JP7346517B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明の一態様は、発光装置、または該発光装置を有する表示装置、電子機器、及び照
明装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様
は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マ
ター）に関する。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野
としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶
装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる
。
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）
を利用した発光装置の研究開発が盛んに行われている。これら発光装置の基本的な構成は
、一対の電極間に発光性の物質を含む層（ＥＬ層）を挟んだ構成である。この素子の電極
間に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
上述の発光装置は自発光型であるため、これを用いた表示装置は、視認性に優れ、バッ
クライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製で
き、応答速度が高いなどの利点も有する。
また、上述の発光装置を表示装置に用いる場合、画素中の各副画素にそれぞれ互いに異
なる色の光を呈する機能を有するＥＬ層を設ける方法（以下、塗り分け方式と呼ぶ）と、
画素中の副画素に例えば白色の光を呈する機能を有する共通のＥＬ層を設け、各副画素に
それぞれ異なる色の光を透過する機能を有するカラーフィルタを設ける方法（以下、カラ
ーフィルタ方式と呼ぶ）がある。
カラーフィルタ方式の利点としては、全副画素でＥＬ層を共通とすることができるため
、塗り分け方式と比較して、ＥＬ層の材料の損失が少なく、またＥＬ層形成時に要する工
程を少なくできるため、表示装置を低コストで高い生産性をもって製造できることが挙げ
られる。次に、塗り分け方式においては、各副画素のＥＬ層の材料が互いに混入すること
を防ぐために、各副画素間に余白が必要となるが、カラーフィルタ方式では当該余白が不
要であるため、より画素の密度が高く高精細な表示装置を実現することが挙げられる。
上記発光装置は、ＥＬ層に含まれる発光性の物質の種類によって、様々な発光色を提供
することができる。照明装置への応用を考えた場合、白色またはそれに近い色の発光を呈
する高効率な発光装置が求められている。また、カラーフィルタ方式の表示装置への応用
を考えた場合、色純度が高い発光を呈する高効率な発光装置が求められている。また、こ
れらに用いる発光装置としては、消費電力の少ない発光装置が求められている。
発光装置の発光効率を向上させるためには、発光装置からの光の取出し効率を向上させ
ることが重要である。発光装置からの光の取り出し効率を向上させるために、一対の電極
間で光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を採用し、特定波
長における光強度を増加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、白色を発光する発光装置として、複数のＥＬ層の間に電荷発生層を設ける素子（
タンデム素子ともいう）が提案されている。
特開２０１２－１８２１２７号公報
フルカラー表示が可能な表示装置を製造する方法として、塗り分け方式では、微細な開
口を有するシャドウマスクを用いて必要な副画素のみに発光層を蒸着する工程が必要であ
るため、シャドウマスクの開口部を所望の位置に配置（アライメントともいう）する精度
が高く要求される。また、必要な副画素に発光層を塗り分けるときに、隣接する副画素に
発光性の物質が混入する場合があるため、表示装置の製造における歩留りが低下するとい
う課題がある。また、画素密度が高く高精細な表示が可能な表示装置においては、さらに
高いアライメント精度が要求されるため、表示装置の製造における歩留りが低下し、製造
コストが増大するという課題がある。
これに対して、カラーフィルタ方式では、上記のような微細な開口を有するシャドウマ
スクが不要なため、表示装置を高い生産性をもって製造することができる。しかしながら
、カラーフィルタ方式では、例えば白色発光する発光層を、各副画素に共通に成膜するた
め、各副画素が呈する発光には所望の色の光だけでなく、他の色の光も含んでしまう。そ
のため、カラーフィルタ方式は、塗り分け方式と比べて、光の色純度が低いという課題や
光の利用効率が悪いという課題がある。
そのため、生産性に優れた発光装置が求められている。また、発光効率が高い発光装置
が求められている。また、光の利用効率が高い発光装置が求められている。また、色純度
が高い光を呈する発光装置が求められている。
したがって、本発明の一態様では、発光効率が高い発光装置を提供することを課題の一
とする。または、本発明の一態様では、消費電力が低減された発光装置を提供することを
課題の一とする。または、本発明の一態様では、成膜工程数が比較的少なく製造しやすい
発光装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、色純度が高い
光を呈する発光装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、色
再現性が高い発光装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、
新規な発光装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、新規な
表示装置を提供することを課題の一とする。
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げない。なお、本発明の一態様は、必
ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書等の記載
から自ずと明らかであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能であ
る。
本発明の一態様は、互いに異なる電極構造を有する複数の発光素子を有する発光装置で
あって、マイクロキャビティ構造を有する発光素子と、マイクロキャビティ構造を有さな
い発光素子とを有する発光装置である。
また、本発明の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有する発光装置で
あって、第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、第１の発光層と、を有し、第
２の発光素子は、第１の電極と、第３の電極と、第１の発光層と、を有し、第２の電極は
、第１の導電膜のみからなり、第３の電極は、第２の導電膜と、第２の導電膜上の第３の
導電膜と、を有し、第１の電極は、光を反射する機能を有し、第２の導電膜は、光を反射
する機能と、光を透過する機能と、を有し、第１の導電膜、及び第３の導電膜は、光を透
過する機能を有する発光装置である。
上記構成において、第１の発光素子は、青色の波長領域、緑色の波長領域、黄色の波長
領域、及び赤色の波長領域、の少なくとも一に発光スペクトルピークを有する発光を呈す
る機能を有し、第２の発光素子は、青色の波長領域、緑色の波長領域、及び赤色の波長領
域、のいずれか一に発光スペクトルピークを有する発光を呈する機能を有すると好ましい
。
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子
と、第４の発光素子と、を有する発光装置であって、第１の発光素子は、第１の電極と、
第２の電極と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、第２の発光素子は、第１の電
極と、第３の電極と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、第３の発光素子は、第
１の電極と、第４の電極と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、第４の発光素子
は、第１の電極と、第５の電極と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、第２の電
極は、第１の導電膜のみからなり、第３の電極は、第２の導電膜と、第２の導電膜上の第
３の導電膜と、を有し、第４の電極は、第２の導電膜と、第２の導電膜上の第４の導電膜
と、を有し、第５の電極は、第２の導電膜と、第２の導電膜上の第５の導電膜と、を有し
、第３の導電膜は、第４の導電膜より厚い領域を有し、第１の電極は、光を反射する機能
を有し、第２の導電膜は、光を反射する機能と、光を透過する機能と、を有し、第１の導
電膜、第３の導電膜、第４の導電膜、及び第５の導電膜は、光を透過する機能を有する発
光装置である。
また、上記構成において、第４の導電膜は、第５の導電膜より厚い領域を有し、第１の
導電膜は、第５の導電膜より厚い領域を有すると好ましい。
また、上記各構成において、第１の電極と第１の導電膜との距離、第１の電極と第３の
導電膜との距離、第１の電極と第４の導電膜との距離、及び第１の電極と第５の導電膜と
