JPWO2019216198A1 - 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置であって、
第1電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第1電極の間には隔壁部が形成されており、
第1電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第2電極とが積層されており、
第1電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
第1電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
表示装置である。
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置の製造方法であって、
基板上に、異なる種類の絶縁材料から成る層が接するように積層されて成る層間絶縁膜を形成する工程と、
第1電極に対応する層間絶縁膜の領域に、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面の同一面が底部に露出するように、開口部を形成する工程と、
開口部に反射膜を埋め込む工程と、
反射膜が埋め込まれた面を回路基板と接合し、次いで、基板を除去する工程と、
層間絶縁膜上に、第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を形成する工程と、
を有する、
表示装置の製造方法である。
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置において、
第1電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第1電極の間には隔壁部が形成されており、
第1電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第2電極とが積層されており、
第1電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
第1電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
電子機器である。
1.本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明
2.第1の実施形態
3.第2の実施形態
4.第3の実施形態
5.電子機器の説明、その他
本開示に係る表示装置、本開示に係る電子機器に用いられる表示装置、及び、本開示に係る表示装置の製造方法によって得られる表示装置(以下、単に、これらを「本開示の表示装置」と呼ぶ場合がある。)において、層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る構成とすることができる。
2L/λ+Φ/2π=m(mは整数)
の条件を満たす構成とすることができる。
第1の実施形態は、本開示の第1の態様に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
基板上に、異なる種類の絶縁材料から成る層が接するように積層されて成る層間絶縁膜を形成する工程と、
第1電極に対応する層間絶縁膜の領域に、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面の同一面が底部に露出するように、開口部を形成する工程と、
開口部に反射膜を埋め込む工程と、
反射膜が埋め込まれた面を回路基板と接合し、次いで、基板を除去する工程と、
層間絶縁膜上に、第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を形成する工程と、
を有する。後述する他の実施形態においても同様である。
先ず、駆動回路が形成された回路基板20を準備する。基材21を用意し、基材21上に所定の成膜およびパターニングプロセスを経ることにより、薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する。続いて、駆動回路上の全面に平坦化膜27をスピンコート法、スリットコート法、スパッタ法、CVD法などにより形成する。次いで、平坦化膜27に開口部を形成した後、開口部にコンタクトプラグ28を形成することによって、図3Aに示す回路基板20を得ることができる。
シリコンウエハから成る基板39を準備し、その上に、例えば、シリコン酸化物から成る層とシリコン窒化物から成る層といった2種類の層を交互に積層して層間絶縁膜30を形成する(図3B参照)。図に示す例では、第1層30Aと第3層30Cはシリコン酸化物から成る層、第2層30Bはシリコン窒化物から成る層である。
ついで、層間絶縁膜30において反射膜31に対応する部分に、第1層30Aと第2層30Bとの境界面が底面に露出するように開口部OP31を形成する(図4A参照)。例えば、第1層30Aがストッパ膜として作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部OP31を形成することができる。また、併せて、層間絶縁膜30において導通部33に対応する部分に、層間絶縁膜30を貫通するように開口部OP33を形成する。例えば、基板39がストッパとして作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部OP33を形成することができる。
その後、開口部OP31の部分に反射膜31などを形成し、併せて、開口部OP33の部分に導通部33を形成する。例えば、開口部を含む全面に銀薄膜をスパッタ法によって形成し、次いで、反射膜31の開口部を充填する充填部材32を形成し、その後、例えばCMP法を用いて平坦化を行う。
続いて、層間絶縁膜30と回路基板20とを対向させた状態とし(図5参照)、層間絶縁膜30と回路基板20とを接合する。例えば、超高真空下で表面の不活性層をプラズマ、加速したイオンビームなどのエネルギー波を照射することによって除去し、層間絶縁膜30と回路基板20との表面を活性化する。次いで、表面活性化した物質同士を密着させることによって、原子間力によって層間絶縁膜30と回路基板20とを接合することができる(図6参照)。次いで、基板39を除去する(図7参照)。
先ず、層間絶縁膜30上に、第1電極41を形成する。例えば、層間絶縁膜30上にITO膜を形成し、次いで、ITO膜をパターニングすることによって、第1電極41を得ることができる。
次いで、第1電極41と第1電極41との間に、画素間絶縁膜としての隔壁部51を形成する。第1電極41を含む全面にシリコン酸窒化物などの無機絶縁膜をスパッタ法またはCVD法などによって成膜する。続いて、成膜した無機絶縁膜をリソグラフィ法およびドライエッチング法によって所定の凹構造となるように画素開口部をパターニングすることによって、隔壁部51を形成することができる。
次いで、アノード電極となる第1電極41上を含む全面に、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層を順次成膜し、白色で発光する有機層60を形成する。
次いで、有機層60上の全面に、カソード電極となる第2電極70を形成する。例えば、蒸着法によって銀マグネシウム合金から成る膜を全面に亘って形成することによって、第2電極70を得ることができる(図11参照)。その後、全面に保護膜80を形成した後、カラーフィルタ90が形成された対向基板を張り合わせることによって、表示装置1を得ることができる(図12参照)。
第2の実施形態は、第1の実施形態の変形である。第1の実施形態にあっては、第1電極41は、コンタクトプラグ28に接続された導通部33を介して、画素10を駆動する駆動回路に接続されていた。これに対し、第2の実施形態にあっては、第1電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている点が、主に相違する。
