CN102544334A - 一种高效发光的电致发光器件 - Google Patents
一种高效发光的电致发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102544334A CN102544334A CN2012100117478A CN201210011747A CN102544334A CN 102544334 A CN102544334 A CN 102544334A CN 2012100117478 A CN2012100117478 A CN 2012100117478A CN 201210011747 A CN201210011747 A CN 201210011747A CN 102544334 A CN102544334 A CN 102544334A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electroluminescent device
- layer
- oxide
- efficient luminous
- luminous electroluminescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种高效发光的电致发光器件,包括透明基底、增光结构和LED单元,所述之LED单元包括透明电极、至少有一个发光层的发光元件和反射电极层,所述之增光结构包括带有一层高折射率微粒的光散射层、具有高折射率的表面平滑层和保护层,所述之表面平滑层包括两种组成成分:一为表面包覆有机小分子的高折射率无机纳米粒子,二为可聚合单体或者高分子聚合物。本发明的电致发光器件具有下列技术效果:1)提高了光输出效率;2)降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种电致发光器件,具体地说,涉及一种能够提高发光效率的电致发光器件。
背景技术
电致发光器件(LED),主要包括以下几种:有机电致发光器件(OLED)、高分子电致发光器件(PLED)和无机电致发光器件,例如QD-LED。
现有的LED通常包括一个透明基底、一个透明第一电极层、一个发光元件和一个反射第二电极层。当电子和空穴从两个电子穿过发光元件注入到LED中,共同结合或者碰撞而产生光,发光元件通常包括几层材料,其中至少包括一层用于发光的发光层。OLED的发光元件通常包括一个电子注入层、一个电子传输层、一个或多个发光层、一个空穴传输层和一个空穴注入层。可以组合其中一层或几层,也可以去除其中一层或几层,也可以在它们基础上增加电子阻挡层或者空穴阻挡层。一般情况下,第一电极是阳极,第二电极是阴极。
发光材料的光折射率通常高于空气的光折射率,在发光层和空气之间通常折射率介于两者之间的一层或者多层材料。当光从高折射率层进入低折射率层会发生全内反射。全内反射光被困在高折射率层,不能传输进入低折射率层。在OLED中,发光层的光折射率为1.7-1.8,透明电极层的光折射率为1.9,基底的光折射率为1.5。全内反射发生在透明电极层和基底的界面上,一部分光从发光层到达界面,角度大于正常的临界角,这些光被困在有机层和透明电极层之间,最后被各层的材料吸收或者从OLED的边界射出,没有发挥任何作用,这部分光被称为有机光。全内反射同样发生在基底和空气的界面上,一部分光到达界面,角度大于正常的临界角,这些光被困在基底、透明电极层和有机层之间,最后被各层的材料吸收或者从OLED的边界射出,没有发挥任何作用,这部分光被称为基底光。据估计,发光层发出的光超过50%成为有机光,超过30%成为基底光,只有不到20%被输出到空气中,成为可被使用的光。这20%的实际上从LED中发出的光被称为空气光,全内反射导致的光阱大大降低了LED的发光效率。
目前也已经采取各种措施来通过降低光阱作用而使得有机光和基底光能够从LED中输出,从而增加薄膜LED的发光效率,这些尝试详细记载在下列文件中: U.S专利文本. Nos. 5,955,837, 5,834,893; 6,091,195; 6,787,796, 6,777,871; U.S. 专利申请公开文本 Nos. 2004/0217702 A1, 2005/0018431A1, 2001/0026124 A1; 世界专利WO 02/37580 A1, WO02/37568 A1。
总的说来,现有的措施通常是提供一种能够改变光的方向的增光结构,这样一部分由于全内反射而被困住的光能能够传输到空气中。
大部分情况下,这些增光结构被设置在透明基底的外表面,由于有机光永远不能到达这些结构,因此这些增光结构仅能使用空气光和基底光。由于有机光占有发出的光的一半,因此这些增光结构不能有效地增加光的输出,为了有效地提取这三种光,增光结构必须设在透明电极的附近,现有发明中的底部发光结构,将增光结构设在靠近电极层,意味着增光结构在LED内必须设在透明电极和基底之间,设计这个内部增光结构意味着复杂的技术挑战,因为除非能保证薄膜LED的完美,将增光结构设在LED内部会导致许多不好的结果,包括设备的完全短路。尽管有许多关于内部增光结构的建议,但是实际现有技术中并没有达到这样的产生更好发光效率的器件。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足之处,提供一种高效发光的电致发光器件。
本发明的高效发光的电致发光器件,包括透明基底、增光结构和LED单元,所述之LED单元包括透明电极、至少有一个发光层的发光元件和反射电极层,所述之增光结构包括带有微粒的光散射层、具有高折射率的表面平滑层和保护层,所述之表面平滑层包括两种组成成分:一为表面包覆有机小分子的高折射率无机纳米粒子,二为可聚合单体或者聚合物。
所述之LED单元还包括防短路层。
所述之保护层包括光聚合材料、热聚合材料、环氧树脂和胶粘剂。
所述之光散射层的微粒选自高折光指数的微粒。
所述之高折光指数的微粒选自氧化钛、氧化钽、氧化铌、氧化锆、氧化铝、氧化钨、氧化锑、氧化钒、氧化钼或其混合物。
所述之光散射层的微粒的粒径为0.1-10微米。
所述之光散射层的微粒为单层或多层分布。
所述之光散射层还包括粘合剂。
所述之粘合剂为聚氨酯。
所述之表面平滑层的折射率的范围大于1.5。
所述之表面平滑层的折射率的范围大于1.7。
所述之表面平滑层的厚度为0.05~5微米。
所述之表面平滑层的厚度为500~2000纳米。
所述之表面平滑层中的高折射率无机纳米粒子选自纳米金属硫化物或纳米金属氧化物。
所述之高折射率无机纳米粒子选自硫化锌、氧化锌、硫化镉、硒化镉、氧化钛或硫化铅。
所述之表面平滑层中的高折射率无机纳米粒子粒径为1-100nm。
