CN107466429B - 一种电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
一种电致发光器件，包括第一电极层(11)、发光层(12)、第二电极层(13)以及光提取层(14)，其中光提取层(14)包括相对设置的光提取面(1001)和光扩散面(1002)，其中，光提取面(1001)用于将发光层(12)生成的光线通过第一电极层(11)或第二电极层(13)传导至光提取层(14)，光扩散面(1002)用于将传导至光提取层(14)的光线反射至光扩散面(1002)上方的空气中，可以增强对发光层(12)生成的光线的散射作用，可增大其制备的显示屏视角，提高用户的视觉体验。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法。
背景技术
电致发光器件可以包括有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)、高分子电致发光器件 (polymerLight-Emitting Diode，PLED)以及无机电致发光器件，可以应用于显示屏。电致发光器件受玻璃基底与空气表面层的反射及折射等因素的影响，发光功能层产生的大部分光线并不能逸出至电致发光器件的发光表面，而会从发光表面的侧面射出，从而使得电致发光器件出光率较低。通常，为了提高电致发光器件的出光率，在阴极层的的表面制备折射率依次增加的多层光提取层，对发光功能层产生的光进行提取，增大电致发光器件出光率；然而，通常光提取层的表面为平面，使得射出电致发光器件的光的角度有限，其制备的显示屏视角小，影响用户的视觉体验。
发明内容
第一方面，本发明实施例提供了一种电致发光器件，包括：
衬底基板；
第一电极层和第二电机层，位于所述衬底基板上，所述第一电极层用于在电压驱动下输出空穴，所述第二电极层用于在电压驱动下输出电子；
发光层，位于所述第一电极层和所述第二电机层之间，所述发光层用于在所述第一电极层的空穴和所述第二电极层的电子的激发下生产光线；以及
光提取层，所述光提取层包括光提取面和光扩散面，所述光提取面和所述光扩散面相对设置，所述光提取面用于将所述发光层生成的光线通过所述第一电极层或所述第二电极层传导至所述光提取层，所述光扩散面用于将传导至所述光提取层的光线反射至所述光扩散面上方的空气中。
结合第一方面，在第一方面第一种实现中，所述光扩散面为波浪形曲面，所述光提取面为浪形曲面或平面。
结合第一方面第一种实现，在第一方面第二种实现中，所述光提取层包括背离所述衬底基板依次设置的第一光提取层、第二光提取层以及第三光提取层，所述第一光提取层的折射率小于所述第二光提取层，所述第二光提取层的折射率小于所述第三光提取层，所述第一光提取层包括第一光提取面和第一光扩散面，所述第二光提取层包括第二光提取面和第二光扩散面，所述第三光提取层包括第三光提取面和第三光扩散面；其中，所述第一光提取面为浪形曲面或平面，所述第三光扩散面为波浪形曲面。
结合第一方面的第一种实现和第二种实现，在第一方面第三种实现中，其特征在于，所述电致发光器件还包括有机保护层，所述有机保护层位于所述第二电极层和所述光提取层之间。
结合第一方面第三种实现，在第一方面第四种实现中，所述有机保护层包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置，第一表面为波浪形曲面或平面，第一表面贴合所述光提取层的光提取面，第二表面为平面，第二表面贴合第二电极层。
结合第一方面第三种实现，在第一方面第五种实现中，所述有机保护层的厚度为10-20nm。
结合第一方面第三种实现，在第一方面第六种实现中，所述有机保护层的材质包括四氟乙烯、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯中的一种或多种的组合。
结合第一方面，在第一方面第七种实现中，所述发光层包括依次层叠设置于所述第一电极层上的空穴传输层、有机发光层以及电子传输层；所述电子传输层的另一表面贴合所述第二电极层的表面；所述空穴传输层用于将所述第一电极层输出的空穴传导至所述有机发光层，所述电子传输层用于将第二电极层输出的电子传导至所述有机发光层，以使所述电子和所述空穴可以在所述有机发光层复合，激发所述有机发光层中发光分子辐射出光线。
