシアヌレートが好ましく、トリグリシジルイソシアヌレートがより好ましい。

過酷な環境下での使用による光半導体装置の品質の低下をより一層抑える観点からは、上記エポキシ化合物（Ａ）は、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物を含むことが好ましく、芳香族骨格を有さないエポキシ化合物であることが好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）のエポキシ当量は、３００以下であることが特に好ましい。上記エポキシ当量が上記下限以上及び上記上限以下であると、特に、上記エポキシ当量が３００以下であると、上記白色硬化性組成物の連続成形性、及び成形体の密着対象物に対する密着性がより一層高くなる。

上記エポキシ化合物（Ａ）の配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記白色硬化性組成物１００重量％中、上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記下限以上であると、加熱により白色硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。上記エポキシ化合物（Ａ）の含有量が上記上限以下であると、成形体の耐熱性がより一層高くなる。

［硬化剤（Ｂ）］
上記白色硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、上記硬化剤（Ｂ）を含む。上記硬化剤（Ｂ）は、上記エポキシ化合物（Ａ）を硬化させる。上記硬化剤（Ｂ）は酸無水物硬化剤である。該酸無水物硬化剤の使用によって、成形体と接触している封止剤やリードフレームなどの部材との密着性が高くなる。また、上記酸無水物硬化剤の使用により、硬化性を高く維持して、成形体の成形むらをより一層抑制できる。上記酸無水物硬化剤として、上記エポキシ化合物（Ａ）の硬化剤として使用される公知の酸無水物硬化剤が使用可能である。上記硬化剤（Ｂ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記酸無水物硬化剤としては、芳香族骨格を有する酸無水物及び脂環式骨格を有する酸無水物の内のいずれも使用可能である。

好ましい上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。

上記酸無水物硬化剤は、二重結合を有さないことが好ましい。二重結合を有さない好ましい酸無水物硬化剤としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化剤（Ｂ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化剤（Ｂ）（酸無水物硬化剤）の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、特に好ましくは３重量部以上、好ましくは５００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下、特に好ましくは１００重量部以下である。

また、上記酸無水物硬化剤の酸無水物硬化剤当量の上記エポキシ化合物のエポキシ当量に対する比（酸無水物硬化剤当量／エポキシ当量）は好ましくは０．３以上、より好ましくは０．４以上、好ましくは３以下、より好ましくは２以下、更に好ましくは０．９以下である。上記比（酸無水物硬化剤当量／エポキシ当量）が上記下限以上及び上記上限以下であると、光半導体素子の周辺の変色がより一層抑えられ、成形体の耐熱性及び耐候性がより一層高くなる。上記比（酸無水物硬化剤当量／エポキシ当量）が０．４以上、０．９以下であると、光半導体素子の周辺の変色が更に一層抑えられる。

（白色顔料（Ｃ））
上記白色硬化性組成物は上記白色顔料（Ｃ）を含むので、光の反射率が高い成形体を得ることができる。また、上記白色顔料（Ｃ）の使用によって、上記白色顔料（Ｃ）以外の充填材のみを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成形体が得られる。上記白色顔料（Ｃ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記白色顔料（Ｃ）は特に限定されない。上記白色顔料（Ｃ）として従来公知の白色顔料を使用可能である。

上記白色顔料（Ｃ）としては、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン及び酸化マグネシウム等が挙げられる。

成形体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであることが好ましい。この好ましい白色顔料を用いる場合に、酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化ジルコニウムの中で、１種又は２種以上の白色顔料を用いることができる。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化チタン又は酸化亜鉛であることが好ましく、酸化チタンであることが好ましく、酸化亜鉛であることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）は、酸化ジルコニウムであってもよい。

上記酸化チタンは、ルチル型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなり、光半導体装置が過酷な環境下で使用されても、品質が低下し難くなる。

上記酸化チタンは、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであることが好ましい。上記白色顔料（Ｃ）１００重量％中、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、１００重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。

上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製「ＣＲ−５８」、並びにルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製「Ｒ−６３０」等が挙げられる。

上記酸化亜鉛は、表面処理された酸化亜鉛であることが好ましい。成形体の加工性及び成形体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化亜鉛は、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。

