JP2015046239A - 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光領域を広くし、発光領域で発する光の光度を高め、明るい表示を提供すること。【解決手段】第３トランジスター２３と、電源線１４と、膜厚Ｂｄ１の部分と膜厚Ｇｄ１部分と膜厚Ｒｄ１の部分とを有する第１の絶縁層２８と、第１の絶縁層２８の上に設けられた光の透過性を有する画素電極３１と、画素電極３１の周縁部を覆う第２の絶縁層２９と、発光機能層３２と、光の反射性と光の透過性とを有する対向電極３３と、膜厚Ｂｄ１の部分の上に設けられ、少なくとも一部が画素電極３１と平面的に重なる中継電極１０６と、を含み、画素電極３１は、膜厚Ｂｄ１の部分に設けられた画素電極３１Ｂと、膜厚Ｇｄ１の部分に設けられた画素電極３１Ｇと、膜厚Ｒｄ１の部分に設けられた画素電極３１Ｒと、を有し、画素電極３１Ｂと、画素電極３１Ｇと、画素電極３１Ｒとは、中継電極１０６を介して第３トランジスター２３に接続されていることを特徴とする。【選択図】図５

Description

本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、及び当該発光装置を搭載した電子機器に関する。

発光装置の一例として、例えば有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）素子がマトリックス状に配置された電気光学装置（特許文献１）が提案されている。特許文献１に記載の電気光学装置は、薄膜トランジスターを有し、光を発する画素がマトリックス状に配置されたアクティブマトリックス型の発光装置である。画素には、光反射層と、透光性絶縁膜と、第１電極（画素電極）と、隔壁層と、発光機能層と、第２電極（対向電極）とが順に積層されている。

隔壁層で覆われていない領域の画素電極から発光機能層に電流が供給されて、発光機能層が発光する。つまり、隔壁層で覆われていない領域（隔壁層が形成されていない領域）が、発光領域となる。さらに、画素電極はコンタクトホールを覆うように設けられ、コンタクトホールを介して画素電極と薄膜トランジスターとが電気的に接続される。つまり画素電極と薄膜トランジスターとが電気的に接続される部分が、コンタクト領域となる。画素電極は、発光領域及びコンタクト領域に跨って設けられている。
透光性絶縁膜は、光反射層と対向電極との間の光学的な距離を調整する役割を有し、透光性絶縁膜の膜厚は、第１画素の発光領域＞第２画素の発光領域＞第３画素の発光領域＞コンタクトホールの形成領域（コンタクト領域）という関係を満たすように、設定されている。

かかる構成（光共振構造）によって、発光機能層で発した光は、光反射層と対向電極との間を往復し、光反射層と対向電極との間の光学的な距離、つまり透光性絶縁膜の膜厚に応じた共振波長の光が選択的に増幅され、各画素から射出される。特許文献１に記載の電気光学装置は、上記光共振構造によって、例えば、ピーク波長が６１０ｎｍの赤の波長域の光、ピーク波長が５４０ｎｍの緑の波長域の光、及びピーク波長が４７０ｎｍの青の波長域の光、つまり色純度の高い光が各画素から表示光として射出され、優れた色再現性を有する。

特開２００９−１３４０６７号公報

上述したように、特許文献１に記載の電気光学装置では、発光領域の透光性絶縁膜の膜厚＞コンタクト領域の透光性絶縁膜の膜厚という関係を有しているので、発光領域とコンタクト領域との間に、光学的な距離が異なる境界（透光性絶縁膜の膜厚が異なる境界）が形成される。

特許文献１に記載の電気光学装置では、より明るい表示を得るために発光領域を広くしようとすると、当該境界が障害となって発光領域を広くすることが難しいという課題があった。
詳しくは、当該境界を越えて発光領域を広くすると、発光領域には、光学的な距離が異なる部分が生じる。光学的な距離が異なると共振波長が変化するので、発光領域から異なる共振波長の光が発せられることになり、発光領域から発する光の色純度が低下する。このため、当該境界を越えて発光領域を広くすることが難しいという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る発光装置は、トランジスターと、前記トランジスターの上方に設けられた光反射層と、前記光反射層を覆い、第１の層厚の部分と前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に設けられた光の透過性を有する画素電極と、前記画素電極の周縁部を覆う第２の絶縁層と、前記画素電極及び前記第２の絶縁層を覆う発光機能層と、前記発光機能層を覆い光の反射性と光の透過性とを有する対向電極と、前記第１の層厚の部分の上に設けられ、少なくとも一部が前記画素電極と平面的に重なる導電層と、を含み、前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を有し、前記第１の画素電極と、前記第２の画素電極と、前記第３の画素電極とは、前記導電層を介して前記トランジスターに接続されていることを特徴とする。

導電層は、第１の層厚の部分の上に設けられ、トランジスターからの信号は、導電層を介して画素電極に供給される。導電層は画素電極と平面的に重なり、導電層が設けられた領域が、トランジスターと画素電極とを接続するコンタクト領域になる。画素電極の周縁部は第２の絶縁層で覆われ、トランジスターからの信号に応じて、第２の絶縁層で覆われていない領域の画素電極から発光機能層に電流が供給され、発光機能層が発光する。つまり、第２の絶縁層で覆われていない領域が、発光機能層が発光する発光領域となる。画素電極は、コンタクト領域及び発光領域に跨って設けられている。

発光機能層（発光領域）で発した光は、光反射層と対向電極との間を往復し、光反射層と対向電極との間の光学的な距離に応じて共振し、特定波長の光が増幅される。光学的な距離は、第１の絶縁層の層厚によって変化する。第１の絶縁層は３種類の層厚を有しているので、３種類の共振波長の光が発せられる。例えば、青、緑、赤の３種類の波長の光が増幅されるように、第１の絶縁層の層厚を調整することで、発光領域で発した青、緑、赤の光の色純度を高めることができる。

第１の層厚の部分に第１の画素電極が設けられ、第２の層厚の部分に第２の画素電極が設けられ、第３の層厚の部分に第３の画素電極が設けられており、それぞれの画素電極が設けられた領域の第１の絶縁層の層厚は一定である。すなわち、画素電極が設けられた領域の光学的な距離は一定になっている。

画素電極が設けられた領域の光学的な距離は一定であるので、画素電極における発光領域とコンタクト領域との間隔を小さくし、画素電極における発光領域を広くしても、光学的な距離は変化することがない。換言すれば、公知技術（特開２００９−１３４０６７号公報）では画素電極が設けられた領域は光学的な距離が異なる境界を有していたが、本発明では画素電極が設けられた領域における光学的な距離は一定であるので、画素電極における発光領域を広くしても、共振波長の変化（色純度の低下）は発生せず、公知技術と比べて発光領域を広くすることができる。よって、発光領域で発する光の色純度の低下を招くことなく、発光領域で発する光の光度を高めることができる。従って、本適用例に係る発光装置では、色純度及び光度が高い表示、すなわち明るく鮮やかな色の表示を提供することができる。

［適用例２］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の絶縁層は、前記反射層の側から順に積層された第１絶縁膜と第２絶縁膜と第３絶縁膜とを有し、前記第１絶縁膜は、前記第１の層厚を有し、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とが積層された部分は、前記第２の層厚を有し、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜とが積層された部分は、前記第３の層厚を有し、前記導電層は、第１の導電層と第２の導電層と第３の導電層とを有し、前記第１の画素電極は、前記第１の導電層に直接接し、前記第２の画素電極は、前記第２絶縁膜を貫く第１のコンタクトホールを介して前記第２の導電層に接続され、前記第３の画素電極は、前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜を貫く第２のコンタクトホールを介して、前記第３の導電層に接続されていることが好ましい。

第１の層厚の部分は第１絶縁膜で構成され、第２の層厚の部分は第１絶縁膜と第２絶縁膜とで構成され、第３の層厚の部分は第１絶縁膜と第２絶縁膜と第３絶縁膜とで構成されている。第１絶縁膜、第２絶縁膜、及び第３絶縁膜が均一な膜厚を有するように制御することで、第１の層厚の部分の膜厚、第２の層厚の部分の膜厚、及び第３の層厚の部分の膜厚の均一性を高めることができる。よって、第１の画素電極が設けられた領域の光学的な距離、第２の画素電極が設けられた領域の光学的な距離、及び第３の画素電極が設けられた領域の光学的な距離の均一性を高め、各画素電極から発せられる光の共振波長のバラツキを小さくし、各画素電極の発光領域から発せられる光の色純度を高めることができる。

［適用例３］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の画素電極は前記第１の層厚の部分の中に設けられ、前記第２の画素電極は前記第２の層厚の部分の中に設けられていることが好ましい。

第１の層厚の部分の中に第１の画素電極を配置することで、第１の層厚の部分に対応した共振波長の光を第１の画素電極の発光領域から発することができる。第２の層厚の部分の中に第２の画素電極を配置することで、第２の層厚の部分に対応した共振波長の光を第２の画素電極の発光領域から発することができる。よって、第１の画素電極及び第２の画素電極の発光領域から発する光の色純度を高めることができる。

［適用例４］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記第３の画素電極は、第１の方向に並んで配置されており、前記第１の層厚の部分、及び前記第２の層厚の部分は、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在した矩形状をなしていることが好ましい。

第１の層厚の部分は、第１の画素電極が配置され、第１の共振波長の光を発する。第２の層厚の部分は、第２の画素電極が配置され、第２の共振波長の光を発する。第３の層厚の部分は、第３の画素電極が配置され、第３の共振波長の光を発する。第１の共振波長の光を発する部分、第２の共振波長の光を発する部分、及び第３の共振波長の光を発する部分は、第２の方向に延在した矩形状を有している。第２の方向に交差する第１の方向に、第１の共振波長の光を発する部分（第１の層厚の部分）と、第２の共振波長の光を発する部分（第２の層厚の部分）と、第３の共振波長の光を発する部分（第３の層厚の部分）とを繰り返して配置することで、３種類の色を発する部分がストライプ配置となった発光領域（表示領域）を形成することができる。

［適用例５］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の絶縁層は、前記光反射層の側に順に積層された第１絶縁膜と有機絶縁層とを有し、前記有機絶縁層は、第１の平坦部と前記第１の平坦部よりも厚い第２平坦部とを有し、前記第１絶縁膜は、前記第１の層厚を有し、前記第１絶縁膜と前記第１の平坦部とが積層された部分は、前記第２の層厚を有し、前記第１絶縁膜と前記第２の平坦部とが積層された部分は、前記第３の層厚を有し、前記導電層は、第１の導電層と第２の導電層と第３の導電層とを有し、前記第１の画素電極は、前記第１の導電層に直接接し、前記第２の画素電極は、前記第１の平坦部を貫く第１のコンタクトホールを介して、前記第２の導電層に接続され、前記第３の画素電極は、前記第２の平坦部を貫く第２のコンタクトホールを介して、前記第３の導電層に接続されていることが好ましい。

有機絶縁層は、塗布や印刷などの安価な装置を用いて形成することができるので、プラズマＣＶＤやスパッタなどの高価な装置を用いて形成する無機絶縁層（例えば、酸化シリコン）と比べて、安価に形成することができる。

［適用例６］上記適用例に記載の発光装置において、前記有機絶縁層は、感光性樹脂材料を用いて形成された第１有機絶縁膜と第２有機絶縁膜とを有し、前記第１の平坦部は前記第１有機絶縁膜で構成され、前記第２の平坦部は前記第１有機絶膜と前記第２有機絶縁膜とで構成されていることが好ましい。

有機絶縁膜では、感光性樹脂材料を用いたフォトリソプロセスだけでパターニングできるので、フォトリソプロセスに加えてエッチングプロセスを必要とする無機絶縁膜（例えば、酸化シリコン）のパターニング方法と比べて、工程が簡略化され、生産性を高めることができる。