第二方面，本发明还提供了一种电致发光器件制备方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上依次制备第一电极层、发光层以及第二电机层；其中，所述第一电极层用于在电压驱动下输出空穴，所述第二电极层用于在电压驱动下输出电子；所述发光层用于在所述第一电极层的空穴和所述第二电极层的电子的激发下生产光线；以及，
制备光提取层，所述光提取层包括相对设置的光提取面和光扩散面，所述光提取面用于将所述发光层生成的光线通过所述第一电极层或所述第二电极层传导至所述光提取层，所述光扩散面用于将传导至所述光提取层的光线反射至所述光扩散面上方的空气中。
结合第二方面，在第二方面第一种实现中，所述制备光提取层包括：
利用脉冲激光法或磁控溅射法，通过控制靶体与所述衬底基板 10的相对运动和/或所述衬底基板的转动，控制所述光提取层的表面形貌，以使所述光扩散面为波浪形曲面，所述光提取面为浪形曲面或平面。
结合第二方面第一种实现，在第二方面第二种实现中，所述制备光提取层包括：
依次形成第一光提取层、第二光提取层以及第三光提取层；其中，所述第一光提取层的折射率小于所述第二光提取层，所述第二光提取层的折射率小于所述第三光提取层，所述第一光提取层包括第一光提取面和第一光扩散面，所述第二光提取层包括第二光提取面和第二光扩散面，所述第三光提取层包括第三光提取面和第三光扩散面；所述第一光提取面为浪形曲面或平面，所述第三光扩散面为波浪形曲面。
结合第二方面第二种实现，在第二方面第三种实现中，所述依次形成第一光提取层、第二光提取层以及第三光提取层包括：
通过溅射第一靶材形成所述第一光提取层；
通过溅射第二靶材形成所述第二光提取层；以及
通过溅射第三靶材形成所述第三光提取层。
结合第二方面以及第一方面的第一至三种实现，在第二方面第四种实现中，
所述在所述衬底基板上依次制备第一电极层、发光层以及第二电机层之后，所述制备光提取层之前包括：
在所述第二电极层的背离所述衬底基板的表面形成有机保护层。
结合第二方面第四种实现，在第二方面第五实现中，所述在所述第二电极层的背离所述衬底基板的表面形成有机保护层具体包括：
图案化所述有机保护层，以使所述有机保护层背离所述第二电极层的表面为波浪形曲面。
结合第二方面第五种实现，在第二方面第六种实现中，所述制备光提取层具体为：
通过物理气相沉积法在所述有机保护层的波浪形曲面的表面沉积至少一层所述光提取层。
结合第二方面第四种实现，在第二方面第七种实现中，所述有机保护层的厚度为10-20nm。
相较于现有技术，本发明提供的电致发光器件包括第一电极层、发光层、第二电极层以及光提取层，其中光提取层包括相对设置的光提取面和光扩散面，其中，光提取面用于将发光层生成的光线通过第一电极层或第二电极层传导至光提取层，光扩散面用于将传导至光提取层的光线反射至所述光扩散面上方的空气中，可以增强对发光层生成的光线的散射作用，可增大其制备的显示屏视角，提高用户的视觉体验。
而且，可以在电致发光器件第二电极层和所述光提取层之间增加有机保护层，防止阴极或阳极的氧化，且波浪型曲面结构的有机保护层还可以作为衬底，实现其上覆盖的光提取层具有相同的波浪型曲面结构。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的电致发光器件在第一状态下的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的电致发光器件在第二状态下的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的电致发光器件在第三状态下的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的电致发光器件在第四状态下的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的电致发光器件制备方法一较佳实施方式的流程示意图；
图6为本发明实施例提供的电致发光器件制备方法另一较佳实施方式的流程示意图；
图7为本发明实施例提供的电致发光器件制备方法又一较佳实施方式的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1为本发明实施例提供的电致发光器件在第一状态下的结构示意图。
