CN103531720A

CN103531720A - 一种高效发光的电致发光器件

Info

Publication number: CN103531720A
Application number: CN201310520445.8A
Authority: CN
Inventors: 彭军军; 田元生
Original assignee: FIRST O-LITE Inc
Current assignee: FIRST O-LITE Inc
Priority date: 2013-10-29
Filing date: 2013-10-29
Publication date: 2014-01-22

Abstract

本发明提供了一种高效发光的电致发光器件，包括：透明基底、位于透明基底上的光散射层、位于光散射层上的表面平滑层和位于表面平滑层上的电致发光层。本发明具有如下技术效果：1）光散射颗粒暴露在粘结剂外，光散射层和表面平滑层均具有波浪形起伏的表面，从发光层发出的光经过高折射率的起伏表面平滑层后，直接被起伏的光散射颗粒散射，部分小于临界角的光线直接射出，而大于或等于临界角的光线又被反射回来，再一次经过反射电极层的反射，穿过表面平滑层，再一次被散射，又有部分光被提取出来，这样一次一次的提取，从而使得光提取效率大大提高。光散射层的起伏表面增加了有效发光面积。2）本发明的制备工艺简单，易于规模化量产。

Description

一种高效发光的电致发光器件

技术领域

本发明涉及一种高效发光的电致发光器件，具体地说，涉及一种能够提高发光效率的电致发光器件。

背景技术

电致发光器件，主要包括：有机电致发光器件（OLED）、高分子电致发光器件（PLED）和无机电致发光器件。

现有的电致发光器件通常包括透明基底、透明电极层、发光单元层和反射电极层。其发光机理是由两个电极层产生的空穴和电子在发光材料中复合成激子，激子的能量转移到发光分子，使发光分子中的电子被激发到激发态,而激发态是一个不稳定的状态，去激过程产生可见光。OLED的发光单元层通常包括电子注入层、电子传输层、一个或多个发光层、空穴传输层和空穴注入层。一般情况下，透明电极层是阳极，反射电极层是阴极。

我们知道，当光从高折射率层入射到低折射率层时且入射角大于或等于临界角时会发生全内反射。发生全内反射光被困在高折射率层，不能传输进入低折射率层。在OLED中，发光层的折射率为1.7~1.8，透明电极层的折射率约为1.9~2.0，基底的折射率约为1.5。从发光层发出的光经过透明电极层和透明基底的界面时，部分大于临界角的光由于发生全内反射被困在有机层和透明电极层之间，最后被各层的材料吸收或者从OLED的边界射出，没有起到任何作用，这部分光被称为有机模态的光。全内反射同样发生在基底和空气（折射率约为1.0）的界面上，这些光被困在基底、透明电极层和有机层之间，最后被各层的材料吸收或者从OLED的边界射出，也没有起到任何作用，这部分光被称为基底模态的光。据估计，发光层发出的光超过50%成为有机模态的光，超过30%成为基底模态的光，只有不到20%被输出到空气中，成为有用的光，这部分光被称为空气模态的光。由上可知全内反射大大降低了电致发光器件的发光效率，光提取技术势在必行。

目前有一些专利及论文采取各种光提取措施降低器件内的全内反射，使得有机模态的光和基底模态的光能够从电致发光器件中输出，从而增加其发光效率，如： U.S专利文本. Nos. 5,955,837，； 6,777,871；8，427，747 B2；8,538,224 B2； U.S.专利申请公开文本Nos.2004/0217702A1,2005/0018431A1,2001/0026124A1,2012/ 0234460 A1，2013/0051032 A1；世界专利WO 02/37580 A1，WO02/37568 A1，WO 2012/047054；中国专利CN10254434A，CN102569667A, CN102844904A；Y.S. Tyan,2009 SID,H.W. Chang等2010 SID,T. Komoda 2011 SID，K. Yamae等 2012和 2013 SID ，G. Lecamp等，J. Moon等 2013 SID。

