CN110165088B - 一种oled器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种OLED器件的制备方法，包括：形成反射层；形成中间层，中间层包括至少两个非金属透明化合物层和至少一个刻蚀阻挡层，每个刻蚀阻挡层位于相邻两个非金属透明化合物层之间；刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一刻蚀阻挡层内的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色相同，不同刻蚀阻挡层中的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色不同；去除非发光区内的非金属透明化合物层，以及各子像素发光区域内刻蚀阻挡块上的非金属透明化合物层；去除刻蚀阻挡层；形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；其中，刻蚀阻挡层和非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于10:1。
Description
技术领域
本发明实施例涉及OLED器件的制备技术，尤其涉及一种OLED器件的制备方法。
背景技术
OLED器件具有能够自发光、功耗低以及色域广等优势，备受用户青睐。
现有技术中OLED器件采用微腔结构提高发光强度，强微腔结构是一种常规的微腔结构。具体的，OLED器件包括依次层叠于驱动电路基板上的反射层、透明化合物层、第一电极层、发光功能层和第二电极层，强微腔结构的两个反射面分别为反射层远离驱动电路基板一侧的表面，以及第二电极层靠近驱动电路基板一侧的表面。通常各子像素发光区域内的微腔厚度等于发出的光的半波长的整数倍时，该子像素发光区域的发光强度达到最高，因此，不同发光颜色的子像素区域内微腔的最佳厚度不同，强微腔结构显示效果的重点在于精确控制各个微腔的厚度。
在OLED器件的制备过程中，形成反射层后，在反射层上形成初始透明化合物层，再对初始透明化合物层进行刻蚀，以使各子像素发光区域内的透明化合物层达到对应的预设厚度。由于刻蚀工艺中的刻蚀量无法精确的控制，因此刻蚀过程中不可避免的会导致透明化合物层的损失，使得透明化合物层的厚度均一性变差，影响OLED器件发光颜色的均一性。
现有技术中，JP47427171B2提出了一种形成光学调节层的方法，首先形成第一透明导电层，刻蚀该第一透明导电层形成红色像素上的第一层；然后形成第二透明导电层，刻蚀该第二透明导电层形成红色像素上的第二层和绿色像素上的第一层；再形成第三透明导电层，刻蚀该第三透明导电层形成红色像素上的第三层、绿色像素上的第二层和蓝色像素上的第一层，至此分别在红色像素、绿色像素和蓝色像素上形成厚度不同的光学调节层。但是这种制程方法刻蚀透明导电层的步骤多、工艺复杂，并且每次刻蚀透明导电层都需要在其上形成光刻胶，容易造成由于光刻胶剥离残留引起的产品不良。另外，透明导电层如氧化铟锡，要使用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)工艺形成，PVD成膜的均一性较差，一般存在±3％的误差，对于微腔结构厚度的高均一性要求，PVD成膜的透明导电层还不能完全满足，通过其形成的微腔结构光学效果较差。
现有技术中，US8420423B2提出一种形成光学调节层的方法，先连续形成第一透明导电层、第二透明导电层和光刻胶层，使用半灰调掩膜(half-tone mask)对光刻胶层进行曝光显影来形成刻蚀第一透明导电层和第二透明导电层的掩膜，并且还以图形化后的第二透明导电层为掩膜来刻蚀底层的金属层。这种制程方式因不能精准的控制光刻胶层的厚度，在以图形化后的第二透明导电层为掩膜来刻蚀底层的金属层时，因制程工艺控制难度大，有可能刻蚀完成后第二透明导电层还有残余，或者第二透明导电层已经全部刻蚀掉并且已经损耗了下层的第一透明导电层，因而不能精准的控制光学调节层的厚度，进而不能精准的控制光学长度，显示效果差。同样，因透明导电层需要用PVD工艺形成，膜层的均一性差，进而导致光学效果差。