先ず、駆動回路が形成された回路基板220を準備する。基材21を用意し、基材21上に所定の成膜およびパターニングプロセスを経ることにより、薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する。続いて、駆動回路上の全面に平坦化膜27をスピンコート法、スリットコート法、スパッタ法、CVD法などにより形成する。次いで、平坦化膜27に開口部を形成した後、開口部にコンタクトプラグ228を形成することによって、図14Aに示す回路基板220を得ることができる。
シリコンウエハから成る基板39を準備し、その上に、例えば、シリコン酸化物から成る層とシリコン窒化物から成る層といった2種類の層を交互に積層して層間絶縁膜30を形成する(図14B参照)。層間絶縁膜30の組成は、上述した[工程−110]で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
ついで、層間絶縁膜30において反射膜231に対応する部分に、第1層30Aと第2層30Bとの境界面が底面に露出するように開口部OP231を形成する(図15A参照)。例えば、第1層30Aがストッパ膜として作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部OP231を形成することができる。
その後、開口部OP231の部分に反射膜231などを形成する。例えば、開口部OP231を含む全面に銀薄膜をスパッタ法によって形成し、次いで、反射膜231の開口部を充填する充填部材232を形成し、その後、例えばCMP法を用いて平坦化を行う。
続いて、層間絶縁膜30と回路基板220とを対向させた状態とし(図16参照)、層間絶縁膜30と回路基板220とを接合する。例えば、超高真空下で表面の不活性層をプラズマ、加速したイオンビームなどのエネルギー波を照射することによって除去し、層間絶縁膜30と回路基板220との表面を活性化する。次いで、表面活性化した物質同士を密着させることによって、原子間力によって層間絶縁膜30と回路基板220とを接合することができる(図17参照)。次いで、基板39を除去する(図18参照)。
次いで、層間絶縁膜30において導通部233に対応する部分に開口部OP233を形成する。例えば、反射膜231がストッパとして作用するような条件でドライエッチングを施すことによって開口部OP233を形成することができる(図19参照)。その後、開口部OP233の部分に導通部233を形成する。例えば、全面に導電膜を形成し、その後、例えばCMP法を用いて平坦化を行うことによって、導通部233を形成することができる(図20参照)。
先ず、層間絶縁膜30上に、第1電極41を形成する。例えば、層間絶縁膜30上にITO膜を形成し、次いで、ITO膜をパターニングすることによって、第1電極41を得ることができる。第1電極41と反射膜231とは、導通部233を介して電気的に接続されている。
次いで、第1電極41と第1電極41との間に、画素間絶縁膜としての隔壁部51を形成する。上述した[工程−160]で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
次いで、アノード電極となる第1電極41上を含む全面に、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層を順次成膜し、白色で発光する有機層60を形成する。
次いで、有機層60上の全面に、カソード電極となる第2電極70を形成する。例えば、蒸着法によって銀マグネシウム合金から成る膜を全面に亘って形成することによって、第2電極70を得ることができる。その後、全面に保護膜80を形成した後、カラーフィルタ90が形成された対向基板を張り合わせることによって、図13に示す表示装置2を得ることができる。
第3の実施形態も、第1の実施形態の変形である。第3の実施形態にあっては、反射膜と第1電極との間に位置する層間絶縁膜の層数が、画素の表示色に応じて異なる点が、主に相違する。
2L/λ+Φ/2π=m(mは整数)
の条件を満たすように設定されている。
先ず、駆動回路が形成された回路基板20を準備する。回路基板20の構成は、上述した[工程−100]で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
シリコンウエハから成る基板39を準備し、その上に、例えば、シリコン酸化物から成る層とシリコン窒化物から成る層といった2種類の層を交互に積層して層間絶縁膜330を形成する(図26B参照)。図に示す例では、第1層330Aと第3層330Cと第5層330Eはシリコン酸化物から成る層、第2層330Bと第4層330Dはシリコン窒化物から成る層である。
ついで、層間絶縁膜330において、反射膜331Aに対応する部分に第1層330Aと第2層330Bとの境界面が底面に露出するように開口部OP331Aを形成し、反射膜331Bに対応する部分に第2層330Bと第3層330Cとの境界面が底面に露出するように開口部OP331Bを形成し、反射膜331Cに対応する部分に第3層330Cと第4層330Dとの境界面が底面に露出するように開口部OP331Cを形成する。
その後、開口部OP331の部分に反射膜331などを形成し、併せて、開口部OP333の部分に導通部333を形成する。例えば、開口部を含む全面に銀薄膜をスパッタ法によって形成し、次いで、反射膜331の開口部を充填する充填部材32を形成し、その後、例えばCMP法を用いて平坦化を行う。
続いて、層間絶縁膜330と回路基板20とを対向させた状態とし(図28参照)、層間絶縁膜330と回路基板20とを接合する。層間絶縁膜330と回路基板20との表面を活性化し、次いで、表面活性化した物質同士を密着させることによって、原子間力によって層間絶縁膜330と回路基板20とを接合することができる(図29参照)。次いで、基板39を除去する(図30参照)。
先ず、層間絶縁膜330上に、第1電極41を形成する。第1電極41の構成は、上述した[工程−150]で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
次いで、第1電極41と第1電極41との間に、画素間絶縁膜としての隔壁部51を形成する。隔壁部51の構成は、上述した[工程−160]で説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
次いで、アノード電極となる第1電極41上を含む全面に、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層を順次成膜し、白色で発光する有機層60を形成する。
次いで、有機層60上の全面に、カソード電極となる第2電極70を形成する。例えば、蒸着法によって銀マグネシウム合金から成る膜を全面に亘って形成することによって、第2電極70を得ることができる(図34)。その後、全面に保護膜80を形成した後、カラーフィルタ90が形成された対向基板を張り合わせることによって、図25に示す表示装置3を得ることができる。
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部(表示装置)として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ(頭部装着型ディスプレイ)等の表示部として用いることができる。
図36は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図36Aにその正面図を示し、図36Bにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部(カメラボディ)411の正面右側に交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)412を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部413を有している。
図37は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部511の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部512を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部511として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部511として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
