JP2000012220A - 有機elディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
単にピクセレーションすることのできる有機ELディス
プレイパネルの製造方法を提供する。 【解決手段】 有機ELディスプレイパネルの製造方法
は、第1電極と第2電極との間に少なくとも一つの有機
EL媒介(medium)層が積層される有機EL層を有する有
機ELディスプレイパネルを製造する方法にあたって、
1又は複数のレーザビームを利用して前記有機ELディ
スプレイ素子をピクセレーションすることを特徴とす
る。
Description
注入時に光を発する有機EL素子からなる有機EL(ele
ctroluminescent)ディスプレイパネルに関する。
mitting Diode: LED)とも呼ばれる有機EL素子の技術
が速い速度で発展しており、既にいくつかの試製品が発
表されている。
ス状にアドレス可能であり、15V以上の低電圧でも駆
動可能であるという長所があった。また、有機EL素子
は、視野角が広く、プラスティックのような可撓性(fle
xible)透明基板上にも形成可能であり、このため次代の
平板ディスプレイ(Flat Panel Display: FPD)に適した
素子である。更に、よく知られているLCD(Liquid Cr
ystal Display)に比べてバックライト(backlight)を必
要としないため、電力消耗が少ないという長所もあっ
た。
一般的に無機EL素子とは動作原理の面で大きな違いが
ある。
れた電子が発光体(luminescent impurity)に衝突して励
起され、励起された発光体が基底状態に落ちながら発光
するのに対して、有機EL素子は、陰極及び陽極から各
々注入された電子と正孔とが結合して生成されたエクス
ィトン(exciton)が励起状態から基底状態に落ちながら
発光する。このような有機EL素子は、今まで発光効率
を改善させ且つ多様な色を作り出すために活発に研究さ
れてきた。また、今後有機EL素子の商業化のために生
産性、均一性、信頼性等の研究に更に努力を注がなけれ
ばならない。
も簡単な方法は、図1に示すようにシンプルパッシブマ
トリックス(simple passive matrix)方式であり、直交
する二つの電極の間に有機EL層を形成する構造を有す
る。この駆動方式では、各々の有機EL素子がディスプ
レイ素子とスイッチング素子の役割を共に行う。このよ
うな駆動モードでは、各々の有機EL素子がダイオード
のような非線形電流−電圧の特性を有するため、理論的
にはマルチプレックス(multiplexing)による駆動が可能
である。
て解決すべき問題は、ピクセレーション(pixellation)
及びパターニング(patterning)技術である。その理由
は、既存のピクセレーション技術が、ソルベントに弱い
性質を有する有機物質によって多く制約されるからであ
る。
簡単な方法はシャドーマスク(shadow mask)を利用する
方法である。
上に第1電極2を帯(stripe)形状に形成した後、第1電
極2上に順次積層された有機EL層3上にシャドーマス
ク(shadow mask)5の開口を通じて第2電極4を帯形状
に形成し、有機ELディスプレイパネルをピクセレーシ
ョンする。
クセレーション方法は、微細なピクセルを製造するのに
は不適であり、解像度を高めるに限界があった。
5、701、055号では、電気絶縁隔壁6を利用して
微細なピクセルを形成する方法が提案されている。これ
は、主として単色(monochrome)の有機ELディスプレイ
パネルを形成するのに用いられる。
ルカラー(full-color)の有機ELディスプレイパネルを
作る方法は単色の有機ELディスプレイパネルを作る方
法に比べて多少複雑である。日本特開平8−315、9
81号公報では、図4a〜図4dに示すように、シャド
ーマスクを用いて赤色(R)、緑色(G)、青色(B)
の光を発する物質を別々に蒸着させる方法を提案してい
る。
有するシャドーマスク5−1、5−2、5−3を設け、
対応する隔壁6の間に各開口を整列させ、前記開口を通
じて順次に一つずつ赤色(R)、緑色(G)、青色
(B)の有機EL層4−1、4−2、4−3を蒸着す
る。そして、有機EL層4−1、4−2、4−3及び隔
壁6上に少なくとも一つの第2電極層3を形成して、フ
ルカラーの有機ELディスプレイパネルを制作する。
(size)の面では適する。しかし、サイズが増加し、ピッ
チ(pitch)が減少すると、以下のような問題が生じる。
マスクの制作が難しい。
難い。
ないピクセル形成方法が提案されたが、米国特許第5、
693、962号、日本特開平9−293、589号に
開示されている。
ら図5cに示す通りである。
明する。
