JP2947250B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2947250B2 JP2947250B2 JP10014184A JP1418498A JP2947250B2 JP 2947250 B2 JP2947250 B2 JP 2947250B2 JP 10014184 A JP10014184 A JP 10014184A JP 1418498 A JP1418498 A JP 1418498A JP 2947250 B2 JP2947250 B2 JP 2947250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- holes
- layer
- organic
- organic electroluminescence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光効率に優れた
有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子は、
電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と
陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光
性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イ
ーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積
層型素子による低電圧駆動有機エレクトロルミネッセン
ス素子の報告（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ、Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌ
ｙｋｅ、アプライドフィジックスレターズ（Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、５１巻、９
１３頁、１９８７年 など）がなされて以来、有機材料
を構成材料とする有機エレクトロルミネッセンス素子に
関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリ
ス（８−キノリノール）アルミニウムを発光層に、トリ
フェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積
層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高
めること、陰極より注入された電子をブロックして再結
合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光
層内で生成した励起子を閉じこめることなどが挙げられ
る。この例のように有機エレクトロルミネッセンス素子
の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送性
発光層の２層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電
子輸送（注入）層の３層型等が良く知られている。こう
した積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合
効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされ
ている。
電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と
陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光
性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イ
ーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積
層型素子による低電圧駆動有機エレクトロルミネッセン
ス素子の報告（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ、Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌ
ｙｋｅ、アプライドフィジックスレターズ（Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、５１巻、９
１３頁、１９８７年 など）がなされて以来、有機材料
を構成材料とする有機エレクトロルミネッセンス素子に
関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリ
ス（８−キノリノール）アルミニウムを発光層に、トリ
フェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積
層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高
めること、陰極より注入された電子をブロックして再結
合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光
層内で生成した励起子を閉じこめることなどが挙げられ
る。この例のように有機エレクトロルミネッセンス素子
の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送性
発光層の２層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電
子輸送（注入）層の３層型等が良く知られている。こう
した積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合
効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされ
ている。
【０００３】しかしながら、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子に於いてはキャリア再結合の際にスピン統計の
依存性より一重項生成の確率に制限があり、したがって
発光確率に上限が生じる。この上限の値は凡そ２５％と
知られている。更に有機エレクトロルミネッセンス素子
に於いてはその発光体の屈折率の影響のため、図１に示
すように、臨界角以上の出射角の光は全反射を起こし外
部に取り出すことができない。このため発光体の屈折率
が１．６とすると発光量全体の２０％程度しか有効に利
用できず、エネルギーの変換効率の限界としては一重項
生成確率を併せ全体で５％程度と低効率とならざるをえ
ない（筒井哲夫「有機エレクトロルミネッセンスの現状
と動向」、月刊ディスプレイ、ｖｏｌ．１、 Ｎｏ．
３、ｐ１１、１９９５年９月）。発光確率に強い制限の
生じる有機エレクトロルミネッセンス素子に於いては、
光の取り出し効率は致命的ともいえる効率の低下を招く
ことになる。
ンス素子に於いてはキャリア再結合の際にスピン統計の
依存性より一重項生成の確率に制限があり、したがって
発光確率に上限が生じる。この上限の値は凡そ２５％と
知られている。更に有機エレクトロルミネッセンス素子
に於いてはその発光体の屈折率の影響のため、図１に示
すように、臨界角以上の出射角の光は全反射を起こし外
部に取り出すことができない。このため発光体の屈折率
が１．６とすると発光量全体の２０％程度しか有効に利
用できず、エネルギーの変換効率の限界としては一重項
生成確率を併せ全体で５％程度と低効率とならざるをえ
ない（筒井哲夫「有機エレクトロルミネッセンスの現状
と動向」、月刊ディスプレイ、ｖｏｌ．１、 Ｎｏ．
３、ｐ１１、１９９５年９月）。発光確率に強い制限の
生じる有機エレクトロルミネッセンス素子に於いては、
光の取り出し効率は致命的ともいえる効率の低下を招く
ことになる。
【０００４】この光の取り出し効率を向上させる手法と
しては、従来無機エレクトロルミネッセンス素子など
