JP2022188146A - 発光装置、電子機器および照明装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】新規な発光装置を提供する。または発光効率が高く、消費電力が低減され、且つ色度の視野角依存性が低減された新規な発光装置を提供する。【解決手段】少なくとも１つの発光素子と、１つの光学素子と、を有し、該発光素子から該光学素子を介して射出される光は、該発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に１つ目の極大値と、該１つ目の極大値よりも長波長側に位置する、２つ目の極大値と、を有し、１つ目の極大値に対する２つ目の極大値の強度比が、１５％以下である。【選択図】図１
Description
本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる発光層を一対の電極間に挟
んでなる発光素子、または該発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関す
る。
んでなる発光素子、または該発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関す
る。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発
明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション
・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明
装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例とし
て挙げることができる。
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発
明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション
・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明
装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例とし
て挙げることができる。
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）
を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は
、一対の電極間に発光性の物質を含む層（ＥＬ層）を挟んだものである。この素子に電圧
を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は
、一対の電極間に発光性の物質を含む層（ＥＬ層）を挟んだものである。この素子に電圧
を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バッ
クライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製で
き、応答速度が高いなどの利点も有する。
クライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製で
き、応答速度が高いなどの利点も有する。
発光素子からの光の取り出し効率を改善するために、一対の電極間で光の共振効果を利
用した微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を採用し、特定波長における光強度を増
加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
用した微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を採用し、特定波長における光強度を増
加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器構造（以下、マイクロキャビティ
構造という）を発光素子に採用した場合、発光素子の法線ベクトルと平行の方向に対して
は、共振効果により、所望の光を取り出すことが可能となる。しかしながら、発光素子の
法線ベクトルからずれる、すなわち発光素子の法線ベクトルから離れた位置においては、
所望の光とは異なる波長となる場合がある。このような発光素子を有する発光装置におい
ては、色度の視野角依存性が生じる場合がある。
構造という）を発光素子に採用した場合、発光素子の法線ベクトルと平行の方向に対して
は、共振効果により、所望の光を取り出すことが可能となる。しかしながら、発光素子の
法線ベクトルからずれる、すなわち発光素子の法線ベクトルから離れた位置においては、
所望の光とは異なる波長となる場合がある。このような発光素子を有する発光装置におい
ては、色度の視野角依存性が生じる場合がある。
上述した課題に鑑み、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することを課題の一
つとする。または発光効率が高く、消費電力が低減され、且つ色度の視野角依存性が低減
された新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または新規な発光装置の作製
方法を提供することを課題の一つとする。
つとする。または発光効率が高く、消費電力が低減され、且つ色度の視野角依存性が低減
された新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または新規な発光装置の作製
方法を提供することを課題の一つとする。
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細
書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽
出することが可能である。
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細
書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽
出することが可能である。
本発明の一態様は、少なくとも１つの発光素子と、１つの光学素子と、を有する発光装
置であって、該発光素子から該光学素子を介して射出される光は、該発光素子の法線ベク
トルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未
満の波長域に１つ目の極大値と、該１つ目の極大値よりも長波長側に位置する、２つ目の
極大値と、を有し、１つ目の極大値に対する２つ目の極大値の強度比が、１５％以下であ
る。より詳細には以下の通りである。
置であって、該発光素子から該光学素子を介して射出される光は、該発光素子の法線ベク
トルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未
満の波長域に１つ目の極大値と、該１つ目の極大値よりも長波長側に位置する、２つ目の
極大値と、を有し、１つ目の極大値に対する２つ目の極大値の強度比が、１５％以下であ
る。より詳細には以下の通りである。
本発明の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第１の
光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、第１の発光素子から第１の
光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の
波長域に第１の極大値を有し、第２の発光素子から第２の光学素子を介して射出される光
は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
第３の発光素子から第３の光学素子を介して射出される光は、第３の発光素子の法線ベク
トルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未
満の波長域に第３の極大値と、第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と
、を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、１５％以下である、ことを特
徴とする発光装置である。
光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、第１の発光素子から第１の
光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の
波長域に第１の極大値を有し、第２の発光素子から第２の光学素子を介して射出される光
は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
第３の発光素子から第３の光学素子を介して射出される光は、第３の発光素子の法線ベク
トルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未
満の波長域に第３の極大値と、第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と
、を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、１５％以下である、ことを特
徴とする発光装置である。
また、上記構成において、第１の光学素子は、５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の
光の透過率が５０％以上である領域を有し、第２の光学素子は、４８０ｎｍ以上５７０ｎ
ｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第３の光学素子は、４００ｎ
ｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、且つ、５３０
ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有すると好ましい
。
光の透過率が５０％以上である領域を有し、第２の光学素子は、４８０ｎｍ以上５７０ｎ
ｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第３の光学素子は、４００ｎ
ｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、且つ、５３０
ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有すると好ましい
。
また、上記各構成において、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上
の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の
発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と
、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１
の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は
、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第
１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有す
ると好ましい。
の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の
発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と
、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１
の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は
、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第
１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有す
ると好ましい。
また、上記構成において、第１の発光層と第２の発光層との間に、さらに、電荷発生層
を有する、ことが好ましい。
を有する、ことが好ましい。
また、上記各構成において、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上
の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の
発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第
２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透
明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３
の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極
と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第
１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上
部電極と、を有すると好ましい。
の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の
発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第
２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透
明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３
の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極
と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第
１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上
部電極と、を有すると好ましい。
また、上記構成において、第１の発光層と第２の発光層との間に、さらに、電荷発生層
を有し、第２の発光層と第３の発光層とは、互いに接すると好ましい。
を有し、第２の発光層と第３の発光層とは、互いに接すると好ましい。
また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の波長領域に
ピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、黄色の波長領域にピークを有する
と好ましい。また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の
波長領域にピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、緑色の波長領域にピー
クを有し、第３の発光層からの発光スペクトルは、赤色の波長領域にピークを有すると好
ましい。
ピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、黄色の波長領域にピークを有する
と好ましい。また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の
波長領域にピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、緑色の波長領域にピー
クを有し、第３の発光層からの発光スペクトルは、赤色の波長領域にピークを有すると好
ましい。
また、上記各構成において、第１の下部電極、第２の下部電極、及び第３の下部電極は
、それぞれ、可視光を反射する機能を有し、上部電極は、可視光を反射する機能と、可視
光を透過する機能と、を有すると好ましい。また、上記各構成において、第１の下部電極
、第２の下部電極、及び第３の下部電極は、それぞれ、銀を有すると好ましい。
、それぞれ、可視光を反射する機能を有し、上部電極は、可視光を反射する機能と、可視
光を透過する機能と、を有すると好ましい。また、上記各構成において、第１の下部電極
、第２の下部電極、及び第３の下部電極は、それぞれ、銀を有すると好ましい。
また、上記各構成において、第３の透明導電膜の膜厚は、第１乃至第３の透明導電膜の
中で最も厚いことが好ましい。また、上記各構成において、第３の下部電極と第１の発光
層との距離は、第１の下部電極と第１の発光層との距離、及び第２の下部電極と第１の発
光層との距離の中で最も長いと好ましい。
中で最も厚いことが好ましい。また、上記各構成において、第３の下部電極と第１の発光
層との距離は、第１の下部電極と第１の発光層との距離、及び第２の下部電極と第１の発
光層との距離の中で最も長いと好ましい。
また、上記各構成において、第１の下部電極と、第３の発光層との間の光学距離が３λ
Ｒ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、第２の下部電極と、第２の発光層との間
の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、第３の下部電極と、第
１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍であると好ま
しい。
Ｒ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、第２の下部電極と、第２の発光層との間
の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、第３の下部電極と、第
１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍であると好ま
しい。
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子
と、第４の発光素子と、第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、第４
の光学素子と、を有し、第１の発光素子から第１の光学素子を介して射出される光は、ス
ペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、第２の
発光素子から第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以
上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、第３の発光素子から第３の光学素子を
介して射出される光は、第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲
のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、第３の
極大値よりも長波長側に位置する第４の極大値と、を有し、第４の発光素子から第４の光
学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波
長域に第５の極大値を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、１５％以下
であることを特徴とする発光装置である。
と、第４の発光素子と、第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、第４
の光学素子と、を有し、第１の発光素子から第１の光学素子を介して射出される光は、ス
ペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、第２の
発光素子から第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以
上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、第３の発光素子から第３の光学素子を
介して射出される光は、第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲
のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、第３の
極大値よりも長波長側に位置する第４の極大値と、を有し、第４の発光素子から第４の光
学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波
長域に第５の極大値を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、１５％以下
であることを特徴とする発光装置である。
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子
と、第４の発光素子と、第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有
し、第１の発光素子から第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６
００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、第２の発光素子から第２の
光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の
波長域に第２の極大値を有し、第３の発光素子から第３の光学素子を介して射出される光
は、第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおい
て４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、第３の極大値よりも長波長
側に位置する、第４の極大値と、を有し、第４の発光素子から射出される光は、第１の光
学素子乃至第３の光学素子を介さずに射出され、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６０
０ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比
は、１５％以下であることを特徴とする発光装置である。
と、第４の発光素子と、第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有
し、第１の発光素子から第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６
００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、第２の発光素子から第２の
光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の
波長域に第２の極大値を有し、第３の発光素子から第３の光学素子を介して射出される光
は、第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおい
て４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、第３の極大値よりも長波長
側に位置する、第４の極大値と、を有し、第４の発光素子から射出される光は、第１の光
学素子乃至第３の光学素子を介さずに射出され、スペクトルにおいて５５０ｎｍ以上６０
０ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有し、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比
は、１５％以下であることを特徴とする発光装置である。
また、上記各構成において、第１の光学素子は、５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長
の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第２の光学素子は、４８０ｎｍ以上５７０
ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第３の光学素子は、４００
ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、且つ、５３
０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有すると好まし
い。
の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第２の光学素子は、４８０ｎｍ以上５７０
ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、第３の光学素子は、４００
ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、且つ、５３
０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有すると好まし
い。
また、上記各構成において、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上
の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の
発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と
、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１
の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は
、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第
１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し
、第４の発光素子は、第４の下部電極と、第４の下部電極上の第４の透明導電膜と、第４
の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の
上部電極と、を有すると好ましい。
の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の
発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と
、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１
の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は
、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第
１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し
、第４の発光素子は、第４の下部電極と、第４の下部電極上の第４の透明導電膜と、第４
の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の
上部電極と、を有すると好ましい。
また、上記構成において、第１の発光層と第２の発光層との間に、さらに、電荷発生層
を有すると好ましい。
を有すると好ましい。
また、上記各構成において、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上
の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の
発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第
２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透
明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３
の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極
と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第
１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上
部電極と、を有し、第４の発光素子は、第４の下部電極と、第４の下部電極上の第４の透
明導電膜と、第４の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、
第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有すると好ましい。
の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の
発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第
２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電膜と、第２の透
明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３
の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極
と、第３の下部電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第
１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上
部電極と、を有し、第４の発光素子は、第４の下部電極と、第４の下部電極上の第４の透
明導電膜と、第４の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、
第２の発光層上の第３の発光層と、第３の発光層上の上部電極と、を有すると好ましい。
また、上記構成において、第１の発光層と第２の発光層との間に、さらに、電荷発生層
を有し、第２の発光層と第３の発光層とは、互いに接すると好ましい。
を有し、第２の発光層と第３の発光層とは、互いに接すると好ましい。
また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の波長領域に
ピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、黄色の波長領域にピークを有する
と好ましい。また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の
波長領域にピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、緑色の波長領域にピー
クを有し、第３の発光層からの発光スペクトルは、赤色の波長領域にピークを有すると好
ましい。
ピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、黄色の波長領域にピークを有する
と好ましい。また、上記各構成において、第１の発光層からの発光スペクトルは、青色の
波長領域にピークを有し、第２の発光層からの発光スペクトルは、緑色の波長領域にピー
クを有し、第３の発光層からの発光スペクトルは、赤色の波長領域にピークを有すると好
ましい。
また、上記各構成において、第１の下部電極、第２の下部電極、第３の下部電極、及び
第４の下部電極は、それぞれ、可視光を反射する機能を有し、上部電極は、可視光を反射
する機能と、可視光を透過する機能と、を有すると好ましい。また、上記各構成において
、第１の下部電極、第２の下部電極、第３の下部電極、及び第４の下部電極は、それぞれ
、銀を有すると好ましい。
第４の下部電極は、それぞれ、可視光を反射する機能を有し、上部電極は、可視光を反射
する機能と、可視光を透過する機能と、を有すると好ましい。また、上記各構成において
、第１の下部電極、第２の下部電極、第３の下部電極、及び第４の下部電極は、それぞれ
、銀を有すると好ましい。
また、上記各構成において、第３の透明導電膜の膜厚は、第１乃至第４の透明導電膜の
中で最も厚いと好ましい。また、上記各構成において、第３の下部電極と、第１の発光層
との距離は、第１の下部電極と第１の発光層との距離、第２の下部電極と第１の発光層と
の距離、及び第４の下部電極と第１の発光層との距離の中で最も長いと好ましい。
中で最も厚いと好ましい。また、上記各構成において、第３の下部電極と、第１の発光層
との距離は、第１の下部電極と第１の発光層との距離、第２の下部電極と第１の発光層と
の距離、及び第４の下部電極と第１の発光層との距離の中で最も長いと好ましい。
また、上記各構成において、第１の下部電極と、第３の発光層との間の光学距離が３λ
Ｒ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、第２の下部電極と、第２の発光層との間
の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、第３の下部電極と、第
１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍である、第４
の下部電極と、第２の発光層との間の光学距離が３λＹ／４（λＹは黄色の波長を表す）
近傍であると好ましい。
Ｒ／４（λＲは赤色の波長を表す）近傍であり、第２の下部電極と、第２の発光層との間
の光学距離が３λＧ／４（λＧは緑色の波長を表す）近傍であり、第３の下部電極と、第
１の発光層との間の光学距離が３λＢ／４（λＢは青色の波長を表す）近傍である、第４
の下部電極と、第２の発光層との間の光学距離が３λＹ／４（λＹは黄色の波長を表す）
近傍であると好ましい。
また、本発明の一態様は、上記各構成の発光装置と、筐体および／またはタッチセンサ
とを有する電子機器、または上記各構成の発光装置と、筐体および／またはタッチセンサ
とを有する照明装置も範疇に含めるものである。また、本明細書中における発光装置とは
、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクタ
ー、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣ
Ｐ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰ
の先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置
を有する場合がある。
とを有する電子機器、または上記各構成の発光装置と、筐体および／またはタッチセンサ
とを有する照明装置も範疇に含めるものである。また、本明細書中における発光装置とは
、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクタ
ー、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣ
Ｐ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰ
の先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏ
ｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置
を有する場合がある。
本発明の一態様により、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一
態様により、発光効率が高く、消費電力が低減され、且つ色度の視野角依存性が低減され
た新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な発光
装置の作製方法を提供することができる。
態様により、発光効率が高く、消費電力が低減され、且つ色度の視野角依存性が低減され
た新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な発光
装置の作製方法を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、
必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、
必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
また、本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるもの
であり、工程順又は積層順を示さない場合がある。そのため、例えば、「第１の」を「第
２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に
記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しな
い場合がある。
であり、工程順又は積層順を示さない場合がある。そのため、例えば、「第１の」を「第
２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に
記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しな
い場合がある。
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
また、本明細書等において、青色の波長領域とは、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波
長領域であり、青色の発光とは該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有
する。また、緑色の波長領域とは、４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長領域であり、緑
色の発光とは該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、黄色
の波長領域とは、５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長領域であり、黄色の発光とは該波
長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、赤色の波長領域とは、
６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長領域であり、赤色の発光とは該波長領域に少なくと
も一つの発光スペクトルピークを有する。
長領域であり、青色の発光とは該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有
する。また、緑色の波長領域とは、４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長領域であり、緑
色の発光とは該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、黄色
の波長領域とは、５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長領域であり、黄色の発光とは該波
長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、赤色の波長領域とは、
６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長領域であり、赤色の発光とは該波長領域に少なくと
も一つの発光スペクトルピークを有する。
また、本明細書等において、発光素子の法線ベクトルとは、発光素子が有する一対の電
極の一方、ここでは光を取り出す側である上部電極の形成面に対して垂直の方向である。
極の一方、ここでは光を取り出す側である上部電極の形成面に対して垂直の方向である。
また、本明細書等において、透明導電膜とは、可視光を透過する機能を有し、且つ導電
性を有する膜である。例えば、透明導電膜としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）に代表される酸化物導電体膜、酸化物半導体膜、または有機物を含む有機導電
体膜を含む。有機物を含む有機導電体膜としては、例えば、有機化合物と電子供与体（ド
ナー）とを混合してなる複合材料を含む膜、有機化合物と電子受容体（アクセプター）と
を混合してなる複合材料を含む膜等が挙げられる。また、透明導電膜の抵抗率としては、
好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０４Ω・ｃｍ以下である。
性を有する膜である。例えば、透明導電膜としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）に代表される酸化物導電体膜、酸化物半導体膜、または有機物を含む有機導電
体膜を含む。有機物を含む有機導電体膜としては、例えば、有機化合物と電子供与体（ド
ナー）とを混合してなる複合材料を含む膜、有機化合物と電子受容体（アクセプター）と
を混合してなる複合材料を含む膜等が挙げられる。また、透明導電膜の抵抗率としては、
好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０４Ω・ｃｍ以下である。
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図１乃至図３０を用いて以下
説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図１乃至図３０を用いて以下
説明する。
＜発光装置の構成例１＞
図１は、本発明の一態様の発光装置を示す断面図である。図１に示す発光装置１５０は
、発光素子１０１Ｒと、発光素子１０１Ｇと、発光素子１０１Ｂと、光学素子１２４Ｒと
、光学素子１２４Ｇと、光学素子１２４Ｂと、を有する。なお、各発光素子（発光素子１
０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）は、基板１０２の上方に設けられ、
各光学素子（光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、及び光学素子１２４Ｂ）は、基板１
２２の下方に設けられる。
図１は、本発明の一態様の発光装置を示す断面図である。図１に示す発光装置１５０は
、発光素子１０１Ｒと、発光素子１０１Ｇと、発光素子１０１Ｂと、光学素子１２４Ｒと
、光学素子１２４Ｇと、光学素子１２４Ｂと、を有する。なお、各発光素子（発光素子１
０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）は、基板１０２の上方に設けられ、
各光学素子（光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、及び光学素子１２４Ｂ）は、基板１
２２の下方に設けられる。
また、発光素子１０１Ｒは、下部電極１０４Ｒと、下部電極１０４Ｒ上の透明導電膜１
０６Ｒと、透明導電膜１０６Ｒ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、
発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。また、発光素子１０１Ｇは、下部電極１
０４Ｇと、下部電極１０４Ｇ上の透明導電膜１０６Ｇと、透明導電膜１０６Ｇ上の発光層
１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、発光層１１０上の上部電極１２０と、を有
する。また、発光素子１０１Ｂは、下部電極１０４Ｂと、下部電極１０４Ｂ上の透明導電
膜１０６Ｂと、透明導電膜１０６Ｂ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０
と、発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。
０６Ｒと、透明導電膜１０６Ｒ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、
発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。また、発光素子１０１Ｇは、下部電極１
０４Ｇと、下部電極１０４Ｇ上の透明導電膜１０６Ｇと、透明導電膜１０６Ｇ上の発光層
１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、発光層１１０上の上部電極１２０と、を有
する。また、発光素子１０１Ｂは、下部電極１０４Ｂと、下部電極１０４Ｂ上の透明導電
膜１０６Ｂと、透明導電膜１０６Ｂ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０
と、発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。
また、発光装置１５０においては、各透明導電膜（透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１
０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｂ）と発光層１０８との間に、正孔注入層１３１と、正孔
輸送層１３２と、を有する。また、発光層１０８と発光層１１０との間に、電子輸送層１
３３と、電子注入層１３４と、電荷発生層１１６と、正孔注入層１３５と、正孔輸送層１
３６と、を有する。また、発光層１１０と上部電極１２０との間に電子輸送層１３７と、
電子注入層１３８と、を有する。
０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｂ）と発光層１０８との間に、正孔注入層１３１と、正孔
輸送層１３２と、を有する。また、発光層１０８と発光層１１０との間に、電子輸送層１
３３と、電子注入層１３４と、電荷発生層１１６と、正孔注入層１３５と、正孔輸送層１
３６と、を有する。また、発光層１１０と上部電極１２０との間に電子輸送層１３７と、
電子注入層１３８と、を有する。
また、以下の説明において、一対の電極（例えば、下部電極１０４Ｒと上部電極１２０
）の間に有する、上記各層をまとめてＥＬ層１００と呼ぶ場合がある。
）の間に有する、上記各層をまとめてＥＬ層１００と呼ぶ場合がある。
なお、図１において、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１０８、電子輸送
層１３３、電子注入層１３４、電荷発生層１１６、正孔注入層１３５、正孔輸送層１３６
、発光層１１０、電子輸送層１３７、電子注入層１３８、及び上部電極１２０は、各発光
素子でそれぞれ分離された状態で例示しているが、各発光素子で分離せずに共通して用い
ることができる。
層１３３、電子注入層１３４、電荷発生層１１６、正孔注入層１３５、正孔輸送層１３６
、発光層１１０、電子輸送層１３７、電子注入層１３８、及び上部電極１２０は、各発光
素子でそれぞれ分離された状態で例示しているが、各発光素子で分離せずに共通して用い
ることができる。
また、図１において、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂは
、それぞれ、可視光を反射する機能を有する。また、上部電極１２０は、可視光を反射す
る機能と、可視光を透過する機能と、を有する。可視光を反射する機能を有する電極とし
ては、それぞれアルミニウムまたは銀を有する材料を用いることで、反射率を高めること
が可能となり、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１
Ｒ）からの発光効率を高くすることができる。
、それぞれ、可視光を反射する機能を有する。また、上部電極１２０は、可視光を反射す
る機能と、可視光を透過する機能と、を有する。可視光を反射する機能を有する電極とし
ては、それぞれアルミニウムまたは銀を有する材料を用いることで、反射率を高めること
が可能となり、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１
Ｒ）からの発光効率を高くすることができる。
また、発光素子１０１Ｒから光学素子１２４Ｒを介して射出される光１８１は、赤色を
呈する光となる波長領域を有する。また、発光素子１０１Ｇから光学素子１２４Ｇを介し
て射出される光１８２は、緑色を呈する光となる波長領域を有する。また、発光素子１０
１Ｂから光学素子１２４Ｂを介して射出される光１８３は、青色を呈する光となる波長領
域を有する。
呈する光となる波長領域を有する。また、発光素子１０１Ｇから光学素子１２４Ｇを介し
て射出される光１８２は、緑色を呈する光となる波長領域を有する。また、発光素子１０
１Ｂから光学素子１２４Ｂを介して射出される光１８３は、青色を呈する光となる波長領
域を有する。
別言すると、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、及び光学素子１２４Ｂは、入射さ
れる光から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。
れる光から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。
一例としては、光学素子１２４Ｒは、５７０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長の光の透過
率が５０％以上である領域を有する。また、光学素子１２４Ｇは、４８０ｎｍ以上５７０
ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有する。また、光学素子１２４Ｂ
は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有す
る。
率が５０％以上である領域を有する。また、光学素子１２４Ｇは、４８０ｎｍ以上５７０
ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有する。また、光学素子１２４Ｂ
は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長の光の透過率が５０％以上である領域を有し、
且つ、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下である領域を有す
る。
なお、図１において、各光学素子を介して各発光素子から射出される、赤色（Ｒ）を呈
する光、緑色（Ｇ）を呈する光、及び青色（Ｂ）を呈する光を、それぞれ破線の矢印で模
式的に表している。なお、後述する発光装置においても同様である。このように、図１に
示す発光装置１５０は、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反
対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）の構造である。ただし、本
発明の一態様はこれに限定されず、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１
０２側に取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または各発光素子が発
する光を発光素子が形成される基板１０２の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（
デュアルエミッション型ともいう）であってもよい。
する光、緑色（Ｇ）を呈する光、及び青色（Ｂ）を呈する光を、それぞれ破線の矢印で模
式的に表している。なお、後述する発光装置においても同様である。このように、図１に
示す発光装置１５０は、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反
対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）の構造である。ただし、本
発明の一態様はこれに限定されず、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１
０２側に取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または各発光素子が発
する光を発光素子が形成される基板１０２の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（
デュアルエミッション型ともいう）であってもよい。
また、光学素子１２４Ｒを介して射出される光１８１は、スペクトルにおいて６００ｎ
ｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有する。また、光学素子１２４Ｇを介し
て射出される光１８２は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に
第２の極大値を有する。また、光学素子１２４Ｂを介して射出される光１８３は、スペク
トルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、該第３の極大値
よりも長波長側に位置する第４の極大値と、を有する。
ｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有する。また、光学素子１２４Ｇを介し
て射出される光１８２は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に
第２の極大値を有する。また、光学素子１２４Ｂを介して射出される光１８３は、スペク
トルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、該第３の極大値
よりも長波長側に位置する第４の極大値と、を有する。
例えば、発光層１０８に、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいず
れか一つの発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に、緑色、黄緑色、黄色、
橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物
質を用いることで、上記の極大値を有する発光スペクトルを呈する各発光素子を形成する
ことができる。一例としては、発光層１０８に、青色の発光を呈する第１の発光物質を用
い、発光層１１０に黄色の発光を呈する第２の発光物質を用いると好適である。
れか一つの発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に、緑色、黄緑色、黄色、
橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物
質を用いることで、上記の極大値を有する発光スペクトルを呈する各発光素子を形成する
ことができる。一例としては、発光層１０８に、青色の発光を呈する第１の発光物質を用
い、発光層１１０に黄色の発光を呈する第２の発光物質を用いると好適である。
このように、発光装置１５０は、発光層１０８の発光スペクトルと、発光層１１０の発
光スペクトルと、を調整することで単色光に近い発光を得ることが可能である。また、発
光層１０８の発光スペクトルと、発光層１１０の発光スペクトルとを調整することで、白
色発光を得ることも可能である。
光スペクトルと、を調整することで単色光に近い発光を得ることが可能である。また、発
光層１０８の発光スペクトルと、発光層１１０の発光スペクトルとを調整することで、白
色発光を得ることも可能である。
さらに、発光装置１５０は、発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０
１Ｂは、それぞれマイクロキャビティ構造を有する。
１Ｂは、それぞれマイクロキャビティ構造を有する。
≪マイクロキャビティ構造≫
マイクロキャビティ構造について、以下に説明する。
マイクロキャビティ構造について、以下に説明する。
