CN117015257B - 有机发光器件、制备方法和显示面板 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 105
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 29
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 24
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000010041 electrostatic spinning Methods 0.000 claims description 5
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 150
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/82—Interconnections, e.g. terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Abstract
本申请公开了一种有机发光器件、制备方法和显示面板，所述有机发光器件形成在玻璃基板上，所述有机发光器件包括第一电极、第二电极和设置在所述第二电极和所述第一电极之间的有机发光层，所述第一电极与所述玻璃基板之间设有第一光提取层，所述第一光提取层由介电纳米粒子形成，所述第一光提取层靠近所述有机发光层的一面为粗糙界面。本申请在第一电极和玻璃基板之间设置第一光提取层，第一光提取层靠近所述有机发光层的一面为粗糙界面，通过介电纳米粒子从有机发光层中提取光，介电纳米粒子形成的粗糙界面有更大的能力散射更多的光；将介电纳米粒子插入玻璃基板上，提取有机发光层内被捕获的光，从而提高有机发光器件的光提取效率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光器件、制备方法和显示面板。
背景技术
近年来，利用有机电极发光（EL）材料实现高效、长寿命、全彩发射的有机发光器件（Organic Light-Emitting Diode ，OLED）得到了深入的研究和发展；有机发光器件（OLED）显示面板随着技术的不断发展，OLED显示面板的应用也越来越多，如智能手机、显示器和电视。
由于没有背光单元，OLED显示面板较液晶显示面板有很多优点。例如，OLED显示面板更薄、更轻，而且可以比液晶面板更灵活；另外，有机发光器件（OLED）具有半透明的性能和双向发射，使其具有较高的对比度和相对较宽的视角等。然而，现有OLED显示面板的有机发光器件内部发生的机制不同，大量的光损失，造成显示效果偏差，因此，提高有机发光器件的光提取率成为亟待解决的问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种提高光提取效率的有机发光器件、制备方法和显示面板。
本申请公开了一种有机发光器件，所述有机发光器件形成在玻璃基板上，所述有机发光器件包括第一电极、第二电极和设置在所述第二电极和所述第一电极之间的有机发光层，所述第一电极与所述玻璃基板之间设有第一光提取层，所述第一光提取层由介电纳米粒子形成，所述第一光提取层靠近所述有机发光层的一面为粗糙界面。
可选的，所述介电纳米粒子为二氧化硅介电纳米粒子，所述第一光提取层整层固定在所述第一电极远离所述有机发光层的一面上。
可选的，所述玻璃基板远离所述有机发光层的一面上形成有第二光提取层，所述第二光提取层呈凹凸状设置，所述第一光提取层对应所述第二光提取层的凹陷处镂空设置。
可选的，所述第一光提取层与所述有机发光层之间设有第三光提取层，所述第三光提取层包括多个间隔设置的凹入部和凸出部，所述第三光提取层的折射率分别小于所述有机发光层的折射率和所述第一电极的折射率；所述第一光提取层仅对应所述第三光提取层的凹入部设置。
可选的，由所述第一电极朝向所述第二电极的方向上，所述有机发光层包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层、电子传输层和电子注入层：其中，所述电子传输层内设有不同形状的第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒。
可选的，所述第一银纳米颗粒为球状，所述第二银纳米颗粒为棒状，所述第一银纳米颗粒和所述第二银纳米颗粒间隔设置，相邻的所述第一银纳米颗粒和所述第二银纳米颗粒之间的预设距离为d，d≥2r，其中，r是球形的第一纳米颗粒的半径值。
