JP2010211984A - 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】光共振器の共振波長を容易に調整できるとともに表示が明るく信頼性の高い有機ＥＬ装置を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００は、基体２０と、基体２０上に配列された画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂと、基体２０上に画素２毎に配置された光反射性を有する反射層４０と、反射層４０上に配置された光透過性を有する導電層４４と、導電層４４上に配置された光透過性を有する画素電極２５と、画素電極２５上に配置された、少なくとも発光層３４を含む有機機能層３０と、有機機能層３０上に配置された光反射性および光透過性を有する陰極３８と、反射層４０と陰極３８との間に形成された有機機能層３０からの光を共振させる光共振器とを備え、画素２Ｒには導電層４４と画素電極２５との間に導電層４４を覆う絶縁層４５，４６が積層されて配置され、画素２Ｇには導電層４４と画素電極２５との間に導電層４４を覆う絶縁層４６が配置されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法、ならびに電子機器に関する。

有機エレクトロルミネセンス装置（以下有機ＥＬ装置と呼ぶ）は、陽極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、陰極とが積層された構成を有している。例えばトップエミッション型の有機ＥＬ装置では、光反射性を有する陽極または反射層を有しており、発光層で発生した光は陰極側へ射出される。

有機ＥＬ装置から射出される光の輝度を高めるために、陽極または反射層と陰極との間に光共振器を備え、共振波長の光を増幅して取り出す方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された方法では、反射層上に絶縁層と陽極と有機機能層と陰極とが順に積層されており、Ｒ、Ｇ、Ｂの波長に応じて陽極の層厚で光共振器における共振波長の調整を行う構成となっている。

特開２００６−２６９３２９号公報

しかしながら、陽極の層厚で共振波長の調整を行う方法では、導電材料からなる陽極層の成膜およびパターン加工を３回行うこととなるため、製造工程における工数的な負荷が増大するという課題があった。また、反射層と陽極との間に絶縁層が位置しているので、光共振器における光学的距離が最も短い画素では、有機機能層の層厚が薄くなるため、有機機能層におけるピンホールや異物により電極間ショートが発生しやすいという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基体と、前記基体上に配列された、少なくとも３つの異なる波長の光のいずれかを射出する第１の画素、第２の画素、および第３の画素と、前記基体上に前記画素毎に配置された、光反射性を有する反射層と、前記反射層上に配置された、光透過性を有する第１の導電層と、前記第１の導電層上に配置された、光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された、光反射性および光透過性を有する第２の電極と、前記反射層と前記第２の電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、を備え、前記第１の画素および前記第２の画素には、前記第１の導電層と前記第１の電極との間に、前記第１の導電層を覆う光透過性を有する絶縁層が設けられ、前記第１の画素に設けられた前記絶縁層の層厚と、前記第２の画素に設けられた前記絶縁層の層厚とが異なることを特徴とする。

この構成によれば、光共振器を形成する反射層と第２の電極との間に位置する絶縁層は、第１の画素と第２の画素とに異なる層厚で設けられており、第３の画素には設けられていない。このため、第１の画素、第２の画素、および第３の画素のそれぞれが射出する光の波長に応じて、絶縁層の層厚により光共振器における共振波長を調整することができる。これにより、光共振器により共振波長の光が増幅されて射出されるので、第１の画素、第２の画素、および第３の画素において、有機機能層の発光材料として白色発光材料を共通使用することが可能となる。

ここで、第３の画素では、反射層と第２の電極との間に絶縁層が設けられていないので、絶縁層が設けられている場合に比べて光共振器の光学的距離に占める有機機能層の層厚を絶縁層の層厚分だけ厚くできる。このため、光共振器の光学的距離が最も短くなる波長の光を第３の画素から射出させる構成とすれば、有機機能層におけるピンホールや異物による電極間ショートの発生が抑えられる。また、反射層と第１の電極との間に第１の導電層が配置されているので、反射層の表面が第１の導電層により保護される。このため、第１の電極を形成する際のパターン加工等における反射層の損傷や劣化が抑えられるので、反射率の良好な反射層を構成できる。これらの結果、より明るい表示が得られるとともに、より信頼性の高い有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記絶縁層は、前記第１の画素、前記第２の画素、および前記第３の画素において前記反射層の側面を覆うとともに、前記第３の画素において前記第１の導電層の側面を覆っていてもよい。

この構成によれば、第１の画素、第２の画素、第３の画素において、反射層の側面が絶縁層により保護される。また、第３の画素において、第１の導電層の側面が絶縁層により保護される。このため、第１の電極を形成する際のパターン加工等における反射層および第１の導電層の損傷や劣化が抑えられるので、反射率の良好な反射層を構成できる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記絶縁層は、第１の絶縁層と第２の絶縁層とを含み、前記第１の画素には、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが積層されて配置され、前記第２の画素には、前記第２の絶縁層が配置されていてもよい。

この構成によれば、絶縁層の成膜およびパターン加工を２回行うことで、光共振器における共振波長を調整できる。このため、共振波長の調整に伴う製造負荷の増大が抑えられる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記反射層の前記第１の導電層とは反対側に、前記反射層に平面的に重なるように配置された第２の導電層をさらに備えていてもよい。

この構成によれば、反射層と基体との間に第２の導電層が配置されている。これにより、反射層の基体への密着性が向上するので、製造工程におけるパターン加工等により反射層が基体から剥離するのを抑えることができる。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記反射層は、銀または銀を含む合金からなっていてもよい。

この構成によれば、反射層は反射率の高い銀または銀を含む合金からなるので、反射率を高めることができる。

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の画素は赤色光に対応する波長の光を射出し、前記第２の画素は緑色光に対応する波長の光を射出し、前記第３の画素は青色光に対応する波長の光を射出してもよい。

この構成によれば、赤色光、緑色光、青色光によるフルカラー表示またはフルカラー発光が可能な有機ＥＬ装置を提供できる。また、光共振器の光学的距離が最も短くなる青色光が第３の画素から射出されるので、有機機能層におけるピンホールや異物による電極間ショートの発生が抑えられる。

［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の画素の前記光が射出される側に配置された、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、前記第２の画素の前記光が射出される側に配置された、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、前記第３の画素の前記光が射出される側に配置された、前記青色光に対応するカラーフィルターと、をさらに備えていてもよい。

この構成によれば、光共振器から出力される光のうち、赤色光、緑色光、青色光がカラーフィルターを透過するので、より色再現性に優れた有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、電子機器は上記の有機ＥＬ装置を備えているので、より表示が明るく信頼性の高い電子機器を提供できる。