発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光は、一対の電極（例えば、下部電極
１０４Ｒと上部電極１２０）の間で共振される。発光装置１５０においては、各発光素子
で透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整する
ことで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めることができる
。なお、各発光素子で正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２のうち、少なくとも一つ
の膜厚を異ならせることで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を
強めてもよい。
１０４Ｒと上部電極１２０）の間で共振される。発光装置１５０においては、各発光素子
で透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整する
ことで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めることができる
。なお、各発光素子で正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２のうち、少なくとも一つ
の膜厚を異ならせることで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を
強めてもよい。
例えば、下部電極（下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂ）と
上部電極１２０の屈折率が発光層１０８または発光層１１０の屈折率よりも小さい場合に
おいては、透明導電膜１０６Ｒの膜厚を、下部電極１０４Ｒと上部電極１２０との間の光
学距離がｍＲλＲ／２（ｍＲは自然数を、λＲは発光素子１０１Ｒで強める光の波長を、
それぞれ表す）となるように調整する。また、透明導電膜１０６Ｇの膜厚を、下部電極１
０４Ｇと上部電極１２０との間の光学距離がｍＧλＧ／２（ｍＧは自然数を、λＧは発光
素子１０１Ｇで強める光の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。また、透明導
電膜１０６Ｂの膜厚を、下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離がｍＢλＢ
／２（ｍＢは自然数を、λＢは発光素子１０１Ｂで強める光の波長を、それぞれ表す）と
なるように調整する。
上部電極１２０の屈折率が発光層１０８または発光層１１０の屈折率よりも小さい場合に
おいては、透明導電膜１０６Ｒの膜厚を、下部電極１０４Ｒと上部電極１２０との間の光
学距離がｍＲλＲ／２（ｍＲは自然数を、λＲは発光素子１０１Ｒで強める光の波長を、
それぞれ表す）となるように調整する。また、透明導電膜１０６Ｇの膜厚を、下部電極１
０４Ｇと上部電極１２０との間の光学距離がｍＧλＧ／２（ｍＧは自然数を、λＧは発光
素子１０１Ｇで強める光の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。また、透明導
電膜１０６Ｂの膜厚を、下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離がｍＢλＢ
／２（ｍＢは自然数を、λＢは発光素子１０１Ｂで強める光の波長を、それぞれ表す）と
なるように調整する。
また、透明導電膜１０６Ｒの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｒと発光層１１０
との間の光学距離を３λＲ／４近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｇの膜
厚を調整することで、下部電極１０４Ｇと、発光層１１０との間の光学距離を３λＧ／４
近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、下部電極
１０４Ｂと、発光層１０８との間の光学距離を３λＢ／４近傍とすることができる。
との間の光学距離を３λＲ／４近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｇの膜
厚を調整することで、下部電極１０４Ｇと、発光層１１０との間の光学距離を３λＧ／４
近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、下部電極
１０４Ｂと、発光層１０８との間の光学距離を３λＢ／４近傍とすることができる。
上記構成を別言すると、透明導電膜１０６Ｂの膜厚としては、透明導電膜１０６Ｒ、透
明導電膜１０６Ｇの中で最も厚い構成とすることができる。
明導電膜１０６Ｇの中で最も厚い構成とすることができる。
また、上記光学距離とすることで、発光装置１５０においては、下部電極１０４Ｒと上
部電極１２０との間の光学距離が２λＲ／２（すなわちλＲ）、下部電極１０４Ｇと上部
電極１２０との間の光学距離が２λＧ／２（すなわちλＧ）、下部電極１０４Ｂと上部電
極１２０との間の光学距離が３λＢ／２（すなわち１．５λＢ）となる。
部電極１２０との間の光学距離が２λＲ／２（すなわちλＲ）、下部電極１０４Ｇと上部
電極１２０との間の光学距離が２λＧ／２（すなわちλＧ）、下部電極１０４Ｂと上部電
極１２０との間の光学距離が３λＢ／２（すなわち１．５λＢ）となる。
また、上記光学距離とすることで、下部電極１０４Ｂと発光層１０８との距離は、下部
電極１０４Ｒと発光層１０８との距離、及び下部電極１０４Ｇと発光層１０８との距離、
の中で最も長い構成とすることができる。
電極１０４Ｒと発光層１０８との距離、及び下部電極１０４Ｇと発光層１０８との距離、
の中で最も長い構成とすることができる。
なお、下部電極１０４Ｂと発光層１０８との間の光学距離がλＢ／４近傍の場合、下部
電極１０４Ｂの表面近傍での光の散乱または光の吸収により、光取出し効率が低下してし
まう。これは、一対の電極の一方に反射率の高い金属膜（例えば銀を含む金属膜など）を
用いると、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｌａｓｍｏｎ Ｒｅｓｏｎ
ａｎｃｅ）の影響により、反射率の高い金属膜の表面近傍で光の散乱または光の吸収が生
じ、光取出し効率が低下するためである。
電極１０４Ｂの表面近傍での光の散乱または光の吸収により、光取出し効率が低下してし
まう。これは、一対の電極の一方に反射率の高い金属膜（例えば銀を含む金属膜など）を
用いると、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｌａｓｍｏｎ Ｒｅｓｏｎ
ａｎｃｅ）の影響により、反射率の高い金属膜の表面近傍で光の散乱または光の吸収が生
じ、光取出し効率が低下するためである。
しかしながら、発光装置１５０においては、上述のように下部電極１０４Ｂと発光層１
０８との間の光学距離が３λＢ／４近傍であるため、下部電極１０４Ｂ近傍での光の散乱
または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。したがって、発光
素子１０１Ｂからは、発光層１０８から青色の光を効率よく取り出すことが可能となる。
０８との間の光学距離が３λＢ／４近傍であるため、下部電極１０４Ｂ近傍での光の散乱
または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。したがって、発光
素子１０１Ｂからは、発光層１０８から青色の光を効率よく取り出すことが可能となる。
なお、下部電極（下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂ）と、
上部電極１２０との間の光学距離は、厳密には、下部電極における反射領域から上部電極
１２０における反射領域までの距離と屈折率の積で表される。しかし、下部電極、及び上
部電極１２０における反射領域を厳密に決定することが困難である。そのため、下部電極
と上部電極１２０の任意の位置を反射領域と決定することで上述の効果を得ることができ
る。
上部電極１２０との間の光学距離は、厳密には、下部電極における反射領域から上部電極
１２０における反射領域までの距離と屈折率の積で表される。しかし、下部電極、及び上
部電極１２０における反射領域を厳密に決定することが困難である。そのため、下部電極
と上部電極１２０の任意の位置を反射領域と決定することで上述の効果を得ることができ
る。
すなわち、本明細書等において、λｚ近傍（ｚはＲ、Ｇ、Ｂを表す）とは、λｚに対し
、－２０ｎｍ以上＋２０ｎｍ以下である。
、－２０ｎｍ以上＋２０ｎｍ以下である。
同様に、下部電極と各発光層（発光層１０８または発光層１１０）との間の光学距離は
、厳密には、下部電極における反射領域から各発光層における発光領域までの距離と屈折
率の積で表される。しかし、下部電極における反射領域、及び各発光層における発光領域
を厳密に決定することが困難であるため、反射電極の任意の位置を反射領域とし、各発光
層の任意の位置を発光領域と決定することで上述の効果を得ることができる。
、厳密には、下部電極における反射領域から各発光層における発光領域までの距離と屈折
率の積で表される。しかし、下部電極における反射領域、及び各発光層における発光領域
を厳密に決定することが困難であるため、反射電極の任意の位置を反射領域とし、各発光
層の任意の位置を発光領域と決定することで上述の効果を得ることができる。
このように、図１に示す発光装置１５０においては、各発光素子の下部電極と、上部電
極との間の光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑制
し、高い光取出し効率を実現することができる。
極との間の光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑制
し、高い光取出し効率を実現することができる。
しかしながら、発光素子１０１Ｂにおいて、透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整すること
で、下部電極１０４Ｂと、発光層１０８との間の光学距離を３λＢ／４近傍とすることで
、下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離が、３λＢ／２近傍となる。この
時、他の発光素子、例えば発光素子１０１Ｒにおける下部電極１０４Ｒと上部電極１２０
との間の光学距離が２λＲ／２近傍であり、λＲがλＢのおよそ１．５倍である場合、発
光素子１０１Ｂにおける下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離と、発光素
子１０１Ｒにおける下部電極１０４Ｒと上部電極１２０との間の光学距離と、が同程度と
なる。この場合、発光素子１０１Ｂと発光素子１０１Ｒは共に発光層１０８及び発光層１
１０を有するため、発光素子１０１ＢからλＢ近傍の波長の発光とλＲ近傍の波長の発光
と、が同時に射出される。したがって、発光素子１０１ＢからλＢ近傍の第３の極大値と
λＢより長波長側に位置する第４の極大値とを有する光が射出されるが、λＢより長波長
側に位置する第４の極大値の強度が大きい場合、色純度の低下が生じる。
で、下部電極１０４Ｂと、発光層１０８との間の光学距離を３λＢ／４近傍とすることで
、下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離が、３λＢ／２近傍となる。この
時、他の発光素子、例えば発光素子１０１Ｒにおける下部電極１０４Ｒと上部電極１２０
との間の光学距離が２λＲ／２近傍であり、λＲがλＢのおよそ１．５倍である場合、発
光素子１０１Ｂにおける下部電極１０４Ｂと上部電極１２０との間の光学距離と、発光素
子１０１Ｒにおける下部電極１０４Ｒと上部電極１２０との間の光学距離と、が同程度と
なる。この場合、発光素子１０１Ｂと発光素子１０１Ｒは共に発光層１０８及び発光層１
１０を有するため、発光素子１０１ＢからλＢ近傍の波長の発光とλＲ近傍の波長の発光
と、が同時に射出される。したがって、発光素子１０１ＢからλＢ近傍の第３の極大値と
λＢより長波長側に位置する第４の極大値とを有する光が射出されるが、λＢより長波長
側に位置する第４の極大値の強度が大きい場合、色純度の低下が生じる。
なお、本発明の一態様の発光装置１５０においては、光学素子１２４Ｂを介して発光素
子１０１Ｂからの発光が射出されるため、光学素子１２４Ｂにおいて、λＢの波長領域の
光の透過率がλＲの波長領域の光の透過率よりも高くなるようにすることで、高い色純度
を得ることが可能となる。
子１０１Ｂからの発光が射出されるため、光学素子１２４Ｂにおいて、λＢの波長領域の
光の透過率がλＲの波長領域の光の透過率よりも高くなるようにすることで、高い色純度
を得ることが可能となる。
また、発光素子から射出される光は、正面方向と斜め方向とで発光スペクトルや発光色
が変化する。これは、正面方向と斜め方向とでマイクロキャビティ構造における共振波長
が変化するためである。つまり発光スペクトルや色度における視野角依存性が生じる。こ
の原因について、図２を用いて説明する。
が変化する。これは、正面方向と斜め方向とでマイクロキャビティ構造における共振波長
が変化するためである。つまり発光スペクトルや色度における視野角依存性が生じる。こ
の原因について、図２を用いて説明する。
≪発光スペクトル及び色度における視野角依存性について≫
図２において、発光素子１０１Ｂを例に説明する。発光素子１０１Ｂにおいてマイクロ
キャビティ構造を設ける場合、発光面の正面方向において共振する波数ベクトルをｋ１と
する。この時、斜め方向において共振する波数ベクトルｋ２は、以下の数式（１）で表す
ことができる。
図２において、発光素子１０１Ｂを例に説明する。発光素子１０１Ｂにおいてマイクロ
キャビティ構造を設ける場合、発光面の正面方向において共振する波数ベクトルをｋ１と
する。この時、斜め方向において共振する波数ベクトルｋ２は、以下の数式（１）で表す
ことができる。
なお、数式（１）において、θ２は発光素子内部での光の伝搬方向における、発光素子
の発光面の法線ベクトルからの角度を表す。
の発光面の法線ベクトルからの角度を表す。
また、屈折率の異なる媒体間に光が伝搬する時はスネルの法則より、以下の数式（２）
が成り立つ。
が成り立つ。
なお、数式（２）において、θ１は外部に射出される光における発光素子の発光面の法
線ベクトルからの角度を、ｎ０は発光素子外部の媒体の屈折率を、ｎＢは下部電極１０４
Ｂと上部電極１２０との間の媒体（ＥＬ層と透明導電膜１０６Ｂ）の屈折率を、それぞれ
表す。
線ベクトルからの角度を、ｎ０は発光素子外部の媒体の屈折率を、ｎＢは下部電極１０４
Ｂと上部電極１２０との間の媒体（ＥＬ層と透明導電膜１０６Ｂ）の屈折率を、それぞれ
表す。
また、発光面の正面方向において共振する波数ベクトルｋ１は、発光素子の波長を用い
て、以下の数式（３）で表すことができる。
て、以下の数式（３）で表すことができる。
数式（３）において、λＢは発光面の正面方向において共振する光の波長を表す。
数式（１）乃至数式（３）より、斜め方向における共振波長は、以下の数式（４）で表
すことができる。
すことができる。
数式（４）より、発光面の正面方向（θ１＝０°）よりも、発光面の斜め方向（θ１＞
０°）の方が共振波長は小さくなり、θ１が大きくなるほど共振波長は小さくなる。
０°）の方が共振波長は小さくなり、θ１が大きくなるほど共振波長は小さくなる。
このように、斜め方向と正面方向とで、発光スペクトルや発光色が変化するため、正面
方向において、所望の発光スペクトルや発光色が得られているとしても、色度の視野角依
存性が生じる場合がある。
方向において、所望の発光スペクトルや発光色が得られているとしても、色度の視野角依
存性が生じる場合がある。
ここで、発光素子の発光スペクトルの視野角依存性、または色度の視野角依存性につい
て、図３乃至図５並びに表１及び表２を用いて説明する。
て、図３乃至図５並びに表１及び表２を用いて説明する。
図３は、図１に示す発光素子１０１Ｂに相当する発光素子を作製し、該発光素子の法線
ベクトルに対し、０°、１０°、３０°、５０°、及び７０°の電界発光スペクトルを測
定した図である。
ベクトルに対し、０°、１０°、３０°、５０°、及び７０°の電界発光スペクトルを測
定した図である。
また、図３に示す電界発光スペクトルを測定した発光素子に用いた化合物の構造と略称
、及び発光素子の構成を以下に示す。
、及び発光素子の構成を以下に示す。
≪発光スペクトルを測定した発光素子の構成≫
下部電極１０４Ｂとしては、銀とパラジウムと銅との合金膜（略称：ＡＰＣ膜）を、厚
さ１００ｎｍになるように形成した。また、透明導電膜１０６Ｂとしては、酸化珪素を含
むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）膜を、厚さ６０ｎｍになるように形成した。
下部電極１０４Ｂとしては、銀とパラジウムと銅との合金膜（略称：ＡＰＣ膜）を、厚
さ１００ｎｍになるように形成した。また、透明導電膜１０６Ｂとしては、酸化珪素を含
むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）膜を、厚さ６０ｎｍになるように形成した。
また、正孔注入層１３１としては、３－［４－（９－フェナントリル）－フェニル］－
９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）と酸化モリブデン（ＭｏＯ３）
を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが７０ｎｍになるよう
に共蒸着した。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に
蒸発させる蒸着法である。また、正孔輸送層１３２としては、ＰＣＰＰｎを厚さが１０ｎ
ｍになるように蒸着した。
９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）と酸化モリブデン（ＭｏＯ３）
を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが７０ｎｍになるよう
に共蒸着した。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に
蒸発させる蒸着法である。また、正孔輸送層１３２としては、ＰＣＰＰｎを厚さが１０ｎ
ｍになるように蒸着した。
また、発光層１０８としては、７－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニ
ル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、およびＮ，
Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フル
オレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰ
ＡＰｒｎ）を重量比（ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）が１：０．０
５になるよう、且つ厚さが２５ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層１０８におい
て、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎが蛍光材料（
ゲスト材料）である。
ル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、およびＮ，
Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フル
オレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰ
ＡＰｒｎ）を重量比（ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）が１：０．０
５になるよう、且つ厚さが２５ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層１０８におい
て、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎが蛍光材料（
ゲスト材料）である。
なお、発光層１０８に上述の材料を用いることで、蛍光材料からの発光を効率よく得る
ことが可能となる。詳細については、実施の形態２にて説明する。
ことが可能となる。詳細については、実施の形態２にて説明する。
また、発光層１０８上に、電子輸送層１３３として、ｃｇＤＢＣｚＰＡとバソフェナン
トロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）とをそれぞれ厚さが５ｎｍ、１５ｎｍになるよう蒸着した
。次に、電子注入層１３４として、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）と銅フタロシアニン（略称
：ＣｕＰｃ）とを、それぞれ厚さが０．１ｎｍ、２ｎｍとなるよう蒸着した。次に、正孔
注入層１３５を兼ねる電荷発生層１１６として、１，３，５－トリ（ジベンゾチオフェン
－４－イル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）とＭｏＯ３とを重量比（ＤＢＴ３Ｐ－
ＩＩ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ膜厚が１２．５ｎｍになるよう共蒸着した。
次に、正孔輸送層１３６として、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－
イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を、厚さが２０ｎｍになるよう蒸着し
た。
トロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）とをそれぞれ厚さが５ｎｍ、１５ｎｍになるよう蒸着した
。次に、電子注入層１３４として、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）と銅フタロシアニン（略称
：ＣｕＰｃ）とを、それぞれ厚さが０．１ｎｍ、２ｎｍとなるよう蒸着した。次に、正孔
注入層１３５を兼ねる電荷発生層１１６として、１，３，５－トリ（ジベンゾチオフェン
－４－イル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）とＭｏＯ３とを重量比（ＤＢＴ３Ｐ－
ＩＩ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ膜厚が１２．５ｎｍになるよう共蒸着した。
次に、正孔輸送層１３６として、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－
イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を、厚さが２０ｎｍになるよう蒸着し
た。
また、発光層１１０としては、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェ
ニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ
）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フ
ェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（
略称：ＰＣＢＢｉＦ）、および（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メ
チルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（別名：ビス｛２－
［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κ
Ｃ｝（２，４－ペンタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ））（略称：Ｉｒ
（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉ
Ｆ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））が０．８：０．２：０．０６になるよう、且
つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層１１０において、２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ－ＩＩが第１の有機化合物（ホスト材料）であり、ＰＣＢＢｉＦが第２の有機化
合物（アシスト材料）であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト
材料）である。
ニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ
）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フ
ェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（
略称：ＰＣＢＢｉＦ）、および（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メ
チルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（別名：ビス｛２－
［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κ
Ｃ｝（２，４－ペンタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ））（略称：Ｉｒ
（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉ
Ｆ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））が０．８：０．２：０．０６になるよう、且
つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層１１０において、２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ－ＩＩが第１の有機化合物（ホスト材料）であり、ＰＣＢＢｉＦが第２の有機化
合物（アシスト材料）であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が燐光材料（ゲスト
材料）である。
なお、発光層１１０に上述の材料を用いることで、燐光材料からの発光を効率よく得る
ことが可能となり、さらに駆動電圧を低減することができる。詳細については、実施の形
態２にて説明する。
ことが可能となり、さらに駆動電圧を低減することができる。詳細については、実施の形
態２にて説明する。
また、電子輸送層１３７としては、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩと、Ｂｐｈｅｎとを、
それぞれ厚さが１５ｎｍになるように順次蒸着した。また、電子注入層１３８としては、
フッ化リチウム（ＬｉＦ）を厚さが１ｎｍになるように蒸着した。
それぞれ厚さが１５ｎｍになるように順次蒸着した。また、電子注入層１３８としては、
フッ化リチウム（ＬｉＦ）を厚さが１ｎｍになるように蒸着した。
また、上部電極１２０としては、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）の合金を体積比（
Ａｇ：Ｍｇ）が０．５：０．０５、厚さが１５ｎｍになるように共蒸着し、その後、ＩＴ
Ｏ膜を厚さが７０ｎｍとなるように形成した。
Ａｇ：Ｍｇ）が０．５：０．０５、厚さが１５ｎｍになるように共蒸着し、その後、ＩＴ
Ｏ膜を厚さが７０ｎｍとなるように形成した。
以上が図３に示す、電界発光スペクトルを測定した発光素子の構成である。素子構成の
詳細を表１に示す。
詳細を表１に示す。
図３に示すように、発光素子１０１Ｂの電界発光スペクトルにおいては、第３の極大値
に加えて、第３の極大値より長波長側に位置する第４の極大値を有している。これは、第
３の極大値の１．５倍の波長近傍においても光の強度を強めることができる光学距離とな
るためである。また、正面方向（０°）における第４の極大値と比べて、斜め方向（１０
°、３０°、５０°、及び７０°）における第４の極大値が短波長化している。これは、
既に説明したように、マイクロキャビティ構造における共振波長が斜め方向では小さくな
るためである。
に加えて、第３の極大値より長波長側に位置する第４の極大値を有している。これは、第
３の極大値の１．５倍の波長近傍においても光の強度を強めることができる光学距離とな
るためである。また、正面方向（０°）における第４の極大値と比べて、斜め方向（１０
°、３０°、５０°、及び７０°）における第４の極大値が短波長化している。これは、
既に説明したように、マイクロキャビティ構造における共振波長が斜め方向では小さくな
るためである。
そこで、斜め方向における第４の極大値の強度を低減するために、光学素子１２４Ｂの
位置に、着色層（いわゆるカラーフィルタ）を設ける構成について考える。図４に基板１
２２上の該着色層の透過率を測定した結果を示す。また、図５に、表１に示す発光素子と
、図４に示す透過率を有する着色層と、を有する発光装置から射出された発光スペクトル
を測定した結果を示す。なお、図５に示す電界発光スペクトルは、上記着色層を介して射
出されており、発光素子の法線ベクトルに対して、０°、１０°、３０°、５０°、及び
７０°で測定した結果である。また、図５に示す電界発光スペクトルの第３の極大値の波
長および第４の極大値の波長等を表２に示す。
位置に、着色層（いわゆるカラーフィルタ）を設ける構成について考える。図４に基板１
２２上の該着色層の透過率を測定した結果を示す。また、図５に、表１に示す発光素子と
、図４に示す透過率を有する着色層と、を有する発光装置から射出された発光スペクトル
を測定した結果を示す。なお、図５に示す電界発光スペクトルは、上記着色層を介して射
出されており、発光素子の法線ベクトルに対して、０°、１０°、３０°、５０°、及び
７０°で測定した結果である。また、図５に示す電界発光スペクトルの第３の極大値の波
長および第４の極大値の波長等を表２に示す。
図３、図５及び表２に示すように、図４に示す透過率を有する着色層を設けることで、
発光素子から射出される発光と比較して、着色層を介して射出される発光素子からの発光
は、正面方向（０°）の第４の極大値の強度が大きく低減している。一方で、斜め方向（
１０°、３０°、５０°、及び７０°）の第４の極大値、とくに５０°及び７０°の第４
の極大値の強度が十分には低減されていない。すなわち、第４の極大値が斜め方向で短波
長化するために、十分な性能を有さない光学素子（例えば、図４に示す透過率特性の着色
層）を有する場合においては、第４の極大値の強度を十分に低減することが困難な場合が
ある。
発光素子から射出される発光と比較して、着色層を介して射出される発光素子からの発光
は、正面方向（０°）の第４の極大値の強度が大きく低減している。一方で、斜め方向（
１０°、３０°、５０°、及び７０°）の第４の極大値、とくに５０°及び７０°の第４
の極大値の強度が十分には低減されていない。すなわち、第４の極大値が斜め方向で短波
長化するために、十分な性能を有さない光学素子（例えば、図４に示す透過率特性の着色
層）を有する場合においては、第４の極大値の強度を十分に低減することが困難な場合が
ある。
図５及び表２に示すように、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比が大きく変化
すると（具体的には、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比が１５％を超えると）
、色度の視野角依存性が生じてしまう。なお、表２に示すように、発光素子の法線ベクト
ルから０°、１０°、及び３０°においては、第３の極大値よりも長波長側に位置する、
第４の極大値を複数有する場合がある。第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の
極大値を複数有する場合においては、第３の極大値に対する、最大値の第４の極大値の強
度比が１５％を超えると、色度の視野角依存性が生じてしまう。
すると（具体的には、第３の極大値に対する第４の極大値の強度比が１５％を超えると）
、色度の視野角依存性が生じてしまう。なお、表２に示すように、発光素子の法線ベクト
ルから０°、１０°、及び３０°においては、第３の極大値よりも長波長側に位置する、
第４の極大値を複数有する場合がある。第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の
極大値を複数有する場合においては、第３の極大値に対する、最大値の第４の極大値の強
度比が１５％を超えると、色度の視野角依存性が生じてしまう。
しかしながら、本発明の一態様の発光装置１５０においては、光学素子１２４Ｂが光学
特性の一つとして、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下であ
る領域を有することで、光学素子１２４Ｂを介して射出される光１８３は、光学素子１２
４Ｂの法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲の第３の極大値に対する、第４の極
大値の強度比を、１５％以下とすることができる。したがって、色度の視野角依存性が低
い発光装置とすることができる。また、より好ましくは第３の極大値に対する、第４の極
大値の強度比を、１０％以下とすることができる。さらに、より好ましくは、第３の極大
値に対する、第４の極大値の強度比を、３％以下とすることができる。
特性の一つとして、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が２０％以下であ
る領域を有することで、光学素子１２４Ｂを介して射出される光１８３は、光学素子１２
４Ｂの法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲の第３の極大値に対する、第４の極
大値の強度比を、１５％以下とすることができる。したがって、色度の視野角依存性が低
い発光装置とすることができる。また、より好ましくは第３の極大値に対する、第４の極
大値の強度比を、１０％以下とすることができる。さらに、より好ましくは、第３の極大
値に対する、第４の極大値の強度比を、３％以下とすることができる。
以上のように、本発明の一態様の発光装置においては、各発光素子の下部電極と、上部
電極との間の光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑
制し、高い光取出し効率を実現することができる。また、各発光素子、とくに青色の光を
呈する発光素子に対して、特定の波長の強度を低減する光学素子を設けることで、色度の
視野角依存性が低減された発光装置を実現できる。したがって、発光効率が高く、消費電
力が低減され、且つ視野角依存性が低減された新規な発光装置を提供することができる。
電極との間の光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑
制し、高い光取出し効率を実現することができる。また、各発光素子、とくに青色の光を
呈する発光素子に対して、特定の波長の強度を低減する光学素子を設けることで、色度の
視野角依存性が低減された発光装置を実現できる。したがって、発光効率が高く、消費電
力が低減され、且つ視野角依存性が低減された新規な発光装置を提供することができる。
＜発光装置の構成例２＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図６を用いて、以下説明を
行う。
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図６を用いて、以下説明を
行う。
図６は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図６において、
図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略
する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明
は省略する場合がある。
図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略
する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明
は省略する場合がある。
図６に示す発光装置１５２は、図１に示す発光装置１５０と、各発光素子（発光素子１
０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具
体的には、発光層１１０と、上部電極１２０との間に、さらに、発光層１１２を有する。
０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具
体的には、発光層１１０と、上部電極１２０との間に、さらに、発光層１１２を有する。
発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくとも
いずれか一つの発光を呈する第３の発光物質を有する。なお、発光層１１０と、発光層１
１２との、発光色を異ならせると好ましい。発光装置１５２においては、発光層１０８に
、青色の発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に緑色の発光を呈する第２の
発光物質を用い、発光層１１２に赤色の発光を呈する第３の発光物質を用いると好適であ
る。
いずれか一つの発光を呈する第３の発光物質を有する。なお、発光層１１０と、発光層１
１２との、発光色を異ならせると好ましい。発光装置１５２においては、発光層１０８に
、青色の発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に緑色の発光を呈する第２の
発光物質を用い、発光層１１２に赤色の発光を呈する第３の発光物質を用いると好適であ
る。
上記のように、ＥＬ層に３つの発光層（発光層１０８、発光層１１０、発光層１１２）
を設けると各発光素子の色純度を高めることができる。ただし、発光層１１２を設けるこ
とで、ＥＬ層の層数が増加するため、ＥＬ層の層数を削減したい場合においては、図１に
示す発光装置１５０の構成の方が好適である。その他の構成については、図１に示す発光
装置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
を設けると各発光素子の色純度を高めることができる。ただし、発光層１１２を設けるこ
とで、ＥＬ層の層数が増加するため、ＥＬ層の層数を削減したい場合においては、図１に
示す発光装置１５０の構成の方が好適である。その他の構成については、図１に示す発光
装置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例３＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図７を用いて、以下説明を
行う。
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図７を用いて、以下説明を
行う。
図７は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図７において、
図１及び図６に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符
号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳
細な説明は省略する場合がある。
図１及び図６に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符
号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳
細な説明は省略する場合がある。
図７に示す発光装置１５４は、図１に示す発光装置１５０に、さらに隔壁１４０と、遮
光層１２３とを有する。その他の構成については、図１に示す発光装置１５０と同様であ
り、同様の効果を奏する。
光層１２３とを有する。その他の構成については、図１に示す発光装置１５０と同様であ
り、同様の効果を奏する。
隔壁１４０は、絶縁性を有する。また、隔壁１４０は、各発光素子の下部電極（下部電
極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂ）と、透明導電膜（透明導電膜１
０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｂ）との端部を覆い、該下部電極と
重畳する開口部を有する。隔壁１４０を設けることによって、各発光素子の下部電極、及
び各発光素子の透明導電膜を、それぞれ島状に分離することが可能となる。
極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂ）と、透明導電膜（透明導電膜１
０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｂ）との端部を覆い、該下部電極と
重畳する開口部を有する。隔壁１４０を設けることによって、各発光素子の下部電極、及
び各発光素子の透明導電膜を、それぞれ島状に分離することが可能となる。
また、遮光層１２３は、隣接する発光素子からの光を遮光する機能を有する。なお、遮
光層１２３を設けない構成としてもよい。
光層１２３を設けない構成としてもよい。
＜発光装置の構成例４＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図８を用いて、以下説明を
行う。
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図８を用いて、以下説明を
行う。
図８は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図８において、
図１乃至図７に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符
号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳
細な説明は省略する場合がある。
図１乃至図７に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符
号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳
細な説明は省略する場合がある。
図８に示す発光装置１５６は、図１に示す発光装置１５０と、各発光素子（発光素子１
０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具
体的には、図８に示す発光装置１５６の各発光素子は、発光層１０８と、発光層１１０と
の間に、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、電荷発生層１１６、正孔注入層１３５、
及び正孔輸送層１３６を設けない構成である。図８に示すように、発光層１０８と、発光
層１１０とを互いに接して設ける構成とすることで、ＥＬ層の層数を減らすことが可能と
なるため、製造コストを抑制することができる。なお、図８においては、図示しないが、
発光層１０８と、発光層１１０との間に、発光材料を含まないバッファー層（分離層また
はセパレート層ともいう）を設けてもよい。その他の構成については、図１に示す発光装
置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）が有するＥＬ層の構成が異なる。具
体的には、図８に示す発光装置１５６の各発光素子は、発光層１０８と、発光層１１０と
の間に、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、電荷発生層１１６、正孔注入層１３５、
及び正孔輸送層１３６を設けない構成である。図８に示すように、発光層１０８と、発光
層１１０とを互いに接して設ける構成とすることで、ＥＬ層の層数を減らすことが可能と
なるため、製造コストを抑制することができる。なお、図８においては、図示しないが、
発光層１０８と、発光層１１０との間に、発光材料を含まないバッファー層（分離層また
はセパレート層ともいう）を設けてもよい。その他の構成については、図１に示す発光装
置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例５＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図９を用いて、以下説明を
行う。
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図９を用いて、以下説明を
行う。
図９は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図９において、
図１乃至図８に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符
号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳
細な説明は省略する場合がある。
図１乃至図８に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符
号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳
細な説明は省略する場合がある。
図９に示す発光装置１５８は、図８に示す発光装置１５６が有する光学素子１２４Ｇを
有さない構成である。光学素子１２４Ｇを有さない構成とすることで、発光素子１０１Ｇ
から射出される光が直接外部に取り出す構成とすることができるため、消費電力を低くす
ることができる。ただし、色純度を向上させる場合、または外光反射を抑制させる場合に
おいては、図８に示す発光装置１５６のように、光学素子１２４Ｇを設ける構成の方が、
好適である。その他の構成については、図８に示す発光装置１５６と同様であり、同様の
効果を奏する。
有さない構成である。光学素子１２４Ｇを有さない構成とすることで、発光素子１０１Ｇ
から射出される光が直接外部に取り出す構成とすることができるため、消費電力を低くす
ることができる。ただし、色純度を向上させる場合、または外光反射を抑制させる場合に
おいては、図８に示す発光装置１５６のように、光学素子１２４Ｇを設ける構成の方が、
好適である。その他の構成については、図８に示す発光装置１５６と同様であり、同様の
効果を奏する。
＜発光装置の構成例６＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図１０を用いて、以下説明
を行う。
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図１０を用いて、以下説明
を行う。
図１０は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１０におい
て、図１乃至図９に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし
、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、そ
の詳細な説明は省略する場合がある。
て、図１乃至図９に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし
、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、そ
の詳細な説明は省略する場合がある。
図１０に示す発光装置１６０は、図８に示す発光装置１５６と、各発光素子（発光素子
１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）が有するＥＬ層の構成が異なる。
具体的には、発光層１１０と、電子輸送層１３７との間に、さらに発光層１１２を有する
。発光層１１２としては、先に示す発光装置１５２の発光層１１２と同様である。その他
の構成については、図８に示す発光装置１５６と同様であり、同様の効果を奏する。
１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、及び発光素子１０１Ｂ）が有するＥＬ層の構成が異なる。
具体的には、発光層１１０と、電子輸送層１３７との間に、さらに発光層１１２を有する
。発光層１１２としては、先に示す発光装置１５２の発光層１１２と同様である。その他
の構成については、図８に示す発光装置１５６と同様であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例７＞
図１、及び図６乃至図１０においては、トップエミッション型の発光装置について例示
したが、図１１乃至図１４に示すように、ボトムエミッション型の発光装置としてもよい
。
図１、及び図６乃至図１０においては、トップエミッション型の発光装置について例示
したが、図１１乃至図１４に示すように、ボトムエミッション型の発光装置としてもよい
。
図１１は図１に示す発光装置１５０の変形例である、発光装置１５０Ｂの断面図である
。また、図１２は図６に示す発光装置１５２の変形例である、発光装置１５２Ｂの断面図
である。また、図１３は図８に示す発光装置１５６の変形例である、発光装置１５６Ｂの
断面図である。また、図１４は図１０に示す発光装置１６０の変形例である、発光装置１
６０Ｂの断面図である。
。また、図１２は図６に示す発光装置１５２の変形例である、発光装置１５２Ｂの断面図
である。また、図１３は図８に示す発光装置１５６の変形例である、発光装置１５６Ｂの
断面図である。また、図１４は図１０に示す発光装置１６０の変形例である、発光装置１
６０Ｂの断面図である。
なお、図１１乃至図１４に示す、ボトムエミッション型の発光装置とする場合、各発光
素子が有する、下部電極と上部電極の構成を以下のようにすればよい。
素子が有する、下部電極と上部電極の構成を以下のようにすればよい。
例えば、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、及び下部電極１０４Ｂは、可視光を反
射する機能と、可視光を透過する機能と、を有する。また、上部電極１２０は、可視光を
反射する機能を有する。
射する機能と、可視光を透過する機能と、を有する。また、上部電極１２０は、可視光を
反射する機能を有する。
すなわち、先に説明したトップエミッション型の発光装置の上部電極と下部電極の構成
を入れ替えることで、ボトムエミッション型の発光装置とすることができる。なお、図面
において、図示しないが、ＥＬ層の積層順についても、トップエミッション型とボトムエ
ミッション型で逆にしてもよい。
を入れ替えることで、ボトムエミッション型の発光装置とすることができる。なお、図面
において、図示しないが、ＥＬ層の積層順についても、トップエミッション型とボトムエ
ミッション型で逆にしてもよい。
＜発光装置の構成例８＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図１５を用いて、以下説明
を行う。
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図１５を用いて、以下説明
を行う。
図１５は、本発明の一態様の発光装置を示す断面図である。なお、図１５において、図
１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略す
る場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は
省略する場合がある。
１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略す
る場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は
省略する場合がある。
図１５に示す発光装置１７０は、発光素子１０１Ｒと、発光素子１０１Ｇと、発光素子
１０１Ｂと、発光素子１０１Ｙと、光学素子１２４Ｒと、光学素子１２４Ｇと、光学素子
１２４Ｂと、光学素子１２４Ｙと、を有する。なお、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発
光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）は、基板１０２の上方に設
けられ、各光学素子（光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光
学素子１２４Ｙ）は、基板１２２の下方に設けられる。
１０１Ｂと、発光素子１０１Ｙと、光学素子１２４Ｒと、光学素子１２４Ｇと、光学素子
１２４Ｂと、光学素子１２４Ｙと、を有する。なお、各発光素子（発光素子１０１Ｒ、発
光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）は、基板１０２の上方に設
けられ、各光学素子（光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光
学素子１２４Ｙ）は、基板１２２の下方に設けられる。
また、発光素子１０１Ｙは、下部電極１０４Ｙと、下部電極１０４Ｙ上の透明導電膜１
０６Ｙと、透明導電膜１０６Ｙ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、
発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。
０６Ｙと、透明導電膜１０６Ｙ上の発光層１０８と、発光層１０８上の発光層１１０と、
発光層１１０上の上部電極１２０と、を有する。
また、発光装置１７０においては、各透明導電膜（透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１
０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ）と発光層１０８との間に、正孔
注入層１３１と、正孔輸送層１３２と、を有する。また、発光層１０８と発光層１１０と
の間に、電子輸送層１３３と、電子注入層１３４と、電荷発生層１１６と、正孔注入層１
３５と、正孔輸送層１３６と、を有する。また、発光層１１０と上部電極１２０との間に
電子輸送層１３７と、電子注入層１３８と、を有する。
０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ）と発光層１０８との間に、正孔
注入層１３１と、正孔輸送層１３２と、を有する。また、発光層１０８と発光層１１０と
の間に、電子輸送層１３３と、電子注入層１３４と、電荷発生層１１６と、正孔注入層１
３５と、正孔輸送層１３６と、を有する。また、発光層１１０と上部電極１２０との間に
電子輸送層１３７と、電子注入層１３８と、を有する。
また、下部電極１０４Ｙは、可視光を反射する機能を有する。下部電極１０４Ｙとして
は、アルミニウムまたは銀を有する材料を用いることで、反射率を高めることが可能とな
り、発光素子からの発光効率を高くすることができる。
は、アルミニウムまたは銀を有する材料を用いることで、反射率を高めることが可能とな
り、発光素子からの発光効率を高くすることができる。
また、発光素子１０１Ｙから光学素子１２４Ｙを介して射出される光１８４は、黄色を
呈する光となる波長領域を有する。
呈する光となる波長領域を有する。
別言すると、光学素子１２４Ｙは、入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透
過する機能を有する。
過する機能を有する。