の、同等な構造を持つ発光素子に於いて検討されてき
た。例えば、基板に集光性を持たせることで効率を向上
させる方法（特開昭６３−３１４７９５）や、素子の側
面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９
４）は、発光面積の大きな素子に対しては有効である
が、ドットマトリクスディスプレイ等の画素面積の微小
な素子に於いては、集光性を持たせるレンズや側面の反
射面等の形成加工が困難である。更に有機エレクトロル
ミネッセンス素子に於いては発光層の膜厚が数μｍ以下
となるためテーパー状の加工を施し素子側面に反射鏡を
形成することは現在の微細加工の技術では困難であり、
大幅なコストアップをもたらす。また基板ガラスと発光
体の間に中間の屈折率を持つ層を導入し、反射防止膜を
形成する方法（特開昭６２−１７２６９１）もあるが、
この方法は前方への光の取り出し効率の改善の効果はあ
るが全反射を防ぐことはできない。したがって屈折率の
大きな無機エレクトロルミネッセンスに対しては有効で
あっても、比較的低屈折率の発光体である有機エレクト
ロルミネッセンス素子に対しては大きな改善効果を生ま
ない。
しては、従来無機エレクトロルミネッセンス素子など
の、同等な構造を持つ発光素子に於いて検討されてき
た。例えば、基板に集光性を持たせることで効率を向上
させる方法（特開昭６３−３１４７９５）や、素子の側
面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９
４）は、発光面積の大きな素子に対しては有効である
が、ドットマトリクスディスプレイ等の画素面積の微小
な素子に於いては、集光性を持たせるレンズや側面の反
射面等の形成加工が困難である。更に有機エレクトロル
ミネッセンス素子に於いては発光層の膜厚が数μｍ以下
となるためテーパー状の加工を施し素子側面に反射鏡を
形成することは現在の微細加工の技術では困難であり、
大幅なコストアップをもたらす。また基板ガラスと発光
体の間に中間の屈折率を持つ層を導入し、反射防止膜を
形成する方法（特開昭６２−１７２６９１）もあるが、
この方法は前方への光の取り出し効率の改善の効果はあ
るが全反射を防ぐことはできない。したがって屈折率の
大きな無機エレクトロルミネッセンスに対しては有効で
あっても、比較的低屈折率の発光体である有機エレクト
ロルミネッセンス素子に対しては大きな改善効果を生ま
ない。
【０００５】したがって有機エレクトロルミネッセンス
素子に有用な光の取り出し方法は未だ不十分であり、こ
の光の取り出し方法の開発が有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の高効率化に不可欠である。
素子に有用な光の取り出し方法は未だ不十分であり、こ
の光の取り出し方法の開発が有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の高効率化に不可欠である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、有機
エレクトロルミネッセンス素子の光の取り出し効率を改
善し、高効率の有機エレクトロルミネッセンス素子を提
供することにある。
エレクトロルミネッセンス素子の光の取り出し効率を改
善し、高効率の有機エレクトロルミネッセンス素子を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明によれば、陽極と陰極との間に発光層を含む一または
二以上の有機薄膜層を有してなる有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、陽極若しくは陰極のうち、一方
の電極が傾斜面を有し、前記傾斜面を有する電極と対向
する電極に複数の孔が設けられたことを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子が提供される。ここで、
傾斜面とは基板の平面方向に対して所定の角度をもった
傾斜を有する面をいう。
明によれば、陽極と陰極との間に発光層を含む一または
二以上の有機薄膜層を有してなる有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、陽極若しくは陰極のうち、一方
の電極が傾斜面を有し、前記傾斜面を有する電極と対向
する電極に複数の孔が設けられたことを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子が提供される。ここで、
傾斜面とは基板の平面方向に対して所定の角度をもった
傾斜を有する面をいう。
【０００８】例えば図３に示すように傾斜面を有する形
状の陰極４を設けることにより、発光層３で生じた光は
発光層３と陰極４の界面で反射した後、凹面鏡と同様の
作用により基板１方向に集光される。すなわち、両電極
に挟まれた領域からの発光のうち、基板面で全反射する
成分、あるいは基板面に水平方向に出射される成分を基
板面垂直方向に反射させることができる。したがって、
図１のように全反射のために光が取り出し不可能となる
ということは生じにくく、光の取り出し効率が顕著に向
上する。この際、発光面積は減少しており前方への反射
効率も１００％では無いため、孔の無い電極を用いた場
合より輝度としては低下する場合もあるが、発光面積の
減少により消費電力も低下するため、全体としては高効
率となる。
状の陰極４を設けることにより、発光層３で生じた光は
発光層３と陰極４の界面で反射した後、凹面鏡と同様の
作用により基板１方向に集光される。すなわち、両電極
に挟まれた領域からの発光のうち、基板面で全反射する
成分、あるいは基板面に水平方向に出射される成分を基
板面垂直方向に反射させることができる。したがって、
図１のように全反射のために光が取り出し不可能となる
ということは生じにくく、光の取り出し効率が顕著に向
上する。この際、発光面積は減少しており前方への反射
効率も１００％では無いため、孔の無い電極を用いた場
合より輝度としては低下する場合もあるが、発光面積の
減少により消費電力も低下するため、全体としては高効
率となる。
【０００９】本発明において、前記傾斜面を有する電極
と対向する電極に複数の孔が設けられる。
と対向する電極に複数の孔が設けられる。
【００１０】このようにすることにより、発光層に対し
て傾斜面を有する対向電極を容易に形成することができ
る。この点について図２を参照して説明する。複数の孔
が設けられた電極２の上に発光層３、対向電極４をこの
順で成膜していくと、孔と対応する部分の発光層３およ
び対向電極４に窪みが生じる。すなわち成膜工程で自然
に傾斜面が形成されるのである。
て傾斜面を有する対向電極を容易に形成することができ
る。この点について図２を参照して説明する。複数の孔
が設けられた電極２の上に発光層３、対向電極４をこの
順で成膜していくと、孔と対応する部分の発光層３およ
び対向電極４に窪みが生じる。すなわち成膜工程で自然
に傾斜面が形成されるのである。
【００１１】本発明における孔は、上記のように対向電
極に傾斜面を付与するために設けられるものであるか
ら、このような作用を有するものであればいかなる形状
であってもよい。例えば、正方形、長方形、長楕円形等
のストライプ形状や、円形などとすることができる。
極に傾斜面を付与するために設けられるものであるか
ら、このような作用を有するものであればいかなる形状
であってもよい。例えば、正方形、長方形、長楕円形等
のストライプ形状や、円形などとすることができる。
【００１２】ただしこれらの孔は溝を形成するものでは
なく、当該電極は同一画素を形成するもので孔により分
離されるものではない（図２）。すなわち、この電極構
造はドットマトリクスディスプレイなどに於いて、各水
平方向または垂直方向の画素列を形成するストライプ状
の電極間の溝を形成するものではなく、これらの電極の
内部構造として更に微細な孔が空いているものである。
なく、当該電極は同一画素を形成するもので孔により分
離されるものではない（図２）。すなわち、この電極構
造はドットマトリクスディスプレイなどに於いて、各水
平方向または垂直方向の画素列を形成するストライプ状