现有技术中，JP2017107887A提出了一种形成光学调节层的方法，如JP2017107887A的附图图7所示，首先连续形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，第一绝缘层的材料为氮化硅，第二绝缘层和第三绝缘层的材料为氧化硅，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层是以CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)工艺形成的；然后形成第一图形化光刻胶，以其为掩膜刻蚀第三绝缘层；接着形成第二图形化光刻胶，以其为掩膜刻蚀第二绝缘层，因为第二绝缘层和第一绝缘层的材料不同，刻蚀比不同，因此在刻蚀第二绝缘层时，刻蚀液对第一绝缘层的损伤较小。但是其效果还是有不尽如人意的地方，首先，第二绝缘层和第三绝缘层的材料相同，两者不存在刻蚀比，当以第一图形化光刻胶为掩膜刻蚀第三绝缘层时，对刻蚀工艺的要求非常高，极有可能存在第三绝缘层未被刻蚀干净或者过刻损伤了第二绝缘层的工艺不良；再者，虽然第一绝缘层和第二绝缘层的材料不同，存在刻蚀比，但是氮化硅和氧化硅的材料性质较为接近，刻蚀比小于10:1，即每刻蚀十个单位的氧化硅，会消耗大于一个单位的氮化硅，刻蚀第二绝缘层时，对第一绝缘层仍有较大损伤；第三，光学调节层使用不同材料形成的，氮化硅的折射率为1.8左右，氧化硅的折射率在1.4作用，光线会在两者的界面发生折射，这会使微腔厚度的计算更为复杂，光污染等还有其他不确定性光学问题也会增多，大大影响OLED器件的显示效果。
发明内容
本发明提供一种OLED器件的制备方法，第一方面，本发明实施例提供了一种OLED器件的制备方法，包括：
在驱动电路基板上形成图形化的反射层；
在所述反射层和所述驱动电路基板上形成中间层，所述中间层包括至少两个非金属透明化合物层和至少一个刻蚀阻挡层，每个所述刻蚀阻挡层位于相邻两个所述非金属透明化合物层之间；所述刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个所述刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一所述刻蚀阻挡层内的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色相同，不同所述刻蚀阻挡层中的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色不同；
去除非发光区内的所述非金属透明化合物层，以及各所述子像素发光区域内所述刻蚀阻挡块上的所述非金属透明化合物层；
去除所述至少一个刻蚀阻挡层；
依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；
其中，所述刻蚀阻挡层和所述非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于10:1。
第二方面，本发明实施例还提供了一种OLED器件的制备方法，包括：
在驱动电路基板上形成图形化的反射层；
在所述反射层和所述驱动电路基板上形成中间层，所述中间层包括三个非金属透明化合物层和两个刻蚀阻挡层，每个所述刻蚀阻挡层位于相邻两个所述非金属透明化合物层之间；每个所述刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个所述刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一所述刻蚀阻挡层内的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色相同，不同所述刻蚀阻挡层中的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色不同；
去除非发光区内的所述非金属透明化合物层，以及各所述子像素发光区域内所述刻蚀阻挡块上的所述非金属透明化合物层；
去除两个所述刻蚀阻挡层；
依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；
其中，所述刻蚀阻挡层和所述非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于10:1。
本发明实施例提供的技术方案，通过CVD工艺形成三个透明化合层，三个透明化合层为非金属材质，CVD成膜均一性差值仅在±1％左右，远好于通过PVD工艺成膜的金属导电层的±3％误差，可提高微腔厚度的精确性，进而保证良好的光学效果。在相邻两个非金属透明化合物层之间形成一个刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一刻蚀阻挡层内的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色相同，不同刻蚀阻挡层中的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色不同，然后在同一刻蚀步骤中对该三个透明化合层同时刻蚀去除多余部分，简化了制程工艺，同时因刻蚀阻挡层能够保护位于其靠近驱动电路基板一侧的非金属透明化合物层，避免上述非金属透明化合物层被过刻蚀，降低了刻蚀工艺难度、提高了刻蚀良率。最后在同一工艺步骤中去除各刻蚀阻挡层，因为刻蚀阻挡层和透明化合层的刻蚀比大，保证在去除刻蚀阻挡层时降低对非金属透明化合物层的损伤，使其损失接近零。因此本发明提供的技术方案具有工艺简便、工艺难度低、良率高、光学调节层厚度精准的优点，进而提升了OLED器件的发光性能。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本发明实施例提供的一种OLED器件的制备方法的流程示意图；