所述之高折射率无机纳米粒子粒径小于20nm。
所述之表面平滑层中的高折射率无机纳米粒子,其结构式如下式所示:
其中,X为使纳米物稳定的修饰物。
所述之修饰物选自含有可聚合基团,如硅氧烷基、羟基、巯基、羧基、氨基、亚氨基、烯基或异氰酸酯基的化合物。
所述之有机小分子X选自辛基三乙氧基硅烷,十八烷基三甲氧基硅烷,氨丙基三乙氧基硅烷,甲基丙烯酸酯丙基三甲氧基硅烷,γ-缩水甘油醚丙基三甲氧基硅烷、巯基乙醇、巯基乙酸、甲硫醇、乙硫醇、乙二硫醇、乙二胺、二乙胺、苯胺、二苯甲烷二胺、苯硫醇、甲酸、乙酸、甲基丙烯酸、羟甲基丙烯酸甲酯、羟甲基丙烯酸乙酯、羟甲基丙烯酸、甲苯二异氰酸酯、己二异氰酸酯、马来酸酐、二苯甲烷二异氰酸酯、异佛二酮二异氰酸酯或己二异氰酸酯缩二脲。
[0029] 所述之可聚合单体选自含有羟基、羧基、氨基、烯基、异氰酸酯或巯基的有机单体。
所述之可聚合单体选自丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸酯、羟甲基丙烯酸甲酯、羟甲基丙烯酸乙酯、巯基乙酸、乙二硫醇、马来酸酐、甲苯二异氰酸酯、己二异氰酸酯、马来酸酐、二苯甲烷二异氰酸酯、异佛二酮二异氰酸酯或己二异氰酸酯缩二脲。
所述之高分子聚合物选自加成聚合物或缩合聚合物;
所述之高分子聚合物选自聚酯、聚醚、聚苯乙烯及其衍生物、环氧树脂、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯或聚氨酯,所述之高分子聚合物的分子量为5000~1000000。
所述之保护层为紫外光固化聚合物,包括聚氨酯、环氧树脂、聚酯、丙烯酸酯、丙烯酸树脂或压敏粘着剂。
所述之保护层为基于包含硅烷的紫外光固化聚合物的丙烯酸酯。
所述之保护层的折射率小于等于基底的折射率。
所述之防短路层的厚度为10nm-200nm。
所述之防短路层的表面电阻率为1×106欧姆/平方-1×1012欧姆/平方。
所述之防短路层的材料选自氧化钼、氧化钡、氧化锑、氧化铋、氧化铼、氧化钽、氧化钨、氧化铌、氧化镍或它们的混合物。
所述之防短路层的材料为混合导电氧化物和绝缘材料,其中所述之混合导电氧化物包括氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化锡、铝掺杂氧化锌或它们的混合物,所述之绝缘材料选自氧化物、氟化物、氮化物、硫化物或它们的混合物。
所述之防短路层的材料为铟锡氧化物与硫化锌的混合物或者铟锡氧化物与硫化锌、二氧化硅的混合物。
所述之防短路层的材料为包括PEDOT/PSS、聚噻吩或者聚苯胺的有机材料。
所述之反射电极层选自银、铜、铝或者它们的合金。
所述之LED单元为堆叠式LED。
本发明还提供了制备高效发光的电致发光器件的方法,包括下列步骤:
1)准备至少有一个光滑面的载体;
2)把一层带有微粒的光散射层安装在载体的光滑面上;
3)在载体的对面提供一个基底,在基底和载体之间涂上一些保护材料;
4)压合基底和载体,使得保护材料成为位于基底和散射层之间的保护层;
5)将粘有保护层和光散射层的基底与载体分离;
6)在光散射层上装上一个表面平滑层;
7)在光散射层上装上一个LED单元,
其中,步骤6)中的表面平滑层是通过使两个组分在溶剂或者无溶剂条件下原位聚合反应或者复合反应得到。
优选地,所述之原位聚合方法包括下列步骤:
1)在溶剂或者无溶剂环境中,将表面修饰有机小分子的无机纳米材料与可聚合单体混合均匀后,将该溶液均匀涂布于散射层的表面;
2)在加热、紫外光或者伽马射线辐照条件下将二者原位聚合得到无机纳米材料与聚合物的复合材料。
所述之复合方法包括下列步骤:
1)将表面修饰有机小分子的无机纳米材料均匀分散在溶剂中,然后与高分子聚合物的溶液混合均匀,形成高分子聚合物与无机纳米材料的均匀混合溶液;
2)该溶液均匀涂布于散射层的表面,除去溶剂后得到无机纳米材料与高分子聚合物聚合物的复合材料。
所述之溶剂除去方法包括加热或者风干,同时辅助鼓风加热或者真空加热。
所述之溶剂选自DMSO、DMF、丙酮、乙腈、乙醇、丁酮、甲苯、环己烷、二氧六环和THF中的一种或者多种。
所述之保护材料是一种聚合物前体,在步骤5)前面有一个聚合前体的步骤。
所述之保护材料为液体,或者保护材料为柔性材料,在步骤4)压合基底和载体时使得保护材料铺在光散射层的表面。
本发明的方法还包括加上防短路层防短路层这个步骤。
所述之载体为玻璃或者塑料。
所述之载体可为软板,或者载体可为卷状,并在各个步骤后切成片状。
本发明的方法还包括应用在散射层安装在载体之前,使用脱模剂对载体进行预处理。
本发明中,由于散射层的散射粒子为椭圆形或者无规则形状,因此散射层与透明电极层之间的界面是不光滑的,在散射粒子之间,散射粒子与透明电极层之间会产生不同的间隙,本发明的保护层接触散射粒子的表面。保护材料填充了大部分的散射粒子之间的间隙以及大部分的散射粒子与透明电极层之间产生的间隙。而表面平滑层更填充了剩下的间隙。
当光从发光单元的发光层发出,传输经过透明电极层,撞击在散射层上,被散射。部分有机光和基底光得以小于临界角的角度散射出去,能够进入到空气中。由于表面平滑层的折射率高于发光层,因此,原本为空气光、基底光和有机光都能透过散射层,并且能够有效地散射。散射粒子与透明电极层的邻近同样能确保好的光穿透以及好的散射效率。通过选择光折射率小于等于基底的保护层,本发明的光输出效率能够进一步地提高,这样散射光从散射层进入保护层在保护层/基底或者基底/空气的界面上发生更少的内反射损失。
平滑层具有高折射率,而且其折射率大于等于发光层的折射率,这样能够促进光结合到散射层上,能够提高光提取效率。防短路层折射率很高,而且能够减少短路对于发光器件的损害。
堆叠型的LED单元带有多个发光元件,每个发光元件至少有一个发光层。当在透明电极层和反射电极层间通电,电流经过多个发光层,使得所有发光层都有发光,从而增加了发光效率。
本发明的技术效果:
1)提高了光输出效率;
2)降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例1的OLED的剖面图;
图2为本发明实施例2的OLED的剖面图;
图3为本发明实施例3的OLED的剖面图;
其中,10为基底,12为保护层,12a为保护材料,14为散射层, 15为LED单元,16为透明电极层,18, 18a为发光元件,20为反射电极层,25, 25a为发光层,30为载体20,40为平滑层,50为防短路层,70为连接单元 。
具体实施方式
实施例1
如图1所示,本实施例的电致发光器件,包括透明基底10、增光结构和LED单元15, LED单元15包括透明电极层16、带有一个发光层25的发光元件18和反射电极层20,增光结构包括带有一层高折射率微粒的光散射层14、具有高折射率的表面平滑层40和保护层12。
