JP2007004997A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示部にＭＯＳプロセスによる埋め込みミラー構造を採用した場合に、専用の遮光膜を形成しなくても、回路部を動作上問題のないレベルに遮光することができる表示装置を提供する。
【解決手段】ＲＧＢの画素位置でそれぞれ光源体が発光する光を共振する光共振器を構成する３層の金属反射膜７，８，９が形成された表示部と、この表示部の周囲に設けられた回路部３と、この回路部３を覆う遮光膜５とを基板６に形成してなる表示装置の構成として、基板６の回路部３を覆う位置に、３層の金属反射膜７，９，１１を重ね合わせて遮光膜５を形成するとともに、各々の金属反射膜７，９，１１に平面的に位置をずらした状態で抜きパターン７Ａ，９Ａ，１１Ａを形成した。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置とその製造方法に関し、特に、有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた表示装置（以下、「有機ＥＬ表示装置」と記す）とその製造方法に適用して好適なものである。

近年、フラットパネルディスプレイ（以下、「ＦＰＤ」と略称）として有機ＥＬ表示装置に関心が高まっている。現在、ＦＰＤでは液晶表示装置（以下、「ＬＣＤ」と略称）が主流を占めているが、これは自発光型のデバイスではなく、バックライトや偏光板などの部材を必要とするため、装置の薄型化や高輝度化を図る上で不利になる。

一方、有機ＥＬ表示装置は、自発光型のデバイスであり、バックライトなどの部材が原理的に不要であるため、ＬＣＤと比較すると、装置の薄型化や高輝度化を図るうえで有利である。特に、各画素にスイッチング素子を形成したアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置では、各画素をホールド点灯させることで消費電流を低く抑えることができ、大画面化及び高精細化が比較的容易に行える。こうした優位点もあって、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、各社で開発が進められており、次世代ＦＰＤの主流になると期待されている。

また、近年ではデジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダーなどに代表される個人用撮影機器が発達している。それらのファインダー表示素子としては、結晶珪素基板上に画素回路及び駆動回路が形成されたＬＣＯＳ(Liquid Crystal on Silicon)、あるいは高温又は低温多結晶シリコンＬＣＤが用いられている。ＬＣＤを用いたファインダー素子では、透過型ではバックライトが、反射型ではフロントライトが必要である。したがって、必然的にモジュール厚が増加し、機器の薄型化に不利となる。また、個人用撮影機器の小型化とともにファインダー自体も小型化され、それに伴って画素自体も縮小されつつある。このため、透過型ＬＣＤでは表示部の開口率を十分に確保できず、性能限界に近づきつつある。また、反射型ＬＣＤではＬＣＯＳが主流になりつつあるが、やはり照明系は必要であるため、機器の薄型化に不利である。

一方、有機ＥＬをビューファインダー表示素子として用いた場合は、自発光型である故にＬＣＤのような照明系を必要としないため、機器の薄型化に寄与することができる。また、有機ＥＬの素子構造として上面発光の素子を用いることにより、表示部の開口率も十分に確保できる。さらに、近年ではビューファインダーも高画質化の道をたどりつつあり、セットメーカーよって色再現範囲を拡大する要求が出ている。

そこで、色再現範囲を拡大し得るものとして、光共振型の有機ＥＬ素子が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２を参照）。光共振型の有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ層の上層及び下層に、それぞれ所定の反射率で光を反射する反射膜を形成し、有機ＥＬ層で発光させた光を上下の反射膜の間で共振させて光強度を増幅させることにより、一方の反射膜を通して特定の波長（色）成分の光を取り出せるようになっている。

こうした光共振型の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置では、マトリクス状に配列されるＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素（サブピクセル）ごとに、有機ＥＬ層を挟む上下２つの反射膜の対向距離を個別に設定（調節）することにより、各色の光を画素単位（サブピクセル単位）で取り出すことができる。なぜなら、光共振器の特性は、各々の反射膜の反射率及び対向距離によって決定されるからである。したがって、例えば特許文献２に開示されているように、光共振器を構成する上下の反射膜で有機ＥＬ層と透明電極層を挟み込んだ構造では、有機ＥＬ層と透明電極層の膜厚をＲＧＢの画素ごとに調節する必要がある。このため、製造プロセスが煩雑になってコスト増を招いてしまう。