図38は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ611は、本体部612、アーム613および鏡筒614で構成される。
なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置であって、
第1電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第1電極の間には隔壁部が形成されており、
第1電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第2電極とが積層されており、
第1電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
第1電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
表示装置。
[A2]
層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る、
上記[A1]に記載の表示装置。
[A3]
層間絶縁膜は、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも2種類の層を含んでいる、
上記[A2]に記載の表示装置。
[A4]
層間絶縁膜は、2種類の層が交互に積層されて構成されている、
上記[A3]に記載の表示装置。
[A5]
反射膜と第1電極との間に位置する層間絶縁膜の層数は、画素の表示色に応じて異なる、
上記[A2]ないし[A4]のいずれかに記載の表示装置。
[A6]
反射膜と第1電極との間に位置する層間絶縁膜の膜厚は、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
上記[A2]ないし[A5]のいずれかに記載の表示装置。
[A7]
第1電極および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第1電極と反射膜との間の光学的距離を符号L、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Lは、
2L/λ+Φ/2π=m(mは整数)
の条件を満たす、
上記[A6]のいずれかに記載の表示装置。
[A8]
反射膜は、層間絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれている、
上記[A1]ないし[A7]のいずれかに記載の表示装置。
[A9]
反射膜は金属材料から成る、
上記[A1]ないし[A8]のいずれかに記載の表示装置。
[A10]
反射膜は銀または銀合金から成る、
上記[A9]に記載の表示装置。
[A11]
反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている、
上記[A9]に記載の表示装置。
[A12]
回路基板は画素を駆動するための駆動回路を備えており、
第1電極と駆動回路とは電気的に接続されている、
上記[A1]ないし[A11]のいずれかに記載の表示装置。
[A13]
第1電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている、
上記[A12]に記載の表示装置。
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置の製造方法であって、
基板上に、異なる種類の絶縁材料から成る層が接するように積層されて成る層間絶縁膜を形成する工程と、
第1電極に対応する層間絶縁膜の領域に、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面の同一面が底部に露出するように、開口部を形成する工程と、
開口部に反射膜を埋め込む工程と、
反射膜が埋め込まれた面を回路基板と接合し、次いで、基板を除去する工程と、
層間絶縁膜上に、第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を形成する工程と、
を有する、
表示装置の製造方法。
[B2]
層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る、
上記[B1]に記載の表示装置の製造方法。
[B3]
層間絶縁膜は、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも2種類の層を含んでいる、
上記[B2]に記載の表示装置の製造方法。
[B4]
層間絶縁膜は、2種類の層が交互に積層されて構成されている、
上記[B3]に記載の表示装置の製造方法。
[B5]
反射膜と第1電極との間に位置する層間絶縁膜の層数は、画素の表示色に応じて異なる、
上記[B2]ないし[B4]のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
[B6]
反射膜と第1電極との間に位置する層間絶縁膜の膜厚は、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
上記[B2]ないし[B5]のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
[B7]
第1電極および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第1電極と反射膜との間の光学的距離を符号L、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Lは、
2L/λ+Φ/2π=m(mは整数)
の条件を満たす、
上記[B6]のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
[B8]
反射膜は、層間絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれている、
上記[B1]ないし[B7]のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
[B9]
反射膜は金属材料から成る、
上記[B1]ないし[B8]のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
[B10]
反射膜は銀または銀合金から成る、
上記[B9]に記載の表示装置の製造方法。
[B11]
反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている、
上記[B9]に記載の表示装置の製造方法。
[B12]
回路基板は画素を駆動するための駆動回路を備えており、
第1電極と駆動回路とは電気的に接続されている、
上記[B1]ないし[B11]のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
[B13]
第1電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている、
上記[B12]に記載の表示装置の製造方法。
第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置において、
第1電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第1電極の間には隔壁部が形成されており、
第1電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第2電極とが積層されており、
第1電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
第1電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
電子機器。