例えば、光学素子１２４Ｙは、５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長の光の透過率が５
０％以上である領域を有する。
０％以上である領域を有する。
なお、図１５において、各光学素子を介して各発光素子からの射出される、赤色（Ｒ）
を呈する光、緑色（Ｇ）を呈する光、青色（Ｂ）を呈する光、及び黄色（Ｙ）を呈する光
を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している。なお、後述する発光装置においても同様
である。このように、図１５に示す発光装置１７０は、各発光素子が発する光を発光素子
が形成される基板１０２とは反対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともい
う）の構造である。
を呈する光、緑色（Ｇ）を呈する光、青色（Ｂ）を呈する光、及び黄色（Ｙ）を呈する光
を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している。なお、後述する発光装置においても同様
である。このように、図１５に示す発光装置１７０は、各発光素子が発する光を発光素子
が形成される基板１０２とは反対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともい
う）の構造である。
また、光学素子１２４Ｙを介して射出される光１８４は、スペクトルにおいて５５０ｎ
ｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有する。
ｍ以上６００ｎｍ未満の波長域に第５の極大値を有する。
さらに、発光装置１７０は、発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ
、及び発光素子１０１Ｙは、それぞれマイクロキャビティ構造を有する。
、及び発光素子１０１Ｙは、それぞれマイクロキャビティ構造を有する。
すなわち、発光装置１７０においては、各発光素子で透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜
１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、発光
層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めることができる。なお、各発
光素子で正孔注入層１３１および正孔輸送層１３２のうち少なくとも一つの膜厚を異なら
せることで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めてもよい。
１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、発光
層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めることができる。なお、各発
光素子で正孔注入層１３１および正孔輸送層１３２のうち少なくとも一つの膜厚を異なら
せることで、発光層１０８、及び発光層１１０から射出される光の強度を強めてもよい。
例えば、下部電極１０４Ｙと上部電極１２０の屈折率が発光層１０８または発光層１１
０の屈折率よりも小さい場合においては、透明導電膜１０６Ｙの膜厚を、下部電極１０４
Ｙと上部電極１２０との間の光学距離がｍＹλＹ／２（ｍＹは自然数を、λＹは発光素子
１０１Ｙで強める光の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。
０の屈折率よりも小さい場合においては、透明導電膜１０６Ｙの膜厚を、下部電極１０４
Ｙと上部電極１２０との間の光学距離がｍＹλＹ／２（ｍＹは自然数を、λＹは発光素子
１０１Ｙで強める光の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。
また、透明導電膜１０６Ｒの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｒと発光層１１０
との間の光学距離を３λＲ／４近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｇの膜
厚を調整することで、下部電極１０４Ｇと発光層１１０との間の光学距離を３λＧ／４近
傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、下部電極１
０４Ｂと発光層１０８との間の光学距離を３λＢ／４近傍とすることができる。また、透
明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｙと発光層１１０との間の光
学距離を３λＹ／４近傍とすることができる。
との間の光学距離を３λＲ／４近傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｇの膜
厚を調整することで、下部電極１０４Ｇと発光層１１０との間の光学距離を３λＧ／４近
傍とすることができる。また、透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、下部電極１
０４Ｂと発光層１０８との間の光学距離を３λＢ／４近傍とすることができる。また、透
明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、下部電極１０４Ｙと発光層１１０との間の光
学距離を３λＹ／４近傍とすることができる。
上記構成を別言すると、透明導電膜１０６Ｂの膜厚としては、透明導電膜１０６Ｒ、透
明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｙの中で最も厚い構成とすることができる。
明導電膜１０６Ｇ、及び透明導電膜１０６Ｙの中で最も厚い構成とすることができる。
また、上記光学距離とすることで、発光装置１７０においては、下部電極１０４Ｒと上
部電極１２０との間の光学距離が２λＲ／２（すなわちλＲ）、下部電極１０４Ｇと上部
電極１２０との間の光学距離が２λＧ／２（すなわちλＧ）、下部電極１０４Ｂと上部電
極１２０との間の光学距離が３λＢ／２（すなわち１．５λＢ）、下部電極１０４Ｙと上
部電極１２０との間の光学距離が２λＹ／２（すなわちλＹ）となる。
部電極１２０との間の光学距離が２λＲ／２（すなわちλＲ）、下部電極１０４Ｇと上部
電極１２０との間の光学距離が２λＧ／２（すなわちλＧ）、下部電極１０４Ｂと上部電
極１２０との間の光学距離が３λＢ／２（すなわち１．５λＢ）、下部電極１０４Ｙと上
部電極１２０との間の光学距離が２λＹ／２（すなわちλＹ）となる。
また、上記光学距離とすることで、下部電極１０４Ｂと発光層１０８との距離は、下部
電極１０４Ｒと発光層１０８との距離、下部電極１０４Ｇと発光層１０８との距離、及び
下部電極１０４Ｙと発光層１０８との距離、の中で最も長い構成とすることができる。
電極１０４Ｒと発光層１０８との距離、下部電極１０４Ｇと発光層１０８との距離、及び
下部電極１０４Ｙと発光層１０８との距離、の中で最も長い構成とすることができる。
なお、下部電極１０４Ｙと、上部電極１２０との間の光学距離は、厳密には、下部電極
１０４Ｙにおける反射領域から上部電極１２０における反射領域までの距離と屈折率の積
で表される。しかし、下部電極１０４Ｙ、及び上部電極１２０における反射領域を厳密に
決定することが困難である。そのため、下部電極１０４Ｙと上部電極１２０の任意の位置
を反射領域と決定することで上述の効果を得ることができる。
１０４Ｙにおける反射領域から上部電極１２０における反射領域までの距離と屈折率の積
で表される。しかし、下部電極１０４Ｙ、及び上部電極１２０における反射領域を厳密に
決定することが困難である。そのため、下部電極１０４Ｙと上部電極１２０の任意の位置
を反射領域と決定することで上述の効果を得ることができる。
すなわち、本明細書等において、λＹ近傍とは、λＹに対し、－２０ｎｍ以上＋２０ｎ
ｍ以下である。
ｍ以下である。
このように、図１５に示す発光装置１７０においては、各発光素子の下部電極と、上部
電極との間の光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑
制し、高い光取出し効率を実現することができる。その他の構成については、図１に示す
発光装置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
電極との間の光学距離を調整することで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑
制し、高い光取出し効率を実現することができる。その他の構成については、図１に示す
発光装置１５０と同様であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例９＞
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図１６を用いて、以下説
明を行う。
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図１６を用いて、以下説
明を行う。
図１６は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１６におい
て、図１５に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号
を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細
な説明は省略する場合がある。
て、図１５に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号
を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細
な説明は省略する場合がある。
図１６に示す発光装置１７２は、図１５に示す発光装置１７０と、各発光素子（発光素
子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）が有するＥ
Ｌ層の構成が異なる。具体的には、発光層１１０と、上部電極１２０との間に、さらに、
発光層１１２を有する。
子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）が有するＥ
Ｌ層の構成が異なる。具体的には、発光層１１０と、上部電極１２０との間に、さらに、
発光層１１２を有する。
発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくとも
いずれか一つの発光を呈する第３の発光物質を有する。なお、発光層１１０と、発光層１
１２との、発光色を異ならせると好ましい。発光装置１７２においては、発光層１０８に
、青色の発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に緑色の発光を呈する第２の
発光物質を用い、発光層１１２に赤色の発光を呈する第３の発光物質を用いると好適であ
る。
いずれか一つの発光を呈する第３の発光物質を有する。なお、発光層１１０と、発光層１
１２との、発光色を異ならせると好ましい。発光装置１７２においては、発光層１０８に
、青色の発光を呈する第１の発光物質を用い、発光層１１０に緑色の発光を呈する第２の
発光物質を用い、発光層１１２に赤色の発光を呈する第３の発光物質を用いると好適であ
る。
上記のように、ＥＬ層に３つの発光層（発光層１０８、発光層１１０、発光層１１２）
を設けると各発光素子の色純度を高めることができる。ただし、発光層１１２を設けるこ
とで、ＥＬ層の層数が増加するため、ＥＬ層の層数を削減したい場合においては、図１５
に示す発光装置１７０の構成の方が好適である。その他の構成については、図１５に示す
発光装置１７０と同様であり、同様の効果を奏する。
を設けると各発光素子の色純度を高めることができる。ただし、発光層１１２を設けるこ
とで、ＥＬ層の層数が増加するため、ＥＬ層の層数を削減したい場合においては、図１５
に示す発光装置１７０の構成の方が好適である。その他の構成については、図１５に示す
発光装置１７０と同様であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例１０＞
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図１７を用いて、以下説
明を行う。
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図１７を用いて、以下説
明を行う。
図１７は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１７におい
て、図１５及び図１６に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターン
とし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し
、その詳細な説明は省略する場合がある。
て、図１５及び図１６に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターン
とし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し
、その詳細な説明は省略する場合がある。
図１７に示す発光装置１７４は、図１５に示す発光装置１７０に、さらに隔壁１４０と
、遮光層１２３とを有する。その他の構成については、図１５に示す発光装置１７０と同
様であり、同様の効果を奏する。
、遮光層１２３とを有する。その他の構成については、図１５に示す発光装置１７０と同
様であり、同様の効果を奏する。
隔壁１４０は、絶縁性を有する。また、隔壁１４０は、各発光素子の下部電極（下部電
極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙ）と、透明導
電膜（透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜
１０６Ｙ）との端部を覆い、該下部電極と重畳する開口部を有する。隔壁１４０を設ける
ことによって、各発光素子の下部電極、及び各発光素子の透明導電膜を、それぞれ島状に
分離することが可能となる。
極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙ）と、透明導
電膜（透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜
１０６Ｙ）との端部を覆い、該下部電極と重畳する開口部を有する。隔壁１４０を設ける
ことによって、各発光素子の下部電極、及び各発光素子の透明導電膜を、それぞれ島状に
分離することが可能となる。
また、遮光層１２３は、隣接する発光素子からの光を遮光する機能を有する。なお、遮
光層１２３を設けない構成としてもよい。
光層１２３を設けない構成としてもよい。
＜発光装置の構成例１１＞
次に、図１５に示す発光装置１７６と異なる構成例について、図１８を用いて、以下説
明を行う。
次に、図１５に示す発光装置１７６と異なる構成例について、図１８を用いて、以下説
明を行う。
図１８は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１８におい
て、図１５乃至図１７に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターン
とし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し
、その詳細な説明は省略する場合がある。
て、図１５乃至図１７に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターン
とし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し
、その詳細な説明は省略する場合がある。
図１８に示す発光装置１７６は、図１５に示す発光装置１７０と、各発光素子（発光素
子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）が有するＥ
Ｌ層の構成が異なる。具体的には、図１８に示す発光装置１７６の各発光素子は、発光層
１０８と、発光層１１０との間に、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、電荷発生層１
１６、正孔注入層１３５、及び正孔輸送層１３６を設けない構成である。図１８に示すよ
うに、発光層１０８と、発光層１１０とを互いに接して設ける構成とすることで、ＥＬ層
の層数を減らすことが可能となるため、製造コストを抑制することができる。なお、図１
８においては、図示しないが、発光層１０８と、発光層１１０との間に、発光材料を含ま
ないバッファー層（分離層またはセパレート層ともいう）を設けてもよい。その他の構成
については、図１５に示す発光装置１７０と同様であり、同様の効果を奏する。
子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）が有するＥ
Ｌ層の構成が異なる。具体的には、図１８に示す発光装置１７６の各発光素子は、発光層
１０８と、発光層１１０との間に、電子輸送層１３３、電子注入層１３４、電荷発生層１
１６、正孔注入層１３５、及び正孔輸送層１３６を設けない構成である。図１８に示すよ
うに、発光層１０８と、発光層１１０とを互いに接して設ける構成とすることで、ＥＬ層
の層数を減らすことが可能となるため、製造コストを抑制することができる。なお、図１
８においては、図示しないが、発光層１０８と、発光層１１０との間に、発光材料を含ま
ないバッファー層（分離層またはセパレート層ともいう）を設けてもよい。その他の構成
については、図１５に示す発光装置１７０と同様であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例１２＞
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図１９を用いて、以下説
明を行う。
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図１９を用いて、以下説
明を行う。
図１９は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１９におい
て、図１５乃至図１８に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターン
とし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し
、その詳細な説明は省略する場合がある。
て、図１５乃至図１８に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターン
とし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し
、その詳細な説明は省略する場合がある。
図１９に示す発光装置１７８は、図１８に示す発光装置１７６が有する光学素子１２４
Ｙを有さない構成である。光学素子１２４Ｙを有さない構成とすることで、発光素子１０
１Ｙから射出される光が直接外部に取り出す構成とすることができるため、消費電力を低
くすることができる。ただし、色純度を向上させる場合、または外光反射を抑制させる場
合においては、図１８に示す発光装置１７６のように、光学素子１２４Ｙを設ける構成の
方が、好適である。その他の構成については、図１８に示す発光装置１７６と同様であり
、同様の効果を奏する。
Ｙを有さない構成である。光学素子１２４Ｙを有さない構成とすることで、発光素子１０
１Ｙから射出される光が直接外部に取り出す構成とすることができるため、消費電力を低
くすることができる。ただし、色純度を向上させる場合、または外光反射を抑制させる場
合においては、図１８に示す発光装置１７６のように、光学素子１２４Ｙを設ける構成の
方が、好適である。その他の構成については、図１８に示す発光装置１７６と同様であり
、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例１３＞
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図２０を用いて、以下説
明を行う。
次に、図１５に示す発光装置１７０と異なる構成例について、図２０を用いて、以下説
明を行う。
図２０は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図２０におい
て、図１５乃至図１９に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターン
とし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し
、その詳細な説明は省略する場合がある。
て、図１５乃至図１９に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターン
とし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し
、その詳細な説明は省略する場合がある。
図２０に示す発光装置１９０は、図１８に示す発光装置１７６と、各発光素子（発光素
子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）が有するＥ
Ｌ層の構成が異なる。具体的には、発光層１１０と、電子輸送層１３７との間に、さらに
発光層１１２を有する。発光層１１２としては、先に示す発光装置１７２の発光層１１２
と同様である。その他の構成については、図１８に示す発光装置１７６と同様であり、同
様の効果を奏する。
子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙ）が有するＥ
Ｌ層の構成が異なる。具体的には、発光層１１０と、電子輸送層１３７との間に、さらに
発光層１１２を有する。発光層１１２としては、先に示す発光装置１７２の発光層１１２
と同様である。その他の構成については、図１８に示す発光装置１７６と同様であり、同
様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例１４＞
図１５乃至図２０においては、トップエミッション型の発光装置について例示したが、
図２１乃至図２６に示すように、ボトムエミッション型の発光装置としてもよい。
図１５乃至図２０においては、トップエミッション型の発光装置について例示したが、
図２１乃至図２６に示すように、ボトムエミッション型の発光装置としてもよい。
図２１は図１５に示す発光装置１７０の変形例である、発光装置１７０Ａの断面図であ
る。また、図２２は図１６に示す発光装置１７２の変形例である、発光装置１７２Ａの断
面図である。また、図２３は図１７に示す発光装置１５４の変形例である、発光装置１７
４Ａの断面図である。また、図２４は図１８に示す発光装置１７６の変形例である、発光
装置１７６Ａの断面図である。また、図２５は図１９に示す発光装置１７８の変形例であ
る、発光装置１７８Ａの断面図である。また、図２６は図２０に示す発光装置１９０の変
形例である、発光装置１９０Ａの断面図である。
る。また、図２２は図１６に示す発光装置１７２の変形例である、発光装置１７２Ａの断
面図である。また、図２３は図１７に示す発光装置１５４の変形例である、発光装置１７
４Ａの断面図である。また、図２４は図１８に示す発光装置１７６の変形例である、発光
装置１７６Ａの断面図である。また、図２５は図１９に示す発光装置１７８の変形例であ
る、発光装置１７８Ａの断面図である。また、図２６は図２０に示す発光装置１９０の変
形例である、発光装置１９０Ａの断面図である。
なお、図２１乃至図２６に示す、ボトムエミッション型の発光装置とする場合、各発光
素子が有する、下部電極と上部電極の構成を以下のようにすればよい。
素子が有する、下部電極と上部電極の構成を以下のようにすればよい。
例えば、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０
４Ｙは、可視光を反射する機能と、可視光を透過する機能と、を有する。また、上部電極
１２０は、可視光を反射する機能を有する。
４Ｙは、可視光を反射する機能と、可視光を透過する機能と、を有する。また、上部電極
１２０は、可視光を反射する機能を有する。
なお、上記例示した各発光装置の構成については、適宜組み合わせて用いることができ
る。
る。
＜発光装置の構成要素＞
ここで、図１乃至図２６に示す各発光素子の構成要素の詳細について、以下説明を行う
。
ここで、図１乃至図２６に示す各発光素子の構成要素の詳細について、以下説明を行う
。
≪基板≫
基板１０２は、各発光素子の支持体として用いられる。また、基板１２２は、各光学素
子の支持体として用いられる。基板１０２、１２２としては、例えばガラス、石英、又は
プラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板と
は、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート
、ポリアリレートからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無機蒸着
フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の作製工程において
支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。あるいは、発光素子、
及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
基板１０２は、各発光素子の支持体として用いられる。また、基板１２２は、各光学素
子の支持体として用いられる。基板１０２、１２２としては、例えばガラス、石英、又は
プラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板と
は、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート
、ポリアリレートからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無機蒸着
フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の作製工程において
支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。あるいは、発光素子、
及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
例えば、本明細書等において、様々な基板を用いて、トランジスタや発光素子を形成す
ることが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例と
しては、半導体基板（例えば単結晶基板またはシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板
、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチ
ル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓
性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガ
ラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又は
ソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの
一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例とし
ては、アクリル等の樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエス
テル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリ
アミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特
に、半導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを製造すること
によって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの
小さいトランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構
成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
ることが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例と
しては、半導体基板（例えば単結晶基板またはシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板
、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチ
ル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓
性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガ
ラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又は
ソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの
一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例とし
ては、アクリル等の樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエス
テル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリ
アミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特
に、半導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを製造すること
によって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの
小さいトランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構
成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタや発光素子
を形成してもよい。または、基板とトランジスタの間に剥離層を設けてもよい。剥離層は
、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転
載するために用いることができる。その際、トランジスタは耐熱性の劣る基板や可撓性の
基板にも転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン
膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を
用いることができる。
を形成してもよい。または、基板とトランジスタの間に剥離層を設けてもよい。剥離層は
、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転
載するために用いることができる。その際、トランジスタは耐熱性の劣る基板や可撓性の
基板にも転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン
膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を
用いることができる。
つまり、ある基板を用いてトランジスタや発光素子を形成し、その後、別の基板にトラ
ンジスタや発光素子を転置し、別の基板上にトランジスタや発光素子を配置してもよい。
トランジスタや発光素子が転置される基板の一例としては、上述したトランジスタを形成
することが可能な基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維
（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維
（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又は
ゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成
、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化
、又は薄型化を図ることができる。
ンジスタや発光素子を転置し、別の基板上にトランジスタや発光素子を配置してもよい。
トランジスタや発光素子が転置される基板の一例としては、上述したトランジスタを形成
することが可能な基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維
（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維
（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又は
ゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成
、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化
、又は薄型化を図ることができる。
≪下部電極≫
下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙは、
各発光素子の陽極または陰極としての機能を有する。なお、下部電極１０４Ｒ、下部電極
１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙは、銀を含む反射性を有する導電性
材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）
と、Ｍ（Ｍは、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ
）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、錫（Ｓｎ）、鉄
（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、
または金（Ａｕ）を表す）とを含む合金等が挙げられる。銀を含む合金としては、例えば
、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀
とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金等が挙げられる。
下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙは、
各発光素子の陽極または陰極としての機能を有する。なお、下部電極１０４Ｒ、下部電極
１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙは、銀を含む反射性を有する導電性
材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）
と、Ｍ（Ｍは、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ
）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、錫（Ｓｎ）、鉄
（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、
または金（Ａｕ）を表す）とを含む合金等が挙げられる。銀を含む合金としては、例えば
、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀
とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金等が挙げられる。
また、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４
Ｙに用いることのできる導電性材料としては、可視光の反射率が４０％以上１００％以下
、好ましくは７０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以
下の材料が挙げられる。また、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ
、及び下部電極１０４Ｙとしては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を
用いて形成することができる。
Ｙに用いることのできる導電性材料としては、可視光の反射率が４０％以上１００％以下
、好ましくは７０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以
下の材料が挙げられる。また、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ
、及び下部電極１０４Ｙとしては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を
用いて形成することができる。
≪透明導電膜≫
透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０
６Ｙは、各発光素子の下部電極、陽極または陰極としての機能を有する。または、透明導
電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙは、
各発光層からの所望の光を共振させ、その波長を強めることができるように、光学距離を
調整する機能を有する。
透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０
６Ｙは、各発光素子の下部電極、陽極または陰極としての機能を有する。または、透明導
電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙは、
各発光層からの所望の光を共振させ、その波長を強めることができるように、光学距離を
調整する機能を有する。
透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０
６Ｙとしては、例えば、ＩＴＯ、ＩＴＳＯ、酸化インジウム－酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなど
を用いることができる。特に、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１
０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙとしては、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を
用いることが好ましい。また、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１
０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙとしては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗
布法等を用いて形成することができる。
６Ｙとしては、例えば、ＩＴＯ、ＩＴＳＯ、酸化インジウム－酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなど
を用いることができる。特に、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１
０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙとしては、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を
用いることが好ましい。また、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１
０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙとしては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗
布法等を用いて形成することができる。
≪上部電極≫
上部電極１２０は、各発光素子の陰極または陽極としての機能を有する。なお、上部電
極１２０は、反射性を有する導電性材料により形成される。該導電性材料としては、可視
光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下であり、かつ
その抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。また、上部電極１２
０は、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料により形成される。該導電
性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％
以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。上
部電極１２０としては、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種
用いて形成することができる。とくに、上部電極１２０が陰極としての機能を有する場合
には、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。例えば、元素
周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム（Ｌｉ）、セシウム等のアルカリ金属
、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を
含む合金（例えば、Ａｇ－Ｍｇ、Ａｌ－Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土
類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用いることができる。また
、上部電極１２０としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて
形成することができる。
上部電極１２０は、各発光素子の陰極または陽極としての機能を有する。なお、上部電
極１２０は、反射性を有する導電性材料により形成される。該導電性材料としては、可視
光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下であり、かつ
その抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。また、上部電極１２
０は、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料により形成される。該導電
性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％
以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。上
部電極１２０としては、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種
用いて形成することができる。とくに、上部電極１２０が陰極としての機能を有する場合
には、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。例えば、元素
周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム（Ｌｉ）、セシウム等のアルカリ金属
、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を
含む合金（例えば、Ａｇ－Ｍｇ、Ａｌ－Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土
類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用いることができる。また
、上部電極１２０としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて
形成することができる。
≪発光層≫
発光層１０８は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つ
の発光を呈する第１の発光物質を有する。また、発光層１１０は、緑色、黄緑色、黄色、
橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物
質を有する。また、発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選
ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第３の発光物質を有する。また、発光層１
０８は、第１の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双
方を含んで構成される。また、発光層１１０は、第２の発光物質に加えて、電子輸送性材
料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また、発光層１１２は、
第３の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含ん
で構成される。
発光層１０８は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つ
の発光を呈する第１の発光物質を有する。また、発光層１１０は、緑色、黄緑色、黄色、
橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物
質を有する。また、発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選
ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第３の発光物質を有する。また、発光層１
０８は、第１の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双
方を含んで構成される。また、発光層１１０は、第２の発光物質に加えて、電子輸送性材
料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また、発光層１１２は、
第３の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含ん
で構成される。
また、第１の発光物質、第２の発光物質及び第３の発光物質としては、一重項励起エネ
ルギーを発光に変える発光性物質や三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用
いることができる。なお、上記発光性物質としては、以下のようなものが挙げられる。
ルギーを発光に変える発光性物質や三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用
いることができる。なお、上記発光性物質としては、以下のようなものが挙げられる。
一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質が挙げられ
、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、スチルベン
誘導体などが好ましく、例えば、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル
）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２
Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリ
ル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）
－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧ
ＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェ
ニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４－（１０－フェニル
－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェ
ニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フ
ェニル］－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン
（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）
ペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－
９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６
ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９
－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－ピレン－１，６－ジアミン（略
称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）などの青色の発光（発光波長４００ｎｍ以上４８０
ｎｍ以下）を呈する物質や、ルブレン、５，１２－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イ
ル）－６，１１－ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジ
メチルアミノ）フェニル］エテニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロ
パンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－
テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－
ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）などの黄色の発光（発光
波長５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満）を呈する物質を用いることができる。
、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、スチルベン
誘導体などが好ましく、例えば、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル
）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２
Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリ
ル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）
－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧ
ＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェ
ニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４－（１０－フェニル
－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェ
ニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フ
ェニル］－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン
（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）
ペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－
９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６
ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９
－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－ピレン－１，６－ジアミン（略
称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）などの青色の発光（発光波長４００ｎｍ以上４８０
ｎｍ以下）を呈する物質や、ルブレン、５，１２－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イ
ル）－６，１１－ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジ
メチルアミノ）フェニル］エテニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロ
パンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－
テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－
ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）などの黄色の発光（発光
波長５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満）を呈する物質を用いることができる。
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、例えば、燐光を発す
る物質が挙げられ、例えば、４４０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質
、５２０ｎｍ以上６００ｎｍ未満に発光のピークを有する物質、６００ｎｍ以上７００ｎ
ｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることができる。
る物質が挙げられ、例えば、４４０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質
、５２０ｎｍ以上６００ｎｍ未満に発光のピークを有する物質、６００ｎｍ以上７００ｎ
ｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることができる。
４４０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、トリス｛２－［
５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－
トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２
，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［３
－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾ
ラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）、トリス［４－（３－
ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）３）のような４Ｈ－トリアゾー
ル骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェ
ニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－
１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－
Ｍｅ）３）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ
－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾー
ル］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３－（２，６－
ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有
する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジ
ナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称
：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’
］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’
－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ
）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’
－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導
体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ－トリア
ゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるため、特に
好ましい。
５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－
トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２
，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［３
－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾ
ラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）、トリス［４－（３－
ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）３）のような４Ｈ－トリアゾー
ル骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェ
ニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－
１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－
Ｍｅ）３）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ
－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾー
ル］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３－（２，６－
ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有
する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジ
ナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称
：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’
］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’
－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ
）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’
－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導
体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ－トリア
ゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるため、特に
好ましい。
５２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、トリス（４－メ
チル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）
、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピ
リミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセ
チルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビ
ス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－
６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフ
ェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））
のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビ
ス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－
３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－
ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ト
リス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐ
ｙ）３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチル
アセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト
）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））
、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）
、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｐｑ）３）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチ
ルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有
機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テ
ルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体
が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信
頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
チル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）
、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピ
リミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセ
チルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビ
ス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－
６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフ
ェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））
のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビ
ス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－
３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－
ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ト
リス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐ
ｙ）３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチル
アセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト
）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））
、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）
、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｐｑ）３）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチ
ルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有
機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テ
ルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体
が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信
頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
また、５２０ｎｍ以上６００ｎｍ未満に発光のピークを有する物質の中でも、とくに５
５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いると好ましい。５５０ｎ
ｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることで、発光素子の電流効率
を高めることができる。
５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いると好ましい。５５０ｎ
ｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることで、発光素子の電流効率
を高めることができる。
５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、Ｉｒ（ｍｐｍｐ
ｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－
（２，６－ジメチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、Ｉｒ（ｍｐｐｒ－
ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｑ）３、Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）、ビス（２，
４－ジフェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア
セトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２－［４’－（パーフルオ
ロフェニル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２－フェニルベンゾチ
アゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ
）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
ｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－
（２，６－ジメチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、Ｉｒ（ｍｐｐｒ－
ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｑ）３、Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）、ビス（２，
４－ジフェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア
セトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２－［４’－（パーフルオ
ロフェニル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２－フェニルベンゾチ
アゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ
）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
また、６００以上７００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、（ジイソブチ
リルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６－ビス（３－メ
チルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリ
ミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）
２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチル
アセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（
ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））
、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジ
ン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１－フェニルイソキ
ノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉ
ｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白
金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３－ジフェニル－１
，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅ
ｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフル
オロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴ
Ａ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジ
ン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、
特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色
発光が得られる。
リルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６－ビス（３－メ
チルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリ
ミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）
２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチル
アセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（
ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））
、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジ
ン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１－フェニルイソキ
ノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉ
ｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白
金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３－ジフェニル－１
，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅ
ｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフル
オロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴ
Ａ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジ
ン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、
特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色
発光が得られる。
また、発光層１０８、発光層１１０、及び発光層１１２に用いる電子輸送性材料として
は、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば
、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサ
リン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イ
ル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤ
Ｂｑ－ＩＩ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェ
ニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－
（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：
７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び、６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェ
ニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）等のキノキ
サリンあるいはジベンゾキノキサリン誘導体が挙げられる。
は、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば
、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサ
リン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イ
ル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤ
Ｂｑ－ＩＩ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェ
ニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－
（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：
７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び、６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェ
ニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）等のキノキ
サリンあるいはジベンゾキノキサリン誘導体が挙げられる。
また、発光層１０８、発光層１１０、及び発光層１１２に用いる正孔輸送性材料として
は、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や
芳香族アミン化合物が好ましく、例えば、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－
カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジ
（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェ
ニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニル
カルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１
）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェ
ニルアミン（略称：１’－ＴＮＡＴＡ）、２，７－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフ
ェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２Ｓ
Ｆ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル
ベンゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフ
ェニルアミノ－９Ｈ－フルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ
，Ｎ’，Ｎ’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール
－３－イル）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２－［Ｎ－（９
－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフル
オレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェ
ニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［
４－（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９－ジメチル
フルオレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’－ビス［Ｎ－（３－メチ
ルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ
－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡ
Ｂ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチ
ル－２－［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）
アミノ］－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３
－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル
）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，
６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－
メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニ
ル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－
（１－ナフチル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，
６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－
フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。
は、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や
芳香族アミン化合物が好ましく、例えば、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－
カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジ
（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェ
ニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニル
カルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１
）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェ
ニルアミン（略称：１’－ＴＮＡＴＡ）、２，７－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフ
ェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２Ｓ
Ｆ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル
ベンゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフ
ェニルアミノ－９Ｈ－フルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ
，Ｎ’，Ｎ’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール
－３－イル）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２－［Ｎ－（９
－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフル
オレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェ
ニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［
４－（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９－ジメチル
フルオレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’－ビス［Ｎ－（３－メチ
ルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ
－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡ
Ｂ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチ
ル－２－［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）
アミノ］－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３
－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル
）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，
６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－
メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニ
ル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－
（１－ナフチル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，
６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－
フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。
≪正孔注入層、正孔輸送層≫
正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３２を介して発光層１０８に正孔
を注入する層であり、正孔輸送性材料または／及びアクセプター性物質を含む層である。
正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む場合、アクセプター性物質により正孔輸送性
材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１３２を介して発光層
１０８に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１３２は、正孔輸送性材料を用いて形成さ
れる。また、正孔注入層１３５は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３６を介して発光層１
１０に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料または／及びアクセプター性物質を含む
層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む場合、アクセプター性物質により
正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１３６を介
して発光層１１０に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１３６は、正孔輸送性材料を用
いて形成される。なお、正孔注入層１３１、正孔注入層１３５は、アクセプター性物質を
単独または他の材料と混合して形成しても良い。
正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３２を介して発光層１０８に正孔
を注入する層であり、正孔輸送性材料または／及びアクセプター性物質を含む層である。
正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む場合、アクセプター性物質により正孔輸送性
材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１３２を介して発光層
１０８に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１３２は、正孔輸送性材料を用いて形成さ
れる。また、正孔注入層１３５は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３６を介して発光層１
１０に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料または／及びアクセプター性物質を含む
層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む場合、アクセプター性物質により
正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１３６を介
して発光層１１０に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１３６は、正孔輸送性材料を用
いて形成される。なお、正孔注入層１３１、正孔注入層１３５は、アクセプター性物質を
単独または他の材料と混合して形成しても良い。
また、正孔注入層１３１及び正孔注入層１３５に用いるアクセプター性物質としては、
元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体
的には、バナジウム酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物、モリブデン
酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、酸化レニウム、が挙
げられる。中でも、モリブデン酸化物は大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやす
いため特に好ましい。また、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフ
ルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１
１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡ
Ｔ－ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基やシアノ基）を有する化合物を挙げることができ
る。特にＨＡＴ－ＣＮのように複素元素を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合して
いる化合物が、熱的に安定であり好ましい。
元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体
的には、バナジウム酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物、モリブデン
酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、酸化レニウム、が挙
げられる。中でも、モリブデン酸化物は大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやす
いため特に好ましい。また、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフ
ルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１
１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡ
Ｔ－ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基やシアノ基）を有する化合物を挙げることができ
る。特にＨＡＴ－ＣＮのように複素元素を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合して
いる化合物が、熱的に安定であり好ましい。
正孔注入層１３１及び正孔注入層１３５には、この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐ
ｃ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができ
る。
ｃ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができ
る。
正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、正孔注入層１３５、及び正孔輸送層１３６に用
いる正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フ
ェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メ
チルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミ
ン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニ
ルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）
トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチ
ルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，
４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ
］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３－［Ｎ－（９－フェニル
カルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：
ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－
フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（
１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニル
カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’－ジ（Ｎ－カ
ルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリ
ル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アント
ラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体
、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の
正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、こ
れら以外のものを用いてもよい。また、これらの正孔輸送性材料は、アクセプター性物質
との複合材料として、用いることができる。
いる正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フ
ェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メ
チルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミ
ン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニ
ルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）
トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチ
ルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，
４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ
］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３－［Ｎ－（９－フェニル
カルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：
ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－
フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（
１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニル
カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’－ジ（Ｎ－カ
ルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリ
ル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アント
ラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体
、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の
正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、こ
れら以外のものを用いてもよい。また、これらの正孔輸送性材料は、アクセプター性物質
との複合材料として、用いることができる。
さらに、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフ
ェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニ
ルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］
（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス
（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いること
もできる。
ェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニ
ルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］
（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス
（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いること
もできる。
≪電子輸送層≫
電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電
子輸送層１３３及び電子輸送層１３７には、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（
ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（
略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略
称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）
アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フ
ェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２－（２－ヒドロキシフェ
ニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体を用いること
ができる。また、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－
１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－
ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ
－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリ
ル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニ
ル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾ
ール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュ
プロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル
）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、
ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオ
レン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）
、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピ
リジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いるこ
ともできる。ここに述べた物質は、主に１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有
する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を
電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７として用いてもよい。
電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電
子輸送層１３３及び電子輸送層１３７には、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（
ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（
略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略
称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）
アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フ
ェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２－（２－ヒドロキシフェ
ニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体を用いること
ができる。また、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－
１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－
ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ
－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリ
ル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニ
ル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾ
ール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュ
プロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル
）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、
ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオ
レン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）
、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピ
リジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いるこ
ともできる。ここに述べた物質は、主に１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有
する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を
電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７として用いてもよい。
また、電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７は、単層のものだけでなく、上記物質か
らなる層が２層以上積層したものとしてもよい。
らなる層が２層以上積層したものとしてもよい。
≪電子注入層≫
電子注入層１３４及び電子注入層１３８は、電子注入性の高い物質を含む層である。電
子注入層１３４には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カ
ルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ
土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（Ｅｒ
Ｆ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１３４及び電
子注入層１３８にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、
カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。ま
た、電子注入層１３４及び電子注入層１３８に、電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７
で用いることが出来る物質を用いても良い。
電子注入層１３４及び電子注入層１３８は、電子注入性の高い物質を含む層である。電
子注入層１３４には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カ
ルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ
土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（Ｅｒ
Ｆ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１３４及び電
子注入層１３８にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、
カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。ま
た、電子注入層１３４及び電子注入層１３８に、電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７
で用いることが出来る物質を用いても良い。
また、電子注入層１３４及び電子注入層１３８に、有機化合物と電子供与体（ドナー）
とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって
有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合
、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的
には、例えば上述した電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７を構成する物質（金属錯体
や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し
電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希
土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イ
ッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好
ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸
化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン
（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって
有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合
、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的
には、例えば上述した電子輸送層１３３及び電子輸送層１３７を構成する物質（金属錯体
や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し
電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希
土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イ
ッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好
ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸
化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン
（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
≪電荷発生層≫
電荷発生層１１６は、一対の電極（下部電極及び上部電極）間に電圧を印加したときに
、一方の発光層（発光層１０８または発光層１１０）側に電子を注入し、他方の発光層（
発光層１０８または発光層１１０）側に正孔を注入する機能を有する。
電荷発生層１１６は、一対の電極（下部電極及び上部電極）間に電圧を印加したときに
、一方の発光層（発光層１０８または発光層１１０）側に電子を注入し、他方の発光層（
発光層１０８または発光層１１０）側に正孔を注入する機能を有する。
例えば、図１に示す発光素子１０１Ｂにおいては、下部電極（下部電極１０４Ｂ及び透
明導電膜１０６Ｂ）に上部電極１２０よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電
荷発生層１１６から発光層１０８に電子が注入され、発光層１１０に正孔が注入される。
明導電膜１０６Ｂ）に上部電極１２０よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電
荷発生層１１６から発光層１０８に電子が注入され、発光層１１０に正孔が注入される。
