JP2001217078A - 有機発光素子及びその製造方法 - Google Patents

有機発光素子及びその製造方法

Info

Publication number
JP2001217078A
JP2001217078A JP2000025933A JP2000025933A JP2001217078A JP 2001217078 A JP2001217078 A JP 2001217078A JP 2000025933 A JP2000025933 A JP 2000025933A JP 2000025933 A JP2000025933 A JP 2000025933A JP 2001217078 A JP2001217078 A JP 2001217078A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting layer
layer
light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000025933A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisanori Sugiura
久則 杉浦
Hitoshi Hisada
均 久田
Tetsuya Sato
徹哉 佐藤
Mikiko Matsuo
三紀子 松尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2000025933A priority Critical patent/JP2001217078A/ja
Publication of JP2001217078A publication Critical patent/JP2001217078A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高効率で漏れ光によるクロストークがなく、
容易にパターニングができる有機発光素子及びその製造
法を提供する。 【解決手段】 発光層のうち光の出射面以外の全面に反
射層を有し、発光層が光の出射側から見て凹面形状を有
する。また、感光性ポリマーを用いた発光層をフォトリ
ソグラフィ法でパターニングした後塑性変形させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は平面光源や平板状デ
ィスプレイに使用される有機発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】電場発光素子は、自発光のため視認性が
高く、薄型化が可能なため、平板状ディスプレイ等の表
示素子として注目を集めている。中でも、有機化合物を
発光体とする有機EL素子は、無機EL素子と比較して
低電圧駆動が可能なこと、大面積化が容易なこと、適当
な色素を選ぶことにより、所望の発光色を容易に得られ
ること等の特徴を有し、次世代ディスプレイとして活発
に開発が行われている。
【0003】有機発光体を用いたEL素子としては、例
えば厚さ1μm以下のアントラセン蒸着膜に30Vの電
圧を印加することにより、青色発光が得られている(Thi
n Solid Films, 94(1982) 171)。しかし、この素子は高
電圧を印加しても十分な輝度が得られず、さらに発光効
率を向上する必要があった。
【0004】これに対し、Tangらは透明電極(陽極)、
ホール輸送層、電子輸送性の発光層、仕事関数の低い金
属を用いた陰極を積層することにより、発光効率の向上
を図り、10V以下の印加電圧で、1000cd/m2の輝
度を実現した(Appl.Phys.Lett., 51(1987) 913)。
【0005】さらに、ホール輸送層と電子輸送層で発光
層を挟み込んだ3層構造の素子(Jpn.J.Appl Phys., 27
(1988) L269)や、発光層にドーピングされた色素からの
発光を得る素子(J.Appl.Phys., 65(1989)3610)が報告さ
れている。
【0006】一方、上記構成の素子が全て低分子化合物
を用いて真空蒸着法などのドライプロセスにより各層を
形成するのに対し、スピンコート法やキャスト法など
の、いわゆる湿式成膜法で素子を形成する方法がある
(例えば、特開平3−790号公報、特開平3−171
590号公報等)。
【0007】すなわち、前記ホール輸送層、電子輸送
層、発光層を形成する材料の少なくとも1種以上を、ポ
リマーバインダーとともに適当な溶媒に溶解し、これを
電極表面に塗布して発光層を形成した後、さらに発光層
上に電極を蒸着法等で形成するものである。
【0008】また、上記したようにポリマーバインダー
に発光材等を分散するのではなく、ポリマーそのものが
発光するタイプの素子も知られている(例えば、特開平
4−500582号公報、特開平6−501035号公
報等)。
【0009】従来の有機発光素子の一例を、図11に示
す。図11において、101は例えばガラス、プラスチ
ック等からなる透明基板、102は例えばインジウムテ
ィンオキサイド(ITO)等からなる透明陽電極、10
3は発光層、104は例えばAlLi合金等からなる陰
電極である。図11に示す有機発光素子は、単純マトリ
クスパネルを形成している。すなわち、ストライプ状の
陽電極102及び陰電極104は、図11(a)に示す
通り直交しており、選択された陽電極及び陰電極に順方
向に電圧を印加することにより、両電極の交点の発光層
が印加電圧に応じた輝度で発光する。発光層103は、
前記したような低分子化合物、発光材を分散したポリマ
ー等を用いる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】これら有機発光素子の
発光効率は、層構成及び材料の改良により、最近大きく
向上しており、外部量子効率は数%程度まで達してい
る。一般に有機発光素子の外部量子効率は以下の因子に
より決定されると言われている(筒井哲夫「実用化段階
を迎えた有機発光(EL)素子」、応用物理、vol.
66、No.2、p109、1997年2月)。
【0011】(1)キャリア注入のバランス因子 (2)キャリア再結合による一重項励起子の生成効率 (3)一重項励起子からの発光量子効率 (4)発光層から外部への光の取り出し効率 上記のうち、(1)については、積層構造を最適化する
ことにより、ほぼ1に近づけることが可能である。
(2)については、キャリア再結合の際のスピン統計の
依存性により、上限が約25%と言われている。(3)
は、発光材料の性質で決定されるものである。
【0012】(4)の取り出し効率は、発光材の屈折率
によって決定し、発光材の屈折率をnとすると、1/2
2となる。すなわち、発光材の屈折率を1.6とする
と、内部で発生した光の約20%しか外部に取り出せな
いことになる。そこで、基板の形状を加工することによ
り取り出し効率を向上する方法が提案されている(Opt.L
ett.,vol.27,No.6(1997)p396)。これは、例えばガラス
基板をコーン形状に加工し、この上に有機発光素子を形
成することにより、光がコーン形状の側面で反射して外
部に取り出されるため、取り出し効率が向上するという
ものである。
【0013】しかしながら、上記の方法は基板の加工が
困難であり、特にドットマトリクスディスプレイ等のよ
うな微少な領域の加工が必要な素子については、実現は
非常に困難である。
【0014】また、有機発光素子の第2の課題として、
ドットマトリクスディスプレイ等に応用する場合にパタ
ーニングが困難であるという点が挙げられる。特に、低
分子の有機化合物を用いて蒸着法により作製される有機
発光素子は、水分あるいは溶媒に接すると劣化あるいは
溶けてしまうため、通常のフォトリソグラフィ法を使用
できない。従ってこの場合、蒸着時にマスクを用いてパ
ターニングする必要があるが、マスク蒸着では100μ
m程度の微細なパターニングが困難であるという問題が
ある。
【0015】さらに有機発光素子の第3の課題は、ドッ
トマトリクスディスプレイにおける漏れ光によるクロス
トークの発生である。すなわち、各画素に相当する有機
発光素子が発光する際、前面に光が出射されると同時に
横方向にも出射されるため、本来発光していない周辺の
画素も発光しているように見え、ディスプレイの画質が
損なわれてしまう。
【0016】本発明は、上記課題を解決するもので、発
光効率を向上すると同時に容易にパターニングができ、
さらに漏れ光によるクロストークの少ない有機発光素子
及びその製造方法を提供するものである。
【0017】
【課題を解決するための手段】我々は、前記目的を達成
するため鋭意検討を行った結果、有機発光素子において
発光層の光の出射面以外の面の全面に反射膜を有し、発
光層が光の出射側から見て凹面形状を有することによ
り、高い発光効率を得ると同時に漏れ光の少ない有機発
光素子が得られることを見出した。さらに上記有機発光
素子を得るために、感光性ポリマーを有する発光層を用
いることにより、容易にパターニングを行えることを見
出した。
【0018】具体的には、本願の請求項1の発明の有機
