WO2022172116A1

WO2022172116A1 - 発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置

Info

Publication number: WO2022172116A1
Application number: PCT/IB2022/050740
Authority: WO
Inventors: 吉安唯; 橋本直明; 高橋辰義; 川上祥子; 瀬尾哲史
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2021-02-12
Filing date: 2022-01-28
Publication date: 2022-08-18
Also published as: CN116830804A; JPWO2022172116A1; KR20230144563A

Abstract

製造プロセスにおける熱耐性の高い発光デバイスを提供する。第１の電極上に第１のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、第１のＥＬ層は、少なくとも、第１の発光層を有し、第１のＥＬ層上に第２のＥＬ層を有し、第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、第２の発光層上に第１の電子輸送層を有し、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面、および第１の電子輸送層の側面と、接して絶縁層を有し、第１の電子輸送層上に第２の電子輸送層を有し、絶縁層は、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面および第１の電子輸送層の側面と、第２の電子輸送層と、の間に位置し、第１の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する複素芳香族化合物と、複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有する発光デバイスを提供する。

Description

発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置

本発明の一態様は、発光デバイス、表示装置、発光装置、電子機器、受発光装置、照明装置および電子デバイスに関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス（有機ＥＬデバイス）の実用化が進んでいる。これら発光デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層（ＥＬ層）を挟んだものである。この素子に電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。

このような発光デバイスは自発光型であるためディスプレイの画素として用いると、液晶に比べ、視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適である。また、このような発光デバイスを用いたディスプレイは、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。

また、これらの発光デバイスは発光層を二次元に連続して形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。

このように発光デバイスを用いたディスプレイや照明装置はさまざまな電子機器に適用好適であるが、より良好な特性を有する発光デバイスを求めて研究開発が進められている。

発光デバイスの製造方法には、様々な方法が知られているが、高精細な発光デバイスを作製する方法の一つとして、ファインメタルマスクを使用することなく、発光層を形成する方法が知られている。その一例としては、絶縁基板の上方に形成された第１及び第２画素電極を含んだ電極アレイの上方にホスト材料とドーパント材料との混合物を含んだ第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１発光層を形成する工程と、第１発光層のうち第１画素電極の上方に位置した部分に紫外光を照射することなしに、第１発光層のうち第２画素電極の上方に位置した部分に紫外光を照射する工程と、第１発光層上にホスト材料とドーパント材料との混合物を含み且つ第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２発光層を表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、第２発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含む、有機ＥＬディスプレイの製造方法がある（特許文献１）。

特開２０１２−１６０４７３号公報

本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な照明装置を提供することを課題の一とする。

また、本発明の一態様は、耐熱性の高い発光デバイスを提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、製造プロセスにおける耐熱性の高い発光デバイスを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い発光デバイスを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力の小さい発光デバイス、発光装置、電子機器、表示装置および電子デバイスを各々提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力が小さく、信頼性の高い発光デバイス、発光装置、電子機器、表示装置および電子デバイスを各々提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の電極上に第１のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、第１のＥＬ層は、少なくとも、第１の発光層を有し、第１のＥＬ層上に第２のＥＬ層を有し、第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、第２の発光層上に第１の電子輸送層を有し、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面、および第１の電子輸送層の側面と、接して絶縁層を有し、第１の電子輸送層上に第２の電子輸送層を有し、絶縁層は、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面および第１の電子輸送層の側面と、第２の電子輸送層と、の間に位置し、第１の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する複素芳香族化合物と、複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有する発光デバイスである。

また、本発明の一態様は、第１の電極上に第１のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、第１のＥＬ層は、少なくとも、第１の発光層を有し、第１のＥＬ層上に第２のＥＬ層を有し、第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、第２の発光層上に第１の電子輸送層を有し、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面、および第１の電子輸送層の側面と、接して絶縁層を有し、第１の電子輸送層上に第２の電子輸送層を有し、絶縁層は、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面および第１の電子輸送層の側面と、第２の電子輸送層と、の間に位置し、第１の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する第１の複素芳香族化合物と、第１の複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有し、第２の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する第２の複素芳香族化合物を有する、発光デバイスである。

上記各構成の発光デバイスにおいて有機化合物は、少なくとも１つの複素芳香環を有すると好ましい。

また、上記各構成の発光デバイスにおいて、複素芳香環は、ピリジン骨格、ジアジン骨格、トリアジン骨格、またはポリアゾール骨格、のいずれか一を有すると好ましい。

また、上記各構成の発光デバイスにおいて、複素芳香環は、縮環構造を有する縮合複素芳香環を有すると好ましい。

上記構成の発光デバイスにおいて、縮合複素芳香環は、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、キナゾリン環、ベンゾキナゾリン環、ジベンゾキノキサリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環、ベンゾイミダゾール環のいずれか一であると好ましい。

また、本発明の一態様は、上記各構成の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置である。

また、本発明の一態様は、隣接する第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、第１の発光デバイスは、第１の電極上に第１のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、第１のＥＬ層は、少なくとも第１の発光層を有し、第１の発光デバイスは、第１のＥＬ層上に、第２のＥＬ層を有し、第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、第２の発光層上に第１の電子輸送層を有し、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面、および第１の電子輸送層の側面、と接して第１の絶縁層を有し、第１の電子輸送層上に第２の電子輸送層を有し、第１の絶縁層は、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面、および第１の電子輸送層の側面と、第２の電子輸送層と、の間に位置し、第２の発光デバイスは、第３の電極上に第３のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、第３のＥＬ層は、少なくとも第３の発光層を有し、第２の発光デバイスは、第３のＥＬ層上に、第４のＥＬ層を有し、第４のＥＬ層は、第４の発光層と、第３の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、第４の発光層上に第３の電子輸送層を有し、第３の発光層の側面、第４の発光層の側面、および第３の電子輸送層の側面、と接して第２の絶縁層を有し、第３の電子輸送層上に第２の電子輸送層を有し、第２の絶縁層は、第３の発光層の側面、第４の発光層の側面、および第３の電子輸送層の側面と、第２の電子輸送層と、の間に位置し、第１の電子輸送層および第３の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する複素芳香族化合物と、複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有する発光装置である。

また、本発明の一態様は、隣接する第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、第１の発光デバイスは、第１の電極上に第１のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、第１のＥＬ層は、少なくとも第１の発光層を有し、第１の発光デバイスは、第１のＥＬ層上に、第２のＥＬ層を有し、第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、第２の発光層上に第１の電子輸送層を有し、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面、および第１の電子輸送層の側面、と接して第１の絶縁層を有し、第１の電子輸送層上に第２の電子輸送層を有し、第１の絶縁層は、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面、および第１の電子輸送層の側面と、第２の電子輸送層と、の間に位置し、第２の発光デバイスは、第３の電極上に第３のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、第３のＥＬ層は、少なくとも第３の発光層を有し、第２の発光デバイスは、第３のＥＬ層上に、第４のＥＬ層を有し、第４のＥＬ層は、第４の発光層と、第３の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、第４の発光層上に第３の電子輸送層を有し、第３の発光層の側面、第４の発光層の側面、および第３の電子輸送層の側面、と接して第２の絶縁層を有し、第３の電子輸送層上に第２の電子輸送層を有し、第２の絶縁層は、第３の発光層の側面、第４の発光層の側面、および第３の電子輸送層の側面と、第２の電子輸送層と、の間に位置し、第１の電子輸送層および第３の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する第１の複素芳香族化合物と、第１の複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有し、第２の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する第２の複素芳香族化合物を有する発光装置である。

上記各構成の発光装置において、有機化合物は、少なくとも１つの複素芳香環を有すると好ましい。

また、上記各構成の発光装置において、複素芳香環は、ピリジン骨格、ジアジン骨格、トリアジン骨格、またはポリアゾール骨格、のいずれか一であると好ましい。

また、上記各構成の発光装置において、複素芳香環は、縮環構造を有する縮合複素芳香環を有すると好ましい。

上記構成の発光装置において、縮合複素芳香環は、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、キナゾリン環、ベンゾキナゾリン環、ジベンゾキナゾリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環、ベンゾイミダゾール環、のいずれか一であると好ましい。

また、上記各構成の発光装置において、第２の電子輸送層は、第１の電子輸送層の側面、第３の電子輸送層の側面、第１の発光層の側面、第２の発光層の側面、第３の発光層の側面、および第４の発光層の側面と、第２の電極と、の間に位置すると好ましい。

また、上記発光デバイスに加え、電極と接して有機化合物を有する層（例えばキャップ層）を有する場合も発光デバイスに含め、本発明に含まれることとする。また、発光デバイスに加えて、トランジスタ、基板などを有する発光装置も発明の範疇に含める。さらに、これらの発光デバイスと、検知部、入力部、または、通信部などのいずれかと、を有する電子機器または照明装置も発明の範疇に含める。

また、本発明の一態様は、発光デバイスを有する発光装置を含み、さらに発光装置を有する照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、または光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクターが取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光デバイスにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供することができる。また、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することができる。また、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な照明装置を提供することができる。

本発明の一態様は、耐熱性の高い発光デバイスを提供することができる。また、本発明の一態様は、製造プロセスにおける耐熱性の高い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性の高い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様は、消費電力の小さい発光デバイス、発光装置、電子機器、表示装置および電子デバイスを各々提供することができる。または、本発明の一態様は、消費電力が小さく、信頼性の高い発光デバイス、発光装置、電子機器、表示装置および電子デバイスを各々提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａおよび図１Ｂは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図２Ａ乃至図２Ｅは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図３Ａおよび図３Ｂは、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図４は、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図５Ａおよび図５Ｂは、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図６Ａ乃至図６Ｃは、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図７Ａおよび図７Ｂは、実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する図である。
図８は、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図９Ａおよび図９Ｂは、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図１０Ａおよび図１０Ｂは、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図１１Ａおよび図１１Ｂは、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図１２Ａおよび図１２Ｂは、実施の形態に係る発光装置を説明する図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｅは、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｅは、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図１５Ａおよび図１５Ｂは、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図１６Ａおよび図１６Ｂは、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図１７は、実施の形態に係る電子機器を説明する図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｅは、実施例に係る写真である。
図１９Ａ乃至図１９Ｄは、実施例に係る写真である。
図２０は、実施例に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図２１は発光デバイス１および比較発光デバイス１の輝度−電流密度特性である。
図２２は発光デバイス１および比較発光デバイス１の電流効率−輝度特性である。
図２３は発光デバイス１および比較発光デバイス１の輝度−電圧特性である。
図２４は発光デバイス１および比較発光デバイス１の電流−電圧特性である。
図２５は発光デバイス１および比較発光デバイス１の外部量子効率−輝度特性である。
図２６は発光デバイス１および比較発光デバイス１の発光スペクトルである。
図２７は発光デバイス１および比較発光デバイス１の信頼性を示す図である。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイスの構成について、図１を参照しながら説明する。

図１Ａは、本発明の一態様の発光デバイス１００の構造を説明する断面図である。また、図１Ｂは、発光デバイス１００のより具体的な構造を説明する断面図である。

図１Ａおよび図１Ｂに示すように、発光デバイス１００は、第１の電極１０１と、第２の電極１０２と、を有し、第１の電極１０１および第２の電極１０２の間に、ＥＬ層１０３ａ、電荷発生層１０６、およびＥＬ層１０３ｂが、順次積層された構造を有する。また、ＥＬ層１０３ａは、第１の電極１０１上に、ホール注入・輸送層１０４ａ、発光層１１３ａ、電子輸送層１０８ａ、および電子注入層１０９ａが順次積層された構造を有する。また、ＥＬ層１０３ｂは、電荷発生層１０６上に、ホール注入・輸送層１０４ｂ、発光層１１３ｂ、第１の電子輸送層１０８ｂ−１、第２の電子輸送層１０８ｂ−２および電子注入層１０９ｂが順次積層された構造を有する。

第１の電子輸送層１０８ｂ−１は、少なくとも１つの複素芳香環を有する複素芳香族化合物と、複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有する。複素芳香族化合物と、有機化合物は第１の電子輸送層１０８ｂ−１において、いずれも１０％以上、好ましくは２０％以上、さらに好ましくは３０％以上含まれていることが耐熱性の向上効果が顕著に表れるために好ましい。また、当該有機化合物は、少なくとも１つの複素芳香環を有すると好ましい。いいかえると、第１の電子輸送層１０８ｂ−１は、電子輸送性の高い有機化合物である、複素芳香族化合物および有機化合物、または、複数種の複素芳香族化合物を有する（好ましくは混合膜）。複素芳香族化合物が有する複素芳香環が縮合複素芳香環である場合、ガラス転移温度（Ｔｇ）のような熱物性は向上するが、複素芳香族化合物の単独膜では分子同士の相互作用が強く、完全なガラス状態を形成することが難しくなるため、Ｔｇ以下の温度でも経年的に結晶化が起こりやすくなる問題がある。しかし本発明の一態様では、例え複素芳香環が縮合複素芳香環であっても、有機化合物の影響でその結晶化を抑制できる。つまり、ガラス転移温度を向上させつつ、膜がＴｇ以下で結晶化する現象をも防ぐことができる。

なお、複素芳香族化合物は、有機化合物に含まれ、少なくとも１つの複素芳香環を有する複素芳香族化合物である。

複素芳香環は、ピリジン骨格、ジアジン骨格、トリアジン骨格、またはポリアゾール骨格のいずれか一を有する。

また、複素芳香環は、縮環構造を有する縮合複素芳香環を含む。

縮合複素芳香環としては、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、キナゾリン環、ベンゾキナゾリン環、ジベンゾキナゾリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環、ベンゾイミダゾール環、などが挙げられる。

第１の電子輸送層１０８ｂ−１が、複素芳香族化合物と有機化合物、または複数種の複素芳香族化合物を有する構成とすることにより、単一の材料を有する構成とする場合と比較して、加熱時の結晶化を抑制することが可能となる。よって、第１の電子輸送層１０８ｂ−１の耐熱性を向上することができる。従って、第１の電子輸送層１０８ｂ−１は、電子輸送層１０８ａおよび第２の電子輸送層１０８ｂ−２に比べて高い耐熱性を有する。

なお、第１の電子輸送層１０８ｂ−１は、１種類の複素芳香族化合物を用いてなる層であっても、複素芳香族化合物と有機化合物を用いてなる層であっても、複数種の複素芳香族化合物を用いてなる層であっても良い。

第２の電子輸送層１０８ｂ−２、電子輸送層１０８ａおよび第１の電子輸送層１０８ｂ−１に用いることのできる複素芳香族化合物および有機化合物などの電子輸送性材料については、後の実施の形態にてより詳細に説明する。なお、本発明の一態様の発光デバイスでは、電子輸送層には金属錯体が含まれないことが好ましい。当該金属錯体としては、アルカリ土類金属錯体およびアルカリ金属錯体、特にアルカリ金属キノリノラートまたはアルカリ土類金属キノリノラートを挙げることができる。

第２の電子輸送層１０８ｂ−２および電子注入層１０９ｂは、ＥＬ層１０３ｂの一部だが、図１Ｂに示すように、ＥＬ層１０３ｂの他の層（ホール注入・輸送層１０４ｂ、発光層１１３ｂおよび第１の電子輸送層１０８ｂ−１）とは異なる形状を有する。通常、ＥＬ層の一部の層を他の層とは別の形状とする場合、製造工程において高温となるため、他の層が結晶化するなどの問題が発生し、発光デバイスの信頼性および輝度が低下する場合がある。しかし、発光デバイス１００の製造工程において、高温となる可能性が生じるのは、耐熱性の高い第１の電子輸送層１０８ｂ−１を形成した後であるため、発光デバイス１００の信頼性および輝度の低下を抑制することができる。従って、発光デバイス１００において、第２の電子輸送層１０８ｂ−２および電子注入層１０９ｂをＥＬ層１０３ｂの他の層（ホール注入・輸送層１０４ｂ、発光層１１３ｂ、および第１の電子輸送層１０８ｂ−１）とは異なる形状とすることができる。