［適用例７］本適用例に係る発光装置は、第１のトランジスターと、第２のトランジスターと、第３のトランジスターと、前記第１のトランジスター、第２のトランジスター、第３のトランジスターの上方に設けられた光反射層と、前記光反射層を覆い、第１の層厚の部分と、前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、前記第１の層厚の部分の上に設けられた第１の画素電極と、前記第１のトランジスターに電気的に接続された第１の中継電極と、前記第２の層厚の部分の上に設けられた第２の画素電極と、前記第２のトランジスターを電気的に接続された第２の中継電極と、前記第３の層厚の部分の上に設けられた第３の画素電極と、前記第３のトランジスターに電気的に接続された第３の中継電極と、対向電極と、前記第１の画素電極と対向電極との間、前記第２の画素電極と対向電極との間、及び前記第３の画素電極と対向電極との間に設けられた発光機能層と、を備え、前記第１の中継電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１接続部を介して前記第１の画素電極に接続され、前記第２の中継電極は、前記第２の層厚の部分に設けられた第２接続部を介して前記第２の画素電極に接続され、前記第３の中継電極は、前記第３の層厚の部分に設けられた第３接続部を介して前記第３の画素電極に接続されてなることを特徴とする。

これによれば、画素電極における発光領域とコンタクト領域との間隔を小さくし、画素電極における発光領域を広くすることができる。従って、本適用例に係る発光装置では、色純度及び光度が高い表示、すなわち明るく鮮やかな色の表示を提供することができる。

［適用例８］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の画素電極上において第１の発光領域を規定し、前記第２の画素電極上において第２の発光領域を規定し、前記第３の画素電極上において第３発光領域を規定する第２の絶縁層をさらに備え、前記第１の発光領域は、前記第１の層厚の部分の上に設けられ、前記第２の発光領域は、前記第２の層厚の部分の上に設けられ、前記第３の発光領域は、前記第３の層厚の部分の上に設けられてもよい。

［適用例９］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の層厚の部分は、前記第１の発光領域から前記第１接続部に至るように設けられ、前記第２の層厚の部分は、前記第２の発光領域から前記第２接続部に至るように設けられ、前記第３の層厚の部分は、前記第３の発光領域から前記第３接続部に至るように設けられてもよい。

［適用例１０］上記適用例に記載の発光装置において、第４の発光領域をさらに備え、前記第２の層厚の部分は、前記第２の発光領域及び前記第４の発光領域に跨って設けられてもよい。

［適用例１１］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の層厚の部分は、前記第１接続部を囲むように設けられ、前記第２の層厚の部分は、前記第２接続部を囲むように設けられ、前記第３の層厚の部分は、前記第３接続部を囲むように設けられてもよい。

［適用例１２］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の絶縁層は、前記反射層の側から順に積層された第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第３絶縁膜と、を有し、前記第１接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第１のコンタクトホールを介して前記第１の中継電極に接続され、且つ前記第１の画素電極に接する第１の導電層を有し、前記第２接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第２のコンタクトホールを介して前記第２の中継電極に接続され、且つ前記第２絶縁膜を貫く第３のコンタクトホールを介して前記第２の画素電極に接続された第２の導電層を有し、前記第３接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第４のコンタクトホールを介して前記第３の中継電極に接続され、且つ前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜を貫く第５のコンタクトホールを介して前記第３の画素電極に接続された第３の導電層を有してもよい。

［適用例１３］上記適用例に記載の発光装置において、第４のトランジスターと、前記第２の層厚の部分の上に設けられた第４の画素電極と、前記第４のトランジスターに電気的に接続された第４の中継電極と、をさらに備え、前記第４の中継電極は、前記第２の層厚の部分に設けられた第４接続部を介して前記第４の画素電極に接続され、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記第２接続部と前記第４接続部との間を埋めるように設けられてもよい。

［適用例１４］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の発光装置を備えていることを特徴とする。

本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の発光装置を備えているので、明るく鮮やかな表示を提供することができる。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に、上記適用例に記載の発光装置を適用することができる。

［適用例１５］本適用例に係る発光装置の製造方法は、トランジスターと、前記トランジスターの上方に設けられた光反射層と、前記光反射層を覆い第１の層厚の部分と第２の層厚の部分と第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、前記第１の層厚の部分の上に設けられた画素電極と、前記画素電極の周縁部を覆う第２の絶縁層と、前記画素電極及び前記第２の絶縁層を覆う発光機能層と、前記発光機能層を覆う対向電極と前記第１の層厚の部分の上に設けられた導電層と、を含み、前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を有し、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極と前記第３の画素電極とは、前記導電層を介して前記トランジスターに接続されている発光装置の製造方法であって、前記光反射層を形成する工程と、前記第１の層厚となるように第１絶縁膜を形成する工程と、前記導電層を形成する工程と、前記第１絶縁膜との間で前記第２の層厚となるように第２絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜との間で前記第３の層厚となるように、第３絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜をパターニングして、前記第１の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分と、前記第３の層厚の部分と、を有する前記第１の絶縁層を形成する工程と、前記第２の層厚の部分に前記導電層の一部を露出させる第１のコンタクトホールと、前記第３の層厚の部分に前記導電層の一部を露出させる第２のコンタクトホールと、を形成する工程と、前記第１の層厚の部分に前記導電層と部分的に重なる前記第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に前記第１のコンタクトホールを覆う前記第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に前記第２のコンタクトホールを覆う前記第３の画素電極と、を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。

本適用例に係る製造方法で製造された発光装置は、光反射層と第１の絶縁層と画素電極と発光機能層と対向電極とが積層された構成を有し、発光機能層で発した光は、光反射層と対向電極との間を往復し、光反射層と対向電極との間の光学的な距離に応じて共振し、特定波長の光が増幅される。光学的な距離は、第１の絶縁層の層厚によって変化する。３種類の層厚を有するように第１の絶縁層を形成しているので、３種類の特定波長の光を発する。例えば、青、緑、赤の３種類の波長の光が選択的に増幅されるように、第１の絶縁層を形成すると、発光機能層から発する青、緑、赤の光の色純度を高めることができる。

第１の画素電極は第１の絶縁層の第１の層厚の部分に形成され、第２の画素電極は第１の絶縁層の第２の層厚の部分に形成され、第３の画素電極は第１の絶縁層の第３の層厚の部分に形成され、それぞれの画素電極は導電層に接続され、導電層を介してトランジスターからの信号が供給されるようになっている。それぞれの画素電極が形成された領域では、上記光学的な距離（第１の絶縁層の層厚）が一定になっているので、画素電極における発光領域を広くしても共振波長の変化（色純度の低下）は発生しない。すなわち、画素電極が設けられた領域に光学的な距離が異なる境界を有する公知技術（特開２００９−１３４０６７号公報）と比べて、色純度の低下を招くことなく発光領域を広くし、発光領域で発する光の光度を高めることができる。従って、本適用例に係る発光装置では、色純度及び光度が高い表示、すなわち明るく鮮やかな色の表示を提供することができる。

実施形態１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 発光画素の特徴部分を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図。 図３のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図。 図３のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図。 図３のＤ−Ｄ’線に沿った概略断面図。 図３のＥ−Ｅ’線に沿った概略断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。 各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。 各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。 実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図。 実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー。 各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。 各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図。 ヘッドマウントディスプレイの概略図。 変形例１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 変形例２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「有機ＥＬ装置の概要」
実施形態１に係る有機ＥＬ装置１００は、発光装置の一例であり、表示光の色純度を高めることができる光共振構造を有している。
まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について、図１乃至図３を参照して説明する。図１は有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図であり、図２は有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である、図３は発光画素の特徴部分を示す概略平面図である。
なお、図３では、発光画素の特徴部分を説明するために必要な構成要素が図示され、他の構成要素の図示は省略されている。また図３における二点鎖線は、発光画素２０の輪郭を示している。

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、基板としての素子基板１０、素子基板１０の表示領域Ｅにマトリックス状に配置された複数の発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ、複数の発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを駆動制御する周辺回路であるデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２、外部回路との電気的な接続を図るための外部接続用端子１０３などを備えている。

素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０４が設けられている。
以降、該第１辺に沿った方向をＸ方向、及び該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向として説明する。
なお、Ｘ方向は、本発明における「第１の方向」の一例であり、Ｙ方向は、本発明における「第２の方向」の一例である。

有機ＥＬ装置１００は、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとを有している。有機ＥＬ装置１００では、Ｘ方向に配置された発光画素２０Ｂと発光画素２０Ｇと発光画素２０Ｒとが表示単位Ｐとなって、フルカラーの表示が提供される。

さらに、発光画素２０Ｂは画素電極３１Ｂを有し、発光画素２０Ｇは画素電極３１Ｇを有し、発光画素２０Ｒは画素電極３１Ｒを有している。発光画素２０Ｂ（画素電極３１Ｂ）、発光画素２０Ｇ（画素電極３１Ｇ）、及び発光画素２０Ｒ（画素電極３１Ｇ）のそれぞれは、Ｙ方向に並んで配置されている。
なお、画素電極３１Ｂは本発明における「第１の画素電極」の一例であり、画素電極３１Ｇは本発明における「第２の画素電極」の一例であり、画素電極３１Ｒは本発明における「第３の画素電極」の一例である。
以降の説明では、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒや画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと称す場合と、これらをまとめて発光画素２０や画素電極３１と称す場合とがある。

Ｙ方向には、同じ色の発光が得られる発光画素２０が配置されている。つまり、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂは、Ｙ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇは、Ｙ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒは、Ｙ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。
Ｘ方向には、異なる色の発光が得られる発光画素２０が、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に繰り返して配置されている。なお、Ｘ方向における発光画素２０の配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えばＲ，Ｇ，Ｂの順であってもよい。

透光性の第１の絶縁層２８が、外部接続用端子１０３の形成領域を除く素子基板１０の略全面に設けられている。
透光性の第１の絶縁層２８は、発光画素２０Ｂ（画素電極３１Ｂ）が配置される第１の領域２８Ｂと、発光画素２０Ｇ（画素電極３１Ｇ）が配置される第２の領域２８Ｇと、発光画素２０Ｒ（画素電極３１Ｒ）が配置される第３の領域２８Ｒとを有し、それぞれの領域で第１の絶縁層２８の層厚（膜厚）が異なる。詳細は後述するが、第２の領域２８Ｇにおける第１の絶縁層２８の膜厚は、第１の領域２８Ｂにおける第１の絶縁層２８の膜厚よりも大きくなっている。第３の領域２８Ｒにおける第１の絶縁層２８の膜厚は、第２の領域２８Ｇにおける第１の絶縁層２８の膜厚よりも大きくなっている。つまり、第１の絶縁層２８の膜厚は、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、第３の領域２８Ｒの順に大きくなっている。
第２の領域２８Ｇは、本発明における「第１の平坦部」の一例である。第３の領域２８Ｒは、本発明における「第２の平坦部」の一例である。

第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ及び第３の領域２８Ｒは、Ｙ方向に延在した矩形状（ストライプ形状）をなしている。
表示領域Ｅにおいて、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８ＲのＸ方向寸法は、発光画素２０のＸ方向寸法と略同じ、つまり発光画素２０のＸ方向の繰り返しピッチと略同じである。

Ｙ方向において、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒは、表示領域Ｅよりも広くなっている。つまり、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域のＹ方向寸法は、表示領域ＥのＹ方向寸法よりも大きくなっている。なお、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８ＲのＹ方向寸法は、表示領域ＥのＹ方向寸法、つまり発光画素２０が配置された領域の寸法と同じであってもよい。

第１の絶縁層２８は、表示領域Ｅの周辺（第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒ以外の領域）にも設けられている。本実施形態では、表示領域Ｅの周辺に設けられた第１の絶縁層２８の膜厚は、第３の領域２８Ｒの第１の絶縁層２８の膜厚と同じなっている。なお、表示領域Ｅの周辺に設けられた第１の絶縁層２８の膜厚は、第１の領域２８Ｂの第１の絶縁層２８の膜厚、または第２の領域２８Ｇの第１の絶縁層２８の膜厚と同じであってもよい。さらに、表示領域Ｅの周辺に設けられた第１の絶縁層２８は、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒの第１の絶縁層２８と異なる膜厚を有していてもよい。

