WO2022137023A1

WO2022137023A1 - 発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置

Info

Publication number: WO2022137023A1
Application number: PCT/IB2021/061732
Authority: WO
Inventors: 大澤信晴; 瀬尾哲史
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2020-12-25
Filing date: 2021-12-15
Publication date: 2022-06-30
Also published as: KR20230124564A; JPWO2022137023A1; US20240099052A1; CN116648997A

Abstract

利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供する。陰極上にＥＬ層を挟んで陽極を有し、ＥＬ層は、発光層と、発光層上の耐酸化層と、を少なくとも有し、ＥＬ層は、側面を有し、ＥＬ層の上面および側面と接してブロック層を有し、陰極は、ブロック層を介してＥＬ層の側面と接し、ブロック層は、複素環化合物を含む発光デバイスを提供する。上記構成の発光デバイスにおいて、耐酸化層は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物および電子吸引基を有する有機化合物から選ばれるいずれか一又は複数を含んでもよい。

Description

発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置

本発明の一態様は、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

ファインメタルマスクを使用することなく、発光層を形成可能とする有機ＥＬディスプレイの製造方法が知られている。その一例としては、絶縁基板の上方に形成された第１及び第２画素電極を含んだ電極アレイの上方にホスト材料とドーパント材料との混合物を含んだ第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１の発光層を形成する工程と、第１の発光層のうち第１画素電極の上方に位置した部分に紫外光を照射することなしに、第１の発光層のうち第２画素電極の上方に位置した部分に紫外光を照射する工程と、第１の発光層上にホスト材料とドーパント材料との混合物を含み且つ第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２の発光層を表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、第２の発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含む、有機ＥＬディスプレイの製造方法がある（特許文献１）。

特開２０１２−１６０４７３号公報

本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な照明装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、陰極上にＥＬ層を挟んで陽極を有し、ＥＬ層は、発光層と、発光層上の耐酸化層と、を少なくとも有し、ＥＬ層は、側面を有し、ＥＬ層の上面および側面と接してブロック層を有し、陰極は、ブロック層を介してＥＬ層の側面と接し、ブロック層は、複素環化合物を含む発光デバイスである。

これにより、ＥＬ層を保護することができる。例えば、発光デバイスの製造工程において、ＥＬ層が大気暴露される場合であっても、耐酸化層によって、ＥＬ層の酸化を抑制することができる。また、ブロック層によりＥＬ層の側面（または端部）を保護することができる。また、第２の電極がＥＬ層の側面（または端部）に接する構成であっても、ブロック層を有することで、第１の電極と第２の電極の導通を妨げることができるため、発光デバイスには、様々な構造を適用することができる。

上記構成の発光デバイスにおいて、耐酸化層は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物および電子吸引基を有する有機化合物から選ばれるいずれか一又は複数を含んでもよい。

また、上記各構成の発光デバイスにおいて、耐酸化層は、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウム、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン、および２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリルから選ばれるいずれか一又は複数を含んでもよい。

また、上記各構成の発光デバイスにおいて、ブロック層は、第１のブロック層と、第１のブロック層上の第２のブロック層と、を有し、第２のブロック層は、金属を含んでもよい。

また、上記各構成の発光デバイスにおいて、第１のブロック層は、ＥＬ層に接する第３のブロック層を有し、第３のブロック層は、金属を含んでもよい。

上記各構成の発光デバイスにブロック層を形成することにより、各ＥＬ層の側面（または端部）を保護することができると共に、各ＥＬ層上に形成される電極と、各ＥＬ層の一部がショートするのを防ぐことができる。また第２のブロック層により、陽極からＥＬ層への電子の注入性を向上させる一方、第１のブロック層により、ＥＬ層の側面（端部ともいう）において、陽極とＥＬ層との導通を妨げることもできる層とすることができる。

また、本発明の一態様は、上記各構成の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置である。

また、本発明の一態様は、隣接する第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、第１の発光デバイスは、第１の陰極上に第１のＥＬ層を挟んで陽極を有し、第１のＥＬ層は、第１の発光層と、第１の発光層上の第１の耐酸化層と、を少なくとも有し、第２の発光デバイスは、第２の陰極上に第２のＥＬ層を挟んで陽極を有し、第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第２の発光層上の第２の耐酸化層と、を少なくとも有し、第１のＥＬ層の上面および側面、並びに第２のＥＬ層の上面および側面、と接してブロック層を有し、第２のＥＬ層は、第１のＥＬ層との間に間隙を有し、間隙において、第１のＥＬ層の側面および第２のＥＬ層の側面と接するブロック層を介して陽極を有する、発光装置である。

１０００ｐｐｉを超える高精細な発光装置（表示パネル）において、複数のＥＬ層間に電気的な導通が認められると、クロストークが発生し、発光装置の表示可能な色域が狭くなってしまう。高精細な発光装置に間隙を設けることで、鮮やかな色彩を表示可能な発光装置を提供できる。

上記構成の発光装置において、第１の耐酸化層は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物および電子吸引基を有する有機化合物から選ばれるいずれか一又は複数を含んでもよい。

また、上記各構成の発光装置において、第１の耐酸化層は、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、および酸化レニウム、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン、および２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリルから選ばれるいずれか一又は複数を含んでもよい。

上記各構成の発光装置において、ブロック層は、第１のブロック層と、第１のブロック層上の第２のブロック層と、を有し、第１のブロック層は、電子輸送性材料を含み、第２のブロック層は、電子輸送性材料および金属を含んでもよい。

上記各構成の発光装置において、第１のブロック層は、ＥＬ層に接する第３のブロック層を有し、第３のブロック層は、金属を含んでもよい。

上記各構成の発光装置にブロック層を形成することにより、各ＥＬ層の側面（または端部）を保護することができると共に、各ＥＬ層上に形成される電極と、各ＥＬ層の一部がショートするのを防ぐことができる。また第２のブロック層により、陽極からＥＬ層への電子の注入性を向上させる一方、第１のブロック層により、ＥＬ層の側面（端部ともいう）において、陽極とＥＬ層との導通を妨げることもできる層とすることができる。

また、本発明の一態様は、上記各構成の発光装置と、センサ、操作ボタン、スピーカ、またはマイクと、を有する電子機器である。

また、本発明の一態様は、上記各構成の発光装置と、筐体と、を有する照明装置である。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様により、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供することができる。また、本発明の一態様により、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することができる。また、本発明の一態様により、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な照明装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａ乃至図１Ｃは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図２Ａ乃至図２Ｅは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図３Ａおよび図３Ｂは、実施の形態に係る発光装置の構成を説明する図である。
図４Ａおよび図４Ｂは、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図５Ａ乃至図５Ｃは、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図６Ａ乃至図６Ｃは、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図７Ａおよび図７Ｂは、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図８は、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図９Ａおよび図９Ｂは、実施の形態に係る発光装置および発光デバイスを説明する図である。
図１０は、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図１２Ａおよび図１２Ｂは、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図１３は、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図１４Ａおよび図１４Ｂは、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図１５Ａおよび図１５Ｂは、実施の形態に係る回路図及び発光装置の構造の一部を説明する図である。
図１６Ａおよび図１６Ｂは、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図１７Ａおよび図１７Ｂは、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｅは、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｅは、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図２０Ａおよび図２０Ｂは、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図２１Ａおよび図２１Ｂは、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図２２は、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイスおよび表示パネルの構成について、図１および図２を参照しながら説明する。

図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の一態様の発光デバイス１００を説明する断面図である。

図１Ａおよび図１Ｂに示すように、発光デバイス１００は、第１の電極１０１と、第２の電極１０２と、ＥＬ層１０３と、を有する。ＥＬ層１０３は、耐酸化層１０５と、電子注入・輸送層１０４と、発光層１１３と、を有する。第１の電極１０１は、第２の電極１０２と重なる領域を有し、ＥＬ層１０３は、第１の電極１０１と、第２の電極１０２の間に挟まれる領域を有する。

耐酸化層１０５は、ＥＬ層１０３の最上層に位置する。これにより、ＥＬ層１０３を保護することができる。例えば、発光デバイス１００の製造工程において、ＥＬ層１０３が大気暴露される場合であっても、耐酸化層１０５によって、ＥＬ層１０３の酸化を抑制することができる。また、電子注入・輸送層１０４がＥＬ層１０３において第１の電極１０１と発光層１１３との間に位置することにより、例えばＥＬ層１０３が大気暴露される場合であっても、ＥＬ層１０３の酸化を抑制することができる。

なお、耐酸化層１０５は、耐酸化性の材料を用いて形成される。具体的には、本実施の形態において、ＥＬ層の電荷発生層に用いることができる材料として後述する、有機化合物である正孔（ホール）輸送性材料に、電子受容体（アクセプター）材料が添加された複合材料、または正孔輸送性材料と電子受容体材料の積層構造を用いることができる。また、電子受容体材料として、本実施の形態において、正孔注入層に用いる有機アクセプター材料として後述する材料を用いることができる。

電子受容体材料として、具体的には、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物またはキノジメタン誘導体、またはクロラニル誘導体、またはヘキサアザトリフェニレン誘導体などの電子吸引基（ハロゲン基またはシアノ基）を有する有機化合物を用いると好ましい。

元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物としては、より具体的には、例えば酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、および酸化レニウムが挙げられる。電子受容体材料として、金属酸化物を用いることで耐酸化層１０５の耐酸化性を向上させることができる。上記の中でも、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため耐酸化層１０５を形成する材料としてより好ましい。

キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、またはヘキサアザトリフェニレン誘導体などの電子吸引基を有する有機化合物として、より具体的には、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を用いることができる。特に、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物は、熱に対して膜質が安定であるため耐酸化層１０５を形成する材料としてより好ましい。

耐酸化層１０５を上記の構成とすることにより、発光デバイス１００に電圧をかける際、耐酸化層１０５から発光層１１３に正孔が注入され、第２の電極１０２に電子が注入される。

なお、図１Ａに示すように、発光デバイス１００に電圧をかける際、第１の電極１０１は陰極として、第２の電極１０２は陽極として機能する。

また、図１Ｂに示すように、発光デバイス１００は、ブロック層１０７を有していてもよい。ブロック層１０７は、第２の電極１０２および耐酸化層１０５の間に挟まれる領域を有する。

また、ブロック層１０７は、積層構造を有するのが好ましく、例えば、第１のブロック層１０７−１および第２のブロック層１０７−２の積層構造を有する。第１のブロック層１０７−１は、ＥＬ層１０３の上面（または上部）および側面（または端部）に接する領域を有する。第２のブロック層１０７−２は、第２の電極１０２に接する。また、第２の電極１０２は、ブロック層１０７（第１のブロック層１０７−１および第２のブロック層１０７−２）を介してＥＬ層１０３の側面（または端部）と接する領域を有する。

ブロック層１０７により、ＥＬ層１０３の側面（または端部）を保護することができる。また、図１Ｂに示すように第２の電極１０２がＥＬ層１０３の側面（または端部）と接する構成であっても、ブロック層１０７を有することで、第２の電極１０２と、電子注入・輸送層１０４との間の導通を妨げることができる。従って、発光デバイス１００には、様々な構造を適用することができる。例えば、発光デバイス１００を複数並べる際、隣り合う発光デバイス１００それぞれが有する第２の電極１０２を連結させた構造とすることができる。

ブロック層１０７を形成する材料としては、電子輸送性材料を用いることが好ましい。ブロック層１０７のうち、特にＥＬ層１０３と接する第１のブロック層１０７−１として、電子輸送性材料を用いて、第２のブロック層１０７−２よりも電気抵抗の高い層とすることにより、第２の電極１０２と、電子注入・輸送層１０４との導通を妨げることができる。

ブロック層１０７を形成する電子輸送性材料として、例えば、複素環化合物を用いると好ましい。電子輸送性材料の具体例は本実施の形態にて説明する。

なお、ブロック層１０７は、ＥＬ層としての機能を有することができる。但し、発光デバイスの駆動電圧等を考慮すると、第１のブロック層１０７−１のうち、ＥＬ層１０３との界面には、電子供与体（ドナー）が添加された層を一層設ける（たとえば、第３のブロック層１０７−３）ことがより好ましい（図１Ｃ参照）。

また、ブロック層１０７のうち、第２の電極１０２と接する第２のブロック層１０７−２として、電子輸送性材料に電子供与体が添加された材料を用いて、第１のブロック層１０７−１よりも電気抵抗の低い層とすることにより、ＥＬ層１０３から第２の電極１０２への電子の注入性を向上させることができる。これによって、発光デバイス１００の駆動電圧の上昇を抑制することができる。なお、電子供与体としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属または元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物または炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。