该电致发光器件可以包括衬底基板10、第一电极层11、发光层12、第二电极层13以及光提取层14，其中，第一电极层11或第二电极层1312位于所述衬底基板10上；所述第一电极层11为电致发光器件的阳极，用于在电压驱动下输出空穴；所述第二电极层13为电致发光器件的阴极，用于在电压驱动下输出电子；所述发光层12 位于所述第一电极层11和所述第二电极层13之间，所述发光层12 用于在所述第一电极层11的空穴和所述第二电极层13的电子的激发下生产光线；所述光提取层14包括光提取面1001和光扩散面1002，所述光提取面1001和光扩散面1002相对设置，所述光提取面1001 用于将发光层12生成的光线通过所述第一电极11或所述第二电极层 13传导至所述光提取层14，所述光扩散面1002用于将传导至所述光提取层14的光线反射至所述光扩散面1002上方的空气中，可以增强对发光层12生成的光线的散射作用。
可以理解，该电致发光器件的层结构可以是衬底基板10上依次层叠设置的第一电极层11、发光层12、第二电极层13以及光提取层 14；也可以是衬底基板10上依次层叠设置的第二电极层13、发光层 12、第一电机层13以及光提取层14。
可以理解，所述发光层12包括依次层叠设置于所述第一电极层 11上的空穴传输层、有机发光层12以及电子传输层；所述电子传输层的另一表面贴合所述第二电极层13的表面；所述空穴传输层用于将所述第一电极层11输出的空穴传导至所述有机发光层12，所述电子传输层用于将第二电极层13输出的电子传导至所述有机发光层12，以使所述电子和所述空穴可以在所述有机发光层12复合，激发所述有机发光层12中发光分子辐射出光线。
需要说明的是，本发明提供的电致发光器件可以是有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)、高分子电致发光器件 (polymerLight-Emitting Diode，PLED)或无机电致发光器件等。所述衬底基板10可以是玻璃衬基板、透明高分子柔性基板等。第一电极层11、发光层12、第二电极层13、光提取层14的材质不作具体限定，本领域现有的材料均适用于本发明。优选地，第一电极层 11的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、Au、Pt等；第二电极层13的材料可以是的Ag、Al、Ca、In、Li、Mg、ITO、IZO等；发光层12可以包括依次层叠设置于所述第一电极层11上的空穴传输层、有机发光层12以及电子传输层，其中，空穴传输层用于将第一电极层11中的空穴传输至有机发光层12，电子传输层用于第二电极层13中的电子传输至有机发光层12，从而实现空穴和电子在有机发光层12中的复合，激发有机发光层12中分子产生辐射出光线。空穴传输层的材料通常为芳香胺荧光化合物如TPD、TDATA等；电子传输层通常为荧光染料化合物，如，Alq、Znq、Gaq、Bebq、DPVBi、ZnSPB、 PBD、BBOT、Balq等。光提取层14可以包括氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、氮硅化物(SiNx)、氧化铌(Nb2O5)等。
本发明实施例中，所述光扩散面1002为波浪形曲面，所述光提取面1001为浪形曲面或平面。
请参阅图2，图2为本发明实施例提供的电致发光器件在第二状态下的结构示意图。本发明实施例中，所述光提取层14包括背离所述衬底基板10依次设置的第一光提取层141、第二光提取层142以及第三光提取层143，所述第一光提取层141的折射率小于所述第二光提取层142，所述第二光提取层142的折射率小于所述第三光提取层143，所述第一光提取层141包括第一光提取面和第一光扩散面所述第二光提取层142包括第二光提取面和第二光扩散面，所述第三光提取层143包括第三光提取面和第三光扩散面；其中，所述第一光提取面为浪形曲面或平面，所述第三光扩散面为波浪形曲面。
可以理解，第一光扩散面、第二光提取面1、第二光扩散面以及第三光提取面可以为浪形曲面也可以是平面。
请参阅图3，图3为本发明实施例提供的电致发光器件在第三状态下的结构示意图。本发明实施例中，所述电致发光器件还包括有机保护层15，所述有机保护层15位于所述第二电极层13和所述光提取层14之间。其中有机保护层15的材料可以包括四氟乙烯(TFE)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS) 等中的一种或多种的组合，其厚度可以是1nm-200nm，优选地，该有机保护层15的厚度为10nm-20nm。其中有机保护层15为覆盖第二电极层13，所述有机保护层15贴合所述光提取层14的表面可以是平面。有机保护层15可以保护第二电极层13防止第二电极层13在后续制备过程中的氧化。
