JP2000012220A - 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法Info
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 シャドーマスク及びレジストを使用せずに簡
単にピクセレーションすることのできる有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法を提供する。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法
は、第１電極と第２電極との間に少なくとも一つの有機
ＥＬ媒介(medium)層が積層される有機ＥＬ層を有する有
機ＥＬディスプレイパネルを製造する方法にあたって、
１又は複数のレーザビームを利用して前記有機ＥＬディ
スプレイ素子をピクセレーションすることを特徴とす
る。
単にピクセレーションすることのできる有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法を提供する。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法
は、第１電極と第２電極との間に少なくとも一つの有機
ＥＬ媒介(medium)層が積層される有機ＥＬ層を有する有
機ＥＬディスプレイパネルを製造する方法にあたって、
１又は複数のレーザビームを利用して前記有機ＥＬディ
スプレイ素子をピクセレーションすることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光層への電荷の
注入時に光を発する有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ(ele
ctroluminescent)ディスプレイパネルに関する。
注入時に光を発する有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ(ele
ctroluminescent)ディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近では、有機発光ダイオード(Light E
mitting Diode: LED)とも呼ばれる有機ＥＬ素子の技術
が速い速度で発展しており、既にいくつかの試製品が発
表されている。
mitting Diode: LED)とも呼ばれる有機ＥＬ素子の技術
が速い速度で発展しており、既にいくつかの試製品が発
表されている。
【０００３】有機ＥＬ素子は、非常に薄く、マトリック
ス状にアドレス可能であり、１５Ｖ以上の低電圧でも駆
動可能であるという長所があった。また、有機ＥＬ素子
は、視野角が広く、プラスティックのような可撓性(fle
xible)透明基板上にも形成可能であり、このため次代の
平板ディスプレイ(Flat Panel Display: FPD)に適した
素子である。更に、よく知られているＬＣＤ(Liquid Cr
ystal Display)に比べてバックライト(backlight)を必
要としないため、電力消耗が少ないという長所もあっ
た。
ス状にアドレス可能であり、１５Ｖ以上の低電圧でも駆
動可能であるという長所があった。また、有機ＥＬ素子
は、視野角が広く、プラスティックのような可撓性(fle
xible)透明基板上にも形成可能であり、このため次代の
平板ディスプレイ(Flat Panel Display: FPD)に適した
素子である。更に、よく知られているＬＣＤ(Liquid Cr
ystal Display)に比べてバックライト(backlight)を必
要としないため、電力消耗が少ないという長所もあっ
た。
【０００４】上記のような長所を持つ有機ＥＬ素子は、
一般的に無機ＥＬ素子とは動作原理の面で大きな違いが
ある。
一般的に無機ＥＬ素子とは動作原理の面で大きな違いが
ある。
【０００５】無機ＥＬ素子は、高い電界によって加速さ
れた電子が発光体(luminescent impurity)に衝突して励
起され、励起された発光体が基底状態に落ちながら発光
するのに対して、有機ＥＬ素子は、陰極及び陽極から各
々注入された電子と正孔とが結合して生成されたエクス
ィトン(exciton)が励起状態から基底状態に落ちながら
発光する。このような有機ＥＬ素子は、今まで発光効率
を改善させ且つ多様な色を作り出すために活発に研究さ
れてきた。また、今後有機ＥＬ素子の商業化のために生
産性、均一性、信頼性等の研究に更に努力を注がなけれ
ばならない。
れた電子が発光体(luminescent impurity)に衝突して励
起され、励起された発光体が基底状態に落ちながら発光
するのに対して、有機ＥＬ素子は、陰極及び陽極から各
々注入された電子と正孔とが結合して生成されたエクス
ィトン(exciton)が励起状態から基底状態に落ちながら
発光する。このような有機ＥＬ素子は、今まで発光効率
を改善させ且つ多様な色を作り出すために活発に研究さ
れてきた。また、今後有機ＥＬ素子の商業化のために生
産性、均一性、信頼性等の研究に更に努力を注がなけれ
ばならない。
【０００６】有機ＥＬディスプレイパネルを駆動する最
も簡単な方法は、図１に示すようにシンプルパッシブマ
トリックス(simple passive matrix)方式であり、直交
する二つの電極の間に有機ＥＬ層を形成する構造を有す
る。この駆動方式では、各々の有機ＥＬ素子がディスプ
レイ素子とスイッチング素子の役割を共に行う。このよ
うな駆動モードでは、各々の有機ＥＬ素子がダイオード
のような非線形電流−電圧の特性を有するため、理論的
にはマルチプレックス(multiplexing)による駆動が可能
である。
も簡単な方法は、図１に示すようにシンプルパッシブマ
トリックス(simple passive matrix)方式であり、直交
する二つの電極の間に有機ＥＬ層を形成する構造を有す
る。この駆動方式では、各々の有機ＥＬ素子がディスプ
レイ素子とスイッチング素子の役割を共に行う。このよ
うな駆動モードでは、各々の有機ＥＬ素子がダイオード
のような非線形電流−電圧の特性を有するため、理論的
にはマルチプレックス(multiplexing)による駆動が可能
である。
【０００７】一方、有機ＥＬ素子を商業化するにあたっ
て解決すべき問題は、ピクセレーション(pixellation)
及びパターニング(patterning)技術である。その理由
は、既存のピクセレーション技術が、ソルベントに弱い
性質を有する有機物質によって多く制約されるからであ
る。
て解決すべき問題は、ピクセレーション(pixellation)
及びパターニング(patterning)技術である。その理由
は、既存のピクセレーション技術が、ソルベントに弱い
性質を有する有機物質によって多く制約されるからであ
る。
【０００８】既存のピクセレーション方法のうち、最も
簡単な方法はシャドーマスク(shadow mask)を利用する
方法である。
簡単な方法はシャドーマスク(shadow mask)を利用する
方法である。
【０００９】図１及び図２に示すように、透光性基板１
上に第１電極２を帯(stripe)形状に形成した後、第１電
極２上に順次積層された有機ＥＬ層３上にシャドーマス
ク(shadow mask)５の開口を通じて第２電極４を帯形状
に形成し、有機ＥＬディスプレイパネルをピクセレーシ
ョンする。
上に第１電極２を帯(stripe)形状に形成した後、第１電
極２上に順次積層された有機ＥＬ層３上にシャドーマス
ク(shadow mask)５の開口を通じて第２電極４を帯形状
に形成し、有機ＥＬディスプレイパネルをピクセレーシ
ョンする。
【００１０】しかしながら、シャドーマスクを用いたピ
クセレーション方法は、微細なピクセルを製造するのに
は不適であり、解像度を高めるに限界があった。
クセレーション方法は、微細なピクセルを製造するのに
は不適であり、解像度を高めるに限界があった。
【００１１】このため、図３に示すように、米国特許第
５、７０１、０５５号では、電気絶縁隔壁６を利用して
微細なピクセルを形成する方法が提案されている。これ
は、主として単色(monochrome)の有機ＥＬディスプレイ
パネルを形成するのに用いられる。