の電極間の溝を形成するものではなく、これらの電極の
内部構造として更に微細な孔が空いているものである。
【００１３】また本発明によれば、基板上に第一の電極
層を形成した後、該第一の電極層に複数の孔を設ける工
程と、該第一の電極層の上に、発光層を含む一または二
以上の有機薄膜層と第二の電極層とをこの順で形成する
工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センス素子の製造方法が提供される。ここで第一の電極
層とは、一対の電極のうち光の出射面側に位置する電極
層をいい、第二の電極層とは第一の電極層と対向する電
極層をいう。例えば図２において、陽極２を構成するの
が第一の電極層、陰極４を構成するのが第二の電極層で
ある。このような製造方法によれば、発光層に対して傾
斜面を有する対向電極を積層工程にて自然に形成するこ
とができる。
層を形成した後、該第一の電極層に複数の孔を設ける工
程と、該第一の電極層の上に、発光層を含む一または二
以上の有機薄膜層と第二の電極層とをこの順で形成する
工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センス素子の製造方法が提供される。ここで第一の電極
層とは、一対の電極のうち光の出射面側に位置する電極
層をいい、第二の電極層とは第一の電極層と対向する電
極層をいう。例えば図２において、陽極２を構成するの
が第一の電極層、陰極４を構成するのが第二の電極層で
ある。このような製造方法によれば、発光層に対して傾
斜面を有する対向電極を積層工程にて自然に形成するこ
とができる。
【００１４】複数の孔は、例えば以下のようにして作製
される。すなわち、第一の電極層の表面に所定のパター
ンでレジストを塗布した後、エッチングにより第一の電
極層の所定部分を除去することにより、複数の孔を設け
ることができる。このような方法によれば、所望のパタ
ーンを有する複数の孔を簡便に形成することができる。
される。すなわち、第一の電極層の表面に所定のパター
ンでレジストを塗布した後、エッチングにより第一の電
極層の所定部分を除去することにより、複数の孔を設け
ることができる。このような方法によれば、所望のパタ
ーンを有する複数の孔を簡便に形成することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明における有機エレクトロル
ミネッセンス素子の素子構造は、電極間に有機層を１層
あるいは２層以上積層した構造であり、特にその構造に
制約を受けない。例としては、陽極、発光層、陰極、
陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極、陽
極、正孔輸送層、発光層、陰極、あるいは陽極、発光
層、電子輸送層、陰極等の構造が挙げられる。またこれ
らの有機層間及び有機層電極間に、電荷注入特性の向上
や絶縁破壊を抑制あるいは発光効率を向上させる目的
で、弗化リチウム、弗化マグネシウム、酸化珪素、二酸
化珪素、窒化珪素等の無機の誘電体、絶縁体からなる薄
膜層、あるいは有機層と電極材料又は金属との混合層、
あるいはポリアニリン、ポリアセチレン誘導体、ポリジ
アセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポ
リパラフェニレンビニレン誘導体等の有機高分子薄膜を
挿入しても構わない。
ミネッセンス素子の素子構造は、電極間に有機層を１層
あるいは２層以上積層した構造であり、特にその構造に
制約を受けない。例としては、陽極、発光層、陰極、
陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極、陽
極、正孔輸送層、発光層、陰極、あるいは陽極、発光
層、電子輸送層、陰極等の構造が挙げられる。またこれ
らの有機層間及び有機層電極間に、電荷注入特性の向上
や絶縁破壊を抑制あるいは発光効率を向上させる目的
で、弗化リチウム、弗化マグネシウム、酸化珪素、二酸
化珪素、窒化珪素等の無機の誘電体、絶縁体からなる薄
膜層、あるいは有機層と電極材料又は金属との混合層、
あるいはポリアニリン、ポリアセチレン誘導体、ポリジ
アセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポ
リパラフェニレンビニレン誘導体等の有機高分子薄膜を
挿入しても構わない。
【００１６】本発明において、電極としては、陽極は正
孔を正孔輸送層に注入する役割を担うものであり、４．
５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本
発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化イン
ジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、
銀、白金、銅等の金属又は酸化物、並びにこれらの混合
物が適用できる。また陰極としては、電子輸送帯又は発
光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が
好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的には
インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウ
ム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合
金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカ
ンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金、並び
にこれらの混合物等が使用できる。
孔を正孔輸送層に注入する役割を担うものであり、４．
５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本
発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化イン
ジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、
銀、白金、銅等の金属又は酸化物、並びにこれらの混合
物が適用できる。また陰極としては、電子輸送帯又は発
光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が
好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的には
インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウ
ム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合
金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカ
ンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金、並び
にこれらの混合物等が使用できる。
【００１７】ここで孔の空いた電極は陽極、陰極の何れ
でもよく、また何れかの電極が可視光の領域に於いて透
明あるいは高反射率を有するもののどちらでもよい。ま
た、この電極の厚さは電極として本来の機能を果たす厚
さであれば特に限定されることはないが、０．０２μｍ
〜２μｍの範囲にあることが望ましい。
でもよく、また何れかの電極が可視光の領域に於いて透
明あるいは高反射率を有するもののどちらでもよい。ま
た、この電極の厚さは電極として本来の機能を果たす厚
さであれば特に限定されることはないが、０．０２μｍ
〜２μｍの範囲にあることが望ましい。
【００１８】本発明において、前述のように孔の形状は
特に制限されないが、たとえばストライプ状の形状（図
４）や櫛歯状の形状（図７）を有することが好ましく、
あるいは図９のように複数の島状の電極部を残すように
孔が形成されることが好ましい。電極面積に対する縁の
全長がふえ、電極傾斜面による反射の効果をより有効に
