JP6997908B1 - 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents

表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】ホワイト方式の利点を残しつつ発光効率をより高める。【解決手段】実施形態に係る表示装置は、隔壁部で区画された複数の画素それぞれは、基板上に積層された第１電極、第１の発光層、第１発光分離層、第２の発光層、第２発光分離層、第３の発光層及び第２電極と、基板上であって基板と第１電極との間に位置する反射板と、反射板と第１電極との間に位置する光学調整層と、を備え、第１発光分離層と第２発光分離層との膜厚が異なり、第１画素の発光部に対応する第１電極の幅と、第２画素の発光部に対応する第１電極の幅と、第３画素の発光部に対応する第１電極の幅とは、第１の発光層と第１発光分離層と第２の発光層と第２発光分離層と第３の発光層とが積層する方向と垂直な方向において互いに異なり、画素それぞれにおける光学調整層の膜厚は、第１画素と第２画素と第３画素とで異なる。【選択図】図１６

Description

本開示は、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）を利用した有機ＥＬ表示装置が注目されている。そして、有機ＥＬ表示装置は、モニタなどの直視型の表示装置の他、数ミクロン程度の微細な画素ピッチが要求される超小型の表示装置にも適用されつつある。
有機ＥＬ表示装置には、カラー表示を実現する方式として、例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光といった複数色の有機ＥＬ材料層を、マスクを利用して画素毎に形成するといった方式がある。以下、この方式を塗り分け方式と呼ぶ場合がある。塗り分け方式は、発光効率に優れており、直視型の表示装置に用いられることが多い。
しかしながら、画素のピッチが細かくなればなるほど、位置合わせの精度などといった点で、マスクを利用して画素毎に有機ＥＬ材料層を形成することが困難となる。従って、数ミクロン程度の微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置にあっては、白色発光の有機ＥＬ材料層を全ての画素に共通に形成してカラーフィルタを組み合わせるといった方式が好適である。以下、この方式をホワイト方式と呼ぶ場合がある。
白色発光の有機ＥＬ材料層は、例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光の発光層を積層することによって形成することができる。そして、バランスの良い白色光を得るためには、各色の発光層における発光強度のバランスを良好に保つ必要がある。このため、発光層と発光層との間に中間層（発光分離層）を形成することによって、それぞれの発光層をバランス良く発光させるといった技術が知られている(例えば、特許文献１を参照）。
特開２０１３－２５８０２２号公報
上述したように、ホワイト方式は微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置に適した方式である。しかしながら、ホワイト方式は、キャリアの再結合による発光を複数の発光層に振り分けている。このため、赤色表示画素における緑色と青色の発光、緑色表示画素における赤色と青色の発光、及び、青色表示画素における赤色と緑色の発光は、表示に寄与しない。換言すれば、ホワイト方式は内部発光効率が低いため、高輝度を得るためにより多くの電力が必要という課題があった。このため、ホワイト方式の利点を残しつつ発光効率をより高めることができる技術が求められていた。
従って、本開示の目的は、ホワイト方式の利点を残しつつ発光効率をより高めることができる表示装置、係る表示装置を備えた電子機器、および、係る表示装置の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置は、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
有機層は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光分離層を含んでおり、
種類の異なる複数の発光層のそれぞれは、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されており、
発光分離層は、隣接する２つの発光層の間に配置されていると共に、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
表示装置である。
上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置の製造方法は、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置の製造方法であって、
画素毎に対応するように第１電極を形成する工程、及び、
第１電極を含む全面に、種類の異なる複数の発光層のそれぞれを、連続した共通の層として積層すると共に、隣接する２つの発光層の間に配置される発光分離層を画素の表示色に応じて構成が異なるように形成する工程、
を有する、
表示装置の製造方法である。
上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
有機層は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光分離層を含んでおり、
種類の異なる複数の発光層のそれぞれは、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されており、
発光分離層は、隣接する２つの発光層の間に配置されていると共に、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
表示装置を有する電子機器である。
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。 図２は、表示領域における画素の配列を説明するための模式的な平面図である。 図３は、表示装置の模式的な一部断面図である。 図４は、発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。 図５は、加法混色により白色を発光する発光部におけるキャリアの再結合を説明するための模式的な断面図である。 図６は、赤色成分を多く含む白色を発光する発光部からカラーフィルタを介して赤色光を取り出す場合を説明するための模式的な断面図である。 図７は、青色成分を多く含む白色を発光する発光部からカラーフィルタを介して青色光を取り出す場合を説明するための模式的な断面図である。 図８は、緑色成分を多く含む白色を発光する発光部からカラーフィルタを介して緑色光を取り出す場合を説明するための模式的な断面図である。 図９は、発光分離層を電子輸送材料から成る構成としたときの、発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。 図１０は、隣接する第１電極の間に隔壁部が形成されている基板を説明するための模式的な断面図である。 図１１は、発光層と発光分離層の蒸着工程を説明するための模式図である。 図１２は、隣接する第１電極の間に隔壁部が形成されている基板の変形例を説明するための模式的な断面図である。 図１３は、第２の実施形態に係る表示装置の発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。 図１４は、第２の実施形態の変形例に係る表示装置の発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。 図１５は、第３の実施形態に係る表示装置の発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。 図１６は、第４の実施形態に係る表示装置の発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。 図１７は、第５の実施形態に係る表示装置における画素の配列を説明するための模式的な平面図である。 図１８は、発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。 図１９は、第５の実施形態に係る表示装置の製造に用いられる基板の構成例を説明するための模式的な断面図である。 図２０Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。図２０Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。 図２１Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。図２１Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。 図２２Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。図２２Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。 図２３は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。 図２４は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図２４Ａにその正面図を示し、図２４Ｂにその背面図を示す。 図２５は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。 図２６は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。
以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明
２．第１の実施形態
３．第２の実施形態
４．第３の実施形態
５．第４の実施形態
６．第５の実施形態
７．各実施形態に適用される共振器構造の例
８．電子機器の説明、その他
［本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明］
本開示に係る表示装置、本開示に係る電子機器に用いられる表示装置、及び、本開示に係る表示装置の製造方法によって得られる表示装置（以下、これらを単に「本開示の表示装置」と呼ぶ場合がある。）にあっては、上述したように、
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
有機層は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光分離層を含んでおり、
種類の異なる複数の発光層のそれぞれは、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されており、
発光分離層は、隣接する２つの発光層の間に配置されていると共に、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
構成とすることができる。この場合において、発光分離層は、画素の表示色に応じて膜厚が相違するように形成されている構成とすることができる。
この場合において、発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも１つを用いて形成されている構成とすることができる。
あるいは又、本開示の表示装置において、発光分離層は、画素の表示色に応じて構成が異なる材料を用いて形成されている構成とすることができる。
発光分離層は、種類の異なる複数の材料が共蒸着されて形成されている構成とすることができる。そして、発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の濃度関係が相違するように形成されている構成とすることができる。また、発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも２つが共蒸着されて形成されている構成とすることができる。