５、７０１、０５５号では、電気絶縁隔壁６を利用して
微細なピクセルを形成する方法が提案されている。これ
は、主として単色(monochrome)の有機ＥＬディスプレイ
パネルを形成するのに用いられる。
【００１２】一方、マルチカラー(multi-color)又はフ
ルカラー(full-color)の有機ＥＬディスプレイパネルを
作る方法は単色の有機ＥＬディスプレイパネルを作る方
法に比べて多少複雑である。日本特開平８−３１５、９
８１号公報では、図４ａ〜図４ｄに示すように、シャド
ーマスクを用いて赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）
の光を発する物質を別々に蒸着させる方法を提案してい
る。
ルカラー(full-color)の有機ＥＬディスプレイパネルを
作る方法は単色の有機ＥＬディスプレイパネルを作る方
法に比べて多少複雑である。日本特開平８−３１５、９
８１号公報では、図４ａ〜図４ｄに示すように、シャド
ーマスクを用いて赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）
の光を発する物質を別々に蒸着させる方法を提案してい
る。
【００１３】まず、隔壁６表面の上部に複数個の開口を
有するシャドーマスク５−１、５−２、５−３を設け、
対応する隔壁６の間に各開口を整列させ、前記開口を通
じて順次に一つずつ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色
（Ｂ）の有機ＥＬ層４−１、４−２、４−３を蒸着す
る。そして、有機ＥＬ層４−１、４−２、４−３及び隔
壁６上に少なくとも一つの第２電極層３を形成して、フ
ルカラーの有機ＥＬディスプレイパネルを制作する。
有するシャドーマスク５−１、５−２、５−３を設け、
対応する隔壁６の間に各開口を整列させ、前記開口を通
じて順次に一つずつ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色
（Ｂ）の有機ＥＬ層４−１、４−２、４−３を蒸着す
る。そして、有機ＥＬ層４−１、４−２、４−３及び隔
壁６上に少なくとも一つの第２電極層３を形成して、フ
ルカラーの有機ＥＬディスプレイパネルを制作する。
【００１４】上記方法は、解像度(resolution)やサイズ
(size)の面では適する。しかし、サイズが増加し、ピッ
チ(pitch)が減少すると、以下のような問題が生じる。
(size)の面では適する。しかし、サイズが増加し、ピッ
チ(pitch)が減少すると、以下のような問題が生じる。
【００１５】第１に、微細なパターンを有するシャドー
マスクの制作が難しい。
マスクの制作が難しい。
【００１６】第２に、隔壁上にシャドーマスクを整列し
難い。
難い。
【００１７】このため、この後、シャドーマスクを用い
ないピクセル形成方法が提案されたが、米国特許第５、
６９３、９６２号、日本特開平９−２９３、５８９号に
開示されている。
ないピクセル形成方法が提案されたが、米国特許第５、
６９３、９６２号、日本特開平９−２９３、５８９号に
開示されている。
【００１８】米国特許５、６９３、９６２号は図５ａか
ら図５ｃに示す通りである。
ら図５ｃに示す通りである。
【００１９】まず、第１のサブピクセルの製造工程を説
明する。
明する。
【００２０】図５ａに示すように、透光性基板１１上に
有機又は無機導電体層を蒸着し、一般的なリソグラフィ
ー(lithography)技術を利用して前記導電体層をパター
ニングし、複数個の水平の第１電極である導電帯１２を
形成する。そして、導電帯１２上に有機媒介層１３を蒸
着し、基板１１の一定領域を露出させた後、フォトレジ
スト層１４−１をスピンコーティング(spin-coating)
し、乾式又は湿式食刻工程で有機媒介層１３をパターニ
ングする。次いで、有機ＥＬ層１６−１を積層し、有機
ＥＬ層１６−１上に金属を蒸着し、サブピクセルのキャ
ップ層１７−１を形成した後、リフトオフ(lift-off)工
程でフォトレジスト層１４−１を除去する。
有機又は無機導電体層を蒸着し、一般的なリソグラフィ
ー(lithography)技術を利用して前記導電体層をパター
ニングし、複数個の水平の第１電極である導電帯１２を
形成する。そして、導電帯１２上に有機媒介層１３を蒸
着し、基板１１の一定領域を露出させた後、フォトレジ
スト層１４−１をスピンコーティング(spin-coating)
し、乾式又は湿式食刻工程で有機媒介層１３をパターニ
ングする。次いで、有機ＥＬ層１６−１を積層し、有機
ＥＬ層１６−１上に金属を蒸着し、サブピクセルのキャ
ップ層１７−１を形成した後、リフトオフ(lift-off)工
程でフォトレジスト層１４−１を除去する。
【００２１】ここで、リフトオフ工程時に、アセトン(a
cetone)又は食刻溶液(stripping solution)が使用され
るが、これらはキャップ層１７−１を介して有機ＥＬ層
１６−１へ浸透するようになる。これが素子に大きな悪
影響を及ぼすことではないが、キャップ層１７−１とし
て用いられる金属と有機物質との間に相対的に接着力が
落ちることになる。
cetone)又は食刻溶液(stripping solution)が使用され
るが、これらはキャップ層１７−１を介して有機ＥＬ層
１６−１へ浸透するようになる。これが素子に大きな悪
影響を及ぼすことではないが、キャップ層１７−１とし
て用いられる金属と有機物質との間に相対的に接着力が
落ちることになる。
【００２２】次いで、図５ｂ及び図５ｃに示すように、
上記と同様に、第２、第３のサブピクセルを製造する。
上記と同様に、第２、第３のサブピクセルを製造する。
【００２３】一方、日本特開平９−２９３、５８９号は
図６ａから図６ｊに示す通りである。 図６ａに示すよ
うに、透光性基板２１上に第１電極２２、有機ＥＬ層２
３、第２電極２４、保護膜２５を順次形成し、図６ｂに
示すように保護膜２５上にフォトレジスト２６をスピン
コーティングした後、図６ｃ、図６ｄに示すように赤色
のサブピクセルをパターニングする。
図６ａから図６ｊに示す通りである。 図６ａに示すよ
うに、透光性基板２１上に第１電極２２、有機ＥＬ層２
３、第２電極２４、保護膜２５を順次形成し、図６ｂに
示すように保護膜２５上にフォトレジスト２６をスピン
コーティングした後、図６ｃ、図６ｄに示すように赤色
のサブピクセルをパターニングする。
【００２４】そして、上記と同様にして、図６ｅから図
６ｇに示すように緑色のサブピクセルを形成し、図６ｈ
から図６ｊに示すように青色のサブピクセルを形成す
る。
６ｇに示すように緑色のサブピクセルを形成し、図６ｈ
から図６ｊに示すように青色のサブピクセルを形成す
る。
【００２５】しかし、上記したような製造方法では、ピ
クセルがフォトレジストのソルベントに露出されるた
め、素子に悪影響を及ぼす。このフォトレジストの悪影
響を防ぐためには、フォトリソグラフィック(photolith
ographic)工程を理解する必要があり、典型的なフォト
リソグラフィック工程は以下の通りである。
クセルがフォトレジストのソルベントに露出されるた
め、素子に悪影響を及ぼす。このフォトレジストの悪影
響を防ぐためには、フォトリソグラフィック(photolith
ographic)工程を理解する必要があり、典型的なフォト
リソグラフィック工程は以下の通りである。
【００２６】まず、基板上にフォトレジスト溶液をスピ
ンコーティングし、ソフトベーキング（ｓｏｆｔ−ｂａ
ｋｉｎｇ）した後、紫外線に露出させる。それから、現
像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）し、ハードベーキング（ｈ
ａｒｄ−ｂａｋｉｎｇ）する。この後、フォトレジスト
の形成された基板にエッチング工程が行われ、再びフォ
トレジスト除去工程が行われる。
ンコーティングし、ソフトベーキング（ｓｏｆｔ−ｂａ
ｋｉｎｇ）した後、紫外線に露出させる。それから、現
像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）し、ハードベーキング（ｈ
ａｒｄ−ｂａｋｉｎｇ）する。この後、フォトレジスト
の形成された基板にエッチング工程が行われ、再びフォ
