WO2005039248A1

WO2005039248A1 - 表示装置およびその製造方法、ならびに有機発光装置およびその製造方法

Info

Publication number: WO2005039248A1
Application number: PCT/JP2004/013647
Authority: WO
Inventors: Mitsuhiro Kashiwabara; Jiro Yamada; Seiichi Yokoyama; Kohji Hanawa
Original assignee: Sony Corporation
Priority date: 2003-09-19
Filing date: 2004-09-17
Publication date: 2005-04-28
Also published as: US20190326358A1; US20110241038A1; KR101157579B1; US10347697B2; US20160293673A1; EP3151302A1; EP2509397A1; EP1672962A1; US20130207138A1; US7973319B2; US9911792B2; US9627453B2; EP3151302B1; EP2975665A1; US9123666B2; US20140332832A1; US20070102737A1; CN1868240A; EP3413369A1; US20170154932A1

Abstract

　より簡素化された発光素子構成とすることで設計・製造の簡略化が可能でありながらも、高精細な表示および色再現性に優れた表示が可能な表示装置およびその製造方法を提供する。光反射材料からなる下部電極（４）と光半透過性の上部電極（７）との間に、発光層（１１）を含む機能層（６）が挟持されると共に、発光層（６）で発光した光ｈを下部電極（４）と上部電極（７）との間を共振部（１５）として共振させて上部電極（７）側から取り出す共振器構造の有機ＥＬ素子（３Ｂ），（３Ｇ），（３Ｒ）を、基板（２）上に複数配列してなる表示装置（１）であり、各有機ＥＬ素子（３Ｂ），（３Ｇ），（３Ｒ）は、機能層（６）が同一層で構成されると共に、共振部（１５）の光学的距離Ｌが、青、緑、または赤の波長領域を共振させるようにそれぞれ異なる値に設定されている。

Description

明細書

表示装置およびその製造方法、ならびに有機発光装置およびその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、表示装置およびその製造方法、ならびに有機発光装置およびその製造方法に関し、特には有機 EL素子のような発光素子を基板上に配列形成してなり、所望の発光色を選択的に取り出すことができる面発光型の表示装置およびその製造方法、ならびに有機発光装置およびその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 近年、ブラウン管 (CRT)に代わる表示装置として、軽量で消費電力の小さいフラット表示装置の研究、開発が盛に行われている。このうち、無機 EL素子や有機 EL素子などの自発光型の表示素子 ( 、わゆる発光素子)を含む有機発光装置を用いた表示装置は、低消費電力での駆動が可能な表示装置として注目されて、る。

[0003] このような発光素子を用いた表示装置をフルカラー化する構成としては、たとえば（ 1)青、緑、赤に発光する発光素子を配列した構成、 (2)白色発光素子にカラーフィルタを組み合わせた構成、 (3)白色または青色発光素子に色変換フィルターを組み合わせる構成等が提案されて!ヽる。

[0004] このうち、（1)の構成においては、さらに、光取り出し側におけるガラス基板上の透明電極の膜厚を青、緑、赤の発光素子毎に調整することで、各発光素子からの取り出し光の干渉による高効率化を達成する構成が提案されてヽる（特開 2003-1422 77号公報参照)。

[0005] また、（1)の構成においては、発光層を含む機能層を反射電極と半透過性材料層とで挟持した発光素子の構成を採用し、発光層で生じた光を反射電極と半透過性材料層との間で多重干渉させて半透過性材料層側から取り出す共振器構造とする構成が提案されている。このような構成とすることにより、取り出し光の色純度を向上させ、共振の中心波長付近の取り出し強度を向上させることが可能である。このため、青、緑、赤それぞれの波長にピークを持つ発光素子を並列配置した表示装置において、青、緑、赤のそれぞれの発光素子力の取り出し光波長に合わせて各発光素子における共振器構造の光学的距離を設定することにより、表示装置を構成することでの正面輝度の向上、および、色純度の向上が達成されている。また、カラーフィルタを通して発光を取り出すことでさらに高色純度で、視野角依存性力、さぐパネル表面反射によるコントラスト低下を防いだ高品位な表示装置が達成されている（国際公開特許 WO01-039554号公報参照）。

[0006] なお、発光素子を用いた表示装置をフルカラー化する構成に関しては、いくつかの関連技術も提案されている。具体的には、発光素子から放出される光の放出効率を向上させるために、発光層を含む機能層のうち、その発光層以外の層の厚さを各色ごとに異ならせる技術が知られている（特開 2000-323277号公報参照)。この構成では、発光層以外の層の厚さの差異、すなわち光の放出過程における光路長の差異に基づき、光の干渉現象を利用して各色ごとに光の放出効率が向上する。また、電極層（透明電極)を低抵抗化するために、その電極層に金属薄膜 (例えば 50nm 以下の厚さの銀 (Ag) )を挿入する技術が知られている（特開 2002— 334792号公報参照)。この構成では、金属薄膜の導電特性を利用して、電極層が低抵抗化される。さらに、高輝度の白色光を効率よく発生させるために、青色の光を発生させる青色発光層と、緑色の光を発生させる緑色発光層と、赤色の光を発生させる赤色発光層とを積層することにより発光層を構成する技術が知られている（特開平 10— 003990号公報参照)。この構成では、青色発光層、緑色発光層および赤色発光層が積層されることにより構成された発光層の構成的特徴に基づき、白色光が高輝度化すると共に、その白色光の発生効率が向上する。

[0007] しかしながら、上述した（1)に係る構成では、青、緑、赤に発光する各発光素子を基板上に配列させるため、各色の発光素子における発光層、および発光層を含む機能層をそれぞれに形成しなければならない。例えば、有機 EL素子を発光素子として用いる場合、発光層だけではなぐ電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層の機能層を、発光層に合わせて、それぞれに設計しなければならない場合もある。したがって、各色の発光素子における機能層の設計および形成が非常に煩雑であった。また、このような発光素子の製造においては、金属マスクを用いた蒸着や塗布、さらにはインクジェットによって発光層を含む機能層がパターン形成される。しかしながら、金属マスクを用いた蒸着や塗布を行う場合には、金属マスクのァライメント精度の限界、またはインクジェットを行う場合にはそのパターユング精度の限界から、発光素子および発光素子間の微細化や大型化が困難であり、さらに高精細な表示が可能な表示装置の実現を妨げる要因となっている。

[0008] これに対して、（2)および（3)の構成では、各発光素子において同一の波長領域の光を発光させれば良いため、発光層を含む機能層を各色毎に作り分ける必要はない。このため、各発光素子の設計を含む製造工程は（1)に係る構成と比較して簡便である。ところが、（2)の構成ではカラーフィルタで不要な発光成分を吸収するため、発光効率が低下し、消費電力や素子寿命にとって負荷が大きい。さらに、量産可能なカラーフィルタの透過特性では、発光素子での白色発光を色純度よく青、緑、赤にフィルタリングすることができず、取り出し光は波長分布の広!、色再現性に乏、表示装置しかできない。また（3)の構成では色変換フィルターの変換効率が低いこと、色変換フィルターの製造が困難なこと、色変換フィルターの寿命、色変換後の発光色の色純度等に課題があり実用化が困難である。

発明の開示

[0009] 本発明は、力かる問題点に鑑みてなされたもので、より簡素化された発光素子構成とすることで設計'製造の簡略ィヒが可能でありながらも、高精細な表示および色再現性に優れた表示が可能な表示装置およびその製造方法、ならびに有機発光装置およびその製造方法を提供することを目的として!/ヽる。

[0010] このような目的を達成するための本発明の第 1の観点に係る表示装置は、光反射材料カゝらなるミラーと光半透過性のハーフミラーとの間に少なくとも発光層を含む機能層が挟持されると共に、当該発光層で発光した光を当該ミラーとハーフミラーとの間を共振部として共振させて当該ハーフミラー側力取り出す共振器構造の発光素子を、基板上に複数配列してなる。そして、特に、各発光素子は、前記発光層が同一層で構成されており、かつミラーとハーフミラーとの間の共振部の光学的距離が異なる複数の値に設定されて、ることを特徴として、る。

[0011] このような構成の表示装置では、同一層で構成された発光層を有する各発光素子から、各発光素子に設定されたミラーとハーフミラーとの間の共振部の光学的距離に対応する波長領域の光が共振によって強められた状態で取り出される。このため、同一構成の発光層を用いながらも、所望の発光波長の取り出し効率が極大となるように各発光素子におけるミラーとハーフミラーの間の光学的距離を設計することで、各発光素子からは異なる発光色の光が十分な強度で取り出されることになる。

[0012] したがって、青、緑、赤の発光の取り出しが極大となるようにミラーとハーフミラーとの間の光学的距離が調整された各発光素子を配列させることで、フルカラー表示の表示装置となる。

[0013] また、各発光素子の発光層を同一層で構成したことにより、発光層を含む機能層の全体を同一構成とすることもできる。このため、機能層全体を発光素子の発光色毎に作り分ける必要がなくなり、機能層を作り分ける際に必要となる各機能層間の合わせ裕度を発光素子間に設定する必要もなくなり、画素間ピッチを狭められる。

[0014] そして、発光層を含む機能層全体を同一層で構成した場合、ミラーとハーフミラーとを電極として構成し、これらの間に機能層と共に透明導電膜を挟持させ、この透明導電膜によってミラーとハーフミラーとの間の光学的距離が調整される。尚、透明電極膜は、リソグラフィー処理によって形成したレジストパターンをマスクに用いたエツチングによってパターン形成されるため、金属マスクを用いたパターン形成やインクジエツトによるパターン形成が必要となる機能層と比較して、パターユング精度良好に形成されたものとなる。

[0015] 特に、ハーフミラーの反射率を 0. 1%以上 50%未満の範囲としたことにより、共振器構造の効果が適正に抑制されるため、直視型の表示装置において、共振器構造に基づく輝度および色度の視野角依存性が適正に軽減される。具体的には、ハーフミラーの反射率が 50%以上であると、共振器構造の共振効果が強すぎる結果、共振部から取り出される光のスペクトルの半値幅が狭くなりすぎるため、表示装置の視野角依存性が大きくなるのに対して、ハーフミラーの反射率が 0. 1%以上 50%未満の範囲であると、共振器構造の共振効果が適度に抑えられる結果、共振部から取り出される光のスペクトルの半値幅が適度に広がるため、表示装置の視野角依存性が小さくなる。すなわち、視野角によらずに安定に表示可能な表示装置を構成する上では、ハーフミラーの反射率が 50%以上であるよりも 0. 1%以上 50%未満の範囲である方が好ましい。また、ハーフミラーの反射率を 0. 1%以上 50%未満の範囲とした場合に、ハーフミラーの上方に、共振部で共振してハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタを設けたことにより、直視型の表示装置において輝度および色度の視野角依存性がさらにカラーフィルタによって適正に軽減されるため、表示性能が向上する。

[0016] そして、ハーフミラーの反射率を 0. 1%以上 50%未満の範囲とし、さらに、ハーフミラーの上方にカラーフィルタを設け、ミラー及びノヽーフミラーを電極として構成し、これらの間に機能層と共に透明導電層を挟持させると共に、下記式（1)を満たす範囲で光学的距離 Lを構成し (式（1)中、 Φは発光層で発光した光が共振部の両端で反射する際に生じる位相シフト (ラジアン)、 Lは共振部の光学的距離、 λは光のうちの取り出した、光のスペクトルのピーク波長）、下記式 (2)を満たすように光学的距離 Lt を設定した場合に (式 (2)中、 Ltは透明導電層の光学的距離、 Lfは発光層を含む機能層の光学的距離)、式（1)中の mの値が、発光素子のうちの青色の光を発光する発光素子、緑色の光を発光する発光素子、ならびに赤色の光を発光する発光素子に関してそれぞれ m=0, 0, 0、 m= l, 0, 0、 m= l, 1, 0、 m= l, 1, 1、 m= 2, 1, l、m= 2, 2, 1または m= 2, 2, 2のいずれかを満たすように、式（2)中の光学的距離 Lt, Lfを設定したことにより、共振器構造による発光波長の選択および極大波長の増大を確保しつつ、輝度および色度の視野角依存性が適正に軽減される。

[0017] ( 2L) Z λ + Φ Z ( 2 π ) = m (mは整数) · · · ( 1 )

Lt = L-Lf - - - (2)

[0018] また、本発明の第 1の観点に係る表示装置の製造方法は、上述した構成の表示装置の製造方法であり、基板上の各発光素子形成領域にミラーまたはハーフミラーを形成した後、光学的距離の異なる透明導電膜をパターン形成する工程と前記発光層を一括形成する工程とをこの順または逆の順に行うことを特徴としている。

[0019] このような製造方法では、各発光素子形成領域のミラーまたはハーフミラー上に、一括形成されることで同一の構成となる発光層と、異なる光学的距離を有する透明導電膜との積層体が設けられた発光素子が形成される。そして、発光層を一括形成した同一層としたことにより、この発光層を含む機能層全体を一括形成することもでき、機能層の設計を含む製造工程数の削減が図られる。

[0020] 特に、反射率が 0. 1%以上 50%未満の範囲となるようにハーフミラーを形成したことにより、上記したように、共振器構造の効果を適正に抑制することにより、直視型の表示装置に関して共振器構造に基づく輝度および色度の視野角依存性を適正に軽減することが可能となる。

[0021] また、本発明に係る有機発光装置は、基体に設けられた 3つの有機発光素子を備え、これらの 3つの有機発光素子が、いずれも基体に近い側から順に第 1の電極層、発光層を含む層および第 2の電極層が積層された構成を有すると共に、発光層において発生した光を互いに異なる 3色の光に変換して放出するものである。そして、特に、第 1の電極層が、基体に近い側から順に、基体との密着性を高めるための密着層と、発光層にお、て発生した光を第 2の電極層との間で共振させるための共振層と、この共振層を保護するためのバリア層とが積層された構成を有し、バリア層の厚さ力 S3つの有機発光素子間にお、て互いに異なって、ることを特徴として、る。

[0022] このような構成の有機発光装置では、第 1の電極層を構成するバリア層の厚さが 3 つの有機発光素子間において互いに異なっているため、例えば、発光層において、 3つの有機発光素子間にお、て互いに等、色の光を発生させるようにすれば、ノリァ層の厚さの差異に基づく 3つの有機発光素子間の共振長の差異に起因した光の干渉現象を利用して、発光層においた発生した光を映像表示用の 3色の光 (赤色の光、緑色の光および青色の光）に変換することが可能である。

[0023] また、本発明に係る有機発光装置の製造方法は、基体に設けられた 3つの有機発光素子を備え、これらの 3つの有機発光素子が、いずれも基体に近い側力順に第 1 の電極層、発光層を含む層および第 2の電極層が積層された構成を有すると共に、発光層において発生した光を互いに異なる 3色の光に変換して放出する有機発光装置を製造する方法である。そして、特に、基体に近い側から順に、基体との密着性を高めるための密着層と、発光層にお、て発生した光を第 2の電極層との間で共振させるための共振層と、この共振層を保護するためのバリア層とが積層された構成を有するように第 1の電極層を形成する工程を含み、バリア層の厚さが 3つの有機発光素子間にお、て互いに異なるようにすることを特徴として！/、る。

[0024] このような製造方法では、バリア層の厚さが 3つの有機発光素子間において互いに異なっているような特徴的な構成を有する第 1の電極層を継続的に再現性よく形成するために、既存の薄膜プロセスしか使用せず、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。

[0025] また、本発明の第 2の観点に係る表示装置は、基体に 3つの有機発光素子が設けられた構成を有する有機発光装置を備え、この有機発光装置のうちの 3つの有機発光素子が、いずれも基体に近い側力順に第 1の電極層、発光層を含む層および第 2の電極層が積層された構成を有すると共に、発光層にお、て発生した光を互！ヽに異なる 3色の光に変換して放出することにより映像を表示するものである。そして、特に、第 1の電極層が、基体に近い側から順に、基体との密着性を高めるための密着層と、発光層にお、て発生した光を第 2の電極層との間で共振させるための共振層と、この共振層を保護するためのバリア層とが積層された構成を有し、バリア層の厚さ力 S3つの有機発光素子間にお、て互いに異なって、ることを特徴として、る。

[0026] このような構成の表示装置では、上記した有機発光装置を備えているため、表示装置を製造する上でメタルマスクを使用して発光層を塗り分ける必要がないと共に、発光層において発生した光をカラーフィルタで色変換する必要がない。これにより、ディスプレイサイズの大型化を図ることが可能になると共に、光の利用効率を確保することが可能になる。

図面の簡単な説明

[0027] [図 1]本発明の第 1の実施の形態に係る表示装置の断面構成を示す断面図である。

[図 2]本発明の第 1の実施の形態に係る表示装置の他の断面構成を示す断面図である。

[図 3]本発明の第 2の実施の形態に係る表示装置の断面構成を表す断面図である。

[図 4]図 3に示した有機 EL素子および補助配線の断面構成を拡大して模式的に表す断面図である。

[図 5]図 4に示した発光層を含む層の断面構成を拡大して模式的に表す断面図である。圆 6]本発明の第 2の実施の形態に係る表示装置の製造工程を説明するための断面図である。