有機又は無機導電体層を蒸着し、一般的なリソグラフィ
ー(lithography)技術を利用して前記導電体層をパター
ニングし、複数個の水平の第1電極である導電帯12を
形成する。そして、導電帯12上に有機媒介層13を蒸
着し、基板11の一定領域を露出させた後、フォトレジ
スト層14−1をスピンコーティング(spin-coating)
し、乾式又は湿式食刻工程で有機媒介層13をパターニ
ングする。次いで、有機EL層16−1を積層し、有機
EL層16−1上に金属を蒸着し、サブピクセルのキャ
ップ層17−1を形成した後、リフトオフ(lift-off)工
程でフォトレジスト層14−1を除去する。
cetone)又は食刻溶液(stripping solution)が使用され
るが、これらはキャップ層17−1を介して有機EL層
16−1へ浸透するようになる。これが素子に大きな悪
影響を及ぼすことではないが、キャップ層17−1とし
て用いられる金属と有機物質との間に相対的に接着力が
落ちることになる。
上記と同様に、第2、第3のサブピクセルを製造する。
図6aから図6jに示す通りである。 図6aに示すよ
うに、透光性基板21上に第1電極22、有機EL層2
3、第2電極24、保護膜25を順次形成し、図6bに
示すように保護膜25上にフォトレジスト26をスピン
コーティングした後、図6c、図6dに示すように赤色
のサブピクセルをパターニングする。
6gに示すように緑色のサブピクセルを形成し、図6h
から図6jに示すように青色のサブピクセルを形成す
る。
クセルがフォトレジストのソルベントに露出されるた
め、素子に悪影響を及ぼす。このフォトレジストの悪影
響を防ぐためには、フォトリソグラフィック(photolith
ographic)工程を理解する必要があり、典型的なフォト
リソグラフィック工程は以下の通りである。
ンコーティングし、ソフトベーキング(soft−ba
king)した後、紫外線に露出させる。それから、現
像(developing)し、ハードベーキング(h
ard−baking)する。この後、フォトレジスト
の形成された基板にエッチング工程が行われ、再びフォ
トレジスト除去工程が行われる。
方法において、有機ELディスプレイパネルのピクセル
は現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソルベ
ントに露出されるより他はない。これらのソルベントの
影響に起因して有機EL層が損なわれ、素子の性能が大
幅に低下する。
れたものであり、その目的は、シャドーマスクを使用せ
ず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソル
ベントに露出されることなく簡単にピクセレーションす
ることのできる有機ELディスプレイパネルの製造方法
を提供することにある。
プレイパネルを製造する方法は、第1電極と第2電極と
の間に少なくとも一つの有機EL媒介(medium)
層が積層される有機EL層を有する有機ELディスプレ
イパネルを製造する方法であって、1又は複数のレーザ
ビームを利用して前記有機ELディスプレイ素子をピク
セレーションすることを特徴とし、そのことにより上記
の目的が達成される。
造する方法は、透光性基板上に第1電極、少なくとも一
つの有機EL媒介層を含む有機EL層、第2電極を順次
形成する第1ステップと、1又は複数のレーザビームで
所定領域の第2電極及び有機EL層を選択的に除去する
第2ステップとを備えることを特徴とし、そのことによ
り上記の目的が達成される。
動作されることを特徴としてもよい。
活性気体雰囲気下で行われることを特徴としてもよい。
一方面に照射されてピクセレーションすることを特徴と
してもよい。
を照射してピクセレーションするとき、少なくとも一つ
の反応ガスが注入されることを特徴としてもよい。
レイパネルとレーザソースとの間に所定形状のパターン
を有するマスクを配置してピクセレーションすることを
特徴としてもよい。
れた基板の表面上に保護膜を形成することを特徴として
もよい。
むことを特徴としてもよい。
造方法は、透光性基板上に第1電極、絶縁膜を順次積層
する第1ステップと、1又は複数のレーザビームで所定
領域の絶縁膜を選択的に除去する第2ステップと、前記
絶縁膜を含む所定領域に少なくとも一つの有機EL媒介
層を含む有機EL層、第2電極を順次積層する第3ステ
ップと、第2ステップと第3ステップを1回または数回
繰り返し行う第4ステップとを備えることを特徴とし、
そのことにより、上記の目的が達成される。
ピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機EL層及び第
2電極を、1又は複数のレーザビームを用いて2部分に
断ち切るステップを更に備えることを特徴としてもよ