トレジスト除去工程が行われる。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
方法において、有機ＥＬディスプレイパネルのピクセル
は現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソルベ
ントに露出されるより他はない。これらのソルベントの
影響に起因して有機ＥＬ層が損なわれ、素子の性能が大
幅に低下する。
方法において、有機ＥＬディスプレイパネルのピクセル
は現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソルベ
ントに露出されるより他はない。これらのソルベントの
影響に起因して有機ＥＬ層が損なわれ、素子の性能が大
幅に低下する。
【００２８】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、シャドーマスクを使用せ
ず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソル
ベントに露出されることなく簡単にピクセレーションす
ることのできる有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法
を提供することにある。
れたものであり、その目的は、シャドーマスクを使用せ
ず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソル
ベントに露出されることなく簡単にピクセレーションす
ることのできる有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法
を提供することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬディス
プレイパネルを製造する方法は、第１電極と第２電極と
の間に少なくとも一つの有機ＥＬ媒介（ｍｅｄｉｕｍ）
層が積層される有機ＥＬ層を有する有機ＥＬディスプレ
イパネルを製造する方法であって、１又は複数のレーザ
ビームを利用して前記有機ＥＬディスプレイ素子をピク
セレーションすることを特徴とし、そのことにより上記
の目的が達成される。
プレイパネルを製造する方法は、第１電極と第２電極と
の間に少なくとも一つの有機ＥＬ媒介（ｍｅｄｉｕｍ）
層が積層される有機ＥＬ層を有する有機ＥＬディスプレ
イパネルを製造する方法であって、１又は複数のレーザ
ビームを利用して前記有機ＥＬディスプレイ素子をピク
セレーションすることを特徴とし、そのことにより上記
の目的が達成される。
【００３０】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルを製
造する方法は、透光性基板上に第１電極、少なくとも一
つの有機ＥＬ媒介層を含む有機ＥＬ層、第２電極を順次
形成する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで
所定領域の第２電極及び有機ＥＬ層を選択的に除去する
第２ステップとを備えることを特徴とし、そのことによ
り上記の目的が達成される。
造する方法は、透光性基板上に第１電極、少なくとも一
つの有機ＥＬ媒介層を含む有機ＥＬ層、第２電極を順次
形成する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで
所定領域の第２電極及び有機ＥＬ層を選択的に除去する
第２ステップとを備えることを特徴とし、そのことによ
り上記の目的が達成される。
【００３１】前記レーザビームはパルスモード(mode)で
動作されることを特徴としてもよい。
動作されることを特徴としてもよい。
【００３２】前記第２ステップは、真空又は乾燥した不
活性気体雰囲気下で行われることを特徴としてもよい。
活性気体雰囲気下で行われることを特徴としてもよい。
【００３３】前記レーザビームは透光性基板の何れかの
一方面に照射されてピクセレーションすることを特徴と
してもよい。
一方面に照射されてピクセレーションすることを特徴と
してもよい。
【００３４】前記第２ステップにおいて、レーザビーム
を照射してピクセレーションするとき、少なくとも一つ
の反応ガスが注入されることを特徴としてもよい。
を照射してピクセレーションするとき、少なくとも一つ
の反応ガスが注入されることを特徴としてもよい。
【００３５】前記第２ステップにおいて、前記ディスプ
レイパネルとレーザソースとの間に所定形状のパターン
を有するマスクを配置してピクセレーションすることを
特徴としてもよい。
レイパネルとレーザソースとの間に所定形状のパターン
を有するマスクを配置してピクセレーションすることを
特徴としてもよい。
【００３６】前記第２ステップ後、ピクセレーションさ
れた基板の表面上に保護膜を形成することを特徴として
もよい。
れた基板の表面上に保護膜を形成することを特徴として
もよい。
【００３７】前記保護膜は吸湿剤またはその混合物を含
むことを特徴としてもよい。
むことを特徴としてもよい。
【００３８】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製
造方法は、透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層
する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで所定
領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、前記
絶縁膜を含む所定領域に少なくとも一つの有機ＥＬ媒介
層を含む有機ＥＬ層、第２電極を順次積層する第３ステ
ップと、第２ステップと第３ステップを１回または数回
繰り返し行う第４ステップとを備えることを特徴とし、
そのことにより、上記の目的が達成される。
造方法は、透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層
する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで所定
領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、前記
絶縁膜を含む所定領域に少なくとも一つの有機ＥＬ媒介
層を含む有機ＥＬ層、第２電極を順次積層する第３ステ
ップと、第２ステップと第３ステップを１回または数回
繰り返し行う第４ステップとを備えることを特徴とし、
そのことにより、上記の目的が達成される。
【００３９】前記第４ステップ後、隣接する二つのサブ
ピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層及び第
２電極を、１又は複数のレーザビームを用いて２部分に
断ち切るステップを更に備えることを特徴としてもよ
い。
ピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層及び第
２電極を、１又は複数のレーザビームを用いて２部分に
断ち切るステップを更に備えることを特徴としてもよ
い。
【００４０】前記絶縁膜と第１電極との間にはバッファ
層が形成されることを特徴としてもよい。
層が形成されることを特徴としてもよい。
【００４１】前記バッファ層は、絶縁性のよい無機物又
は有機物で形成されることを特徴としてもよい。
は有機物で形成されることを特徴としてもよい。
【００４２】前記絶縁膜は１又は多数の高分子で形成さ
れることを特徴としてもよい。
れることを特徴としてもよい。
【００４３】前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソルベ
ント及び湿気を除去することを特徴ととしてもよい。
ント及び湿気を除去することを特徴ととしてもよい。
【００４４】前記絶縁膜の厚さは０．１〜１００μｍで
あることを特徴ととしてもよい。
あることを特徴ととしてもよい。
【００４５】前記第２ステップは、真空又は乾燥した不
活性気体雰囲気下で行われることを特徴としてもよい。
活性気体雰囲気下で行われることを特徴としてもよい。
【００４６】前記第４ステップ後、ピクセレーションさ
れた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とし
てもよい。
れた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とし
てもよい。
【００４７】前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を含む
ことを特徴としてもよい。
ことを特徴としてもよい。
【００４８】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製
造方法は、透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層
する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで所定
領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、前記
絶縁膜を含む所定領域に、少なくとも一つの有機ＥＬ媒
介層を含む有機ＥＬ層、第２電極、保護膜を順次積層す
る第３ステップと、前記第２ステップと第３ステップを
１回または数回繰り返し行う第４ステップとを備えるこ
とを特徴とし、そのことにより、上記の目的が達成され
る。
造方法は、透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層
する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで所定
領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、前記
絶縁膜を含む所定領域に、少なくとも一つの有機ＥＬ媒
介層を含む有機ＥＬ層、第２電極、保護膜を順次積層す
る第３ステップと、前記第２ステップと第３ステップを
１回または数回繰り返し行う第４ステップとを備えるこ
とを特徴とし、そのことにより、上記の目的が達成され
る。
【００４９】前記第３ステップで形成された保護膜は、
吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴としてもよ
い。
吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴としてもよ
い。
【００５０】前記第４ステップ後、隣接する二つのサブ
ピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層及び第
２電極を、１又は多数のレーザビームを用いて２部分に
断ち切るステップを更に備えることを特徴としてもよ
い。
ピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層及び第
２電極を、１又は多数のレーザビームを用いて２部分に
断ち切るステップを更に備えることを特徴としてもよ
い。
【００５１】前記絶縁膜と第１電極との間にはバッファ
層が形成されることを特徴としてもよい。
層が形成されることを特徴としてもよい。
【００５２】前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソルベ
ント及び湿気を除去することを特徴としてもよい。
ント及び湿気を除去することを特徴としてもよい。
【００５３】前記第４ステップ後、ピクセレーションさ
れた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とし
てもよい。
れた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とし
てもよい。
【００５４】前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を含む
ことを特徴としてもよい。
ことを特徴としてもよい。
【００５５】
【発明の実施の形態】以下、本発明による有機ＥＬディ
スプレイパネルの製造方法を添付図面に基づいて説明す
る。
スプレイパネルの製造方法を添付図面に基づいて説明す
る。
【００５６】本発明の概念は、複数の第１、第２電極の
間に有機ＥＬ層を有する有機ＥＬディスプレイパネルを
製造する際、ピクセレーションのためのシャドーマスク
を使用せず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストのい
ろいろのソルベントにピクセルが露出されることのない
ようにレーザビームを利用して簡単にピクセレーション
(pixellation)することにある。
間に有機ＥＬ層を有する有機ＥＬディスプレイパネルを
製造する際、ピクセレーションのためのシャドーマスク
を使用せず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストのい
ろいろのソルベントにピクセルが露出されることのない
ようにレーザビームを利用して簡単にピクセレーション
(pixellation)することにある。
【００５７】実際に有機ＥＬディスプレイパネルを制作
するにあたっては、複数個のＲ（red)、Ｇ（green)、Ｂ
（blue)のサブピクセル(sub-pixel)を形成するが、便宜
上Ｒ、Ｇ、Ｂの各１つずつのサブピクセルの製造工程の
みを説明する。
するにあたっては、複数個のＲ（red)、Ｇ（green)、Ｂ
（blue)のサブピクセル(sub-pixel)を形成するが、便宜
上Ｒ、Ｇ、Ｂの各１つずつのサブピクセルの製造工程の
みを説明する。
【００５８】図７ａから図７ｈは本発明の第１実施形態
による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す工
程断面図である。
による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す工
程断面図である。
【００５９】図７ａに示すように、透光性基板１０１上
にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の透明層をパターニング
して第１電極１０２の帯を形成し、その上に第１電極１
０２の帯に垂直な方向に電気絶縁バッファ層１０３の帯
を形成する。このバッファ層１０３は、後で発光しない
部分であり、漏洩電流を減少させるのに寄与し、後工程
で形成される第２電極が第１電極１０２にショート(sho
rt)されないように絶縁させる役割を果たす。バッファ
層１０３として使用される物質は、例えばシリコンオキ
サイド(silicon oxide)やシリコン窒化物(silicon nitr
ide)等の無機物化合物、または蒸気蒸着(vapor deposit
ion)、Ｅ−ビーム蒸発(e-beam evaporation)、ＲＦスパ
ッタリング(RF sputtering)、ＣＶＤ(Chemical Vapor D
eposition)、スピンコーティング(spin coating)、ディ
ッピング(dipping)、ドクターブレード(Dr. blade)、電
気鍍金(electro-plating)、非電気鍍金(electroless pl
ating)、スクリーンプリンティング(screen printing)
方法で形成されるポリイミド(polyimide)等の高分子物
質が適当である。
にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の透明層をパターニング
して第１電極１０２の帯を形成し、その上に第１電極１
０２の帯に垂直な方向に電気絶縁バッファ層１０３の帯
を形成する。このバッファ層１０３は、後で発光しない
部分であり、漏洩電流を減少させるのに寄与し、後工程
で形成される第２電極が第１電極１０２にショート(sho
rt)されないように絶縁させる役割を果たす。バッファ
層１０３として使用される物質は、例えばシリコンオキ
サイド(silicon oxide)やシリコン窒化物(silicon nitr
ide)等の無機物化合物、または蒸気蒸着(vapor deposit
ion)、Ｅ−ビーム蒸発(e-beam evaporation)、ＲＦスパ
ッタリング(RF sputtering)、ＣＶＤ(Chemical Vapor D
eposition)、スピンコーティング(spin coating)、ディ
ッピング(dipping)、ドクターブレード(Dr. blade)、電
気鍍金(electro-plating)、非電気鍍金(electroless pl
ating)、スクリーンプリンティング(screen printing)
方法で形成されるポリイミド(polyimide)等の高分子物
質が適当である。
【００６０】図７ｂに示すように、バッファ層１０３を
含む所定領域に絶縁膜１０４を形成し、レーザビームを
用いて赤色のサブピクセル形成部分の絶縁膜１０４を除
去する。
含む所定領域に絶縁膜１０４を形成し、レーザビームを
用いて赤色のサブピクセル形成部分の絶縁膜１０４を除
去する。
【００６１】この際、絶縁膜１０４の物質は、レーザビ
ームの波長に吸収断面を有し且つ膜を形成しやすい物質
がよい。前記物質は、例えばフォトレジストのような高
分子がよく、約０．１〜１００μｍの厚さに形成するこ
とが好ましい。
ームの波長に吸収断面を有し且つ膜を形成しやすい物質
がよい。前記物質は、例えばフォトレジストのような高
分子がよく、約０．１〜１００μｍの厚さに形成するこ
とが好ましい。
【００６２】ここで、従来の技術との相違点を説明すれ
ば、本発明は、有機ＥＬ物質が形成される前にフォトレ
ジストが形成されることである。これにより、本発明で
用いられるフォトレジストは、充分に高い温度で長時間
にわたってハードベーキング(hard baking)することが
でき、フォトレジスト内に残存するソルベントを完ぺき
に除去することができる。
ば、本発明は、有機ＥＬ物質が形成される前にフォトレ
ジストが形成されることである。これにより、本発明で
用いられるフォトレジストは、充分に高い温度で長時間
にわたってハードベーキング(hard baking)することが
でき、フォトレジスト内に残存するソルベントを完ぺき
に除去することができる。
【００６３】もしも、有機ＥＬ物質が上記のような荒い
状態に置かれる場合、非常に速く悪化されるため、従来
の技術ではフォトレジストを充分にベーキングすること
ができない。
状態に置かれる場合、非常に速く悪化されるため、従来
の技術ではフォトレジストを充分にベーキングすること
ができない。
【００６４】ついに、本発明で用いられるフォトレジス
トは素子に何等の悪影響も与えない。
トは素子に何等の悪影響も与えない。
【００６５】図７ｃに示すように、基板を酸素プラズマ
(oxygen plasma)或いはＵＶ／オゾン(UV/ozone)で表面
処理した後、絶縁膜１０４を含む所定領域に赤色光を発
する第１有機ＥＬ層１０５ａ、第２電極１０６ａを順次
蒸着する。
(oxygen plasma)或いはＵＶ／オゾン(UV/ozone)で表面
処理した後、絶縁膜１０４を含む所定領域に赤色光を発
する第１有機ＥＬ層１０５ａ、第２電極１０６ａを順次
蒸着する。
【００６６】例えば、第１有機ＥＬ層１０５ａはバッフ
ァ層、正孔輸送層、発光層からなり、バッファ層は銅フ
タロシアニン(copper phthalocyanine)を約１０〜２０
ｎｍの厚さに被せ、正孔輸送層は約３０〜６０ｎｍの厚
さのＮ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ
（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−（１，１’−ｂｉ
ｐｈｅｎｙｌ）−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ（ＴＰＤ）
で形成し、その上の発光層はｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏ
ｘｙ−ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）アルミニウム（Ａｌｑ３と
略称する）を４０〜６０ｎｍの厚さに蒸着し、赤色の発
光のためにドープ剤(dopant)にはＤＣＭ２を用いる。そ
して、第２電極１０６ａにはＡｌ、Ｃａ、Ｍｇ：Ａｇ、
Ａｌ：Ｌｉのうち何れか一つを用いる。
ァ層、正孔輸送層、発光層からなり、バッファ層は銅フ
タロシアニン(copper phthalocyanine)を約１０〜２０
ｎｍの厚さに被せ、正孔輸送層は約３０〜６０ｎｍの厚
さのＮ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ
（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−（１，１’−ｂｉ
ｐｈｅｎｙｌ）−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ（ＴＰＤ）
で形成し、その上の発光層はｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏ
ｘｙ−ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）アルミニウム（Ａｌｑ３と
略称する）を４０〜６０ｎｍの厚さに蒸着し、赤色の発
光のためにドープ剤(dopant)にはＤＣＭ２を用いる。そ
して、第２電極１０６ａにはＡｌ、Ｃａ、Ｍｇ：Ａｇ、
Ａｌ：Ｌｉのうち何れか一つを用いる。
【００６７】図７ｄに示すように絶縁膜１０４の他の部
分をレーザビームで除去し、図７ｅに示すように基板を
表面処理した後、緑色光を発する第２有機ＥＬ層１０５
ｂ、第２電極１０６ｂを蒸着する。ここで、第２有機Ｅ
Ｌ層１０５ｂの発光物質には例えばＡｌｑ３にクマリン
(coumarin)６をドーピングする。
分をレーザビームで除去し、図７ｅに示すように基板を
表面処理した後、緑色光を発する第２有機ＥＬ層１０５
ｂ、第２電極１０６ｂを蒸着する。ここで、第２有機Ｅ
Ｌ層１０５ｂの発光物質には例えばＡｌｑ３にクマリン
(coumarin)６をドーピングする。
【００６８】図７ｆに示すように、同様な方法により、
絶縁膜１０４のまた他の部分をレーザビームで除去し、
図７ｇに示すように基板を表面処理した後、青色光を発
する第３有機ＥＬ層１０５ｃ、第２電極１０６ｃを蒸着
する。ここで、第３有機ＥＬ層１０５ｃの発光物質に
は、例えばＢＡｌｑ３にペリレン(perylene)をドーピン
グする。
絶縁膜１０４のまた他の部分をレーザビームで除去し、
図７ｇに示すように基板を表面処理した後、青色光を発
する第３有機ＥＬ層１０５ｃ、第２電極１０６ｃを蒸着
する。ここで、第３有機ＥＬ層１０５ｃの発光物質に
は、例えばＢＡｌｑ３にペリレン(perylene)をドーピン
グする。
【００６９】図７ｈに示すように、隣接するサブピクセ
ル間の電気的絶縁を確かめるために、隣接するサブピク
セル間の絶縁膜１０４上に形成された有機ＥＬ層及び第
２電極をレーザビームを用いて２部分に断ち切る。この
後、サブピクセルへの湿気を遮断するべく、パネルの全
面に保護膜１０７を形成した後、ｅｎｃａｐｓｕｌａｔ
ｉｏｎ工程を施す。ここで、保護膜１０７は吸湿剤又は
その混合物を含み、保護膜１０７の形成はレーザビーム
断ち切り工程の以前に行ってもよい。
ル間の電気的絶縁を確かめるために、隣接するサブピク
セル間の絶縁膜１０４上に形成された有機ＥＬ層及び第
２電極をレーザビームを用いて２部分に断ち切る。この
後、サブピクセルへの湿気を遮断するべく、パネルの全
面に保護膜１０７を形成した後、ｅｎｃａｐｓｕｌａｔ
ｉｏｎ工程を施す。ここで、保護膜１０７は吸湿剤又は
その混合物を含み、保護膜１０７の形成はレーザビーム
断ち切り工程の以前に行ってもよい。
【００７０】図８ａから図８ｋは本発明の第２実施形態
による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す工
程断面図である。
による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す工
程断面図である。
【００７１】本発明の第２実施形態の製造工程は、サブ
ピクセルを形成する度にサブピクセル上に保護膜をコー
ティングする点を除いては、本発明の第１実施形態の製
造工程と殆ど類似する。
ピクセルを形成する度にサブピクセル上に保護膜をコー
ティングする点を除いては、本発明の第１実施形態の製
造工程と殆ど類似する。
【００７２】図８ｄ及び図８ｇに示すように、保護膜１
０７ａ、１０７ｂは第３のサブピクセルを形成するに先