实施例2
如图2所示,本实施例的电致发光器件,包括透明基底10、增光结构和LED单元15, LED单元15包括透明电极层16、防短路层50、带有一个发光层25的发光元件18和反射电极层20,增光结构包括带有一层高折射率微粒的光散射层14、具有高折射率的表面平滑层40和保护层12。
实施例3
如图3所示,本实施例的电致发光器件,包括透明基底10、增光结构和LED单元15,LED单元15包括透明电极层16、防短路层50、带有一个发光层25的发光元件18、连接单元70、带有一个发光层25a的发光元件18a和反射电极层20,增光结构包括带有一层高折射率微粒的光散射层14、具有高折射率的表面平滑层40和保护层12。
连接单元使得两个相邻的有机发光单元的电子注入电子传输层,空穴注入空穴传输层。优选地,连接单元是透明的,并且串联在OLED上。同样优选地,连接单元没有太多的面内导电性,可以有效阻止层与层之间的干扰,特别是当OLED用于像素化显示器或者照明设备的时候。散射层14可以提高两个发光层的光提取效率。
实施例 4 制备表面包覆有机小分子的高折射率无机纳米粒子
1、纳米二氧化钛的合成
将100 g钛酸丁酯,17.1 g正己酸和9.26 g去离子水混匀后,置于可搅拌的高压釜中,鼓泡10 min排除反应釜内多余的空气,加热到250 ℃,在该温度下维持5 h。至反应釜冷却至室温,釜内外压力相等后取出反应液,2500 rpm/min 离心,所得固体用正己烷洗涤3次,置于冰箱冷冻待用。
2、二氧化钛表面修饰
取湿二氧化钛固体2.41 g分散于40 ml二甲苯,加入0.83 g辛基三乙氧基硅烷和0.375 g十八烷基三甲氧基硅烷,85 ℃反应2 h,离心,正己烷洗涤后离心得到固体,分散于二甲苯,待用。
以二甲苯作为溶剂,采用动力学光散射测得粒径为 18.2 nm(以Volume计)。
实施例 5 制备表面包覆有机小分子的高折射率无机纳米粒子
1、纳米二氧化钛的合成
将150 g钛酸丁酯,50 ml正丁醇,25.5 g正己酸和14.0 g去离子水混匀后,置于可搅拌的高压釜中,鼓泡10min排除反应釜内多余的空气,加热到250 ℃,在该温度下维持5 h。至反应釜冷却至室温,釜内外压力相等后取出反应液,2500 rpm/min 离心,所得固体用正己烷洗涤3次,置于冰箱冷冻待用。
2、二氧化钛表面修饰
取湿二氧化钛固体7.6 g分散于150 ml丁酮,加入0.7 g十八烷基三甲氧基硅烷,0.47 g辛基三乙氧基硅烷,2.3 g甲基丙烯酸酯丙基三甲氧基硅烷,68 ℃反应2 h后,加入2.27 g 5%氨水,降温至45 ℃,反应过夜。减压蒸馏除去大部分溶剂后,加入正己烷洗涤,离心,重新分散在正己烷中,洗涤,离心得到固体,分散于2-戊酮,待用。
以2-戊酮作为溶剂,采用动力学光散射测得粒径为 15.3 nm(以Volume计)。
实施例 6 制备表面平滑层并检测其折光性能
取实施例5硅氧烷修饰过的二氧化钛分散于2-戊酮,配制成质量浓度为10%的分散液,加入质量浓度0.1%的光引发剂 4265。采用旋涂的方式涂覆在2 cm×2 cm硅片及玻璃上,转速1000 rpm,时间20 s,UV 固化后110 ℃下真空烘烤5 h。膜厚和折光指数通过膜厚仪测得,见表1。
从表1可以看出,制得表面平滑层具有高折光指数。
实施例 7 制备表面平滑层并检测其折光性能
取实施例5硅氧烷修饰过的二氧化钛分散于2-戊酮,配制成质量浓度为30%的溶胶,加5% UV3400(固丽宝UV胶),采用旋涂的方式涂覆在2 cm×2 cm硅片及玻璃上,转速1000 rpm,时间20 s,UV固化后110℃下真空烘烤5 h。膜厚和折光指数通过膜厚仪测得,膜厚为 520 nm,折光指数为1.75。
实施例 8 制备表面平滑层并检测其折光性能
取实施例5硅氧烷修饰过的二氧化钛分散于2-戊酮,配制成质量浓度为30%的溶胶,加5% MMA+光引发剂4265,采用旋涂的方式涂覆在2 cm×2 cm硅片及玻璃上,转速1000 rpm,时间20 s,UV固化后110 ℃下真空烘烤5 h。膜厚和折光指数通过膜厚仪测得,膜厚为 563 nm,折光指数为1.80。
实施例 9 制备表面平滑层并检测其折光性能
取实施例4硅氧烷修饰过的二氧化钛分散于2-戊酮,配制成质量浓度为30%的溶胶,加5%TMPTA+光引发剂,采用旋涂的方式涂覆在2 cm×2 cm硅片及玻璃上,旋涂时间20 s,改变转速,所得样品在110 ℃下真空烘烤5 h。不同转速下的膜厚和折光指数通过膜厚仪测得,见表2。
从表2可以看出,制得表面平滑层具有厚度超过500 nm ,具有高折光指数。
实施例 10 制备增光结构
1)制备光散射层的微粒
将10 g TiO2(Dupont R系列)和1 g分散剂 (路博润 Solsperse系列)加至200 g甲苯溶剂中,放入150 g磨介后在120 rpm的转速下进行研磨,19 h后取样进行光散射测试,TiO2的分散稳定性用平均计数率的变化来衡量,粒径为 297 nm。
2)制备光散射层
将4.67 g 上一步制备的TiO2 悬浮液与0.20 g UV胶(固丽宝UV胶)分散于3.13 g甲苯中,取约1mL混合液滴加于大小为50 mm×50 mm的玻璃载体上,在3000 rpm的转速下利用旋转涂布制得光散射层,UV固化15 s后,90 ℃烘烤15 min,膜厚为460 nm左右。
3)制备包含光散射层和保护层的基底结构
真空环境中,滴加适量的UV胶(固丽宝 UV胶)到具有上一步制备的光散射层的玻璃载体上,然后在之上方小心压合另一片玻璃基底,使得UV胶完全贴合载体与基底,UV固化15 s后,分离载体与玻璃,载体上的膜随之转移到基底上,即得到光散射层在上,UV胶作为保护层在下的基底结构。
4)制备增光结构
在上一步制备的包含光散射层和保护层的基底结构上,旋涂实施例9中的30%硅氧烷修饰过的二氧化钛溶胶(含5%的TMPTA+光引发剂),转速1000 rpm,旋涂时间20s,所得样品膜在110℃下真空烘烤5 h,得到增光结构。
实施例11 制作绿光器件
在接近10-5 Pa的真空度下, 在具有厚度为150 nm ITO的透明电极的玻璃基底上依次沉积1 nm MoO3空穴注入层/40 nm NPB空穴传输层/30 nm磷光主体材料EB915和绿光掺杂材料Ir(ppy)3/40 nm EK-ET604电子传输层/10 nm BCP:LiF电子注入层/150 nm Al电极,完成绿光器件制作。
将上述玻璃基底换成带有实施例 10的增光结构的基底重复以上实验,EQE增加68%,见表3。
实施例12 制作红光器件