また、図１Ｂに示すように、第２の電子輸送層１０８ｂ−２、電子注入層１０９ｂと第２の電極１０２とを同じ形状とすることができる。第２の電子輸送層１０８ｂ−２、電子注入層１０９ｂおよび第２の電極１０２を複数の発光デバイスに共通する層とすることができるため、発光デバイス１００の製造工程を簡略化し、スループットを向上させることが可能となる。

なお、ＥＬ層１０３ｂにおいて、電子輸送層１０８ｂ−２および電子注入層１０９ｂは、ＥＬ層１０３ｂの他の層（ホール注入・輸送層１０４ｂ、発光層１１３ｂおよび第１の電子輸送層１０８ｂ−１）を加工するマスクとは異なるマスクを用いて加工することで、互いに異なる形状を形成することができる。つまり、異なる形状とは、平面図（上面図）において、異なる形状を有する。

また、同じ形状を形成する場合は、同一のマスクを用いて加工することで、平面図（上面図）において、同じ形状を形成することができる。

従って、ホール注入・輸送層１０４ｂ、発光層１１３ｂおよび第１の電子輸送層１０８ｂ−１の端部（側面）が概略同一表面を有する（または、概略同一平面上に位置する）形状となる。一方、電子輸送層１０８ｂ−２および電子注入層１０９ｂの端部（側面）は、ＥＬ層１０３ｂの他の層（ホール注入・輸送層１０４ｂ、発光層１１３ｂおよび第１の電子輸送層１０８ｂ−１）の端部（側面）とは、概略同一平面上に位置しない。

また、図１Ｂに示すように、発光デバイス１００は、絶縁層１０７を有する。絶縁層１０７は、ＥＬ層１０３ａ（ホール注入・輸送層１０４ａ、発光層１１３ａ、電子輸送層１０８ａ、および電子注入層１０９ａ）の側面、電荷発生層１０６の側面、並びに、ホール注入・輸送層１０４ｂの側面、発光層１１３ｂの側面、および第１の電子輸送層１０８ｂ−１の側面と接する。また、絶縁層１０７は、ＥＬ層１０３ａ（ホール注入・輸送層１０４ａ、発光層１１３ａ、電子輸送層１０８ａ、および電子注入層１０９ａ）の側面、電荷発生層１０６の側面、並びに、ホール注入・輸送層１０４ｂの側面、発光層１１３ｂの側面、および第１の電子輸送層１０８ｂ−１の側面と、第２の電子輸送層１０８ｂ−２と、の間に位置する。

絶縁層１０７を設けることにより、ＥＬ層１０３ａ（ホール注入・輸送層１０４ａ、発光層１１３ａ、電子輸送層１０８ａ、および電子注入層１０９ａ）の側面、電荷発生層１０６の側面、並びに、ホール注入・輸送層１０４ｂの側面、発光層１１３ｂの側面、および第１の電子輸送層１０８ｂ−１の側面を保護することができる。また、図１Ｂに示すように第２の電極１０２がＥＬ層１０３ａ（ホール注入・輸送層１０４ａ、発光層１１３ａ、電子輸送層１０８ａ、および電子注入層１０９ａ）の側面、電荷発生層１０６の側面、並びに、ホール注入・輸送層１０４ｂの側面、発光層１１３ｂの側面、および第１の電子輸送層１０８ｂ−１の側面と近接する構成であっても、第２の電極１０２と、ホール注入・輸送層１０４ａまたはホール注入・輸送層１０４ｂと、の間の導通を妨げることができる場合がある。また、第２の電極１０２と第１の電極１０１との間の導通を妨げることができる場合がある。従って、発光デバイス１００には、様々な構造を適用することができる。例えば、発光デバイス１００を複数並べる際、隣り合う発光デバイス１００それぞれが有する第２の電子輸送層１０８ｂ−２同士、電子注入層１０９ｂ同士および第２の電極１０２同士が連結した構造とすることができる。

なお、場合によって、発光デバイス１００は絶縁層１０７を有していなくてもよい。例えば、第２の電極１０２と、ホール注入・輸送層１０４ａまたはホール注入・輸送層１０４ｂと、の間の導通が十分小さい場合、発光デバイス１００は絶縁層１０７を有していなくてもよい。また、第２の電極１０２と第１の電極１０１との間の導通が十分小さい場合、発光デバイス１００は絶縁層１０７を有していなくてもよい。

第１の電極１０１、第２の電極１０２、ホール注入・輸送層１０４ａ、発光層１１３ａ、電子注入層１０９ａ、電荷発生層１０６、ホール注入・輸送層１０４ｂ、発光層１１３ｂ、電子注入層１０９ｂ、絶縁層１０７として用いることのできる材料については後の実施の形態にて説明する。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示した有機化合物を用いた発光デバイスについて、図２Ａ乃至図２Ｅを用いて説明する。

≪発光デバイスの具体的な構造≫
図２Ａ乃至図２Ｅに示す発光デバイスにおいて、図２Ａおよび図２Ｃに示す発光デバイスが、一対の電極間にＥＬ層を挟んでなる構造（シングル構造）であるのに対して、図２Ｂ、図２Ｄおよび図２Ｅは、一対の電極間に挟まれるＥＬ層が電荷発生層を挟んで二層以上積層された構造（タンデム構造）を有する。なお、いずれの構造の場合もＥＬ層の構成については同様とする。また、図２Ｄに示す発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極１０１を反射電極として形成し、第２の電極１０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１０２は、ＥＬ層１０３ｂを形成した後、上記と同様に材料を選択して形成する。

＜第１の電極および第２の電極＞
第１の電極１０１および第２の電極１０２を形成する材料としては、上述した両電極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類元素およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。

図２Ａ、及び図２Ｃに示す発光デバイスにおいて、第１の電極１０１が陽極である場合、第１の電極１０１上にＥＬ層１０３が真空蒸着法により形成される。また、具体的には、図２Ｃに示すとおり、第１の電極１０１と第２の電極との間には、ＥＬ層１０３として、正孔注入層１１１と、正孔輸送層１１２と、発光層１１３と、電子輸送層１１４と、電子注入層１１５と、が真空蒸着法により順次積層形成される。図２Ｂ、図２Ｄ、及び図２Ｅに示す発光デバイスにおいて、第１の電極１０１が陽極である場合、第１の電極１０１上にＥＬ層１０３ａの正孔注入層１１１ａおよび正孔輸送層１１２ａが真空蒸着法により順次積層形成される。ＥＬ層１０３ａおよび電荷発生層１０６（または、電荷発生層１０６ａ）が形成された後、電荷発生層１０６（または、電荷発生層１０６ａ）上にＥＬ層１０３ｂの正孔注入層１１１ｂおよび正孔輸送層１１２ｂが同様に順次積層形成される。

＜正孔注入層＞
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、陽極である第１の電極１０１、または電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）からＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層であり、有機アクセプター材料、または正孔注入性の高い材料を含む層である。

有機アクセプター材料は、そのＬＵＭＯ準位（最低空軌道：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）のエネルギー値とＨＯＭＯ準位（最高被占軌道：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）のエネルギー値が近い他の有機化合物との間で電荷分離させることにより、当該有機化合物に正孔（ホール）を発生させることができる材料である。従って、有機アクセプター材料としては、キノジメタン誘導体、またはクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの電子吸引基（ハロゲン基、またはシアノ基）を有する化合物を用いることができる。例えば、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を用いることができる。なお、有機アクセプター材料の中でも特にＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物は、アクセプター性が高く、熱に対して膜質が安定であるため好適である。その他にも、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基、またはシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などを用いることができる。

また、正孔注入性の高い材料としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物等）を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。上記の中でも、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、または銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、等を用いることができる。

また、上記材料に加えて低分子化合物である、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物、等を用いることができる。

また、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）である、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。

また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料と、上述した有機アクセプター材料（電子受容性材料）を含む複合材料を用いることもできる。この場合、有機アクセプター材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層１１１で正孔が発生し、正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。なお、正孔注入層１１１は、正孔輸送性材料と有機アクセプター材料（電子受容性材料）を含む複合材料からなる単層で形成しても良いが、正孔輸送性材料と有機アクセプター材料（電子受容性材料）とをそれぞれ別の層で積層して形成しても良い。

なお、正孔輸送性材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における正孔移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。

正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、またはフラン誘導体、チオフェン誘導体）、または芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する有機化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

なお、上記カルバゾール誘導体（カルバゾール骨格を有する有機化合物）としては、ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）、カルバゾリル基を有する芳香族アミン等が挙げられる。

また、上記ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）としては、具体的には、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’−ビス（ビフェニル−４−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−３−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−９’−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）などが挙げられる。

また、上記カルバゾリル基を有する芳香族アミンとしては、具体的には、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（４−フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）などが挙げられる。

なお、カルバゾール誘導体としては、上記に加えて、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等が挙げられる。

また、上記フラン誘導体（フラン骨格を有する有機化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）等が挙げられる。

また、上記チオフェン誘導体（チオフェン骨格を有する有機化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などが挙げられる。

また、上記芳香族アミンとしては、具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、ＤＮＴＰＤ、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（４；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（５；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェニリル）−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−フェニル−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（１，１’−ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ジベンゾフラン−４−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−３−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−１−アミン、等が挙げられる。

その他にも、正孔輸送性材料として、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）である、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。

但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数種組み合わせて正孔輸送性材料として用いてもよい。

なお、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、公知の様々な成膜方法を用いて形成することができるが、例えば、真空蒸着法を用いて形成することができる。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）によって、第１の電極１０１から注入された正孔を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に輸送する層である。なお、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、正孔輸送性材料を含む層である。従って、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）には、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。

なお、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）と同じ有機化合物を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる。正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）と発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に同じ有機化合物を用いると、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）から発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）へのホールの輸送が効率よく行えるため、より好ましい。

＜発光層＞
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いることができる。また、発光層を複数有する場合には、各発光層に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造としてもよい。

また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料等）を有していても良い。

なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）にホスト材料を複数用いる場合、新たに加える第２のホスト材料として、既存のゲスト材料および第１のホスト材料のエネルギーギャップよりも大きなエネルギーギャップを有する物質を用いるのが好ましい。また、第２のホスト材料の最低一重項励起エネルギー準位（Ｓ１準位）は、第１のホスト材料のＳ１準位よりも高く、第２のホスト材料の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、ゲスト材料のＴ１準位よりも高いことが好ましい。また、第２のホスト材料の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、第１のホスト材料のＴ１準位よりも高いことが好ましい。このような構成とすることにより、２種類のホスト材料による励起錯体を形成することができる。なお、効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。また、この構成により、高効率、低電圧、長寿命を同時に実現することができる。

なお、上記のホスト材料（第１のホスト材料および第２のホスト材料を含む）として用いる有機化合物としては、発光層に用いるホスト材料としての条件を満たせば、前述の正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）に用いることができる正孔輸送性材料、または、後述の電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いることができる電子輸送性材料、等の有機化合物が挙げられ、複数種の有機化合物（上記、第１のホスト材料および第２のホスト材料）からなる励起錯体であっても良い。なお、複数種の有機化合物で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。また、励起錯体を形成する複数種の有機化合物の組み合わせとしては、例えば一方がπ電子不足型複素芳香族化合物を有し、他方がπ電子過剰型複素芳香族化合物を有すると好ましい。なお、励起錯体を形成する組み合わせとして、一方にイリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体等の燐光発光物質を用いても良い。

発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる発光物質として、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。

≪一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質≫
発光層１１３に用いることのできる、一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、以下に示す蛍光を発する物質（蛍光発光物質）が挙げられる。例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−６−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０２）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）などが挙げられる。

また、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができる。

また、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３のようなピレンジアミン化合物、等を用いることができる。

≪三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質≫
次に、発光層１１３に用いることのできる、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質（燐光発光物質）、または熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。

燐光発光物質とは、低温（例えば７７Ｋ）以上室温以下の温度範囲（すなわち、７７Ｋ以上３１３Ｋ以下）のいずれかにおいて、燐光を呈し、且つ蛍光を呈さない化合物のことをいう。該燐光発光物質としては、スピン軌道相互作用の大きい金属元素を有すると好ましく、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、希土類金属錯体等が挙げられる。具体的には遷移金属元素が好ましく、特に白金族元素（ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、または白金（Ｐｔ））を有することが好ましく、中でもイリジウムを有することで、一重項基底状態と三重項励起状態との間の直接遷移に係わる遷移確率を高めることができ好ましい。

≪燐光発光物質（４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下：青色または緑色）≫
青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ^２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３］）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）_３］）、のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のように電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。

≪燐光発光物質（４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下：緑色または黄色）≫
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（４ｄｐｐｙ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］、［２−ｄ_３−メチル−８−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（５−ｄ_３−メチル−２−ピリジニル−κＮ^２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ_３）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３））、［２−（メチル−ｄ_３）−８−［４−（１−メチルエチル−１−ｄ）−２−ピリジニル−κＮ］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−７−イル−κＣ］ビス［５−（メチル−ｄ_３）−２−［５−（メチル−ｄ_３）−２−ピリジニル−κＮ］フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｔｐｙ−ｄ_６）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｉＰｒ−ｄ_４））、［２−ｄ_３−メチル−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ_３））、［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。

≪燐光発光物質（５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下：黄色または赤色）≫
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、（ジピバロイルメタナト）ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−５−フェニル−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−Ｐ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（４−シアノ−２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍＣＰ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［２−（５−（２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ）−４，６−ジメチルフェニル−κＣ］（２，２’，６，６’−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２−メチル−３−フェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体、またはトリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［４，６−ジメチル−２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。

≪ＴＡＤＦ材料≫
また、ＴＡＤＦ材料としては、以下に示す材料を用いることができる。ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位とのエネルギー差が小さく（好ましくは、０．２ｅＶ以下）、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１×１０^−６秒以上、好ましくは１×１０^−３秒以上である。

ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレン、またはその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ　ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ　ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ　ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ　ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ　Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等が挙げられる。

その他にも、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ）、４−［４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＰＢｆｐｍ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）等のπ電子過剰型複素芳香族化合物及びπ電子不足型複素芳香族化合物を有する複素芳香族化合物を用いてもよい。

なお、π電子過剰型複素芳香族化合物とπ電子不足型複素芳香族化合物とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香族化合物のドナー性とπ電子不足型複素芳香族化合物のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。

また、上記の他に、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料としては、ペロブスカイト構造を有する遷移金属化合物のナノ構造体が挙げられる。特に金属ハロゲンペロブスカイト類のナノ構造体がこのましい。該ナノ構造体としては、ナノ粒子、ナノロッドが好ましい。

発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）において、上述した発光物質（ゲスト材料）と組み合わせて用いる有機化合物（ホスト材料等）としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。

≪蛍光発光用ホスト材料≫
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いる発光物質が蛍光発光物質である場合、組み合わせる有機化合物（ホスト材料）として、一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物、または蛍光量子収率が高い有機化合物を用いるのが好ましい。したがって、このような条件を満たす有機化合物であれば、本実施の形態で示す、正孔輸送性材料（前述）、または電子輸送性材料（後述）等を用いることができる。

一部上述した具体例と重複するが、発光物質（蛍光発光物質）との好ましい組み合わせという観点から、有機化合物（ホスト材料）としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられる。