なお、第１の領域２８Ｂは本発明における「第１の層厚の部分」の一例であり、第２の領域２８Ｇは本発明における「第２の層厚の部分」の一例であり、第３の領域２８Ｒは本発明における「第３の層厚の部分」の一例である。

図２に示すように、素子基板１０には、発光画素２０に対応する信号線として、走査線１１、データ線１２、点灯制御線１３、及び電源線１４が設けられている。走査線１１と点灯制御線１３とはＸ方向に並行して延び、走査線駆動回路１０２（図１）に接続されている。データ線１２と電源線１４とはＹ方向に並行して延びている。データ線１２は、データ線駆動回路１０１（図１）に接続されている。電源線１４は、複数配置された外部接続用端子１０３のうちいずれかに接続されている。

走査線１１とデータ線１２との交点付近には、発光画素２０の画素回路を構成する第１トランジスター２１と、第２トランジスター２２と、第３トランジスター２３と、蓄積容量２４と、有機ＥＬ素子３０とが設けられている。

有機ＥＬ素子３０は、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３３と、これら電極の間に挟まれた発光層を含む発光機能層３２とを有している。対向電極３３は、複数の発光画素２０に跨って設けられた共通電極である。対向電極３３には、例えば電源線１４に与えられる電源電圧Ｖｄｄに対して低電位の、基準電位ＶｓｓやＧＮＤの電位などが与えられている。

第１トランジスター２１及び第３トランジスター２３は、例えばｎチャネル型のトランジスターである。第２トランジスター２２は、例えばｐチャネル型のトランジスターである。

第１トランジスター２１のゲート電極は走査線１１に接続され、一方の電流端はデータ線１２に接続され、他方の電流端は第２トランジスター２２のゲート電極と、蓄積容量２４の一方の電極とに接続されている。
第２トランジスター２２の一方の電流端は、電源線１４に接続されると共に蓄積容量２４の他方の電極に接続されている。第２トランジスター２２の他方の電流端は、第３トランジスター２３の一方の電流端に接続されている。言い換えれば、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とは一対の電流端のうち１つの電流端を共有している。
第３トランジスター２３のゲート電極は点灯制御線１３に接続され、他方の電流端は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。
第１トランジスター２１、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３のそれぞれにおける一対の電流端は、一方がソースであり、他方がドレインである。
なお、第３トランジスター２３は、本発明における「トランジスター」の一例である。

このような画素回路において、走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベルになると、ｎチェネル型の第１トランジスター２１がオン状態（ＯＮ）となる。オン状態（ＯＮ）の第１トランジスター２１を介してデータ線１２と蓄積容量２４とが電気的に接続される。そして、データ線駆動回路１０１からデータ線１２にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線１４に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差が蓄積容量２４に蓄積される。

走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレベルになると、ｎチェネル型の第１トランジスター２１がオフ状態（ＯＦＦ）となり、第２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬｏｗレベルになった後に、点灯制御線１３に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、第３トランジスター２３がオン状態（ＯＮ）となる。そうすると、第２トランジスター２２のゲート・ソース電圧Ｖｇｓ、つまり蓄積容量２４に保持された電圧に応じた電流が、電源線１４から第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に供給される。

有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる電流の大きさに応じて発光する。有機ＥＬ素子３０を流れる電流は、蓄積容量２４に保持された電圧（データ線１２の電圧水準Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差）、及び第３トランジスター２３がオン状態になる期間の長さによって変化し、有機ＥＬ素子３０の発光輝度が規定される。つまり、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値により、発光画素２０において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができる。

なお、本実施形態において、発光画素２０の画素回路は、３つのトランジスター２１，２２，２３を有することに限定されず、例えばスイッチング用トランジスターと駆動用トランジスターとを有する構成（二つのトランジスターを有する構成）としてもよい。また画素回路を構成するトランジスターは、ｎチャネル型のトランジスターでもよいし、ｐチャネル型のトランジスターでもよいし、ｎチャネル型のトランジスター及びｐチャネル型のトランジスターの双方を備えるものであってもよい。また、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、薄膜トランジスターであってもよいし、電界効果トランジスターであってもよい。
また、走査線１１、データ線１２以外の信号線である点灯制御線１３、電源線１４の配置は、トランジスターや蓄積容量２４の配置により左右され、これに限定されるものではない。
本実施形態では、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターとして、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターを採用している。

「発光画素の特徴部分」
次に、図３を参照して、発光画素２０の特徴部分の概要を説明する。
図３に示すように、発光画素２０は、中継電極１０６と、画素電極３１と、第２の絶縁層２９とを有している。発光画素２０では、中継電極１０６と、画素電極３１と、第２の絶縁層２９とが順に積層されている（図５、図６参照）。第２の絶縁層２９は、画素電極３１の一部を露出させる開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒを有している。青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂは、画素電極３１Ｂと中継電極１０６Ｂと開口２９Ｂとを有している。緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇは、画素電極３１Ｇと中継電極１０６Ｇと開口２９Ｇとを有している。赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒは、画素電極３１Ｒと中継電極１０６Ｒと開口２９Ｒとを有している。
以降の説明では、中継電極１０６Ｂ，１０６Ｇ，１０６Ｒと称す場合と、これらをまとめて中継電極１０６と称す場合とがある。
なお、中継電極１０６は、本発明における「導電層」の一例である。中継電極１０６Ｂは本発明における「第１の導電層」の一例であり、中継電極１０６Ｇは本発明における「第２の導電層」の一例であり、中継電極１０６Ｒは本発明における「第３の導電層」の一例である。

発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。同様に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒも、平面視で矩形状となっており、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。

同図に示すように、中継電極１０６は、矩形状の発光画素２０の短い一辺に沿って配置され、平面視で少なくとも一部が画素電極３１と重なるように設けられている。詳細は後述するが、中継電極１０６は、画素電極３１と第３トランジスター２３とを電気的に接続する配線の一部である。換言すれば、画素電極３１は、中継電極１０６を介して第３トランジスター２３に接続されている。つまり、中継電極１０６が設けられた領域がコンタクト領域となる。

第２の絶縁層２９は、画素電極３１の周縁部を覆い、隣り合う画素電極３１同士を電気的に絶縁する役割を有している。上述したように、第２の絶縁層２９は、画素電極３１の一部を露出させる開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒを有している。第２の絶縁層２９で露出された部分の画素電極３１、つまり開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒで露出された画素電極３１が発光機能層３２に接し、発光機能層３２に電流を供給し、発光機能層３２を発光させる。このため、第２の絶縁層２９に設けられた開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの発光領域となる。このように、第２の絶縁層２９は、発光画素２０の発光領域を規定する役割も有している。
なお、本願発明において、画素電極３１は、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）において発光機能層３２に接して有機ＥＬ素子３０の電極として機能する電極部位と、トランジスターや配線と接続するコンタクト領域において電極部位と中継電極１０６とを接続する導電層として機能する導電部位とを少なくとも有している。

詳細は後述するが、本実施形態の発光画素２０は、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｂ，１０６Ｇ，１０６Ｒ）との間の距離ＤＹを小さくすることができる構成を有している。すなわち、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）を広くし、発光機能層３２で発せられる光の光度を高めることができる構成を有している。この点が、発光画素２０の特徴部分である。

「発光画素の断面構造」
次に、発光画素２０の断面構造について、図４乃至図８を参照して説明する。
図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図、つまり発光領域を規定する第２の絶縁層の開口が設けられた領域の概略断面図である。図５は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図、つまり画素電極と第３トランジスターとが電気的に接続された領域の概略断面図である。図６は、図３のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図、つまり赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素の概略断面図である。図７は、図３のＤ−Ｄ’線に沿った概略断面図、つまり緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素の概略断面図である。図８は、図３のＥ−Ｅ’線に沿った概略断面図、つまり青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素の概略断面図である。

なお、図４は、画素回路のうち、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２や、第１トランジスター２１及び第２トランジスター２２に関連する配線などを示し、第３トランジスター２３の図示を省略している。図５は、画素回路のうち、第３トランジスター２３や第３トランジスター２３に関連する配線などを示し、第１トランジスター２１及び第２トランジスターの図示を省略している。図６乃至図８では、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３や、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３に関連する配線などを示し、第１トランジスター２１の図示を省略している。

最初に、図４を参照して、発光領域を規定する第２の絶縁層２９の開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが設けられた領域の断面構造について説明する。
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０、封止基板７０、及び素子基板１０と封止基板７０とで挟持された樹脂層７１などを有している。

封止基板７０は、透光性の絶縁基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。封止基板７０は、表示領域Ｅに配置された有機ＥＬ素子３０が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅよりも広く設けられている。樹脂層７１は、素子基板１０と封止基板７０とを接着する役割を有し、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。

素子基板１０は、画素回路（第１トランジスター２１、第２トランジスター２２、第３トランジスター２３、蓄積容量２４、有機ＥＬ素子３０）、封止層４０、カラーフィルター５０などを有している。

発光画素２０で発せられた光は、カラーフィルター５０を透過して封止基板７０の側から射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造となっている。有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材１０ｓには、透明な石英基板やガラス基板だけでなく、不透明なセラミック基板や半導体基板を用いることができる。本実施形態では、基材１０ｓには、半導体基板、例えばシリコン基板を使用している。

基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０ｗと、ウェル部１０ｗとは異なる種類のイオンをウェル部１０ｗに注入することにより形成されたアクティブ層であるイオン注入部１０ｄとが設けられている。ウェル部１０ｗは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のチャネルとして機能する。イオン注入部１０ｄは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のソース・ドレインや配線の一部として機能する。

イオン注入部１０ｄやウェル部１０ｗが形成された基材１０ｓの表面を覆うように、絶縁膜１０ａが設けられている。絶縁膜１０ａは、トランジスター２１，２２，２３のゲート絶縁膜として機能する。絶縁膜１０ａの上には、例えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極２２ｇが設けられている。ゲート電極２２ｇは、第２トランジスター２２のチャネルとして機能するウェル部１０ｗに対向するように配置されている。他の第１トランジスター２１や第３トランジスター２３でも、同様にゲート電極が設けられている。

ゲート電極２２ｇを覆うように、第１層間絶縁膜１５が設けられている。第１層間絶縁膜１５には、例えば第１トランジスター２１のドレインや第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇに至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば第１トランジスター２１のドレイン電極２１ｄと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとに接続される配線が設けられている。

次に、第１層間絶縁膜１５や、第１層間絶縁膜１５の上の配線を覆うように、第２層間絶縁膜１６が設けられている。第２層間絶縁膜１６には、第１層間絶縁膜１５の上に設けられた配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁膜１６の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば蓄積容量２４の一方の電極２４ａと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとを電気的に接続させるコンタクト部が設けられている。また、蓄積容量２４の一方の電極２４ａと同層にデータ線１２が設けられている。データ線１２は、図４では図示省略された中継電極（配線）によって、第１トランジスター２１のソースに接続されている。

図示を省略するが、少なくとも蓄積容量２４の一方の電極２４ａを覆う誘電体層が設けられている。また、蓄積容量２４の他方の電極２４ｂが、誘電体層を挟んで、蓄積容量２４の一方の電極２４ａに対向して設けられている。これにより、これら一対の電極２４ａ，２４ｂと誘電体層とによって、蓄積容量２４が形成されている。

蓄積容量２４を覆うように、第３層間絶縁膜１７が設けられている。第３層間絶縁膜１７には、例えば蓄積容量２４の他方の電極２４ｂや第２層間絶縁膜１６上に形成された配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第３層間絶縁膜１７の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、電源線１４や中継電極１４ｃ（図５参照）などが設けられている。本実施形態では、電源線１４及び中継電極１４ｃは、光反射性と導電性とを兼ね備えた導電材料、例えばアルミニウムやアルミニウム合金などで構成されている。電源線１４及び中継電極１４ｃの膜厚は、概略１００ｎｍである。