発光素子は、陽電極と陰電極との間に少なくとも1層の
発光層を有する有機発光素子において、前記発光層のう
ち光の出射面以外の面の全面に反射膜を有する有機発光
素子である。
【0019】また本願の請求項2の発明の有機発光素子
は、陽電極と陰電極との間に少なくとも1層の発光層を
有し、発光層と陽電極との間に少なくとも1層のホール
輸送層あるいはホール注入層を有する有機発光素子にお
いて、前記発光層のうち光の出射面以外の面の全面に反
射膜を有する有機発光素子である。
【0020】また本願の請求項3の発明の有機発光素子
は、陽電極と陰電極との間に少なくとも1層の発光層を
有し、発光層と陰電極との間に少なくとも1層の電子輸
送層あるいは電子注入層を有する有機発光素子におい
て、前記電子輸送層あるいは電子注入層のうち光の出射
面以外の面の全面に反射膜を有する有機発光素子であ
る。
【0021】また本願の請求項4の発明は、請求項1〜
3記載の発光層が、光の出射側から見て凹面形状を有す
る有機発光素子としたものである。
【0022】また本願の請求項5の発明は、請求項1〜
4記載の発光層が、ポリマーからなる有機発光素子とし
たものである。
【0023】また本願の請求項6の発明は、請求項1〜
4記載の発光層が、ポリマー及び発光材からなる有機発
光素子としたものである。
【0024】また本願の請求項7の発明は、請求項1〜
4記載の発光層が、ポリマー、発光材及び電荷輸送材か
らなる有機発光素子としたものである。
【0025】また本願の請求項8の発明は、請求項1〜
4記載の発光層が、主鎖あるいは側鎖に発光部を有する
ポリマーからなる有機発光素子としたものである。
【0026】また本願の請求項9の発明は、請求項5〜
8記載のポリマーが、感光性ポリマーである有機発光素
子としたものである。
【0027】また本願の請求項10の発明は、請求項9
記載の感光性ポリマーが、光分解性ポリマーである有機
発光素子としたものである。
【0028】また本願の請求項11の発明は、請求項1
〜10記載の陽電極あるいは陰電極上において、前記発
光層の縁部に絶縁層を有する有機発光素子としたもので
ある。
【0029】また本願の請求項12の発明は、請求項1
〜11記載の有機発光素子において、同一基板上に2種
類以上の発光層を有する有機発光素子としたものであ
る。
【0030】また本願の請求項13の発明は、請求項1
〜12記載の有機発光素子において、陰電極あるいは陽
電極が反射膜を兼ねる有機発光素子としたものである。
【0031】また本願の請求項14の発明の有機発光素
子の製造方法は、陽電極と陰電極との間に少なくとも1
層の発光層を有する有機発光素子の製造方法において、
基板上に電極を形成する工程と、前記電極上に発光層を
成膜する工程と、前記発光層を塑性変形させる工程と、
前記発光層上に反射膜を成膜する工程を有する有機発光
素子の製造方法である。
【0032】また本願の請求項15の発明の有機発光素
子の製造方法は、陽電極と陰電極との間に少なくとも1
層の発光層を有し、発光層と陽電極との間に少なくとも
1層のホール輸送層あるいはホール注入層を有する有機
発光素子の製造方法において、基板上に陽電極を形成す
る工程と、前記陽電極上にホール輸送層あるいはホール
注入層を成膜する工程と、前記ホール輸送層あるいはホ
ール注入層上に発光層を成膜する工程と、前記発光層を
塑性変形させる工程と、前記発光層上に反射膜を成膜す
る工程を有する有機発光素子の製造方法である。
【0033】また本願の請求項16の発明の有機発光素
子の製造方法は、陽電極と陰電極との間に少なくとも1
層の発光層を有し、発光層と陰電極との間に少なくとも
1層の電子輸送層あるいは電子注入層を有する有機発光
素子の製造方法において、基板上に陽電極を形成する工
程と、前記陽電極上に発光層を成膜する工程と、前記発
光層を塑性変形させる工程と、前記発光層上に電子輸送
層あるいは電子注入層を成膜する工程と、前記電子輸送
層あるいは電子注入層上に反射膜を成膜する工程を有す
る有機発光素子の製造方法である。
【0034】また本願の請求項17の発明は、請求項1
4〜16記載の有機発光素子の製造方法において、発光
層を成膜後に、前記発光層をフォトリソグラフィにより
パターニングする工程を有する有機発光素子の製造方法
である。
【0035】また本願の請求項18の発明は、請求項1
4〜17記載の有機発光素子の製造方法において、前記
発光層を塑性変形させる工程が、熱処理により塑性変形
させる工程である有機発光素子の製造方法である。
【0036】また本願の請求項19の発明は、請求項1
4〜18記載有機発光素子の製造方法において、前記発
光層を塑性変形させる工程が、前記発光層が光の出射側
から見て凹面形状になるように塑性変形させる工程であ
る有機発光素子の製造方法である。
【0037】また本願の請求項20の発明の有機発光素
子の製造方法は、陽電極及び陰電極間に少なくとも1層
の感光性ポリマーを含んでなる発光層を有する有機発光
素子の製造方法において、基板上に電極を形成する工程
と、前記電極上に感光性ポリマーを含んでなる発光層を
成膜する工程と、前記発光層をフォトリソグラフィによ
りパターニングする工程と、前記発光層上に反射膜を成
膜する工程を有する有機発光素子の製造方法である。
【0038】また本願の請求項21の発明は、請求項2
0記載の有機発光素子の製造方法において、前記発光層
が感光性ポリマーと発光材の混合物からなる有機発光素
子の製造方法である。
【0039】また本願の請求項22の発明は、請求項2
0記載の有機発光素子の製造方法において、前記発光層
が感光性ポリマー、発光材及び電荷輸送材の混合物から
なる有機発光素子の製造方法である。
【0040】また本願の請求項23の発明は、請求項2
0記載の有機発光素子の製造方法において、前記発光層
が主鎖あるいは側鎖に発光部を有する感光性ポリマーか
らなる有機発光素子の製造方法である。
【0041】また本願の請求項24の発明の有機発光素
子の製造方法は、陽電極と陰電極との間に少なくとも1
層の感光性ポリマーを含んでなる発光層を有し、発光層
と陽電極との間に少なくとも1層のホール輸送層あるい
はホール注入層を有する有機発光素子の製造方法におい
て、基板上に陽電極を形成する工程と、前記陽電極上に
ホール輸送層あるいはホール注入層を成膜する工程と、
前記ホール輸送層あるいはホール注入層上に感光性ポリ
マーを含んでなる発光層を成膜する工程と、前記発光層
をフォトリソグラフィによりパターニングする工程と、
前記発光層上に反射膜を成膜する工程を有する有機発光
素子の製造方法である。
【0042】また本願の請求項25の発明は、請求項2
4記載の有機発光素子の製造方法において、前記発光層
が感光性ポリマーと発光材の混合物からなる有機発光素
子の製造方法である。
【0043】また本願の請求項26の発明は、請求項2
4記載の有機発光素子の製造方法において、前記発光層
が感光性ポリマー、発光材及び電荷輸送材の混合物から
なる有機発光素子の製造方法である。
【0044】また本願の請求項27の発明は、請求項2
4記載の有機発光素子の製造方法において、前記発光層
が主鎖あるいは側鎖に発光部を有する感光性ポリマーか
らなる有機発光素子の製造方法である。
【0045】また本願の請求項28の発明の有機発光素
子の製造方法は、陽電極と陰電極との間に少なくとも1
層の感光性ポリマーを含んでなる発光層を有し、発光層
と陰電極との間に少なくとも1層の電子輸送層あるいは
電子注入層を有する有機発光素子の製造方法において、
基板上に陽電極を形成する工程と、前記陽電極上に感光
性ポリマーを含んでなる発光層を成膜する工程と、前記
発光層をフォトリソグラフィによりパターニングする工
程と、前記発光層上に電子輸送層あるいは電子注入層を
成膜する工程と、前記電子輸送層あるいは電子注入層上
に反射膜を成膜する工程を有する有機発光素子の製造方
法である。
【0046】また本願の請求項29の発明は、請求項2
8記載の有機発光素子の製造方法において、前記発光層
が感光性ポリマーと発光材の混合物からなる有機発光素
子の製造方法である。
【0047】また本願の請求項30の発明は、請求項2
8記載の有機発光素子の製造方法において、前記発光層
が感光性ポリマー、発光材及び電荷輸送材の混合物から
なる有機発光素子の製造方法である。
【0048】また本願の請求項31の発明は、請求項2
8記載の有機発光素子の製造方法において、前記発光層
が主鎖あるいは側鎖に発光部を有する感光性ポリマーか
らなる有機発光素子の製造方法である。
【0049】また本願の請求項32の発明は、請求項2
0〜31記載の有機発光素子の製造方法において、前記
発光層のパターニング工程が、前記発光層が光の出射側
から見て凹面形状になるようにパターニングする工程で
ある有機発光素子の製造方法である。
【0050】また本願の請求項33の発明は、請求項2
0〜32記載の有機発光素子の製造方法において、前記
感光性ポリマーとして、光分解性ポリマーを用いる有機
発光素子の製造方法である。
【0051】また本願の請求項34の発明は、請求項3
3記載の有機発光素子の製造方法において、前記フォト
リソグラフィ工程における露光時間が、前記発光層のう
ち光が照射された部分全てが光分解される時間よりも短
い有機発光素子の製造方法である。
【0052】また本願の請求項35の発明は、請求項3
3〜34記載の有機発光素子の製造方法において、前記
フォトリソグラフィ工程における現像時間が、前記発光
層のうち光が照射された部分全てが除去される時間より
も短い有機発光素子の製造方法である。
【0053】また本願の請求項36の発明は、請求項2
0〜35記載の有機発光素子の製造方法において、前記
発光層をパターニングした後、前記発光層を塑性変形さ
せる工程を有する有機発光素子の製造方法である。
【0054】また本願の請求項37の発明は、請求項3
6記載の有機発光素子の製造方法において前記発光層を
塑性変形させる工程が、熱処理により塑性変形させる工
程である有機発光素子の製造方法である。
【0055】また本願の請求項38の発明は、請求項3
6〜37記載の有機発光素子の製造方法において、前記
発光層を塑性変形させる工程が、前記発光層が光の出射
側から見て凹面形状になるように塑性変形させる工程で
ある有機発光素子の製造方法である。
【0056】また本願の請求項39の発明は、請求項1
4〜38記載の有機発光素子の製造方法において、前記
陽電極あるいは陰電極上において、前記発光層の縁部に
絶縁層を形成する工程を有する有機発光素子の製造方法
である。
【0057】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
説明する。図1は本発明に係る有機発光素子の1例を示
す断面図である。図1において、1は透明基板、2は陽
電極、3は発光層、4は反射膜兼陰電極である。
【0058】透明基板1は、本発明の有機発光素子を坦
持できるものであればよく、ガラスあるいはポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレ
フタレートなどの樹脂フィルムなどを用いることができ
る。
【0059】陽電極2としては透明電極を用いる。通
常、インジウムティンオキサイド(ITO)、酸化錫な
どを用いることが多いが、Ni、Au、Pt、Pdなど
の金属をごく薄く成膜して、半透明電極としてもよい。
ITO膜はその透明性を向上させ、または抵抗率を低下
させる目的で、スパッタ、エレクトロンビーム蒸着、イ
オンプレーティングなどの成膜方法が採用されている。
また、膜厚は必要とされるシート抵抗値と可視光透過率
から決定されるが、有機発光素子では比較的駆動電流密
度が高いため、シート抵抗値を小さくするため100n
m以上の厚さで用いられることが多い。
【0060】陰電極4としては、Al、Ag、Auなど
の金属、MgAg合金、AlLi合金などの仕事関数の
低い金属と比較的仕事関数が大きく安定な金属の合金、
Li/Al、LiF/Alなどの仕事関数の低い金属と
仕事関数の高い金属の積層電極などを用いることができ
る。これら陰電極の形成には蒸着法やスパッタ法等が用
いられる。
【0061】なお、図1に示す有機発光素子は、従来例
図11と同様に、単純マトリクスパネルを形成してい
る。すなわち、陽電極2及び陰電極4は互いに直交した
ストライプ状の電極であり、選択された陽電極及び陰電
極に順方向に電圧を印加することにより、両電極の交点
の発光層が印加電圧に応じた輝度で発光し、透明あるい
は半透明な陽電極2を通して、透明基板1側から光が出
射する。本実施例では、陽電極2が紙面と垂直に、陰電
極4が紙面と平行にストライプ状電極を形成しており、
その交点の部分が画素を形成する。
【0062】発光層3は、ストライプ状陽電極2上に、
同じくストライプ状に形成されており、図に示す通り、
その断面形状が光の出射側すなわち透明基板1側から見
て凹面形状を有する。また、発光層3のうち光の出射
面、すなわち陽極及び透明基板に接している面以外の面
の全面を反射膜兼陰電極4が覆っている。ただし、スト
ライプ状発光層において、画素部以外の部分は反射層す
なわち陰電極により覆われる必要はない。発光層3とし
ては、低分子化合物、ポリマー、あるいは低分子の発光
材を分散したポリマー等のうち何れを用いてもよいが、
好ましくは(1)ポリマー、(2)ポリマー及び発光材
の混合物、(3)ポリマー、発光材及び電荷輸送材の混
合物、(4)主鎖あるいは側鎖に発光部を有するポリマ
ーを用いるのがよい。特には、前記ポリマーとして感光
性ポリマーを用いることが好ましく、さらには感光性ポ
リマーとして光分解性ポリマーを用いることが好まし
い。
【0063】図2は本発明に係る第2の有機発光素子の
例を示す断面図である。図2において、5はホール注入
層である。ホール注入層5は、陽電極2から発光層3へ
のホール注入を補助する目的で挿入される。ホール注入
層5としては、そのイオン化ポテンシャル(Ip(h))と、
発光層3に用いられる発光材料のイオン化ポテンシャル
(Ip(l))あるいは発光層3中に含有するホール輸送材の
イオン化ポテンシャル(Ip(p))及び陽電極2のイオン化
ポテンシャルあるいは仕事関数(Ip(a))との関係が、Ip
(a)<Ip(h)<Ip(l)あるいはIp(a)<Ip(h)<Ip(p)となる
材料を用いることが好ましい。ホール注入層5として
は、一般に知られているホール注入材料を用いることが
でき、具体的には、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェ
ン誘導体、アモルファスカーボン等が挙げられる。図2
において、ホール注入層5を挿入した以外は図1と同じ
構成である。
【0064】図3は本発明に係る第3の有機発光素子の
例を示す断面図である。図3において、6は電子注入層
である。電子注入層6は、陰電極4から発光層3への電
子注入を補助する目的で挿入される。電子注入層6とし
ては、その電子親和力あるいは仕事関数が、前記陰電極
の仕事関数よりも小さい材料を用いることが望ましい。
電子注入層6としては、一般に知られている電子注入材
料を用いることができ、具体的にはアルカリ金属、アル
カリ土類金属及びそれらの酸化物やフッ化物、ジリチウ
ムフタロシアニン、ジソディウムフタロシアニン、有機
ホウ素錯化合物等が挙げられる。図3において、電子注
入層6を挿入した以外は図1と同じ構成である。
【0065】図4は、本発明に係る第4の有機発光素子
の例を示す断面図である。図4において、3Aは赤色発
光層、3Bは緑色発光層、3Cは青色発光層である。図
1〜3が単色のディスプレイを表すのに対し、図4はフ
ルカラーディスプレイを表す。すなわち、1つの画素
(ピクセル)は赤、緑、青の3つのサブピクセルから形
成され、各サブピクセルを任意の輝度で発光させ、これ
らの色を合成することにより、任意の色を得ることがで
きる。各発光層3A、3B、3Cは、それぞれ赤、緑、
青の発光を示す材料であれば何を用いてもよいが、好ま
しくは、(1)ポリマー、(2)ポリマー及び発光材の
混合物、(3)ポリマー、発光材及び電荷輸送材の混合
物、(4)主鎖あるいは側鎖に発光部を有するポリマー
を用いるのがよい。特には、前記ポリマーとして感光性
ポリマーを用いることが好ましく、さらには感光性ポリ
マーとして光分解性ポリマーを用いることが好ましい。
なお、このような2種類以上の発光層を用いた素子にお
いても、図2、図3に示すようなホール注入層あるいは
電子注入層を挿入してもよい。この場合、それぞれホー
ル注入層及び電子注入層は、図2、3に示すように各発
光層共通としてもよいが、各発光層ごとに別々のホール
注入層、電子注入層を挿入してもよい。
【0066】図5は、本発明に係る第5の有機発光素子
の例を示す断面図である。本実施例では、図1〜4の場
合と異なり、陽電極2が紙面と平行に、陰電極4が紙面
と垂直にストライプ状電極を形成しており、発光層3は
陰電極と同じ方向(紙面と垂直方向)にストライプ形状
をとっている。すなわち、ストライプ状陰電極がストラ
イプ状発光層全体を覆う形となっている。図5におい
て、7は絶縁層である。絶縁層7は、図に示すように、
基板1及び陽電極2上において、発光層3の縁部に、発
光層3及び陰電極4と平行にストライプ状に配置され、
陽電極2と陰電極4が直接接することによるショートの
発生を防いでいる。絶縁層7としては、例えばSiO2
等の酸化物、ポリイミド等のポリマー等を用いることが
できる。また、図2、図3の場合と同様に、ホール注入
層あるいは電子注入層を挿入してもよい。
【0067】なお、図1〜5では、発光層の断面形状が
半円形となっているが、光の出射側から見て凹面形状を
有していれば、必ずしも半円形でなくともよく、図6
(a)〜(c)に示すような形状でもよい。
【0068】本実施例の有機発光素子によれば、光の取
り出し効率を向上できる。すなわち、図7(a)に示す
ような従来素子の形状では、発光層中で発生した光の一
部は発光層の側面から横方向に出射されるか、あるいは
ガラス基板内を伝搬してしまい、前面に取り出せない。
これに対して、本実施例の素子の形状にした場合、図7
(b)に示すように、発生した光は発光層を覆っている
反射層(陰極)によって反射され、前面に効率よく取り
出せると同時に横方向への漏れ光を防ぐことができる。
【0069】次に、本発明に係る有機発光素子の製造方
法を、図を用いて説明する。図8は本発明に係る有機発
光素子の製造方法の1例を示す図である。まず、ガラス
あるいは樹脂フィルムからなる透明基板11上にスパッ
タ、エレクトロンビーム蒸着、イオンプレーティングな
どの成膜法により、ITO等からなる陽電極12を形成
する(a)。次に、前記陽電極12を所望のパターン
(ここではストライプ状)にパターニングする(b)。
例えばITO電極の場合、フォトレジストを用いて通常
のフォトリソグラフィによりパターニングした後、ヨウ
化水素酸等でエッチングを行う。この上に、例えばポリ
−N−ビニルカルバゾール等のポリマーと例えばクマリ
ン6等の発光材の混合物からなる発光層13を成膜する
(c)。成膜は、蒸着法、スパッタ法、塗布法など、い
ずれの方法を用いてもよいが、主に塗布法により行う。
すなわち、ポリ−N−ビニルカルバゾールとクマリン6
を所定の比率で混合し、トルエンあるいはクロロホルム
等の溶媒に溶かした溶液を用いてスピンコート法等によ
り、基板11上に塗布する。発光層13の膜厚は特に制
限しないが、好ましくは約50〜1000nm程度がよ
い。次に、発光層13を所望のパターンにパターニング
する。図では、発光層13が陽電極12と重なるように
ストライプ状にパターニングしている。パターニング法
としては、フォトリソグラフィ法を用いる。すなわち、
発光層13上にレジスト15を塗布し、フォトマスク1
6を用いて露光した後、現像し、所望のパターン(ここ
ではストライプ状)を得る(d)。そして、発光層13
をエッチングした後、レジスト15を剥離液等を用いて
除去し、所望のパターンを得る(e)。エッチングは、
例えばO2プラズマ等によるドライエッチ法を用いて行
えばよい。続いて、発光層13を好ましくは熱処理等の
方法で塑性変形させ、断面形状が基板側から見て凹面形
状となるようにする(f)。最後に、ストライプ状陽電
極1と直交するように、AlLi合金等からなるストラ
イプ状の陰電極4を形成する。成膜は、所望のパターン
を形成した蒸着マスクを用いて、蒸着法あるいはスパッ
タ法等により行う。
【0070】なお、発光層13は、前記したようなフォ
トリソグラフィ法でなくとも、レーザ加工法あるいは電
子ビームによる加工法等の方法でパターニングしてもよ
い。さらに、例えば発光層を塗布法ではなく蒸着法によ
り成膜する場合は、蒸着時にマスクによりパターニング
を行ってもよい。また、陰電極は蒸着マスクを用いたパ
ターニング以外でも、全面に陰電極を蒸着した後、通常
のフォトリソグラフィ工程によってパターニングしても
よい。
【0071】図9は、本発明に係る有機発光素子の製造
方法の別の例を示す図である。図9(b)までは、図8
の場合と同様の工程で透明基板11上に陽電極12をパ
ターニングする。次に、発光層23として、例えばポジ
型レジスト材料等の光分解性の感光性ポリマーと、例え
ば2−(4−ビフェニル)ー5−(4−tertブチルフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)及び
N,N’ージフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフ
ェニル)−1,1’−ビフェニルー4,4’−ジアミン
(TPD)等の電荷輸送材と、例えばクマリン6等の発
光材の混合物を成膜する(c)。成膜は、スピンコート
法、キャスト法等の塗布法により行う。すなわち、感光
性ポリマーと、PBD、TPD、クマリン6をそれぞれ
所定の比率で混合し、クロロホルム等の溶媒に溶かした
溶液を用いて基板11上に塗布する。そして、通常のフ
ォトリソグラフィ工程と同様の方法で、発光層23を直
接露光、現像してパターニングする。すなわち、図9
(d)に示すように所望のパターンを有するフォトマス
ク16を通して、直接発光層23に紫外線を照射するこ
とにより、発光層23のうち、光が照射された部分のみ
が劣化する。次に、適当な現像液を用いて発光層を現像
することにより、所望のパターンが得られる。図9で
は、図8と同様に発光層23が陽電極12と重なるよう
にストライプ状にパターニングしている。続いて、発光
層23を好ましくは熱処理等の方法で塑性変形させ、断
面形状が基板側から見て凹面形状となるようにし
(f)、最後に、ストライプ状陽電極12と直交するよ
うに、AlLi合金等からなるストライプ状の陰電極1
4を形成する(g)。以上の方法によると、図8の場合
と比べてレジスト塗布工程と発光層のエッチング工程を
省略できるため、より簡単な工程でパターニングを行え
る。
【0072】図10は、本発明に係る有機発光素子の製
造方法の第3の例を示す図である。図10では、フルカ
ラーディスプレイパネルの製造方法の例を示す。図10
(c)までは、図9と同様の工程で基板11上に陽電極
12をパターニングした後、発光層33aを成膜する。
ここで、発光層33aは赤色の発光層であり、例えばポ
ジ型レジスト材料等の光分解性の感光性ポリマーと、例
えばPBD及びTPD等の電荷輸送材と、例えばナイル
レッド等の赤色発光材を混合したものである。これを、
図9と同様の方法でパターニングする。この際、図10
(d)、(e)に示すように2本おきのストライプ状陽
電極12と重なるようにパターニングする。続いて、緑
色の発光層33bを成膜し、33aと同様に2本おきの
陽電極12と重なるようにパターニングする(f)、
(g)、(h)。緑色発光層33bとしては、例えばポ
ジ型レジスト材料等の光分解性の感光性ポリマーと、例
えばPBD及びTPD等の電荷輸送材と、例えばクマリ
ン6等の緑色発光材を混合したものを用いる。次に、図
10(f)〜(h)と同様に青色発光層33cを形成す
る(i)、(j)、(k)。青色発光層33cとして
は、例えばポジ型レジスト材料等の光分解性の感光性ポ
リマーと、例えばPBD及びTPD等の電荷輸送材と、
例えばクマリン47等の青色発光材を混合したものを用
いる。続いて、発光層33a、33b、33cを好まし
くは熱処理等の方法で塑性変形させ、断面形状が基板側
から見て凹面形状となるようにし(l)、最後に、スト
ライプ状陽電極12と直交するように、AlLi合金等
からなるストライプ状の陰電極14を形成する(m)。
以上の方法で赤、緑、青の発光層を交互に配置すること
により、フルカラーディスプレイパネルを作製できる。
【0073】図9〜10の例において、発光層を基板側
から見て凹面形状にする方法として、発光層を熱処理等
により塑性変形させる代わりに、フォトリソグラフィ工
程の際に直接上記形状を形成することも可能である。す
なわち、感光性ポリマーとして光劣化性ポリマーを使用
した場合、フォトリソグラフィ工程における露光時間
を、発光層のうち光が照射された部分全てが光分解され
る時間よりも短くするか、あるいはフォトリソグラフィ
工程における現像時間を、発光層のうち光が照射された
された部分全てが除去される時間よりも短くすることに
より、上記形状を得る。フォトリソグラフィ工程におけ
る露光の際、光の吸収による減衰のため、発光層の膜厚
方向において、表面に近いほうが基板に近い側に比べて
光の吸収すなわち光劣化の度合いが大きくなる。従っ
て、以上の方法によれば、除去したい部分の露光量ある
いは現像時間が十分でないため、前記したような膜厚方
向での光劣化の分布を反映して、発光層の断面形状を図
6(a)に示すような台形形状とすることができる。も
ちろん、以上の工程の後にさらに熱処理などにより発光
層を塑性変形させてもよい。
【0074】なお、図8〜10の製造方法において、発
光層を形成する前に基板上にポリアニリン誘導体、ポリ
チオフェン誘導体、アモルファスカーボン等のホール注
入層を形成してもよい。また、発光層を形成後にジリチ
ウムフタロシアニン、ジソディウムフタロシアニン、有
機ホウ素錯化合物等の電子注入層を形成してもよい。こ
れらのホール注入層、電子注入層は蒸着法、スパッタ
法、CVD法等のドライプロセスあるいは塗布法等のウ
ェットプロセスの何れを用いて成膜してもよい。
【0075】また、図8〜10ではストライプ状発光層
が陽電極と重なる構成としたが、図5に示すような発光
層がストライプ状陽電極と直交する構成としてもよい。
この場合、発光層を形成する前に陽電極上において発光
層の縁部に相当する部分にSiO2、ポリイミド膜等か
らなる絶縁層を形成しておく。形成方法としては、Si
2、ポリイミド等をスパッタ法、蒸着法、CVD法、
塗布法などにより全面に成膜した後、通常のフォトリソ
グラフィ工程で所望のパターンを形成すればよい。これ
により、陰電極と陽電極が接することによるショートを
防ぐことができる。
【0076】次に、具体的な実施例に基づいてさらに詳
細に説明する。
【0077】(実施例1)図8の工程に従い、有機発光
素子を下記の通り作製した。基板11として、厚さ0.