其中Y.S .Tyan 等在2009 SID 以及专利Nos. 5,955,837中介绍了一种在ITO 与玻璃基板之间加上光提取结构，包括倒置的光散射层和平滑层，其外量子效率（EQE）是不加光提取结构时候的2.29倍；H.W. Chang等在2010年的SID论文提到了将光散射颗粒“填埋”在具有平滑作用的母体材料中作为内光提取结构，其EQE是不加光提取结构时候的1.96倍；J. Moon等在2013 SID中在玻璃基板的内外两侧同时用到了光提取层，其中内光提取层包含能提供折光指数差的无机纳米颗粒，其表面通过高折光指数的材料平滑。他们做出的器件EQE接近100%（未给出不加光提取层时候的EQE）。S.S. Jang 在专利WO 2012/047054 制备出了一种带有导电条纹的光提取层基板，其中导电条纹能够降低电极的表面电阻，光提取层包括散射层和平滑层，均通过化学气相沉积，或物理气相沉积或sol-gel 的方法制备。他们得出光提取的效率与散射颗粒与平滑层的折光指数之差有关，它们之间的差越大，光提取的效率越高，未提到OLED器件的EQE变化。

以下列举几个与本发明相关的现有技术：

现有技术（一）

如图1所示，现有技术（一）的技术方案如下：H.W. Chang 等在ITO与玻璃基板之间制备了一层内光提取层，由平均粒径为400nm左右的TiO2 颗粒填埋在光阻胶中形成。其制备方法简易，一步就能制既具有散射作用，又具有平滑作用的光提取层。但是TiO2颗粒在母体当中所占的体积较少，绝大部分TiO2 颗粒被光阻胶所覆盖。

现有技术（一）具有如下缺点：1、散射颗粒少，散射效果差；2、散射颗粒的形状未规范，无规则形状的颗粒更易造成漏电。2、散射颗粒填埋在光阻胶中，经过ITO的光线遇到低折光指数的光阻胶易发生全反射，导致光提取效率变差。4、光提取层太厚造成吸光且膜易开裂，会影响光提取效率以及造成器件短路。

现有技术（二）

现有技术（二）是专利CN102569667A，如图2所示，现有技术（二）的技术方案如下：制备的具有光提取结构的电致发光器件，包括透明基底10，光散射层14，表面平滑层40和LED单元15，它包括透明电极层16，发光元件18，发光层25，反射电极层20。其中光提取层包括光散射层14和表面平滑层40，制备过程包括下列步骤：1）准备一个基底；2）将光散射层安装在基底之上；3）将表面平滑层安装在光散射层之上；4）将发光单元安装在表面平滑层之上。

现有技术（二）具有如下缺点：1.散射颗粒的形状没有规范，容易造成短路。2.散射颗粒的尺寸给的太过宽泛（0.1-5um），在给定范围内的并不是光散射能力都较强，从而一定程度上削弱其光提取效率；3.平整的表面平滑层需要较厚的涂层才能达到，容易造成开裂，造成器件短路。

现有技术（三）

如图3所示，S.S Jang在专利WO 2012/047054中制备了能降低表面电阻的具备光提取结构的基板。其中10 为玻璃基板，20为散射层，21为平滑层，30为导电条纹，40为散射颗粒。他们指出光提取效率与散射层及平滑层的折光指数之差有关，其差值不小于0.3。

现有技术（三）具有如下缺点：1. 散射颗粒的粒径范围给的过于宽泛（0.01um-20um）；2. 通过CVD,PVD，sol-gel 的方法较难控制散射颗粒的排布，散射颗粒可能是随机排布，有的粒径大，有的粒径小，最大与最小差2000倍，需要较厚的平滑层才能覆盖住不平的散射层。而太厚的平滑层易开裂造成短路或吸光影响效率。3. 需要在平滑层做完之后加抛光工艺，过程繁琐。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术方案制备过程繁琐且发光效率较低的缺点，开发出工艺简单便于规模化量产的且能大大提高发光效率的一种光提取技术。