利用できるからである。ここで、ストライプ状の形状と
は、前述のように正方形、長方形、長楕円形等を含むも
のである。櫛歯状の形状とは、図７のように孔の外周が
入り組んだ形状をいう。また「複数の島状の電極部を残
すように」とは、図９のように島状の電極部を残すよう
にその周りをくりぬいた形状の孔を形成することをい
う。島状の電極の形状は特に制限されず、図のような円
形でもよいし、楕円形、正方形、長方形など、任意の形
状とすることができる。
特に制限されないが、たとえばストライプ状の形状（図
４）や櫛歯状の形状（図７）を有することが好ましく、
あるいは図９のように複数の島状の電極部を残すように
孔が形成されることが好ましい。電極面積に対する縁の
全長がふえ、電極傾斜面による反射の効果をより有効に
利用できるからである。ここで、ストライプ状の形状と
は、前述のように正方形、長方形、長楕円形等を含むも
のである。櫛歯状の形状とは、図７のように孔の外周が
入り組んだ形状をいう。また「複数の島状の電極部を残
すように」とは、図９のように島状の電極部を残すよう
にその周りをくりぬいた形状の孔を形成することをい
う。島状の電極の形状は特に制限されず、図のような円
形でもよいし、楕円形、正方形、長方形など、任意の形
状とすることができる。
【００１９】本発明において有機発光層の厚さは、用い
る材料、層構造によりそれぞれ効率、寿命等を考慮して
最適な範囲が決定され、電極厚は有機発光層厚により最
適な範囲が決定される。
る材料、層構造によりそれぞれ効率、寿命等を考慮して
最適な範囲が決定され、電極厚は有機発光層厚により最
適な範囲が決定される。
【００２０】孔の径あるいは孔の開口部の最小距離は、
特に限定されることはないが、積層する有機発光層厚、
電極厚によって最適な範囲が決定される。電極の厚さに
比して大きすぎる場合又は小さすぎる場合の何れも効率
の低下を招くことから、孔の径あるいは孔の最小幅は電
極の厚さに対し０．１倍以上１０倍以下の範囲にあるこ
とが望ましい。このようにすることによって、反射、発
光のいずれも起こらない領域が増えることによる効率の
低下を防ぎつつ、反射する光の量を十分にして光取り出
し効率の向上を図ることができる。また孔の径あるいは
最小幅は、電極サイズにもよるが、たとえば０．１μｍ
以上２μｍ以下とすることが好ましい。
特に限定されることはないが、積層する有機発光層厚、
電極厚によって最適な範囲が決定される。電極の厚さに
比して大きすぎる場合又は小さすぎる場合の何れも効率
の低下を招くことから、孔の径あるいは孔の最小幅は電
極の厚さに対し０．１倍以上１０倍以下の範囲にあるこ
とが望ましい。このようにすることによって、反射、発
光のいずれも起こらない領域が増えることによる効率の
低下を防ぎつつ、反射する光の量を十分にして光取り出
し効率の向上を図ることができる。また孔の径あるいは
最小幅は、電極サイズにもよるが、たとえば０．１μｍ
以上２μｍ以下とすることが好ましい。
【００２１】本発明において、孔の設けられた電極の面
積に対する前記孔の総面積の比率は、好ましくは１０％
以上８５％以下である。このようにすることによって、
反射、発光のいずれも起こらない領域が増えることによ
る効率の低下を防ぎつつ光取り出し効率の向上を図るこ
とができる。
積に対する前記孔の総面積の比率は、好ましくは１０％
以上８５％以下である。このようにすることによって、
反射、発光のいずれも起こらない領域が増えることによ
る効率の低下を防ぎつつ光取り出し効率の向上を図るこ
とができる。
【００２２】本発明において、孔の径あるいは最小幅
は、好ましくは有機薄膜層の層厚の０．５倍以上１０倍
以下、さらに好ましくは、１倍以上５倍以下である。こ
のようにすることによって、反射、発光のいずれも起こ
らない領域が増えることによる効率の低下を防ぎつつ電
極に傾斜を十分に設けることができる。このようにする
ことによって、反射、発光のいずれも起こらない領域が
増えることによる効率の低下を防ぎつつ光取り出し効率
の向上を図ることができる。
は、好ましくは有機薄膜層の層厚の０．５倍以上１０倍
以下、さらに好ましくは、１倍以上５倍以下である。こ
のようにすることによって、反射、発光のいずれも起こ
らない領域が増えることによる効率の低下を防ぎつつ電
極に傾斜を十分に設けることができる。このようにする
ことによって、反射、発光のいずれも起こらない領域が
増えることによる効率の低下を防ぎつつ光取り出し効率
の向上を図ることができる。
【００２３】また本発明において、孔の設けられた電極
の厚さは有機薄膜層の層厚に対して、０．３倍以上５倍
以下とすることが好ましい。０．３倍未満では凹面反射
の効果が十分でなく効率が低下する場合がある。５倍を
超えると光を出射できる領域が減り効率が低下する場合
がある。
の厚さは有機薄膜層の層厚に対して、０．３倍以上５倍
以下とすることが好ましい。０．３倍未満では凹面反射
の効果が十分でなく効率が低下する場合がある。５倍を
超えると光を出射できる領域が減り効率が低下する場合
がある。
【００２４】本発明において、孔の配置規則性は特に限
定されることはなく、周期的な配置でも、完全に不規則
な配置でも構わない。しかしながら、例えば図４、６、
７のように、複数の孔を平面方向に規則性をもって配置
することにより、干渉等の異方性を抑制することができ
る。
定されることはなく、周期的な配置でも、完全に不規則
な配置でも構わない。しかしながら、例えば図４、６、
７のように、複数の孔を平面方向に規則性をもって配置
することにより、干渉等の異方性を抑制することができ
る。
【００２５】また本発明において、複数の孔を次のよう
なパターンをもって配置することができる。孔の設けら
れた電極を複数の基本単位から構成し、その基本単位中
に所定パターンの孔を設ける。一の基本単位中の孔のパ
ターンと、この基本単位に隣接する基本単位中の孔のパ
ターンとが９０度回転した関係とすることができる。す
なわち、図４、７のように、一の基本単位中の孔のパタ
ーンを９０度回転させると、これに隣接する基本単位中
の孔のパターンと一致するような配置とすることができ
る。このような配置とすることにより、一次元的な周期
性による干渉の効果の異方性を抑制できる。
なパターンをもって配置することができる。孔の設けら
れた電極を複数の基本単位から構成し、その基本単位中
に所定パターンの孔を設ける。一の基本単位中の孔のパ
ターンと、この基本単位に隣接する基本単位中の孔のパ
ターンとが９０度回転した関係とすることができる。す
なわち、図４、７のように、一の基本単位中の孔のパタ
ーンを９０度回転させると、これに隣接する基本単位中
の孔のパターンと一致するような配置とすることができ
る。このような配置とすることにより、一次元的な周期
性による干渉の効果の異方性を抑制できる。
【００２６】孔の空いていない側の電極は、その可視光
域に於ける光の反射率が高ければ高いほど効率が良い
が、実用的には３０％以上の反射率が必要となる。
域に於ける光の反射率が高ければ高いほど効率が良い
が、実用的には３０％以上の反射率が必要となる。
【００２７】本発明に用いられる発光材料としては特に
限定されず、通常発光材料として使用されている化合物
であれば何を使用してもよい。例えば、下記のトリス
（８−キノリノール）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）
［１］やビスジフェニルビニルビフェニル（ＢＤＰＶＢ
ｉ）［２］、１，３−ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル−
１，３，４−オキサジアゾールイル）フェニル（ＯＸＤ
−７）［３］、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル）ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（ＢＰ
ＰＣ）［４］、１，４ビス（ｐ−トリル−ｐ−メチルス
チリルフェニル）ナフタレン［５］などである。
限定されず、通常発光材料として使用されている化合物
であれば何を使用してもよい。例えば、下記のトリス