ブロック層１０７において、第２のブロック層１０７−２を、第１のブロック層１０７−１より電気抵抗の低い層とすることで、ＥＬ層１０３から第２の電極１０２への電子の注入性を向上させる一方、第１のブロック層１０７−１により、ＥＬ層１０３の側面（端部ともいう）において、第２の電極１０２と電子注入・輸送層１０４との間の導通を妨げることもできる層とすることができる。

電子注入・輸送層１０４を形成する材料としては、電子注入層および電子輸送層の材料として本実施の形態で説明する材料を用いることができる。なお、電子注入・輸送層１０４は単層で形成しても複数層で形成しても構わない。また、電子注入層および電子輸送層を別に形成してもよい。また、電子注入・輸送層１０４は、電子注入層および電子輸送層のいずれか一方のみであってもよい。

なお、本発明の一態様の発光デバイスの構成は、図１に示した構成に限られない。発光デバイスの基本的な構造について、図２Ａ乃至図２Ｅを用いて説明する。

≪発光デバイスの基本的な構造≫
発光デバイスの基本的な構造について説明する。図２Ａには、一対の電極間に発光層を含むＥＬ層を有する発光デバイスを示す。具体的には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間にＥＬ層１０３が挟まれた構造を有する。なお、ＥＬ層１０３は、耐酸化層１０５を有する。

また、図２Ｂには、一対の電極間に複数（図２Ｂでは、２層）のＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）を有し、ＥＬ層の間に電荷発生層１０６を有する積層構造（タンデム構造）の発光デバイスを示す。タンデム構造の発光デバイスは、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。なお、ＥＬ層１０３ｂは、耐酸化層１０５を有する。

電荷発生層１０６は、第１の電極１０１と第２の電極１０２の間に電位差を生じさせたときに、一方のＥＬ層（１０３ａまたは１０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（１０３ｂまたは１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図２Ｂにおいて、第１の電極１０１に、第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１０６からＥＬ層１０３ａに電子が注入され、ＥＬ層１０３ｂに正孔が注入されることとなる。

なお、電荷発生層１０６は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１０６に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１０６は、第１の電極１０１、または第２の電極１０２よりも低い導電率であっても機能する。

また、図２Ｃには、本発明の一態様である発光デバイスのＥＬ層１０３の積層構造を示す。但し、この場合、第１の電極１０１は陰極として、第２の電極１０２は陽極として機能するものとする。ＥＬ層１０３は、第１の電極１０１上に、電子注入層１１５、電子輸送層１１４、発光層１１３、正孔（ホール）輸送層１１２、正孔（ホール）注入層１１１、耐酸化層１０５が順次積層された構造を有する。なお、発光層１１３は、発光色の異なる発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、赤色を発光する発光物質を含む発光層と、緑色を発光する発光物質を含む発光層と、青色を発光する発光物質を含む発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。または、黄色を発光する発光物質を含む発光層と、青色を発光する発光物質を含む発光層との組み合わせであっても良い。ただし、発光層１１３の積層構造は上記に限定されない。例えば、発光層１１３は、発光色の同じ発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、青色を発光する発光物質を含む第１の発光層と、青色を発光する発光物質を含む第２の発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。発光色の同じ発光層を複数積層した構成の場合、単層の構成よりも信頼性を高めることができる場合がある。また、図２Ｂに示すタンデム構造のように複数のＥＬ層を有する場合であっても、各ＥＬ層が、陰極側から上記のように順次積層される構造とする。また、第１の電極１０１が陽極で、第２の電極１０２が陰極の場合は、ＥＬ層１０３の積層順は逆になる。具体的には、陽極である第１の電極１０１上の１１５が、正孔（ホール）注入層となり、１１４が正孔（ホール）輸送層となり、１１３が発光層となり、１１２が電子輸送層となり、１１１が電子注入層となる構成を有する。

ＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に含まれる発光層１１３は、それぞれ発光物質、または複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光、または燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層１１３を発光色の異なる積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質、またはその他の物質は、それぞれ異なる材料を用いればよい。また、図２Ｂに示す複数のＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に用いる発光物質、またはその他の物質を異なる材料とすればよい。

また、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、例えば、図２Ｃに示す第１の電極１０１を反射電極とし、第２の電極１０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造とすることにより、ＥＬ層１０３に含まれる発光層１１３から得られる発光を両電極間で共振させ、第２の電極１０２から得られる発光を強めることができる。

なお、発光デバイスの第１の電極１０１が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１１３から得られる光の波長λに対して、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との電極間の光学距離（膜厚と屈折率の積）がｍλ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）またはその近傍となるように調整するのが好ましい。

また、発光層１１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極１０１から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２の電極１０２から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は１以上の自然数）またはその近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１１３における正孔（ホール）と電子との再結合領域を示す。

このような光学調整を行うことにより、発光層１１３から得られる特定の単色光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。

但し、上記の場合、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域から第２の電極１０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、第１の電極１０１、または第２の電極１０２における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１と第２の電極１０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の電極１０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１０１における反射領域、または所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

図２Ｄに示す発光デバイスは、タンデム構造を有する発光デバイスであり、マイクロキャビティ構造を有するため、各ＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）からの異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。従って、異なる発光色を得るための塗り分け（例えば、ＲＧＢを塗り分けたＳｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ（ＳＢＳ）構造）が不要となる。従って、高精細化を実現することが容易である。また、着色層（カラーフィルタ）との組み合わせも可能である。さらに、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。なお、ＥＬ層１０３ｂは、耐酸化層１０５を有する。

図２Ｅに示す発光デバイスは、図２Ｂに示したタンデム構造の発光デバイスの一例であり、図に示すように、３つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）が電荷発生層（１０６ａ、１０６ｂ）を挟んで積層される構造を有する。なお、３つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）は、それぞれに発光層（１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）を有しており、各発光層の発光色は、自由に組み合わせることができる。例えば、発光層１１３ａを青色、発光層１１３ｂを赤色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１３ｃを青色とすることができるが、発光層１１３ａを赤色、発光層１１３ｂを青色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１３ｃを赤色とすることもできる。なお、ＥＬ層１０３ｃは、耐酸化層１０５を有する。

なお、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は、抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。

また、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、この電極は、抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。

≪発光デバイスの具体的な構造≫
次に、本発明の一態様である発光デバイスの具体的な構造について説明する。また、ここでは、タンデム構造を有する図２Ｄを用いて説明する。なお、タンデム構造でない図２Ａおよび図２Ｃの発光デバイスについてもＥＬ層の構成については同様とする。また、図２Ｄに示す発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極１０１を反射電極として形成し、第２の電極１０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１０２は、ＥＬ層１０３ｂを形成した後、上記と同様に材料を選択して形成する。

＜第１の電極および第２の電極＞
第１の電極１０１および第２の電極１０２を形成する材料としては、上述した両電極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。

図２Ｄに示す発光デバイスにおいて、第１の電極１０１が陰極である場合、第１の電極１０１上にＥＬ層１０３ａの電子注入層１１５ａおよび電子輸送層１１４ａが真空蒸着法により順次積層形成される。ＥＬ層１０３ａおよび電荷発生層１０６が形成された後、電荷発生層１０６上にＥＬ層１０３ｂの電子注入層１１５ｂおよび電子輸送層１１４ｂが同様に順次積層形成される。

＜正孔注入層＞
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、陽極である第２の電極１０２、または電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）からＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層であり、有機アクセプター材料、または正孔注入性の高い材料のいずれか一方または両方を含む層である。

有機アクセプター材料は、そのＬＵＭＯ準位の値とＨＯＭＯ準位の値が近い他の有機化合物との間で電荷分離させることにより、当該有機化合物に正孔（ホール）を発生させることができる材料である。従って、有機アクセプター材料としては、キノジメタン誘導体、またはクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの電子吸引基（例えばハロゲン基、またはシアノ基）を有する化合物を用いることができる。例えば、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を用いることができる。なお、有機アクセプター材料の中でも特にＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物は、アクセプター性が高く、熱に対して膜質が安定であるため好適である。その他にも、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基、またはシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などを用いることができる。

また、正孔注入性の高い材料としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物等）を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。上記の中でも、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、または銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、等を用いることができる。

また、上記材料に加えて低分子化合物である、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物、等を用いることができる。

また、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）である、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。

また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料と、上述した有機アクセプター材料（電子受容性材料）を含む複合材料を用いることもできる。この場合、有機アクセプター材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層１１１で正孔が発生し、正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。なお、正孔注入層１１１は、正孔輸送性材料と有機アクセプター材料（電子受容性材料）を含む複合材料からなる単層で形成しても良いが、正孔輸送性材料と有機アクセプター材料（電子受容性材料）とをそれぞれ別の層で積層して形成しても良い。

なお、正孔輸送性材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における正孔移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。

正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、フラン誘導体、またはチオフェン誘導体）、および芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

なお、上記カルバゾール誘導体（カルバゾール骨格を有する化合物）としては、ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）、カルバゾリル基を有する芳香族アミン等が挙げられる。

また、上記ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）としては、具体的には、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−３−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−９’−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）などが挙げられる。

また、上記カルバゾリル基を有する芳香族アミンとしては、具体的には、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（４−フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）などが挙げられる。

なお、カルバゾール誘導体としては、上記に加えて、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等が挙げられる。

また、上記フラン誘導体（フラン骨格を有する化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）等が挙げられる。

また、上記チオフェン誘導体（チオフェン骨格を有する化合物）としては、具体的には、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などが挙げられる。

また、上記芳香族アミンとしては、具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、ＤＮＴＰＤ、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（４；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（５；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェニリル）−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−フェニル−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（１，１’−ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−４−アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ジベンゾフラン−４−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−３−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−１−アミン、等が挙げられる。

その他にも、正孔輸送性材料として、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）である、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。

但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数種組み合わせて正孔輸送性材料として用いてもよい。

なお、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、公知の様々な成膜方法を用いて形成することができるが、例えば、真空蒸着法を用いて形成することができる。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）によって、第１の電極１０１から注入された正孔を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に輸送する層である。なお、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、正孔輸送性材料を含む層である。従って、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）には、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。

なお、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）と同じ有機化合物を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いることができる。正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）と発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に同じ有機化合物を用いると、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）から発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）へのホールの輸送が効率よく行えるため、より好ましい。

＜発光層＞
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いることができる発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いることができる。また、発光層を複数有する場合には、各発光層に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造としてもよい。

また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料等）を有していても良い。

なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）にホスト材料を複数用いる場合、新たに加える第２のホスト材料として、既存のゲスト材料および第１のホスト材料のエネルギーギャップよりも大きなエネルギーギャップを有する物質を用いるのが好ましい。また、第２のホスト材料の最低一重項励起エネルギー準位（Ｓ１準位）は、第１のホスト材料のＳ１準位よりも高く、第２のホスト材料の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、ゲスト材料のＴ１準位よりも高いことが好ましい。また、第２のホスト材料の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、第１のホスト材料のＴ１準位よりも高いことが好ましい。このような構成とすることにより、２種類のホスト材料による励起錯体を形成することができる。なお、効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。また、この構成により、高効率、低電圧、長寿命を同時に実現することができる。

なお、上記のホスト材料（第１のホスト材料および第２のホスト材料を含む）として用いる有機化合物としては、発光層に用いるホスト材料としての条件を満たせば、前述の正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）に用いることができる正孔輸送性材料、または後述の電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いることができる電子輸送性材料、等の有機化合物が挙げられ、複数種の有機化合物（上記、第１のホスト材料および第２のホスト材料）からなる励起錯体であっても良い。なお、複数種の有機化合物で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。また、励起錯体を形成する複数種の有機化合物の組み合わせとしては、例えば一方がπ電子不足型複素芳香環を有し、他方がπ電子過剰型複素芳香環を有すると好ましい。なお、励起錯体を形成する組み合わせとして、一方にイリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体等の燐光発光物質を用いても良い。

発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いることができる発光物質として、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。

≪一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質≫
発光層１１３に用いることのできる、一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、以下に示す蛍光を発する物質（蛍光発光物質）が挙げられる。例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン）（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−６−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０２）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）などが挙げられる。

また、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができる。

また、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３のようなピレンジアミン化合物、等を用いることができる。

≪三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質≫
次に、発光層１１３に用いることのできる、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質（燐光発光物質）、または熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。