本发明的高效发光的电致发光器件，包括：透明基底、位于透明

基底上的光散射层、位于光散射层上的表面平滑层和位于表面平滑层上的电致发光层；所述的光散射层和表面平滑层构成光提取层，

所述的光散射层包括鸡蛋形光散射颗粒和粘结剂；

所述的表面平滑层包括高折射率的无机纳米颗粒和有机基质；

所述的电致发光层包括位于表面平滑层上的透明电极层、位于透

明电极层上的防短路层、至少有一个发光层的OLED发光单元层和反射电极层，

所述的光散射层中的鸡蛋形光散射颗粒表面平滑，各个鸡蛋形光散射颗之间通过粘结剂结合，且通过粘结剂固定在透明基底上，并且未被粘结剂完全覆盖，暴露在粘结剂外的鸡蛋形光散射颗粒堆叠使得光散射层形成起伏的结构，所述的表面平滑层与光散射层的起伏的结构结合，使得表面平滑层具有起伏的平滑表面，表面平滑层的起伏的趋势与光散射层的起伏趋势一致。

所述的透明基底为玻璃或塑料。

所述的鸡蛋形光散射颗粒选自氧化钛、氧化钽、氧化铌、氧化锆、氧化铝、氧化钨、氧化锑、氧化钒、氧化钼、氧化硅或其混合物。

所述的鸡蛋形光散射颗粒的形状为球体、椭球体或无规则形状体。

优选地，所述的鸡蛋形光散射颗粒的形状为球体或椭球体。

所述的鸡蛋形光散射颗粒的粒径为250-430nm。

优选地，所述的鸡蛋形光散射颗粒的粒径为280-400nm。

所述的粘结剂为光聚合材料、热聚合材料、环氧树脂、胶粘剂或紫外光固化聚合物。

优选地，所述的紫外光固化聚合物为聚氨酯、环氧树脂、聚酯、丙烯酸酯、丙烯酸树脂或压敏粘着剂。

所述的鸡蛋形光散射颗粒占光散射层的总体积的含量大于20%。

优选地，所述的鸡蛋形光散射颗粒占光散射层的总体积的含量大于50%。

所述的鸡蛋形光散射颗粒在透明基底上为单层或多层堆叠分布。

所述的表面平滑层中的高折射率的无机纳米颗粒选自硅氧烷修饰过的纳米氧化物或纳米硫属化合物。

优选地，所述的高折射率的无机纳米颗粒选自硅氧烷修饰过的氧化钛、氧化锆、氧化锌、硫化锌、硫化铅、硫化镉或硒化镉。

所述高折射率的无机纳米颗粒的粒径为1~100 nm。

优选地，所述高折射率的无机纳米颗粒的粒径为1~50 nm。

所述的表面平滑层中的有机基质为紫外光固化聚合物。

优选地，所述的紫外光固化聚合物选自聚氨酯、环氧树脂、聚酯、丙烯酸酯、丙烯酸树脂。

所述的光散射层中的粘结剂和平滑层中的有机基质为线性的、支化的或交联的链结构。

所述的表面平滑层的折射率大于1.7。

所述的表面平滑层的厚度大于100纳米。

优选地，所述的表面平滑层的厚度大于300纳米。

所述的透明电极层选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锡、铝锌氧化物或镉锡氧化物。

所述的防短路层选自导电氧化物、绝缘材料、有机材料PEDOT/PSS、聚噻吩或聚苯胺。

所述的导电氧化物选自氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化锡、铝参杂的氧化锌或它们的混合物。