本申请还公开了一种有机发光器件的制备方法，用于制备如上任一所述的有机发光器件，所述制备方法包括步骤：
提供一玻璃基板；
将二氧化硅沉积制备成靶材，固定在第一电极上，抽真空，并冲入预设浓度的氩气，在第二电极和第一电极之间施加预设电压，靶材表面原子碰撞逸出形成靶原子沉积在玻璃基板上形成第一光提取层；以及
依次制备第一电极、有机发光层和第二电极；
其中，所述第一光提取层靠近所述有机发光层的一面为粗糙界面。
可选的，所述提供一玻璃基板的步骤中的玻璃基板的制备方法包括以下步骤：
将玻璃基板表面拋光，在拋光面镀一层保护掩膜，然后旋涂预设厚度的光刻胶；
经过前烘，曝光，显影，利用腐蚀液除去图形内暴露部分的膜层，完毕后清洗表面并做坚膜处理，坚膜后将进行刻蚀；以及
刻蚀完成后清洗玻璃并去除光刻胶，得到单曲面的玻璃基板；
其中，根据玻璃基板需要单面内凹形成半球形曲面调配刻蚀剂进行刻蚀，设置刻蚀参数，坚膜温度为100-140℃，恒温3-5 h；
所述将二氧化硅沉积制备成靶材，固定在第一电极上，抽真空，并冲入预设浓度的氩气，在第二电极和第一电极之间施加预设电压，靶材表面原子碰撞逸出形成靶原子沉积在玻璃基板上形成第一光提取层的步骤包括：
在玻璃基板上放置对应所述玻璃基板的突出处镂空的模具；以及
将二氧化硅沉积制备成靶材，固定在第一电极上，抽真空，并冲入预设浓度的氩气，在第二电极和第一电极之间施加预设电压，靶材表面原子碰撞逸出形成靶原子沉积在玻璃基板上形成仅对应突出处的第一光提取层。
可选的，所述有机发光层的制备方法包括步骤：
在所述第一电极上依次形成空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层和电子传输层；
通过水热法控制温度、PH值、浓度等制备出第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒，再利用静电纺丝工艺分别将第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒嵌入所述电子传输层中；以及
在嵌入第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒的所述电子传输层上形成电子注入层和第二电极。
本申请还公开了一种显示面板，所述显示面板包括如上任一所述的有机发光器件，所述显示面板还包括多条扫描线和多条数据线，每个所述有机发光器件分别与对应的所述扫描线和所述数据线连接。
本申请提出在玻璃基板上加入一层具有介电纳米粒子的光提取层，由于在有机发光器件（Organic Light-Emitting Diode ，OLED）中添加介电纳米粒子，介电纳米粒子形成的粗糙界面会导致散射，从而耦合出来自波导模式的发射光；介电纳米粒子不表现出偶极等离子体共振，因为它们在可见光范围内具有正的介电常数，这意味着介电纳米粒子通常更适合从设备中提取光，它们有更大的能力散射更多的光，以打破由第一电极（ITO层）和玻璃指数对比引起的波导，通过对波导模式光损耗的改善，使更多的功率可以从有机发光层提取到玻璃基板中，提高有机发光器件的光提取率。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本申请的第一实施例的一种有机发光器件的结构示意图；
图2是本申请的第二实施例的有机发光器件的结构示意图；
图3是本申请的第二实施例的另一种有机发光器件的结构示意图；
图4是本申请的第三实施例的有机发光器件的结构示意图；
图5是本申请的第三实施例的另一种有机发光器件的结构示意图；
图6是本申请的第四实施例的有机发光器件的结构示意图；
图7是本申请的第五实施例的有机发光器件的制备方法流程示意图；
图8是本申请的第六实施例的有机发光器件的制备方法流程示意图；
图9是本申请的第七实施例的有机发光器件的制备方法流程示意图；
图10是本申请的第八实施例的显示面板的结构示意图。
其中，100、显示面板；110、数据线；120、扫描线；200、有机发光器件；210、第一电极；220、第二电极；230、有机发光层；231、空穴注入层；232、空穴传输层；233、有机发光材料层；234、电子传输层；235、电子注入层；240、第一光提取层；241、介电纳米粒子；242、镂空；250、第二光提取层；260、第三光提取层；261、凹入部；262、凸出部；270、第一银纳米颗粒；280、第二银纳米颗粒；300、玻璃基板。