だって第１、第２のサブピクセル上にコーティングされ
る。更に、保護膜１０７ｃは、図８ｊに示すように第３
のピクセルの形成後に追加的にコーティングされる。
０７ａ、１０７ｂは第３のサブピクセルを形成するに先
だって第１、第２のサブピクセル上にコーティングされ
る。更に、保護膜１０７ｃは、図８ｊに示すように第３
のピクセルの形成後に追加的にコーティングされる。
【００７３】ここで、保護膜１０７ａ、１０７ｂは、連
続的な工程時に、湿気及びソルベントから第１、第２の
サブピクセルの各々を保護し、素子の寿命を延長させ、
工程のデザインが自由自在である。そして、素子完成
後、保護膜１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃの最外郭に保
護膜１０７ｄを形成する。ゆえに、保護膜１０７ａ、１
０７ｂ、１０７ｃは吸湿剤又はその混合物を含むべきで
ある。
続的な工程時に、湿気及びソルベントから第１、第２の
サブピクセルの各々を保護し、素子の寿命を延長させ、
工程のデザインが自由自在である。そして、素子完成
後、保護膜１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃの最外郭に保
護膜１０７ｄを形成する。ゆえに、保護膜１０７ａ、１
０７ｂ、１０７ｃは吸湿剤又はその混合物を含むべきで
ある。
【００７４】本発明では、レーザビームエッチング及び
有機ＥＬ層の形成を経て連続的にサブピクセルを製造す
るため、工程が簡単であるという長所がある。
有機ＥＬ層の形成を経て連続的にサブピクセルを製造す
るため、工程が簡単であるという長所がある。
【００７５】以下、レーザビームエッチング技術及び工
程条件を説明する。
程条件を説明する。
【００７６】食刻工程時、ピクセル領域への悪影響を防
止するためにパネルは真空または乾燥した不活性気体雰
囲気下で工程を行わなければならない反面に、レーザビ
ーム発生器は大気中で作動しなければならない。このレ
ーザビームは、レーザビームの吸収断面を有する窓を介
して、真空又は乾燥した不活性気体で満たされたチャン
バ(chamber)又はグローブボックス(glove box)へ入射さ
れる。
止するためにパネルは真空または乾燥した不活性気体雰
囲気下で工程を行わなければならない反面に、レーザビ
ーム発生器は大気中で作動しなければならない。このレ
ーザビームは、レーザビームの吸収断面を有する窓を介
して、真空又は乾燥した不活性気体で満たされたチャン
バ(chamber)又はグローブボックス(glove box)へ入射さ
れる。
【００７７】そして、レーザシステムは、図９に示すよ
うに、レーザビームにて直接スキャン(scan)するか、あ
るいはパネルの装着されたムービングステージ(moving
stage)をプログラムされた通り移動させるように設計さ
れる。しかし、一般に、レーザビームを移動させてスキ
ャンする方法は、本発明のように正確性を要求するもの
には適しない。一方、ムービングステージは、エンコー
ダ(encoder)又はセンサを取り付けてフィードバック(fe
edback)制御を行うことができる。本発明では、ＩＴＯ
の電気光学的性質を用いて、位置によるフィードバック
制御を容易に行うことができる。
うに、レーザビームにて直接スキャン(scan)するか、あ
るいはパネルの装着されたムービングステージ(moving
stage)をプログラムされた通り移動させるように設計さ
れる。しかし、一般に、レーザビームを移動させてスキ
ャンする方法は、本発明のように正確性を要求するもの
には適しない。一方、ムービングステージは、エンコー
ダ(encoder)又はセンサを取り付けてフィードバック(fe
edback)制御を行うことができる。本発明では、ＩＴＯ
の電気光学的性質を用いて、位置によるフィードバック
制御を容易に行うことができる。
【００７８】又、食刻対象物質の物理化学的な特性を顧
慮して適当な波長を有するレーザを選定しなければなら
ない。この内、最も重要な顧慮対象は物質の吸収断面で
ある。レーザの中では、金属又は有機物質をエッチング
する際、緑色(green)波長を有するｆｒｅｑｕｅｎｃｙ
ｄｏｕｂｌｅｄ Ｎｄ：ＹＡＧのレーザ、或いは紫外
線波長を有するエキサイマ(eximer)レーザが好ましい。
慮して適当な波長を有するレーザを選定しなければなら
ない。この内、最も重要な顧慮対象は物質の吸収断面で
ある。レーザの中では、金属又は有機物質をエッチング
する際、緑色(green)波長を有するｆｒｅｑｕｅｎｃｙ
ｄｏｕｂｌｅｄ Ｎｄ：ＹＡＧのレーザ、或いは紫外
線波長を有するエキサイマ(eximer)レーザが好ましい。
【００７９】このレーザは、連続発振(continuous)モー
ドよりはパルス(pulse)モードが更に効果的である。こ
の理由は、連続発振モードを使用すれば、熱的劣化(the
rmaldegradation)によって容易に素子が損傷されるから
である。レーザのパワー及びパルス反復周期(pulse rep
etition rate)は第２電極及び有機ＥＬ層を除去する程
度のことであり、第１電極に損傷を被ってはいけない。
ドよりはパルス(pulse)モードが更に効果的である。こ
の理由は、連続発振モードを使用すれば、熱的劣化(the
rmaldegradation)によって容易に素子が損傷されるから
である。レーザのパワー及びパルス反復周期(pulse rep
etition rate)は第２電極及び有機ＥＬ層を除去する程
度のことであり、第１電極に損傷を被ってはいけない。
【００８０】以下、本発明で使用可能なレーザは次の通
りである。
りである。
【００８１】
【表１】 一方、レーザビームは、第１電極面からパネルに、又は
第２電極面からパネルに照射可能である。この際、第１
電極としてよく使われるＩＴＯ(Indium Tin Oxide)の場
合、０．５３μｍで大きな吸収断面を有しないため、ｆ
ｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｏｕｂｌｅｄ Ｎｄ：ＹＡＧのレ
ーザをＩＴＯ面に照射して有機ＥＬ層及び第２電極をエ
ッチングすることができる。仮に、エッチング対象物質
のエッチング時に、レーザビームと共に１又は複数の適
切な反応ガスを注入すれば、エッチング対象物質のエッ
チング率を高めることができる。
第２電極面からパネルに照射可能である。この際、第１
電極としてよく使われるＩＴＯ(Indium Tin Oxide)の場
合、０．５３μｍで大きな吸収断面を有しないため、ｆ
ｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｏｕｂｌｅｄ Ｎｄ：ＹＡＧのレ
ーザをＩＴＯ面に照射して有機ＥＬ層及び第２電極をエ
ッチングすることができる。仮に、エッチング対象物質
のエッチング時に、レーザビームと共に１又は複数の適
切な反応ガスを注入すれば、エッチング対象物質のエッ
チング率を高めることができる。
【００８２】レーザビームスポット(spot)の形態や寸法
は必要に応じて調節することが可能であり、図１０に示
すように適切にデザインされたエッチングマスクを用い
て多数のサブピクセルを同時にエッチングすることも可
能である。広い面積を一回で照射するためには、ビーム
スポットの大きい拡散ビームを使用しレーザの出力を増
加させる必要がある。
は必要に応じて調節することが可能であり、図１０に示
すように適切にデザインされたエッチングマスクを用い
て多数のサブピクセルを同時にエッチングすることも可
能である。広い面積を一回で照射するためには、ビーム
スポットの大きい拡散ビームを使用しレーザの出力を増
加させる必要がある。
【００８３】
【発明の効果】本発明による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造方法においては以下のような効果がある。
ルの製造方法においては以下のような効果がある。
【００８４】レーザを用いた本発明の製造工程は、簡
単であり、迅速であり、基板に対して正確に整列し難
く、設け難いシャドーマスクを用いないため生産率が大
きく増加する。
単であり、迅速であり、基板に対して正確に整列し難
く、設け難いシャドーマスクを用いないため生産率が大
きく増加する。
【００８５】素子に致命的なソルベント(solvent)や