圆 7]図 6に続く工程を説明するための断面図である。

圆 8]図 7に続く工程を説明するための断面図である。

圆 9]図 8に続く工程を説明するための断面図である。

圆 10]図 9に続く工程を説明するための断面図である。

圆 11]図 10に続く工程を説明するための断面図である。

圆 12]本発明の第 3の実施の形態に係る表示装置の製造工程を説明するための断面図である。

圆 13]図 12に続く工程を説明するための断面図である。

圆 14]図 13に続く工程を説明するための断面図である。

圆 15]図 14に続く工程を説明するための断面図である。

圆 16]図 15に続く工程を説明するための断面図である。

圆 17]図 16に続く工程を説明するための断面図である。

圆 18]図 17に続く工程を説明するための断面図である。

圆 19]図 18に続く工程を説明するための断面図である。

[図 20]本発明の第 2および第 3の実施の形態に係る表示装置の他の断面構成を表す断面図である。

[図 21]図 20に示した有機 EL素子および補助配線の断面構成を拡大して模式的に表す断面図である。

[図 22]実施例 1の表示装置における各有機 EL素子のスペクトルである。

圆 23]実施例 1の表示装置にカラーフィルタを設けた場合の各有機 EL素子のスぺクトルである。

[図 24]図 23のシミュレーションに用いたカラーフィルタの透過率特性を示す図である

[図 25]比較例 1の表示装置における有機 EL素子のスペクトルである。

圆 26]実施例 1の表示装置にカラーフィルタを設けた場合の各有機 EL素子のスぺクトルである。 [図 27]各表示装置および CRTディスプレイの色度値を示す色度図である。

[図 28]実施例 1の表示装置にカラーフィルタを設けた場合における各有機 EL素子のスペクトルの視野角依存性である。

[図 29]比較例 1の表示装置にカラーフィルタを設けた場合における各有機 EL素子のスペクトルの視野角依存性である。

発明を実施するための最良の形態

[0028] 本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

[0029] [第 1の実施の形態]

まず、図 1を参照して、本発明の第 1の実施の形態に係る表示装置について説明する。図 1は本実施の形態に係る表示装置の一構成例を模式的に示す断面図である。この図に示す表示装置 1は、基板 2上に、青 (B)、緑 (G)、赤 (R)の各色の光が取り出される各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rを発光素子として配列形成してなる、フルカラーの表示装置であり、有機 EL現象を利用して映像を表示するものである。各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rは、基板 2側から順に、下部電極 4、透明導電層 5、機能層 6 および上部電極 7を積層した構成となっており、機能層 6において生じた発光光 hを基板 2と反対の上部電極 7側から取り出す、いわゆるトップェミッション型として構成されている。以下、各部材の詳細な構成を説明する。

[0030] 基板 2は、ガラス、シリコン、プラスチック基板、さらには薄膜トランジスタ (TFT)が形成された TFT基板などからなる。

[0031] そして、基板 2上に設けられた下部電極 4は、光反射性に優れた導電性材料を用いてミラーとして構成される。通常、下部電極 4は、陽極または陰極として用いられる 1S 本実施形態においては、この下部電極 4上に透明導電層 5を介して機能層 6が設けられるため、透明導電層 5が実質的な陽極または陰極となる。このため、本実施形態においては、下部電極 4は、反射性に優れた材料で構成されればよい。

[0032] また、下部電極 4は、この表示装置 1の駆動方式によって適する形状にパターニングされていることとする。例えば、駆動方式が単純マトリックス型である場合には、この下部電極 4は例えばストライプ状に形成される。また、駆動方式が画素 a毎に TFTを備えたアクティブマトリックス型である場合には、下部電極 4は複数配列された各画素 aに対応させてパターン形成され、同様に各画素に設けられた TFTに対して、これらの TFTを覆う層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール（図示省略)を介してそれぞれが接続される状態で形成されることとする。

[0033] そして、この下部電極 4上に設けられた透明導電層 5は透明電極材料で構成され、特に本実施形態においては、上述したように実質的な陽極または陰極として用いられている。そして、透明導電層 5が陽極として用いられる場合には、仕事関数が大きい透明導電性材料が選択され、透明導電層 5が陰極として用いられる場合には仕事関数の小さい透明導電性材料が選択される。尚、図 1においては、透明導電層 5が陽極として用いられる場合を代表して示しており、例えば、酸化インジウム錫 (ITO)を用いて陽極となる透明導電層 5が設けられていることとする。

[0034] この透明導電層 5は、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rにそれぞれの膜厚 (光学的距離 Lt)を有してパターユングされている。そして、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rに設けられる透明導電層 5 (5B, 5G, 5R)は、それぞれに設定された光学的距離 Ltを有していれば良ぐ同一材料で構成されている必要はない。尚、各透明導電層 5B, 5G, 5 Rの光学的距離 Ltの設定については、以降に詳しく説明する。

[0035] また、この透明導電層 5上に積層される機能層 6は、有機材料で構成された複数層からなり、例えば、陽極側（図 1においては透明導電層 5側）から順に、正孔輸送層 1 0、発光層 11、電子輸送層 12を積層してなり、各有機 EL素子 3B, 3G, 3R間において同一層として設けられていることが特徴的である。また、この機能層 6は、各画素 a 毎にパターン形成されてヽても良、し、ベタ膜状に形成されて!ヽても良!、。

[0036] ここで、本実施形態の表示装置 1にお!/、てフルカラー表示を得るためには、発光層 11において生じる発光光 hは、青、緑、および赤の波長領域で発光強度を有していることが必要である。特に、青、緑、赤の取り出したい波長領域の全てに発光強度の極大を持ち、不要な波長領域の発光強度が小さい構成の機能層 6であることが好ましい。このような機能層 6を用いることにより、必要な発光領域の光の取り出し効率が高ぐ色純度が高い表示装置が得られる。このような機能層 6の構造は公知の構造等から任意に選択することができる。

[0037] 尚、機能層 6の膜厚 (光学的距離 Lf)は、透明導電膜 5とを合わせた下部電極 4と上部電極 7との間が、目的とする波長を共振させる共振部 15となるように、以降に詳細に説明するように設定されてヽることが重要となる。

[0038] そして、このような機能層 6の上部に設けられた上部電極 7は、ハーフミラーとして構成され、上述した下部電極 4 (透明導電層 5)が陽極である場合には陰極として用いられ、下部電極 4 (透明導電層 5)が陰極である場合には陽極として用いられる。上部電極 7が陽極として用いられる場合、上部電極 7を構成する材料としては、ニッケル、銀、金、白金、パラジウム、セレン、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、タングステン、モリブデン、クロム、タンタル、ニオブやこれらの合金、あるいは酸化錫（SnO

2

)、酸化インジウム錫 (ITO)、酸ィ匕亜鉛、酸化チタン等の仕事関数が大きい導電性材料が選択して用いられる。また、この上部電極 7が陰極として用いられる場合（図 1の場合）、上部電極 7を構成する材料としては、例えば、 Li、 Mg、 Ca等の活性な金属と Ag、 Al、 In等の金属との合金等の仕事関数が小さい導電性材料が選択して用いられ、これらを積層した構造としても良い。また、機能層 6との間に例えば、 Li、 Mg、 Ca 等の活性な金属とフッ素、臭素等のハロゲンや酸素等との化合物層を薄く挿入した構造としても良い。尚、上部電極 7は、機能層 6で生じた発光を取り出す側となるハーフミラーとして用いられるため、その光透過率が膜厚等で調整されてヽることとする。

[0039] 特に、ハーフミラーとして構成された上部電極 7の反射率は、 0. 1%以上 50%未満の範囲であることが好ましい。上部電極 7の反射率が上記した範囲であれば、共振器構造 (共振部 15)の効果が適正に抑制されるため、直視型の表示装置 1にお!/、て、共振部 15に基づく輝度および色度の視野角依存性が適正に軽減されるからである。具体的には、上部電極 7の反射率が 50%以上であると、共振部 15の共振効果が強すぎる結果、その共振部 15から取り出される光のスペクトルの半値幅が狭くなりすぎるため、表示装置 1の視野角依存性が大きくなるのに対して、上部電極 7の反射率が 0. 1%以上 50%未満の範囲であると、共振部 15の共振効果が適度に抑えられる結果、その共振部 15から取り出される光のスペクトルの半値幅が適度に広がるため、表示装置 1の視野角依存性が小さくなるからである。すなわち、視野角によらずに安定に表示可能な表示装置 1を構成する上では、上部電極 7の反射率が 50%以上であるよりも 0. 1%以上 50%未満の範囲ある方が好ましい。なお、上部電極 7の反射率の下限が「0. 1%以上」であることが好ましい理由は、反射率が 0. 1%未満になると、上部電極 7がもはや反射機能を果たさなくなるカゝらである。

[0040] また、上部電極 7は、この表示装置 1が、単純マトリックス型である場合には、下部電極 4のストライプと交差するストライプ状に形成され、これらが交差して積層された部分が有機 EL素子 3B, 3G, 3Rとなる。また、この表示装置 1が、アクティブマトリックス型である場合には、上部電極 7は、基板 1上の一面を覆う状態で成膜されたベタ膜状で良ぐ各画素に共通の電極として用いられることとする。

[0041] そして、この上部電極 7と上述した下部電極 4との間には、ここでの図示は省略した電流注入用の駆動電源が接続されていることとする。

[0042] 次に、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rにおける下部電極 4と上部電極 7との間の共振部 15の光学的距離 Lおよび、透明導電層 5B, 5G, 5Rの光学的距離 Ltについて説明する。

[0043] すなわち、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rにおいて、下部電極 4と上部電極 7との間の共振部 15の光学的距離 Lは、それぞれの有機 EL素子 3B, 3G, 3Rに設定した所望の波長領域の光が共振部 15の両端で共振する値にそれぞれ設定されている。このため、例えば、共振部 15の両端において発光層 11で発生した発光光 hが反射する際に生じる位相シフトを Φラジアン、共振部 15の光学的距離を L、発光層 11で発生した発光光 hのうちの取り出したい光のスペクトルのピーク波長をえとした場合、下記式（1)を満たす範囲で共振部 15の光学的距離 Lが構成されていることとする。

[0044] (2L) / 1 + Φ/ (2 π ) =πι (mは整数） · · ·（ 1 )

[0045] この際、有機 EL素子 3Bにつ、ては、取り出した、光のスペクトルのピーク波長 λとして青色の領域内にピーク波長え =460nmを設定し、共振部 15の光学的距離 Lを算出する。また、有機 EL素子 3Gについては、取り出したい光のスペクトルのピーク波長 λとして緑色の領域内にピーク波長 λ = 530nmを設定して、共振部 15の光学的距離 Lを算出する。さらに、有機 EL素子 3Rについては、取り出したい光のスぺタトルのピーク波長えとして赤色の領域内にピーク波長 λ =630nmを設定して、共振部 15の光学的距離 Lを算出する。

[0046] 尚、各共振部 15の光学的距離 Lは、上記式（1)を満たす値であれば良いが、その中でも特に、光学的距離 Lが正の最小値となるように構成するのが好ましい。尚、「各共振部 15の光学的距離 Lが正の最小値となるように構成されてヽる」場合にっ、ては、以降に詳しく説明する。

[0047] そして、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rは、発光層 11を含む機能層 6が同一層で構成されているため、共振部 15の光学的距離 Lは、各透明導電層 5B, 5G, 5Rの光学的距離 Ltによって調整されていることとする。したがって、透明導電層 5B, 5G, 5R の光学的距離を Lt、発光層 11を含む機能層 6の光学的距離を Lfとした場合、下記式（2)を満たすように各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rの透明導電層 5B, 5G, 5Rの光学的距離 Lt (膜厚)が設置されてヽることとする。

[0048] Lt=L-Lf - - - (2)

ただし、 Lfは Lより小さ、一定値であることとする。

[0049] 尚、ここでの図示は省略した力このような構成の表示装置 1にカラーフィルタを組み合わせて設ける場合には、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rから取り出したいスぺタトルのピーク波長え近傍の光 hのみを透過するカラーフィルタを、それぞれの有機 EL 素子 3B, 3G, 3Rの光取り出し面側に設けることとする。

[0050] ここで、上記した「各共振部 15の光学的距離 Lが上記式（1)を満たす範囲で正の最小値となるように構成されている」場合とは、その式（1)中の mの値が、青色の波長領域の光 hbを発光する有機 EL素子 3Bに関して m=0、緑色の波長領域の光 hgを発光する有機 EL素子 3Gに関して m=0、赤色の波長領域の光 hrを発光する有機 E L素子 3Rに関して m=0をそれぞれ満たすように、上記式（2)中の光学的距離 Lt, L fが設定されている場合である。ただし、式（1)中の mの値は上記した有機 EL素子 3 Bに関して m=0、有機 EL素子 3Gに関して m=0、有機 EL素子 3Rに関して m=0の条件の他に、有機 EL素子 3Bに関して m= l、有機 EL素子 3Gに関して m=0、有機 EL素子 3Rに関して m=0の条件、有機 EL素子 3Bに関して m= 1、有機 EL素子 3G に関して m= l、有機 EL素子 3Rに関して m=0の条件、有機 EL素子 3Bに関して m = 1、有機 EL素子 3Gに関して m= l、有機 EL素子 3Rに関して m= 1の条件、有機 EL素子 3Bに関して m= 2、有機 EL素子 3Gに関して m= 1、有機 EL素子 3Rに関して m= lの条件、有機 EL素子 3Bに関して m= 2、有機 EL素子 3Gに関して m= 2、有機 EL素子 3Rに関して m= lの条件、あるいは有機 EL素子 3Bに関して m= 2、有機 EL素子 3Gに関して m= 2、有機 EL素子 3Rに関して m= 2の条件を満たすように、式（2)中の光学的距離 Lt, Lfが設定されていてもよい。この場合には、互いに同一のミラーおよびノヽーフミラーを用いると、 mの値が大きくなるほど共振器構造 (共振部 15)から取り出される光の半値幅が小さくなるため、その共振部 15から取り出される光の色純度が高くなる一方で、輝度が低下したり、視野角依存性が大きくなる。そこで、ハーフミラーの反射率を下げたり、あるいは透過率を上げることにより、共振部 15 力取り出される光の強度、色純度、ならびに視野角依存性を適正化することが可能である。なお、有機 EL素子 3Rに関して m= lの条件では、その有機 EL素子 3Rから m= 2の条件に相当する青色の光も併せて取り出されると共に、有機 EL素子 3Rに関して m= 2の条件では、その有機 EL素子 3Rから m= 3の条件に相当する青色の光も取り出されることとなるため、良好な表示性能を確保するためにはカラーフィルタが必要となる。

[0051] 本実施の形態に係る表示装置では、同一層で形成された機能層 6を有する各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rのそれぞれが、青、緑、赤の各波長を共振させる共振器構造として構成されている。これ〖こより、同一構成の発光層を用いながらも、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rから青、緑、または赤の各波長の光 hb, hg, hrのみを多重干渉によつて強めて取り出すことが可能になるため、フルカラー表示が行われる表示装置が構成される。

[0052] そして、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rから取り出される光 hb, hg, は、それぞれの有機 EL素子 3B, 3G, 3Rの共振部 15で共振されて取り出されるため、青、緑、赤に対応する所望の波長領域の光のみが十分な強度で取り出されることになる。したがつて、色再現性に優れたフルカラー表示が可能となる。

[0053] 特に、ハーフミラーとして構成された上部電極 7の反射率が 0. 1%以上 50%未満の範囲であるため、共振部 15の効果が適正に抑制される結果、直視型の表示装置 1 にお、て、共振部 15に基づく輝度および色度の視野角依存性が適正に軽減される。このため、表示装置 1の正面の取り出し光の選択性および光強度を増大させると共に、輝度および色度の視野角依存性を低く保つことが可能である。この場合には、さらに、ハーフミラーとして構成された上部電極 7の上方に、共振部 15で共振してハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタを設けることにより、直視型の表示装置 1において、上記した輝度および色度の視野角依存性がさらにカラーフィルタによって適正に軽減されるため、表示性能を向上させることが可能である。

[0054] しかも、上述したように、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rにお、ては、発光層 11を含む機能層 6全体が同一層で構成されているため、金属マスクを用いた蒸着法やインクジエツト法によって形成される機能層 6を、有機 EL素子 3B, 2G, 3R毎に作り分けたものとする必要がない。このため、機能層 6を作り分ける際に必要となる各機能層 6間の合わせ裕度を画素 a間に設定する必要もなくなり、画素 a間ピッチが狭められる。尚、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rにおける光学的距離 Lは、透明導電膜 5B, 5G, 5Rの光学的距離 Ltによって調整されるため、透明導電膜 5B, 5G, 5Rを作り分ける必要力 S生じる。しかしながら、透明電極膜 5B, 5G, 5Rはリソグラフィー処理によって形成したレジストパターンをマスクに用いたエッチングによってパターン形成されるため、金属マスクを用いたパターン形成やインクジェットによるパターン形成が必要となる機能層 6と比較して、パターユング精度が良好である。