具体实施方式
需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明。
如图1所示，作为本申请第一实施例的一种有机发光器件，所述有机发光器件200形成在玻璃基板300上，所述有机发光器件200包括第一电极210、第二电极220和设置所述第二电极220和所述第一电极210之间的有机发光层230，一般的，所述第一电极210为阳极，采用氧化铟锌ITO制成，第二电极220为阴极，采用金属制成；所述有机发光器件200包括第一光提取层240，所述第一光提取层240设置在所述第一电极210与所述玻璃基板300之间，所述第一光提取层240由介电纳米粒子241形成，所述第一光提取层240靠近所述有机发光层230的一面为粗糙界面；玻璃基板300上加入一层介电纳米粒子241，介电纳米粒子241形成的粗糙界面会导致散射，从而耦合出来自波导模式的发射光；这意味着介电纳米粒子通常更适合从设备中提取光，它们有更大的能力散射更多的光，以打破由第一电极210（ITO层）和玻璃指数对比引起的波导，通过对波导模式光损耗的改善，使更多的功率可以从有机发光层230提取到玻璃基板中，提高有机发光器件200的光提取率。
进一步的，所述介电纳米粒子241为二氧化硅（SiO2）介电纳米粒子，所述第一光提取层240整层固定在所述第一电极210远离所述有机发光层230的一面上；具体的，SiO2的态密度中导带位于费米能级右侧，并未穿过费米能级，体系呈绝缘特性。另外，从能带中也反映出绝缘特性，使得介电纳米粒子241不表现出偶极等离子体共振，且在可见光范围内具有正的介电常数；并且，一部分入射能量不被SiO2介电纳米粒子吸收，以焦耳加热的形式失去，即介电纳米粒子241在有机发光器件（OLED）的光谱范围内不具有耗散特性。
之所以选择SiO2介电纳米粒子，因为制备成本也比较低；而为了更好的提高散射，以提高光提取效率，选择球形的SiO2介电纳米粒子；介电纳米粒子颗粒间间距离从0nm提高时，存在共振波长向左偏移的现象，随着颗粒间分离的增加，波峰会经历蓝移和强度降低，表明两个球形纳米颗粒之间的耦合效应减弱。此外，这些峰值强度随介电纳米粒子间间距的减小反映了粒子之间场分布的衰减。因此，SiO2介电纳米粒子紧密排列，没有颗粒间间距，SiO2介电纳米粒子散乱排列，表面会形成类似于粗糙界面，使得光的折射强度更大，这意味着SiO2介电纳米粒子有更大的能力散射更多的光，使得OLED光提取效率提高。
另外，水汽渗透到OLED，会使OLED内部产生结露现象，以致OLED发生漏电和短路，严重的还会烧毁OLED显示面板。另外，少量水汽渗透OLED还会导致水汽与内部材料发生反应，使得显示器出现局部发紫或者发粉问题。因此，选择SiO2介电纳米粒子作为玻璃基板300与ITO层之间的缓冲层，SiO2介电纳米粒子能够延长水汽的行走路线，有利于阻挡水汽的渗透，有效防止OLED显示面板出现发紫或者发粉问题。
如图2所示，作为本申请的第二实施例的有机发光器件，是对上述第一实施例的进一步的细化，考虑到光经过第一光提取层240后，仍然可能会有光损失，所述玻璃基板300远离所述有机发光层230的一面上形成有第二光提取层250，所述第二光提取层250呈凹凸状设置。
由于玻璃基板300与空气折射率不匹配，OLED会在玻璃基板300与空气界面处发生衬底模式损耗，导致一部分光损耗在玻璃基板300与空气界面处，这部分光损失在有机发光器件中占总光损失的30%。为了进一步提高OLED的光提取效率，在光栅单层OLED的玻璃层构建半圆形光栅结构，以破坏玻璃层与空气界面的内反射从而提高OLED的光提取效率，半圆形光栅结构可以看成添加在基底背面的微透镜阵列，使一部分因全反射而损耗的光被提取出来。这种半圆形波浪曲面，有效减弱了衬底模式的光损失，使更多的光子从衬底模式中被提取出来，提高了光的提取效率。
进一步的，考虑到凹陷处利于散射，为了减少第一光提取层240的制备时间，以及减少光提取层的制备材料，可以在所述第一光提取层240对应所述第二光提取层250的凹陷处设置镂空242，参考图3所示。
如图4所示，作为本申请的第三实施例的有机发光器件，与上述实施例不同的是，所述第一光提取层240与所述有机发光层230之间设有第三光提取层260，所述第三光提取层260的一面与所述第一光提取层240连接，另一面与所述第一电极210连接，或者所述第三光提取层260的一面与所述第一电极210连接，另一面与所述有机发光层230连接，所述第三光提取层260包括多个间隔设置的凹入部261和凸出部262，有机发光层230设置在所述第三光提取层260上形成微透镜形状的曲面，入射到玻璃基板上的部分光通过应用MLA和微透镜按照与偏光板的偏振轴相同的状态被反射。因此，可以提高有机发光器件200的反射率。而且，在有机发光层230中产生的光穿过玻璃基板以到达偏光板，并且在偏光板中被再次反射，且因此，光的路径在玻璃基板方向上被转变，以提高光提取率。