［適用例９］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、少なくとも３つの異なる波長の光のいずれかを射出する第１の画素、第２の画素、および第３の画素と、前記画素毎に配置された光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極に対向配置された光反射性および光透過性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記第１の電極の、前記第２の電極とは反対側に配置された光反射性を有する反射層と、前記反射層と前記第２の電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、基体上に、前記反射層と、光透過性を有する第１の導電層と、を順に積層して形成する反射層形成工程と、前記第１の導電層上に、光透過性を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に前記第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に前記有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に前記第２の電極を形成する工程と、を含み、前記絶縁層形成工程では、前記第１の画素および前記第２の画素に前記第１の導電層を覆うように前記絶縁層を形成するとともに、前記第１の画素に形成する前記絶縁層の層厚と前記第２の画素に形成する前記絶縁層の層厚とを異ならせることを特徴とする。

この方法によれば、絶縁層形成工程で、第１の画素および第２の画素には反射層と第２の電極との間に異なる層厚で絶縁層を形成し、第３の画素には絶縁層を形成しない。このため、第１の画素、第２の画素、および第３の画素のそれぞれが射出する光の波長に応じて、絶縁層の層厚により光共振器における共振波長を調整することができる。これにより、光共振器により共振波長の光が増幅されて射出されるので、第１の画素、第２の画素、および第３の画素において、有機機能層の発光材料として白色発光材料を共通使用することが可能となる。

ここで、第３の画素では、反射層と第２の電極との間に絶縁層が設けられていないので、絶縁層が設けられている場合に比べて光共振器の光学的距離に占める有機機能層の層厚を絶縁層の層厚分だけ厚くできる。このため、光共振器の光学的距離が最も短くなる波長の光を第３の画素から射出させる構成とすれば、有機機能層におけるピンホールや異物による電極間ショートの発生が抑えられる。また、反射層と第１の電極との間に第１の導電層が配置されているので、反射層の表面が第１の導電層により保護される。このため、第１の電極を形成する際のパターン加工等における反射層の損傷や劣化が抑えられるので、反射率の良好な反射層を構成できる。これらの結果、より明るい表示が得られるとともに、より信頼性の高い有機ＥＬ装置を製造できる。

［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記絶縁層形成工程は、第１の絶縁層を形成する工程と第２の絶縁層を形成する工程とを含み、前記第１の絶縁層を形成する工程では、前記第１の絶縁層を前記第１の画素に形成し、前記第２の絶縁層を形成する工程では、前記第２の絶縁層を、前記第１の画素に前記第１の絶縁層に積層して形成するとともに、前記第２の画素に形成してもよい。

この方法によれば、第１の絶縁層の層厚と第２の絶縁層の層厚とを組み合わせることにより、各画素から射出される光の波長に応じて光共振器における共振波長を調整できる。

［適用例１１］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記反射層形成工程では、さらに前記基体と前記反射層との間に第２の導電層を形成してもよい。

この方法によれば、反射層と基体との間に第２の導電層を形成するので、反射層の基体への密着性が向上する。これにより、パターン加工等により反射層が基体から剥離するのを抑えることができる。

［適用例１２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記反射層形成工程では、銀または銀を含む合金により前記反射層を形成してもよい。

この方法によれば、反射層を反射率の高い銀または銀を含む合金で形成するので、反射層の反射率を高めることができる。

［適用例１３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の画素から赤色光に対応する波長の光を射出させ、前記第２の画素から緑色光に対応する波長の光を射出させ、前記第３の画素から青色光に対応する波長の光を射出させてもよい。

この方法によれば、赤色光、緑色光、青色光によるフルカラー表示またはフルカラー発光が可能な有機ＥＬ装置を製造できる。また、光共振器の光学的距離が最も短くなる青色光を第３の画素から射出させるので、有機機能層におけるピンホールや異物による電極間ショートの発生が抑えられる。

［適用例１４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第２の電極を形成する工程の後に、前記第１の画素の前記光が射出される側に、前記赤色光に対応するカラーフィルターを形成し、前記第２の画素の前記光が射出される側に、前記緑色光に対応するカラーフィルターを形成し、前記第３の画素の前記光が射出される側に、前記青色光に対応するカラーフィルターを形成する工程をさらに含んでいてもよい。

この方法によれば、光共振器から出力される光のうち、赤色光、緑色光、青色光がカラーフィルターを透過するので、より色再現性に優れた有機ＥＬ装置を製造できる。

第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャート。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 電子機器としての携帯電話機を示す図。 比較として従来の有機ＥＬ装置の一例の概略構成を示す断面図。

以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する図面において、構成をわかりやすく示すため、構成要素の膜厚や寸法の比率等は適宜異ならせてある。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。

（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図である。詳しくは、図３に示す封止部５０側から見たときの平面図である。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図２のＡ−Ａ’線に沿った部分断面図である。なお、本明細書では、有機ＥＬ装置の封止部５０側から見ることを「平面視」とも呼ぶ。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。有機ＥＬ装置１００は、基板１０と、基板１０上に設けられた走査線１６と、走査線１６に対して交差する方向に延びる信号線１７と、信号線１７に並列に延びる電源線１８とを備えている。有機ＥＬ装置１００において、これら走査線１６と信号線１７とに囲まれた領域に画素２が配置されている。画素２は、例えば、走査線１６の延在方向と信号線１７の延在方向とに沿ってマトリクス状に配列されている。

画素２には、スイッチング用ＴＦＴ１１と、駆動用ＴＦＴ１２と、保持容量１３と、陽極２４と、第２の電極としての陰極３８と、有機機能層３０と、を備えている。有機機能層３０は、順に積層された正孔輸送層３２（図３参照）と、発光層３４（図３参照）と、電子輸送層３６（図３参照）とで構成されている。陽極２４と、陰極３８と、有機機能層３０とによって有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）８が構成される。有機ＥＬ素子８では、正孔輸送層３２から注入される正孔と、電子輸送層３６から注入される電子とが、有機機能層３０の発光層３４で再結合することにより発光が得られる。

信号線１７には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、およびアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路１４が接続されている。また、走査線１６には、シフトレジスタおよびレベルシフタを備えた走査線駆動回路１５が接続されている。

有機ＥＬ装置１００では、走査線１６が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１がオン状態になると、信号線１７を介して供給される画像信号が保持容量１３に保持され、保持容量１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線１８に電気的に接続したとき、電源線１８から陽極２４に駆動電流が流れ、さらに有機機能層３０を通じて陰極３８に電流が流れる。有機機能層３０の発光層３４は、陽極２４と陰極３８との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。