電源線１４は、表示領域Ｅの略全面に設けられ、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに開口を有している。電源線１４の開口の中に、中継電極１４ｃが設けられている。電源線１４は、トランジスター２１，２２，２３の上方で、画素電極３１に対向するように配置されている。発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）で発した光は、電源線１４で反射される。
電源線１４は、本発明における「光反射層」の一例である。
なお、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）で発した光を反射する光反射層を、画素電極３１ごとに島状に設ける構成であってもよい。

電源線１４の上には、第１絶縁膜２５と、第２絶縁膜２６と、第３絶縁膜２７とが、順に積層されている。第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６、及び第３絶縁膜２７は、光透過性を有する絶縁材料で構成されている。本実施形態では、第１絶縁膜２５が窒化シリコンで構成され、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７が酸化シリコンで構成されている。第１絶縁膜２５の膜厚は、概略５０ｎｍである。第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７の膜厚は、概略６０ｎｍ〜７０ｎｍである。

第１絶縁膜２５は、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとに設けられている。第２絶縁膜２６は、緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとに設けられている。第３絶縁膜２７は、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒに設けられている。

第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と、第２絶縁膜２６と、第３絶縁膜２７とで構成される。
詳しくは、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５で構成され、膜厚Ｂｄ１を有している。そして、発光画素２０Ｂにおいて、膜厚Ｂｄ１を有する第１の絶縁層２８は、中継電極１０６Ｂと画素電極３１Ｂとを接続するコンタクト領域を除き、開口２９Ｂ（発光領域）からコンタクト領域に至るように設けられている。また、膜厚Ｂｄ１を有する第１の絶縁層２８は、Ｙ方向に並ぶ複数の発光画素２０Ｂに跨って設けられている。また、換言すると、第１の領域２８Ｂには、Ｙ方向に並ぶ開口２９Ｂ（発光領域）が複数設けられている。また、第１の領域２８Ｂ内に中継電極１０６Ｂと画素電極３１Ｂとを接続するコンタクト領域が設けられている。図５に示すように、当該コンタクト領域において、画素電極３１Ｂは中継電極１０６Ｂに直接接している。

緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで構成され、膜厚Ｇｄ１を有している。そして、発光画素２０Ｇにおいて、膜厚Ｇｄ１を有する第１の絶縁層２８は、中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとを接続するコンタクト領域を除き、開口２９Ｇ（発光領域）からコンタクト領域に至るように設けられている。膜厚Ｇｄ１を有する第１の絶縁層２８は、Ｙ方向に並ぶ複数の発光画素２０Ｇに跨って設けられている。また、換言すると、第２の領域２８Ｇには、Ｙ方向に並ぶ開口２９Ｇ（発光領域）が複数設けられている。また、第２の領域２８Ｇ内に中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとを接続するコンタクト領域が設けられている。図５に示すように、当該コンタクト領域において、画素電極３１Ｇはコンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。

赤色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とで構成され、膜厚Ｒｄ１を有している。そして、発光画素２０Ｒにおいて、膜厚Ｒｄ１を有する第１の絶縁層２８は、中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとを接続するコンタクト領域を除き、開口２９Ｒ（発光領域）からコンタクト領域に至るように設けられている。膜厚Ｒｄ１を有する第１の絶縁層２８は、Ｙ方向に並ぶ複数の発光画素２０Ｒに跨って設けられている。また、換言すると、第３の領域２８Ｒには、Ｙ方向に並ぶ開口２９Ｒ（発光領域）が複数設けられている。第３の領域２８Ｒ内に中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとを接続するコンタクト領域が設けられている。図５に示すように、当該コンタクト領域において、画素電極３１Ｒはコンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。

このため、発光画素２０Ｂの第１の絶縁層２８（膜厚Ｂｄ１）、発光画素２０Ｇの第１の絶縁層２８（膜厚Ｇｄ１）、発光画素２０Ｒの第１の絶縁層２８（膜厚Ｒｄ１）の順に厚くなっている。

換言すれば、第１絶縁膜２５で構成された第１の絶縁層２８、つまり発光画素２０Ｂが配置された領域の第１の絶縁層２８が、第１の領域２８Ｂに対応する。第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで構成された第１の絶縁層２８、つまり発光画素２０Ｇが配置された領域の第１の絶縁層２８が、第２の領域２８Ｇに対応する。第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とで構成された第１の絶縁層２８、つまり発光画素２０Ｒが配置された領域の第１の絶縁層２８が、第３の領域２８Ｒに対応する。
なお、膜厚Ｂｄ１は、本発明における「第１の層厚」の一例である。膜厚Ｇｄ１は、本発明における「第２の層厚」の一例である。膜厚Ｒｄ１は、本発明における「第３の層厚」の一例である。

画素電極３１は、第１の絶縁層２８の上に島状に設けられ、第１の絶縁層２８を挟んで電源線１４に対向する。詳しくは、画素電極３１Ｂは膜厚Ｂｄ１の第１の絶縁層２８の上に島状に設けられ、画素電極３１Ｇは膜厚Ｇｄ１の第１の絶縁層２８の上に島状に設けられ、画素電極３１Ｒは膜厚Ｂｄ１の第１の絶縁層２８の上に島状に設けられている。画素電極３１は、光透過性を有し、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性材料で形成され、発光機能層３２に正孔を供給するための電極となる。画素電極３１の膜厚は、概略１００ｎｍである。

画素電極３１の周縁部を覆うように、第２の絶縁層２９が設けられている。第２の絶縁層２９は、例えば酸化シリコンで構成され、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂのそれぞれを絶縁している。第２の絶縁層２９の膜厚は、概略６０ｎｍである。第２の絶縁層２９には、開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが設けられている。開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが設けられた領域が、発光画素２０の発光領域となる。なお、第２の絶縁層２９は、有機材料、例えばアクリル系の感光性樹脂を用いて形成してもよい。
画素電極３１及び第２の絶縁層２９を覆うように、発光機能層３２と、対向電極３３と封止層４０とが、順に積層されている。

発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが有機発光層で結合し、発光機能層３２が発光する（光を発する）。発光機能層３２の膜厚は、概略１１０ｎｍである。
有機発光層は、赤色、緑色、及び青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層で構成してもよいし、複数の層（例えば、電流が流れると主に青色で発光する青色発光層と、電流が流れると赤色と緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成してもよい。

対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するための共通電極である。対向電極３３は、発光機能層３２を覆って設けられ、例えばＭｇとＡｇとの合金などで構成され、光透過性と光反射性とを有している。対向電極３３の膜厚は、概略１０ｎｍ〜３０ｎｍである。対向電極３３の構成材料（ＭｇとＡｇとの合金など）を薄膜化することで、光反射性の機能に加えて光透過性の機能を付与することができる。

対向電極３３の上には、封止層４０が配置されている。封止層４０は、発光機能層３２や対向電極３３の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、発光機能層３２や対向電極３３への水分や酸素の侵入を抑制している。封止層４０は、対向電極３３の側から順に積層された第１封止層４１と緩衝層４２と第２封止層４３とで構成され、有機ＥＬ素子３０（表示領域Ｅ）を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。なお、封止層４０には、外部接続用端子１０３端子（図１参照）を露出させる開口（図示省略）が設けられている。

第１封止層４１は、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。第１封止層４１の膜厚は、概略２００ｎｍ〜４００ｎｍである。第１封止層４１を構成する材料は、上述したシリコン酸窒化物の他に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び酸化チタンなどの金属酸化物などを使用することができる。

緩衝層４２は、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。緩衝層４２の膜厚は、第１封止層４１の膜厚よりも大きく、概略１０００ｎｍ〜５０００ｎｍである。緩衝層４２は、第１封止層４１の欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、緩衝層４２における第２封止層４３側の面は、対向電極３３側の面に比べ平坦な面を形成する。

第２封止層４３は、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成される。第２封止層４３の膜厚は、概略３００ｎｍ〜７００ｎｍである。第２封止層４３は、第１封止層４１と同じ材料で構成され、水分や酸素に対して高いバリア性を有している。

封止層４０の上には、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対応した着色層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒが設けられている。換言すれば、封止層４０の上には、着色層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒで構成されるカラーフィルター５０が設けられている。ここで、カラーフィルター５０は、封止層４０の上に積層して設けられている。

次に、図５を参照して、画素電極３１と第３トランジスター２３とが電気的に接続された部分（コンタクト部）の断面構造について説明する。

図５に示すように、基材１０ｓには、第３トランジスター２３のソースとして機能するイオン注入部１０ｄが設けられている。イオン注入部１０ｄ（基材１０ｓ）は、絶縁膜１０ａと第１層間絶縁膜１５とで覆われている。第１層間絶縁膜１５及び絶縁膜１０ａには、第３トランジスター２３のイオン注入部１０ｄに至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第３トランジスター２３のソース電極２３ｓ及び当該ソース電極２３ｓに接続される配線が設けられている。

第１層間絶縁膜１５及びソース電極２３ｓに接続される配線は、第２層間絶縁膜１６で覆われている。第２層間絶縁膜１６には、ソース電極２３ｓに接続される配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁膜１６の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第２層間絶縁膜１６の上に配線が設けられている。第２層間絶縁膜１６は、第３層間絶縁膜１７で覆われている。第３層間絶縁膜１７には、第２層間絶縁膜１６の上に設けられた配線に至るコンタクトホールが設けられている。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第３層間絶縁膜１７の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第３層間絶縁膜１７の上に電源線１４及び中継電極１４ｃが設けられている。

上述したように、電源線１４は、表示領域Ｅの略全面に設けられ、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに開口を有している。中継電極１４ｃは、電源線１４の開口の中に、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに島状に設けられている。また、中継電極１４ｃは、画素電極３１と第３トランジスター２３とを電気的に接続する配線の一部をなす。

電源線１４及び中継電極１４ｃを覆うように、第１絶縁膜２５が設けられている。第１絶縁膜２５には、中継電極１４ｃの一部を露出させるコンタクトホール６１ＣＴが設けられている。コンタクトホール６１ＣＴ内を少なくとも被覆し、第１絶縁膜２５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第１絶縁膜２５の上に中継電極１０６が設けられている。中継電極１０６は、コンタクトホール６１ＣＴを介して中継電極１４ｃに、接続されている。中継電極１０６は、画素電極３１と第３トランジスター２３とを電気的に接続する配線の一部をなす。

中継電極１０６は、遮光性の導電材料、例えば窒化チタンで構成される。中継電極１０６の膜厚は、概略５０ｎｍである。中継電極１０６は、平面視で電源線１４の開口を覆うように、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに島状に設けられている。換言すれば、中継電極１０６は、発光機能層３２で発した光が、電源線１４の開口を通過してトランジスター２１，２２，２３に入射しないように設けられている。すなわち、中継電極１０６は、発光機能層３２で発した光の入射を遮り、トランジスター２１，２２，２３の誤動作を抑制する役割も有している。

画素電極３１は、平面視で中継電極１０６と重なるように設けられている。上述したように、発光画素２０Ｂには中継電極１０６Ｂと画素電極３１Ｂとが設けられ、発光画素２０Ｇには中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとが設けられ、発光画素２０Ｒには中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとが設けられている。

発光画素２０Ｂにおいて、画素電極３１Ｂは中継電極１０６Ｂに直接接している。

発光画素２０Ｇにおいて、中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとの間には、第２絶縁膜２６が設けられている。第２絶縁膜２６には、中継電極１０６Ｇの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ１が設けられている。画素電極３１Ｂは、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。

発光画素２０Ｒにおいて、中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとの間には、中継電極１０６Ｒの側から順に第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とが設けられている（積層されている）。第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７には、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２が設けられている。画素電極３１Ｒは、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。
なお、コンタクトホール２８ＣＴ１は、本発明における「第１のコンタクトホール」の一例である。コンタクトホール２８ＣＴ２は、本発明における「第２のコンタクトホール」の一例である。