あるいは又、本開示の表示装置において、発光分離層は、種類の異なる複数の材料が積層されて形成されている構成とすることができる。そして、発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の積層比率が相違するように形成されている構成とすることができる。また、発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも２つが積層されて形成されている構成とすることができる。
あるいは又、本開示の表示装置において、有機層は、それぞれ種類の異なる、第１の発光層、第２の発光層、及び、第３の発光層を含んでおり、
各発光層は、第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として配置されており、
発光分離層は、第１の発光層と第２の発光層との間に配置された第１の発光分離層と、第２の発光層と第３の発光層との間に配置された第２の発光分離層とから成る、
構成とすることができる。この場合において、第１の発光分離層および第２の発光分離層の少なくとも一方は、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている構成とすることができる。第１の発光分離層および第２の発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも１つを用いて形成されている構成とすることができる。
上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、有機層は、赤色発光層、青色発光層、及び、緑色発光層を含んでおり、
各発光層は、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されている、
構成とすることができる。
上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、各画素の上面には表示すべき色に応じたカラーフィルタが配置されている構成とすることができる。カラー表示とする場合、例えば、赤色、青色、緑色のカラーフィルタを配置することができる。カラーフィルタは、周知の顔料や染料を含んだ層を適宜パターニングすることによって形成することができる。尚、赤色、青色、緑色に加えて、更に透明のカラーフィルタを配置する構成であってもよい。この構成にあっては、赤色、青色、緑色の画素に加えて、白色の画素を用いて画像を表示することができるので、輝度の向上を図ることができる。
上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。表示すべき色の光に応じた共振器構造を備えることによって、色純度やピーク強度を高めることができる。本開示の表示装置にあっては、種々の共振器構造を適用することができる。
本開示に係る表示装置の製造方法にあっては、上述したように、
画素毎に対応するように第１電極を形成する工程、及び、
第１電極を含む全面に、種類の異なる複数の発光層のそれぞれを、連続した共通の層として積層すると共に、隣接する２つの発光層の間に配置される発光分離層を画素の表示色に応じて構成が異なるように形成する工程、
を有する。
この場合において、
隣接する第１電極の間に隔壁部を形成する工程を更に含んでおり、
第１電極を囲む隔壁部の高さと第１電極の幅とが成す比が、画素の発光色に応じて異なるように設定された状態で、発光層を所定の成膜幅でライン蒸着し、発光分離層を発光層の成膜幅よりも広い成膜幅でライン蒸着する、
構成とすることができる。
この構成によれば、繊細な画素ピッチにも対応でき、かつ、発光層は発光分離層をライン蒸着するといった簡易的な方法で、発光分離層を隣接する２つの発光層の間に配置すると共に、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成することができる。
上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器（以下、これらを単に、本開示と呼ぶ場合がある）において、第１電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）といった光反射性の導電材料を用いて構成することができる。あるいは又、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）といった周知の透明導電材料を用いることもできる。この場合には、光反射材料からなる反射層と積層した構成とすることが好ましい。第１電極は、スパッタリング法などの周知の成膜方法と、エッチング法やリフトオフ法などの周知のパターニング法との組み合わせによって形成することができる。
本開示において、第２電極は、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料により構成することが好ましい。例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）あるいはそれらの合金などといった金属材料を用いて構成することができる。第２電極の厚さは、３ないし１００ナノメートル程度に設定されることが好ましい。また、第２の電極は多層膜として構成されていてもよい。第２電極は、各画素に共通する電極として形成されている構成とすることができ、例えばスパッタリング法などの成膜方法によって形成することができる。
発光層を構成する発光材料は、蛍光性のものであってもよいし、燐光性のものであってもよい。発光材料の構成は特に限定するものではなく、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）と２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）の混合物（赤色発光）、ＤＰＶＢｉと４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）の混合物（青色発光）、ＤＰＶＢｉとクマリン６の混合物（緑色発光）などといった周知の材料を用いることができる。また、各色の発光層は、上述した発光材料に加え、電子やホールといったキャリアの輸送性材料などを適宜加えて構成することができる。
ホール輸送性材料は発光層へのホールの注入を助けるホール注入層などにも用いられる材料であって、銅フタロシアニン、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）、α－ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕- 4,4'-diamineなどといった周知の材料を例示することができる。また、電子輸送性材料は、発光層への電子の注入を助ける電子注入層などにも用いられる材料であって、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、８－ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体や含窒素複素環誘導体（例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム錯体、ベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体）などといった周知の材料を例示することができる。両電荷輸送性材料としては、アミノスチリル化合物などといった材料の他、ホール輸送性材料と電子輸送性材料とが共蒸着されて成る材料を挙げることができる。
表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ－ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ－ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ－ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ－ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ－ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
表示装置に用いられる絶縁膜などは、公知の無機材料や有機材料から適宜選択した材料を用いて形成することができ、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などの周知の成膜方法で形成することができる。また、これらをパターニングする場合には、エッチング法やリフトオフ法などの周知のパターニング法の組み合わせによって行うことができる。
本開示に係る表示装置において、発光部の発光を制御する駆動回路などの構成は特に限定するものではない。発光部は、例えば、基板上の或る平面内に形成され、例えば、層間絶縁層を介して、発光部を駆動する駆動回路の上方に配置されているといった構成とすることができる。駆動回路を構成するトランジスタの構成は、特に限定するものではない。ｐチャネル型の電界効果トランジスタであってもよいし、ｎチャネル型の電界効果トランジスタであってもよい。
基板の構成材料として、半導体材料、ガラス材料、あるいは、プラスチック材料を例示することができる。駆動回路を半導体基板に形成されたトランジスタによって構成するといった場合、例えばシリコンから成る半導体基板にウェル領域を設け、ウェル内にトランジスタを形成するといった構成とすればよい。一方、駆動回路を薄膜トランジスタなどによって構成するといった場合は、ガラス材料やプラスチック材料から成る基板を用いてその上に半導体薄膜を形成し駆動回路を形成することができる。各種の配線は、周知の構成や構造とすることができる。
本明細書における各種の条件は、厳密に成立する場合の他、実質的に成立する場合にも満たされる。設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる図は模式的なものである。例えば、後述する図２は表示装置の断面構造を示すが、幅、高さ、厚さなどの割合を示すものではない。
［第１の実施形態］
第１の実施形態は、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。表示装置１は、発光部ＥＬＰと発光部ＥＬＰを駆動する駆動回路とを含む画素１０が、行方向（図１においてＸ方向）に延びる走査線ＳＣＬと列方向（図１においてＹ方向）に延びるデータ線ＤＴＬとに接続された状態で２次元マトリクス状に配列して形成されている表示領域１１、給電線ＰＳ１に電圧を供給する電源部１００、走査線ＳＣＬに走査信号を供給する走査部１０１、データ線ＤＴＬに信号電圧を供給するデータドライバ１０２を備えている。尚、図示の都合上、図１においては、１つの画素１０、より具体的には、後述する第（ｑ，ｐ）番目の画素１０についての結線関係を示した。
表示装置１は、更に、全ての画素１０に共通に接続される共通給電線ＰＳ２を備えている。給電線ＰＳ１には、電源部１００から所定の駆動電圧が供給され、共通給電線ＰＳ２には、共通の電圧（例えば接地電位）が供給される。
図１では図示されていないが、表示領域１１には、行方向にＱ個、列方向にＰ個、合計Ｑ×Ｐ個の画素（表示素子）１０が、２次元マトリクス状に配列されている。表示領域における画素１０の行数はＰであり、各行を構成する画素１０の数はＱである。
また、走査線ＳＣＬ及び給電線ＰＳ１の本数はそれぞれＰ本である。第ｐ行目（但し、ｐ＝１，２・・・，Ｐ）の画素１０は、第ｐ番目の走査線ＳＣＬp、第ｐ番目の給電線ＰＳ１pに接続されており、１つの表示素子行を構成する。尚、図１では、走査線ＳＣＬp及び給電線ＰＳ１pのみが示されている。
また、データ線ＤＴＬの本数はＱ本である。第ｑ列目（但し、ｑ＝１，２・・・，Ｑ）の画素１０は、第ｑ番目のデータ線ＤＴＬqに接続されている。尚、図１では、データ線ＤＴＬqのみが示されている。