上記酸化ジルコニウムは、表面処理された酸化ジルコニウムであることが好ましい。成形体の加工性及び成形体の光の反射率をより一層高める観点からは、上記酸化ジルコニウムは、珪素、アルミニウム又はジルコニアを含む材料により表面処理されていることが好ましく、珪素を含む材料により表面処理されていることがより好ましい。上記珪素を含む材料は、シリコーン化合物であることが好ましい。

上記表面処理の方法は特に限定されない。表面処理の方法として、乾式法、湿式法、インテグラルブレンド法、並びに他の公知慣用の表面処理方法を用いることができる。

上記白色硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）の含有量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上、更に好ましくは７重量％以上、特に好ましくは１０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなり、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。

（充填材（Ｄ））
上記充填材（Ｄ）は、白色顔料（Ｃ）以外の充填材である。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料（Ｃ）とは異なる。上記充填材（Ｄ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記充填材（Ｄ）として、無機充填材及び有機充填材の内のいずれも用いることができる。上記充填材（Ｄ）の具体例としては、シリカ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化ケイ素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。上記充填材（Ｄ）は、無機充填材であることが好ましい。上記充填材（Ｄ）は、白色顔料である酸化チタンではなく、白色顔料である酸化亜鉛ではなく、白色顔料である酸化ジルコニウムではない。

上記白色硬化性組成物の成形性、並びに成形体と密着対象物との密着性をより一層良好にする観点からは、上記充填材（Ｄ）はシリカを含むことが好ましく、シリカであることがより好ましい。

上記充填材（Ｄ）の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。上記平均粒径が上記下限以上であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層良好になる。上記平均粒径が上記上限以下であると、成形体の外観不良がより一層生じ難くなる。

上記充填材（Ｄ）における平均粒径は、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ １３ ３２０」等が挙げられる。

上記白色硬化性組成物１００重量％中、上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量はそれぞれ、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記白色硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。上記充填材（Ｄ）の含有量及び上記シリカの含有量が上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなる。

上記白色硬化性組成物１００重量％中、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記白色硬化性組成物の成形性及び成形体の光の反射率がより一層高くなり、上記白色硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。また、上記白色顔料（Ｃ）と上記充填材（Ｄ）との合計の含有量が５０重量％以上であると、成形体の強度がより一層高くなり、上記白色硬化性組成物の流動性がより一層適度になる。

（硬化促進剤（Ｅ））
上記白色硬化性組成物は、硬化促進剤（Ｅ）を含む。上記硬化促進剤（Ｅ）の使用により、上記白色硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成形体の耐熱性を高めることができる。上記硬化促進剤（Ｅ）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化促進剤（Ｅ）としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。

上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア及びトリ−ｎ−ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。

上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。

上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。

上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、及びテトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロアルカン、ジアザビシクロアルケン、第４級アンモニウム塩、トリエチレンジアミン、及びトリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールが挙げられる。これらの化合物の塩を用いてもよい。フェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートが挙げられる。

上記有機金属化合物としては、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物等が挙げられる。上記有機金属化合物の具体例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。

上記白色硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤（Ｅ）は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。

上記エポキシ化合物（Ａ）と上記硬化促進剤（Ｅ）との配合比率は特に限定されない。上記エポキシ化合物（Ａ）１００重量部に対して、上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは１０重量部以下、更に好ましくは５重量部以下である。

（離型剤（Ｆ））
上記白色硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含まないか又は含む。但し、連続成形性をより一層高める観点からは、上記白色硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含んでいてもよい。上記離型剤（Ｆ）は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記離型剤（Ｆ）を用いる場合には、離型剤（Ｆ）がアウトガス成分となって、光半導体素子の周辺の黒色化が生じやすくなる傾向がある。しかし、本発明では、特定の上述した条件でアフターキュアが行われるので、離型剤（Ｆ）を用いたとしても、光半導体素子の周辺の黒色化を抑えることができる。上記離型剤（Ｆ）を用いる場合に、本発明における特定の条件でのアフターキュアを行うことで、黒色化の抑制効果がより一層効果的に得られる。