（８−キノリノール）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）
［１］やビスジフェニルビニルビフェニル（ＢＤＰＶＢ
ｉ）［２］、１，３−ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル−
１，３，４−オキサジアゾールイル）フェニル（ＯＸＤ
−７）［３］、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル）ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（ＢＰ
ＰＣ）［４］、１，４ビス（ｐ−トリル−ｐ−メチルス
チリルフェニル）ナフタレン［５］などである。
【００２８】
【化１】
【００２９】また、電荷輸送材料に蛍光材料をドープし
た層を発光材料として用いることもできる。例えば、前
記のＡｌｑ３［１］などのキノリノール金属錯体に４−
ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルア
ミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）［６］、２，
３−キナクリドン［７］などのキナクリドン誘導体、３
−（２’−ベンゾチアゾール）−７−ジエチルアミノク
マリン［８］などのクマリン誘導体をドープした層、あ
るいは電子輸送材料ビス（２−メチル−８−ヒドロキシ
キノリン）−４−フェニルフェノール−アルミニウム錯
体［９］にペリレン［１０］等の縮合多環芳香族をドー
プした層、あるいは正孔輸送材料４，４’−ビス（ｍ−
トリルフェニルアミノ）ビフェニル （ＴＰＤ）［１
１］にルブレン［１２］等をドープした層を用いること
ができる。
た層を発光材料として用いることもできる。例えば、前
記のＡｌｑ３［１］などのキノリノール金属錯体に４−
ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルア
ミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）［６］、２，
３−キナクリドン［７］などのキナクリドン誘導体、３
−（２’−ベンゾチアゾール）−７−ジエチルアミノク
マリン［８］などのクマリン誘導体をドープした層、あ
るいは電子輸送材料ビス（２−メチル−８−ヒドロキシ
キノリン）−４−フェニルフェノール−アルミニウム錯
体［９］にペリレン［１０］等の縮合多環芳香族をドー
プした層、あるいは正孔輸送材料４，４’−ビス（ｍ−
トリルフェニルアミノ）ビフェニル （ＴＰＤ）［１
１］にルブレン［１２］等をドープした層を用いること
ができる。
【００３０】
【化２】
【００３１】本発明に用いられる正孔輸送材料は特に限
定されず、通常正孔輸送材料として使用されている化合
物であれば何を使用してもよい。例えば、ビス（ジ（ｐ
−トリル）アミノフェニル）−１，１−シクロヘキサン
［１３］、ＴＰＤ［１１］、Ｎ，Ｎ‘−ジフェニル−Ｎ
−Ｎ−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル）
−４，４‘−ジアミン（ＮＰＢ）［１４］等のトリフェ
ニルジアミン類や、スターバースト型分子（［１５］〜
［１７］等）等が挙げられる。
定されず、通常正孔輸送材料として使用されている化合
物であれば何を使用してもよい。例えば、ビス（ジ（ｐ
−トリル）アミノフェニル）−１，１−シクロヘキサン
［１３］、ＴＰＤ［１１］、Ｎ，Ｎ‘−ジフェニル−Ｎ
−Ｎ−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル）
−４，４‘−ジアミン（ＮＰＢ）［１４］等のトリフェ
ニルジアミン類や、スターバースト型分子（［１５］〜
［１７］等）等が挙げられる。
【００３２】
【化３】
【００３３】本発明に用いられる電子輸送材料は特に限
定されず、通常電子輸送材として使用されている化合物
であれば何を使用してもよい。例えば、２−（４−ビフ
ェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール（Ｂｕ−ＰＢＤ）［１８］、
ＯＸＤ−７［３］等のオキサジアゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体（［１９］、［２０］等）、キノリノール
系の金属錯体（［１］、［９］、［２１］〜［２４］
等）が挙げられる。
定されず、通常電子輸送材として使用されている化合物
であれば何を使用してもよい。例えば、２−（４−ビフ
ェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール（Ｂｕ−ＰＢＤ）［１８］、
ＯＸＤ−７［３］等のオキサジアゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体（［１９］、［２０］等）、キノリノール
系の金属錯体（［１］、［９］、［２１］〜［２４］
等）が挙げられる。
【００３４】
【化４】
【００３５】本発明の有機ＥＬ素子に於ける各層の形成
方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピ
ンコーティング法等による形成方法を用いることができ
る。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記の化合物を含
有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢ
Ｅ法）あるいは溶媒に溶かした溶液のディッピング法、
スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート
法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成
することができる。本発明に於ける有機ＥＬ素子の各有
機層の膜厚は特に制限されないが、通常は数１０ｎｍか
ら１μｍの範囲が好ましい。
方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピ
ンコーティング法等による形成方法を用いることができ
る。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記の化合物を含
有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢ
Ｅ法）あるいは溶媒に溶かした溶液のディッピング法、
スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート
法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成
することができる。本発明に於ける有機ＥＬ素子の各有
機層の膜厚は特に制限されないが、通常は数１０ｎｍか
ら１μｍの範囲が好ましい。
【００３６】
【実施例】以下本発明を、実施例をもとに詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例
に限定されない。
るが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例
に限定されない。
【００３７】（比較例１）以下に比較例に用いる有機薄
膜エレクトロルミネッセンス素子の作製手順について説
明する。素子は陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層
／陰極により構成されている。５０ｍｍ×２５ｍｍのガ
ラス基板（ＨＯＹＡ製、ＮＡ４５、１．１ｍｍ厚）上に
ＩＴＯをスパッタリングによって３００ｎｍ積層した。
この際、メタルマスクを用いＩＴＯを２ｍｍ×５０ｍｍ
の帯状になるように形成した。このときのシート抵抗は
８Ω／□であった。
膜エレクトロルミネッセンス素子の作製手順について説
明する。素子は陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層