燐光発光物質とは、低温（例えば７７Ｋ）以上室温以下の温度範囲（すなわち、７７Ｋ以上３１３Ｋ以下）のいずれかにおいて、燐光を呈し、且つ蛍光を呈さない化合物のことをいう。該燐光発光物質としては、スピン軌道相互作用の大きい金属元素を有すると好ましく、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、希土類金属錯体等が挙げられる。具体的には遷移金属元素が好ましく、特に白金族元素（ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、または白金（Ｐｔ））を有することが好ましく、中でもイリジウムを有することで、一重項基底状態と三重項励起状態との間の直接遷移に係わる遷移確率を高めることができ好ましい。

≪燐光発光物質（４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下：青色または緑色）≫
青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ^２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３］）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）_３］）、のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のように電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。

≪燐光発光物質（４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下：緑色または黄色）≫
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（４ｄｐｐｙ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。

≪燐光発光物質（５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下：黄色または赤色）≫
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、（ジピバロイルメタナト）ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−５−フェニル−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−Ｐ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（４−シアノ−２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍＣＰ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［２−（５−（２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ）−４，６−ジメチルフェニル−κＣ］（２，２’，６，６’−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２−メチル−３−フェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体、またはトリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［４，６−ジメチル−２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。

≪ＴＡＤＦ材料≫
また、ＴＡＤＦ材料としては、以下に示す材料を用いることができる。ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく（好ましくは、０．２ｅＶ以下）、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１×１０^−６秒以上、好ましくは１×１０^−３秒以上である。

ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレン、またはその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ　ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ　ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ　ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ　ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ　Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等が挙げられる。

その他にも、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ）、４−［４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＰＢｆｐｍ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いてもよい。

なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。

また、上記有機化合物の他に、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料としては、ペロブスカイト構造を有する遷移金属化合物のナノ構造体が挙げられる。特に金属ハロゲンペロブスカイト類のナノ構造体が好ましい。該ナノ構造体としては、ナノ粒子、ナノロッドが好ましい。

発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）において、上述した発光物質（ゲスト材料）と組み合わせて用いる有機化合物（ホスト材料等）としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。

≪蛍光発光用ホスト材料≫
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いる発光物質が蛍光発光物質である場合、組み合わせる有機化合物（ホスト材料）として、一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物、または蛍光量子収率が高い有機化合物を用いるのが好ましい。したがって、このような条件を満たす有機化合物であれば、本実施の形態で示す、正孔輸送性材料（前述）、または電子輸送性材料（後述）等を用いることができる。

一部上述した具体例と重複するが、発光物質（蛍光発光物質）との好ましい組み合わせという観点から、有機化合物（ホスト材料）としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられる。

なお、蛍光発光物質と組み合わせて用いることが好ましい有機化合物（ホスト材料）の具体例としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−ビフェニル−４’−イル｝−アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５−トリ（１−ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）、５，１２−ジフェニルテトラセン、５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセンなどが挙げられる。

≪燐光発光用ホスト材料≫
また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いる発光物質が燐光発光物質である場合、組み合わせる有機化合物（ホスト材料）として、発光物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択すれば良い。なお、励起錯体を形成させるべく複数の有機化合物（例えば、第１のホスト材料、および第２のホスト材料（またはアシスト材料）等）を発光物質と組み合わせて用いる場合は、これらの複数の有機化合物を燐光発光物質と混合して用いることが好ましい。

このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。なお、複数の有機化合物の組み合わせとしては、励起錯体が形成しやすいものが良く、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。

一部上述した具体例と重複するが、発光物質（燐光発光物質）との好ましい組み合わせという観点から、有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）としては、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、亜鉛およびアルミニウム系の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体等が挙げられる。

なお、上記有機化合物のうち、正孔輸送性の高い有機化合物である、芳香族アミン、およびカルバゾール誘導体の具体例としては、上述した正孔輸送性材料の具体例と同じものが挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

また、上記有機化合物のうち、正孔輸送性の高い有機化合物である、ジベンゾチオフェン誘導体、およびジベンゾフラン誘導体の具体例としては、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）、４−［３−（トリフェニレン−２−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ）等が挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

また、上記有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物（電子輸送性材料）である、金属錯体の具体例としては、亜鉛またはアルミニウム系の金属錯体である、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）の他、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が、挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

その他、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども好ましいホスト材料として挙げられる。

また、上記のうち、電子輸送性の高い有機化合物（電子輸送性材料）である、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体等の具体例としては、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（ビフェニリル−４−イル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯＳ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等が挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

また、上記のうち、電子輸送性の高い有機化合物（電子輸送性材料）である、ジアジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物の具体例として、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などが挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

その他、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物などもホスト材料として好ましい。

さらに、正孔輸送性の高い有機化合物であり、かつ電子輸送性の高い有機化合物である、バイポーラ性の９−フェニル−９’−（４−フェニル−２−キナゾリニル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾ−ル（略称：ＰＣＣｚＱｚ）等をホスト材料として用いることもできる。

＜電子輸送層＞
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、後述する電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）によって第２の電極１０２、または電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）から注入された電子を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に輸送する層である。なお、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料は、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層でも機能するが、必要に応じて２層以上の積層構造とすることにより、デバイス特性を向上させることもできる。

≪電子輸送性材料≫
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いることができる電子輸送性材料としては、フロジアジン骨格のフラン環に芳香環が縮合した構造を有する有機化合物、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、または、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の複素環化合物が挙げられる。

なお、電子輸送性材料の具体例としては、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−８−（ナフタレン−２−イル）−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８βＮ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、８−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８−［（２，２’−ビナフタレン）−６−イル］−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、８−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ_３）、Ａｌｍｑ_３、ＢｅＢｑ_２、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）等のキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）等のオキサゾール骨格またはチアゾール骨格を有する金属錯体等が挙げられる。

また、金属錯体以外にもＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＣＯ１１等のオキサジアゾール誘導体、ＴＡＺ、ｐ−ＥｔＴＡＺ等のトリアゾール誘導体、ＴＰＢＩ、ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ等のイミダゾール誘導体（ベンゾイミダゾール誘導体を含む）、またはＢｚＯｓなどのオキサゾール誘導体、Ｂｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＮＢｐｈｅｎなどのフェナントロリン誘導体、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、２ｍＣｚＢＰＤＢｑ、２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ、７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、及び、６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ等のキノキサリン誘導体、またはジベンゾキノキサリン誘導体、３５ＤＣｚＰＰｙ、ＴｍＰｙＰＢ等のピリジン誘導体、４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ、４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ、４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ等のピリミジン誘導体、ＰＣＣｚＰＴｚｎ、ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２等のトリアジン誘導体を電子輸送性材料として用いることができる。

また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を電子輸送性材料として用いることもできる。

また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層した構造であってもよい。

＜電子注入層＞
電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は、第２の電極１０２からの電子の注入効率を高めるための層であり、第２の電極１０２に用いる材料の仕事関数の値と、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に用いる材料のＬＵＭＯ準位の値とを比較した際、その差が小さい（０．５ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。従って、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）には、リチウム、セシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）を構成する物質を用いることもできる。

また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料（金属錯体、または複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物、またはアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

その他にも、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と金属とを混合してなる複合材料を用いても良い。なお、ここで用いる有機化合物としては、ＬＵＭＯ（最低空軌道：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位が−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、非共有電子対を有する材料が好ましい。

したがって、上記の有機化合物としては、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン、またはピラジン）、またはトリアジン骨格を有する複素環化合物などの非共有電子対を有する材料が好ましい。

なお、ピリジン骨格を有する複素環化合物としては、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）などが挙げられる。

また、ジアジン骨格を有する複素環化合物としては、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、４−｛３−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）］ビフェニル−３−イル｝ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ｍＣｚＢＰＢｆｐｍ）などが挙げられる。

また、トリアジン骨格を有する複素環化合物としては、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２，４，６−トリス（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン（略称：２Ｐｙ３Ｔｚ）などが挙げられる。

また、金属としては、周期表における第５族、第７族、第９族、第１１族または第１３族に属する材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、またはＩｎ等が挙げられる。また、この時、有機化合物は、金属との間で半占有軌道（ＳＯＭＯ：Ｓｉｎｇｌｙ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）を形成する。

なお、例えば、発光層１１３ｂから得られる光を増幅させる場合には、第２の電極１０２と、発光層１１３ｂとの光学距離が、発光層１１３ｂが呈する光の波長λの１／４未満となるように形成するのが好ましい。この場合、電子輸送層１１４ｂまたは電子注入層１１５ｂの膜厚を変えることにより、調整することができる。

また、図２Ｄに示す発光デバイスのように、２つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）の間に電荷発生層１０６を設けることにより、複数のＥＬ層が一対の電極間に積層された構造（タンデム構造ともいう）とすることもできる。

＜電荷発生層＞
電荷発生層１０６は、第１の電極（陰極）１０１と第２の電極（陽極）１０２との間に電圧を印加したときに、ＥＬ層１０３ａに電子を注入し、ＥＬ層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１０６は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された構成（Ｐ型層ともいう）であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成（電子注入バッファ層ともいう）であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。さらに、Ｐ型層と電子注入バッファ層との間に電子リレー層が設けられていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層１０６を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

電荷発生層１０６において、有機化合物である正孔輸送性材料に、電子受容体が添加された構成（Ｐ型層）とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。なお、上述したアクセプター材料を用いても良い。また、Ｐ型層は、正孔輸送性材料と、電子受容体を混合してなる混合膜を用いても、正孔輸送性材料を含む単膜および電子受容体を含む単膜を積層して用いても良い。

また、電荷発生層１０６において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成（電子注入バッファ層）とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。

電荷発生層１０６において、Ｐ型層と電子注入バッファ層との間に電子リレー層を設ける場合、電子リレー層は少なくとも電子輸送性を有する物質を含み、電子注入バッファ層とＰ型層との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子リレー層に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電荷発生層１０６に接する電子輸送層に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。なお、電子リレー層に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

なお、図２Ｄでは、ＥＬ層１０３が２層積層された構成を示したが、異なるＥＬ層の間に電荷発生層を設けることにより３層以上のＥＬ層の積層構造としてもよい。

＜基板＞
本実施の形態で示した発光デバイスは、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。

なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、アクリル等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などが挙げられる。

なお、本実施の形態で示す発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、またはスピンコート法およびインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる場合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、または化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることができる。特に発光デバイスのＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ））、および電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

なお、上記塗布法、印刷法などの成膜方法を適用する場合において、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００~４０００）、無機化合物（量子ドット材料等）等を用いることができる。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。

本実施の形態で示す発光デバイスのＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）を構成する各機能層（正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ））、または電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）は、本実施の形態において示した材料に限られることはなく、それ以外の材料であっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置（表示パネルともいう）の具体的な構成例、および製造方法について説明する。

＜発光装置７００の構成例１＞
図３Ａに示す発光装置７００は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８を有する。また、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８は、第１の基板５１０上に設けられた機能層５２０上に形成される。機能層５２０には、複数のトランジスタで構成された駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤ、画素回路などの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。なお、これらの駆動回路は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒと、それぞれ電気的に接続され、これらを駆動することができる。また、発光装置７００は、機能層５２０および各発光デバイス上に絶縁層７０５を備え、絶縁層７０５は、第２の基板７７０と機能層５２０とを貼り合わせる機能を有する。なお、図面においては、隔壁５２８を設ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、隔壁５２８を設けない構成としてもよい。また、駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤについては、実施の形態３で後述する。

なお、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒは、実施の形態１で示したデバイス構造を有する。特に、図２Ａに示す構造におけるＥＬ層１０３が各発光デバイスで異なる場合を示す。

発光デバイス５５０Ｂは、電極５５１Ｂ、電極５５２、ＥＬ層１０３Ｂ、耐酸化層１０５Ｂ、およびブロック層１０７を有する。なお、各層の具体的な構成は実施の形態１に示す通りである。また、ＥＬ層１０３Ｂは、発光層１１３Ｂを含む複数の機能の異なる層からなる積層構造を有する。また、耐酸化層１０５ＢはＥＬ層１０３Ｂに含まれる。図３Ａでは、発光層１１３Ｂを含むＥＬ層１０３Ｂに含まれる層のうち、電子注入・輸送層１０４Ｂおよび耐酸化層１０５Ｂのみを図示するが、本発明はこれに限らない。なお、電子注入・輸送層１０４Ｂは、実施の形態１で示した電子注入層および電子輸送層の機能を有する層を示し、積層構造を有していても良い。なお、本明細書中では、いずれの発光デバイスにおいても電子注入・輸送層をこのように読み替えることができるとする。また、ホール注入・輸送層についても同様にホール注入層およびホール輸送層の機能を有する層であり、積層構造を有していても良いこととする。