い。
層が形成されることを特徴としてもよい。
は有機物で形成されることを特徴としてもよい。
れることを特徴としてもよい。
ント及び湿気を除去することを特徴ととしてもよい。
あることを特徴ととしてもよい。
活性気体雰囲気下で行われることを特徴としてもよい。
れた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とし
てもよい。
ことを特徴としてもよい。
造方法は、透光性基板上に第1電極、絶縁膜を順次積層
する第1ステップと、1又は複数のレーザビームで所定
領域の絶縁膜を選択的に除去する第2ステップと、前記
絶縁膜を含む所定領域に、少なくとも一つの有機EL媒
介層を含む有機EL層、第2電極、保護膜を順次積層す
る第3ステップと、前記第2ステップと第3ステップを
1回または数回繰り返し行う第4ステップとを備えるこ
とを特徴とし、そのことにより、上記の目的が達成され
る。
吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴としてもよ
い。
ピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機EL層及び第
2電極を、1又は多数のレーザビームを用いて2部分に
断ち切るステップを更に備えることを特徴としてもよ
い。
層が形成されることを特徴としてもよい。
ント及び湿気を除去することを特徴としてもよい。
れた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とし
てもよい。
ことを特徴としてもよい。
スプレイパネルの製造方法を添付図面に基づいて説明す
る。
間に有機EL層を有する有機ELディスプレイパネルを
製造する際、ピクセレーションのためのシャドーマスク
を使用せず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストのい
ろいろのソルベントにピクセルが露出されることのない
ようにレーザビームを利用して簡単にピクセレーション
(pixellation)することにある。
するにあたっては、複数個のR(red)、G(green)、B
(blue)のサブピクセル(sub-pixel)を形成するが、便宜
上R、G、Bの各1つずつのサブピクセルの製造工程の
みを説明する。
による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す工
程断面図である。
にITO(Indium Tin Oxide)等の透明層をパターニング
して第1電極102の帯を形成し、その上に第1電極1
02の帯に垂直な方向に電気絶縁バッファ層103の帯
を形成する。このバッファ層103は、後で発光しない
部分であり、漏洩電流を減少させるのに寄与し、後工程
で形成される第2電極が第1電極102にショート(sho
rt)されないように絶縁させる役割を果たす。バッファ
層103として使用される物質は、例えばシリコンオキ
サイド(silicon oxide)やシリコン窒化物(silicon nitr
ide)等の無機物化合物、または蒸気蒸着(vapor deposit
ion)、E−ビーム蒸発(e-beam evaporation)、RFスパ
ッタリング(RF sputtering)、CVD(Chemical Vapor D
eposition)、スピンコーティング(spin coating)、ディ
ッピング(dipping)、ドクターブレード(Dr. blade)、電
気鍍金(electro-plating)、非電気鍍金(electroless pl
ating)、スクリーンプリンティング(screen printing)
方法で形成されるポリイミド(polyimide)等の高分子物
質が適当である。
含む所定領域に絶縁膜104を形成し、レーザビームを
用いて赤色のサブピクセル形成部分の絶縁膜104を除
去する。
ームの波長に吸収断面を有し且つ膜を形成しやすい物質
がよい。前記物質は、例えばフォトレジストのような高
分子がよく、約0.1〜100μmの厚さに形成するこ
とが好ましい。
ば、本発明は、有機EL物質が形成される前にフォトレ
ジストが形成されることである。これにより、本発明で
用いられるフォトレジストは、充分に高い温度で長時間
にわたってハードベーキング(hard baking)することが
でき、フォトレジスト内に残存するソルベントを完ぺき
に除去することができる。
状態に置かれる場合、非常に速く悪化されるため、従来
の技術ではフォトレジストを充分にベーキングすること
ができない。
トは素子に何等の悪影響も与えない。
(oxygen plasma)或いはUV/オゾン(UV/ozone)で表面
処理した後、絶縁膜104を含む所定領域に赤色光を発