図２は、表示領域における画素の配列を説明するための模式的な平面図である。表示装置１は、例えばカラー表示の表示装置である。１つの画素１０は、１つのサブピクセルを構成する。以下の説明において、赤色表示画素を符号１０R、青色表示画素を符号１０B、緑色表示画素を符号１０Gと表す場合がある。また、画素の種類を限定しない場合には、これらをまとめて単に画素１０と記す。
走査部１０１からの走査信号によって、表示装置１は行単位で線順次走査される。第ｐ行、第ｑ列目に位置する画素１０を、以下、第（ｑ，ｐ）番目の画素１０あるいは第（ｑ，ｐ）番目の画素１０と呼ぶ。
表示装置１にあっては、第ｐ行目に配列されたＱ個の画素１０が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＱ個の画素１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｐ）秒未満である。
図１に示すように、画素１０は、発光部ＥＬＰとこれを駆動する駆動回路とから成る。発光部ＥＬＰは有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る。駆動回路は、書込みトランジスタＴＲW、及び、駆動トランジスタＴＲD、並びに、容量部Ｃ1から構成されている。駆動トランジスタＴＲDを介して発光部ＥＬＰに電流が流れると、発光部ＥＬＰは発光する。各トランジスタは、ｐチャネル型の電界効果トランジスタから構成されている。
画素１０において、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域は、容量部Ｃ1の一端と給電線ＰＳ１とに接続されており、他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰの一端（具体的には、アノード電極）に接続されている。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極は、書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部Ｃ1の他端に接続されている。
また、書込みトランジスタＴＲWにおいて、一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。
発光部ＥＬＰの他端（具体的には、カソード電極）は、共通給電線ＰＳ２に接続されている。共通給電線ＰＳ２には所定のカソード電圧ＶCatが供給される。尚、発光部ＥＬＰの容量を符号ＣELで表す。
画素１０の駆動の概要について説明する。データドライバ１０２からデータ線ＤＴＬに、表示すべき画像の輝度に応じた電圧が供給された状態で、走査部１０１からの走査信号により書込みトランジスタＴＲWが導通状態とされると、容量部Ｃ1に表示すべき画像の輝度に応じた電圧が書き込まれる。書込みトランジスタＴＲWが非導通状態とされた後、容量部Ｃ1に保持された電圧に応じて駆動トランジスタＴＲDに電流が流れることによって発光部ＥＬＰが発光する。
尚、本開示において、画素１０の発光を制御する駆動回路の構成は特に限定するものではない。従って、図１に示す構成は一例に過ぎず、本実施形態に係る表示装置にあっては種々の構成を取り得る。
引き続き、表示装置１の基本的な構造について説明する。
図３は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。
表示装置１にあっては、第１電極３１と有機層４０と第２電極６１とが積層されて成る発光部５０を含む画素１０が、２次元マトリクス状に配列して形成されている。発光部５０は、図１における発光部ＥＬＰに対応する。
有機層４０は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光分離層ＩＬを含んでいる。そして、発光分離層ＩＬは、隣接する２つの発光層の間に配置されていると共に、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成されている。尚、図示の都合上、図３においては有機層４０の構成を簡略化して示した。
後で図４などを参照して詳しく説明するが、種類の異なる複数の発光層のそれぞれは、各画素１０に亘って連続した共通の層として、積層されている。そして、発光分離層ＩＬは、隣接する２つの発光層の間に配置されていると共に、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成されている。
発光部５０は、第１電極３１と有機層４０と第２電極６１とが積層されて構成されている。以下の説明において、赤色表示画素１０Rに対応する発光部を符号５０R、青色表示画素１０Bに対応する発光部を符号５０B、緑色表示画素１０Gに対応する発光部を符号５０Gと表す。また、発光部の種類に限定されない場合には、これらをまとめて単に発光部５０と記す。他の参照番号についても同様である。
第１電極３１は画素１０毎に対応するように形成されている。隣接する第１電極間には画素間絶縁膜としての隔壁部３２が形成されている。そして、第１電極３１上と隔壁部３２上を含む全面に、有機層４０と第２電極６１とが積層されている。その上に、保護膜６２を介してカラーフィルタ６３が配置され、更に、その上に透明な前面基板６４が配置されている。
第１電極３１は、画素１０ごとに対応するように平坦化膜２７の上に形成されており、アノード電極として機能する。一方、第２電極６１は各画素１０に共通する電極として形成されており、カソード電極として機能する。
基板２０は、基材２１、基材２１上に形成されたゲート電極２２．ゲート電極２２上を含む全面を覆うように形成されたゲート絶縁膜２３、半導体材料層２４、半導体材料層２４上を含む全面を覆うように形成された層間絶縁膜２５、半導体材料層２４に形成されたトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されたソース／ドレイン電極２６、ソース／ドレイン電極２６上を含む全面を覆うように形成された平坦化膜２７から成る。
基板２０は、上述したトランジスタ等によって構成された、画素１０を駆動するための駆動回路を備えている。そして、第１電極３１と駆動回路とは電気的に接続されている。より具体的には、第１電極３１は、コンタクトプラグ２８を介して、半導体材料層２４に形成されたトランジスタのソース／ドレイン電極２６に接続されている。コンタクトプラグ２８は、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金などの金属材料から成り、平坦化膜２７に設けられた開口部内に形成されている。
基材２１は、例えば、ガラス材料、半導体材料、あるいは、プラスチック材料などから構成することができる。この基材２１上に、発光部５０の発光を制御する薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成されている。
駆動回路を構成する各種トランジスタのゲート電極２２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの金属、またはポリシリコンなどを用いて形成することができる。ゲート絶縁膜２３は、ゲート電極２２を覆うように基材２１の全面に設けられる。ゲート絶縁膜２３は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx）やシリコン窒化物（ＳｉＮx）などを用いて形成することができる。
半導体材料層２４は、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、または酸化物半導体などを用いて、ゲート絶縁膜２３上に形成することができる。また、半導体材料層２４の一部領域は、不純物がドープされ、ソース／ドレイン領域を形成する。更に、一方のソース／ドレイン領域と他方のソース／ドレイン領域との間に位置し、かつ、ゲート電極２２の上方に位置する半導体材料層２４の領域は、チャネル領域を形成する。これらによって、基材２１上に、ボトムゲート型の薄膜トランジスタが設けられる。尚、図３においては、ソース／ドレイン領域やチャネル領域の表示は省略されている。
層間絶縁膜２５は、半導体材料層２４上に設けられる。層間絶縁膜２５は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などから形成されている。ソース／ドレイン電極２６は、層間絶縁膜２５に設けられたコンタクトホールを介して半導体材料層２４に接続されている。ソース／ドレイン電極２６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）といった金属から形成されている。
平坦化膜２７は、駆動回路等を被覆し平坦化するために形成される。平坦化膜２７は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、もしくはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜、またはシリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、もしくはシリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などの無機絶縁膜を用いて形成することができる。
コンタクトプラグ２８は、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金などの金属材料から成り、平坦化膜２７に設けられた開口部内に形成されている。第１電極３１と駆動トランジスタのソース／ドレイン電極２６とは、コンタクトプラグ２８によって、電気的に接続されている。
第１電極３１は、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射材料から構成されている。尚、場合によっては、透明導電材料と上述した光反射材料とが積層されて構成されていてもよい。第１電極３１は、厚さが１００ないし３００ナノメートル程度の範囲に設定されていることが好ましい。
有機層４０は、第１電極３１上と隔壁部３２上を含む全面に形成されている。有機層４０の発光層は各画素１０に亘って共通に形成されており、基本的には白色光を発光する。第２電極６１は、有機層４０上を含む全面に形成されている。第２電極６１は、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料、例えばインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から成る。
保護膜６２は、第２電極６１上を含む全面に形成されている。保護膜６２は、有機層４０への水分の侵入を防止するためのものであって、透水性の低い材料を用いて形成される。保護膜６２の材料としては、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯx）、チタン酸化物（ＴｉＯx）、またはこれらの組み合わせが用いられる。
各画素の上面には表示すべき色に応じたカラーフィルタが配置されている。即ち、保護膜６２上に配置されたカラーフィルタ６３は、赤色表示画素１０Rに対応するカラーフィルタ６３R、青色表示画素１０Bに対応するカラーフィルタ６３B、緑色表示画素１０Gに対応するカラーフィルタ６３Gから形成されている。発光部５０からの光は、カラーフィルタ６３と前面基板６４を介して出射し、画像として観察される。
以上、表示装置１の基本的な構造について説明した。引き続き、発光部における積層関係について詳しく説明する。
図４は、発光部における下部電極、有機層、上部電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。
図４に示すように、発光部５０は、第１電極３１と有機層４０と第２電極６１とが積層されて構成される。有機層４０は、第１の発光層（以下、赤色発光層と呼ぶ）４３、第２の発光層（以下、青色発光層と呼ぶ）４４、及び、第３の発光層（以下、緑色発光層と呼ぶ））４５といった種類の異なる発光層を含んでおり、更に、発光分離層ＩＬを含んでいる。有機層４０は、更に、ホール注入層４１、ホール輸送層４２、及び、電子輸送層４６を含んでいる。各発光層は、赤色発光層４３、青色発光層４４、緑色発光層４５の順で、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されている。ホール注入層４１、ホール輸送層４２、及び、電子輸送層４６についても同様である。