请参阅图4，图4为本发明实施例提供的电致发光器件在第四状态下的结构示意图。本发明实施例中，，所述有机保护层15包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置，第一表面为波浪形曲面或平面，第一表面贴合所述光提取层14的光提取面1001，第二表面为平面，第二表面贴合第二电极层13。该有机保护层15可以保护第二电极层13防止第二电极层13在后续制备过程中的氧化，而且还可以作为衬底，使得有机保护层15上覆盖的光提取层14具有相同的波浪型曲面。
相较于现有技术，本发明提供的电致发光器件包括第一电极层 11、发光层12、第二电极层13以及光提取层14，其中光提取层14 包括相对设置的光提取面1001和光扩散面1002，其中，光提取面1001 用于将发光层12生成的光线通过第一电极层11或第二电极层13传导至光提取层14，光扩散面1002用于将传导至光提取层14的光线反射至所述光扩散面1002上方的空气中，可以增强对发光层12生成的光线的散射作用，可增大其制备的显示屏视角，提高用户的视觉体验。
而且，可以在电致发光器件第二电极层13和所述光提取层14之间增加有机保护层15，防止阴极或阳极的氧化，且波浪型曲面结构的有机保护层15还可以作为衬底，实现其上覆盖的光提取层14具有相同的波浪型曲面结构。
请参照图5，图5为本发明实施例提供的电致发光器件制备方法一较佳实施方式的流程示意图。可以并参照图1所示的电致发光器件，该电致发光器件制备方法包括以下步骤：
步骤S501：提供一衬底基板10。
可以理解，该衬底基板10可以是玻璃衬基板、透明高分子柔性基板等。
步骤S502：在所述衬底基板10上依次制备第一电极层11、发光层12以及第二电极层13。
其中，所述第一电极层11用于在电压驱动下输出空穴，所述第二电极层13用于在电压驱动下输出电子；所述发光层12用于在所述第一电极层11的空穴和所述第二电极层13的电子的激发下生产光线。
具体地，可一并参考图1所示的电致发光器，可以提供一玻璃衬底基板10，将玻璃基板10至于真空镀膜室中，该真空镀膜室的真空度可以是10-3Pa以下，比如10-5Pa。可以采用真空蒸镀法依次在玻璃基板10上形成第一电极层11、发光层12以及第二电极层13。其中，第一电极层11、发光层12以及第二电极层13可以是平面结构。
其中，第一电极层11的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌 (IZO)、Au、Pt等；第二电极层13的材料可以是的Ag、Al、Ca、In、 Li、Mg、ITO、IZO等。可以理解，所述发光层12包括依次层叠设置于所述第一电极层11上的空穴传输层、有机发光层12以及电子传输层；所述电子传输层的另一表面贴合所述第二电极层13的表面；所述空穴传输层用于将所述第一电极层11输出的空穴传导至所述有机发光层12，所述电子传输层用于将第二电极层13输出的电子传导至所述有机发光层12，以使所述电子和所述空穴可以在所述有机发光层12复合，激发所述有机发光层12中发光分子辐射出光线。空穴传输层的材料通常为芳香胺荧光化合物如TPD、TDATA等；电子传输层通常为荧光染料化合物，如，Alq、Znq、Gaq、Be bq、DPVBi、ZnSPB、 PBD、BBOT、Balq等。光提取层14可以包括氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、氮硅化物(SiNx)、氧化铌(Nb2O5)等。
步骤S503：制备光提取层14。
其中，所述光提取层14包括相对设置的光提取面1001和光扩散面1002，所述光提取面1001用于将所述发光层12生成的光线通过所述第一电极层11或所述第二电极层13传导至所述光提取层14，所述光扩散面1002用于将传导至所述光提取层14的光线反射至所述光扩散面1002上方的空气中。
具体地，可以将已沉积第一电极层11、发光层12以及第二电极层13的衬底基板10固定于托盘上，送入磁控溅射设备或脉冲激光沉积设备的真空腔体内，当真空腔体内的真空度达到10-3Pa以下，比如 10-5Pa时，可以通入气体，如氩气(Ar)，调节溅射气压，以及靶材的溅射功率，通过控制靶体与衬底基板10的相对运动和/或所述衬底基板10的转动控制光提取层14的表面形貌，以使所述光扩散面1002 为波浪形曲面，所述光提取面1001为浪形曲面或平面。其中，控制靶体与衬底基板10的相对运动可以是控制靶体的左右移动和/或上下移动，保持衬底基板10的静止或转动；也可以是控制衬底基板10 的左右移动和/或上下移动，保持靶体静止。