[C2]
層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る、
上記[C1]に記載の電子機器。
[C3]
層間絶縁膜は、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも2種類の層を含んでいる、
上記[C2]に記載の電子機器。
[C4]
層間絶縁膜は、2種類の層が交互に積層されて構成されている、
上記[C3]に記載の電子機器。
[C5]
反射膜と第1電極との間に位置する層間絶縁膜の層数は、画素の表示色に応じて異なる、
上記[C2]ないし[C4]のいずれかに記載の電子機器。
[C6]
反射膜と第1電極との間に位置する層間絶縁膜の膜厚は、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
上記[C2]ないし[C5]のいずれかに記載の電子機器。
[C7]
第1電極および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第1電極と反射膜との間の光学的距離を符号L、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Lは、
2L/λ+Φ/2π=m(mは整数)
の条件を満たす、
上記[C6]のいずれかに記載の電子機器。
[C8]
反射膜は、層間絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれている、
上記[C1]ないし[C7]のいずれかに記載の電子機器。
[C9]
反射膜は金属材料から成る、
上記[C1]ないし[C8]のいずれかに記載の電子機器。
[C10]
反射膜は銀または銀合金から成る、
上記[C9]に記載の電子機器。
[C11]
反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている、
上記[C9]に記載の電子機器。
[C12]
回路基板は画素を駆動するための駆動回路を備えており、
第1電極と駆動回路とは電気的に接続されている、
上記[C1]ないし[C11]のいずれかに記載の電子機器。
[C13]
第1電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている、
上記[C12]に記載の電子機器。
Claims (15)
- 第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置であって、
第1電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第1電極の間には隔壁部が形成されており、
第1電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第2電極とが積層されており、
第1電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
第1電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
表示装置。 - 層間絶縁膜は異なる種類の絶縁材料が接するように複数積層されて成る、
請求項1に記載の表示装置。 - 層間絶縁膜は、シリコン酸化物から成る層、シリコン窒化物から成る層、及び、シリコン酸窒化物から成る層のうちの少なくとも2種類の層を含んでいる、
請求項2に記載の表示装置。 - 層間絶縁膜は、2種類の層が交互に積層されて構成されている、
請求項3に記載の表示装置。 - 反射膜と第1電極との間に位置する層間絶縁膜の層数は、画素の表示色に応じて異なる、
請求項2に記載の表示装置。 - 反射膜と第1電極との間に位置する層間絶縁膜の膜厚は、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
請求項2に記載の表示装置。 - 第1電極および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、第1電極と反射膜との間の光学的距離を符号L、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Lは、
2L/λ+Φ/2π=m(mは整数)
の条件を満たす、
請求項6に記載の表示装置。 - 反射膜は、層間絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれている、
請求項1に記載の表示装置。 - 反射膜は金属材料から成る、
請求項1に記載の表示装置。 - 反射膜は銀または銀合金から成る、
請求項9に記載の表示装置。 - 反射膜は、銀または銀合金から成る上層部と、銅または銅合金からなる下層部とから構成されている、
請求項9に記載の表示装置。 - 回路基板は画素を駆動するための駆動回路を備えており、
第1電極と駆動回路とは電気的に接続されている、
請求項1に記載の表示装置。 - 第1電極と駆動回路とは反射膜を介して電気的に接続されている、
請求項12に記載の表示装置。 - 第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置の製造方法であって、
基板上に、異なる種類の絶縁材料から成る層が接するように積層されて成る層間絶縁膜を形成する工程と、
第1電極に対応する層間絶縁膜の領域に、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面の同一面が底部に露出するように、開口部を形成する工程と、
開口部に反射膜を埋め込む工程と、
反射膜が埋め込まれた面を回路基板と接合し、次いで、基板を除去する工程と、
層間絶縁膜上に、第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を形成する工程と、
を有する、
表示装置の製造方法。 - 第1電極と有機層と第2電極とが積層されて成る発光部を有する画素が、回路基板上に、2次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置において、
第1電極は発光部ごとに設けられていると共に、隣接する第1電極の間には隔壁部が形成されており、
第1電極上と隔壁部上を含む全面に、有機層と第2電極とが積層されており、
第1電極は、層間絶縁膜の上に形成されており、
第1電極の下側には、層間絶縁膜において異なる絶縁材料が接する境界面と同一面に設けられた光反射面を有する反射膜が形成されている、
電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018091993 | 2018-05-11 | ||
JP2018091993 | 2018-05-11 | ||
PCT/JP2019/017184 WO2019216198A1 (ja) | 2018-05-11 | 2019-04-23 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019216198A1 true JPWO2019216198A1 (ja) | 2021-06-17 |
JP7184882B2 JP7184882B2 (ja) | 2022-12-06 |
Family
ID=68468269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020518239A Active JP7184882B2 (ja) | 2018-05-11 | 2019-04-23 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210111235A1 (ja) |
JP (1) | JP7184882B2 (ja) |
CN (1) | CN112106445A (ja) |
WO (1) | WO2019216198A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3085232B1 (fr) * | 2018-08-21 | 2020-07-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Pixel d’un micro-ecran a diodes electroluminescentes organiques |