上記離型剤（Ｆ）は特に限定されない。上記離型剤（Ｆ）として、従来公知の離型剤を使用可能である。上記離型剤（Ｆ）としては、脂肪酸エステル系ワックス、酸化又は非酸化ポリオレフィン系ワックス、パラフィン系ワックス、カルナバワックス及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記シリコーン化合物としては、シリコーンオイル及び変性シリコーンオイル等が挙げられる。

上記白色硬化性組成物１００重量％中、上記離型剤（Ｆ）の含有量は０重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下である。上記白色硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含んでいなくてもよい。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記下限以上であると、連続成形性がより一層高くなる。上記離型剤（Ｆ）の含有量が上記上限以下であると、密着対象物と成形体との密着性がより一層高くなる。

密着対象物と成形体との密着性をより一層高める観点からは、上記白色硬化性組成物は、上記離型剤（Ｆ）を含まないか、又は上記離型剤（Ｆ）をさらに含みかつ上記白色硬化性組成物１００重量％中の上記離型剤（Ｆ）の含有量が２重量％以下であることが特に好ましい。

（他の成分）
上記白色硬化性組成物は、必要に応じて、カップリング剤、酸化防止剤、樹脂改質剤、着色剤、希釈剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記希釈剤は、反応性希釈剤であってもよく、非反応性希釈剤であってもよい。

上記カップリング剤としては特に限定されず、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。

上記酸化防止剤としては特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。

上記着色剤としては特に限定されず、フタロシアニン、アゾ化合物、ジスアゾ化合物、キナクリドン、アントラキノン、フラバントロン、ペリノン、ペリレン、ジオキサジン、縮合アゾ化合物、アゾメチン化合物、赤外吸収材及び紫外線吸収剤などの各種有機系色素、並びに硫酸鉛、クロムエロー、ジンクエロー、クロムバーミリオン、弁殻、コバルト紫、紺青、群青、カーボンブラック、クロムグリーン、酸化クロム及びコバルトグリーン等の無機顔料等が挙げられる。

（光半導体装置用成形体の詳細）
上記光半導体装置用成形体は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する成形体である。上記光半導体装置用成形体の製造方法では、金型が用いられる。上記成形体は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有し、かつ該枠部の内面で囲まれた領域内に上記光半導体素子を封止するように封止剤が充填されて用いられる成形体であることが好ましい。上記成形体は、光半導体素子から発せられた光が外部に取り出される開口を有する成形体であることが好ましい。

上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上に配置される成形体であることが好ましい。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成形体は光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。

光の反射率が高い成形体が得られるので、上記成形体は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体であることが好ましい。

光の反射率が高い成形体が得られるので、上記成形体は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成形体であることが好ましい。上記成形体は、上記光半導体素子を取り囲む枠部を有することが好ましく、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましい。上記成形体は、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合（ダイボンディング）するためのダイボンド材とは異なることが好ましい。上記成形体は、上記ダイボンド材を含まないことが好ましい。

上記成形体の製造方法は、複数の成形体が連なった分割前成形体を得た後に、該分割前成形体を分割して個々の成形体を得る工程を備えることが好ましい。上記成形体の製造方法は、複数の成形体がリードフレームを介して連なった分割前成形体を得た後に、上記リードフレームを切断して上記分割前成形体を分割して個々の成形体を得るために用いられることが好ましい。上記分割前成形体及び上記個々の成形体はそれぞれ、上記アフターキュア前成形体であってもよく、アフターキュア後の上記光半導体装置用成形体であってもよい。すなわち、分割工程は、アフターキュアの前に行われてもよく、アフターキュアの後に行われてもよい。

（光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態）
本発明に係る光半導体装置は、リードフレームと、該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記リードフレーム上に配置されており、かつ上記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成形体とを備える。上記光半導体装置における上記成形体が、上述した光半導体装置用成形体の製造方法により得られる。

本発明に係る光半導体装置では、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。

図１（ａ）及び（ｂ）に、本発明の一実施形態に係る光半導体装置の一例を模式的に断面図及び斜視図で示す。

本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成形体４と第２の成形体５とを有する。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されていてもよい。第１の成形体４は、枠部である。第２の成形体５は、底部である。光半導体装置１では、成形体は、枠部（第１の成形体４）と、底部（第２の成形体５）とを有する。第１の成形体４である枠部は、外壁部である。第１の成形体４である枠部は、環状である。