発光分離層ＩＬは、隣接する２つの発光層の間、より具体的には、赤色発光層４３と青色発光層４４との間に配置されている。発光分離層ＩＬは、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも１つを用いて形成することができる。図４は、発光分離層ＩＬがホール輸送性材料から成る場合を示す。
図４に示すように、発光部５０は、第１電極３１／ホール注入層４１／ホール輸送層４２／赤色発光層４３／発光分離層ＩＬ／青色発光層４４／緑色発光層４５／電子輸送層４６／第２電極６１が積層された構成である。構成材料の種類にもよるが、ホール注入層４１は１ないし２０ナノメートル、ホール輸送層４２は１０ないし２００ナノメートル、各種発光層は５ないし５０ナノメートル、電子輸送層４３は１０ないし２００ナノメートルの範囲に設定されることが好ましい。
表示装置１において、発光分離層ＩＬは、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成されている。より具体的には、発光分離層ＩＬは、画素の表示色に応じて膜厚が相違するように形成されている。以下の説明において、赤色表示画素１０Rに対応する発光部５０Rの発光分離層を符号ＩＬR、青色表示画素１０Bに対応する発光部５０Bの発光分離層を符号ＩＬB、緑色表示画素１０Gに対応する発光部５０Gの発光分離層を符号ＩＬGで表す。
発光分離層ＩＬがホール輸送性材料から成る場合、これらの膜厚の関係は、
発光分離層ＩＬR＜発光分離層ＩＬB＜発光分離層ＩＬG
といった関係である。発光分離層ＩＬの膜厚は０ないし２０ナノメートル程度の範囲に設定されることが好ましく、この膜厚範囲内にて上記大小関係を保つように設定することが望ましい。
ここで、発光分離層ＩＬの厚さによる発光色の変化について、図５、図６、図７、及び、図８を参照して説明する。
図５は、加法混色により白色を発光する発光部におけるキャリアの再結合を説明するための模式的な断面図である。
赤色発光層４３、青色発光層４４、緑色発光層４５からの光を加法混色されることによって色度に偏りがない白色を発光させる場合、各発光層における発光強度のバランスを取ることが必要となる。発光層間に発光分離層ＩＬを挟むことによって、各発光層におけるキャリア再結合の程度を調整することができる。図５は、各発光層における発光強度のバランスがとれ、色度に偏りがない白色が発光されている状態を示す。このときの発光分離層を符号ＩＬWで示す。
発光分離層ＩＬがホール輸送性材料から成る場合、発光分離層ＩＬを薄くすると発光層に対するホールの注入効果が相対的に低くなる。従って、図６に示すように、発光分離層ＩＬWよりも薄い発光分離層ＩＬRを発光層間に挟むと、キャリアの再結合の中心が相対的に第１電極３１側にシフトする。結果として、赤色発光層４３の発光強度は相対的に強くなる。従って、図５に示す白色光から赤色フィルタを介して赤色光を取り出す場合と、図６に示す白色光から赤色フィルタを介して赤色光を取り出す場合とを比較すれば、後者のほうがより強い赤色光を取り出すことができる。
一方、発光分離層ＩＬを厚くするとホールの注入効果が相対的に強くなる。従って、発光分離層ＩＬWよりも厚い発光分離層を発光層間に挟むと、キャリアの再結合の中心が相対的に第２電極６１側にシフトする。従って、発光分離層ＩＬBの膜厚を好適に設定することによって、キャリアの再結合の中心を青色発光層４４に近づけることができる（図７参照）。図６で説明したと同様に、図５に示す白色光から青色光を取り出す場合と、図７に示す白色光から青色光を取り出す場合とを比較すれば、後者のほうがより強い青色光を取り出すことができる。
更には、発光分離層ＩＬB＜発光分離層ＩＬGといった関係にある発光分離層ＩＬGの膜厚を好適に設定することによって、キャリアの再結合の中心を緑色発光層４５に近づけることができる（図８参照）。図６で説明したと同様に、図５に示す白色光から緑色光を取り出す場合と、図８に示す白色光から緑色光を取り出す場合とを比較すれば、後者のほうがより強い緑色光を取り出すことができる。
上記の説明においては、発光分離層ＩＬはホール輸送性材料から成るとして説明をしたが、電子輸送性材料や両電荷輸送性材料を用いることもできる。
発光分離層ＩＬが電子輸送性材料から成る場合には、発光層に対する電子の注入効果が変化する。従って、発光分離層ＩＬが厚くなるほど、キャリアの再結合の中心が相対的に第１電極３１側にシフトする。図９に示すように、発光分離層ＩＬが電子輸送性材料から成る場合、膜厚の関係は、
発光分離層ＩＬR＞発光分離層ＩＬB＞発光分離層ＩＬG
といった関係となる。
発光分離層ＩＬが両電荷輸送性材料から成る場合、発光への寄与についてホール輸送性が支配的である場合には、積層関係は図４に示した関係となる。一方、発光への寄与について電子輸送性が支配的である場合には、積層関係は図９に示した関係となる。
以上、表示装置１の詳しい構造について説明した。上記の表示装置１は、
画素１０毎に対応するように第１電極３１を形成する工程、及び、
第１電極３１を含む全面に、種類の異なる複数の発光層のそれぞれを、連続した共通の層として積層すると共に、隣接する２つの発光層の間に配置される発光分離層ＩＬを画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成する工程、
を有する製造方法によって製造することができる。
具体的には、例えば、以下のような工程で製造することができる。基材２１を用意し、その上に所定の成膜およびパターニングプロセスを施し、薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する。次いで、駆動回路上を含む全面に平坦化膜２７を形成する。その後、パターニングを施し開口を設け、開口にコンタクトプラグ２８を埋め込む。次いで、成膜とパターニングによって第１電極３１を形成する。
その後、第１電極３１上を含む全面に、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料を成膜する。続いて、リソグラフィ法およびドライエッチング法などによって、第１電極３１が露出するようにパターニングして、隔壁部３２を形成する。
次いで、第１電極３１と隔壁部３２とを含む全面に、ホール注入層４１、ホール輸送層４２、赤色発光層４３の順で、各層を全面に亘って形成する。その後、発光分離層ＩＬをマスク蒸着法や転写法によって、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成する。次いで、青色発光層４４、緑色発光層４５、電子輸送層４６の順で、各層を全面に亘って形成する。
その後、第２電極６１を全面に亘って形成し、更に、保護膜６２を形成する。次いで、保護膜６２上に、カラーフィルタ６３、前面基板６４を配置することによって表示装置１を得ることができる。
尚、上述した方法では、発光分離層ＩＬをマスク蒸着法や転写法によって形成するとしたが、マスク蒸着等を要しない工程とすることもできる。具体的には、第１電極３１を囲む隔壁部３２の高さと第１電極３１の幅とが成す比が、画素１０の発光色に応じて異なるように設定された状態で、発光層を所定の成膜幅でライン蒸着し、発光分離層ＩＬを発光層の成膜幅よりも広い成膜幅でライン蒸着する。
図１０は、隣接する第１電極の間に隔壁部が形成されている基板を説明するための模式的な断面図である。図１１は、発光層と発光分離層の蒸着工程を説明するための模式図である。
図１１に示す基板２０の上には、第１電極３１と、隣接する第１電極間に配置された隔壁部３２が形成されている。以下の説明において、赤色発光部５０Rに対応する第１電極３１の幅を符号ＷＲ、赤色発光部５０Rに対応する第１電極３１を囲む隔壁部３２の高さを符号ＨＲ、青色発光部５０Bに対応する第１電極３１の幅を符号ＷＢ、青色発光部５０Bに対応する第１電極３１を囲む隔壁部３２の高さを符号ＨＢ、緑色発光部５０Gに対応する第１電極３１の幅を符号ＷＧ、緑色発光部５０Gに対応する第１電極３１を囲む隔壁部３２の高さを符号ＨＧで表す。
ここで、各発光部５０に対応する第１電極３１の幅ＷＲ，ＷＢ，ＷＧは同じであるのに対し、第１電極３１を囲む隔壁部３２の高さは、画素の発光色に応じて異なるように形成されている。これによって、第１電極３１を囲む隔壁部３２の高さと第１電極３１の幅とが成す比が、画素１０の発光色に応じて異なるように設定された状態となっている。具体的には、
ＨＲ／ＷＲ＞ＨＢ／ＷＢ＞ＨＧ／ＷＧ
といった関係にある。
そして、図１１に示すように、この基板２０を用いて、発光層を所定の成膜幅でライン蒸着し、発光分離層ＩＬを発光層の成膜幅よりも広い成膜幅でライン蒸着する。成膜幅が狭い場合、第１電極３１を囲む隔壁部３２の高さと第１電極３１の幅とが成す比が変化しても、基板２０上の膜厚が影響を受ける程度は小さい。これに対し、成膜幅が広い場合、基板２０上の膜厚が影響を受ける程度は大きい。具体的には、第１電極３１を囲む隔壁部３２の高さが第１電極３１の幅に対して大きくなると、膜厚は相対的に薄くなる。従って、図１１に示す例では、発光層などは略同一の膜厚で形成されるのに対し、発光分離層ＩＬは、膜厚が発光部５０R＜発光部５０B＜発光部５０Gといった関係となるように形成される。
尚、図１２に示すように、隣接する第１電極間に配置された隔壁部３２の高さＨＲ，ＷＢ，ＷＧを一定として、各発光部５０に対応する第１電極３１の幅を画素の発光色に応じて異なるように形成した構成とすることもできる。この構成においても、第１電極３１を囲む隔壁部３２の高さと第１電極３１の幅とが成す比が、画素１０の発光色に応じて異なるように設定された状態となっている。具体的には、
ＨＲ／ＷＲ＞ＨＢ／ＷＢ＞ＨＧ／ＷＧ
といった関係にある。図１２に示す基板を用いて図１１に示すライン蒸着を行なうことによっても、発光分離層ＩＬは、膜厚が発光部５０R＜発光部５０B＜発光部５０Gといった関係となるように形成される。
尚、後述する他の実施形態も含め、画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。表示すべき色の光に応じた共振器構造を備えることによって、色純度やピーク強度を高めることができる。適用される共振器構造の例については、後述する図２０ないし図２３を参照して、後で詳しく説明する。
［第２の実施形態］
第２の実施形態も、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
第２の実施形態に係る表示装置２の模式的な平面図や模式的な一部断面図は、図１や図３において、表示装置１を表示装置２と読み替えればよい。有機層の積層順序は、第１の実施形態における積層順序と同様である。
図１３は、第２の実施形態に係る表示装置の発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。
表示装置２においても、発光分離層ＩＬは、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成されている。より具体的には、発光分離層ＩＬは、画素の表示色に応じて構成が異なるホール輸送性材料または電子輸送性材料を用いて形成されている。
表示装置２において、発光分離層は、画素の表示色に応じて構成が異なる材料を用いて形成されている。より具体的には、発光分離層は、種類の異なる複数の材料が共蒸着されて形成されている。発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも２つが共蒸着されて形成されている。ここでは、発光分離層は、ホール輸送性材料に電子輸送性材料をドープした共蒸着膜から成るとして説明する。
発光分離層ＩＬは、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の濃度関係が相違するように形成されている。即ち、発光分離層ＩＬR、発光分離層ＩＬB、発光分離層ＩＬGにおける電子輸送性材料の濃度は、