特開２００４−１２７５８８号公報 特開２００５−１０８６４４号公報

そこで、出願人は、光共振器を構成する２つの反射膜のうち、基板に近い方の反射膜を、ＲＧＢの画素ごとに、他の反射膜との対向距離を変えて絶縁膜中に埋め込んだ構造（以下、「埋め込みミラー構造」と記す）を提案している。埋め込みミラー構造では、図５に示すように、例えば、シリコン基板５０上に、第１金属反射膜５１、第１絶縁膜５２、第２金属反射膜５３、第２絶縁膜５４、第３金属反射膜５５、第３絶縁膜５６を順に積層することにより、絶縁膜中に３層の金属反射膜を光共振用のミラーとして埋め込んだ構造になっている。また、第３絶縁膜５６の上にはＲＧＢの画素単位（サブピクセル単位）でアノード電極（透明電極）５７を形成し、このアノード電極５７の上に有機ＥＬ層５８を介して、各色共通の反射膜を兼ねるカソード電極（半透明電極）５９を形成している。

こうした埋め込みミラー構造を有する有機ＥＬ素子においては、例えば、カソード電極５９と第１金属反射膜５１との対向距離Ｌ１をＧの光波長域、カソード電極５９と第２金属反射膜５３との対向距離Ｌ２をＢの光波長域、カソード電極５９と第３金属反射膜５５との対向距離Ｌ３をＲの光波長域に合わせて、それぞれ異なる距離（Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３）に設定することにより、有機ＥＬ層５８で発光する光が白色光であっても、各色の画素ごとに所望の波長域の光を共振させて、当該光をカソード電極５９側から取り出すことができる。したがって、有機ＥＬ層５８とアノード電極５７の膜厚をＲＧＢの画素ごとに調節する必要がなくなる。また、金属反射膜等の形成に現行の半導体プロセス（ＭＯＳプロセス）を適用できるため、新たな設備投資が不要であるうえ、カラーフィルタも不要になる。このため、有機ＥＬ表示装置の低コスト化を実現することができる。

ところで、有機ＥＬ素子の基板には、上記埋め込みミラー構造を有する表示部とともに、この表示部を駆動する駆動回路を含む回路部が形成される。回路部は、基板の面方向でで表示部の周囲に形成される。この回路部にはトランジスタ等が形成されるため、回路部に外部から不要な光（外光）が入り込むと、光リーク電流が流れて回路の動作不良を引き起こす。このため、基板上には回路部を覆うように遮光膜が設けられている。従来では、表示部に設けられるカラーフィルタのブラックマトリクスや非透明の電極層の形成範囲を回路部の形成領域まで広げ、それらを利用して遮光膜を形成している。

しかしながら、上記埋め込みミラー構造を採用してカラーフィルタを不要とする場合は、カラーフィルタのブラックマトリクスを回路部の遮光膜に利用できなくなる。また、光共振器を構成するカソード電極５９や各々の金属反射膜５１，５３，５５は、それぞれ８０〜９０％の反射率で光を反射するため、例えば、回路部の遮光膜を第３金属反射膜５５で形成した場合は、１０〜２０％の光が遮光膜（第３金属反射膜５５）を透過して回路部に達してしまう。また、回路部を専用の遮光膜で遮光する場合は、製造プロセスの増加によってコストアップを招いてしまう。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、表示部にＭＯＳプロセスによる埋め込みミラー構造を採用した場合に、専用の遮光膜を形成しなくても、回路部を動作上問題のないレベルに遮光することができる表示装置を提供することにある。