湿気に対する影響を最小化するため、素子の寿命が大幅
に増加する。
湿気に対する影響を最小化するため、素子の寿命が大幅
に増加する。
【図１】一般的なパッシブアドレス(passive addressin
g)の有機ＥＬディスプレイパネルを示す平面図である。
g)の有機ＥＬディスプレイパネルを示す平面図である。
【図２】シャドーマスクを用いて第２電極をパターニン
グする過程を示す断面図である。
グする過程を示す断面図である。
【図３】絶縁隔壁を用いてピクセレーションする過程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４ａ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図４ｂ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図４ｃ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図４ｄ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図５ａ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図５ｂ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図５ｃ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ａ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｂ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｃ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｄ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｅ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｆ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｇ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｈ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｉ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｊ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程を示す断面図である。
ルの製造工程を示す断面図である。
【図７ａ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｂ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｃ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｄ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｅ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｆ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｇ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｈ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ａ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｂ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｃ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｄ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｅ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｆ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｇ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｈ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｉ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｊ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｋ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
プレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明によるレーザビームエッチングシステム
を示す図である。
を示す図である。
【図１０】本発明によるマスクを用いたレーザビームエ
ッチング過程を示す図である。
ッチング過程を示す図である。
１０１ 透光性基板 １０２ 第１電極 １０３ バッファ層 １０４ 絶縁膜 １０５ａ、ｂ、ｃ 有機ＥＬ層 １０６ａ、ｂ、ｃ 第２電極 １０７、１０７ａ、ｂ、ｃ、ｄ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 成泰 大韓民國 ソウル 恩▲平▼區 鷹岩２洞 242−61 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB11 AB18 BA00 BB05 CC00 DA01 DB03 EA01 EB00 EC00 FA01 FA02 5C094 AA42 AA43 BA29 CA24 FB01 FB02 GB01
Claims (26)
- 【請求項１】 第１電極と第２電極との間に少なくとも
一つの有機ＥＬ媒介(medium)層が積層される有機ＥＬ層
を有する有機ＥＬディスプレイパネルを製造する方法に
あたって、 １又は複数のレーザビームを用いて前記有機ＥＬディス
プレイ素子をピクセレーションすることを特徴とする有
機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】 透光性基板上に第１電極、少なくとも一
つの有機ＥＬ媒介層を含む有機ＥＬ層、第２電極を順次
形成する第１ステップと、 １又は複数のレーザビームで所定領域の第２電極及び有
機ＥＬ層を選択的に除去する第２ステップと、 を備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項３】 前記レーザビームはパルスモード(mode)
で動作されることを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】 前記第２ステップは、真空又は乾燥した
不活性気体雰囲気下で行われることを特徴とする請求項
２記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項５】 前記レーザビームは透光性基板の何れか
の一方面に照射されてピクセレーションすることを特徴
とする請求項２記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製
造方法。 - 【請求項６】 前記第２ステップにおいて、レーザビー
ムを照射してピクセレーションするとき、少なくとも一
つの反応ガスが注入されることを特徴とする請求項２記
載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 前記第２ステップにおいて、前記ディス
プレイパネルとレーザソースとの間に所定形状のパター
ンを有するマスクを配置してピクセレーションすること