在接近10-5 Pa的真空度下, 在具有厚度为150 nmITO的透明电极的玻璃基底上依次沉积1 nm MoO3空穴注入层/40 nm NPB空穴传输层/30 nm磷光主体材料EB915和红光掺杂材料IrCou6/40 nm EK-ET604电子传输层/10 nm BCP:LiF电子注入层/150 nm Al电极,完成红光器件制作。
将上述玻璃基底换成带有实施例 10的增光结构的基底重复以上实验,EQE增加65%,见表3。
实施例13 制作蓝光器件
在接近10-5 Pa的真空度下, 在具有厚度为150 nm ITO的透明电极的玻璃基底上依次沉积1 nmMoO3空穴注入层/40 nm NPB空穴传输层/30 nm荧光光主体材料EK1和蓝光掺杂材料EK9/40 nm EK-ET604电子传输层/10 nm BCP:LiF电子注入层/150 nm Al电极,完成蓝光器件制作。
将上述玻璃基底换成带有实施例10的基底重复以上实验,EQE增加74%,见表3。
实施例14 制作白光器件
在接近10-5 Pa的真空度下,在具有厚度为150 nm ITO的透明电极的玻璃基底上溅镀一层25 nm厚BaSrO3,作为防短路层。然后依次沉积1 nm MoO3空穴注入层/40 nm NPB空穴传输层/30 nm荧光光主体材料EK1和蓝光掺杂材料EK9/40 nm EK-ET604电子传输层/10 nm BCP:LiF电子注入层/1 nm MoO3空穴注入层/40 nm NPB空穴传输层/30 nm磷光主体材料EB915和绿光掺杂材料Ir(ppy)3/30 nm磷光主体材料EB915和红光掺杂材料IrCou6/40 nm EK-ET604电子传输层/10 nm BCP:LiF电子注入层/150 nm Al电极,完成白光器件制作。
将上述玻璃基底换成带有实施例10的基底,在增光结构上溅镀一层150 nm ITO后重复以上实验,EQE增加70%,见表3。
Claims (48)
1.一种高效发光的电致发光器件,其特征在于,包括透明基底、增光结构和LED单元,所述之LED单元包括透明电极、至少有一个发光层的发光元件和反射电极层,所述之增光结构包括带有微粒的光散射层、具有高折射率的表面平滑层和保护层,所述之表面平滑层包括两种组成成分:一为表面包覆有机小分子的高折射率无机纳米粒子,二为可聚合单体或者聚合物。
2.根据权利要求1所述之高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之LED单元还包括防短路层。
3.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之保护层包括光聚合材料、热聚合材料、环氧树脂和胶粘剂。
4.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之光散射层的微粒选自高折光指数的微粒。
5.根据权利要求4所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之高折光指数的微粒选自氧化钛、氧化钽、氧化铌、氧化锆、氧化铝、氧化钨、氧化锑、氧化钒、氧化钼或其混合物。
6.根据权利要求1或2所述之高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之光散射层的微粒的粒径为0.1-10微米。
7.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之光散射层的微粒为单层或多层分布。
8.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之光散射层还包括粘合剂。
9.根据权利要求8所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之粘合剂为聚氨酯。
10.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之表面平滑层的折射率的范围大于1.5。
11.根据权利要求10所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之表面平滑层的折射率的范围大于1.7。
12.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之表面平滑层的厚度为0.05~5微米。
13.根据权利要求12所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之表面平滑层的厚度为500~2000纳米。
14.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之表面平滑层中的高折射率无机纳米粒子选自纳米金属硫化物或纳米金属氧化物。
15.根据权利要求14所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之高折射率无机纳米粒子选自硫化锌、氧化锌、硫化镉、硒化镉、氧化钛或硫化铅。
16.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之表面平滑层中的高折射率无机纳米粒子粒径为1-100nm。
17.根据权利要求16所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之高折射率无机纳米粒子粒径小于20nm。
19.根据权利要求18所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述的修饰物选自含有可聚合基团,如硅氧烷基、羟基、巯基、羧基、氨基、亚氨基、烯基或异氰酸酯基的化合物。
20.根据权利要求18所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之有机小分子X选自辛基三乙氧基硅烷,十八烷基三甲氧基硅烷,氨丙基三乙氧基硅烷,甲基丙烯酸酯丙基三甲氧基硅烷,γ-缩水甘油醚丙基三甲氧基硅烷、巯基乙醇、巯基乙酸、甲硫醇、乙硫醇、乙二硫醇、乙二胺、二乙胺、苯胺、二苯甲烷二胺、苯硫醇、甲酸、乙酸、甲基丙烯酸、羟甲基丙烯酸甲酯、羟甲基丙烯酸乙酯、羟甲基丙烯酸、甲苯二异氰酸酯、己二异氰酸酯、马来酸酐、二苯甲烷二异氰酸酯、异佛二酮二异氰酸酯或己二异氰酸酯缩二脲。
21.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之可聚合单体选自含有羟基、羧基、氨基、烯基、异氰酸酯或巯基的有机单体。