本発明に係る表示装置は、ＲＧＢの画素位置でそれぞれ光源体が発光する光を共振する光共振器を構成する３層の反射膜が形成された表示部と、この表示部の周囲に設けられた回路部と、この回路部を覆う遮光膜とを基板に形成してなる表示装置であって、基板の回路部を覆う位置に、３層の反射膜のうち、少なくとも２層の反射膜を重ね合わせて遮光膜を形成したものである。

本発明に係る表示装置においては、基板の回路部を覆う位置に、少なくとも２層の反射膜を重ね合わせて遮光膜を形成することにより、回路部に専用の遮光膜を形成しなくても、表示部と同一の反射膜を利用して回路部を十分に遮光することが可能となる。

本発明によれば、表示部にＭＯＳプロセスによる埋め込みミラー構造を採用した場合でも、回路部に専用の遮光膜を設けることなく、表示部に設けられた３層の反射膜と同一の反射膜を利用して遮光膜を形成し、この遮光膜によって回路部を動作上問題のないレベルに遮光することができる。したがって、低コストで高画質の表示装置を提供することが可能となる。

以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１は本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの平面的なレイアウトを示す概略図である。図示した有機ＥＬ表示パネル１は、有機ＥＬ表示装置を構成する主要な部品となるもので、平面視長方形の板状に形成されている。有機ＥＬ表示パネル１は、大きくは、表示部２と、回路部３と、端子部４とを備えている。

表示部２は、実際に画像を表示する部分であり、パネル外形と同様に平面視長方形に形成されている。表示部２には、ＲＧＢの各色に対応する複数の画素（不図示）がマトリクス状に配列されている。

回路部３は、表示部２の周囲、さらに詳しくは表示部２の上下左右に１つずつ設けられている。回路部３には、表示部２に設けられた各々の画素を駆動するための駆動回路や、表示部２の表示状態を制御するための表示回路などが、例えばトランジスタや他の回路素子を用いて形成されている。各々の回路部３は、表示部２の周囲で遮光膜５により遮光されている。

遮光膜５は、各々の回路部３に外部から不要な光（外光）が入射しないように、各々の回路部３を覆う状態で有機ＥＬ表示パネル１の基板上に形成されている。遮光膜５は、平面的に見て、表示部２をその外周全体にわたって取り囲み、かつ各々の回路部３の外側（パネル外縁部に近い側）の領域まで覆う状態で形成されている。ただし、遮光膜５の形成領域は、平面的に見て、少なくとも回路部３の形成領域を覆うように設定されていればよい。したがって、例えば、表示部２の周囲に設けられた４つの回路部３を、それぞれに対応する４つの遮光膜５で個別に覆うようにしてもよい。

端子部４は、例えば、外部接続用の電気部品（例えば、フレキシブルプリント配線基板など）を接続したり、製造途中で動作確認（例えば、特性検査等）を行ったりするために設けられたものである。端子部４は、有機ＥＬ表示パネル１の基板上において、表示部２の左右の回路部３よりも外側でパネル短辺部に沿って設けられている。各々の端子部４には複数の接続パッドが所定の間隔で一列に設けられている。各々の接続パッドは、有機ＥＬ表示パネル１の基板上に形成された接続配線（不図示）を介して上記回路部３に電気的に接続されている。

図２は上記有機ＥＬ表示パネル１において表示部２の一部を拡大した断面図である。図において、基板６は、例えば、シリコン基板等の半導体基板やガラス基板からなるものである。基板６の一方の面上には、第１金属反射膜７、第１絶縁膜８、第２金属反射膜９、第２絶縁膜１０、第３金属反射膜１１、第３絶縁膜１２、アノード電極１３、有機ＥＬ層１４、カソード電極１５とが順に積層した状態で形成されている。なお、ここでは基板６に近い方の電極（下部電極）をアノード電極１３、遠い方の電極（上部電極）をカソード電極１５としているが、これらの電極の位置関係は上下逆であってもかまわない。

