JP3537591B2 - 有機ｅｌディスプレイの製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイの製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
センス素子（有機ＥＬ素子）を用いた有機ＥＬディスプ
レイの製造方法に関するものであり、特に、有機ＥＬデ
ィスプレイの発光パターンニングの形成方法に関する。
センス素子（有機ＥＬ素子）を用いた有機ＥＬディスプ
レイの製造方法に関するものであり、特に、有機ＥＬデ
ィスプレイの発光パターンニングの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、文字や絵柄等の種々のパターンで
形成される発光面や、複数の画素等を有し、発光表示す
る電界発光素子として、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕ
ｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が知られている。図２は従
来の有機ＥＬディスプレイの概略断面図である。同図に
おいて、有機ＥＬディスプレイは、透明なガラス基板１
０１の表面に透明な陽極１０２が形成され、さらに陽極
１０２上には有機蛍光体薄膜や有機正孔輸送層等から成
る発光層１０３が所定の文字や絵柄等のパターン形状と
なるようにパターンマスキング及び真空蒸着等の手法に
より形成されて、さらにその上には金属からなる陰極１
０４が同形状のパターンマスキング及び真空蒸着等の手
法によって形成される。また、陰極１０４上には、発光
層１０３の変質及び陰極１０４の酸化を防ぐために保護
膜１０５が形成されている。
形成される発光面や、複数の画素等を有し、発光表示す
る電界発光素子として、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕ
ｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が知られている。図２は従
来の有機ＥＬディスプレイの概略断面図である。同図に
おいて、有機ＥＬディスプレイは、透明なガラス基板１
０１の表面に透明な陽極１０２が形成され、さらに陽極
１０２上には有機蛍光体薄膜や有機正孔輸送層等から成
る発光層１０３が所定の文字や絵柄等のパターン形状と
なるようにパターンマスキング及び真空蒸着等の手法に
より形成されて、さらにその上には金属からなる陰極１
０４が同形状のパターンマスキング及び真空蒸着等の手
法によって形成される。また、陰極１０４上には、発光
層１０３の変質及び陰極１０４の酸化を防ぐために保護
膜１０５が形成されている。
【０００３】このように構成された有機ＥＬディスプレ
イは、陰極１０４及び陽極１０２間に接続される駆動源
１０６によって所定の電圧を印加することにより、両極
間に位置する発光層１０３に電流が流れて発光し、透明
なガラス基板１０１を介して、発光層１０３が有する所
定の文字や絵柄等のパターンで発光表示される。
イは、陰極１０４及び陽極１０２間に接続される駆動源
１０６によって所定の電圧を印加することにより、両極
間に位置する発光層１０３に電流が流れて発光し、透明
なガラス基板１０１を介して、発光層１０３が有する所
定の文字や絵柄等のパターンで発光表示される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年情報の高密度化多
様化に伴い、有機ＥＬ素子を用いた表示装置においても
画素の小型化や種々の発光形状が必要とされ、有機ＥＬ
素子の発光層のパターン加工も精度や多様な形状が要求
されている。
様化に伴い、有機ＥＬ素子を用いた表示装置においても
画素の小型化や種々の発光形状が必要とされ、有機ＥＬ
素子の発光層のパターン加工も精度や多様な形状が要求
されている。
【０００５】ところが、従来のマスキングの方法によ
り、発光層及び陰極を細かいパターンを形成しようとす
ると、マスク合わせの精度が要求されパターンの形状や
精度には限界がある。
り、発光層及び陰極を細かいパターンを形成しようとす
ると、マスク合わせの精度が要求されパターンの形状や
精度には限界がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の問題点に
鑑みなされたものであり、有機ＥＬディスプレイを製造
する場合に、多種多様なパターン形状を有する発光層を
精度良く形成する方法を提供するものである。
鑑みなされたものであり、有機ＥＬディスプレイを製造
する場合に、多種多様なパターン形状を有する発光層を
精度良く形成する方法を提供するものである。
【０００７】請求項１記載の発明は、陰極と、一又は複
数の有機物質からなる発光層と、陽極と、透光性基板と
を有する有機ＥＬ素子を一又は複数配列する有機ＥＬデ
ィスプレイの製造方法であって、透光性基板上に、陽極
材料、一又は複数の有機物質、陰極材料、保護膜、をそ
れぞれ順次成膜して積層する工程と、積層された保護膜