22.根据权利要求21所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之可聚合单体选自丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸酯、羟甲基丙烯酸甲酯、羟甲基丙烯酸乙酯、巯基乙酸、乙二硫醇、马来酸酐、甲苯二异氰酸酯、己二异氰酸酯、马来酸酐、二苯甲烷二异氰酸酯、异佛二酮二异氰酸酯或己二异氰酸酯缩二脲。
23.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特
征在于,所述之高分子聚合物选自加成聚合物或缩合聚合物。
24.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特
征在于,所述之高分子聚合物选自聚酯、聚醚、聚苯乙烯及其衍生物、环氧树脂、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯或聚氨酯,所述之高分子聚合物的分子量为5000~1000000。
25.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之保护层为紫外光固化聚合物,包括聚氨酯、环氧树脂、聚酯、丙烯酸酯、丙烯酸树脂或压敏粘着剂。
26.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之保护层为基于包含硅烷的紫外光固化聚合物的丙烯酸酯。
27.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之保护层的折射率小于等于基底的折射率。
28.根据权利要求2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之防短路层的厚度为10nm-200nm。
29.根据权利要求2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之防短路层的表面电阻率为1×106欧姆/平方-1×1012欧姆/平方。
30.根据权利要求2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之防短路层的材料选自氧化钼、氧化钡、氧化锑、氧化铋、氧化铼、氧化钽、氧化钨、氧化铌、氧化镍或它们的混合物。
31.根据权利要求2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之防短路层的材料为混合导电氧化物和绝缘材料,其中所述之混合导电氧化物包括氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化锡、铝掺杂氧化锌或它们的混合物,所述之绝缘材料选自氧化物、氟化物、氮化物、硫化物或它们的混合物。
32.根据权利要求2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之防短路层的材料为铟锡氧化物与硫化锌的混合物或者铟锡氧化物与硫化锌、二氧化硅的混合物。
33.根据权利要求2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之防短路层的材料为包括PEDOT/PSS、聚噻吩或者聚苯胺的有机材料。
34.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之反射电极层选自银、铜、铝或者它们的合金。
35.根据权利要求1或2所述的高效发光的电致发光器件,其特征在于,所述之LED单元为堆叠式LED。
36.制备权利要求1-35中任一种电致发光器件的方法,其特征在于,包括下列步骤:
1)准备至少有一个光滑面的载体;
2)把带有一层微粒的光散射层安装在载体的光滑面上;
3)在载体的对面提供一个基底,在基底和载体之间涂上一些保护材料;
4)压合基底和载体,使得保护材料成为位于基底和光散射层之间的保护层;
5)将粘有保护层和光散射层的基底与载体分离;
6)在光散射层上装上一个表面平滑层;
7)在光散射层上装上一个LED单元,
所述之步骤6)中的表面平滑层是通过使两个组分在溶剂或者无溶剂条件下原位聚合反应或者混合得到。
37.根据权利要求36所述的制备电致发光器件的方法,其特征在于,所述之原位聚合方法包括下列步骤:
1)在溶剂或者无溶剂环境中,将表面修饰有机小分子的无机纳米材料与可聚合单体混合均匀后,将该溶液均匀涂布于散射层的表面;
2)在加热、紫外光或者伽马射线辐照条件下将二者原位聚合得到无机纳米材料与聚合物的复合材料。
38.根据权利要求36所述的制备电致发光器件的方法,其特征在于,所述之复合方法包括下列步骤:
1)将表面修饰有机小分子的无机纳米材料均匀分散在溶剂中,然后与高分子聚合物的溶液混合均匀,形成高分子聚合物与无机纳米材料的均匀混合溶液;
2)该溶液均匀涂布于散射层的表面,除去溶剂后得到无机纳米材料与高分子聚合物聚合物的复合材料。
39.根据权利要求37或38所述的制备电致发光器件的方法,其特征在于,所述的溶剂除去方法包括加热或者风干,同时辅助鼓风加热或者真空加热。
40.根据权利要求37或38所述的制备电致发光器件的方法,其特征在于,所述之溶剂选自H2O,DMSO、DMF、丙酮、乙腈、乙醇、丁酮、甲苯、环己烷、二氧六环和THF中的一种或者多种。
41.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,所述之保护材料是一种聚合物前体,在步骤5)前面有一个聚合前体的步骤。
42.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,所述之保护材料为液体。
43.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,所述之保护材料为柔性材料,在步骤4)粘结基底10和保护材料12a时使得柔性保护材料12a铺在光散射层14的表面。
44.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,其特征在于,还包括加上防短路层这个步骤。
45.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,所述之载体为钢化玻璃或者塑料。
46.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,所述之载体为软板。
47.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,所述之载体为卷状,并在各个步骤后切成片状。