このように、中継電極１４ｃと中継電極１０６との間に配置される絶縁膜は、発光画素２０Ｂ、２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれで共通（第１絶縁膜２５）である。さらに、電源線１４と画素電極３１との間に配置される第１の絶縁層２８の膜厚は、発光画素２０Ｂ、２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれで異なっている。詳しくは、発光画素２０Ｂでは、電源線１４と画素電極３１との間に、第１絶縁膜２５で構成される膜厚Ｂｄ１の第１の絶縁層２８が配置されている。発光画素２０Ｇでは、電源線１４と画素電極３１との間に、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで構成される膜厚Ｇｄ１の第１の絶縁層２８が配置されている。発光画素２０Ｒでは、電源線１４と画素電極３１との間に、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで第３絶縁膜２７とで構成される膜厚Ｒｄ１の第１の絶縁層２８が配置されている。

ここで、本実施形態では、第１絶縁膜２５が窒化シリコンで構成され、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７が酸化シリコンで構成されている。そして、中継電極１４ｃと中継電極１０６との間に配置される絶縁膜を窒化シリコンとすることで、酸化シリコンで構成される第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７を加工する際に、第１絶縁膜２５に対するエッチングの選択比を確保できるため加工精度を向上させることができるとともに、中継電極１４ｃと画素電極３１とを確実に接続することができる。

第１の領域２８Ｂでは、膜厚Ｂｄ１の第１の絶縁層２８（第１絶縁膜２５）の上に画素電極３１Ｂが設けられ、画素電極３１Ｂは中継電極１０６Ｂに直接接している。第２の領域２８Ｇでは、膜厚Ｇｄ１の第１の絶縁層２８（第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６）の上に画素電極３１Ｇが設けられ、画素電極３１Ｇはコンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。第３の領域２８Ｒでは、膜厚Ｒｄ１の第１の絶縁層２８（第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７）の上に画素電極３１Ｒが設けられ、画素電極３１Ｒはコンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。

第１の領域２８Ｂに設けられた画素電極３１Ｂ、第２の領域２８Ｇに設けられた画素電極３１Ｇ、及び第３の領域２８Ｒに設けられた画素電極３１Ｒは、第２の絶縁層２９で覆われている。さらに、第２の絶縁層２９の上には、発光機能層３２と、対向電極３３と、封止層４０と、カラーフィルター５０とが順に設けられている（積層されている）。

次に、図６乃至図８を参照して、発光画素２０におけるＹ方向の断面構造について説明する。
図６乃至図８に示すように、基材１０ｓには、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とが共用するウェル部１０ｗが設けられている。当該ウェル部１０ｗには、３つのイオン注入部１０ｄが設けられている。３つのイオン注入部１０ｄのうち中央側に位置するイオン注入部１０ｄは、第２トランジスター２２と第３トランジスター２３とが共用するドレイン２２ｄ（２３ｄ）として機能するものである。当該ウェル部１０ｗを覆う絶縁膜１０ａが設けられる。そして、絶縁膜１０ａの上には、例えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極２２ｇ，２３ｇ（第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇ、第３トランジスター２３のゲート電極２３ｇ）が設けられている。ゲート電極２２ｇ，２３ｇのそれぞれは、中央側のイオン注入部１０ｄと端側のイオン注入部１０ｄとの間のウェル部１０ｗにおけるチャネルとして機能する部分に対向するように配置されている。

次に、第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇは、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１６とを貫通するコンタクトホールによって、第２層間絶縁膜１６上に設けられた蓄積容量２４の一方の電極２４ａに接続されている。第２トランジスター２２のソース電極２２ｓは、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１６と第３層間絶縁膜１７とを貫通するコンタクトホールによって、第３層間絶縁膜１７上に設けられた電源線１４に接続されている。

第３トランジスター２３のゲート電極２３ｇは、第１層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールによって、第１層間絶縁膜１５上に設けられた点灯制御線１３に接続されている。第１層間絶縁膜１５上には、点灯制御線１３以外に走査線１１が設けられている。走査線１１は、図５には図示されていないコンタクトホールを経由して、第１トランジスター２１のゲートに接続されている。

第３トランジスター２３のソース電極２３ｓは、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１６と第３層間絶縁膜１７とを貫通するコンタクトホールによって、第３層間絶縁膜１７上に設けられた中継電極１４ｃに接続されている。中継電極１４ｃは、第１絶縁膜２５で覆われ、コンタクトホール２５ＣＴを介して、第１絶縁膜２５の上に設けられた中継電極１０６に接続されている。

発光画素２０Ｒでは、画素電極３１Ｒが、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７に設けられたコンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。
図６のように、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７は、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して画素電極３１Ｒと中継電極１０６Ｒとが接続されるコンタクト領域を除いて発光画素２０Ｒに設けられている。第１絶縁膜２５は、コンタクトホール２５ＣＴを介して中継電極１０６Ｒと中継電極１４ｃとが接続されるコンタクト領域を除いて発光画素２０Ｒに設けられている。コンタクトホール２８ＣＴ２、中継電極１０６Ｒ、コンタクトホール２５ＣＴは、本発明における「第３接続部」の一例である。第３接続部は、第３の領域２８Ｒ（第３の層厚の部分）に設けられている。第３接続部は、第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７により囲まれている。そして、第３の領域２８Ｒ（第３の層厚の部分）には、開口２９Ｒ（発光領域）がＹ方向に並んでいる。また、第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７は、第３接続部の間を埋めるように設けられている。したがって、開口２９Ｒ（発光領域）とコンタクト領域との間には第１の絶縁層２８による段差がなく、段差がある場合と比して発光領域（開口２９Ｒ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｇ）との間の距離ＤＹを小さくできる。換言すると、開口２９Ｒ（発光領域）を図６の右側のコンタクト領域に近づけることが可能である。さらに、開口２９Ｒ（発光領域）を図６の左側のコンタクト領域にも近づけることが可能である。したがって、開口２９Ｒ（発光領域）を大きくすることができる。

発光画素２０Ｇでは、画素電極３１Ｇが、第２絶縁膜２６に設けられたコンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。
図７のように、第２絶縁膜２６は、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して画素電極３１Ｇと中継電極１０６Ｇとが接続されるコンタクト領域を除いて発光画素２０Ｇに設けられている。また、第１絶縁膜２５は、コンタクトホール２５ＣＴを介して中継電極１０６Ｇと中継電極１４ｃとが接続される領域を除いて発光画素２０Ｇに設けられている。コンタクトホール２８ＣＴ１、中継電極１０６Ｇ、コンタクトホール２５ＣＴは、本発明における「第２接続部」「第４接続部」の一例である。第２接続部及び第４接続部は、第２の領域２８Ｇ（第２の層厚の部分）に設けられている。第２接続部及び第４接続部は、第１絶縁膜２５及び第２絶縁膜２６により囲まれている。そして、第２の領域２８Ｇ（第２の層厚の部分）には、開口２９Ｇ（発光領域）がＹ方向に並んでいる。また、第１絶縁膜２５及び第２絶縁膜２６は、第２接続部と第４接続部との間を埋めるように設けられている。したがって、開口２９Ｇ（発光領域）とコンタクト領域との間には第１の絶縁層２８による段差がなく、段差がある場合と発光領域（開口２９Ｇ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｇ）との間の距離ＤＹを小さくできる。換言すると、開口２９Ｇ（発光領域）を図７の右側のコンタクト領域に近づけることが可能である。さらに、開口２９Ｇ（発光領域）を図７の左側のコンタクト領域にも近づけることが可能である。したがって、開口２９Ｇ（発光領域）を大きくすることができる。

発光画素２０Ｂでは、画素電極３１Ｂが中継電極１０６Ｂに直接接している。
図８のように、コンタクトホール２５ＣＴを介して中継電極１０６Ｂと中継電極１４ｃとが接続されるコンタクト領域を除き、第１絶縁膜２５が設けられている。コンタクトホール２５ＣＴ、中継電極１０６Ｂは、本発明における「第１接続部」の一例である。第１接続部は、第１の領域（第１の層厚の部分）に設けられている。第２接続部は、第１絶縁膜２５、第１絶縁膜２５及び第２絶縁膜２６により囲まれている。そして第１の領域（第１の層厚の部分）には、開口２９Ｂ（発光領域）がＹ方向に並んでいる。また、第１絶縁膜２５は、第１接続部の間を埋めるように設けられている。したがって、開口２９Ｂ（発光領域）とコンタクト領域との間には第１の絶縁層２８による段差がなく、段差がある場合と比して発光領域（開口２９Ｂ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｇ）との間の距離ＤＹを小さくできる。換言すると、開口２９Ｂ（発光領域）を図８の右側のコンタクト領域に近づけることが可能である。さらに、開口２９Ｒ（発光領域）を図８の左側のコンタクト領域にも近づけることが可能である。したがって、開口２９Ｂ（発光領域）を大きくすることができる。
画素電極３１の上には、第２の絶縁層２９と、発光機能層３２と、対向電極３３と、封止層４０と、カラーフィルター５０とが順に積層されている。

「光共振構造」
発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）には、光反射性を有する電源線１４と、第１の絶縁層２８と、画素電極３１と、発光機能層３２と、光反射性と光透過性とを有する対向電極３３とが積層されている。かかる構成によって、発光機能層３２で発した光を電源線１４と対向電極３３との間で往復させ（反射し）、特定波長の光を共振させる。これにより特定波長の光が他の波長領域に比べて強められ、有機ＥＬ素子３０から出射する。さらに、特定波長の光は、電源線１４から対向電極３３に向かう方向、つまり封止基板７０から表示光として射出される。このように、有機ＥＬ装置１００は、電源線１４と第１の絶縁層２８と画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とで構成される光共振構造を有し、特定波長の光を選択的に強めて、発光画素２０から発する光の色純度を高める構成を有している。
以下に光共振構造の概要を説明する。

第１の絶縁層２８は、電源線１４と対向電極３３との間の光路長（光学的な距離）を調整する役割を有し、第１の絶縁層２８の膜厚に応じて共振波長が変化するようになっている。詳しくは、電源線１４から対向電極３３までの光学的な距離をＤ、反射層での反射における位相シフトをφＬ、対向電極３３での反射における位相シフトをφＵ、定在波のピーク波長をλ、整数をｍとすると、光学的な距離Ｄは、下記の数式（１）を満たすようになっている。
Ｄ＝{（２πｍ＋φＬ＋φＵ）／４π}λ・・・（１）

発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの光共振構造における光学的な距離Ｄは、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に大きくなり、電源線１４と画素電極３１との間に配置された第１の絶縁層２８の膜厚を異ならせることによって調整されている。

図６に示すように、発光画素２０Ｒでは、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間に配置される第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とで構成され、膜厚Ｒｄ１を有している。図７に示すように、発光画素２０Ｇでは、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間に配置される第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とで構成され、膜厚Ｇｄ１を有している。図８に示すように、発光画素２０Ｂでは、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間に配置される第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５で構成され、膜厚Ｂｄ１を有している。このため、第１の絶縁層２８の膜厚は、発光画素２０Ｂ（膜厚Ｂｄ１）＜発光画素２０Ｇ（膜厚Ｇｄ１）＜発光画素２０Ｒ（膜厚Ｒｄ１）の順に大きくなる。このため、光学的な距離Ｄも、発光画素２０Ｂ＜発光画素２０Ｇ＜発光画素２０Ｒの順に大きくなる。

詳しくは、発光画素２０Ｒでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が６１０ｎｍとなるように、光学的な距離Ｄが設定されている。同じく、発光画素２０Ｇでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が５４０ｎｍとなるように、光学的な距離Ｄが設定されている。発光画素２０Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、光学的な距離Ｄが設定されている。