発光分離層ＩＬR＜発光分離層ＩＬB＜発光分離層ＩＬG
といった大小関係になるように、例えば、０ないし８０重量パーセントの範囲内で設定されている。
引き続き、変形例について説明する。
図１４は、第２の実施形態の変形例に係る表示装置の発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。
この変形例においても、発光分離層は、ホール輸送性材料に電子輸送性材料をドープした共蒸着膜から成るとして説明する。但し、図１３に対して、発光分離層において積層方向の濃度分布が異なっているといった例である。例えば、発光分離層ＩＬにおける電子輸送性材料の濃度は第２電極６１側に向かうにつれて薄くなり、かつ、その濃度分布の程度が、
発光分離層ＩＬR＜発光分離層ＩＬB＜発光分離層ＩＬG
というように相違する。
第２の実施形態における発光分離層ＩＬは、例えばマスク蒸着法や転写法によって、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成することができる。
［第３の実施形態］
第３の実施形態も、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
第３の実施形態に係る表示装置３の模式的な平面図や模式的な一部断面図は、図１や図３において、表示装置１を表示装置３と読み替えればよい。有機層の積層順序は、第１の実施形態における積層順序と同様である。
図１５は、第３の実施形態に係る表示装置の発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。
表示装置３においても、発光分離層ＩＬは、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成されている。より具体的には、発光分離層ＩＬは、画素の表示色に応じて構成が異なるホール輸送性材料または電子輸送性材料を用いて形成されている。
表示装置３において、発光分離層ＩＬは、画素の表示色に応じて構成が異なる材料を用いて形成されている。より具体的には、発光分離層ＩＬは、種類の異なる複数の材料が積層されて形成されている。発光分離層ＩＬは、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも２つが積層されて形成されている。ここでは、発光分離層ＩＬは、ホール輸送性材料と電子輸送性材料とが積層されて成るとして説明する。
発光分離層ＩＬは、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の積層比率が相違するように形成されている。発光分離層ＩＬは、第１電極３１側に位置するホール輸送性材料から成る層ＩＬ1と、第２電極６１側に位置する電子輸送性材料から成る層ＩＬ2とが、積層されて構成されている。そして、層ＩＬ2に対する層ＩＬ1の膜厚比は、
発光分離層ＩＬR＜発光分離層ＩＬB＜発光分離層ＩＬG
といった大小関係になるように設定されている。尚、各膜厚は０ないし２０ナノメートル程度の範囲に設定されることが好ましい。
第３の実施形態における発光分離層ＩＬは、例えばマスク蒸着法や転写法によって、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成することができる。
［第４の実施形態］
第４の実施形態も、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
第４の実施形態に係る表示装置４の模式的な平面図や模式的な一部断面図は、図１や図３において、表示装置１を表示装置４と読み替えればよい。
第４の実施形態にあっては、発光層間に複数の発光分離層が配置されている。より具体的には、発光分離層は、第１の発光層と第２の発光層との間に配置された第１の発光分離層と、第２の発光層と第３の発光層との間に配置された第２の発光分離層とから成る。
表示装置４においても、発光分離層ＩＬは、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成されている。より具体的には、第１の発光分離層および第２の発光分離層の少なくとも一方は、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている。
図１６は、第４の実施形態に係る表示装置の発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。
図１６に示す例では、第１の発光分離層ＩＬ1は、赤色発光層４３と青色発光層４４との間に配置され、第２の発光分離層ＩＬ2は、青色発光層４４と緑色発光層４５との間に配置されている。発光分離層ＩＬは、第１の発光分離層ＩＬ1と第２の発光分離層ＩＬ2との組み合わせによって構成されている。
第１の発光分離層ＩＬ1および第２の発光分離層ＩＬ2は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも１つを用いて形成されている。ここでは、第１の発光分離層ＩＬ1はホール輸送性材料から構成されており、第２の発光分離層ＩＬ2は電子輸送性材料から構成されているとして説明する。
第２の発光分離層ＩＬ2に対する第１の発光分離層ＩＬ1の膜厚比は、
発光分離層ＩＬR＜発光分離層ＩＬB＜発光分離層ＩＬG
といった大小関係になるように形成されている。尚、各膜厚は０ないし２０ナノメートル程度の範囲に設定されることが好ましい。
第４の実施形態における第１の発光分離層ＩＬ1および第２の発光分離層ＩＬ2は、例えばマスク蒸着法や転写法によって、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成することができる。
［第５の実施形態］
第５の実施形態も、本開示に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
第５の実施形態に係る表示装置５の模式的な平面図や模式的な一部断面図は、図１や図３において、表示装置１を表示装置５と読み替えればよい。有機層の積層順序は、第１の実施形態における積層順序と同様である。
図１７は、第５の実施形態に係る表示装置における画素の配列を説明するための模式的な平面図である。
表示装置５は、赤色、青色、緑色の画素の他、更に白色の画素を加えたといった構成の表示装置である。白色の画素を加えることによって、より輝度の向上を図ることができる。
図１８は、発光部における第１電極、有機層、第２電極の積層関係を説明するための模式的な断面図である。
表示装置５においても、発光分離層ＩＬは、画素１０の表示色に応じて構成が異なるように形成されている。より具体的には、発光分離層ＩＬは、画素の表示色に応じて膜厚が相違するように形成されている。
発光分離層ＩＬがホール輸送性材料から成る場合、これらの膜厚の関係は、
発光分離層ＩＬR＜発光分離層ＩＬW＜発光分離層ＩＬB＜発光分離層ＩＬG
といった関係である。発光分離層ＩＬの膜厚は０ないし２０ナノメートル程度の範囲に設定されることが好ましく、この膜厚範囲内にて上記大小関係を保つように設定することが望ましい。
表示装置５は、第１の実施形態において説明したと同様の製造方法によって製造することができる。ライン蒸着を行なう場合、図１０のように隔壁部の高さが相違するように形成してもよいし、図１２のように、各発光部５０に対応する第１電極３１の幅を画素の発光色に応じて異なるように形成してもよい。後者の例を図１９に示す。
上述した本開示に係る表示装置によれば、有機層は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光層と発光層との間に配置される発光分離層を含んでおり、種類の異なる複数の発光層は、各画素に亘って連続した共通の層として積層されており、発光分離層は、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている。各色の画素ごとに構成の異なる発光分離層が配置されているため、例えば、赤色表示画素においては赤色が強く発光し、青色表示画素においては青色が強く発光し, 緑色表示画素においては緑色が強く発光するように設定することができる。従って、ホワイト方式は維持した状態で、これまで表示に関与しない色の発光に使われていたキャリアをある程度まで表示すべき色に応じた発光層に集めることができる。これによって、内部発光効率を向上することができる。
［各実施形態に適用される共振器構造の例］
上述した本開示に係る表示装置に用いられる画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図を参照して、共振器構造について説明する。
（共振器構造：第１例）
図２０Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。
第１例において、第１電極３１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。第２電極６１においても同様である。
発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。反射板７１と第２電極６１との間に有機層４０が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。
反射板７１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。光学調整層７２R，７２G，７２Bが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
図に示す例では、発光部５０R，５０G，５０Bにおける反射板７１の上面は揃うように配置されている。上述したように、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっているので、第２電極６１の上面の位置は、発光部５０R，５０G，５０Bの種類に応じて相違する。
反射板７１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金を用いて形成することができる。
光学調整層７２は、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などの無機絶縁材料や、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂などといった有機樹脂材料を用いてから構成することができる。光学調整層７２は単層でも良いし、これら複数の材料の積層膜であってもよい。また、発光部５０の種類に応じて積層数が異なっても良い。
第１電極３１は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができる。
第２電極６１は、半透過反射膜として機能する必要がある。第２電極６１は、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、またはこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、さらには、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金などを用いて形成することができる。
（共振器構造：第２例）
図２０Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。
第２例においても、第１電極３１や第２電極６１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。
そして、第２例においても、発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２電極６１との間に有機層４０が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例と同様に、反射板７１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されており、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。