48.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,包括应用在散射层14安装在载体30之前,使用脱模剂对载体进行预处理。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210011747.8A CN102544334B (zh) | 2011-01-19 | 2012-01-16 | 一种高效发光的电致发光器件 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110021383.7 | 2011-01-19 | ||
CN201110021383 | 2011-01-19 | ||
CN201210011747.8A CN102544334B (zh) | 2011-01-19 | 2012-01-16 | 一种高效发光的电致发光器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102544334A true CN102544334A (zh) | 2012-07-04 |
CN102544334B CN102544334B (zh) | 2014-05-21 |
Family
ID=46350749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210011747.8A Active CN102544334B (zh) | 2011-01-19 | 2012-01-16 | 一种高效发光的电致发光器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102544334B (zh) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103635532A (zh) * | 2011-07-14 | 2014-03-12 | 积水化学工业株式会社 | 光半导体装置用白色固化性组合物、光半导体装置用成形体以及光半导体装置 |
CN103682160A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-03-26 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104031525A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-10 | 绍兴京华激光制品有限公司 | 一种用于透明全息膜的高折射率涂膜液及其制备方法 |
CN105122491A (zh) * | 2013-03-12 | 2015-12-02 | Ppg工业俄亥俄公司 | 具光提取层的有机发光二极管 |
CN105633244A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-06-01 | 纳晶科技股份有限公司 | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
CN106816549A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-06-09 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 有机发光二极管装置及其制造方法 |
CN106848080A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-06-13 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 一种白光oled发光器件 |
CN106876598A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-06-20 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 有机发光二极管装置及其制作方法 |
CN108987606A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-11 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 光提取膜及其制备方法、及具有光提取膜的oled器件 |
WO2019100999A1 (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司 | 有机发光元件 |
CN110277505A (zh) * | 2018-03-14 | 2019-09-24 | 江苏三月光电科技有限公司 | 具有混合覆盖层的有机电致发光器件 |
CN110429198A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-11-08 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 光提取材料、光提取层及其制备方法和应用 |
DE102019123890A1 (de) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optischer körper, reflexionselement, bauelement, verfahren zur herstellung eines optischen körpers und verfahren zur herstellung eines rerflexionselements |
CN112786810A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-05-11 | 纳晶科技股份有限公司 | 显示面板 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040188690A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-09-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light emitting diode |
CN1656626A (zh) * | 2002-03-29 | 2005-08-17 | 通用电气公司 | 具有定向发光的机械柔韧的有机场致发光器件 |