进一步的，所述第三光提取层260的折射率分别小于所述有机发光层230的折射率和所述第一电极210的折射率；一般的，玻璃基板300和第三光提取层260的折射率约为1.5，而有机发光器件200的第一电极210的折射率和有机发光层230的折射率可以是1.7至2.0。在这种情况下，从有机发光层230发射的部分光被第二电极220反射，且因此，光路径被偏转到第一电极210方向上，且剩余部分在第一电极210方向上被反射。即，由有机发光层230产生的大部分光被引导在第一电极210方向上。
由于有机发光层230和第一电极210的折射率几乎彼此相同，因此从有机发光层230产生的光的路径在有机发光层230与第一电极210之间的界面上没有改变。同时，在穿过第一电极210的光中，由于第一电极210与第三光提取层260之间的折射率的差异，以阈值角度或更大的角度入射的光可以在第一电极210与第三光提取层260之间的界面上被全反射。
进一步的，如图5所示，所述第一光提取层240仅对应所述第三光提取层260的凹入部261设置，考虑到光经过第三光提取层260后，第三光提取层260的凹入部261内的光线容易穿过，会造成损耗，而凸出部262易发生反射，可以提高光提取率，减少损耗，故可以对应第三光提取层260的凹入部261设置第一光提取层240，其他位置可以不设置第一光提取层240，从而减少第一光提取层240的制备时间和制备所需的材料。
如图6所示，作为本申请的第四实施例的有机发光器件，是对上述任一实施例的进一步的细化和完善，由所述第一电极210朝向所述第二电极220的方向上，所述有机发光层230包括依次设置的空穴注入层231、空穴传输层232、有机发光材料层233、电子传输层234和电子注入层235：其中，所述电子传输层234内设有不同形状的第一银纳米颗粒270和第二银纳米颗粒280，所述第一银纳米颗粒270和所述第二银纳米颗粒280嵌入至所述电子传输层234内；所述第一银纳米颗粒270为球状，所述第二银纳米颗粒280为棒状，所述第一银纳米颗粒270和所述第二银纳米颗粒280间隔设置，相邻所述第一银纳米颗粒270和所述第二银纳米颗粒280之间的预设距离为d，d≥2r，其中，r是球形的第一银纳米颗粒270的半径值，球状的第一银纳米颗粒270和棒状的第二银纳米颗粒280的中心点在同一水平线上，成规则排列；但是由于嵌入过程中，受设备或者材料阻力的影响，导致两种纳米颗粒不是规则排列的，与中心点的水平线的角度存在差异，一般的，两侧的第二银纳米颗粒280与水平线的夹角在70度至90度之间，中间的第二银纳米颗粒280与水平线的夹角在60度至90度之间。
具体的，当有机发光层230发射与等离子体共振存在有效的波长耦合的光时，就会提高电子传输层234的光提取效率，而等离子体共振通过改变电子传输层234中的所述第一银纳米颗粒270和所述第二银纳米颗粒280的组合、形状、尺寸和周围介质而受到有效影响。通常，相邻的第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒的间隙距离被认为是第一银纳米颗粒半径的两倍，以诱导光子等离子体共振；棒状的所述第二银纳米颗粒的表面等离子体激元带分为两个带：对应于沿着棒的长轴的纵向等离子体激元能带的光吸收与散射和对应于棒的短轴的横向等离子体激元能带的光吸收与散射。而较小的第一银纳米颗粒比较大的所述第二银纳米颗粒具有更少的光散射和光吸收。虽然加入第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒的Ag纳米结构同样对光有吸收损耗，但相比较未添加纳米结构时光被吸收的比例会降低，损耗大大被减小。且采用球形和棒状纳米结构混合插入的模式改善表面等离子体效应的损耗；假设有机发光层230的一束完全无损耗的光传输到电子传输层234，且光在电子传输层234中有一半的光损耗；那么添加Ag纳米结构后，Ag纳米结构会成为二次光源，使光得到二次利用，纳米颗粒产生的光散射可以让光的有效利用大于50%，进而提取被捕获在衬底或波导模式内的光子，这提高了光提取效率。