また、ブロック層１０７は、電極５５１Ｂ上に形成されたＥＬ層１０３Ｂを覆って形成される。なお、図３Ａに示すようにＥＬ層１０３Ｂは、側面（または端部）を有する。したがって、ブロック層１０７は、ＥＬ層１０３Ｂの側面（または端部）に接して形成される。これにより、ＥＬ層１０３Ｂの側面から内部への酸素および水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。なお、ブロック層１０７には、実施の形態１で示した電子輸送性材料を用いることができる。ここで、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられており、電子輸送性材料を用いて形成されることから、ＥＬ層１０３Ｂの一部と見ることもできる。

また、電極５５２は、ブロック層１０７上に形成される。なお、電極５５１Ｂと電極５５２とは、互いに重なる領域を有する。また、電極５５１Ｂと電極５５２との間にＥＬ層１０３Ｂを有する。したがって、電極５５２が、ブロック層１０７を介してＥＬ層１０３Ｂの側面（または端部）と接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｂと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｂが有する、電子注入・輸送層１０４Ｂと電極５５２とが、電気的に短絡するのを防ぐことができる。したがって、ブロック層１０７は、電気抵抗の高い層を少なくとも有するのが好ましい。但し、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられることから、電気抵抗の低い層を少なくとも有するのが、より好ましい。したがって、ＥＬ層１０３Ｂと接する第１のブロック層１０７−１は電子輸送性材料のみからなる電気抵抗の高い層とし、電極５５２と接する第２のブロック層１０７−２は電子輸送性材料に金属イオンなどを膜中にドープしてなる、電気抵抗の低い層とし、これら第１のブロック層１０７−１および第２のブロック層１０７−２を少なくとも有する積層構造とすることが好ましい。但し、発光デバイスの特性を考慮すると、ＥＬ層１０３Ｂと第１のブロック層１０７−１との間に、第３のブロック層（図示せず）として、電子輸送性材料に金属イオンなどを膜中にドープしてなる、電気抵抗の低い層を設けることがより好ましい。

図３Ａに示すＥＬ層１０３Ｂは、実施の形態１で説明したＥＬ層１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃと同様の構成を有する。また、ＥＬ層１０３Ｂは、例えば、青色の光を射出することができる。

発光デバイス５５０Ｇは、電極５５１Ｇ、電極５５２、ＥＬ層１０３Ｇ、耐酸化層１０５Ｇ、およびブロック層１０７を有する。なお、各層の具体的な構成は実施の形態１に示す通りである。また、ＥＬ層１０３Ｇは、発光層１１３Ｇを含む複数の機能の異なる層からなる積層構造を有する。また、耐酸化層１０５ＧはＥＬ層１０３Ｇに含まれる。図３Ａでは、発光層１１３Ｇを含むＥＬ層１０３Ｇに含まれる層のうち、電子注入・輸送層１０４Ｇおよび耐酸化層１０５Ｇのみを図示するが、本発明はこれに限らない。なお、電子注入・輸送層１０４Ｇは、実施の形態１で示した電子注入層および電子輸送層の機能を有する層を示し、積層構造を有していても良い。

また、ブロック層１０７は、電極５５１Ｇ上に形成されたＥＬ層１０３Ｇを覆って形成される。なお、図３Ａに示すようにＥＬ層１０３Ｇは、側面（または端部）を有する。したがって、ブロック層１０７は、ＥＬ層１０３Ｇの側面（または端部）にも接して形成される。これにより、ＥＬ層１０３Ｇの側面から内部への酸素および水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。なお、ブロック層１０７には、実施の形態１で示した電子輸送性材料を用いることができる。

また、電極５５２は、ブロック層１０７上に形成される。なお、電極５５１Ｇと電極５５２とは、互いに重なる領域を有する。また、電極５５１Ｇと電極５５２との間にＥＬ層１０３Ｇを有する。したがって、電極５５２が、ブロック層１０７を介してＥＬ層１０３Ｇの側面と接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｇと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｇが有する、電子注入・輸送層１０４Ｇと電極５５２とが、電気的に短絡するのを防ぐことができる。

図３Ａに示すＥＬ層１０３Ｇは、実施の形態１で説明したＥＬ層１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃと同様の構成を有する。また、ＥＬ層１０３Ｇは、例えば、緑色の光を射出することができる。

発光デバイス５５０Ｒは、電極５５１Ｒ、電極５５２、ＥＬ層１０３Ｒ、耐酸化層１０５Ｒ、およびブロック層１０７を有する。なお、各層の具体的な構成は実施の形態１に示す通りである。また、ＥＬ層１０３Ｒは、発光層１１３Ｒを含む複数の機能の異なる層からなる積層構造を有する。また、耐酸化層１０５ＲはＥＬ層１０３Ｒに含まれる。図３Ａでは、発光層１１３Ｒを含むＥＬ層１０３Ｒに含まれる層のうち、電子注入・輸送層１０４Ｒおよび耐酸化層１０５Ｒのみを図示するが、本発明はこれに限らない。なお、電子注入・輸送層１０４Ｒは、実施の形態１で示した電子注入層および電子輸送層の機能を有する層を示し、積層構造を有していても良い。

また、ブロック層１０７は、電極５５１Ｒ上に形成されたＥＬ層１０３Ｒを覆って形成される。なお、図３Ａに示すようにＥＬ層１０３Ｒは、側面（または端部）を有する。したがって、ブロック層１０７は、ＥＬ層１０３Ｒの側面（または端部）にも接して形成される。これにより、ＥＬ層１０３Ｒの側面から内部への酸素および水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。なお、ブロック層１０７には、実施の形態１で示した電子輸送性材料を用いることができる。

また、電極５５２は、ブロック層１０７上に形成される。なお、電極５５１Ｒと電極５５２とは、互いに重なる領域を有する。また、電極５５１Ｒと電極５５２との間にＥＬ層１０３Ｒを有する。したがって、電極５５２が、ブロック層１０７を介してＥＬ層１０３Ｒの側面と接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｒと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｒが有する、電子注入・輸送層１０４Ｒと電極５５２とが、電気的に短絡するのを防ぐことができる。

図３Ａに示すＥＬ層１０３Ｒは、実施の形態１で説明したＥＬ層１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃと同様の構成を有する。また、ＥＬ層１０３Ｒは、例えば、赤色の光を射出することができる。

ＥＬ層１０３Ｂ、ＥＬ層１０３Ｇ、およびＥＬ層１０３Ｒの間には、それぞれ間隙５８０を有する。各ＥＬ層において、特に陰極と発光層１１３との間に位置する電子輸送領域に含まれる電子注入層は、導電率が高いことが多いため、隣り合う発光デバイスに共通する層として形成されると、クロストークの原因となる場合がある。したがって、本構成例で示すように各ＥＬ層の間に、間隙５８０を設けることにより、隣り合う発光デバイス間で生じるクロストークの発生を抑制することが可能となる。

１０００ｐｐｉを超える高精細な発光装置（表示パネル）において、ＥＬ層１０３Ｂ、ＥＬ層１０３Ｇ、およびＥＬ層１０３Ｒとの間に電気的な導通が認められると、クロストーク現象が発生し、発光装置の表示可能な色域が狭くなってしまう。１０００ｐｐｉを超える高精細な表示パネル、好ましくは２０００ｐｐｉを超える高精細な表示パネル、より好ましくは５０００ｐｐｉを超える超高精細な表示パネルに間隙５８０を設けることで、鮮やかな色彩を表示可能な表示パネルを提供できる。

図３Ｂに示すように、隔壁５２８は、開口部５２８Ｂ、開口部５２８Ｇ、開口部５２８Ｒを備える。なお、図３Ａに示すように、開口部５２８Ｂは、電極５５１Ｂと重なり、開口部５２８Ｇは電極５５１Ｇと重なり、開口部５２８Ｒは、電極５５１Ｒと重なる。

なお、これらのＥＬ層（ＥＬ層１０３Ｂ、ＥＬ層１０３Ｇ、およびＥＬ層１０３Ｒ）の分離加工において、フォトリソグラフィ法によるパターン形成を行っているため、高精細な発光装置（表示パネル）を作製することができる。また、フォトリソグラフィ法によるパターン形成により加工されたＥＬ層の端部（ＥＬ層を構成する積層構造の側面）は、概略同一表面を有する（または、概略同一平面上に位置する）形状となる。また、この時、各ＥＬ層の間に設けられる間隙５８０の幅は、５μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましい。

ＥＬ層において、特に陰極と発光層との間に位置する電子輸送領域に含まれる電子注入層は、導電率が高いことが多いため、隣り合う発光デバイスに共通する層として形成されると、クロストークの原因となる場合がある。したがって、本構成例で示すようにフォトリソグラフィ法によるパターン形成によりＥＬ層を分離加工することにより、隣り合う発光デバイス間で生じるクロストークの発生を抑制することが可能となる。

＜発光装置の製造方法の例１＞
図４Ａに示すように、電極５５１Ｂ、電極５５１Ｇ、および電極５５１Ｒを形成する。例えば、第１の基板５１０上に形成された機能層５２０上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、所定の形状に加工する。

なお、導電膜の形成には、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いることができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、または熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

また、導電膜の加工には、上述したフォトリソグラフィ法以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などを用いてもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。なお、ここで島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた層と平面的に見て分離されている状態を指す。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に代えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

レジストマスクを用いた薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

次に、図４Ｂに示すように、電極５５１Ｂおよび電極５５１Ｇの間に隔壁５２８を形成する。例えば、電極５５１Ｂ、電極５５１Ｇ、および電極５５１Ｒを覆う絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて開口部を形成し、電極５５１Ｂ、電極５５１Ｇ、および電極５５１Ｒの一部を露出させることにより隔壁５２８を形成することができる。なお、隔壁５２８に用いることができる材料としては、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等が挙げられる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等、またはこれらから選ばれた複数の膜を積層した積層材料、より具体的には、酸化珪素膜、アクリルを含む膜またはポリイミドを含む膜等、またはこれらから選ばれた複数の膜を積層した積層材料を用いることができる。

次に、図５Ａに示すように、電極５５１Ｂ、電極５５１Ｇ、電極５５１Ｒ、および隔壁５２８上にＥＬ層１０３Ｂを形成する。なお、本構成例において、ＥＬ層１０３Ｂは、発光層１１３Ｂ、電子注入・輸送層１０４Ｂ、および耐酸化層１０５Ｂを含む。例えば、真空蒸着法を用いて、電極５５１Ｂ、電極５５１Ｇ、電極５５１Ｒ、および隔壁５２８を覆うようにＥＬ層１０３Ｂを形成する。

なお、耐酸化層１０５Ｂは、耐酸化性の材料を用いて形成される。具体的には、実施の形態１において、ＥＬ層の電荷発生層に用いることができる材料として挙げた、有機化合物である正孔輸送性材料に、電子受容体（アクセプター）材料が添加された複合材料、または正孔輸送性材料と電子受容体材料の積層構造を用いることができる。また、電子受容体材料として、実施の形態１において、正孔注入層に用いる有機アクセプター材料として挙げた材料を用いることができる。電子受容体材料として金属酸化物を用いることで耐酸化性を向上させることができる。

金属酸化物として、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。また、有機化合物としては、正孔輸送性材料として挙げられている材料を用いることができる。

なお、耐酸化層１０５Ｂに含まれる金属酸化物と有機化合物との組成を所定の値にすることで、この後の工程で耐酸化層１０５Ｂ上にレジストが形成された際に耐酸化層１０５Ｂが溶出するのを抑制することができる。なお、耐酸化層１０５Ｂに用いる、金属酸化物と有機化合物との組成としては、耐酸化層１０５Ｂの膜厚と透過率を考慮した上で、金属酸化物の重量に対して、有機化合物の重量を１００分の１倍から１００倍とすると好ましく、２０分の１倍から２０倍とするとより好ましい。