所述的绝缘材料选自氧化物、氟化物、氮化物、硫化物或它们的混合物。

优选地，所述的绝缘材料选自氧化铟锡、硫化锌、氧化铟锡或硫化锌-二氧化硅的混合物。

所述的防短路层厚度为10 nm - 200 nm。

所述的防短路层的电阻率介于1×10²-1×10⁴ Ω·cm。

所述的电致发光层的发光单元层为堆叠式的OLED器件。

所述的电致发光层的反射电极层的材料选自金属Ag、Au、Al或它们的合金。

优选地，所述的电致发光层的反射电极层的材料为Ag或Ag基合金。

本发明的电致发光器件的制备方法，包括下列步骤：

1）准备一干净透明基底；

2）在基底上制备光散射层；

3）将光散射层固化；

4）在散射层上制备表面平滑层

5）在表面平滑层上逐序制备透明电极层、防短路层、发光单元层和反射电极层；

所述的光散射层通过旋涂、喷涂、丝网印刷、狭缝涂抹、刮涂、喷墨打印、卷对卷（roll-to-roll）印刷的方法，固定在透明基底上。

所述的表面平滑层通过旋涂、喷涂、丝网印刷、狭缝涂抹、刮涂、喷墨打印、卷对卷（roll-to-roll）印刷的方法，固定在散射层上。

本发明具有如下技术效果：

1）本发明中由于光散射颗粒暴露在粘结剂外，光散射层和表面平滑层均具有波浪形起伏的表面，从发光层发出的光经过高折射率的起伏表面平滑层后，直接被起伏的光散射颗粒散射，部分小于临界角的光线直接射出，而大于或等于临界角的光线又被反射回来，再一次经过反射电极层的反射，穿过表面平滑层，再一次被散射，又有部分光被提取出来，这样一次一次的提取，从而使得光提取效率大大提高。其中光散射颗粒的形貌减少了颗粒尖角造成的短路问题；尺寸小于给定范围则散射力不够，大于给定范围则容易造成短路；光散射层的起伏表面则增加了有效发光面积。这些因素都对光提取效率贡献较大。防短路层是低折射率的材料，照常理不可用，但我们用低于200nm 的厚度可防短路，也保存了光耦合的效果。

2）本发明的制备工艺简单，易于规模化量产。

附图说明

图1是现有技术（一）的产品结构图；

图2是现有技术（二）的产品结构图；

图3是现有技术（三）的产品结构图；

图4是本发明的高效发光的电致发光器件的结构示意图；

图5是实施例2中的鸡蛋形光散射颗粒的粒径分布图；

图6是实施例3中的鸡蛋形光散射颗粒的粒径分布图；

图7是光散射层表面AFM 图；

图8是光散射层表面 3D 示意图；

图9是表面平滑层的纳米二氧化钛的粒径分布图；

图10是表面平滑层表面 AFM 图；

图11是表面平滑层表面 3D 示意图；

图12是鸡蛋形光散射颗粒的尺寸与EQE的关系图；

图13（a）是鸡蛋形光散射颗粒的尺寸在430nm时与电致发光器件漏电情况比较图。

图13（b）是鸡蛋形光散射颗粒的尺寸在280-400nm时与电致发光器件漏电情况比较图。

其中，1为透明基底，2为光散射层，3为表面平滑层，4为透明电极层，5为防短路层，6为OLED发光单元层，7为反射电极层。

具体实施方式

实施例1

如图4所示，本实施例的高效发光的电致发光器件，包括：透明基底1、位于透明基底1上的光散射层2、位于光散射层2上的表面平滑层3和位于表面平滑层3上的电致发光层；所述的光散射层2和表面平滑层3构成光提取层，

所述的光散射层2包括鸡蛋形光散射颗粒和粘结剂；

所述的表面平滑层3包括高折射率的无机纳米颗粒和有机基质；

所述的电致发光层包括位于表面平滑层上的透明电极层4、位于

透明电极层4上的防短路层5、至少有一个发光层的OLED发光单元层6和反射电极层7，

所述的鸡蛋形光散射颗粒在透明基底上为单层或多层堆叠分布。所述的鸡蛋形光散射颗粒的形状为球体、椭球体或无规则形状体。优选地，所述的鸡蛋形光散射颗粒的形状为球体或椭球体。所述的鸡蛋形光散射颗粒占光散射层的总体积的含量大于20%。优选地，所述的鸡蛋形光散射颗粒占光散射层的总体积的含量大于50%。