可选地，制备光提取层14可以是多层，可以并参照图2所示的电致发光器件，具体地，可以依次形成第一光提取层141、第二光提取层142以及第三光提取层143；其中，所述第一光提取层141的折射率小于所述第二光提取层142，所述第二光提取层142的折射率小于所述第三光提取层143，所述第一光提取层141包括第一光提取面和第一光扩散面，所述第二光提取层142包括第二光提取面和第二光扩散面，所述第三光提取层143包括第三光提取面和第三光扩散面；所述第一光提取面为浪形曲面或平面，所述第三光扩散面为波浪形曲面。
本发明实施例中，依次形成第一光提取层141、第二光提取层142 以及第三光提取层143的方法可以包括：通过溅射第一靶材形成所述第一光提取层141；通过溅射第二靶材形成所述第二光提取层142；以及，通过溅射第三靶材形成所述第三光提取层143。
例如，光提取层14可以包括第一光提取层141、第二光提取层 142以及第三光提取层143，其中，第一光提取层可以是SiO2，第二光提取层142可以是Si3N4，第三光提取层143可以是TiO2，其中，真空腔体内可以具有多个靶，其中，第一靶材为SiO2靶、第二靶材为 Si3N4、第三靶材为TiO2靶。
可以通过溅射TiO2靶在第二电极层13上沉积形成第一光提取层 141SiO2，SiO2沉积的过程中可以控制SiO2靶体左右移动和/或上下移动，保持衬底基板10的静止或转动，或控制衬底基板10的左右移动和/或上下移动，保持SiO2靶体静止，此时形成波浪型结构的第一金属层141，即SiO2层；进而可以通过溅射Si3N4靶形成第二光提取层 142，即Si3N4层，以及通过溅射TiO2靶形成第三光提取层143，即TiO2层，其中Si3N4层和TiO2层在沉积过程中，可以控制Si3N4靶体与衬底基板10之间或TiO2靶体与衬底基板10之间相对运动，也可以控制其之间不发生相对运动。
可以理解，光提取层14可以都为氮硅化物(SiNx，0<x<20)，SiNx随x的增大，SiNx折射率减小，其中，第一光提取层141可以是SiNx1，第二光提取层可以是SiNx2，第三光提取层可以是SiNx3，其中， 20>x1>x2>x3>0，真空腔体内可以有SiN靶，在制备过程中真空腔体内通入氮气(N2)和Ar的混合气体，通过控制SiN靶的与衬底基板 10之间相对运动，控制形成的光提取层14SiNx的形貌，通过控制SiN 的溅射功率、沉积气压、N2/Ar比控制形成的光提取层14SiNx中N/Si 比。
本发明实施例中，通过在衬底基板10上依次制备第一电极层11、发光层12、第二电极层13以及光提取层14，其中，制备的光提取层 14包括相对设置的光提取面1001和光扩散面1002，所述光提取面 1001用于将所述发光层12生成的光线通过所述第一电极层11或所述第二电极层13传导至所述光提取层14，所述光扩散面1002用于将传导至所述光提取层14的光线反射至所述光扩散面1002上方的空气中，可以增强对发光层12生成的光线的散射作用，可增大其制备的显示屏视角，提高用户的视觉体验。
请参照图6，图6为本发明实施例提供的电致发光器件制备方法另一较佳实施方式的流程示意图。包括以下步骤：
步骤S601：提供一衬底基板10
步骤S602：在所述衬底基板10上依次制备第一电极层11、发光层12以及第二电极层13。
具体地，可一并参考图3所示的电致发光器，可以提供一衬底基板10，将衬底基板10至于真空镀膜室中，该真空镀膜室的真空度可以是10-3Pa以下，比如10-5Pa。可以采用真空蒸镀法依次在衬底基板 10上形成第一电极层11、发光层12以及第二电极层13。
步骤S603：在所述第二电极层13的背离所述衬底基板10的表面形成有机保护层15。
具体地，可以通过物理气相沉积法、旋涂法等在第二电极层13 的背离所述衬底基板10的表面形成有机保护层15，该有机保护层15 的表面可以是平面结构，该有机保护层15的材料可以包括四氟乙烯 (TFE)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)等中的一种或多种的组合，其厚度可以是1nm-200nm，优选地该有机保护层15的厚度为10nm-20nm。该有机保护层15可以保护第二电极层13防止第二电极层13在后续制备过程中的氧化。