上記ピーク波長を実現するため、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚を概略１００ｎｍとし、発光機能層３２の膜厚を概略１１０ｎｍとし、上記数式（１）においてｍ＝１として、反射層と対向電極３３との間の第１の絶縁層２８の膜厚を算出すると、発光画素２０Ｒでは１７０ｎｍ、発光画素２０Ｇでは１１５ｎｍ、及び発光画素２０Ｂでは５０ｎｍとなる。すなわち、発光画素２０Ｒ（第３の領域２８Ｒ）における第１の絶縁層２８の膜厚Ｒｄ１は概略１７０ｎｍ、発光画素２０Ｇ（第２の領域２８Ｇ）における第１の絶縁層２８の膜厚Ｇｄ１は概略１１５ｎｍ、発光画素２０Ｂ（第１の領域２８Ｂ）における第１の絶縁層２８の膜厚Ｂｄ１は概略５０ｎｍとなる。このような第１の絶縁層２８が形成されるように、第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２６、及び第３絶縁膜２７の膜厚が調整されている。

その結果、発光画素２０Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられ、発光画素２０Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられ、発光画素２０Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられる。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、上述した光共振構造によって発光画素２０から発する光の色純度を高め、鮮やかな表示を提供することができる。

図６に示すように、発光画素２０Ｒでは、開口２９Ｒが設けられた領域が発光領域となり、中継電極１０６Ｒが設けられた領域がコンタクト領域となる。画素電極３１Ｒは、発光領域及びコンタクト領域に跨って配置されている。画素電極３１Ｒが配置された領域の第１の絶縁層２８の膜厚はＲｄ１であるので、光学的な距離Ｄも一定になっている。このため、発光領域（開口２９Ｒ）を広くし、発光領域（開口２９Ｒ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｒ）との間の距離ＤＹを小さくしても、発光領域における光学的な距離Ｄは一定であり、６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられる。すなわち、発光領域から発する光のピーク波長を維持して、赤色（Ｒ）の光の光度を高めることができる。

図７に示すように、発光画素２０Ｇでは、開口２９Ｇが設けられた領域が発光領域となり、中継電極１０６Ｇが設けられた領域がコンタクト領域となる。画素電極３１Ｇは、発光領域及びコンタクト領域に跨って配置されている。画素電極３１Ｇが配置された領域の第１の絶縁層２８の膜厚はＧｄ１であるので、光学的な距離Ｄも一定になっている。このため、発光領域（開口２９Ｇ）を広くし、発光領域（開口２９Ｒ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｇ）との間の距離ＤＹを小さくしても、発光領域における光学的な距離Ｄは一定であり、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられる。すなわち、発光領域から発する光のピーク波長を維持して、緑色（Ｇ）の光の光度を高めることができる。

図８に示すように、発光画素２０Ｂでは、開口２９Ｂが設けられた領域が発光領域となり、中継電極１０６Ｂが設けられた領域がコンタクト領域となる。画素電極３１Ｂは、発光領域及びコンタクト領域に跨って配置されている。画素電極３１Ｂが配置された領域の第１の絶縁層２８の膜厚はＢｄ１であるので、光学的な距離Ｄも一定になっている。このため、発光領域（開口２９Ｂ）を広くし、発光領域（開口２９Ｂ）とコンタクト領域（中継電極１０６Ｂ）との間の距離ＤＹを小さくしても、発光領域における光学的な距離Ｄは一定であり、４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられる。すなわち、発光領域から発する光のピーク波長を維持して、青色（Ｂ）の光の光度を高めることができる。

例えば、公知技術（特開２００９−１３４０６７号公報）では、発光領域における光学的な距離とコンタクト領域における光学的な距離とが異なり、発光領域とコンタクト領域との間に、異なる光学的な距離の境界を有している。仮に、当該境界を越えて発光領域を広くすると、発光領域に光学的な距離が異なる部分が生じ、発光領域からピーク波長が異なる光が発せられ、発光領域から発する光の色純度が悪くなる。このため、公知技術では、当該境界を越えて発光領域を広くすることが難しい。

本実施形態では、発光領域とコンタクト領域との間で光学的な距離Ｄは一定であるので、公知技術と比べて発光領域を広くし、発光領域から発する光の光度を高めることができる。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、明るく鮮やかな表示を提供することができる。

なお、発光機能層３２の発光に悪影響がない範囲で、発光領域（開口２９Ｂ、２９Ｇ、２９Ｒ）を広くすることができる。例えば、発光機能層３２の発光に悪影響がないのであれば、コンタクト領域（中継電極１０６Ｂ，１０６Ｇ，１０６Ｒ）の少なくとも一部に重なるように、発光領域（開口２９Ｂ、２９Ｇ、２９Ｒ）を広げてもよい。

「有機ＥＬ装置の製造方法」
次に、図９乃至図１１を参照して、有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する。図９は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図１０及び図１１は、図５に対応し、図９に示す各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図である。なお、図１０及び図１１では、素子基板１０における電源線１４よりも下層に設けられた画素回路や配線の図示を省略している。

図９に示すように、有機ＥＬ装置１００を製造する工程は、光反射層としての電源線１４を形成する工程（ステップＳ１）と、第１絶縁膜２５を形成する工程（ステップＳ２）と、中継電極１０６を形成する工程（ステップＳ３）と、第２絶縁膜２６を形成する工程（ステップＳ４）と、第２絶縁膜２６をエッチングする工程（ステップＳ５）と、第３絶縁膜２７を形成する工程（ステップＳ６）と、第３絶縁膜２７をエッチングする工程（ステップＳ７）と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ８）と、を含んでいる。

ステップＳ１では、図１０（ａ）に示すように、例えばスパッタ法でアルミニウムやアルミニウム合金などを概略１００ｎｍの膜厚で成膜し、これをパターニングして光反射層としての電源線１４と、中継電極１４ｃとを形成する。上述したように、電源線１４は、表示領域Ｅの略全面に形成され、発光機能層３２を発光させる電流の供給源、及び発光機能層３２で発した光を反射する光反射層となる。電源線１４は、発光画素２０の中に開口を有し、当該開口の中に中継電極１４ｃが設けられている。つまり、電源線１４は複数の発光画素２０に跨って設けられ、中継電極１４ｃは複数の発光画素２０のそれぞれに島状に設けられている。

ステップＳ２では、図１０（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法で窒化シリコンを概略５０ｎｍの膜厚で成膜し、これをパターニングして、中継電極１４ｃの一部を露出させるコンタクトホール２５ＣＴを有する第１絶縁膜２５を形成する。

ステップＳ３では、図１０（ｃ）に示すように、例えばスパッタ法で窒化チタンを概略５０ｎｍの膜厚で成膜し、これをパターニングして中継電極１０６を形成する。中継電極１０６は、平面視で電源線１４の開口を覆うように形成され、コンタクトホール２５ＣＴを介して中継電極１４ｃに接続されている。

ステップＳ４では、例えばプラズマＣＶＤ法で酸化シリコンを概略６０ｎｍ〜７０ｎｍ膜厚で成膜し、図１０（ｄ）に示すように、第１絶縁膜２５及び中継電極１０６を覆う第２絶縁膜２６を形成する。

続いて、ステップＳ５で、図１１（ａ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法で第２絶縁膜２６の一部をエッチング除去して、開口Ｃ１を形成する。つまり、開口Ｃ１に対応した第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇは、第２絶縁膜２６が設けられておらず、開口Ｃ１が形成されていない第３の領域２８Ｒには第２絶縁膜２６が設けられている。ここで、第３の領域２８Ｒの中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２を形成する。

ここで、第１絶縁膜２５が窒化シリコンで構成され、第２絶縁膜２６が酸化シリコンで構成されているため、第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６との間にエッチング時の選択比がある。第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇの発光領域に対応した領域では、第１絶縁膜２５が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。また、第３の領域２８Ｒのコンタクト領域では、コンタクトホール２８ＣＴ２が形成され、中継電極１０６Ｒの表面が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。同様に、第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇのコンタクト領域では、中継電極１０６Ｂ及び中継電極１０６Ｇの表面が露出しその周囲では第１絶縁膜２５が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。

続いて、ステップＳ６では、図１１（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法で酸化シリコンを概略６０ｎｍ〜７０ｎｍ膜厚で成膜し、第３絶縁膜２７を形成する。ここで、第３絶縁膜２７は、第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇの発光領域に対応した領域では、第１絶縁膜２５上に積層され、第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇのコンタクト領域では、中継電極１０６Ｂ及び中継電極１０６Ｇの表面に積層される。また、第３の領域２８Ｒの発光領域に対応した領域では、第２絶縁膜２６上に積層され、第３の領域２８Ｒのコンタクト領域では、中継電極１０６Ｒ及び第２絶縁膜２６上に積層される。即ち、第３絶縁膜２７は第２絶縁膜２６に設けられたコンタクトホール２８ＣＴ２内に形成される。

ステップＳ７では、図１１（ｃ）に示すように、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング法で、開口Ｃ１内において酸化シリコン（第３絶縁膜２７）をエッチング除去し、開口Ｃ１の中に開口Ｃ２を形成する。つまり、開口Ｃ２は、第３絶縁膜２７に設けられている。開口Ｃ２の第１の絶縁層２８では、電源線１４の上に第１絶縁膜２５が積層され、膜厚Ｂｄ１を有している。開口Ｃ２が形成されていない部分の開口Ｃ１の第１の絶縁層２８では、電源線１４の上に第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６が積層され、膜厚Ｇｄ１を有している。よって、開口Ｃ２が、第１の領域２８Ｂとなる。また、開口Ｃ２が形成されていない部分の開口Ｃ１には、電源線１４の上に第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６とが積層され、膜厚Ｇｄ１を有している。よって、開口Ｃ２が形成されていない部分の開口Ｃ１が第２の領域２８Ｇとなる。開口Ｃ１が形成されていない領域の第１の絶縁層２８では、電源線１４の上に第１絶縁膜２５と第２絶縁膜２６と第３絶縁膜２７とが積層され、膜厚Ｒｄ１を有している。よって、開口Ｃ１が形成されていない領域が、第３の領域２８Ｒとなる。また、開口Ｃ１が、第１の領域２８Ｂ及び第２の領域２８Ｇに対応する。

また、ステップＳ７では、同時に、第２の領域２８Ｇの中継電極１０６Ｇの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ１、及び第３の領域２８Ｒの中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２を形成する。
ここで、第１絶縁膜２５が窒化シリコンで構成され、第３絶縁膜２７が酸化シリコンで構成されているため、第１絶縁膜２５と第３絶縁膜２７との間にエッチング時の選択比がある。第１の領域２８Ｂの発光領域に対応した領域では、第１絶縁膜２５が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。
第３の領域２８Ｒのコンタクト領域では、コンタクトホール２８ＣＴ２が形成されて中継電極１０６Ｒの表面が露出し、第２の領域２８Ｇのコンタクト領域では、コンタクトホール２８ＣＴ１が形成されて中継電極１０６Ｇの表面が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。同様に、第１の領域２８Ｂのコンタクト領域では、中継電極１０６Ｂの表面が露出しその周囲では第１絶縁膜２５が露出したところで、エッチング速度が遅くなり、理想的にはエッチングがストップする。

ステップＳ８では、図１１（ｄ）に示すように、例えばスパッタ法でＩＴＯを概略１００ｎｍの膜厚で成膜し、これをパターニングして、画素電極３１を形成する。第１の領域２８Ｂでは、中継電極１０６Ｂに直接接する画素電極３１Ｂが形成されている。第２の領域２８Ｇでは、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続された画素電極３１Ｇが形成されている。第３の領域２８Ｒでは、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続された画素電極３１Ｒが形成されている。
その後、発光画素２０の発光領域を規定する第２の絶縁層２９を形成するステップ、発光機能層３２を形成するステップ、対向電極３３を形成するステップを有する。
上記製造方法によって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を、安定して製造することができる。

（実施形態２）
「有機ＥＬ装置の概要」
図１２は、図４に対応し、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図、すなわち発光領域を規定する第２の絶縁層の開口が設けられた領域の概略断面図である。図１３は、図５に対応し、実施形態２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す他の概略断面図、すなわち画素電極と第３トランジスターとが電気的に接続された領域の概略断面図である。
以下、図１２及び図１３を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００の概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。