図２０Ａに示す第１例においては、発光部５０R，５０G，５０Bにおける反射板７１の上面は揃うように配置され、第２電極６１の上面の位置は、発光部５０R，５０G，５０Bの種類に応じて相違していた。
これに対し、図２０Ｂに示す第２例において、第２電極６１の上面は、発光部５０R，５０G，５０Bで揃うように配置されている。第２電極６１の上面を揃えるために、発光部５０R，５０G，５０Bにおいて反射板７１の上面は、発光部５０R，５０G，５０Bの種類に応じて異なるように配置されている。このため、反射板７１の下面（換言すれば、図に符号７３に示す下地７３の面）は、発光部５０の種類に応じた階段形状となる。
反射板７１、光学調整層７２、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第３例）
図２１Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。
第３例においても、第１電極３１や第２電極６１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。
そして、第３例においても、発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２電極６１との間に、有機層４０が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例や第２例と同様に、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。そして、第２例と同様に、第２電極６１の上面の位置は、発光部５０R，５０G，５０Bは揃うように配置されている。
図２０Ｂに示す第２例にあっては、第２電極６１の上面を揃えるために、反射板７１の下面は、発光部５０の種類に応じた階段形状であった。
これに対し、図２１Ａに示す第３例において、反射板７１の膜厚は、発光部５０R，５０G，５０Bの種類に応じて異なるように設定されている。より具体的には、反射板７１R，７１G，７１Bの下面が揃うように膜厚が設定されている。
反射板７１、光学調整層７２、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第４例）
図２１Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。
図２０Ａに示す第１例において、各発光部５０の第１電極３１や第２電極６１は、共通の膜厚で形成されている。そして、発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。
これに対し、図２１Ｂに示す第４例では、光学調整層７２を省略し、第１電極３１の膜厚を、発光部５０R，５０G，５０Bの種類に応じて異なるように設定した。
反射板７１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。第１電極３１の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。第１電極３１R，３１G，３１Bが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
反射板７１、光学調整層７２、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第５例）
図２２Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。
図２０Ａに示す第１例において、第１電極３１や第２電極６１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。そして、発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。
これに対し、図２２Ａに示す第５例にあっては、光学調整層７２を省略し、代わりに、反射板７１の表面に酸化膜７４を形成した。酸化膜７４の膜厚は、発光部５０R，５０G，５０Bの種類に応じて異なるように設定した。
酸化膜７４の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。酸化膜７４R，７４G，７４Bが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
酸化膜７４は、反射板７１の表面を酸化した膜であって、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物などから構成される。酸化膜７４は、反射板７１と第２電極６１との間の光路長（光学的距離）を調整するための絶縁膜として機能する。
発光部５０R，５０G，５０Bの種類に応じて膜厚が異なる酸化膜７４は、例えば、以下のようにして形成することができる。
先ず、容器の中に電解液を充填し、反射板７１が形成された基板を電解液の中に浸漬する。また、反射板７１と対向するように電極を配置する。
そして、電極を基準として正電圧を反射板７１に印加して、反射板７１を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、電極に対する電圧値に比例する。そこで、反射板７１R、７１G、７１Bのそれぞれに発光部５０の種類に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、膜厚の異なる酸化膜７４を一括して形成することができる。
反射板７１、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第６例）
図２２Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。
第６例において、発光部５０は、第１電極３１と有機層４０と第２電極６１とが積層されて構成されている。但し、第６例において、第１電極３１は、電極と反射板の機能を兼ねるように形成されている。第１電極（兼反射板）３１は、発光部５０R，５０G，５０Bの種類に応じて選択された光学定数を有する材料によって形成されている。第１電極（兼反射板）３１による位相シフトが異なることによって、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
第１電極（兼反射板）３１は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。例えば、発光部５０Rの第１電極（兼反射板）３１Rを銅（Ｃｕ）で形成し、発光部５０Gの第１電極（兼反射板）３１Gと発光部５０Bの第１電極（兼反射板）３１Bとをアルミニウムで形成するといった構成とすることができる。
第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第７例）
図２３は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。
第７例は、基本的には、発光部５０R，５０Gについては第６例を適用し、発光部５０Bについては第１例を適用したといった構成である。この構成においても、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
発光部５０R，５０Gに用いられる第１電極（兼反射板）３１R，３１Gは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。
発光部５０Bに用いられる、反射板７１B、光学調整層７２Bおよび第１電極３１Bを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
［電子機器］
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
（具体例１）
図２４は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図２４Ａにその正面図を示し、図２４Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。
そして、カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
（具体例２）
図２５は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部５１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部５１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
（具体例３）
図２６は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１は、本体部６１２、アーム６１３および鏡筒６１４で構成される。
本体部６１２は、アーム６１３および眼鏡６００と接続される。具体的には、本体部６１２の長辺方向の端部はアーム６１３と結合され、本体部６１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡６００と連結される。なお、本体部６１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
本体部６１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム６１３は、本体部６１２と鏡筒６１４とを接続させ、鏡筒６１４を支える。具体的には、アーム６１３は、本体部６１２の端部および鏡筒６１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒６１４を固定する。また、アーム６１３は、本体部６１２から鏡筒６１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。
鏡筒６１４は、本体部６１２からアーム６１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ６１１において、本体部６１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。
［その他］
なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
［Ａ１］
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
有機層は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光分離層を含んでおり、
種類の異なる複数の発光層のそれぞれは、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されており、
発光分離層は、隣接する２つの発光層の間に配置されていると共に、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
表示装置。
［Ａ２］
発光分離層は、画素の表示色に応じて膜厚が相違するように形成されている、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ３］
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも１つを用いて形成されている、
上記［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ４］
発光分離層は、画素の表示色に応じて構成が異なる材料を用いて形成されている、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ５］
発光分離層は、種類の異なる複数の材料が共蒸着されて形成されている、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ６］
発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の濃度関係が相違するように形成されている、