[0055] そして、以上のように画素 a間の微細化が実現されることにより、高精細なフルカラ一表示が可能となる。

[0056] また、発光層 11が同一層からなるため、特に膜厚の厚い有機材料力もなる機能層 6が設定されることもない。したがって、一部の有機 EL素子のみの駆動電圧が高くなるといった現象が生じることもなぐ消費電力が抑えられ、また各色の有機 EL素子の駆動条件が異なることを考慮した駆動回路設計を行う必要もない。

[0057] 尚、各共振部 15の光学的距離 Lが、上記式（1)を満たす範囲で正の最小値となるように構成されている場合には、国際公開特許 WO01— 039554号公報に開示されているように、取り出される光のスペクトル力波長えの光が多重干渉する範囲で最も広い幅に保たれる。このため、この表示素子は、取り出される光のスペクトルがある程度の幅を保ちながらも、ピーク強度は多重干渉によって高められたものになる。したがって、この表示素子は、視野角がずれた場合であっても波長 λのシフト量が小さく抑えられ、広い視野角の範囲で色純度の向上が図られたものになる。具体的には、式（1)中の mの値が、有機 EL素子 3B、有機 EL素子 3G、ならびに有機 EL素子 3R に関してそれぞれ m=0, 0, 0、 m= l, 0, 0、 m= l, 1, 0、 m= l, 1, 1、 m= 2, 1, l、m= 2, 2, 1または m= 2, 2, 2のいずれかを満たすように、式（2)中の光学的距離 Lt, Lfを設定することにより、共振器構造 (共振部 15)による発光波長の選択および極大波長の増大を確保しつつ、共振部 15に基づく輝度および色度の視野角依存性を適正に軽減することが可能である。

[0058] 次に、本実施の形態に係る表示装置の製造方法として、上述した構成の表示装置 1の製造方法について説明する。

[0059] 先ず、基板 2上に、下部電極 4を構成する電極材料膜を成膜し、この電極材料膜上に、それぞれの画素部に形成される有機 EL素子毎に設定された光学的距離 Ltを有する各透明導電層 5B, 5G, 5Rをパターン形成する。これらの各透明導電層 5B, 5 G, 5Rのパターン形成方法は特に限定されることはないが、各透明導電層 5B, 5G, 5Rが同一材料力もなる場合には、例えば次のように行う。

[0060] 先ず、最も光学的距離 Ltが小さい透明導電層 5Bの膜厚と同一の膜厚で第 1透明導電材料膜を形成し、有機 EL素子 3Bが配置される画素 aのみを覆う状態で第 1レジストパターンを形成する。次に、第 1透明導電材料膜の膜厚と合わせた膜厚が、光学的距離 Ltが 2番目に小さい透明導電層 5Gの膜厚と同一の膜厚となるように第 2透明導電材料膜を形成し、有機 EL素子 3Gが配置される画素 aのみを覆う状態で第 2レジストパターンを形成する。さらに、第 1透明導電材料膜および第 2透明電極材料膜の膜厚と合わせた膜厚が、光学的距離 Ltが最も大きい透明導電層 5Rの膜厚と同一の膜厚となるように第 3透明導電材料膜を形成し、有機 EL素子 3Rが配置される画素を覆う状態で第 3レジストパターンを形成する。

[0061] 次いで、第 3レジストパターンをマスクにして第 3透明導電材料膜をエッチングする。

続けて、第 2レジストパターンが露出したところで、第 2レジストパターンおよび第 3レジストパターンをマスクにして第 2透明導電材料膜をエッチングする。さらに続けて、第 1 レジストパターンが露出したところで、第 1レジストパターン、第 2レジストパターン、および第 3レジストパターンをマスクにして第 1透明導電膜をエッチングする。これにより、第 1レジストパターンの下には第 1透明導電膜からなる透明導電層 5Bがパターン形成され、第 2レジストパターンの下には第 1透明導電膜および第 2透明導電膜からなる透明導電層 5Gがパターン形成され、第 3レジストパターンの下には第 1透明導電膜、第 2透明導電膜および第 3透明導電膜からなる透明導電層 5Rがパターン形成される。

[0062] 以上のようにして透明導電層 5B, 5G, 5Rをパターン形成した後、さらに第 1から第 3レジストパターンをマスクに用いて電極材料膜をエッチングして下部電極 4をパターン形成する。

[0063] その後、パターン形成された透明導電層 5B, 5G, 5Rおよび下部電極 4を覆う状態で、基板 2上に正孔輸送層 10、発光層 11および電子輸送層 12を順次積層形成し、各画素 aに同一層からなる機能層 6を一括形成する。これらの各層 10— 12は、周知の方法にて合成された各有機材料を用いて、真空蒸着やスピンコートなどの周知の方法を適用して形成することができる。そして最後に、反射率が 0. 1%以上 50%未満の範囲となるように上部電極 7を積層形成することにより、上述した構成の有機 EL 素 3B, 3G, 3Rを配列形成してなる表示装置 1を得ることができる。

[0064] 本実施の形態に係る表示装置の製造方法では、上述した構成の表示装置 1の製造において、発光層 11を含む機能層 6を各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rで一括形成することにより、機能層の設計を含む製造工程数の削減を図ることができる。したがって、機能層 6の共通化によって発光素子の微細化が実現されることで高精細な表示が可能であり、し力も所望の発光色の光が十分な強度で取り出されることで色再現性に優れた表示が可能な表示装置 1を、より簡便に製造することが可能になる。

[0065] 特に、反射率が 0. 1%以上 50%未満の範囲となるようにハーフミラーを形成することにより、上記したように、共振部 15の効果を適正に抑制する結果、直視型の表示装置 1に関して、共振部 15に基づく輝度および色度の視野角依存性を適正に軽減することが可能であるため、より色再現性に優れ、かつ視野角依存性が小さい高品位な表示装置 1を実現可能となる。

[0066] 尚、以上説明した実施形態においては、図 1を用いて発光光 hを基板 2と反対の上部電極 7側から取り出す、いわゆるトップェミッション型の表示装置 1の構成およびその製造方法を説明した。しカゝしながら、本発明は、図 2に示すように、基板 2側から発光光 hを取り出す、いわゆるボトムェミッション型の表示装置 1Aにも適用される。この場合、基板 2上に設けられる下部電極 4Aは光反射性の材料を用いてハーフミラーとして構成され、上部電極 7Aは光反射性の良好な材料を用いてミラーとして構成されること以外は、上述した実施形態と同様の構成として良ぐ同様の効果を得ることができる。ただし、表示装置の駆動方式としてアクティブマトリックス型を採用する場合には、図 1に示したトップェミッション型を用いることで素子の開口率を向上させることが好ましい。

[0067] また、上述した実施形態においては、下部電極 4, 4A上に透明導電層 5を設けた構成としたが、透明導電層 5は機能層 6と上部電極 7, 7Aとの間に設けられても良い。この場合、下部電極 4, 4Aが実質的な陽極または陰極となり、上部電極 7, 7Aに変わって透明電極 5が実質的な陰極または陽極となる。また、上述した実施形態においては、透明導電層 5はリソグラフィーを用いてパターン形成したが、蒸着マスクや、ィンクジェット等の方法を用いてパターン形成してもよ、。

[0068] さらに、上述した実施形態においては、下部電極と上部電極とをミラーとハーフミラ一としてこの間を共振部とした各有機 EL素子を用いた例を説明した。しかしながら、本発明の表示装置は、このような構成に限定されることはない。すなわち、下部電極または上部電極をミラーとし、機能層を構成する何れかの層をノヽーフミラーとし、これらのミラーとハーフミラーとの間に同一層からなる発光層 11を挟持させ、これらのミラ一とハーフミラーとの間に挟持された発光層 11以外の機能層の膜厚によって共振部の光学的距離を調整した構成であっても良い。また、ミラーやハーフミラーは上部電極または下部電極の外側カゝら発光層 11を挟持する構成であってもよヽ。このような場合であっても、発光層 11を同一層として製造工程の簡便化を図ることが可能である。

[0069] またさらに、上述した実施形態においては、発光素子として有機 EL素子を用いた表示装置の構成を説明した。しかしながら、本発明は有機 EL素子を用いた表示装置に限定されることはなぐ例えば無機 EL素子のような共振構造として構成することが可能な発光素子を用いた表示装置に広く適用可能である。 [0070] [第 2の実施の形態]

次に、図 3を参照して、本発明の第 2の実施の形態に係る表示装置について説明する。図 3は、表示装置 101の断面構成を表している。

[0071] この表示装置 101は、有機 EL現象を利用して映像を表示するものであり、例えば、図 3に示したように、有機 EL素子 130およびその有機 EL素子 130を駆動させるための駆動素子 (TFT; Thin Film Transistor) 112が設けられた有機発光装置としての駆動パネル 110と封止パネル 150とが対向配置され、これらの駆動パネル 110と封止パネル 150とが有機 EL素子 130を挟むように接着層 160を介して貼り合わされた構成を有している。この表示装置 101は、例えば、有機 EL素子 130において発生した光 eを上方、すなわち封止パネル 150から外部に放出するトップェミッション型構造を有している。

[0072] 駆動パネル 110は、基体としての駆動用基板 111に、上記した有機 EL素子 130として 3つの有機 EL素子 130R, 130G, 130Bが設けられた構成を有している。この駆動パネル 110は、具体的には、例えば、駆動用基板 111の一面に、 TFT112として 3つの TFT1121, 1122, 1123と、層間絶縁層 113と、各丁？丁1121—1123ごとに 2組ずつ設けられた配線 114と、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bが配設される下地領域としての平坦ィ匕層 115と、上記した有機 EL素子 130R, 130G, 130B、補助配線 140および層内絶縁層 117と、保護層 120とがこの順に積層された構成を有している。

[0073] 駆動用基板 111は、有機 EL素子 130および TFT112を支持するためのものであり、例えば、ガラスなどの絶縁性材料により構成されている。

[0074] TFT112 (1121, 1122, 1123)は、有機 EL素子 130 (130R, 130G, 130B)を駆動させて発光させるためのものである。この TFT112は図示しないゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含んで構成されており、そのゲート電極は走査回路（図示せず）に接続され、ソース電極およびドレイン電極はいずれも層間絶縁層 113に設けられた接続孔（図示せず)を通じて配線 114に接続されている。なお、 TFT112 の構成は特に限定されず、例えば、ボトムゲート型であってもよいし、あるいはトップゲート型であってもよい。 [0075] 層間絶縁層 113は、各 TFT1121— 1123間を電気的に分離するためのものであり、例えば、酸化シリコン（SiO )や PSG (Phospho-Silicate Glass)などの絶縁性材料に

2

より構成されている。

[0076] 配線 114は、信号線として機能するものであり、例えば、アルミニウム (A1)またはァルミ-ゥム銅合金 (AlCu)などの導電性材料により構成されて!、る。

[0077] 平坦ィ匕層 115は、有機 EL素子 130が配設される下地領域を平坦化し、その有機 E L素子 130を構成する一連の層を高精度に形成するためのものであり、例えば、ポリイミドまたはポリべンゾォキサゾールなどの有機絶縁性材料や、酸化シリコン (SiO )

2 などの無機絶縁性材料により構成されて、る。

[0078] 有機 EL素子 130 (130R, 130G, 130B)は映像表示用の光 eを放出するものであり、具体的には、後述する発光層を含む層 118において発生した所定の色 (波長）の光を光の 3原色に対応する 3色（R; Red , G ; Green , B ; Blue)の光に変換して放出するものである。有機 EL素子 130Rは、赤色の光 erを放出するものであり、駆動用基板 111に近い側力も順に、第 1の電極層としての下部電極層 116Rと、発光層を含む層 118と、第 2の電極層としての上部電極層 119とが積層された構成を有して、る。有機 EL素子 130Gは、緑色の光 egを放出するものであり、駆動用基板 111に近い側から順に、第 1の電極層としての下部電極層 116Gと、発光層を含む層 118と、上部電極層 119とが積層された構成を有している。有機 EL素子 130Bは、青色の光 eb を放出するものであり、駆動用基板 111に近い側力も順に、第 1の電極層としての下部電極層 116Bと、発光層を含む層 118と、上部電極層 119とが積層された構成を有している。これらの有機 EL素子 130R, 130G, 130Bは、例えば、各 TFT1121— 1123にそれぞれ対応して配置されており、下部電極層 116R, 116G, 116Bは、いずれも平坦化層 115に設けられた接続孔（図示せず)を通じて各 TFT1121-1123 ごとに設けられた配線 114に接続されている。なお、有機 EL素子 130R, 130G, 13 0Bの詳細な構成に関しては後述する（図 4および図 5参照)。

[0079] 補助配線 140は、図示しない電源と上部電極層 119との間の抵抗の差異を緩和することにより有機 EL素子 130の抵抗差を低減させるためのものであり、その上部電極層 119と電気的に接続されている。この補助配線 140は、有機 EL素子 130R, 130 G, 130Bと同一階層に配設されており、例えば、その有機 EL素子 130Rとほぼ同様の積層構成を有している。なお、補助配線 140の詳細な構成に関しては後述する（図 4参照)。

[0080] 層内絶縁層 117は、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bおよび補助配線 140間を電気的に分離すると共に、各有機 EL素子 130R, 130G, 130B力も放出される光 e ( er, eg, eb)の放出範囲を規定するためのものであり、有機 EL素子 130R, 130G, 1 30Bおよび補助配線 140の周囲に配設されている。この層内絶縁層 117は、例えば、ポリイミドまたはポリべンゾォキサゾールなどの有機絶縁性材料や酸ィ匕シリコン (Si O )などの無機絶縁性材料により構成されており、その厚さは約 600nmである。

2

[0081] 保護層 120は、有機 EL素子 130を保護するためのものであり、例えば、酸化シリコン（SiO )ゃ窒化シリコン（SiN)などの光透過性の誘電材料により構成されたパッシ

2

ベーシヨン膜である。

[0082] 封止パネル 150は、封止用基板 151の一面にカラーフィルタ 152が設けられた構成を有している。

[0083] 封止用基板 151は、カラーフィルタ 152を支持すると共に、有機 EL素子 130R, 13 OG, 130B力放出された光 er, eg, ebを透過して外部に放出可能とするためのものであり、例えば、ガラスなどの絶縁性材料により構成されている。

[0084] カラーフィルタ 152は、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bからそれぞれ放出された光 er, eg, ebを表示装置 101の外部へ導くと共に、その表示装置 101の内部へ外光が侵入して有機 EL素子 130や補助配線 140において反射した際に、その反射光を吸収することによりコントラストを確保するためのものである。このカラーフィルタ 152は、各有機 EL素子 130R, 130G, 130Bに対応して配置された 3つの領域、すなわち赤色領域 152R、緑色領域 152Gおよび青色領域 152Bを含んで構成されており、これらの赤色領域 152R、緑色領域 152Gおよび青色領域 152Bは、例えば、それぞれ赤色、緑色および青色の顔料が混入された榭脂により構成されている。

[0085] 接着層 160は、駆動パネル 110と封止パネル 150とを貼り合わせるためのものであり、例えば、熱硬化型榭脂などの接着性材料により構成されている。

[0086] なお、図 3では、図示を簡略化するために 3つの TFT112 (TFT1121— 1123)および 1組の有機 EL素子 130 (3つの有機 EL素子 130R, 130G, 130B)のみし力示して、な、が、実際には駆動用基板 111に複数の TFT112がマトリックス状に設けられており、これらの複数の TFT112に対応して複数組の有機 EL素子 130が配置されている。

[0087] 次に、図 3および図 4を参照して、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bおよび補助配線 140の詳細な構成について説明する。図 4は、有機 EL素子 130R, 130G, 130B および補助配線 140の断面構成を拡大して模式的に表している。

[0088] 有機 EL素子 130R, 130G, 130Bは、例えば、図 4に示したように、互いに異なる総厚を有する積層構成を有してヽる。

[0089] 第 1の有機発光素子としての有機 EL素子 130Bは、上記したように、駆動用基板 1 11に近い側力も順に、下部電極層 116Bと、発光層を含む層 118と、上部電極層 11 9とが積層された構成を有している。この下部電極層 116Bは、駆動用基板 111に近い側から順に、駆動用基板 111、より具体的には駆動用基板 111の一面に設けられた平坦化層 115との密着性を高めるための密着層 1161Bと、発光層を含む層 118 にお、て発生した光を上部電極層 119との間で共振させるための共振層 1162Bと、この共振層 1162Bを保護するためのノリア層 1163Bとが積層された構成を有してヽる。特に、ノリア層 1163Bは、単層構造 (バリア層 1163B1)を有している。この有機 EL素子 130Bは、上記したように、発光層を含む層 118において発生した光を共振層 1162Bと上部電極層 119との間で共振させる共振構造 (一種の狭帯域フィルタ）を有しており、共振層 1162Bと上部電極層 119との間の光学的距離 L (LB)は、例えば、下記式（3B)の関係を満たしている。特に、有機 EL素子 130Bは、発光層を含む層 118において発生した光を青色の光 ebに変換するものであり、より具体的には、例えば、トップェミッション型の表示装置 101では、共振層 1162Bと上部電極層 119との間で共振させた光 ebを上部電極層 119を経由して放出するものである。