CN1758819A (zh) * | 2004-10-05 | 2006-04-12 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光器件及其制造方法 |
CN101083294A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件及显示器件 |
US20090000226A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | H2O Hive Holdings Pty Ltd | System for storing water |
CN101630720A (zh) * | 2008-07-15 | 2010-01-20 | 富士胶片株式会社 | 发光装置及其制备方法 |
WO2010051229A2 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer |
CN101901825A (zh) * | 2009-03-05 | 2010-12-01 | 富士胶片株式会社 | 有机电致发光显示装置 |
-
2012
- 2012-01-16 CN CN201210011747.8A patent/CN102544334B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1656626A (zh) * | 2002-03-29 | 2005-08-17 | 通用电气公司 | 具有定向发光的机械柔韧的有机场致发光器件 |
US20040188690A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-09-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light emitting diode |
CN1758819A (zh) * | 2004-10-05 | 2006-04-12 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光器件及其制造方法 |
CN101083294A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件及显示器件 |
US20090000226A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | H2O Hive Holdings Pty Ltd | System for storing water |
CN101630720A (zh) * | 2008-07-15 | 2010-01-20 | 富士胶片株式会社 | 发光装置及其制备方法 |
WO2010051229A2 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer |
CN101901825A (zh) * | 2009-03-05 | 2010-12-01 | 富士胶片株式会社 | 有机电致发光显示装置 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103635532B (zh) * | 2011-07-14 | 2016-01-06 | 积水化学工业株式会社 | 光半导体装置用白色固化性组合物、光半导体装置用成形体以及光半导体装置 |
CN103635532A (zh) * | 2011-07-14 | 2014-03-12 | 积水化学工业株式会社 | 光半导体装置用白色固化性组合物、光半导体装置用成形体以及光半导体装置 |
CN105122491B (zh) * | 2013-03-12 | 2019-06-07 | Vitro可变资本股份有限公司 | 具光提取层的有机发光二极管 |
CN105122491A (zh) * | 2013-03-12 | 2015-12-02 | Ppg工业俄亥俄公司 | 具光提取层的有机发光二极管 |
CN103682160B (zh) * | 2013-12-30 | 2017-05-03 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN103682160A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-03-26 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104031525A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-10 | 绍兴京华激光制品有限公司 | 一种用于透明全息膜的高折射率涂膜液及其制备方法 |
CN105633244A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-06-01 | 纳晶科技股份有限公司 | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
CN106816549A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-06-09 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 有机发光二极管装置及其制造方法 |
CN106816549B (zh) * | 2016-12-08 | 2019-03-12 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 有机发光二极管装置及其制造方法 |
CN106876598A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-06-20 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 有机发光二极管装置及其制作方法 |
CN106848080A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-06-13 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 一种白光oled发光器件 |