の距離は、それぞれ等しい領域があると好ましい。
また、本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子
と、第４の発光素子と、を有する発光装置であって、第１の発光素子は、第１の電極と、
第２の電極と、第２の電極上の第１のキャリア注入層と、第１の発光層と、第２の発光層
と、を有し、第２の発光素子は、第１の電極と、第３の電極と、第３の電極上の第２のキ
ャリア注入層と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、第３の発光素子は、第１の
電極と、第３の電極と、第３の電極上の第３のキャリア注入層と、第１の発光層と、第２
の発光層と、を有し、第４の発光素子は、第１の電極と、第３の電極と、第３の電極上の
第４のキャリア注入層と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、第２の電極は、第
１の導電膜のみからなり、第３の電極は、第２の導電膜と、第２の導電膜上の第３の導電
膜と、を有し、第２のキャリア注入層は、第３のキャリア注入層より厚い領域を有し、第
１の電極は、光を反射する機能を有し、第２の導電膜は、光を反射する機能と、光を透過
する機能と、を有し、第１の導電膜、及び第３の導電膜は、光を透過する機能を有する発
光装置である。
上記構成において、第３のキャリア注入層は、第４のキャリア注入層より厚い領域を有
し、第１の導電膜と第１のキャリア注入層の厚さの和は、第３の導電膜と第４のキャリア
注入層の厚さの和より厚いと好ましい。
また、上記各構成において、第１の電極と第１のキャリア注入層との距離、第１の電極
と第２のキャリア注入層との距離、第１の電極と第３のキャリア注入層との距離、及び第
１の電極と第４のキャリア注入層との距離は、それぞれ等しい領域があると好ましい。
また、上記各構成において、第１のキャリア注入層、第２のキャリア注入層、第３のキ
ャリア注入層、及び第４のキャリア注入層は、金属酸化物を有すると好ましい。
また、上記各構成において、第１の発光素子は、青色の波長領域、緑色の波長領域、黄
色の波長領域、及び赤色の波長領域、の少なくとも一に発光スペクトルピークを有する発
光を呈する機能を有し、第２の発光素子は、赤色の波長領域に発光スペクトルピークを有
する発光を呈する機能を有し、第３の発光素子は、緑色の波長領域に発光スペクトルピー
クを有する発光を呈する機能を有し、第４の発光素子は、青色の波長領域に発光スペクト
ルピークを有する発光を呈する機能を有すると好ましい。
また、上記各構成において、第１の発光素子、第２の発光素子、第３の発光素子、及び
第４の発光素子は、第１の発光層と、第２の発光層との間に、さらに電荷発生層を有する
と好ましい。
また、上記各構成において、第１の発光素子、第２の発光素子、第３の発光素子、及び
第４の発光素子は、さらに第３の発光層を有すると好ましい。また、第２の発光層と、第
３の発光層とは、接する領域を有すると好ましい。
また、上記各構成において、第２の導電膜は、厚さが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の金属を
有すると好ましい。また、第２の導電膜は、Ａｇを有すると好ましい。
また、上記各構成において、第１の導電膜、第３の導電膜、第４の導電膜、及び第５の
導電膜は、金属酸化物または有機導電体を有すると好ましい。また、第１の導電膜、第３
の導電膜、第４の導電膜、及び第５の導電膜は、ＩｎまたはＺｎのうち少なくとも一つを
有すると好ましい。
また、上記各構成において、第１の電極は、金属を有すると好ましい。また、第１の電
極は、ＡｇまたはＡｌの少なくとも一を有すると好ましい。
また、本発明の他の一態様は、上記各構成の発光装置と、カラーフィルタまたはトラン
ジスタの少なくとも一と、を有する表示装置である。また、本発明の他の一態様は、当該
表示装置と、筐体またはタッチセンサの少なくとも一と、を有する電子機器である。また
、本発明の他の一態様は、上記各構成の発光装置と、筐体またはタッチセンサの少なくと
も一と、を有する照明装置である。また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置
だけでなく、発光素子を有する電子機器も範疇に含める。従って、本明細書中における発
光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置
にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）、
ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられた表示モジュール
、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられた表示モジュール、または発光素子にＣＯＧ（
Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装された表示モジュ
ールも発光装置を含む場合がある。
本発明の一態様により、発光効率が高い発光装置を提供することができる。または、本
発明の一態様では、消費電力が低減された発光装置を提供することができる。または、本
発明の一態様では、成膜工程数が比較的少なく製造しやすい発光装置を提供することがで
きる。または、本発明の一態様では、色純度が高い光を呈する発光装置を提供することが
できる。または、本発明の一態様では、色再現性が高い発光装置を提供することができる
。または、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することができる。または、本発
明の一態様では、新規な表示装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げない。なお、本発明の一態様は、
必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかであり、明細書、図面、請求項などの記載
から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面模式図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面模式図。 本発明の一態様の発光素子の断面模式図、及び発光層に係るエネルギー準位の相関を説明する図。 本発明の一態様の発光素子の断面模式図、及び発光層に係るエネルギー準位の相関を説明する図。 本発明の一態様の発光素子の断面模式図、及び発光層に係るエネルギー準位の相関を説明する図。 本発明の一態様の表示装置を説明する上面図及び断面模式図。 本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図。 本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図。 ＥＬ層の作製方法を説明する断面模式図。 液滴吐出装置を説明する概念図。 本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図及び回路図。 本発明の一態様の表示装置の画素回路を説明する回路図。 本発明の一態様の表示装置の画素回路を説明する回路図。 本発明の一態様のタッチパネルの一例を示す斜視図。 本発明の一態様の表示装置、及びタッチセンサの一例を示す断面図。 本発明の一態様のタッチパネルの一例を示す断面図。 本発明の一態様に係るタッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 本発明の一態様に係るタッチセンサの回路図。 本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図。 本発明の一態様の表示装置の構成を説明する断面図。 本発明の一態様の表示装置の画素の回路を説明する図。 本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図。 本発明の一態様の電子機器について説明する図。 本発明の一態様の電子機器について説明する図。 本発明の一態様の電子機器について説明する図。 本発明の一態様の電子機器について説明する図。 本発明の一態様の電子機器について説明する図。 本発明の一態様の表示装置を説明する斜視図。 本発明の一態様の発光装置を説明する斜視図及び断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の照明装置及び電子機器を説明する図。 本発明の一態様の照明装置について説明する図。 実施例に係る、発光素子を説明する断面模式図。 実施例に係る、発光素子の輝度－電流密度特性を説明する図。 実施例に係る、発光素子の輝度－電流密度特性を説明する図。 実施例に係る、発光素子の電流密度－電圧特性を説明する図。 実施例に係る、発光素子の電流密度－電圧特性を説明する図。 実施例に係る、発光素子の電流効率－輝度特性を説明する図。 実施例に係る、発光素子の電流効率－輝度特性を説明する図。 実施例に係る、発光素子の電界発光スペクトルを説明する図。 実施例に係る、発光素子の電界発光スペクトルを説明する図。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されない。
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、