／陰極により構成されている。５０ｍｍ×２５ｍｍのガ
ラス基板（ＨＯＹＡ製、ＮＡ４５、１．１ｍｍ厚）上に
ＩＴＯをスパッタリングによって３００ｎｍ積層した。
この際、メタルマスクを用いＩＴＯを２ｍｍ×５０ｍｍ
の帯状になるように形成した。このときのシート抵抗は
８Ω／□であった。
【００３８】有機発光層の形成は抵抗加熱式真空蒸着を
用いて行った。真空槽の上部に設置した基板に対し、下
方２５０ｍｍの距離にモリブデン製のボートを設置、基
板への入射角は３８度の配置にし、基板回転は毎分３０
回転とした。圧力が５×１０ -7 Ｔｏｒｒに到達した時
点で蒸着を開始、基板横に装着した水晶振動子式膜厚制
御装置により蒸着速度を制御した。蒸着速度は毎秒０．
１５ｎｍと設定して行った。正孔注入層として化合物
［１５］を上記条件にて４０ｎｍ形成したのち、発光層
として化合物［５］を７０ｎｍ、電子輸送層として化合
物［１９］を４０ｎｍ順次同条件にて蒸着した。つぎに
陰極としてマグネシウム−銀合金をそれぞれ独立のボー
トより同時に蒸着し陰極を形成した。このとき、マグネ
シウム対銀の蒸着速度がそれぞれ毎秒１．０ｎｍ、０．
２ｎｍとなるように上記膜厚制御装置にて制御し、膜厚
は２００ｎｍとした。蒸着時にメタルマスクを用い、２
５ｍｍ×２ｍｍの帯状パターンをＩＴＯの帯状パターン
と直交する方向に、１ｍｍ間隔で１２個形成し陰極とし
た。この素子に電圧を１０Ｖ印加時に、電流密度は５０
ｍＡ／ｃｍ2、輝度は１９５０ｃｄ／ｍ2を示した。した
がって効率は、３．９ｃｄ／Ａ、１．２２ｌｍ／Ｗとな
る。
用いて行った。真空槽の上部に設置した基板に対し、下
方２５０ｍｍの距離にモリブデン製のボートを設置、基
板への入射角は３８度の配置にし、基板回転は毎分３０
回転とした。圧力が５×１０ -7 Ｔｏｒｒに到達した時
点で蒸着を開始、基板横に装着した水晶振動子式膜厚制
御装置により蒸着速度を制御した。蒸着速度は毎秒０．
１５ｎｍと設定して行った。正孔注入層として化合物
［１５］を上記条件にて４０ｎｍ形成したのち、発光層
として化合物［５］を７０ｎｍ、電子輸送層として化合
物［１９］を４０ｎｍ順次同条件にて蒸着した。つぎに
陰極としてマグネシウム−銀合金をそれぞれ独立のボー
トより同時に蒸着し陰極を形成した。このとき、マグネ
シウム対銀の蒸着速度がそれぞれ毎秒１．０ｎｍ、０．
２ｎｍとなるように上記膜厚制御装置にて制御し、膜厚
は２００ｎｍとした。蒸着時にメタルマスクを用い、２
５ｍｍ×２ｍｍの帯状パターンをＩＴＯの帯状パターン
と直交する方向に、１ｍｍ間隔で１２個形成し陰極とし
た。この素子に電圧を１０Ｖ印加時に、電流密度は５０
ｍＡ／ｃｍ2、輝度は１９５０ｃｄ／ｍ2を示した。した
がって効率は、３．９ｃｄ／Ａ、１．２２ｌｍ／Ｗとな
る。
【００３９】（実施例１）図４に示すような微細ストラ
イプパターンをＩＴＯに形成すること以外は比較例１と
同様にして行った。図５に示すストライプパターンの寸
法でｓ＝０．６μｍ、ｄ＝０．６μｍ、ｌ＝２０μｍと
して、１５対を一つのパターン（すなわちｎ＝１５）に
し、図４のように隣り合うパターンで配置が９０度異な
るようにし、ＩＴＯ全面に形成した。微細ストライプパ
ターンの形成は、フォトリソグラフィ工程を用いて行っ
た。ＩＴＯ基板上にｉ線レジスト（東京応化製 ＴＨＭ
Ｒ−ｉＰ１７００）をスピンコート法により２μｍ厚に
形成し、ｉ線ステッパーを用いパターンを行った。次に
その基板を、リアクティブイオンエッチング法を用いメ
タン-水素混合ガスによって露出部分のＩＴＯを除去し
た後装置より取り出し、残存レジストを専用の剥離液を
用い除去した。このあとの有機層、電極の蒸着は比較例
１と全く同様に行った。
イプパターンをＩＴＯに形成すること以外は比較例１と
同様にして行った。図５に示すストライプパターンの寸
法でｓ＝０．６μｍ、ｄ＝０．６μｍ、ｌ＝２０μｍと
して、１５対を一つのパターン（すなわちｎ＝１５）に
し、図４のように隣り合うパターンで配置が９０度異な
るようにし、ＩＴＯ全面に形成した。微細ストライプパ
ターンの形成は、フォトリソグラフィ工程を用いて行っ
た。ＩＴＯ基板上にｉ線レジスト（東京応化製 ＴＨＭ
Ｒ−ｉＰ１７００）をスピンコート法により２μｍ厚に
形成し、ｉ線ステッパーを用いパターンを行った。次に
その基板を、リアクティブイオンエッチング法を用いメ
タン-水素混合ガスによって露出部分のＩＴＯを除去し
た後装置より取り出し、残存レジストを専用の剥離液を
用い除去した。このあとの有機層、電極の蒸着は比較例
１と全く同様に行った。
【００４０】この素子に１０Ｖの電圧を印可したとこ
ろ、３５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で、輝度は２１８０ｃ
ｄ／ｍ2であった。したがって効率は、６．２４ｃｄ／
Ａ、１．９６ｌｍ／Ｗとなった。
ろ、３５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で、輝度は２１８０ｃ
ｄ／ｍ2であった。したがって効率は、６．２４ｃｄ／
Ａ、１．９６ｌｍ／Ｗとなった。
【００４１】（実施例２〜１３）以下に示す実施例２〜
１３に於いてはｓ、ｄ、ｎ及びＩＴＯの膜厚を変え測定
を行った。その結果を表１、表２に示す。
１３に於いてはｓ、ｄ、ｎ及びＩＴＯの膜厚を変え測定
を行った。その結果を表１、表２に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】（実施例１４）電極パターンとして図６に
示す格子状のものを用いる以外は、実施例１と同様な方
法で作成した。パターンのサイズはｓ＝０．４μｍ、ｄ
＝０．６μｍとした。この素子に１０Ｖ印可したときの
電流密度は３３．１ｍＡ／ｃｍ2で、輝度は２１２０ｃ
ｄ／ｍ2であった。したがって、効率は６．０４ｃｄ／
Ａ、２．０１ｌｍ／Ｗであった。
示す格子状のものを用いる以外は、実施例１と同様な方
法で作成した。パターンのサイズはｓ＝０．４μｍ、ｄ
＝０．６μｍとした。この素子に１０Ｖ印可したときの
電流密度は３３．１ｍＡ／ｃｍ2で、輝度は２１２０ｃ
ｄ／ｍ2であった。したがって、効率は６．０４ｃｄ／
Ａ、２．０１ｌｍ／Ｗであった。
【００４５】（実施例１５）陽極としてＩＴＯの代わり
に０．３μｍ厚の金を用いる以外は実施例１４と同様な
方法で素子を作成した。金電極のパターニングは王水に
よる湿式エッチングで行った。この素子に１０Ｖ印可し
たときの電流密度は２７．６ｍＡ／ｃｍ2で輝度は１３
３０ｃｄ／ｍ2であった。したがって効率は４．８ｃｄ
／Ａ、１．５３ｌｍ／Ｗであった。
に０．３μｍ厚の金を用いる以外は実施例１４と同様な
方法で素子を作成した。金電極のパターニングは王水に
よる湿式エッチングで行った。この素子に１０Ｖ印可し
たときの電流密度は２７．６ｍＡ／ｃｍ2で輝度は１３
３０ｃｄ／ｍ2であった。したがって効率は４．８ｃｄ
／Ａ、１．５３ｌｍ／Ｗであった。
【００４６】（実施例１６）電極パターンとして図７に
示す形状のものを用いる以外は実施例１と同様な方法で
作成した。パターンサイズはｓ=０．４μｍ、ｄ＝１．
４μｍ、ｓ１＝０．４μｍ、ｓ２＝０．４μｍとした。
この素子に１０Ｖ印可したときの電流密度は２６．３ｍ
Ａ／ｃｍ2で、輝度は１７２９ｃｄ／ｍ2であった。した
がって、効率は６．５７ｃｄ／Ａ、２．０６ｌｍ／Ｗで
あった。
示す形状のものを用いる以外は実施例１と同様な方法で
作成した。パターンサイズはｓ=０．４μｍ、ｄ＝１．
４μｍ、ｓ１＝０．４μｍ、ｓ２＝０．４μｍとした。
この素子に１０Ｖ印可したときの電流密度は２６．３ｍ
Ａ／ｃｍ2で、輝度は１７２９ｃｄ／ｍ2であった。した
がって、効率は６．５７ｃｄ／Ａ、２．０６ｌｍ／Ｗで
あった。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子は一方の電極が傾斜面を有し
ているため、従来に比べて高い発光効率を実現すること
ができる。
クトロルミネッセンス素子は一方の電極が傾斜面を有し
ているため、従来に比べて高い発光効率を実現すること
ができる。
【００４８】
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の断
