JP2016072250A - 発光装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents

発光装置、電子機器、及び照明装置 Download PDF

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Abstract

【課題】生産性が高い新規な発光装置を提供する。【解決手段】第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層と、第１の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電層と、第３の透明導電層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第１の透明導電層は、第１の領域を有し、第２の透明導電層は、第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、第１の領域が、第２の領域よりも厚い。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる発光層を一対の電極間に挟んでなる発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
近年、一対の電極間に有機化合物を発光層として有する発光素子（例えば、有機ＥＬ素子）の開発が盛んである。また、当該発光素子をマトリクス状に配置した発光装置が搭載された電子機器（例えば、スマートフォン等）が製造・販売されている。
有機ＥＬ素子は、一対の電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、各電極から注入された電子およびホールが再結合して有機化合物である発光物質が励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。発光物質が発する光のスペクトルはその発光物質特有のものであり、異なる種類の有機化合物を発光物質として用いることによって、様々な色の発光を呈する発光素子を得ることができる。
画像を表示することを念頭においた発光装置の場合、フルカラーの映像を再現するためには、少なくとも赤、緑、青の３色の光を得ることが必要になる。さらに、色の再現性を良好なものとし画質を高めるために、マイクロキャビティ構造、またはカラーフィルタを用いることで発光の色純度を高める工夫もなされる。
また、フルカラー化の手法の一つとして、例えば、発光層を画素ごとに塗り分ける手法がある。該発光層は、シャドウマスクを用いて必要な画素のみに蒸着される。この場合、工程を減らしてコストを削減するために、発光層以外の層、例えば、正孔輸送層、電子輸送層、及び陰極を複数の画素で共通に形成する構成が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−６３６２号公報
特許文献１に記載された構成の場合、画素ごとに発光層を塗り分ける必要があり、シャドウマスクの開口部を所望の位置に配置（アライメントともいう）する精度が高く要求される。発光装置の高精細化が進んだ場合に、さらに高いアライメント精度が要求されるため、発光装置の作製における歩留まりが低下するといった課題がある。
上述した課題に鑑み、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または生産性が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または新規な発光装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層と、第１の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電層と、第３の透明導電層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第１の透明導電層は、第１の領域を有し、第２の透明導電層は、第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、第１の領域が、第２の領域よりも厚い発光装置である。
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層と、第１の透明導電層上の正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、電子注入層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、電子注入層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電層と、第３の透明導電層上の正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、電子注入層上の上部電極と、を有し、第１の透明導電層は、第１の領域を有し、第２の透明導電層は、第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、第１の領域が、第２の領域よりも厚い発光装置である。
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層と、第１の透明導電層上の光学調整層と、光学調整層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の光学調整層と、光学調整層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電層と、第３の透明導電層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第１の透明導電層は、第１の領域を有し、第２の透明導電層は、第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、第１の領域が、第２の領域よりも厚い発光装置である。
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層と、第１の透明導電層上の正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の光学調整層と、光学調整層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、電子注入層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の光学調整層と、光学調整層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、電子注入層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電層と、第３の透明導電層上の正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、電子注入層上の上部電極と、を有し、第１の透明導電層は、第１の領域を有し、第２の透明導電層は、第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、第１の領域が、第２の領域よりも厚い発光装置である。
また、上記各態様において、第１の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第２の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第３の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有すると好ましい。
また、上記各態様において、第１の下部電極と、第１の発光層との間隔は、第２の下部電極と、第１の発光層との間隔よりも大きく、第２の下部電極と、第２の発光層との間隔は、第３の下部電極と、第２の発光層との間隔よりも大きいと好ましい。
また、上記各態様において、第１の下部電極と、第１の発光層と、の光学距離は、３λＲ／４（λＲは、赤色の波長を表す）であり、第２の下部電極と、第１の発光層と、の光学距離は、３λＧ／４（λＧは、緑色の波長を表す）であり、第３の下部電極と、第２の発光層と、の光学距離は、３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）であると好ましい。
また、上記各態様において、光学調整層は、正孔輸送性を有すると好ましい。
また、上記各態様において、第１の発光層は、燐光材料を有し、第２の発光層は、蛍光材料を有すると好ましい。
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層と、第１の透明導電層上の電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、電子輸送層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、正孔注入層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、電子輸送層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、正孔注入層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電層と、第３の透明導電層上の電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、電子輸送層上の第２の発光層と、第２の発光層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、正孔注入層上の上部電極と、を有し、第１の透明導電層は、第１の領域を有し、第２の透明導電層は、第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、第１の領域が、第２の領域よりも厚い発光装置である。
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層と、第１の透明導電層上の電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、電子輸送層上の光学調整層と、光学調整層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、正孔注入層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、電子輸送層上の光学調整層と、光学調整層上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、正孔注入層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電層と、第３の透明導電層上の電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、電子輸送層上の第２の発光層と、第２の発光層上の正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、正孔注入層上の上部電極と、を有し、第１の透明導電層は、第１の領域を有し、第２の透明導電層は、第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、第１の領域が、第２の領域よりも厚い発光装置である。
また、上記各態様において、第１の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第２の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第３の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有すると好ましい。
また、上記各態様において、第１の下部電極と、第１の発光層との間隔は、第２の下部電極と、第１の発光層との間隔よりも大きく、第２の下部電極と、第２の発光層との間隔は、第３の下部電極と、第２の発光層との間隔よりも大きいと好ましい。
また、上記各態様において、第１の下部電極と、第１の発光層と、の光学距離は、３λＲ／４（λＲは、赤色の波長を表す）であり、第２の下部電極と、第１の発光層と、の光学距離は、３λＧ／４（λＧは、緑色の波長を表す）であり、第３の下部電極と、第２の発光層と、の光学距離は、３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）であると好ましい。
また、上記各態様において、光学調整層は、電子輸送性を有すると好ましい。
また、上記各態様において、第１の発光層は、燐光材料を有し、第２の発光層は、蛍光材料を有すると好ましい。
また、本発明の一態様は、上記各態様の発光装置と、タッチセンサ機能とを有する電子機器、または上記各態様の発光装置と、筐体とを有する照明装置も範疇に含めるものである。また、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
本発明の一態様により、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な発光装置の作製方法を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
発光装置を説明する上面図及び断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する上面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する上面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 トランジスタを説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置を説明する断面図。 表示装置を説明するブロック図及び回路図。 表示装置の画素回路を説明する回路図。 表示装置の画素回路を説明する回路図。 タッチパネルの一例を示す斜視図。 表示パネル及びタッチセンサの一例を示す断面図。 タッチパネルの一例を示す断面図。 タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 タッチセンサの回路図。 表示モジュールを説明する斜視図。 電子機器を説明する図。 発光装置を説明する斜視図及び断面図。 発光装置を説明する断面図。 照明装置及び電子機器を説明する図。 実施例１乃至３に係る発光素子を説明する断面図。 実施例１に係る発光素子の輝度−電流密度特性、及び輝度−電圧特性を説明する図。 実施例１に係る発光素子の電流効率−輝度特性、及び発光スペクトルを説明する図。 実施例２に係る発光素子の輝度−電流密度特性、及び輝度−電圧特性を説明する図。 実施例２に係る発光素子の電流効率−輝度特性、及び発光スペクトルを説明する図。 実施例３に係る発光素子の輝度−電流密度特性、及び輝度−電圧特性を説明する図。 実施例３に係る発光素子の電流効率−輝度特性、及び発光スペクトルを説明する図。 実施例３に係る発光素子の規格化輝度−時間特性を説明する図。 参考例１乃至３に係る発光素子を説明する断面図。 参考例１に係る発光素子の輝度−電流密度特性、及び輝度−電圧特性を説明する図。 参考例１に係る発光素子の電流効率−輝度特性、及び発光スペクトルを説明する図。 参考例２に係る発光素子の輝度−電流密度特性、及び輝度−電圧特性を説明する図。 参考例２に係る発光素子の電流効率−輝度特性、及び発光スペクトルを説明する図。 参考例３に係る発光素子の輝度−電流密度特性、及び輝度−電圧特性を説明する図。 参考例３に係る発光素子の電流効率−輝度特性、及び発光スペクトルを説明する図。 参考例３に係る発光素子の規格化輝度−時間特性を説明する図。 Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）の１Ｈ ＮＭＲチャートを示す図。 Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）のジクロロメタン溶液における紫外可視吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）の重量減少率を示す図。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
また、本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置及び当該発光装置の作製方法について、図１乃至図３４を用いて、以下説明する。
＜発光装置の構成例１＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１間の切断面の断面図に相当する。
図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００は、第１の発光素子１０１Ｒと、第２の発光素子１０１Ｇと、第３の発光素子１０１Ｂと、を有する。また、第１の発光素子１０１Ｒは、第１の下部電極１０４Ｒと、第１の下部電極１０４Ｒ上の第１の透明導電層１０６Ｒと、第１の透明導電層１０６Ｒ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の上部電極１１４と、を有する。また、第２の発光素子１０１Ｇは、第２の下部電極１０４Ｇと、第２の下部電極１０４Ｇ上の第２の透明導電層１０６Ｇと、第２の透明導電層１０６Ｇ上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の上部電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１０１Ｂは、第３の下部電極１０４Ｂと、第３の下部電極１０４Ｂ上の第３の透明導電層１０６Ｂと、第３の透明導電層１０６Ｂ上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の上部電極１１４と、を有する。
なお、発光装置１００においては、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｂ）が陽極として機能し、上部電極１１４が陰極として機能する。また、下部電極を、反射性の機能を有する構成とする。ただし、下部電極及び上部電極の構成はこれに限定されず、例えば、下部電極が陰極として機能し、上部電極が陽極として機能してもよい。
また、第２の透明導電層１０６Ｇと、第３の透明導電層１０６Ｂとは概略同じ厚さで形成される。例えば、第２の透明導電層１０６Ｇと、第３の透明導電層１０６Ｂとは、同一の透明導電膜を加工する工程を経て形成される場合、概略同じ厚さとなる、または概略同じ厚さの領域を有する。本明細書等において、概略同じ厚さとは、比較する２つの膜のいずれか一方の膜の厚さに対し、他方の膜の厚さが−２０％以上＋２０％以下、あるいは−１０％以上＋１０％以下の場合も含まれる。また、第１の透明導電層１０６Ｒは、第２の透明導電層１０６Ｇ及び第３の透明導電層１０６Ｂよりも厚い。別言すると、第１の透明導電層１０６Ｒは、第１の領域を有し、第２の透明導電層１０６Ｇは、第３の透明導電層１０６Ｂと同じ厚さとなる第２の領域を有し、第１の領域が第２の領域よりも厚い。このような構成とすることで、各発光素子の下部電極と発光層との間隔、または下部電極と発光層との光学距離を調整することが可能となる。
具体的には、第１の下部電極１０４Ｒと、第１の発光層１１０との間隔は、第２の下部電極１０４Ｇと、第１の発光層１１０との間隔よりも大きく、第２の下部電極１０４Ｇと、第２の発光層１１２との間隔は、第３の下部電極１０４Ｂと、第２の発光層１１２との間隔よりも大きい。
下部電極と発光層との間隔が上述の関係の場合、第１の下部電極１０４Ｒと第１の発光層１１０との光学距離は３λＲ／４（λＲは、赤色の波長を表す）であり、第２の下部電極１０４Ｇと第１の発光層１１０との光学距離は３λＧ／４（λＧは、緑色の波長を表す）であり、第３の下部電極１０４Ｂと第２の発光層１１２との光学距離は３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）であると好ましい。
発光装置１００においては、第２の透明導電層１０６Ｇと第３の透明導電層１０６Ｂを同じ厚さとし、第１の透明導電層１０６Ｒの厚さを第２の透明導電層１０６Ｇ及び第３の透明導電層１０６Ｂよりも厚くする。また、第３の発光素子１０１Ｂにおいては、第１の発光層１１０が設けられていない構成であるため、上述の光学距離とすることが可能となる。また、上述の光学距離とすることで、第１の発光素子１０１Ｒからは赤色を呈する波長の光を、第２の発光素子１０１Ｇからは緑色を呈する波長の光を、第３の発光素子１０１Ｂからは青色を呈する波長の光を、それぞれ効率よく取り出すことが可能となる。
なお、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ及び第２の下部電極１０４Ｇ）と第１の発光層１１０との光学距離は、厳密には下部電極における反射領域から第１の発光層１１０までの膜厚と屈折率の積で表される。しかし、下部電極における反射領域、または第１の発光層１１０における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、下部電極の任意の位置を反射領域、第１の発光層１１０の任意の位置を発光領域と仮定することで十分に上述の効果を得ることができる。なお、第３の下部電極１０４Ｂと第２の発光層１１２との間の光学距離についても同様である。
また、第１の発光素子１０１Ｒからの発光スペクトルは、赤色の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第２の発光素子１０１Ｇからの発光スペクトルは、緑色の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第３の発光素子１０１Ｂからの発光スペクトルは、青色の波長帯域に少なくとも一つのピークを有する。したがって、第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂによって、フルカラー表示を行うことができる。なお、本明細書等において、赤色の波長帯域を、発光波長が６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の区域とし、緑色の波長帯域を、発光波長が４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の区域とし、青色の波長帯域を、発光波長が４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の区域とする。
また、図１（Ｂ）においては、外部に射出される、赤色（Ｒ）を呈する波長の光、緑色（Ｇ）を呈する波長の光、及び青色（Ｂ）呈する波長の光を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している。なお、後述する発光装置も同様である。このように、図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００は、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）である。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板側に取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（デュアルエミッション型ともいう）であってもよい。
また、図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００においては、第１の発光層１１０を第１の発光素子１０１Ｒ及び第２の発光素子１０１Ｇで共通して用い、第２の発光層１１２を第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂで共通して用いる。各発光素子において、第１の発光層１１０、または第２の発光層１１２を共通して用いることで、発光素子形成時の生産性を高めることができる。具体的には、発光装置１００の各発光素子の作製時の塗り分け工程を、第１の発光層１１０の１回とすることで生産性を高めることができる。
なお、第１の発光素子１０１Ｒ及び第２の発光素子１０１Ｇにおいては、第２の発光層１１２は、発光には寄与しない。例えば、第２の発光層１１２として、電子輸送性に優れ、正孔輸送性に劣る材料、またはＨＯＭＯ（最高被占軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ））準位が第１の発光層１１０に用いる材料よりも低い材料を用いる構成とすればよい。すなわち、第１の発光素子１０１Ｒ及び第２の発光素子１０１Ｇにおいては、第２の発光層１１２は、電子輸送層として機能する。
また、第１の発光層１１０は、燐光材料を有する。また、第２の発光層１１２は、蛍光材料を有する。このような構成とすることで、高い発光効率と、高い信頼性とを有する新規な発光装置を提供することができる。例えば、第１の発光層１１０に、緑色を呈する波長の光を発する燐光材料を用い、第２の発光層１１２に、青色を呈する波長の光を発する蛍光材料を用いることができる。ただし、第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いることのできる材料は、上記に限定されない。例えば、第２の発光層１１２に燐光材料を適用してもよい。
また、図１（Ａ）においては、第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂの配置構成としては、ストライプ配列について例示したが、これに限定されない。例えば、各発光素子の配置構成としては、図９（Ａ）に示すようなデルタ配列、図９（Ｂ）に示すようなペンタイル配列、または図９（Ｃ）に示すような画素配列を適用してもよい。なお、図９（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、発光装置の一例を示す上面図である。
以上のような構成とすることで、各発光素子の作製時の塗り分け工程が少なく、生産性が高めたられた発光装置を提供することができる。また、当該発光装置が有する各発光素子は、発光効率が高いため消費電力が低減されている。また、当該発光素子は、信頼性が高い。したがって、生産性が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することができる。
次に、図１に示す発光装置１００の異なる態様について、図２を用いて説明する。図２は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１間の切断面の断面図に相当する。
図２に示す発光装置１００は、第１の発光素子１０１Ｒと、第２の発光素子１０１Ｇと、第３の発光素子１０１Ｂと、を有する。また、第１の発光素子１０１Ｒは、第１の下部電極１０４Ｒと、第１の下部電極１０４Ｒ上の第１の透明導電層１０６Ｒと、第１の透明導電層１０６Ｒ上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の上部電極１１４と、を有する。また、第２の発光素子１０１Ｇは、第２の下部電極１０４Ｇと、第２の下部電極１０４Ｇ上の第２の透明導電層１０６Ｇと、第２の透明導電層１０６Ｇ上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の上部電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１０１Ｂは、第３の下部電極１０４Ｂと、第３の下部電極１０４Ｂ上の第３の透明導電層１０６Ｂと、第３の透明導電層１０６Ｂ上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の上部電極１１４と、を有する。
図２に示す発光装置１００のように、透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｒ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及び第３の透明導電層１０６Ｂ）と第１の発光層１１０又は第２の発光層１１２との間に正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２を設け、第２の発光層１１２と上部電極１１４との間に電子輸送層１３３、電子注入層１３４を設ける構成としてもよい。なお、図２に示す構成に限定されず、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、電子輸送層１３３、電子注入層１３４の中から選ばれる少なくとも一つを有する構成としてもよい。または、図２においては、図示していないが、キャリア注入障壁を低減する機能を有する、機能層を設ける構成としてもよい。
ここで、第１の発光素子１０１Ｒ及び第２の発光素子１０１Ｇにおいて、第１の発光層１１０で効率よくキャリアを再結合させるためには、第２の発光層１１２は電子輸送性であることが好ましい。すなわち、第２の発光層１１２をホスト材料とゲスト材料（発光材料）で構成する場合、該ホスト材料は電子輸送性を有することが好ましく、該ゲスト材料はホールトラップ性を有することが好ましい。また、同様の観点から、第１の発光層１１０は電子輸送性を有することが好ましいが、再結合領域が正孔輸送層１３２側に偏ってしまうと、光学距離を最適化することが難しい（なぜならば、第１の発光層１１０の光学膜厚は概ねλＧ−λＢとなるが、この場合、第１の発光層１１０と正孔輸送層１３２との界面から下部電極１０４Ｇまでの光学距離が３λＧ／４からずれてしまうためである）。これを最適化するためには、第１の発光層１１０が、電子輸送性だけでなく、第２の発光層１１２まで正孔が抜けてしまわない程度の適度な正孔輸送性も有している必要がある。すなわち、第１の発光層１１０はバイポーラ性を有していることが好ましい。したがって、例えば、第１の発光層１１０は正孔輸送性材料と、電子輸送性材料と、発光材料とを少なくとも含む構成が好適である。