图2是本发明实施例提供的又一种OLED器件的制备方法的流程示意图；
图3至图16是本发明实施例提供的OLED器件的制备过程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种OLED器件的制备方法的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
本发明实施例提供了一种OLED器件的制备方法，包括：
在驱动电路基板上形成图形化的反射层；
在所述反射层和所述驱动电路基板上形成中间层，所述中间层包括至少两个非金属透明化合物层和至少一个刻蚀阻挡层，每个所述刻蚀阻挡层位于相邻两个所述非金属透明化合物层之间；所述刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个所述刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一所述刻蚀阻挡层内的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色相同，不同所述刻蚀阻挡层中的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色不同；
去除非发光区内的所述非金属透明化合物层，以及各所述子像素发光区域内所述刻蚀阻挡块上的所述非金属透明化合物层；
去除所述至少一个刻蚀阻挡层；
依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；
其中，所述刻蚀阻挡层和所述非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于10:1。
以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他实施方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示装置器件结构的示意图并非按照一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度以及高度的三维空间尺寸。
图1是本发明实施例提供的一种OLED器件的制备方法的流程示意图。如图1所示，该OLED器件的制备方法具体包括如下：
步骤11、在驱动电路基板上形成图形化的反射层。
步骤12、在反射层和驱动电路基板上形成中间层，中间层包括至少两个非金属透明化合物层和至少一个刻蚀阻挡层，每个刻蚀阻挡层位于相邻两个非金属透明化合物层之间，刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一刻蚀阻挡层内的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色相同，不同刻蚀阻挡层中的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色不同，其中，刻蚀阻挡层和非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于10:1。
需要说明的是，本实施例对中间层内非金属透明化合物层以及刻蚀阻挡层的层数不作具体限定，可根据OLED器件中发光颜色不同的子像素的种类进行合理选择。可以理解的是，记非金属透明化合物层的层数为n,发光颜色不同的子像素的种类数为m，刻蚀阻挡层的层数为k，则存在如下关系：n＝m,k＝n-1＝m-1。
还需要说明的是，非金属透明化合物层用于调节子像素发光区域内微腔的厚度，也可以称为光学调节层，以使得各子像素发光区域内微腔的厚度为该子像素发光区域发光半波长的整数倍，进而获得较高的发光强度。因此，发光颜色相同的子像素发光区域内的微腔厚度相同，发光颜色不同的子像素发光区域内的微腔厚度不同，对应的，发光颜色相同的子像素发光区域内非金属透明化合物层的总厚度相同，发光颜色不同的子像素发光区域内非金属透明化合物层的总厚度不同。