なお、蛍光発光物質と組み合わせて用いることが好ましい有機化合物（ホスト材料）の具体例としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン（略称：α、βＡＤＮ）、２−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）ジベンゾフラン、２−（１０−フェニル−９−アントラセニル）−ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン（略称：Ｂｎｆ（ＩＩ）ＰｈＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）、９−（２−ナフチル）−１０−［３−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ−ｍβＮＰＡｎｔｈ）、１−［４−（１０−［１，１’−ビフェニル］−４−イル−９−アントラセニル）フェニル］−２−エチル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＥｔＢＩｍＰＢＰｈＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５−トリ（１−ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）、５，１２−ジフェニルテトラセン、５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセンなどが挙げられる。

≪燐光発光用ホスト材料≫
また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いる発光物質が燐光発光物質である場合、組み合わせる有機化合物（ホスト材料）として、発光物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択すれば良い。なお、励起錯体を形成させるべく複数の有機化合物（例えば、第１のホスト材料、および第２のホスト材料（またはアシスト材料ともいう）等）を発光物質と組み合わせて用いる場合は、これらの複数の有機化合物を燐光発光物質と混合して用いることが好ましい。

このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。なお、複数の有機化合物の組み合わせとしては、励起錯体が形成しやすいものが良く、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。

なお、一部上述した具体例と重複するが、発光物質（燐光発光物質）との好ましい組み合わせという観点から、有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）としては、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する有機化合物）、カルバゾール誘導体（カルバゾール骨格を有する有機化合物）、ジベンゾチオフェン誘導体（ジベンゾチオフェン骨格を有する有機化合物）、ジベンゾフラン誘導体（ジベンゾフラン骨格を有する有機化合物）、オキサジアゾール誘導体（オキサジアゾール骨格を有する有機化合物）、トリアゾール誘導体（トリアゾール骨格を有する有機化合物）、ベンゾイミダゾール誘導体（ベンゾイミダゾール骨格を有する有機化合物）、キノキサリン誘導体（キノキサリン骨格を有する有機化合物）、ジベンゾキノキサリン誘導体（ジベンゾキノキサリン骨格を有する有機化合物）、ピリミジン誘導体（ピリミジン骨格を有する有機化合物）、トリアジン誘導体（トリアジン骨格を有する有機化合物）、ピリジン誘導体（ピリジン骨格を有する有機化合物）、ビピリジン誘導体（ビピリジン骨格を有する有機化合物）、フェナントロリン誘導体（フェナントロリン骨格を有する有機化合物）、フロジアジン誘導体（フロジアジン骨格を有する有機化合物）、亜鉛、またはアルミニウム系の金属錯体、等が挙げられる。

なお、上記の有機化合物のうち、正孔輸送性の高い有機化合物である、芳香族アミン、およびカルバゾール誘導体の具体例としては、上述した正孔輸送性材料の具体例と同じものが挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

また、上記の有機化合物のうち、正孔輸送性の高い有機化合物である、ジベンゾチオフェン誘導体、およびジベンゾフラン誘導体の具体例としては、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）、４−［３−（トリフェニレン−２−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ）等が挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

その他、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども好ましいホスト材料として挙げられる。

また、上記の有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物である、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キナゾリン誘導体、フェナントロリン誘導体等の具体例としては、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯＳ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ジ（２−ナフチル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−｛４−［９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−アントリル］フェニル｝−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）、２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、等が挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

また、上記の有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物である、ピリジン誘導体、ジアジン誘導体（ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体を含む）、トリアジン誘導体、フロジアジン誘導体の具体例として、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、９，９’−［ピリミジン−４，６−ジイルビス（ビフェニル−３，３’−ジイル）］ビス（９Ｈ−カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、８−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、９−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−４−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−［３‘−（トリフェニレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、２−［（１，１‘−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２，６−ビス（４−ナフタレン−１−イルフェニル）−４−［４−（３−ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ−６ＰｙＰＰｍ）、９−［４−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−２−ジベンゾチオフェニル］−２−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２−［１，１’−ビフェニル］−３−イル−４−フェニル−６−（８−［１，１’：４’，１‘’−タ−フェニル］−４−イル−１−ジベンゾフラニル）−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢＰ−ＴＰＤＢｆＴｚｎ）、６−（１，１‘−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニル−６−（１，１’−ビフェニル−４−イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）などが挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

また、上記の有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物である、金属錯体の具体例としては、亜鉛、またはアルミニウム系の金属錯体である、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）の他、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が、挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。

その他、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物などもホスト材料として好ましい。

さらに、正孔輸送性の高い有機化合物であり、かつ電子輸送性の高い有機化合物である、バイポーラ性の９−フェニル−９’−（４−フェニル−２−キナゾリニル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾ−ル（略称：ＰＣＣｚＱｚ）、２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、１１−（４−［１，１’−ニフェニル］−４−イル−６−フェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−１１，１２−ジヒドロ−１２−フェニル−インドロ［２，３−ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ−Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、７−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）キナゾリン−２−イル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ−ｃｇＤＢＣｚＱｚ）等をホスト材料として用いることもできる。

＜電子輸送層＞
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、後述する電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）によって第２の電極１０２、または電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）から注入された電子を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に輸送する層である。なお、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料は、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層でも機能するが、本発明の一態様では、２層以上の積層構造とすることが好ましい。なお、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）を積層構造とした場合、実施の形態１で説明したように複素芳香族化合物と有機化合物、または複数種の複素芳香族化合物を有する（好ましくは混合膜を有する）電子輸送層は、それ以外の構成を有する電子輸送層に比べて高い耐熱性を有するため、複素芳香族化合物と有機化合物、または複数種の複素芳香族化合物を有する電子輸送層上でフォトリソ工程を行うことにより、熱工程によるデバイス特性への影響を抑制することができる。

≪電子輸送性材料≫
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いることができる電子輸送性材料としては、電子輸送性の高い有機化合物である、複素芳香族化合物を用いることができる。なお、複素芳香族化合物とは、環の中に少なくとも２種類の異なる元素を含む環式化合物である。なお、環構造としては、３員環、４員環、５員環、６員環等が含まれるが、特に５員環、または、６員環が好ましく、含まれる元素としては、炭素の他に窒素、酸素、または硫黄などのいずれか一又は複数を含む複素芳香族化合物が好ましい。特に窒素を含む複素芳香族化合物（含窒素複素芳香族化合物）が好ましく、含窒素複素芳香族化合物、またはこれを含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を用いることが好ましい。

また、複素芳香環には、縮環構造を有する縮合複素芳香環を含む。

なお、複素芳香族化合物としては、例えば、炭素の他に窒素、酸素、または硫黄などのいずれか一又は複数を含む複素芳香族化合物のうち、５員環構造を有する複素芳香族化合物としては、イミダゾール骨格を有する有機化合物、トリアゾール骨格を有する有機化合物、オキサゾール骨格を有する有機化合物、オキサジアゾール骨格を有する有機化合物、チアゾール骨格を有する有機化合物、ベンゾイミダゾール骨格を有する有機化合物などが挙げられる。

また、例えば、炭素の他に窒素、酸素、または硫黄などのいずれか一又は複数を含む複素芳香族化合物のうち、６員環構造を有する複素芳香族化合物としては、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格などを含む）、トリアジン骨格、ポリアゾール骨格などの複素芳香環を有する有機化合物などが挙げられる。なお、ピリジン骨格が連結した構造である有機化合物に含まれるが、ビピリジン構造を有する有機化合物、ターピリジン構造を有する有機化合物などが挙げられる。

さらに、上記６員環構造を一部に含む縮環構造を有する複素芳香族化合物としては、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環（フロジアジン骨格のフラン環に芳香環が縮合した骨格を含む）、ベンゾイミダゾール環などの縮合複素芳香環を有する有機化合物、などが挙げられる。

上記、５員環構造（イミダゾール骨格、トリアゾール骨格、オキサゾール骨格、オキサジアゾール骨格、チアゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格など）を有する複素芳香族化合物の具体例としては、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４）−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯＳ）などが挙げられる。

上記、６員環構造（ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格などを含む）、トリアジン骨格、ポリアゾール骨格など）を有する複素芳香族化合物の具体例としては、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ、ｍＦＢＰＴｚｎ、８ＢＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ、９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−［３‘−（トリフェニレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、２−［（１，１‘−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２，６−ビス（４−ナフタレン−１−イルフェニル）−４−［４−（３−ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ−６ＰｙＰＰｍ）、９−［４−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−２−ジベンゾチオフェニル］−２−フェニル−９Ｈ−カルバゾ−ル（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２−［１，１’−ビフェニル］−３−イル−４−フェニル−６−（８−［１，１’：４’，１’’−ターフェニル］−４−イル−１−ジベンゾフラニル）−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢＰ−ＴＰＤＢｆＴｚｎ）、６−（１，１‘−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニル−６−（１，１’−ビフェニル−４−イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）などが挙げられる。

また、２−｛３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−８−（ナフタレン−２−イル）−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８βＮ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８−［（２，２’−ビナフタレン）−６−イル］−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、などが挙げられる。

その他にも、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ−Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス｛４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−６−フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ−ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、２，４，６−トリス（３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２，４，６−トリス（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン（略称：２Ｐｙ３Ｔｚ）、２−［３−（２，６−ジメチル−３−ピリジル）−５−（９−フェナントリル）フェニル）−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＰｎ−ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、等が挙げられる。

上記、６員環構造を一部に含む縮環構造（キノリン骨格、ベンゾキノリン骨格、キノキサリン骨格、ジベンゾキノキサリン骨格、フェナントロリン骨格など）を有する複素芳香族化合物の具体例としては、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ジ（２−ナフチル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ、等が挙げられる。

電子輸送層には、上記に示す複素芳香族化合物の他にも下記に示す金属錯体を用いることができる。トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ_３）、Ａｌｍｑ_３、８−キノリノラト−リチウム（Ｉ）（略称：Ｌｉｑ）、ＢｅＢｑ_２、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）等のキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）等のオキサゾール骨格またはチアゾール骨格を有する金属錯体等が挙げられる。

また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を電子輸送性材料として用いることもできる。

＜電子注入層＞
電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は、第２の電極１０２からの電子の注入効率を高めるための層であり、第２の電極１０２に用いる材料の仕事関数の値と、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に用いる材料のＬＵＭＯ準位のエネルギー値とを比較した際、その差が小さい（０．５ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。従って、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）には、リチウム、セシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、８−キノリノラト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）、イッテルビウム（Ｙｂ）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）を構成する物質を用いることもできる。

また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料（金属錯体、または複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物、またはアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。また、これらの材料を複数、積層して用いても良い。

その他にも、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と金属とを混合してなる複合材料を用いても良い。なお、ここで用いる有機化合物としては、ＬＵＭＯ準位が−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、非共有電子対を有する材料が好ましい。

したがって、上記の複合材料に用いる有機化合物としては、電子輸送層に用いることができるとして上述した、複素芳香族化合物を金属と混合してなる複合材料を用いてもよい。複素芳香族化合物としては、５員環構造（イミダゾール骨格、トリアゾール骨格、オキサゾール骨格、オキサジアゾール骨格、チアゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格など）を有する複素芳香族化合物、６員環構造（ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格などを含む）、トリアジン骨格、ビピリジン骨格、ターピリジン骨格など）を有する複素芳香族化合物、６員環構造を一部に含む縮環構造（キノリン骨格、ベンゾキノリン骨格、キノキサリン骨格、ジベンゾキノキサリン骨格、フェナントロリン骨格など）を有する複素芳香族化合物などの非共有電子対を有する材料が好ましい。具体的な材料については、上述したので、ここでの説明は省略する。

また、上記の複合材料に用いる金属としては、周期表における第５族、第７族、第９族または第１１族に属する遷移金属、または第１３族に属する材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、またはＩｎ等が挙げられる。また、この時、有機化合物は、遷移金属との間で半占有軌道（ＳＯＭＯ：Ｓｉｎｇｌｙ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）を形成する。

なお、例えば、発光層１１３ｂから得られる光を増幅させる場合には、第２の電極１０２と、発光層１１３ｂとの光学距離が、発光層１１３ｂが呈する光の波長λの１／４未満となるように形成するのが好ましい。この場合、電子輸送層１１４ｂまたは電子注入層１１５ｂの膜厚を変えることにより、調整することができる。

また、図２Ｄに示す発光デバイスのように、２つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）の間に電荷発生層１０６を設けることにより、複数のＥＬ層が一対の電極間に積層された構造（タンデム構造ともいう）とすることもできる。

＜電荷発生層＞
電荷発生層１０６は、第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０２との間に電圧を印加したときに、ＥＬ層１０３ａに電子を注入し、ＥＬ層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１０６は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された構成（Ｐ型層ともいう）であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成（電子注入バッファ層ともいう）であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。さらに、Ｐ型層と電子注入バッファ層との間に電子リレー層が設けられていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層１０６を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

電荷発生層１０６において、有機化合物である正孔輸送性材料に、電子受容体が添加された構成（Ｐ型層）とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。なお、上述したアクセプタ材料を用いても良い。また、Ｐ型層を構成する材料を混合してなる混合膜として用いても、それぞれの材料を含む単膜を積層しても良い。

また、電荷発生層１０６において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成（電子注入バッファ層）とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、炭酸セシウム（Ｃｓ_２ＣＯ_３）などを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。

電荷発生層１０６において、Ｐ型層と電子注入バッファ層との間に電子リレー層を設ける場合、電子リレー層は少なくとも電子輸送性を有する物質を含み、電子注入バッファ層とＰ型層との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子リレー層に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電荷発生層１０６に接する電子輸送層に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。なお、電子リレー層に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

なお、図２Ｄでは、ＥＬ層１０３が２層積層された構成を示したが、異なるＥＬ層の間に電荷発生層を設けることにより３層以上のＥＬ層の積層構造としてもよい。図２Ｅでは、３層のＥＬ層（ＥＬ層１０３ａ、ＥＬ層１０３ｂ、およびＥＬ層１０３ｃ）が、２層の電荷発生層（電荷発生層１０６ａおよび電荷発生層１０６ｂ）を介して積層された構成を示す。

＜基板＞
本実施の形態で示した発光デバイスは、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。

なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、アクリル等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などが挙げられる。

なお、本実施の形態で示す発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、スピンコート法、またはインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる場合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、または、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることができる。特に発光デバイスのＥＬ層に含まれる様々な機能を有する層（正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）、および電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ））については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

なお、上記塗布法、印刷法などの成膜方法を適用する場合において、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００~４０００）、無機化合物（量子ドット材料等）等を用いることができる。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。

本実施の形態で示す発光デバイスのＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）を構成する各層（正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）、および電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ））は、本実施の形態において示した材料に限られることはなく、それ以外の材料であっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置（表示パネルともいう）の具体的な構成例、および製造方法について説明する。

＜発光装置７００の構成例１＞
図３Ａに示す発光装置７００は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒを有する。また、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒは、第１の基板５１０上に設けられた機能層５２０上に形成される。機能層５２０には、複数のトランジスタで構成された駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤなどの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。なお、これらの駆動回路は、一例として、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと、それぞれ電気的に接続され、これらを駆動することができる。また、駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤについては、実施の形態４で後述する。

なお、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒは、実施の形態２で示したデバイス構造を有する。特に、各発光デバイスが、図２Ｂに示す構造、いわゆるタンデム構造を有する場合を示す。

なお、各発光デバイスの発光層の構成は、同じであっても異なっていても良い。なお、各色の発光デバイス（例えば青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける場合には、以下に説明するフォトリソ工程を発光デバイス毎に繰り返して行えばよい。なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（例えば青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。