综上所述，本申请针对OLED内部的基底模式、第一电极210与有机层的波导模式以及等离子体激元模式这三种损失，从三个方面入手提高光提取效率。
如图7所示，作为本申请的第五实施例，本申请还公开一种有机发光器件的制备方法，用于制备上述任一实施例中所述的有机发光器件，所述制备方法包括步骤：
S1：提供一玻璃基板；
S2：将二氧化硅沉积制备成靶材，固定在第一电极上，抽真空，并冲入预设浓度的氩气，在第二电极和第一电极之间施加预设电压，靶材表面原子碰撞逸出形成靶原子沉积在玻璃基板上形成第一光提取层；以及
S3：依次制备第一电极、有机发光层和第二电极；
参考图1、图2和图7所示，其中，所述第一光提取层240靠近所述有机发光层230的一面为粗糙界面；具体的，将SiO2沉积制备成靶材，固定在阴极上。装置抽至真空后充入一定量氩气，且在阴极和阳极加上几千伏电压。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶材表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出靶原子，并沉积在基底上形成SiO2纳米膜层。
在玻璃基板300与有机发光层230之间形成第一光提取层240，第一光提取层240内的介电纳米粒子241形成的粗糙界面会导致散射，从而耦合出来自波导模式的发射光；介电纳米粒子241不表现出偶极等离子体共振，介电纳米粒子241通常更适合从设备中提取光，它们有更大的能力散射更多的光，从而打破由第一电极210（ITO层）和玻璃指数对比引起的波导，通过对波导模式光损耗的改善，使更多的功率可以从有机层提取到玻璃衬底中，提高有机发光器件200的光提取率。
如图8所示，作为本申请的第六示例，是对上述第五实施例的进一步的细化和完善，且也是针对上述第二实施例的有机发光器件提供的制备方法，所述步骤S1中的玻璃基板的制备方法包括如下步骤：
S11：将玻璃基板表面拋光，在拋光面镀一层保护掩膜，然后旋涂预设厚度的光刻胶；
S12：经过前烘，曝光，显影，利用腐蚀液除去图形内暴露部分的膜层，完毕后清洗表面并做坚膜处理，坚膜后将进行刻蚀；以及
S13：刻蚀完成后清洗玻璃并去除光刻胶，得到单曲面的玻璃基板；
其中，根据玻璃基板需要单面内凹形成半球形曲面调配刻蚀剂进行刻蚀，设置刻蚀参数，所述刻蚀参数包括刻蚀温度和刻蚀速度；坚膜时的温度为100-140℃，恒温3-5 h。
进一步的，所述将二氧化硅沉积制备成靶材，固定在第一电极上，抽真空，并冲入预设浓度的氩气，在第二电极和第一电极之间施加预设电压，靶材表面原子碰撞逸出形成靶原子沉积在玻璃基板上形成第一光提取层的步骤包括：
S21：在玻璃基板上放置对应所述玻璃基板的突出处镂空的模具；以及
S22：将二氧化硅沉积制备成靶材，固定在第一电极上，抽真空，并冲入预设浓度的氩气，在第二电极和第一电极之间施加预设电压，靶材表面原子碰撞逸出形成靶原子沉积在玻璃基板上形成仅对应突出处的第一光提取层。
将玻璃基板表面拋光，在拋光面镀一层保护掩膜，然后旋涂一点厚度的光刻胶，经过100℃前烘，曝光，显影，利用腐蚀液除去图形内暴露部分的膜层，完毕后清洗表面并做坚膜处理,坚膜温度为120℃，恒温4 h，坚膜后将进行刻蚀，根据玻璃需要单面内凹形成半球形曲面调配刻蚀剂进行刻蚀，设置刻蚀温度、搅拌速度等参数，刻蚀完成后清洗玻璃并去除光刻胶，得到单曲面的玻璃基板。
如图9所示，作为本申请的第七示例，是对上述第五或第六实施例的进一步的限定，所述有机发光层的制备方法包括步骤：
S31:在所述第一电极上依次形成空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层和电子传输层；
S32：通过水热法控制温度、PH值、浓度等制备出第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒，再利用静电纺丝工艺分别将第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒嵌入所述电子传输层中；以及
S33：在嵌入第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒的所述电子传输层上形成电子注入层和第二电极。
具体的，通过水热法控制温度、PH值、浓度等制备出球形和棒状两种不同的Ag纳米颗粒，再利用静电纺丝工艺将两种不同的Ag纳米颗粒嵌入电子传输层中；静电纺丝工艺分两次嵌入。第一次，将球状的第一银纳米颗粒嵌入，从膜层边缘开始，相邻的第一银纳米颗粒的间距的参数设置为6r；第二次，将棒状的第二银纳米颗粒嵌入，从距离膜层边缘4r开始，相邻的第二银纳米颗粒颗粒间距离的参数设置为6r，最后形成球形与棒状交替嵌入的Ag纳米结构。