US11296304B2 (en) | 2017-11-23 | 2022-04-05 | Toray Industries, Inc. | Organic light-emitting element |
WO2019100999A1 (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司 | 有机发光元件 |
CN110277505A (zh) * | 2018-03-14 | 2019-09-24 | 江苏三月光电科技有限公司 | 具有混合覆盖层的有机电致发光器件 |
CN108987606A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-11 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 光提取膜及其制备方法、及具有光提取膜的oled器件 |
CN110429198A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-11-08 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 光提取材料、光提取层及其制备方法和应用 |
CN110429198B (zh) * | 2018-09-28 | 2022-05-06 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 光提取材料、光提取层及其制备方法和应用 |
DE102019123890A1 (de) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optischer körper, reflexionselement, bauelement, verfahren zur herstellung eines optischen körpers und verfahren zur herstellung eines rerflexionselements |
CN112786810A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-05-11 | 纳晶科技股份有限公司 | 显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102544334B (zh) | 2014-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102544334B (zh) | 一种高效发光的电致发光器件 | |
CN102544384B (zh) | 一种高效发光的电致发光器件 | |
CN102569667B (zh) | 一种高效发光的电致发光器件 | |
CN101946340B (zh) | 有机光电子器件及其制造方法 | |
US9366787B2 (en) | Organic light emitting diode with light extracting layer | |
US10018753B2 (en) | Light diffusion sheet for organic electroluminescent element and organic electroluminescent panel | |
US20110273085A1 (en) | Transparent conductive coating with filler material | |
WO2012021460A2 (en) | Device components with surface-embedded additives and related manufacturing methods | |
CN103531720A (zh) | 一种高效发光的电致发光器件 | |
JP5581816B2 (ja) | ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた有機素子デバイス | |
CN1520237A (zh) | 发白光的有机电致发光器件 | |
TWI704382B (zh) | 顯示裝置及顯示裝置之製造方法 | |
JP5835083B2 (ja) | 有機エレクトロニクスデバイス | |
CN107405893A (zh) | 包括亚微米吸收颗粒的阻挡薄膜层压件和包括这种层压件的电子器件 | |
CN103718324A (zh) | 用于光电子器件的封装结构和用于封装光电子器件的方法 | |
CN103730598A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104465995A (zh) | 有机电致发光装置及其制备方法 | |
CN112490389A (zh) | 有机发光二极管的封装结构、封装方法和照明装置 | |
WO2013172399A1 (ja) | 導電性基板の製造方法、導電性基板および有機電子素子 | |
CN100456527C (zh) | 一种改善平板发光器件耦合出光效率的方法 | |
CN102593363B (zh) | 一种高效发光的电致发光器件 | |
JP5609524B2 (ja) | ガスバリア性フィルム及びそれを用いた有機素子デバイス | |
Kim et al. | Indium phosphide-based colloidal quantum dot light-emitting diodes on flexible substrate | |
CN104466010A (zh) | 有机电致发光装置及其制备方法 | |
CN104466008A (zh) | 有机电致发光装置及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190225 Address after: 213300 No. 36 Fenghuang Road, Liyang City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu one light Technology Co., Ltd. Address before: No. 11 Jianjian Road, Xingang Economic Development Zone, Nanjing City, Jiangsu Province Patentee before: First O-Lite, Inc. |