本实施例的电致发光器件的制备方法，包括下列步骤：

1）准备一干净透明基底；

2）在基底上制备光散射层；

3）将光散射层固化；

4）在散射层上制备表面平滑层

所述的光散射层通过旋涂、喷涂、丝网印刷、狭缝涂抹、刮涂、喷墨打印、roll-to-roll印刷的方法，固定在透明基底上。

所述的表面平滑层通过旋涂、喷涂、丝网印刷、狭缝涂抹、刮涂、喷墨打印、roll-to-roll印刷的方法，固定在散射层上。

实施例2 制备光散射层

1）制备鸡蛋形光散射颗粒

取 20g 钛白粉（杜邦 R 系列），加入 80g的溶剂甲苯和 1g分散剂（路博润Solsperse系列），放入 100g 磨介，置于球磨设备，速率设置为 100rpm，5h 后取样分析测试动力学光散射粒径。如图 5所示，有效粒径为 337.1nm。

2）制备光散射层

取10g上一步中制备的 TiO₂ 悬浮液与 0.20 g UV 胶（固丽宝 UV 胶）混合，取约 1mL 混合液滴加到 63.5*63.5mm 玻璃基板上， 1000 rpm 旋转涂布制得光散射层，UV 固化15s后，90 ℃烘烤 15 min，膜厚为 500-600nm。

实施例3 制备光散射层

1）制备鸡蛋形光散射颗粒

将 74.2g 分散剂（路博润 Solsperse 系列）和 2L甲苯在研磨桶中混合均匀，加入 742g 钛白粉（杜邦 R 系列），搅拌 10mins，开始高速研磨，1h 后取样测试动力学光散射粒径。如图6所示，有效粒径为 284.2nm。

2）制备光散射层

取6.7g上一步中制备的TiO₂悬浮液，0.2g UV 胶水（固丽宝 UV 胶）和 3.1g 甲苯混合均匀后，取 1ml 混合液滴加到 63.5*63.5mm 玻璃基板上， 1000 rpm 旋转涂布制得光散射层，UV 固化 15 s 后，90 ℃烘烤 15 min，膜厚为 400-500nm。

对制成的光散射层进行分析表面形貌，光散射层表面粗糙度为 29.4nm，起伏达到 300nm 左右，如图7所示。图 8 是图 7的 3D 示意图，可以看到其表面形成凹凸不平的结构。

实施例4 制备表面平滑层

1）纳米二氧化钛的合成及表面修饰

将 500g 钛酸丁酯、85.5g 正己酸和 46.3去离子水混匀后,置于高压釜中,250 ℃反应 5 h。至反应釜冷却至室温，3000 rpm/min 离心，所得固体用正己烷洗涤 3 次,待用。

取上述所得二氧化钛固体 45g 分散于1L丁酮，加入 3g 十八烷基三甲氧基硅烷，2g辛基三乙氧基硅烷，10g 甲基丙烯酸酯丙基三甲氧基硅烷，68℃反应2h后，加入15g 5%氨水，降温至 45℃，反应过夜。减压蒸馏除去大部分溶剂后，加入正己烷洗涤，离心，所得固体分散于二戊酮，待用。测得动力学光散射粒径为 35.5 nm，如下图 9。

2）制备表面平滑层

取上一步硅氧烷修饰过的二氧化钛分散于 2-戊酮，配制成质量浓度为 10%的分散液，加入质量浓度 0.1%的光引发剂 4265。采用旋涂的方式涂覆在 2×2 cm硅片及玻璃上，转速 1000 rpm，时间 20 s，UV 固化后 100 ℃下真空烘烤 5 h。膜厚和折光指数通过膜厚仪测得，见表 1。

从表 1 可以看出，制得表面平滑层具有高折光指数。

实施例5 制备表面平滑层

1）纳米二氧化钛的合成及表面修饰

将 500g 钛酸丁酯,85.5g 正己酸和 46.3去离子水混匀后,置于高压釜中,250 ℃反应 5 h。至反应釜冷却至室温，3000 rpm/min 离心，所得固体用正己烷洗涤 3 次,待用。

取上述二氧化钛固体 45g 分散于1L丁酮，加入 3g 十八烷基三甲氧基硅烷，2g辛基三乙氧基硅烷，10g 甲基丙烯酸酯丙基三甲氧基硅烷，68℃反应2h后，加入15g 5%氨水，降温至 45℃，反应过夜。减压蒸馏除去大部分溶剂后，加入正己烷洗涤，离心，所得固体分散于二戊酮，待用。测得动力学光散射粒径为 35.5 nm，如下图 9。