次に、図１に示す発光装置１００の異なる態様について、図３を用いて説明する。図３（Ａ）（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１間の切断面の断面図に相当する。
図３（Ａ）に示す発光装置１００は、図１（Ｂ）に示す発光装置１００の構成に加え、光学調整層１０８を設ける構成である。具体的には、第１の発光素子１０１Ｒは、第１の透明導電層１０６Ｒと第１の発光層１１０との間に光学調整層１０８を有する。また、第２の発光素子１０１Ｇは、第２の透明導電層１０６Ｇと第１の発光層１１０との間に光学調整層１０８を有する。
図３（Ｂ）に示す発光装置１００は、図２に示す発光装置１００の構成に加え、光学調整層１０８を設ける構成である。具体的には、第１の発光素子１０１Ｒは、正孔輸送層１３２と第１の発光層１１０との間に光学調整層１０８を有する。また、第２の発光素子１０１Ｇは、正孔輸送層１３２と第１の発光層１１０との間に光学調整層１０８を有する。
図３（Ａ）に示すように、光学調整層１０８を設ける構成とすることで、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ及び第２の下部電極１０４Ｇ）と第１の発光層１１０との間の光学距離を調整することが可能となる。また、図３（Ｂ）に示すように、光学調整層１０８を設ける構成とすることで、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ及び第２の下部電極１０４Ｇ）と上部電極１１４との間の光学距離を調整することが可能となる。なお、透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｒ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及び第３の透明導電層１０６Ｂ）、第１の発光層１１０、及び／または第２の発光層１１２によって、下部電極と上部電極１１４との間の光学距離を調整することが可能な場合においては、光学調整層１０８を設けない構成としてもよい。ただし、光学調整層１０８を設ける方が、光学距離の調整が簡単になるため、設ける方が好ましい。
また、図３（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１００の作製時において、例えば、光学調整層１０８と第１の発光層１１０とを、連続した工程で形成することで発光装置１００の作製時の塗り分け工程を、１回とすることができる。すなわち、光学調整層１０８を追加することに伴う、塗り分け工程の増加がない。
また、光学調整層１０８は、正孔輸送性を有すると好ましい。例えば、光学調整層１０８を正孔輸送性が高い材料で形成すると、第１の発光層１１０に好適に正孔を輸送することができるため、第１の発光層１１０の発光効率を高めることができる。
次に、図１に示す発光装置１００の異なる態様について、図４乃至図８を用いて説明する。図４は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す上面図である。図５乃至図８は、図４に示す一点鎖線Ｘ２−Ｙ２間の切断面の断面図に相当する。
図５に示す発光装置１００は、図３（Ｂ）に示す発光装置１００の構成と、さらに隔壁１３６と、基板１５２と、を有する。隔壁１３６は、各発光素子の外周部に設けられ、各発光素子の下部電極及び透明導電層のいずれか一方または双方の端部を覆う機能を有する。また、基板１５２には、遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂが形成される。また、遮光層１５４は、隔壁１３６と重なる位置に設けられる。また、第１の光学素子１５６Ｒは、第１の発光素子１０１Ｒと重なる位置に設けられ、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子１０１Ｇと重なる位置に設けられ、第３の光学素子１５６Ｂは、第３の発光素子１０１Ｂと重なる位置に設けられる。
図６に示す発光装置１００は、図５に示す発光装置１００の第２の光学素子１５６Ｇ及び第３の光学素子１５６Ｂが設けられない構成である。また、図７に示す発光装置１００は、図５に示す発光装置１００の第３の光学素子１５６Ｂが設けられない構成である。また、図８に示す発光装置１００は、図５に示す発光装置１００の第２の光学素子１５６Ｇが設けられない構成である。
第１の発光層１１０に、緑色を呈する波長の光を発する燐光材料を用い、第２の発光層１１２に、青色を呈する波長の光を発する蛍光材料を用いることで、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂに重なる、いずれか一方または双方に光学素子を設けない構成とすることが可能となる。第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂに重なる、いずれか一方または双方に光学素子を設けない構成とすることで、発光装置１００の消費電力を低減することができる。とくに、第３の発光素子１０１Ｂに、青色を呈する波長の光を発する蛍光材料を用いた場合、第３の光学素子１５６Ｇを設けない構成であると、消費電力低減の効果はより顕著である。なお、外光反射を防ぐためには、図５に示すように、全ての発光素子に光学素子を設ける構成のほうが好ましい。
＜発光装置の構成例２＞
次に、上記の発光装置と異なる構成について、図１、図４及び図１０乃至図１５を用いて説明する。
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す上面図であり、図１０は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１間の切断面の断面図に相当する。
発光装置１００Ａは、第１の発光素子１０１Ｒと、第２の発光素子１０１Ｇと、第３の発光素子１０１Ｂと、を有する。また、第１の発光素子１０１Ｒは、第１の下部電極１０４Ｒと、第１の下部電極１０４Ｒ上の第１の透明導電層１０６Ｒと、第１の透明導電層１０６Ｒ上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の上部電極１１４と、を有する。また、第２の発光素子１０１Ｇは、第２の下部電極１０４Ｇと、第２の下部電極１０４Ｇ上の第２の透明導電層１０６Ｇと、第２の透明導電層１０６Ｇ上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の上部電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１０１Ｂは、第３の下部電極１０４Ｂと、第３の下部電極１０４Ｂ上の第３の透明導電層１０６Ｂと、第３の透明導電層１０６Ｂ上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の上部電極１１４と、を有する。
なお、発光装置１００Ａにおいては、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｂ）が陰極として機能し、上部電極１１４が陽極として機能する。また、下部電極を、反射性の機能を有する構成とする。
また、第２の透明導電層１０６Ｇと、第３の透明導電層１０６Ｂとは概略同じ厚さで形成される。例えば、第２の透明導電層１０６Ｇと、第３の透明導電層１０６Ｂとは、同一の透明導電膜を加工する工程を経て形成される場合、概略同じ厚さとなる、または概略同じ厚さの領域を有する。本明細書等において、概略同じ厚さとは、比較する２つの膜のいずれか一方の膜の厚さに対し、他方の膜の厚さが−２０％以上＋２０％以下、あるいは−１０％以上＋１０％以下の場合も含まれる。また、第１の透明導電層１０６Ｒは、第２の透明導電層１０６Ｇ及び第３の透明導電層１０６Ｂよりも厚い。別言すると、第１の透明導電層１０６Ｒは、第１の領域を有し、第２の透明導電層１０６Ｇは、第３の透明導電層１０６Ｂと同じ厚さとなる第２の領域を有し、第１の領域が第２の領域よりも厚い。このような構成とすることで、各発光素子の下部電極と発光層との間隔、または下部電極と発光層との光学距離を調整することが可能となる。
具体的には、第１の下部電極１０４Ｒと、第１の発光層１１０との間隔は、第２の下部電極１０４Ｇと、第１の発光層１１０との間隔よりも大きく、第２の下部電極１０４Ｇと、第２の発光層１１２との間隔は、第３の下部電極１０４Ｂと、第２の発光層１１２との間隔よりも大きい。
下部電極と発光層との間隔が上述の関係の場合、第１の下部電極１０４Ｒと第１の発光層１１０との光学距離は３λＲ／４（λＲは、赤色の波長を表す）であり、第２の下部電極１０４Ｇと第１の発光層１１０との光学距離は３λＧ／４（λＧは、緑色の波長を表す）であり、第３の下部電極１０４Ｂと第２の発光層１１２との光学距離は３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）であると好ましい。
発光装置１００Ａにおいては、第２の透明導電層１０６Ｇと第３の透明導電層１０６Ｂを同じ厚さとし、第１の透明導電層１０６Ｒの厚さを第２の透明導電層１０６Ｇ及び第３の透明導電層１０６Ｂよりも厚くする。また、第３の発光素子１０１Ｂにおいては、第１の発光層１１０が設けられていない構成であるため、上述の光学距離とすることが可能となる。また、上述の光学距離とすることで、第１の発光素子１０１Ｒからは赤色を呈する波長の光を、第２の発光素子１０１Ｇからは緑色を呈する波長の光を、第３の発光素子１０１Ｂからは青色を呈する波長の光を、それぞれ効率よく取り出すことが可能となる。
なお、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ及び第２の下部電極１０４Ｇ）と第１の発光層１１０との光学距離は、厳密には下部電極における反射領域から第１の発光層１１０までの膜厚と屈折率の積で表される。しかし、下部電極における反射領域、または第１の発光層１１０における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、下部電極の任意の位置を反射領域、第１の発光層１１０の任意の位置を発光領域と仮定することで十分に上述の効果を得ることができる。なお、第３の下部電極１０４Ｂと第２の発光層１１２との間の光学距離についても同様である。
また、第１の発光素子１０１Ｒからの発光スペクトルは、赤色の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第２の発光素子１０１Ｇからの発光スペクトルは、緑色の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第３の発光素子１０１Ｂからの発光スペクトルは、青色の波長帯域に少なくとも一つのピークを有する。したがって、第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂによって、フルカラー表示を行うことができる。なお、本明細書等において、赤色の波長帯域を、発光波長が６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の区域とし、緑色の波長帯域を、発光波長が４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の区域とし、青色の波長帯域を、発光波長が４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の区域とする。
また、図１０においては、外部に射出される、赤色（Ｒ）を呈する波長の光、緑色（Ｇ）を呈する波長の光、及び青色（Ｂ）呈する波長の光を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している。なお、後述する発光装置も同様である。このように、図１に示す発光装置１００及び図１０に示す発光装置１００Ａは、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）である。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板側に取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（デュアルエミッション型ともいう）であってもよい。
また、発光装置１００Ａにおいては、第１の発光層１１０を第１の発光素子１０１Ｒ及び第２の発光素子１０１Ｇで共通して用い、第２の発光層１１２を第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂで共通して用いる。各発光素子において、第１の発光層１１０、または第２の発光層１１２を共通して用いることで、発光素子形成時の生産性を高めることができる。具体的には、発光装置１００Ａの各発光素子の作製時の塗り分け工程を、第１の発光層１１０の１回とすることで生産性を高めることができる。
なお、第１の発光素子１０１Ｒ及び第２の発光素子１０１Ｇにおいては、第２の発光層１１２は、発光には寄与しない。例えば、第２の発光層１１２として、正孔輸送性に優れ、電子輸送性に劣る材料、またはＨＯＭＯ準位が第１の発光層１１０に用いる材料よりも高い材料を用いる構成とすればよい。すなわち、第１の発光素子１０１Ｒ及び第２の発光素子１０１Ｇにおいては、第２の発光層１１２は、正孔輸送層として機能する。したがって、第２の発光層１１２は正孔輸送性であることが好ましい。すなわち、第２の発光層１１２をホスト材料とゲスト材料（発光材料）で構成する場合、該ホスト材料は正孔輸送性を有することが好ましく、該ゲスト材料は電子トラップ性を有することが好ましい。また、同様の観点から、第１の発光層１１０は正孔輸送性を有することが好ましいが、再結合領域が電子輸送層１３３側に偏ってしまうと、光学距離を最適化することが難しい（なぜならば、第１の発光層１１０の光学膜厚は概ねλＧ−λＢとなるが、この場合、第１の発光層１１０と電子輸送層１３３との界面から下部電極１０４Ｇまでの光学距離が３λＧ／４からずれてしまうためである）。これを最適化するためには、第１の発光層１１０が、正孔輸送性だけでなく、第２の発光層１１２まで電子が抜けてしまわない程度の適度な電子輸送性も有している必要がある。すなわち、第１の発光層１１０はバイポーラ性を有していることが好ましい。したがって、例えば、第１の発光層１１０は正孔輸送性材料と、電子輸送性材料と、発光材料とを少なくとも含む構成が好適である。
また、第１の発光層１１０は、燐光材料を有する。また、第２の発光層１１２は、蛍光材料を有する。このような構成とすることで、高い発光効率と、高い信頼性とを有する新規な発光装置を提供することができる。例えば、第１の発光層１１０に、緑色を呈する波長の光を発する燐光材料を用い、第２の発光層１１２に、青色を呈する波長の光を発する蛍光材料を用いることができる。ただし、第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いることのできる材料は、上記に限定されない。例えば、第２の発光層１１２に燐光材料を適用してもよい。
以上のような構成とすることで、各発光素子の作製時の塗り分け工程が少なく、生産性が高めたられた発光装置を提供することができる。また、当該発光装置が有する各発光素子は、発光効率が高いため消費電力が低減されている。また、当該発光素子は、信頼性が高い。したがって、生産性が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することができる。
次に、図１０に示す発光装置１００Ａの異なる態様について、図１１を用いて説明する。図１１は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｙ１間の切断面の断面図に相当する。
図１１に示す発光装置１００Ａは、図１０に示す発光装置１００Ａの構成に加え、光学調整層１０８を設ける構成である。具体的には、第１の発光素子１０１Ｒは、電子輸送層１３３と第１の発光層１１０との間に光学調整層１０８を有する。また、第２の発光素子１０１Ｇは、電子輸送層１３３と第１の発光層１１０との間に光学調整層１０８を有する。
図１１に示すように、光学調整層１０８を設ける構成とすることで、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ及び第２の下部電極１０４Ｇ）と第１の発光層１１０との間の光学距離を調整することが可能となる。なお、透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｒ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及び第３の透明導電層１０６Ｂ）、第１の発光層１１０、及び／または第２の発光層１１２によって、下部電極と上部電極１１４との間の光学距離を調整することが可能な場合においては、光学調整層１０８を設けない構成としてもよい。ただし、光学調整層１０８を設ける方が、光学距離の調整が簡単になるため、設ける方が好ましい。
また、図１１に示す発光装置１００Ａの作製時において、例えば、光学調整層１０８と第１の発光層１１０とを、連続した工程で形成することで発光装置１００Ａの作製時の塗り分け工程を、１回とすることができる。すなわち、光学調整層１０８を追加することに伴う、塗り分け工程の増加がない。
また、図１１に示す発光装置１００Ａにおいては、光学調整層１０８は、電子輸送性を有すると好ましい。例えば、光学調整層１０８を電子輸送性が高い材料で形成すると、第１の発光層１１０に好適に電子を輸送することができるため、第１の発光層１１０の発光効率を高めることができる。
次に、図１０に示す発光装置１００Ａの異なる態様について、図４、及び図１２乃至図１５を用いて説明する。図１２乃至図１５は、図４に示す一点鎖線Ｘ２−Ｙ２間の切断面の断面図に相当する。なお、図４は、発光装置１００の上面図であるが、発光装置１００Ａの上面図としても用いる場合がある。
図１２に示す発光装置１００Ａは、図１１に示す発光装置１００Ａの構成と、さらに隔壁１３６と、基板１５２と、を有する。隔壁１３６は、各発光素子の外周部に設けられ、各発光素子の下部電極及び透明導電層のいずれか一方または双方の端部を覆う機能を有する。また、基板１５２には、遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂが形成される。また、遮光層１５４は、隔壁１３６と重なる位置に設けられる。また、第１の光学素子１５６Ｒは、第１の発光素子１０１Ｒと重なる位置に設けられ、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子１０１Ｇと重なる位置に設けられ、第３の光学素子１５６Ｂは、第３の発光素子１０１Ｂと重なる位置に設けられる。
図１３に示す発光装置１００Ａは、図１２に示す発光装置１００Ａの第２の光学素子１５６Ｇ及び第３の光学素子１５６Ｂが設けられない構成である。また、図１４に示す発光装置１００Ａは、図１２に示す発光装置１００Ａの第３の光学素子１５６Ｂが設けられない構成である。また、図１５に示す発光装置１００Ａは、図１２に示す発光装置１００Ａの第２の光学素子１５６Ｇが設けられない構成である。
第１の発光層１１０に、緑色を呈する波長の光を発する燐光材料を用い、第２の発光層１１２に、青色を呈する波長の光を発する蛍光材料を用いることで、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂに重なる、いずれか一方または双方に光学素子を設けない構成とすることが可能となる。第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂに重なる、いずれか一方または双方に光学素子を設けない構成とすることで、発光装置１００Ａの消費電力を低減することができる。とくに、第３の発光素子１０１Ｂに、青色を呈する波長の光を発する蛍光材料を用いた場合、第３の光学素子１５６Ｇを設けない構成であると、消費電力低減の効果はより顕著である。なお、外光反射を防ぐためには、図１２に示すように、全ての発光素子に光学素子を設ける構成のほうが好ましい。
＜発光装置の構成例３＞
次に、上記の発光装置と異なる構成について、図１６乃至図２０を用いて説明する。
図１６及び図１８は、先に説明した発光装置１００及び発光装置１００Ａにトランジスタが接続される構成の断面図である。図１６に示す発光装置１００は、各発光素子の下部電極とトランジスタ１７０とが、電気的に接続される構成であり、図１８に示す発光装置１００Ａは、各発光素子の下部電極とトランジスタ１７０とが、電気的に接続される構成である。
また、図１６に示す発光装置１００のトランジスタ１７０と、下部電極との間に光学素子（第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂ）を設ける構成の発光装置１００を図１７に示す。また、図１８に示す発光装置１００Ａのトランジスタ１７０と、下部電極との間に光学素子（第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂ）を設ける構成の発光装置１００Ａを図１９に示す。
図１７に示す発光装置１００または図１９に示す発光装置１００Ａとする場合、下部電極から射出される光は、光学素子（第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂ）を介して、基板１０２側に射出される。なお、図１７または図１９に示す構成とすることで、基板１５２側には、光学素子等を設けない構成とすることができる。したがって、製造コストを低減できるため好ましい。
また、図１６乃至図１９に示すトランジスタ１７０の詳細について、図２０を用いて説明する。図２０は、トランジスタ１７０の断面図である。
トランジスタ１７０は、基板１０２上のゲート電極１７２と、基板１０２及びゲート電極１７２上のゲート絶縁層１７４と、ゲート絶縁層１７４上の半導体層１７６と、ゲート絶縁層１７４及び半導体層１７６上のソース電極１７８と、ゲート絶縁層１７４及び半導体層１７６上のドレイン電極１８０と、を有する。また、トランジスタ１７０上には、絶縁層１８２と、絶縁層１８２上の絶縁層１８４と、絶縁層１８４上の絶縁層１８６とが設けられる。
絶縁層１８２としては、半導体層１７６と接する。絶縁層１８２としては、例えば、酸化物絶縁材料により形成することができる。また、絶縁層１８４は、不純物がトランジスタ１７０に入り込むことを抑制する機能を有する。絶縁層１８４としては、例えば、窒化物絶縁材料により形成することができる。また、絶縁層１８６は、トランジスタ１７０等に起因する凹凸等を平坦化する機能を有する。絶縁層１８６としては、例えば、有機樹脂絶縁材料により形成することができる。
また、絶縁層１８２、絶縁層１８４、及び絶縁層１８６には、開口部が設けられ、当該開口部を介して、トランジスタ１７０のドレイン電極１８０と、下部電極（ここでは、第１の下部電極１０４Ｇ）と、が電気的に接続される。トランジスタ１７０を駆動させることで、下部電極に流れる、電流または電圧を制御することができる。
ここで、上述の発光装置１００及び発光装置１００Ａの各構成要素の詳細について、以下に説明を行う。
［基板］
基板１０２は、発光素子の支持体として用いられる。また、基板１５２は、光学素子の支持体として用いられる。基板１０２、１５２としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなる）、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
例えば、様々な基板を用いて発光素子、及び光学素子を形成することが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光素子、及び光学素子を形成してもよい。または、基板と発光素子との間に剥離層を設けてもよい。また、基板と光学素子との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光素子、及び光学素子を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも発光素子、及び光学素子を転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
つまり、ある基板を用いて発光素子、及び光学素子を形成し、その後、別の基板に発光素子、及び光学素子を転置し、別の基板上に発光素子、及び光学素子を配置してもよい。発光素子、及び光学素子が転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、壊れにくい発光素子及び壊れにくい光学素子、耐熱性の高い発光素子及び耐熱性の高い光学素子、軽量化された発光素子及び軽量化された光学素子、または薄型化された発光素子及び薄型化された光学素子とすることができる。
［下部電極］
下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｂ）は、各発光素子の陽極または陰極としての機能を有する。なお、下部電極は、反射性を有する導電性材料により、形成されると好ましい。該導電性材料としては、可視光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。具体的には、下部電極としては、銀、アルミニウム、銀またはアルミニウムを含む合金等を用いることができる。アルミニウムを含む合金としては、例えば、アルミニウムとニッケルとランタンを含む合金が挙げられる。また、銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金が挙げられる。下部電極としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。
［透明導電層］
透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｒ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及び第３の透明導電層１０６Ｂ）は、各発光素子の下部電極の一部、あるいは各発光素子の陽極または陰極としての機能を有する。または、透明導電層は、各発光層からの所望の光を共振させ、その波長を強めることができるように、所望の光の波長ごとに下部電極と上部電極との光学距離を調整する機能を有する。例えば、透明導電層の膜厚を変えることで、所望の光の波長λに対して、電極間の光学距離がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）となるように調整する。
透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｒ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及び第３の透明導電層１０６Ｂ）としては、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯとして記載する）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどを用いることができる。とくに、透明導電層としては、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いることが好ましい。透明導電層としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。
［上部電極］
上部電極１１４は、各発光素子の陽極または陰極としての機能を有する。なお、上部電極１１４は、反射性を有する導電性材料と、透光性を有する導電性材料とにより、形成されると好ましい。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。上部電極１１４としては、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用いて形成することができる。とくに、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を含む合金（例えば、Ｍｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用いることができる。上部電極１１４としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。
また、下部電極と上部電極に用いる材料を入れ替えることで、ボトムエミッション型の発光装置としてもよい。ボトムエミッション型の発光装置の場合、下部電極が反射性を有する導電性材料と、透光性を有する導電性材料とにより形成され、上部電極が反射性を有する導電性材料により形成される。ボトムエミッション型の発光装置の一例を図２１及び図２２に示す。図２１は、図５に示す発光装置１００をボトムエミッション型の発光装置とした場合の断面図である。図２２は、図１２に示す発光装置１００Ａをボトムエミッション型の発光装置とした場合の断面図である。ボトムエミッション型の発光装置とした場合においては、図２１及び図２２に示すように、各発光素子から射出される側に、第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂが設けられた基板１５２を配置すればよい。
［隔壁］