[0090] (2LB) / λ + Φ / (2 π ) =mB · · · (3B)

(式中、 LB, λ , Φ , mBは、 LBが共振層 1162B (共振層 1162Bのうちのバリア層 1 163Bに隣接する第 1の端面としての端面 PB1)と上部電極層 119 (上部電極層 119 のうちの発光層を含む層 118に隣接する第 2の端面としての端面 PB2)との間の光学的距離、えが放出したい光のスペクトルのピーク波長、 Φが共振層 1162B (端面 PB 1)および上部電極層 119 (端面 PB2)で生じる反射光の位相シフト、 mBが 0または整数 (例えば mB = 0)をそれぞれ表して、る。 )

[0091] 密着層 1161Bは、例えば、クロム（Cr)、インジウム (In)、錫（Sn)、亜鉛 (Zn)、カドミゥム（Cd)、チタン (Ti)、アルミニウム (A1)、マグネシウム（Mg)およびモリブデン（M o)を含む群のうちの少なくとも 1種の金属、その金属の合金、その金属酸化物、またはその金属窒化物などにより構成されており、その厚さは約 lnm— 300nmである。これらの「合金」、「金属酸ィ匕物」および「金属窒化物」としては、例えば、合金としてィンジゥム錫合金（InSn)、インジウム亜鉛合金（InZn)、アルミニウムネオジム合金（A1 Nd)およびアルミニウム銅合金ケィ素化物 (AlCuSi)、金属酸化物として酸化インジゥム錫（ITO ; Indium Tin Oxide)や酸化インジウム亜鉛（IZO； Indium Zinc Oxide )、金属窒化物として窒化チタン (TiN)などが挙げられる。特に、密着層 1161Bは、例えば、密着性や導電性に優れた ITOや IZOにより構成されているのが好ましい。この密着層 1161Bの厚さは、例えば、上記したように導電性に優れた ITOや IZOにより構成されている場合には、約 lnm— 300nmが好ましい上、さらに ITOの表面平坦性を考慮すれば約 3nm— 50nmがより好ましぐ一方、 ITOや IZOよりも導電性が劣る酸ィ匕クロム (Cr O )により構成されている場合には、配線 114と下部電極層 116Bと

2 3

の間の接続抵抗が大きくなりすぎることを防止する上で約 lnm— 20nmが好ましい。

[0092] 共振層 1162Bは、発光層を含む層 118において発生した光を上部電極層 119との間で共振させるための反射層として機能するものであり、例えば、銀 (Ag)または銀を含む合金により構成されている。この銀を含む合金としては、例えば、銀と共に、パラジウム（Pd)、ネオジゥム（Nd)、サマリウム（Sm)、イットリウム（Y)、セリウム（Ce)、ユウ口ピウム（Eu)、ガドリニウム（Gd)、テルビウム（Tb)、ジスプロシウム (Dy)、エルビゥム（Er)、イッテルビウム（Yb)、スカンジウム（Sc)、ルテニウム（Ru)、銅（Cu)および金 (Au)を含む群のうちの少なくとも 1種を含む合金、具体的には銀パラジウム銅合金 (AgPdCu)などが挙げられる。この共振層 1162Bの厚さは、例えば、トップエミッシヨン型の表示装置 101では上部電極層 119の厚さよりも厚くなつており、約 100η m— 300nmである。 [0093] ノリア層 1163B (1163B1)は、例えば、共振層 1162Bよりも仕事関数が大きい材料により構成されており、その厚さは約 lnm— lOOnmである。具体的には、バリア層 1163Bは、例えば、インジウム（In)、錫（Sn)、亜鉛 (Zn)、カドミウム（Cd)、チタン (T i)、クロム（Cr)、ガリウム（Ga)およびアルミニウム (A1)を含む群のうちの少なくとも 1 種の金属、その金属の合金、その金属酸化物、またはその金属窒化物を含む光透過性材料により構成されている。これらの「合金」、「金属酸化物」および「金属窒化物」としては、例えば、合金としてインジウム錫合金やインジウム亜鉛合金、金属酸化物として ITO、IZO、酸化インジウム（In O )、酸化錫（SnO )、酸化亜鉛 (ZnO)、酸

2 3 2

化カドミウム（CdO)、酸化チタン (TiO )および酸ィ匕クロム（CrO )、金属窒化物と

2 2

して窒化チタンゃ窒化クロム（CrN)などが挙げられる。

[0094] 第 2の有機発光素子としての有機 EL素子 130Gは、ノリア層 1163Gの構成が異なる点を除き、有機 EL素子 130Bとほぼ同様の構成を有している。すなわち、有機 EL 素子 130Gは、上記したように、駆動用基板 111に近い側力も順に、下部電極層 116 Gと、発光層を含む層 118と、上部電極層 119とが積層された構成を有しており、この下部電極層 116Gは、駆動用基板 111に近い側力も順に、密着層 1161Gと、共振層 1162Gと、ノリア層 1163Gとが積層された構成を有している。特に、ノリア層 116 3Gは、例えば、ノリア層 1163B1と同様の厚さを有する下部ノリア層 1163G1と、上部ノリア層 1163G2とがこの順に積層された 2層構造を有して、る。これらの下部ノリァ層 1163G1および上部バリア層 1163G2は、例えば、互いに同一の材質であってもよいし、互いに異なる材質であってもよい。この有機 EL素子 130Gは、有機 EL素子 130Bと同様に、発光層を含む層 118にお、て発生した光を共振層 1162Gと上部電極層 119との間で共振させる共振構造を有しており、共振層 1162Gと上部電極層 119との間の光学的距離 L (LG)は、例えば、下記式（3G)の関係を満たしている。特に、有機 EL素子 130Gは、発光層を含む層 118において発生した光を緑色の光 e gに変換するものであり、より具体的には、例えば、トップェミッション型の表示装置 10 1では、共振層 1162Gと上部電極層 119との間で共振させた光 egを上部電極層 11 9を経由して放出するものである。

[0095] (2LG) / 1 + Φ/ (2 π ) =πιΟ· · · (3G) (式中、 LG, Φ , mGは、 LGが共振層 1162G (共振層 1162Gのうちのバリア層 116 3Gに隣接する第 1の端面としての端面 PG1)と上部電極層 119 (上部電極層 119のうちの発光層を含む層 118に隣接する第 2の端面としての端面 PG2)との間の光学的距離、 Φが共振層 1162G (端面 PG1)および上部電極層 119 (端面 PG2)で生じる反射光の位相シフト、 mGが 0または整数 (例えば mG = 0)をそれぞれ表している。 )

[0096] 第 3の有機発光素子としての有機 EL素子 130Rは、ノリア層 1163Rの構成が異なる点を除き、有機 EL素子 130Bとほぼ同様の構成を有している。すなわち、有機 EL 素子 130Rは、上記したように、駆動用基板 111に近い側力も順に、下部電極層 116 Rと、発光層を含む層 118と、上部電極層 119とが積層された構成を有しており、この下部電極層 116Rは、駆動用基板 111に近い側力も順に、密着層 1161Rと、共振層 1162Rと、ノリア層 1163Rとが積層された 3層構成を有している。特に、バリア層 11 63Rは、例えば、ノリア層 1 163B1と同様の厚さを有する下部バリア層 1163R1と、下部バリア層 1163G 1と同様の厚さを有する中間バリア層 1163R2と、上部バリア層 1163R3とがこの順に積層された 3層構造を有して!/、る。これらの下部バリア層 1163 Rl、中間バリア層 1163R2および上部バリア層 1163R3は、例えば、互いに同一の材質であってもよいし、互いに異なる材質であってもよい。この有機 EL素子 130Rは、有機 EL素子 130Bと同様に、発光層を含む層 118において発生した光を共振層 1 162Rと上部電極層 119との間で共振させる共振構造を有しており、共振層 1162R と上部電極層 119との間の光学的距離 L (LR)は、例えば、下記式（3R)の関係を満たしている。特に、有機 EL素子 130Rは、発光層を含む層 118において発生した光を緑色の光 erに変換するものであり、より具体的には、例えば、トップェミッション型の表示装置 101では、共振層 1162Rと上部電極層 119との間で共振させた光 erを上部電極層 119を経由して放出するものである。

[0097] (2LR) / λ + Φ / (2 π ) =mR- - - (3R)

(式中、 LR, Φ , mRは、 LRが共振層 1 162R (共振層 1162Rのうちのバリア層 1163 Rに隣接する第 1の端面としての端面 PR1)と上部電極層 119 (上部電極層 119のうちの発光層を含む層 118に隣接する第 2の端面としての端面 PR2)との間の光学的距離、 Φが共振層 1162R (端面 PR1)および上部電極層 119 (端面 PR2)で生じる反射光の位相シフト、 mR力 SOまたは整数 (例えば mR=0)をそれぞれ表している。 )

[0098] なお、有機 EL素子 130Gを構成する密着層 1161G、共振層 1162Gおよびバリア層 1163G (下部ノリア層 1163G1,上部ノリア層 1163G2)、ならびに有機 EL素子 130Rを構成する密着層 1161R、共振層 1162Rおよびバリア層 1163R (下部ノリア層 1163R1,中間バリア層 1163R2,上部バリア層 1163R3)の機能や材質等は、有機 EL素子 130Bを構成する密着層 1161B、共振層 1162Bおよびバリア層 1163B ( 1163B1)とそれぞれ同様である。

[0099] 確認までに、図 4では、有機 EL素子 130R, 130G, 130B間の構成の差異を見やすくするために、発光層を含む層 118および上部電極層 119の双方を各有機 EL素子 130R, 130G, 130Bごとに分離して示している力実際には、例えば、図 3および図 4に示したように、発光層を含む層 118は、有機 EL素子 130Rのうちの下部電極層 116R (上部バリア層 1163R3)上、有機 EL素子 130Gのうちの下部電極層 116G (上部上部バリア層 1163G2)上、ならびに有機 EL素子 130Bのうちの下部電極層 1 16B (バリア層 1163B1)上の全てを経由するように連続的に延在して、ると共に、上部電極層 119は、発光層を含む 118を覆うように連続的に延在しており、すなわち発光層を含む層 118および上部電極層 119の双方は、、ずれも各有機 EL素子 130R , 130G, 130Bにより共有されている。なお、発光層を含む 118の詳細な構成に関しては後述する（図 5参照)。

[0100] 上部電極層 119は、例えば、銀 (Ag)、アルミニウム (A1)、マグネシウム（Mg)、カルシゥム（Ca)、ナトリウム (Na)を含む群のうちの少なくとも 1種の金属、またはその金属を含む合金などにより構成されている。この「金属を含む合金」としては、例えば、マグネシゥム銀合金（MgAg)などが挙げられる。この上部電極層 119の厚さは、例えば、トップェミッション型の表示装置 101では共振層 1162R, 1162G, 1162Bの厚さよりも薄くなつており、約 lnm— 10nmである。特に、上部電極層 119は、上記したように有機 EL素子 130R, 130G, 130Bが共振構造を有している点に基づき、発光層を含む 118において発生した光を共振層 1162R, 1162G, 1162Bとの間で共振させるために反射させると共に必要に応じて共振後の光 er, eg, ebを外部に放出させるために透過させる半透過反射層として機能するものである。

[0101] 図 4に示したように、発光層を含む層 118の厚さ HR, HG, HBは、 3つの有機 EL 素子 130R, 130G, 130B間において互いに等しくなつている（HR=HG=HB)。この発光層を含む層 118は、 3つの有機 EL素子 130R, 130G, 130B間において互 V、に等し、色 (波長）の光を発生させるものである。

[0102] 特に、ノリア層 1163R, 1163G, 1163Bの厚さ DR, DG, DBは、 3つの有機 EL 素子 130R, 130G, 130Bf¾【こお、て互ヽ【こ異なっており、具体的【こ【ま、 3つの有機 EL素子 130R, 130G, 130B力ら放出される 3色の光 er, eg, ebに対応して互!ヽに異なっている。すなわち、厚さ DR, DG, DBは、 3つの有機 EL素子 130R, 130G , 130Bが発光層を含む層 118において発生した光をそれぞれ赤色の光 er、緑色の光 egおよび青色の光 ebに変換して放出可能となるように設定されており、具体的には、 3つの有機 EL素子 130R, 130G, 130Bから放出される赤色の光 er、緑色の光 egおよび青色の光 ebに対応して順に薄くなつている（DR>DG>DB)。上記した「発光層を含む層 118にお、て発生した光を赤色の光 er、緑色の光 egおよび青色の光 ebに変換して放出する」とは、図 4に示したように、発光層を含む層 118中の点 NR , NG, NBにおいて発生した光が共振層 1162R, 1162G, 1162Bと上部電極層 11 9との間で共振したのちにその上部電極層 119を経由して放出される過程にぉ、て、 3つの有機 EL素子 130R, 130G, 130B間の共振長が互いに異なることに起因する光の干渉現象を利用して、 NR, NG, NBにおいて発生した際に互いに同一の波長を有していた光の波長を放出時に各有機 EL素子 130R, 130G, 130Bごとに異ならせ、すなわち有機 EL素子 130Rにおいて赤色に対応する波長、有機 EL素子 13 OGにおいて緑色に対応する波長、ならびに有機 EL素子 130Bにおいて青色に対応する波長にそれぞれシフトさせることにより、最終的に赤色の光 er、緑色の光 egおよび青色の光 ebを生成すると、う意味である。

[0103] 補助配線 140は、配線抵抗を極力低下させるため、例えば、図 4に示したように、発光層を含む 118を含んでいない点を除き、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bのうちの最も総厚が大きい素子、すなわち有機 EL素子 130Rと同様の積層構成を有している。 [0104] 次に、図 3—図 5を参照して、発光層を含む 118の詳細な構成について説明する。図 5は、発光層含む層 118の断面構成を拡大して模式的に表して、る。

[0105] 発光層を含む層 118は、例えば、上記したように、有機 EL素子 130R, 130G, 13 OBにより共有され、すなわち各有機 EL素子 130R, 130G, 130B間において共通の構成を有しており、所定の色 (波長）の光として白色光を発生させるものである。この発光層を含む層 118は、例えば、図 4および図 5に示したように、下部電極層 116 R, 116G, 116Bに近い側から順に、正孔輸送層 1181と、発光層 1182と、電子輸送層 1183とが積層された構成を有している。この発光層 1182は、例えば、正孔輸送層 1181に近い側力も順に、赤色の光を発生させる赤色発光層 1182Rと、緑色の光を発生させる 1182Gと、青色の光を発生させる 1182Bとが積層された構成を有しており、すなわち赤色発光層 1182R、緑色発光層 1182Gおよび青色発光層 1182 Bからそれぞれ発生した赤色の光、緑色の光および青色の光を合成することにより、結果として白色光を発生させるようになって!/、る。

[0106] 正孔輸送層 1181は、発光層 1182へ注入される正孔の注入効率を高めるためのものであり、例えば、正孔注入層としての機能も兼ねている。この正孔輸送層 1181は、例えば、 4, 4，， 4"—トリス（3—メチルフエ-ルフエ-ルァミノ）トリフエ-ルァミン（m— M TDATA)または α—ナフチルフエ-ルジァミン（ a NPD)などの正孔輸送性材料により構成されており、その厚さは約 40nmである。

[0107] 赤色発光層 1182Rは、下部電極層 116R, 116G, 116Bから正孔輸送層 1181を経由して注入された正孔の一部と上部電極層 119から電子輸送層 1183を経由して注入された電子の一部とを再結合させることにより、赤色の光を発生させるものである。この赤色発光層 1182Rは、例えば、赤色発光材料 (蛍光性または燐光性)、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および両電荷 (正孔，電子)輸送性材料を含む群のうちの少なくとも 1種により構成されており、その厚さは約 5nmである。この赤色発光層 1182Rの具体的な構成材料としては、例えば、 2, 6—ビス [ (4 '―メトキシジフエニルァミノ)スチリル]— 1, 5—ジシァノナフタレン（BSN)が約 30重量⁰ /₀混合された 4, 4，一ビス（2, 2—ジフエ-ルビ-ル）ビフエ-ル (DPVBi)などが挙げられる。

[0108] 緑色発光層 1182Gは、赤色発光層 1182Rにおいて再結合されなかった正孔と電子とを再結合させることにより、緑色の光を発生させるものである。この緑色発光層 11 82Gは、例えば、緑色発光材料 (蛍光性または燐光性)、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および両電荷輸送性材料を含む群のうちの少なくとも 1種により構成されており、その厚さは約 lOnmである。この緑色発光層 1182Gの具体的な構成材料としては、例えば、クマリン 6が約 5重量％混合された DPVBiなどが挙げられる。