面模式図である。
面模式図である。
【図２】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
斜視図である。
斜視図である。
【図３】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
断面模式図である。
断面模式図である。
【図４】実施例１〜１３に使用した電極パターンの図で
ある。
ある。
【図５】実施例１〜１３に使用した電極パターンの拡大
図である。
図である。
【図６】実施例１４、１５に使用した電極パターンの図
である。
である。
【図７】実施例１６に使用した電極パターンの図であ
る。
る。
【図８】実施例１６に使用した電極パターンの拡大図で
ある。
ある。
【図９】複数の島状の電極部を残すように形成された孔
を設けた例を示す図である。
を設けた例を示す図である。
１ 基板 ２ 陽極 ３ 発光層 ４ 陰極 ｓ 電極幅 ｄ 間隔 ｌ パターン長 ｎ パターン対数 s1 島の幅 s2 島の突起長
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−225791（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−186587（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−38998（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−315992（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/26
Claims (12)
- 【請求項１】 陽極と陰極との間に発光層を含む一また
は二以上の有機薄膜層を有してなる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、陽極若しくは陰極のうち、一
方の電極が傾斜面を有し、前記傾斜面を有する電極と対
向する電極に複数の孔が設けられたことを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記孔が、ストライプ状の形状を有する
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 前記孔が、櫛歯状の形状を有する請求項
１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 前記孔が、複数の島状の電極部を残すよ
うに形成された請求項１に記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 【請求項５】 前記孔の設けられた電極の面積に対する
前記孔の総面積の比率が１０％以上８５％以下である請
求項１乃至４いずれかに記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。 - 【請求項６】 前記孔の径または最小幅が０．１μｍ以
上２μｍ以下である請求項１乃至５いずれかに記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項７】 前記孔の径または最小幅が、前記有機薄
膜層の層厚の０．５倍以上１０倍以下である請求項１乃
至６いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項８】 前記孔の設けられた電極の厚さが、上記
有機薄膜層の層厚の０．３倍以上５倍以下である請求項
１乃至７いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセン
ス素子。 - 【請求項９】 前記複数の孔が平面方向に規則性をもっ
て配置された請求項１乃至８いずれかに記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 - 【請求項１０】 前記孔の設けられた電極が複数の基本
単位から構成され、該基本単位中に所定パターンの孔が
設けられ、一の基本単位中の孔のパターンと該基本単位
に隣接する基本単位中の孔のパターンとが９０度回転さ
せることにより実質的に一致する関係にある請求項９に
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項１１】 基板上に第一の電極層を形成した後、
該第一の電極層に複数の孔を設ける工程と、該第一の電
極層の上に、発光層を含む一または二以上の有機薄膜層
と第二の電極層とをこの順で形成する工程とを含むこと
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法。 - 【請求項１２】 前記第一の電極層の表面に所定のパタ
ーンでレジストを塗布した後エッチングにより前記第一
の電極層の所定部分を除去することにより、前記複数の
孔を設けることを特徴とする請求項１１に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10014184A JP2947250B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| US09/238,064 US6396208B1 (en) | 1998-01-27 | 1999-01-27 | Organic electroluminescent device and its manufacturing process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10014184A JP2947250B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214163A JPH11214163A (ja) | 1999-08-06 |
| JP2947250B2 true JP2947250B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=11854053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10014184A Expired - Fee Related JP2947250B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2947250B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0969517B1 (en) | 1998-07-04 | 2005-10-12 | International Business Machines Corporation | Electrode for use in electro-optical devices |
| JP4196496B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2008-12-17 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6881501B2 (en) | 2000-03-13 | 2005-04-19 | Seiko Epson Corporation | Organic electro-luminescence element and the manufacturing method thereof |
| JP2002202737A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Nec Corp | 発光素子の製造方法、発光素子 |
| WO2002063701A1 (en) * | 2001-01-03 | 2002-08-15 | Dow Global Technologies Inc. | Electroluminescent device having anode array and reflective cathode focusing feature |