隔壁１３６は、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成される。該無機材料としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜等が挙げられる。該有機材料としては、例えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
［発光層］
第１の発光層１１０は、４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有する燐光材料を有し、第２の発光層１１２は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の範囲にスペクトルピークを有する蛍光材料を有する。また、第１の発光層１１０は、燐光材料に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また、第２の発光層１１２は、蛍光材料に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。
また、燐光材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用いることができる。また、蛍光材料としては、一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用いることができる。なお、上記発光性物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
第１の発光層１１０に燐光材料を用いる場合、４８０ｎｍ乃至６００ｎｍに発光のピークを有する発光性物質としては、例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（ｅｎｄｏ−，ｅｘｏ−混合物）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
第２の発光層１１２に蛍光材料を用いる場合、４００ｎｍ乃至４８０ｎｍに発光のピークを有する発光性物質としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）などが挙げられる。
また、第２の発光層１１２に、燐光材料を用いてもよい。第２の発光層１１２に燐光材料を用いる場合、４８０ｎｍ乃至６００ｎｍに発光のピークを有する発光性物質としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）３）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）３）、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）３）などが挙げられる。
また、第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いる電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましい。当該電子輸送性材料としては、π電子不足型複素芳香族化合物や金属錯体などを用いることができる。具体的には、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体や、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）などのポリアゾール骨格を有する複素環化合物や、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素環化合物や、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンやピラジン）骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
また、第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いる正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物や芳香族アミン化合物が好ましい。当該正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物又は芳香族アミン化合物などを好適に用いることができる。具体的には、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、９−フェニル−９Ｈ−３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）カルバゾール（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物やカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。
また、第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いる正孔輸送性材料として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
［正孔注入層、正孔輸送層］
正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３２を介して第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性材料を含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性材料を含むことで、アクセプター性材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１３２を介して第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１３２は、正孔輸送性材料を用いて形成される。
正孔注入層１３１及び正孔輸送層１３２に用いる正孔輸送性材料としては、先に示す第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いる正孔輸送性材料と同様の材料を用いることができる。
また、正孔注入層１３１に用いるアクセプター性材料としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。
また、正孔注入層１３１及び正孔輸送層１３２としては、場合によっては各発光素子で異なる材料、または異なる膜厚としてもよい。
［電子輸送層］
電子輸送層１３３に用いる電子輸送性材料としては、先に示す第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いる電子輸送性材料と同様の材料を用いることができる。
［電子注入層］
電子注入層１３４は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１３４には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１３４にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。
また、電子注入層１３４に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１３３を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
また、電子注入層１３４及び電子輸送層１３３としては、場合によっては各発光素子で異なる材料、または異なる膜厚としてもよい。
［光学調整層］
光学調整層１０８は、下部電極と発光層との間の光学距離を調整する機能を有する層である。光学調整層１０８としては、例えば、正孔輸送性材料または電子輸送性材料を用いればよい。上記正孔輸送性材料としては、先に示す第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いる正孔輸送性材料と同様の材料を用いることができる。また、上記電子輸送性材料としては、先に示す第１の発光層１１０及び第２の発光層１１２に用いる電子輸送性材料と同様の材料を用いることができる。
［遮光層］
遮光層１５４としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層１５４としては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層１５４としては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
［光学素子］
第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂは、入射する光から特定の色を呈する光を選択的に透過するものである。例えば、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。なお、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射する光を、当該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット方式を用いる素子であると好適である。量子ドット方式を用いることにより、発光装置の色再現性を高めることができる。
第１の光学素子１５６Ｒは、第１の発光素子１０１Ｒが発する光から赤色を呈する波長の光を透過する。また、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子１０１Ｇが発する光から緑色を呈する波長の光を透過する。また、第３の光学素子１５６Ｂは、第３の発光素子１０１Ｂが発する光から青色を呈する波長の光を透過する。
また、上記に示す光学素子と異なる他の光学素子を、第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂに重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏向板や反射防止膜などが挙げられる。また、円偏光板を、発光装置の発光素子が発する光が取り出される側に設けると、発光装置の外部から入射した光が、発光装置の内部で反射されて、外部に射出される現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、発光装置の表面で反射される外光を弱めることができる。これにより、発光装置が発する発光を、鮮明に観察できる。
＜発光装置の作製方法１＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図２３乃至図２５を用いて以下説明を行う。なお、ここでは、図５に示す発光装置１００の作製方法について説明する。
図２３乃至図２５は、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するための断面図である。
以下で説明する発光装置１００の作製方法は、第１乃至第７のステップを有する。
［第１のステップ］
第１のステップは、各発光素子の下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｂ）と、各発光素子の透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｒ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及び第３の透明導電層１０６Ｂ）と、各発光素子の下部電極と透明導電層の端部を覆う隔壁１３６と、を形成する工程である（図２３（Ａ）参照）。
第１のステップにおいては、有機化合物を含む発光層を損傷するおそれがないため、さまざまな微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、スパッタリング法を用いて、反射性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、その後ドライエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第１の下部電極１０４Ｒ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｂを形成する。
次に、第１の下部電極１０４Ｒ上に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第１の透明導電層１０６Ｒを形成する。その後、第２の下部電極１０４Ｇ及び第３の下部電極１０４Ｂ上に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第２の透明導電層１０６Ｇ及び第３の透明導電層１０６Ｂを形成する。
次に、島状の下部電極及び島状の透明導電層の端部を覆うように隔壁１３６を形成する。なお、隔壁１３６は、下部電極と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出する透明導電層が発光素子の下部電極として機能する。
第１のステップにおいて、反射性の導電膜として銀とパラジウムと銅の合金膜を用い、透光性の導電膜としてＩＴＯ膜を用い、隔壁１３６としてアクリル樹脂を用いる。
なお、第１のステップの前に、基板１０２上にトランジスタを形成してもよい。また、該トランジスタと、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｂ）とを電気的に接続させてもよい。
［第２のステップ］
第２のステップは、透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｒ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及び第３の透明導電層１０６Ｂ）及び隔壁１３６上に正孔注入層１３１及び正孔輸送層１３２を形成する工程である（図２３（Ｂ）参照）。
第２のステップにおいて、有機化合物を蒸着することにより、正孔注入層１３１及び正孔輸送層１３２を形成する。なお、正孔注入層１３１及び正孔輸送層１３２を各発光素子で共通して用いることができる。したがって、製造コストが抑えられ、生産性が高められた発光素子とすることができる。
［第３のステップ］
第３のステップは、シャドウマスク１９０を用いて、光学調整層１０８及び第１の発光層１１０を形成する工程である（図２４（Ａ）参照）。
第３のステップにおいて、開口部１９１を有するシャドウマスク１９０を第３の透明導電層１０６Ｂに重なるように配置して、シャドウマスク１９０が配置された側から、有機化合物１９２を蒸着することにより、光学調整層１０８及び第１の発光層１１０を形成する。
第３のステップでは、基板１０２を蒸着装置に導入し、シャドウマスク１９０を蒸着源（図示しない）側に配置する。その後、シャドウマスク１９０の開口部１９１を所望の位置に配置するためのアライメントを行う。なお、シャドウマスク１９０は、開口部１９１が設けられた、厚さが数十μｍ以上の金属等の箔または厚さが数百μｍ以上の金属等の板で形成された遮蔽板である。
光学調整層１０８は、正孔輸送性材料により形成される。当該正孔輸送性材料としては、先に示す材料の有機化合物を用いればよい。
第１の発光層１１０は、４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の範囲にスペクトルピークを有する発光材料を有する。当該発光材料としては、緑色を呈する波長の光を発する燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
例えば、光学調整層１０８と第１の発光層１１０とを、連続して蒸着することで塗り分け工程を１回とすることができる。なお、場合によっては、光学調整層１０８と第１の発光層１１０とを異なる工程で蒸着してもよい。
［第４のステップ］
第４のステップは、正孔輸送層１３２及び第１の発光層１１０上に、第２の発光層１１２、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、及び上部電極１１４を形成する工程である（図２４（Ｂ）参照）。
第２の発光層１１２は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の範囲にスペクトルピークを有する発光材料を有する。当該発光材料としては、青色を呈する波長の光を発する蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
第４のステップにおいて、有機化合物を蒸着することにより、第２の発光層１１２、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、及び上部電極１１４を形成する。なお、第２の発光層１１２、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、及び上部電極１１４を各発光素子で共通して用いることができる。したがって、製造コストが抑えられ、生産性が高められた発光素子とすることができる。
上記工程を経て、第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂが基板１０２上に形成される。
［第５のステップ］
第５のステップは、基板１５２上に遮光層１５４を形成する工程である（図２５（Ａ）参照）。
第５のステップでは、遮光層１５４として、黒色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。
［第６のステップ］
第６のステップは、基板１５２及び遮光層１５４上に第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂを形成する工程である（図２５（Ｂ）参照）。
第６のステップでは、第１の光学素子１５６Ｒとして、赤色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第２の光学素子１５６Ｇとして、緑色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第３の光学素子１５６Ｂとして、青色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。
［第７のステップ］
第７のステップは、基板１０２上に形成された第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂと、基板１５２上に形成された遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂと、を貼り合わせ、封止材を用いて封止する工程である（図示しない）。
以上の工程により、図５に示す発光装置１００を形成することができる。なお、本実施の形態においては、発光素子の塗り分け工程が、光学調整層１０８及び第１の発光層１１０の１回のみとすることで、生産性の高い発光装置の作製方法を提供できる。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が抑制された、新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、生産が容易な、新規な発光装置を提供できる。
＜発光装置の作製方法２＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図２６乃至図２８を用いて以下説明を行う。なお、ここでは、図１２に示す発光装置１００Ａの作製方法について説明する。
図２６乃至図２８は、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するための断面図である。
以下で説明する発光装置１００Ａの作製方法は、第１乃至第７のステップを有する。
［第１のステップ］
第１のステップは、各発光素子の下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｂ）と、各発光素子の透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｒ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及び第３の透明導電層１０６Ｂ）と、各発光素子の下部電極と透明導電層の端部を覆う隔壁１３６と、を形成する工程である（図２６（Ａ）参照）。
第１のステップにおいては、有機化合物を含む発光層を損傷するおそれがないため、さまざまな微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、スパッタリング法を用いて、反射性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、その後ドライエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第１の下部電極１０４Ｒ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｂを形成する。
次に、第１の下部電極１０４Ｒ上に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第１の透明導電層１０６Ｒを形成する。その後、第２の下部電極１０４Ｇ及び第３の下部電極１０４Ｂ上に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第２の透明導電層１０６Ｇ及び第３の透明導電層１０６Ｂを形成する。
次に、島状の下部電極及び島状の透明導電層の端部を覆うように隔壁１３６を形成する。なお、隔壁１３６は、下部電極と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出する透明導電層が発光素子の下部電極として機能する。
第１のステップにおいて、反射性の導電膜として銀とパラジウムと銅の合金膜を用い、透光性の導電膜としてＩＴＯ膜を用い、隔壁１３６としてアクリル樹脂を用いる。
なお、第１のステップの前に、基板１０２上にトランジスタを形成してもよい。また、該トランジスタと、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ、第２の下部電極１０４Ｇ、及び第３の下部電極１０４Ｂ）とを電気的に接続させてもよい。
［第２のステップ］
第２のステップは、透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｒ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及び第３の透明導電層１０６Ｂ）及び隔壁１３６上に電子注入層１３４及び電子輸送層１３３を形成する工程である（図２６（Ｂ）参照）。
第２のステップにおいて、有機化合物を蒸着することにより、電子注入層１３４及び電子輸送層１３３を形成する。なお、電子注入層１３４及び電子輸送層１３３を各発光素子で共通して用いることができる。したがって、製造コストが抑えられ、生産性が高められた発光素子とすることができる。
［第３のステップ］
第３のステップは、シャドウマスク１９０を用いて、光学調整層１０８及び第１の発光層１１０を形成する工程である（図２７（Ａ）参照）。
第３のステップにおいて、開口部１９１を有するシャドウマスク１９０を第３の透明導電層１０６Ｂに重なるように配置して、シャドウマスク１９０が配置された側から、有機化合物１９２を蒸着することにより、光学調整層１０８及び第１の発光層１１０を形成する。
第３のステップでは、基板１０２を蒸着装置に導入し、シャドウマスク１９０を蒸着源（図示しない）側に配置する。その後、シャドウマスク１９０の開口部１９１を所望の位置に配置するためのアライメントを行う。なお、シャドウマスク１９０は、開口部１９１が設けられた、厚さが数十μｍ以上の金属等の箔または厚さが数百μｍ以上の金属等の板で形成された遮蔽板である。
光学調整層１０８は、電子輸送性材料により形成される。当該電子輸送性材料としては、先に示す材料の有機化合物を用いればよい。
第１の発光層１１０は、４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の範囲にスペクトルピークを有する発光材料を有する。当該発光材料としては、緑色を呈する波長の光を発する燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
例えば、光学調整層１０８と第１の発光層１１０とを、連続して蒸着することで塗り分け工程を１回とすることができる。なお、場合によっては、光学調整層１０８と第１の発光層１１０とを異なる工程で蒸着してもよい。
［第４のステップ］
第４のステップは、電子輸送層１３３及び第１の発光層１１０上に、第２の発光層１１２、正孔輸送層１３２、正孔注入層１３１、及び上部電極１１４を形成する工程である（図２７（Ｂ）参照）。
第２の発光層１１２は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の範囲にスペクトルピークを有する発光材料を有する。当該発光材料としては、青色を呈する波長の光を発する蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
第４のステップにおいて、有機化合物を蒸着することにより第２の発光層１１２、正孔輸送層１３２、正孔注入層１３１、及び上部電極１１４を形成する。なお、第２の発光層１１２、正孔輸送層１３２、正孔注入層１３１、及び上部電極１１４を各発光素子で共通して用いることができる。したがって、製造コストが抑えられ、生産性が高められた発光素子とすることができる。
上記工程を経て、第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂが基板１０２上に形成される。
［第５のステップ］
第５のステップは、基板１５２上に遮光層１５４を形成する工程である（図２８（Ａ）参照）。
第５のステップでは、遮光層１５４として、黒色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。
［第６のステップ］
第６のステップは、基板１５２及び遮光層１５４上に第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂを形成する工程である（図２８（Ｂ）参照）。
第６のステップでは、第１の光学素子１５６Ｒとして、赤色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第２の光学素子１５６Ｇとして、緑色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第３の光学素子１５６Ｂとして、青色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。
［第７のステップ］
第７のステップは、基板１０２上に形成された第１の発光素子１０１Ｒ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｂと、基板１５２上に形成された遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂと、を貼り合わせ、封止材を用いて封止する工程である（図示しない）。
以上の工程により、図１２に示す発光装置１００Ａを形成することができる。なお、本実施の形態においては、発光素子の塗り分け工程が、光学調整層１０８及び第１の発光層１１０の１回のみとすることで、生産性の高い発光装置の作製方法を提供できる。その結果、高精細化に伴う開口率の低下が抑制された、新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、生産が容易な、新規な発光装置を提供できる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、実施の形態１と異なる態様について、図２９乃至図３４を用いて、以下説明を行う。なお、実施の形態１で説明した機能と同様の機能を有する構成については、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
＜発光装置の構成例４＞
図２９（Ａ）（Ｂ）、図３０（Ａ）（Ｂ）、及び図３１は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図２９（Ａ）（Ｂ）及び図３０（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置の上面図については、図１（Ａ）に示す発光装置１００の上面図と同様であり、図３１に示す発光装置の上面図については、図４に示す発光装置１００の上面図と同様であるため、ここでの記載は省略する。
図２９（Ａ）に示す発光装置１５０は、第１の発光素子１５１Ｒと、第２の発光素子１５１Ｇと、第３の発光素子１０１Ｂと、を有する。また、第１の発光素子１５１Ｒは、第１の下部電極１０４Ｒと、第１の下部電極１０４Ｒ上の第１の透明導電層１０６Ｒと、第１の透明導電層１０６Ｒ上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の上部電極１１４と、を有する。また、第２の発光素子１５１Ｇは、第２の下部電極１０４Ｇと、第２の下部電極１０４Ｇ上の第２の透明導電層１０６Ｇと、第２の透明導電層１０６Ｇ上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の上部電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１０１Ｂは、第３の下部電極１０４Ｂと、第３の下部電極１０４Ｂ上の第３の透明導電層１０６Ｂと、第３の透明導電層１０６Ｂ上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の上部電極１１４と、を有する。
また、図２９（Ｂ）に示す発光装置１５０は、第１の発光素子１５１Ｒと、第２の発光素子１５１Ｇと、第３の発光素子１０１Ｂと、を有する。また、第１の発光素子１５１Ｒは、第１の下部電極１０４Ｒと、第１の下部電極１０４Ｒ上の第１の透明導電層１０６Ｒと、第１の透明導電層１０６Ｒ上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の上部電極１１４と、を有する。また、第２の発光素子１５１Ｇは、第２の下部電極１０４Ｇと、第２の下部電極１０４Ｇ上の第２の透明導電層１０６Ｇと、第２の透明導電層１０６Ｇ上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の上部電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１０１Ｂは、第３の下部電極１０４Ｂと、第３の下部電極１０４Ｂ上の第３の透明導電層１０６Ｂと、第３の透明導電層１０６Ｂ上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の上部電極１１４と、を有する。
すなわち、図２９（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１５０は、発光装置１００が有する第１の発光素子１０１Ｒの代わりに第１の発光素子１５１Ｒを有し、発光装置１００が有する第２の発光素子１０１Ｇの代わりに第２の発光素子１５１Ｇを有する。第１の発光素子１５１Ｒは、第１の発光素子１０１Ｒと比較し、発光層の積層順が異なる。また、第２の発光素子１５１Ｇは、第２の発光素子１０１Ｇと比較し、発光層の積層順が異なる。具体的には、第１の発光素子１５１Ｒ及び第２の発光素子１５１Ｇにおいては、第２の発光層１１２上に第１の発光層１１０が設けられる構成である。
また、図３０（Ａ）に示す発光装置１５０は、図２９（Ａ）に示す発光装置１５０の構成に加え、光学調整層１０８を設ける構成である。具体的には、第１の発光素子１５１Ｒは、第１の発光層１１０と上部電極１１４との間に光学調整層１０８を有する。また、第２の発光素子１５１Ｇは、第１の発光層１１０と上部電極１１４との間に光学調整層１０８を有する。
図３０（Ｂ）に示す発光装置１５０は、図２９（Ｂ）に示す発光装置１５０の構成に加え、光学調整層１０８を設ける構成である。具体的には、第１の発光素子１５１Ｒは、第１の発光層１１０と電子輸送層１３３との間に光学調整層１０８を有する。また、第２の発光素子１５１Ｇは、第１の発光層１１０と電子輸送層１３３との間に光学調整層１０８を有する。
図３０（Ａ）（Ｂ）に示すように、光学調整層１０８を設ける構成とすることで、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ及び第２の下部電極１０４Ｇ）と上部電極１１４との間の光学距離を調整することが可能となる。また、図３０（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置１５０においては、光学調整層１０８は、第１の発光層１１０の上方に設けられる構成である。
また、図３１に示す発光装置１５０は、図３０（Ｂ）に示す発光装置１５０の構成と、さらに隔壁１３６と、基板１５２と、を有する。隔壁１３６は、各発光素子の外周部に設けられ、各発光素子の下部電極及び透明導電層のいずれか一方または双方の端部を覆う機能を有する。また、基板１５２には、遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂが形成される。また、遮光層１５４は、隔壁１３６と重なる位置に設けられる。また、第１の光学素子１５６Ｒは、第１の発光素子１５１Ｒと重なる位置に設けられ、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子１５１Ｇと重なる位置に設けられ、第３の光学素子１５６Ｂは、第３の発光素子１０１Ｂと重なる位置に設けられる。
以上のように、発光装置１５０は、第１の発光層１１０、第２の発光層１１２、及び光学調整層１０８の積層順が発光装置１００と異なる。第１の発光層１１０、第２の発光層１１２、及び光学調整層１０８の積層順を変えることで、各層の材料のキャリアバランスを考慮する必要がある。一例としては、第２の発光層１１２を、第１の発光層１１０よりも正孔輸送性が高い材料により形成し、光学調整層１０８を電子輸送性材料により形成すればよい。
上述の構成とすることで、第１の発光素子１５１Ｒ及び第２の発光素子１５１Ｇにおいては、第２の発光層１１２は、発光には寄与しない。例えば、第２の発光層１１２として、正孔輸送性に優れ電子輸送性に劣る材料、またはＨＯＭＯ準位が第１の発光層１１０に用いる材料よりも高い材料を用いる構成とすればよい。
その他の構成については、実施の形態１に示す発光装置１００と同様であり、同様の効果を奏する。なお、上記例示した発光装置の各構成については、適宜組み合わせて用いることができる。
＜発光装置の構成例５＞
図３２乃至図３４は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図３２及び図３３に示す発光装置の上面図については、図１（Ａ）に示す発光装置１００の上面図と同様であり、図３４に示す発光装置の上面図については、図４に示す発光装置１００の上面図と同様であるため、ここでの記載は省略する。
また、図３２に示す発光装置１５０Ａは、第１の発光素子１５１Ｒと、第２の発光素子１５１Ｇと、第３の発光素子１０１Ｂと、を有する。また、第１の発光素子１５１Ｒは、第１の下部電極１０４Ｒと、第１の下部電極１０４Ｒ上の第１の透明導電層１０６Ｒと、第１の透明導電層１０６Ｒ上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の上部電極１１４と、を有する。また、第２の発光素子１５１Ｇは、第２の下部電極１０４Ｇと、第２の下部電極１０４Ｇ上の第２の透明導電層１０６Ｇと、第２の透明導電層１０６Ｇ上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第１の発光層１１０と、第１の発光層１１０上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の上部電極１１４と、を有する。また、第３の発光素子１０１Ｂは、第３の下部電極１０４Ｂと、第３の下部電極１０４Ｂ上の第３の透明導電層１０６Ｂと、第３の透明導電層１０６Ｂ上の電子注入層１３４と、電子注入層１３４上の電子輸送層１３３と、電子輸送層１３３上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の正孔輸送層１３２と、正孔輸送層１３２上の正孔注入層１３１と、正孔注入層１３１上の上部電極１１４と、を有する。
すなわち、図３２に示す発光装置１５０Ａは、発光装置１００Ａが有する第１の発光素子１０１Ｒの代わりに第１の発光素子１５１Ｒを有し、発光装置１００Ａが有する第２の発光素子１０１Ｇの代わりに第２の発光素子１５１Ｇを有する。第１の発光素子１５１Ｒは、第１の発光素子１０１Ｒと比較し、発光層の積層順が異なる。また、第２の発光素子１５１Ｇは、第２の発光素子１０１Ｇと比較し、発光層の積層順が異なる。具体的には、第１の発光素子１５１Ｒ及び第２の発光素子１５１Ｇにおいては、第２の発光層１１２上に第１の発光層１１０が設けられる構成である。
また、図３３に示す発光装置１５０Ａは、図３２に示す発光装置１５０Ａの構成に加え、光学調整層１０８を設ける構成である。具体的には、第１の発光素子１５１Ｒは、第１の発光層１１０と正孔輸送層１３２との間に光学調整層１０８を有する。また、第２の発光素子１５１Ｇは、第１の発光層１１０と正孔輸送層１３２との間に光学調整層１０８を有する。
図３３に示すように、光学調整層１０８を設ける構成とすることで、下部電極（第１の下部電極１０４Ｒ及び第２の下部電極１０４Ｇ）と上部電極１１４との間の光学距離を調整することが可能となる。また、図３３に示す発光装置１５０Ａにおいては、光学調整層１０８は、第１の発光層１１０の上方に設けられる構成である。
また、図３４に示す発光装置１５０Ａは、図３３に示す発光装置１５０Ａの構成と、さらに隔壁１３６と、基板１５２と、を有する。隔壁１３６は、各発光素子の外周部に設けられ、各発光素子の下部電極及び透明導電層のいずれか一方または双方の端部を覆う機能を有する。また、基板１５２には、遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｂが形成される。また、遮光層１５４は、隔壁１３６と重なる位置に設けられる。また、第１の光学素子１５６Ｒは、第１の発光素子１５１Ｒと重なる位置に設けられ、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子１５１Ｇと重なる位置に設けられ、第３の光学素子１５６Ｂは、第３の発光素子１０１Ｂと重なる位置に設けられる。
以上のように、発光装置１５０Ａは、第１の発光層１１０、第２の発光層１１２、及び光学調整層１０８の積層順が発光装置１００と異なる。第１の発光層１１０、第２の発光層１１２、及び光学調整層１０８の積層順を変えることで、各層の材料のキャリアバランスを考慮する必要がある。一例としては、第２の発光層１１２を、第１の発光層１１０よりも電子輸送性が高い材料により形成し、光学調整層１０８を正孔輸送性材料により形成すればよい。
上述の構成とすることで、第１の発光素子１５１Ｒ及び第２の発光素子１５１Ｇにおいては、第２の発光層１１２は、発光には寄与しない。例えば、第２の発光層１１２として、電子輸送性に優れ正孔輸送性に劣る材料、またはＨＯＭＯ準位が第１の発光層１１０に用いる材料よりも低い材料を用いる構成とすればよい。
その他の構成については、実施の形態１に示す発光装置１００Ａと同様であり、同様の効果を奏する。なお、上記例示した発光装置の各構成については、適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図３５を用いて説明を行う。
なお、図３５（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図であり、図３５（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。
図３５（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部８０２という）と、画素部８０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（以下、駆動回路部８０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路８０６という）と、端子部８０７と、を有する。なお、保護回路８０６は、設けない構成としてもよい。
駆動回路部８０４の一部、または全部は、画素部８０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部８０４の一部、または全部が、画素部８０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回路部８０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
画素部８０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置された複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路８０１という）を有し、駆動回路部８０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、ゲートドライバ８０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（以下、ソースドライバ８０４ｂ）などの駆動回路を有する。
ゲートドライバ８０４ａは、シフトレジスタ等を有する。ゲートドライバ８０４ａは、端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力する。例えば、ゲートドライバ８０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力され、パルス信号を出力する。ゲートドライバ８０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、ゲートドライバ８０４ａを複数設け、複数のゲートドライバ８０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、ゲートドライバ８０４ａは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ８０４ａは、別の信号を供給することも可能である。
ソースドライバ８０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。ソースドライバ８０４ｂは、端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元となる信号（画像信号）が入力される。ソースドライバ８０４ｂは、画像信号を元に画素回路８０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ８０４ｂは、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ８０４ｂは、データ信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有する。または、ソースドライバ８０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ソースドライバ８０４ｂは、別の信号を供給することも可能である。
ソースドライバ８０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。ソースドライバ８０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを用いてソースドライバ８０４ｂを構成してもよい。
複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介してデータ信号が入力される。また、複数の画素回路８０１のそれぞれは、ゲートドライバ８０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列目の画素回路８０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介してゲートドライバ８０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介してソースドライバ８０４ｂからデータ信号が入力される。
図３５（Ａ）に示す保護回路８０６は、例えば、ゲートドライバ８０４ａと画素回路８０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路８０６は、ソースドライバ８０４ｂと画素回路８０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保護回路８０６は、ゲートドライバ８０４ａと端子部８０７との間の配線に接続することができる。または、保護回路８０６は、ソースドライバ８０４ｂと端子部８０７との間の配線に接続することができる。なお、端子部８０７は、外部の回路から表示装置に電源及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
保護回路８０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
図３５（Ａ）に示すように、画素部８０２と駆動回路部８０４にそれぞれ保護回路８０６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。ただし、保護回路８０６の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ８０４ａに保護回路８０６を接続した構成、またはソースドライバ８０４ｂに保護回路８０６を接続した構成とすることもできる。あるいは、端子部８０７に保護回路８０６を接続した構成とすることもできる。
また、図３５（Ａ）においては、ゲートドライバ８０４ａとソースドライバ８０４ｂによって駆動回路部８０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、ゲートドライバ８０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装する構成としても良い。
また、図３５（Ａ）に示す複数の画素回路８０１は、例えば、図３５（Ｂ）に示す構成とすることができる。
図３５（Ｂ）に示す画素回路８０１は、トランジスタ８５２、８５４と、容量素子８６２と、発光素子８７２と、を有する。
トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気的に接続される。
トランジスタ８５２は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
容量素子８６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
容量素子８６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５４のゲート電極は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
発光素子８７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
発光素子８７２としては、実施の形態１に示す発光素子を用いることができる。
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
図３５（Ｂ）の画素回路８０１を有する表示装置では、例えば、図３５（Ａ）に示すゲートドライバ８０４ａにより各行の画素回路８０１を順次選択し、トランジスタ８５２をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
データが書き込まれた画素回路８０１は、トランジスタ８５２がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ８５４のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子８７２は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
また、画素回路に、トランジスタのしきい値電圧等の変動の影響を補正する機能を持たせてもよい。図３６（Ａ）（Ｂ）及び図３７（Ａ）（Ｂ）に画素回路の一例を示す。
図３６（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０３＿１乃至３０３＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図３６（Ａ）に示す画素回路には、配線３０１＿１乃至３０１＿５、並びに配線３０２＿１及び配線３０２＿２が電気的に接続されている。なお、トランジスタ３０３＿１乃至３０３＿６については、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
図３６（Ｂ）に示す画素回路は、図３６（Ａ）に示す画素回路に、トランジスタ３０３＿７を追加した構成である。また、図３６（Ｂ）に示す画素回路には、配線３０１＿６及び配線３０１＿７が電気的に接続されている。ここで、配線３０１＿５と配線３０１＿６とは、それぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０３＿７については、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
図３７（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０８＿１乃至３０８＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図３７（Ａ）に示す画素回路には、配線３０６＿１乃至３０６＿３、並びに配線３０７＿１乃至３０７＿３が電気的に接続されている。ここで配線３０６＿１と配線３０６＿３とは、それぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０８＿１乃至３０８＿６については、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
図３７（Ｂ）に示す画素回路は、２つのトランジスタ（トランジスタ３０９＿１及びトランジスタ３０９＿２）と、２つの容量素子（容量素子３０４＿１及び容量素子３０４＿２）と、発光素子３０５と、を有する。また、図３７（Ｂ）に示す画素回路には、配線３１１＿１乃至配線３１１＿３、配線３１２＿１、及び配線３１２＿２が電気的に接続されている。また、図３７（Ｂ）に示す画素回路の構成とすることで、発光素子３０５を定電圧定電流（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ：ＣＶＣＣ）駆動とすることができる。なお、トランジスタ３０９＿１及び３０９＿２については、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
また、本発明の一態様の発光素子は、表示装置の画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、表示装置の画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式のそれぞれの方式に適用することができる。
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光装置を有する表示パネル、及び該表示パネルに入力装置を取り付けた電子機器について、図３８乃至図４２を用いて説明を行う。
＜タッチパネルに関する説明１＞
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示パネルと、入力装置とを合わせたタッチパネル２０００について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセンサを用いる場合について説明する。なお、本発明の一態様の発光装置を表示パネルの画素に用いることができる。
図３８（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図３８（Ａ）（Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
タッチパネル２０００は、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図３８（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０はいずれも可撓性を有する。ただし、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０のいずれか一つまたは全てが可撓性を有さない構成としてもよい。
表示パネル２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給することができる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９（１）と電気的に接続する。
基板２５９０は、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接続される。なお、図３８（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示している。
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
なお、図３８（Ｂ）に示すタッチセンサ２５９５は、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用した構成である。
なお、タッチセンサ２５９５には、指等の検知対象の近接または接触を検知することができる、様々なセンサを適用することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有する。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
電極２５９２は、図３８（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続される形状を有する。
電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。
配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このとき、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減することができる。
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
なお、電極２５９１、電極２５９２、配線２５９８などの導電膜、つまり、タッチパネルを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等を有する透明導電膜（例えば、ＩＴＯなど）が挙げられる。また、タッチパネルを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、例えば、抵抗値が低い方が好ましい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、直径が数ナノメール）複数の導電体を用いて構成されるような金属ナノワイヤを用いてもよい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュ、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッシュなどを用いてもよい。例えば、タッチパネルを構成する配線や電極にＡｇナノワイヤを用いる場合、可視光において透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／ｃｍ２以上１００Ω／ｃｍ２以下とすることができる。また、上述したタッチパネルを構成する配線や電極に用いることのできる材料の一例である、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどは、可視光において透過率が高いため、表示素子に用いる電極（例えば、画素電極または共通電極など）として用いてもよい。
＜表示パネルに関する説明＞
次に、図３９（Ａ）を用いて、表示パネル２５０１の詳細について説明する。図３９（Ａ）は、図３８（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図に相当する。
表示パネル２５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。該画素は表示素子と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
基板２５１０及び基板２５７０としては、例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である可撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基板２５７０の熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
なお、基板２５１０は、発光素子への不純物の拡散を防ぐ絶縁層２５１０ａと、可撓性基板２５１０ｂと、絶縁層２５１０ａ及び可撓性基板２５１０ｂを貼り合わせる接着層２５１０ｃと、を有する積層体である。また、基板２５７０は、発光素子への不純物の拡散を防ぐ絶縁層２５７０ａと、可撓性基板２５７０ｂと、絶縁層２５７０ａ及び可撓性基板２５７０ｂを貼り合わせる接着層２５７０ｃと、を有する積層体である。
接着層２５１０ｃ及び接着層２５７０ｃとしては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
また、基板２５１０と基板２５７０との間に封止層２５６０を有する。封止層２５６０は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。また、図３９（Ａ）に示すように、封止層２５６０側に光を取り出す場合は、封止層２５６０は光学層を兼ねることができる。
また、封止層２５６０の外周部にシール材を形成してもよい。当該シール材を用いることにより、基板２５１０、基板２５７０、封止層２５６０、及びシール材で囲まれた領域に発光素子２５５０を有する構成とすることができる。なお、封止層２５６０として、不活性気体（窒素やアルゴン等）を充填してもよい。また、当該不活性気体内に、乾燥材を設けて、水分等を吸着させる構成としてもよい。また、上述のシール材としては、例えば、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、シール材に用いる材料としては、水分や酸素を透過しない材料を用いると好適である。
また、表示パネル２５０１は、画素２５０２を有する。また、画素２５０２は発光モジュール２５８０を有する。
画素２５０２は、発光素子２５５０と、発光素子２５５０に電力を供給することができるトランジスタ２５０２ｔとを有する。なお、トランジスタ２５０２ｔは、画素回路の一部として機能する。また、発光モジュール２５８０は、発光素子２５５０と、着色層２５６７Ｒとを有する。
発光素子２５５０は、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間にＥＬ層とを有する。発光素子２５５０として、例えば、実施の形態１乃至３に示す発光素子を適用することができる。なお、図面においては、発光素子２５５０が一つしか図示していないが、実施の形態１に示すように第１の発光素子乃至第３の発光素子の３つの発光素子を有する構成とすればよい。
また、封止層２５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層２５６０は、発光素子２５５０と着色層２５６７Ｒに接する。
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０と重なる位置にある。これにより、発光素子２５５０が発する光の一部は着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０の外部に射出される。
また、表示パネル２５０１には、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭが設けられる。遮光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
着色層２５６７Ｒとしては、特定の波長帯域の光を透過する機能を有していればよく、例えば、赤色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などで形成することができる。
また、表示パネル２５０１には、絶縁層２５２１が設けられる。絶縁層２５２１はトランジスタ２５０２ｔを覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化するための機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与してもよい。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。
また、発光素子２５５０は、絶縁層２５２１の上方に形成される。また、発光素子２５５０が有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。なお、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に形成してもよい。
走査線駆動回路２５０３ｇは、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃとを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
また、基板２５１０上には、信号を供給することができる配線２５１１が設けられる。また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰＣ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
また、表示パネル２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。図３９（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例示しているが、これに限定されず、例えば、図３９（Ｂ）に示す、トップゲート型のトランジスタを表示パネル２５０１に適用する構成としてもよい。
また、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔの極性については、特に限定はなく、Ｎ型およびＰ型のトランジスタを有する構造、Ｎ型のトランジスタまたはＰ型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタ２５０２ｔ及び２５０３ｔに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては、１３族の半導体（例えば、ガリウムを有する半導体）、１４族の半導体（例えば、ケイ素を有する半導体）、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔのいずれか一方または双方に、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。当該酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｎ、またはＮｄを表す）等が挙げられる。
＜タッチセンサに関する説明＞
次に、図３９（Ｃ）を用いて、タッチセンサ２５９５の詳細について説明する。図３９（Ｃ）は、図３８（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図に相当する。
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１及び電極２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。
また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接する電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好適に用いることができる。
電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられている。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は一対の電極２５９１を電気的に接続している。
なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
なお、絶縁層２５９３及び配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９５を保護してもよい。
また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる。
接続層２５９９としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
＜タッチパネルに関する説明２＞
次に、図４０（Ａ）を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図４０（Ａ）は、図３８（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５−Ｘ６間の断面図に相当する。
図４０（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図３９（Ａ）で説明した表示パネル２５０１と、図３９（Ｃ）で説明したタッチセンサ２５９５と、を貼り合わせた構成である。
また、図４０（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図３９（Ａ）及び図３９（Ｃ）で説明した構成の他、接着層２５９７と、反射防止層２５６７ｐと、を有する。
接着層２５９７は、配線２５９４と接して設けられる。なお、接着層２５９７は、タッチセンサ２５９５が表示パネル２５０１に重なるように、基板２５９０を基板２５７０に貼り合わせている。また、接着層２５９７は、透光性を有すると好ましい。また、接着層２５９７としては、熱硬化性樹脂、または紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いることができる。
反射防止層２５６７ｐは、画素に重なる位置に設けられる。反射防止層２５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
次に、図４０（Ａ）に示す構成と異なる構成のタッチパネルについて、図４０（Ｂ）を用いて説明する。
図４０（Ｂ）は、タッチパネル２００１の断面図である。図４０（Ｂ）に示すタッチパネル２００１は、図４０（Ａ）に示すタッチパネル２０００と、表示パネル２５０１に対するタッチセンサ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用する。
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０と重なる位置にある。また、図４０（Ｂ）に示す発光素子２５５０は、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子２５５０が発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０の外部に射出される。
また、タッチセンサ２５９５は、表示パネル２５０１の基板２５１０側に設けられている。
接着層２５９７は、基板２５１０と基板２５９０の間にあり、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５を貼り合わせる。
図４０（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光素子から射出される光は、基板の上面及び下面のいずれか一方または双方に射出されればよい。
＜タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図４１を用いて説明を行う。
図４１（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図４１（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、図４１（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１−Ｘ６として、電流の変化を検知する電極２６２２をＹ１−Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。また、図４１（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する電極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、積分回路等を用いて行えばよい。
次に、図４１（Ｂ）には、図４１（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形のタイミングチャートを示す。図４１（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体の検出を行うものとする。また図４１（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。
Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する。
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知することができる。
＜センサ回路に関する説明＞
また、図４１（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設けるパッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有するアクティブ型のタッチセンサとしてもよい。アクティブ型のタッチセンサに含まれるセンサ回路の一例を図４２に示す。
図４２に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方がトランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳＳが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたはドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳＳが与えられる。
次に、図４２に示すセンサ回路の動作について説明する。まず、信号Ｇ２としてトランジスタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲートが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２としてトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持される。
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化することに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することができる。
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにトランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リフレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図４３及び図４４を用いて説明を行う。
図４３に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチセンサ８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有する。
本発明の一態様の発光装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチセンサ８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチセンサ８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。
図４４（Ａ）乃至図４４（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５、接続端子９００６、センサ９００７、マイクロフォン９００８、等を有することができる。
図４４（Ａ）乃至図４４（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図４４（Ａ）乃至図４４（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。また、図４４（Ａ）乃至図４４（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図４４（Ａ）乃至図４４（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図４４（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することができる。
図４４（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図４４（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
図４４（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図４４（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。
図４４（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図４４（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図４４（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図４４（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部においては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面部に表示を行う構成としてもよい。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図４５を用いて説明する。
本実施の形態で示す、発光装置３０００の斜視図を図４５（Ａ）に、図４５（Ａ）に示す一点鎖線Ｅ−Ｆ間に相当する断面図を図４５（Ｂ）に、それぞれ示す。なお、図４５（Ａ）において、図面の煩雑さを避けるために、構成要素の一部を破線で表示している。
図４５（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置３０００は、基板３００１と、基板３００１上の発光素子３００５と、発光素子３００５の外周に設けられた第１の封止領域３００７と、第１の封止領域３００７の外周に設けられた第２の封止領域３００９と、を有する。
また、発光素子３００５からの発光は、基板３００１及び基板３００３のいずれか一方または双方から射出される。図４５（Ａ）（Ｂ）においては、発光素子３００５からの発光が下方側（基板３００１側）に射出される構成について説明する。
また、図４５（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光装置３０００は、発光素子３００５が第１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００７とに、囲まれて配置される二重封止構造である。二重封止構造とすることで、外部からの不純物（例えば、水、酸素など）が発光素子３００５側に入り込むことを好適に抑制することができる。ただし、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９を、必ずしも設ける必要はない。例えば、第１封止領域３００７のみの構成としてもよい。
なお、図４５（Ｂ）において、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９は、基板３００１及び基板３００３と接して設けられる。ただし、これに限定されず、例えば、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３００１の上方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。または、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３００３の下方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。
基板３００１及び基板３００３としては、それぞれ先の実施の形態１に記載の基板１０２と、基板１５２と同様の構成とすればよい。発光素子３００５としては、先の実施の形態１に記載の第１の発光素子乃至第３の発光素子のいずれか一つと同様の構成とすればよい。
第１の封止領域３００７としては、ガラスを含む材料（例えば、ガラスフリット、ガラスリボン等）を用いればよい。また、第２の封止領域３００９としては、樹脂を含む材料を用いればよい。第１の封止領域３００７として、ガラスを含む材料を用いることで、生産性や封止性を高めることができる。また、第２の封止領域３００９として、樹脂を含む材料を用いることで、耐衝撃性や耐熱性を高めることができる。ただし、第１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００９とは、これに限定されず、第１の封止領域３００７が樹脂を含む材料で形成され、第２の封止領域３００９がガラスを含む材料で形成されてもよい。
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸化マンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少なくとも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、基板上にフリットペーストを塗布し、これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペーストには、上記ガラスフリットと、有機溶媒で希釈した樹脂（バインダとも呼ぶ）とが含まれる。また、ガラスフリットにレーザ光の波長の光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レーザとして、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザや半導体レーザなどを用いることが好ましい。また、レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。
また、上述の樹脂を含む材料としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
なお、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９のいずれか一方または双方にガラスを含む材料を用いる場合、当該ガラスを含む材料と、基板３００１との熱膨張率が近いことが好ましい。上記構成とすることで、熱応力によりガラスを含む材料または基板３００１にクラックが入るのを抑制することができる。
例えば、第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用い、第２の封止領域３００９に樹脂を含む材料を用いる場合、以下の優れた効果を有する。
第２の封止領域３００９は、第１の封止領域３００７よりも、発光装置３０００の外周部に近い側に設けられる。発光装置３０００は、外周部に向かうにつれ、外力等による歪みが大きくなる。よって、歪みが大きくなる発光装置３０００の外周部側、すなわち第２の封止領域３００９に、樹脂を含む材料によって封止し、第２の封止領域３００９よりも内側に設けられる第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用いて封止することで、外力等の歪みが生じても発光装置３０００が壊れにくくなる。
また、図４５（Ｂ）に示すように、基板３００１、基板３００３、第１の封止領域３００７、及び第２の封止領域３００９に囲まれた領域は、第１の領域３０１１となる。また、基板３００１、基板３００３、発光素子３００５、及び第１の封止領域３００７に囲まれた領域は、第２の領域３０１３となる。
第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、例えば、希ガスまたは窒素ガス等の不活性ガスが充填されていると好ましい。なお、第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、大気圧状態よりも減圧状態であると好ましい。
また、図４５（Ｂ）に示す構成の変形例を図４５（Ｃ）に示す。図４５（Ｃ）は、発光装置３０００の変形例を示す断面図である。
図４５（Ｃ）は、基板３００３の一部に凹部を設け、該凹部に乾燥剤３０１８を設ける構成である。それ以外の構成については、図４５（Ｂ）に示す構成と同じである。
乾燥剤３０１８としては、化学吸着によって水分等を吸着する物質、または物理吸着によって水分等を吸着する物質を用いることができる。例えば、乾燥剤３０１８として用いることができる物質としては、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、シリカゲル等が挙げられる。
次に、図４５（Ｂ）に示す発光装置３０００の変形例について、図４６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）を用いて説明する。なお、図４６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は、図４５（Ｂ）に示す発光装置３０００の変形例を説明する断面図である。
図４６（Ａ）に示す発光装置は、第２の封止領域３００９を設けずに、第１の封止領域３００７とした構成である。また、図４６（Ａ）に示す発光装置は、図４５（Ｂ）に示す第２の領域３０１３の代わりに領域３０１４を有する。
領域３０１４としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
領域３０１４として、上述の材料を用いることで、いわゆる固体封止の発光装置とすることができる。
また、図４６（Ｂ）に示す発光装置は、図４６（Ａ）に示す発光装置の基板３００１側に、基板３０１５を設ける構成である。
基板３０１５は、図４６（Ｂ）に示すように凹凸を有する。凹凸を有する基板３０１５を、発光素子３００５の光を取り出す側に設ける構成とすることで、発光素子３００５からの光の取出し効率を向上させることができる。なお、図４６（Ｂ）に示すような凹凸を有する構造の代わりに、拡散板として機能する基板を設けてもよい。
また、図４６（Ｃ）に示す発光装置は、図４６（Ａ）に示す発光装置が基板３００１側から光を取り出す構造であったのに対し、基板３００３側から光を取り出す構造である。
図４６（Ｃ）に示す発光装置は、基板３００３側に基板３０１５を有する。それ以外の構成は、図４６（Ｂ）に示す発光装置と同様である。
また、図４６（Ｄ）に示す発光装置は、図４６（Ｃ）に示す発光装置の基板３００３、３０１５を設けずに、基板３０１６を設ける構成である。
基板３０１６は、発光素子３００５の近い側に位置する第１の凹凸と、発光素子３００５の遠い側に位置する第２の凹凸と、を有する。図４６（Ｄ）に示す構成とすることで、発光素子３００５からの光の取出し効率をさらに、向上させることができる。
したがって、本実施の形態に示す構成を実施することにより、水分や酸素などの不純物による発光素子の劣化が抑制された発光装置を実現することができる。または、本実施の形態に示す構成を実施することにより、光取出し効率の高い発光装置を実現することができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を様々な照明装置及び電子機器に適用する一例について、図４７を用いて説明する。
本発明の一態様の発光装置を、可撓性を有する基板上に作製することで、曲面を有する発光領域を有する電子機器、照明装置を実現することができる。
また、本発明の一態様を適用した発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、例えば、ダッシュボードや、フロントガラス、天井等に照明を設置することもできる。
図４７（Ａ）は、多機能端末３５００の一方の面の斜視図を示し、図４７（Ｂ）は、多機能端末３５００の他方の面の斜視図を示している。多機能端末３５００は、筐体３５０２に表示部３５０４、カメラ３５０６、照明３５０８等が組み込まれている。本発明の一態様の発光装置を照明３５０８に用いることができる。
照明３５０８は、本発明の一態様の発光装置を用いることで、面光源として機能する。したがって、ＬＥＤに代表される点光源と異なり、指向性が少ない発光が得られる。例えば、照明３５０８とカメラ３５０６とを組み合わせて用いる場合、照明３５０８を点灯または点滅させて、カメラ３５０６により撮像することができる。照明３５０８としては、面光源としての機能を有するため、自然光の下で撮影したような写真を撮影することができる。
なお、図４７（Ａ）、（Ｂ）に示す多機能端末３５００は、図４４（Ａ）乃至図４４（Ｇ）に示す電子機器と同様に、様々な機能を有することができる。
また、筐体３５０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。また、多機能端末３５００の内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、多機能端末３５００の向き（縦か横か）を判断して、表示部３５０４の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
表示部３５０４は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部３５０４に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部３５０４に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、表示部３５０４に本発明の一態様の発光装置を適用してもよい。
図４７（Ｃ）は、防犯用のライト３６００の斜視図を示している。ライト３６００は、筐体３６０２の外側に照明３６０８を有し、筐体３６０２には、スピーカ３６１０等が組み込まれている。本発明の一態様の発光装置を照明３６０８に用いることができる。
ライト３６００としては、例えば、照明３６０８を握持する、掴持する、または保持することで発光することができる。また、筐体３６０２の内部には、ライト３６００からの発光方法を制御できる電子回路を備えていてもよい。該電子回路としては、例えば、１回または間欠的に複数回、発光が可能なような回路としてもよいし、発光の電流値を制御することで発光の光量が調整可能なような回路としてもよい。また、照明３６０８の発光と同時に、スピーカ３６１０から大音量の警報音が出力されるような回路を組み込んでもよい。
ライト３６００としては、あらゆる方向に発光することが可能なため、例えば、暴漢等に向けて光、または光と音で威嚇することができる。また、ライト３６００にデジタルスチルカメラ等のカメラ、撮影機能を有する機能を備えてもよい。