上記［Ａ５］に記載の表示装置。
［Ａ７］
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも２つが共蒸着されて形成されている、
上記［Ａ５］または［Ａ６］に記載の表示装置。
［Ａ８］
発光分離層は、種類の異なる複数の材料が積層されて形成されている、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ９］
発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の積層比率が相違するように形成されている、
上記［Ａ８］に記載の表示装置。
［Ａ１０］
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも２つが積層されて形成されている、
上記［Ａ８］または［Ａ９］に記載の表示装置。
［Ａ１１］
有機層は、それぞれ種類の異なる、第１の発光層、第２の発光層、及び、第３の発光層を含んでおり、
各発光層は、第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として配置されており、
発光分離層は、第１の発光層と第２の発光層との間に配置された第１の発光分離層と、第２の発光層と第３の発光層との間に配置された第２の発光分離層とから成る、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ１２］
第１の発光分離層および第２の発光分離層の少なくとも一方は、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
上記［Ａ１１］に記載の表示装置。
［Ａ１３］
第１の発光分離層および第２の発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも１つを用いて形成されている、
上記［Ａ１１］または［Ａ１２］に記載の表示装置。
［Ａ１４］
有機層は、赤色発光層、青色発光層、及び、緑色発光層を含んでおり、
各発光層は、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ１３］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１５］
各画素の上面には表示すべき色に応じたカラーフィルタが配置されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ１４］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１６］
画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ１５］のいずれかに記載の表示装置。
［Ｂ１］
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、２次元マトリクス状に配列して形成されている表示装置の製造方法であって、
画素毎に対応するように第１電極を形成する工程、及び、
第１電極を含む全面に、種類の異なる複数の発光層のそれぞれを、連続した共通の層として積層すると共に、隣接する２つの発光層の間に配置される発光分離層を画素の表示色に応じて構成が異なるように形成する工程、
を有する、
表示装置の製造方法。
［Ｂ２］
隣接する第１電極の間に隔壁部を形成する工程を更に含んでおり、
第１電極を囲む隔壁部の高さと第１電極の幅とが成す比が、画素の発光色に応じて異なるように設定された状態で、発光層を所定の成膜幅でライン蒸着し、発光分離層を発光層の成膜幅よりも広い成膜幅でライン蒸着する、
上記［Ｂ１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ１］
第１電極と有機層と第２電極とが積層されて成る発光部を含む画素が、２次元マトリクス状に配列して形成されており、
有機層は、種類の異なる複数の発光層、及び、発光分離層を含んでおり、
種類の異なる複数の発光層のそれぞれは、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されており、
発光分離層は、隣接する２つの発光層の間に配置されていると共に、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
表示装置を有する電子機器。
［Ｃ２］
発光分離層は、画素の表示色に応じて膜厚が相違するように形成されている、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ３］
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも１つを用いて形成されている、
上記［Ｃ２］に記載の電子機器。
［Ｃ４］
発光分離層は、画素の表示色に応じて構成が異なる材料を用いて形成されている、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ５］
発光分離層は、種類の異なる複数の材料が共蒸着されて形成されている、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ６］
発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の濃度関係が相違するように形成されている、
上記［Ｃ５］に記載の電子機器。
［Ｃ７］
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも２つが共蒸着されて形成されている、
上記［Ｃ５］または［Ｃ６］に記載の電子機器。
［Ｃ８］
発光分離層は、種類の異なる複数の材料が積層されて形成されている、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ９］
発光分離層は、画素の表示色に応じて、種類の異なる複数の材料の積層比率が相違するように形成されている、
上記［Ｃ８］に記載の電子機器。
［Ｃ１０］
発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも２つが積層されて形成されている、
上記［Ｃ８］または［Ｃ９］に記載の電子機器。
［Ｃ１１］
有機層は、それぞれ種類の異なる、第１の発光層、第２の発光層、及び、第３の発光層を含んでおり、
各発光層は、第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として配置されており、
発光分離層は、第１の発光層と第２の発光層との間に配置された第１の発光分離層と、第２の発光層と第３の発光層との間に配置された第２の発光分離層とから成る、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ１２］
第１の発光分離層および第２の発光分離層の少なくとも一方は、画素の表示色に応じて構成が異なるように形成されている、
上記［Ｃ１１］に記載の電子機器。
［Ｃ１３］
第１の発光分離層および第２の発光分離層は、ホール輸送性材料、電子輸送性材料、及び、両電荷輸送性材料のうち少なくとも１つを用いて形成されている、
上記［Ｃ１１］または［Ｃ１２］に記載の電子機器。
［Ｃ１４］
有機層は、赤色発光層、青色発光層、及び、緑色発光層を含んでおり、
各発光層は、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層の順で、各画素に亘って連続した共通の層として、積層されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ１３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ１５］
各画素の上面には表示すべき色に応じたカラーフィルタが配置されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ１４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ１６］
画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ１５］のいずれかに記載の電子機器。
１・・・表示装置、１０・・・画素、１１・・・表示領域、２０・・・基板、２１・・・基材、２２・・・ゲート電極、２３・・・ゲート絶縁膜、２４・・・半導体材料層、２５・・・平坦化膜、２６・・・ソース／ドレイン電極、２７・・・平坦化膜、２８・・・コンタクトプラグ、３１，３１R，３１G，３１B・・・第１電極、３２・・・隔壁部、４０，４０R，４０G，４０B・・・有機層、４１・・・ホール注入層、４２・・・ホール輸送層、４３・・・第１の発光層（赤色発光層）、４４・・・第２の発光層（青色発光層）、４５・・・第３の発光層（緑色発光層）、４６・・・電子輸送層、５０・・・発光部、６１・・・第２電極、６２・・・保護膜、６３・・・カラーフィルタ、６４・・・前面基板、７１，７１R，７１G，７１B・・・反射板、７２R，７２G，７２B・・・光学調整層、７３・・・下地の面、７４R，７４G，７４B・・・酸化膜、ＩＬ・・・発光分離層、１００・・・電源部、１０１・・・走査部、１０２・・・データドライバ、４１１・・・カメラ本体部、４１２・・・撮影レンズユニット、４１３・・・グリップ部、４１４・・・モニタ、４１５・・・ビューファインダ、５１１・・・眼鏡形の表示部、５１２・・・耳掛け部、６００・・・眼鏡（アイウェア）、６１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、６１２・・・本体部、６１３・・・アーム、６１４・・・鏡筒

Claims (18)

  1. ２次元マトリクス状に配列された、第１画素と第２画素と第３画素とを含む複数の画素と、
    前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
    を備え、
    前記画素それぞれは、
    基板上の第１電極と、
    前記第１電極上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第１発光分離層と、
    前記第１発光分離層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第２発光分離層と、
    前記第２発光分離層上の第３の発光層と、
    前記第３の発光層上の第２電極と、
    前記基板上であって前記基板と前記第１電極との間に位置する反射板と、
    前記反射板と前記第１電極との間に位置する光学調整層と、
    を備え、
    前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素のうちの少なくとも１つの画素において、前記第１発光分離層と前記第２発光分離層との膜厚が異なり、
    前記第１画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第２画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第３画素の発光部に対応する前記第１電極の幅とは、前記第１の発光層と前記第１発光分離層と前記第２の発光層と前記第２発光分離層と前記第３の発光層とが積層する積層方向と垂直な少なくとも一方向において互いに異なり、
    前記画素それぞれにおける前記光学調整層の膜厚は、前記第１画素と前記第２画素と前記第３画素とで異なる、
    表示装置。
  2. 前記第１の発光層は、赤色の波長帯の光を出射し、
    前記第２の発光層は、青色の波長帯の光を出射し、
    前記第３の発光層は、緑色の波長帯の光を出射する
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第１電極の上面から前記第２電極の下面までの距離は、前記第１画素と前記第２画素と前記第３画素で等しい
    請求項１又は２に記載の表示装置。