図２に示すように、画素２は、例えば略矩形の平面形状を有している。画素２の矩形形状の４つの角は丸く形成されていてもよい。基板１０上には、隔壁４８が設けられている。隔壁４８は略格子状の平面形状を有しており、隔壁４８により画素２の領域が区画されている。画素２の領域は、実質的に発光する領域である。

画素２は、有機ＥＬ装置１００の表示の最小単位であり、少なくとも３つの異なる波長の光のうちのいずれかを射出する。なお、ここでいう波長はピーク波長を意味しており、実際に画素２から射出される光の波長はこのピーク波長を中心として分散性を有していてもよい。本実施形態では、有機ＥＬ装置１００は、第１の画素としての画素２Ｒと、第２の画素としての画素２Ｇと、第３の画素としての画素２Ｂとを有している。画素２Ｒは赤色（Ｒ）光を射出し、画素２Ｇは緑色（Ｇ）光を射出し、画素２Ｂは青色（Ｂ）光を射出する。以下では、対応する色を区別しない場合には、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを単に画素２とも呼ぶ。

また、有機ＥＬ装置１００は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに有機ＥＬ素子８を有している。画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂでは、有機ＥＬ素子８により得られた光が表示光として射出される。

有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから一つの画素群４が構成され、それぞれの画素群４において画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。したがって、フルカラー表示またはフルカラー発光が可能な有機ＥＬ装置を提供できる。

なお、基板１０上には、画素２が配置された領域外に、有機ＥＬ装置１００に駆動電圧を印加するための端子部６０（図３参照）、陰極用配線（図示しない）、検査回路（図示しない）等が配置されている。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、駆動用ＴＦＴ１２と、層間絶縁層２２と、保護層２６と、平坦化層２８と、反射層４０と、第２の導電層としての導電層４２と、第１の導電層としての導電層４４と、第１の絶縁層としての絶縁層４５と、第２の絶縁層としての絶縁層４６と、第１の電極としての画素電極２５と、隔壁４８と、有機機能層３０と、陰極３８と、封止部５０と、カラーフィルター５６とを備えている。有機ＥＬ装置１００は、有機機能層３０から発した光が封止部５０側に射出されるトップエミッション型である。

基板１０は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型であることから、透光性材料および不透光性材料のいずれを用いてもよい。透光性材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。不透光性材料としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、およびそのフィルム（プラスチックフィルム）等があげられる。基板１０は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）等からなる保護層に覆われていてもよい。

駆動用ＴＦＴ１２は、基板１０上に、画素２に対応して設けられている。駆動用ＴＦＴ１２は、半導体膜１２ａと、ゲート絶縁層２１と、ゲート電極１２ｇと、ドレイン電極１２ｄと、ソース電極１２ｓとを備えている。半導体膜１２ａには、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域とが形成されている。半導体膜１２ａは、ゲート絶縁層２１に覆われている。ゲート電極１２ｇは、ゲート絶縁層２１を間に挟んで半導体膜１２ａのチャネル領域に平面的に重なるように位置している。

図３では図示を省略しているが、ゲート絶縁層２１とゲート電極１２ｇとドレイン電極１２ｄとは、例えば、基板１０側から順に、チタン（または窒化チタン）とアルミニウムとチタン（または窒化チタン）が積層された構成を有している。下層側のチタンはアルミニウムを保護し、上層側のチタンは陽極２４との導電性を向上する役割を果たす。なお、ゲート絶縁層２１とゲート電極１２ｇとドレイン電極１２ｄとは、アルミニウムにモリブデン等他の金属が積層された構成を有していてもよいし、単層のアルミニウムや他の金属であってもよい。

層間絶縁層２２は、ゲート電極１２ｇとゲート絶縁層２１とを覆っている。ドレイン電極１２ｄは、層間絶縁層２２に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのドレイン領域に導電接続されている。ソース電極１２ｓは、同様にコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのソース領域に導電接続されている。

保護層２６は、層間絶縁層２２とドレイン電極１２ｄとソース電極１２ｓとを覆っている。保護層２６は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる。平坦化層２８は、保護層２６を覆うように形成されている。平坦化層２８は、ドレイン電極１２ｄおよびソース電極１２ｓやその他の配線部による凹凸を反映しないほぼ平坦な表面を有している。平坦化層２８は、例えば感光性のアクリル樹脂等からなる。なお、以降の説明では、基板１０と、基板１０上に形成された駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と保護層２６と平坦化層２８とを含めて基体２０と呼ぶ。

基体２０上には、画素２毎に、光反射性を有する反射層４０が設けられている。反射層４０は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから高い輝度の光が射出されるように、高い光反射率を有していることが好ましい。反射層４０は、銀または銀を含む合金からなり、例えばＡＰＣ（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの合金）からなる。反射層４０の材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金であってもよい。反射層４０の層厚は、例えば１２０ｎｍ程度である。

導電層４２は、基体２０と反射層４０との間に、反射層４０に平面的に重なるように設けられている。導電層４２は、反射層４０の基体２０への密着性を向上する役割を果たす。導電層４２は、例えば非晶質のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。導電層４２は、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）で形成されていてもよい。導電層４２の層厚は、例えば１０ｎｍ程度である。

導電層４４は、反射層４０上に、反射層４０に平面的に重なるように設けられている。導電層４４は、光透過性を有しており、反射層４０の表面を保護する役割を果たす。導電層４４は、例えば非晶質のＩＴＯからなる。導電層４４は、ＩＺＯで形成されていてもよい。導電層４４の層厚は、例えば１０ｎｍ程度である。

つまり、有機ＥＬ装置１００では、基体２０上に導電層４２と反射層４０と導電層４４との３層が積層された積層構造が画素２毎に形成されている。なお、有機ＥＬ装置１００は、導電層４２と導電層４４とを備えていない構成であってもよい。しかしながら、反射層４０の基体２０への密着性を向上するとともに、反射層４０の表面を保護するため、導電層４２と導電層４４とを備えていることが好ましい。

絶縁層４５と絶縁層４６とは、基体２０上に順に積層されて形成されている。絶縁層４５および絶縁層４６は、光透過性を有している。絶縁層４５および絶縁層４６は、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の表面を保護する役割を果たす。絶縁層４５および絶縁層４６は、例えばＳｉＮやＳｉＯ₂等からなる。

絶縁層４５は、画素２Ｒの領域を覆っており、画素２Ｇ，２Ｂの領域に対応して開口部４５ａを有している。開口部４５ａは、平面視で画素２Ｇ，２Ｂの領域よりも一回り大きく形成されている。したがって、絶縁層４５は、画素２Ｇ，２Ｂの領域には配置されていない。開口部４５ａは、平面視で導電層４４よりも一回り小さく形成されていることが好ましい。開口部４５ａを平面視で導電層４４よりも一回り小さくすることで、開口部４５ａを形成する際に位置ずれが生じた場合でも、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面を覆って保護できる。これにより、上層に画素電極２５を形成する際のパターン加工等における反射層４０の損傷や劣化が抑えられる。