由于在后续非金属透明化合物层的刻蚀过程中，各刻蚀阻挡层上的非金属透明化合物层会被刻蚀掉，对应子像素发光区域内非金属透明化合物层的总厚度为刻蚀阻挡层下方的非金属透明化合物层，因此刻蚀工艺后，同一刻蚀阻挡层中的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域内的非金属透明化合物层的总厚度相同，为与上述微腔原理对应，此处设置同一刻蚀阻挡层中的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色相同，不同刻蚀阻挡层中的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色不同。
步骤13、去除非发光区内的非金属透明化合物层，以及各子像素发光区域内刻蚀阻挡块上的非金属透明化合物层。
步骤14、去除至少一个刻蚀阻挡层。
步骤15、依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层。
示例性的，第一电极层和第二电极层可以分别为阳极和阴极，或者，第一电极层和第二电极层可以分别为阴极和阳极，本实施例对此不作具体限定。
图2是本发明实施例提供的又一种OLED器件的制备方法的流程示意图。本实施例提供的OLED器件的制备方法用于制备具有强微腔结构且包括三种不同发光颜色子像素的OLED器件。如图2所示，该OLED器件的制备方法具体包括如下：
步骤21、在驱动电路基板上形成图形化的反射层。
如图3所示，在驱动电路基板100上形成图形化的反射层。
需要说明的是，如图3所示，驱动电路基板100包括衬底110以及位于衬底110上的驱动电路层120，驱动电路层120包括多个驱动电路单元121，每个驱动电路单元121对应一个子像素发光区域，用于驱动对应子像素发光区域中的发光功能层发光。
继续参见图3，图形化的反射层包括多个反射块200，每个反射块200对应电连接一个驱动电路单元121。值得注意的是，反射块200远离驱动电路基板100一侧的表面为OLED器件微腔的一个反射面。
步骤22、在反射层和驱动电路基板上形成中间层，中间层包括三个非金属透明化合物层和两个刻蚀阻挡层，每个刻蚀阻挡层位于相邻两个非金属透明化合物层之间，每个刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一刻蚀阻挡层内的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色相同，不同刻蚀阻挡层中的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色不同。其中，所述刻蚀阻挡层和所述非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于10:1。
示例性的，三个非金属透明化合物层可以包括沿第一方向依次层叠的第一非金属透明化合物层、第二非金属透明化合物层和第三非金属透明化合物层，两个刻蚀阻挡层包括沿第一方向依次层叠的第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，其中，第一方向为驱动电路基板指向中间层的方向。
具体的，如图4所示，在多个反射块200和电路基板100驱动上形成第一非金属透明化合物层300。如图5所示，在第一非金属透明化合物层300上形成第一刻蚀阻挡层，第一刻蚀阻挡层包括多个第一刻蚀阻挡块400，每个第一刻蚀阻挡块400对应一个子像素发光区域，各第一刻蚀阻挡块400对应的子像素发光区域的发光颜色相同。比如有第一子像素发光区域、第二子像素发光区域和第三子像素发光区域，该第一子像素发光区域、第二子像素发光区域、第三子像素发光区域对用的发光颜色都不同。在第一子像素发光区域上设置该第一刻蚀阻挡块400。如图6所示，在该多个第一刻蚀阻挡块400和第一非金属透明化合物层300上形成第二非金属透明化合物层500。如图7所示，在第二非金属透明化合物层500上形成第二刻蚀阻挡层，第二刻蚀阻挡层包括多个第二刻蚀阻挡块600，每个第二刻蚀阻挡块600对应一个子像素发光区域，各第二刻蚀阻挡块600对应的子像素发光区域的发光颜色相同，且与第一刻蚀阻挡块400对应的子像素发光区域的发光颜色不同，第二刻蚀阻挡块600与第一刻蚀阻挡块400在第一方向上无交叠。比如，在第二子像素发光区域上设置该第二刻蚀阻挡块600。如图8所示，在该多个第二刻蚀阻挡块600和第二非金属透明化合物层500上形成第三非金属透明化合物层700，第一非金属透明化合物层300、第一刻蚀阻挡层、第二非金属透明化合物层500、第二刻蚀阻挡层和第三非金属透明化合物层700组成中间层10。
刻蚀阻挡层和非金属透明化合物层之间具有高的刻蚀比，大于10:1，刻蚀阻挡层的材料可以为氧化铟锡或不定型碳，非金属透明化合物层可以为氮化硅或氧化硅。氧化铟锡和氮化硅之间的刻蚀比、氧化铟锡和氧化硅之间的刻蚀比、不定型碳和氮化硅之间的刻蚀比、不定型碳和氧化硅之间的刻蚀比都在100:1以上，效果更好，因此更为优选的，是使用这些刻蚀比大于100:1的材料。