以上のようにして、本発明の一態様の発光装置を適用して照明装置及び電子機器を得ることができる。なお、適用できる照明装置及び電子機器は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の照明装置及び電子機器に適用することが可能である。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子の作製例を示す。なお、本実施例においては、発光素子１乃至発光素子３を作製した。
発光素子１の断面模式図を図４８（Ｃ）に、発光素子２の断面模式図を図４８（Ａ）に、発光素子３の断面模式図を図４８（Ｂ）に、発光素子１乃至発光素子３の素子構造の詳細を表１に、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。
＜１−１．発光素子１、２の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）の合金膜（略称：ＡＰＣ）をスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜した。なお、発光素子１の透明導電層５０６の膜厚を１１０ｎｍとし、発光素子２の透明導電層５０６の膜厚を８５ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、光学調整層５０８、第１の発光層５１０（１）、第１の発光層５１０（２）、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰｃＰＰｎ）と酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子１の正孔注入層５３１の膜厚を３５ｎｍとし、発光素子２の正孔注入層５３１の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を２２．５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に光学調整層５０８を形成した。光学調整層５０８としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、光学調整層５０８の膜厚を２２．５ｎｍとした。
次に、光学調整層５０８上に第１の発光層５１０（１）を形成した。第１の発光層５１０（１）として、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）と、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．０６（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発光層５１０（１）の膜厚を、２０ｎｍとした。なお、第１の発光層５１０（１）において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
次に、第１の発光層５１０（１）上に第１の発光層５１０（２）を形成した。第１の発光層５１０（２）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝１：０．０６（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発光層５１０（２）の膜厚を、１０ｎｍとした。なお、第１の発光層５１０（２）において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
次に、第１の発光層５１０（２）上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）と、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０５（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を、２５ｎｍとした。なお、第２の発光層５１２において、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３が蛍光材料（ゲスト材料）である。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍの２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）を蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を、１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリング法により成膜した。
次に、封止基板５５０を準備した。なお、図４８（Ｃ）及び表１に示すように、発光素子１の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられる。本実施例においては、発光素子１の着色層５５６として、赤色（Ｒ）のカラーフィルタを形成した。なお、発光素子２の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられない構造である。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射し、８０℃にて１時間熱処理した）。
以上の工程により、発光素子１及び発光素子２を作製した。
＜１−２．発光素子３の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、面積を４ｍｍ２とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。透明導電層５０６の膜厚を８５ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。すなわち、発光素子１及び発光素子２と比較し、発光素子３は光学調整層５０８、第１の発光層５１０（１）、及び第１の発光層５１０（２）が形成されない構造である。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注入層５３１の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を２２．５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０５（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍのＮＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、ＡｇとＭｇとを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を、１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成膜した。
次に、封止基板５５０を準備した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。なお、封止方法としては、発光素子１及び発光素子２と同じとした。
以上の工程により、発光素子３を作製した。
なお、上述の発光素子１乃至発光素子３の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。
＜１−３．発光素子１乃至発光素子３の特性＞
発光素子１乃至発光素子３の輝度−電流密度特性を図４９（Ａ）に示す。また、発光素子１乃至発光素子３の輝度−電圧特性を図４９（Ｂ）に示す。また、発光素子１乃至発光素子３の電流効率−輝度特性を図５０（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１乃至発光素子３の素子特性を表２に示す。
また、発光素子１乃至発光素子３に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図５０（Ｂ）に示す。図５０（Ｂ）に示す通り、発光素子１は、赤色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２は、緑色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子３は、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する。なお、表１に示すように、発光素子１乃至発光素子３は、それぞれ、下部電極と発光層との間隔が調整されている。具体的には、発光素子１の下部電極５０４と、発光素子１の第１の発光層５１０（１）との間隔は１９０ｎｍであり、発光素子２の下部電極５０４と、発光素子２の第１の発光層５１０（１）との間隔は１５５ｎｍであり、発光素子３の下部電極５０４と、発光素子３の第２の発光層５１２との間隔は１３２．５ｎｍであった。
また、表２、図４９（Ａ）（Ｂ）、及び図５０（Ａ）（Ｂ）に示す通り、発光素子１乃至発光素子３からは、高効率の素子特性が得られ、且つ所望の波長帯域の発光が得られた。また、発光素子１及び発光素子２としては、第２の発光層５１２が設けられた構造であるにも関わらず、第２の発光層５１２中のゲスト材料が発光に寄与していないことが分かる。
本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いる事ができる。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子の作製例を示す。なお、本実施例においては、発光素子４乃至発光素子６を作製した。
発光素子４及び発光素子５の断面模式図を図４８（Ｃ）に、発光素子６の断面模式図を図４８（Ｄ）に、発光素子４乃至発光素子６の素子構造の詳細を表３に示す。なお、使用した化合物の構造及び略称については、実施例１と同じである。
＜２−１．発光素子４乃至発光素子６の作製＞
発光素子４及び発光素子５としては、先の実施例１に示す発光素子１及び発光素子２と、第１の発光層５１０（２）の膜厚が異なる。発光素子４及び発光素子５の第１の発光層５１０（２）の膜厚を１５ｎｍとした。また、発光素子５及び発光素子６としては、先の実施例１に示す発光素子２及び発光素子３と封止基板５５０の構造が異なる。具体的には、図４８（Ｃ）（Ｄ）及び表３に示すように、発光素子５及び発光素子６の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられる。本実施例では、発光素子５の着色層５５６として、緑色（Ｇ）のカラーフィルタを、発光素子６の着色層５５６として、青色（Ｂ）のカラーフィルタを、それぞれ形成した。
なお、発光素子４の第１の発光層５１０（２）以外の構成は、発光素子１と同じであり、発光素子５の第１の発光層５１０（２）及び着色層５５６以外の構成は、発光素子２と同じであり、発光素子６の着色層５５６以外の構成は、発光素子３と同じである。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、上記により作製した封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。封止方法としては、実施例１と同じとした。
以上の工程により、発光素子４乃至発光素子６を作製した。
なお、上述の発光素子４乃至発光素子６の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。
＜２−２．発光素子４乃至発光素子６の特性＞
発光素子４乃至発光素子６の輝度−電流密度特性を図５１（Ａ）に示す。また、発光素子４乃至発光素子６の輝度−電圧特性を図５１（Ｂ）に示す。また、発光素子４乃至発光素子６の電流効率−輝度特性を図５２（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子４乃至発光素子６の素子特性を表４に示す。
また、発光素子４乃至発光素子６に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図５２（Ｂ）に示す。図５２（Ｂ）に示す通り、発光素子４は、赤色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子５は、緑色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子６は、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する。
また、表４、図５１（Ａ）（Ｂ）、及び図５２（Ａ）（Ｂ）に示す通り、発光素子４乃至発光素子６からは、高効率の素子特性が得られ、且つ所望の波長帯域の発光が得られた。また、実施例１の発光素子２及び発光素子３と比較し、発光素子５及び発光素子６は、着色層５５６を設けた構成であるため、色純度がよい。
本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いる事ができる。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子の作製例を示す。なお、本実施例においては、発光素子７乃至発光素子９を作製した。
発光素子７及び発光素子８の断面模式図を図４８（Ｃ）に、発光素子９の断面模式図を図４８（Ｄ）に、発光素子７乃至発光素子９の素子構造の詳細を表５に、それぞれ示す。また、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。なお、以下に示す化合物以外については、実施例１及び実施例２と同じである。
＜３−１．発光素子７、８の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。なお、発光素子７の透明導電層５０６の膜厚を１１０ｎｍとし、発光素子８の透明導電層５０６の膜厚を８５ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、光学調整層５０８、第１の発光層５１０（１）、第１の発光層５１０（２）、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子７の正孔注入層５３１の膜厚を４０ｎｍとし、発光素子８の正孔注入層５３１の膜厚を３０ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に光学調整層５０８を形成した。光学調整層５０８としては、ＰＣＢＢｉＦを蒸着した。なお、光学調整層５０８の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、光学調整層５０８上に第１の発光層５１０（１）を形成した。第１の発光層５１０（１）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、ビス｛３−［６−イソブチル−４−ピリミジニル−κＮ３］ビフェニル−κＣ４｝（２，４−ペンタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．０４（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発光層５１０（１）の膜厚を２０ｎｍとした。なお、第１の発光層５１０（１）において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
なお、本実施例においては、燐光材料として、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）を用いたがこれに限定されず、他の燐光材料を用いてもよい。当該燐光材料としては、例えば、Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）、またはＩｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）などが挙げられる。Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）、及びＩｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）の化学式を以下に示す。
Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）は、イリジウム金属に配位するピリミジン環の４位にフェニル基を有し、イリジウム金属に配位するピリミジン環の６位にメチル基を有する。また、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）は、イリジウム金属に配位するピリミジン環の４位にフェニル基を有し、イリジウム金属に配位するピリミジン環の６位にｔｅｒｔ−ブチル基を有する。一方で、本実施例で用いたＩｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）は、イリジウム金属に配位するピリミジン環の４位にビフェニル基を有し、イリジウム金属に配位するピリミジン環の６位にイソブチル基を有する。
なお、本実施例で作製した発光素子のように、新規な化合物であるＩｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）を、燐光材料として用いることで、例えば、Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）を燐光材料として用いる発光素子よりも、発光効率を高くできる場合があるため好適である。また、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）は、Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）及びＩｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）と比較し、フェニル基の代わりにビフェニル基を有する構造のため、長寿命にできる場合があるため好適である。また、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）は、緑色、赤色の双方にスペクトル成分を有するため、本発明の一態様の発光素子に用いる発光材料として好適である。
次に、第１の発光層５１０（１）上に第１の発光層５１０（２）を形成した。第１の発光層５１０（２）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）＝１：０．０４（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発光層５１０（２）の膜厚を１５ｎｍとした。なお、第１の発光層５１０（２）において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
次に、第１の発光層５１０（２）上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０３（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を２５ｎｍとした。なお、第２の発光層５１２において、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３が蛍光材料（ゲスト材料）である。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍのＮＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、ＡｇとＭｇとを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成膜した。
次に、封止基板５５０を準備した。なお、図４８（Ｃ）及び表４に示すように、発光素子７及び発光素子８の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられる。本実施例では、発光素子７の着色層５５６として、赤色（Ｒ）のカラーフィルタを、発光素子８の着色層５５６として、緑色（Ｇ）のカラーフィルタを、それぞれ形成した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。なお、封止方法としては、実施例１と同じとした。
以上の工程により、発光素子７及び発光素子８を作製した。
＜３−２．発光素子９の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、面積を４ｍｍ２とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。透明導電層５０６の膜厚を８５ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。すなわち、発光素子７及び発光素子８と比較し、発光素子９は光学調整層５０８、第１の発光層５１０（１）、及び第１の発光層５１０（２）が形成されない構造である。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注入層５３１の膜厚を３０ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０３（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を、２５ｎｍとした。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍのＮＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、ＡｇとＭｇとを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成膜した。
次に、封止基板５５０を準備した。
なお、図４８（Ｄ）及び表５に示すように、発光素子９の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられる。本実施例においては、発光素子９の着色層５５６として、青色（Ｂ）のカラーフィルタを形成した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。なお、封止方法としては、発光素子７及び発光素子８と同じとした。
以上の工程により、発光素子９を作製した。
なお、上述の発光素子７乃至発光素子９の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。
＜３−３．発光素子７乃至発光素子９の特性＞
発光素子７乃至発光素子９の輝度−電流密度特性を図５３（Ａ）に示す。また、発光素子７乃至発光素子９の輝度−電圧特性を図５３（Ｂ）に示す。また、発光素子７乃至発光素子９の電流効率−輝度特性を図５４（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定を室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子７乃至発光素子９の素子特性を表６に示す。
また、発光素子７乃至発光素子９に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図５４（Ｂ）に示す。図５４（Ｂ）に示す通り、発光素子７は、赤色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子８は、緑色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子９は、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを、それぞれ有する。なお、表５に示すように、発光素子７乃至発光素子９は、それぞれ、下部電極と発光層との間隔が調整されている。具体的には、発光素子７の下部電極５０４と、発光素子７の第１の発光層５１０（１）との間隔は１９０ｎｍであり、発光素子８の下部電極５０４と、発光素子８の第１の発光層５１０（１）との間隔は１５５ｎｍであり、発光素子９の下部電極５０４と、発光素子９の第２の発光層５１２との間隔は１３０ｎｍであった。
また、表６、図５３（Ａ）（Ｂ）、及び図５４（Ａ）（Ｂ）に示す通り、発光素子７乃至発光素子９からは、高効率の素子特性が得られ、且つ所望の波長帯域の発光が得られた。また、発光素子７及び発光素子８としては、第２の発光層５１２が設けられた構造であるにも関わらず、第２の発光層５１２中のゲスト材料が発光に寄与していないことが分かる。
次に、発光素子７乃至発光素子９について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図５５に示す。
図５５において、信頼性試験の測定方法は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子７乃至発光素子９を駆動させた。縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を、それぞれ表す。図５５に示す結果から、発光素子７の１０７４時間経過後の規格化輝度は８９％であり、発光素子８の１０７４時間経過後の規格化輝度は９５％であり、発光素子９の１６４２時間経過後の規格化輝度は９１％であった。
図５３乃至図５５に示す結果より、本発明の一態様の発光素子７乃至発光素子９は、良好な素子特性（電圧−輝度特性、輝度−電流効率特性、及び電圧−電流特性）、並びに高い信頼性（規格化輝度−時間特性）であることが示された。
本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いる事ができる。
（参考例１）
以下では、実施例１乃至実施例３に示す発光素子と異なる形態の発光素子（発光素子１０乃至発光素子１２）を作製し評価を行った。
発光素子１０の断面模式図を図５６（Ｃ）に、発光素子１１の断面模式図を図５６（Ａ）に、発光素子１２の断面模式図を図５６（Ｂ）に、発光素子１０乃至発光素子１２の素子構造の詳細を表７に、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。なお、以下に示す化合物以外については、実施例１と同じ化合物を用いた。
＜４−１．発光素子１０、１１の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。なお、発光素子１０の透明導電層５０６の膜厚を１１０ｎｍとし、発光素子１１の透明導電層５０６の膜厚を８５ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本参考例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、光学調整層５０８、第１の発光層５１０、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子１０の正孔注入層５３１の膜厚を５５ｎｍとし、発光素子１１の正孔注入層５３１の膜厚を４５ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に光学調整層５０８を形成した。光学調整層５０８としては、膜厚２０ｎｍの４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を蒸着した。
次に、光学調整層５０８上に第１の発光層５１０を形成した。第１の発光層５１０として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．０６（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発光層５１０の膜厚を、２５ｎｍとした。なお、第１の発光層５１０において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト材料）である。
次に、第１の発光層５１０上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０５（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を、２５ｎｍとした。なお、第２の発光層５１２において、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３が蛍光材料（ゲスト材料）である。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍのＮＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、ＡｇとＭｇとを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を、１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成膜した。
次に、封止基板５５０を準備した。なお、図５６（Ｃ）及び表７に示すように、発光素子１０の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられる。本参考例においては、着色層５５６として、赤色（Ｒ）のカラーフィルタを形成した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。封止方法としては、実施例１と同じとした。
以上の工程により、発光素子１０及び発光素子１１を作製した。