図３Ａに示すように、発光デバイス５５０Ｂは、電極５５１Ｂ、電極５５２、ＥＬ層（１０３Ｐｂ、１０３Ｑｂ）、および電荷発生層１０６Ｂを有する、積層構造を有する。なお、各層の具体的な構成は実施の形態２に示す通りである。また、電極５５１Ｂと電極５５２とは、重なる。また、ＥＬ層１０３ＰｂとＥＬ層１０３Ｑｂは、電荷発生層１０６Ｂを挟んで積層され、かつ電極５５１Ｂと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐｂ、ＥＬ層１０３Ｑｂ、および電荷発生層１０６Ｂを有する。なお、ＥＬ層１０３Ｐｂ、１０３Ｑｂは、実施の形態２で説明したＥＬ層１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃと同様に、発光層を含む複数の機能の異なる層からなる積層構造を有する。また、ＥＬ層１０３Ｐｂ、１０３Ｑｂは、それぞれ電子輸送層を有し、特にＥＬ層１０３Ｑｂは、積層構造を有する電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｂ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２）を有する。なお、第１の電子輸送層１０８Ｑｂ−１は、実施の形態１で示すように、複素芳香族化合物と有機化合物、または複数種の複素芳香族化合物を用いてなる層（好ましくは混合膜からなる層）である。また、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２は、電子輸送性材料を用いて形成すればよく、１種類の複素芳香族化合物を用いて形成された層であっても、１種類の有機化合物を用いて形成された層であっても、有機化合物と複素芳香族化合物を用いて形成された層であっても、有機物と複数種の複素芳香族化合物を有する層であっても良い。また、例えば、ＥＬ層１０３Ｐｂは、青色の光を射出することができ、ＥＬ層１０３Ｑｂは、黄色の光を射出することができる構成としても良い。また、例えば、ＥＬ層１０３Ｐｂは、青色の光を射出することができ、ＥＬ層１０３Ｑｂも青色の光を射出することができる構成とすることができる。

なお、第２の電子輸送層１０８において、発光デバイス５５０Ｂを構成する領域を第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２と称する場合がある。同様に、第２の電子輸送層１０８において、発光デバイス５５０Ｇを構成する領域を第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２、発光デバイス５５０Ｒを構成する領域を第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２と称する場合がある。

図３Ａでは、ＥＬ層１０３Ｐｂに含まれる層のうち、ホール注入・輸送層１０４Ｐｂのみを図示し、ＥＬ層１０３Ｑｂに含まれる層のうち、ホール注入・輸送層１０４Ｑｂ、電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｂ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２）および電子注入層１０９のみを図示する。したがって、以降では、各ＥＬ層に含まれる層も含めて説明できる場合は、便宜上、ＥＬ層（ＥＬ層１０３Ｐｂ、ＥＬ層１０３Ｑｂ）を用いて説明する。また、電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｂ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２）のうち、発光層と接して形成される第１の電子輸送層１０８Ｑｂ−１は、陽極側から発光層を通過して陰極側に移動するホールをブロックするための機能を有していても良い。また、電子注入層１０９についても一部または全部が異なる材料を用いて形成される積層構造を有していても良いこととする。

また、電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｂ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２）のうち、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２は、図３Ａに示すように電極５５１Ｂ上に、ＥＬ層１０３Ｑｂの一部（本実施の形態では、発光層上の第１の電子輸送層１０８Ｑｂ−１まで形成）の上に形成された犠牲層を除去した後、形成される。したがって、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２は、ＥＬ層１０３Ｑｂの一部（上記）、ＥＬ層１０３Ｐｂ、および電荷発生層１０６Ｂの側面（または端部）に接して形成される。これにより、ＥＬ層１０３Ｐｂ、ＥＬ層１０３Ｑｂ、および電荷発生層１０６Ｂのそれぞれの側面から内部への酸素、水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。なお、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２には、電子輸送性材料を１種または複数種、用いることができる。また、上記の犠牲層を除去する前に絶縁層を形成し、その後犠牲層を除去することで、ＥＬ層１０３Ｑｂの一部（上記）、ＥＬ層１０３Ｐｂ、および電荷発生層１０６Ｂの側面（または端部）に接して絶縁層を形成しても良い。すなわち、絶縁層形成後、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２を形成しても良い。なお、絶縁層に用いる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどを用いることができる。絶縁層の形成には、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができるが、被覆性の良好なＡＬＤ法がより好ましい。

また、ＥＬ層１０３Ｑｂの一部（上記）を覆って、電子注入層１０９が形成される。なお、電子注入層１０９は、層中の電気抵抗が異なる２層以上の積層構造を有することが好ましい。例えば、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２と接する第１の層を電子輸送性材料のみで形成して、その上に金属材料を含む電子輸送性材料で形成する第２の層との積層を有し、さらに第１の層と第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２との間に金属材料を含む電子輸送性材料で形成する第３の層を有していても良い。

また、電極５５２は、電子注入層１０９上に形成される。なお、電極５５１Ｂと電極５５２とは、互いに重なる領域を有する。また、電極５５１Ｂと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐｂ、ＥＬ層１０３Ｑｂ、および電荷発生層１０６Ｂ、を有する。したがって、電子注入層１０９が、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２（上記絶縁層も形成する場合には、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２および絶縁層）を介してＥＬ層１０３Ｑｂ、ＥＬ層１０３Ｐｂ、および電荷発生層１０６Ｂの側面（または端部）と接する構造、または電極５５２が、電子注入層１０９および第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２を介してＥＬ層１０３Ｑｂ、ＥＬ層１０３Ｐｂ、および電荷発生層１０６Ｂの側面（または端部）と接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｐｂと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｐｂが有する、ホール注入・輸送層１０４Ｐｂと電極５５２、ＥＬ層１０３Ｑｂと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｑｂが有する、ホール注入・輸送層１０４Ｑｂと電極５５２、または電荷発生層１０６Ｂと電極５５２、とが、電気的に短絡することを防ぐことができる。

また、図３Ａに示すように、発光デバイス５５０Ｇは、電極５５１Ｇ、電極５５２、ＥＬ層（１０３Ｐｇ、１０３Ｑｇ）、および電荷発生層１０６Ｇを有する、積層構造を有する。なお、各層の具体的な構成は実施の形態２に示す通りである。また、電極５５１Ｇと電極５５２とは、重なる。また、ＥＬ層１０３ＰｇとＥＬ層１０３Ｑｇは、電荷発生層１０６Ｇを挟んで積層され、かつ電極５５１Ｇと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐｇ、ＥＬ層１０３Ｑｇ、および電荷発生層１０６Ｇを有する。なお、ＥＬ層１０３Ｐｇ、１０３Ｑｇは、実施の形態２で説明したＥＬ層１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃと同様に、発光層を含む複数の機能の異なる層からなる積層構造を有する。また、ＥＬ層１０３Ｐｇ、１０３Ｑｇは、それぞれ電子輸送層を有し、特にＥＬ層１０３Ｑｇは、積層構造を有する電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｇ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２）を有する。なお、第１の電子輸送層１０８Ｑｇ−１は、実施の形態１で示すように、複素芳香族化合物と有機化合物、または複数種の複素芳香族化合物を有する層（好ましくは混合膜からなる層）である。また、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２は、電子輸送性材料を用いて形成すればよく、１種類の複素芳香族化合物を用いて形成された層であっても、１種類の有機化合物を用いて形成された層であっても、有機化合物と複素芳香族化合物を用いて形成された層であっても、有機物と複数種の複素芳香族化合物を有する層であっても良い。また、例えば、ＥＬ層１０３Ｐｇは、青色の光を射出することができ、ＥＬ層１０３Ｑｇは、黄色の光を射出することができる構成としても良い。また、例えば、ＥＬ層１０３Ｐｇは、緑色の光を射出することができ、ＥＬ層１０３Ｑｇも緑色の光を射出することができる構成とすることができる。

図３Ａでは、ＥＬ層１０３Ｐｇに含まれる層のうち、ホール注入・輸送層１０４Ｐｇのみを図示し、ＥＬ層１０３Ｑｇに含まれる層のうち、ホール注入・輸送層１０４Ｑｇ、電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｇ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２）および電子注入層１０９のみを図示する。したがって、以降では、各ＥＬ層に含まれる層も含めて説明できる場合は、便宜上、ＥＬ層（ＥＬ層１０３Ｐｇ、ＥＬ層１０３Ｑｇ）を用いて説明する。また、電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｇ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２）のうち、発光層と接して形成される第１の電子輸送層１０８Ｑｇ−１は、陽極側から発光層を通過して陰極側に移動するホールをブロックするための機能を有していても良い。また、電子注入層１０９についても一部または全部が異なる材料を用いて形成される積層構造を有していても良いこととする。

また、電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｇ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２）のうち、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２は、図３Ａに示すように電極５５１Ｇ上に、ＥＬ層１０３Ｑｇの一部（本実施の形態では、発光層上の第１の電子輸送層１０８Ｑｇ−１まで形成）の上に形成された犠牲層を残したまま形成される。したがって、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２は、ＥＬ層１０３Ｑｇの一部（上記）、ＥＬ層１０３Ｐｇ、および電荷発生層１０６Ｇの側面（または端部）に接して形成される。これにより、ＥＬ層１０３Ｐｇ、ＥＬ層１０３Ｑｇ、および電荷発生層１０６Ｇ、それぞれの側面から内部への酸素、水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。なお、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２には、電子輸送性材料を１種または複数種、用いることができる。また、上記の犠牲層を除去する前に絶縁層を形成し、その後犠牲層を除去することで、ＥＬ層１０３Ｑｇの一部（上記）、ＥＬ層１０３Ｐｇ、および電荷発生層１０６Ｇの側面（または端部）に接して絶縁層を形成しても良い。すなわち、絶縁層形成後、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２を形成しても良い。なお、絶縁層に用いる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどを用いることができる。絶縁層の形成には、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができるが、被覆性の良好なＡＬＤ法がより好ましい。

また、ＥＬ層１０３Ｑｇの一部（上記）を覆って、電子注入層１０９が形成される。なお、電子注入層１０９は、層中の電気抵抗が異なる２層以上の積層構造を有することが好ましい。例えば、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２と接する第１の層を電子輸送性材料のみで形成して、その上に金属材料を含む電子輸送性材料で形成する第２の層との積層を有し、さらに第１の層と第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２との間に金属材料を含む電子輸送性材料で形成する第３の層を有していても良い。

また、電極５５２は、電子注入層１０９上に形成される。なお、電極５５１Ｇと電極５５２とは、互いに重なる領域を有する。また、電極５５１Ｇと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐｇ、ＥＬ層１０３Ｑｇ、および電荷発生層１０６Ｇ、を有する。したがって、電子注入層１０９が、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２（上記絶縁層も形成する場合には、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２および絶縁層）を介してＥＬ層１０３Ｑｇ、ＥＬ層１０３Ｐｇ、および電荷発生層１０６Ｇの側面（または端部）と接する構造、または電極５５２が、電子注入層１０９および第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２を介してＥＬ層１０３Ｑｇ、ＥＬ層１０３Ｐｇ、および電荷発生層１０６Ｇの側面（または端部）と接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｐｇと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｐｇが有する、ホール注入・輸送層１０４Ｐｇと電極５５２、ＥＬ層１０３Ｑｇと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｑｇが有する、ホール注入・輸送層１０４Ｑｇと電極５５２、または電荷発生層１０６Ｇと電極５５２、とが、電気的に短絡することを防ぐことができる。

また、図３Ａに示す発光デバイス５５０Ｒは、電極５５１Ｒ、電極５５２、ＥＬ層（１０３Ｐｒ、１０３Ｑｒ）、および電荷発生層１０６Ｒを有する、積層構造を有する。なお、各層の具体的な構成は実施の形態２に示す通りである。また、電極５５１Ｒと電極５５２とは、重なる。また、ＥＬ層１０３ＰｒとＥＬ層１０３Ｑｒは、電荷発生層１０６Ｒを挟んで積層され、かつ電極５５１Ｒと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐｒ、ＥＬ層１０３Ｑｒ、および電荷発生層１０６Ｒを有する。なお、ＥＬ層１０３Ｐｒ、１０３Ｑｒは、実施の形態２で説明したＥＬ層１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃと同様に、発光層を含む複数の機能の異なる層からなる積層構造を有する。また、ＥＬ層１０３Ｐｒ、１０３Ｑｒは、それぞれ電子輸送層を有し、特にＥＬ層１０３Ｑｒは、積層構造を有する電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｒ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２）を有する。なお、第１の電子輸送層１０８Ｑｒ−１は、実施の形態１で示すように、複素芳香族化合物と有機化合物、または複数種の複素芳香族化合物を有する層（好ましくは混合膜からなる層）である。また、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２は、電子輸送性材料を用いて形成すればよく、１種類の複素芳香族化合物を用いて形成された層であっても、１種類の有機化合物を用いて形成された層であっても、有機化合物と複素芳香族化合物を用いて形成された層であっても、有機物と複数種の複素芳香族化合物を有する層であっても良い。また、例えば、ＥＬ層１０３Ｐｒは、青色の光を射出することができ、ＥＬ層１０３Ｑｒは、赤色の光を射出することができる構成としても良い。また、例えば、ＥＬ層１０３Ｐｒは、赤色の光を射出することができ、ＥＬ層１０３Ｑｒも赤色の光を射出することができる構成とすることができる。

図３Ａでは、ＥＬ層１０３Ｐｒに含まれる層のうち、ホール注入・輸送層１０４Ｐｒのみを図示し、ＥＬ層１０３Ｑｒに含まれる層のうち、ホール注入・輸送層１０４Ｑｒ、電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｒ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２）および電子注入層１０９のみを図示する。したがって、以降では、各ＥＬ層に含まれる層も含めて説明できる場合は、便宜上、ＥＬ層（ＥＬ層１０３Ｐｒ、ＥＬ層１０３Ｑｒ）を用いて説明する。また、電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｒ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２）のうち、発光層と接して形成される第１の電子輸送層１０８Ｑｒ−１は、陽極側から発光層を通過して陰極側に移動するホールをブロックするための機能を有していても良い。また、電子注入層１０９についても一部または全部が異なる材料を用いて形成される積層構造を有していても良いこととする。

また、電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑｒ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２）のうち、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２は、図３Ａに示すように電極５５１Ｒ上に、ＥＬ層１０３Ｑｒの一部（本実施の形態では、発光層上の第１の電子輸送層１０８Ｑｒ−１まで形成）の上に形成された犠牲層を残したまま形成される。したがって、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２は、ＥＬ層１０３Ｑｒの一部（上記）、ＥＬ層１０３Ｐｒ、および電荷発生層１０６Ｒの側面（または端部）に接して形成される。これにより、ＥＬ層１０３Ｐｒ、ＥＬ層１０３Ｑｒ、および電荷発生層１０６Ｒ、それぞれの側面から内部への酸素、水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２には、電子輸送性材料を１種または複数種、用いることができる。また、上記の犠牲層を除去する前に絶縁層を形成し、その後犠牲層を除去することで、ＥＬ層１０３Ｑｒの一部（上記）、ＥＬ層１０３Ｐｒ、および電荷発生層１０６Ｒの側面（または端部）に接して絶縁層を形成しても良い。すなわち、絶縁層形成後、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２を形成しても良い。なお、絶縁層に用いる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどを用いることができる。絶縁層の形成には、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができるが、被覆性の良好なＡＬＤ法がより好ましい。

また、ＥＬ層１０３Ｑｒの一部（上記）を覆って、電子注入層１０９が形成される。なお、電子注入層１０９は、層中の電気抵抗が異なる２層以上の積層構造を有することが好ましい。例えば、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２と接する第１の層を電子輸送性材料のみで形成して、その上に金属材料を含む電子輸送性材料で形成する第２の層との積層を有し、さらに第１の層と第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２との間に金属材料を含む電子輸送性材料で形成する第３の層を有していても良い。