上にレジストを成膜して、発光層に対応する形状をパタ
ーニングする工程と、積層された一又は複数の有機物
質、陰極材料、保護膜を、レジストが有するパターン形
状に対応してドライエッチング加工形成する工程と、保
護層を除去せずにレジストを除去する工程と、を有し、
以上の工程を１又は複数回繰り返すことにより、有機Ｅ
Ｌ素子を一又は複数配列することを特徴とする。
数の有機物質からなる発光層と、陽極と、透光性基板と
を有する有機ＥＬ素子を一又は複数配列する有機ＥＬデ
ィスプレイの製造方法であって、透光性基板上に、陽極
材料、一又は複数の有機物質、陰極材料、保護膜、をそ
れぞれ順次成膜して積層する工程と、積層された保護膜
上にレジストを成膜して、発光層に対応する形状をパタ
ーニングする工程と、積層された一又は複数の有機物
質、陰極材料、保護膜を、レジストが有するパターン形
状に対応してドライエッチング加工形成する工程と、保
護層を除去せずにレジストを除去する工程と、を有し、
以上の工程を１又は複数回繰り返すことにより、有機Ｅ
Ｌ素子を一又は複数配列することを特徴とする。
【０００８】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の有機ＥＬディスプレイの製造方法において、積層さ
れた一又は複数の有機物質、陰極材料、保護膜を、レジ
ストが有するパターン形状に対応してドライエッチング
加工形成する工程は、反応性イオンエッチング加工によ
り行われることを特徴とする。
載の有機ＥＬディスプレイの製造方法において、積層さ
れた一又は複数の有機物質、陰極材料、保護膜を、レジ
ストが有するパターン形状に対応してドライエッチング
加工形成する工程は、反応性イオンエッチング加工によ
り行われることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明は以上のように構成したので、陽極材
料、有機物、陰極、保護膜の各膜を発光層に対応するパ
ターン形状に加工する場合に、陽極材料、有機物、陰
極、保護膜を順次積層し、さらにその上に発光層に対応
するパターン形状を有するレジスト膜を形成して、しか
る後に、積層された陽極材料、有機物、陰極、保護膜の
各膜を、レジストが有するパターン形状に対応して、一
括してドライエッチング加工を施して、発光層に対応す
るパターン形状に加工するようにしたため、レジスト膜
の形成時には、保護膜で保護し、有機物が溶剤や水に接
しないように保護膜で保護するので発光層が劣化するこ
となく、しかも、有機物、陰極、保護膜の各膜の高精度
なパターニングを同時に行うことができる。
料、有機物、陰極、保護膜の各膜を発光層に対応するパ
ターン形状に加工する場合に、陽極材料、有機物、陰
極、保護膜を順次積層し、さらにその上に発光層に対応
するパターン形状を有するレジスト膜を形成して、しか
る後に、積層された陽極材料、有機物、陰極、保護膜の
各膜を、レジストが有するパターン形状に対応して、一
括してドライエッチング加工を施して、発光層に対応す
るパターン形状に加工するようにしたため、レジスト膜
の形成時には、保護膜で保護し、有機物が溶剤や水に接
しないように保護膜で保護するので発光層が劣化するこ
となく、しかも、有機物、陰極、保護膜の各膜の高精度
なパターニングを同時に行うことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、有機ＥＬ素子の発光層
をパターン形成する場合に、劣化し易い有機物で形成さ
れる発光層を保護膜でマスクすることで保護し、さらに
ドライエッチング手法を用いて、有機物、陰極材料、保
護膜の各積層膜を同時加工することにより、高精度なパ
ターニングを行う点に着目したものであり、本発明に好
適な一実施形態を図１に基づいて以下に説明する。
をパターン形成する場合に、劣化し易い有機物で形成さ
れる発光層を保護膜でマスクすることで保護し、さらに
ドライエッチング手法を用いて、有機物、陰極材料、保
護膜の各積層膜を同時加工することにより、高精度なパ
ターニングを行う点に着目したものであり、本発明に好
適な一実施形態を図１に基づいて以下に説明する。
【００１１】図１は、本発明の一実施形態におけるスト
ライプ状の陰極パターンを有するＲＧＢ方式によるフル
カラー有機ＥＬディスプレイ素子の発光層、陰極、保護
膜のパターニング工程を示す断面図であり、以下工程順
に説明する。先ず、図１（ａ）において、透光性を有す
るガラス基板１上に陽極（ＩＴＯ）２、一又は複数の有
機正孔輸送層や有機蛍光体薄膜等からなる赤色（Ｒ）発
光材料３、陰極材料４、保護膜５を順次積層形成する。
保護膜は、緻密かつ膜の付着強度が強く、下層に形成さ
れた発光材料や陰極材料膜等を損傷を与えずに形成可能
な材料であって、レジストパターニングや反応性イオン
エッチングに対し耐久性を有することが望ましく、例え
ばＳｉＮｘを用いて成膜したものである。
ライプ状の陰極パターンを有するＲＧＢ方式によるフル
カラー有機ＥＬディスプレイ素子の発光層、陰極、保護