  4. 前記第１発光分離層の膜厚は、２０ｎｍ（ナノメートル）以下である
    請求項１～３の何れか１項に記載の表示装置。
  5. 前記第２発光分離層の膜厚は、２０ｎｍ以下である
    請求項１～４の何れか１項に記載の表示装置。
  6. 前記画素それぞれにおける前記反射板の上面の高さ方向の位置は、前記第１画素と前記第２画素と前記第３画素とで揃っている
    請求項１～５の何れか１項に記載の表示装置。
  7. 前記複数の画素は、第４画素をさらに含む
    請求項１～６の何れか１項に記載の表示装置。
  8. 前記第１画素と前記第２画素とは、前記積層方向と垂直な第１方向において隣接し、
    前記第３画素と前記第４画素とは、前記第１方向において隣接し、
    前記第１画素と前記第４画素と、及び、前記第２画素と前記第３画素とは、それぞれ前記積層方向と垂直であって前記第１方向と垂直な第２方向において隣接する
    請求項７に記載の表示装置。
  9. 前記第１画素の前記発光部の面積と、前記第２画素の前記発光部の面積と、前記第３画素の前記発光部の面積とは、互いに異なる
    請求項１～８の何れか１項に記載の表示装置。
  10. 前記第１画素の前記第１電極の幅と、前記第２画素の前記第１電極の幅と、前記第３画素の前記第１電極の幅とは、前記積層方向と垂直な少なくとも一方向において互いに異なる
    請求項１～９の何れか１項に記載の表示装置。
  11. ２次元マトリクス状に配列された、第１画素と第２画素と第３画素とを含む複数の画素と、
    前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
    を備え、
    前記画素それぞれは、
    基板上の第１電極と、
    前記第１電極上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第１発光分離層と、
    前記第１発光分離層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第２発光分離層と、
    前記第２発光分離層上の第３の発光層と、
    前記第３の発光層上の第２電極と、
    前記基板上であって前記基板と前記第１電極との間に位置する反射板と、
    を備え、
    前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素のうちの少なくとも１つの画素において、前記第１発光分離層と前記第２発光分離層との膜厚が異なり、
    前記第１画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第２画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第３画素の発光部に対応する前記第１電極の幅とは、前記第１の発光層と前記第１発光分離層と前記第２の発光層と前記第２発光分離層と前記第３の発光層とが積層する積層方向と垂直な少なくとも一方向において互いに異なり、
    前記画素それぞれにおける前記第１電極の膜厚は、前記第１画素と前記第２画素と前記第３画素とで異なる、
    表示装置。
  12. ２次元マトリクス状に配列された、第１画素と第２画素と第３画素とを含む複数の画素と、
    前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
    を備え、
    前記画素それぞれは、
    基板上の第１電極と、
    前記第１電極上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第１発光分離層と、
    前記第１発光分離層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第２発光分離層と、
    前記第２発光分離層上の第３の発光層と、
    前記第３の発光層上の第２電極と、
    を備え、
    前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素のうちの少なくとも１つの画素において、前記第１発光分離層と前記第２発光分離層との膜厚が異なり、
    前記第１画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第２画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第３画素の発光部に対応する前記第１電極の幅とは、前記第１の発光層と前記第１発光分離層と前記第２の発光層と前記第２発光分離層と前記第３の発光層とが積層する積層方向と垂直な少なくとも一方向において互いに異なり、
    前記画素それぞれにおける前記第１電極は、前記第１画素と前記第２画素と前記第３画素とで異なる光学定数を有する材料を含む、
    表示装置。
  13. ２次元マトリクス状に配列された、第１画素と第２画素と第３画素とを含む複数の画素と、
    前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
    を備え、
    前記画素それぞれは、
    基板上の第１電極と、
    前記第１電極上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第１発光分離層と、
    前記第１発光分離層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第２発光分離層と、
    前記第２発光分離層上の第３の発光層と、
    前記第３の発光層上の第２電極と、
    を備え、
    前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素のうちの少なくとも１つの画素において、前記第１発光分離層と前記第２発光分離層との膜厚が異なり、
    前記第１画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第２画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第３画素の発光部に対応する前記第１電極の幅とは、前記第１の発光層と前記第１発光分離層と前記第２の発光層と前記第２発光分離層と前記第３の発光層とが積層する積層方向と垂直な少なくとも一方向において互いに異なり、
    前記複数の画素のうちの少なくとも１つは、
    前記基板上であって前記基板と前記第１電極との間に位置する反射板と、
    前記反射板と前記第１電極との間に位置する光学調整層と、
    をさらに備え、
    前記複数の画素のうちの少なくとも他の２つそれぞれにおける前記第１電極は、互いに異なる光学定数を有する材料を含む、
    表示装置。
  14. 前記ホール輸送性材料は、銅フタロシアニン、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）、及び、α－ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl〕-4,4'-diamineのうちの少なくとも１つを含み、
    前記電子輸送性材料は、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、８－ヒドロキシキノリンの金属錯体、８－ヒドロキシキノリンの誘導体の金属錯体、８－ヒドロキシキノリンの含窒素複素環誘導体、及び、８－ヒドロキシキノリンの誘導体の含窒素複素環誘導体のうちの少なくとも１つを含む、
    請求項１～１１の何れか１項に記載の表示装置。
  15. 前記画素それぞれは、前記第２電極上に位置し、特定の波長成分の光を透過させるカラーフィルタをさらに備える、
    請求項１～１２の何れか１項に記載の表示装置。
  16. ２次元マトリクス状に配列された、第１画素と第２画素と第３画素とを含む複数の画素を備える表示装置の製造方法であって、
    基板上に反射板を形成する工程と、
    前記反射板上に光学調整層を形成する工程と、
    前記光学調整層上に第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極上に前記画素それぞれを区画する隔壁部を形成する工程と、
    少なくとも前記隔壁部の開口内に露出する前記第１電極上に第１の発光層を形成する工程と、
    前記第１の発光層上に電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第１発光分離層を形成する工程と、
    前記第１発光分離層上に第２の発光層を形成する工程と、
    前記第２の発光層上に電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第２発光分離層を形成する工程と、
    前記第２発光分離層上に第３の発光層を形成する工程と、
    前記第３の発光層上に第２電極を形成する工程と、
    を備え、
    前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素のうちの少なくとも１つの画素において、前記第１発光分離層と前記第２発光分離層との膜厚が異なり、
    前記第１画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第２画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第３画素の発光部に対応する前記第１電極の幅とは、前記第１の発光層と前記第１発光分離層と前記第２の発光層と前記第２発光分離層と前記第３の発光層とが積層する積層方向と垂直な少なくとも一方向において互いに異なり、
    前記画素それぞれにおける前記光学調整層の膜厚は、前記第１画素と前記第２画素と前記第３画素とで異なる、
    表示装置の製造方法。
  17. 前記第１発光分離層及び前記第２発光分離層のうちの少なくとも１つは、マスク蒸着法又は転写法を用いて形成される、
    請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
  18. ２次元マトリクス状に配列された、第１画素と第２画素と第３画素とを含む複数の画素と、
    前記画素間に配置されて前記画素それぞれを区画する隔壁部と、
    を備え、
    前記画素それぞれは、
    基板上の第１電極と、
    前記第１電極上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第１発光分離層と、
    前記第１発光分離層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上に位置し、電子輸送性材料及びホール輸送性材料のうちの少なくとも一つを含む第２発光分離層と、
    前記第２発光分離層上の第３の発光層と、
    前記第３の発光層上の第２電極と、
    前記基板上であって前記基板と前記第１電極との間に位置する反射板と、
    前記反射板と前記第１電極との間に位置する光学調整層と、
    を備え、
    前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素のうちの少なくとも１つの画素において、前記第１発光分離層と前記第２発光分離層との膜厚が異なり、
    前記第１画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第２画素の発光部に対応する前記第１電極の幅と、前記第３画素の発光部に対応する前記第１電極の幅とは、前記第１の発光層と前記第１発光分離層と前記第２の発光層と前記第２発光分離層と前記第３の発光層とが積層する積層方向と垂直な少なくとも一方向において互いに異なり、
    前記画素それぞれにおける前記光学調整層の膜厚は、前記第１画素と前記第２画素と前記第３画素とで異なる、
    表示装置を有する電子機器。
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