また、電極５５２は、電子注入層１０９上に形成される。なお、電極５５１Ｒと電極５５２とは、互いに重なる領域を有する。また、電極５５１Ｒと電極５５２との間に、ＥＬ層１０３Ｐｒ、ＥＬ層１０３Ｑｒ、および電荷発生層１０６Ｒ、を有する。したがって、電子注入層１０９が、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２（上記絶縁層も形成する場合には、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２および絶縁層）を介してＥＬ層１０３Ｑｒ、ＥＬ層１０３Ｐｒ、および電荷発生層１０６Ｒの側面（または端部）と接する構造、または電極５５２が、電子注入層１０９および第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２を介してＥＬ層１０３Ｑｒ、ＥＬ層１０３Ｐｒ、および電荷発生層１０６Ｒの側面（または端部）と接する構造を有する。これにより、ＥＬ層１０３Ｐｒと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｐｒが有する、ホール注入・輸送層１０４Ｐｒと電極５５２、ＥＬ層１０３Ｑｒと電極５５２、より具体的には、ＥＬ層１０３Ｑｒが有する、ホール注入・輸送層１０４Ｑｒと電極５５２、または電荷発生層１０６Ｒと電極５５２、とが、電気的に短絡することを防ぐことができる。

なお、各発光デバイスが有する、ＥＬ層（１０３Ｐｂ、１０３Ｐｇ、１０３Ｐｒ、１０３Ｑｂ、１０３Ｑｇ、１０３Ｑｒ）、および電荷発生層１０６Ｒを発光デバイスごとに分離加工する際、フォトリソグラフィ法によるパターン形成を行うため、加工されたＥＬ層の端部（側面）が概略同一表面を有する（または、概略同一平面上に位置する）形状となる。

各発光デバイスがそれぞれ有する、ＥＬ層（１０３Ｐｂ、１０３Ｐｇ、１０３Ｐｒ、１０３Ｑｂ、１０３Ｑｇ、１０３Ｑｒ）、および電荷発生層１０６Ｒは、隣り合う発光デバイスとの間に、それぞれ間隙５８０を有する。なお、ここで、間隙５８０を隣り合う発光デバイスのＥＬ層の間の距離をＳＥで表す場合、距離ＳＥが小さいほど開口率を高めること、及び、精細度を高めることができる。一方、距離ＳＥが大きいほど、隣り合う発光デバイスとの作製工程ばらつきの影響を許容できるため、製造歩留まりを高めることができる。本明細書により作製される発光デバイスは微細化プロセスに好適であるため、隣り合う発光デバイスのＥＬ層の間の距離ＳＥは、０．５μｍ以上５μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上２．５μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上２μｍ以下とすることができる。なお、代表的には、距離ＳＥは１μｍ以上２μｍ以下（例えば１．５μｍまたはその近傍）であることが好ましい。

また、ＥＬ層（１０３Ｐｂ、１０３Ｐｇ、１０３Ｐｒ、１０３Ｑｂ、１０３Ｑｇ、１０３Ｑｒ）における正孔輸送領域に含まれる正孔注入層、および電荷発生層１０６Ｒは、導電率が高いことが多いため、隣り合う発光デバイスに共通する層として形成されると、クロストークの原因となる場合がある。したがって、本構成例で示すように間隙５８０を設けることにより、隣り合う発光デバイス間で生じるクロストークの発生を抑制することが可能となる。

１０００ｐｐｉを超える高精細な発光装置（表示パネル）において、ＥＬ層（１０３Ｐｂ、１０３Ｑｂ）、ＥＬ層（１０３Ｐｇ、１０３Ｑｇ）、およびＥＬ層（１０３Ｐｒ、１０３Ｑｒ）との間に電気的な導通が認められると、クロストーク現象が発生し、発光装置の表示可能な色域が狭くなってしまう。１０００ｐｐｉを超える高精細な表示パネル、好ましくは２０００ｐｐｉを超える高精細な表示パネル、より好ましくは５０００ｐｐｉを超える超高精細な表示パネルに間隙５８０を設けることで、鮮やかな色彩を表示可能な表示パネルを提供できる。

本構成例において、発光デバイス５５０Ｂは、青色の光を射出し、発光デバイス５５０Ｇは、緑色の光を射出し、発光デバイス５５０Ｒは、赤色の光を射出する構成とする、またはいずれも白色の光を射出する構成とすることができる。なお、本明細書等において、白色の光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。また、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の表示装置を実現することができる。したがって、第２の基板７７０は、着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲを有する。なお、これらの着色層は、図３Ａに示すように一部重ねて設けても良い。一部を重ねて設けることで重ねた部分を遮光膜として機能させることもできる。本構成例では、例えば、着色層ＣＦＢには、青色の光（Ｂ）を優先的に透過する材料を用い、着色層ＣＦＧには、緑色の光（Ｇ）を優先的に透過する材料を用い、着色層ＣＦＲには、赤色の光（Ｒ）を優先的に透過する材料を用いる。

図３Ｂには、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇおよび発光デバイス５５０Ｒ（まとめて発光デバイス５５０と図示する）が、白色発光デバイスである場合における、発光デバイス５５０Ｂの構成を示す。電極５５１Ｂ上にＥＬ層１０３ＰおよびＥＬ層１０３Ｑが、電荷発生層１０６Ｂを挟んで積層される。また、ＥＬ層１０３Ｐは、青色の光ＥＬ（１）を射出する発光層１１３Ｂを有し、ＥＬ層１０３Ｑは、緑色の光ＥＬ（２）を射出する発光層１１３Ｇおよび赤色の光ＥＬ（３）を射出する発光層１１３Ｒと、ホール注入・輸送層１０４Ｑおよび電子輸送層（第１の電子輸送層１０８Ｑ−１、第２の電子輸送層１０８Ｑ−２）と、を有する。

なお、上記の着色層に換えて色変換層を用いることができる。例えば、ナノ粒子、量子ドットなどを色変換層に用いることができる。

例えば、着色層ＣＦＧに換えて、青色の光を緑色の光に変換する色変換層を用いることができる。これにより、発光デバイス５５０Ｇが射出する青色の光を緑色の光に変換することができる。また、着色層ＣＦＲに換えて青色の光を赤色の光に変換する色変換層を用いることができる。これにより、発光デバイス５５０Ｒが射出する青色の光を赤色の光に変換することができる。

＜発光装置７００の構成例２＞
図４に示す発光装置（表示パネル）７００は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒを有する。また、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒは、第１の基板５１０上に設けられた機能層５２０上に形成される。機能層５２０には、複数のトランジスタで構成された駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤなどの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。なお、これらの駆動回路は、一例として、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと、それぞれ電気的に接続され、これらを駆動することができる。また、駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤについては、実施の形態４で後述する。

なお、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒは、実施の形態２で示したデバイス構造を有する。特に、各発光デバイスが、図２Ｂに示す構造、いわゆるタンデム構造を有する場合を示す。

なお、図４に示す各発光デバイスの具体的な構成は、図３Ｂで説明した、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと同じであり、いずれも白色の光を射出する。但し、各発光デバイスの発光層の構成は、異なっていても良く、各色の発光デバイス（例えば青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける場合には、以下に示す製造方法で説明するフォトリソ工程を発光デバイス毎に繰り返して行えばよい。

なお、本構成例で示す発光装置は、第１の基板５１０上に形成される各発光デバイス上に形成される着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲを有する点で、図３Ａに示す発光装置の構成と異なる。

すなわち、第１の基板５１０上に形成される各発光デバイスの電極５５２上に絶縁層５７３を有し、絶縁層５７３上に着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲを有する。

さらに、着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲ上に絶縁層７０５を有する。絶縁層７０５は、機能層５２０、各発光デバイス（５５０Ｂ、５５０Ｇ、５５０Ｒ）、および着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ、および着色層ＣＦＲを有する、第１の基板５１０の着色層（ＣＦＢ、ＣＦＧ、ＣＦＲ）側で、第２の基板７７０と挟まれる領域を備え、第１の基板５１０および第２の基板７７０を貼り合わせる機能を備える。

なお、上記絶縁層５７３および絶縁層７０５は、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を用いることができる。

なお、無機材料としては、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。または、酸化物半導体（例えば、ＩＧＺＯ膜など）として、酸化アルミニウム膜と、当該酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜との積層構造などを用いることができる。

また、有機材料としては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを用いることができる。または、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤等のいずれか一つまたは複数の有機材料を用いることができる。

＜発光装置の製造方法の例１＞
図５Ａに示すように、電極５５１Ｂ、電極５５１Ｇ、および電極５５１Ｒを形成する。例えば、第１の基板５１０上に形成された機能層５２０上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、所定の形状に加工する。

なお、導電膜の形成には、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、または熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

また、導電膜の加工には、上述したフォトリソグラフィ法以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。なお、ここで島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた層と平面的に見て分離されている状態を指す。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。なお、前者の方法を行う場合、レジスト塗布後の加熱（ＰＡＢ：Ｐｒｅ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｂａｋｅ）、および露光後の加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）などの熱処理工程がある。本発明の一態様では、導電膜の加工だけでなく、ＥＬ層の形成に用いる薄膜（有機化合物からなる膜、または有機化合物を一部に含む膜）の加工にもリソグラフィー法を用いる。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）光またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に代えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

レジストマスクを用いた薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

次に、図５Ｂに示すように、第１の基板５１０上に形成された、電極（５５１Ｂ、５５１Ｇ、５５１Ｒ）上に、これらを覆うようにＥＬ層１０３ａ（ホール注入・輸送層１０４ａを含む）、電荷発生層１０６、およびＥＬ層１０３ｂ（ホール注入・輸送層１０４ｂ、第１の電子輸送層１０８ｂ−１を含む）を形成する。

ここで、ＥＬ層１０３ｂに含まれる、積層構造を有する電子輸送層（第１の電子輸送層１０８ｂ−１、第２の電子輸送層１０８ｂ−２）のうち、第１の電子輸送層１０８ｂ−１を有機化合物と複素芳香族化合物とを用いてなる層（好ましくは混合膜からなる層）とする。また、第１の電子輸送層１０８Ｑｂ−１は、１種類の複素芳香族化合物または有機化合物を用いて形成された層であっても、有機化合物と複素芳香族化合物とを用いてなる層であっても良い。なお、第１の電子輸送層１０８ｂ−１をこのような構成とすることにより、第１の電子輸送層１０８ｂ−１形成後の製造プロセスで形成される、犠牲層１１０の形成プロセス時の温度、および犠牲層１１０のパターン形成時に用いるレジスト材料の硬化温度に対する熱ダメージを抑制することができる。なお、ここで用いる混合膜の具体的な構成については、実施の形態１に示したので、ここでの説明は省略する。

次に、ＥＬ層１０３ｂの第１の電子輸送層１０８ｂ−１上に犠牲層１１０を形成する。

犠牲層１１０は、ＥＬ層１０３ｂのエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、犠牲層１１０は、エッチングの選択比の異なる、第１の犠牲層と第２の犠牲層との積層構造であることが好ましい。また、犠牲層１１０は、ＥＬ層１０３ｂへのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング材料としては、シュウ酸などを用いることができる。

犠牲層１１０としては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を用いることができる。また、犠牲層１１０は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの各種成膜方法により形成することができる。

犠牲層１１０としては、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀などの低融点材料を用いることが好ましい。

また、犠牲層１１０としては、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いた酸化物も適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。

また、犠牲層１１０としては、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。

また、犠牲層１１０としては、少なくともＥＬ層１０３ｂの最上部に位置する膜（第１の電子輸送層１０８ｂ−１）に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いることが好ましい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を、犠牲層１１０に好適に用いることができる。犠牲層１１０を成膜する際には、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ層１０３ｂへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

なお、犠牲層１１０を積層構造にする場合には、上述した材料で形成される層を第１の犠牲層とし、その下に第２の犠牲層を形成して積層構造とすることができる。

この場合の第２の犠牲層は、第１の犠牲層をエッチングする際のハードマスクとして用いる膜である。また、第２の犠牲層の加工時には、第１の犠牲層が露出する。したがって、第１の犠牲層と第２の犠牲層とは、互いにエッチングの選択比の大きい膜の組み合わせを選択する。そのため、第１の犠牲層のエッチング条件、及び第２の犠牲層のエッチング条件に応じて、第２の犠牲層に用いることのできる膜を選択することができる。

例えば、第２の犠牲層のエッチングに、フッ素を含むガス（フッ素系ガスともいう）を用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル、窒化タンタル、モリブデンとニオブを含む合金、またはモリブデンとタングステンを含む合金などを、第２の犠牲層に用いることができる。ここで、上記フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して、エッチングの選択比を大きくとれる（すなわち、エッチング速度を遅くできる）膜としては、ＩＧＺＯ、ＩＴＯなどの金属酸化物膜などがあり、これを第１の犠牲層に用いることができる。

なお、これに限られず、第２の犠牲層は、様々な材料の中から、第１の犠牲層のエッチング条件、及び第２の犠牲層のエッチング条件に応じて、選択することができる。例えば、上記第１の犠牲層に用いることのできる膜の中から選択することもできる。

また、第２の犠牲層としては、例えば窒化物膜を用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、窒化ゲルマニウムなどの窒化物を用いることもできる。

または、第２の犠牲層として、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウムなどの酸化物膜または酸窒化物膜を用いることもできる。

次に、図６Ａに示すように、犠牲層１１０上にレジストを塗布して、その後、電極５５１Ｂ、電極５５１Ｇ、及び電極５５１Ｒに重畳しない犠牲層１１０の領域のレジストを除去して、電極５５１Ｂ、電極５５１Ｇ、及び電極５５１Ｒに重畳する犠牲層１１０の領域にレジストが残るように、レジストマスクＲＥＧを形成する。例えば、フォトリソグラフィ法を用いて、犠牲層１１０上に塗布されたレジストを所望の形状に形成する。そして、得られたレジストマスクＲＥＧに覆われない犠牲層１１０の一部をエッチングにより除去する。（図６Ｂ参照）。その後、レジストマスクＲＥＧを除去し、犠牲層に覆われない、ＥＬ層１０３ａ（ホール注入・輸送層１０４ｂを含む）、電荷発生層１０６、およびＥＬ層１０３ｂ（ホール注入・輸送層１０４ｂ、第１の電子輸送層１０８ｂ−１を含む）の一部をエッチングにより除去し、側面を有する（または側面が露出する）形状、または紙面と交差する方向に延びる帯状の形状、に加工する。具体的には、ＥＬ層１０３ｂ（ホール注入・輸送層１０４ｂ、第１の電子輸送層１０８ｂ−１を含む）上にパターン形成した犠牲層１１０を用い、ドライエッチングを行う。なお、図示しないが、犠牲層１１０が第１の電子輸送層１０８ｂ−１側から積層された、第１の犠牲層および第２の犠牲層との積層構造を有する場合には、レジストマスクにより第２の犠牲層の一部をエッチングした後、レジストマスクを除去し、第２の犠牲層をマスクとして、第１の犠牲層の一部をエッチングし、ＥＬ層１０３Ｑ（ホール注入・輸送層１０４Ｑ、第１の電子輸送層１０８ｂ−１を含む）、電荷発生層１０６、およびＥＬ層１０３Ｐ（ホール注入・輸送層１０４Ｐを含む）を所定の形状に加工しても良い。