膜のパターニング工程を示す断面図であり、以下工程順
に説明する。先ず、図１（ａ）において、透光性を有す
るガラス基板１上に陽極（ＩＴＯ）２、一又は複数の有
機正孔輸送層や有機蛍光体薄膜等からなる赤色（Ｒ）発
光材料３、陰極材料４、保護膜５を順次積層形成する。
保護膜は、緻密かつ膜の付着強度が強く、下層に形成さ
れた発光材料や陰極材料膜等を損傷を与えずに形成可能
な材料であって、レジストパターニングや反応性イオン
エッチングに対し耐久性を有することが望ましく、例え
ばＳｉＮｘを用いて成膜したものである。
【００１２】次に、図１（ｂ）において、保護膜５上に
レジスト６を形成し、次いで、図１（ｃ）において、フ
ォトリソグラフィの手法を用いて、レジスト６を加工
し、ディスプレイ素子の赤色発光パターンに対応するＲ
（赤色）レジスト膜６ａを形成する。この場合に、赤色
（Ｒ）発光材料３、陰極材料４は、保護膜５によって保
護されているので、レジストをフォトリソグラフィの手
法でパターニングする場合においても、ＳｉＮｘはアル
カリ性の現像液に対しても腐食することが無いので、例
えば陰極材料として、耐アルカリ性の極端に低い材料で
あるＡｌを用いた場合においても、陰極材料４は、アル
カリ性の現像液に接することが無く、レジスト６の加工
による損傷は生じない。また、赤色（Ｒ）発光材料３を
構成する有機物は、極端に耐水性が低いが、同じく保護
膜５によって保護されているので、積層形成された赤色
（Ｒ）発光材料３は、剥離または損傷することがない。
レジスト６を形成し、次いで、図１（ｃ）において、フ
ォトリソグラフィの手法を用いて、レジスト６を加工
し、ディスプレイ素子の赤色発光パターンに対応するＲ
（赤色）レジスト膜６ａを形成する。この場合に、赤色
（Ｒ）発光材料３、陰極材料４は、保護膜５によって保
護されているので、レジストをフォトリソグラフィの手
法でパターニングする場合においても、ＳｉＮｘはアル
カリ性の現像液に対しても腐食することが無いので、例
えば陰極材料として、耐アルカリ性の極端に低い材料で
あるＡｌを用いた場合においても、陰極材料４は、アル
カリ性の現像液に接することが無く、レジスト６の加工
による損傷は生じない。また、赤色（Ｒ）発光材料３を
構成する有機物は、極端に耐水性が低いが、同じく保護
膜５によって保護されているので、積層形成された赤色
（Ｒ）発光材料３は、剥離または損傷することがない。
【００１３】次に、図１（ｃ）のガラス基板１上に積層
形成された各成膜、すなわち、赤色（Ｒ）発光材料３、
陰極材料４、保護膜５を反応性イオンエッチングによっ
てドライエッチング加工する。この場合、反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）に用いる正負電極間にほぼ平行に
ガラス基板１を配置させることにより、Ｒ（赤色）レジ
スト膜６ａの垂直上方の電極から反応性イオンを引っぱ
り込んでエッチングするので、陽極２上に積層された赤
色（Ｒ）発光材料３、陰極材料４、保護膜５はそれぞれ
Ｒ（赤色）レジスト膜６ａが有するパターンに沿って加
工され、赤色（Ｒ）陰極４ａに対応する有機ＥＬ素子が
パターン形成される（図１（ｄ））。
形成された各成膜、すなわち、赤色（Ｒ）発光材料３、
陰極材料４、保護膜５を反応性イオンエッチングによっ
てドライエッチング加工する。この場合、反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）に用いる正負電極間にほぼ平行に
ガラス基板１を配置させることにより、Ｒ（赤色）レジ
スト膜６ａの垂直上方の電極から反応性イオンを引っぱ
り込んでエッチングするので、陽極２上に積層された赤
色（Ｒ）発光材料３、陰極材料４、保護膜５はそれぞれ
Ｒ（赤色）レジスト膜６ａが有するパターンに沿って加
工され、赤色（Ｒ）陰極４ａに対応する有機ＥＬ素子が
パターン形成される（図１（ｄ））。
【００１４】なお、反応性イオンは、保護膜５を形成す
るＳｉＮｘに対してはＣＦ４、陰極材料４を形成するＡ
ｌに対してはＢＣｌ３及びＣｌ２の混合ガス、赤色
（Ｒ）発光材料３を形成する有機物に対してはＯ２のガ
スを用いて生成され、各反応性イオンは、それぞれ各成
膜の積層面に対し垂直上方からそれぞれの成膜に対しエ
ッチングを行うのが、反応性イオンエッチングは異方性
エッチングであるため、エッチングされた各成膜の積層
側面はウエットエッチングの様にアンダーカットを生じ
ることが無く、Ｒ（赤色）レジスト膜６ａが有するパタ
ーンが微細であっても精度良くパターニングされる。
るＳｉＮｘに対してはＣＦ４、陰極材料４を形成するＡ
ｌに対してはＢＣｌ３及びＣｌ２の混合ガス、赤色
（Ｒ）発光材料３を形成する有機物に対してはＯ２のガ
スを用いて生成され、各反応性イオンは、それぞれ各成
膜の積層面に対し垂直上方からそれぞれの成膜に対しエ
ッチングを行うのが、反応性イオンエッチングは異方性
エッチングであるため、エッチングされた各成膜の積層
側面はウエットエッチングの様にアンダーカットを生じ
ることが無く、Ｒ（赤色）レジスト膜６ａが有するパタ