三个非金属透明化合物层，即第一非金属透明化合物层300、第二非金属透明化合物层500、第三非金属透明化合物层700为非金属材质，通过CVD工艺形成，初始化合物之间通过气相化学反应而沉积成膜的，其成膜均一性差值仅在±1％左右，远好于通过PVD工艺成膜的透明导电层的±3％误差，可提高微腔厚度的精确性，进而保证良好的光学效果。
另外，第一非金属透明化合物层300、第二非金属透明化合物层500、第三非金属透明化合物层700材料相同具有相同的折射率，其形成的光学调节层，光线在其中传播时不会发生折射，光路简单，光学效果好。并且第一非金属透明化合物层300、第二非金属透明化合物层500、第三非金属透明化合物层700是连续整面形成的，没有对第一非金属透明化合物层300、第二非金属透明化合物层500、第三非金属透明化合物层700进行分别刻蚀，而是后续一起对其进行刻蚀，简化了工艺，具体请参考步骤23。
步骤23、去除非发光区内的非金属透明化合物层，以及各子像素发光区域内刻蚀阻挡块上的非金属透明化合物层。
需要说明的是，除子像素发光区域外的区域为非发光区，刻蚀阻挡层上的非金属透明化合物层为刻蚀阻挡层远离驱动电路基板一侧的非金属透明化合物层。
示例性的，如图9所示，在未设置刻蚀阻挡块的子像素发光区域内的中间层10上形成光阻层710，比如在第三子像素发光区域上设置该光阻层710。如图10所示，在中间层10远离驱动电路基板100的一侧进行刻蚀工艺。刻蚀工艺中去除非发光区内的非金属透明化合物层，以及各子像素发光区域内刻蚀阻挡块上的非金属透明化合物层，获得如图11所示结构。去除光阻层，获得图12所示结构。
可以理解的是，光阻层用于保护对应子像素发光区域内的非金属透明化合物层免受刻蚀，因此在本实施例的其他实施方式中，在能够起到上述作用的前提下，还可以采用其他结构替换光阻层。
本步骤中各区域内的非金属透明化合物层在同一工艺步骤中进行刻蚀，可采用湿法刻蚀或者干法刻蚀。
在第三子像素发光区域上设置该光阻层，在对第一非金属透明化合物层300、第二非金属透明化合物层500、第三非金属透明化合物层700进行刻蚀时，光阻层成为刻蚀第三子像素发光区域的掩膜，在第三子像素发光区域内，除设置有光阻层的区域，其他区域的第一非金属透明化合物层300、第二非金属透明化合物层500、第三非金属透明化合物层700都被刻蚀去除，在光阻层设置区域，保留了第一非金属透明化合物层300、第二非金属透明化合物层500、第三非金属透明化合物层700，形成具有三层膜层厚度的光学调节层。
在第二子像素发光区域内，以第二刻蚀阻挡块600为刻蚀第二子像素发光区域的掩膜，因为第二刻蚀阻挡块600设置在第三非金属透明化合物层700的下层，第三非金属透明化合物层700无遮挡被都刻蚀掉，接着以第二刻蚀阻挡块600为掩膜，除设置有第二刻蚀阻挡块600的区域，其他区域的第二非金属透明化合物层500、第一非金属透明化合物层300都被刻蚀去除，在第二刻蚀阻挡块600设置区域，保留了第一非金属透明化合物层300和第二非金属透明化合物层500，形成具有两层膜层厚度的光学调节层。并且因为第二刻蚀阻挡块600设置在第三非金属透明化合物层700的下层，第三非金属透明化合物层700被刻蚀完成后，第二刻蚀阻挡块600会阻挡刻蚀液或者刻蚀气体对第二非金属透明化合物层500的刻蚀，从而精准的控制住第二子像素发光区域的光学调节层厚度。
在第一子像素发光区域内，以第一刻蚀阻挡块400为刻蚀第一子像素发光区域的掩膜，因为第一刻蚀阻挡块600设置在第二非金属透明化合物层500的下层，第二非金属透明化合物层500、第三非金属透明化合物层700无遮挡被都刻蚀掉，接着以第一刻蚀阻挡块400为掩膜，除设置有第一刻蚀阻挡块400的区域，其他区域的第一非金属透明化合物层300都被刻蚀去除，在第一刻蚀阻挡块400设置区域，保留了第一非金属透明化合物层300，形成具有一层膜层厚度的光学调节层。并且因为第一刻蚀阻挡块400设置在第二非金属透明化合物层500的下层，第三非金属透明化合物层700、第二非金属透明化合物层500被刻蚀完成后，第一刻蚀阻挡块400会阻挡刻蚀液或者刻蚀气体对第一非金属透明化合物层300的刻蚀，从而精准的控制住第一子像素发光区域的光学调节层厚度。
步骤24、去除两个刻蚀阻挡层。
具体的，去除多个刻蚀阻挡块和多个刻蚀阻挡块，露出原来被刻蚀阻挡块遮挡的非金属透明化合物层，如图13所示结构。