US11980046B2 (en) * | 2020-05-27 | 2024-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device |
KR20220030361A (ko) * | 2020-08-28 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
US11810907B2 (en) * | 2021-01-27 | 2023-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pixel structure for displays |
WO2024018756A1 (ja) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | キヤノン株式会社 | 発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259607A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Seiko Epson Corp | 表示パネルおよび表示装置 |
JP2007004997A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2008135373A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-06-12 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
KR20090062194A (ko) * | 2007-12-12 | 2009-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
KR20090132356A (ko) * | 2008-06-20 | 2009-12-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법 |
KR20160039105A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004053816A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置およびその作製方法 |
JP4645587B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 表示素子および表示装置 |
JP2010232163A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-10-14 | Fujifilm Corp | 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ |
KR101983229B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2019-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP5927476B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2016-06-01 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
JP2013153068A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
JP6111643B2 (ja) * | 2012-12-17 | 2017-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 |
JP2014186257A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
CN103928495B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-01-18 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
JP6318665B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
JP5918340B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-18 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | カラー表示装置及びその製造方法 |
JP6358078B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP6601047B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2019-11-06 | ソニー株式会社 | 発光素子及びその製造方法、並びに、表示装置 |
KR102656795B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
-
2019
- 2019-04-23 WO PCT/JP2019/017184 patent/WO2019216198A1/ja active Application Filing
- 2019-04-23 CN CN201980030259.1A patent/CN112106445A/zh active Pending
- 2019-04-23 JP JP2020518239A patent/JP7184882B2/ja active Active
- 2019-04-23 US US17/052,994 patent/US20210111235A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259607A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Seiko Epson Corp | 表示パネルおよび表示装置 |
JP2007004997A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2008135373A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-06-12 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
KR20090062194A (ko) * | 2007-12-12 | 2009-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
KR20090132356A (ko) * | 2008-06-20 | 2009-12-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법 |
KR20160039105A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112106445A (zh) | 2020-12-18 |
JP7184882B2 (ja) | 2022-12-06 |
US20210111235A1 (en) | 2021-04-15 |
WO2019216198A1 (ja) | 2019-11-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
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|
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