なお、成形体は、底部を有さない成形体であってもよい。上記白色硬化性組成物を硬化させることにより得られる枠部を有する成形体と、他の底部材とを組み合わせて用いてもよい。上記成形体は、枠部のみの枠状の成形体であってもよい。上記底部材は、成形体であってもよい。

リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成形体４（枠部）が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成形体５（底部）が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成形体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第１の成形体４の内側に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成形体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成形体４が配置されている。第１，第２の成形体４，５（枠部及び底部を有する成形体）は、上述した白色硬化性組成物の硬化物であり、上述した白色硬化性組成物を上述した光半導体装置用成形体の製造方法より得られる。従って、第１の成形体４は、光反射性を有し、内面４ａに光反射部を有する。すなわち、第１の成形体４の内面４ａは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成形体４の光反射性を有する内面４ａにより囲まれている。第１の成形体４のみが、上述した白色硬化性組成物の硬化物であってもよく、上述した光半導体装置用成形体の製造方法により得られていてもよい。

第１の成形体４（枠部）は、光半導体素子３から発せられた光が外部に取り出される開口を有する。第１，第２の成形体４，５は、白色である。第１の成形体４の内面４ａは、内面４ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ａに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。

光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。ダイボンド材６は、導電性を有する。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成形体４の内面４ａで囲まれた領域内には、封止剤８が充填されている。

光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成形体４の内面４ａに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光の明るさは明るい。

図２に、図１に示す光半導体装置１の変形例を示す。図１に示す光半導体装置１と図２に示す光半導体装置２１とでは、ダイボンド材６，２２及びボンディングワイヤー７，２３による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置１におけるダイボンド材６は導電性を有する。これに対し、光半導体装置２１はダイボンド材２２を有し、ダイボンド材２２は導電性を有さない。光半導体装置１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図１（ａ）において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体装置２１は、ボンディングワイヤー７に加えて、ボンディングワイヤー２３を有する。光半導体装置２１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されており、更に、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において左側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー２３により電気的に接続されている。

図３に、図２に示す光半導体装置２１の変形例を示す。図３に示す光半導体装置３１は、図１に示す光半導体装置１の変形例でもある。図２に示す光半導体装置２１と、図３に示す光半導体装置３１とでは、第１，第２の成形体４，５及び成形体３２の構造のみが異なる。光半導体装置２１では、第１，第２の成形体４，５が用いられており、第１の成形体４は、リードフレーム２上に配置されており、第２の成形体５は、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とに配置されている。これに対し、光半導体装置３１では、１つの成形体３２が用いられている。成形体３２は、リードフレーム２上に配置された枠部３２ａと、複数のリードフレーム２間に配置された充填部３２ｂとを有する。枠部３２ａと充填部３２ｂとは一体的に形成されている。このように、光半導体装置は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有していればよい。リードフレームの下方に、成形体は配置されていなくてもよい。成形体は、リードフレームの下方に配置された底部を有していなくてもよい。リードフレームの裏面は、露出していてもよい。

なお、図１〜３に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。

また、図４に示すように、複数の光半導体装置用部品が連なった分割前光半導体装置用部品１１を用意して、分割前光半導体装置用部品１１を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置用部品を得てもよい。分割前光半導体装置用部品１１は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。個々の光半導体装置用部品得た後、光半導体素子３を搭載し、該光半導体素子３を封止剤８により封止して、光半導体装置１を得てもよい。分割前リードフレーム２Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、リードフレーム２が得られる。分割前第１の成形体４Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第１の成形体４が得られる。分割前第２の成形体５Ａを破線Ｘで示す部分で切断すると、第２の成形体５が得られる。

さらに、図５に示すように、複数の分割前光半導体装置が連なった分割前光半導体装置１２を用意して、分割前光半導体装置１２を破線Ｘで示す部分で切断して、個々の光半導体装置を得てもよい。分割前光半導体装置１２は、分割前リードフレーム２Ａと、分割前第１の成形体４Ａと、分割前第２の成形体５Ａとを有する。また、図１〜３に示す光半導体装置１，２１，３１と同様に、分割前光半導体装置１２では、分割前リードフレーム２Ａ上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。なお、図４，５に示す分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置では、複数の成形体が連なって分割前成形体が形成されているが、複数の成形体が連なっていない分割前光半導体装置用部品及び分割前光半導体装置を分割して、光半導体装置用部品及び光半導体装置を得てもよい。