各々の金属反射膜７，９，１１は、例えば、アルミニウム、銀等の単体金属あるいはそれらを含む合金など、光の反射率の高い金属材料によって形成されるものである。第１金属反射膜７は、Ｇの光が取り出される画素位置に形成されている。また、第２金属反射膜９は、Ｂの光が取り出される画素位置に形成され、第３金属反射膜１１は、Ｒの光が取り出される画素位置に形成されている。各々の金属反射膜７，９，１１は、それぞれに対応するＲＧＢの画素位置でカソード電極１５と対向し、このカソード電極１５を一方の反射膜（ミラー）として光共振器を構成するものである。このため、各々の金属反射膜７，９，１１の膜厚は、所望の反射率（一般的には８０〜９０％の範囲内に設定）が得られるように、例えば５〜５０ｎｍの範囲内に設定されている。

各々の絶縁膜８，１０，１２は、光透過性を有するもので、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）によって形成されている。第１絶縁膜８は、第１金属反射膜７を覆う状態で基板６上に形成されている。また、第２絶縁膜１０は、第２金属反射膜９を覆う状態で第１絶縁膜８上に形成され、第３絶縁膜１２は、第３金属反射膜１１を覆う状態で第２絶縁膜１０上に形成されている。これにより、基板６の厚み方向（積層方向）においては、第１絶縁膜８が第１金属反射膜７と第２金属反射膜９との間に介在し、第２絶縁膜１０が第２金属反射膜９と第３金属反射膜１１との間に介在した状態になっている。

また、各々の絶縁膜８，１０，１２の膜厚は、Ｇの画素位置で光共振器を構成する第１金属反射膜７とカソード電極１５との間の対向距離Ｌ１と、Ｂの画素位置で光共振器を構成する第２金属反射膜９とカソード電極１５との間の対向距離Ｌ２と、Ｒの画素位置で光共振器を構成する第３金属反射膜１２とカソード電極１５との間の対向距離Ｌ３が、それぞれに対応する色光の波長に適合した値となるように設定されている。すなわち、対向距離Ｌ１は、Ｇの光を共振させるのに適した値に設定され、対向距離Ｌ２は、Ｂの光を共振させるのに適した値に設定され、対向距離Ｌ３は、Ｒの光を共振させるのに適した値に設定されている。ちなみに、対向距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の相対的な大小関係は、Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３となっている。また、基板６の面方向における各々の金属反射膜７，９，１１の端部は、カソード電極１５を成膜のカバレッジ性を考慮して、各層で例えば５０ｎｍ以上ずつずらして、各々の端部段差を金属反射膜１層分程度に抑えることが望ましい。

アノード電極１３は、例えば、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の透明導電材料を用いて形成されたものである。アノード電極１３は、基板６の面方向でＲＧＢの画素（サブピクセル）ごとに１つずつ設けられている。

有機ＥＬ層１４は、少なくとも発光層（有機材料）を含む光源体を構成するもので、例えば、３層型であれば、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を順に積層してなり、４層型であれば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層を順に積層してなるものである。この有機ＥＬ層１４の発光層は、白色の光を発光するものとなっている。

カソード電極１５は、上記金属反射膜７，９，１１と同様に、例えば、アルミニウム、銀等の単体金属あるいはそれらを含む合金など、光の反射率の高い金属材料によって形成されるものである。カソード電極１５は、ＲＧＢの各色共通の電極として、表示部２全域に一様な膜厚で形成されるものである。また、カソード電極１５は、ＲＧＢの画素ごとに形成された各々の金属反射膜７，９，１１を他方の反射膜（ミラー）として光共振器を構成するものである。このため、カソード電極１５の膜厚は、各々の金属反射膜７，９，１１と同等の反射率（厳密には若干低い反射率）が得られるように、例えば５〜５０ｎｍの範囲内に設定されている。

かかる有機ＥＬ素子の構成において、アノード電極１３とカソード電極１５との間に所定の電圧を印加すると、有機ＥＬ層１４に対して、アノード電極１３側からホールが、カソード電極１５側から電子がそれぞれ送り込まれ、それらが発光層で結合（再結合）することにより、有機ＥＬ層１４が発光状態となる。このとき、有機ＥＬ層１４では白色の光を発光する。