需要说明的是，两个刻蚀阻挡层可以在同一工艺步骤中去除，此外，由于刻蚀阻挡层与非金属透明化合物层的材料不同，并且具有高的刻蚀比，因此能够使得该去除步骤对非金属透明化合物层完全无损，而然可精确控制微腔厚度。示例地，刻蚀阻挡块400和刻蚀阻挡块600的材料为氧化铟锡，第一非金属透明化合物层300、第二非金属透明化合物层500、第三非金属透明化合物层700的材料为氧化硅，两者的刻蚀比为100:1以上，即每刻蚀一百个单位的氧化铟锡，损耗的氧化硅小于一个单位，去除刻蚀阻挡层时对非金属透明化合物层的损伤极小，可保证非金属透明化合物层的精准厚度，进而保证微腔厚度精确性，提高光学性能。非金属透明化合物层的材料还可以为氮化硅，刻蚀阻挡层的材料还可以为不定型碳，不定型碳和氧化硅的刻蚀比也大于10:1，氧化铟锡和氮化硅的刻蚀比也大于10:1，本发明实施例通过设置刻蚀阻挡层与非金属透明化合物层为刻蚀比较大的材料，来保证在去除刻蚀阻挡层时降低对非金属透明化合物层的损伤，使其损失接近零。刻蚀氧化硅或者氮化硅可选用含F的气体，比如SF6，CF4，CHF3,CH2F2，CHF3，NF3等。示例性的，刻蚀阻挡层的材料为氧化铟锡时，去除刻蚀阻挡层时，可选用有机混合气体等离子体，如CH4、O和BCL3的混合气体，或者使用草酸进行湿刻，能够使得去除工艺导致的非金属透明化合物层的损失接近零。刻蚀阻挡层的材料为不定型碳时，可选用氧气等离子体去除刻蚀阻挡层，能够使得去除工艺导致的非金属透明化合物层的损失接近零。本发明并不局限于实施例公开的材料，其他刻蚀比高的材料也可以用于如上工艺步骤。
可以理解的是，在本实施例的其他实施方式中，非金属透明化合物层还可以为其氧化物材料或氮化物材料，本实施例对此不作具体限定。
可选的，可以采用干法刻蚀工艺去除非发光区内的非金属透明化合物层，以及各子像素发光区域内刻蚀阻挡块上的非金属透明化合物层。
需要说明的是，干法刻蚀工艺能够实现各向异性刻蚀，从而保证细小图形转移后的保真性，是一种较佳的图形化工艺。
可选的，刻蚀阻挡层的厚度取值范围可以为50nm～2μm。需要说明的是，刻蚀阻挡层的厚度过小会导致其刻蚀阻挡能力不足，无法有效保护其下方的非金属透明化合物层，厚度过大又会形成高台阶，影响其上形成的非金属透明化合物层的平整度，且增加去除时的难度，本实施例较佳的设置刻蚀阻挡层的厚度取值范围为50nm～2μm，以使得刻蚀阻挡层具有良好的刻蚀阻挡能力，且去除难度较小。
步骤25、依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层。
具体的，如图14所示，在非金属透明化合物层上形成第一电极层800，第一电极层800和反射块200电性连接从而具备电极信号。如图14示出的一种实施方式，反射块200的宽度大于位于其上的一层或多层非金属透明化合物层的宽度，第一电极层800和反射块200在反射块200宽度超出非金属透明化合物层处电性连接。可选地，还可以在非金属透明化合物层中设置连接过孔，第一电极层800通过连接过孔和反射块200电性连接，如图16所示。
之后还依次形成像素限定层910、发光功能层920和第二电极层930，像素限定层910位于各子像素发光之间，发光功能层920可以是设置在每个子像素发光区域内，如图15所示结构；可选地，发光功能层还可以设置为相互连接为一整层的结构。每个子像素发光区域的第二电极都相互连接，形成整面结构的第二电极层930。
示例性的，第一刻蚀阻挡层对应的多个子像素发光区域的发光颜色为第一色彩，第二刻蚀阻挡层对应的多个子像素发光区域的发光颜色为第二色彩，未设置刻蚀阻挡层的多个子像素发光区域的发光颜色为第三色彩，第一色彩、第二色彩和第三色彩可以分别为蓝色、绿色和红色中的任一。
需要说明的是，红色、绿色和蓝色是光的三原色，不同强度的红色、绿色和蓝色能够混合得到各种颜色的光，因此，将第一色彩、第二色彩以及第三色彩分别设置为红色、绿色和蓝色其中之一，能够使得OLED器件显示颜色多样，丰富其显示色彩。
可选的，发光颜色为蓝色的子像素发光区域内，发光功能层、第一电极层和处理后的中间层的厚度之和为蓝光半波长的整数倍，发光颜色为绿色的子像素发光区域内，发光功能层、第一电极层和处理后的中间层的厚度之和为绿光半波长的整数倍，发光颜色为红色的子像素发光区域内，发光功能层、第一电极层和处理后的中间层的厚度之和为红光半波长的整数倍。
需要说明的是，第二电极层靠近像素驱动电路基板一侧的表面为微腔的另一反射面，因此，各子像素发光区域内，发光功能层、第一电极层和处理后的中间层的厚度为对应子像素发光区域内微腔的厚度。由于子像素发光区域内微腔的厚度等于该子像素发光区域发光半波长的整数倍时，该子像素发光区域的发光强度最高，因此，本实施例较佳的设置发光颜色为蓝色的子像素发光区域内微腔的厚度为蓝光半波长的整数倍，发光颜色为绿色的子像素发光区域内微腔的厚度为绿光半波长的整数倍，发光颜色为红色的子像素发光区域内微腔的厚度为红光半波长的整数倍。
值得注意的是，处理后的中间层指去除非发光区内的非金属透明化合物层、各子像素发光区域内刻蚀阻挡块上的非金属透明化合物层，以及刻蚀阻挡层后的中间层。