＜４−２．発光素子１２の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。透明導電層５０６の膜厚を１０ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本参考例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。すなわち、発光素子１０及び発光素子１１と比較し、光学調整層５０８及び第１の発光層５１０が形成されない構造である。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注入層５３１の膜厚を１０２．５ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０５（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍのＮＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、ＡｇとＭｇとを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を、１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成膜した。
次に、封止基板５５０を準備した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。なお、封止方法としては、実施例１と同じとした。
以上の工程により、発光素子１２を作製した。
なお、上述の発光素子１０乃至発光素子１２の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。
＜４−３．発光素子１０乃至発光素子１２の特性＞
発光素子１０乃至発光素子１２の輝度−電流密度特性を図５７（Ａ）に示す。また、発光素子１０乃至発光素子１２の輝度−電圧特性を図５７（Ｂ）に示す。また、発光素子１０乃至発光素子１２の電流効率−輝度特性を図５８（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１０乃至発光素子１２の素子特性を表８に示す。
また、発光素子１０乃至発光素子１２に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図５８（Ｂ）に示す。図５８（Ｂ）に示す通り、発光素子１０は、赤色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子１１は、緑色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子１２は、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する。なお、表７に示すように、発光素子１０乃至発光素子１２は、それぞれ、下部電極と発光層との間隔が調整されている。具体的には、発光素子１０の下部電極５０４と、発光素子１０の第１の発光層５１０との間隔は２００ｎｍであり、発光素子１１の下部電極５０４と、発光素子１１の第１の発光層５１０との間隔は１６５ｎｍであり、発光素子１２の下部電極５０４と、発光素子１２の第２の発光層５１２との間隔は１２７．５ｎｍであった。
また、表８、図５７（Ａ）（Ｂ）、及び図５８（Ａ）（Ｂ）に示す通り、発光素子１０乃至発光素子１２からは、高効率の素子特性が得られ、且つ所望の波長帯域の発光が得られた。また、発光素子１０及び発光素子１１としては、第２の発光層５１２が設けられた構造であるにも関わらず、第２の発光層５１２中のゲスト材料が発光に寄与していないことが分かる。
（参考例２）
以下では、実施例１乃至実施例３、及び参考例１に示す素子と異なる形態の発光素子（発光素子１３乃至発光素子１５）を作製し評価を行った。ただし、発光素子１３については、参考例１で示す発光素子１０と同じ素子である。したがって、発光素子１３の作製方法については、省略する。
発光素子１３及び発光素子１４の断面模式図を図５６（Ｃ）に、発光素子１５の断面模式図を図５６（Ｄ）に、発光素子１３乃至発光素子１５の素子構造の詳細を表９に示す。なお、使用した化合物については、参考例１と同じ化合物を用いた。
＜５−１．発光素子１３、１４の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。なお、発光素子１３の透明導電層５０６の膜厚を１１０ｎｍとし、発光素子１４の透明導電層５０６の膜厚を８５ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本参考例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、光学調整層５０８、第１の発光層５１０、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子１３の正孔注入層５３１の膜厚を５５ｎｍとし、発光素子１４の正孔注入層５３１の膜厚を４０ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に光学調整層５０８を形成した。光学調整層５０８としては、膜厚２０ｎｍのＢＰＡＦＬＰを蒸着した。
次に、光学調整層５０８上に第１の発光層５１０を形成した。第１の発光層５１０として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．０６（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発光層５１０の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、第１の発光層５１０上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０５（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍのＮＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、ＡｇとＭｇとを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成膜した。
また、図５６（Ｃ）及び表９に示すように、発光素子１３及び発光素子１４の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられている。本参考例においては、発光素子１３の着色層５５６として、赤色（Ｒ）のカラーフィルタを、発光素子１４の着色層５５６として、緑色（Ｇ）のカラーフィルタを、それぞれ形成した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、上記により作製した封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。封止方法としては、実施例１の発光素子と同じとした。
以上の工程により、発光素子１３及び発光素子１４を作製した。
＜５−２．発光素子１５の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。透明導電層５０６の膜厚を１０ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本参考例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。すなわち、発光素子１３及び発光素子１４と比較し、光学調整層５０８及び第１の発光層５１０が形成されない構造である。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注入層５３１の膜厚を１０２．５ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０５（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍのＮＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、ＡｇとＭｇとを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を、１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成膜した。
また、図５６（Ｄ）及び表９に示すように、発光素子１５の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられている。本参考例では、発光素子１５の着色層５５６として、青色（Ｂ）のカラーフィルタを形成した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、上記により作製した封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。封止方法としては、実施例１の発光素子と同じとした。
以上の工程により、発光素子１５を作製した。
なお、上述の発光素子１３乃至発光素子１５の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。
＜５−３．発光素子１３乃至発光素子１５の特性＞
発光素子１３乃至発光素子１５の輝度−電流密度特性を図５９（Ａ）に示す。また、発光素子１３乃至発光素子１５の輝度−電圧特性を図５９（Ｂ）に示す。また、発光素子１３乃至発光素子１５の電流効率−輝度特性を図６０（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１３乃至発光素子１５の素子特性を表１０に示す。
また、発光素子１３乃至発光素子１５に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図６０（Ｂ）に示す。図６０（Ｂ）に示す通り、発光素子１３は、赤色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子１４は、緑色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子１５は、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する。
また、表１０、図５９（Ａ）（Ｂ）、及び図６０（Ａ）（Ｂ）に示す通り、発光素子１３乃至発光素子１５からは、高効率の素子特性が得られ、且つ所望の波長帯域の発光が得られた。また、参考例１の発光素子１１及び発光素子１２と比較し、発光素子１４及び発光素子１５は、着色層５５６を設けた構成であるため、色純度がよい。
（参考例３）
以下では、実施例１乃至実施例３、参考例１、及び参考例２に示す素子と異なる形態の発光素子（発光素子１６乃至発光素子１８）を作製し評価を行った。
発光素子１６及び発光素子１７の断面模式図を図５６（Ｃ）に、発光素子１８の断面模式図を図５６（Ｄ）に、発光素子１６乃至発光素子１８の素子構造の詳細を表１１に示す。なお、使用した化合物については、参考例１と同じ化合物を用いた。
＜６−１．発光素子１６、１７の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。なお、発光素子１６の透明導電層５０６の膜厚を１１０ｎｍと、発光素子１７の透明導電層５０６の膜厚を８５ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本参考例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、光学調整層５０８、第１の発光層５１０、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子１６の正孔注入層５３１の膜厚を４０ｎｍとし、発光素子１７の正孔注入層５３１の膜厚を３２．５ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に光学調整層５０８を形成した。光学調整層５０８としては、膜厚２５ｎｍのＰＣＢＢｉＦを蒸着した。
次に、光学調整層５０８上に第１の発光層５１０（１）を形成した。第１の発光層５１０（１）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝０．８：０．２：０．０６（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発光層５１０（１）の膜厚を２０ｎｍとした。
次に、第１の発光層５１０（１）上に第１の発光層５１０（２）を形成した。第１の発光層５１０（２）として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝１：０．０６（重量比）となるよう共蒸着した。なお、第１の発光層５１０（２）の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、第１の発光層５１０（２）上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０２（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍのＮＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、ＡｇとＭｇとを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成膜した。
また、図５６（Ｃ）及び表１１に示すように、発光素子１６及び発光素子１７の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられている。本参考例においては、発光素子１６の着色層５５６として、赤色（Ｒ）のカラーフィルタを、発光素子１７の着色層５５６として、緑色（Ｇ）のカラーフィルタを、それぞれ形成した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、上記により作製した封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。封止方法としては、実施例１の発光素子と同じとした。
以上の工程により、発光素子１６及び発光素子１７を作製した。
＜６−２．発光素子１８の作製＞
まず、基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、下部電極５０４の膜厚を１００ｎｍとし、下部電極５０４の面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、下部電極５０４上に、透明導電層５０６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。透明導電層５０６の膜厚を８５ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、下部電極５０４及び透明導電層５０６が形成された基板５０２の透明導電層５０６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電層５０６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板５０２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５０２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電層５０６が形成された面が下方となるように、基板５０２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本参考例では、真空蒸着法により、正孔注入層５３１、正孔輸送層５３２、第２の発光層５１２、電子輸送層５３３（１）、電子輸送層５３３（２）、電子注入層５３４、上部電極５１４（１）、上部電極５１４（２）を順次形成した。すなわち、発光素子１６及び発光素子１７と比較し、光学調整層５０８及び第１の発光層５１０が形成されない構造である。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電層５０６上に、正孔注入層５３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝２：１（重量比）となるように共蒸着した。なお、正孔注入層５３１の膜厚を３０ｎｍとした。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２を形成した。正孔輸送層５３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、正孔輸送層５３２の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、正孔輸送層５３２上に第２の発光層５１２を形成した。第２の発光層５１２としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３とを、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３＝１：０．０２（重量比）となるように共蒸着した。また、第２の発光層５１２の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、第２の発光層５１２上に電子輸送層５３３（１）として、膜厚５ｎｍのｃｇＤＢＣｚＰＡを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（１）上に電子輸送層５３３（２）として、膜厚１５ｎｍのＮＢｐｈｅｎを蒸着した。次に、電子輸送層５３３（２）上に電子注入層５３４として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。
次に、電子注入層５３４上に上部電極５１４（１）として、ＡｇとＭｇとを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、上部電極５１４（１）の膜厚を１５ｎｍとした。次に、上部電極５１４（１）上に上部電極５１４（２）として、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成膜した。
また、図５６（Ｄ）及び表１１に示すように、発光素子１８の封止基板５５０には、着色層５５６が設けられている。本参考例では、発光素子１８の着色層５５６として、青色（Ｂ）のカラーフィルタを形成した。
上記により作製した基板５０２上の発光素子と、上記により作製した封止基板５５０とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した。封止方法としては、実施例１の発光素子と同じとした。
以上の工程により、発光素子１８を作製した。
なお、上述の発光素子１６乃至発光素子１８の蒸着過程において、蒸着方法としては抵抗加熱法を用いた。
＜６−３．発光素子１６乃至発光素子１８の特性＞
発光素子１６乃至発光素子１８の輝度−電流密度特性を図６１（Ａ）に示す。また、発光素子１６乃至発光素子１８の輝度−電圧特性を図６１（Ｂ）に示す。また、発光素子１６乃至発光素子１８の電流効率−輝度特性を図６２（Ａ）に示す。なお、各発光素子の測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１６乃至発光素子１８の素子特性を表１２に示す。
また、発光素子１６乃至発光素子１８に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図６２（Ｂ）に示す。図６２（Ｂ）に示す通り、発光素子１６は、赤色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子１７は、緑色の波長帯域に発光スペクトルピークを有し、発光素子１８は、青色の波長帯域に発光スペクトルピークを有する。
また、表１２、図６１（Ａ）（Ｂ）、及び図６２（Ａ）（Ｂ）に示す通り、発光素子１６乃至発光素子１８からは、高効率の素子特性が得られ、且つ所望の波長帯域の発光が得られた。
次に、発光素子１６乃至発光素子１８について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図６３に示す。
図６３において、信頼性試験の測定方法は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子１６乃至発光素子１８を駆動させた。縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を、それぞれ表す。図６３に示す結果から、発光素子１６の８３１時間経過後の規格化輝度は８８％であり、発光素子１７の２０１３時間経過後の規格化輝度は９１％であり、発光素子１８の１８５０時間経過後の規格化輝度は８５％であった。
図６１乃至図６３に示す結果より、本参考例の発光素子１６乃至発光素子１８は、良好な素子特性（電圧−輝度特性、輝度−電流効率特性、及び電圧−電流特性）、並びに高い信頼性（規格化輝度−時間特性）であることが示された。ただし、実施例３に示す、本発明の一態様の発光素子７乃至発光素子９と比較し、信頼性では、やや改善の余地がある。
（参考例４）
以下では、先の実施例及び先の参考例で用いた有機化合物、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３の合成方法について説明する。なお、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３の構造を以下に示す。
＜ステップ１：６−ヨードベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランの合成＞
５００ｍＬ三口フラスコに、８．５ｇ（３９ｍｍｏｌ）のベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランを加え、フラスコ内を窒素置換した後、１９５ｍＬのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を加えた。この溶液を−７５℃に冷却してから、この溶液に２５ｍＬ（４０ｍｍｏｌ）のｎ−ブチルリチウム（１．５９ｍｏｌ／Ｌ ｎ−ヘキサン溶液）を滴下して加えた。滴下後、得られた溶液を室温で１時間攪拌した。
所定時間経過後、この溶液を−７５℃に冷却してから、ヨウ素１０ｇ（４０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ４０ｍＬに溶かした溶液を滴下して加えた。滴下後、得られた溶液を室温に戻しながら１７時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、１時間攪拌した後、この混合物の有機層を水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。乾燥後、この混合物を自然濾過し、得られた溶液をセライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）を通して吸引濾過した。得られた濾液を濃縮して得た固体を、トルエンにて再結晶を行ったところ、目的の白色粉末を収量６．０ｇ（１８ｍｍｏｌ）、収率４５％で得た。ステップ１の合成スキームを下記（ａ−１）に示す。
＜ステップ２：．６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランの合成＞
２００ｍＬ三口フラスコに、６．０ｇ（１８ｍｍｏｌ）の６−ヨードベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランと、２．４ｇ（１９ｍｍｏｌ）のフェニルボロン酸と、７０ｍＬのトルエンと、２０ｍＬのエタノールと、２２ｍＬの炭酸カリウム水溶液（２．０ｍｏｌ／Ｌ）を入れた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後フラスコ内を窒素下としてから、４８０ｍｇ（０．４２ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を加えた。この混合物を窒素気流下、９０℃で１２時間攪拌した。
所定時間経過後、この混合物に水を加え、水層をトルエンにより抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせて、水で洗浄後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過し、得られた濾液を濃縮して得た固体を、トルエンに溶かした。得られた溶液をセライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、アルミナを通して吸引濾過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエンにより再結晶を行ったところ、目的の白色固体を収量４．９ｇ（１７ｍｍｏｌ）、収率９３％で得た。ステップ２の合成スキームを下記（ａ−２）に示す。
＜ステップ３：８−ヨード−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランの合成＞
３００ｍＬ三口フラスコに、４．９ｇ（１７ｍｍｏｌ）の６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランを加え、フラスコ内を窒素置換した後、８７ｍＬのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を加えた。この溶液を−７５℃に冷却してから、この溶液に１１ｍＬ（１８ｍｍｏｌ）のｎ−ブチルリチウム（１．５９ｍｏｌ／Ｌ ｎ−ヘキサン溶液）を滴下して加えた。滴下後、得られた溶液を室温で１時間攪拌した。所定時間経過後、この溶液を−７５℃に冷却してから、ヨウ素４．６ｇ（１８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１８ｍＬに溶かした溶液を滴下して加えた。
得られた溶液を室温に戻しながら１７時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、１時間攪拌した後、この混合物の有機層を水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過して得られたろ液をセライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５）、アルミナを通して吸引濾過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、トルエンにより再結晶を行ったところ、目的の白色固体を収量３．７ｇ（８．８ｍｍｏｌ）、収率５３％で得た。ステップ３の合成スキームを下記（ａ−３）に示す。
＜ステップ４：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３の合成＞
１００ｍＬ三口フラスコに、０．７１ｇ（２．０ｍｍｏｌ）の１，６−ジブロモピレンと、１．０ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）のナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドと、トルエン１０ｍＬと、０．３６ｍＬ（４．０ｍｍｏｌ）のアニリンと、０．３ｍＬのトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンの１０ｗｔ％ヘキサン溶液を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に５０ｍｇ（８５μｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を加え、８０℃で２時間攪拌した。
所定時間経過後、得られた混合物に、１．７ｇ（４．０ｍｍｏｌ）の８−ヨード−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フランと、１８０ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）の２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’、６’−ジメトキシビフェニル（略称Ｓ−Ｐｈｏｓ）と、５０ｍｇ（８５μｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を加え、この混合物を１００℃で１５時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物をセライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）を通してろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、エタノールで洗浄し、トルエンにて再結晶を行ったところ、目的の黄色固体を１．３８ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、収率７１％で得た。
得られた黄色固体１．３７ｇ（１．４ｍｍｏｌ）をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、アルゴン流量１０ｍＬ／ｍｉｎ、圧力２．３Ｐａの条件で黄色固体を３７０℃で加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を０．６８ｇ（０．７０ｍｍｏｌ）、５０％の回収率で得た。ステップ４の合成スキームを下記（ａ−４）に示す。
なお、上記ステップ４で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。