次に、図５Ｂに示すように、電極５５１Ｂ上のＥＬ層１０３Ｂを所定の形状に加工する。例えば、フォトリソグラフィ法を用いてレジストを形成し、電極５５１Ｇ上のＥＬ層１０３Ｇおよび電極５５１Ｒ上のＥＬ層１０３Ｒをエッチングにより取り除いて、側面を有する（または側面が露出する）形状、または紙面と交差する方向に延びる帯状の形状、に加工する。具体的には、電極５５１Ｂと重なるＥＬ層１０３Ｂ上に形成したレジストＲＥＧを用い、ドライエッチングを行う（図５Ｂ参照）。なお、隔壁５２８をエッチングストッパーに用いることができる。なお、本実施の形態において、各ＥＬ層をフォトリソグラフィ法によりパターン形成する場合には、公知の方法を適用すればよい。すなわち、有機材料に適した公知のレジスト材料を用いれば良く、具体的には水系の溶媒に溶解するレジスト材料が挙げられる。

次に、図５Ｃに示すように、レジストＲＥＧを形成した状態で、レジストＲＥＧ、電極５５１Ｇ、電極５５１Ｒ、および隔壁５２８上にＥＬ層１０３Ｇ（発光層１１３Ｇ、電子注入・輸送層１０４Ｇ、および耐酸化層１０５Ｇを含む。）を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて、電極５５１Ｇ、電極５５１Ｒ、および隔壁５２８を覆うようにＥＬ層１０３Ｇを形成する。なお、耐酸化層１０５Ｇは、耐酸化層１０５Ｂと同様に金属酸化物と有機化合物（正孔輸送性材料）を含む複合材料を用いて形成される。

次に、図６Ａに示すように、電極５５１Ｇ上のＥＬ層１０３Ｇを所定の形状に加工する。例えば、フォトリソグラフィ法を用いてＥＬ層１０３Ｇ上にレジストを形成し、エッチングにより電極５５１Ｂ上のＥＬ層１０３Ｇ、および電極５５１Ｒ上のＥＬ層１０３Ｇを取り除いて、側面を有する（または側面が露出する）形状、または紙面と交差する方向に延びる帯状の形状に加工する。具体的には、電極５５１Ｇと重なるＥＬ層１０３Ｇ上に形成したレジストＲＥＧを用い、ドライエッチングを行う。なお、隔壁５２８をエッチングストッパーに用いることができる。

次に、図６Ｂに示すように、電極５５１Ｂおよび電極５５１Ｇ上にレジストＲＥＧを形成した状態で、レジストＲＥＧ、電極５５１Ｒ、および隔壁５２８上にＥＬ層１０３Ｒ（発光層１１３Ｒ、電子注入・輸送層１０４Ｒ、および耐酸化層１０５Ｒを含む。）を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて、電極５５１Ｒ、レジストＲＥＧ、および隔壁５２８を覆うようにＥＬ層１０３Ｒを形成する。なお、耐酸化層１０５Ｒは、耐酸化層１０５Ｂと同様に金属酸化物と有機化合物（正孔輸送性材料）を含む複合材料を用いて形成される。

次に、図６Ｃに示すように、電極５５１Ｒ上のＥＬ層１０３Ｒを所定の形状に加工する。例えば、フォトリソグラフィ法を用いてＥＬ層１０３Ｒ上にレジストを形成し、電極５５１Ｂ上のＥＬ層１０３Ｒ、および電極５５１Ｇ上のＥＬ層１０３Ｒを取り除いて、側面を有する（または側面が露出する）形状、または紙面と交差する方向に延びる帯状の形状に加工する。具体的には、電極５５１Ｒと重なるＥＬ層１０３Ｒ上に形成したレジストＲＥＧを用い、ドライエッチングを行う。なお、隔壁５２８をエッチングストッパーに用いることができる。

なお、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図６Ａ、図６Ｂ、および図６Ｃに示す通り、最初に、電極５５１Ｂ上にホール注入・輸送層１０４Ｂ、発光層１１３Ｂ、および電子輸送層１０８Ｂを形成し、次に、電極５５１Ｇ上にホール注入・輸送層１０４Ｇ、発光層１１３Ｇ、および電子輸送層１０８Ｇを形成し、最後に、電極５５１Ｒ上に、ホール注入・輸送層１０４Ｒ、発光層１１３Ｒ、および電子輸送層１０８Ｒを形成するのが好ましい。

上述の工程において、電極５５１Ｇ上のホール注入・輸送層１０４Ｂ、発光層１１３Ｂ、および電子輸送層１０８Ｂおよび電極５５１Ｒ上のホール注入・輸送層１０４Ｂ、発光層１１３Ｂ、および電子輸送層１０８Ｂをエッチングにより取り除く際、電極５５１Ｇおよび電極５５１Ｒの表面がエッチングガスに曝される。また、電極５５１Ｒ上のホール注入・輸送層１０４Ｇ、発光層１１３Ｇ、および電子輸送層１０８Ｇをエッチングにより取り除く際、電極５５１の表面がエッチングガスに曝される。従って、電極５５１Ｂの表面はエッチングガスに曝されないが、電極５５１Ｇの表面は１度エッチングガスに曝され、電極５５１Ｒの表面は２度エッチングガスに曝されることとなる。

電極の表面がエッチングガスに曝されることにより、電極の表面に損傷が発生する場合がある。また、表面に損傷が発生した電極を用いて発光デバイスを形成することで、発光デバイスの特性が悪化する場合がある。なお、電極の表面状態が発光デバイスの特性に影響する度合いは、発光デバイスの構造、用いる材料などに左右される。発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒを比較すると、電極の表面状態が最も影響しやすいのが、発光デバイス５５０Ｂの場合がある。

この場合、最初に電極５５１Ｂ上にホール注入・輸送層１０４Ｂ、発光層１１３Ｂ、および電子輸送層１０８Ｂを形成することで、電極５５１Ｂの表面がエッチングガスに曝されるのを防ぎ、電極の表面状態が最も影響しやすい発光デバイス５５０Ｂの特性悪化を防ぐことができる。

次に、図７Ａに示すように、耐酸化層１０５Ｂ、耐酸化層１０５Ｇ、耐酸化層１０５Ｒ、および隔壁５２８上にブロック層１０７を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて、耐酸化層１０５Ｂ、耐酸化層１０５Ｇ、耐酸化層１０５Ｒ、および隔壁５２８を覆うようにブロック層１０７を形成する。この場合、ブロック層１０７は、図７Ａに示すように各ＥＬ層（１０３Ｂ、１０３Ｇ、１０３Ｒ）の側面に接して形成される。これにより、各ＥＬ層（１０３Ｂ、１０３Ｇ、１０３Ｒ）の側面から内部への酸素および水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。なお、ブロック層１０７には、実施の形態１で示した電子輸送性材料を用いることができる。ここで、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられており、電子輸送性材料を用いて形成されることから、ＥＬ層１０３Ｂの一部と見ることもできる。

次に、図７Ｂに示すように、ブロック層１０７上に電極５５２を形成する。電極５５２は、例えば、真空蒸着法を用いて形成する。なお、電極５５２が、ブロック層１０７を介して各ＥＬ層（１０３Ｂ、１０３Ｇ、１０３Ｒ）の側面と接する構造を有する。これにより、各ＥＬ層（１０３Ｂ、１０３Ｇ、１０３Ｒ）と電極５５２、より具体的には、各ＥＬ層（１０３Ｂ、１０３Ｇ、１０３Ｒ）がそれぞれ有する電子注入・輸送層（１０４Ｂ、１０４Ｇ、１０４Ｒ）と電極５５２とが、電気的に短絡するのを防ぐことができる。但し、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられることから、ＥＬ層と接する第１のブロック層１０７−１は電子輸送性材料のみからなる電気抵抗の高い層とし、電極と接する第２のブロック層１０７−２は電子輸送性材料に金属イオンなどを膜中にドープしてなる、電気抵抗の低い層とし、これら第１のブロック層１０７−１および第２のブロック層１０７−２を少なくとも有する積層構造とすることが好ましい。

以上の工程により、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒにおける、ＥＬ層１０３Ｂ、ＥＬ層１０３Ｇ、およびＥＬ層１０３Ｒをそれぞれ分離加工することができる。

なお、これらのＥＬ層（ＥＬ層１０３Ｂ、ＥＬ層１０３Ｇ、およびＥＬ層１０３Ｒ）の分離加工において、フォトリソグラフィ法によるパターン形成を行っているため、高精細な発光装置（表示パネル）を作製することができる。また、フォトリソグラフィ法によるパターン形成により加工されたＥＬ層の端部（ＥＬ層を構成する積層構造の側面）は、概略同一表面を有する（または、概略同一平面上に位置する）形状となる。

本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いないデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。また、本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の発光装置を実現することができる。

また、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つのＥＬ層を有し、当該ＥＬ層は、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上のＥＬ層を有し、各ＥＬ層は、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数のＥＬ層の発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数のＥＬ層の間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。

また、上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

＜発光装置７００の構成例２＞
図８に示す発光装置７００は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８を有する。また、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８は、第１の基板５１０上に設けられた機能層５２０上に形成される。機能層５２０には、複数のトランジスタで構成された駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤなどの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。なお、これらの駆動回路は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒと、それぞれ電気的に接続され、これらを駆動することができる。

なお、図８に示す各発光デバイスの具体的な構成は、図３で説明した、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと同じである。

図８に示すように、各発光デバイス間、例えば、発光デバイス５５０Ｂと、発光デバイス５５０Ｇとの間には、間隙５８０を有する。したがって、この間隙５８０に絶縁層５４０を形成する構成を有する。

例えば、フォトリソグラフィ法によるパターン形成により、ＥＬ層１０３Ｂ（正孔注入・輸送層１０４Ｂ、および耐酸化層１０５Ｂを含む。）、ＥＬ層１０３Ｇ（正孔注入・輸送層１０４Ｇ、および耐酸化層１０５Ｇを含む。）、およびＥＬ層１０３Ｒ（正孔注入・輸送層１０４Ｒ、および耐酸化層１０５Ｒを含む。）をそれぞれ分離形成した後、フォトリソグラフィ法によるパターン形成により、隔壁５２８上の間隙５８０に絶縁層５４０を形成することができる。さらに、ＥＬ層（１０３Ｂ、１０３Ｇ、１０３Ｒ）および絶縁層５４０上に電極５５２を形成することができる。

なお、本構成の場合には、各ＥＬ層が絶縁層５４０で分離されるため、構成例１で示したブロック層（図３の１０７−１および１０７−２の積層構成）は不要となる。

また、本構成の各ＥＬ層（ＥＬ層１０３Ｂ、ＥＬ層１０３Ｇ、およびＥＬ層１０３Ｒ）は、分離加工において、フォトリソグラフィ法によるパターン形成を行っているため、加工されたＥＬ層の端部（ＥＬ層を構成する積層構造の側面）が概略同一表面を有する（または、概略同一平面上に位置する）形状となる。

ＥＬ層において、特に陽極と発光層との間に位置する正孔輸送領域に含まれる正孔注入層は、導電率が高いことが多いため、隣り合う発光デバイスに共通する層として形成されると、クロストークの原因となる場合がある。したがって、本構成例で示すようにフォトリソグラフィ法によるパターン形成によりＥＬ層を分離加工することにより、隣り合う発光デバイス間で生じるクロストークの発生を抑制することが可能となる。

＜発光装置７００の構成例３＞
図９Ａに示す発光装置７００は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８を有する。また、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８は、第１の基板５１０上に設けられた機能層５２０上に形成される。機能層５２０には、複数のトランジスタで構成された駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤなどの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。なお、これらの駆動回路は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと、それぞれ電気的に接続され、これらを駆動することができる。

なお、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒは、実施の形態１で示したデバイス構造を有する。特に、各発光デバイスが、図２Ｂに示す構造、いわゆるタンデム構造を有するＥＬ層１０３を共通して有する場合を示す。

発光デバイス５５０Ｂは、電極５５１Ｂ、電極５５２、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）、電荷発生層１０６Ｂ、耐酸化層１０５Ｂ、およびブロック層１０７を有し、図９Ａに示す積層構造を有する。なお、各層の具体的な構成は実施の形態１に示す通りである。また、電極５５１Ｂと電極５５２とは、重なる。また、ＥＬ層１０３ＰとＥＬ層１０３Ｑは、電荷発生層１０６Ｂを挟んで積層され、かつ電極５５１Ｂと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｂを有する。なお、ＥＬ層１０３Ｐ、１０３Ｑは、実施の形態１で説明したＥＬ層１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃと同様に、発光層（１１３Ｐ、１１３Ｑ）を含む複数の機能の異なる層からなる積層構造を有する。また、ＥＬ層１０３Ｐは、例えば、青色の光を射出することができ、ＥＬ層１０３Ｑは、例えば、黄色の光を射出することができる。