絶縁層４６は、画素２Ｒの領域と画素２Ｇの領域とを覆っており、画素２Ｂの領域に対応して開口部４６ａを有している。開口部４６ａは、平面視で画素２Ｂの領域よりも一回り大きく形成されている。したがって、絶縁層４６は、画素２Ｂの領域には配置されていない。開口部４６ａは、平面視で開口部４５ａよりも一回り小さく形成されていることが好ましい。

上述のように、画素２Ｒの領域には、絶縁層４５および絶縁層４６の双方が配置されている。画素２Ｇの領域には、絶縁層４５は配置されていないが、絶縁層４６は配置されている。画素２Ｂの領域には、絶縁層４５および絶縁層４６の双方とも配置されていない。しかしながら、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのいずれにおいても、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面は、絶縁層４５および絶縁層４６に覆われ保護されている。

なお、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面および側面と上面との角部では絶縁層４５，４６のそれぞれの層厚が薄くなる場合がある。有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのいずれにおいても、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面および側面と上面との角部は、絶縁層４５，４６の２層の絶縁層に覆われている。これにより、絶縁層が１層の場合に比べてより確実に積層構造を保護できる。

画素電極２５は、画素２毎に設けられている。画素電極２５は、画素２Ｒの領域および画素２Ｇの領域においては絶縁層４６上に位置している。画素電極２５は、画素２Ｂにおいては絶縁層４６に設けられた開口部４６ａ内で導電層４４上に位置している。画素電極２５は、平面視で導電層４４よりも一回り大きい平面形状を有している。画素電極２５は、絶縁層４５，４６と平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続されている。

画素電極２５は、光透過性を有するとともに、有機機能層３０への正孔注入効率が高められるように、仕事関数の高い導電材料により構成されていることが好ましい。画素電極２５は、例えば多結晶のＩＴＯからなる。画素電極２５は、非晶質のＩＴＯやＩＺＯで形成されていてもよい。画素電極２５の層厚は、例えば３０ｎｍ程度である。

画素２Ｒの領域においては、導電層４４と画素電極２５との間に絶縁層４５と絶縁層４６とが位置しており、画素２Ｇの領域においては、導電層４４と画素電極２５との間に絶縁層４６が位置している。また、画素２Ｂにおいては、導電層４４と画素電極２５とが互いに接している。つまり、画素２Ｒの領域における絶縁層（絶縁層４５，４６）の層厚と、画素２Ｇの領域における絶縁層（絶縁層４６）の層厚とは異なっている。また、画素２Ｂの領域には、絶縁層が設けられていない。

画素２Ｒ，２Ｇでは、画素電極２５が陽極２４として機能する。画素２Ｂでは、導電層４４と画素電極２５とが積層されて、陽極２４が構成されている。つまり、陽極２４は、画素２によって構成が異なっている。なお、以降の説明において、構成要素が異なる場合を含め、陽極としての機能を有する構成単位を陽極２４と呼ぶ。

隔壁４８は、基体２０と画素電極２５とを覆うように設けられている。隔壁４８は、アクリル樹脂等からなる。隔壁４８は、画素２の領域を区画する開口部４８ａを有している。開口部４８ａは、平面視で導電層４４よりも一回り小さく形成されている。

有機機能層３０は、隔壁４８の開口部４８ａ内に設けられており、陽極２４上に位置している。有機機能層３０は、順に積層された正孔輸送層３２と発光層３４と電子輸送層３６とで構成されている。正孔輸送層３２は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等によって形成されている。発光層３４は、例えば、アルミノウムキノリノール錯体（Ａｌｑ₃）等をホスト材料とし、ルブレン等をドーパントとして形成されている。電子輸送層３６は、例えば、Ａｌｑ₃等によって形成されている。

有機機能層３０では、正孔輸送層３２から注入される正孔と、電子輸送層３６から注入される電子とが発光層３４で再結合することにより画素２の領域において発光が得られる。有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、同一色に発光する有機機能層３０を有している。有機機能層３０の発光色は、例えば白色である。有機機能層３０は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいてほぼ同じ層厚で形成されている。

後述するが、有機ＥＬ装置１００は有機機能層３０で発せられた光を共振させる光共振器を備えているので、有機機能層３０の発光色が白色であっても、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの異なる波長の光を射出することができる。有機ＥＬ装置１００では、光共振器を備えているので、有機機能層３０の発光材料として白色発光材料を画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに共通使用することが可能であるとも言える。

陰極３８は、有機機能層３０と隔壁４８とを覆うように設けられている。陰極３８は、光透過性と光反射性とを有している。つまり、陰極３８は、半透過反射性を有するハーフミラー状である。陰極３８は、例えばマグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）からなる。陰極３８の材料は、カルシウム、ナトリウム、リチウム、またはこれらの金属化合物等であってもよい。

陰極３８上には、封止部５０が配置されている。封止部５０は、封止基板５２と接着層５４とを含む。封止基板５２および接着層５４は、有機ＥＬ素子８を保護する機能を有している。接着層５４は、陰極３８を覆うように形成されており、陰極３８上に封止基板５２を固定させている。接着層５４は、例えば、透光性を有するウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等からなる。封止基板５２は、透光性を有するガラス、またはアクリル系樹脂やスチレン系樹脂等の樹脂類からなる。

なお、陰極３８と接着層５４との間に、酸素や水分が浸入することによる有機ＥＬ素子８の劣化を防止するために、例えばＳｉＯ₂、ＳｉＮ、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）等からなるガスバリア層等が設けられていてもよい。

カラーフィルター５６は、封止基板５２の有機ＥＬ素子８側に設けられている。カラーフィルター５６は、Ｒの波長の光に対応するカラーフィルター５６Ｒと、Ｇの波長の光に対応するカラーフィルター５６Ｇと、Ｂの波長の光に対応するカラーフィルター５６Ｂとを有している。カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して、それぞれの有機ＥＬ素子８に平面的に重なるように設けられている。

有機ＥＬ素子８により発光し、光共振器から出力される光のうち、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの異なる波長の光がそれぞれカラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂを透過する。これにより、色再現性に優れた有機ＥＬ装置を提供できる。なお、隣り合うカラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂ同士の間に、遮光層が設けられていてもよい。また、カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂの有機ＥＬ素子８側の表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層が設けられていてもよい。

画素２が配置された領域外には、端子部６０が設けられている。端子部６０は、配線部６２と電極部６４とで構成されている。配線部６２は、層間絶縁層２２上に設けられており、保護層２６に覆われている。電極部６４は、基体２０上に絶縁層４５，４６を間に挟んで設けられている。電極部６４は、絶縁層４５，４６と平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホールを介して配線部６２に導電接続されている。

＜光共振器＞
有機ＥＬ装置１００では、反射層４０と陰極３８との間に、有機機能層３０で発せられた光を共振させる光共振器が形成されている。有機機能層３０で発せられた光は、反射層４０と陰極３８との間で往復し、その光学的距離Ｌに対応した共振波長の光が増幅されて、陰極３８側に射出される。このため、射出される光の輝度を高めることができるとともに、幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができる。

光共振器における共振波長は、反射層４０と陰極３８との間の光学的距離Ｌを変えることによって調整が可能である。有機機能層３０で発せられた光のうち取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとすると、次のような関係式が成り立つ。Φ（ラジアン）は、有機機能層３０で発せられた光が光共振器の両端（例えば、反射層４０と陰極３８と）で反射する際に生じる位相シフトを表す。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ（ｍは整数）

ここでは、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応させて、光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢと呼ぶこととする。画素２Ｒにおいては、反射層４０上に位置する導電層４４と絶縁層４５と絶縁層４６と画素電極２５と有機機能層３０とを合わせた層厚で光学的距離ＬＲが決まる。画素２Ｇにおいては、反射層４０上に位置する導電層４４と絶縁層４６と画素電極２５と有機機能層３０とを合わせた層厚で光学的距離ＬＧが決まる。

画素２Ｂにおいては、反射層４０上に位置する導電層４４と画素電極２５と有機機能層３０とを合わせた層厚で光学的距離ＬＢが決まる。有機ＥＬ装置１００では、Ｒ、Ｇ、Ｂの波長の光を射出する画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、光共振器におけるそれぞれの共振波長が所定の波長λとなるように、絶縁層４５の層厚と絶縁層４６の層厚とを適宜設定することにより光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを調整する構成となっている。

Ｒ、Ｇ、Ｂの波長の光のうち最も波長が短いのはＢの波長の光であるので、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの中では、画素２Ｂにおける光学的距離ＬＢが最も短く設定される。有機機能層３０の層厚を薄くした場合、有機機能層３０におけるピンホールや異物により陽極２４と陰極３８との間で電極間ショートが生じるリスクが大きくなる。しかしながら、画素２Ｂには絶縁層４５，４６が設けられていないので、光学的距離ＬＢに占める有機機能層３０の層厚を絶縁層４５，４６の層厚分だけ厚くできることになる。したがって、有機機能層３０におけるピンホールや異物による電極間ショートの発生が抑えられる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図４は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャートである。図５、図６、図７および図８は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。

図４に示すように、有機ＥＬ装置の製造方法は、基体準備工程Ｓ１０と、反射層形成工程Ｓ２０と、絶縁層形成工程Ｓ３０と、画素電極形成工程Ｓ４０と、有機機能層形成工程Ｓ５０と、陰極形成工程Ｓ６０と、カラーフィルター形成工程Ｓ７０と、封止部形成工程Ｓ８０と、を含んでいる。

基体準備工程Ｓ１０では、基板１０上に駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と保護層２６と平坦化層２８とを公知の方法で形成し、基体２０を準備する。なお、基体２０において、画素電極・導電層形成工程Ｓ３１でコンタクトホール２８ａが形成される位置には、平坦化層２８を貫通する開口部２８ｂが設けられる。

次に、反射層形成工程Ｓ２０では、基体２０上に、導電層４２と反射層４０と導電層４４との３層の積層構造を形成する。まず、図５（ａ）に示すように、基体２０上に、導電膜４２ａと反射膜４０ａと導電膜４４ａとを順に積層して成膜する。導電膜４２ａおよび導電膜４４ａは、例えばスパッタリング法を用いて非晶質のＩＴＯにより成膜する。反射膜４０ａは、例えばスパッタリング法を用いてＡＰＣにより成膜する。

次に、図５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて導電膜４２ａと反射膜４０ａと導電膜４４ａとを一緒にパターン加工する。パターン加工の際は、エッチング液として、例えば燐酸と硝酸と酢酸との混合液等の弱酸溶液を用いる。ここで、パターン加工とは、フォトリソグラフィ法を用いて所定のパターンに加工する際のレジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離等の一連のプロセスを指す。

これにより、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域に、導電層４２と反射層４０と導電層４４との３層の積層構造が形成される。このパターン加工の際、反射膜４０ａの上下層に導電膜４２ａと導電膜４４ａとが位置しているので、反射層４０の基体２０からの剥離、および反射層４０の表面の損傷を抑えることができる。

なお、導電層４２と反射層４０と導電層４４とについて、個別に成膜とパターン加工を行う方法を取ることも可能である。しかしながら、このような方法では、反射膜４０ａをパターン加工する際と導電膜４４ａをパターン加工する際とにおいて、反射層４０の表面がエッチング液やレジスト剥離液に２回晒されることとなる。その結果、反射層４０の表面が損傷を受けることにより反射率の低下を招くおそれが大きい。

次の絶縁層形成工程Ｓ３０は、第１の絶縁層形成工程と第２の絶縁層形成工程とを含んでいる。まず、第１の絶縁層形成工程では、図６（ａ）に示すように、基体２０と、導電層４２と反射層４０と導電層４４との３層の積層構造を覆うように絶縁層４５を形成する。絶縁層４５は、例えばＣＶＤ法を用いてＳｉＮにより成膜する。

そして、例えばドライエッチングを用いて、画素２Ｇ，２Ｂの領域に対応する開口部４５ａを設ける。これにより、画素２Ｇの領域および画素２Ｂの領域において、開口部４５ａ内に導電層４４が露出する。開口部４５ａは、平面視で導電層４４よりも一回り小さく形成することが好ましい。開口部４５ａを平面視で導電層４４よりも一回り小さくすることで、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面や側面と上面との角部を保護でき、開口部４５ａを形成する際に位置ずれが生じた場合でも積層構造の側面を確実に保護できる。

続いて、第２の絶縁層形成工程では、図６（ｂ）に示すように、絶縁層４５に積層して絶縁層４６を形成する。絶縁層４６は、例えばＣＶＤ法を用いてＳｉＮにより成膜する。そして、例えばドライエッチングを用いて、画素２Ｂの領域に対応する開口部４６ａを設ける。これにより、画素２Ｂの領域において、開口部４６ａ内に導電層４４が露出する。開口部４６ａは、平面視で開口部４５ａよりも一回り小さく形成することが好ましい。

絶縁層形成工程Ｓ３０において、絶縁層４５，４６のそれぞれは、画素２Ｒ，２Ｇのそれぞれにおける光共振器の共振波長が所定の波長λとなるように、画素２Ｂにおける光学的距離ＬＢとの差分に対応する所定の層厚で形成される。なお、画素２Ｂにおいては、共振波長が所定の波長λとなる光学的距離ＬＢが得られるように、導電層４４と画素電極２５と有機機能層３０とがそれぞれ所定の層厚で形成される。

なお、絶縁層形成工程Ｓ３０において、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面および側面と上面との角部では形成される絶縁層４５，４６のそれぞれの層厚が薄くなる場合があるが、絶縁層４５，４６を２層重ねて形成することで、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面および側面と上面との角部をより確実に保護できる。

次に、画素電極形成工程Ｓ４０では、図７（ａ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域に画素電極２５を形成する。まず、例えばドライエッチングを用いて、平坦化層２８の開口部２８ｂ内の絶縁層４５，４６と保護層２６とを貫通しドレイン電極１２ｄに到達する開口部を設け、この開口部と開口部２８ｂとが連通されたコンタクトホール２８ａを形成する。コンタクトホール２８ａの形成は、ウエットエッチングを用いてもよい。

続いて、例えばスパッタリング法により、絶縁層４６と、開口部４６ａ内に露出している導電層４４とを覆うように、多結晶のＩＴＯからなる導電膜を成膜する。成膜された導電膜は、コンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続される。そして、フォトリソグラフィ法を用いて導電膜をパターン加工することにより、画素電極２５を形成する。パターン加工の際は、エッチング液として、例えば王水（塩酸と硝酸との混合液）等の強酸溶液を用いる。なお、導電膜を非晶質のＩＴＯやＩＺＯで成膜してもよい。

これにより、画素電極２５が形成される。画素２Ｒ，２Ｇにおいては、画素電極２５が陽極２４として機能する。画素２Ｂにおいては、画素電極２５と導電層４４とで陽極２４が構成される。また、この工程において、コンタクトホールを介して配線部６２に導電接続された電極部６４が形成され、配線部６２と電極部６４とで端子部６０が構成される。

画素電極形成工程Ｓ４０におけるパターン加工では、導電層４２と反射層４０と導電層４４との３層の積層構造の表面が、画素２Ｒにおいては絶縁層４５，４６に覆われ、画素２Ｇにおいては絶縁層４６に覆われて、保護される。画素２Ｂにおいては、絶縁層４６の開口部４６ａ内に導電層４４が露出しているが、反射層４０の表面は導電層４４により保護される。また、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのいずれにおいても、反射層４０の側面は絶縁層４５，４６に覆われ保護される。このため、画素電極２５を形成する際のパターン加工等において、反射層４０の表面がエッチング液やレジスト剥離液に晒されないので、反射層４０の損傷や劣化が抑えられる。

次に、有機機能層形成工程Ｓ５０では、図７（ｂ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域に、画素電極２５に積層して有機機能層３０を形成する。まず、絶縁層４６上に隔壁４８を形成する。例えばスピンコート法を用いて、絶縁層４６と画素電極２５とを覆うようにアクリル樹脂等からなる隔壁層を形成する。そして、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域を区画する開口部４８ａを形成する。これにより、隔壁４８が形成され、開口部４８ａにおいて画素電極２５が露出する。

次に、例えば真空蒸着法により、開口部４８ａ内に正孔輸送層３２と発光層３４と電子輸送層３６とを順に積層して成膜する。これにより、開口部４８ａ内に有機機能層３０が形成される。有機機能層３０は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで、白色の発光が得られる材料によりほぼ同じ層厚に形成される。なお、正孔輸送層３２と発光層３４と電子輸送層３６とを形成する方法として、インクジェット法やスピンコート法等により塗布する方法を適用してもよい。

次に、陰極形成工程Ｓ６０では、図８に示すように、例えば真空蒸着法により、有機機能層３０と隔壁４８とを覆うように、Ｍｇ−Ａｇ合金等からなる陰極３８を形成する。これにより、陽極２４と有機機能層３０と陰極３８とで有機ＥＬ素子８が形成される。

次に、カラーフィルター形成工程Ｓ７０では、図３に示すように、封止基板５２上にカラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂを形成する。図３では、有機ＥＬ装置１００が完成した状態を示している。カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂは、例えばＲ、Ｇ、Ｂの異なる色の光を透過させるような顔料を含む感光性樹脂を塗布してパターン加工することにより形成する。

なお、互いに隣り合うカラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂ同士の間に、例えばクロム（Ｃｒ）等からなる遮光層を形成してもよい。また、カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂの表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層をさらに形成してもよい。

次に、封止部形成工程Ｓ８０では、図３に示すように、陰極３８上に接着層５４を介して封止基板５２を配置し、封止部５０を形成する。封止基板５２は、カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂが有機ＥＬ素子８に対向するように配置される。以上により、有機ＥＬ装置１００が完成する。

ここで、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の構成および製造方法によって得られる効果を説明するために、従来の構成の有機ＥＬ装置との比較を行う。図１１は、比較として従来の有機ＥＬ装置の一例の概略構成を示す断面図である。以下、図１１に示す有機ＥＬ装置３００について、本実施形態の有機ＥＬ装置１００と異なる点を中心に説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１００と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図１１に示す有機ＥＬ装置３００は、絶縁層４５を有しているが、絶縁層４５は開口部を有していない。また、絶縁層４５上に絶縁層４６が設けられていない。画素２Ｒにおいては、絶縁層４５上に、第１の電極層２５ａと第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ｃとが順に積層され形成されている。第１の電極層２５ａと第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ｃとで、画素電極（陽極）２４が構成される。

画素２Ｇにおいては、絶縁層４５上に、第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ｃとが順に積層され形成されている。第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ｃとで、画素電極（陽極）２４が構成される。画素２Ｂにおいては、絶縁層４５上に、第３の電極層２５ｃからなる画素電極（陽極）２４が形成されている。

画素２Ｒにおける光共振器の光学的距離ＬＲは、導電層４４と絶縁層４５と第１の電極層２５ａと第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ｃと有機機能層３０とを合わせた層厚で決まる。画素２Ｇにおける光学的距離ＬＧは、導電層４４と絶縁層４５と第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ｃと有機機能層３０とを合わせた層厚で決まる。画素２Ｂにおける光学的距離ＬＢは、導電層４４と絶縁層４５と第３の電極層２５ｃと有機機能層３０とを合わせた層厚で決まる。