本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の絶縁層２８の構成が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
図１２に示すように、第１の絶縁層２８は、光反射層としての電源線１４と画素電極３１との間に配置された光学的な距離の調整層である。第１の絶縁層２８は、電源線１４の側から順に積層された第１絶縁膜２５と有機絶縁層６１とで構成されている。

第１絶縁膜２５は、実施形態１と同じ構成を有しており、概略５０ｎｍの膜厚の窒化シリコンである。

有機絶縁層６１は、第１絶縁膜２５の側から順に積層された第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとで構成されている。第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂはアクリル樹脂で構成され、実施形態１における第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７（酸化シリコン）と略同じ屈折率を有している。このため、第１有機絶縁膜６１ａは、実施形態１における第２絶縁膜２６と同じ膜厚、つまり同じ光学的な距離（屈折率と膜厚との積）を有している。第２有機絶縁膜６１ｂは、実施形態１における第３絶縁膜２７と同じ膜厚、つまり同じ光学的な距離（屈折率と膜厚との積）を有している。具体的には、第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂの膜厚は、それぞれ概略６０ｎｍ〜７０ｎｍである。

第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂは、光透過性を有する樹脂であればよく、上述したアクリル樹脂の他に、ポリエステル、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物、ポリシロキサン、その他有機珪素化合物などを使用することができる。

第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂの屈折率が、実施形態１における第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７の屈折率と異なる場合は、実施形態１における第２絶縁膜２６及び第３絶縁膜２７と光学的な距離が略同じになるように、第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂの膜厚を調整する必要がある。

有機絶縁層６１は、第１有機絶縁膜６１ａが配置された部分６２と、第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとが配置（積層）された部分６３とを有している。発光画素２０Ｂの第１の絶縁層２８、つまり第１の領域２８Ｂの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５で構成され、膜厚Ｂｄ１（概略５０ｎｍ）を有している。発光画素２０Ｇの第１の絶縁層２８、つまり第２の領域２８Ｇの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と第１有機絶縁膜６１ａ（第１有機絶縁膜６１ａが配置された部分６２の有機絶縁層６１）とで構成され、膜厚Ｇｄ１（概略１１５ｎｍ）を有している。発光画素２０Ｒの第１の絶縁層２８、つまり第３の領域２８Ｒの第１の絶縁層２８は、第１絶縁膜２５と、第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂ（第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとが配置された部分６３の有機絶縁層６１）とで構成され、膜厚Ｒｄ１（概略１７０ｎｍ）を有している。このように、第１有機絶縁膜６１ａが配置された部分６２は、第２の領域２８Ｇに対応する。第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとが配置された部分６３は、第３の領域２８Ｒに対応する。

第１有機絶縁膜６１ａが配置された部分６２は、本発明における「第１の平坦部」の一例であり、以降、第１の平坦部６２と称す。第１有機絶縁膜６１ａと第２有機絶縁膜６１ｂとが配置された部分６３は、本発明における「第２の平坦部」の一例であり、以降、第２の平坦部６３と称す。

かかる構成によって、発光機能層３２で発した光を電源線１４と対向電極３３との間で往復させ、特定波長の光を共振させて（増幅させて）、特定波長の光を封止基板７０から表示光として射出させることができる。その結果、発光画素２０Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられ、発光画素２０Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられ、発光画素２０Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられる。

「コンタクト部の概要」
次に、図１３を参照して、画素電極３１と第３トランジスター２３とが電気的に接続された部分（コンタクト部）の概要を説明する。

図１３に示すように、発光画素２０Ｂでは、画素電極３１Ｂは中継電極１０６Ｂに直接接し、実施形態１と同じ構成を有している。

発光画素２０Ｇでは、中継電極１０６Ｇと画素電極３１Ｇとの間に、第１有機絶縁膜６１ａ（第１の平坦部６２の有機絶縁層６１）が設けられている。第１有機絶縁膜６１ａには、中継電極１０６Ｇの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ１が設けられている。画素電極３１Ｇは、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続されている。

発光画素２０Ｒでは、中継電極１０６Ｒと画素電極３１Ｒとの間に、第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂ（第２の平坦部６３の有機絶縁層６１）が設けられている。第１有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂには、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２が設けられている。画素電極３１Ｒは、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続されている。

本実施形態においても、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれで、光学的な距離の調整層である第１の絶縁層２８の膜厚は一定であるため、公知技術（特開２００９−１３４０６７号公報）と比べて発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）を広くすることができるという実施形態１と同様の効果を得ることができる。

「有機ＥＬ装置の製造方法」
次に、図１４乃至図１６を参照して、有機ＥＬ装置２００の製造方法を説明する。図１４は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フローである。図１５及び図１６は、図１０及び図１１に対応し、図１４に示す各工程を経た後の有機ＥＬ装置の状態を示す概略断面図である。

図１４に示すように、有機ＥＬ装置２００を製造する工程は、光反射層としての電源線１４を形成する工程（ステップＳ１１）と、第１絶縁膜２５を形成する工程（ステップＳ１２）と、中継電極１０６を形成する工程（ステップＳ１３）と、第１有機絶縁膜６１ａを形成する工程（ステップＳ１４）と、第２有機絶縁膜６１ｂを形成する工程（ステップＳ１５）と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ１６）と、を含んでいる。

なお、ステップＳ１１は実施形態１におけるステップＳ１と同じであり、ステップＳ１２は実施形態１におけるステップＳ２と同じであり、ステップＳ１３は実施形態１におけるステップＳ３と同じであり、ステップＳ１６は実施形態１におけるステップＳ９と同じである。

ステップＳ１１では、図１５（ａ）に示すように、電源線１４及び中継電極１４ｃを形成する。

ステップＳ１２では、図１５（ｂ）に示すように、中継電極１４ｃの一部を露出させるコンタクトホール２５ＣＴを有する第１絶縁膜２５を形成する。

ステップＳ１３では、図１５（ｃ）に示すように、平面視で中継電極１４ｃと重なるように中継電極１０６を形成する。

ステップＳ１４では、図１６（ａ）に示すように、例えば感光性アクリル樹脂を塗布し、熱処理（プリベーク）、露光、現像、硬化処理などを施し、第１絶縁膜２５及び中継電極１０６を覆う第１有機絶縁膜６１ａを形成する。感光性アクリル樹脂は、ネガタイプのレジストであり、露光された部分が硬化し、未露光の部分が現像液に溶解する。第１有機絶縁膜６１ａは、第２の領域２８Ｇから第３の領域２８Ｒまでの領域６５に形成され、中継電極１０６Ｇの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ１と、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２ａとを有している。

ステップＳ１５では、図１６（ｂ）に示すように、ステップＳ１４と同じ材料（感光性アクリル樹脂）を塗布し、熱処理（プリベーク）、露光、現像、硬化処理などを施し、第２有機絶縁膜６１ｂを形成する。第２有機絶縁膜６１ｂは、第３の領域２８Ｒの第１有機絶縁膜６１ａの上に形成される。つまり、第１有機絶縁膜６１ａの上に第２有機絶縁膜６１ｂを積層して、第２の平坦部６３を形成する。第２有機絶縁膜６１ｂが積層されていない部分の第１有機絶縁膜６１ａが、第１の平坦部６２となる。
また、第２有機絶縁膜６１ｂは、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２ｂを有している。第１有機絶縁膜６１ａに設けられたコンタクトホール２８ＣＴ２ａと、第２有機絶縁膜６１ｂに設けられたコンタクトホール２８ＣＴ２ｂとで、中継電極１０６Ｒの一部を露出させるコンタクトホール２８ＣＴ２が形成される。

ステップＳ１６では、図１６（ｃ）に示すように、中継電極１０６Ｂに直接接する画素電極３１Ｂを第１の領域２８Ｂに形成し、コンタクトホール２８ＣＴ１を介して中継電極１０６Ｇに接続された画素電極３１Ｇを第２の領域２８Ｇに形成し、コンタクトホール２８ＣＴ２を介して中継電極１０６Ｒに接続された画素電極３１Ｒを第３の領域２８Ｒに形成する。

本実施形態では、実施形態１の第２絶縁膜２６に対応する第１有機絶縁膜６１ａ、及び実施形態１の第３絶縁膜２７に対応する第２有機絶縁膜６１ｂは、ネガレジスト（感光性アクリル樹脂）を用いたフォトリソプロセスで形成されているので、実施形態１の第２絶縁膜２６や第３絶縁膜２７を形成するために必要な成膜やエッチングなどの工程が省略されている。従って、実施形態１と比べて、第１の絶縁層２８の製造工程が簡略化され、有機ＥＬ装置２００の生産性を向上し、有機ＥＬ装置２００の製造コストを低減することができる。

（実施形態３）
「電子機器」
図１７は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。
図１７に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、実施形態１の有機ＥＬ装置１００あるいは実施形態２の有機ＥＬ装置２００が搭載されている。有機ＥＬ装置１００及び有機ＥＬ装置２００は、光共振構造を有しているので、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒで発せられる光の色純度が高められている。さらに、有機ＥＬ装置１００及び有機ＥＬ装置２００では、発光領域（開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒ）が広くなっているので、明るく鮮やかな表示が提供される。従って、明るく鮮やかな表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

なお、上記有機ＥＬ装置１００または上記有機ＥＬ装置２００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。さらに、表示部に限定されず、本発明を照明装置や露光装置にも適用することができる。

本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う発光装置及び該発光装置が搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）図１８は、変形例１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。同図に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ装置３００では、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒは、Ｘ方向に延在した矩形状をなしている。このように、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒは、Ｙ方向に延在した矩形状（実施形態１）に限定されず、例えばＸ方向に延在した矩形状であってもよい。
なお、変形例１に係る有機ＥＬ装置において、Ｙ方向は、本発明における「第１の方向」の一例であり、Ｘ方向は、本発明における「第２の方向」の一例である。Ｘ方向には、同じ色の発光が得られる発光画素２０が配置されている。つまり、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂは、Ｘ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。緑色（Ｇ）の発光が得られる発光画素２０Ｇは、Ｘ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒは、Ｘ方向に配置され、矩形状（ストライプ形状）をなしている。Ｙ方向には、異なる色の発光が得られる発光画素２０が、Ｂ，Ｇ，Ｒの順に繰り返して配置されている。なお、Ｙ方向における発光画素２０の配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えばＲ，Ｇ，Ｂの順であってもよい。

（変形例２）図１９は、変形例２に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図である。同図に示すように、本変形例に係る有機ＥＬ装置４００では、発光画素２０ＧがＹ方向に沿って配置され、発光画素２０Ｂと発光画素２０ＲとはＹ方向に沿って交互に配置され、二つの発光画素２０Ｇと一つの発光画素２０Ｂと一つの発光画素２０Ｒとで表示単位Ｐが構成されている。このように、四つの発光画素２０で表示単位Ｐを構成することによって、三つの発光画素２０で表示単位Ｐを構成する場合と比べて、より細かい表示が可能になる。

発光画素２０Ｇが配置される第２の領域２８Ｇは、Ｙ方向に延在した矩形状をなしている。第１の領域２８Ｂは発光画素２０Ｂと略同じ形状を有し、第３の領域２８Ｒは発光画素２０Ｒと同じ形状を有している。第１の領域２８Ｂ及び第３の領域２８Ｒは、Ｙ方向に沿って交互に配置されている。

上述したように、発光画素２０Ｂが配置される領域が第１の領域２８Ｂとなり、発光画素２０Ｇが配置される領域が第２の領域２８Ｇとなり、発光画素２０Ｒが配置される領域が第３の領域２８Ｒとなる。このため、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ及び第３の領域２８Ｒの配置は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの配置に対応して変化する。
例えば、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒがストライプ配置を有していれば、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒの配置は、実施形態１や実施形態２に示すような配置（図１、図１８参照）となる。例えば、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒがジグザグ配置を有していれば、第１の領域２８Ｂ、第２の領域２８Ｇ、及び第３の領域２８Ｒの配置も、ジグザグ配置となる。