7mmのガラス基板を用い、この上に陽電極12とし
て、ITOをスパッタ法により成膜した。ITOの膜厚
は約100nm、シート抵抗は約15Ω/□とし、フォ
トリソグラフィーにより、幅300μmのストライプ状
にパターニングした。この基板を洗浄、酸素プラズマ処
理した後、発光層13としてポリ−N−ビニルカルバゾ
ール(PVK)(分子量約28000)、2−(4−ビ
フェニル)ー5−(4−tertブチルフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール(PBD)、クマリン6を混
合した膜を成膜した。成膜は、PVK:300mg、P
BD:180mg、クマリン6:1.5mgをトルエン
とクロロホルム1:1の混合溶媒30mlに溶かした溶
液を用いて、スピンコート法により行った。スピナーを
用いて密閉した状態で500rpm・10秒、1000
rpm・30秒の条件で行い、その後、ホットプレート
を用いて110℃で1分間熱処理を行った。発光層の膜
厚は約100nmであった。続いて発光層13上に市販
のレジスト材料(東京応化製OFPR−5000)をス
ピンコート法により約1μmの膜厚で塗布し、110℃
・90秒プリベークした後、フォトマスクを用いて露光
を行った。露光は、高圧水銀灯により、15mW/cm
2(波長405nm)の光を5秒間照射した。その後、
市販の現像液(東京応化製NMD−3)を用いて60秒
間現像を行い、リンス後130℃・30分ポストベーク
した。さらに、発光層を酸素プラズマによるドライエッ
チング法により、エッチングした。エッチング条件は、
100mTorr・500W・15分とした。そして、
レジストを市販の剥離液(東京応化製剥離液−105)
を用いて剥離し、図8(e)に示すようにITO上に重
なるようにストライプ状の発光層のパターンを得た。さ
らに、これを200℃・15分熱処理し、発光層を塑性
変形させて図8(f)に示す形状とした。最後に、陰電
極14として、Li/Al積層電極を真空蒸着法により
成膜した。成膜は、真空度約5×10-6Torr下で行
い、まずLiを約0.05nm/secのレートで1n
m蒸着した後、Alを約3nm/secで150nm蒸
着した。陰電極のパターンは、蒸着マスクにより、陽電
極12と直交するストライプ状とし、幅は300μmと
した。
【0078】こうして作製した有機発光素子において、
選択されたストライプ状の陽電極及び陰電極間に順方向
に10V程度の電圧を印加すると、両電極に挟まれた部
分(画素)が、波長約500nmで明るく発光した。す
なわちモノクロの単純マトリクスディスプレイが作製で
きた。
【0079】(実施例2)実施例1において、陽電極と
発光層の間にホール注入層を挿入した。すなわち、図2
に示す素子構成とした。ホール注入層としては、市販の
ポリチオフェン誘導体を用いて、PVKを成膜する前に
スピンコート法により形成し、膜厚は15nmとした。
【0080】(実施例3)実施例2のホール注入層とし
て、ポリチオフェン誘導体の代わりに市販のポリアニリ
ン誘導体を用いた。ポリアニリン誘導体の成膜は実施例
2と同様に行い、膜厚は15nmとした。
【0081】(実施例4)実施例2のホール注入層とし
て、ポリチオフェン誘導体の代わりにアモルファスカー
ボンを用いた。アモルファスカーボンは、スパッタ法に
より形成し、膜厚は10nmとした。
【0082】(実施例5)実施例1において、発光層と
陰電極の間に電子注入層を挿入した。すなわち、図3に
示す素子構成とした。電子注入層としては、ジリチウム
フタロシアニンを用い、発光層を熱処理により塑性変形
させた後、真空蒸着法により成膜した。さらに続けて陰
電極としてAlを成膜した。電子注入層及び陰電極の形
成は、ジリチウムフタロシアニンを約0.03nm/s
ecのレートで1nm成膜した後、Alを約3nm/s
ecで150nm成膜した。
【0083】(実施例6)実施例5の電子注入層とし
て、ジリチウムフタロシアニンの代わりにジソディウム
フタロシアニンを用いた。ジソディウムフタロシアニン
の成膜は実施例5と同様に行い、膜厚は1nmとした。
【0084】(実施例7)実施例5の電子注入層とし
て、ジリチウムフタロシアニンの代わりに4,4,8,
8−テトラキス(1H−ピラゾール−1−イル)ピラザ
ボールを用いた。4,4,8,8−テトラキス(1H−
ピラゾール−1−イル)ピラザボールの成膜は実施例5
と同様に行い、膜厚は1nmとした。
【0085】(実施例8)図9の工程に従い、有機発光
素子を下記の通り作製した。実施例1と同様の方法で、
基板11上に幅300μmのストライプ状ITO12を
形成した。この基板を洗浄、酸素プラズマ処理した後、
発光層23としてノボラック樹脂にキノンジアジドを加
えた光分解性ポリマーに、発光材としてトリス(8−ヒ
ドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)を混合し
た膜を成膜した。成膜は、光分解性ポリマー:100m
g、Alq3:200mgをクロロホルム30mlに溶
かした溶液を用いて、スピンコート法により行った。ス
ピナーを用いて密閉した状態で500rpm・10秒、
1000rpm・30秒の条件で行い、その後、ホット
プレートを用いて110℃で1分間熱処理を行った。発
光層の膜厚は約100nmであった。続いて、図9
(d)に示すように、フォトマスクを用いて発光層23
を直接露光した。露光は、高圧水銀灯により、15mW
/cm2(波長405nm)の光を5秒間照射した。そ
の後、炭酸ナトリウム1%水溶液を用いて60秒間現像
を行い、リンスした。こうして実施例1と同様のストラ
イプ状の発光層パターンを得た。さらに、これを200
℃・15分熱処理し、発光層を塑性変形させて図9
(f)に示す形状とした。最後に、陰電極14として、
Li/Al積層電極を真空蒸着法により150nm成膜
した。成膜は実施例1と同様の方法で行い、幅300μ
mのストライプ状とした。
【0086】(実施例9)実施例8において、発光層2
3としてノボラック樹脂にキノンジアジドを加えた光分
解性ポリマーと、発光材であるクマリン6と、電荷輸送
材であるTPD及びPBDを混合した膜を成膜した。成
膜は、光分解性ポリマー:100mg、クマリン6:1
mg、TPD:100mg、PBD:100mgをクロ
ロホルム30mlに溶かした溶液を用いて、スピンコー
ト法により行った。膜厚は100nmであった。それ以
外の工程は、実施例8に従った。
【0087】(実施例10)実施例8において、発光層
23としてノボラック樹脂とポリ−3−n−ブチル−p
−ピリジルビニレンの共重合体にキノンジアジドを加え
た光分解性ポリマーと、電荷輸送材であるTPD及びP
BDを混合した膜を成膜した。成膜は、光分解性ポリマ
ー:100mg、TPD:100mg、PBD:100
mgをクロロホルム30mlに溶かした溶液を用いて、
スピンコート法により行った。膜厚は100nmであっ
た。それ以外の工程は、実施例8に従った。
【0088】(実施例11)実施例8において、発光層
と陽電極の間にホール注入層として、市販のポリチオフ
ェン誘導体を挿入した。ホール注入層の成膜はスピンコ
ート法により行い、膜厚は15nmとした。
【0089】(実施例12)実施例9において、発光層
と陽電極の間にホール注入層として、市販のポリチオフ
ェン誘導体を挿入した。ホール注入層の成膜はスピンコ
ート法により行い、膜厚は15nmとした。
【0090】(実施例13)実施例10において、発光
層と陽電極の間にホール注入層として、市販のポリチオ
フェン誘導体を挿入した。ホール注入層の成膜はスピン
コート法により行い、膜厚は15nmとした。
【0091】(実施例14)実施例8において、発光層
と陰電極の間に電子注入層を挿入した。電子注入層とし
ては、ジリチウムフタロシアニンを用い、発光層を熱処
理により塑性変形させた後、真空蒸着法により成膜し
た。さらに続けて陰電極としてAlを成膜した。電子注
入層及び陰電極の形成は、ジリチウムフタロシアニンを
約0.03nm/secのレートで1nm成膜した後、
Alを約3nm/secで150nm成膜した。
【0092】(実施例15)実施例9において、発光層
と陰電極の間に電子注入層を挿入した。電子注入層とし
ては、ジリチウムフタロシアニンを用い、発光層を熱処
理により塑性変形させた後、真空蒸着法により成膜し
た。さらに続けて陰電極としてAlを成膜した。電子注
入層及び陰電極の形成は、ジリチウムフタロシアニンを
約0.03nm/secのレートで1nm成膜した後、
Alを約3nm/secで150nm成膜した。
【0093】(実施例16)実施例10において、発光
層と陰電極の間に電子注入層を挿入した。電子注入層と
しては、ジリチウムフタロシアニンを用い、発光層を熱
処理により塑性変形させた後、真空蒸着法により成膜し
た。さらに続けて陰電極としてAlを成膜した。電子注
入層及び陰電極の形成は、ジリチウムフタロシアニンを
約0.03nm/secのレートで1nm成膜した後、
Alを約3nm/secで150nm成膜した。
【0094】(実施例17)実施例8において、発光層
への露光時間を1秒間とし、発光層の熱処理工程を省略
した。それ以外の工程は実施例8に従った。
【0095】(実施例18)実施例8において、発光層
の現像時間を30秒とし、発光層の熱処理工程を省略し
た。それ以外の工程は実施例8に従った。
【0096】(実施例19)図5に示す構成の有機発光
素子を以下の方法で作製した。実施例1と同様の方法
で、基板上に幅300μmのストライプ状ITOを形成
した。次に、基板上全面にスピンコート法により、絶縁
膜としてポリイミド膜を10nm成膜し、これをパター
ニングして、図5に示すようにITO電極と直交し、発
光層の縁部に沿うようにストライプ状の絶縁層を形成し
た。パターニングは通常のフォトリソグラフィ法により
行い、ポリイミドのエッチングは酸素プラズマによるド
ライエッチ法を用いて行った。絶縁層の幅は80μmと
した。以降は、実施例8に従い、光分解性ポリマー及び
Alq3からなる発光層を成膜後、300μm幅のスト
ライプ状にパターニングし、熱処理した後、Li/Al
積層陰電極を形成した。陰電極は図5に示す通りストラ
イプ状の発光層を覆うように形成した。
【0097】(実施例20)図10に示す工程に従い、
フルカラーディスプレイパネルを下記の通り作製した。
実施例1と同様の方法で、基板11上にストライプ状I
TO電極を形成した。電極幅は100μmとした。この
基板を洗浄、酸素プラズマ処理した後、赤色発光層33
aとして、ノボラック樹脂にキノンジアジドを加えた光