| JP2003243182A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| JP4350996B2 (ja) | 2002-11-26 | 2009-10-28 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置 |
| US7030555B2 (en) | 2003-04-04 | 2006-04-18 | Nitto Denko Corporation | Organic electroluminescence device, planar light source and display device using the same |
| JP4165478B2 (ja) | 2003-11-07 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
| JP4826806B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2011-11-30 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
| CN1638585A (zh) | 2003-12-26 | 2005-07-13 | 日东电工株式会社 | 电致发光装置，平面光源和使用该平面光源的显示器 |
| JP4595565B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-12-08 | 株式会社デンソー | 自発光表示装置 |
| US7868542B2 (en) | 2007-02-09 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus having periodic structure and sandwiched optical waveguide |
| KR101074804B1 (ko) * | 2009-11-24 | 2011-10-19 | 한국과학기술원 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 조명장치, 및 이를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치 |
| JP2012054040A (ja) | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
| WO2014068637A1 (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-08 | パイオニア株式会社 | 反射板付き発光素子 |
| CN109390478A (zh) * | 2017-08-07 | 2019-02-26 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
-
1998
- 1998-01-27 JP JP10014184A patent/JP2947250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11214163A (ja) | 1999-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6396208B1 (en) | Organic electroluminescent device and its manufacturing process | |
| JP2991183B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4226835B2 (ja) | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 | |
| JP2947250B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| US7741771B2 (en) | Light-emitting element and display device and lighting device using same | |
| JP3224396B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP4470627B2 (ja) | 光学基板、発光素子および表示装置 | |
| TWI300314B (en) | Electroluminescence device | |
| KR100478525B1 (ko) | 광 누출이 없고 개선된 광 추출 효율을 갖는 전기발광체를이용한 발광 소자 및 표시 장치 | |
| JP2003195775A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、回路基板、回路基板の製造方法、電子機器 | |
| KR20040070102A (ko) | 방출이 개선된 컬러 ｏｌｅｄ 디스플레이 | |
| JPH06283271A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2848386B1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JPH09190883A (ja) | 共振器型有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2001217078A (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
| JPH11329739A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| US6791260B2 (en) | Organic electroluminescent element, panel and apparatus using the same | |
| JP4030722B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこの製造方法 | |
| JP2003243182A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2002246173A (ja) | 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法 | |
| JP2001035669A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP3536766B2 (ja) | 回折格子を含む有機ｅｌ素子 | |
| JPH07111192A (ja) | 有機薄膜型電界発光素子 | |
| JPH08171989A (ja) | エレクトロルミネセンス発光素子 | |
| JP2002280164A (ja) | 有機発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070702 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080702 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 10 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 10 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110702 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120702 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 14 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |