JP2007280677A - 発光装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光装置10は、基板14と、基板14上の複数箇所に形成された光反射層
22と、光反射層22を覆うように基板14上に形成された透明な誘電体層24と、誘電
体層24上の光反射層22に重なる箇所にそれぞれ形成された複数の発光素子12R,1
2G,12Bとを備える。発光素子の各々は、透明な画素電極26と、画素電極26より
も誘電体層24から離れており画素電極26に対向する半透明な対向電極36と、画素電
極26と対向電極36の間に介在する発光層32とを有する。発光層32での発光に起因
する放出光が対向電極36を通って放出される。画素電極26は、対向電極36からの放
出光の色に応じた厚さを有しており、画素電極26の各々は、これに重なった光反射層2
2の全体に重なるように、この光反射層22よりも大きな面積を有する。
【選択図】図1
Description
手段として複数のエレクトロルミネッセンス(以下、ELと称す)素子を備える発光装置
が提案されている。EL素子では、対向する一対の電極の間にEL層(発光層)が配置さ
れている。
波長の光を反射により共振させ、その特定波長の光の強度を増幅することが知られている
。例えば、特許文献1には、ガラス基板全面に形成された誘電体からなる半透明反射膜と
、その上に形成されたSiO2からなるスペーサと、その上に形成された透明電極と、そ
の上に形成された正孔注入層と、その上に形成された発光層と、その上に形成された反射
電極とを有するEL装置が開示されている。この発光層は、どの画素においても共通の材
料から形成されており白色光を発するが、目的とする出力色を異ならせるために、透明電
極の厚さまたはSiO2のスペーサの厚さは、目的とする出力色により異なる。従って、
同じ白色発光材料から発光層を形成しても、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の出力
色が得られる。
れぞれ異なる材料から形成された発光層を含む有機層と、半透明な反射層が配置された表
示装置が開示されている。半透明な反射層はすべての発光層に対して同じ構造であるが、
出力色の色純度を向上させることを目的として、R光の発光層を含む有機層はR光の共振
に適した厚さを有し、G光の発光層を含む有機層はG光の共振に適した厚さを有し、B光
の発光層を含む有機層はB光の共振に適した厚さを有する。従って、色純度が高い光を放
出することができ、これによって表示装置の色再現性を向上させることが可能となる。
導電層が配置された表示装置が開示されている。この表示装置では、R光の有機層に重な
る透明導電層はR光の共振に適した厚さを有し、G光の有機層に重なる透明導電層はG光
の共振に適した厚さを有し、B光の有機層に重なる透明導電層はB光の共振に適した厚さ
を有する。
的とする出力色に応じて異なる。しかし、上述したように基板の上に半透明反射膜、スペ
ーサ、透明電極、正孔注入層、発光層および反射電極をこの順序で積層するこの技術では
、個々の透明電極の縁に重なった箇所では、共振構造の要素となる正孔注入層、発光層お
よび反射電極が折れ曲がりやすい(段差が生じやすい)ために、その透明電極の中央に重
なった箇所に比べて、これらの層の各々の厚さが小さくなりがちである。また、透明電極
そのものも、中央の厚さが定常的であるのに対して縁の近辺では厚さが不安定になりがち
である。共振構造では、反射する層同士の間の光学距離によって、共振構造から放出され
る光の波長が異なるので、このような層の厚さのばらつきがあると、目的とする出力光波
長だけでなく他の波長の光が多く出力されてしまう。つまり目的とする色に他の色が混ざ
ってしまう。
る画素電極となると考えられ、個々の反射電極の縁に重なった箇所では、共振構造の要素
となる層、例えば有機層が折れ曲がりやすい(段差が生じやすい)ために、その反射電極
の中央に重なった箇所に比べて、これらの層の各々の厚さが小さくなりがちであると考え
られる。従って、特許文献1に記載の技術と同様に、目的とする出力光波長だけでなく他
の波長の光が多く出力されてしまうと考えられる。
これを用いた電子機器を提供する。
記光反射層を覆うように前記基板上に形成された透明な誘電体層と、前記誘電体層上の前
記光反射層に重なる箇所にそれぞれ形成された複数の発光素子とを備え、前記発光素子の
各々は、透明な画素電極と、前記画素電極よりも前記誘電体層から離れており前記画素電
極に対向する半透明な対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に介在する発光層と
を有し、前記発光層での発光に起因する放出光が前記対向電極を通って放出され、前記画
素電極は、前記対向電極からの放出光の色に応じた厚さを有しており、前記画素電極の各
々は、これに重なった前記光反射層の全体に重なるように、この光反射層よりも大きな面
積を有する。
で往復することによって、特定波長の光の強度が増幅される。すなわち各発光素子と誘電
体層と光反射層は共振構造つまりマイクロキャビティを構成する。光を共振させるため、
共振構造内での光路の光学距離は共振させるべき光の波長に比例するように設定される。
従って、画素電極は対向電極からの放出光の色に応じた厚さを有しており、各発光素子に
対して共振構造は放出光の色に適した光学距離を有することになる。個々の画素電極の縁
に重なった箇所では、共振構造の要素となる発光層および対向電極が折れ曲がりやすい(
段差が生じやすい)ために、その画素電極の中央に重なった箇所に比べて、発光層および
対向電極の各々の厚さが小さくなりがちである。また、画素電極そのものも、中央の厚さ
が定常的であるのに対して縁の近辺では厚さが不均一になりがちである。しかし、本発明
によれば、発光素子の画素電極の各々は、これに重なった光反射層の全体に重なるように
、この光反射層よりも大きな面積を有する。従って、光反射層と各発光素子の半透明な対
向電極の間で往復する光は、画素電極の縁およびこの縁に重なった箇所を通過しない。つ
まり画素電極の縁およびこの縁に重なった箇所が共振構造から除外され、光学距離が定常
的な箇所を共振構造として利用することができる。このようにして、目的とする波長の光
に他の波長の光が混ざるおそれが減少し、目的とする色の純度を向上させることが可能で
ある。
素子の前記画素電極は、同一材料の複数の層が積層されて形成されており、この画素電極
のうち前記基板から遠い方の層は、この画素電極のうち前記基板に近い方の層の全体を覆
うように、この近い方の層よりも大きな面積を有する。
上記の通り、光を共振させるため、共振構造内での光路の光学距離は共振させるべき光
の波長に比例するように設定される。従って、放出光のピーク波長が他の発光素子よりも
長い発光素子の画素電極は、他の発光素子の画素電極よりも厚さが大きい。つまりR光を
放出する発光素子の画素電極は、G光を放出する発光素子の画素電極よりも厚く、G光を
放出する発光素子の画素電極は、B光を放出する発光素子の画素電極よりも厚い。このよ
うな厚い画素電極を同一材料の複数の層で形成すれば、それらの層のいずれかは、他の発
光素子の画素電極(またはその中の層)と同一工程で形成することができて、製造時間を
短縮化することができる。このような厚い画素電極のうち、基板から遠い方の層は、この
画素電極のうち基板に近い方の層の全体を覆うように、この近い方の層よりも大きな面積
を有するので、基板に近い方の層よりも小さい場合に比べて、この画素電極の縁の付近に
おける厚さが不均一な箇所を小さくすることができる。従って、目的とする波長の光に他
の波長の光が混ざるおそれがさらに減少し、目的とする色の純度を向上させることが可能
である。
成されており、放出光が緑色の発光素子の前記画素電極は同一材料の二層が積層されて形
成されており、放出光が青色の発光素子の前記画素電極は単層である。この構造によれば
、R光を放出する発光素子の画素電極のうちの一層、およびG光を放出する発光素子の画
素電極のうち一層は、B光を放出する発光素子の画素電極と同一工程で形成することがで
き、R光を放出する発光素子の画素電極のうちの他の一層は、G光を放出する発光素子の
画素電極のうち他の一層と同一工程で形成することができる。従って、製造時間を短縮化
することができる。
遮光膜をさらに備え、前記遮光膜には、前記発光素子から発せられた光を透過させる複数
の光透過部が形成され、前記光反射層の各々は、前記光透過部のいずれかの全体に重なる
ように、この光透過部よりも大きな面積を有する。この構成では、発光素子から放出され
た光は、遮光膜に形成された光透過部を通過する。光透過部は、これに重なった光反射層
よりも小さいので、光反射層の縁で反射されたり、光反射層の縁に重なった箇所を通過し
た光が、光透過部を通過することが抑制される。また、画素電極の縁およびこの縁に重な
った箇所を通過した光が光反射層で反射されても、そのような光が光透過部を通過するこ
とが抑制される。
膜トランジスタが配置され、前記光反射層よりも前記薄膜トランジスタに近い位置に、前
記薄膜トランジスタを覆う遮光層が配置されていると好ましい。この構成では、光反射層
よりも基板に近い位置に配置された薄膜トランジスタが、光反射層よりも薄膜トランジス
タよりも近い位置に配置された遮光層によって覆われる。従って、外光または発光素子の
発光が薄膜トランジスタに到達することが抑制され、光電流が薄膜トランジスタに流れて
薄膜トランジスタが誤動作することが防止される。
とを特徴とする。このような電子機器によれば、出力される光の色純度が高い表示を実現
することが可能となる。このような電子機器として、発光装置を表示装置に適用したパー
ソナルコンピュータ、携帯電話機、および携帯情報端末などが該当する。
においては、各層や各部材の寸法の比率は、実際のものとは適宜に異なっている。
図1は、本発明の実施の形態に係るフルカラー発光型の発光装置10の一部を示す断面
図である。この発光装置10は、基板14上にマトリクス状に配置された多数の発光素子
12R,12G,12Bとしての有機EL素子すなわちOLED(organic light emitti
ng diode)素子を有する有機EL装置である。図においては、三つの発光素子12R,1
2G,12Bのみを例示する。
金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、公知の様々な基板を使用し
うる。基板14上には、発光素子12R,12G,12Bをそれぞれ駆動するための複数
の薄膜トランジスタ(TFT)16および発光素子を駆動するための各種の配線(図示せ
ず)が配置されている。詳細な図示は省略するが、TFT16およびこれらの配線は公知
の手法で基板14上に形成されている。
えば酸化珪素のような絶縁体で形成されている。絶縁層18は、複数の同種または異種の
材料から形成された層から構成されていてもよい。
の光(例えば外光または発光素子から発せられた光)がTFT16に到達することを予防
する。遮光層20は、例えば金属から形成することができる。このような金属としては、
アルミニウム、クロム、銀、タンタルなどがある。遮光層20は光の反射率が高くてもよ
い。図1の上方からの光が遮光層20で反射しても、後述するブラックマトリクス(遮光
膜40)によって、その反射光は外には放出されないからである。
光層20の上にも重なっている。図1において絶縁層18の上には、光反射層22が形成
されている。光反射層22は、反射率が高い材料、例えばアルミニウム、銀またはこれら
の一方または両方を含む合金から形成されており、その上面は平滑である。光反射層22
は、発光素子12R,12G,12Bの各々の下に配置されている。
いる。誘電体層24は、例えば、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素のような透明な無機誘
電体から形成してもよいし、例えばアクリル樹脂のような透明な有機誘電体から形成して
もよい。図1では、発光素子12R,12G,12Bの各々につき一つの誘電体層24が
配置されているが、これらの発光素子に共通な一つの誘電体層24を配置してもよい。
2Bがそれぞれ形成されている。以下の説明中、符号に付ける添え字R,G,Bは、発光
素子が放出する光の色すなわち、赤、緑、青をそれぞれ表し、適宜省略することもある。
電極26と、画素電極26よりも誘電体層24から離れており画素電極26に対向する半
透明な対向電極36と、画素電極26と対向電極36の間に介在する発光層32とを有す
る。発光素子12の各々には一つずつ画素電極26が設けられている一方、複数の発光素
子12に共通の一つの対向電極36が設けられている。この実施の形態では、画素電極2
6が陽極であって対向電極36が陰極であるが、逆に画素電極26が陰極であって対向電
極36が陽極でもよい。
(indium zinc oxide)、またはZnO2のよう光透過性を有する酸化導電材料から形
成されている。発光素子12R,12G,12Bの放出光の色によって、画素電極26の
厚さは異なる。これについてはさらに詳細に後述する。
ールを介して接続されている。スルーホールは、誘電体層24、絶縁層18および遮光層
20を通過し、TFT16に達する。
方、陰極である対向電極36と発光層32の間には、電子輸送層34が介在する。発光素
子12の構成要素として、これら以外に、正孔注入層、電子ブロック層、電子注入層、正
孔ブロック層を形成してもよい。
。詳細には図示しないが、例えば、対向電極36はカルシウム層とアルミニウム層から形
成されている。電子輸送層34に近い方がカルシウム製の極めて薄い第2対向電極層であ
り、電子輸送層34に遠い方がアルミニウム製で、より厚い第1対向電極層である。対向
電極36はハーフミラーである。つまりここに照射された光の一部を透過し、他の一部を
反射する。従って、発光層32での発光に起因する放出光は、対向電極36を通って外部
に放出される。つまり、この発光装置10は、基板14と反対側に光が放出されるトップ
エミッションタイプである。
2R,12G,12Bについても共通であり、これらの各々は一様な厚さを有する。発光
層32は、この内部での正孔と電子の結合により白色の光つまり波長帯域が広い光を発す
る。この発光層32は低分子タイプであり、例えば蒸着によって形成することができる。
発光層32は単層でもよいが、広い波長帯域にわたってエネルギーが強い光を発する発光
層を製造するのは困難なことが多いので、例えば青色の光を発する発光材料とオレンジ色
の光を発する発光材料の組合せのように、複数の発光層の組合せであってもよい。このよ
うに、発光層32は白色の光を発するが、後述する共振構造によって発光素子12Rは赤
色の光を放出し、発光素子12Gは緑色の光を放出し、発光素子12Bは青色の光を放出
する。
てブラックマトリクスすなわち遮光膜40が接着されている。但し、発光層32などを空
気または水分から保護して、発光素子12の寿命を向上させるために、対向電極36と透
明接着剤38の間に、例えば窒化珪素のような空気の透過率が低い無機材料から形成され
た封止層(図示せず)を配置してもよい。
置されている。遮光膜40は、黒色顔料を含有した樹脂、金属(例えばチタンまたはクロ
ム等)またはその酸化物で形成されている。遮光膜40には複数の貫通した開口つまり光
透過部が形成されており、発光素子12から放出された光は光透過部を通じて図の上方に
放出される。遮光膜40の光透過部の各々には、カラーフィルタ44R,44Gまたは4
4Bが配置されている。カラーフィルタの各々は、これに重なった発光素子の放出光のピ
ーク波長の光を他の発光素子のピーク波長の光よりも多く透過させる。例えば、カラーフ
ィルタ44Rは、発光素子12Rの放出光のピーク波長の光(赤色の光)を緑色または青
色の光よりも多く透過させる。これらのカラーフィルタ44R,44G,44Bは、カラ
ーフィルタ相互の間の光の色の混合を防止するために光を遮断する遮光膜40で包囲され
て互いに遮蔽されている。
光が光反射層22と発光素子12R,12G,12Bの各々の半透明な対向電極36の間
で往復することによって、特定波長の光の強度が増幅される。従って、発光層32自体は
白色の光を発するが、発光素子12Rは波長が長い赤色の光を放出し、発光素子12Gは
緑色の光を放出し、発光素子12Bは波長が短い青色の光を放出する。すなわち発光素子
12R,12G,12Bの各々と誘電体層24と光反射層22は共振構造つまりマイクロ
キャビティを構成する。光を共振させるため、共振構造内での光路の光学距離は共振させ
るべき光の波長に比例するように設定される。従って、画素電極26R,26G,26B
は対向電極36からの放出光の色に応じた厚さを有しており、各発光素子12R,12G
,12Bに対して共振構造は放出光の色に適した光学距離を有することになる。
、他の発光素子の画素電極26よりも厚さが大きい。つまりR光を放出する発光素子12
Rの画素電極26Rは、G光を放出する発光素子12Gの画素電極26Gよりも厚く、G
光を放出する発光素子12Gの画素電極26Gは、B光を放出する発光素子12Bの画素
電極26Bよりも厚い。
、第2の画素電極層28bおよび第3の画素電極層28cが積層されて形成されている。
二番目に厚い画素電極26Gは同一材料の二層を有する。すなわち、第2の画素電極層2
8bおよび第3の画素電極層28cが積層されて形成されている。最も薄い画素電極26
Bは単層すなわち第3の画素電極層28cを有する。
ち、画素電極26Rの第1の画素電極層28aが最初に形成される。
される。画素電極26Rでは第2の画素電極層28bは第1の画素電極層28aを覆い、
画素電極26Gでは第2の画素電極層28bは誘電体層24に直接形成されるが、画素電
極26R,26Gの第2の画素電極層28bは互いに同じ厚さを有する。但し、ここでの
「厚さ」という用語は、厚さが定常的な箇所での厚さを意味しており、厚さが不安定な画
素電極層の縁の付近の厚さは除外する。
に形成される。画素電極26R,26Gでは第3の画素電極層28cは第2の画素電極層
28bを覆い、画素電極26Bでは第3の画素電極層28cは誘電体層24に直接形成さ
れるが、画素電極26R,26G,26Bの第3の画素電極層28cは互いに同じ厚さを
有する。但し、ここでの「厚さ」という用語は、厚さが定常的な箇所での厚さを意味して
おり、厚さが不安定な画素電極層の縁の付近の厚さは除外する。
)などの蒸着、またはその他の公知の様々な成膜技術によって形成される。また、各層の
パターニングには、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術が利用される。
誘電体層24は、フォトリソグラフィで使用する現像液およびエッチング液に耐える材質
であり、光反射層22が現像液およびエッチング液によりおかされやすい材料で形成され
ていても誘電体層24によって光反射層22を保護することができる。
れかは、他の発光素子の画素電極26(またはその中の層)と同一工程で形成することが
できて、製造時間を短縮化することができる。つまり、R光を放出する発光素子12Rの
画素電極26Rのうちの第3の画素電極層28cおよびG光を放出する発光素子12Gの
画素電極26Gのうち第3の画素電極層28cは、B光を放出する発光素子12Bの画素
電極26Bと同一工程で形成することができ、R光を放出する発光素子12Rの画素電極
26Rのうちの第2の画素電極層28bは、G光を放出する発光素子12Gの画素電極2
6Gのうち第2の画素電極層28bと同一工程で形成することができる。
材料および数値は例示のために説明するのであって、本発明を限定する意図ではない。誘
電体層24は、窒化珪素(屈折率1.8)によって厚さ30nmに形成することができる
。第1の画素電極層28aは、ITO(屈折率1.95)によって厚さ30nmに形成す
ることができる。第2の画素電極層28bは、ITOによって厚さ35nmに形成するこ
とができる。第3の画素電極層28cは、ITOによって厚さ30nmに形成することが
できる。従って、画素電極26Rの厚さは95nm、画素電極26Gの厚さは65nm、
画素電極26Bの厚さは30nmである。但し、ここでの「厚さ」という用語は、厚さが
定常的な箇所での厚さを意味しており、厚さが不安定な画素電極層の縁の付近の厚さは除
外する。
素50には、放出光が異なる三つの発光素子12R,12G,12Bが設けられている。
装置10の一つの画素の平面図である。図1および図2(B)に示すように、画素電極2
6の各々は、これに重なった光反射層22の全体に重なるように、この光反射層22より
も大きな面積を有する。また、画素電極26を構成する層のうち最も基板14に近い層(
画素電極26Rでは第1の画素電極層28a、画素電極26Gでは第2の画素電極層28
b、画素電極26Bでは第3の画素電極層28c)は、これに重なった光反射層22の全
体に重なるように、この光反射層22よりも大きな面積を有する。
る正孔輸送層30、発光層32、電子輸送層34および対向電極36が折れ曲がりやすい
(段差が生じやすい)ために、その画素電極26の中央に重なった箇所に比べて、これら
の層の各々の厚さが小さくなりがちである。また、画素電極26そのものも、中央の厚さ
が定常的であるのに対して縁の近辺では厚さが不均一になりがちである。しかし、この実
施の形態によれば、発光素子12R,12G,12Bの画素電極26の各々は、これに重
なった光反射層22の全体に重なるように、この光反射層22よりも大きな面積を有する
。従って、光反射層22と各発光素子12R,12G,12Bの半透明な対向電極36の
間で往復する光は、画素電極26の縁およびこの縁に重なった箇所を通過しない。つまり
画素電極26の縁およびこの縁に重なった箇所が共振構造から除外され、光学距離が定常
的な箇所を共振構造として利用することができる。このようにして、目的とする波長の光
に他の波長の光が混ざるおそれが減少し、目的とする色の純度を向上させることが可能で
ある。
ち、基板14に遠い第3の画素電極層28cは、これよりも基板14に近い第2の画素電
極層28bの全体を覆うように、第2の画素電極層28bよりも大きな面積を有し、第2
の画素電極層28bは、これよりも基板14に近い第1の画素電極層28aの全体を覆う
ように、第1の画素電極層28aよりも大きな面積を有する。さらに複数層から形成され
た画素電極26Gのうち、基板14に遠い第3の画素電極層28cは、これよりも基板1
4に近い第2の画素電極層28bの全体を覆うように、第2の画素電極層28bよりも大
きな面積を有する。このように、厚い画素電極26のうち、基板14から遠い方の層は、
この画素電極26のうち基板14に近い方の層の全体を覆うように、この近い方の層より
も大きな面積を有するので、基板14に近い方の層よりも小さい場合に比べて、この画素
電極26の縁の付近における厚さが不均一な箇所を小さくすることができる。従って、目
的とする波長の光に他の波長の光が混ざるおそれがさらに減少し、目的とする色の純度を
向上させることが可能である。
成された光透過部(カラーフィルタ44が配置されている)のいずれかの全体に重なるよ
うに、この光透過部よりも大きな面積を有する。つまり光透過部はこれに重なった光反射
層22よりも小さいので、外部から視認できる光束は遮光膜40の光透過部により規定さ
れ、遮光膜40により共振構造の縁の部分が隠される。従って、光反射層22の縁で反射
されたり、光反射層22の縁に重なった箇所を通過した光が、光透過部を通過することが
抑制される。また、画素電極26の縁およびこの縁に重なった箇所を通過した光が光反射
層22で反射されても、そのような光が光透過部を通過することが抑制される。このよう
にして、一つの発光素子内での輝度および色度のバラツキが視認されることが防止される
。また、遮光膜40の光透過部は、これに重なった光反射層22よりも小さいので、外部
に放出される光束の指向性を高めることが可能である。
振構造では、その内部での発光については特定の波長の光が増幅され他の波長の光が減衰
されるように対向電極36から放出される。また、共振構造では、外光についてはその特
定の波長の光が非常に多く透過されてほとんど反射せず、他の波長の光はあまり透過され
ずに多く反射される。つまり、発光素子の放出光のピーク波長の光が外部から共振構造に
照射されると、これをほとんど反射しない。このような事象は、例えば特許文献2に記載
されている。
反射スペクトルを示す。共振構造の材料およびそれらの厚さは上記の具体例の通りであり
、図3のグラフはシミュレーションによって得た。図3において、実線は発光素子12R
の共振構造の反射スペクトル、太い破線は発光素子12Gの共振構造の反射スペクトル、
細い破線は発光素子12Bの共振構造の反射スペクトルを表す。
射されず、他の波長の光がより多く反射された。発光素子12Gの共振構造は、緑色の波
長の光がほとんど反射されず、他の波長の光がより多く反射された。発光素子12Bの共
振構造は、青色の波長の光がほとんど反射されず、他の波長の光がより多く反射された。
このように、共振構造では、内部での発光では強められる波長の光が外部から照射される
と、ほとんど反射しなかった。つまり、発光素子の放出光のピーク波長の光が外部から共
振構造に照射されると、これをほとんど反射しないことが確認された。
トルを示す。図4において、実線はカラーフィルタ44Rの透過スペクトル、太い破線は
カラーフィルタ44Gの透過スペクトル、細い破線はカラーフィルタ44Bの透過スペク
トルを表す。
Rの放出光のピーク波長の光つまり赤色の光を他の発光素子12G,12Bの放出光のピ
ーク波長の光つまり緑色および青色の光よりも多く透過させる。カラーフィルタ44Gは
、これが重なっている発光素子12Gの放出光のピーク波長の光つまり緑色の光を他の発
光素子12R,12Bの放出光のピーク波長の光つまり赤色および青色の光よりも多く透
過させる。カラーフィルタ44Bは、これが重なっている発光素子12Bの放出光のピー
ク波長の光つまり青色の光を他の発光素子12R,12Gの放出光のピーク波長の光つま
り赤色および緑色の光よりも多く透過させる。このように、カラーフィルタ44の各々は
、対応する発光素子の放出光のピーク波長の光を他の波長の光よりも多く透過させるので
、目的とする色の純度を向上させることが可能である。
から照射されると、これをほとんど反射しない。このような共振構造にカラーフィルタを
重ねることによって、発光装置10は外光の反射が抑制されてコントラストを高めること
が可能である。具体的には、カラーフィルタ44Rは外光のうち赤色の波長の光を透過し
他の波長の光を吸収するので、発光素子12Rには赤色の外光が到達しうる。しかし、発
光素子12Rの共振構造は赤色の光を顕著に透過し、ほとんど反射しないので、発光素子
12Rからカラーフィルタ44Rには赤色の光がほとんど進行しない。結果的に、カラー
フィルタ44Rに外光が照射されても、いずれの波長の光もわずかしか反射しないことに
なる。同様に、カラーフィルタ44Gは外光のうち緑色の波長の光を透過し他の波長の光
を吸収し、発光素子12Gの共振構造は緑色の光をほとんど反射しないので、カラーフィ
ルタ44Gに外光が照射されても、いずれの波長の光もわずかしか反射しないことになる
。同様に、カラーフィルタ44Bは外光のうち青色の波長の光を透過し他の波長の光を吸
収し、発光素子12Bの共振構造は青色の光をほとんど反射しないので、カラーフィルタ
44Bに外光が照射されても、いずれの波長の光もわずかしか反射しないことになる。
発光素子12を駆動するためのTFT16が配置され、光反射層22よりもTFT16に
近い位置に、TFT16を覆う遮光層20が配置されている。この構成では、光反射層2
2よりも基板14に近い位置に配置されたTFT16が、光反射層22よりもTFT16
よりも近い位置に配置された遮光層20によって覆われる。従って、外光または発光素子
12の発光がTFT16に到達することが抑制され、光電流がTFT16に流れてTFT
16が誤動作することが防止される。
ていないが、光反射層22の全部に遮光層20が重なっていてもよい。
形成することが好ましい。もし、誘電体層24の材料の屈折率が画素電極26よりも高い
場合には、発光層32の発光位置から光反射層22までの光学距離(屈折率と厚さの積の
合計)のうち誘電体層24の光学距離の割合が高くなり、画素電極26R,26G,26
Bの厚さを小さくしなければならない。逆に、誘電体層24の材料の屈折率が画素電極2
6よりも低い場合には、画素電極26R,26G,26Bの厚さを大きくすることができ
て、画素電極を製造しやすくなる。このような観点から、例えばITOで画素電極26を
形成する場合に、誘電体層24の材料としては、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、また
はアクリル樹脂が好ましい。但し、このような屈折率の条件は絶対的な基準ではなく、例
えば酸化チタンのような屈折率が比較的高い材料を誘電体層24に使用してもよい。
面積を有すること、および光反射層22の各々が遮光膜40に形成された光透過部(カラ
ーフィルタ44が配置されている)よりも大きな面積を有することにより、目的とする色
の純度を向上させることが可能である。この効果を確認するシミュレーションを行った。
シミュレーションでの、共振構造の材料およびそれらの厚さは上記の具体例の通りにした
。図5および図6はシミュレーションによって得られた結果を示す。
電極36を透過した光のスペクトル、つまりカラーフィルタ44を透過していない光のス
ペクトルを示す。図5において、実線は発光素子12Rの共振構造からの放出光のスペク
トル、太い破線は発光素子12Gの共振構造からの放出光のスペクトル、細い破線は発光
素子12Bの共振構造からの放出光のスペクトルを表す。
示す。使用したカラーフィルタ44は図4に示す透過特性を持つ。図6において、実線は
発光素子12Rの共振構造から放出されてカラーフィルタ44Rを透過した光のスペクト
ル、太い破線は発光素子12Gの共振構造から放出されてカラーフィルタ44Gを透過し
た光のスペクトル、細い破線は発光素子12Bの共振構造から放出されてカラーフィルタ
44Bを透過した光のスペクトルを表す。図5および図6の縦軸の強度は、カラーフィル
タ44Bを透過していない発光素子12Bの共振構造からの放出光のピークの強度を10
0%として規格化してある。
C(National Television Standards Committee)の色座標は(0.666, 0.32
7)、発光素子12Gの共振構造から放出されてカラーフィルタ44Gを透過した光の色
座標は(0.229, 0.682)、発光素子12Bの共振構造から放出されてカラー
フィルタ44Bを透過した光の色座標は(0.133, 0.086)であった。この結
果、NTSC比は100.5%と計算された。
例では、画素電極26R,26G,26Bの第3の画素電極層28cの面積が光反射層2
2の面積と等しく、第3の画素電極層28cがちょうど光反射層22に重なっている。他
の特徴は図1の実施の形態と同様である。図7の比較例では、画素電極をなす層のうち最
も外側にある第3の画素電極層28cの面積が光反射層22の面積と等しいので、三層構
造の画素電極26Rおよび二層構造の画素電極26Gの縁の付近の厚さが不均一な箇所が
、光反射層22に重なってしまう。従って、光反射層22と各発光素子12R,12Gの
半透明な対向電極36の間で往復する光は、画素電極26の縁およびこの縁に重なった箇
所を通過する。つまり画素電極26の縁およびこの縁に重なった箇所が共振構造に含まれ
、光学距離が不安定な箇所が共振構造として利用されることになる。このようにして、目
的とする波長の光に他の波長の光が混ざる。
ュレーションによって得られた結果を示す。
向電極36を透過した光のスペクトル、つまりカラーフィルタ44を透過していない光の
スペクトルを示す。図8において、実線は発光素子12Rの共振構造からの放出光のスペ
クトル、太い破線は発光素子12Gの共振構造からの放出光のスペクトル、細い破線は発
光素子12Bの共振構造からの放出光のスペクトルを表す。
ペクトルは実施の形態と比較例で同じであるが、比較例での発光素子12Gの共振構造か
らの放出光のスペクトルには青色の成分がより多く影響していた。これは、画素電極26
Bの厚さの不安定な箇所、特に青色の波長の共振に適した箇所が共振構造に含まれていた
ためである。また、比較例での発光素子12Rの共振構造からの放出光のスペクトルには
青色の成分および緑色の成分がより多く影響していた。これは、画素電極26Bの厚さの
不安定な箇所、特に青色の波長の共振に適した箇所と緑色の波長の共振に適した箇所が共
振構造に含まれていたためである。このように比較例では、得られる色の純度が実施の形
態よりも劣る。
を示す。図9において、実線は発光素子12Rの共振構造から放出されてカラーフィルタ
44Rを透過した光のスペクトル、太い破線は発光素子12Gの共振構造から放出されて
カラーフィルタ44Gを透過した光のスペクトル、細い破線は発光素子12Bの共振構造
から放出されてカラーフィルタ44Bを透過した光のスペクトルを表す。図8および図9
の縦軸の強度は、カラーフィルタ44Bを透過していない発光素子12Bの共振構造から
の放出光のピークの強度を100%として規格化してある。カラーフィルタの使用によっ
て、図8で見られた色の純度の欠点は目立たなくなったが、NTSC比は実施の形態より
も劣り、85.6%と計算された。
例示した発光装置は、発光素子として有機EL素子すなわちOLED素子を用いるが、
本発明の範囲をOLED素子に限定する意図ではなく、無機EL素子、発光ダイオードま
たはその他の適切な発光素子を使用してもよい。また例示した発光装置の構造の細部は本
発明の理解を容易にするために具体的に説明したものであり、本発明をこれらに限定する
意図でなく、他の構造であってもよい。
おいて高分子タイプの発光層を持つOLED素子を使用してもよい。
の光を共振構造によって外部に取り出す。しかし、本発明において、R,G,Bの光をそ
れぞれ発する発光層を使用し、各発光素子がR,G,Bのいずれかの発光層を有するよう
にしてもよい。この場合にも、共振構造の光学距離は、対応する発光素子の発光層が発す
る光を増幅するように、設計されるので、実施の形態に関して上述したのと同様に、異な
る厚さの画素電極が使用される。
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図10は、以上に
説明した発光装置10を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの
構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての発光装
置10と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001および
キーボード2002が設けられている。
機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表
示装置としての発光装置10を備える。スクロールボタン3002を操作することによっ
て、発光装置10に表示される画面がスクロールされる。
Digital Assistant)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン400
1および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての発光装置10を備える。電源
スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置
10に表示される。
たもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置
、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。
ジスタ(TFT)、18…絶縁層、20…遮光層、22…光反射層、24…誘電体層、2
6R,26G,26B…画素電極、28a…第1の画素電極層、28b…第2の画素電極
層、28c…第3の画素電極層、30…正孔輸送層、32…発光層、34…電子輸送層、
36…対向電極、38…透明接着剤、40…遮光膜、42…保護板、44R,44G,4
4B…カラーフィルタ、50…画素。
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上の複数箇所に形成された光反射層と、
前記光反射層を覆うように前記基板上に形成された透明な誘電体層と、
前記誘電体層上の前記光反射層に重なる箇所にそれぞれ形成された複数の発光素子とを
備え、
前記発光素子の各々は、
透明な画素電極と、
前記画素電極よりも前記誘電体層から離れており前記画素電極に対向する半透明な対向
電極と、
前記画素電極と前記対向電極の間に介在する発光層とを有し、
前記発光層での発光に起因する放出光が前記対向電極を通って放出され、
前記画素電極は、前記対向電極からの放出光の色に応じた厚さを有しており、
前記画素電極の各々は、これに重なった前記光反射層の全体に重なるように、この光反
射層よりも大きな面積を有することを特徴とする発光装置。 - 他の発光素子の放出光のピーク波長よりも放出光のピーク波長が長い発光素子の前記画
素電極は、同一材料の複数の層が積層されて形成されており、この画素電極のうち前記基
板から遠い方の層は、この画素電極のうち前記基板に近い方の層の全体を覆うように、こ
の近い方の層よりも大きな面積を有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 放出光が赤色の発光素子の前記画素電極は同一材料の三層が積層されて形成されており
、放出光が緑色の発光素子の前記画素電極は同一材料の二層が積層されて形成されており
、放出光が青色の発光素子の前記画素電極は単層であることを特徴とする請求項2に記載
の発光装置。 - 前記発光素子を挟んで前記基板とは反対側に配置された遮光膜をさらに備え、
前記遮光膜には、前記発光素子から発せられた光を透過させる複数の光透過部が形成さ
れ、
前記光反射層の各々は、前記光透過部のいずれかの全体に重なるように、この光透過部
よりも大きな面積を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載
の発光装置。 - 前記光反射層よりも前記基板に近い位置に、前記発光素子を駆動するための薄膜トラン
ジスタが配置され、
前記光反射層よりも前記薄膜トランジスタに近い位置に、前記薄膜トランジスタを覆う
遮光層が配置されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の
発光装置。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の発光装置を備える電子機器。
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