2）制备表面平滑层

取上一步硅氧烷修饰过的二氧化钛分散于2-戊酮，配制成质量浓度为30%的溶胶，加 5%TMPTA+光引发剂，采用旋涂的方式涂覆在

2 cm×2cm 硅片及玻璃上，旋涂时间20s，改变转速，所得样品在

100 ℃下真空烘烤 5 h。不同转速下的膜厚和折光指数通过膜厚仪测得，见表 2。

从表2 可以看出，制得的表面平滑层具有高折光指数。

实施例6 制备光提取层

按照实施例2的方法，制备光散射层。UV 固化后，在该层上按照实施例5的方法继续制备表面平滑层，然后 UV 固化和 100℃真空烘烤。

对光提取层的表面进行形貌分析，测得表面粗糙度为 5nm，峰峰值 71nm。可见加上表面平滑层后，粗糙度及峰峰值都变小，即表面变得更加平滑。如图10所示。图 11 是图 10的 3D 示意图，可以看到其表面形成凹凸不平的结构。

实施例7 制备白光电致发光器件

在接近 10^-5Pa 的真空度下，在具有厚度为 150nm ITO 的透明电极的玻璃基底上旋涂一层 30nm 厚的 PEDOT/PSS，作为防短路层。然后依次沉积 1 nm MoO₃空穴注入层/40 nm NPB 空穴传输层/30 nm 荧光光主体材料 EK1 和蓝光掺杂材料EK9/40 nm EK-ET604 电子传输层/10 nm BCP:LiF 电子注入层/1 nm MoO₃空穴注入层/40 nm NPB 空穴传输层/30 nm 磷光主体材料 EB915 和绿光掺杂材料Ir(ppy)₃/30 nm 磷光主体材料 EB915 和红光掺杂材料 IrCou₆/40 nm EK-ET604电子传输层/10 nm BCP:LiF 电子注入层/150 nm Al 电极，完成白光电致发光器件的制作。

将上述玻璃基底换成带有实施例6的基底，在光提取层上溅镀一层 150 nm ITO 后重复以上实验，EQE 增加 110%，见表 3。

如图 12所示，鸡蛋形光散射颗粒尺寸介于250-430nm 时能效较高，当鸡蛋形光散射颗粒的尺寸大于430nm时,效率降低,同时制备的器件漏电的几率也增加，如图 13（a）所示。鸡蛋形光散射颗粒尺寸在280-400nm 能效较高且漏电几率较少，如图 13（b）所示。

Claims

1.一种高效发光的电致发光器件，包括：透明基底、位于透明基底上的光散射层、位于光散射层上的表面平滑层和位于表面平滑层上的电致发光层；所述的光散射层和表面平滑层构成光提取层；

所述的光散射层包括鸡蛋形光散射颗粒和粘结剂；

其特征在于，所述的光散射层中的鸡蛋形光散射颗粒表面平滑，各个鸡蛋形光散射颗之间通过粘结剂结合，且通过粘结剂固定在透明基底上，并且未被粘结剂完全覆盖，暴露在粘结剂外的鸡蛋形光散射颗粒堆叠使得光散射层形成起伏的结构，所述的表面平滑层与光散射层的起伏的结构结合，使得表面平滑层具有起伏的平滑表面，表面平滑层的起伏的趋势与光散射层的起伏趋势一致。

2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的透明基底为玻璃或塑料。

3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的鸡蛋形光散射颗粒选自氧化钛、氧化钽、氧化铌、氧化锆、氧化铝、氧化钨、氧化锑、氧化钒、氧化钼、氧化硅或其混合物。

4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的鸡蛋形光散射颗粒的形状为球体、椭球体或无规则形状体。