ーンが微細であっても精度良くパターニングされる。
【００１５】次に、図１（ｄ）のガラス基板１上に積層
形成された各成膜上に図１（ａ）と同様の手法で、一又
は複数の有機正孔輸送層や有機蛍光体薄膜等からなる緑
色（Ｇ）発光材料７、陰極材料４、保護膜５を順次積層
形成し、次いで図１（ｂ）と同様の手法で保護膜５上に
レジスト６を形成する（図１（ｅ））。
形成された各成膜上に図１（ａ）と同様の手法で、一又
は複数の有機正孔輸送層や有機蛍光体薄膜等からなる緑
色（Ｇ）発光材料７、陰極材料４、保護膜５を順次積層
形成し、次いで図１（ｂ）と同様の手法で保護膜５上に
レジスト６を形成する（図１（ｅ））。
【００１６】次に図１（ｆ）において、図１（ｃ）と同
様の加工を行い、ディスプレイ素子の緑色発光パターン
に対応するＧ（緑色）レジスト膜６ｂを形成し、その
後、図１（ｇ）において、図１（ｄ）と同様の加工を行
うことにより、緑色（Ｇ）陰極４ｂに対応する有機ＥＬ
素子がパターン形成される。
様の加工を行い、ディスプレイ素子の緑色発光パターン
に対応するＧ（緑色）レジスト膜６ｂを形成し、その
後、図１（ｇ）において、図１（ｄ）と同様の加工を行
うことにより、緑色（Ｇ）陰極４ｂに対応する有機ＥＬ
素子がパターン形成される。
【００１７】以降、図１（ｈ）〜（ｊ）において、緑色
（Ｇ）発光材料７の替わりに、一又は複数の有機正孔輸
送層や有機蛍光体薄膜等からなる青色（Ｂ）発光材料８
を用いて、図１（ｅ）〜（ｇ）と同様の加工を繰り返す
ことにより、ディスプレイ素子の青色発光パターンに対
応するＢ（青色）レジスト膜６ｃにより、青色（Ｂ）陰
極４ｃに対応する有機ＥＬ素子がパターン形成され、そ
の結果、隣接する平行なストライプ状のＲＧＢ陰極を有
するＲＧＢ方式のフルカラー有機ＥＬディスプレイ素子
の発光層、陰極、保護膜が形成される。
（Ｇ）発光材料７の替わりに、一又は複数の有機正孔輸
送層や有機蛍光体薄膜等からなる青色（Ｂ）発光材料８
を用いて、図１（ｅ）〜（ｇ）と同様の加工を繰り返す
ことにより、ディスプレイ素子の青色発光パターンに対
応するＢ（青色）レジスト膜６ｃにより、青色（Ｂ）陰
極４ｃに対応する有機ＥＬ素子がパターン形成され、そ
の結果、隣接する平行なストライプ状のＲＧＢ陰極を有
するＲＧＢ方式のフルカラー有機ＥＬディスプレイ素子
の発光層、陰極、保護膜が形成される。
【００１８】なお、本実施の形態では、反応性イオンエ
ッチングを用いて発光素子を形成したが、これに限ら
ず、ドライエッチングであれば同様に形成される。
ッチングを用いて発光素子を形成したが、これに限ら
ず、ドライエッチングであれば同様に形成される。
【００１９】また、本実施の形態では、形成する陰極の
パターンは隣接する平行なストライプ形状としたが、こ
れに限らず多種多様な形状の微細なパターンで形成して
も良い。
パターンは隣接する平行なストライプ形状としたが、こ
れに限らず多種多様な形状の微細なパターンで形成して
も良い。
【００２０】
【発明の効果】本発明は以上のように構成したため、陽
極材料、有機物、陰極、保護膜の各膜を発光層に対応す
るパターン形状に加工する場合に、陽極材料、有機物、
陰極、保護膜を順次積層し、さらにその上にレジスト膜
を形成して、発光層に対応するパターニングを施し、し
かる後に、積層された陽極材料、有機物、陰極、保護膜
の各膜を、レジストが有するパターン形状に対応して、
一括してドライエッチング加工を施して、発光層に対応
するパターン形状に加工するようにしたため、レジスト
膜の形成時には、保護膜で保護し、有機物が溶剤や水に
接しないように保護膜で保護するので発光層が劣化する
ことなく、しかも、有機物、陰極、保護膜の各膜の高精
度なパターニングを同時に行うことができる。
極材料、有機物、陰極、保護膜の各膜を発光層に対応す
るパターン形状に加工する場合に、陽極材料、有機物、
陰極、保護膜を順次積層し、さらにその上にレジスト膜
を形成して、発光層に対応するパターニングを施し、し
かる後に、積層された陽極材料、有機物、陰極、保護膜
の各膜を、レジストが有するパターン形状に対応して、
一括してドライエッチング加工を施して、発光層に対応
するパターン形状に加工するようにしたため、レジスト
膜の形成時には、保護膜で保護し、有機物が溶剤や水に
接しないように保護膜で保護するので発光層が劣化する
ことなく、しかも、有機物、陰極、保護膜の各膜の高精
度なパターニングを同時に行うことができる。
【図１】本発明の一実施形態におけるＲＧＢ方式による
フルカラー有機ＥＬディスプレイ素子の発光層、陰極、
保護膜のパターニング工程を示す断面図である。
フルカラー有機ＥＬディスプレイ素子の発光層、陰極、
保護膜のパターニング工程を示す断面図である。
【図２】従来の有機ＥＬディスプレイの概略断面図であ
る。
る。
１・・・・ガラス基板
２・・・・陽極（ＩＴＯ）
３・・・・赤色（Ｒ）発光材料
４・・・・陰極材料
４ａ・・・赤色（Ｒ）陰極
４ｂ・・・緑色（Ｇ）陰極
４ｃ・・・青色（Ｂ）陰極
５・・・・保護膜
６・・・・レジスト
６ａ・・・Ｒ（赤色）レジスト膜
６ｂ・・・Ｇ（緑色）レジスト膜