[0109] 青色発光層 1182Bは、赤色発光層 1182Rや緑色発光層 1182Gにおいて再結合されなかった正孔と電子とを再結合させることにより、青色の光を発生させるものである。この青色発光層 1182Bは、例えば、青色発光材料 (蛍光性または燐光性)、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および両電荷 (正孔，電子)輸送性材料を含む群のうちの少なくとも 1種により構成されており、その厚さは約 30nmである。この青色発光層 1182Bの具体的な構成材料としては、例えば、 4, 41 ' ビス [2, {4— (N, N—ジフェ-ルァミノ）フエ-ル}ビュル]ビフヱ-ル（DP AVBi)が約 2. 5重量⁰ /₀混合された D PVBiなどが挙げられる。

[0110] 電子輸送層 1183は、発光層 1182へ注入される電子の注入効率を高めるためのものであり、例えば、電子注入層としての機能も兼ねている。この電子輸送層 1183は、例えば、 8—ヒドロキシキノリンアルミニウム (Alq )により構成されており、その厚さは約

3

20nmである。

[0111] 次に、図 3—図 5を参照して、表示装置 101の動作について説明する。

[0112] この表示装置 101では、図 3に示したように、 TFT112 (1121— 1123)を利用して 3つの有機 EL素子 130R, 130G, 130Bが駆動され、すなわち下部電極層 116R, 116G, 116Bと上部電極層 119との間にそれぞれ電圧が印加されると、図 5に示したように、発光層を含む層 118のうちの発光層 1182において、正孔輸送層 1181から供給された正孔と電子輸送層 1183から供給された電子とが再結合することにより、白色光が発生する。この白色光は、赤色発光層 1182Rにおいて発生した赤色の光と、緑色発光層 1182Gにおいて発生した緑色の光と、青色発光層 1182Bにおいて発生した青色の光とが合成された合成光である。

[0113] この白色光は、図 4に示したように、有機発光素子 130R, 130G, 130Bから映像表示用の光 eとして表示装置 101の外部へ放出される過程において、各有機 EL素子 130R, 130G, 130B間の共振長が互いに異なることに起因する光の干渉現象を利用して波長変換され、すなわち有機 EL素子 130R, 130G, 130Rにおいてそれぞれ赤色の光 er、緑色の光 egおよび青色の光 ebに変換される。これ〖こより、図 3に示したよう〖こ、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bからそれぞれ赤色の光 er、緑色の光 e gおよび青色の光 ebが放出されるため、これらの 3色の光 er, eg, ebに基づいて映像が表示される。

[0114] なお、有機 EL素子 130R, 130G, 130B力光 er、 eg, ebが放出される際には、図 4【こ示したよう【こ、各有機 EL素子 130R, 130G, 130B【こお!ヽて、発光層を含む層 118において発生した光が下部電極層 116R, 116G, 116Bのうちの共振層 116 2R, 1162G, 1162Bと上部電極層 119との間で共振されるため、その光が多重干渉を起こす。これにより、最終的に有機 EL素子 130R, 130G, 130B力も放出される光 er, eg, ebの半値幅が減少し、色純度が向上する。

[0115] 次に、図 3—図 11を参照して、図 3—図 5に示した表示装置 101の製造方法について説明する。図 6—図 11は表示装置 101の主要部（下部電極層 116R, 116G, 116 B)の製造工程を説明するためのものであり、いずれも図 4に対応する断面構成を表している。なお、図 6—図 11に示した領域 SR, SG, SBは、それぞれ後工程において有機 EL素子 130R, 130G, 130Bが形成されることとなる領域を表している。

[0116] 以下では、まず、図 3—図 5を参照して、表示装置 101全体の製造工程について簡単に説明したのち、図 3—図 11を参照して、本発明に係る有機発光装置の製造方法が適用される表示装置 101の主要部の形成工程について説明する。なお、表示装置 101のうちの一連の構成要素の材質、厚さおよび構造的特徴については既に詳述したので、それらの説明を適宜省略するものとする。

[0117] この表示装置 101は、スパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィなどのパタ一-ング技術、ならびにドライエッチングやウエットエッチングなどのエッチング技術を含む既存の薄膜プロセスを使用して製造可能である。すなわち、表示装置 101を製造する際には、図 3に示したように、まず、駆動用基板 111の一面に、複数の TFT11 2 (TFT1121— 1123)をマトリックス状にパターン形成し、引き続き TFT1121— 11 23およびその周辺の駆動用基板 111を覆うように層間絶縁層 113を形成したのち、各 TFT1121— 1123ごとに 2組ずつ配線 114をパターン形成する。続いて、配線 11 4およびその周辺の層間絶縁層 113を覆うように平坦化層 115を形成することにより、後工程において有機 EL素子 130R, 130G, 130Bが形成されることとなる下地領域を平坦化する。続いて、平坦ィ匕層 115上に、各 TFT1121— 1123の配設位置に対応して 1組の有機 EL素子 130 (130R, 130G, 130B)をパターン形成する。具体的には、下部電極層 116R、発光層を含む層 118および上部電極層 119をこの順に積層させることにより有機 EL素子 130Rを形成し、下部電極層 116G、発光層を含む層 118および上部電極層 119をこの順に積層することにより有機 EL素子 30Gを形成し、下部電極層 116B、発光層を含む層 118および上部電極層 119をこの順に積層することにより有機 EL素子 130Bを形成する。これらの有機 EL素子 130R, 130G, 13 OBを形成する際には、例えば、図 3に示したように、下部電極層 116R, 116G, 116 B上を経由して連続的に延在し、各有機 EL素子 130R, 130G, 130Bにおいて共有されるように発光層を含む層 118および上部電極層 119を形成すると共に、図 3および図 4に示したように、下部電極層 116R, 116G, 116Bのうちの一部を構成する密着層 1161R, 1161G, 1161Bを駆動用基板 111、より具体的には駆動基板 111 を覆うように設けられた平坦ィ匕層 115上に形成して密着させるようにする。続いて、上部電極層 119を覆うように保護層 120を形成することにより、駆動パネル 110を形成する。

[0118] 続いて、封止用基板 151の一面に、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bに対応して赤色領域 152R、緑色領域 152Gおよび青色領域 152Bを含むカラーフィルタ 152を形成することにより、封止パネル 150を形成する。

[0119] 最後に、接着層 160を使用して、駆動用基板 111と封止用基板 151との間に有機 EL素子 130R, 130G, 130B力 ^挟まれるように馬区動ノネノレ 110と封止ノネノレ 150とを貼り合わせることにより、表示装置 101が完成する。

[0120] この表示装置 101の主要部である下部電極層 116R, 116G, 116Bを形成する際には、まず、図 6に示したように、例えばスパッタリングを使用して、図 3に示した駆動用基板 111、より具体的には駆動用基板 111に設けられた平坦ィ匕層 115を覆うように、密着層 1161 (厚さ =約 20nm)と、共振層 1162 (厚さ =約 1 OOnm)と、第 1のバリァ層部分としてのバリア層部分 11631 (厚さ =T1)とをこの順に形成して積層させる。これらの密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 11631は、いずれも最終的にエッチング処理を使用してパター-ングされることにより、下部電極層 116R, 11 6G, 116Bのそれぞれの一部を構成することとなる準備層である。密着層 1161およびバリア層部分 11631を形成する際には、形成材料として上記した金属、金属酸ィ匕物、金属窒化物または金属化合物を使用し、例えば ΙΤΟを使用する。また、共振層 1 162を形成する際には、形成材料として上記した銀や銀を含む合金を使用し、例えば銀パラジウム銅合金 (AgPdCu)を使用する。この場合には、特に、上記にて図 4を参照して説明したように、有機 EL素子 130Bにおいて光の干渉現象を利用して白色光を青色の光 ebに変換するために必要な共振長を厚さ T1に基づヽて確保し得るように、そのノリア層部分 11631の厚さ T1を設定する。

[0121] なお、密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 11631の形成条件は、例えば、以下の通りである。すなわち、スパッタリングガスとしては、密着層 1161およびバリア層部分 11631を形成するためにアルゴン (Ar)に酸素（O )が 0. 3%混合された

2

混合ガスを使用し、共振層 1162を形成するためにアルゴンガスを使用する。また、スノッタリング条件としては、いずれの場合においても圧力 =約 0. 5Pa、 DC出力 =約 500Wとする。

[0122] 続いて、ノリア層部分 11631上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜（図示せず)を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターユングすることにより、図 7に示したように、ノリア層部分 11631のうち、有機 EL素子 130B が形成されることとなる第 1の領域としての領域 SB上に、例えばフォトレジスト膜よりなる第 1のマスクとしてのエッチングマスク 171をパターン形成する。

[0123] 続いて、図 7に示したように、例えばスパッタリングを使用して、エッチングマスク 171 およびその周辺のバリア層部分 11631を覆うように、第 2のバリア層部分としてのバリァ層部分 11632 (厚さ =T2)を形成する。このバリア層部分 11632は、最終的に下部電極層 116R, 116Gのそれぞれの一部を構成することとなる準備層である。このバリア層部分 11632を形成する際には、上記にて図 4を参照して説明したように、有機 EL素子 130Gにおいて光の干渉現象を利用して白色光を緑色の光 egに変換するために必要な共振長を厚さ (Tl +T2)に基づ、て確保し得るように、そのノリア層部分 11632の厚さ T2を設定する。なお、ノリア層部分 11632の形成材料としては、例えば、ノリア層部分 11631の形成材料と同様のものを使用する。

[0124] 続いて、図 8に示したように、ノリア層部分 11632のうち、有機 EL素子 130Gが形成されることとなる第 2の領域としての領域 SG上に、例えばフォトレジスト膜よりなる第 2のマスクとしてのエッチングマスク 172をパターン形成する。

[0125] 続いて、図 8に示したように、例えばスパッタリングを使用して、エッチングマスク 172 およびその周辺のノリア層部分 11632を覆うように、第 3のノリア層部分としてのバリァ層部分 11633 (厚さ =T3)を形成する。このバリア層部分 11633は、最終的に下部電極層 116Rの一部を構成することとなる準備層である。このノリア層部分 11633 を形成する際には、上記にて図 4を参照して説明したように、有機 EL素子 130Rにおいて光の干渉現象を利用して白色光を赤色の光 erに変換するために必要な共振長を厚さ（Tl +T2+T3)に基づ、て確保し得るように、そのノリア層部分 11633の厚さ T3を設定する。なお、ノリア層部分 11633の形成材料としては、例えば、バリア層部分 11631, 11632の形成材料と同様のものを使用する。

[0126] 続いて、図 9に示したように、ノリア層部分 11633のうち、有機 EL素子 130Rが形成されることとなる第 3の領域としての領域 SR上に、例えばフォトレジスト膜よりなる第 3のマスクとしてのエッチングマスク 173をパターン形成する。

[0127] 続いて、一連のエッチングマスク 171— 173を使用し、密着層 1161、共振層 1162 およびバリア層部分 11631— 11633を連続的にエッチングしてパターユングすることにより、図 10に示したように、密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 116 31— 11633のうち、エッチングマスク 171— 173により被覆されていた部分以外の部分を選択的に除去する。このエッチング処理により、密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 11631— 11633が各領域 SR, SG, SBごとに分離され、具体的には、領域 SBにおいて密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 11631の 3層構造が残存し、領域 SGにおいて密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 11 631, 11632の 4層構造が残存し、領域 SRにおいて密着層 1161、 1共振層 162およびバリア層部分 11631— 11633の 5層構造が残存する。なお、エッチング処理時には、エッチングマスク 171— 173自体もエッチングされるため、それらのエッチングマスク 171— 173の厚さ力 S目減りする。

[0128] 最後に、エッチングマスク 171— 173を除去することにより、図 11に示したように、上記した密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 11631— 11633の残存構造により、図 4に示した下部電極層 116R, 116G, 116Bが完成する。具体的には、青色の光 ebを放出する有機 EL素子 130Bが形成されることとなる領域 SBでは、密着層 1161B、共振層 1162Bおよびバリア層 1163B (1163B1)が積層された積層構造を有する下部電極層 116Bが形成され、このノリア層 1163Bは、ノリア層部分 1163 1 (バリア層 1163B1)よりなる単層構造として形成される。また、緑色の光 egを放出する有機 EL素子 130Gが形成されることとなる領域 SGでは、密着層 1161G、共振層 1 162Gおよびバリア層 1163Gが積層された積層構造を有する下部電極層 116Gが形成され、このバリア層 1163Gは、バリア層部分 11631 (下部バリァ層116301) , 1 1632 (上部ノリア層 1163G2)よりなる 2層構造として形成される。さらに、赤色の光 e rを放出する有機 EL素子 130Rが形成されることとなる領域 SRでは、密着層 1161R 、共振層 1162Rおよびバリア層 1163Rが積層された積層構造を有する下部電極層 116Rが形成され、このバリア層 1163Rは、ノリア層部分 11631 (下部バリア層 116 3R1) , 11632 (中間ノ !;ァ層 1163R2) , 11633 (上咅ノ !;ァ層 1163R3)よりなる 3 層構造として形成される。

[0129] なお、上記した厚さ Tl, T2, T3は、最終的に有機 EL素子 130R, 130G, 130B にお、てそれぞれ赤色の光 er、緑色の光 egおよび青色の光 ebを放出させることが可能な限り、自由に設定可能である。一例を挙げれば、発光層を含む層 118の総厚 = 約 40nm— 70nmの場合には、 Tl, T2, T3=約 2nm— lOOnmである。より具体的な例を挙げれば、発光層を含む層 118の総厚 =約 50nm— 60nmの場合には、 T1 =約 2nm— 20nm、（T1 +T2) =約 20應一 50nm、（T1 +T2+T3) =約 50nm 一 80nmである。参考までに、例えば、図 3に示した補助配線 140は、有機 EL素子 1 30Rと形成手順と同様の手順を経て、並列的に形成可能である。

[0130] 本実施の形態に係る表示装置では、図 3および図 4に示したように、有機 EL素子 1 30R, 130G, 130Bのうちの下部電極層 116R, 116G, 116B力駆動用基板 111 に近 l 則力ら川頁に密着層 1161R, 1161G, 1161B,共振層 1162R, 1162G, 116 2Bおよびバリア層 1163R, 1163G, 1163Bが積層された構成を有し、これらのバリァ層 1163R, 1163G, 1163Bの厚さ DR, DG, DB力各有機 EL素子 130R, 130G , 130B間において互いに異なるようにしたので（DR>DG>DB)、例えば、「表示装置 101の動作」として上記したように、厚さ DR, DG, DB間の差異に基づく有機 E L素子 130R, 130G, 130B間の共振長の差異に起因した光の干渉現象を利用して、発光層を含む層 118においた発生した白色光を 3色の光、すなわち赤色の光 er、緑色の光 egおよび青色の光 ebに変換することが可能となる。したがって、本実施の形態では、これらの 3色の光 er, eg, ebを利用して映像を表示することができる。

[0131] 特に、本実施の形態では、上記した表示機構を構築可能な構造的特徴に基づき、上記「背景技術」の項において説明した従来の表示装置とは異なり、以下で説明するように、表示性能面および製造可能性面の双方にぉ、て利点を有する。

[0132] すなわち、製造可能性面に関しては、 3色 (R, G, B)の光を放出するために、各色の光を別々に発生可能な 3種類の発光層を利用する構成的要因に起因して、これらの 3種類の発光層を蒸着する際にメタルマスクを使用して塗り分けが必要であった従来の表示装置とは異なり、図 5に示したように、 3色の光 er, eg, ebを放出するために単色の光（白色光)を発生可能な 1種類の発光層 1182を利用し、すなわち各有機 E L素子 130R, 130G, 130B間において発光層 1182力 ^共通ィ匕しており、メタノレマスクを使用して発光層 1182を塗り分ける必要がな、ため、ディスプレイサイズの大型化を図ることが可能である。

[0133] 一方、表示性能面に関しては、白色光を発生させる発光層を利用した上で、色変換用の高濃度かつ厚めのカラーフィルタのみを利用して白色光を 3色 (R, G, B)の光に変換していた従来の表示装置とは異なり、カラーフィルタのみを使用して色変換を行う代わりに、図 3および図 4に示したように、カラーフィルタ 152と共に、上記した厚さ DR, DG, DB間の差異に基づく有機 EL素子 130R, 130G, 130B間の共振長の差異に起因した光の干渉現象を併用して白色光を 3色の光 er, eg, ebに変換しているため、カラーフィルタ 152が低濃度かつ薄めで済む。この結果、色変換時にカラ一フィルタ 152の光吸収に起因して光の利用損失が大きくなることを防止し、すなわち光の利用効率を確保することが可能である。

[0134] したがって、本実施の形態では、表示性能面および製造可能性面の双方にぉ、て利点を有することが可能になるため、表示性能の確保と製造可能性の確保とを両立することができる。この場合には、特に、製造面において、メタルマスクを使用した発光層 1182の塗り分けが不要となる点に基づき、その塗り分け作業時にパーティクルが混入して発光層 1182に欠陥が生じることを防止することもできる。

[0135] また、本実施の形態では、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bがそれぞれ共振層 1 162R, 1162G, 1162Bを含み、これらの共振層 1162R, 1162G, 1162Bと上部電極層 119との間で光を共振させる共振構造を有するようにしたので、「表示装置 10 1の動作」として上記したように、光 er, eg, ebの色純度が向上する。したがって、各光 er, eg, ebのいずれに関しても高ピーク強度および狭波長幅の良質なスペクトルを確保し、色再現性に優れた映像を表示することができる。この場合には、特に、高反射性の銀または銀を含む合金を使用して共振層 1162R, 1162G, 1162Bを構成すれば、共振される光の利用効率が高まるため、表示性能をより向上させることができる。