5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述的鸡蛋形光散射颗粒的形状为球体或椭球体。

6.根据权利要求1 所述的电致发光器件，其特征在于，所述的鸡蛋形光散射颗粒的粒径为250-430nm。

7.根据权利要求6 所述的电致发光器件，其特征在于，所述的鸡蛋形光散射颗粒的粒径为280-400nm。

8.根据权利要求1 所述的电致发光器件，其特征在于，所述的粘结剂为光聚合材料、热聚合材料、环氧树脂、胶粘剂或紫外光固化聚合物。

9.根据权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述的紫外光固化聚合物为聚氨酯、环氧树脂、聚酯、丙烯酸酯、丙烯酸树脂或压敏粘着剂。

10.根据权利要求1 所述的电致发光器件，其特征在于，所述的鸡蛋形光散射颗粒占光散射层的总体积的含量大于20%。

11.根据权利要求10所述的电致发光器件，其特征在于，所述的鸡蛋形光散射颗粒占光散射层的总体积的含量大于50%。

12.根据权利要求1 所述的电致发光器件，其特征在于，所述的鸡蛋形光散射颗粒在透明基底上为单层或多层堆叠分布。

13.根据权利要求1 所述的电致发光器件，其特征在于，所述的表面平滑层中的高折射率的无机纳米颗粒选自硅氧烷修饰过的纳米氧化物或纳米硫属化合物。

14.根据权利要求13所述的电致发光器件，其特征在于，所述的高折射率的无机纳米颗粒选自硅氧烷修饰过的氧化钛、氧化锆、氧化锌、硫化锌、硫化铅、硫化镉或硒化镉。

15.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述高折射率的无机纳米颗粒的粒径为1~100 nm。

16.根据权利要求15所述的电致发光器件，其特征在于，所述高折射率的无机纳米颗粒的粒径为1~50 nm。

17.根据权利要求1 所述的电致发光器件，其特征在于，所述的表面平滑层中的有机基质为紫外光固化聚合物。

18.根据权利要求17所述的电致发光器件，其特征在于，所述的紫外光固化聚合物选自聚氨酯、环氧树脂、聚酯、丙烯酸酯、丙烯酸树脂。

19.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的光散射层中的粘结剂和平滑层中的有机基质为线性的、支化的或交联的链结构。

20.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的表面平滑层的折射率大于1.7。

21.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的表面平滑层的厚度大于100纳米。

22.根据权利要求21所述的电致发光器件，其特征在于，所述的表面平滑层的厚度大于300纳米。

23.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的透明电极层选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锡、铝锌氧化物或镉锡氧化物。

24.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的防短路层选自导电氧化物、绝缘材料、有机材料PEDOT/PSS、聚噻吩或聚苯胺。

25.根据权利要求24所述的电致发光器件，其特征在于，所述的导电氧化物选自氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化锡、铝参杂的氧化锌或它们的混合物。

26.根据权利要求24所述的电致发光器件，其特征在于，所述的绝缘材料选自氧化物、氟化物、氮化物、硫化物或它们的混合物。

27.根据权利要求26所述的电致发光器件，其特征在于，所述的绝缘材料选自氧化铟锡、硫化锌、氧化铟锡或硫化锌-二氧化硅的混合物。

28.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的防短路层厚度为10 nm - 200 nm。

29.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的防短路层的电阻率介于1×10²-1×10⁴ Ω·cm。

30.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的电致发光层的发光单元层为堆叠式的OLED器件。

31.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的电致发光层的反射电极层的材料选自金属Ag、Au、Al或它们的合金。

32.根据权利要求31所述的电致发光器件，其特征在于，所述的电致发光层的反射电极层的材料为Ag或Ag基合金。

33.制备如权利要求1-32中任意一种所述的电致发光器件的方法，其特征在于，包括下列步骤：

1）准备一干净透明基底；

2）在基底上制备光散射层；

3）将光散射层固化；

4）在散射层上制备表面平滑层

所述的光散射层通过旋涂、喷涂、丝网印刷、狭缝涂抹、刮涂、喷墨打印、卷对卷印刷的方法，固定在透明基底上；

所述的表面平滑层通过旋涂、喷涂、丝网印刷、狭缝涂抹、刮涂、喷墨打印、卷对卷印刷的方法，固定在散射层上。