（変形例３）有機絶縁層６１は、二つの有機絶縁膜（第１有機絶縁膜６１ａ、第２有機絶縁膜６１ｂ）で構成されることに限定されず、一つの有機絶縁膜で構成されてもよい。例えば、ポジ型の感光性樹脂に、多階調の露光マスクを用いて領域毎に異なる露光量の多階調露光を施し、膜厚の異なる領域（第１の平坦部６２、第２の平坦部６３、コンタクトホール２８ＣＴ１，２８ＣＴ２）を一括形成する方法で、有機絶縁層６１を形成してもよい。ポジ型の感光性樹脂としては、例えば感光材（ナフトキノンジアジド置換化合物など）が分散されたアルカリ可溶性樹脂（ノボラック系樹脂など）などを使用することができる。有機絶縁層６１を一つの有機絶縁膜で形成することによって、生産性を高めることができる。また、有機絶縁層６１を、三つ以上の有機絶縁膜で構成してもよい。

（変形例４）第２有機絶縁膜６１ａ及び第２有機絶縁膜６１ｂは、ネガレジスト（感光性樹脂）を用いたフォトリソプロセスで形成することに限定されない。例えば、印刷法やインクジェット法などの方法で形成してもよい。同様に、変形例３に係る有機絶縁層６１も、印刷法やインクジェット法などの方法で形成してもよい。

（変形例５）第１絶縁膜２５は、有機材料で構成してもよい、つまり、第１の絶縁層２８の全てを有機材用で構成してもよい。例えば、第１絶縁膜２５を、実施形態２と同じ有機材料（感光性アクリル樹脂）を使用したフォトリソプロセスで形成してもよい。第１絶縁膜２５を構成する材料を無機材料（窒化シリコン）から有機材料（感光性アクリル樹脂）に変更し、フォトリソプロセスだけでパターニングすることで、生産性を高めることができる。

１０…素子基板、１０ａ…絶縁膜、１０ｄ…イオン注入部、１０ｓ…基材、１０ｗ…ウェル部、１１…走査線、１２…データ線、１３…点灯制御線、１４…電源線、１４ｃ…中継電極、１５…第１層間絶縁膜、１６…第２層間絶縁膜、１７…第３層間絶縁膜、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…発光画素、２１…第１トランジスター、２１ｄ…ドレイン電極、２２…第２トランジスター、２２ｇ…ゲート電極、２２ｓ…ソース電極、２３…第３トランジスター、２３ｇ…ゲート電極、２３ｓ…ソース電極、２４…蓄積容量、２４ａ…一方の電極、２４ｂ…他方の電極、２５…第１絶縁膜、２６…第２絶縁膜、２７…第３絶縁膜、２８…第１の絶縁層、２８Ｂ…第１の領域、２８Ｇ…第２の領域、２８Ｒ…第３の領域、２９…第２の絶縁層、２９Ｂ…開口（発光画素２０Ｂ）、２９Ｇ…開口（発光画素２０Ｇ）、２９Ｒ…開口（発光画素２０Ｒ）、３０…有機ＥＬ素子、３１，３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、４０…封止層、４１…第１封止層、４２…緩衝層、４３…第２封止層、５０…カラーフィルター、５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ…着色層、６１…有機絶縁層、６１ａ…第１有機絶縁膜、６１ｂ…第２有機絶縁膜、６２…第１の平坦部、６３…第２の平坦部、７１…樹脂層、７０…封止基板、１００，２００，３００，４００…有機ＥＬ装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…外部接続用端子、１０６…中継電極。

Claims (15)

1. トランジスターと、
   前記トランジスターの上方に設けられた光反射層と、
   前記光反射層を覆い、第１の層厚の部分と、前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層の上に設けられ、光の透過性を有する画素電極と、
   前記画素電極の周縁部を覆う第２の絶縁層と、
   前記画素電極及び前記第２の絶縁層を覆う発光機能層と、
   前記発光機能層を覆い、光の反射性と光の透過性とを有する対向電極と、
   前記第１の層厚の部分の上に設けられ、少なくとも一部が前記画素電極と平面的に重なる導電層と、
   を含み、
   前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を有し、
   前記第１の画素電極と、前記第２の画素電極と、前記第３の画素電極とは、前記導電層を介して前記トランジスターに接続されていることを特徴とする発光装置。
2. 前記第１の絶縁層は、前記反射層の側から順に積層された第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第３絶縁膜と、を有し、
   前記第１絶縁膜は、前記第１の層厚を有し、
   前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とが積層された部分は、前記第２の層厚を有し、
   前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜とが積層された部分は、前記第３の層厚を有し、
   前記導電層は、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、を有し、
   前記第１の画素電極は、前記第１の導電層に直接接し、
   前記第２の画素電極は、前記第２絶縁膜を貫く第１のコンタクトホールを介して、前記第２の導電層に接続され、
   前記第３の画素電極は、前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜を貫く第２のコンタクトホールを介して、前記第３の導電層に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１の画素電極は前記第１の層厚の部分の中に設けられ、前記第２の画素電極は前記第２の層厚の部分の中に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記第３の画素電極は、第１の方向に並んで配置されており、
   前記第１の層厚の部分、及び前記第２の層厚の部分は、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在した矩形状をなしていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記第１の絶縁層は、前記光反射層の側に順に積層された第１絶縁膜と、有機絶縁層と、を有し、
   前記有機絶縁層は、第１の平坦部と、前記第１の平坦部よりも厚い第２平坦部とを有し、
   前記第１絶縁膜は、前記第１の層厚を有し、
   前記第１絶縁膜と前記第１の平坦部とが積層された部分は、前記第２の層厚を有し、
   前記第１絶縁膜と前記第２の平坦部とが積層された部分は、前記第３の層厚を有し、
   前記導電層は、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、を有し、
   前記第１の画素電極は、前記第１の導電層に直接接し、
   前記第２の画素電極は、前記第１の平坦部を貫く第１のコンタクトホールを介して、前記第２の導電層に接続され、
   前記第３の画素電極は、前記第２の平坦部を貫く第２のコンタクトホールを介して、前記第３の導電層に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
6. 前記有機絶縁層は、感光性樹脂材料を用いて形成された第１有機絶縁膜と第２有機絶縁膜とを有し、
   前記第１の平坦部は前記第１有機絶縁膜で構成され、前記第２の平坦部は前記第１有機絶膜と前記第２有機絶縁膜とで構成されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
7. 第１のトランジスターと、
   第２のトランジスターと、
   第３のトランジスターと、
   前記第１のトランジスター、前記第２のトランジスター、前記第３のトランジスターの上方に設けられた光反射層と、
   前記光反射層を覆い、第１の層厚の部分と、前記第１の層厚の部分よりも厚い第２の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分よりも厚い第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、
   前記第１の層厚の部分の上に設けられた第１の画素電極と、
   前記第１のトランジスターに電気的に接続された第１の中継電極と、
   前記第２の層厚の部分の上に設けられた第２の画素電極と、
   前記第２のトランジスターを電気的に接続された第２の中継電極と、
   前記第３の層厚の部分の上に設けられた第３の画素電極と、
   前記第３のトランジスターに電気的に接続された第３の中継電極と、
   対向電極と、
   前記第１の画素電極と前記対向電極との間、前記第２の画素電極と前記対向電極との間、及び前記第３の画素電極と対向電極との間に設けられた発光機能層と、
   を備え、
   前記第１の中継電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１接続部を介して前記第１の画素電極に接続され、
   前記第２の中継電極は、前記第２の層厚の部分に設けられた第２接続部を介して前記第２の画素電極に接続され、
   前記第３の中継電極は、前記第３の層厚の部分に設けられた第３接続部を介して前記第３の画素電極に接続されてなることを特徴とする発光装置。
8. 前記第１の画素電極上において第１の発光領域を規定し、前記第２の画素電極上において第２の発光領域を規定し、前記第３の画素電極上において第３発光領域を規定する第２の絶縁層をさらに備え、
   前記第１の発光領域は、前記第１の層厚の部分の上に設けられ、
   前記第２の発光領域は、前記第２の層厚の部分の上に設けられ、
   前記第３の発光領域は、前記第３の層厚の部分の上に設けられることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
9. 前記第１の層厚の部分は、前記第１の発光領域から前記第１接続部に至るように設けられ、
   前記第２の層厚の部分は、前記第２の発光領域から前記第２接続部に至るように設けられ、
   前記第３の層厚の部分は、前記第３の発光領域から前記第３接続部に至るように設けられることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
10. 第４の発光領域をさらに備え、
    前記第２の層厚の部分は、前記第２の発光領域及び前記第４の発光領域に跨って設けられることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
11. 前記第１の層厚の部分は、前記第１接続部を囲むように設けられ、
    前記第２の層厚の部分は、前記第２接続部を囲むように設けられ、
    前記第３の層厚の部分は、前記第３接続部を囲むように設けられることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置。
12. 前記第１の絶縁層は、前記反射層の側から順に積層された第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、第３絶縁膜と、を有し、
    前記第１接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第１のコンタクトホールを介して前記第１の中継電極に接続され、且つ前記第１の画素電極に接する第１の導電層を有し、
    前記第２接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第２のコンタクトホールを介して前記第２の中継電極に接続され、且つ前記第２絶縁膜を貫く第３のコンタクトホールを介して前記第２の画素電極に接続された第２の導電層を有し、
    前記第３接続部は、前記第１絶縁膜を貫く第４のコンタクトホールを介して前記第３の中継電極に接続され、且つ前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜を貫く第５のコンタクトホールを介して前記第３の画素電極に接続された第３の導電層を有することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の発光装置。
13. 第４のトランジスターと、
    前記第２の層厚の部分の上に設けられた第４の画素電極と、
    前記第４のトランジスターに電気的に接続された第４の中継電極と、
    をさらに備え、
    前記第４の中継電極は、前記第２の層厚の部分に設けられた第４接続部を介して前記第４の画素電極に接続され、
    前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記第２接続部と前記第４接続部との間を埋めるように設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。
14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の発光装置を備えていることを特徴とする電子機器。
15. トランジスターと、前記トランジスターの上方に設けられた光反射層と、前記光反射層を覆い第１の層厚の部分と第２の層厚の部分と第３の層厚の部分とを有する第１の絶縁層と、前記第１の層厚の部分の上に設けられた画素電極と、前記画素電極の周縁部を覆う第２の絶縁層と、前記画素電極及び前記第２の絶縁層を覆う発光機能層と、前記発光機能層を覆う対向電極と前記第１の層厚の部分の上に設けられた導電層と、を含み、前記画素電極は、前記第１の層厚の部分に設けられた第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に設けられた第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に設けられた第３の画素電極と、を有し、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極と前記第３の画素電極とは、前記導電層を介して前記トランジスターに接続されている発光装置の製造方法であって、
    前記光反射層を形成する工程と、
    前記第１の層厚となるように、第１絶縁膜を形成する工程と、
    前記導電層を形成する工程と、
    前記第１絶縁膜との間で前記第２の層厚となるように、第２絶縁膜を形成する工程と、
    前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜との間で前記第３の層厚となるように、第３絶縁膜を形成する工程と、
    前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜をパターニングして、前記第１の層厚の部分と、前記第２の層厚の部分と、前記第３の層厚の部分と、を有する前記第１の絶縁層を形成する工程と、
    前記第２の層厚の部分に前記導電層の一部を露出させる第１のコンタクトホールと、前記第３の層厚の部分に前記導電層の一部を露出させる第２のコンタクトホールと、を形成する工程と、
    前記第１の層厚の部分に前記導電層と部分的に重なる前記第１の画素電極と、前記第２の層厚の部分に前記第１のコンタクトホールを覆う前記第２の画素電極と、前記第３の層厚の部分に前記第２のコンタクトホールを覆う前記第３の画素電極と、を形成する工程と、
    を備えていることを特徴とする発光装置の製造方法。

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