[0136] また、本実施の形態では、ノリア層 1163R, 1163G, 1163Bが上記したように有機 EL素子 130R, 130G, 130B間において共振長に差異を設ける機能を果たす上、共振層 1162R, 1162G, 1162Bを保護する機能も果たすため、それらの共振層 1 162R, 1162G, 1162Bが大気中の酸素や硫黄成分と反応して酸化または腐食したり、あるいは表示装置 101の製造工程中において使用された薬液などと反応して腐食することを防止することができる。

[0137] また、本実施の形態では、下部電極層 116R, 116G, 116Bが平坦ィ匕層 115との密着性を高めるための密着層 1161R, 1161G, 1161Bを含んで構成されているため、これらの下部電極層 116R, 116G, 116Bを平坦ィ匕層 115に強固に固定することがでさる。

[0138] また、本実施の形態では、共振層 1162R, 1162G, 1162Bよりも仕事関数が大きい材料を使用してバリア層 1163R, 1163G, 1163Bを構成したので、発光層 1182 への正孔の注入量を増加させることができる。 [0139] 本実施の形態に係る表示装置の製造方法では、バリア層 1163R, 1163G, 1163 Bの厚さ DR, DG, DBが各有機 EL素子 130R, 130G, 130B間において互いに異なるような特徴的な構成を有する下部電極層 116R, 116G, 116Bを形成するために、既存の薄膜プロセスしか使用せず、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。しかも、その既存の薄膜プロセスのみを使用した上で、下部電極層 116R, 116G, 1 16Bを継続的に再現性よく形成することが可能である。したがって、本実施の形態では、下部電極層 116R, 116G, 116Bを備えた表示装置 101を容易かつ安定に製造することができる。

[0140] [第 3の実施の形態]

次に、本発明の第 3の実施の形態について説明する。

[0141] 本実施の形態に係る表示装置は、下部電極層 116R, 116G, 116Bの形成工程が異なる点を除いて、上記第 2の実施の形態において説明した表示装置 101の構成 (図 3—図 5)と同様の構成を有しており、その表示装置 101の製造工程と同様の製造工程を使用して製造可能である。この表示装置では、特に、例えば、下部電極層 1 16R, 116G, 116Bのうちのノリア層 1163R, 1163G, 1163Bを高精度【こ形成するために、ノリア層部分 11631が酸ィ匕錫（SnO )または酸ィ匕クロム (CrO)により構成

2

され、ノリア層部分 11632が ITOにより構成され、ノリア層部分 11633が IZOにより構成されて、るのが好まし、。

[0142] 図 12—図 19は表示装置のうちの下部電極層 116R, 116G, 116Bの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図 4に対応する断面構成を表している。なお、図 12—図 19では、上記第 2の実施の形態において説明した構成要素と同一の要素に同一の符号を付している。

[0143] 下部電極層 116R, 116G, 116Bを形成する際には、まず、図 12に示したように、例えばスパッタリングを使用して、平坦ィ匕層 115を覆うように、密着層 1161 (厚さ =約 20nm)と、共振層 1162 (厚さ =約10011111)と、第 1のバリア層部分としてのノリア層部分 11631 (厚さ =T1)と、第 2のバリア層部分としてのバリア層部分 11632 (厚さ = Τ2)と、第 3のバリア層部分としてのバリア層部分 11633 (厚さ =Τ3)とをこの順に形成して積層させる。密着層 1161およびバリア層部分 11631— 11633の形成材料としては、いずれに関しても上記第 2の実施の形態において説明した金属、金属酸ィ匕物、金属窒化物または金属化合物を使用し、例えば、密着層 1161およびバリア層部分 11632として ITO、バリア層部分 11631として酸ィ匕錫（SnO )、バリア層部分 11

2

633として IZOをそれぞれ使用する。また、共振層 1162の形成材料としては、上記第 2の実施の形態において説明した銀や銀を含む合金を使用し、例えば銀パラジゥム銅合金 (AgPdCu)を使用する。このバリア層部分 11631— 11633を形成する際には、上記にて図 4を参照して説明したように、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bにおいてそれぞれ光の干渉現象を利用して白色光を赤色の光 er、緑色の光 egおよび青色の光 ebに変換するために必要な共振長を確保し得るように、厚さ T1一 T3をそれぞれ設定する。特に、 ITOよりなるノリア層部分 11632を形成する際には、例えば、後工程において IZOよりなるノリア層部分 11633をウエットエッチングする際に、バリア層部分 11632がエッチング処理の進行を停止させるストップ層として機能し得るように、そのノリア層部分 11632を高温下で成膜する力あるいは成膜後にァニールし、結晶化させる。なお、スパッタリングを使用して密着層 1161、共振層 1162、バリア層部分 11631— 11633を形成して積層させる際には、例えば、これらの一連の層を同一の真空環境中にぉ、て連続的に形成する。

[0144] なお、密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 11631— 11633の形成条件は、例えば、以下の通りである。すなわち、スパッタリングガスとしては、密着層 116 1およびバリア層部分 11632を形成するためにアルゴン (Ar)に酸素（O )が 0. 3%

2

混合された混合ガスを使用し、共振層 1162を形成するためにアルゴンガスを使用し、ノリア層部分 11631を形成するためにアルゴン (Ar)に酸素（O )が 0. 5%混合さ

2

れた混合ガスを使用し、ノリア層部分 11633を形成するためにアルゴン (Ar)に酸素 (O )が 1. 0%混合された混合ガスを使用する。また、スパッタリング条件としては、

2

いずれの場合においても圧力 =約 0. 5Pa、 DC出力 =約500Wとする。

[0145] 続いて、図 13に示したように、ノリア層部分 11633のうち、有機 EL素子 130Rが形成されることとなる第 1の領域としての領域 SR上に、例えばフォトレジスト膜よりなる第

1のマスクとしてのエッチングマスク 181をパターン形成する。

[0146] 続いて、エッチングマスク 181と共にウエットエッチングを使用し、バリア層部分 116 33をエッチングしてパターユングすることにより、図 14に示したように、ノリア層部分 1 633のうち、エッチングマスク 181により被覆されていた部分以外の部分を選択的に除去し、領域 SRにバリア層部分 11633を残存させると共に、その領域 SBの周辺領域にノリア層部分 11632を露出させる。このウエットエッチング処理を行う際には、ェッチャントとして、例えば、リン酸 (H PO )と硝酸 (HNO )と酢酸（CH COOH)と

3 4 3 3

の混酸、あるいはシユウ酸 (C H O )を使用する。このウエットエッチング処理時に

2 2 4

は、上記したように、エツチャントに対して耐性を有する結晶化 ITOよりなるノリア層部分 11632がストップ層として機能し、ノリア層部分 11633のエッチングが完了した時点でエッチング処理の進行が停止するため、そのエッチング処理がバリア層部分 1 1632まで及ぶことが防止される。

[0147] 続いて、図 15に示したように、バリア層部分 11632の露出面のうち、有機 EL素子 1 30Gが形成されることとなる第 2の領域としての領域 SG上に、例えばフォトレジスト膜よりなる第 2のマスクとしてのエッチングマスク 182をパターン形成する。なお、エッチングマスク 182を形成する際には、例えば、必要に応じて、エッチングマスク 182を形成する前に使用済みのエッチングマスク 181をー且除去したのち、そのエッチングマスク 182を形成すると同時にエッチングマスク 181を改めて形成し直すようにする。

[0148] 続いて、エッチングマスク 181, 182と共にウエットエッチングを使用し、ノリア層部分 11632をエッチングしてパターユングすることにより、図 16に示したように、ノリア層部分 11632のうち、エッチングマスク 181, 182により被覆されていた部分以外の部分を選択的に除去し、領域 SR, SGにバリア層部分 11632を残存させると共に、それらの領域 SR, SGの周辺領域にバリア層部分 11631を露出させる。このウエットエッチング処理を行う際には、エツチャントとして、例えば、塩酸 (HC1)、塩酸を含む酸、あるいはフッ酸と硝酸との混酸を使用する。このウエットエッチング処理時には、上記したノリア層部分 11632と同様に、エツチャントに対して耐性を有する酸ィ匕錫よりなるバリア層部分 11631がストップ層として機能し、ノリア層部分 11632のエツチングが完了した時点でエッチング処理の進行が停止するため、そのエッチング処理がノリア層部分 11631まで及ぶことが防止される。

[0149] 続いて、図 17に示したように、バリア層部分 11631の露出面のうち、有機 EL素子 1 30Bが形成されることとなる第 3の領域としての領域 SB上に、例えばフォトレジスト膜よりなる第 3のマスクとしてのエッチングマスク 183をパターン形成する。なお、エッチングマスク 183を形成する際には、例えば、必要に応じて、エッチングマスク 183を形成する前に使用済みのエッチングマスク 181, 182をー且除去したのち、そのエッチングマスク 183を形成すると同時にエッチングマスク 181, 182を改めて形成し直すようにする。

[0150] 続いて、エッチングマスク 181— 183と共にドライエッチングを使用し、密着層 1161 、共振層 1162およびバリア層部分 11631を連続的にエッチングしてパターユングすることにより、図 18に示したように、密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 1 1631のうち、エッチングマスク 181— 183〖こより被覆されて!、た部分以外の部分を選択的に除去する。このエッチング処理により、密着層 1161、共振層 1162およびバリァ層部分 11631が各領域 SR, SG, SBごとに分離され、具体的には、領域 SRにおいて密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 11631— 11633よりなる 5層構造が残存し、領域 SGにおいて密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 116 31, 11632よりなる 4層構造が残存し、領域 SBにおいて密着層 1161、共振層 116 2およびバリア層部分 11631よりなる 3層構造が残存する。なお、エッチング処理時には、エッチングマスク 181— 183自体もエッチングされるため、それらのエッチングマスク 181— 183の厚さが目減りする。

[0151] 最後に、エッチングマスク 181— 183を除去することにより、図 19に示したように、上記した密着層 1161、共振層 1162およびバリア層部分 11631— 11633の残存構造により、上記第 2の実施の形態において図 11に示した場合と同様に、図 4に示した下部電極層 116R, 116G, 1 カ完成する。

[0152] 本実施の形態に係る表示装置の製造方法においても、既存の薄膜プロセスのみを使用して下部電極層 116R, 116G, 116Bを継続的に再現性よく形成することが可能であるため、上記第 2の実施の形態と同様に、表示装置 101を容易かつ安定に製造することができる。

[0153] 特に、本実施の形態では、エツチャントに対して互いに異なる耐性を有する材料を使用してバリア層部分 11631— 11633を形成し、具体的には、バリア層部分 11633 をウエットエッチングするためのエツチャントに対して耐性を有する材料を使用してバリア層部分 11632を形成すると共に、同様にノリア層部分 11632をウエットエツチングするためのエツチャントに対して耐性を有する材料を使用してノリア層部分 11631 を形成するようにしたので、ノリア層部分 11633をエッチングする際にノリア層部分 1 1632がエッチング処理を停止させるためのストップ層として機能すると共に、同様にノリア層部分 11632をエッチングする際にノリア層部分 11631がストップ層として機能する。したがって、エッチング処理が不必要な箇所にまで及ぶことを防止することが可能になるため、下部電極層 116R, 116G, 116Bを高精度に形成することができる。

[0154] また、本実施の形態では、スパッタリングを使用して密着層 1161、共振層 1162、ノリア層部分 11631— 11633を形成して積層させる際に、これらの一連の層を同一の真空環境中において連続的に形成するようにしたので、これらの一連の層を複数の真空環境中、すなわち真空環境と大気圧環境とを経由しながら形成する場合とは異なり、各層間に大気圧環境中の異物が混入することを防止し、その各層間の界面を清浄に保つことができる。

[0155] 本実施の表示装置に関する動作、作用および効果は、上記第 2の実施の形態と同様である。

[0156] なお、上記第 2および第 3の実施の形態では、図 5に示したように、発光層 1182において白色光を発生させるために、その発光層 1182を赤色発光層 1182R、緑色発光層 1182Gおよび青色発光層 1182Bが積層された 3層構造として構成した力必ずしもこれに限られるものではなぐ白色光を発生させることが可能な限りにおいて、発光層 1182の構成は自由に変更可能である。この発光層 1182に関する上記した 3 層構造以外の構造としては、例えば、（1)白色光を発生可能な白色発光材料を使用した単層構造や、（2)赤色発光材料、緑色発光材料および青色発光材料が混合された混合材料を使用した単層構造や、 (3)赤色発光材料および緑色発光材料が混合された混合材料よりなる混合発光層と、緑色発光材料および青色発光材料が混合された混合材料よりなる他の混合発光層とが積層された 2層構造などが挙げられる。これらのいずれの場合においても、上記第 2および第 3の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

[0157] また、上記第 2および第 3の実施の形態では、発光層 1182において白色光を発生させるようにした力必ずしもこれに限られるものではなぐ例えば、各有機 EL素子 1 30R, 130G, 130B間の共振長の差異を利用して発光層 1182において発生した光を 3色の光 er, eg, ebに変換することが可能な限り、発光層 1182において発生させる光の色は自由に変更可能である。この場合においても、上記第 2および第 3の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

[0158] また、上記第 2および第 3の実施の形態では、各有機 EL素子 130R, 130G, 130 Bを構成するバリア層 1163R, 1163G, 1163Bの厚さ DR, DG, DBの間に DR>D G>DBの関係が成立している場合について説明した力必ずしもこれに限られるものではなぐ上記第 2および第 3の実施の形態と同様の効果を得ることが可能な限り、厚さ DR, DG, DBの間の関係は自由に変更可能である。この点に関してより詳細に説明すれば、上記第 2および第 3の実施の形態において説明した DR>DG>DBの関係は、一連の式（3B)—（3R)中の mR, mG, mBの間に mR=mG=mBの関係（例えば mR=mG=mB = 0)が成立している場合に成立するものであり、これらの mR , mG, mBの値の設定によっては厚さ DR, DG, DB間の関係が変更し得る。一例を挙げれば、 mR, mG, mBの間に mR (=mG)≠mBの関係（例えば mR=mG = 0, mB= l)の関係が成立している場合には、厚さ DR, DG, DBの間に DB>DR>DG の関係が成立することとなる。この場合には、特に、最も厚いバリア層 1163Bの厚さが約 lOOnm以上となり得る。

[0159] また、上記第 2および第 3の実施の形態では、図 3および図 4に示したように、本発明をトップエミッション型の表示装置に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなぐ例えば、図 20および図 21に示したように、本発明をボトムェミッション型の表示装置に適用するようにしてもよい。図 20はボトムェミッション型の表示装置 102の断面構成を表しており、図 21は図 20に示した表示装置 102を構成する有機 EL素子 130R, 130G, 130Bおよび補助配線 140の断面構成を拡大して模式的に表している。この表示装置 102は、主に、図 20に示したように、 (l)TFT 112 (1121— 1123)力 S有機 EL素子 130 (130R, 130G, 130B)の酉己設位置に対応しな、ようにずれて配置され、 (2)カラーフィルタ 152が駆動用基板 111と TFT11 2および層間絶縁層 113との間に配設されていると共に、図 21に示したように、 (3) 共振層 1162R, 1162G, 1162Bの厚さが上部電極層 119の厚さよりも薄くなつている点を除き、図 3に示したトップェミッション型の表示装置 101とほぼ同様の構成を有している。この表示装置 102では、有機 EL素子 130R, 130G, 130Bは、共振層 11 62R, 1162G, 1162Bと上部電極層 119との間で共振させた光 er, eg, ebを下部電極層 116R, 116G, 116Bを経由して放出するようになっている。この場合の共振層 1162R, 1162G, 1162Bの厚さは約 lnm— 50應であり、上部電極層 119の厚さは約 lOOnm— 300nmである。なお、ボトムェミッション型の表示装置 102では、例えば、図 20に示したように保護層 120、接着層 160および封止パネル 150 (封止用基板 151)を備える代わりに、脱酸素材を含む中空構造の封止キャップを備える場合もある。このボトムェミッション型の表示装置 102においても、上記第 2および第 3の実施の形態において説明したトップェミッション型の表示装置 101と同様の効果を得ることができる。

[0160] また、上記第 2および第 3の実施の形態では、本発明の有機発光装置を表示装置としての有機 ELディスプレイに適用する場合について説明した力必ずしもこれに限られるものではなぐ例えば、本発明の有機発光装置を有機 ELディスプレイ以外の他の表示装置に適用するようにしてもよい。もちろん、本発明の有機発光装置は、例えば、表示装置以外の他の装置にも適用することが可能である。この「表示装置以外の他の装置」としては、例えば、照明装置などが挙げられる。これらの場合においても、上記各実施の形態と同様の効果を得ることができる。