図９Ａでは、ＥＬ層１０３Ｐに含まれる層のうち、発光層１１３Ｐ、および電子注入・輸送層１０４Ｐのみを図示し、ＥＬ層１０３Ｑに含まれる層のうち、発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑおよび耐酸化層１０５Ｑのみを図示する。したがって、以降では、各ＥＬ層に含まれる層も含めて説明できる場合は、便宜上、ＥＬ層（ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ）を用いて説明する。

また、ブロック層１０７は、電極５５１Ｂ上に形成された、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｂ、を覆って形成される。なお、図９Ａに示すように、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｂは、側面（または端部）を有する。したがって、ブロック層１０７は、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｂ、それぞれの側面（または端部）に接して形成される。これにより、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｂ、それぞれの側面から内部への酸素および水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。なお、ブロック層１０７には、実施の形態１で示した電子輸送性材料を用いることができる。ここで、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられており、電子輸送性材料を用いて形成されることから、ＥＬ層１０３Ｂの一部と見ることもできる。

また、電極５５２は、ブロック層１０７上に形成される。なお、電極５５１Ｂと電極５５２とは、重なる。また、電極５５１Ｂと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｂ、を有する。したがって、電極５５２が、ブロック層１０７を介して、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｂの側面（または端部）と接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｐと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｐが有する、電子注入・輸送層１０４Ｐと電極５５２、ＥＬ層１０３Ｑと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｑが有する、電子注入・輸送層１０４Ｑと電極５５２、または電荷発生層１０６Ｂと電極５５２、とが、電気的に短絡するのを防ぐことができる。但し、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられることから、ＥＬ層と接する第１のブロック層１０７−１は電子輸送性材料のみからなる電気抵抗の高い層とし、電極と接する第２のブロック層１０７−２は電子輸送性材料に金属イオンなどを膜中にドープしてなる、電気抵抗の低い層とし、これら第１のブロック層１０７−１および第２のブロック層１０７−２を少なくとも有する積層構造とすることが好ましい。

発光デバイス５５０Ｇは、電極５５１Ｇ、電極５５２、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ（耐酸化層１０５Ｑを含む））、電荷発生層１０６Ｇ、耐酸化層１０５Ｇ、およびブロック層１０７を有し、図９Ａに示す積層構造を有する。なお、各層の具体的な構成は実施の形態１に示す通りである。また、電極５５１Ｇと電極５５２とは、重なる。また、ＥＬ層１０３ＰとＥＬ層１０３Ｑは、電荷発生層１０６Ｇを挟んで積層され、かつ電極５５１Ｇと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｇを有する。

また、ブロック層１０７は、電極５５１Ｇ上に形成されたＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｇ、を覆って形成される。なお、図９Ａに示すように、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｇは、側面（または端部）を有する。したがって、ブロック層１０７は、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｇ、それぞれの側面（または端部）に接して形成される。これにより、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｇ、それぞれの側面から内部への酸素および水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。なお、ブロック層１０７には、実施の形態１で示した電子輸送性材料を用いることができる。ここで、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられており、電子輸送性材料を用いて形成されることから、ＥＬ層１０３Ｂの一部と見ることもできる。

また、電極５５２は、ブロック層１０７上に形成される。なお、電極５５１Ｇと電極５５２とは、重なる。また、電極５５１Ｇと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｇ、を有する。したがって、電極５５２が、ブロック層１０７を介して、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｇの側面（または端部）と接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｐと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｐが有する、電子注入・輸送層１０４Ｐと電極５５２、ＥＬ層１０３Ｑと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｑが有する、電子注入・輸送層１０４Ｑと電極５５２、または電荷発生層１０６Ｇと電極５５２、とが、電気的に短絡するのを防ぐことができる。但し、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられることから、ＥＬ層と接する第１のブロック層１０７−１は電子輸送性材料のみからなる電気抵抗の高い層とし、電極と接する第２のブロック層１０７−２は電子輸送性材料に金属イオンなどを膜中にドープしてなる、電気抵抗の低い層とし、これら第１のブロック層１０７−１および第２のブロック層１０７−２を少なくとも有する積層構造とすることが好ましい。

発光デバイス５５０Ｒは、電極５５１Ｒ、電極５５２、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）、電荷発生層１０６Ｒ、耐酸化層１０５Ｒ、およびブロック層１０７を有し、図９Ａに示す積層構造を有する。なお、各層の具体的な構成は実施の形態１に示す通りである。また、電極５５１Ｒと電極５５２とは、重なる。また、ＥＬ層１０３ＰとＥＬ層１０３Ｑは、電荷発生層１０６Ｒを挟んで積層され、かつ電極５５１Ｒと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｒを有する。

また、ブロック層１０７は、電極５５１Ｒ上に形成された、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｒ、を覆って形成される。なお、図９Ａに示すように、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｒは、側面（または端部）を有する。したがって、ブロック層１０７は、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｒ、それぞれの側面（または端部）に接して形成される。これにより、ＥＬ層１０３Ｐ、ＥＬ層１０３Ｑ、および電荷発生層１０６Ｒ、それぞれの側面から内部への酸素および水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。なお、ブロック層１０７には、実施の形態１で示した電子輸送性材料を用いることができる。ここで、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられており、電子輸送性材料を用いて形成されることから、ＥＬ層１０３Ｂの一部と見ることもできる。

また、電極５５２は、ブロック層１０７上に形成される。なお、電極５５１Ｒと電極５５２とは、重なる。また、電極５５１Ｒと電極５５２との間に、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）、および電荷発生層１０６Ｒを有する。なお、電極５５２が、ブロック層１０７を介して、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）、および電荷発生層１０６Ｒの側面（または端部）と接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｐと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｐが有する、電子注入・輸送層１０４Ｐと電極５５２、ＥＬ層１０３Ｑと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｑが有する、電子注入・輸送層１０４Ｑと電極５５２、または電荷発生層１０６Ｒと電極５５２、とが、電気的に短絡するのを防ぐことができる。但し、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられることから、ＥＬ層と接する第１のブロック層１０７−１は電子輸送性材料のみからなる電気抵抗の高い層とし、電極と接する第２のブロック層１０７−２は電子輸送性材料に金属イオンなどを膜中にドープしてなる、電気抵抗の低い層とし、これら第１のブロック層１０７−１および第２のブロック層１０７−２を少なくとも有する積層構造とすることが好ましい。

なお、各発光デバイスが有する、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）、および電荷発生層１０６Ｒを発光デバイスごとに分離加工する際、フォトリソグラフィ法によるパターン形成を行うため、加工されたＥＬ層の端部（ＥＬ層を構成する積層構造の側面）が概略同一表面を有する（または、概略同一平面上に位置する）形状となる。

各発光デバイスがそれぞれ有する、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）、および電荷発生層１０６Ｒは、隣り合う発光デバイスとの間に、それぞれ間隙５８０を有する。ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）における電子輸送領域に含まれる電子注入層および電荷発生層１０６Ｒは、導電率が高いことが多いため、隣り合う発光デバイスに共通する層として形成されると、クロストークの原因となる場合がある。したがって、本構成例で示すように間隙５８０を設けることにより、隣り合う発光デバイス間で生じるクロストークの発生を抑制することが可能となる。

本構成例において、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒは、いずれも白色の光を射出する。したがって、第２の基板７７０は、着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲを有する。なお、これらの着色層は、図９Ａに示すように一部を重ねて設けても良い。一部を重ねて設けることで重ねた部分を遮光膜として機能させることもできる。本構成例では、例えば、着色層ＣＦＢには、青色の光（Ｂ）を優先的に透過する材料を用い、着色層ＣＦＧには、緑色の光（Ｇ）を優先的に透過する材料を用い、着色層ＣＦＲには、赤色の光（Ｒ）を優先的に透過する材料を用いる。

図９Ｂには、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇおよび発光デバイス５５０Ｒが、白色の光を射出する発光デバイスである場合における、発光デバイス５５０Ｂの構成を示す。電極５５１Ｂ上にＥＬ層１０３ＰおよびＥＬ層１０３Ｑが、電荷発生層１０６Ｂを挟んで積層される。また、ＥＬ層１０３Ｐは、発光層１１３Ｐとして、例えば、青色の光ＥＬ（１）を射出する発光層１１３Ｂを有し、ＥＬ層１０３Ｑは、発光層１１３Ｑとして、例えば、緑色の光ＥＬ（２）を射出する発光層１１３Ｇおよび赤色の光ＥＬ（３）を射出する発光層１１３Ｒを有する。

なお、上記の着色層に換えて色変換層を用いることができる。例えば、ナノ粒子、量子ドットなどを色変換層に用いることができる。

例えば、着色層ＣＦＧに換えて、青色の光を緑色の光に変換する色変換層を用いることができる。これにより、発光デバイス５５０Ｇが射出する青色の光を緑色の光に変換することができる。また、着色層ＣＦＲに換えて青色の光を赤色の光に変換する色変換層を用いることができる。これにより、発光デバイス５５０Ｒが射出する青色の光を赤色の光に変換することができる。

＜発光装置７００の構成例４＞
図１０に示す発光装置（表示パネル）７００は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８を有する。また、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８は、第１の基板５１０上に設けられた機能層５２０上に形成される。機能層５２０には、複数のトランジスタで構成された駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤなどの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。なお、これらの駆動回路は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと電気的に接続され、これらを駆動することができる。

なお、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒは、実施の形態１で示したデバイス構造を有する。特に、各発光デバイスが、図２Ｂに示す構造、いわゆるタンデム構造を有するＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）を共通して有する場合に適する。

なお、図１０に示す各発光デバイスの具体的な構成は、図９で説明した、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと同じであり、いずれも白色の光を射出する。

なお、本構成例で示す発光装置は、第１の基板５１０上に形成される各発光デバイス上に形成される着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲを有する点で、図９に示す発光装置の構成と異なる。

すなわち、第１の基板５１０上に形成される各発光デバイスの電極５５２上に第１の絶縁層５７３を有し、第１の絶縁層５７３上に着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲを有する。

さらに、着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲ上に第２の絶縁層７０５を有する。第２の絶縁層７０５は、機能層５２０、各発光デバイス（５５０Ｂ、５５０Ｇ、５５０Ｒ）、および着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲを有する、第１の基板５１０の着色層（ＣＦＢ、ＣＦＧ、ＣＦＲ）側で、第２の基板７７０と挟まれる領域を備え、第１の基板５１０および第２の基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

なお、上記第１の絶縁層５７３および第２の絶縁層７０５は、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を用いることができる。

なお、無機材料としては、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層構造を用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層構造を含む膜を用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。または、酸化物半導体（例えば、ＩＧＺＯ膜など）として、酸化アルミニウム膜と、当該酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜との積層構造などを用いることができる。

また、有機材料としては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを用いることができる。または、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を用いることができる。

＜発光装置の製造方法の例２＞
次に、図１０に示した、発光装置の作製方法を図１１および図１２を用いて説明する。

図１１Ａに示すように、第１の基板５１０上に形成された、電極（５５１Ｂ、５５１Ｇ、５５１Ｒ）および隔壁５２８（図４参照）を覆うようにＥＬ層１０３Ｐ（発光層１１３Ｐ、電子注入・輸送層１０４Ｐを含む）、電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）、およびＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）を形成する。

なお、ＥＬ層１０３Ｑに含まれる耐酸化層１０５Ｑは、耐酸化性の材料を用いて形成される。具体的には、実施の形態１において、ＥＬ層の電荷発生層に用いることができる材料として挙げた、有機化合物である正孔輸送性材料に、電子受容体（アクセプター）材料が添加された複合材料、または正孔輸送性材料と電子受容体材料の積層を用いることができる。また、電子受容体材料として、実施の形態１において、正孔注入層に用いる有機アクセプター材料として挙げた材料を用いることができる。電子受容体材料として金属酸化物を用いることで耐酸化性を向上させることができる。

なお、耐酸化層１０５に含まれる金属酸化物と有機化合物との組成を所定の値にすることで、この後の工程で耐酸化層１０５上にレジストが形成された際に耐酸化層１０５が溶出するのを抑制することができる。なお、耐酸化層１０５に用いる、金属酸化物と有機化合物との組成としては、耐酸化層１０５の膜厚と透過率を考慮した上で、金属酸化物の重量に対して、有機化合物の重量を１００分の１倍から１００倍とすると好ましく、２０分の１倍から２０倍とするとより好ましい。