なお、電荷発生層１１６は、光取出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（
具体的には、電荷発生層１１６に対する可視光の透過率が４０％以上）ことが好ましい。
また、電荷発生層１１６は、一対の電極（下部電極及び上部電極）よりも低い導電率であ
っても機能する。
具体的には、電荷発生層１１６に対する可視光の透過率が４０％以上）ことが好ましい。
また、電荷発生層１１６は、一対の電極（下部電極及び上部電極）よりも低い導電率であ
っても機能する。
また、電荷発生層１１６は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加され
た構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であっても
よい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
た構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であっても
よい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
なお、上述した材料を用いて電荷発生層１１６を形成することにより、発光層が積層さ
れた場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
れた場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
なお、上述した、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、及び電
荷発生層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラ
ビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した、発光層、正孔輸送層、正孔
注入層、電子輸送層、電子注入層、及び電荷発生層には、上述した材料の他、無機化合物
または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いてもよい。
荷発生層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラ
ビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した、発光層、正孔輸送層、正孔
注入層、電子輸送層、電子注入層、及び電荷発生層には、上述した材料の他、無機化合物
または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いてもよい。
≪光学素子≫
光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙは、
入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過するものである。例えば、着色層（
カラーフィルタともいう）、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。ま
た、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当
該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット
方式を用いる素子であると好適である。量子ドット方式を用いることにより、発光装置の
色再現性を高めることができる。
光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙは、
入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過するものである。例えば、着色層（
カラーフィルタともいう）、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。ま
た、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当
該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット
方式を用いる素子であると好適である。量子ドット方式を用いることにより、発光装置の
色再現性を高めることができる。
なお、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４
Ｙ上に複数の光学素子を重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏向板や
反射防止膜などを設けることができる。円偏光板を、発光装置の発光素子が発する光が取
り出される側に設けると、発光装置の外部から入射した光が、発光装置の内部で反射され
て、外部に射出される現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、発光装置
の表面で反射される外光を弱めることができる。これにより、発光装置が発する発光を、
鮮明に観察できる。
Ｙ上に複数の光学素子を重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏向板や
反射防止膜などを設けることができる。円偏光板を、発光装置の発光素子が発する光が取
り出される側に設けると、発光装置の外部から入射した光が、発光装置の内部で反射され
て、外部に射出される現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、発光装置
の表面で反射される外光を弱めることができる。これにより、発光装置が発する発光を、
鮮明に観察できる。
≪遮光層≫
遮光層１２３としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層１２３と
しては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層１２３と
しては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化
物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
遮光層１２３としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層１２３と
しては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層１２３と
しては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化
物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
≪隔壁≫
隔壁１４０としては、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成され
る。該無機材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。該有機材料としては、例
えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
隔壁１４０としては、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成され
る。該無機材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。該有機材料としては、例
えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
＜発光装置の作製方法＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図２７及び図２８を用いて以下
説明を行う。なお、ここでは、図１７に示す発光装置１７４の作製方法について説明する
。
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図２７及び図２８を用いて以下
説明を行う。なお、ここでは、図１７に示す発光装置１７４の作製方法について説明する
。
図２７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）及び図２８（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装
置の作製方法を説明するための断面図である。
置の作製方法を説明するための断面図である。
以下で説明する発光装置１７４の作製方法は、第１乃至第７の７つのステップを有する
。
。
≪第１のステップ≫
第１のステップは、各発光素子の下部電極（具体的には、下部電極１０４Ｒ、下部電極
１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙ）を、基板１０２上に形成する工程
である（図２７（Ａ）参照）。
第１のステップは、各発光素子の下部電極（具体的には、下部電極１０４Ｒ、下部電極
１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙ）を、基板１０２上に形成する工程
である（図２７（Ａ）参照）。
本実施の形態においては、基板１０２上に、反射性の導電膜を形成し、該導電膜を所望
の形状に加工することで、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及
び下部電極１０４Ｙを形成する。上記反射性の導電膜としては、ＡＰＣ膜を用いる。この
ように、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４
Ｙを、同一の導電膜を加工する工程を経て形成することで、製造コストを安くすることが
できるため好適である。
の形状に加工することで、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及
び下部電極１０４Ｙを形成する。上記反射性の導電膜としては、ＡＰＣ膜を用いる。この
ように、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、及び下部電極１０４
Ｙを、同一の導電膜を加工する工程を経て形成することで、製造コストを安くすることが
できるため好適である。
なお、第１のステップの前に、基板１０２上に複数のトランジスタを形成してもよい。
また、上記複数のトランジスタと、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０
４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙとを、それぞれ電気的に接続させてもよい。
また、上記複数のトランジスタと、下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０
４Ｂ、及び下部電極１０４Ｙとを、それぞれ電気的に接続させてもよい。
≪第２のステップ≫
第２のステップは、各発光素子の透明導電膜（具体的には、透明導電膜１０６Ｒ、透明
導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ）を、下部電極上に形成
する工程である（図２７（Ｂ）参照）。
第２のステップは、各発光素子の透明導電膜（具体的には、透明導電膜１０６Ｒ、透明
導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ）を、下部電極上に形成
する工程である（図２７（Ｂ）参照）。
本実施の形態においては、基板１０２、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透
明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ上に、透明導電膜を形成し、該透明導電膜を
所望の形状に加工することで、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１
０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙを形成する。上記透明導電膜としては、ＩＴＳＯ膜を用
いる。
明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙ上に、透明導電膜を形成し、該透明導電膜を
所望の形状に加工することで、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１
０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙを形成する。上記透明導電膜としては、ＩＴＳＯ膜を用
いる。
なお、透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電
膜１０６Ｙは、複数回に分けて形成してもよい。複数回に分けて形成することで、各発光
素子でマイクロキャビティ構造となる膜厚で透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、
透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙを形成することができる。
膜１０６Ｙは、複数回に分けて形成してもよい。複数回に分けて形成することで、各発光
素子でマイクロキャビティ構造となる膜厚で透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６Ｇ、
透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙを形成することができる。
≪第３のステップ≫
第３のステップは、各発光素子の下部電極及び透明導電膜の端部を覆う隔壁１４０を形
成する工程である（図２７（Ｃ）参照）。
第３のステップは、各発光素子の下部電極及び透明導電膜の端部を覆う隔壁１４０を形
成する工程である（図２７（Ｃ）参照）。
隔壁１４０は、下部電極と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出する透
明導電膜が発光素子の陽極として機能する。本実施の形態では、隔壁１４０として、ポリ
イミド系の樹脂を用いる。
明導電膜が発光素子の陽極として機能する。本実施の形態では、隔壁１４０として、ポリ
イミド系の樹脂を用いる。
なお、第１乃至第３のステップにおいては、ＥＬ層（有機化合物を含む層）を損傷する
おそれがないため、さまざまな成膜方法及び微細加工技術を適用できる。本実施の形態で
は、スパッタリング法を用いて反射性の導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該導
電膜をパターン形成し、その後ドライエッチング法またはウエットエッチング法を用いて
、該導電膜を島状に加工して下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、
及び下部電極１０４Ｙを形成する。その後、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜
し、リソグラフィ法を用いて、該透明導電膜にパターンを形成し、その後ウエットエッチ
ング法を用いて、該透明導電膜を島状に加工して透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６
Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙを形成する。
おそれがないため、さまざまな成膜方法及び微細加工技術を適用できる。本実施の形態で
は、スパッタリング法を用いて反射性の導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該導
電膜をパターン形成し、その後ドライエッチング法またはウエットエッチング法を用いて
、該導電膜を島状に加工して下部電極１０４Ｒ、下部電極１０４Ｇ、下部電極１０４Ｂ、
及び下部電極１０４Ｙを形成する。その後、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜
し、リソグラフィ法を用いて、該透明導電膜にパターンを形成し、その後ウエットエッチ
ング法を用いて、該透明導電膜を島状に加工して透明導電膜１０６Ｒ、透明導電膜１０６
Ｇ、透明導電膜１０６Ｂ、及び透明導電膜１０６Ｙを形成する。
≪第４のステップ≫
第４のステップは、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１０８、電子輸送層
１３３、電子注入層１３４、及び電荷発生層１１６を形成する工程である（図２７（Ｄ）
参照）。
第４のステップは、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１０８、電子輸送層
１３３、電子注入層１３４、及び電荷発生層１１６を形成する工程である（図２７（Ｄ）
参照）。
正孔注入層１３１としては、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む材料とを共蒸
着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異
なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。また、正孔輸送層１３２としては、正孔
輸送性材料を蒸着することで形成することができる。
着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異
なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。また、正孔輸送層１３２としては、正孔
輸送性材料を蒸着することで形成することができる。
発光層１０８としては、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれ
か一つの発光を呈する第１の発光物質を蒸着することで形成することができる。第１の発
光物質としては、蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合
物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の
有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲ
スト材料を分散して蒸着してもよい。
か一つの発光を呈する第１の発光物質を蒸着することで形成することができる。第１の発
光物質としては、蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合
物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の
有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲ
スト材料を分散して蒸着してもよい。
電子輸送層１３３としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することがで
きる。また、電子注入層１３４としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成す
ることができる。
きる。また、電子注入層１３４としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成す
ることができる。
電荷発生層１１６としては、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加され
た材料、または電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された材料を蒸着すること
で形成することができる。
た材料、または電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された材料を蒸着すること
で形成することができる。
≪第５のステップ≫
第５のステップは、正孔注入層１３５、正孔輸送層１３６、発光層１１０、電子輸送層
１３７、電子注入層１３８、及び上部電極１２０を形成する工程である（図２８（Ａ）参
照）。
第５のステップは、正孔注入層１３５、正孔輸送層１３６、発光層１１０、電子輸送層
１３７、電子注入層１３８、及び上部電極１２０を形成する工程である（図２８（Ａ）参
照）。
正孔注入層１３５としては、先に示す正孔注入層１３１と同様の材料及び同様の方法に
より形成することができる。また、正孔輸送層１３６としては、先に示す正孔輸送層１３
２と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。
より形成することができる。また、正孔輸送層１３６としては、先に示す正孔輸送層１３
２と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。
発光層１１０としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少な
くともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を蒸着することで形成することができ
る。第２の発光物質としては、燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光
性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例え
ば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホス
ト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
くともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を蒸着することで形成することができ
る。第２の発光物質としては、燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光
性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例え
ば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホス
ト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
電子輸送層１３７としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することがで
きる。また、電子注入層１３８としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成す
ることができる。
きる。また、電子注入層１３８としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成す
ることができる。
上部電極１２０としては、反射性を有する導電膜と、透光性を有する導電膜を積層する
ことで形成することができる。また、上部電極１２０としては、単層構造、または積層構
造としてもよい。
ことで形成することができる。また、上部電極１２０としては、単層構造、または積層構
造としてもよい。
上記工程を経て、発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、発光素子１０１Ｂ、及び発光
素子１０１Ｙが基板１０２上に形成される。
素子１０１Ｙが基板１０２上に形成される。
≪第６のステップ≫
第６のステップは、基板１２２上に遮光層１２３、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４
Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙを形成する工程である（図２８（Ｂ）参照
）。
第６のステップは、基板１２２上に遮光層１２３、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４
Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙを形成する工程である（図２８（Ｂ）参照
）。
遮光層１２３としては、黒色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成する。その後、基
板１２２及び遮光層１２３上に、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４
Ｂ、及び光学素子１２４Ｙを形成する。光学素子１２４Ｒとしては、赤色顔料の含んだ樹
脂膜を所望の領域に形成する。また、光学素子１２４Ｇとしては、緑色顔料の含んだ樹脂
膜を所望の領域に形成する。また、光学素子１２４Ｂとしては、青色顔料の含んだ樹脂膜
を所望の領域に形成する。また、光学素子１２４Ｙとしては、黄色顔料の含んだ樹脂膜を
所望の領域に形成する。
板１２２及び遮光層１２３上に、光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４
Ｂ、及び光学素子１２４Ｙを形成する。光学素子１２４Ｒとしては、赤色顔料の含んだ樹
脂膜を所望の領域に形成する。また、光学素子１２４Ｇとしては、緑色顔料の含んだ樹脂
膜を所望の領域に形成する。また、光学素子１２４Ｂとしては、青色顔料の含んだ樹脂膜
を所望の領域に形成する。また、光学素子１２４Ｙとしては、黄色顔料の含んだ樹脂膜を
所望の領域に形成する。
≪第７のステップ≫
第７のステップは、基板１０２上に形成された発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、
発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙと、基板１２２上に形成された遮光層１２３、
光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙと、を
貼り合わせ、封止材を用いて封止する工程である（図示しない）。
第７のステップは、基板１０２上に形成された発光素子１０１Ｒ、発光素子１０１Ｇ、
発光素子１０１Ｂ、及び発光素子１０１Ｙと、基板１２２上に形成された遮光層１２３、
光学素子１２４Ｒ、光学素子１２４Ｇ、光学素子１２４Ｂ、及び光学素子１２４Ｙと、を
貼り合わせ、封止材を用いて封止する工程である（図示しない）。
以上の工程により、図１７に示す発光装置１７４を形成することができる。
以上、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子、本発明の一態様の発光装置、ま
たは本発明の一態様の表示装置に用いることのできる発光素子の発光機構について、図２
９乃至図３１を用いて、以下説明を行う。
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子、本発明の一態様の発光装置、ま
たは本発明の一態様の表示装置に用いることのできる発光素子の発光機構について、図２
９乃至図３１を用いて、以下説明を行う。
なお、本明細書等において蛍光材料とは、一重項励起状態の最も低い準位（Ｓ１準位）
から基底状態へ緩和する際に可視光領域に発光を与える材料である。燐光材料とは、三重
項励起状態の最も低い準位（Ｔ１準位）から基底状態へ緩和する際に、室温において可視
光領域に発光を与える材料である。換言すると燐光材料とは、三重項励起エネルギーを可
視光へ変換可能な材料である。
から基底状態へ緩和する際に可視光領域に発光を与える材料である。燐光材料とは、三重
項励起状態の最も低い準位（Ｔ１準位）から基底状態へ緩和する際に、室温において可視
光領域に発光を与える材料である。換言すると燐光材料とは、三重項励起エネルギーを可
視光へ変換可能な材料である。
なお、本明細書等において、室温とは、０℃乃至４０℃のいずれかの温度をいう。
図２９は、発光素子４５０の断面模式図である。
図２９に示す発光素子４５０は、一対の電極（電極４０１及び電極４０２）の間にＥＬ
層４００が挟まれた構造である。なお、発光素子４５０において、電極４０１が陽極とし
て機能し、電極４０２が陰極として機能するとして以下説明するが、逆であっても構わな
い。
層４００が挟まれた構造である。なお、発光素子４５０において、電極４０１が陽極とし
て機能し、電極４０２が陰極として機能するとして以下説明するが、逆であっても構わな
い。
また、ＥＬ層４００は、発光層４１３と、発光層４１４と、を有する。また、発光素子
４５０おいて、ＥＬ層４００として、発光層４１３及び発光層４１４の他に、正孔注入層
４１１、正孔輸送層４１２、電子輸送層４１５、及び電子注入層４１６が図示されている
が、これらの積層構造は一例であり、発光素子４５０におけるＥＬ層４００の構成はこれ
らに限定されない。例えば、ＥＬ層４００において、上記各層の積層順を変えてもよい。
または、ＥＬ層４００において、上記各層以外の機能層を設けてもよい。該機能層として
は、例えば、キャリア（電子またはホール）を注入する機能、キャリアを輸送する機能、
キャリアを抑止する機能、キャリアを発生する機能を有する構成とすればよい。
４５０おいて、ＥＬ層４００として、発光層４１３及び発光層４１４の他に、正孔注入層
４１１、正孔輸送層４１２、電子輸送層４１５、及び電子注入層４１６が図示されている
が、これらの積層構造は一例であり、発光素子４５０におけるＥＬ層４００の構成はこれ
らに限定されない。例えば、ＥＬ層４００において、上記各層の積層順を変えてもよい。
または、ＥＬ層４００において、上記各層以外の機能層を設けてもよい。該機能層として
は、例えば、キャリア（電子またはホール）を注入する機能、キャリアを輸送する機能、
キャリアを抑止する機能、キャリアを発生する機能を有する構成とすればよい。
また、発光層４１３は、ゲスト材料４２１と、ホスト材料４２２とを有する。また、発
光層４１４は、ゲスト材料４３１と、有機化合物４３２と、有機化合物４３３とを有する
。なお、ゲスト材料４２１が蛍光材料、ゲスト材料４３１が燐光材料として、以下説明す
る。
光層４１４は、ゲスト材料４３１と、有機化合物４３２と、有機化合物４３３とを有する
。なお、ゲスト材料４２１が蛍光材料、ゲスト材料４３１が燐光材料として、以下説明す
る。
＜発光層４１３の発光機構＞
まず、発光層４１３の発光機構について、以下説明を行う。
まず、発光層４１３の発光機構について、以下説明を行う。
発光層４１３では、キャリアの再結合により、励起状態が形成される。ゲスト材料４２
１と比較してホスト材料４２２は大量に存在するので、励起状態は、ほぼホスト材料４２
２の励起状態として存在する。キャリアの再結合によって生じる一重項励起状態と三重項
励起状態の比（以下、励起子生成確率）は約１：３となる。
１と比較してホスト材料４２２は大量に存在するので、励起状態は、ほぼホスト材料４２
２の励起状態として存在する。キャリアの再結合によって生じる一重項励起状態と三重項
励起状態の比（以下、励起子生成確率）は約１：３となる。
はじめに、ホスト材料４２２のＴ１準位がゲスト材料４２１のＴ１準位よりも高い場合
について、以下説明する。
について、以下説明する。
ホスト材料４２２の三重項励起状態からゲスト材料４２１にエネルギー移動（三重項エ
ネルギー移動）が生じる。しかしながら、ゲスト材料４２１が蛍光材料であるため、三重
項励起状態は可視光領域に発光を与えない。したがって、ホスト材料４２２の三重項励起
状態を発光として利用することが難しい。よって、ホスト材料４２２のＴ１準位がゲスト
材料４２１のＴ１準位よりも高い場合においては、注入したキャリアのうち、最大でも約
２５％しか発光に利用することが難しい。
ネルギー移動）が生じる。しかしながら、ゲスト材料４２１が蛍光材料であるため、三重
項励起状態は可視光領域に発光を与えない。したがって、ホスト材料４２２の三重項励起
状態を発光として利用することが難しい。よって、ホスト材料４２２のＴ１準位がゲスト
材料４２１のＴ１準位よりも高い場合においては、注入したキャリアのうち、最大でも約
２５％しか発光に利用することが難しい。
次に、発光層４１３におけるホスト材料４２２と、ゲスト材料４２１とのエネルギー準
位の相関を図３０（Ａ）に示す。なお、図３０（Ａ）における表記及び符号は、以下の通
りである。
・Ｈｏｓｔ：ホスト材料４２２
・Ｇｕｅｓｔ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）
・ＳＦＨ：ホスト材料４２２の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＨ：ホスト材料４２２の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
位の相関を図３０（Ａ）に示す。なお、図３０（Ａ）における表記及び符号は、以下の通
りである。
・Ｈｏｓｔ：ホスト材料４２２
・Ｇｕｅｓｔ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）
・ＳＦＨ：ホスト材料４２２の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＨ：ホスト材料４２２の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
図３０（Ａ）に示すように、ゲスト材料のＴ１準位（図３０（Ａ）において、ＴＦＧ）
がホスト材料のＴ１準位（図３０（Ａ）において、ＴＦＨ）よりも高い構成である。
がホスト材料のＴ１準位（図３０（Ａ）において、ＴＦＨ）よりも高い構成である。
また、図３０（Ａ）に示すように、三重項－三重項消滅（ＴＴＡ：Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔ
ｒｉｐｌｅｔ Ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）によって、三重項励起子同士が衝突すること
により、その一部がホスト材料の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＦＨ）に変換される
。ホスト材料の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＦＨ）からは、それよりも準位の低い
ゲスト材料（蛍光材料）の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＦＧ）へエネルギー移動が
起こり（図３０（Ａ）Ｒｏｕｔｅ Ａ参照）、ゲスト材料（蛍光材料）が発光する。
ｒｉｐｌｅｔ Ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）によって、三重項励起子同士が衝突すること
により、その一部がホスト材料の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＦＨ）に変換される
。ホスト材料の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＦＨ）からは、それよりも準位の低い
ゲスト材料（蛍光材料）の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＦＧ）へエネルギー移動が
起こり（図３０（Ａ）Ｒｏｕｔｅ Ａ参照）、ゲスト材料（蛍光材料）が発光する。
なお、ホスト材料のＴ１準位がゲスト材料のＴ１準位よりも低いため、ＴＦＧは失活す
ることなくＴＦＨにエネルギー移動（図３０（Ａ）に示すＲｏｕｔｅ Ｂ参照）し、ＴＴ
Ａに利用される。
ることなくＴＦＨにエネルギー移動（図３０（Ａ）に示すＲｏｕｔｅ Ｂ参照）し、ＴＴ
Ａに利用される。
発光層４１３を上述の構成とすることで、発光層４１３のゲスト材料４２１からの発光
を、効率よく得ることが可能となる。
を、効率よく得ることが可能となる。
＜発光層４１４の発光機構＞
次に、発光層４１４の発光機構について、以下説明を行う。
次に、発光層４１４の発光機構について、以下説明を行う。
発光層４１４が有する、有機化合物４３２と、有機化合物４３３とは励起錯体（Ｅｘｃ
ｉｐｌｅｘともいう）を形成する。有機化合物４３２または有機化合物４３３のいずれか
一方は、発光層４１４のホスト材料として機能し、有機化合物４３２または有機化合物４
３３の他方は、発光層４１４のアシスト材料として機能する。なお、以下の説明において
は、有機化合物４３２をホスト材料として、有機化合物４３３をアシスト材料として説明
を行う。
ｉｐｌｅｘともいう）を形成する。有機化合物４３２または有機化合物４３３のいずれか
一方は、発光層４１４のホスト材料として機能し、有機化合物４３２または有機化合物４
３３の他方は、発光層４１４のアシスト材料として機能する。なお、以下の説明において
は、有機化合物４３２をホスト材料として、有機化合物４３３をアシスト材料として説明
を行う。
発光層４１４における励起錯体を形成する有機化合物４３２と有機化合物４３３との組
み合わせは、励起錯体を形成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が正孔輸
送性を有する材料であり、他方が電子輸送性を有する材料であることが、より好ましい。
この場合、ドナー－アクセプター型の励起状態を形成しやすくなり、効率よく励起錯体を
形成することができるようになる。また、正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する
材料との組み合わせによって、有機化合物４３２と有機化合物４３３の組み合わせを構成
する場合、その混合比によってキャリアバランスを容易に制御することができる。具体的
には正孔輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：９から９：１（重量比）の
範囲が好ましい。また、該構成を有することで、容易にキャリアバランスを制御すること
ができることから、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
み合わせは、励起錯体を形成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が正孔輸
送性を有する材料であり、他方が電子輸送性を有する材料であることが、より好ましい。
この場合、ドナー－アクセプター型の励起状態を形成しやすくなり、効率よく励起錯体を
形成することができるようになる。また、正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する
材料との組み合わせによって、有機化合物４３２と有機化合物４３３の組み合わせを構成
する場合、その混合比によってキャリアバランスを容易に制御することができる。具体的
には正孔輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：９から９：１（重量比）の
範囲が好ましい。また、該構成を有することで、容易にキャリアバランスを制御すること
ができることから、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
発光層４１４における有機化合物４３２と、有機化合物４３３と、ゲスト材料４３１と
のエネルギー準位の相関を図３０（Ｂ）に示す。なお、図３０（Ｂ）における表記及び符
号は、以下の通りである。
・Ｈｏｓｔ：有機化合物４３２
・Ａｓｓｉｓｔ：有機化合物４３３
・Ｇｕｅｓｔ：ゲスト材料４３１（燐光材料）
・ＳＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料４３１（燐光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＥ：励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＥ：励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
のエネルギー準位の相関を図３０（Ｂ）に示す。なお、図３０（Ｂ）における表記及び符
号は、以下の通りである。
・Ｈｏｓｔ：有機化合物４３２
・Ａｓｓｉｓｔ：有機化合物４３３
・Ｇｕｅｓｔ：ゲスト材料４３１（燐光材料）
・ＳＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料４３１（燐光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＥ：励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＥ：励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
本発明の一態様の発光素子においては、発光層４１４が有する有機化合物４３２と有機
化合物４３３が励起錯体を形成する。励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＥ）
と励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位（ＴＥ）は互いに隣接することになる（図３
０（Ｂ）Ｒｏｕｔｅ Ｃ参照）。
化合物４３３が励起錯体を形成する。励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位（ＳＥ）
と励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位（ＴＥ）は互いに隣接することになる（図３
０（Ｂ）Ｒｏｕｔｅ Ｃ参照）。
励起錯体は、２種類の物質からなる励起状態であり、光励起の場合、励起状態となった
一つの分子がもう一方の基底状態の物質と相互作用することによって形成される。そして
、光を発することによって基底状態となると、励起錯体を形成していた２種類の物質はま
た元の別々の物質として振舞う。電気励起の場合は、一方のカチオン分子（ホール）と他
方のアニオン分子（電子）が近接することで励起錯体を形成できる。すなわち電気励起に
おいては、いずれの分子においても単体で励起状態を形成することなく励起錯体が形成で
きるため、駆動電圧の低減につながる。そして、励起錯体の（ＳＥ）と（ＴＥ）の双方の
エネルギーを、ゲスト材料４３１（燐光材料）の三重項励起状態の最も低い準位へ移動さ
せて発光が得られる（図３０（Ｂ）Ｒｏｕｔｅ Ｄ参照）。
一つの分子がもう一方の基底状態の物質と相互作用することによって形成される。そして
、光を発することによって基底状態となると、励起錯体を形成していた２種類の物質はま
た元の別々の物質として振舞う。電気励起の場合は、一方のカチオン分子（ホール）と他
方のアニオン分子（電子）が近接することで励起錯体を形成できる。すなわち電気励起に
おいては、いずれの分子においても単体で励起状態を形成することなく励起錯体が形成で
きるため、駆動電圧の低減につながる。そして、励起錯体の（ＳＥ）と（ＴＥ）の双方の
エネルギーを、ゲスト材料４３１（燐光材料）の三重項励起状態の最も低い準位へ移動さ
せて発光が得られる（図３０（Ｂ）Ｒｏｕｔｅ Ｄ参照）。
なお、上記に示すＲｏｕｔｅ Ｃ及びＲｏｕｔｅ Ｄの過程を、本明細書等においてＥ
ｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）と呼
称する。別言すると、発光素子４５０は、励起錯体からゲスト材料４３１（燐光材料）へ
のエネルギー授受がある。
ｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）と呼
称する。別言すると、発光素子４５０は、励起錯体からゲスト材料４３１（燐光材料）へ
のエネルギー授受がある。
また、有機化合物４３２及び有機化合物４３３は、一方がホールを、他方が電子を受け
取り、それらが近接することで速やかに励起錯体を形成する。あるいは、一方が励起状態
となると、速やかに他方の物質と相互作用することで励起錯体を形成する。したがって、
発光層４１４における励起子のほとんどが励起錯体として存在する。励起錯体は、有機化
合物４３２及び有機化合物４３３のどちらよりもバンドギャップは小さくなるため、一方
のホールと他方の電子の再結合から励起錯体が形成されることにより、駆動電圧を下げる
ことができる。
取り、それらが近接することで速やかに励起錯体を形成する。あるいは、一方が励起状態
となると、速やかに他方の物質と相互作用することで励起錯体を形成する。したがって、
発光層４１４における励起子のほとんどが励起錯体として存在する。励起錯体は、有機化
合物４３２及び有機化合物４３３のどちらよりもバンドギャップは小さくなるため、一方
のホールと他方の電子の再結合から励起錯体が形成されることにより、駆動電圧を下げる
ことができる。
発光層４１４を上述の構成とすることで、発光層４１４のゲスト材料４３１（燐光材料
）からの発光を、効率よく得ることが可能となる。
）からの発光を、効率よく得ることが可能となる。
＜発光層４１３と発光層４１４の発光機構＞
発光層４１３及び発光層４１４のそれぞれの発光機構について、上記説明したが、発光
素子４５０に示すように、発光層４１３と、発光層４１４とが互いに接する構成を有する
場合、発光層４１３と発光層４１４の界面において、励起錯体から発光層４１３のホスト
材料４２２へのエネルギー移動（とくに三重項励起準位のエネルギー移動）が起こったと
しても、発光層４１３にて上記三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
発光層４１３及び発光層４１４のそれぞれの発光機構について、上記説明したが、発光
素子４５０に示すように、発光層４１３と、発光層４１４とが互いに接する構成を有する
場合、発光層４１３と発光層４１４の界面において、励起錯体から発光層４１３のホスト
材料４２２へのエネルギー移動（とくに三重項励起準位のエネルギー移動）が起こったと
しても、発光層４１３にて上記三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
なお、発光層４１３のホスト材料４２２のＴ１準位が、発光層４１４が有する有機化合
物４３２及び有機化合物４３３のＴ１準位よりも低いと好ましい。また、発光層４１３に
おいて、ホスト材料４２２のＳ１準位がゲスト材料４２１（蛍光材料）のＳ１準位よりも
高く、且つ、ホスト材料４２２のＴ１準位がゲスト材料４２１（蛍光材料）のＴ１準位よ
りも低いと好ましい。
物４３２及び有機化合物４３３のＴ１準位よりも低いと好ましい。また、発光層４１３に
おいて、ホスト材料４２２のＳ１準位がゲスト材料４２１（蛍光材料）のＳ１準位よりも
高く、且つ、ホスト材料４２２のＴ１準位がゲスト材料４２１（蛍光材料）のＴ１準位よ
りも低いと好ましい。
具体的には、発光層４１３にＴＴＡを用い、発光層４１４にＥｘＴＥＴを用いる場合の
エネルギー準位の相関を図３１に示す。なお、図３１における表記及び符号は、以下の通
りである。
・Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ＥＭＬ：蛍光発光層（発光層４１３）
・Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ＥＭＬ：燐光発光層（発光層４１４）
・ＳＦＨ：ホスト材料４２２の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＨ：ホスト材料４２２の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料４３１（燐光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＥ：励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＥ：励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
エネルギー準位の相関を図３１に示す。なお、図３１における表記及び符号は、以下の通
りである。
・Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ＥＭＬ：蛍光発光層（発光層４１３）
・Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ＥＭＬ：燐光発光層（発光層４１４）
・ＳＦＨ：ホスト材料４２２の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＨ：ホスト材料４２２の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料４２１（蛍光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＨ：ホスト材料（有機化合物４３２）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料４３１（燐光材料）の三重項励起状態の最も低い準位
・ＳＥ：励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・ＴＥ：励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
図３１に示すように、励起錯体は励起状態でしか存在しないため、励起錯体同士の励起
子拡散は生じにくい。また、励起錯体の励起準位（ＳＥ、ＴＥ）は、発光層４１４の有機
化合物４３２（すなわち、燐光材料のホスト材料）の励起準位（ＳＰＨ、ＴＰＨ）よりも
低いので、励起錯体から有機化合物４３２へのエネルギーの拡散も生じない。すなわち、
燐光発光層（発光層４１４）内において、励起錯体の励起子拡散距離は短いため、燐光発
光層（発光層４１４）の効率を保つことが可能となる。また、蛍光発光層（発光層４１３
）と燐光発光層（発光層４１４）の界面において、燐光発光層（発光層４１４）の励起錯
体の三重項励起エネルギーの一部が、蛍光発光層（発光層４１３）に拡散したとしても、
その拡散によって生じた蛍光発光層（発光層４１３）の三重項励起エネルギーは、ＴＴＡ
を通じて発光されるため、エネルギー損失を低減することが可能となる。
子拡散は生じにくい。また、励起錯体の励起準位（ＳＥ、ＴＥ）は、発光層４１４の有機
化合物４３２（すなわち、燐光材料のホスト材料）の励起準位（ＳＰＨ、ＴＰＨ）よりも
低いので、励起錯体から有機化合物４３２へのエネルギーの拡散も生じない。すなわち、
燐光発光層（発光層４１４）内において、励起錯体の励起子拡散距離は短いため、燐光発
光層（発光層４１４）の効率を保つことが可能となる。また、蛍光発光層（発光層４１３
）と燐光発光層（発光層４１４）の界面において、燐光発光層（発光層４１４）の励起錯
体の三重項励起エネルギーの一部が、蛍光発光層（発光層４１３）に拡散したとしても、
その拡散によって生じた蛍光発光層（発光層４１３）の三重項励起エネルギーは、ＴＴＡ
を通じて発光されるため、エネルギー損失を低減することが可能となる。
以上のように、発光素子４５０は、発光層４１４にＥｘＴＥＴを利用し、且つ発光層４
１３にＴＴＡを利用することで、エネルギー損失が低減されるため、高い発光効率の発光
素子とすることができる。また、発光素子４５０に示すように、発光層４１３と、発光層
４１４とが互いに接する構成とする場合、上記エネルギー損失が低減されるとともに、Ｅ
Ｌ層４００の層数を低減させることができる。したがって、製造コストの少ない発光素子
とすることができる。
１３にＴＴＡを利用することで、エネルギー損失が低減されるため、高い発光効率の発光
素子とすることができる。また、発光素子４５０に示すように、発光層４１３と、発光層
４１４とが互いに接する構成とする場合、上記エネルギー損失が低減されるとともに、Ｅ
Ｌ層４００の層数を低減させることができる。したがって、製造コストの少ない発光素子
とすることができる。
なお、発光層４１３と発光層４１４とは互いに接していない構成であっても良い。この
場合、発光層４１４中で生成する、有機化合物４３２またはゲスト材料４３１（燐光材料
）の励起状態から発光層４１３中のホスト材料４２２、またはゲスト材料４２１（蛍光材
料）へのデクスター機構によるエネルギー移動（特に三重項エネルギー移動）を防ぐこと
ができる。したがって、発光層４１３と発光層４１４の間に設ける層は数ｎｍ程度の厚さ
があればよい。
場合、発光層４１４中で生成する、有機化合物４３２またはゲスト材料４３１（燐光材料
）の励起状態から発光層４１３中のホスト材料４２２、またはゲスト材料４２１（蛍光材
料）へのデクスター機構によるエネルギー移動（特に三重項エネルギー移動）を防ぐこと
ができる。したがって、発光層４１３と発光層４１４の間に設ける層は数ｎｍ程度の厚さ
があればよい。
発光層４１３と発光層４１４の間に設ける層は単一の材料で構成されていても良いが、
正孔輸送性材料と電子輸送性材料の両者が含まれていても良い。単一の材料で構成する場
合、バイポーラー性材料を用いても良い。ここでバイポーラー性材料とは、電子と正孔の
移動度の比が１００以下である材料を指す。また、正孔輸送性材料または電子輸送性材料
などを使用しても良い。もしくは、そのうちの少なくとも一つは、発光層４１４のホスト
材料（有機化合物４３２）と同一の材料で形成しても良い。これにより、発光素子の作製
が容易になり、また、駆動電圧が低減される。さらに、正孔輸送性材料と電子輸送性材と
で励起錯体を形成しても良く、これによって励起子の拡散を効果的に防ぐことができる。
具体的には、発光層４１４のホスト材料（有機化合物４３２）あるいはゲスト材料４３１
（燐光材料）の励起状態から、発光層４１３のホスト材料４２２あるいはゲスト材料４２
１（蛍光材料）へのエネルギー移動を防ぐことができる。
正孔輸送性材料と電子輸送性材料の両者が含まれていても良い。単一の材料で構成する場
合、バイポーラー性材料を用いても良い。ここでバイポーラー性材料とは、電子と正孔の
移動度の比が１００以下である材料を指す。また、正孔輸送性材料または電子輸送性材料
などを使用しても良い。もしくは、そのうちの少なくとも一つは、発光層４１４のホスト
材料（有機化合物４３２）と同一の材料で形成しても良い。これにより、発光素子の作製
が容易になり、また、駆動電圧が低減される。さらに、正孔輸送性材料と電子輸送性材と
で励起錯体を形成しても良く、これによって励起子の拡散を効果的に防ぐことができる。
具体的には、発光層４１４のホスト材料（有機化合物４３２）あるいはゲスト材料４３１
（燐光材料）の励起状態から、発光層４１３のホスト材料４２２あるいはゲスト材料４２
１（蛍光材料）へのエネルギー移動を防ぐことができる。
なお、発光素子４５０では、キャリアの再結合領域はある程度の分布を持って形成され
ることが好ましい。このため、発光層４１３または発光層４１４において、適度なキャリ
アトラップ性があることが好ましく、特に、発光層４１４が有するゲスト材料４３１（燐
光材料）が電子トラップ性を有していることが好ましい。
ることが好ましい。このため、発光層４１３または発光層４１４において、適度なキャリ
アトラップ性があることが好ましく、特に、発光層４１４が有するゲスト材料４３１（燐
光材料）が電子トラップ性を有していることが好ましい。
なお、発光層４１３からの発光が、発光層４１４からの発光よりも短波長側に発光のピ
ークを有する構成とすることが好ましい。短波長の発光を呈する燐光材料を用いた発光素
子は輝度劣化が早い傾向がある。そこで、短波長の発光を蛍光発光とすることによって、
輝度劣化の小さい発光素子を提供することができる。
ークを有する構成とすることが好ましい。短波長の発光を呈する燐光材料を用いた発光素
子は輝度劣化が早い傾向がある。そこで、短波長の発光を蛍光発光とすることによって、
輝度劣化の小さい発光素子を提供することができる。
また、発光層４１３と発光層４１４とで異なる発光波長の光を得ることによって、多色
発光の素子とすることができる。この場合、発光スペクトルは異なる発光ピークを有する
発光が合成された光となるため、少なくとも二つの極大値を有する発光スペクトルとなる
。
発光の素子とすることができる。この場合、発光スペクトルは異なる発光ピークを有する
発光が合成された光となるため、少なくとも二つの極大値を有する発光スペクトルとなる
。
また、上記の構成は白色発光を得るためにも好適である。発光層４１３と発光層４１４