こうして有機ＥＬ層１４が発光すると、第１金属反射膜７とカソード電極１５との間ではＧの光が共振し、この共振によって光強度が増幅されたＧの光が、第１金属反射膜７から遠ざかる方向でカソード電極１５側（基板６と反対側）から取り出される。また、第２金属反射膜９とカソード電極１５との間ではＢの光が共振し、この共振によって光強度が増幅されたＢの光が、第２金属反射膜９から遠ざかる方向でカソード電極１５側から取り出される。同様に、第３金属反射膜１１とカソード電極１５との間ではＲの光が共振し、この共振によって光強度が増幅されたＲの光が、第３金属反射膜１１から遠ざかる方向でカソード電極１５側から取り出される。これにより、有機ＥＬ表示パネル１の表示部２においては、上部電極から光を取り出す「上面発光方式」にしたがって、ＲＧＢの画素位置でそれぞれ所望の光が選択的に取り出されることになる。

図３は上記有機ＥＬ表示パネル１において回路部３の一部を拡大した断面図である。図において、基板６の内部（表層部分）には回路部３が形成されている。また、基板６上において、回路部３の上方には、３層構造をなす第１金属反射膜７、第２金属反射膜９及び第３金属反射膜１１からなる遮光膜５が設けられている。遮光膜５は、回路部３を覆う位置で、第１金属反射膜７、第２金属反射膜９及び第３金属反射膜１１を互いに重ね合わせた状態で形成されている。すなわち、第１金属反射膜７の上には第１絶縁膜８を介して第２金属反射膜９が重ねられ、第２金属反射膜９の上には第２絶縁膜１０を介して第３金属反射膜１１が重ねられている。

また、回路部３を覆う位置で遮光膜５を形成する３層の金属反射膜７，９，１１のうち、第１金属反射膜７には複数の抜きパターン７Ａが形成されている。各々の抜きパターン７Ａは、第１金属反射膜７を基板６の厚み方向に貫通する状態で、例えば平面視スリット形状に形成されている。また、各々の抜きパターン７Ａは、基板６の面方向に沿う水平及び垂直方向に所定の間隔（例えば、２０〜３０μｍの間隔）で形成されている。これと同様に、第２金属反射膜９には複数の抜きパターン９Ａが形成され、第３金属反射膜１１にも複数の抜きパターン１１Ａが形成されている。

各々の金属反射膜７，９，１１の抜きパターン７Ａ，９Ａ，１１Ａは、図４の平面レイアウト図で分かるように、平面的に位置をずらした状態で形成されている。すなわち、第２金属反射膜９の抜きパターン９Ａは、平面的に見て、第１金属反射膜７の抜きパターン７Ａ及び第３金属反射膜１１の抜きパターン１１Ａのいずれにも重ならない状態で、それらの抜きパターン７Ａ，１１Ａの間にレイアウトされている。

続いて、有機ＥＬ表示パネル１の製造プロセスについて説明する。まず、回路部３及び端子部４を形成済みの基板６を用意し、この基板６上に表示部２から遮光膜５の遮光領域にわたって第１金属反射膜７を形成する。このとき、例えば第１金属反射膜７をアルミニウムで形成する場合は、基板６上の端子部４を除く領域（図１に示す表示部２及び遮光膜５の全領域）に、所望の膜厚でアルミニウムを一様に成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりアルミニウム膜をパターニングすることにより、表示部２ではＧの画素位置に第１金属反射膜７を形成し、回路部３では当該回路部３を覆う位置に抜きパターン７Ａ付きで第１金属反射膜７を形成する。その後、基板６上に第１金属反射膜７を覆う状態で第１絶縁膜８を形成する。このとき、第１絶縁膜８は、上記第１金属反射膜７を形成する際の金属薄膜（上記の例ではアルミニウム膜）とほぼ同じ領域に形成される。