必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
また、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いており、
工程順又は積層順を示さない場合がある。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又
は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載され
ている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合が
ある。
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
また、本明細書等において、一重項励起状態は、励起エネルギーを有する一重項状態の
ことである。また、一重項励起エネルギー準位の最も低い準位（Ｓ１準位）は、最も低い
一重項励起状態（Ｓ１状態）の励起エネルギー準位のことである。また、三重項励起状態
は、励起エネルギーを有する三重項状態のことである。また、三重項励起エネルギー準位
の最も低い準位（Ｔ１準位）は、最も低い三重項励起状態（Ｔ１状態）の励起エネルギー
準位のことである。なお、本明細書等において、単に一重項励起状態および一重項励起エ
ネルギー準位と表記した場合であっても、Ｓ１状態およびＳ１準位を表す場合がある。ま
た、三重項励起状態および三重項励起エネルギー準位と表記した場合であっても、Ｔ１状
態およびＴ１準位を表す場合がある。
また、本明細書等において蛍光材料とは、一重項励起状態から基底状態へ緩和する際に
可視光領域に発光を与える材料である。燐光材料とは、三重項励起状態から基底状態へ緩
和する際に、室温において可視光領域に発光を与える材料である。換言すると燐光材料と
は、三重項励起エネルギーを可視光へ変換可能な材料の一つである。
なお、本明細書等において、室温とは、０℃以上４０℃以下のいずれかの温度をいう。
また、色とは、一般に色相（単色光の波長に相当）、彩度（あざやかさ即ち白みを帯び
ていない度合）および明度（明るさ即ち光の強弱）の三要素によって規定される。また、
本明細書等において色とは、上述の三要素のうちのいずれか一つの要素のみ、または任意
で選んだ２つの要素のみを示してもよい。また、本明細書において、２つの光の色が異な
るとは、上述の三要素のうちいずれか少なくとも一つが異なることをいい、さらに、２つ
の光のスペクトルの形状若しくは各ピークの相対強度の分布が異なることをも含む。
また、本明細書等において、青色の波長領域とは、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波
長領域であり、青色の発光は該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有す
る。また、緑色の波長領域とは、４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長領域であり、緑色
の発光は該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、黄色の波
長領域とは、５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長領域であり、黄色の発光は該波長領域
に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、赤色の波長領域とは、６００
ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長領域であり、赤色の発光は該波長領域に少なくとも一つの
発光スペクトルピークを有する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図１乃至図１３を用いて以下
説明する。
＜発光装置の構成例１＞
まず、本発明の一態様の発光装置の構成について、図１を用いて、以下説明する。
図１は、本発明の一態様の発光装置１５０の断面模式図である。
発光装置１５０は、基板２００上に、発光素子２２１Ｗと、発光素子２２１と、を有す
る。
また、発光素子２２１Ｗは、電極１０１と、電極１０２と、該電極間に設けられたＥＬ
層１００とを有する。また、発光素子２２１は、電極１０１と、電極１０３と、該電極間
に設けられたＥＬ層１００とを有する。また、電極１０２は、導電膜を有し、電極１０３
は、導電膜１０４と、導電膜１０６と、を有する。また、ＥＬ層１００は、少なくとも発
光層１３０を有する。
また、図１に示すＥＬ層１００は、発光層１３０の他に、正孔注入層１１１、正孔輸送
層１１２、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１９等の機能層を有する。
なお、本実施の形態においては、電極１０１を陰極として、電極１０２及び電極１０３
を陽極として説明するが、発光装置１５０の構成としては、その限りではない。つまり、
電極１０１を陽極とし、電極１０２及び電極１０３を陰極とし、ＥＬ層１００の積層を、
逆の順番にしてもよい。すなわち、陽極側から、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と
、電子輸送層と、電子注入層と、が積層する順番とすればよい。
なお、ＥＬ層１００の構成は、図１に示す構成に限定されず、正孔注入層１１１、正孔
輸送層１１２、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１９の中から選ばれた少なくとも一
つを有する構成とすればよい。または、ＥＬ層１００は、キャリア（正孔もしくは電子）
の注入障壁を低減する、キャリア（正孔もしくは電子）の輸送性を向上する、キャリア（
正孔もしくは電子）の輸送性を阻害する、または電極による消光現象を抑制する、ことが
できる等の機能を有する機能層を有する構成としてもよい。なお、機能層はそれぞれ単層
であっても、複数の層が積層された構成であってもよい。
なお、図１において、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１３０、電子輸送
層１１８、電子注入層１１９、及び電極１０１は、各発光素子でそれぞれ分離された状態
で例示しているが、各発光素子で分離せずに共通して用いることができる。
本発明の一態様の発光装置１５０においては、発光素子２２１Ｗの一対の電極（電極１
０１及び電極１０２）間、及び発光素子２２１の一対の電極（電極１０１及び電極１０３
）間に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）が、それぞ
れＥＬ層１００に注入され、電流が流れる。そして、注入されたキャリア（電子及び正孔
）が再結合することによって、励起子が形成される。発光材料を有する発光層１３０にお
いて、キャリア（電子及び正孔）が再結合し、励起子が形成されると、発光層１３０が有
する発光材料が励起状態となり、発光材料から発光が得られる。
発光層１３０は、紫色、青色、青緑色、緑色、黄緑色、黄色、黄橙色、橙色、または赤
色の光を呈する発光材料の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有すると好ましい。
また、発光層１３０は、２層が積層された構成としてもよい。２層の発光層に、第１の
化合物及び第２の化合物という、異なる色を呈する機能を有する２種類の発光材料をそれ
ぞれ用いることで、複数の発光を同時に得ることができる。特に発光層１３０が呈する発
光が白色またはそれに近い色となるよう、発光層に用いる発光材料を選択すると好ましい
。
また、発光層１３０は、３層以上が積層された構成としても良く、発光材料を有さない
層が含まれていても良い。
電極１０１は、可視光を反射する機能を有する。また、電極１０２が有する導電膜及び
導電膜１０６は、可視光を透過する機能を有する。また、導電膜１０４は、可視光を反射
する機能と透過する機能とを有する。したがって、電極１０２は、可視光を透過する機能
を有し、電極１０３は、可視光を反射する機能と透過する機能とを有する。
そのため、発光素子２２１Ｗ及び発光素子２２１が呈する光は、それぞれ電極１０２及
び電極１０３を通して外部へ射出される。すなわち、発光装置１５０は、下面射出型（ボ
トムエミッション型ともいう）の発光装置である。ただし、本発明の一態様はこれに限定
されず、発光素子が形成される基板２００の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（
デュアルエミッション型ともいう）の発光装置であってもよい。
また、発光素子２２１は、マイクロキャビティ構造を有する。
≪マイクロキャビティ構造≫
発光層１３０から射出される光は、一対の電極（電極１０１と電極１０３）の間で共振
される。また、発光層１３０は、射出される光のうち所望の波長の光の強度が強まる位置
に形成される。例えば、電極１０１の反射領域から発光層１３０の発光領域までの光学距
離と、電極１０３の反射領域から発光層１３０の発光領域までの光学距離と、を調整する
ことにより、発光層１３０から射出される光のうち所望の波長の光の強度を強めることが
できる。
なお、電極１０１の反射領域から発光層１３０の発光領域までの光学距離は、電極１０
１の反射領域から発光層１３０の発光領域までの距離と屈折率との積で表される。また、