つまり、有機ＥＬ装置３００は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおける光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを、２層の絶縁層（絶縁層４５，４６）の代わりに、３層の画素電極（第１の電極層２５ａ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ｃ）の層厚で調整する点が異なっている。

有機ＥＬ装置１００の構成を有機ＥＬ装置３００の構成と比較すると、有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｂにおいて反射層４０と陰極３８との間に絶縁層４５が配置されていない。このため、有機ＥＬ装置１００では、有機ＥＬ装置３００に対して、絶縁層４５の層厚分だけ画素２Ｂにおける光学的距離ＬＢに占める有機機能層３０の層厚を厚くできることになる。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の構成によれば、有機機能層３０におけるピンホールや異物により電極間ショートが発生するリスクをより小さくすることができる。

次に、有機ＥＬ装置１００の製造方法を有機ＥＬ装置３００の製造方法と比較する。有機ＥＬ装置１００の製造方法では、絶縁層形成工程Ｓ３０で２層の絶縁層（絶縁層４５，４６）を形成し、画素電極形成工程Ｓ４０で１層の画素電極２５を形成する。一方、有機ＥＬ装置３００の製造方法では、絶縁層形成工程Ｓ３０で１層の絶縁層４５を形成し、画素電極形成工程Ｓ４０で３層の画素電極（第１の電極層２５ａ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ｃ）を形成する。

したがって、有機ＥＬ装置１００の製造方法では、有機ＥＬ装置３００の製造方法に対して１層分の成膜およびパターン加工が不要となる。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、製造工程が１工程少なくて済むので、製造負荷を低減することができる。

また、有機ＥＬ装置３００の製造方法では、画素電極（第１の電極層２５ａ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ｃ）をパターン加工する際に強酸溶液等のエッチング液に３回晒される。このため、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面や側面と上面との角部等において絶縁層４５に層厚の薄い部分やピンホール等があると、そこからエッチング液が侵入して反射層４０が損傷を受けるおそれがある。

これに対して、有機ＥＬ装置１００の製造方法では、画素電極２５のパターン加工は１回で済むとともに、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面および側面と上面との角部は絶縁層４５，４６の２層の絶縁層で保護される。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、反射層４０が損傷を受けるリスクを小さくすることができる。

さらに、有機ＥＬ装置３００では、画素電極の層厚で光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを調整する。画素電極（第１の電極層２５ａ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ｃ）は、スパッタリング法を用いて形成される。スパッタリング法では、成膜される膜厚は、例えば、プラズマを生じる電気的な入力により制御する手法と、電磁石の遥動による磁界の調整、または基板の搬送速度の調整等の物理的な入力により制御する手法との２つの手法により調整される。物理的な入力により制御する手法のうち、磁界の調整は枚葉式スパッタリング装置で用いられ、搬送速度の調整はインライン式スパッタリング装置で用いられるものである。

ここで、例えばＩＴＯのように反応ガス（酸素）を用いた成膜では、電気的入力により制御すると酸化率も変動してしまうことから、物理的な入力により制御する手法を用いることが好ましい。例えば枚葉式スパッタリング装置では、成膜材料からなるターゲットの裏面で電磁石を往復させ、ターゲット表面から叩き出された電子を磁力線にそって螺旋状に運動させて、電子の周りにプラズマを生成することにより集中的に成膜が行われる。このため、スパッタリング法により成膜される画素電極（第１の電極層２５ａ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ｃ）の層厚は、電磁石が一往復する際に成膜される膜厚を最小単位として、その整数倍の層厚に形成される。

これに対して、有機ＥＬ装置１００では、２層の絶縁層（絶縁層４５，４６）の層厚で光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを調整する。絶縁層４５，４６は、ＣＶＤ法を用いて形成される。ＣＶＤ法では、成膜時間により成膜される絶縁層４５，４６の層厚を任意に制御できる。このため、ＣＶＤ法を用いて形成される絶縁層４５，４６では、スパッタリング法を用いて形成される画素電極（第１の電極層２５ａ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ｃ）に比べて、より容易かつより精度良く所定の層厚が得られる。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、光共振器における共振波長をより容易かつより精度良く所定の波長λに合わせ込むことができる。

上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成および製造方法によれば、以下の効果が得られる。

（１）画素２Ｂに絶縁層４５が設けられていないので、従来の構成に比べて、光学的距離ＬＢに占める有機機能層３０の層厚を絶縁層４５の層厚分だけ厚くできる。これにより、有機機能層３０におけるピンホールや異物により電極間ショートが発生するリスクを従来より小さくすることができる。この結果、より信頼性の高い有機ＥＬ装置を提供できる。

（２）光共振器の共振波長を所定の波長λとする光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを、従来の３層の画素電極（第１の電極層２５ａ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ｃ）の代わりに、２層の絶縁層（絶縁層４５，４６）の層厚で調整する。これにより、製造工程が１工程少なくて済むので、製造負荷を低減することができる。

（３）画素電極２５のパターン加工が１回で済むとともに、導電層４２と反射層４０と導電層４４との積層構造の側面および側面と上面との角部は絶縁層４５，４６の２層の絶縁層で保護される。これにより、画素電極２５のパターン加工において反射層４０が損傷を受けるリスクを小さくすることができる。

（４）従来のスパッタリング法（枚葉式スパッタリング装置）を用いて形成される画素電極の代わりに、ＣＶＤ法を用いて形成される絶縁層４５，４６で光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを調整するので、光共振器における共振波長をより容易かつより精度良く所定の波長λに合わせ込むことができる。

（５）銀を含む合金からなる反射層４０の上下層に導電層４２と導電層４４とが配置されているので、パターン加工等において、反射層４０の基体２０からの剥離、および反射層４０の表面の損傷や劣化が抑えられる。これにより、反射率の良好な反射層４０を構成できる。この結果、より明るい表示が得られる有機ＥＬ装置を提供できる。

（第２の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図９は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。図９は、図２のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、有機ＥＬ素子８においてＲ、Ｇ、Ｂのいずれかの発光が得られる点、およびカラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂを備えていない点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、図９に示すように、基体２０上に、導電層４２と、反射層４０と、導電層４４と、絶縁層４５，４６と、画素電極２５と、隔壁４８と、有機機能層３０と、陰極３８と、封止部５０とを備えている。