可选的，驱动电路基板可以为硅基驱动电路基板。硅基驱动电路基板是以单晶硅片为基底，运用IC平面技术形成显示驱动电路，可提供更高的分辨率，而面积可只有硬币大小，可用于AR(Augmented Reality，增强现实技术)和VR(Virtual Reality，虚拟现实)这类微型显示技术。因微显示技术中像素尺寸极小，对光学调节层的厚度精确度要求更高，因此特别适用以上制备方法来形成光学调节层。
本实施例提供的技术方案，通过CVD工艺形成三个透明化合层，三个透明化合层为非金属材质，CVD成膜均一性差值仅在±1％左右，远好于通过PVD工艺成膜的金属导电层的±3％误差，可提高微腔厚度的精确性，进而保证良好的光学效果,成膜的均一性远高于现有技术中，可保证光学调节层厚度的精准性。在相邻两个非金属透明化合物层之间形成一个刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一刻蚀阻挡层内的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色相同，不同刻蚀阻挡层中的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色不同，然后在同一刻蚀步骤中对该三个透明化合层同时刻蚀去除多余部分，简化了制程工艺，同时因刻蚀阻挡层能够保护位于其靠近驱动电路基板一侧的非金属透明化合物层，避免上述非金属透明化合物层被过刻蚀，降低了刻蚀工艺难度、提高了刻蚀良率。最后在同一工艺步骤中去除各刻蚀阻挡层，因为刻蚀阻挡层和透明化合层的刻蚀比大，保证在去除刻蚀阻挡层时降低对非金属透明化合物层的损伤，使其损失接近零。因此本发明提供的技术方案具有工艺简便、工艺难度低良率高，光学调节层厚度精准的优点，进而提升了OLED器件的发光性能。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (14)
1.一种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括：
在驱动电路基板上形成图形化的反射层；
在所述反射层和所述驱动电路基板上形成中间层，所述中间层包括至少两个非金属透明化合物层和至少一个刻蚀阻挡层，每个所述刻蚀阻挡层位于相邻两个所述非金属透明化合物层之间；所述刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个所述刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一所述刻蚀阻挡层内的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色相同，不同所述刻蚀阻挡层中的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色不同；
去除非发光区内的所述非金属透明化合物层，以及各所述子像素发光区域内所述刻蚀阻挡块上的所述非金属透明化合物层；
去除所述至少一个刻蚀阻挡层；
依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；
其中，所述刻蚀阻挡层和所述非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于10:1；
所述非金属透明化合物层通过化学气相沉积工艺形成；
所述非金属透明化合物层的材料为氧化物或氮化物。
2.一种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括：
在驱动电路基板上形成图形化的反射层；
在所述反射层和所述驱动电路基板上形成中间层，所述中间层包括三个非金属透明化合物层和两个刻蚀阻挡层，每个所述刻蚀阻挡层位于相邻两个所述非金属透明化合物层之间；每个所述刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个所述刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一所述刻蚀阻挡层内的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色相同，不同所述刻蚀阻挡层中的所述刻蚀阻挡块对应的所述子像素发光区域的发光颜色不同；
去除非发光区内的所述非金属透明化合物层，以及各所述子像素发光区域内所述刻蚀阻挡块上的所述非金属透明化合物层；
去除两个所述刻蚀阻挡层；
依次形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；
其中，所述刻蚀阻挡层和所述非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于10:1；
所述非金属透明化合物层的材料为氧化物或氮化物。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述三个非金属透明化合物层包括沿第一方向依次层叠的第一非金属透明化合物层、第二非金属透明化合物层和第三非金属透明化合物层；所述两个刻蚀阻挡层包括沿所述第一方向依次层叠的第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；其中，所述第一方向为所述驱动电路基板指向所述中间层的方向；
所述第一刻蚀阻挡层对应的多个所述子像素发光区域的发光颜色为第一色彩，所述第二刻蚀阻挡层对应的多个所述子像素发光区域的发光颜色为第二色彩，未设置刻蚀阻挡层的多个所述子像素发光区域的发光颜色为第三色彩；
所述第一色彩、所述第二色彩和所述第三色彩分别为蓝色、绿色和红色中的任一。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，发光颜色为蓝色的所述子像素发光区域内，所述发光功能层、所述第一电极层和处理后的所述中间层的厚度之和为蓝光半波长的整数倍；
发光颜色为绿色的所述子像素发光区域内，所述发光功能层、所述第一电极层和处理后的所述中间层的厚度之和为绿光半波长的整数倍；
发光颜色为红色的所述子像素发光区域内，所述发光功能层、所述第一电极层和处理后的所述中间层的厚度之和为红光半波长的整数倍。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述反射层包括多个反射块，所述第一电极层包括多个第一电极块，每个所述子像素发光区域包括一个所述反射块和一个所述第一电极块，同一所述子像素发光区域内的所述反射块和所述第一电极块电连接。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极块经处理后的所述中间层的侧壁延伸至同一所述子像素发光区域内的所述反射块上。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，贯穿处理后的所述中间层的过孔为第一过孔，所述第一电极块经所述第一过孔延伸至同一所述子像素发光区域内的所述反射块上。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为氧化铟锡或不定型碳。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除非发光区内的所述氧化物或氮化物，刻蚀气体为SF6、CF4、CHF3、CH2F2、CHF3或NF3。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除非发光区内的所述氧化铟锡，刻蚀气体为CH4、O2和BCL3的混合气体；或者，采用湿法刻蚀工艺去除非发光区内的所述氧化铟锡，刻蚀液体为草酸。
11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除非发光区内的所述不定型碳，刻蚀气体为氧气离子体。
12.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度取值范围为50nm～2μm。
13.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述驱动电路基板为硅基驱动电路基板。
14.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，其中，所述刻蚀阻挡层和所述非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于100:1。
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
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| CN102487017A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 应变cmos器件的制作方法 |
| CN108346621A (zh) * | 2017-01-24 | 2018-07-31 | 睿力集成电路有限公司 | 半导体器件及其制备方法 |
| CN109390372A (zh) * | 2017-08-08 | 2019-02-26 | 上海视涯信息科技有限公司 | 像素结构及其形成方法、显示屏 |
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