との光を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。
との光を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。
また、発光層４１３に発光波長の異なる複数の発光物質を用いることによって、三原色
や、４色以上の発光色からなる演色性の高い白色発光を得ることもできる。この場合、発
光層４１３を層状にさらに分割し、当該分割した層ごとに異なる発光材料を含有させるよ
うにしても良い。
や、４色以上の発光色からなる演色性の高い白色発光を得ることもできる。この場合、発
光層４１３を層状にさらに分割し、当該分割した層ごとに異なる発光材料を含有させるよ
うにしても良い。
次に、発光層４１３及び発光層４１４に用いることのできる材料について、以下説明す
る。
る。
＜発光層４１３に用いることのできる材料＞
発光層４１３中では、ホスト材料４２２が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料４２１
（蛍光材料）は、ホスト材料４２２中に分散される。ホスト材料４２２のＳ１準位は、ゲ
スト材料４２１（蛍光材料）のＳ１準位よりも高く、ホスト材料４２２のＴ１準位は、ゲ
スト材料４２１（蛍光材料）のＴ１準位よりも低いことが好ましい。
発光層４１３中では、ホスト材料４２２が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料４２１
（蛍光材料）は、ホスト材料４２２中に分散される。ホスト材料４２２のＳ１準位は、ゲ
スト材料４２１（蛍光材料）のＳ１準位よりも高く、ホスト材料４２２のＴ１準位は、ゲ
スト材料４２１（蛍光材料）のＴ１準位よりも低いことが好ましい。
ホスト材料４２２として、アントラセン誘導体、あるいはテトラセン誘導体が好ましい
。これらの誘導体はＳ１準位が高く、Ｔ１準位が低いからである。具体的には、９－フェ
ニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール
（略称：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ
－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル
）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニル－
９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢ
ＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－ベンゾ
［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１０－
｛４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４’－イル｝アント
ラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）などが挙げられる。あるいは、５，１２－ジフェニルテトラ
セン、５，１２－ビス（ビフェニル－２－イル）テトラセンなどが挙げられる。
。これらの誘導体はＳ１準位が高く、Ｔ１準位が低いからである。具体的には、９－フェ
ニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール
（略称：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ
－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル
）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニル－
９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢ
ＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－ベンゾ
［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１０－
｛４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４’－イル｝アント
ラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）などが挙げられる。あるいは、５，１２－ジフェニルテトラ
セン、５，１２－ビス（ビフェニル－２－イル）テトラセンなどが挙げられる。
ゲスト材料４２１（蛍光材料）としては、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフ
ェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、
ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘
導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。
特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、
Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－
フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦ
ＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）
フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰ
ｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾフラン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－
１，６－ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾチオフェン
－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰ
ｒｎ）などが挙げられる。
ェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、
ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘
導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。
特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、
Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－
フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦ
ＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）
フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰ
ｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾフラン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－
１，６－ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾチオフェン
－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰ
ｒｎ）などが挙げられる。
＜発光層４１４に用いることのできる材料＞
発光層４１４中では、ホスト材料（有機化合物４３２）が重量比で最も多く存在し、ゲ
スト材料４３１（燐光材料）は、ホスト材料（有機化合物４３２）中に分散される。発光
層４１４のホスト材料（有機化合物４３２）のＴ１準位は、発光層４１３のゲスト材料４
２１（蛍光材料）のＴ１準位よりも高いことが好ましい。
発光層４１４中では、ホスト材料（有機化合物４３２）が重量比で最も多く存在し、ゲ
スト材料４３１（燐光材料）は、ホスト材料（有機化合物４３２）中に分散される。発光
層４１４のホスト材料（有機化合物４３２）のＴ１準位は、発光層４１３のゲスト材料４
２１（蛍光材料）のＴ１準位よりも高いことが好ましい。
ホスト材料（有機化合物４３２）としては、亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、オキ
サジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘
導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体
、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナン
トロリン誘導体などが挙げられる。他の例としては、芳香族アミンやカルバゾール誘導体
などが挙げられる。
サジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘
導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体
、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナン
トロリン誘導体などが挙げられる。他の例としては、芳香族アミンやカルバゾール誘導体
などが挙げられる。
ゲスト材料４３１（燐光材料）としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の有機
金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム
系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ－トリアゾール
配位子、１Ｈ－トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン
配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体とし
ては、ポルフィリン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。
金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム
系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ－トリアゾール
配位子、１Ｈ－トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン
配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体とし
ては、ポルフィリン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。
有機化合物４３３（アシスト材料）としては、有機化合物４３２と励起錯体を形成でき
る組み合わせが好ましい。この場合、励起錯体の発光ピークが燐光材料の三重項ＭＬＣＴ
（Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯、
より具体的には、最も長波長側の吸収帯と重なるように有機化合物４３２、有機化合物４
３３、およびゲスト材料４３１（燐光材料）を選択することが好ましい。これにより、発
光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。ただし、燐光材料に替えて熱活
性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒ
ｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料を用いる場合においては、最も長波長側の吸収帯は一重
項の吸収帯であることが好ましい。
る組み合わせが好ましい。この場合、励起錯体の発光ピークが燐光材料の三重項ＭＬＣＴ
（Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯、
より具体的には、最も長波長側の吸収帯と重なるように有機化合物４３２、有機化合物４
３３、およびゲスト材料４３１（燐光材料）を選択することが好ましい。これにより、発
光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。ただし、燐光材料に替えて熱活
性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒ
ｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料を用いる場合においては、最も長波長側の吸収帯は一重
項の吸収帯であることが好ましい。
発光層４１４に含まれる発光材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変換できる
材料であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、燐光材料
の他に、ＴＡＤＦ材料が挙げられる。したがって、燐光材料と記載した部分に関しては、
ＴＡＤＦ材料と読み替えても構わない。なお、ＴＡＤＦ材料とは、三重項励起状態をわず
かな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、
一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化
遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起準位と一重項励起準位のエネルギ
ー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙
げられる。
材料であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、燐光材料
の他に、ＴＡＤＦ材料が挙げられる。したがって、燐光材料と記載した部分に関しては、
ＴＡＤＦ材料と読み替えても構わない。なお、ＴＡＤＦ材料とは、三重項励起状態をわず
かな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、
一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化
遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起準位と一重項励起準位のエネルギ
ー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙
げられる。
また、発光層４１３に含まれる発光材料と発光層４１４に含まれる発光材料の発光色に
限定は無く、同じでも異なっていても良い。各々から得られる発光が混合されて素子外へ
取り出されるので、例えば両者の発光色が互いに補色の関係にある場合、発光素子は白色
の光を与えることができる。発光素子の信頼性を考慮すると、発光層４１３に含まれる発
光材料の発光ピーク波長は発光層４１４に含まれる発光材料のそれよりも短いことが好ま
しい。
限定は無く、同じでも異なっていても良い。各々から得られる発光が混合されて素子外へ
取り出されるので、例えば両者の発光色が互いに補色の関係にある場合、発光素子は白色
の光を与えることができる。発光素子の信頼性を考慮すると、発光層４１３に含まれる発
光材料の発光ピーク波長は発光層４１４に含まれる発光材料のそれよりも短いことが好ま
しい。
なお、発光層４１３及び発光層４１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェッ
ト法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。
ト法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図３２乃至図４０を用いて説明
する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図３２乃至図４０を用いて説明
する。
＜発光装置の構成例１＞
図３２（Ａ）は発光装置６００を示す上面図、図３２（Ｂ）は図３２（Ａ）の一点鎖線
Ａ－Ｂ、及び一点鎖線Ｃ－Ｄで切断した断面図である。発光装置６００は、駆動回路部（
信号線駆動回路部６０１、及び走査線駆動回路部６０３）、並びに画素部６０２を有する
。なお、信号線駆動回路部６０１、走査線駆動回路部６０３、及び画素部６０２は、発光
素子の発光を制御する機能を有する。
図３２（Ａ）は発光装置６００を示す上面図、図３２（Ｂ）は図３２（Ａ）の一点鎖線
Ａ－Ｂ、及び一点鎖線Ｃ－Ｄで切断した断面図である。発光装置６００は、駆動回路部（
信号線駆動回路部６０１、及び走査線駆動回路部６０３）、並びに画素部６０２を有する
。なお、信号線駆動回路部６０１、走査線駆動回路部６０３、及び画素部６０２は、発光
素子の発光を制御する機能を有する。
また、発光装置６００は、素子基板６１０と、封止基板６０４と、シール材６０５と、
シール材６０５で囲まれた領域６０７と、引き回し配線６０８と、ＦＰＣ６０９と、を有
する。
シール材６０５で囲まれた領域６０７と、引き回し配線６０８と、ＦＰＣ６０９と、を有
する。
なお、引き回し配線６０８は、信号線駆動回路部６０１及び走査線駆動回路部６０３に
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ６０９からビデ
オ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰ
Ｃ６０９しか図示されていないが、ＦＰＣ６０９にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り
付けられていても良い。
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ６０９からビデ
オ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰ
Ｃ６０９しか図示されていないが、ＦＰＣ６０９にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り
付けられていても良い。
また、信号線駆動回路部６０１は、Ｎ型のトランジスタ６２３とＰ型のトランジスタ６
２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。なお、信号線駆動回路部６０１または
走査線駆動回路部６０３としては、ＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路、またはＮＭＯＳ回路等
を用いることが出来る。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路部を形成したドライ
バと画素とを同一の表面上に設けた発光装置を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回
路部を基板上ではなく外部に形成することもできる。
２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。なお、信号線駆動回路部６０１または
走査線駆動回路部６０３としては、ＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路、またはＮＭＯＳ回路等
を用いることが出来る。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路部を形成したドライ
バと画素とを同一の表面上に設けた発光装置を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回
路部を基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素部６０２は、スイッチング用のトランジスタ６１１と、電流制御用のトラン
ジスタ６１２と、電流制御用のトランジスタ６１２のドレインに電気的に接続された下部
電極６１３と、を有する。なお、下部電極６１３の端部を覆って隔壁６１４が形成されて
いる。隔壁６１４としては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。
ジスタ６１２と、電流制御用のトランジスタ６１２のドレインに電気的に接続された下部
電極６１３と、を有する。なお、下部電極６１３の端部を覆って隔壁６１４が形成されて
いる。隔壁６１４としては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。
また、被覆性を良好なものとするため、隔壁６１４の上端部または下端部に曲率を有す
る曲面が形成されるようにする。例えば、隔壁６１４の材料としてポジ型の感光性アクリ
ルを用いた場合、隔壁６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ以上３μｍ以下）を有
する曲面を持たせることが好ましい。また、隔壁６１４として、ネガ型の感光性樹脂、ま
たはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
る曲面が形成されるようにする。例えば、隔壁６１４の材料としてポジ型の感光性アクリ
ルを用いた場合、隔壁６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ以上３μｍ以下）を有
する曲面を持たせることが好ましい。また、隔壁６１４として、ネガ型の感光性樹脂、ま
たはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
なお、トランジスタ（トランジスタ６１１、６１２、６２３、６２４）の構造は、特に
限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタの
極性についても特に限定はなく、Ｎ型およびＰ型のトランジスタを有する構造、及びＮ型
のトランジスタまたはＰ型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用いてもよ
い。また、トランジスタに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定はない。例え
ば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては
、１４族（ケイ素、ガリウム等）半導体、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半
導体等を用いることができる。トランジスタとしては、例えば、エネルギーギャップが２
ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用
いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。該酸化物半
導体としては、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）
、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ランタン（Ｌａ）、
セリウム（Ｃｅ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはネオジム（Ｎｄ）を表す
）等が挙げられる。
限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタの
極性についても特に限定はなく、Ｎ型およびＰ型のトランジスタを有する構造、及びＮ型
のトランジスタまたはＰ型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用いてもよ
い。また、トランジスタに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定はない。例え
ば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては
、１４族（ケイ素、ガリウム等）半導体、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半
導体等を用いることができる。トランジスタとしては、例えば、エネルギーギャップが２
ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用
いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。該酸化物半
導体としては、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）
、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ランタン（Ｌａ）、
セリウム（Ｃｅ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはネオジム（Ｎｄ）を表す
）等が挙げられる。
下部電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および上部電極６１７がそれぞれ形成されてい
る。なお、下部電極６１３は、陽極として機能し、上部電極６１７は、陰極として機能す
る。
る。なお、下部電極６１３は、陽極として機能し、上部電極６１７は、陰極として機能す
る。
また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート
法等の種々の方法によって形成される。また、ＥＬ層６１６を構成する材料としては、低
分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。
法等の種々の方法によって形成される。また、ＥＬ層６１６を構成する材料としては、低
分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。
なお、下部電極６１３、ＥＬ層６１６、及び上部電極６１７により、発光素子６１８が
形成される。発光素子６１８は、実施の形態１の構成を有する発光素子であると好ましい
。なお、画素部に複数の発光素子が形成される場合、実施の形態１に記載の発光素子と、
それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。
形成される。発光素子６１８は、実施の形態１の構成を有する発光素子であると好ましい
。なお、画素部に複数の発光素子が形成される場合、実施の形態１に記載の発光素子と、
それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。
また、シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、
素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた領域６０７に発光素
子６１８が備えられた構造になっている。なお、領域６０７には、充填材が充填されてお
り、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５に用いるこ
とができる紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂で充填される場合もあり、例えば、ＰＶＣ（
ポリビニルクロライド）系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、
シリコーン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）系樹脂、またはＥＶＡ（エチレンビニ
ルアセテート）系樹脂を用いることができる。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材
を設けると水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた領域６０７に発光素
子６１８が備えられた構造になっている。なお、領域６０７には、充填材が充填されてお
り、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５に用いるこ
とができる紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂で充填される場合もあり、例えば、ＰＶＣ（
ポリビニルクロライド）系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、
シリコーン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）系樹脂、またはＥＶＡ（エチレンビニ
ルアセテート）系樹脂を用いることができる。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材
を設けると水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
また、発光素子６１８と互いに重なるように、光学素子６２１が封止基板６０４の下方
に設けられる。また、封止基板６０４の下方には、遮光層６２２が設けられる。光学素子
６２１及び遮光層６２２としては、それぞれ、実施の形態１に示す光学素子、及び遮光層
と同様の構成とすればよい。
に設けられる。また、封止基板６０４の下方には、遮光層６２２が設けられる。光学素子
６２１及び遮光層６２２としては、それぞれ、実施の形態１に示す光学素子、及び遮光層
と同様の構成とすればよい。
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。ま
た、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しにくい材料であることが望ましい。ま
た、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ
Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリ
エステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
た、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しにくい材料であることが望ましい。ま
た、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ
Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリ
エステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
以上のようにして、実施の形態１に記載の発光素子及び光学素子を有する発光装置を得
ることができる。
＜発光装置の構成例２＞
ることができる。
＜発光装置の構成例２＞
次に、発光装置の別の一例について、図３３（Ａ）（Ｂ）、及び図３４を用いて説明を
行う。なお、図３３（Ａ）（Ｂ）、及び図３４は、本発明の一態様の発光装置の断面図で
ある。
行う。なお、図３３（Ａ）（Ｂ）、及び図３４は、本発明の一態様の発光装置の断面図で
ある。
図３３（Ａ）には基板１００１、下地絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート
電極１００６、１００７、１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０
２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、発光素子の下部電極１０
２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光素子の上部電極
１０２６、封止層１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２などが図示されている
。
電極１００６、１００７、１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０
２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、発光素子の下部電極１０
２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光素子の上部電極
１０２６、封止層１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２などが図示されている
。
また、図３３（Ａ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、
緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂ）を透明な基材１０３３に設けて
いる。また、遮光層１０３５をさらに設けても良い。着色層及び遮光層が設けられた透明
な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及び遮光層
は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３３（Ａ）においては、着色層
を透過する光は赤、緑、青となることから、３色の画素で映像を表現することができる。
緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂ）を透明な基材１０３３に設けて
いる。また、遮光層１０３５をさらに設けても良い。着色層及び遮光層が設けられた透明
な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及び遮光層
は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３３（Ａ）においては、着色層
を透過する光は赤、緑、青となることから、３色の画素で映像を表現することができる。
図３３（Ｂ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁
膜１０２０との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止
基板１０３１の間に設けられていても良い。
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁
膜１０２０との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止
基板１０３１の間に設けられていても良い。
図３４では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層
１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を第１の層間絶縁膜１０２０と第２の層間絶縁膜
１０２１との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止基
板１０３１の間に設けられていても良い。
＜発光装置の構成例３＞
１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を第１の層間絶縁膜１０２０と第２の層間絶縁膜
１０２１との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止基
板１０３１の間に設けられていても良い。
＜発光装置の構成例３＞
次に、発光装置の別の一例について、図３５（Ａ）（Ｂ）、及び図３６を用いて説明を
行う。なお、図３５（Ａ）（Ｂ）、及び図３６は、本発明の一態様の発光装置の断面図で
ある。
行う。なお、図３５（Ａ）（Ｂ）、及び図３６は、本発明の一態様の発光装置の断面図で
ある。
図３５（Ａ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ、及び黄色の着色層１０３４Ｙ）を透明な基
材１０３３に設けている。また、遮光層１０３５をさらに設けても良い。着色層及び遮光
層が設けられた透明な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、
着色層、及び遮光層は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３５（Ａ）
においては、着色層を透過する光は赤、青、緑、黄となることから、４色の画素で映像を
表現することができる。
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ、及び黄色の着色層１０３４Ｙ）を透明な基
材１０３３に設けている。また、遮光層１０３５をさらに設けても良い。着色層及び遮光
層が設けられた透明な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、
着色層、及び遮光層は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３５（Ａ）
においては、着色層を透過する光は赤、青、緑、黄となることから、４色の画素で映像を
表現することができる。
図３５（Ｂ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁
膜１０２０との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止
基板１０３１の間に設けられていても良い。
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁
膜１０２０との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止
基板１０３１の間に設けられていても良い。
また、図３５（Ｂ）においては、着色層をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１
０２０との間に形成する構成について例示したが、これに限定されず、図３６に示すよう
に、第１の層間絶縁膜１０２０と、第２の層間絶縁膜１０２１との間に着色層（赤色の着
色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ、及び黄色の着色層
１０３４Ｙ）を設けてもよい。
０２０との間に形成する構成について例示したが、これに限定されず、図３６に示すよう
に、第１の層間絶縁膜１０２０と、第２の層間絶縁膜１０２１との間に着色層（赤色の着
色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ、及び黄色の着色層
１０３４Ｙ）を設けてもよい。
また、以上に説明した発光装置では、トランジスタが形成されている基板１００１側に
光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に
発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。
光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に
発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。
＜発光装置の構成例４＞
トップエミッション型の発光装置の断面図の一例を図３７及び図３８に示す。図３７及
び図３８は、本発明の一態様の発光装置を説明する断面図であり、図３３に示す駆動回路
部１０４１、周辺部１０４２等を省略して例示している。
トップエミッション型の発光装置の断面図の一例を図３７及び図３８に示す。図３７及
び図３８は、本発明の一態様の発光装置を説明する断面図であり、図３３に示す駆動回路
部１０４１、周辺部１０４２等を省略して例示している。
この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いることができる。トランジスタと発
光素子の陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の発光装置
と同様に形成する。その後、電極１０２２を覆うように、第３の層間絶縁膜１０３７を形
成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間絶縁膜１０３７は第
２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の様々な材料を用いて形成することができる。
光素子の陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の発光装置
と同様に形成する。その後、電極１０２２を覆うように、第３の層間絶縁膜１０３７を形
成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間絶縁膜１０３７は第
２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の様々な材料を用いて形成することができる。
発光素子の下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極とするが、陰
極であっても構わない。また、図３７のようなトップエミッション型の発光装置である場
合、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂを反射電極とすることが好ましい。Ｅ
Ｌ層１０２８の構成は、実施の形態１のＥＬ層の構成と同様とすることができる。また、
ＥＬ層１０２８上に上部電極１０２６が設けられる。上部電極１０２６を半透過・半反射
電極として、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂと、上部電極１０２６との間
で、マイクロキャビティ構造を採用し、特定波長における光強度を増加させると好ましい
。
極であっても構わない。また、図３７のようなトップエミッション型の発光装置である場
合、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂを反射電極とすることが好ましい。Ｅ
Ｌ層１０２８の構成は、実施の形態１のＥＬ層の構成と同様とすることができる。また、
ＥＬ層１０２８上に上部電極１０２６が設けられる。上部電極１０２６を半透過・半反射
電極として、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂと、上部電極１０２６との間
で、マイクロキャビティ構造を採用し、特定波長における光強度を増加させると好ましい
。
図３７のようなトップエミッションの構造では、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑
色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止
を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するように遮光層１
０３５を設けても良い。なお、封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いると好適で
ある。
色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止
を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するように遮光層１
０３５を設けても良い。なお、封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いると好適で
ある。
また、図３７においては、複数の発光素子と、該複数の発光素子にそれぞれ着色層を設
ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図３８に示すように、緑色の着色
層を設けずに、赤色の着色層１０３４Ｒ、及び青色の着色層１０３４Ｂを設けて、赤、緑
、青の３色でフルカラー表示を行う構成としてもよい。図３７に示すように、発光素子と
、該発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、外光反射を抑制できるといった
効果を奏する。一方で、図３８に示すように、緑色の着色層を設けずに、赤色の着色層、
及び青色の着色層を設ける構成とした場合、緑色の発光素子から射出された光のエネルギ
ー損失が少ないため、消費電力を低くできるといった効果を奏する。
＜発光装置の構成例５＞
ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図３８に示すように、緑色の着色
層を設けずに、赤色の着色層１０３４Ｒ、及び青色の着色層１０３４Ｂを設けて、赤、緑
、青の３色でフルカラー表示を行う構成としてもよい。図３７に示すように、発光素子と
、該発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、外光反射を抑制できるといった
効果を奏する。一方で、図３８に示すように、緑色の着色層を設けずに、赤色の着色層、
及び青色の着色層を設ける構成とした場合、緑色の発光素子から射出された光のエネルギ
ー損失が少ないため、消費電力を低くできるといった効果を奏する。
＜発光装置の構成例５＞
トップエミッション型の発光装置の断面図の別の一例を図３９及び図４０に示す。図３
９及び図４０は、本発明の一態様の発光装置を説明する断面図である。なお、図４０は、
図３５に示す駆動回路部１０４１、周辺部１０４２等を省略して例示している。
９及び図４０は、本発明の一態様の発光装置を説明する断面図である。なお、図４０は、
図３５に示す駆動回路部１０４１、周辺部１０４２等を省略して例示している。
発光素子の下部電極１０２４Ｙ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極
とするが、陰極であっても構わない。また、図３９のようなトップエミッション型の発光
装置である場合、下部電極１０２４Ｙ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂを反射電極
とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実施の形態１のＥＬ層の構成と同様と
することができる。また、ＥＬ層１０２８上に上部電極１０２６が設けられる。上部電極
１０２６を半透過・半反射電極として、下部電極１０２４Ｙ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、
１０２４Ｂと、上部電極１０２６との間で、マイクロキャビティ構造を採用し、特定波長
における光強度を増加させると好ましい。
とするが、陰極であっても構わない。また、図３９のようなトップエミッション型の発光
装置である場合、下部電極１０２４Ｙ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂを反射電極
とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実施の形態１のＥＬ層の構成と同様と
することができる。また、ＥＬ層１０２８上に上部電極１０２６が設けられる。上部電極
１０２６を半透過・半反射電極として、下部電極１０２４Ｙ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、
１０２４Ｂと、上部電極１０２６との間で、マイクロキャビティ構造を採用し、特定波長
における光強度を増加させると好ましい。
図３９のようなトップエミッションの構造では、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑
色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ、及び黄色の着色層１０３４Ｙ）を設け
た封止基板１０３１で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間
に位置するように遮光層１０３５を設けても良い。なお、封止基板１０３１は透光性を有
する基板を用いると好適である。
色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ、及び黄色の着色層１０３４Ｙ）を設け
た封止基板１０３１で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間
に位置するように遮光層１０３５を設けても良い。なお、封止基板１０３１は透光性を有
する基板を用いると好適である。
また、図３９においては、複数の発光素子と、該複数の発光素子にそれぞれ着色層を設
ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図４０に示すように、黄色の着色
層を設けずに、赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１
０３４Ｂを設けて、赤、緑、青、黄の４色でフルカラー表示を行う構成としてもよい。図
３９に示すように、発光素子と、該発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、
外光反射を抑制できるといった効果を奏する。一方で、図４０に示すように、黄色の着色
層を設けずに、赤色の着色層、緑色の着色層、及び青色の着色層を設ける構成とした場合
、黄色の発光素子から射出された光のエネルギー損失が少ないため、消費電力を低くでき
るといった効果を奏する。
ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図４０に示すように、黄色の着色
層を設けずに、赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１
０３４Ｂを設けて、赤、緑、青、黄の４色でフルカラー表示を行う構成としてもよい。図
３９に示すように、発光素子と、該発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、
外光反射を抑制できるといった効果を奏する。一方で、図４０に示すように、黄色の着色
層を設けずに、赤色の着色層、緑色の着色層、及び青色の着色層を設ける構成とした場合
、黄色の発光素子から射出された光のエネルギー損失が少ないため、消費電力を低くでき
るといった効果を奏する。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態や本実施の形態中の他の構成と適宜
組み合わせることが可能である。
組み合わせることが可能である。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図４１（Ａ
）（Ｂ）を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図４１（Ａ
）（Ｂ）を用いて説明を行う。
なお、図４１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図であり、図４
１（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。
１（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。
＜表示装置に関する説明＞
図４１（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部８０２と
いう）と、画素部８０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（
以下、駆動回路部８０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路８０
６という）と、端子部８０７と、を有する。なお、保護回路８０６は、設けない構成とし
てもよい。
図４１（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部８０２と
いう）と、画素部８０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（
以下、駆動回路部８０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路８０
６という）と、端子部８０７と、を有する。なお、保護回路８０６は、設けない構成とし
てもよい。
駆動回路部８０４の一部、または全部は、画素部８０２と同一基板上に形成されている
ことが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部８０４
の一部、または全部が、画素部８０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回
路部８０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
ことが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部８０４
の一部、または全部が、画素部８０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回
路部８０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
画素部８０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置され
た複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路８０１という）を有し、駆動回
路部８０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、走査線駆動回路
８０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するため
の回路（以下、信号線駆動回路８０４ｂ）などの駆動回路を有する。
た複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路８０１という）を有し、駆動回
路部８０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、走査線駆動回路
８０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するため
の回路（以下、信号線駆動回路８０４ｂ）などの駆動回路を有する。
走査線駆動回路８０４ａは、シフトレジスタ等を有する。走査線駆動回路８０４ａは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力す
る。例えば、走査線駆動回路８０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力さ
れ、パルス信号を出力する。走査線駆動回路８０４ａは、走査信号が与えられる配線（以
下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、走査線
駆動回路８０４ａを複数設け、複数の走査線駆動回路８０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃
至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、走査線駆動回路８０４ａは、初期化信号
を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、走査線駆動回路８０
４ａは、別の信号を供給することも可能である。
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力す
る。例えば、走査線駆動回路８０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力さ
れ、パルス信号を出力する。走査線駆動回路８０４ａは、走査信号が与えられる配線（以
下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、走査線
駆動回路８０４ａを複数設け、複数の走査線駆動回路８０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃
至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、走査線駆動回路８０４ａは、初期化信号
を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、走査線駆動回路８０
４ａは、別の信号を供給することも可能である。
信号線駆動回路８０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。信号線駆動回路８０４ｂは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元とな
る信号（画像信号）が入力される。信号線駆動回路８０４ｂは、画像信号を元に画素回路
８０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは
、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信
号の出力を制御する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは、データ信号が与え
られる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有す
る。または、信号線駆動回路８０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有す
る。ただし、これに限定されず、信号線駆動回路８０４ｂは、別の信号を供給することも
可能である。
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元とな
る信号（画像信号）が入力される。信号線駆動回路８０４ｂは、画像信号を元に画素回路
８０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは
、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信
号の出力を制御する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは、データ信号が与え
られる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有す
る。または、信号線駆動回路８０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有す
る。ただし、これに限定されず、信号線駆動回路８０４ｂは、別の信号を供給することも
可能である。
信号線駆動回路８０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。
信号線駆動回路８０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、
画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを
用いて信号線駆動回路８０４ｂを構成してもよい。
信号線駆動回路８０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、
画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを
用いて信号線駆動回路８０４ｂを構成してもよい。
複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを
介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介し
てデータ信号が入力される。また、複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査線駆動回路
８０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列
目の画素回路８０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介して走査線駆動回路
８０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（
ｎはＹ以下の自然数）を介して信号線駆動回路８０４ｂからデータ信号が入力される。
介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介し
てデータ信号が入力される。また、複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査線駆動回路
８０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列
目の画素回路８０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介して走査線駆動回路
８０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（
ｎはＹ以下の自然数）を介して信号線駆動回路８０４ｂからデータ信号が入力される。
図４１（Ａ）に示す保護回路８０６は、例えば、走査線駆動回路８０４ａと画素回路８
０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路８０６は、信号線駆動
回路８０４ｂと画素回路８０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保
護回路８０６は、走査線駆動回路８０４ａと端子部８０７との間の配線に接続することが
できる。または、保護回路８０６は、信号線駆動回路８０４ｂと端子部８０７との間の配
線に接続することができる。なお、端子部８０７は、外部の回路から表示装置に電源及び
制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路８０６は、信号線駆動
回路８０４ｂと画素回路８０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保
護回路８０６は、走査線駆動回路８０４ａと端子部８０７との間の配線に接続することが
できる。または、保護回路８０６は、信号線駆動回路８０４ｂと端子部８０７との間の配
線に接続することができる。なお、端子部８０７は、外部の回路から表示装置に電源及び
制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
保護回路８０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
図４１（Ａ）に示すように、画素部８０２と駆動回路部８０４にそれぞれ保護回路８０
６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：
静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。
ただし、保護回路８０６の構成はこれに限定されず、例えば、走査線駆動回路８０４ａに
保護回路８０６を接続した構成、または信号線駆動回路８０４ｂに保護回路８０６を接続
した構成とすることもできる。あるいは、端子部８０７に保護回路８０６を接続した構成
とすることもできる。
６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：
静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。
ただし、保護回路８０６の構成はこれに限定されず、例えば、走査線駆動回路８０４ａに
保護回路８０６を接続した構成、または信号線駆動回路８０４ｂに保護回路８０６を接続
した構成とすることもできる。あるいは、端子部８０７に保護回路８０６を接続した構成
とすることもできる。
また、図４１（Ａ）においては、走査線駆動回路８０４ａと信号線駆動回路８０４ｂに
よって駆動回路部８０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例
えば、走査線駆動回路８０４ａのみを形成し、別途用意された信号線駆動回路が形成され
た基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装す
る構成としても良い。
よって駆動回路部８０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例
えば、走査線駆動回路８０４ａのみを形成し、別途用意された信号線駆動回路が形成され
た基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装す
る構成としても良い。
＜画素回路の構成例＞
図４１（Ａ）に示す複数の画素回路８０１は、例えば、図４１（Ｂ）に示す構成とする
ことができる。
図４１（Ａ）に示す複数の画素回路８０１は、例えば、図４１（Ｂ）に示す構成とする
ことができる。
図４１（Ｂ）に示す画素回路８０１は、トランジスタ８５２、８５４と、容量素子８６
２と、発光素子８７２と、を有する。
２と、発光素子８７２と、を有する。
トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる
配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５
２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気
的に接続される。
配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５
２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気
的に接続される。
トランジスタ８５２は、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
容量素子８６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ
＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイ
ン電極の他方に電気的に接続される。
＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイ
ン電極の他方に電気的に接続される。
容量素子８６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電
気的に接続される。さらに、トランジスタ８５４のゲート電極は、トランジスタ８５２の
ソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
気的に接続される。さらに、トランジスタ８５４のゲート電極は、トランジスタ８５２の
ソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
発光素子８７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続
され、他方は、トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続
される。
され、他方は、トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続
される。
発光素子８７２としては、実施の形態１に示す発光素子を用いることができる。
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
図４１（Ｂ）の画素回路８０１を有する表示装置では、例えば、図４１（Ａ）に示す走
査線駆動回路８０４ａにより各行の画素回路８０１を順次選択し、トランジスタ８５２を
オン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
査線駆動回路８０４ａにより各行の画素回路８０１を順次選択し、トランジスタ８５２を
オン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
データが書き込まれた画素回路８０１は、トランジスタ８５２がオフ状態になることで
保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ８５４の
ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子８７２は、流れる電
流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ８５４の
ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子８７２は、流れる電
流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
例えば、本明細書等において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、ま
たは、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
たは、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、ト
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子
）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素
子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とが出来る。
）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素
子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とが出来る。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
ができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図４２及び図４３を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図４２及び図４３を用いて説明を行う。
＜表示モジュールに関する説明＞
図４２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
た表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を
有する。
図４２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
た表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を
有する。
本発明の一態様の発光装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
加して設けてもよい。
＜電子機器に関する説明＞
図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又
は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、
加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電
場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する
機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有することができる。
図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又
は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、
加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電
場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する
機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有することができる。
図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。
例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッ
チセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（
プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々な
コンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信ま
たは受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表
示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）に
示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。また、図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、
複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を
撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵
）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッ
チセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（
プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々な
コンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信ま
たは受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表
示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）に
示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。また、図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、
複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を
撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵
）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図４３（Ａ）乃至図４３（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図４３（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が
有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に
沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセン
サを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表
示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することが
できる。
有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に
沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセン
サを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表
示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することが
できる。
図４３（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は
、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具
体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、
スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図
４３（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯
情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、
３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００
１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９０
０１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メール
やＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示
、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バ
ッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている
位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具
体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、
スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図
４３（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯
情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、
３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００
１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９０
０１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メール
やＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示
、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バ
ッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている
位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
図４３（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は
、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、
情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携
帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状
態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信し
た電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位
置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示
を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、
情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携
帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状
態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信し
た電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位
置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示
を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図４３（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末
９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信
、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表
示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行するこ
とが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハン
ズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を
有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。ま
た接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００
６を介さずに無線給電により行ってもよい。
９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信
、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表
示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行するこ
とが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハン
ズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を
有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。ま
た接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００
６を介さずに無線給電により行ってもよい。
図４３（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図であ
る。また、図４３（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図４３
（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図４３（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状
態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２
０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００
に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることによ
り、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させるこ
とができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲
げることができる。
る。また、図４３（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図４３
（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図４３（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状
態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２
０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００
に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることによ
り、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させるこ
とができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲
げることができる。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器
にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部におい
ては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り
畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面
部に表示を行う構成としてもよい。
ることを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器
にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部におい
ては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り
畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面
部に表示を行う構成としてもよい。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
ができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について
、図４４を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について
、図４４を用いて説明する。
図４４は、発光装置を室内の照明装置８５０１として用いた例である。なお、発光装置
は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面
を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８５０２を形成すること
もできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザ
インの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができ
る。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照明装置８５
０１、８５０２、８５０３に、タッチセンサを設けて、発光装置の電源のオンまたはオフ
を行ってもよい。
は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面
を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８５０２を形成すること
もできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザ
インの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができ
る。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照明装置８５
０１、８５０２、８５０３に、タッチセンサを設けて、発光装置の電源のオンまたはオフ
を行ってもよい。
また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照
明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いること
により、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いること
により、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装
置は本発明の一態様に含まれるものとする。
置は本発明の一態様に含まれるものとする。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
いることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子または本発明の一態様の発光装置
に入力装置を取り付けた電子機器について、図４５乃至図４９を用いて説明を行う。
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子または本発明の一態様の発光装置
に入力装置を取り付けた電子機器について、図４５乃至図４９を用いて説明を行う。
＜タッチパネルに関する説明＞
図４５（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図４５（Ａ）（
Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
図４５（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図４５（Ａ）（
Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
タッチパネル２０００は、表示部２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図４５
（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び基板
２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０はいずれも可
撓性を有する。
（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び基板
２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０はいずれも可
撓性を有する。
表示部２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給することがで
きる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にまで
引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９（
１）と電気的に接続する。また、複数の配線２５１１は、信号線駆動回路２５０３ｓ（１
）からの信号を複数の画素に供給することができる。
きる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にまで
引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９（
１）と電気的に接続する。また、複数の配線２５１１は、信号線駆動回路２５０３ｓ（１
）からの信号を複数の画素に供給することができる。
基板２５９０には、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続す
る複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き
回され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に
接続される。なお、図４５（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１
０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示してい
る。
る複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き
回され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に
接続される。なお、図４５（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１
０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示してい
る。
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
まず、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図４５（Ｂ）を用
いて説明する。
いて説明する。
なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができる、様々なセンサを適用
することができる。
することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有す
る。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は
複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
る。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は
複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
電極２５９２は、図４５（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続される形状を有する。
の四辺形が角部で接続される形状を有する。
電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し
配置されている。
配置されている。
配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このと
き、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい
。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減
できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減すること
ができる。
き、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい
。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減
できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減すること
ができる。
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りう
る。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介
して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける
構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に
絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい
。
る。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介
して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける
構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に
絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい
。
次に、図４６を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図４６は、図
４５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間の断面図に相当する。
４５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間の断面図に相当する。
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１及び電極
２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５
９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５
９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
また、配線２５９４の下方には、接着層２５９７が設けられる。接着層２５９７は、タ
ッチセンサ２５９５が表示部２５０１に重なるように、基板２５９０を基板２５７０に貼
り合わせている。
ッチセンサ２５９５が表示部２５０１に重なるように、基板２５９０を基板２５７０に貼
り合わせている。
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性
を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる
。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状
に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法と
しては、熱を加える方法等を挙げることができる。
を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる
。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状
に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法と
しては、熱を加える方法等を挙げることができる。
例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターン形成技術により、不要な部分を除去して
、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。
た後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターン形成技術により、不要な部分を除去して
、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。
また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂
、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接す
る電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高
めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１
及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好
適に用いることができる。
る電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高
めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１
及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好
適に用いることができる。
電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられてい
る。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
る。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は
一対の電極２５９１を電気的に接続している。
一対の電極２５９１を電気的に接続している。
なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置され
る必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
る必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また、配線
２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミニウム
、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト
、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができ
る。
２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミニウム
、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト
、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができ
る。
なお、絶縁層２５９３及び配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９５
を保護してもよい。
を保護してもよい。
また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる
。
。
接続層２５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔ
ｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
ｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔ
ｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
接着層２５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いる
ことができ、具体的には、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシ
ロキサン系樹脂を用いることができる。
ことができ、具体的には、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシ
ロキサン系樹脂を用いることができる。
表示部２５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。該画素は表示素子
と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
以下の説明においては、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子に適用する場合に
ついて説明するが、表示素子はこれに限定されない。例えば、隣接する画素毎に射出する
光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を適用してもよい。
ついて説明するが、表示素子はこれに限定されない。例えば、隣接する画素毎に射出する
光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を適用してもよい。
基板２５１０及び基板２５７０としては、例えば、水蒸気の透過率が１×１０－５ｇ・
ｍ－２・ｄａｙ－１以下、好ましくは１×１０－６ｇ・ｍ－２・ｄａｙ－１以下である可
撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基
板２５７０の熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率
が１×１０－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０－５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０－
５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
ｍ－２・ｄａｙ－１以下、好ましくは１×１０－６ｇ・ｍ－２・ｄａｙ－１以下である可
撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基
板２５７０の熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率
が１×１０－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０－５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０－
５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
また、封止層２５６０は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。また、図４６に
示すように、封止層２５６０側に光を取り出す場合は、封止層２５６０は光学的な接合層
を兼ねることができる。
示すように、封止層２５６０側に光を取り出す場合は、封止層２５６０は光学的な接合層
を兼ねることができる。
また、表示部２５０１は、画素２５０２Ｒを有する。また、画素２５０２Ｒは発光モジ
ュール２５８０Ｒを有する。
ュール２５８０Ｒを有する。
画素２５０２Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、発光素子２５５０Ｒに電力を供給すること
ができるトランジスタ２５０２ｔとを有する。なお、トランジスタ２５０２ｔは、画素回
路の一部として機能する。また、発光モジュール２５８０Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、
着色層２５６７Ｒとを有する。
ができるトランジスタ２５０２ｔとを有する。なお、トランジスタ２５０２ｔは、画素回
路の一部として機能する。また、発光モジュール２５８０Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、
着色層２５６７Ｒとを有する。
発光素子２５５０Ｒは、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間にＥＬ層と
を有する。
を有する。
また、封止層２５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層２５６０は、発
光素子２５５０Ｒと着色層２５６７Ｒに接する。
光素子２５５０Ｒと着色層２５６７Ｒに接する。
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子
２５５０Ｒが発する光の一部は着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発
光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
２５５０Ｒが発する光の一部は着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発
光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
また、表示部２５０１には、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭが設けられる。遮
光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
また、表示部２５０１は、画素に重なる位置に反射防止層２５６７ｐを有する。反射防
止層２５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
止層２５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
表示部２５０１には、絶縁層２５２１が設けられる。絶縁層２５２１はトランジスタ２
５０２ｔを覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化するための
機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与してもよい
。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制でき
る。
５０２ｔを覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化するための
機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与してもよい
。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制でき
る。
また、発光素子２５５０Ｒは、絶縁層２５２１の上方に形成される。また、発光素子２
５５０Ｒが有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。
なお、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に
形成してもよい。
５５０Ｒが有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。
なお、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に
形成してもよい。
走査線駆動回路２５０３ｇ（１）は、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃ
とを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができ
る。
とを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができ
る。