１Ｈ ＮＭＲ（ジクロロメタン−ｄ２、５００ＭＨｚ）：δ＝６．８８（ｔ、Ｊ＝７．７Ｈｚ、４Ｈ）、７．０３−７．０６（ｍ、６Ｈ）、７．１１（ｔ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、２Ｈ）、７．１３（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．２８−７．３２（ｍ、８Ｈ）、７．３７（ｔ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．５９（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、２Ｈ）、７．７５（ｔ、Ｊ＝７．７Ｈｚ、２Ｈ）、７．８４（ｄ、Ｊ＝９．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．８８（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、８．０１（ｓ、２Ｈ）、８．０７（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、４Ｈ）、８．１４（ｄ、Ｊ＝９．０Ｈｚ、２Ｈ）、８．２１（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、８．６９（ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ、２Ｈ）．
（参考例５）
以下では、先の実施例で用いた新規な化合物、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）の合成方法の一例について説明する。なお、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）の構造を以下に示す。
＜ステップ１；４−クロロ−６−（２−メチルプロピル）ピリミジンの合成＞
まず、４，６−ジクロロピリミジン１．０２ｇ、トリス（２，４−ペンタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）（略称：Ｆｅ（ａｃａｃ）３）０．１４ｇ、ｄｒｙ ＴＨＦ６７ｍＬ、１−メチル−２−ピロリドン（略称：ＮＭＰ）５．６ｍＬを２００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。フラスコを氷冷後、イソブチルマグネシウムブロミド（略称：ｉＢｕＭｇＢｒ）の１Ｍ ＴＨＦ溶液６．７ｍＬを加え、室温で２０時間半撹拌した。その後、１Ｍ塩酸を加え、酢酸エチルにて有機層を抽出した。得られた抽出液を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタン：酢酸エチル＝１０：１（体積比）を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物を得た（黄色オイル、収率６５％）。ステップ１の合成スキームを下記（ｂ−１）に示す。
＜ステップ２；４−イソブチル−６−（ビフェニル−３−イル）ピリミジン（略称：ＨｉＢｕ５ｂｐｍ）の合成＞
次に、上記ステップ１で得た４−クロロ−６−（２−メチルプロピル）ピリミジン１．５０ｇと３−ビフェニルボロン酸２．５７ｇ、炭酸ナトリウム４．０６ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（略称：ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２）０．０７７ｇ、水２０ｍＬ、ＤＭＦ２０ｍＬを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。この反応容器にマイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を２時間照射することで加熱した。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置（ＣＥＭ社製 Ｄｉｓｃｏｖｅｒ）を用いた。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝２：１（体積比）を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体ＨｉＢｕ５ｂｐｍ（略称）を得た（淡黄色オイル、収率９５％）。ステップ２の合成スキームを下記（ｂ−２）に示す。
＜ステップ３；ジ−μ−クロロ−テトラキス｛４−フェニル−２−［６−（２−メチルプロピル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２Ｃｌ］２）の合成＞
次に、２−エトキシエタノール３０ｍＬと水１０ｍＬ、上記ステップ２で得たＨｉＢｕ５ｂｐｍ（略称）２．３８ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ３・ｎＨ２Ｏ）（フルヤ金属社製）１．１７ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を１時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をメタノールで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体［Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２Ｃｌ］２（略称）を得た（緑色粉末、収率３４％）。ステップ３の合成スキームを下記（ｂ−３）に示す。
＜ステップ４；ビス｛４−フェニル−２−［６−（２−メチルプロピル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝（２，４−ペンタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ））の合成＞
さらに、２−エトキシエタノール２０ｍＬ、上記ステップ３で得た複核錯体［Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２Ｃｌ］２（略称）１．１０ｇ、アセチルアセトン（略称：Ｈａｃａｃ）０．２１ｇ、炭酸ナトリウム０．７３ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １２０Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。さらに、Ｈａｃａｃ（略称）０．２１ｇを加え、反応容器に、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １２０Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。溶媒を留去した後、得られた残渣をメタノールで吸引ろ過し、水、メタノールで洗浄した。得られた固体をジクロロメタン：酢酸エチル＝１０：１（体積比）を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製した後、ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒にて再結晶することにより、新規な化合物である、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）を黄橙色粉末として得た（収率２７％）。得られた黄橙色粉末固体０．３２ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件としては、圧力２．７Ｐａ、アルゴンガスを流量５ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、２８５℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄橙色固体を収率８８％で得た。ステップ４の合成スキームを下記（ｂ−４）に示す。
なお、上記ステップ４で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図６４に示す。
１Ｈ ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：１．０６（ｔ，１２Ｈ），１．８３（ｓ，６Ｈ），２．２７−２．３２（ｍ，２Ｈ），２．８９（ｄ，４Ｈ），５．３６（ｓ，１Ｈ），６．４９（ｄ，２Ｈ），７．０８（ｄ，２Ｈ），７．３０（ｔ，２Ｈ），７．４０（ｔ，４Ｈ），７．５５（ｄ，４Ｈ），７．７４（ｓ，２Ｈ），７．９１（ｓ，２Ｈ），９．０３（ｓ，２Ｈ）．
次に、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用い、ジクロロメタン溶液（９．６μｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、室温で測定を行った。また、発光スペクトルの測定には、絶対ＰＬ量子収率測定装置（（株）浜松ホトニクス製 Ｃ１１３４７−０１）を用い、グローブボックス（（株）ブライト製 ＬＡＢｓｔａｒＭ１３（１２５０／７８０）にて、窒素雰囲気下でジクロロメタン脱酸素溶液（９．６μｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、密栓し、室温で測定を行った。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図６５に示す。図６５において、横軸が波長を、縦軸が吸収強度および発光強度を、それぞれ表す。また、図６５において２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。なお、図６５に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液（９．６μｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示している。
図６５に示す通り、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）は、５５５ｎｍに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは黄色の発光が観測された。
さらに、得られたＩｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）の重量減少率を高真空差動型示差熱天秤（ブルカー・エイエックスエス株式会社製、ＴＧ−ＤＴＡ２４１０ＳＡ）により測定した。真空度１０Ｐａにて、昇温速度を１０℃／ｍｉｎに設定し、昇温したところ、図６６に示すとおり、Ｉｒ（ｉＢｕ５ｂｐｍ）２（ａｃａｃ）は、３００℃よりも低温で重量減少率が１００％であり、良好な昇華性を示すことがわかった。
１００ 発光装置
１００Ａ 発光装置
１０１Ｂ 発光素子
１０１Ｇ 発光素子
１０１Ｒ 発光素子
１０２ 基板
１０４Ｂ 下部電極
１０４Ｇ 下部電極
１０４Ｒ 下部電極
１０６Ｂ 透明導電層
１０６Ｇ 透明導電層
１０６Ｒ 透明導電層
１０８ 光学調整層
１１０ 発光層
１１２ 発光層
１１４ 上部電極
１３１ 正孔注入層
１３２ 正孔輸送層
１３３ 電子輸送層
１３４ 電子注入層
１３６ 隔壁
１５０ 発光装置
１５０Ａ 発光装置
１５１Ｇ 発光素子
１５１Ｒ 発光素子
１５２ 基板
１５４ 遮光層
１５６Ｂ 光学素子
１５６Ｇ 光学素子
１５６Ｒ 光学素子
１７０ トランジスタ
１７２ ゲート電極
１７４ ゲート絶縁層
１７６ 半導体層
１７８ ソース電極
１８０ ドレイン電極
１８２ 絶縁層
１８４ 絶縁層
１８６ 絶縁層
１９０ シャドウマスク
１９１ 開口部
１９２ 有機化合物
３０１＿１ 配線
３０１＿５ 配線
３０１＿６ 配線
３０１＿７ 配線
３０２＿１ 配線
３０２＿２ 配線
３０３＿１ トランジスタ
３０３＿６ トランジスタ
３０３＿７ トランジスタ
３０４ 容量素子
３０４＿１ 容量素子
３０４＿２ 容量素子
３０５ 発光素子
３０６＿１ 配線
３０６＿３ 配線
３０７＿１ 配線
３０７＿３ 配線
３０８＿１ トランジスタ
３０８＿６ トランジスタ
３０９＿１ トランジスタ
３０９＿２ トランジスタ
３１１＿１ 配線
３１１＿３ 配線
３１２＿１ 配線
３１２＿２ 配線
５０２ 基板
５０４ 下部電極
５０６ 透明導電層
５０８ 光学調整層
５１０ 発光層
５１２ 発光層
５１４ 上部電極
５３１ 正孔注入層
５３２ 正孔輸送層
５３３ 電子輸送層
５３４ 電子注入層
５５０ 封止基板
５５６ 着色層
８０１ 画素回路
８０２ 画素部
８０４ 駆動回路部
８０４ａ ゲートドライバ
８０４ｂ ソースドライバ
８０６ 保護回路
８０７ 端子部
８５２ トランジスタ
８５４ トランジスタ
８６２ 容量素子
８７２ 発光素子
２０００ タッチパネル
２００１ タッチパネル
２５０１ 表示パネル
２５０２ 画素
２５０２ｔ トランジスタ
２５０３ｃ 容量素子
２５０３ｇ 走査線駆動回路
２５０３ｔ トランジスタ
２５０９ ＦＰＣ
２５１０ 基板
２５１０ａ 絶縁層
２５１０ｂ 可撓性基板
２５１０ｃ 接着層
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５２１ 絶縁層
２５２８ 隔壁
２５５０ 発光素子
２５６０ 封止層
２５６７ＢＭ 遮光層
２５６７ｐ 反射防止層
２５６７Ｒ 着色層
２５７０ 基板
２５７０ａ 絶縁層
２５７０ｂ 可撓性基板
２５７０ｃ 接着層
２５８０ 発光モジュール
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 接続層
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６１１ トランジスタ
２６１２ トランジスタ
２６１３ トランジスタ
２６２１ 電極
２６２２ 電極
３０００ 発光装置
３００１ 基板
３００３ 基板
３００５ 発光素子
３００７ 封止領域
３００９ 封止領域
３０１１ 領域
３０１３ 領域
３０１４ 領域
３０１５ 基板
３０１６ 基板
３０１８ 乾燥剤
３５００ 多機能端末
３５０２ 筐体
３５０４ 表示部
３５０６ カメラ
３５０８ 照明
３６００ ライト
３６０２ 筐体
３６０８ 照明
３６１０ スピーカ
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチセンサ
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ 携帯情報端末
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末

Claims (18)

  1. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、
    前記第１の発光素子は、
    第１の下部電極と、
    前記第１の下部電極上の第１の透明導電層と、
    前記第１の透明導電層上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    第２の下部電極と、
    前記第２の下部電極上の第２の透明導電層と、
    前記第２の透明導電層上の前記第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    第３の下部電極と、
    前記第３の下部電極上の第３の透明導電層と、
    前記第３の透明導電層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第１の透明導電層は、
    第１の領域を有し、
    前記第２の透明導電層は、
    前記第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、
    前記第１の領域が、前記第２の領域よりも厚い、
    ことを特徴とする発光装置。
  2. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、
    前記第１の発光素子は、
    第１の下部電極と、
    前記第１の下部電極上の第１の透明導電層と、
    前記第１の透明導電層上の正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の電子注入層と、
    前記電子注入層上の上部電極と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    第２の下部電極と、
    前記第２の下部電極上の第２の透明導電層と、
    前記第２の透明導電層上の前記正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の前記正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の前記第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の前記電子注入層と、
    前記電子注入層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    第３の下部電極と、
    前記第３の下部電極上の第３の透明導電層と、
    前記第３の透明導電層上の前記正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の前記正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の前記電子注入層と、
    前記電子注入層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第１の透明導電層は、
    第１の領域を有し、
    前記第２の透明導電層は、
    前記第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、
    前記第１の領域が、前記第２の領域よりも厚い、
    ことを特徴とする発光装置。
  3. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、
    前記第１の発光素子は、
    第１の下部電極と、
    前記第１の下部電極上の第１の透明導電層と、
    前記第１の透明導電層上の光学調整層と、
    前記光学調整層上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    第２の下部電極と、
    前記第２の下部電極上の第２の透明導電層と、
    前記第２の透明導電層上の前記光学調整層と、
    前記光学調整層上の前記第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    第３の下部電極と、
    前記第３の下部電極上の第３の透明導電層と、
    前記第３の透明導電層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第１の透明導電層は、
    第１の領域を有し、
    前記第２の透明導電層は、
    前記第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、
    前記第１の領域が、前記第２の領域よりも厚い、
    ことを特徴とする発光装置。
  4. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、
    前記第１の発光素子は、
    第１の下部電極と、
    前記第１の下部電極上の第１の透明導電層と、
    前記第１の透明導電層上の正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の光学調整層と、
    前記光学調整層上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の電子注入層と、
    前記電子注入層上の上部電極と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    第２の下部電極と、
    前記第２の下部電極上の第２の透明導電層と、
    前記第２の透明導電層上の前記正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の前記正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の前記光学調整層と、
    前記光学調整層上の前記第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の前記電子注入層と、
    前記電子注入層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    第３の下部電極と、
    前記第３の下部電極上の第３の透明導電層と、
    前記第３の透明導電層上の前記正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の前記正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の前記電子注入層と、
    前記電子注入層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第１の透明導電層は、
    第１の領域を有し、
    前記第２の透明導電層は、
    前記第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、
    前記第１の領域が、前記第２の領域よりも厚い、
    ことを特徴とする発光装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記第１の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、
    前記第２の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、
    前記第３の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有する、
    ことを特徴とする発光装置。
  6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記第１の下部電極と、前記第１の発光層との間隔は、
    前記第２の下部電極と、前記第１の発光層との間隔よりも大きく、
    前記第２の下部電極と、前記第２の発光層との間隔は、
    前記第３の下部電極と、前記第２の発光層との間隔よりも大きい、
    ことを特徴とする発光装置。
  7. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記第１の下部電極と、前記第１の発光層と、の光学距離は、
    ３λＲ／４（λＲは、赤色の波長を表す）であり、
    前記第２の下部電極と、前記第１の発光層と、の光学距離は、
    ３λＧ／４（λＧは、緑色の波長を表す）であり、
    前記第３の下部電極と、前記第２の発光層と、の光学距離は、
    ３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）である、
    ことを特徴とする発光装置。
  8. 請求項３または請求項４において
    前記光学調整層は、
    正孔輸送性を有する、
    ことを特徴とする発光装置。
  9. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記第１の発光層は、燐光材料を有し、
    前記第２の発光層は、蛍光材料を有する、
    ことを特徴とする発光装置。
  10. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、
    前記第１の発光素子は、
    第１の下部電極と、
    前記第１の下部電極上の第１の透明導電層と、
    前記第１の透明導電層上の電子注入層と、
    前記電子注入層上の電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の上部電極と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    第２の下部電極と、
    前記第２の下部電極上の第２の透明導電層と、
    前記第２の透明導電層上の前記電子注入層と、
    前記電子注入層上の前記電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の前記第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の前記正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    第３の下部電極と、
    前記第３の下部電極上の第３の透明導電層と、
    前記第３の透明導電層上の前記電子注入層と、
    前記電子注入層上の前記電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の前記正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第１の透明導電層は、
    第１の領域を有し、
    前記第２の透明導電層は、
    前記第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、
    前記第１の領域が、前記第２の領域よりも厚い、
    ことを特徴とする発光装置。
  11. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有する発光装置であって、
    前記第１の発光素子は、
    第１の下部電極と、
    前記第１の下部電極上の第１の透明導電層と、
    前記第１の透明導電層上の電子注入層と、
    前記電子注入層上の電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の光学調整層と、
    前記光学調整層上の第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の上部電極と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    第２の下部電極と、
    前記第２の下部電極上の第２の透明導電層と、
    前記第２の透明導電層上の前記電子注入層と、
    前記電子注入層上の前記電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の前記光学調整層と、
    前記光学調整層上の前記第１の発光層と、
    前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の前記正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    第３の下部電極と、
    前記第３の下部電極上の第３の透明導電層と、
    前記第３の透明導電層上の前記電子注入層と、
    前記電子注入層上の前記電子輸送層と、
    前記電子輸送層上の前記第２の発光層と、
    前記第２の発光層上の前記正孔輸送層と、
    前記正孔輸送層上の前記正孔注入層と、
    前記正孔注入層上の前記上部電極と、を有し、
    前記第１の透明導電層は、
    第１の領域を有し、
    前記第２の透明導電層は、
    前記第３の透明導電層と同じ厚さとなる第２の領域を有し、
    前記第１の領域が、前記第２の領域よりも厚い、
    ことを特徴とする発光装置。
  12. 請求項１０または請求項１１において、
    前記第１の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、
    前記第２の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、
    前記第３の発光素子からの発光スペクトルは、発光波長が４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有する、
    ことを特徴とする発光装置。
  13. 請求項１０または請求項１１において、
    前記第１の下部電極と、前記第１の発光層との間隔は、
    前記第２の下部電極と、前記第１の発光層との間隔よりも大きく、
    前記第２の下部電極と、前記第２の発光層との間隔は、
    前記第３の下部電極と、前記第２の発光層との間隔よりも大きい、
    ことを特徴とする発光装置。
  14. 請求項１０または請求項１１において、
    前記第１の下部電極と、前記第１の発光層と、の光学距離は、
    ３λＲ／４（λＲは、赤色の波長を表す）であり、
    前記第２の下部電極と、前記第１の発光層と、の光学距離は、
    ３λＧ／４（λＧは、緑色の波長を表す）であり、
    前記第３の下部電極と、前記第２の発光層と、の光学距離は、
    ３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）である、
    ことを特徴とする発光装置。
  15. 請求項１１において
    前記光学調整層は、
    電子輸送性を有する、
    ことを特徴とする発光装置。
  16. 請求項１０または請求項１１において、
    前記第１の発光層は、燐光材料を有し、
    前記第２の発光層は、蛍光材料を有する、
    ことを特徴とする発光装置。
  17. 請求項１乃至請求項１６のいずれか一つに記載の発光装置と、
    タッチセンサ機能と、
    を有する電子機器。
  18. 請求項１乃至請求項１６のいずれか一つに記載の発光装置と、
    筐体と、
    を有する照明装置。
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