有機機能層３０は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して異なる色に発光する。ここでは、有機機能層３０を画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応させて、有機機能層３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂと呼ぶ。画素２Ｒには、赤色（Ｒ）の発光が得られる有機機能層３０Ｒが配置されている。画素２Ｇには、緑色（Ｇ）の発光が得られる有機機能層３０Ｇが配置されている。画素２Ｂには、青色（Ｂ）の発光が得られる有機機能層３０Ｂが配置されている。有機機能層３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂは、それぞれ異なる層厚を有していてもよい。

陽極２４と、有機機能層３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂと、陰極３８とにより、画素２ＲにはＲに発光する有機ＥＬ素子８Ｒが構成され、画素２ＧにはＧに発光する有機ＥＬ素子８Ｇが構成され、画素２ＢにはＢに発光する有機ＥＬ素子８Ｂが構成される。封止基板５２には、カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂは設けられていない。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、光共振器の共振波長を所定の波長λとする光学的距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ（図３参照）を２層の絶縁層（絶縁層４５，４６）の層厚で調整する構成を有している。したがって、有機ＥＬ装置２００の構成においても、有機ＥＬ装置１００の構成と同様の効果が得られる。

＜電子機器＞
上述した有機ＥＬ装置１００，２００は、例えば、図１０に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に有機ＥＬ装置１００，２００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は、従来よりも明るい表示が得られより信頼性が高い。

また、電子機器は、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置の車載モニター等であってもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。

（変形例１）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、画素２からＲ、Ｇ、Ｂの３色の光を射出する構成であったが、上記の形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、画素２から、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の他に、例えば白色やシアン等他の色の光を射出する構成であってもよい。このような構成であっても、上記実施形態の有機ＥＬ装置と同様の効果が得られる。

（変形例２）
上記実施形態の有機ＥＬ装置では、画素２は、略矩形の平面形状を有しており、マトリクス状に配列されていたが、上記の形態に限定されない。画素２は、円形や楕円形等の他の平面形状を有していてもよい。また、画素２は、千鳥格子状等に配列されていてもよい。

２…画素、２０…基体、２５…第１の電極としての画素電極、３０…有機機能層、３４…発光層、３８…第２の電極としての陰極、４０…反射層、４２…第２の導電層としての導電層、４４…第１の導電層としての導電層、４５…第１の絶縁層としての絶縁層、４６…第２の絶縁層としての絶縁層、５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂ…カラーフィルター、１００，２００…有機ＥＬ装置、５００…電子機器としての携帯電話機。

Claims (14)

1. 基体と、
   前記基体上に配列された、少なくとも３つの異なる波長の光のいずれかを射出する第１の画素、第２の画素、および第３の画素と、
   前記基体上に前記画素毎に配置された、光反射性を有する反射層と、
   前記反射層上に配置された、光透過性を有する第１の導電層と、
   前記第１の導電層上に配置された、光透過性を有する第１の電極と、
   前記第１の電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、
   前記有機機能層上に配置された、光反射性および光透過性を有する第２の電極と、
   前記反射層と前記第２の電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、を備え、
   前記第１の画素および前記第２の画素には、前記第１の導電層と前記第１の電極との間に、前記第１の導電層を覆う光透過性を有する絶縁層が設けられ、
   前記第１の画素に設けられた前記絶縁層の層厚と、前記第２の画素に設けられた前記絶縁層の層厚とが異なることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記絶縁層は、前記第１の画素、前記第２の画素、および前記第３の画素において前記反射層の側面を覆うとともに、前記第３の画素において前記第１の導電層の側面を覆うことを特徴とする有機ＥＬ装置。
3. 請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記絶縁層は、第１の絶縁層と第２の絶縁層とを含み、
   前記第１の画素には、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが積層されて配置され、
   前記第２の画素には、前記第２の絶縁層が配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記反射層の前記第１の導電層とは反対側に、前記反射層に平面的に重なるように配置された第２の導電層をさらに備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記反射層は、銀または銀を含む合金からなることを特徴とする有機ＥＬ装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第１の画素は赤色光に対応する波長の光を射出し、
   前記第２の画素は緑色光に対応する波長の光を射出し、
   前記第３の画素は青色光に対応する波長の光を射出することを特徴とする有機ＥＬ装置。
7. 請求項５項に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第１の画素の前記光が射出される側に配置された、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、
   前記第２の画素の前記光が射出される側に配置された、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、
   前記第３の画素の前記光が射出される側に配置された、前記青色光に対応するカラーフィルターと、をさらに備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
9. 少なくとも３つの異なる波長の光のいずれかを射出する第１の画素、第２の画素、および第３の画素と、
   前記画素毎に配置された光透過性を有する第１の電極と、
   前記第１の電極に対向配置された光反射性および光透過性を有する第２の電極と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された少なくとも発光層を含む有機機能層と、
   前記第１の電極の、前記第２の電極とは反対側に配置された光反射性を有する反射層と、
   前記反射層と前記第２の電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   基体上に、前記反射層と、光透過性を有する第１の導電層と、を順に積層して形成する反射層形成工程と、
   前記第１の導電層上に、光透過性を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記絶縁層上に前記第１の電極を形成する工程と、
   前記第１の電極上に前記有機機能層を形成する工程と、
   前記有機機能層上に前記第２の電極を形成する工程と、を含み、
   前記絶縁層形成工程では、前記第１の画素および前記第２の画素に前記第１の導電層を覆うように前記絶縁層を形成するとともに、前記第１の画素に形成する前記絶縁層の層厚と前記第２の画素に形成する前記絶縁層の層厚とを異ならせることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記絶縁層形成工程は、第１の絶縁層を形成する工程と第２の絶縁層を形成する工程とを含み、
    前記第１の絶縁層を形成する工程では、前記第１の絶縁層を前記第１の画素に形成し、
    前記第２の絶縁層を形成する工程では、前記第２の絶縁層を、前記第１の画素に前記第１の絶縁層に積層して形成するとともに、前記第２の画素に形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
11. 請求項９または１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記反射層形成工程では、さらに前記基体と前記反射層との間に第２の導電層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
12. 請求項９から１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記反射層形成工程では、銀または銀を含む合金により前記反射層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
13. 請求項９から１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記第１の画素から赤色光に対応する波長の光を射出させ、
    前記第２の画素から緑色光に対応する波長の光を射出させ、
    前記第３の画素から青色光に対応する波長の光を射出させることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
14. 請求項１３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    前記第２の電極を形成する工程の後に、
    前記第１の画素の前記光が射出される側に、前記赤色光に対応するカラーフィルターを形成し、
    前記第２の画素の前記光が射出される側に、前記緑色光に対応するカラーフィルターを形成し、
    前記第３の画素の前記光が射出される側に、前記青色光に対応するカラーフィルターを形成する工程をさらに含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。

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