对于SiO2纳米颗粒的制备，需要严格控制大气压强和氩气的通入量，而且打靶时间过长会导致膜层过厚，时间过短会造成颗粒覆盖不全；因此，在制备过程需要精确控制每个条件，防止SiO2靶材利用率低，成本过高现象；对于Ag纳米颗粒的制备，需要通过控制高压釜内的溶液温差使产生对流以形成过饱和状态而析出Ag纳米晶粒，析出的Ag纳米晶粒形状不规则，一起析出球状和棒状比较困难，需要单独严格控制反应时间和温度先析出球形或者棒状，故分两次进行嵌入。
参考图6和图9所示，有机发光层230的一束完全无损耗的光传输到电子传输层234，且光在电子传输层234中有一半的光损耗；采用球形和棒状纳米结构混合插入的模式改善表面等离子体效应的损耗，形成Ag纳米结构后，Ag纳米结构会成为二次光源，使光得到二次利用；此时，纳米颗粒产生的光散射可以让光的有效利用大于50%，进而提取被捕获在衬底或波导模式内的光子，这提高了光提取效率。
如图10所示，作为本申请的第八实施例，公开了一种显示面板100，所述显示面板100包括如上任一实施例中的所述的有机发光器件200，所述显示面板100还包括多条扫描线120和多条数据线110，每个所述有机发光器件200分别与对应的所述扫描线120和所述数据线110连接。
需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本申请的保护范围。
需要说明的是,本申请的发明构思可以形成非常多的实施例，但是申请文件的篇幅有限，无法一一列出，因而，在不相冲突的前提下,以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例，各实施例或技术特征组合之后，将会增强原有的技术效果。
以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。
Claims (8)
1.一种有机发光器件，所述有机发光器件形成在玻璃基板上，所述有机发光器件包括第一电极、第二电极和设置在所述第二电极和所述第一电极之间的有机发光层，其特征在于，所述第一电极与所述玻璃基板之间设有第一光提取层，所述第一光提取层由介电纳米粒子形成，所述第一光提取层靠近所述有机发光层的一面为粗糙界面；
所述玻璃基板远离所述有机发光层的一面上形成有第二光提取层，所述第二光提取层呈凹凸状设置，所述第一光提取层对应所述第二光提取层的凹陷处镂空设置；
其中，所述凹陷处朝向有机发光层方向凹陷。
2.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述介电纳米粒子为二氧化硅介电纳米粒子，所述第一光提取层整层固定在所述第一电极远离所述有机发光层的一面上。
3.一种有机发光器件，所述有机发光器件形成在玻璃基板上，所述有机发光器件包括第一电极、第二电极和设置在所述第二电极和所述第一电极之间的有机发光层，其特征在于，所述第一电极与所述玻璃基板之间设有第一光提取层，所述第一光提取层由介电纳米粒子形成，所述第一光提取层靠近所述有机发光层的一面为粗糙界面；
所述第一光提取层与所述有机发光层之间设有第三光提取层，所述第三光提取层包括多个间隔设置的凹入部和凸出部，所述第三光提取层的折射率分别小于所述有机发光层的折射率和所述第一电极的折射率；
所述第一光提取层仅对应所述第三光提取层的凹入部设置，所述凹入部朝远离有机发光层的方向凹入。
4.一种有机发光器件，所述有机发光器件形成在玻璃基板上，所述有机发光器件包括第一电极、第二电极和设置在所述第二电极和所述第一电极之间的有机发光层，其特征在于，所述第一电极与所述玻璃基板之间设有第一光提取层，所述第一光提取层由介电纳米粒子形成，所述第一光提取层靠近所述有机发光层的一面为粗糙界面；
所述介电纳米粒子为二氧化硅介电纳米粒子，所述第一光提取层整层固定在所述第一电极远离所述有机发光层的一面上；
由所述第一电极朝向所述第二电极的方向上，所述有机发光层包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层、电子传输层和电子注入层；
其中，所述电子传输层内设有不同形状的第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒；
所述第一银纳米颗粒为球状，所述第二银纳米颗粒为棒状，所述第一银纳米颗粒和所述第二银纳米颗粒间隔设置，相邻的所述第一银纳米颗粒和所述第二银纳米颗粒之间的预设距离为d，d≥2r，其中，r是球形的第一纳米颗粒的半径值。