なお、図６Ａに示すように犠牲層１１０上にフォトリソグラフィ法を用いてレジストを所望の形状に形成する方法を行う場合、レジスト塗布後の加熱（ＰＡＢ：Ｐｒｅ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｂａｋｅ）、および露光後の加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）などの熱処理工程がある。例えば、ＰＡＢ温度は、１００℃前後、ＰＥＢ温度は１２０℃前後になる。そのため、これらの処理温度に耐えうる発光デバイスであることが必要である。本発明の一態様である発光デバイスは、フォトリソ処理に晒される層が、具体的には、実施の形態１で説明した、複素芳香族化合物と、有機化合物とを有する耐熱性の高い層を用いているため、熱処理時の影響が抑制され、信頼性の高い発光デバイスを備えた発光装置を得ることができる。

次に、犠牲層１１０を除去して、第１の電子輸送層（１０８Ｑｂ−１、１０８Ｑｇ−１、１０８Ｑｒ−１）上に第２の電子輸送層（１０８Ｑｂ−２、１０８Ｑｇ−２、１０８Ｑｒ−２）を形成する。（図６Ｃ参照）。なお、第２の電子輸送層（１０８Ｑｂ−２、１０８Ｑｇ−２、１０８Ｑｒ−２）は、電子輸送性材料を用いて形成すればよく、１種類の複素芳香族化合物を用いて形成された層であっても複数種の複素芳香族化合物を用いてなる層であっても良い。

この場合、第２の電子輸送層（１０８Ｑｂ−２、１０８Ｑｇ−２、１０８Ｑｒ−２）は、図７Ａに示すように各ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）の側面に接して形成される。具体的には、第２の電子輸送層１０８Ｑｂ−２は、ＥＬ層１０３Ｐｂ（ホール注入・輸送層１０４Ｐｂ、および発光層を含む）、電荷発生層１０６Ｂ、ＥＬ層１０３Ｑｂ（ホール注入・輸送層１０４Ｑｂ、発光層、および第１の電子輸送層１０８Ｑｂ−１を含む）をエッチング加工した際に露出した側面にも形成される。また、第２の電子輸送層１０８Ｑｇ−２は、ＥＬ層１０３Ｐｇ（ホール注入・輸送層１０４Ｐｇ、および発光層を含む）、電荷発生層１０６Ｇ、ＥＬ層１０３Ｑｇ（ホール注入・輸送層１０４Ｑｇ、発光層、および第１の電子輸送層１０８Ｑｇ−１を含む）をエッチング加工した際に露出した側面にも形成される。また、第２の電子輸送層１０８Ｑｒ−２は、ＥＬ層１０３Ｐｒ（ホール注入・輸送層１０４Ｐｒ、および発光層を含む）、電荷発生層１０６Ｒ、ＥＬ層１０３Ｑｒ（ホール注入・輸送層１０４Ｑｒ、発光層、および第１の電子輸送層１０８Ｑｒ−１を含む）をエッチング加工した際に露出した側面にも形成される。これにより、各ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）の側面から内部への酸素、水分、またはこれらの構成元素の侵入を抑制することができる。

次に、第２の電子輸送層（１０８Ｑｂ−２、１０８Ｑｇ−２、１０８Ｑｒ−２）上に電子注入層１０９を形成する。電子注入層１０９は、例えば、真空蒸着法を用いて形成する。

なお、電子注入層１０９は、第２の電子輸送層（１０８Ｑｂ−２、１０８Ｑｇ−２、１０８Ｑｒ−２）を介して各ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）および電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）と接する構造を有する。

次に、電子注入層１０９上に電極５５２を形成する。電極５５２は、例えば、真空蒸着法を用いて形成する。なお、電極５５２は、電子注入層１０９および第２の電子輸送層（１０８Ｑｂ−２、１０８Ｑｇ−２、１０８Ｑｒ−２）を介して各ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）および電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）の側面（または端部）と接する構造を有する。これにより、各ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）と電極５５２、より具体的には、各ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）がそれぞれ有するホール注入・輸送層（１０４Ｐｂ、１０４Ｐｇ、１０４Ｐｒ、１０４Ｑｂ、１０４Ｑｇ、１０４Ｑｒ）と電極５５２とが、電気的に短絡することを防ぐことができる。

以上により、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０ＲのＥＬ層１０３Ｐ（ホール注入・輸送層（１０４Ｐｂ、１０４Ｐｇ、１０４Ｐｒ）を含む）、電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）、およびＥＬ層１０３Ｑ（ホール注入・輸送層（１０４Ｑｂ、１０４Ｑｇ、および１０４Ｑｒ）、第２の電子輸送層（１０８Ｑｂ−２、１０８Ｑｇ−２、および１０８Ｑｒ−２）を含む）を一度のフォトリソグラフィ法によるパターン形成で、それぞれ分離して形成することができる。

次に、絶縁層５７３、着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ並びに着色層ＣＦＲ、絶縁層７０５を形成する（図７Ｂ参照）。

例えば、平坦な膜と緻密な膜を積層して絶縁層５７３を形成する。具体的には、塗布法を用いて平坦な膜を形成し、化学気相成長法または原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いて緻密な膜を平坦な膜の上に積層する。これにより、欠陥の少ない良質な絶縁層５７３を形成することができる。

例えば、カラーレジストを用いて、着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧおよび着色層ＣＦＲを所定の形状に形成する。なお、間隙５８０上で、着色層ＣＦＲおよび着色層ＣＦＢが重なるように加工する。これにより、隣接する発光デバイスが射出する光が回り込んでしまう現象を抑制できる。

絶縁層７０５は、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を用いることができる。

なお、各発光デバイスが有する、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）、および電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）を発光デバイスごとに分離加工する際、フォトリソグラフィ法によるパターン形成を行うため、高精細な発光装置（表示パネル）を作製することができる。また、フォトリソグラフィ法によるパターン形成により加工されたＥＬ層の端部（側面）は概略同一表面を有する（または、概略同一平面上に位置する）形状となる。

また、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）における正孔輸送領域に含まれる正孔注入層、および電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）は、導電率が高いことが多いため、隣り合う発光デバイスに共通する層として形成されると、クロストークの原因となる場合がある。したがって、本構成例で示すようにフォトリソグラフィ法によるパターン形成によりＥＬ層を分離加工することにより、隣り合う発光デバイス間で生じるクロストークの発生を抑制することが可能となる。

＜発光装置７００の構成例３＞
図８に示す発光装置（表示パネル）７００は、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒを有する。また、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、および発光デバイス５５０Ｒは、第１の基板５１０上に設けられた機能層５２０上に形成される。機能層５２０には、複数のトランジスタで構成された駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤなどの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。なお、これらの駆動回路は、一例として、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと、それぞれ電気的に接続され、これらを駆動することができる。また、駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤについては、実施の形態４で後述する。

なお、図８に示す各発光デバイスの具体的な構成は、図３Ｂで説明した、発光デバイス５５０Ｂ、発光デバイス５５０Ｇ、発光デバイス５５０Ｒと同じであり、いずれも白色の光を射出する。但し、各発光デバイスの発光層の構成は、異なっていても良く、各色の発光デバイス（例えば青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける場合には、以下に示す製造方法で説明するフォトリソ工程を発光デバイス毎に繰り返して行えばよい。

図８に示すように、各発光デバイス間、例えば、電極５５１Ｂと、電極５５１Ｇとの間には、隔壁５２８を有する。したがって、この隔壁５２８に第２の電子輸送層（１０８Ｑｂ−２、１０８Ｑｇ−２、１０８Ｑｒ−２）を形成する構成を有する。

なお、フォトリソグラフィ法によるパターン形成により、ＥＬ層（１０３Ｐｂ、１０３Ｐｇ、１０３Ｐｒ）、電荷発生層（１０６Ｂ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）、およびＥＬ層（１０３Ｑｂ、１０３Ｑｇ、１０３Ｑｒ）の第１の電子輸送層（１０８Ｑｂ−１、１０８Ｑｇ−１、１０８Ｑｒ−１）まで形成した後、これらをそれぞれ分離形成し、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて、隔壁５２８上の間隙５８０に絶縁層を形成しても良い。なお、上記のうち被覆性の良好なＡＬＤ法がより好ましい。さらに、ＥＬ層（１０３Ｑｂ、１０３Ｑｇ、１０３Ｑｒ）に含まれる第２の電子輸送層（１０８Ｑｂ−２、１０８Ｑｇ−２、１０８Ｑｒ−２）および電子注入層１０９を形成し、その上に電極５５２を形成することができる。

また、本構成例において、隣り合う各発光デバイス（５５０Ｂ、５５０Ｇ、５５０Ｒ）のＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）、および電荷発生層（１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｒ）をそれぞれ別々に形成してもよい。この場合には、ＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）の構成をそれぞれ変えることが可能である。例えば、発光デバイス５５０ＢのＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）に青色発光を呈する発光物質を用いて、青色発光を呈する層とし、発光デバイス５５０ＧのＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）に緑色発光を呈する発光物質を用いて、緑色発光を呈する層とし、発光デバイス５５０ＲのＥＬ層（１０３Ｐ、１０３Ｑ）に赤色発光を呈する発光物質を用いて、赤色発光を呈する層としてもよい。または、発光デバイス５５０ＢのＥＬ層１０３ＰｂとＥＬ層１０３Ｑｂ、発光デバイス５５０ＧのＥＬ層１０３ＰｇとＥＬ層１０３Ｑｇ、発光デバイス５５０ＲのＥＬ層１０３ＰｒとＥＬ層１０３Ｑｒ、にそれぞれ異なる発光色を呈する発光物質を用いても良い。

なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。ＭＭＬ構造の発光装置は、メタルマスクを用いずに作製するため、ＦＭＭ構造、またはＭＭ構造の発光装置よりも画素配置及び画素形状等の設計自由度が高い。

なお、ＭＭＬ構造の発光装置が有する島状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、ＥＬ層を成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまでに比べて高精細な発光装置または高開口率の発光装置を実現することができる。さらに、ＥＬ層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い発光装置を実現できる。また、ＥＬ層上に犠牲層を設けることで、作製工程中にＥＬ層が受けるダメージを低減することができるため、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

なお、上記発光層を島状に加工する場合、発光層まで積層したＥＬ層をフォトリソグラフィ法を用いて加工する構造が考えられる。当該構造の場合、発光層にダメージ（加工によるダメージなど）が入り、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで本発明の一態様の表示パネルを作製する際には、発光層よりも上方に位置する層（例えば、キャリア輸送層、またはキャリア注入層、より具体的には電子輸送層、または電子注入層など）の上にて、犠牲層などを形成し、発光層を島状に加工する方法を用いることが好ましい。当該方法を適用することで、信頼性の高い表示パネルを提供することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について図９Ａ乃至図１１Ｂを用いて説明する。なお、図９Ａ乃至図１１Ｂに示す発光装置７００は、実施の形態２で示す発光デバイスを有する。また、本実施の形態で説明する発光装置７００は、電子機器などの表示部に適用可能であることから表示パネルと呼ぶこともできる。

本実施の形態で説明する発光装置７００は、図９Ａに示す通り、表示領域２３１を備え、表示領域２３１は一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を有する。また、図９Ｂに示す通り、一組の画素７０３（ｉ，ｊ）に隣接する一組の画素７０３（ｉ＋１，ｊ）を有する。

なお、画素７０３（ｉ，ｊ）には、複数の画素を用いることができる。例えば、色相が互いに異なる色を表示する複数の画素を用いることができる。なお、複数の画素のそれぞれを副画素と言い換えることができる。または、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。

これにより、当該複数の画素が表示する色を加法混色または減法混色することができる。または、個々の画素では表示することができない色相の色を、表示することができる。

具体的には、青色を表示する画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、緑色を表示する画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および赤色を表示する画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）のそれぞれを副画素と言い換えることができる。

また、白色等を表示する画素を上記の一組に加えて、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いてもよい。また、シアンを表示する画素、マゼンタを表示する画素およびイエローを表示する画素のそれぞれを、副画素として画素７０３（ｉ，ｊ）に用いてもよい。

また、上記の一組に加えて、赤外線を射出する画素を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いてもよい。具体的には、６５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の波長を有する光を含む光を射出する画素を、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。

図９Ａに示す表示領域２３１の周辺には、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、を有する。また、駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤ等と電気的に接続された端子５１９を有する。端子５１９は、例えば、図１１Ａに示すように、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１と電気的に接続することができる。

なお、駆動回路ＧＤは、第１の選択信号および第２の選択信号を供給する機能を有する。例えば、駆動回路ＧＤは後述する導電膜Ｇ１（ｉ）と電気的に接続され、第１の選択信号を供給し、後述する導電膜Ｇ２（ｉ）と電気的に接続され、第２の選択信号を供給する。また、駆動回路ＳＤは、画像信号および制御信号を供給する機能を備え、制御信号は第１のレベルおよび第２のレベルを含む。例えば、駆動回路ＳＤは後述する導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）と電気的に接続され、画像信号を供給し、後述する導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）と電気的に接続され、制御信号を供給する。

図１１Ａには、図９Ａに示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２と一点鎖線Ｘ３−Ｘ４のそれぞれにおける、発光装置の断面図を示している。図１１Ａに示す通り、発光装置７００は、第１の基板５１０と、第２の基板７７０と、の間に機能層５２０を有する。機能層５２０には、上述した駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤなどの他、これらを電気的に接続する配線等が含まれる。図１１Ａでは、機能層５２０は、画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）ならびに画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）および駆動回路ＧＤを含む構成を示すが、これに限らない。

また、機能層５２０が有する各画素回路（例えば、図１１Ａに示す画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ））は、機能層５２０上に形成される各発光デバイス（例えば、図１１Ａに示す発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ））と電気的に接続される。具体的には、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）は開口部５９１Ｂを介して画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）に電気的に接続され、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は開口部５９１Ｇを介して画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に電気的に接続されている。また、機能層５２０および各発光デバイス上に絶縁層７０５が設けられており、絶縁層７０５は、第２の基板７７０と機能層５２０とを貼り合わせる機能を有する。

なお、第２の基板７７０には、マトリクス状にタッチセンサを備える基板を用いることができる。例えば、静電容量式のタッチセンサまたは光学式のタッチセンサを備えた基板を第２の基板７７０に用いることができる。これにより、本発明の一態様の発光装置をタッチパネルとして使用することができる。

また、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）の具体的な構成を図１０Ａに示す。

図１０Ａに示すように、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２１、スイッチＳＷ２２、トランジスタＭ２１、容量Ｃ２１およびノードＮ２１を有する。また、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）はノードＮ２２、容量Ｃ２２およびスイッチＳＷ２３を有する。

トランジスタＭ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続されるゲート電極と、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第２の電極と、を有する。

スイッチＳＷ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される第１の端子と、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）と電気的に接続される第２の端子と、を有する。また、スイッチＳＷ２１は、導電膜Ｇ１（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を有する。

スイッチＳＷ２２は、導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）と電気的に接続される第１の端子を有し、導電膜Ｇ２（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を有する。

容量Ｃ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される導電膜と、スイッチＳＷ２２の第２の端子と電気的に接続される導電膜を有する。

これにより、画像信号をノードＮ２１に格納することができる。または、ノードＮ２１の電位を、スイッチＳＷ２２を用いて、変更することができる。または、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光の強度を、ノードＮ２１の電位を用いて、制御することができる。

次に、図１０Ａで説明した、トランジスタＭ２１の具体的な構造の一例を図１０Ｂに示す。なお、トランジスタＭ２１としては、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを適宜用いることができる。

図１０Ｂに示すトランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、絶縁膜５０６、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを有する。トランジスタは、例えば、絶縁膜５０１Ｃ上に形成される。また、当該トランジスタは、絶縁膜５１６（絶縁膜５１６Ａ及び絶縁膜５１６Ｂ）、及び絶縁膜５１８を有する。

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを有する。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを有する。

導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４はゲート電極の機能を有する。

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を有する。絶縁膜５０６は第１のゲート絶縁膜の機能を有する。