を特徴とする請求項２記載の有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項８】 前記第２ステップ後、ピクセレーション
された基板の表面上に保護膜を形成することを特徴とす
る請求項２記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項９】 前記保護膜は吸湿剤またはその混合物を
含むことを特徴とする請求項８記載の有機ＥＬディスプ
レイパネルの製造方法。 - 【請求項１０】 透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順
次積層する第１ステップと、 １又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的
に除去する第２ステップと、 前記絶縁膜を含む所定領域に少なくとも一つの有機ＥＬ
媒介層を含む有機ＥＬ層、第２電極を順次積層する第３
ステップと、 第２ステップと第３ステップを１回または数回繰り返し
行う第４ステップとを備えることを特徴とする有機ＥＬ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１１】 前記第４ステップ後、隣接する二つの
サブピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層及
び第２電極を、１又は複数のレーザビームを用いて２部
分に断ち切るステップを更に備えることを特徴とする請
求項１０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項１２】 前記絶縁膜と第１電極との間にはバッ
ファ層が形成されることを特徴とする請求項１０記載の
有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１３】 前記バッファ層は、絶縁性のよい無機
物又は有機物で形成されることを特徴とする請求項１２
記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１４】 前記絶縁膜は１又は多数の高分子で形
成されることを特徴とする請求項１０記載の有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１５】 前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソ
ルベント及び湿気を除去することを特徴とする請求項１
０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１６】 前記絶縁膜の厚さは０．１〜１００μ
ｍであることを特徴とする請求項１０記載の有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１７】 前記第２ステップは、真空又は乾燥し
た不活性気体雰囲気下で行われることを特徴とする請求
項１０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１８】 前記第４ステップ後、ピクセレーショ
ンされた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴
とする請求項１０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項１９】 前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を
含むことを特徴とする請求項１８記載の有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項２０】 透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順
次積層する第１ステップと、 １又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的
に除去する第２ステップと、 前記絶縁膜を含む所定領域に、少なくとも一つの有機Ｅ
Ｌ媒介層を含む有機ＥＬ層、第２電極、保護膜を順次積
層する第３ステップと、 前記第２ステップと第３ステップを１回または数回繰り
返し行う第４ステップとを備えることを特徴とする有機
ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２１】 前記第３ステップで形成された保護膜
は、吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴とする請
求項２０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項２２】 前記第４ステップ後、隣接する二つの
サブピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層及
び第２電極を、１又は多数のレーザビームを用いて２部
分に断ち切るステップを更に備えることを特徴とする請
求項２０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項２３】 前記絶縁膜と第１電極との間にはバッ
ファ層が形成されることを特徴とする請求項２０記載の
有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２４】 前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソ
ルベント及び湿気を除去することを特徴とする請求項２
０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２５】 前記第４ステップ後、ピクセレーショ
ンされた基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴
とする請求項２０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項２６】 前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を
含むことを特徴とする請求項２５記載の有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1998-22756 | 1998-06-17 | ||
| KR1019980022756A KR100282393B1 (ko) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012220A true JP2000012220A (ja) | 2000-01-14 |
| JP4684378B2 JP4684378B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=36371732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22089198A Expired - Lifetime JP4684378B2 (ja) | 1998-06-17 | 1998-08-04 | 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6146715A (ja) |
| EP (1) | EP0966182B1 (ja) |
| JP (1) | JP4684378B2 (ja) |
| KR (1) | KR100282393B1 (ja) |
| CN (1) | CN1162052C (ja) |
| DE (1) | DE69834318T2 (ja) |
| HK (1) | HK1024374A1 (ja) |
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| KR100351822B1 (ko) * | 2000-04-24 | 2002-09-11 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 |
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