次に、図１１Ｂに示すように、電極（５５１Ｂ、５５１Ｇ、５５１Ｒ）上のＥＬ層１０３Ｐ（発光層１１３Ｐ、電子注入・輸送層１０４Ｐを含む）、電荷発生層１０６、およびＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）を所定の形状に加工する。例えば、フォトリソグラフィ法を用いて電極（５５１Ｂ、５５１Ｇ、５５１Ｒ）上のＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）上にレジストＲＥＧを形成し、エッチングにより、上部にレジストＲＥＧが形成されていない、ＥＬ層１０３Ｐ（発光層１１３Ｐ、電子注入・輸送層１０４Ｐを含む）、電荷発生層１０６、およびＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）を取り除いて、側面を有する（または側面が露出する）形状、または紙面と交差する方向に延びる帯状の形状に加工する。具体的には、ＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）上に形成したレジストＲＥＧを用い、ドライエッチングを行う（図１１Ｃ参照）。なお、隔壁５２８をエッチングストッパーに用いることができる。

以上により、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０ＲのＥＬ層１０３Ｐ（発光層１１３Ｐ、電子注入・輸送層１０４Ｐを含む）、電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）、およびＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）を一度のフォトリソグラフィ法によるパターン形成で、それぞれ分離して形成することができる。

次に、図１２Ａに示すように、ＥＬ層１０３Ｐ（発光層１１３Ｐ、電子注入・輸送層１０４Ｐを含む）、電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）、およびＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）、および隔壁５２８上にブロック層１０７および電極５５２を形成する。例えば、真空蒸着法を用いてブロック層１０７および電極５５２を形成する。

ブロック層１０７に用いる材料としては、実施の形態１で説明した電子輸送性材料を用いることができる。ここで、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｐとの間に設けられており、電子輸送性材料を用いて形成されることから、ＥＬ層１０３Ｐの一部と見ることもできる。

なお、ブロック層１０７は、ＥＬ層１０３Ｐ（発光層１１３Ｐ、電子注入・輸送層１０４Ｐを含む）、電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）、およびＥＬ層１０３Ｐ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｐ、耐酸化層１０５を含む）をエッチング加工した際に露出した側面にも形成される。

また、電極５５２は、ブロック層１０７上に形成される。なお、電極５５２が、ブロック層１０７を介してＥＬ層１０３Ｐ（発光層１１３Ｐ、電子注入・輸送層１０４Ｐを含む）、電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）、およびＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）の側面とそれぞれ接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｐと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｐが有する、電子注入・輸送層１０４Ｐと電極５５２、ＥＬ層１０３Ｑと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｑが有する、電子注入・輸送層１０４Ｑと電極５５２、または電荷発生層１０６Ｒと電極５５２、とが、電気的に短絡するのを防ぐことができる。但し、ブロック層１０７は、電極５５１ＢとＥＬ層１０３Ｂとの間に設けられることから、ＥＬ層と接する第１のブロック層１０７−１は電子輸送性材料のみからなる電気抵抗の高い層とし、電極と接する第２のブロック層１０７−２は電子輸送性材料に金属イオンなどを膜中にドープしてなる、電気抵抗の低い層とし、これら第１のブロック層１０７−１および第２のブロック層１０７−２を少なくとも有する積層構造とすることが好ましい。

次に、絶縁膜５７３、着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ並びに着色層ＣＦＲ、絶縁膜７０５を形成する（図１２Ｂ参照）。

例えば、平坦な膜と緻密な膜を積層して絶縁膜５７３を形成する。具体的には、塗布法を用いて平坦な膜を形成し、化学気相成長法または原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを用いて緻密な膜を平坦な膜の上に積層する。これにより、欠陥の少ない良質な絶縁膜５７３を形成することができる。

例えば、カラーレジストを用いて、着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧおよび着色層ＣＦＲを所定の形状に形成する。なお、隔壁５２８上で、着色層ＣＦＲおよび着色層ＣＦＢが重なるように加工する。これにより、隣接する発光デバイスが射出する光が回り込んでしまう現象を抑制できる。

絶縁層７０５は、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を用いることができる。

なお、各発光デバイスが有する、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）、および電荷発生層１０６Ｒを発光デバイスごとに分離加工する際、フォトリソグラフィ法によるパターン形成を行うため、高精細な発光装置（表示パネル）を作製することができる。また、フォトリソグラフィ法によるパターン形成により加工されたＥＬ層の端部（ＥＬ層を構成する積層構造の側面）は概略同一表面を有する（または、概略同一平面上に位置する）形状となる。

また、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）における電子輸送領域に含まれる電子注入層および電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）は、導電率が高いことが多いため、隣り合う発光デバイスに共通する層として形成されると、クロストークの原因となる場合がある。したがって、本構成例で示すようにフォトリソグラフィ法によるパターン形成によりＥＬ層を分離加工することにより、隣り合う発光デバイス間で生じるクロストークの発生を抑制することが可能となる。

＜発光装置７００の構成例５＞
図１３に示す発光装置（表示パネル）７００は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８を有する。また、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒ、および隔壁５２８は、第１の基板５１０上に設けられた機能層５２０上に形成される。機能層５２０には、複数のトランジスタで構成された駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤなどの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。なお、これらの駆動回路は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと電気的に接続され、これらを駆動することができる。

なお、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒは、実施の形態１で示したデバイス構造を有する。特に、各発光デバイスが、図２Ｂに示す構造、いわゆるタンデム構造を有するＥＬ層１０３を共通して有する場合に適する。

図１３に示すように、各発光デバイス間、例えば、発光デバイス５５０Ｂと、発光デバイス５５０Ｇとの間には、間隙５８０を有する。したがって、この間隙５８０に絶縁層５４０を形成する構成を有する。

例えば、フォトリソグラフィ法によるパターン形成により、ＥＬ層１０３Ｐ（発光層１１３Ｐ、電子注入・輸送層１０４Ｐを含む）、電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）、およびＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）をそれぞれ分離形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて、隔壁５２８上の間隙５８０に絶縁層５４０を形成することができる。さらに、ＥＬ層１０３Ｑ（発光層１１３Ｑ、電子注入・輸送層１０４Ｑ、耐酸化層１０５Ｑを含む）および絶縁層５４０上に電極５５２を形成することができる。

なお、本構成の場合には、各ＥＬ層が絶縁層５４０で分離されるため、構成例３で示したブロック層（図９の１０７）は不要となる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について図１４Ａ乃至図１６Ｂを用いて説明する。なお、図１４Ａ乃至図１６Ｂに示す発光装置７００は、実施の形態１で示す発光デバイスを有する。また、本実施の形態で説明する発光装置７００は、電子機器などの表示部に適用可能であることから表示パネルと呼ぶこともできる。

本実施の形態で説明する発光装置７００は、図１４Ａに示す通り、表示領域２３１を備え、表示領域２３１は一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を有する。また、図１４Ｂに示す通り、一組の画素７０３（ｉ，ｊ）に隣接する一組の画素７０３（ｉ＋１，ｊ）を有する。

なお、画素７０３（ｉ，ｊ）には、複数の画素を用いることができる。例えば、色相が互いに異なる色を表示する複数の画素を用いることができる。なお、複数の画素のそれぞれを副画素と言い換えることができる。または、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。

これにより、当該複数の画素が表示する色を加法混色または減法混色することができる。または、個々の画素では表示することができない色相の色を、表示することができる。

具体的には、青色を表示する画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、緑色を表示する画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および赤色を表示する画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）のそれぞれを副画素と言い換えることができる。

また、白色等を表示する画素を上記の一組に加えて、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いてもよい。また、シアンを表示する画素、マゼンタを表示する画素およびイエローを表示する画素のそれぞれを副画素として、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いてもよい。

また、上記の一組に加えて、赤外線を射出する画素を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いてもよい。具体的には、６５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の波長を有する光を含む光を射出する画素を、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。

図１４Ａに示す表示領域２３１の周辺には、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、を有する。また、駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤ等と電気的に接続された端子５１９を有する。端子５１９は、例えば、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１（図１６参照）と電気的に接続することができる。

なお、駆動回路ＧＤは、第１の選択信号および第２の選択信号を供給する機能を有する。例えば、駆動回路ＧＤは後述する導電膜Ｇ１（ｉ）と電気的に接続され、第１の選択信号を供給し、後述する導電膜Ｇ２（ｉ）と電気的に接続され、第２の選択信号を供給する。また、駆動回路ＳＤは、画像信号および制御信号を供給する機能を備え、制御信号は第１のレベルおよび第２のレベルを含む。例えば、駆動回路ＳＤは後述する導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）と電気的に接続され、画像信号を供給し、後述する導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）と電気的に接続され、制御信号を供給する。

また、図１６Ａに示す通り、発光装置７００は、第１の基板５１０と、第２の基板７７０と、の間に機能層５２０を有する。機能層５２０には、上述した駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤなどの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。図１６Ａでは、機能層５２０は、画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）ならびに画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）および駆動回路ＧＤを含む構成を示すが、これに限らない。

また、機能層５２０が有する各画素回路（例えば、図１６Ａに示す画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ））は、機能層５２０上に形成される各発光デバイス（例えば、図１６Ａに示す発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ））と電気的に接続される。また、機能層５２０および各発光デバイス上に絶縁層７０５が設けられており、絶縁層７０５は、第２の基板７７０と機能層５２０とを貼り合わせる機能を有する。

なお、第２の基板７７０には、マトリクス状にタッチセンサを備える基板を用いることができる。例えば、静電容量式のタッチセンサまたは光学式のタッチセンサを備えた基板を第２の基板７７０に用いることができる。これにより、本発明の一態様の発光装置をタッチパネルとして使用することができる。

また、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）の具体的な構成を図１５Ａに示す。

図１５Ａに示すように、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２１、スイッチＳＷ２２、トランジスタＭ２１、容量Ｃ２１およびノードＮ２１を有する。また、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）はノードＮ２２、容量Ｃ２２およびスイッチＳＷ２３を有する。

トランジスタＭ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続されるゲート電極と、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

スイッチＳＷ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される第１の端子と、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）と電気的に接続される第２の端子と、を有し、導電膜Ｇ１（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を有する。

スイッチＳＷ２２は、導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）と電気的に接続される第１の端子と、を有し、導電膜Ｇ２（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を有する。

容量Ｃ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される導電膜と、スイッチＳＷ２２の第２の電極と電気的に接続される導電膜を有する。

これにより、画像信号をノードＮ２１に格納することができる。または、ノードＮ２１の電位を、スイッチＳＷ２２を用いて、変更することができる。または、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光の強度を、ノードＮ２１の電位を用いて、制御することができる。

次に、図１５Ａで説明した、トランジスタＭ２１の具体的な構造の一例を図１５Ｂに示す。なお、トランジスタＭ２１としては、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを適宜用いることができる。

図１５Ｂに示すトランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、絶縁膜５０６、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを有する。トランジスタは、例えば、絶縁膜５０１Ｃ上に形成される。

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを有する。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを有する。

導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４はゲート電極の機能を有する。

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を有する。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を有する。

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を有する。

また、導電膜５２４をトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を有する。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機能を有する。絶縁膜５０１Ｄは半導体膜５０８および導電膜５２４の間に挟まれ、第２のゲート絶縁膜の機能を有する。

なお、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成することができる。例えば、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同じ組成の半導体膜を、駆動回路に用いることができる。

また、半導体膜５０８には、第１４族の元素を含む半導体を用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

また、半導体膜５０８には、水素化アモルファスシリコンを用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる発光装置（または表示パネル）より、表示ムラが少ない発光装置を提供することができる。または、発光装置の大型化が容易である。

また、半導体膜５０８には、ポリシリコンを用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。

または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。

または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。

または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

また、半導体膜５０８には、単結晶シリコンを用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる発光装置（または表示パネル）より、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる発光装置より、表示ムラが少ない発光装置を提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。

また、半導体膜５０８には、金属酸化物を用いることができる。これにより、水素化アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、電子機器の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

また、半導体膜５０８には、酸化物半導体を用いることができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体、インジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛と錫とを含む酸化物半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

なお、酸化物半導体を半導体膜に用いることで、半導体膜に水素化アモルファスシリコンを用いたトランジスタよりもオフ状態におけるリーク電流が小さいトランジスタを得ることができる。したがって、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチ等に利用することが好ましい。なお、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチに利用する回路は、水素化アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタをスイッチに利用する回路よりも、長い時間、フローティングノードの電位を保持することができる。