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を有する。

また、導電膜５２４をトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を有する。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機能を有する。絶縁膜５０１Ｄは半導体膜５０８および導電膜５２４の間に挟まれ、第２のゲート絶縁膜の機能を有する。

絶縁膜５１６は、例えば、半導体膜５０８を覆う保護膜として機能する。絶縁膜５１６としては、例えば、具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を用いることができる。

絶縁膜５１８は、例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を適用することが好ましい。具体的には、絶縁膜５１８としては、例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等を用いることができる。また、酸化窒化シリコン、及び酸化窒化アルミニウムのそれぞれに含まれる酸素の原子数と窒素の原子数は、窒素の原子数のほうが多いことが好ましい。

なお、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成することができる。例えば、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同じ組成の半導体膜を、駆動回路のトランジスタに用いることができる。

また、半導体膜５０８には、第１４族の元素を含む半導体を用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

また、半導体膜５０８には、水素化アモルファスシリコンを用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる発光装置（または表示パネル）より、表示ムラが少ない発光装置を提供することができる。または、発光装置の大型化が容易である。

また、半導体膜５０８には、ポリシリコンを用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。

または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。

または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。

または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

また、半導体膜５０８には、単結晶シリコンを用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる発光装置（または表示パネル）より、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる発光装置より、表示ムラが少ない発光装置を提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。

また、半導体膜５０８には、金属酸化物を用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、電子機器の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

また、半導体膜５０８には、酸化物半導体を用いることができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体、インジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛と錫とを含む酸化物半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

なお、酸化物半導体を半導体膜に用いることで、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタよりもオフ状態におけるリーク電流が小さいトランジスタを得ることができる。したがって、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチ等に利用することが好ましい。なお、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチに利用する回路は、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタをスイッチに利用する回路よりも、長い時間、フローティングノードの電位を保持することができる。

図１１Ａでは、第２の基板７７０側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置を示したが、図１１Ｂに示すように第１の基板５１０側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としても良い。なお、ボトムエミッション型の発光装置の場合には、第１の電極を半透過・半反射電極として機能するように形成し、第２の電極を反射電極として機能するように形成する。

また、図１１Ａ及び図１１Ｂでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、実施の形態２に示す発光デバイスの構成は、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すパッシブマトリクス型の発光装置に適用しても良い。

なお、図１２Ａは、パッシブマトリクス型の発光装置を示す斜視図、図１２Ｂは図１２ＡをＸ−Ｙで切断した断面図である。図１２Ａ、及び図１２Ｂにおいて、基板９５１上には、電極９５２及び電極９５６が設けられ、電極９５２と電極９５６との間にはＥＬ層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光デバイスの不良を防ぐことが出来る。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成について、図１３Ａ乃至図１５Ｂにより説明する。

図１３Ａ乃至図１５Ｂは、本発明の一態様の電子機器の構成を説明する図である。図１３Ａは電子機器のブロック図であり、図１３Ｂ乃至図１３Ｅは電子機器の構成を説明する斜視図である。また、図１４Ａ乃至図１４Ｅは電子機器の構成を説明する斜視図である。また、図１５Ａおよび図１５Ｂは電子機器の構成を説明する斜視図である。

本実施の形態で説明する電子機器５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０と、を有する（図１３Ａ参照）。

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を有する。

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０を有する。また、入出力装置５２２０は、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を有する。

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を有する。例えば、入力部５２４０は、電子機器５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を有する。例えば、実施の形態２において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を有する。例えば、電子機器が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を有する。

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を有する。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を有する。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を有する。

図１３Ｂは、円筒状の柱などに沿った外形を有する電子機器を示す。一例として、デジタル・サイネージ等が挙げられる。本発明の一態様である表示パネルは、表示部５２３０に適用することができる。なお、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備えていても良い。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を有する。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。

図１３Ｃは、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を有する電子機器を示す。一例として、電子黒板、電子掲示板、電子看板等が挙げられる。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。

図１３Ｄは、他の装置から情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる電子機器を示す。一例として、ウェアラブル型電子機器などが挙げられる。具体的には、いくつかの選択肢を表示できる、または、使用者が選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信することができる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を有する。これにより、例えば、ウェアラブル型電子機器の消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をウェアラブル型電子機器に表示することができる。

図１３Ｅは、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える表示部５２３０を有する電子機器を示す。一例として、携帯電話などが挙げられる。なお、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を有する。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。

図１４Ａは、インターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる電子機器を示す。一例として、スマートフォンなどが挙げられる。例えば、作成したメッセージを表示部５２３０で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を有する。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。

図１４Ｂは、リモートコントローラーを入力部５２４０とすることができる電子機器を示す。一例として、テレビジョンシステムなどが挙げられる。例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、検知部５２５０を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を有する。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。

図１４Ｃは、インターネットから教材を受信して、表示部５２３０に表示することができる電子機器を示す。一例として、タブレットコンピュータなどが挙げられる。入力部５２４０を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部５２３０に表示することができる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示することができる。

例えば、他の電子機器から画像信号を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、スタンドなどに立てかけて、表示部５２３０をサブディスプレイに用いることができる。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

図１４Ｄは、複数の表示部５２３０を有する電子機器を示す。一例として、デジタルカメラなどが挙げられる。例えば、検知部５２５０で撮影しながら表示部５２３０に表示することができる。または、撮影した映像を検知部に表示することができる。または、入力部５２４０を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を有する。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。

図１４Ｅは、他の電子機器をスレイブに用い、本実施の形態の電子機器をマスターに用いて、他の電子機器を制御することができる電子機器を示す。一例として、携帯可能なパーソナルコンピュータなどが挙げられる。例えば、画像情報の一部を表示部５２３０に表示し、画像情報の他の一部を他の電子機器の表示部に表示することができる。または、画像信号を供給することができる。または、通信部５２９０を用いて、他の電子機器の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。

図１５Ａは、加速度または方位を検知する検知部５２５０を有する電子機器を示す。一例として、ゴーグル型の電子機器などが挙げられる。検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、電子機器は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部５２３０は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を有する。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の電子機器に表示することができる。

図１５Ｂは、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部５２５０を有する電子機器を示す。一例として、めがね型の電子機器などが挙げられる。検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、電子機器は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の電子機器に表示することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態２に記載の発光デバイスを照明装置として用いる構成について、図１６により説明する。なお、図１６Ａは、図１６Ｂに示す照明装置の上面図における線分ｅ−ｆの断面図である。

本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、第１の電極４０１が形成されている。第１の電極４０１は実施の形態２における第１の電極１０１に相当する。第１の電極４０１側から発光を取り出す場合、第１の電極４０１は透光性を有する材料により形成する。

第２の電極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。

第１の電極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は実施の形態２におけるＥＬ層１０３の構成、又はＥＬ層１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ及び電荷発生層１０６（１０６ａ、１０６ｂ）を合わせた構成などに相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照されたい。

ＥＬ層４０３を覆って第２の電極４０４を形成する。第２の電極４０４は実施の形態２における第２の電極１０２に相当する。発光を第１の電極４０１側から取り出す場合、第２の電極４０４は反射率の高い材料によって形成される。第２の電極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給される。

以上、第１の電極４０１、ＥＬ層４０３、及び第２の電極４０４を有する発光デバイスを本実施の形態で示す照明装置は有している。当該発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるため、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。

以上の構成を有する発光デバイスが形成された基板４００と、封止基板４０７とをシール材４０５、４０６を用いて固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材４０５、４０６はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材４０６（図１６Ｂでは図示せず）には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる。

また、パッド４１２と第１の電極４０１の一部をシール材４０５、４０６の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用して作製される照明装置の応用例について、図１７を用いて説明する。

室内の照明装置としては、シーリングライト８００１として応用できる。シーリングライト８００１には、天井直付型、または天井埋め込み型がある。なお、このような照明装置は、発光装置を筐体、またはカバーと組み合わせることにより構成される。その他にもコードペンダント型（天井からのコード吊り下げ式）への応用も可能である。

また、足元灯８００２は、床面に灯りを照射し、足元の安全性を高めることができる。例えば、寝室、階段、または通路などに使用するのが有効である。その場合、部屋の広さ、および構造に応じて適宜サイズ、および形状を変えることができる。また、発光装置と支持台とを組み合わせて構成される据え置き型の照明装置とすることも可能である。

また、シート状照明８００３は、薄型のシート状の照明装置である。壁面に張り付けて使用するため、場所を取らず幅広い用途に用いることができる。なお、大面積化も容易である。なお、曲面を有する壁面、または筐体に用いることもできる。

また、光源からの光が所望の方向のみに制御された照明装置８００４を用いることもできる。

また、電気スタンド８００５は、光源８００６を有し、光源８００６としては、本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用することができる。

なお、上記以外にも室内に備えられた家具の一部に本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用することにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

本実施例では、材料、または構造（積層膜、混合膜等）の異なる膜をガラス基板上に作製し、得られたサンプル（膜）に対して行った耐熱性試験の結果を示す。なお、サンプルは、複数の複素芳香族化合物の組み合わせ、または膜構造を変えて、９種類作製した。なお、各サンプルの構造は、結果と共に以下の表１に示す。また、本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。

以下に、各サンプル（サンプル１~サンプル９）の作製方法を示す。

まず、真空蒸着装置を用いて、ガラス基板上に試料層を形成し、１ｃｍ×３ｃｍの短冊状に切り出した。次に、ベルジャー型加熱器（柴田化学（株）ベルジャー型バキュームオーブンＢＶ−００１）に基板を導入し、１０ｈＰａ程度まで減圧してから、８０℃から１５０℃の範囲の設定温度で１時間焼成した。

サンプル１は、１種類の複素芳香族化合物を用いた単層膜であり、ガラス基板上に２，９−ジ（２−ナフチル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、形成した。

サンプル２は、１種類の複素芳香族化合物を用いた単層膜であり、ガラス基板上に２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着し、形成した。

サンプル３は、複数の複素芳香族化合物を用いた混合膜であり、ガラス基板上に２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑと、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）と、を重量比で０．８：０．２：０．０６（＝２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）となるように４０ｎｍ共蒸着し、形成した。

サンプル４は、複数の複素芳香族化合物を用いた積層膜であり、ガラス基板上に、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑを１０ｎｍ蒸着した後、ＮＢＰｈｅｎを１０ｎｍ蒸着し、形成した。

サンプル５は、複数の複素芳香族化合物を用いた混合膜であり、ガラス基板上に、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３と、を重量比で０．８：０．２：０．０６（＝２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）となるように４０ｎｍ共蒸着した後、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑを１０ｎｍ蒸着し、さらにＮＢＰｈｅｎを１０ｎｍ蒸着し、形成した。

サンプル６は、１種類の複素芳香族化合物を用いた単層膜であり、ガラス基板上に、ＰＣＢＢｉＦを膜厚４０ｎｍとなるように蒸着し、形成した。

サンプル７は、複数の複素芳香族化合物を用いた混合膜の単層膜であり、ガラス基板上に、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑと、ＮＢＰｈｅｎと、を重量比で０．５：０．５（＝２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ：ＮＢＰｈｅｎ）となるように２０ｎｍ共蒸着し、形成した。

サンプル８は、複数の複素芳香族化合物を用いた混合膜であり、ガラス基板上に、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３と、を重量比で０．８：０．２：０．０６（＝２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）となるように４０ｎｍ共蒸着した後、ＮＢＰｈｅｎを２０ｎｍ蒸着し、形成した。

サンプル９は、複数の複素芳香族化合物を用いた混合膜であり、ガラス基板上に、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３と、を重量比で０．８：０．２：０．０６（＝２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）となるように４０ｎｍ共蒸着した後、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑと、ＮＢＰｈｅｎと、を重量比で０．５：０．５（＝２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ：ＮＢＰｈｅｎ）となるように２０ｎｍ共蒸着し、形成した。

このような方法で作製した各サンプルについて、目視および光学顕微鏡（オリンパス（株）半導体／ＦＰＤ検査顕微鏡　ＭＸ６１Ｌ）にて観察を行った。

本実施例で作製した試料の写真（１００倍に拡大して暗視野観察）を図１８Ａ乃至図１８Ｅおよび図１９Ａ乃至図１９Ｄに示す。また、比較例として、各サンプルのベークなし（ｒｅｆ）も示した。

また、本実施例で作製した試料の構造およびその観察結果を表１に示す。なお、表１中、丸印は結晶が生成されなかったことを示し、バツ印は、結晶が生成したことを示す。また、明確に判定できなかったものを三角印とした。

以上の結果から、複数の複素芳香族化合物を用いた混合膜である、サンプル３およびサンプル７は、複数の複素芳香族化合物を用いた積層膜である、サンプル４およびサンプル５と比較して、結晶が生成されにくいことがわかった。したがって、複数の複素芳香族化合物を用いた混合膜は、耐熱性が向上することがわかった。特に、サンプル４とサンプル７を比較すると、同じ複素芳香族化合物を用いていながら、積層膜であるサンプル４は１００℃で結晶化したのに対し、混合膜であるサンプル７は１５０℃まで結晶化が起こらなかった。このことから、π電子不足型複素芳香族化合物を複数用いた混合膜は特に耐熱性向上効果があることがわかった。

また、上記結果より、単膜では耐熱性の比較的良好な材料であっても積層することによって低い温度で結晶化してしまう場合があることがわかる。複数の膜を積層したサンプル５、サンプル８およびサンプル９を比較すると、サンプル５は１００℃で結晶化し、サンプル８は８０℃で結晶化したのに対し、サンプル９は１３０℃まで明確な結晶化が起こらなかった。電子輸送層を１つの材料で構成する場合と比較して、電子輸送層を複数の複素芳香族化合物を用いた混合膜で構成することによって耐熱性が３０℃以上向上する効果があることがわかった。発光デバイスは、複数の有機化合物を積層して構成する場合が多い。そのため、本発明の一態様の発光デバイスを用いることによって発光デバイスの耐熱性を大幅に向上することが可能である。

実施例１の結果から、本発明の一態様である発光デバイスの電子輸送層に用いる、複素芳香族化合物と有機化合物は、これらを混合膜とすることで、これらの単層膜を積層させた積層膜に比べて耐熱性が向上することがわかったため、電子輸送層に複素芳香族化合物と有機化合物との混合膜を用いた発光デバイス１と、複素芳香族化合物と有機化合物との積層膜を用いた比較発光デバイス１をそれぞれ作製し、各デバイスの特性比較を行った。以下に、素子構造、およびその特性について説明する。なお、本実施例で用いる発光デバイス１および比較発光デバイス１の具体的な構成について表２に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

≪発光デバイス１の作製≫
本実施例で示す発光デバイス１は、図２０に示すように、第１の電極９０１および第２の電極９０３の間に形成されたＥＬ層９０２を有する。具体的には、基板９００上に形成された第１の電極９０１上に正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０３が積層された構造を有する。

まず、基板９００上に第１の電極９０１を形成した。電極面積は、４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。また、基板９００には、ガラス基板を用いた。また、第１の電極９０１は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、７０ｎｍの膜厚で成膜して形成した。

ここで、前処理として、基板の表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極９０１上に正孔注入層９１１を形成した。正孔注入層９１１は、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、上記構造式（ｉ）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ−００３）とを、重量比で１：０．０３（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して形成した。

次に、正孔注入層９１１上に正孔輸送層９１２を形成した。正孔輸送層９１２は、ＰＣＢＢｉＦを用い、５０ｎｍ蒸着して形成した。

次に、正孔輸送層９１２上に発光層９１３を形成した。

発光層９１３は、上記構造式（ｉｉ）で表される２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）と、ＰＣＢＢｉＦと、上記構造式（ｉｉｉ）で表されるトリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）とを、重量比で２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３＝０．８：０．２：０．０５となるように、５０ｎｍ共蒸着して形成した。