する第1有機EL層105a、第2電極106aを順次
蒸着する。
ァ層、正孔輸送層、発光層からなり、バッファ層は銅フ
タロシアニン(copper phthalocyanine)を約10〜20
nmの厚さに被せ、正孔輸送層は約30〜60nmの厚
さのN、N’−diphenyl−N、N’−bis
(3−methylphenyl)−(1,1’−bi
phenyl)−4,4’−diamine(TPD)
で形成し、その上の発光層はtris(8−hydro
xy−quinolate)アルミニウム(Alq3と
略称する)を40〜60nmの厚さに蒸着し、赤色の発
光のためにドープ剤(dopant)にはDCM2を用いる。そ
して、第2電極106aにはAl、Ca、Mg:Ag、
Al:Liのうち何れか一つを用いる。
分をレーザビームで除去し、図7eに示すように基板を
表面処理した後、緑色光を発する第2有機EL層105
b、第2電極106bを蒸着する。ここで、第2有機E
L層105bの発光物質には例えばAlq3にクマリン
(coumarin)6をドーピングする。
絶縁膜104のまた他の部分をレーザビームで除去し、
図7gに示すように基板を表面処理した後、青色光を発
する第3有機EL層105c、第2電極106cを蒸着
する。ここで、第3有機EL層105cの発光物質に
は、例えばBAlq3にペリレン(perylene)をドーピン
グする。
ル間の電気的絶縁を確かめるために、隣接するサブピク
セル間の絶縁膜104上に形成された有機EL層及び第
2電極をレーザビームを用いて2部分に断ち切る。この
後、サブピクセルへの湿気を遮断するべく、パネルの全
面に保護膜107を形成した後、encapsulat
ion工程を施す。ここで、保護膜107は吸湿剤又は
その混合物を含み、保護膜107の形成はレーザビーム
断ち切り工程の以前に行ってもよい。
による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す工
程断面図である。
ピクセルを形成する度にサブピクセル上に保護膜をコー
ティングする点を除いては、本発明の第1実施形態の製
造工程と殆ど類似する。
07a、107bは第3のサブピクセルを形成するに先
だって第1、第2のサブピクセル上にコーティングされ
る。更に、保護膜107cは、図8jに示すように第3
のピクセルの形成後に追加的にコーティングされる。
続的な工程時に、湿気及びソルベントから第1、第2の
サブピクセルの各々を保護し、素子の寿命を延長させ、
工程のデザインが自由自在である。そして、素子完成
後、保護膜107a、107b、107cの最外郭に保
護膜107dを形成する。ゆえに、保護膜107a、1
07b、107cは吸湿剤又はその混合物を含むべきで
ある。
有機EL層の形成を経て連続的にサブピクセルを製造す
るため、工程が簡単であるという長所がある。
程条件を説明する。
止するためにパネルは真空または乾燥した不活性気体雰
囲気下で工程を行わなければならない反面に、レーザビ
ーム発生器は大気中で作動しなければならない。このレ
ーザビームは、レーザビームの吸収断面を有する窓を介
して、真空又は乾燥した不活性気体で満たされたチャン
バ(chamber)又はグローブボックス(glove box)へ入射さ
れる。
うに、レーザビームにて直接スキャン(scan)するか、あ
るいはパネルの装着されたムービングステージ(moving
stage)をプログラムされた通り移動させるように設計さ
れる。しかし、一般に、レーザビームを移動させてスキ
ャンする方法は、本発明のように正確性を要求するもの
には適しない。一方、ムービングステージは、エンコー
ダ(encoder)又はセンサを取り付けてフィードバック(fe
edback)制御を行うことができる。本発明では、ITO
の電気光学的性質を用いて、位置によるフィードバック
制御を容易に行うことができる。
慮して適当な波長を有するレーザを選定しなければなら
ない。この内、最も重要な顧慮対象は物質の吸収断面で
ある。レーザの中では、金属又は有機物質をエッチング
する際、緑色(green)波長を有するfrequency
doubled Nd:YAGのレーザ、或いは紫外
線波長を有するエキサイマ(eximer)レーザが好ましい。
ドよりはパルス(pulse)モードが更に効果的である。こ
の理由は、連続発振モードを使用すれば、熱的劣化(the
rmaldegradation)によって容易に素子が損傷されるから
である。レーザのパワー及びパルス反復周期(pulse rep
etition rate)は第2電極及び有機EL層を除去する程
度のことであり、第1電極に損傷を被ってはいけない。
りである。
第2電極面からパネルに照射可能である。この際、第1
電極としてよく使われるITO(Indium Tin Oxide)の場