分解性ポリマーに赤色発光材であるナイルレッドと、電
荷輸送材であるTPD及びPBDを混合した膜を成膜し
た。成膜は、光分解性ポリマー:100mg、ナイルレ
ッド:0.5mg、TPD:100mg、PBD:10
0mgをクロロホルム30mlに溶かした溶液を用い
て、スピンコート法により行った。膜厚は100nmで
あった。これを、実施例8と同様の方法で図10
(d)、(e)に示すように2本おきのストライプ状陽
電極12と重なるようにパターニングした。続いて、緑
色発光層33bとして、ノボラック樹脂にキノンジアジ
ドを加えた光分解性ポリマーに緑色発光材であるクマリ
ン6と、電荷輸送材であるTPD及びPBDを混合した
膜を成膜した。成膜は、光分解性ポリマー:100m
g、クマリン6:1mg、TPD:100mg、PB
D:100mgをクロロホルム30mlに溶かした溶液
を用いて、スピンコート法により行った。次に図10
(g)、(h)に示す通り、33aの場合と同様に2本
おきの陽電極12と重なるようにパターニングした。さ
らに青色発光層33cとして光分解性ポリマー:100
mg、青色発光材であるクマリン47:1mg、TP
D:100mg、PBD:100mgをクロロホルム3
0mlに溶かした溶液を用いて成膜し、前記工程と同様
にパターニングした。そして200℃・15分熱処理し
て各発光層を塑性変形させた。最後に陰電極14とし
て、Li/Al積層電極を真空蒸着法により150nm
成膜した。成膜は実施例1と同様の方法で蒸着マスクを
用いて行い、ストライプ幅は300μmとした。
【0098】(比較例1)実施例1において、発光層を
熱処理により塑性変形させる工程を省略した。それ以外
の工程は実施例1に従った。
【0099】(比較例2)実施例8において、発光層を
熱処理により塑性変形させる工程を省略した。それ以外
の工程は実施例8に従った。
【0100】実施例1〜21及び比較例1〜2の有機発
光素子の特性を(表1)に示す。
【0101】
【表1】
【0102】比較例1、2と実施例1、8を比較する
と、発光層を熱処理により塑性変形させることにより、
発光効率が向上していることがわかる。
【0103】また、比較例1〜2の有機発光素子を発光
させた場合、横方向への漏れ光が発生するのに対し、実
施例1〜21の素子では漏れ光は確認されなかった。
【0104】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る有機
発光素子によれば、発光層のうち光の反射面以外の面の
前面に反射膜を有し、発光層が光の出射側から見て凹面
形状を有することにより、発光の取り出し効率の向上に
より、発光効率が向上すると同時に漏れ光を減少するこ
とができる。また、本発明に係る有機発光素子の製造方
法によれば、感光性ポリマーを用いた発光層を直接フォ
トリソグラフィ法でパターニングした後、塑性変形させ
ることで、上記形状を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す有機発光素子の断面図
【図2】本発明の一実施例を示す有機発光素子の断面図
【図3】本発明の一実施例を示す有機発光素子の断面図
【図4】本発明の一実施例を示す有機発光素子の断面図
【図5】本発明の一実施例を示す有機発光素子の断面図
【図6】本発明の実施例の発光層の断面形状を表す図
【図7】(a)従来の有機発光素子における光の取り出
し効率の説明図 (b)本発明の有機発光素子における光の取り出し効率
の説明図
【図8】本発明の一実施例を示す有機発光素子の製造方
法の工程を示す断面図
【図9】本発明の一実施例を示す有機発光素子の製造方
法の工程を示す断面図
【図10】本発明の一実施例を示す有機発光素子の製造
方法の工程を示す断面図
【図11】従来の有機発光素子の概念図及び断面図
【符号の説明】
1 透明基板 2 陽電極 3 発光層 4 陰電極 5 ホール注入層 6 電子注入層 7 絶縁層 15 レジスト 16 フォトマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 徹哉 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松尾 三紀子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB03 AB04 AB06 AB18 BA06 CA01 CA06 CB01 CC01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】陽電極と陰電極との間に少なくとも1層の
    発光層を有する有機発光素子であって、前記発光層のう
    ち光の出射面以外の面の全面に反射膜を有することを特
    徴とする有機発光素子。
  2. 【請求項2】陽電極と陰電極との間に少なくとも1層の
    発光層を有し、発光層と陽電極との間に少なくとも1層
    のホール輸送層あるいはホール注入層を有する有機発光
    素子であって、前記発光層のうち光の出射面以外の面の
    全面に反射膜を有することを特徴とする有機発光素子。
  3. 【請求項3】陽電極と陰電極との間に少なくとも1層の
    発光層を有し、発光層と陰電極との間に少なくとも1層
    の電子輸送層あるいは電子注入層を有する有機発光素子
    であって、前記電子輸送層あるいは電子注入層のうち光
    の出射面以外の面の全面に反射膜を有することを特徴と
    する有機発光素子。
  4. 【請求項4】発光層が、光の出射側から見て凹面形状を
    有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載
    の有機発光素子。
  5. 【請求項5】発光層が、ポリマーからなることを特徴と
    する請求項1〜4のいずれかに記載の有機発光素子。
  6. 【請求項6】発光層が、ポリマー及び発光材からなるこ
    とを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機発
    光素子。
  7. 【請求項7】発光層が、ポリマー、発光材及び電荷輸送
    材からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに
    記載の有機発光素子。
  8. 【請求項8】発光層が、主鎖あるいは側鎖に発光部を有
    するポリマーからなることを特徴とする請求項1〜4の
    いずれかに記載の有機発光素子。
  9. 【請求項9】ポリマーが感光性ポリマーであることを特
    徴とする請求項5〜8のいずれかに記載の有機発光素
    子。
  10. 【請求項10】感光性ポリマーが光分解性ポリマーであ
    ることを特徴とする請求項9記載の有機発光素子。
  11. 【請求項11】陽電極あるいは陰電極上において、発光
    層の縁部に絶縁層を有することを特徴とする請求項1〜
    10のいずれかに記載の有機発光素子。
  12. 【請求項12】同一基板上に、2種類以上の発光層を有
    することを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載
    の有機発光素子。
  13. 【請求項13】陰電極あるいは陽電極が反射膜を兼ねる
    ことを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の有
    機発光素子。
  14. 【請求項14】陽電極と陰電極との間に少なくとも1層
    の発光層を有する有機発光素子を製造する方法であっ
    て、基板上に電極を形成する工程と、前記電極上に発光
    層を成膜する工程と、前記発光層を塑性変形させる工程
    と、前記発光層上に反射膜を成膜する工程とを有するこ
    とを特徴とする有機発光素子の製造方法。
  15. 【請求項15】陽電極と陰電極との間に少なくとも1層
    の発光層を有し、発光層と陽電極との間に少なくとも1
    層のホール輸送層あるいはホール注入層を有する有機発
    光素子を製造する方法であって、基板上に陽電極を形成
    する工程と、前記陽電極上にホール輸送層あるいはホー
    ル注入層を成膜する工程と、前記ホール輸送層あるいは
    ホール注入層上に発光層を成膜する工程と、前記発光層
    を塑性変形させる工程と、前記発光層上に反射膜を成膜
    する工程を有することを特徴とする有機発光素子の製造
    方法。
  16. 【請求項16】陽電極と陰電極との間に少なくとも1層
    の発光層を有し、発光層と陰電極との間に少なくとも1
    層の電子輸送層あるいは電子注入層を有する有機発光素
    子を製造する方法であって、基板上に陽電極を形成する
    工程と、前記陽電極上に発光層を成膜する工程と、前記
    発光層を塑性変形させる工程と、前記発光層上に電子輸
    送層あるいは電子注入層を成膜する工程と、前記電子輸
    送層あるいは電子注入層上に反射膜を成膜する工程とを
    有することを特徴とする有機発光素子の製造方法。
  17. 【請求項17】発光層を成膜後に、前記発光層をフォト
    リソグラフィによりパターニングする工程を有すること
    を特徴とする請求項14〜16のいずれかに記載の有機
    発光素子の製造方法。
  18. 【請求項18】発光層を塑性変形させる工程が、熱処理
    により塑性変形させる工程であることを特徴とする請求
    項14〜17のいずれかに記載の有機発光素子の製造方
    法。
  19. 【請求項19】発光層を塑性変形させる工程が、前記発
    光層が光の出射側から見て凹面形状になるように塑性変
    形させる工程であることを特徴とする請求項14〜18
    のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
  20. 【請求項20】陽電極と陰電極との間に少なくとも1層
    の感光性ポリマーを含んでなる発光層を有する有機発光
    素子を製造する方法であって、基板上に電極を形成する
    工程と、前記電極上に感光性ポリマーを含んでなる発光
    層を成膜する工程と、前記発光層をフォトリソグラフィ
    によりパターニングする工程と、前記発光層上に反射膜
    を成膜する工程とを有することを特徴とする有機発光素
    子の製造方法。
  21. 【請求項21】発光層が、感光性ポリマーと発光材の混