図１６Ａでは、第２の基板７７０側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置を示したが、図１６Ｂに示すように第１の基板５１０側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としても良い。なお、ボトムエミッション型の発光装置の場合には、第１の電極を半透過・半反射電極として機能するように形成し、第２の電極を反射電極として機能するように形成する。

また、図１６Ａ及び図１６Ｂでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、実施の形態１に示す発光デバイスの構成は、図１７Ａ及び図１７Ｂに示すパッシブマトリクス型の発光装置に適用しても良い。

なお、図１７Ａは、パッシブマトリクス型の発光装置を示す斜視図、図１７Ｂは図１７ＡをＸ−Ｙで切断した断面図である。図１７において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間にはＥＬ層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短軸方向の断面は、台形状であり、下底（絶縁層９５３と接する辺）の方が上底よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光デバイスの不良を防ぐことが出来る。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成について、図１８Ａ乃至図２０Ｂにより説明する。

図１８Ａ乃至図２０Ｂは、本発明の一態様の電子機器の構成を説明する図である。図１８Ａは電子機器のブロック図であり、図１８Ｂ乃至図１８Ｅは電子機器の構成を説明する斜視図である。また、図１９Ａ乃至図１９Ｅは電子機器の構成を説明する斜視図である。また、図２０Ａおよび図２０Ｂは電子機器の構成を説明する斜視図である。

本実施の形態で説明する電子機器５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０と、を有する（図１８Ａ参照）。

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を有する。

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を有する。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を有する。

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を有する。例えば、入力部５２４０は、電子機器５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を有する。例えば、実施の形態２において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を有する。例えば、電子機器が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を有する。

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を有する。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を有する。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を有する。

図１８Ｂは、円筒状の柱などに沿った外形を有する電子機器を示す。一例として、デジタル・サイネージ等が挙げられる。本発明の一態様である表示パネルは、表示部５２３０に適用することができる。なお、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備えていても良い。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を有する。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。

図１８Ｃは、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を有する電子機器を示す。一例として、電子黒板、電子掲示板、電子看板等が挙げられる。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。

図１８Ｄは、腕時計型の携帯情報端末として、他の装置から情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる電子機器を示す。一例として、スマートウオッチ（登録商標）などが挙げられる。具体的には、いくつかの選択肢を表示できる、または、使用者が選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信することができる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を有する。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。

図１８Ｅは、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える表示部５２３０を有する電子機器を示す。一例として、携帯電話などが挙げられる。なお、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を有する。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。

図１９Ａは、インターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる電子機器を示す。一例として、スマートフォンなどが挙げられる。例えば、作成したメッセージを表示部５２３０で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を有する。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像を表示部５２３０に表示することができる。

図１９Ｂは、リモートコントローラーを入力部５２４０とすることができる電子機器を示す。一例として、テレビジョンシステムなどが挙げられる。例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、検知部５２５０を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を有する。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像を表示部５２３０に表示することができる。

図１９Ｃは、インターネットから教材を受信して、表示部５２３０に表示することができる電子機器を示す。一例として、タブレットコンピュータなどが挙げられる。入力部５２４０を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部５２３０に表示することができる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示することができる。

例えば、他の電子機器から画像信号を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、スタンドなどに立てかけて、表示部５２３０をサブディスプレイに用いることができる。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

図１９Ｄは、複数の表示部５２３０を有する電子機器を示す。一例として、デジタルカメラなどが挙げられる。例えば、検知部５２５０で撮影しながら表示部５２３０に表示することができる。または、撮影した映像を表示部５２３０に表示することができる。または、入力部５２４０を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を有する。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体を表示部５２３０に表示することができる。

図１９Ｅは、他の電子機器をスレイブに用い、本実施の形態の電子機器をマスターに用いて、他の電子機器を制御することができる電子機器を示す。一例として、携帯可能なパーソナルコンピュータなどが挙げられる。例えば、画像情報の一部を表示部５２３０に表示し、画像情報の他の一部を他の電子機器の表示部に表示することができる。または、画像信号を供給することができる。または、通信部５２９０を用いて、他の電子機器の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。

図２０Ａは、加速度または方位を検知する検知部５２５０を有する電子機器を示す。一例として、ゴーグル型の電子機器などが挙げられる。検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、電子機器は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部５２３０は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を有する。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、表示部５２３０に表示することができる。

図２０Ｂは、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部５２５０を有する電子機器を示す。一例として、めがね型の電子機器などが挙げられる。検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、電子機器は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の電子機器に表示することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態２に記載の発光デバイスを照明装置として用いる構成について、図２１により説明する。なお、図２１Ａは、図２１Ｂに示す照明装置の上面図におけるｅ−ｆ断面図である。

本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、第１の電極４０１が形成されている。第１の電極４０１は実施の形態１における第１の電極１０１に相当する。第１の電極４０１側から発光を取り出す場合、第１の電極４０１は透光性を有する材料により形成する。

第２の電極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。

第１の電極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は実施の形態１におけるＥＬ層１０３の構成、又はＥＬ層１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ及び電荷発生層１０６（１０６ａ、１０６ｂ）を合わせた構成などに相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照されたい。

ＥＬ層４０３を覆って第２の電極４０４を形成する。第２の電極４０４は実施の形態１における第２の電極１０２に相当する。発光を第１の電極４０１側から取り出す場合、第２の電極４０４は反射率の高い材料によって形成される。第２の電極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給される。

以上、第１の電極４０１、ＥＬ層４０３、及び第２の電極４０４を有する発光デバイスを本実施の形態で示す照明装置は有している。当該発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるため、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。

以上の構成を有する発光デバイスが形成された基板４００と、封止基板４０７とをシール材４０５、４０６を用いて固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材４０５、４０６はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材４０６（図２１Ｂでは図示せず）には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる。

また、パッド４１２と第１の電極４０１の一部をシール材４０５、４０６の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用して作製される照明装置の応用例について、図２２を用いて説明する。

室内の照明装置としては、シーリングライト８００１として応用できる。シーリングライト８００１には、天井直付型、または天井埋め込み型がある。なお、このような照明装置は、発光装置を筐体やカバーと組み合わせることにより構成される。その他にもコードペンダント型（天井からのコード吊り下げ式）への応用も可能である。

また、足元灯８００２は、床面に灯りを照射し、足元の安全性を高めることができる。例えば、寝室、階段、および通路などに使用するのが有効である。その場合、部屋の広さや構造に応じて適宜サイズや形状を変えることができる。また、発光装置と支持台とを組み合わせて構成される据え置き型の照明装置とすることも可能である。

また、シート状照明８００３は、薄型のシート状の照明装置である。壁面に張り付けて使用するため、場所を取らず幅広い用途に用いることができる。なお、大面積化も容易である。なお、曲面を有する壁面、および筐体に用いることもできる。

また、光源からの光が所望の方向のみに制御された照明装置８００４を用いることもできる。

また、電気スタンド８００５は、光源８００６を有し、光源８００６としては、本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用することができる。

なお、上記以外にも室内に備えられた家具の一部に本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用することにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

１００：発光デバイス、１０１：第１の電極、１０２：第２の電極、１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ：ＥＬ層、１０３Ｂ、１０３Ｇ、１０３Ｒ：ＥＬ層、１０３Ｐ、１０３Ｑ：ＥＬ層、１０４、１０４ａ、１０４ｂ：電子注入・輸送層、１０４Ｂ、１０４Ｇ、１０４Ｒ：電子注入・輸送層、１０４Ｐ、１０４Ｑ：ホール注入・輸送層、１０５、１０５Ｂ、１０５Ｇ、１０５Ｒ：耐酸化層、１０６、１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ：電荷発生層、１０７：ブロック層、１０７−１：第１のブロック層、１０７−２：第２のブロック層、１０７−３：第２のブロック層、１１１、１１１ａ、１１１ｂ：正孔注入層、１１２、１１２ａ、１１２ｂ：正孔輸送層、１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ：発光層、１１４、１１４ｂ：電子輸送層、１１５、１１５ｂ：電子注入層、２３１：表示領域、４００：基板、４０１：第１の電極、４０３：ＥＬ層、４０４：第２の電極、４０５、４０６：シール材、４０７：封止基板、４１２：パッド、４２０：ＩＣチップ、５０１Ｃ：絶縁膜、５０１Ｄ：絶縁膜、５０４：導電膜、５０６：絶縁膜、５０８：半導体膜、５０８Ａ：領域、５０８Ｂ：領域、５０８Ｃ：領域、５１０：基板、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５１９：端子、５２０：機能層、５２４：導電膜、５２８：隔壁、５２８Ｂ：開口部、５２８Ｇ：開口部、５２８Ｒ：開口部、５３０Ｂ：画素回路、５３０Ｇ：画素回路、５４０：絶縁層、５５０Ｂ：発光デバイス、５５０Ｇ：発光デバイス、５５０Ｒ：発光デバイス、５５１Ｂ：電極、５５１Ｇ：電極、５５１Ｒ：電極、５５２：電極、５７３：絶縁層、５８０：間隙、７００：発光装置、７０２Ｂ：画素、７０２Ｇ：画素、７０２Ｒ：画素、７０３：画素、７０５：絶縁層、７７０：基板、９５１：基板、９５２：電極、９５３：絶縁層、９５４：隔壁層、９５５：ＥＬ層、９５６：電極、５２００Ｂ：電子機器、５２１０：演算装置、５２２０：入出力装置、５２３０：表示部、５２４０：入力部、５２５０：検知部、５２９０：通信部、８００１：シーリングライト、８００２：足元灯、８００３：シート状照明、８００４：照明装置、８００５：電気スタンド、８００６：光源

Claims

　陰極上にＥＬ層を挟んで陽極を有し、
　前記ＥＬ層は、発光層と、前記発光層上の耐酸化層と、を少なくとも有し、
　前記ＥＬ層は、側面を有し、
　前記ＥＬ層の上面および側面と接してブロック層を有し、
　前記陰極は、前記ブロック層を介して前記ＥＬ層の側面と接し、
　前記ブロック層は、複素環化合物を含む、発光デバイス。
　請求項１において、
　前記耐酸化層は、少なくとも元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物および電子吸引基を有する有機化合物から選ばれるいずれか一又は複数を含む、発光デバイス。
　請求項１または請求項２において、
　前記耐酸化層は、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウム、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン、および２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリルから選ばれるいずれか一又は複数を含む、発光デバイス。
　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
　前記ブロック層は、第１のブロック層と、前記第１のブロック層上の第２のブロック層と、を有し、
　前記第２のブロック層は、金属を含む、発光デバイス。
　請求項４において、
　前記第１のブロック層は、前記ＥＬ層に接する第３のブロック層を有し、
　前記第３のブロック層は、金属を含む、発光デバイス。
　請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置。
　隣接する第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、
　前記第１の発光デバイスは、第１の陰極上に第１のＥＬ層を挟んで陽極を有し、
　前記第１のＥＬ層は、第１の発光層と、前記第１の発光層上の第１の耐酸化層と、を少なくとも有し、
　第２の発光デバイスは、第２の陰極上に第２のＥＬ層を挟んで前記陽極を有し、
　前記第２のＥＬ層は、第２の発光層と、前記第２の発光層上の第２の耐酸化層と、を少なくとも有し、
　前記第１のＥＬ層の上面および側面、並びに前記第２のＥＬ層の上面および側面、と接してブロック層を有し、
　前記第２のＥＬ層は、前記第１のＥＬ層との間に間隙を有し、
　前記間隙において、前記第１のＥＬ層の側面および前記第２のＥＬ層の側面と接するブロック層を介して前記陽極を有する、発光装置。
　請求項７において、
　前記第１の耐酸化層は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物および電子吸引基を有する有機化合物から選ばれるいずれか一又は複数を含む、発光装置。
　請求項７または請求項８において、
　前記第１の耐酸化層は、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウム、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン、および２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリルから選ばれるいずれか一又は複数を含む、発光装置。
　請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
　前記ブロック層は、第１のブロック層と、前記第１のブロック層上の第２のブロック層と、を有し、
　前記第１のブロック層は、電子輸送性材料を含み、
　前記第２のブロック層は、電子輸送性材料および金属を含む、発光装置。
　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
　前記第１のブロック層は、前記ＥＬ層に接する第３のブロック層を有し、
　前記第３のブロック層は、金属を含む、発光デバイス。
　請求項７乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光装置と、センサ、操作ボタン、スピーカ、またはマイクと、を有する電子機器。
　請求項７乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。