[0161] 次に、本発明の具体的な実施例、および実施例に対する比較例の表示装置の製造手順を説明し、その後これらの評価結果を説明する。

[0162] (実施例 1)

実施例 1では、図 1を用いて説明したフルカラー表示を行うトップェミッション型の表示装置 1を、次のように作製した。

[0163] 先ず、ガラス板力もなる基板 2上に、ミラーとなる陽極としてクロム (膜厚約 lOOnm) 力もなる下部電極 4と、各膜厚の ITO力もなる透明導電層 5B, 5G, 5Rをパターン形成した。次に、透明導電層 5B, 5G, 5Rの表面中央部における 2mm X 2mmの発光領域以外を絶縁膜 (図示省略)でマスクした有機 EL素子用のセルを作製した。次に、各発光領域となる透明導電層 5B, 5G, 5Rの露出部上に開口を有する金属マスクを基板 1上に近接して配置し、 10— ⁴Pa以下の真空下での真空蒸着法により、青、緑、赤に渡って発光スペクトルを有する有機 EL素子の機能層 6を、透明導電層 5B, 5G , 5Rおよび絶縁膜の上部に形成した。その後、ハーフミラーとなる陰極として、 Mgと Agの共蒸着比 10 : 1の薄膜を 12nmの膜厚で成膜し、さらに ITOを 150nmの膜厚で成膜して、反射率が 0. 1%以上 50%未満の範囲となるように上部電極 7を形成し、実施例 1の表示装置 1を得た。このハーフミラーとしての陰極の反射率は、波長 = 5 50nmの光に対して 45%であった。

[0164] 尚、実施例 1の表示装置においては、各有機 EL素子 3B, 3G, 3R力青:波長え

=460nm、緑：波長え = 530nm、赤：波長え =630nmの光の取り出しが極大になるように、上述した式（1)を満たす振動部の光学的距離 Lのうちの最小値となる光学的距離 Lを設定した。つまり、式（1)中の mの値が m (青） =0、 m (緑） =0、 m (赤） = 0となるように、上述した式 (2)中の光学的距離 Lt, Lfを設定した。この場合には、機能層 6の膜厚を 73nmとし、式（2)を満たすように各透明導電層 5B, 5G, 5Rの光学的距離 Ltを、 Lt (青） = 10nm、 Lt (緑） =41nm、 Lt (赤） = 75nmに設定した。

[0165] (実施例 2)

mの値が m (青） = 1、 m (緑） =0、 m (赤） =0となるように光学的距離 Lt, Lfを設定し、すなわち機能層 6の膜厚を 80nmとし、陰極の膜厚を 9nmとし、光学的距離 Ltを Lt (青） = 110nm、 Lt (緑） = 10nm、 Lt (赤） =44nmに設定した点を除き、実施例 1と同様に表示装置 1を作製した。この場合の陰極の反射率は、波長 = 550nmの光に対して 30%であった。

[0166] (実施例 3)

mの値が m (青） = 1、 m (緑） = 1、 m (赤） =0となるように光学的距離 Lt, Lfを設定し、すなわち機能層 6の膜厚を 105nmとし、陰極の膜厚を 6nmとし、光学的距離 Lt を Lt (青） =85nm、 Lt (緑） = 135nm、 Lt (赤） = lOnmに設定した点を除き、実施例 1と同様に表示装置 1を作製した。この場合の陰極の反射率は、波長 = 550nmの光に対して 15 %であつた。

[0167] (実施例 4)

mの値が m (青） = 1、 m (緑） = 1、 m (赤） = 1となるように光学的距離 Lt, Lfを設定し、すなわち機能層 6の膜厚を 175nmとし、陰極の膜厚を 6nmとし、光学的距離 Lt を Lt (青） = 10nm、 Lt (緑） =65nm、 Lt (赤） = 130nmに設定した点を除き、実施例 1と同様に表示装置 1を作製した。この場合の陰極の反射率は、波長 = 550nmの光に対して 15 %であつた。

[0168] (実施例 5)

mの値が m (青） = 2、 m (緑） = 1、 m (赤） = 1となるように光学的距離 Lt, Lfを設定し、すなわち機能層 6の膜厚を 240nmとし、陰極の膜厚を 6nmとし、光学的距離 Lt を Lt (青） = 95nm、 Lt (緑） = 10nm、 Lt (赤） = 70nmに設定した点を除き、実施例 1と同様に表示装置 1を作製した。この場合の陰極の反射率は、波長 = 550nmの光に対して 15%であった。

[0169] (比較例 1)

比較例 1では、実施例 1と同一の機能層を用いており、光の共振器構造による多重干渉を用いてヽな、有機 EL素子を配列したボトムェミッション型の表示装置を、次にように作製した。

[0170] 先ず、ガラス板カゝらなる基板 1上に、陽極となる下部電極として透明導電性材料である ITO (膜厚約 180nm)をパターン形成した。次に、 ITOカゝらなる下部電極の表面中央部における 2mm X 2mmの発光領域以外を絶縁膜でマスクした有機 EL素子用のセルを作製した。次に、各発光領域となる下部電極の露出部上に他に開口を有する金属マスクを基板上に近接して配置し、実施例と同様の機能層を形成した。その後、ミラーとなる陰極として Mgと Agの共蒸着比 10 : 1の薄膜を 200nmの膜厚で成膜して上部電極を形成し、比較例 1の表示装置を得た。

[0171] (比較例 2)

陰極の膜厚を 20nmとした点を除き、実施例 1と同様に表示装置を作製した。この場合の陰極の反射率は、波長 = 550nmの光に対して 60%であった。

[0172] 以上の様にして作製した実施例および比較例の表示装置について、各有機 EL素子からの取り出し光のスペクトルを測定した。

[0173] 図 22は、実施例 1の表示装置の各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rからの取り出し光スぺタトルである。この図から、青、緑、赤の波長領域でスペクトルの発光強度が大きく異なり、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rから取り出したい波長領域の光が多重干渉効果によって選択的に取り出されて、ることが確認された。

[0174] そして、図 23には、実施例 1の表示装置における発光面側に、各有機 EL素子 3B , 3G, 3Rに対応させて、それぞれの色の波長のみを透過する各色のカラーフィルタを設けた場合のシミュレーション結果を示す。尚、図 24には、実施例 1の表示装置に適用した各色のカラーフィルタの透過率特性を示す。図 23に示すように、カラーフィルタを組み合わせて設けることにより、実施例 1の表示装置においてスペクトルの不要な波長領域成分が減少され、各有機 EL素子 3B, 3G, 3Rカゝら取り出される青、緑、赤の光の色純度が向上することが確認された。

[0175] 一方、図 25は、比較例 1の表示装置における各有機 EL素子力の取り出し光スぺタトルである。この図から、比較例 1の表示装置に設けられた各有機 EL素子は、青、緑、赤の全ての波長領域に発光領域を持つ白色発光が得られることが確認された。

[0176] そして、図 26には、比較例 1の表示装置における発光面側に、各有機 EL素子に対応させて、青、緑、赤の各色の波長のみを透過する各カラーフィルタを設けた場合のシミュレーション結果を示す。尚、各色のカラーフィルタは、先の図 24に示したと同様の透過率特性を示すものである。図 26に示すように、比較例 1の表示装置にカラーフィルタを設けることにより、青、緑、赤に色を調整できるが、図 23に示したように実施例 1の表示装置にカラーフィルタを設けた場合と比較してスペクトルの強度が小さぐ色純度も悪かった。

[0177] また、図 27には、（a)実施例 1の表示装置、（b)実施例 1の表示装置に図 24のカラ一フィルタを設けた表示装置、（c)比較例 1の表示装置、さらには (d)比較例 1の表示装置に図 24のカラーフィルタを設けた表示装置のそれぞれの色度値を、 (e) NTSC (National Television systemし ommitteeノの色度と共にす。

[0178] この色度図から、（a)カラーフィルタを設けていない実施例 1の表示装置でも、良好な色再現性を示し、さらに (b)実施例 1の表示装置にカラーフィルタを設けることで N TSCに匹敵する色再現性での表示が可能であることが確認された。

[0179] 図 28には、実施例 1の表示装置の視野角依存性 (正面， 45° )の実測結果にカラ一フィルタを設けた場合のシミュレーション結果を示し、図 29には、比較例 2の表示装置の視野角依存性 (正面， 45° )の実測結果にカラーフィルタを設けた場合のシミユレーシヨン結果を示す。これらの図から、ハーフミラーとしての陰極の反射率が高い場合には取り出し光の視野角依存性が大きぐすなわち輝度および色度の変化が大き、のに対して、ハーフミラーとしての陰極の反射率が低、場合には取り出し光の視野角依存性が小さぐすなわち輝度および色度の変化が小さいことが確認された。なお、ここでは詳細にデータを示さないが、図 28および図 29に示した結果を踏まえて、陰極の反射率を変化させながら視野角依存性をシミュレーションして調べたところ、取り出し光の視野角依存性を適正に小さくするためには、陰極の反射率が 0. 1%以上 50%未満の範囲であればよいことが確認された。

[0180] 最後に、表 1には、実施例 1一 5の表示装置および比較例 2の表示装置のそれぞれにカラーフィルタを設けた場合における輝度および色度の視野角依存性 (正面， 45 ° )を示す。表 1に示した輝度変化比は、 45° の輝度と正面の輝度との間の比率（= 45° の輝度 Z正面の輝度）である。

[0181] 表 1から、実施例 1一 5の表示装置では、比較例 2の表示装置と比較して輝度変化比が大きくなつたため、その比較例 2の表示装置と比較して視野角依存性が小さいことが確認された。なお、ここでは詳細にデータを示さないが、表 1に示した結果を踏まえて、上述した式（1)中の mの値 (m (青）， m (緑)， m (赤)）が変化するように、上述した式 (2)中の光学的距離 Lt, Lfを設定しながら輝度および色度の視野角依存性を同様に調べたところ、実施例 1一 5に該当する m (青）， m (緑)， m (赤） =0, 0, 0、 1, 0, 0、 1, 1, 0、 1, 1, 1、 2, 1, 1の条件の表示装置だけでなぐ m (青）， m (緑)， n( 赤） = 2, 2, 1、 2, 2, 2の条件の表示装置においても、比較例 2の表示装置と比較してやはり視野角依存性が小さいことが確認された。以上の一連の結果により、本発明の表示装置では、良好な色再現性を示すと共に、表示色の視野角依存性が小さいことが確認された。

[0182] [表 1] 正面 45°

度色度輝度色度輝度変化比 cd/m X y cd/m X y

260 0.139 0.076 194 0.142 0.067

実施例 1 緑 1240 0.267 0.649 1000 0.210 0.636 0.83 赤 270 0.677 0.321 275 0.664 0.336

342 0.133 0.078 175 0.140 0.060

実施例 2 緑 1381 0.237 0.676 1032 0.151 0.628 0.77 赤 473 0.679 0.318 475 0.657 0.341 n 323 0.134 0.075 174 0.144 0.048 実施例 3 緑 857 0.295 0.659 665 0.157 0.683 0.78 赤 452 0.675 0.325 435 0.665 0.335

328 0.133 0.079 185 0.143 0.050

実施例 4 緑 924 0.265 0.652 655 0.163 0.639 0.77 赤 288 0.683 0.314 345 0.660

青 244 0.130 0.078 122 0.150 0.037 実施例 5 緑 919 0.279 0.647 678 0.174 0.648 0.77 赤 337 0.790 0.318 349 0.658 0.341

146 0.146 0.047 92 0.148 0.046

比較例 1 緑 1000 0.197 0.694 644 0.147 0.611 0.66 赤 266 0.677 0.323 193 0.648 0.352

Claims

請求の範囲

[1] 光反射材料力なるミラーと光半透過性のハーフミラーとの間に少なくとも発光層を含む機能層が挟持されると共に、当該発光層で発光した光を当該ミラーとハーフミラ一との間を共振部として共振させて当該ハーフミラー側力取り出す共振器構造を有する発光素子を、基板上に複数配列してなる表示装置において、

前記各発光素子は、前記発光層が同一層で構成されると共に、前記ミラーと前記ハーフミラーとの間の共振部の光学的距離が異なる複数の値に設定されていることを特徴とする表示装置。

[2] 前記複数の発光素子は、前記発光層を含む前記機能層が同一層で構成されている

ことを特徴とする請求の範囲第 1項記載の表示装置。

[3] 前記発光層は、青、緑、および赤の波長領域の光を発光し、

前記各発光素子は、青、緑、または赤の波長領域の光の取り出しがそれぞれ極大となるように前記光学的距離が設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 1項記載の表示装置。

[4] 前記ミラー及びノヽーフミラーは、電極として用いられる

ことを特徴とする請求の範囲第 1項記載の表示装置。

[5] 前記ミラーとハーフミラーとの間には透明導電層が設けられ、当該透明導電層によつて前記光学的距離が調整されて、る

ことを特徴とする請求の範囲第 1項記載の表示装置。

[6] 前記発光層で発生した光が前記共振部の両端で反射する際に生じる位相シフトを

Φラジアン、前記共振部の光学的距離を L、前記光のうちの取り出したい光のスぺクトルのピーク波長をえとした場合、下記式（1)を満たす範囲で前記光学的距離 Lが構成されている

ことを特徴とする請求の範囲第 1項記載の表示装置。

(2 7ぇ+ 7(2兀） = 111 (111は整数）' ' '（1)

[7] 前記ミラーとハーフミラーとの間には透明導電層が設けられ、

前記透明導電層の光学的距離を Lt、前記発光層を含む機能層の光学的距離を Lf とした場合、下記式 (2)を満たすように前記各発光素子における透明導電層の光学的距離 Ltが設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 7項記載の表示装置。

Lt = L-Lf - - - (2)

[8] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられている

ことを特徴とする請求の範囲第 1項記載の表示装置。

[9] 前記発光層は、青、緑、および赤の波長領域の光を発光し、

ことを特徴とする請求の範囲第 2項記載の表示装置。

[10] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられている

ことを特徴とする請求の範囲第 9項記載の表示装置。

[11] 前記ミラー及びノヽーフミラーは、電極として用いられると共に、

前記ミラーとハーフミラーとの間には透明導電層が設けられ、当該透明導電層によつて前記光学的距離が調整されて、る

ことを特徴とする請求の範囲第 9項記載の表示装置。

[12] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられている

ことを特徴とする請求の範囲第 11項記載の表示装置。

[13] 前記ミラー及びノヽーフミラーは、電極として用いられ、

前記発光層で発生した光が前記共振部の両端で反射する際に生じる位相シフトを Φラジアン、前記共振部の光学的距離を L、前記光のうちの取り出したい光のスぺクトルのピーク波長をえとした場合、下記式（1)を満たす範囲で前記光学的距離 Lが構成されて!/、ることを特徴とする請求の範囲第 9項記載の表示装置。

(2 7ぇ+ 7(2兀） = 111 (111は整数）' ' '（1)

[14] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられている

ことを特徴とする請求の範囲第 13項記載の表示装置。

[15] 前記ミラーとハーフミラーとの間には透明導電層が設けられ、

ことを特徴とする請求の範囲第 13項記載の表示装置。

Lt = L-Lf - - - (2)

[16] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられている

ことを特徴とする請求の範囲第 15項記載の表示装置。

[17] 前記ハーフミラーの反射率は、 0. 1%以上 50%未満の範囲である

ことを特徴とする請求の範囲第 1項記載の表示装置。

[18] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられている

ことを特徴とする請求の範囲第 17項記載の表示装置。

[19] 前記ミラー及びノヽーフミラーは、電極として用いられると共に、

ことを特徴とする請求の範囲第 17項記載の表示装置。

[20] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられている

ことを特徴とする請求の範囲第 19項記載の表示装置。

[21] 前記ミラー及びノヽーフミラーは、電極として用いられ、

前記発光層で発光した光が前記共振部の両端で反射する際に生じる位相シフトを Φラジアン、前記共振部の光学的距離を L、前記光のうちの取り出したい光のスぺクトルのピーク波長をえとした場合、下記式（1)を満たす範囲で前記光学的距離 Lが構成されていることを特徴とする請求の範囲第 17項記載の表示装置。

(2 7ぇ+ 7(2兀） = 111 (111は整数）' ' '（1)

[22] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられている

ことを特徴とする請求の範囲第 21項記載の表示装置。

[23] 前記ミラーとハーフミラーとの間には透明導電層が設けられ、

ことを特徴とする請求の範囲第 21項記載の表示装置。

Lt = L-Lf - - - (2)

[24] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられている

ことを特徴とする請求の範囲第 23項記載の表示装置。

[25] 前記ハーフミラーの上方に、前記共振部で共振して前記ハーフミラー側から取り出される波長領域の光を透過するカラーフィルタが設けられ、

前記ミラー及びノヽーフミラーは、電極として用いられ、

前記ミラーとハーフミラーとの間には透明導電層が設けられていると共に、前記発光層で発光した光が前記共振部の両端で反射する際に生じる位相シフトを Φラジアン、前記共振部の光学的距離を L、前記光のうちの取り出したい光のスぺクトルのピーク波長をえとした場合、下記式（1)を満たす範囲で前記光学的距離 Lが構成されていると共に、