    合物からなることを特徴とする請求項20記載の有機発
    光素子の製造方法。
  22. 【請求項22】発光層が、感光性ポリマー、発光材及び
    電荷輸送材の混合物からなることを特徴とする請求項2
    0記載の有機発光素子の製造方法。
  23. 【請求項23】発光層が、主鎖あるいは側鎖に発光部を
    有する感光性ポリマーからなることを特徴とする請求項
    20記載の有機発光素子の製造方法。
  24. 【請求項24】陽電極と陰電極との間に少なくとも1層
    の感光性ポリマーを含んでなる発光層を有し、発光層と
    陽電極との間に少なくとも1層のホール輸送層あるいは
    ホール注入層を有する有機発光素子を製造する方法であ
    って、基板上に陽電極を形成する工程と、前記陽電極上
    にホール輸送層あるいはホール注入層を成膜する工程
    と、前記ホール輸送層あるいはホール注入層上に感光性
    ポリマーを含んでなる発光層を成膜する工程と、前記発
    光層をフォトリソグラフィによりパターニングする工程
    と、前記発光層上に反射膜を成膜する工程を有すること
    を特徴とする有機発光素子の製造方法。
  25. 【請求項25】発光層が、感光性ポリマーと発光材の混
    合物からなることを特徴とする請求項24記載の有機発
    光素子の製造方法。
  26. 【請求項26】発光層が、感光性ポリマー、発光材及び
    電荷輸送材の混合物からなることを特徴とする請求項2
    4記載の有機発光素子の製造方法。
  27. 【請求項27】発光層が、主鎖あるいは側鎖に発光部を
    有する感光性ポリマーからなることを特徴とする請求項
    24記載の有機発光素子の製造方法。
  28. 【請求項28】陽電極と陰電極との間に少なくとも1層
    の感光性ポリマーを含んでなる発光層を有し、発光層と
    陰電極間に少なくとも1層の電子輸送層あるいは電子注
    入層を有する有機発光素子を製造する方法であって、基
    板上に陽電極を形成する工程と、前記陽電極上に感光性
    ポリマーを含んでなる発光層を成膜する工程と、前記発
    光層をフォトリソグラフィによりパターニングする工程
    と、前記発光層上に電子輸送層あるいは電子注入層を成
    膜する工程と、前記電子輸送層あるいは電子注入層上に
    反射膜を成膜する工程とを有することを特徴とする有機
    発光素子の製造方法。
  29. 【請求項29】発光層が、感光性ポリマーと発光材の混
    合物からなることを特徴とする請求項28記載の有機発
    光素子の製造方法。
  30. 【請求項30】発光層が、感光性ポリマー、発光材及び
    電荷輸送材の混合物からなることを特徴とする請求項2
    8記載の有機発光素子の製造方法。
  31. 【請求項31】発光層が、主鎖あるいは側鎖に発光部を
    有する感光性ポリマーからなることを特徴とする請求項
    28記載の有機発光素子の製造方法。
  32. 【請求項32】発光層のパターニング工程が、前記発光
    層が光の出射側から見て凹面形状になるようにパターニ
    ングする工程であることを特徴とする請求項20〜31
    のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
  33. 【請求項33】感光性ポリマーとして、光分解性ポリマ
    ーを用いることを特徴とする請求項20〜32のいずれ
    かに記載の有機発光素子の製造方法。
  34. 【請求項34】フォトリソグラフィ工程における露光時
    間が、発光層のうち光が照射された部分全てが光分解さ
    れる時間よりも短いことを特徴とする請求項33記載の
    有機発光素子の製造方法。
  35. 【請求項35】フォトリソグラフィ工程における現像時
    間が、発光層のうち光が照射された部分全てが除去され
    る時間よりも短いことを特徴とする請求項33または3
    4記載の有機発光素子の製造方法。
  36. 【請求項36】発光層をパターニングした後、前記発光
    層を塑性変形させる工程を有することを特徴とする請求
    項20〜35のいずれかに記載の有機発光素子の製造方
    法。
  37. 【請求項37】発光層を塑性変形させる工程が、熱処理
    により塑性変形させる工程であることを特徴とする請求
    項36記載の有機発光素子の製造方法。
  38. 【請求項38】発光層を塑性変形させる工程が、前記発
    光層が光の出射側から見て凹面形状になるように塑性変
    形させる工程であることを特徴とする請求項36または
    37記載の有機発光素子の製造方法。
  39. 【請求項39】陽電極あるいは陰電極上において、発光
    層の縁部に絶縁層を形成する工程を有することを特徴と
    する請求項14〜38のいずれかに記載の有機発光素子
    の製造方法。
JP2000025933A 2000-02-03 2000-02-03 有機発光素子及びその製造方法 Pending JP2001217078A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000025933A JP2001217078A (ja) 2000-02-03 2000-02-03 有機発光素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000025933A JP2001217078A (ja) 2000-02-03 2000-02-03 有機発光素子及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001217078A true JP2001217078A (ja) 2001-08-10

Family

ID=18551720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000025933A Pending JP2001217078A (ja) 2000-02-03 2000-02-03 有機発光素子及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001217078A (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170673A (ja) * 2000-09-25 2002-06-14 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
WO2002063701A1 (en) * 2001-01-03 2002-08-15 Dow Global Technologies Inc. Electroluminescent device having anode array and reflective cathode focusing feature
WO2003086024A1 (fr) * 2002-04-10 2003-10-16 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent
JP2004006231A (ja) * 2002-04-10 2004-01-08 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
JP2005032735A (ja) * 2000-09-25 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子
EP1566987A1 (en) * 2002-11-27 2005-08-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for fabricating electroluminescent element
JP2006040741A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法
JP2006164993A (ja) * 2002-04-10 2006-06-22 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
JP2007200907A (ja) * 2003-11-07 2007-08-09 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
US7511419B2 (en) 2002-05-14 2009-03-31 Casio Computer Co., Ltd. Luminescent panel having a reflecting film to reflect light outwardly which is shaped to condense the reflected light
JP2010045050A (ja) * 2009-11-24 2010-02-25 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法
US7736921B2 (en) * 2003-01-24 2010-06-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent element
US7868543B2 (en) 2003-11-07 2011-01-11 Seiko Epson Corporation Light-emitting device having openings in electrode
JP2012054040A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
WO2012124642A1 (ja) * 2011-03-14 2012-09-20 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013544007A (ja) * 2010-10-20 2013-12-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2015167147A (ja) * 2009-06-24 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