６ｃ・・・Ｂ（青色）レジスト膜
７・・・・緑色（Ｇ）発光材料
８・・・・青色（Ｂ）発光材料
Claims (2)
- 【請求項１】 陰極と、一又は複数の有機物質からなる
発光層と、陽極と、透光性基板とを有する有機ＥＬ素子
を一又は複数配列する有機ＥＬディスプレイの製造方法
であって、 前記透光性基板上に、陽極材料、前記一又は複数の有機
物質、陰極材料、保護膜、をそれぞれ順次成膜して積層
する工程と、積層された前記保護膜上にレジストを成膜
して、前記発光層に対応する形状をパターニングする工
程と、 積層された前記一又は複数の有機物質、前記陰極材料、
前記保護膜を、前記レジストが有するパターン形状に対
応してドライエッチング加工形成する工程と、前記保護層を除去せずに前記レジストを除去する工程
と、 を有し、 以上の工程を１又は複数回繰り返すことにより、前記有
機ＥＬ素子を一又は複数配列する有機ＥＬディスプレイ
の製造方法。 - 【請求項２】 積層された前記一又は複数の有機物質、
前記陰極材料、前記保護膜を、前記レジストが有するパ
ターン形状に対応してドライエッチング加工形成する前
記工程は、反応性イオンエッチング加工により行われる
ことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイ
の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
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| US6191433B1 (en) | 2000-03-17 | 2001-02-20 | Agilent Technologies, Inc. | OLED display device and method for patterning cathodes of the device |
| US6617186B2 (en) * | 2000-09-25 | 2003-09-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for producing electroluminescent element |
| JP4676092B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2011-04-27 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| JP4578026B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2010-11-10 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
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| JP4146153B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2008-09-03 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
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| EP1566987B1 (en) * | 2002-11-27 | 2011-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for fabricating electroluminescent element |
| GB0229653D0 (en) * | 2002-12-20 | 2003-01-22 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrical connection of optoelectronic devices |
| JP4426190B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2010-03-03 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| GB0307746D0 (en) * | 2003-04-03 | 2003-05-07 | Microemissive Displays Ltd | Removing a material from a substrate |
| US6953705B2 (en) * | 2003-07-22 | 2005-10-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for removing an organic layer during fabrication of an organic electronic device |