ことを特徴とする請求の範囲第 17項記載の表示装置。

(2 7ぇ+ 7(2兀） = 111 (111は整数）' ' '（1)

Lt = L-Lf - - - (2) [26] 前記式（1)中の mの値が、前記発光素子のうちの青色の光を発光する発光素子に関して m=0、緑色の光を発光する発光素子に関して m=0、赤色の光を発光する発光素子に関して m=0をそれぞれ満たすように、前記式 (2)中の光学的距離 Lt, Lf が設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 25項記載の表示装置。

[27] 前記式（1)中の mの値が、前記発光素子のうちの青色の光を発光する発光素子に関して m= l、緑色の光を発光する発光素子に関して m=0、赤色の光を発光する発光素子に関して m=0をそれぞれ満たすように、前記式 (2)中の光学的距離 Lt, Lf が設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 25項記載の表示装置。

[28] 前記式（1)中の mの値が、前記発光素子のうちの青色の光を発光する発光素子に関して m= l、緑色の光を発光する発光素子に関して m= l、赤色の光を発光する発光素子に関して m=0をそれぞれ満たすように、前記式 (2)中の光学的距離 Lt, Lf が設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 25項記載の表示装置。

[29] 前記式（1)中の mの値が、前記発光素子のうちの青色の光を発光する発光素子に関して m= l、緑色の光を発光する発光素子に関して m= l、赤色の光を発光する発光素子に関して m= lをそれぞれ満たすように、前記式 (2)中の光学的距離 Lt, Lf が設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 25項記載の表示装置。

[30] 前記式（1)中の mの値が、前記発光素子のうちの青色の光を発光する発光素子に関して m= 2、緑色の光を発光する発光素子に関して m= l、赤色の光を発光する発光素子に関して m= lをそれぞれ満たすように、前記式 (2)中の光学的距離 Lt, Lf が設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 25項記載の表示装置。

[31] 前記式（1)中の mの値が、前記発光素子のうちの青色の光を発光する発光素子に関して m= 2、緑色の光を発光する発光素子に関して m= 2、赤色の光を発光する発光素子に関して m= lをそれぞれ満たすように、前記式 (2)中の光学的距離 Lt, Lf が設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 25項記載の表示装置。

[32] 前記式（1)中の mの値が、前記発光素子のうちの青色の光を発光する発光素子に関して m= 2、緑色の光を発光する発光素子に関して m= 2、赤色の光を発光する発光素子に関して m= 2をそれぞれ満たすように、前記式 (2)中の光学的距離 Lt, Lf が設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 25項記載の表示装置。

[33] 光反射材料力なるミラーと光半透過性のハーフミラーの間に少なくとも発光層を含む機能層が挟持されると共に、当該発光層で発光した光を当該ミラーとハーフミラ一との間で共振させる共振器構造の共振部として構成された複数の発光素子を基板上に配列形成してなる表示装置の製造方法であって、

基板上の各発光素子形成領域にミラーまたはハーフミラーを形成した後、光学的距離の異なる透明導電膜をパターン形成する工程と前記発光層を一括形成する工程とをこの順または逆の順に行う

ことを特徴とする表示装置の製造方法。

[34] 前記基板上の各発光素子形成領域に、前記発光層を含む機能層を一括形成する工程を行う

ことを特徴とする請求の範囲第 33項記載の表示装置の製造方法。

[35] 反射率が 0. 1%以上 50%未満の範囲となるように前記ハーフミラーを形成するェ程を行う

[36] 前記基板上の各発光素子形成領域に、前記発光層を含む機能層を一括形成する工程を行う

ことを特徴とする請求の範囲第 35項記載の表示装置の製造方法。

[37] 基体に設けられた 3つの有機発光素子を備え、これらの 3つの有機発光素子が、いずれも前記基体に近い側力順に第 1の電極層、発光層を含む層および第 2の電極層が積層された構成を有すると共に、前記発光層において発生した光を互いに異なる 3色の光に変換して放出する有機発光装置であって、前記第 1の電極層は、前記基体に近い側力順に、前記基体との密着性を高めるための密着層と、前記発光層において発生した光を前記第 2の電極層との間で共振させるための共振層と、この共振層を保護するためのノリア層とが積層された構成を有し、

前記バリア層の厚さは、前記 3つの有機発光素子間にお、て互いに異なって、ることを特徴とする有機発光装置。

[38] 前記発光層を含む層の厚さは、前記 3つの有機発光素子間において互いに等しくなっている

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[39] 前記発光層を含む層は、有機層である

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[40] 前記発光層は、前記 3つの有機発光素子間にお、て互、に等、色の光を発生させるものである

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[41] 前記発光層は、前記第 1の電極層に近い側から順に、赤色の光を発生させる赤色発光層と、緑色の光を発生させる緑色発光層と、青色の光を発生させる青色発光層とが積層された構成を有している

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[42] 前記バリア層の厚さは、前記 3つの有機発光素子から放出される前記 3色の光に対応して互いに異なっている

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[43] 前記バリア層の厚さは、前記 3つの有機発光素子が前記発光層において発生した光をそれぞれ赤色の光、緑色の光および青色の光に変換して放出可能となるように設定されている

ことを特徴とする請求の範囲第 42項記載の有機発光装置。

[44] 前記バリア層の厚さは、前記 3つの有機発光素子から放出される前記赤色の光、前記緑色の光および前記青色の光に対応して順に薄くなつている

ことを特徴とする請求の範囲第 43項記載の有機発光装置。 [45] 前記バリア層の厚さは、 lnm以上 lOOnm以下の範囲内である

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[46] 前記バリア層は、インジウム (In)、錫（Sn)、亜鉛 (Zn)、カドミウム (Cd)、チタン (Ti )、クロム（Cr)、ガリウム（Ga)およびアルミニウム (A1)を含む群のうちの少なくとも 1種の金属、その金属の合金、その金属酸化物、またはその金属窒化物を含む光透過性材料により構成されて、る

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[47] 前記バリア層は、酸化インジウム錫（ITO； Indium Tin Oxide)、酸化インジウム亜鉛（ IZO ; Indium Zinc Oxide )、酸化インジウム（In O )、酸化錫（SnO )、酸化亜鉛（

2 3 2

ZnO)、酸化カドミウム（CdO)、酸化チタン (TiO )および酸化クロム（CrO )を含む

2 2 群のうちの少なくとも 1種の金属酸ィ匕物を含む光透過性材料により構成されていることを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[48] 前記バリア層は、前記共振層よりも仕事関数が大き!、材料により構成されて、ることを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[49] 前記密着層は、クロム (Cr)、インジウム (In)、錫（Sn)、亜鉛 (Zn)、カドミウム (Cd) 、チタン (Ti)、アルミニウム（A1)、マグネシウム（Mg)およびモリブデン（Mo)を含む群のうちの少なくとも 1種の金属、その金属の合金、その金属酸ィ匕物、またはその金属窒化物により構成されている

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[50] 前記共振層は、銀 (Ag)または銀を含む合金により構成されている

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[51] 前記共振層は、銀 (Ag)と共に、パラジウム (Pd)、ネオジゥム (Nd)、サマリウム（Sm )、イットリウム (Y)、セリウム（Ce)、ユウ口ピウム（Eu)、ガドリニウム（Gd)、テルビウム（ Tb)、ジスプロシウム (Dy)、エルビウム（Er)、イッテルビウム（Yb)、スカンジウム（Sc )、ルテニウム (Ru)、銅 (Cu)および金 (Au)を含む群のうちの少なくとも 1種を含む合金により構成されている

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[52] 前記基体に、前記 3つの有機発光素子が配設される下地領域を平坦化するための平坦化層が設けられており、

前記密着層は、前記平坦ィ匕層との密着性を高めるためのものである

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[53] 前記共振層と前記第 2の電極層との間の光学的距離 Lは、下記式 (3)の関係を満たしている

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

(2L) / 1 + Φ/ (2 π ) =πι· · · (3)

(式中、 L, λ , Φ , mは、 Lが共振層（共振層のうちのノリア層に隣接する第 1の端面 )と第 2の電極層（第 2の電極層のうちの発光層を含む層に隣接する第 2の端面）との間の光学的距離、えが放出したい光のスペクトルのピーク波長、 Φが共振層（第 1の端面)および第 2の電極層（第 2の端面)で生じる反射光の位相シフト、 mが 0または整数をそれぞれ表している。 )

[54] 前記 3つの有機発光素子は、前記発光層において発生した光を前記共振層と前記第 2の電極層との間で共振させたのち、前記第 1の電極層または前記第 2の電極層のいずれか一方を経由して前記 3色の光を放出するものである

ことを特徴とする請求の範囲第 37項記載の有機発光装置。

[55] 前記 3つの有機発光素子は、前記第 1の電極層を経由して前記 3色の光を放出するものであり、

前記共振層の厚さは lnm以上 50nm以下の範囲内、前記第 2の電極層の厚さは 1 OOnm以上 300nm以下の範囲内である

ことを特徴とする請求の範囲第 54項記載の有機発光装置。

[56] 前記 3つの有機発光素子は、前記第 2の電極層を経由して前記 3色の光を放出するものであり、

前記共振層の厚さは lOOnm以上 300nm以下の範囲内、前記第 2の電極層の厚さは lnm以上 lOnm以下の範囲内である

ことを特徴とする請求の範囲第 54項記載の有機発光装置。

[57] 基体に設けられた 3つの有機発光素子を備え、これらの 3つの有機発光素子が、いずれも前記基体に近い側力順に第 1の電極層、発光層を含む層および第 2の電極層が積層された構成を有すると共に、前記発光層において発生した光を互いに異なる 3色の光に変換して放出する有機発光装置の製造方法であって、

前記基体に近い側力順に、前記基体との密着性を高めるための密着層と、前記発光層にお、て発生した光を前記第 2の電極層との間で共振させるための共振層と

、この共振層を保護するためのノリア層とが積層された構成を有するように、前記第 1 の電極層を形成する工程を含み、

前記バリア層の厚さが、前記 3つの有機発光素子間にお、て互いに異なるようにする

ことを特徴とする有機発光装置の製造方法。

前記第 1の電極層を形成する工程は、

前記基体を覆うように、前記密着層と、前記共振層と、前記バリア層の一部を構成する第 1のノリア層部分とをこの順に形成して積層させる工程と、

この第 1のバリア層部分のうち、前記 3つの有機発光素子のうちの第 1の有機発光素子が形成されることとなる第 1の領域上に、第 1のマスクをパターン形成する工程とこの第 1のマスクおよびその周辺の前記第 1のバリア層部分を覆うように、前記バリァ層の他の一部を構成する第 2のバリア層部分を形成する工程と、

この第 2のバリア層部分のうち、前記 3つの有機発光素子のうちの第 2の有機発光素子が形成されることとなる第 2の領域上に、第 2のマスクをパターン形成する工程とこの第 2のマスクおよびその周辺の前記第 2のバリア層部分を覆うように、前記バリァ層のさらに他の一部を構成する第 3のバリア層部分を形成する工程と、

この第 3のバリア層部分のうち、前記 3つの有機発光素子のうちの第 3の有機発光素子が形成されることとなる第 3の領域上に、第 3のマスクをパターン形成する工程と前記第 1、第 2および第 3のマスクを使用し、前記密着層、前記共振層、ならびに前記第 1、第 2および第 3のノリア層部分を連続的にエッチングしてパターユングするェ程と、を含み、前記第 1の電極層のうちの前記バリア層を、前記第 1の領域にぉ、て前記第 1のバリア層部分により形成し、前記第 2の領域において前記第 1および第 2のバリア層部分により形成し、前記第 3の領域において前記第 1、第 2および第 3のバリア層部分により形成する

ことを特徴とする請求の範囲第 57項記載の有機発光装置の製造方法。

[59] 前記第 1、第 2および第 3の有機発光素子において、それぞれ青色の光、緑色の光および赤色の光を放出するようにする

ことを特徴とする請求の範囲第 58項記載の有機発光装置の製造方法。

[60] 前記第 1の電極層を形成する工程は、

前記基体を覆うように、前記密着層と、前記共振層と、前記バリア層を構成する第 1 、第 2および第 3のノリア層部分とをこの順に形成して積層させる工程と、

この第 3のバリア層部分のうち、前記 3つの有機発光素子のうちの第 1の有機発光素子が形成されることとなる第 1の領域上に、第 1のマスクをパターン形成する工程とこの第 1のマスクを使用し、前記第 3のノリア層部分をエッチングしてパターユングすることにより、前記第 1の領域に前記第 3のバリア層部分を残存させると共に、その第 1の領域の周辺領域に前記第 2のバリア層部分を露出させる工程と、

前記第 2のバリア層部分の露出面のうち、前記 3つの有機発光素子のうちの第 2の有機発光素子が形成されることとなる第 2の領域上に、第 2のマスクをパターン形成する工程と、

この第 2のマスクと共に前記第 1のマスクを使用し、前記第 2のバリア層部分をエツチングしてパターユングすることにより、前記第 1および第 2の領域に前記第 2のバリァ層部分を残存させると共に、それらの第 1および第 2の領域の周辺領域に前記第 1 のバリア層部分を露出させる工程と、

前記第 1のバリア層部分の露出面のうち、前記 3つの有機発光素子のうちの第 3の有機発光素子が形成されることとなる第 3の領域上に、第 3のマスクをパターン形成する工程と、

この第 3のマスクと共に前記第 1および第 2のマスクを使用し、前記密着層、前記共振層および前記第 1のノリア層部分を連続的にエッチングしてパターユングすることにより、前記第 1、第 2および第 3の領域に前記第 1のバリア層部分を残存させる工程と、を含み、

前記第 1の電極層のうちの前記バリア層を、前記第 1の領域において前記第 1、第 2 および第 3のバリア層部分により形成し、前記第 2の領域において前記第 1および第 2のバリア層部分により形成し、前記第 3の領域において前記第 1のバリア層部分により形成する

[61] 前記第 1、第 2および第 3の有機発光素子において、それぞれ赤色の光、緑色の光および青色の光を放出するようにする

ことを特徴とする請求の範囲第 60項記載の有機発光装置の製造方法。

[62] インジウム（In)、錫（Sn)、亜鉛 (Zn)、カドミウム（Cd)、チタン (Ti)、クロム（Cr)、ガリウム（Ga)およびアルミニウム (A1)を含む群のうちの少なくとも 1種の金属、その金属の合金、その金属酸化物、またはその金属窒化物を含む光透過性材料を使用して、前記バリア層を形成する

[63] 酸化インジウム錫（ITO； Indium Tin Oxide)、酸化インジウム亜鉛（IZO； Indium Zinc

Oxide )、酸化インジウム (In O )、酸化錫（SnO )、酸化亜鉛 (ZnO)、酸化カドミ

2 3 2

ゥム（CdO)、酸化チタン (TiO )および酸化クロム（CrO )を含む群のうちの少なく

2 2

とも 1種の金属酸化物を含む光透過性材料を使用して、前記バリア層を形成することを特徴とする請求の範囲第 57項記載の有機発光装置の製造方法。

[64] クロム（Cr)、インジウム（In)、錫（Sn)、亜鉛 (Zn)、カドミウム（Cd)、チタン (Ti)、ァルミ-ゥム（A1)、マグネシウム（Mg)およびモリブデン（Mo)を含む群のうちの少なくとも 1種の金属、その金属の合金、その金属酸化物、またはその金属窒化物を使用して、前記密着層を形成する

[65] 銀 (Ag)または銀を含む合金を使用して、前記共振層を形成する

ことを特徴とする請求の範囲第 57項記載の有機発光装置の製造方法。 [66] 銀 (Ag)と共に、パラジウム（Pd)、ネオジゥム (Nd)、サマリウム（Sm)、イットリウム（ Y)、セリウム（Ce)、ユウ口ピウム（Eu)、ガドリニウム（Gd)、テルビウム（Tb)、ジスプロシゥム（Dy)、エルビウム（Er)、イッテルビウム（Yb)、スカンジウム（Sc)、ルテニウム（ Ru)、銅 (Cu)および金 (Au)を含む群のうちの少なくとも 1種を含む合金を使用して、前記共振層を形成する

[67] さらに、前記基体に、前記 3つの有機発光素子が形成されることとなる下地領域を平坦ィ匕するための平坦ィ匕層を形成する工程を含み、

この平坦化層に、前記密着層を形成する

[68] 基体に 3つの有機発光素子が設けられた構成を有する有機発光装置を備え、この有機発光装置のうちの前記 3つの有機発光素子が、いずれも前記基体に近い側から順に第 1の電極層、発光層を含む層および第 2の電極層が積層された構成を有すると共に、前記発光層にお、て発生した光を互いに異なる 3色の光に変換して放出することにより映像を表示する表示装置であって、

前記第 1の電極層は、前記基体に近い側力順に、前記基体との密着性を高めるための密着層と、前記発光層において発生した光を前記第 2の電極層との間で共振させるための共振層と、この共振層を保護するためのノリア層とが積層された構成を有し、

前記バリア層の厚さは、前記 3つの有機発光素子間にお、て互いに異なって、ることを特徴とする表示装置。