合、0.53μmで大きな吸収断面を有しないため、f
requency doubled Nd:YAGのレ
ーザをITO面に照射して有機EL層及び第2電極をエ
ッチングすることができる。仮に、エッチング対象物質
のエッチング時に、レーザビームと共に1又は複数の適
切な反応ガスを注入すれば、エッチング対象物質のエッ
チング率を高めることができる。
は必要に応じて調節することが可能であり、図10に示
すように適切にデザインされたエッチングマスクを用い
て多数のサブピクセルを同時にエッチングすることも可
能である。広い面積を一回で照射するためには、ビーム
スポットの大きい拡散ビームを使用しレーザの出力を増
加させる必要がある。
ルの製造方法においては以下のような効果がある。
単であり、迅速であり、基板に対して正確に整列し難
く、設け難いシャドーマスクを用いないため生産率が大
きく増加する。
湿気に対する影響を最小化するため、素子の寿命が大幅
に増加する。
g)の有機ELディスプレイパネルを示す平面図である。
グする過程を示す断面図である。
示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
を示す図である。
ッチング過程を示す図である。
Claims (26)
- 【請求項1】 第1電極と第2電極との間に少なくとも
一つの有機EL媒介(medium)層が積層される有機EL層
を有する有機ELディスプレイパネルを製造する方法に
あたって、 1又は複数のレーザビームを用いて前記有機ELディス
プレイ素子をピクセレーションすることを特徴とする有
機ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項2】 透光性基板上に第1電極、少なくとも一
つの有機EL媒介層を含む有機EL層、第2電極を順次
形成する第1ステップと、 1又は複数のレーザビームで所定領域の第2電極及び有
機EL層を選択的に除去する第2ステップと、 を備えることを特徴とする有機ELディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項3】 前記レーザビームはパルスモード(mode)
で動作されることを特徴とする請求項2記載の有機EL
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項4】 前記第2ステップは、真空又は乾燥した
不活性気体雰囲気下で行われることを特徴とする請求項
2記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項5】 前記レーザビームは透光性基板の何れか
の一方面に照射されてピクセレーションすることを特徴
とする請求項2記載の有機ELディスプレイパネルの製
造方法。 - 【請求項6】 前記第2ステップにおいて、レーザビー
ムを照射してピクセレーションするとき、少なくとも一
つの反応ガスが注入されることを特徴とする請求項2記
載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項7】 前記第2ステップにおいて、前記ディス
プレイパネルとレーザソースとの間に所定形状のパター
ンを有するマスクを配置してピクセレーションすること
を特徴とする請求項2記載の有機ELディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項8】 前記第2ステップ後、ピクセレーション
された基板の表面上に保護膜を形成することを特徴とす
る請求項2記載の有機ELディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項9】 前記保護膜は吸湿剤またはその混合物を
含むことを特徴とする請求項8記載の有機ELディスプ
レイパネルの製造方法。 - 【請求項10】 透光性基板上に第1電極、絶縁膜を順
次積層する第1ステップと、 1又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的
に除去する第2ステップと、 前記絶縁膜を含む所定領域に少なくとも一つの有機EL
媒介層を含む有機EL層、第2電極を順次積層する第3
ステップと、 第2ステップと第3ステップを1回または数回繰り返し
行う第4ステップとを備えることを特徴とする有機EL
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項11】 前記第4ステップ後、隣接する二つの
サブピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機EL層及
び第2電極を、1又は複数のレーザビームを用いて2部
分に断ち切るステップを更に備えることを特徴とする請