| JP2005044613A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| JP2006318876A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法及びエレクトロルミネッセント素子 |
| KR20070097085A (ko) * | 2004-12-30 | 2007-10-02 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 조사를 사용하는 장치 패턴화 |
| US7662648B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inspection system |
| JP4696796B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2011-06-08 | 株式会社豊田自動織機 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2007220360A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 発光素子、発光素子の製造方法および基板処理装置 |
| KR100754080B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2007-08-31 | 삼성전기주식회사 | 리지드-플렉서블 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| JP2008041362A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | パターン化された色変換層の製造方法、およびそれを用いた色変換フィルターおよび有機ｅｌディスプレイの製造方法。 |
| TWI323047B (en) * | 2006-11-28 | 2010-04-01 | Univ Nat Taiwan | The method for forming electronic devices by using protection layers |
| JP2010157493A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-07-15 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| EP2609625B1 (en) * | 2010-08-24 | 2015-04-29 | Koninklijke Philips N.V. | Method of manufacturing an organic electroluminescent device |
| CN103155203B (zh) * | 2010-10-12 | 2017-04-05 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有封装的有机电子器件 |
| WO2012049593A1 (en) * | 2010-10-12 | 2012-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for manufacturing an organic electronic device |
| EP2579313B1 (en) | 2011-09-22 | 2021-10-27 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| CN105794320B (zh) * | 2013-12-04 | 2017-06-27 | 夏普株式会社 | 有机电致发光显示面板的制造方法 |
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| KR940009496B1 (ko) * | 1992-06-09 | 1994-10-14 | 주식회사금성사 | 다색 전계발광소자 및 제조방법 |
| US5334539A (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-02 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Fabrication of poly(p-phenyleneacetylene) light-emitting diodes |
| US5424560A (en) * | 1994-05-31 | 1995-06-13 | Motorola, Inc. | Integrated multicolor organic led array |
| US5707745A (en) * | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
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