電極１０３の反射領域から発光層１３０の発光領域までの光学距離は、電極１０３の反射
領域から発光層１３０の発光領域までの距離と屈折率との積で表される。そのため、発光
素子２２１においては、導電膜１０６の厚さを調整することで、発光層１３０から呈され
る光のうち所望の波長の光の強度を強めることができる。なお、正孔注入層１１１または
正孔輸送層１１２のうち少なくとも一つ、あるいは電子注入層１１９または電子輸送層１
１８のうち少なくとも一つ、の厚さを調整することで、発光層１３０から呈される光のう
ち所望の波長の光の強度を強めても良い。
例えば、電極１０１及び電極１０３において、光を反射する機能を有する導電膜の屈折
率が、発光層１３０の屈折率よりも小さい場合においては、電極１０３が有する導電膜１
０６の膜厚を、電極１０１と電極１０３との間の光学距離がｍλ／２近傍（ｍは自然数、
λは発光素子２２１で強める光の波長を、それぞれ表す）となるよう調整する。
なお、電極１０１及び電極１０３の反射領域を厳密に決定することが困難な場合、電極
１０１及び電極１０３の任意の領域を反射領域と仮定することで、発光層１３０から射出
される光の強度を強める光学距離を導出してもよい。また、発光層１３０の発光領域を厳
密に決定することは困難な場合、発光層１３０の任意の領域を発光領域と仮定することで
、発光層１３０から射出される光の強度を強める光学距離を導出してもよい。また、本明
細書等において、λ近傍とは、λに対し、－２０ｎｍ以上＋２０ｎｍ以下である。
マイクロキャビティ構造を用いることで、所望の波長の光の強度が強まるため、発光素
子２２１から射出される光は、紫色、青色、青緑色、緑色、黄緑色、黄色、黄橙色、橙色
、及び赤色の中から選ばれるいずれか一つの波長領域に発光スペクトルピークを有する光
となる。なお、発光装置１５０を表示装置に用いる場合、発光素子２２１から射出される
光は、青色、緑色、及び赤色のいずれか一の波長領域に発光スペクトルピークを有すると
好ましい。
上記のように、マイクロキャビティ構造を設け、一対の電極間の光学距離を調整するこ
とで、各電極近傍における光の散乱および光の吸収を抑制し、所望の波長の光に対する光
取り出し効率を高めることができる。また、所望の波長の光の強度が強まるため、高い色
純度を有する発光を得ることができる。
一方、発光素子２２１Ｗが有する電極１０２は、光を透過する機能を有する導電膜のみ
からなるため、発光素子２２１Ｗは、マイクロキャビティ構造を有さず、発光層１３０が
呈する光のうち特定の波長の光の強度が強まることなく外部に取り出される。そのため、
可視光領域の光のうち特に白色またはそれに近い色の光を効率よく外部へ取り出すことが
できる。なお、白色またはそれに近い色の光としては、青色、緑色、黄色、及び赤色の波
長領域の少なくとも一に発光スペクトルピークを有すると好ましい。
そのため、マイクロキャビティ構造を有する発光素子２２１と、マイクロキャビティ構
造を有さない発光素子２２１Ｗとを有する発光装置１５０は、色純度の高い光と、白色ま
たはそれに近い色の光と、を高い光取り出し効率で取り出すことが可能である。したがっ
て、発光装置１５０の構成により、色純度が高く、発光効率が高い発光装置を提供するこ
とができる。
また、発光素子２２１が有するＥＬ層１００と発光素子２２１Ｗが有するＥＬ層１００
とは、同一の工程で形成可能である。そのため、発光装置１５０は、製造しやすい発光装
置である。
なお、上記構成においては、電極１０２が有する導電膜及び導電膜１０６を構成する材
料は、互いに同じであっても良いし、異なっていても良い。電極１０２が有する導電膜及
び導電膜１０６に同じ材料を用いる場合、電極１０２及び電極１０３の形成過程における
エッチング工程によるパターン形成が容易になるため好ましい。また、電極１０２が有す
る導電膜及び導電膜１０６は、それぞれ２層以上の層が積層された構成であっても良い。
また、発光装置１５０において、電極１０１及び導電膜１０４に同じ材料を用いても良
いし、異なる材料を用いても良い。電極１０１及び導電膜１０４に同じ材料を用いる場合
、発光装置１５０の製造コストを低減できる。なお、電極１０１及び導電膜１０４は、そ
れぞれ２層以上の層が積層された構成であっても良い。
導電膜１０４としては、光が透過できる程度の厚さ（例えば厚さが１ｎｍ以上３０ｎｍ
以下）の金属を好適に用いることができる。該金属として、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）
を有する合金を用いることで、導電膜１０４の反射率を高めることが可能となり、発光素
子の発光効率を高めることができ好ましい。また、Ａｇは、可視光領域の光の吸収率が低
いため、光とを透過する程度の厚さにすることで、光が透過する機能と光が反射する機能
とを有する反射膜を構成することができる。
また、電極１０１として、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）を有する材料を用い
ることで、電極１０１の反射率を高めることが可能となり、発光素子の発光効率を高める
ことができ好ましい。なお、Ａｌは材料コストが安く、パターン形成が容易であるため、
発光素子の構造コストを安価にすることができ好ましい。また、Ａｇは、特に高い反射率
を有するため、発光素子の発光効率を高めることができ好ましい。
また、電極１０２及び導電膜１０６としては、金属酸化物を好適に用いることができる
。また、該金属酸化物は、インジウム（Ｉｎ）または亜鉛（Ｚｎ）のうち少なくとも一つ
を有すると好ましい。金属酸化物がＩｎまたは／及びＺｎを有することで、導電性を高め
、光の透過率を高めることができる。また、Ｚｎは、材料コストが安いため、Ｚｎを導電
膜に用いることで、発光素子の製造コストを安価にすることができる。
なお、Ａｌを有する材料とＩｎを有する酸化物とが直接に接する場合、Ａｌを有する材
料とＩｎを有する酸化物との間でイオン化傾向の差が生じることで、当該材料間で電子の
授受が生じ、当該材料を有する電極で電食が生じる場合がある。そのため、Ａｌを有する
材料とＩｎを有する酸化物とが、接しない構成であると好ましい。このことからも、導電
膜１０４が有する金属としては、Ａｇが特に好ましい。
以上のような発光装置１５０を、表示装置の画素に用いることで、色純度が高く、発光
効率の高い表示装置を提供することができる。すなわち、発光装置１５０を有する表示装
置は、消費電力を低減することができる。
＜発光装置の構成例２＞
次に、図１に示す発光装置１５０と異なる構成例について、図２を用いて、以下説明を
行う。
図２は、本発明の一態様の発光装置を示す断面模式図である。なお、図２において、図
１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略す
る場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明
は省略する場合がある。
図２に示す発光装置１５２は、基板２００上に、発光素子２２１Ｗと、発光素子２２１
Ｒと、発光素子２２１Ｇと、発光素子２２１Ｂと、を有する。
発光素子２２１Ｗは、電極１０１と、電極１０２と、該電極間に設けられたＥＬ層１０
０とを有する。また、発光素子２２１Ｒは、電極１０１と、電極１０３Ｒと、該電極間に
設けられたＥＬ層１００とを有する。また、発光素子２２１Ｇは、電極１０１と、電極１
０３Ｇと、該電極間に設けられたＥＬ層１００とを有する。また、発光素子２２１Ｂは、
電極１０１と、電極１０３Ｂと、該電極間に設けられたＥＬ層１００とを有する。また、
電極１０２は、導電膜を有し、電極１０３Ｒは、導電膜１０４と、導電膜１０６Ｒと、を
有し、電極１０３Ｇは、導電膜１０４と、導電膜１０６Ｇとを有し、電極１０３Ｂは、導
電膜１０４と、導電膜１０６Ｂとを有する。また、ＥＬ層１００は、少なくとも発光層１
３０を有し、発光層１３０は、例えば、発光層１２０と発光層１４０とを有する。
また、図２に示すＥＬ層１００は、発光層１２０及び発光層１４０の他に、正孔注入層
１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１９等の機能層を有す
る。
なお、図２において、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１２０、発光層１
４０、電子輸送層１１８、電子注入層１１９、及び電極１０１は、各発光素子でそれぞれ
分離された状態で例示しているが、各発光素子で分離せずに共通して用いることができる
。
発光層１２０及び発光層１４０の一方は、紫色、青色、または青緑色の光を呈する発光
材料の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有すると好ましく、他方は、緑色、黄緑
色、黄色、黄橙色、橙色、または赤色の光を呈する発光材料の中から選ばれるいずれか一
つまたは複数を有すると好ましい。
また、発光層１２０及び発光層１４０のいずれか一方または双方は、２層が積層された
構成としてもよい。２層の発光層に、第１の化合物及び第２の化合物という、異なる色を
呈する機能を有する２種類の発光材料をそれぞれ用いることで、複数の発光を同時に得る
ことができる。特に発光層１２０及び発光層１４０が呈する発光が白色またはそれに近い
色となるよう、発光層１２０及び発光層１４０に用いる発光材料をそれぞれ選択すると好
ましい。
また、発光層１２０及び発光層１４０のいずれか一方または双方は、３層以上が積層さ
れた構成としても良く、発光材料を有さない層が含まれていても良い。