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。

実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。

（エポキシ化合物（Ａ））
１）ＥＨＰＥ３１５０（脂環骨格を有するエポキシ樹脂、ダイセル社製、エポキシ当量１７７）
２）ＴＥＰＩＣ−Ｓ（トリグリシジルイソシアヌレート、日産化学社製、エポキシ当量１００）

（硬化剤（Ｂ））
１）リカシッドＴＨ（テトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）
２）リカシッドＨＨ（ヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化社製）

（白色顔料（Ｃ））
１）ＣＲ−５８（酸化チタン、ルチル型、Ａｌにより表面処理されている、平均粒径０．２５μｍ、石原産業社製）
２）ＵＴ７７１（酸化チタン、ルチル型、Ａｌ、Ｚｒにより表面処理されている、平均粒径０．２５μｍ、有機物処理されている、石原産業社製）
３）酸化亜鉛Ｉ種（平均粒径１μｍ、堺化学工業社製）
４）ＵＥＰ（酸化ジルコニウム、平均粒径０．５μｍ、第一稀元素化学工業社製）

（充填材（Ｄ））
１）ＭＳＲ−３５１２（球状シリカ、平均粒径３０μｍ、龍森社製）
２）ＡＡ（破砕シリカ、平均粒径６μｍ、龍森社製）
３）Ｂ−５５（破砕充填材である硫酸バリウム、平均粒径１．２μｍ、堺化学工業社製）

（硬化促進剤（Ｅ））
１）ＳＡ１０２（ＤＢＵ−オクチル酸塩、サンアプロ社製）
２）ＰＸ−４ＥＴ（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオネート、日本化学工業社製）
３）ＰＸ−４ＰＢ（テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、日本化学工業社製）
４）Ｃ１１Ｚ−ＣＮ（１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、四国化成工業社製）

（離型剤（Ｆ））
１）セリダスト３７１５（ポリエチレンワックス、クラリアントジャパン社製）
２）Ｍ−９６７６（ステアリン酸ステアリル、日油社製）

（配合例１〜８）
下記表１に示す各成分を下記表１に示す配合量で配合（配合単位は重量部）し、混合機（東洋精機製作所社製「ラボプラストミルＲ−６０」）にて、７０℃で１５分間混合し、混練物を得た。また、混練物を得た後、熱エージングを行わないか、又は、下記の表１に示す条件で、熱エージングを行った。次に、得られた熱エージングを行わなかった混練物及び熱エージングを行った混練物を粉砕して、粉末状の白色硬化性組成物を得た。

（実施例１〜１７及び比較例１〜５）
下記の表２に示す種類の配合例１〜８で得られた粉末状の硬化性組成物８ｇを、樹脂との接触面積が超硬合金である杵型と臼型との一対から構成されたタブレット作成用の金型（直径１６ｍｍ）を用いて、室温（２３℃）及び荷重３ｔの条件で、タブレット成型して、白色硬化性組成物であるタブレットを得た。

成形体の作製：
銅素材（ＴＡＭＡＣ １９４）にエッチングにより回路を形成した後、銀めっきを施し、リードフレーム（銀めっき表面、厚み０．２ｍｍ）を得た。

金型として、縦１５個×横１０個のマトリックス状に配置された１５０個の凹部（光半導体素子搭載部）を有する一括成形用金型を用意した。キャビティサイズは、１個当たり４ｍｍ×２ｍｍ、深さ１ｍｍとした。金型クリーニング材（日本カーバイド社製「ニカレットＲＣＣ」）を用いて、上記金型を３回クリーニングした後、金型離型回復材（日本カーバイド社製「ニカレットＥＣＲ−Ｃ ＫＵ」）を用いて、金型に離型性を付与した。

離型性が付与された金型を用いて、金型温度１７５℃、キュアタイム２分の条件で、得られたタブレットのトランスファー成形を行い、光半導体装置搭載用基板（アフターキュア前成形体）を得た。得られた光半導体装置搭載用基板について、下記の表２に示す条件（温度及び時間）でアフターキュアを行い、成形体を得た。