本发明中，物理气相沉积法包括真空蒸镀法、磁控溅射法、脉冲激光沉积法等。
步骤S604：通过控制靶体与所述衬底基板10的相对运动和/或所述衬底基板10的转动，控制所述光提取层14的表面形貌，制备具有波浪型曲面结构的所述光提取层14。
具体地，可以将已沉积第一电极层11、发光层12、第二电极层 13以及有机保护层15的玻璃衬底基板10固定于托盘上，送入磁控溅射设备或脉冲激光沉积设备的真空腔体内，当真空腔体内的真空度达到10-3Pa以下，比如10-5Pa时，可以通入气体，如氩气(Ar)，调节溅射气压，以及靶材的溅射功率，通过控制靶体与衬底基板10的相对运动和/或所述衬底基板10的转动控制光提取层14的表面形貌，以使所述光扩散面1002为波浪形曲面，所述光提取面1001为浪形曲面或平面。其中，控制靶体与衬底基板10的相对运动可以是控制靶体的左右移动和/或上下移动，保持衬底基板10的静止或转动；也可以是控制衬底基板10的左右移动和/或上下移动，保持靶体静止。
可选地，制备光提取层14可以是多层，具体地，可以依次形成第一光提取层141、第二光提取层142以及第三光提取层143；其中，所述第一光提取层141的折射率小于所述第二光提取层142，所述第二光提取层142的折射率小于所述第三光提取层143，所述第一光提取层141包括第一光提取面和第一光扩散面，所述第二光提取层142 包括第二光提取面和第二光扩散面，所述第三光提取层143包括第三光提取面和第三光扩散面；所述第一光提取面为浪形曲面或平面，所述第三光扩散面为波浪形曲面。
本发明实施例中，依次形成第一光提取层141、第二光提取层142 以及第三光提取层143的方法可以包括：通过溅射第一靶材形成所述第一光提取层141；通过溅射第二靶材形成所述第二光提取层142；以及，通过溅射第三靶材形成所述第三光提取层143。
本发明实施例中，通过在衬底基板10上依次制备第一电极层11、发光层12以及第二电极层13，在第二电极层13的背离所述衬底基板10的表面形成有机保护层15，通过控制靶体与所述衬底基板10 的相对运动和/或所述衬底基板10的转动，控制所述光提取层14的表面形貌，以使所述光扩散面1002为波浪形曲面，所述光提取面1001 为浪形曲面或平面，其中，光扩散面1002用于将传导至所述光提取层14的光线反射至所述光扩散面1002上方的空气中，可以增强对发光层12生成的光线的散射作用，可增大其制备的显示屏视角，提高用户的视觉体验；该有机保护层15可以保护第二电极层13防止第二电极层13在后续制备过程中的氧化。
请参照图7，图7为本发明实施例提供的电致发光器件制备方法又一较佳实施方式的流程示意图。包括以下步骤：
步骤S701：提供一衬底基板10。
步骤S702：在所述衬底基板10上依次制备第一电极层11、发光层12以及第二电极层13。
具体地，可一并参阅图4，在衬底基板10上依次制备第一电极层11、发光层12以及第二电极层13的方法可参见图6中步骤S602 中相关描述，此处不再赘述。
步骤S703：在所述第二电极层13的背离所述衬底基板10的表面形成有机保护层15。
具体地，可参见图6中步骤S603中相关描述，此处不再赘述。
步骤S704：图案化所述有机保护层15，以使所述有机保护层15 背离所述第二电极层13的表面为波浪形曲面。
具体地，图案化所述有机保护层15，形成具有波浪型曲面的表面的有机保护层15的方法可以是，利用脉冲激光法或磁控溅射法，通过控制靶体与所述衬底基板10的相对运动和/或所述衬底基板10 的转动，控制所述有机保护层15的表面形貌，在所述第二电极层13 的背离所述衬底基板10的表面形成具有波浪型曲面结构的有机保护层15。图案化所述有机保护层15，形成具有波浪型曲面结构的有机保护层15的方法还可以是，通过光罩蚀刻工艺，图案化所述有机保护层15，具体可以是，在所述有机保护层15背离所述第二电极层13的表面涂布光刻胶层；图案化光刻胶层，移除部分光刻胶层，形成波浪型曲面的光刻胶层；通过刻蚀工艺使基板上的薄膜整体去除离预设厚度，去除光刻胶层以及部分有机保护层15，形成具有波浪型曲面结构的有机保护层15。
步骤S705：通过物理气相沉积法在所述有机保护层15的表面沉积至少一层所述光提取层14。