電極１０１は、可視光を反射する機能を有する。また、電極１０２が有する導電膜、導
電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂは、可視光を透過する機能を有する
。また、導電膜１０４は、可視光を反射する機能と透過する機能とを有する。したがって
、電極１０２は、可視光を透過する機能を有し、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極
１０３Ｂは、可視光を反射する機能と透過する機能とを有する。
そのため、発光素子２２１Ｗ、発光素子２２１Ｒ、発光素子２２１Ｇ、及び発光素子２
２１Ｂが呈する光は、それぞれ電極１０２、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０
３Ｂを通して外部へ射出される。すなわち、発光装置１５２は、下面射出型（ボトムエミ
ッション型ともいう）の発光装置である。なお、図２において、各発光素子からの射出さ
れる、白色またはそれに近い色の光（Ｗ）、赤色を呈する光（Ｒ）、緑色を呈する光（Ｇ
）、及び青色を呈する光（Ｂ）を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している。なお、後
述する発光装置においても同様である。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、発
光素子が形成される基板２００の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（デュアルエ
ミッション型ともいう）の発光装置であってもよい。
また、発光素子２２１Ｗはマイクロキャビティ構造を有さず、発光素子２２１Ｒ、発光
素子２２１Ｇ、及び発光素子２２１Ｂは、マイクロキャビティ構造を有する。
マイクロキャビティ構造により、発光素子２２１Ｒは赤色の波長領域の光が、発光素子
２２１Ｇは緑色の波長領域の光が、発光素子２２１Ｂは青色の波長領域の光が、それぞれ
強まるように電極１０１と電極１０３Ｒとの距離、電極１０１と電極１０３Ｇとの距離、
及び電極１０１と電極１０３Ｂとの距離を、それぞれ調整すると好ましい。
発光素子２２１Ｒにおいては導電膜１０６Ｒの厚さを調整し、発光素子２２１Ｇにおい
ては導電膜１０６Ｇの厚さを調整し、発光素子２２１Ｂにおいては導電膜１０６Ｂの厚さ
を調整することで、発光層１２０及び発光層１４０から呈される光のうち、それぞれの発
光素子で所望の波長の光の強度を強めることができる。
導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂは、互いに異なる膜厚であって
もよい。例えば、電極１０１、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０３Ｂにおいて
、光を反射する機能を有する導電膜の屈折率が、発光層１２０及び発光層１４０の屈折率
よりも小さい場合においては、電極１０３Ｒが有する導電膜１０６Ｒの膜厚を、電極１０
１と電極１０３Ｒとの間の光学距離がｍＲλＲ／２近傍（ｍＲは自然数、λＲは発光素子
２２１Ｒで強める光の波長を、それぞれ表す）となるよう調整する。また、電極１０３Ｇ
が有する導電膜１０６Ｇの膜厚を、電極１０１と電極１０３Ｇとの間の光学距離がｍＧλ
Ｇ／２近傍（ｍＧは自然数、λＧは発光素子２２１Ｇで強める光の波長を、それぞれ表す
）となるよう調整する。また、電極１０３Ｂが有する導電膜１０６Ｂの膜厚を、電極１０
１と電極１０３Ｂとの間の光学距離がｍＢλＢ／２近傍（ｍＢは自然数、λＢは発光素子
２２１Ｂで強める光の波長を、それぞれ表す）となるよう調整する。
マイクロキャビティ構造を用いることで、発光素子２２１Ｒから射出される光は、赤色
の波長領域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２２１Ｇから射出される光は、緑色
の波長領域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２２１Ｂから射出される光は、青色
の波長領域に発光スペクトルピークを有する光となる。
上記のように、マイクロキャビティ構造を設け、各発光素子の一対の電極間の光学距離
を調整することで、各電極近傍における光の散乱および光の吸収を抑制し、所望の波長の
光に対する光取り出し効率を高めることができる。また、所望の波長の光の強度が強まる
ため、高い色純度を有する発光を得ることができる。
一方、発光素子２２１Ｗが有する電極１０２は、光を透過する機能を有する導電膜のみ
からなるため、発光素子２２１Ｗは、マイクロキャビティ構造を有さず、発光層１２０及
び発光層１４０が呈する光のうち特定の波長の光の強度が強まることなく外部に取り出さ
れる。そのため、可視光領域の光のうち特に白色またはそれに近い色の光を効率よく外部
へ取り出すことができる。なお、白色またはそれに近い色の光としては、青色、緑色、黄
色、及び赤色の波長領域の少なくとも一に発光スペクトルピークを有すると好ましい。
そのため、マイクロキャビティ構造を有する発光素子２２１Ｒ、発光素子２２１Ｇ、及
び発光素子２２１Ｂと、マイクロキャビティ構造を有さない発光素子２２１Ｗとを有する
発光装置１５２は、色純度の高い光と、白色またはそれに近い色の光と、を高い光取り出
し効率で取り出すことが可能である。したがって、発光装置１５２の構成により、色純度
が高く、発光効率が高い発光装置を提供することができる。
また、発光素子２２１Ｒが有するＥＬ層１００と、発光素子２２１Ｇが有するＥＬ層１
００と、発光素子２２１Ｂが有するＥＬ層１００と、発光素子２２１Ｗが有するＥＬ層１
００とは、同一の工程で形成可能である。そのため、発光装置１５２は、製造しやすい発
光装置である。
なお、上記構成においては、電極１０２が有する導電膜、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０
６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂを構成する材料は、それぞれ互いに同じであっても良いし、異
なっていても良い。電極１０２が有する導電膜、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び
導電膜１０６Ｂに同じ材料を用いる場合、電極１０２、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及
び電極１０３Ｂの形成過程におけるエッチング工程によるパターン形成が容易になるため
好ましい。また、電極１０２が有する導電膜、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導
電膜１０６Ｂは、それぞれ２層以上の層が積層された構成であっても良い。
また、発光装置１５２において、電極１０１及び導電膜１０４に同じ材料を用いても良
いし、異なる材料を用いても良い。電極１０１及び導電膜１０４に同じ材料を用いる場合
、発光装置１５２の製造コストを低減できる。なお、電極１０１及び導電膜１０４は、そ
れぞれ２層以上の層が積層された構成であっても良い。
以上のような発光装置１５２を、表示装置の画素に用いることで、色純度が高く、発光
効率の高い表示装置を提供することができる。すなわち、発光装置１５２を有する表示装
置は、消費電力を低減することができる。
なお、発光装置１５２における他の構成については、発光装置１５０の構成を参酌すれ
ばよい。
＜発光装置の構成例３＞
次に、図２に示す発光装置１５２と異なる構成例について、図３及び図４を用いて、以
下説明を行う。
図３及び図４は、本発明の一態様の発光装置を示す断面模式図である。なお、図３及び
図４において、図１及び図２に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパ
ターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符
号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
図３に示す発光装置１５４及び図４で示す発光装置１５６は、基板２００上に、発光素
子２２１Ｗと、発光素子２２１Ｒと、発光素子２２１Ｇと、発光素子２２１Ｂと、を有す
る。
発光素子２２１Ｗは、電極１０１と、電極１０２と、該電極間に設けられた複数の発光
ユニット（発光ユニット２０８及び発光ユニット２１０）とを有する。また、発光素子２
２１Ｒは、電極１０１と、電極１０３Ｒと、該電極間に設けられた複数の発光ユニット（
発光ユニット２０８及び発光ユニット２１０）とを有する。また、発光素子２２１Ｇは、
電極１０１と、電極１０３Ｇと、該電極間に設けられた複数の発光ユニット（発光ユニッ
ト２０８及び発光ユニット２１０）とを有する。また、発光素子２２１Ｂは、電極１０１
と、電極１０３Ｂと、該電極間に設けられた複数の発光ユニット（発光ユニット２０８及
び発光ユニット２１０）とを有する。複数の発光ユニットのうちいずれか一つの発光ユニ
ットは、ＥＬ層１００と同様な構成を有すると好ましい。また、電極１０２は、可視光を
透過する機能を有する導電膜を有し、電極１０３Ｒは、可視光を反射する機能と透過する
機能とを有する導電膜１０４と、可視光を透過する機能を有する導電膜１０６Ｒと、を有
し、電極１０３Ｇは、可視光を反射する機能と透過する機能とを有する導電膜１０４と、
可視光を透過する機能を有する導電膜１０６Ｇとを有し、電極１０３Ｂは、可視光を反射
する機能と透過する機能とを有する導電膜１０４と、可視光を透過する機能を有する導電
膜１０６Ｂとを有する。
また、発光装置１５４及び発光装置１５６においては、発光ユニット２０８と発光ユニ
ット２１０とが積層されており、発光ユニット２０８と発光ユニット２１０との間には電
荷発生層１１５が設けられる。
発光ユニット２０８は、発光層１２０を有し、発光ユニット２１０は、発光層１４０を
有する。また、発光ユニット２０８は、発光層１２０の他に、正孔注入層１１１、正孔輸
送層１１２、電子輸送層１１３、及び電子注入層１１４を有する。また、発光ユニット２
１０は、発光層１４０の他に、正孔注入層１１６、正孔輸送層１１７、電子輸送層１１８
、及び電子注入層１１９を有する。
発光ユニット２０８と発光ユニット２１０とに挟まれる電荷発生層１１５は、例えば電
極１０１と電極１０２とに電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、
他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図３において、電極１
０２の電位の方が電極１０１の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生
層１１５は、発光ユニット２０８に電子を注入し、発光ユニット２１０に正孔を注入する
。
なお、発光ユニット２１０のように、発光ユニットの陽極側の面が電荷発生層１１５に
接している場合は、電荷発生層１１５が発光ユニットの正孔注入層または正孔輸送層の役
割も担うことができるため、該発光ユニットには正孔注入層または正孔輸送層を設けなく
とも良い。あるいは、発光ユニット２０８のように、発光ユニットの陰極側の面が電荷発
生層１１５に接している場合は、電荷発生層１１５が該発光ユニットの電子注入層または
電子輸送層の役割も担うことができるため、該発光ユニットには電子注入層または電子輸
送層を設けない構成であっても良い。
また、図３及び図４においては、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明し
たが、３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可
能である。発光装置１５４及び発光装置１５６に示すように、一対の電極間に複数の発光
ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発
光を可能とし、さらに長寿命な発光素子を実現できる。また、消費電力が低い発光素子を
実現することができる。
なお、発光装置１５４及び発光装置１５６が有する電極１０１と、電極１０２と、電極
１０３Ｒと、電極１０３Ｇと、電極１０３Ｂと、正孔注入層１１１、１１６と、正孔輸送
層１１２、１１７と、発光層１２０と、発光層１４０と、電子輸送層１１３、１１８と、
電子注入層１１４、１１９とは、発光装置１５２が有する電極１０１と、電極１０２と、
電極１０３Ｒと、電極１０３Ｇと、電極１０３Ｂと、正孔注入層１１１と、正孔輸送層１
１２と、発光層１２０と、発光層１４０と、電子輸送層１１８と、電子注入層１１９と、
それぞれ同様の機能を有する。したがって、その詳細な説明は省略する。
また、発光素子２２１Ｗは、マイクロキャビティ構造を有さない発光素子であり、発光
素子２２１Ｒ、発光素子２２１Ｇ、及び発光素子２２１Ｂは、マイクロキャビティ構造を
有する発光素子である。
マイクロキャビティ構造により、発光素子２２１Ｒは赤色の波長領域の光が、発光素子
２２１Ｇは緑色の波長領域の光が、発光素子２２１Ｂは青色の波長領域の光が、それぞれ
強まるように電極１０１と電極１０３Ｒとの距離、電極１０１と電極１０３Ｇとの距離、
及び電極１０１と電極１０３Ｂとの距離を、それぞれ調整すると好ましい。このとき、図
３に示す発光装置１５４のように、導電膜１０６Ｒの厚さは、導電膜１０６Ｇより厚い領
域を有し、導電膜１０６Ｇの厚さは、導電膜１０６Ｂより厚い領域を有すると好ましい。
あるいは、図４で示す発光装置１５６のように、導電膜１０６Ｒの厚さは、導電膜１０６
Ｇより厚い領域を有し、導電膜１０６Ｂの厚さは、導電膜１０６Ｒより厚い領域を有する
と好ましい。発光素子２２１Ｂにおいて、電極１０１と電極１０３Ｂとの間の光学距離が
ｍＢλＢ／２近傍（ｍＢが２より大きい自然数）とし導電膜１０６Ｂの厚さ厚くすること
で、導電膜１０４の表面近傍での光の散乱または光の吸収により、光の取出し効率が低下
してしまう現象（表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｌａｓｍｏｎ Ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ）ともいう）の影響を抑制することができ、高い光取り出し効率を実現す
ることができる。そのため、発光素子２２１Ｂからは、青色の光を効率よく取り出すこと
が可能となる。
マイクロキャビティ構造を有する発光素子２２１Ｒ、発光素子２２１Ｇ、及び発光素子
２２１Ｂと、マイクロキャビティ構造を有さない発光素子２２１Ｗとを有する発光装置１
５４及び発光装置１５６は、色純度の高い光と、白色またはそれに近い色の光と、を高い
光取り出し効率で取り出すことが可能である。したがって、発光装置１５４及び発光装置
１５６の構成により、色純度が高く、発光効率が高い発光装置を提供することができる。
なお、発光装置１５４及び発光装置１５６における他の構成については、発光装置１５
０または発光装置１５２の構成を参酌すればよい。
＜発光装置の構成例４＞
次に、図２に示す発光装置１５２と異なる構成例について、図５を用いて、以下説明を
行う。
図５は、本発明の一態様の発光装置を示す断面模式図である。なお、図５において、図
１乃至図４に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号
を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳
細な説明は省略する場合がある。
図５に示す発光装置１５８は、基板２００上に、発光素子２２１Ｗと、発光素子２２１
Ｒと、発光素子２２１Ｇと、発光素子２２１Ｂと、を有する。
発光素子２２１Ｗは、電極１０１と、電極１０２と、該電極間に設けられたＥＬ層１０
０とを有する。また、発光素子２２１Ｒは、電極１０１と、電極１０３と、該電極間に設
けられたＥＬ層１００とを有する。また、発光素子２２１Ｇは、電極１０１と、電極１０
３と、該電極間に設けられたＥＬ層１００とを有する。また、発光素子２２１Ｂは、電極
１０１と、電極１０３と、該電極間に設けられたＥＬ層１００とを有する。また、電極１
０２は、可視光を透過する機能を有する導電膜を有し、電極１０３は、可視光を反射する
機能と透過する機能とを有する導電膜１０４と、可視光を透過する機能を有する導電膜１
０６と、を有する。また、ＥＬ層１００は、少なくとも発光層１３０を有し、発光層１３
０は、例えば、発光層１２０と発光層１４０とを有する。
また、図５に示すＥＬ層１００は、発光層１２０及び発光層１４０の他に、正孔注入層
１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１９等の機能層を有す
る。
なお、発光装置１５８が有する電極１０１と、電極１０２と、導電膜１０４と、正孔輸
送層１１２と、発光層１２０と、発光層１４０と、電子輸送層１１８と、電子注入層１１
９とは、発光装置１５２が有する電極１０１と、電極１０２と、導電膜１０４と、正孔輸
送層１１２と、発光層１２０と、発光層１４０と、電子輸送層１１８と、電子注入層１１
９と、それぞれ同様の機能を有する。したがって、その詳細な説明は省略する。
また、発光素子２２１ＷにおけるＥＬ層１００は、正孔注入層１１１を有し、発光素子
２２１ＲにおけるＥＬ層１００は、正孔注入層１１１Ｒを有し、発光素子２２１Ｇにおけ
るＥＬ層１００は、正孔注入層１１１Ｇを有し、発光素子２２１ＢにおけるＥＬ層１００
は、正孔注入層１１１Ｂを有する。
また、発光素子２２１Ｗはマイクロキャビティ構造を有さない発光素子であり、発光素
子２２１Ｒ、発光素子２２１Ｇ、及び発光素子２２１Ｂは、マイクロキャビティ構造を有
する発光素子である。
マイクロキャビティ構造により、発光素子２２１Ｒは赤色の波長領域の光が、発光素子
２２１Ｇは緑色の波長領域の光が、発光素子２２１Ｂは青色の波長領域の光が、それぞれ
強まるように電極１０１と電極１０３との距離を、それぞれ調整すると好ましい。発光素
子２２１Ｒにおいては正孔注入層１１１Ｒの厚さを調整し、発光素子２２１Ｇにおいては
正孔注入層１１１Ｇの厚さを調整し、発光素子２２１Ｂにおいては正孔注入層１１１Ｂの
厚さを調整することで、発光層１２０及び発光層１４０から呈される光のうち、それぞれ
の発光素子で所望の波長の光の強度を強めることができる。正孔注入層１１１Ｒ、正孔注
入層１１１Ｇ、及び正孔注入層１１１Ｂは、互いに異なる膜厚であってもよい。例えば、
電極１０１及び電極１０３において、光を反射する機能を有する導電膜の屈折率が、発光
層１２０及び発光層１４０の屈折率よりも小さい場合においては、正孔注入層１１１Ｒの
膜厚を、電極１０１と電極１０３との間の光学距離がｍＲλＲ／２近傍（ｍＲは自然数、
λＲは発光素子２２１Ｒで強める光の波長を、それぞれ表す）となるよう調整する。また
、正孔注入層１１１Ｇの膜厚を、電極１０１と電極１０３との間の光学距離がｍＧλＧ／
２近傍（ｍＧは自然数、λＧは発光素子２２１Ｇで強める光の波長を、それぞれ表す）と
なるよう調整する。また、正孔注入層１１１Ｂの膜厚を、電極１０１と電極１０３との間
の光学距離がｍＢλＢ／２近傍（ｍＢは自然数、λＢは発光素子２２１Ｂで強める光の波
長を、それぞれ表す）となるよう調整する。
マイクロキャビティ構造を用いることで、発光素子２２１Ｒから射出される光は、赤色
の波長領域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２２１Ｇから射出される光は、緑色
の波長領域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２２１Ｂから射出される光は、青色
の波長領域に発光スペクトルピークを有する光となる。
マイクロキャビティ構造を有する発光素子２２１Ｒ、発光素子２２１Ｇ、及び発光素子
２２１Ｂと、マイクロキャビティ構造を有さない発光素子２２１Ｗとを有する発光装置１
５８は、色純度の高い光と、白色またはそれに近い色の光と、を高い光取り出し効率で取
り出すことが可能である。したがって、発光装置１５８の構成により、色純度が高く、発
光効率が高い発光装置を提供することができる。
なお、上記構成においては、正孔注入層１１１、正孔注入層１１１Ｒ、正孔注入層１１
１Ｇ、及び正孔注入層１１１Ｂを構成する材料は、互いに同じであっても良いし、異なっ
ていても良い。これら正孔注入層に同じ材料を用いる場合、発光装置１５８の製造コスト
を低減できる。なお、これら正孔注入層の一つまたは複数は、２層以上の層が積層された
構成であっても良い。
発光装置１５８における他の構成については、発光装置１５０、または発光装置１５２
の構成を参酌すればよい。
＜発光装置の構成例５＞
次に、図５に示す発光装置１５８と異なる構成例について図６及び図７を用いて以下に
説明する。
図６及び図７は、本発明の一態様の発光装置を示す断面模式図である。なお、図６及び
図７において、図１乃至図５に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパ
ターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符
号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
図６に示す発光装置１６０及び図７に示す発光装置１６２は、基板２００上に発光素子
２２１Ｗと、発光素子２２１Ｒと、発光素子２２１Ｇと、発光素子２２１Ｂと、を有する
。
発光素子２２１Ｗは、電極１０１と、電極１０２と、該電極間に設けられた複数の発光
ユニット（発光ユニット２０８及び発光ユニット２１０）とを有する。また、また、発光
素子２２１Ｒは、電極１０１と、電極１０３と、該電極間に設けられた複数の発光ユニッ
ト（発光ユニット２０８及び発光ユニット２１０）とを有する。また、発光素子２２１Ｇ
は、電極１０１と、電極１０３と、該電極間に設けられた複数の発光ユニット（発光ユニ
ット２０８及び発光ユニット２１０）とを有する。また、発光素子２２１Ｂは、電極１０
１と、電極１０３と、該電極間に設けられた複数の発光ユニット（発光ユニット２０８及
び発光ユニット２１０）とを有する。また、電極１０２は、可視光を透過する機能を有す
る導電膜を有し、電極１０３は、可視光を反射する機能と透過する機能とを有する導電膜
１０４と、可視光を透過する機能を有する導電膜１０６と、を有する。
また、発光装置１６０及び発光装置１６２においては、発光ユニット２０８と発光ユニ
ット２１０とが積層されており、発光ユニット２０８と発光ユニット２１０との間には電
荷発生層１１５が設けられる。
発光ユニット２０８は、発光層１２０を有し、発光ユニット２１０は、発光層１４０を
有する。また、発光ユニット２０８は、発光層１２０の他に、正孔注入層１１１、正孔輸
送層１１２、電子輸送層１１３、及び電子注入層１１４を有する。また、発光ユニット２
１０は、発光層１４０の他に、正孔注入層１１６、正孔輸送層１１７、電子輸送層１１８
、及び電子注入層１１９を有する。
なお、発光装置１６０及び発光装置１６２が有する電極１０１と、電極１０２と、電極
１０３と、正孔輸送層１１２、１１７と、発光層１２０と、発光層１４０と、電子輸送層
１１３、１１８と、電子注入層１１４、１１９とは、発光装置１５８が有する電極１０１
と、電極１０２と、電極１０３と、正孔輸送層１１２と、発光層１２０と、発光層１４０
と、電子輸送層１１８と、電子注入層１１９と、それぞれ同様の機能を有する。したがっ
て、その詳細な説明は省略する。
また、発光素子２２１Ｗは、マイクロキャビティ構造を有さない発光素子であり、発光
素子２２１Ｒ、発光素子２２１Ｇ、及び発光素子２２１Ｂは、マイクロキャビティ構造を
有する発光素子である。
マイクロキャビティ構造により、発光素子２２１Ｒは赤色の波長領域の光が、発光素子
２２１Ｇは緑色の波長領域の光が、発光素子２２１Ｂは青色の波長領域の光が、それぞれ
強まるように電極１０１と電極１０３との距離を、それぞれ調整すると好ましい。このと
き、図６に示す発光装置１６０のように、正孔注入層１１１Ｒの厚さは、正孔注入層１１
１Ｇより厚い領域を有し、正孔注入層１１１Ｇの厚さは、正孔注入層１１１Ｂより厚い領
域を有すると好ましい。あるいは、図７で示す発光装置１６２のように、正孔注入層１１
１Ｒの厚さは、正孔注入層１１１Ｇより厚い領域を有し、正孔注入層１１１Ｂの厚さは、
正孔注入層１１１Ｒより厚い領域を有すると好ましい。発光素子２２１Ｂにおいて、電極
１０１と電極１０３との間の光学距離がｍＢλＢ／２近傍（ｍＢが２より大きい自然数）
とし正孔注入層１１１Ｂの厚さ厚くすることで、導電膜１０４の表面近傍での光の散乱ま
たは光の吸収により、光の取出し効率が低下してしまう現象（表面プラズモン共鳴）の影
響を抑制することができ、高い光取り出し効率を実現することができる。そのため、発光
素子２２１Ｂからは、青色の光を効率よく取り出すことが可能となる。
マイクロキャビティ構造を用いることで、発光素子２２１Ｒから射出される光は、赤色
の波長領域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２２１Ｇから射出される光は、緑色
の波長領域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２２１Ｂから射出される光は、青色
の波長領域に発光スペクトルピークを有する光となる。
マイクロキャビティ構造を有する発光素子２２１Ｒ、発光素子２２１Ｇ、及び発光素子
２２１Ｂと、マイクロキャビティ構造を有さない発光素子２２１Ｗとを有する発光装置１
６０及び発光装置１６２は、色純度の高い光と、白色またはそれに近い色の光と、を高い
光取り出し効率で取り出すことが可能である。したがって、発光装置１６０及び発光装置
１６２の構成により、色純度が高く、発光効率が高い発光装置を提供することができる。
なお、上記構成においては、正孔注入層１１１、正孔注入層１１１Ｒ、正孔注入層１１
１Ｇ、及び正孔注入層１１１Ｂを構成する材料は、互いに同じであっても良いし、異なっ
ていても良い。これら正孔注入層に同じ材料を用いる場合、発光装置１６０及び発光装置
１６２の製造コストを低減できる。なお、これら正孔注入層の一つまたは複数は、２層以
上の層が積層された構成であっても良い。
発光装置１６０及び発光装置１６２における他の構成については、発光装置１５４、発
光装置１５６、または発光装置１５８の構成を参酌すればよい。
＜発光装置の構成例６＞
次に、図３に示す発光装置１５４と異なる構成例について、図８乃至図１０を用いて、
以下説明を行う。
図８乃至図１０は、本発明の一態様の発光装置を示す断面模式図である。なお、図８乃
至図１０において、図１乃至図７に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッ
チパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様
の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
図８に示す発光装置２５０、図９で示す発光装置２５２、及び図１０で示す発光装置２
５４は、基板２００上に、発光素子２２２Ｗと、発光素子２２２Ｒと、発光素子２２２Ｇ
と、発光素子２２２Ｂと、を有する。
発光素子２２２Ｗは、電極１０１と、電極１０２と、該電極間に設けられた複数の発光
ユニットとを有する。また、また、発光素子２２２Ｒは、電極１０１と、電極１０３Ｒと
、該電極間に設けられた複数の発光ユニットとを有する。また、発光素子２２１Ｇは、電
極１０１と、電極１０３Ｇと、該電極間に設けられた複数の発光ユニットとを有する。ま
た、発光素子２２１Ｂは、電極１０１と、電極１０３Ｂと、該電極間に設けられた複数の
発光ユニットとを有する。
また、発光装置２５０、発光装置２５２、及び発光装置２５４は、発光層１２０と、発
光層１４０と、を有する。また、発光装置２５０、発光装置２５２、及び発光装置２５４
は、発光層１２０及び発光層１４０の他に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子
輸送層１１３、電子注入層１１４、電荷発生層１１５、正孔注入層１１６、正孔輸送層１
１７、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１９を有する。
発光層１２０と発光層１４０とは、互いに異なる色を呈する機能を有する発光材料を有