なお、下記の表２に示す循環式オーブン及び真空オーブンは、以下の通りである。

循環式オーブン：ヤマト科学社製「ＤＮＥ９１０」
真空オーブン：ヤマト科学社製「ＤＰ６３」

（評価）
（１）光度保持率
アフターキュア後の成形体に、ＩｎＧａＮを発光層とするサファイヤ基板の青色発光の発光素子（光半導体素子）を、シリコーン樹脂接着剤を用いて載せた。発光素子とリードフレームとを直径３０μｍの金線ワイヤを用いて電気的に接続した。発光素子が底面に載せられた成形体の凹部にそれぞれ封止剤を滴下した。封止剤は、シリコーン樹脂１００重量部とＹＡＧ蛍光体３０重量部とを含む。滴下後に、１５０℃で３時間封止剤を硬化させた。最後にリードフレームよりダイシング装置（ディスコ社製、ＤＡＤ３８１）により切り出しを行い、白色発光の光半導体装置を得た。

得られた光半導体装置の光度（通電試験前の光度）を、ＯＬ７７０（オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて測定した。その後、温度６０℃及び湿度９０％の条件で、電流１２０ｍＡで１５００時間通電した後に、光半導体装置の光度（通電試験後の光度）を測定した。通電試験前後の光度から光度保持率を求めた。また、通電後の光半導体装置における封止剤の外観を確認した。

光度保持率は下記式で表される。

光度保持率（％）＝（通電試験後の光度）／（通電試験前の光度）×１００

（２）光半導体素子の周辺の黒色化
上記（１）の通電試験後の光半導体装置を目視により観察し、光半導体素子の周辺に位置する封止剤及び電極の黒色化の有無を観察した。光半導体素子の周辺の黒色化を下記の基準で判定した。

［光半導体素子の周辺の黒色化の判定基準］
○：光半導体素子の周辺が変色しておらず、黒色化していない
×：光半導体素子の周辺が黒色に変色している

配合例、実施例、比較例及び結果を下記の表１，２に示す。

１…光半導体装置
２…リードフレーム
２Ａ…分割前リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成形体
４Ａ…分割前第１の成形体
４ａ…内面
５…第２の成形体
５Ａ…分割前第２の成形体
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止剤
１１…分割前光半導体装置用部品
１２…分割前光半導体装置
２１…光半導体装置
２２…ダイボンド材
２３…ボンディングワイヤー
３１…光半導体装置
３２…成形体
３２ａ…枠部
３２ｂ…充填部

Claims (7)

1. 光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する光半導体装置用成形体の製造方法であって、
   エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、白色顔料と、白色顔料以外の充填材と、硬化促進剤とを含み、かつ白色である白色硬化性組成物をトランスファー成形して、アフターキュア前成形体を得る工程と、
   前記アフターキュア前成形体を、１５５℃以上、１９０℃以下の温度で、１時間以上、５時間以下アフターキュアを行うことで、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部を有する光半導体装置用成形体を得る工程とを備える、光半導体装置用成形体の製造方法。
2. 前記アフターキュアを、真空度３００ｋＰａ以下で行う、請求項１に記載の光半導体装置用成形体の製造方法。
3. 前記酸無水物硬化剤の酸無水物硬化剤当量の、前記エポキシ化合物のエポキシ当量に対する比が、０．４以上、０．９以下である、請求項１又は２に記載の光半導体装置用成形体の製造方法。
4. 前記白色硬化性組成物が、前記酸無水物硬化剤として、融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤を含み、
   前記酸無水物硬化剤の全体１００重量％中、前記融点が５０℃以下である酸無水物硬化剤の含有量が２０重量％以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用成形体の製造方法。
5. 前記エポキシ化合物のエポキシ当量が３００以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用成形体の製造方法。
6. 前記白色顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛又は酸化ジルコニウムであり、かつ、
   前記充填材がシリカを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用成形体の製造方法。
7. リードフレームと、
   前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、
   前記リードフレーム上に配置されており、かつ前記光半導体素子の側方に配置されている枠部を有する成形体とを備え、
   前記成形体が、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用成形体の製造方法により得られる、光半導体装置。

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