次に、発光層９１３上に電子輸送層９１４を形成した。電子輸送層９１４は、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑと、上記構造式（ｉｖ）で表される２，９−ジ（２−ナフチル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）とを、重量比で２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ：ＮＢＰｈｅｎ＝１：１となるように３０ｎｍ共蒸着して形成した。

次に、電子輸送層９１４上に電子注入層９１５を形成した。電子注入層９１５は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用い、膜厚が１ｎｍになるように蒸着して形成した。

次に、電子注入層９１５上に第２の電極９０３を形成した。第２の電極９０３は、アルミニウムを蒸着法により、膜厚が２００ｎｍとなるように形成した。なお、本実施例において、第２の電極９０３は、陰極として機能する。

以上の工程により、基板９００上に一対の電極間にＥＬ層を挟んでなる発光デバイス１を形成した。なお、上記工程で説明した正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、電子注入層９１５は、本発明の一態様におけるＥＬ層を構成する機能層である。また、上述した作製方法における蒸着工程では、全て抵抗加熱法による蒸着法を用いた。

作製した発光デバイス１は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、及び８０℃にて１時間熱処理）。

≪比較発光デバイス１の作製≫
比較発光デバイス１は、電子輸送層９１４として２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑと、ＮＢＰｈｅｎと、を共蒸着して形成する代わりに、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑを１０ｎｍ蒸着した後、ＮＢＰｈｅｎを２０ｎｍ蒸着して形成し、発光デバイス１と同様に作製した。

≪発光デバイス１の動作特性≫
発光デバイス１および比較発光デバイス１の輝度−電流密度特性を図２１に、電流効率−輝度特性を図２２に、輝度−電圧特性を図２３に、電流−電圧特性を図２４に、外部量子効率−輝度特性を図２５に、発光スペクトルを図２６にそれぞれ示す。また、発光デバイス１および比較発光デバイス１の１０００ｃｄ／ｍ^２付近における主な特性を表３に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。

図２１乃至図２６及び表３に示す結果より、本発明の一態様である発光デバイス１は、比較発光デバイス１と同等の動作特性を示すことがわかった。

次に、各発光デバイスに対する信頼性試験を行った。発光デバイス１および比較発光デバイス１の信頼性試験の結果を図２７に示す。図２７において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸はデバイスの駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験として、各発光デバイスに対して、５０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流密度での駆動試験を行った。

図２７に示す結果より、本発明の一態様である発光デバイス１は、比較発光デバイス１と同等の良好な信頼性を有することが示された。

本実施例では、実施例１および実施例２で使用した、２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）の合成法について説明する。２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑの構造式を以下に示す。

≪２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑの合成≫
３−（４−ブロモフェニル）−９−フェニルカルバゾール６．９ｇ（１７ｍｍｏｌ）と、ビス（ピナコレート）ジボラン４．４ｇ（１７ｍｍｏｌ）と、２−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（ｔＢｕＸＰｈｏｓ）０．１７ｇ（０．４ｍｍｏｌ）と、酢酸カリウム４．０ｇ（４０ｍｍｏｌ）と、キシレン９０ｍＬと、を２００ｍＬ三口フラスコに入れたのち、減圧脱気してから、系内を窒素気流下とした。この混合物を８０℃に加熱した後、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２）を０．１７ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）加え、１２０℃で１０時間撹拌した。

得られた混合物に２−（３−クロロフェニル）ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン５．８ｇ（１７ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム１３ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ｔＢｕＸＰｈｏｓ０．１８ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）を加え、減圧脱気してから、系内を窒素気流下とした。この混合物を８０℃に加熱した後、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２を０．１６ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）加え、この混合物を１３０℃で３時間、次いで１５０℃で１５時間加熱撹拌した。撹拌後、析出した固体を吸引ろ過で回収し、水とエタノールを用いて洗浄した。得られた固体を１Ｌのトルエンを用いてセライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３７−０２３０５）、アルミナを通して吸引ろ過を行った後、トルエンで再結晶を行い、目的物の白色粉末１．４ｇ（収率：１２％）を得た。合成スキームを下記式（ａ−１）に示す。

得られた固体をトレインサブリメーション法により、昇華精製した。昇華精製は、得られた固体１．３ｇを３４０℃で１５時間加熱して行った。昇華精製時の圧力は３．９Ｐａ、アルゴン流量は１５ｓｃｃｍとした。昇華精製後、目的物の固体を１．５ｇ、回収率８５％で得た。

上記で得られた固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。この結果から、本実施例において、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑが得られたことがわかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（クロロホルム−ｄ、５００ＭＨｚ）：δ＝７．３２−７．３５（ｍ，１Ｈ），７．４４６（ｓ，１Ｈ），７．４５４（ｓ、１Ｈ），７．４９−７．５３（ｍ，２Ｈ），７．６１−７．６６（ｍ，４Ｈ），７．７１−７．９２（ｍ，１１Ｈ），８．２４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ），８．３３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．４６（ｓｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１Ｈ），８．６７−８．６８（ｍ，３Ｈ），９．２６（ｄｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ、Ｊ＝１．３Ｈｚ、１Ｈ），９．４７（ｄｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，Ｊ＝１．５Ｈｚ、１Ｈ），９．４８（ｓ，１Ｈ）．

１００：発光デバイス、１０１：第１の電極、１０２：第２の電極、１０３ａ：ＥＬ層、１０３ｂ：ＥＬ層、１０３ｃ：ＥＬ層、１０３Ｐ：ＥＬ層、１０３Ｐｂ：ＥＬ層、１０３Ｐｇ：ＥＬ層、１０３Ｐｒ：ＥＬ層、１０３Ｑ：ＥＬ層、１０３Ｑｂ：ＥＬ層、１０３Ｑｇ：ＥＬ層、１０３Ｑｒ：ＥＬ層、１０３：ＥＬ層、１０４ａ：ホール注入・輸送層、１０４ｂ：ホール注入・輸送層、１０４Ｐ：ホール注入・輸送層、１０４Ｐｂ：ホール注入・輸送層、１０４Ｐｇ：ホール注入・輸送層、１０４Ｐｒ：ホール注入・輸送層、１０４Ｑ：ホール注入・輸送層、１０４Ｑｂ：ホール注入・輸送層、１０４Ｑｇ：ホール注入・輸送層、１０４Ｑｒ：ホール注入・輸送層、１０６ａ：電荷発生層、１０６Ｂ：電荷発生層、１０６ｂ：電荷発生層、１０６Ｇ：電荷発生層、１０６Ｒ：電荷発生層、１０６：電荷発生層、１０７：絶縁層、１０８ａ：電子輸送層、１０８：第２の電子輸送層、１０９ａ：電子注入層、１０９ｂ：電子注入層、１０９：電子注入層、１１０：犠牲層、１１１ａ：正孔注入層、１１１ｂ：正孔注入層、１１１：正孔注入層、１１２ａ：正孔輸送層、１１２ｂ：正孔輸送層、１１２：正孔輸送層、１１３ａ：発光層、１１３Ｂ：発光層、１１３ｂ：発光層、１１３Ｇ：発光層、１１３Ｒ：発光層、１１３：発光層、１１４ｂ：電子輸送層、１１４：電子輸送層、１１５ｂ：電子注入層、１１５：電子注入層、２３１：表示領域、４００：基板、４０１：第１の電極、４０３：ＥＬ層、４０４：第２の電極、４０５：シール材、４０６：シール材、４０７：封止基板、４１２：パッド、４２０：ＩＣチップ、５０１Ｃ：絶縁膜、５０１Ｄ：絶縁膜、５０４：導電膜、５０６：絶縁膜、５０８Ａ：領域、５０８Ｂ：領域、５０８Ｃ：領域、５０８：半導体膜、５１０：第１の基板、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５１６Ａ：絶縁膜、５１６Ｂ：絶縁膜、５１６：絶縁膜、５１８：絶縁膜、５１９：端子、５２０：機能層、５２４：導電膜、５２８：隔壁、５３０Ｂ：画素回路、５３０Ｇ：画素回路、５５０Ｂ：発光デバイス、５５０Ｇ：発光デバイス、５５０Ｒ：発光デバイス、５５０：発光デバイス、５５１Ｂ：電極、５５１Ｇ：電極、５５１Ｒ：電極、５５２：電極、５７３：絶縁層、５８０：間隙、５９１Ｂ：開口部、５９１Ｇ：開口部、７００：発光装置、７０２Ｂ：画素、７０２Ｇ：画素、７０２Ｒ：画素、７０３：画素、７０５：絶縁層、７７０：第２の基板、９００：基板、９０１：第１の電極、９０３：第２の電極、９１１：正孔注入層、９１２：正孔輸送層、９１３：発光層、９１４：電子輸送層、９１５：電子注入層、９５１：基板、９５２：電極、９５３：絶縁層、９５４：隔壁層、９５５：ＥＬ層、９５６：電極、５２００Ｂ：電子機器、５２１０：演算装置、５２２０：入出力装置、５２３０：表示部、５２４０：入力部、５２５０：検知部、５２９０：通信部、８００１：シーリングライト、８００２：足元灯、８００３：シート状照明、８００４：照明装置、８００５：電気スタンド、８００６：光源

Claims

　第１の電極上に第１のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、
　前記第１のＥＬ層は、少なくとも、第１の発光層を有し、
　前記第１のＥＬ層上に第２のＥＬ層を有し、
　前記第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、
　前記第２の発光層上に前記第１の電子輸送層を有し、
　前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面、および前記第１の電子輸送層の側面と、接して絶縁層を有し、
　前記第１の電子輸送層上に前記第２の電子輸送層を有し、
　前記絶縁層は、前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面および前記第１の電子輸送層の側面と、前記第２の電子輸送層と、の間に位置し、
　前記第１の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する複素芳香族化合物と、前記複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有する発光デバイス。
　第１の電極上に第１のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、
　前記第１のＥＬ層は、少なくとも、第１の発光層を有し、
　前記第１のＥＬ層上に第２のＥＬ層を有し、
　前記第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、
　前記第２の発光層上に前記第１の電子輸送層を有し、
　前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面、および前記第１の電子輸送層の側面と、接して絶縁層を有し、
　前記第１の電子輸送層上に前記第２の電子輸送層を有し、
　前記絶縁層は、前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面および前記第１の電子輸送層の側面と、前記第２の電子輸送層と、の間に位置し、
　前記第１の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する第１の複素芳香族化合物と、前記第１の複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有し、
　前記第２の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する第２の複素芳香族化合物と、を有する、発光デバイス。
　請求項１または請求項２において、
　前記有機化合物は、少なくとも１つの複素芳香環を有する発光デバイス。
　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
　前記複素芳香環は、ピリジン骨格、ジアジン骨格、トリアジン骨格、またはポリアゾール骨格のいずれか一を有する発光デバイス。
　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
　前記複素芳香環は、縮環構造を有する縮合複素芳香環を有する発光デバイス。
　請求項５において、
　前記縮合複素芳香環は、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、キナゾリン環、ベンゾキナゾリン環、ジベンゾキナゾリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環、ベンゾイミダゾール環、のいずれか一である発光デバイス。
　請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置。
　隣接する第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、
　第１の発光デバイスは、第１の電極上に第１のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、
　前記第１のＥＬ層は、少なくとも第１の発光層を有し、
　前記第１の発光デバイスは、第１のＥＬ層上に、第２のＥＬ層を有し、
　前記第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、
　前記第２の発光層上に前記第１の電子輸送層を有し、
　前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面、および前記第１の電子輸送層の側面、と接して第１の絶縁層を有し、
　前記第１の電子輸送層上に前記第２の電子輸送層を有し、
　前記第１の絶縁層は、前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面、および前記第１の電子輸送層の側面と、前記第２の電子輸送層と、の間に位置し、
　前記第２の発光デバイスは、第３の電極上に第３のＥＬ層を挟んで前記第２の電極を有し、
　前記第３のＥＬ層は、少なくとも第３の発光層を有し、
　前記第２の発光デバイスは、第３のＥＬ層上に、第４のＥＬ層を有し、
　前記第４のＥＬ層は、第４の発光層と、第３の電子輸送層と、前記第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、
　前記第４の発光層上に前記第３の電子輸送層を有し、
　前記第３の発光層の側面、前記第４の発光層の側面、および前記第３の電子輸送層の側面、と接して第２の絶縁層を有し、
　前記第３の電子輸送層上に前記第２の電子輸送層を有し、
　前記第２の絶縁層は、前記第３の発光層の側面、前記第４の発光層の側面、および前記第３の電子輸送層の側面と、前記第２の電子輸送層と、の間に位置し、
　前記第１の電子輸送層および第３の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する複素芳香族化合物と、前記複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有する発光装置。
　隣接する第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、
　第１の発光デバイスは、第１の電極上に第１のＥＬ層を挟んで第２の電極を有し、
　前記第１のＥＬ層は、少なくとも第１の発光層を有し、
　前記第１の発光デバイスは、第１のＥＬ層上に、第２のＥＬ層を有し、
　前記第２のＥＬ層は、第２の発光層と、第１の電子輸送層と、第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、
　前記第２の発光層上に前記第１の電子輸送層を有し、
　前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面、および前記第１の電子輸送層の側面、と接して第１の絶縁層を有し、
　前記第１の電子輸送層上に前記第２の電子輸送層を有し、
　前記第１の絶縁層は、前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面、および前記第１の電子輸送層の側面と、前記第２の電子輸送層と、の間に位置し、
　前記第２の発光デバイスは、第３の電極上に第３のＥＬ層を挟んで前記第２の電極を有し、
　前記第３のＥＬ層は、少なくとも第３の発光層を有し、
　前記第２の発光デバイスは、第３のＥＬ層上に、第４のＥＬ層を有し、
　前記第４のＥＬ層は、第４の発光層と、第３の電子輸送層と、前記第２の電子輸送層と、を少なくとも有し、
　前記第４の発光層上に前記第３の電子輸送層を有し、
　前記第３の発光層の側面、前記第４の発光層の側面、および前記第３の電子輸送層の側面、と接して第２の絶縁層を有し、
　前記第３の電子輸送層上に前記第２の電子輸送層を有し、
　前記第２の絶縁層は、前記第３の発光層の側面、前記第４の発光層の側面、および前記第３の電子輸送層の側面と、前記第２の電子輸送層と、の間に位置し、
　前記第１の電子輸送層および第３の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する第１の複素芳香族化合物と、前記第１の複素芳香族化合物とは異なる有機化合物と、を有し、
　前記第２の電子輸送層は、少なくとも１つの複素芳香環を有する第２の複素芳香族化合物と、を有する発光装置。
　請求項８または請求項９において、
　前記有機化合物は、少なくとも１つの複素芳香環を有する発光装置。
　請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
　前記複素芳香環は、ピリジン骨格、ジアジン骨格、トリアジン骨格、またはポリアゾール骨格のいずれか一を有する発光装置。
　請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、
　前記複素芳香環は、縮環構造を有する縮合複素芳香環を有する発光装置。
　請求項１２において、
　前記縮合複素芳香環は、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、キナゾリン環、ベンゾキナゾリン環、ジベンゾキナゾリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環、ベンゾイミダゾール環、のいずれか一である発光装置。
　請求項８乃至請求項１３のいずれか一において、
　前記第２の電子輸送層は、第１の電子輸送層の側面および第３の電子輸送層の側面、前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面、前記第３の発光層の側面、および前記第４の発光層の側面と、前記第２の電極と、の間に位置する、発光装置。
　請求項８乃至請求項１４のいずれか一に記載の発光装置と、検知部、入力部、または、通信部と、を有する電子機器。
　請求項８乃至請求項１４のいずれか一に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。