JP5453952B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、並びに表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(A)下部電極
(B)マグネシウムと銀との合金により構成されると共に2.5nm以上5nm以下の厚みを有する上部電極
(C)下部電極および上部電極の間に設けられた、発光層を含む有機層
(D)上部電極と有機層との間に上部電極に接して設けられ、アルミニウムを含むと共に0.1nm以上5nm以下の厚みを有する中間層
(A)下部電極
(B)マグネシウムと銀との合金を主成分とし、アルミニウムを含むと共に2.5nm以上5nm以下の厚みを有する上部電極
(C)下部電極および上部電極の間に設けられた、発光層を含む有機層
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、以下の(A)〜(C)の工程を含むものである。
(A)下部電極を形成する工程
(B)下部電極の上に、発光層を含む有機層を形成する工程
(C)有機層の上に、アルミニウムを含むと共に0.1nm以上5nm以下の厚みを有する中間層と、マグネシウムと銀との合金により構成されると共に2.5nm以上5nm以下の厚みを有する上部電極との積層膜を形成する工程
本発明による表示装置の製造方法は、上記本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程を含むものである。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、有機層の上に、上記材料および厚みよりなる中間層と上部電極との積層膜を形成するようにしたので、本発明の第1または第2の有機エレクトロルミネッセンス素子を容易に製造することが可能となる。
本発明の表示装置の製造方法によれば、上記本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するようにしたので、本発明の第1および第2の表示装置を容易に製造することが可能となる。
1.第1の実施の形態(下部電極と上部電極とにより第1の共振器構造を構成した例)
2.変形例1(中間層18と上部電極17とが一体となっている例)
3.第2の実施の形態(上部電極上に共振調整層を設けて第2の共振器構造を構成した例)
4.実施例
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、有機ELテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、基板11の上に、表示領域110として、後述する複数の有機EL素子10R,10G,10Bがマトリクス状に配置されたものである。表示領域110の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130が設けられている。
(2L1)/λ+Φ/(2π)=m
(式中、L1は反射面P1と半透過反射面P2との間の光学的距離、mは次数(0または自然数)、Φは反射面P1で生じる反射光の位相シフトΦ1 と半透過反射面P2で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和(Φ=Φ1 +Φ2 )(rad)、λは半透過反射面P2の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長をそれぞれ表す。なお、数1においてL1およびλは単位が共通すればよいが、例えば(nm)を単位とする。)
図5は、変形例1に係る表示装置の有機EL素子10R,10G,10Bの断面構造を表したものである。この有機EL素子10R,10G,10Bは、中間層18の材料が上部電極17中に完全に拡散し、中間層18が上部電極17に一体化されていることを除いては、上記第1の実施の形態と同様に構成されている。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図6は、本発明の第2の実施の形態に係る有機EL素子10R,10G,10Bの断面構成を表したものである。この有機EL素子10R,10G,10Bは、上部電極17と保護層30との間に共振調整層19を有していることを除いては、上記第1の実施の形態と同様に構成されている。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
(2L2)/λ+Φ/(2π)=m
(式中、L2は反射面P1と半透過反射面P3との間の光学的距離、mは次数(0または自然数)、Φは反射面P1で生じる反射光の位相シフトΦ1 と半透過反射面P3で生じる反射光の位相シフトΦ3 との和(Φ=Φ1 +Φ3 )(rad)、λは半透過反射面P3の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長をそれぞれ表す。なお、数2においてL2およびλは単位が共通すればよいが、例えば(nm)を単位とする。)
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図8に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、封止用基板50および接着層40から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
図9は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図10は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図11は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図12は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
図13は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
上記第1の実施の形態の中間層18および上部電極17を作製した。その際、中間層18はカルシウム(Ca)により構成し、厚みを2.0nmとした。上部電極17はMg−Ag合金により構成し、厚みを表1に示したように異ならせた。なお、有機発光素子10R,10G,10Bの条件に合わせるために、中間層18の下地として、電子輸送材料の抵抗加熱による真空蒸着膜を20nm形成した。上部電極17は1x10-5Pa以下の高真空度において抵抗加熱による真空蒸着法により、0.1nm/secの蒸発速度で成膜した。マグネシウムと銀の共蒸着比率はMg:Ag=10:1とした。上部電極17上には、大気による変性を防ぐため、フッ化リチウム膜を真空蒸着により40nm形成し、そののち紫外線硬化樹脂で封止した。
中間層を設けないことを除いては、上記実施例1−1〜1−4と同様にしてMg−Ag合金よりなる上部電極を形成した。その際、上部電極の厚みを表1に示したように異ならせた。
表1に記載した中間層18および上部電極17を用いて、第1の実施の形態の有機EL素子を作製した。まず、25mm×25mmのガラス板からなる基板11上に、下部電極14としてアルミニウム−ネオジウム合金膜(膜厚150nm)を形成した。また、基板11上に、上部電極17とのコンタクトおよび電源線への接続部として、チタンからなるパッド部(図示せず)を設けた。
中間層を設けないことを除いては、上記実施例2−1〜2−4と同様にして有機EL素子を形成した。その際、上部電極の厚みを表2に示したように異ならせた。
上部電極を、Mg−Ag合金に替えて、銀(Ag)とし、厚みを7nmとした以外は実施例2−1〜2−4と同様に有機EL素子を作製した。その際、中間層は、実施例2−1〜2−4と同様に形成した。得られた有機EL素子について、上部電極の反射スペクトルを調べたところ、単体の銀(Ag)から想定されるものとは大きく異なっていた。また、この有機EL素子を点灯させようとしたところ、通電不可能であった。これは、銀(Ag)の薄膜においては膜質が安定しないからであると考えられる。
上部電極を、Mg−Ag合金に替えて、アルミニウム(Al)とし、厚みを7nmとした以外は実施例2−1〜2−4と同様に有機EL素子を作製した。その際、中間層は、実施例2−1〜2−4と同様に形成した。得られた有機EL素子を点灯させようとしたところ、通電不可能であった。
上部電極17の厚みは5.0nmとし、中間層18の厚みは表3に示したように異ならせたこと以外は実施例2−1〜2−4と同様に有機EL素子を作製した。なお、実施例3−3は、実施例2−4と同一のものである。得られた有機EL素子について、初期特性を調べた。その結果を表3に併せて示す。
共振調整層19としてフッ化リチウムを20nmの厚みで形成すると共に、有機層の厚みを調整して、反射面P1と半透過反射面P3との間の光学的距離L2が数2を満たすように調整し、共振器構造MC2を構成した。その際、共振器構造MC2における半透過反射面P3での位相シフトΦ3は、共振器構造MC1における半透過反射面P2での位相シフトΦ2とは異なるので、光学的距離L1,L2は異なるが、次数mは同じになった。その他は実施例2−4と同様に有機EL素子を作製した。
実施例2−4と同様に、中間層18をカルシウム(Ca)(厚み2nm)、上部電極17をMg−Ag合金(厚み5nm)として、画素数960x540のアクティブマトリックス有機EL表示装置を作製した。
中間層を設けず、上部電極をMg−Ag合金(厚み8nm)として、画素数960x540のアクティブマトリックス有機EL表示装置を作製した。
中間層18をアルミニウム(Al)(厚み1nm)、上部電極17をMg−Ag合金(厚み5nm)としたこと以外は実施例2−1〜2−4と同様に有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子について初期特性を調べた。得られた結果を表4に示す。
Claims (12)
- 下部電極と、
マグネシウムと銀との合金により構成されると共に2.5nm以上5nm以下の厚みを有する上部電極と、
前記下部電極および前記上部電極の間に設けられた、発光層を含む有機層と、
前記上部電極と前記有機層との間に前記上部電極に接して設けられ、アルミニウムを含むと共に0.1nm以上5nm以下の厚みを有する中間層と
を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記中間層の厚みは0.5nm以上4nm以下である
請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記中間層および前記上部電極よりなる膜のシート抵抗が10000Ω/□以下である
請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記発光層で発生した光を前記下部電極と前記上部電極との間で共振させる第1の共振器構造を有する
請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記上部電極上に設けられた保護層と、
前記上部電極と前記保護層との間に設けられ、前記保護層の屈折率とは異なる屈折率を有する共振調整層と
を備え、
前記第1の共振器構造から取り出された光を前記共振調整層および前記保護層の界面と前記第1電極との間で共振させる第2の共振器構造を有する
請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記共振調整層の屈折率が前記保護層の屈折率よりも小さい
請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 下部電極と、
マグネシウムと銀との合金を主成分とし、アルミニウムを含むと共に2.5nm以上5nm以下の厚みを有する上部電極と、
前記下部電極および前記上部電極の間に設けられた、発光層を含む有機層と
を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に、アルミニウムを含むと共に0.1nm以上5nm以下の厚みを有する中間層と、マグネシウムと銀との合金により構成されると共に2.5nm以上5nm以下の厚みを有する上部電極との積層膜を形成する工程と
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、
下部電極と、
マグネシウムと銀との合金により構成されると共に2.5nm以上5nm以下の厚みを有する上部電極と、
前記下部電極および前記上部電極の間に設けられた、発光層を含む有機層と、
前記上部電極と前記有機層との間に前記上部電極に接して設けられ、アルミニウムを含むと共に0.1nm以上5nm以下の厚みを有する中間層と
を備えた表示装置。 - 白色発光時において、正面から測定した分光放射輝度に対して45度斜方から測定した分光放射輝度比が0.7以上である
請求項9記載の表示装置。 - 有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、
下部電極と、
マグネシウムと銀との合金を主成分とし、アルミニウムを含むと共に2.5nm以上5nm以下の厚みを有する上部電極と、
前記下部電極および前記上部電極の間に設けられた、発光層を含む有機層と
を備えた表示装置。 - 有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程を含み、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程は、
下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に、アルミニウムを含むと共に0.1nm以上5nm以下の厚みを有する中間層と、マグネシウムと銀との合金により構成されると共に2.5nm以上5nm以下の厚みを有する上部電極との積層膜を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
TWI688094B (zh) * | 2019-04-17 | 2020-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5453952B2 (ja) * | 2009-06-23 | 2014-03-26 | ソニー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、並びに表示装置およびその製造方法 |
JP2011065943A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP5453303B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2014-03-26 | パナソニック株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
JP2012164600A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Seiko Epson Corp | 発光素子、および発光素子の製造方法 |
KR20120106192A (ko) * | 2011-03-18 | 2012-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
JP6119605B2 (ja) * | 2011-08-22 | 2017-04-26 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
KR101883848B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2018-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR20130108026A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
WO2013176521A1 (ko) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 이의 제조방법 |
JP2013251226A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Panasonic Corp | 表示パネルの製造方法 |
KR20140033867A (ko) | 2012-09-11 | 2014-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 |
KR101995920B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2019-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20150014312A (ko) * | 2013-07-29 | 2015-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 타겟의 제조 방법, 그 방법으로 제조된 스퍼터링 타겟 및 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법 |
KR102094391B1 (ko) * | 2013-09-09 | 2020-03-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JPWO2016009958A1 (ja) * | 2014-07-18 | 2017-05-25 | コニカミノルタ株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2016045979A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-04-04 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
CN104393023B (zh) | 2014-12-01 | 2018-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
US20170271613A1 (en) * | 2014-12-03 | 2017-09-21 | Joled Inc. | Organic light-emitting device |
KR102377366B1 (ko) * | 2014-12-12 | 2022-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6550967B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2019-07-31 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 |
KR102469294B1 (ko) * | 2016-02-01 | 2022-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102608418B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN107546251A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-01-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
US10985323B2 (en) | 2017-10-19 | 2021-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device including a plurality of organic electroluminescent elements |
KR102448066B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2022-09-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
KR20210005364A (ko) * | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치 |
US11737298B2 (en) | 2019-12-24 | 2023-08-22 | Oti Lumionics Inc. | Light emitting device including capping layers on respective emissive regions |
US20240099052A1 (en) * | 2020-12-25 | 2024-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device |
WO2022172129A1 (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電子機器 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4919521A (en) * | 1987-06-03 | 1990-04-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Electromagnetic device |
JP3560375B2 (ja) | 1994-12-27 | 2004-09-02 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
GB9609282D0 (en) * | 1996-05-03 | 1996-07-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Protective thin oxide layer |
US5739545A (en) * | 1997-02-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting diodes having transparent cathode structures |
EP0966050A3 (de) * | 1998-06-18 | 2004-11-17 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Organische Leuchtdiode |
JP3824798B2 (ja) * | 1999-01-21 | 2006-09-20 | Tdk株式会社 | 有機el素子 |
CA2377077A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Uniax Corporation | Long-lifetime polymer light-emitting devices with improved luminous efficiency and radiance |
GB2353400B (en) * | 1999-08-20 | 2004-01-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus |
JP2001265251A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Minolta Co Ltd | 表示素子及び積層型表示素子 |
JP2003123987A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光共振器 |
EP1403939B1 (en) * | 2002-09-30 | 2006-03-01 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Light-emitting device, display and lighting unit |
JP3703028B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2005-10-05 | ソニー株式会社 | 表示素子およびこれを用いた表示装置 |
JP3944906B2 (ja) | 2002-11-11 | 2007-07-18 | ソニー株式会社 | 発光素子およびこれを用いた表示装置 |
JP2005011535A (ja) * | 2003-04-25 | 2005-01-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6917159B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-07-12 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED device |
WO2005039248A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Sony Corporation | 表示装置およびその製造方法、ならびに有機発光装置およびその製造方法 |
JP4403399B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2006253015A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスカラー発光装置 |
US7245065B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-07-17 | Eastman Kodak Company | Reducing angular dependency in microcavity color OLEDs |
JP2006318910A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Lg Electronics Inc | 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP4699098B2 (ja) * | 2005-06-09 | 2011-06-08 | ローム株式会社 | 有機el素子、およびこれを用いた有機el表示装置 |
JP2007048571A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法、電子機器 |
KR20070069314A (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-03 | 전자부품연구원 | Oled 소자 |
KR100753569B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광표시소자의 제조방법 |
JP5178088B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 有機発光装置 |
JP4254856B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2009-04-15 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
JP5453952B2 (ja) * | 2009-06-23 | 2014-03-26 | ソニー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、並びに表示装置およびその製造方法 |
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2009
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-
2014
- 2014-10-29 US US14/527,167 patent/US20150048355A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI688094B (zh) * | 2019-04-17 | 2020-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置 |
Also Published As
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