続いて、第１絶縁膜８の上に第２金属反射膜９を形成した後、この第２金属反射膜９を覆う状態で第２絶縁膜１０を形成する。第２金属反射膜９及び第２絶縁膜１０の形成は、上記第１金属反射膜７及び第１絶縁膜８の形成と同様に行われる。ただし、表示部２ではＢの画素位置に第２金属反射膜９を形成し、回路部３では当該回路部３を覆う位置に抜きパターン９Ａ付きで第２金属反射膜９を形成する。

次いで、第２絶縁膜１０の上に第３金属反射膜１１を形成した後、この第３金属反射膜１１を覆う状態で第３絶縁膜１２を形成する。第３金属反射膜１１及び第３絶縁膜１２の形成は、上記第１金属反射膜７及び第１絶縁膜８の形成と同様に行われる。ただし、表示部２ではＲの画素位置に第３金属反射膜１１を形成し、回路部３では当該回路部３を覆う位置に抜きパターン１１付きで第３金属反射膜１１を形成する。なお、第３絶縁膜１２については、表示部１２と回路部３（遮光領域）の両方に形成してもよいし、表示部２にのみ形成してもよい。

その後、表示部２の各々の画素位置に、アノード電極１３につながる画素コンタクト部（不図示）を形成した後、各々の画素位置に対応して第３絶縁膜１２の上にアノード電極１３を形成する。続いて、表示部２において、アノード電極１３を覆うように第３絶縁膜１２の上に有機ＥＬ層１４を形成した後、この有機ＥＬ層１４を覆うようにカソード電極１５を形成する。

以上の製造プロセスにより、基板６上において、回路部３を覆う位置に、３層の金属反射膜７，９，１１を重ね合わせて遮光膜５を形成することができる。こうして得られた有機ＥＬ表示パネル１においては、基板６の回路部３が、３層の金属反射膜７，９，１１を重ね合わせた遮光膜５によって遮光されるため、回路部３に専用の遮光膜を形成しなくても、表示部２と同一の金属遮光膜７，９，１１を利用して回路部３を十分に遮光することができる。

例えば、各々の金属反射膜７，９，１１の反射率を８０％と仮定すると、第３金属反射膜１１を透過する光は２０％となるが、この透過光を第２金属反射膜７で反射すると、第２金属反射膜７を透過する光は当初の４％まで減少し、さらに第２金属反射膜７を透過した光を第１金属反射膜７で反射すると、第１金属反射膜７を透過する光は当初の１％未満まで減少する。また、各々の金属反射膜７，９，１１の反射率を９０％と仮定すると、第３金属反射膜１１を透過する光は１０％となるが、この透過光を第２金属反射膜７で反射すると、第２金属反射膜７を透過する光は当初の１％まで減少し、さらに第２金属反射膜７を透過した光を第１金属反射膜７で反射すると、第１金属反射膜７を透過する光は当初の１％未満まで減少する。したがって、３層の金属反射膜７，９，１１のうち、少なくとも２層の金属反射膜を回路部３で重ね合わせて遮光膜５を形成することにより、回路部３を動作上問題のないレベルに遮光することができる。

また、各々の金属反射膜７，９，１１に抜きパターン７Ａ，９Ａ，１１Ａを形成したことで、例えば、第３金属反射膜１１に照射された外光の一部は、抜きパターン１１Ａを通して第２金属反射膜９に照射されるものの、この抜きパターン１１Ａの位置に対して、他の金属反射膜７，９の抜きパターン７Ａ，９Ａの位置が平面的にずれた状態となっているため、第３金属反射膜１１の抜きパターン１１Ａを通して入射した光は、必ず第２金属反射膜９と第１金属反射膜７で遮光（反射）されることになる。このため、上記の反射率（８０〜９０％）を例にとると、回路部３に達する外光を１〜４％まで減少させることができる。