具体地，以具有波浪型曲面的有机保护层15为衬底，在其上通过物理气相沉积法沉积形成至少一层光提取层14，比如第一光提取层、第二光提取层以及第三光提取层，其中，所述第一光提取层141 的折射率小于所述第二光提取层142，所述第二光提取层142的折射率小于所述第三光提取层143，所述第一光提取层141包括第一光提取面和第一光扩散面，所述第二光提取层142包括第二光提取面和第二光扩散面，所述第三光提取层143包括第三光提取面和第三光扩散面；所述第一光提取面为浪形曲面或平面，所述第三光扩散面为波浪形曲面。
本发明中刻蚀可以包括干刻蚀以及湿刻蚀，所述干蚀刻的气体可以是为CF4，SF6或CL2和O2的混合气体，所示湿蚀刻的液体可以是为草酸，硫酸，盐酸，或草酸、硫酸及盐酸的混合液。
在本发明中，所述图案化即是指构图工艺，可包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影，等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
本发明实施例中，通过在衬底基板10上依次制备第一电极层11、发光层12以及第二电极层13，在第二电极层13的背离所述衬底基板10的表面形成有机保护层15，图案化有机保护层15，形成具有波浪型曲面的表面的有机保护层15，再以具有波浪型曲面的有机保护层15为衬底，通过物理气相沉积法在有机保护层15的表面沉积至少一层光提取层14，该有机保护层15可以保护第二电极层13防止第二电极层13在后续制备过程中的氧化，而且还可以作为衬底，使得有机保护层15上覆盖的光提取层14的光提取面1001和光扩散面 1002具有相同的波浪型曲面，可以增强对发光层12生成的光线的散射作用，可增大其制备的显示屏视角，提高用户的视觉体验。
本发明实施例中所使用的技术术语仅用于说明特定实施例而并不旨在限定本发明。在本文中，单数形式“一”、“该”及“所述”用于同时包括复数形式，除非上下文中明确另行说明。进一步地，在说明书中所使用的用于“包括”和/或“包含”是指存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或构件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件和/或构件。
在所附权利要求中对应结构、材料、动作以及所有装置或者步骤以及功能元件的等同形式(如果存在的话)旨在包括结合其他明确要求的元件用于执行该功能的任何结构、材料或动作。本发明的描述出于实施例和描述的目的被给出，但并不旨在是穷举的或者将被发明限制在所公开的形式。在不偏离本发明的范围和精神的情况下，多种修改和变形对于本领域的一般技术人员而言是显而易见的。本发明中所描述的实施例能够更好地揭示本发明的原理与实际应用，并使本领域的一般技术人员可了解本发明。
本发明中所描述的流程图仅仅为一个实施例，在不偏离本发明的精神的情况下对此图示或者本发明中的步骤可以有多种修改变化。比如，可以不同次序的执行这些步骤，或者可以增加、删除或者修改某些步骤。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (13)
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括：
衬底基板；
第一电极层和第二电机层，位于所述衬底基板上，所述第一电极层用于在电压驱动下输出空穴，所述第二电极层用于在电压驱动下输出电子；
发光层，位于所述第一电极层和所述第二电机层之间，所述发光层用于在所述第一电极层的空穴和所述第二电极层的电子的激发下生产光线；
光提取层，所述光提取层包括光提取面和光扩散面，所述光提取面和所述光扩散面相对设置，所述光提取面用于将所述发光层生成的光线通过所述第一电极层或所述第二电极层传导至所述光提取层，所述光扩散面用于将传导至所述光提取层的光线反射至所述光扩散面上方的空气中；以及
有机保护层，所述有机保护层位于所述第二电极层和所述光提取层之间；
其中，所述光提取层的材质包括氧化硅、二氧化硅、二氧化钛、氮硅化物、氧化铌中的一种或多种的组合，所述有机保护层的材质包括四氟乙烯、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯中的一种或多种的组合。
2.如权利要求1所述电致发光器件，其特征在于，所述光扩散面为波浪形曲面，所述光提取面为浪形曲面或平面。