求項10記載の有機ELディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項12】 前記絶縁膜と第1電極との間にはバッ
ファ層が形成されることを特徴とする請求項10記載の
有機ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項13】 前記バッファ層は、絶縁性のよい無機
物又は有機物で形成されることを特徴とする請求項12
記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項14】 前記絶縁膜は1又は多数の高分子で形
成されることを特徴とする請求項10記載の有機ELデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項15】 前記第1ステップ後、前記絶縁膜のソ
ルベント及び湿気を除去することを特徴とする請求項1
0記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項16】 前記絶縁膜の厚さは0.1〜100μ
mであることを特徴とする請求項10記載の有機ELデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項17】 前記第2ステップは、真空又は乾燥し
た不活性気体雰囲気下で行われることを特徴とする請求
項10記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項18】 前記第4ステップ後、ピクセレーショ
ンされた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴
とする請求項10記載の有機ELディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項19】 前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を
含むことを特徴とする請求項18記載の有機ELディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項20】 透光性基板上に第1電極、絶縁膜を順
次積層する第1ステップと、 1又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的
に除去する第2ステップと、 前記絶縁膜を含む所定領域に、少なくとも一つの有機E
L媒介層を含む有機EL層、第2電極、保護膜を順次積
層する第3ステップと、 前記第2ステップと第3ステップを1回または数回繰り
返し行う第4ステップとを備えることを特徴とする有機
ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項21】 前記第3ステップで形成された保護膜
は、吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴とする請
求項20記載の有機ELディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項22】 前記第4ステップ後、隣接する二つの
サブピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機EL層及
び第2電極を、1又は多数のレーザビームを用いて2部
分に断ち切るステップを更に備えることを特徴とする請
求項20記載の有機ELディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項23】 前記絶縁膜と第1電極との間にはバッ
ファ層が形成されることを特徴とする請求項20記載の
有機ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項24】 前記第1ステップ後、前記絶縁膜のソ
ルベント及び湿気を除去することを特徴とする請求項2
0記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項25】 前記第4ステップ後、ピクセレーショ
ンされた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴
とする請求項20記載の有機ELディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項26】 前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を
含むことを特徴とする請求項25記載の有機ELディス
プレイパネルの製造方法。
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