また、抜きパターン１１Ａ以外の箇所で第３金属反射膜１１を透過した外光の一部は、第２金属反射膜９の抜きパターン９Ａを通して第１金属反射膜７に照射されるものの、上述したとおり抜きパターン７Ａ，９Ａの位置が平面的にずれた状態となっているため、第２金属反射膜９の抜きパターン９Ａを通して入射した光は、必ず第１金属反射膜７で遮光（反射）されることになる。このため、上記同様に、回路部３に達する外光を１〜４％まで減少させることができる。

また、抜きパターン７Ａ，９Ａ，１１Ａの平面的な位置のずれにより、第１金属反射膜７の抜きパターン７Ａを通して回路部３に達する外光は、第１金属反射膜７よりも上層で、必ず第３金属反射膜１１及び第２金属反射膜７により順に遮光（反射）される。このため、上記同様に、回路部３に達する外光を１〜４％まで減少させることができる。

さらに、各々の金属反射膜７，９，１１は、所望の反射率が得られるようにナノオーダーの薄膜で形成されるため、例えば、回路部３の上方に各々の金属反射膜７，９，１１を一様な膜厚で広範囲（ベタ）に形成すると、金属薄膜の表面にヒロックが発生しやすくなるが、本実施形態においては、各々の金属反射膜７，９，１１に抜きパターン７Ａ，９Ａ，１１Ａを形成しているため、金属薄膜の局所的な塑性変形を回避してヒロックの発生を防止することができる。

ちなみに、上記実施形態においては、抜きパターン７Ａ，９Ａ，１１Ａの平面形状をスリット形状としているが、これ以外にも、例えば、円形（楕円形を含む）や多角形（三角形、四角形等）、あるいはそれ以外の任意の形状を採用してもよい。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの平面的なレイアウトを示す概略図である。 有機ＥＬ表示パネルの表示部の一部を拡大した断面図である。 有機ＥＬ表示パネルの回路部の一部を拡大した断面図である。 各層の金属反射膜に形成された抜きパターンの位置関係を示す平面レイアウト図である。 埋め込みミラー構造を採用した有機ＥＬ素子の構成例を示す断面図である。

符号の説明

１…有機ＥＬ表示パネル、２…表示部、３…回路部、５…遮光膜、６…基板、７…第１金属反射膜、７Ａ，９Ａ，１１Ａ…抜きパターン、８…第１絶縁膜、９…第２金属反射膜、１０…第２絶縁膜、１１…第３金属反射膜、１２…第３絶縁膜、１３…アノード電極、１４…有機ＥＬ層、１５…カソード電極

Claims (6)

1. ＲＧＢの画素位置でそれぞれ光源体が発光する光を共振する光共振器を構成する３層の反射膜が形成された表示部と、
   前記表示部の周囲に設けられた回路部と、
   前記回路部を覆う遮光膜と
   を基板に形成してなる表示装置であって、
   前記基板の前記回路部を覆う位置に、前記３層の反射膜のうち、少なくとも２層の反射膜を重ね合わせて前記遮光膜を形成してなる
   ことを特徴とする表示装置。
2. 前記回路部の覆う位置で、前記遮光膜を形成する各々の反射膜に所定の間隔で抜きパターンを形成してなる
   ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 前記光源体は有機ＥＬ層からなる
   ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
4. 前記光源体は白色の光を発光する
   ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
5. 前記各々の反射膜の抜きパターンを平面的に位置をずらした状態で形成してなる
   ことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
6. ＲＧＢの画素位置でそれぞれ光源体が発光する光を共振する光共振器を構成する３層の反射膜が形成された表示部と、
   前記表示部の周囲に設けられた回路部と、
   前記回路部を覆う遮光膜と
   を基板に形成してなる有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
   前記３層の反射膜のうち、
   第１の反射膜を、前記表示部の第１の画素位置と前記回路部を覆う位置に形成する第１の工程と、
   第２の反射膜を、前記表示部の第２の画素位置と前記回路部を覆う位置に形成する第２の工程と、
   第３の反射膜を、前記表示部の第３の画素位置と前記回路部を覆う位置に形成する第３の工程とを含む
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。
   
   

Images