3.如权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述光提取层包括背离所述衬底基板依次设置的第一光提取层、第二光提取层以及第三光提取层，所述第一光提取层的折射率小于所述第二光提取层，所述第二光提取层的折射率小于所述第三光提取层，所述第一光提取层包括第一光提取面和第一光扩散面，所述第二光提取层包括第二光提取面和第二光扩散面，所述第三光提取层包括第三光提取面和第三光扩散面；其中，所述第一光提取面为浪形曲面或平面，所述第三光扩散面为波浪形曲面。
4.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述有机保护层包括第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置，第一表面为波浪形曲面或平面，第一表面贴合所述光提取层的光提取面，第二表面为平面，第二表面贴合第二电极层。
5.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述有机保护层的厚度为10～20nm。
6.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层包括依次层叠设置于所述第一电极层上的空穴传输层、有机发光层以及电子传输层；所述电子传输层的另一表面贴合所述第二电极层的表面；所述空穴传输层用于将所述第一电极层输出的空穴传导至所述有机发光层，所述电子传输层用于将第二电极层输出的电子传导至所述有机发光层，以使所述电子和所述空穴可以在所述有机发光层复合，激发所述有机发光层中发光分子辐射出光线。
7.一种电致发光器件制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上依次制备第一电极层、发光层以及第二电机层；其中，所述第一电极层用于在电压驱动下输出空穴，所述第二电极层用于在电压驱动下输出电子；所述发光层用于在所述第一电极层的空穴和所述第二电极层的电子的激发下生产光线；
在所述第二电极层的背离所述衬底基板的表面形成有机保护层，以及：
制备光提取层，所述光提取层包括相对设置的光提取面和光扩散面，所述光提取面用于将所述发光层生成的光线通过所述第一电极层或所述第二电极层传导至所述光提取层，所述光扩散面用于将传导至所述光提取层的光线反射至所述光扩散面上方的空气中；
其中，所述光提取层的材质包括氧化硅、二氧化硅、二氧化钛、氮硅化物、氧化铌中的一种或多种的组合，所述有机保护层的材质包括四氟乙烯、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯中的一种或多种的组合。
8.如权利要求7所述的电致发光器件制备方法，其特征在于，所述制备光提取层包括：
利用脉冲激光法或磁控溅射法，通过控制靶体与所述衬底基板的相对运动和/或所述衬底基板的转动，控制所述光提取层的表面形貌，以使所述光扩散面为波浪形曲面，所述光提取面为浪形曲面或平面。
9.如权利要求8所述的电致发光器件制备方法，其特征在于，所述制备光提取层包括：
依次形成第一光提取层、第二光提取层以及第三光提取层；其中，所述第一光提取层的折射率小于所述第二光提取层，所述第二光提取层的折射率小于所述第三光提取层，所述第一光提取层包括第一光提取面和第一光扩散面，所述第二光提取层包括第二光提取面和第二光扩散面，所述第三光提取层包括第三光提取面和第三光扩散面；所述第一光提取面为浪形曲面或平面，所述第三光扩散面为波浪形曲面。
10.如权利要求9所述的电致发光器件制备方法，其特征在于，所述依次形成第一光提取层、第二光提取层以及第三光提取层包括：
通过溅射第一靶材形成所述第一光提取层；
通过溅射第二靶材形成所述第二光提取层；以及
通过溅射第三靶材形成所述第三光提取层。
11.如权利要求7所述的电致发光器件制备方法，其特征在于，所述在所述第二电极层的背离所述衬底基板的表面形成有机保护层具体包括：
图案化所述有机保护层，以使所述有机保护层背离所述第二电极层的表面为波浪形曲面。
12.如权利要求11所述的电致发光器件制备方法，其特征在于，所述制备光提取层具体为：
通过物理气相沉积法在所述有机保护层的波浪形曲面的表面沉积至少一层所述光提取层。
13.如权利要求7所述的电致发光器件制备方法，其特征在于，所述有机保护层的厚度为10～20nm。
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