また、基板２５１０上には、信号を供給することができる配線２５１１が設けられる。
また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰ
Ｃ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、画素信号及び
同期信号等の信号を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２５０９（１）にはプリント配
線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰ
Ｃ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、画素信号及び
同期信号等の信号を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２５０９（１）にはプリント配
線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
また、表示部２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。なお
、図４６（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例
示している。図４６（Ａ）に示す、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔ
には、酸化物半導体を含む半導体層をチャネル領域として用いることができる。または、
トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔには、アモルファスシリコンを含む
半導体層をチャネル領域として用いることができる。または、トランジスタ２５０２ｔ及
びトランジスタ２５０３ｔには、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶
シリコンを含む半導体層をチャネル領域として用いることができる。
、図４６（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例
示している。図４６（Ａ）に示す、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔ
には、酸化物半導体を含む半導体層をチャネル領域として用いることができる。または、
トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔには、アモルファスシリコンを含む
半導体層をチャネル領域として用いることができる。または、トランジスタ２５０２ｔ及
びトランジスタ２５０３ｔには、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶
シリコンを含む半導体層をチャネル領域として用いることができる。
また、トップゲート型のトランジスタを表示部２５０１に適用する場合の構成を、図４
６（Ｂ）に示す。
６（Ｂ）に示す。
トップゲート型のトランジスタの場合、ボトムゲート型のトランジスタに用いることの
できる半導体層と同様の構成の他、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置
された単結晶シリコン膜等を含む半導体層をチャネル領域として用いてもよい。
できる半導体層と同様の構成の他、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置
された単結晶シリコン膜等を含む半導体層をチャネル領域として用いてもよい。
次に、図４６に示す構成と異なる構成のタッチパネルについて、図４７を用いて説明す
る。
る。
図４７は、タッチパネル２００１の断面図である。図４７に示すタッチパネル２００１
は、図４６に示すタッチパネル２０００と、表示部２５０１に対するタッチセンサ２５９
５の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いること
ができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用する。
は、図４６に示すタッチパネル２０００と、表示部２５０１に対するタッチセンサ２５９
５の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いること
ができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用する。
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。また、図４７（Ａ）に
示す発光素子２５５０Ｒは、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する
。これにより、発光素子２５５０Ｒが発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、
図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
示す発光素子２５５０Ｒは、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する
。これにより、発光素子２５５０Ｒが発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、
図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
表示部２５０１は、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭを有する。遮光層２５６７
ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
タッチセンサ２５９５は、表示部２５０１の基板２５１０側に設けられている（図４７
（Ａ）参照）。
（Ａ）参照）。
接着層２５９７は、基板２５１０と基板２５９０の間にあり、表示部２５０１とタッチ
センサ２５９５を貼り合わせる。
センサ２５９５を貼り合わせる。
また、表示部２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。なお
、図４７（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について例示
している。また、図４７（Ｂ）には、トップゲート型のトランジスタを適用する場合につ
いて例示している。
、図４７（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について例示
している。また、図４７（Ｂ）には、トップゲート型のトランジスタを適用する場合につ
いて例示している。
＜タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図４８を用いて説明を行う。
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図４８を用いて説明を行う。
図４８（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図４８
（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、
図４８（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１－Ｘ６として、電流の変
化を検知する電極２６２２をＹ１－Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。ま
た、図４８（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量
２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換
えてもよい。
（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、
図４８（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１－Ｘ６として、電流の変
化を検知する電極２６２２をＹ１－Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。ま
た、図４８（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量
２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換
えてもよい。
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１－Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路
である。Ｘ１－Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する電
極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等によ
り容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または
接触を検出することができる。
である。Ｘ１－Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する電
極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等によ
り容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または
接触を検出することができる。
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１からＹ６の配
線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙ６の配線では、被検知体の近接
、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、また
は接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の
検出は、積分回路等を用いて行えばよい。
線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙ６の配線では、被検知体の近接
、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、また
は接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の
検出は、積分回路等を用いて行えばよい。
次に、図４８（Ｂ）には、図４８（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図４８（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図４８（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（
非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。な
おＹ１－Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
出力波形のタイミングチャートを示す。図４８（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図４８（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（
非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。な
おＹ１－Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
Ｘ１－Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１－
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
することができる。
＜センサ回路に関する説明＞
また、図４８（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設ける
パッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えた
アクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。図４９にアクティブマトリクス型
のタッチセンサに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
また、図４８（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設ける
パッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えた
アクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。図４９にアクティブマトリクス型
のタッチセンサに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
図４９に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ
２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に
電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１
のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方が
トランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたは
ドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。
電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１
のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方が
トランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたは
ドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。
次に、図４９に示すセンサ回路の動作について説明する。まず信号Ｇ２としてトランジ
スタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲート
が接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２とし
てトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保
持される。
スタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲート
が接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２とし
てトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保
持される。
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化する
ことに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
ことに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノ
ードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
ードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、
酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにト
ランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を
長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リ
フレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにト
ランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を
長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リ
フレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子（発光素子１乃至発光素子６）と、比較
用の発光素子（比較用発光素子７）の作製例を示す。本実施例で作製する発光素子の断面
模式図を図５０に、素子構造の詳細を表３乃至表６に、それぞれ示す。また、使用した化
合物については、実施の形態１に示す材料と、以下に示す化合物を用いた。
用の発光素子（比較用発光素子７）の作製例を示す。本実施例で作製する発光素子の断面
模式図を図５０に、素子構造の詳細を表３乃至表６に、それぞれ示す。また、使用した化
合物については、実施の形態１に示す材料と、以下に示す化合物を用いた。
＜１－１．発光素子１の作製＞
基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣ膜を厚さ１００ｎｍになるように形成し
た。
基板５０２上に下部電極５０４として、ＡＰＣ膜を厚さ１００ｎｍになるように形成し
た。
次に、下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ８０ｎｍになる
ように形成した。なお、下部電極５０４の電極面積としては、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ
）とした。
ように形成した。なお、下部電極５０４の電極面積としては、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ
）とした。
次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３を重量
比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが２７．５ｎｍになるように
共蒸着した。
比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが２７．５ｎｍになるように
共蒸着した。
次に、正孔注入層５３１上に正孔輸送層５３２として、ＰＣＰＰｎを厚さが１０ｎｍに
なるように蒸着した。
なるように蒸着した。
次に、正孔輸送層５３２上に発光層５０８として、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、Ｎ，Ｎ’－ビ
ス（ジベンゾフラン－４－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ピレン－１，６－ジアミン（
１，６ＦｒＡＰｒｎ－ＩＩ）とを重量比（ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＦｒＡＰｒｎ－ＩＩ
）が１：０．０５になるよう、且つ厚さが２５ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光
層５０８において、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ＦｒＡＰｒｎ－ＩＩが
蛍光材料（ゲスト材料）である。
ス（ジベンゾフラン－４－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ピレン－１，６－ジアミン（
１，６ＦｒＡＰｒｎ－ＩＩ）とを重量比（ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＦｒＡＰｒｎ－ＩＩ
）が１：０．０５になるよう、且つ厚さが２５ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光
層５０８において、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ＦｒＡＰｒｎ－ＩＩが
蛍光材料（ゲスト材料）である。
次に、発光層５０８上に電子輸送層５３３として、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、Ｂｐｈｅｎと
を、それぞれ厚さが５ｎｍ、１５ｎｍになるように順次蒸着した。
を、それぞれ厚さが５ｎｍ、１５ｎｍになるように順次蒸着した。
次に、電子注入層５３４として、Ｌｉ２Ｏ及びＣｕＰｃを、それぞれ厚さが０．１ｎｍ
、２ｎｍになるように蒸着した。
、２ｎｍになるように蒸着した。
次に、正孔注入層を兼ねる電荷発生層５１６として、ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩと、ＭｏＯ３を
重量比（ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが１２．５ｎｍに
なるように共蒸着した。
重量比（ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが１２．５ｎｍに
なるように共蒸着した。
次に、正孔輸送層５３６として、ＢＰＡＦＬＰを、厚さが２０ｎｍになるように蒸着し
た。
た。
次に、正孔輸送層５３６上に発光層５１０として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩと、Ｐ
ＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）と、を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢ
ｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））が０．８：０．２：０
．０６になるよう、且つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層５１０に
おいて、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料
であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）がゲスト材料である。
ＣＢＢｉＦと、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）と、を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢ
ｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））が０．８：０．２：０
．０６になるよう、且つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層５１０に
おいて、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩがホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦがアシスト材料
であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）がゲスト材料である。
次に、発光層５１０上に電子輸送層５３７として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩと、Ｂ
ｐｈｅｎとを、それぞれ厚さが１５ｎｍ、２０ｎｍになるように順次蒸着した。
ｐｈｅｎとを、それぞれ厚さが１５ｎｍ、２０ｎｍになるように順次蒸着した。
次に、電子注入層５３８として、ＬｉＦを厚さが１ｎｍになるよう形成し、さらに上部
電極５２０として、ＡｇとＭｇの合金膜と、ＩＴＯ膜とを、それぞれ厚さが１５ｎｍ、７
０ｎｍになるように形成した。なお、ＡｇとＭｇの合金膜としては、体積比（Ａｇ：Ｍｇ
）が０．５：０．０５となるように蒸着した。
電極５２０として、ＡｇとＭｇの合金膜と、ＩＴＯ膜とを、それぞれ厚さが１５ｎｍ、７
０ｎｍになるように形成した。なお、ＡｇとＭｇの合金膜としては、体積比（Ａｇ：Ｍｇ
）が０．５：０．０５となるように蒸着した。
以上の工程により、基板５０２上に形成される構造を作製した。なお、上述した蒸着過
程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。また、上部電極５２０のＩＴＯ膜はスパッ
タリング法にて形成した。
程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。また、上部電極５２０のＩＴＯ膜はスパッ
タリング法にて形成した。
また、表３に示すように、発光素子１の封止基板５２２には、光学素子５２４として、
赤色（Ｒｅｄ）のカラーフィルタを形成した。
赤色（Ｒｅｄ）のカラーフィルタを形成した。
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、シール材を用いて封止基板５２２を
基板５０２上に固定することで発光素子を封止した。具体的には、基板５０２上の発光素
子の周囲にシール材を塗布し、その後、基板５０２と封止基板５２２とを貼り合わせ、封
止基板５２２側から該シール材に、３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射し、８０℃に
て１時間熱処理した。以上の工程により発光素子１を得た。
基板５０２上に固定することで発光素子を封止した。具体的には、基板５０２上の発光素
子の周囲にシール材を塗布し、その後、基板５０２と封止基板５２２とを貼り合わせ、封
止基板５２２側から該シール材に、３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射し、８０℃に
て１時間熱処理した。以上の工程により発光素子１を得た。
＜１－２．発光素子２の作製＞
発光素子２は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
発光素子２は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ３０ｎｍになるように
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが３５ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが３５ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
また、表３に示すように、発光素子２の封止基板５２２には、光学素子５２４として、
緑色（Ｇｒｅｅｎ）のカラーフィルタを形成した。
緑色（Ｇｒｅｅｎ）のカラーフィルタを形成した。
＜１－３．発光素子３の作製＞
発光素子３は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
発光素子３は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ８０ｎｍになるように
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
また、表４に示すように、発光素子３の封止基板５２２には、光学素子５２４として、
青色（Ｂｌｕｅ－１）のカラーフィルタを形成した。
青色（Ｂｌｕｅ－１）のカラーフィルタを形成した。
＜１－４．発光素子４の作製＞
発光素子４は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
発光素子４は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ８０ｎｍになるように
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
また、表４に示すように、発光素子４の封止基板５２２には、光学素子５２４として、
青色（Ｂｌｕｅ－２）のカラーフィルタを形成した。
青色（Ｂｌｕｅ－２）のカラーフィルタを形成した。
＜１－５．発光素子５の作製＞
発光素子５は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
発光素子５は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ３０ｎｍになるように
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
また、表５に示すように、発光素子５の封止基板５２２には、光学素子５２４として、
黄色（Ｙｅｌｌｏｗ）のカラーフィルタを形成した。
黄色（Ｙｅｌｌｏｗ）のカラーフィルタを形成した。
＜１－６．発光素子６の作製＞
発光素子６は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
発光素子６は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は
発光素子１と同様の作製方法とした。
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ３０ｎｍになるように
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
また、表５に示すように、発光素子６の封止基板５２２には、光学素子５２４を設けな
い構成とした。なお、発光素子５と発光素子６とは、光学素子５２４の形成有無の違いで
ある。
い構成とした。なお、発光素子５と発光素子６とは、光学素子５２４の形成有無の違いで
ある。
＜１－７．比較用発光素子７の作製＞
比較用発光素子７は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の
工程は発光素子１と同様の作製方法とした。
比較用発光素子７は、先に示す発光素子１の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の
工程は発光素子１と同様の作製方法とした。
下部電極５０４上に透明導電膜５０６として、ＩＴＳＯ膜を厚さ８０ｎｍになるように
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
形成した。次に、透明導電膜５０６上に正孔注入層５３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ
３を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が２：１になるよう、且つ厚さが５０ｎｍになるよ
うに共蒸着した。
また、表６に示すように、比較用発光素子７の封止基板５２２には、光学素子５２４と
して、青色（Ｂｌｕｅ－３）のカラーフィルタを形成した。
して、青色（Ｂｌｕｅ－３）のカラーフィルタを形成した。
＜１－８．発光素子の特性＞
次に、上記作製した発光素子１乃至発光素子６及び比較用発光素子７の輝度－電流密度
特性を図５１（Ａ）に示し、輝度－電圧特性を図５１（Ｂ）に示す。また、発光素子１、
発光素子２、発光素子５、及び発光素子６のパワー効率－輝度特性を図５２（Ａ）に示し
、発光素子３、発光素子４、及び比較発光素子７のパワー効率－輝度特性を図５２（Ｂ）
に示す。また、発光素子１、発光素子２、発光素子５、及び発光素子６の電流効率－輝度
特性を図５３（Ａ）に示し、発光素子３、発光素子４、及び比較発光素子７の電流効率－
輝度特性を図５３（Ｂ）に示す。なお、各発光素子の測定は室温（２５℃に保たれた雰囲
気）で行った。
次に、上記作製した発光素子１乃至発光素子６及び比較用発光素子７の輝度－電流密度
特性を図５１（Ａ）に示し、輝度－電圧特性を図５１（Ｂ）に示す。また、発光素子１、
発光素子２、発光素子５、及び発光素子６のパワー効率－輝度特性を図５２（Ａ）に示し
、発光素子３、発光素子４、及び比較発光素子７のパワー効率－輝度特性を図５２（Ｂ）
に示す。また、発光素子１、発光素子２、発光素子５、及び発光素子６の電流効率－輝度
特性を図５３（Ａ）に示し、発光素子３、発光素子４、及び比較発光素子７の電流効率－
輝度特性を図５３（Ｂ）に示す。なお、各発光素子の測定は室温（２５℃に保たれた雰囲
気）で行った。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における、発光素子１乃至発光素子６及び比較用発光素
子７の素子特性を表７に示す。
子７の素子特性を表７に示す。
また、発光素子１乃至発光素子６及び比較用発光素子７に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密
度で電流を流した際の電界発光スペクトルを図５４に示す。
度で電流を流した際の電界発光スペクトルを図５４に示す。
図５１、図５２、図５３、及び表７で示すように、発光素子１は高い色純度を有し、発
光効率の高い赤色発光が得られた。また、発光素子２は高い色純度を有し、発光効率の高
い緑色発光が得られた。また、発光素子３及び発光素子４は高い色純度を有し、発光効率
の高い青色発光が得られた。また、発光素子５及び発光素子６は高い色純度を有し、発光
効率の高い黄色発光が得られた。
光効率の高い赤色発光が得られた。また、発光素子２は高い色純度を有し、発光効率の高
い緑色発光が得られた。また、発光素子３及び発光素子４は高い色純度を有し、発光効率
の高い青色発光が得られた。また、発光素子５及び発光素子６は高い色純度を有し、発光
効率の高い黄色発光が得られた。
図５４で示すように、発光素子１は半値幅が小さく高い色純度を有する赤色発光が得ら
れた。また、発光素子２は半値幅が小さく高い色純度を有する緑色発光が得られた。また
、発光素子３及び発光素子４は半値幅が小さく高い色純度を有する青色発光が得られた。
また、発光素子５及び発光素子６は半値幅が小さく高い色純度を有する黄色発光が得られ
た。一方、比較用発光素子７においては半値幅が小さい青色発光が得られたが、５３０ｎ
ｍ以上６８０ｎｍ以下の赤色領域において発光スペクトルに極大値を有したため、色純度
の低下が生じた。
れた。また、発光素子２は半値幅が小さく高い色純度を有する緑色発光が得られた。また
、発光素子３及び発光素子４は半値幅が小さく高い色純度を有する青色発光が得られた。
また、発光素子５及び発光素子６は半値幅が小さく高い色純度を有する黄色発光が得られ
た。一方、比較用発光素子７においては半値幅が小さい青色発光が得られたが、５３０ｎ
ｍ以上６８０ｎｍ以下の赤色領域において発光スペクトルに極大値を有したため、色純度
の低下が生じた。
なお、波長が５３０ｎｍの単色光の色度は、色度ｘが０．１５５、色度ｙが０．８０６
であり、波長が６８０ｎｍの単色光の色度は、色度ｘが０．７３３、色度ｙが０．２６７
である。また、青色の色度、例えば全米テレビジョン放送方式標準化委員会（ＮＴＳＣ）
が策定した色域規格における青色の色度は、色度ｘが０．１４０、色度ｙが０．０８０で
ある。つまり、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以上の波長の光は、青色の色度より、色度ｘお
よび色度ｙが大きい。そのため、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光が一定量程度
、青色の光に混合した場合には、色度ｘおよび色度ｙの少なくとも一方が大きくなるため
、色純度低下の一因となる。したがって、高い色純度の青色発光を得るためには、５３０
ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の強度が低いことが望ましい。
であり、波長が６８０ｎｍの単色光の色度は、色度ｘが０．７３３、色度ｙが０．２６７
である。また、青色の色度、例えば全米テレビジョン放送方式標準化委員会（ＮＴＳＣ）
が策定した色域規格における青色の色度は、色度ｘが０．１４０、色度ｙが０．０８０で
ある。つまり、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以上の波長の光は、青色の色度より、色度ｘお
よび色度ｙが大きい。そのため、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光が一定量程度
、青色の光に混合した場合には、色度ｘおよび色度ｙの少なくとも一方が大きくなるため
、色純度低下の一因となる。したがって、高い色純度の青色発光を得るためには、５３０
ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の強度が低いことが望ましい。
また、発光素子１乃至発光素子６及び比較用発光素子７の色度の視野角依存性について
、斜め方向における正面方向からの色度差Δｕ’ｖ’を算出した結果を図５５及び表８に
示す。また、発光素子３の正面方向乃至斜め方向において測定した発光スペクトルを図５
６（Ａ）に、発光素子４の正面方向乃至斜め方向において測定した発光スペクトルを図５
６（Ｂ）に、比較用発光素子７の正面方向乃至斜め方向において測定した発光スペクトル
を図５７に、それぞれ示す。また、図５６（Ａ）における発光スペクトルの第３の極大値
の波長および第４の極大値の波長等を表９に、図５６（Ｂ）における発光スペクトルの第
３の極大値の波長および第４の極大値の波長等を表１０に、図５７における発光スペクト
ルの第３の極大値の波長および第４の極大値の波長等を表１１に、それぞれ示す。
、斜め方向における正面方向からの色度差Δｕ’ｖ’を算出した結果を図５５及び表８に
示す。また、発光素子３の正面方向乃至斜め方向において測定した発光スペクトルを図５
６（Ａ）に、発光素子４の正面方向乃至斜め方向において測定した発光スペクトルを図５
６（Ｂ）に、比較用発光素子７の正面方向乃至斜め方向において測定した発光スペクトル
を図５７に、それぞれ示す。また、図５６（Ａ）における発光スペクトルの第３の極大値
の波長および第４の極大値の波長等を表９に、図５６（Ｂ）における発光スペクトルの第
３の極大値の波長および第４の極大値の波長等を表１０に、図５７における発光スペクト
ルの第３の極大値の波長および第４の極大値の波長等を表１１に、それぞれ示す。
なお、色度差Δｕ’ｖ’は以下のように算出した。まず、各発光素子に２．５ｍＡ／ｃ
ｍ２の電流密度で電流を流し電界発光スペクトルを正面方向（０°）乃至斜め方向（７０
°）で測定した。その電界発光スペクトルから三刺激値の相対値（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を以下の
数式（５）乃至数式（７）から算出した。
ｍ２の電流密度で電流を流し電界発光スペクトルを正面方向（０°）乃至斜め方向（７０
°）で測定した。その電界発光スペクトルから三刺激値の相対値（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を以下の
数式（５）乃至数式（７）から算出した。
なお、数式（５）乃至数式（７）において、Ｓ（λ）は発光スペクトルを、ｘ（λ）、
ｙ（λ）、ｚ（λ）はＸＹＺ表色系における等色関数を、λは波長を、それぞれ表す。
ｙ（λ）、ｚ（λ）はＸＹＺ表色系における等色関数を、λは波長を、それぞれ表す。
さらに、算出した三刺激値の相対値（Ｘ、Ｙ、Ｚ）よりＣＩＥ１９７６色度系における
色度座標ｕ’ｖ’を以下の数式（８）及び数式（９）から算出した。
色度座標ｕ’ｖ’を以下の数式（８）及び数式（９）から算出した。
また、算出した色度（ｕ’，ｖ’）において斜め方向における０°からの色度差Δｕ’
ｖ’（θ１）を以下の数式（１０）から算出した。
ｖ’（θ１）を以下の数式（１０）から算出した。
なお、数式（１０）において、ｕ’（θ１）は０°乃至７０°の角度における色度ｕ’
を、ｖ’（θ１）は０°乃至７０°の角度における色度ｖ’を、それぞれ表す。また、斜
め方向の角度θ１は、発光面の法線方向を０°とし、その法線ベクトルを基にした角度で
示している。
を、ｖ’（θ１）は０°乃至７０°の角度における色度ｖ’を、それぞれ表す。また、斜
め方向の角度θ１は、発光面の法線方向を０°とし、その法線ベクトルを基にした角度で
示している。
図５５で示すように、発光素子１乃至発光素子６は０°乃至７０°の角度において色度
差Δｕ’ｖ’が０．１５未満となっており、色度の視野角依存性が小さい結果が得られた
。特に発光素子３のΔｕ’ｖ’（７０°）は０．００５７と非常に小さく優れた値となっ
た。一方、比較用発光素子７は色度差Δｕ’ｖ’（７０°）が０．２３と大きな値であっ
たため、色度の視野角依存性が大きい結果となった。
差Δｕ’ｖ’が０．１５未満となっており、色度の視野角依存性が小さい結果が得られた
。特に発光素子３のΔｕ’ｖ’（７０°）は０．００５７と非常に小さく優れた値となっ
た。一方、比較用発光素子７は色度差Δｕ’ｖ’（７０°）が０．２３と大きな値であっ
たため、色度の視野角依存性が大きい結果となった。
なお、発光素子３、発光素子４、及び比較用発光素子７においては、基板５０２上に形
成される構成が同一であり、封止基板５２２側に設けられた光学素子５２４であるカラー
フィルタの材料が異なる。具体的には、発光素子３（Ｂｌｕｅ－１）＜発光素子４（Ｂｌ
ｕｅ－２）＜比較用発光素子７（Ｂｌｕｅ－３）の順に、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下
の波長の光の透過率が低い領域を有する材料を用いた。また、７０°における色度差Δｕ
’ｖ’（７０°）は、発光素子３＜発光素子４＜比較用発光素子７の順となった。したが
って、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が低い領域を有する光学素子を
用いることで、色度差Δｕ’ｖ’が小さく色度の視野角依存性が小さい素子を作製するこ
とができる。
成される構成が同一であり、封止基板５２２側に設けられた光学素子５２４であるカラー
フィルタの材料が異なる。具体的には、発光素子３（Ｂｌｕｅ－１）＜発光素子４（Ｂｌ
ｕｅ－２）＜比較用発光素子７（Ｂｌｕｅ－３）の順に、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下
の波長の光の透過率が低い領域を有する材料を用いた。また、７０°における色度差Δｕ
’ｖ’（７０°）は、発光素子３＜発光素子４＜比較用発光素子７の順となった。したが
って、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の光の透過率が低い領域を有する光学素子を
用いることで、色度差Δｕ’ｖ’が小さく色度の視野角依存性が小さい素子を作製するこ
とができる。
また、図５６（Ａ）（Ｂ）、図５７、表９、表１０、及び表１１に示すように、発光素
子３、及び発光素子４における第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、０°乃至
７０°において１５％以下となり、十分に低い値であった。そのため、発光素子３、及び
発光素子４は、視野角依存性の小さい素子であった。特に発光素子３における第３の極大
値に対する第４の極大値の強度比は３％以下となり、非常に小さく優れた値であった。一
方、比較用発光素子７における第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、５０°及
び７０°において１５％を超える結果となった。そのため、比較用発光素子７は色度の視
野角依存性が大きい素子であった。したがって、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の
透過率が低い領域を有する光学素子を用いることで、視野角依存性が小さい素子を作製す
ることができる。
子３、及び発光素子４における第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、０°乃至
７０°において１５％以下となり、十分に低い値であった。そのため、発光素子３、及び
発光素子４は、視野角依存性の小さい素子であった。特に発光素子３における第３の極大
値に対する第４の極大値の強度比は３％以下となり、非常に小さく優れた値であった。一
方、比較用発光素子７における第３の極大値に対する第４の極大値の強度比は、５０°及
び７０°において１５％を超える結果となった。そのため、比較用発光素子７は色度の視
野角依存性が大きい素子であった。したがって、５３０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長の
透過率が低い領域を有する光学素子を用いることで、視野角依存性が小さい素子を作製す
ることができる。
以上のように、本発明の一態様の構成を用いることで、高い色純度を有し、色度の視野
角依存性が小さく、且つ高い発光効率を有する発光装置を作製することができる。
角依存性が小さく、且つ高い発光効率を有する発光装置を作製することができる。
以上、本実施例に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる
。
。
１００ ＥＬ層
１０１Ｂ 発光素子
１０１Ｇ 発光素子
１０１Ｒ 発光素子
１０１Ｙ 発光素子
１０２ 基板
１０４Ｂ 下部電極
１０４Ｇ 下部電極
１０４Ｒ 下部電極
１０４Ｙ 下部電極
１０６Ｂ 透明導電膜
１０６Ｇ 透明導電膜
１０６Ｒ 透明導電膜
１０６Ｙ 透明導電膜
１０８ 発光層
１１０ 発光層
１１２ 発光層
１１６ 電荷発生層
１２０ 上部電極
１２２ 基板
１２３ 遮光層
１２４Ｂ 光学素子
１２４Ｇ 光学素子
１２４Ｒ 光学素子
１２４Ｙ 光学素子
１３１ 正孔注入層
１３２ 正孔輸送層
１３３ 電子輸送層
１３４ 電子注入層
１３５ 正孔注入層
１３６ 正孔輸送層
１３７ 電子輸送層
１３８ 電子注入層
１４０ 隔壁
１５０ 発光装置
１５０Ｂ 発光装置
１５２ 発光装置
１５２Ｂ 発光装置
１５４ 発光装置
１５６ 発光装置
１５６Ｂ 発光装置
１５８ 発光装置
１６０ 発光装置
１６０Ｂ 発光装置
１７０ 発光装置
１７０Ａ 発光装置
１７２ 発光装置
１７２Ａ 発光装置
１７４ 発光装置
１７４Ａ 発光装置
１７６ 発光装置
１７６Ａ 発光装置
１７８ 発光装置
１７８Ａ 発光装置
１８１ 光
１８２ 光
１８３ 光
１８４ 光
１９０ 発光装置
１９０Ａ 発光装置
４００ ＥＬ層
４０１ 電極
４０２ 電極
４１１ 正孔注入層
４１２ 正孔輸送層
４１３ 発光層
４１４ 発光層
４１５ 電子輸送層
４１６ 電子注入層
４２１ ゲスト材料
４２２ ホスト材料
４３１ ゲスト材料
４３２ 有機化合物
４３３ 有機化合物
４５０ 発光素子
５０２ 基板
５０４ 下部電極
５０６ 透明導電膜
５０８ 発光層
５１０ 発光層
５１６ 電荷発生層
５２０ 上部電極
５２２ 封止基板
５２４ 光学素子
５３１ 正孔注入層
５３２ 正孔輸送層
５３３ 電子輸送層
５３４ 電子注入層
５３６ 正孔輸送層
５３７ 電子輸送層
５３８ 電子注入層
６００ 発光装置
６０１ 信号線駆動回路部
６０２ 画素部
６０３ 走査線駆動回路部
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 領域
６０８ 配線
６０９ ＦＰＣ
６１０ 素子基板
６１１ トランジスタ
６１２ トランジスタ
６１３ 下部電極
６１４ 隔壁
６１６ ＥＬ層
６１７ 上部電極
６１８ 発光素子
６２１ 光学素子
６２２ 遮光層
６２３ トランジスタ
６２４ トランジスタ
８０１ 画素回路
８０２ 画素部
８０４ 駆動回路部
８０４ａ 走査線駆動回路
８０４ｂ 信号線駆動回路
８０６ 保護回路
８０７ 端子部
８５２ トランジスタ
８５４ トランジスタ
８６２ 容量素子
８７２ 発光素子
１００１ 基板
１００２ 下地絶縁膜
１００３ ゲート絶縁膜
１００６ ゲート電極
１００７ ゲート電極
１００８ ゲート電極
１０２０ 層間絶縁膜
１０２１ 層間絶縁膜
１０２２ 電極
１０２４Ｂ 下部電極
１０２４Ｇ 下部電極
１０２４Ｒ 下部電極
１０２４Ｙ 下部電極
１０２５ 隔壁
１０２６ 上部電極
１０２８ ＥＬ層
１０２９ 封止層
１０３１ 封止基板
１０３２ シール材
１０３３ 基材
１０３４Ｂ 着色層
１０３４Ｇ 着色層
１０３４Ｒ 着色層
１０３４Ｙ 着色層
１０３５ 遮光層
１０３６ オーバーコート層
１０３７ 層間絶縁膜
１０４０ 画素部
１０４１ 駆動回路部
１０４２ 周辺部
２０００ タッチパネル
２００１ タッチパネル
２５０１ 表示部
２５０２Ｒ 画素
２５０２ｔ トランジスタ
２５０３ｃ 容量素子
２５０３ｇ 走査線駆動回路
２５０３ｓ 信号線駆動回路
２５０３ｔ トランジスタ
２５０９ ＦＰＣ
２５１０ 基板
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５２１ 絶縁層
２５２８ 隔壁
２５５０Ｒ 発光素子
２５６０ 封止層
２５６７ＢＭ 遮光層
２５６７ｐ 反射防止層
２５６７Ｒ 着色層
２５７０ 基板
２５８０Ｒ 発光モジュール
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 接続層
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６１１ トランジスタ
２６１２ トランジスタ
２６１３ トランジスタ
２６２１ 電極
２６２２ 電極
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
８５０１ 照明装置
８５０２ 照明装置
８５０３ 照明装置
８５０４ 照明装置
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ 携帯情報端末
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末
１０１Ｂ 発光素子
１０１Ｇ 発光素子
１０１Ｒ 発光素子
１０１Ｙ 発光素子
１０２ 基板
１０４Ｂ 下部電極
１０４Ｇ 下部電極
１０４Ｒ 下部電極
１０４Ｙ 下部電極
１０６Ｂ 透明導電膜
１０６Ｇ 透明導電膜
１０６Ｒ 透明導電膜
１０６Ｙ 透明導電膜
１０８ 発光層
１１０ 発光層
１１２ 発光層
１１６ 電荷発生層
１２０ 上部電極
１２２ 基板
１２３ 遮光層
１２４Ｂ 光学素子
１２４Ｇ 光学素子
１２４Ｒ 光学素子
１２４Ｙ 光学素子
１３１ 正孔注入層
１３２ 正孔輸送層
１３３ 電子輸送層
１３４ 電子注入層
１３５ 正孔注入層
１３６ 正孔輸送層
１３７ 電子輸送層
１３８ 電子注入層
１４０ 隔壁
１５０ 発光装置
１５０Ｂ 発光装置
１５２ 発光装置
１５２Ｂ 発光装置
１５４ 発光装置
１５６ 発光装置
１５６Ｂ 発光装置
１５８ 発光装置
１６０ 発光装置
１６０Ｂ 発光装置
１７０ 発光装置
１７０Ａ 発光装置
１７２ 発光装置
１７２Ａ 発光装置
１７４ 発光装置
１７４Ａ 発光装置
１７６ 発光装置
１７６Ａ 発光装置
１７８ 発光装置
１７８Ａ 発光装置
１８１ 光
１８２ 光
１８３ 光
１８４ 光
１９０ 発光装置
１９０Ａ 発光装置
４００ ＥＬ層
４０１ 電極
４０２ 電極
４１１ 正孔注入層
４１２ 正孔輸送層
４１３ 発光層
４１４ 発光層
４１５ 電子輸送層
４１６ 電子注入層
４２１ ゲスト材料
４２２ ホスト材料
４３１ ゲスト材料
４３２ 有機化合物
４３３ 有機化合物
４５０ 発光素子
５０２ 基板
５０４ 下部電極
５０６ 透明導電膜
５０８ 発光層
５１０ 発光層
５１６ 電荷発生層
５２０ 上部電極
５２２ 封止基板
５２４ 光学素子
５３１ 正孔注入層
５３２ 正孔輸送層
５３３ 電子輸送層
５３４ 電子注入層
５３６ 正孔輸送層
５３７ 電子輸送層
５３８ 電子注入層
６００ 発光装置
６０１ 信号線駆動回路部
６０２ 画素部
６０３ 走査線駆動回路部
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 領域
６０８ 配線
６０９ ＦＰＣ
６１０ 素子基板
６１１ トランジスタ
６１２ トランジスタ
６１３ 下部電極
６１４ 隔壁
６１６ ＥＬ層
６１７ 上部電極
６１８ 発光素子
６２１ 光学素子
６２２ 遮光層
６２３ トランジスタ
６２４ トランジスタ
８０１ 画素回路
８０２ 画素部
８０４ 駆動回路部
８０４ａ 走査線駆動回路
８０４ｂ 信号線駆動回路
８０６ 保護回路
８０７ 端子部
８５２ トランジスタ
８５４ トランジスタ
８６２ 容量素子
８７２ 発光素子
１００１ 基板
１００２ 下地絶縁膜
１００３ ゲート絶縁膜
１００６ ゲート電極
１００７ ゲート電極
１００８ ゲート電極
１０２０ 層間絶縁膜
１０２１ 層間絶縁膜
１０２２ 電極
１０２４Ｂ 下部電極
１０２４Ｇ 下部電極
１０２４Ｒ 下部電極
１０２４Ｙ 下部電極
１０２５ 隔壁
１０２６ 上部電極
１０２８ ＥＬ層
１０２９ 封止層
１０３１ 封止基板
１０３２ シール材
１０３３ 基材
１０３４Ｂ 着色層
１０３４Ｇ 着色層
１０３４Ｒ 着色層
１０３４Ｙ 着色層
１０３５ 遮光層
１０３６ オーバーコート層
１０３７ 層間絶縁膜
１０４０ 画素部
１０４１ 駆動回路部
１０４２ 周辺部
２０００ タッチパネル
２００１ タッチパネル
２５０１ 表示部
２５０２Ｒ 画素
２５０２ｔ トランジスタ
２５０３ｃ 容量素子
２５０３ｇ 走査線駆動回路
２５０３ｓ 信号線駆動回路
２５０３ｔ トランジスタ
２５０９ ＦＰＣ
２５１０ 基板
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５２１ 絶縁層
２５２８ 隔壁
２５５０Ｒ 発光素子
２５６０ 封止層
２５６７ＢＭ 遮光層
２５６７ｐ 反射防止層
２５６７Ｒ 着色層
２５７０ 基板
２５８０Ｒ 発光モジュール
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 接続層
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６１１ トランジスタ
２６１２ トランジスタ
２６１３ トランジスタ
２６２１ 電極
２６２２ 電極
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
８５０１ 照明装置
８５０２ 照明装置
８５０３ 照明装置
８５０４ 照明装置
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ 携帯情報端末
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末
Claims (1)
- 第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、
第１の光学素子と、第２の光学素子と、第３の光学素子と、を有し、
前記第１の発光素子から前記第１の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長域に第１の極大値を有し、
前記第２の発光素子から前記第２の光学素子を介して射出される光は、スペクトルにおいて４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長域に第２の極大値を有し、
前記第３の発光素子から前記第３の光学素子を介して射出される光は、前記第３の発光素子の法線ベクトルの０°を超えて７０°以下の範囲のスペクトルにおいて４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長域に第３の極大値と、
前記第３の極大値よりも長波長側に位置する、第４の極大値と、を有し、
前記第３の極大値に対する前記第４の極大値の強度比は、１５％以下である、発光装置。
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