WO2015152148A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101752559B1 (ko) 2015-08-17 2017-07-03 엔젯 주식회사 대면적이면서 유연성 기판에도 용이하게 적용할 수 있는 투명전광판 및 이의 제조 방법
CN111903189A (zh) * 2018-03-28 2020-11-06 夏普株式会社 发光元件以及发光元件的制造方法
WO2022137023A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005032735A (ja) * 2000-09-25 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子
JP2002170673A (ja) * 2000-09-25 2002-06-14 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
WO2002063701A1 (en) * 2001-01-03 2002-08-15 Dow Global Technologies Inc. Electroluminescent device having anode array and reflective cathode focusing feature
US7147992B2 (en) 2002-04-10 2006-12-12 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent device
JP2004006231A (ja) * 2002-04-10 2004-01-08 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
JP2006164993A (ja) * 2002-04-10 2006-06-22 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
WO2003086024A1 (fr) * 2002-04-10 2003-10-16 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent
JP4589245B2 (ja) * 2002-04-10 2010-12-01 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
US7511419B2 (en) 2002-05-14 2009-03-31 Casio Computer Co., Ltd. Luminescent panel having a reflecting film to reflect light outwardly which is shaped to condense the reflected light
EP1566987A1 (en) * 2002-11-27 2005-08-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for fabricating electroluminescent element
US8070545B2 (en) 2002-11-27 2011-12-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for fabricating electroluminescent element
EP2262348A1 (en) * 2002-11-27 2010-12-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for manufacturing an electroluminescent element
EP1566987A4 (en) * 2002-11-27 2009-08-19 Dainippon Printing Co Ltd PROCESS FOR PREPARING AN ELECTROLUMINESCENE ELECTRODE
US7736921B2 (en) * 2003-01-24 2010-06-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent element
JP2007200907A (ja) * 2003-11-07 2007-08-09 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
US7868543B2 (en) 2003-11-07 2011-01-11 Seiko Epson Corporation Light-emitting device having openings in electrode
JP4485277B2 (ja) * 2004-07-28 2010-06-16 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
JP2006040741A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法
JP2018125304A (ja) * 2009-06-24 2018-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 光源
JP2015167147A (ja) * 2009-06-24 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
JP2019220479A (ja) * 2009-06-24 2019-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2010045050A (ja) * 2009-11-24 2010-02-25 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法
JP2012054040A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
JP2013544007A (ja) * 2010-10-20 2013-12-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2012124642A1 (ja) * 2011-03-14 2012-09-20 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012195054A (ja) * 2011-03-14 2012-10-11 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2015152148A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101752559B1 (ko) 2015-08-17 2017-07-03 엔젯 주식회사 대면적이면서 유연성 기판에도 용이하게 적용할 수 있는 투명전광판 및 이의 제조 방법
CN111903189A (zh) * 2018-03-28 2020-11-06 夏普株式会社 发光元件以及发光元件的制造方法
CN111903189B (zh) * 2018-03-28 2023-08-15 夏普株式会社 发光元件以及发光元件的制造方法
WO2022137023A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001217078A (ja) 有機発光素子及びその製造方法
US8026662B2 (en) Organic light-emitting element, image display device and production method thereof
US6787796B2 (en) Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same
US7696687B2 (en) Organic electroluminescent display device with nano-porous layer
US6396208B1 (en) Organic electroluminescent device and its manufacturing process
JP5574456B2 (ja) 発光素子とその製造方法、および発光装置
JPH11283751A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5677434B2 (ja) 有機el素子
JP2004355975A (ja) 表示装置の製造方法
JP2003115377A (ja) 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置
JPWO2005098802A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2947250B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JPH09190883A (ja) 共振器型有機薄膜el素子
JP2016115718A (ja) 有機el素子および有機el素子の製造方法
US7541735B2 (en) Organic electroluminescent device having a transparent layer
US20100276687A1 (en) Organic electroluminescent display device
JP2003031374A (ja) 有機電界発光素子
JP4186101B2 (ja) 有機el表示装置
JP4104339B2 (ja) 発光素子及びその製造方法、並びに表示装置
JP2000021579A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板及びその製造方泡並びにそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス表示素子
JP2004152738A (ja) 有機elパネルおよびその製造方法、それを用いた電気光学パネル並びに電子機器
JP2003045659A (ja) 表示装置
JP2008108680A (ja) 有機el素子の製造方法
JP4438364B2 (ja) 有機発光素子および表示装置
JP4044362B2 (ja) 有機el素子の製造方法