5.一种有机发光器件的制备方法，用于制备如权利要求1-4任意一项所述的有机发光器件，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
提供一玻璃基板；
将二氧化硅沉积制备成靶材，固定在第一电极上，抽真空，并冲入预设浓度的氩气，在第二电极和第一电极之间施加预设电压，靶材表面原子碰撞逸出形成靶原子沉积在玻璃基板上形成第一光提取层；以及
依次制备第一电极、有机发光层和第二电极；
其中，所述第一光提取层靠近所述有机发光层的一面为粗糙界面。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述提供一玻璃基板的步骤中的玻璃基板的制备方法包括以下步骤：
将玻璃基板表面拋光，在拋光面镀一层保护掩膜，然后旋涂预设厚度的光刻胶；
经过前烘，曝光，显影，利用腐蚀液除去图形内暴露部分的膜层，完毕后清洗表面并做坚膜处理，坚膜后将进行刻蚀；以及
刻蚀完成后清洗玻璃并去除光刻胶，得到单曲面的玻璃基板；
其中，根据玻璃基板需要单面内凹形成半球形曲面调配刻蚀剂进行刻蚀，设置刻蚀参数，坚膜温度为100-140℃，恒温3-5 h；
所述将二氧化硅沉积制备成靶材，固定在第一电极上，抽真空，并冲入预设浓度的氩气，在第二电极和第一电极之间施加预设电压，靶材表面原子碰撞逸出形成靶原子沉积在玻璃基板上形成第一光提取层的步骤包括：
在玻璃基板上放置对应所述玻璃基板的突出处镂空的模具；以及
将二氧化硅沉积制备成靶材，固定在第一电极上，抽真空，并冲入预设浓度的氩气，在第二电极和第一电极之间施加预设电压，靶材表面原子碰撞逸出形成靶原子沉积在玻璃基板上形成仅对应突出处的第一光提取层。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述有机发光层的制备方法包括步骤：
在所述第一电极上依次形成空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层和电子传输层；
通过水热法控制温度、PH值、浓度等制备出第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒，再利用静电纺丝工艺分别将第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒嵌入所述电子传输层中；以及
在嵌入第一银纳米颗粒和第二银纳米颗粒的所述电子传输层上形成电子注入层和第二电极。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-4任意一项所述的有机发光器件，所述显示面板还包括多条扫描线和多条数据线，每个所述有机发光器件分别与对应的所述扫描线和所述数据线连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311254617.1A CN117015257B (zh) | 2023-09-27 | 2023-09-27 | 有机发光器件、制备方法和显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311254617.1A CN117015257B (zh) | 2023-09-27 | 2023-09-27 | 有机发光器件、制备方法和显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117015257A CN117015257A (zh) | 2023-11-07 |
| CN117015257B true CN117015257B (zh) | 2024-01-12 |
Family
ID=88576506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311254617.1A Active CN117015257B (zh) | 2023-09-27 | 2023-09-27 | 有机发光器件、制备方法和显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117015257B (zh) |
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| GR01 | Patent grant |