することが好ましい。また、発光層１２０及び発光層１４０は、一方または双方は、例え
ば発光層１４０ａ及び発光層１４０ｂのように２層が積層された構成としてもよい。２層
の発光層に、互いに異なる色を呈する機能を有する２種類の発光材料を用いることで、複
数の発光を同時に得ることができる。特に発光層１２０と、発光層１４０と、が呈する発
光により、白色またはそれに近い色となるよう、各発光層に用いる発光材料を選択すると
好ましい。また、発光層１２０または発光層１４０は、一方または双方で３層以上が積層
された構成としても良く、発光材料を有さない層が含まれていても良い。
また、電極１０２は、導電膜を有する。
また、電極１０３Ｒは、導電膜１０８と、導電膜１０８上に接する導電膜１０４と、導
電膜１０４上に接する導電膜１０６Ｒと、を有する。また、電極１０３Ｇは、導電膜１０
８と、導電膜１０８上に接する導電膜１０４と、導電膜１０４上に接する導電膜１０６Ｇ
と、を有する。また、電極１０３Ｂは、導電膜１０８と、導電膜１０８上に接する導電膜
１０４と、導電膜１０４上に接する導電膜１０６Ｂと、を有する。
発光装置２５０、発光装置２５２、及び発光装置２５４はボトムエミッション型である
ため、電極１０２、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０３Ｂは、光を透過する機
能を有することが好ましく、電極１０１は、光を反射する機能を有することが好ましい。
発光装置２５０、発光装置２５２、及び発光装置２５４は、発光素子２２２Ｗ、発光素
子２２２Ｒ、発光素子２２２Ｇ、及び発光素子２２２Ｂの間に、隔壁１４５を有する。隔
壁１４５は、絶縁性を有する。隔壁１４５は、電極１０２、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ
、及び電極１０３Ｂの端部を覆い、該電極と重なる開口部を有する。隔壁１４５を設ける
ことによって、基板２００上の電極を電極１０２、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電
極１０３Ｂのように、それぞれ島状に分離することが可能となる。
隔壁１４５としては、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成され
る。該無機材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。該有機材料としては、例
えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
なお、酸化窒化シリコン膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い膜を
指し、好ましくは酸素が５５原子％以上６５原子％以下、窒素が１原子％以上２０原子％
以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が０．１原子％以上１０原子％以
下の範囲で含まれる膜をいう。窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒
素の含有量が多い膜を指し、好ましくは窒素が５５原子％以上６５原子％以下、酸素が１
原子％以上２０原子％以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が０．１原
子％以上１０原子％以下の濃度範囲で含まれる膜をいう。
このとき、発光層１２０が紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、少なくとも一
つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有する発光材料を有することで、発
光素子２２２Ｂは青色の発光を呈する構成とすることができる。また、発光層１４０が緑
色、黄緑色、黄色、黄橙色、橙色、または赤色の中から選ばれる、少なくとも一つの波長
領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有する発光材料を有することで、発光素子２
２２Ｇは緑色の発光を呈し、発光素子２２２Ｒは赤色の発光を呈する構成とすることがで
きる。このような構成を有する発光装置２５０、発光装置２５２、または発光装置２５４
を、表示装置の画素に用いることで、フルカラー表示が可能な表示装置を作製することが
できる。なお、それぞれの発光層の膜厚は、同じであっても良いし、異なっていても良い
。
また、発光装置２５０は、発光素子２２２Ｒ、発光素子２２２Ｇ、及び発光素子２２２
Ｂから呈される光が取り出される方向に、それぞれ光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ
、及び光学素子２２４Ｂを有する基板２２０を有する。各発光素子から呈される光は、各
光学素子を介して発光装置の外部に射出される。すなわち、発光素子２２２Ｒから呈され
る光は、光学素子２２４Ｒを介して射出され、発光素子２２２Ｇから呈される光は、光学
素子２２４Ｇを介して射出され、発光素子２２２Ｂから呈される光は、光学素子２２４Ｂ
を介して射出される。
また、光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｂは、入射される光
から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。例えば、光学素子２２４Ｒを
介して射出される発光素子２２２Ｒから呈される光は、赤色を呈する光となり、光学素子
２２４Ｇを介して射出される発光素子２２２Ｇから呈される光は、緑色を呈する光となり
、光学素子２２４Ｂを介して射出される発光素子２２２Ｂから呈される光は、青色を呈す
る光となる。
光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｂには、例えば、着色層（
カラーフィルタともいう）、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。ま
た、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当
該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット
を用いる素子であると好適である。量子ドットを用いることにより、表示装置の色再現性
を高め色純度を高めることができる。
なお、光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｂ上に複数の光学素
子を重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏光板及び反射防止膜などを
設けることができる。円偏光板を、表示装置の発光装置が発する光が取り出される側に設
けると、表示装置の外部から入射した光が、表示装置の内部で反射されて、外部に射出さ
れる現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、表示装置の表面で反射され
る外光を弱めることができる。これにより、表示装置が発する発光を、鮮明に観察できる
。
なお、図９に示す発光装置２５２のように、光学素子２２４Ｂを設けない構成としても
よい。光学素子２２４Ｂを設けないことで、発光素子２２２Ｂから呈される光の取出し効
率を高めることができる。なお、後述のように、発光素子２２２Ｂは、マイクキャビティ
構造を有するため、発光素子２２２Ｂから呈される光は、特定の波長の光の強度が強めら
れており、光学素子２２４Ｂを設けなくても十分な色純度を有する光である。
また、図１０に示す発光装置２５４のように、発光素子２２２Ｗから呈される光が取り
出される方向に、光学素子２２４Ｗを設けても良い。発光素子２２２Ｗから呈される光は
、光学素子２２４Ｗを介して発光装置の外部に射出される。光学素子２２４Ｗを設けるこ
とで、発光素子２２２Ｗから呈される光を、より白色に近い色または所望の色に近づける
ことができる。また、発光装置のコントラスト比を高めることが可能となる。
なお、図８乃至図１０において、各発光素子から射出される光を、白色またはそれに近
い色を呈する光（Ｗ）、赤色を呈する光（Ｒ）、緑色を呈する光（Ｇ）、青色を呈する光
（Ｂ）として、それぞれ破線の矢印で模式的に図示している。
また、各光学素子の間には、遮光層２２３を有する。遮光層２２３は、隣接する領域か
ら発せられる光を遮光する機能を有する。なお、遮光層２２３を設けない構成としても良
い。
遮光層２２３としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層２２３と
しては、隣接する発光装置から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層２２３と
しては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化
物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
また、発光素子２２２Ｗは、マイクロキャビティ構造を有さない発光素子であり、発光
素子２２２Ｒ、発光素子２２２Ｇ、及び発光素子２２２Ｂは、マイクロキャビティ構造を
有する発光素子であると好ましい。
発光層１２０、及び発光層１４０から射出される光は、一対の電極（例えば、電極１０
１と電極１０３Ｒ）の間で共振される。また、発光層１２０及び発光層１４０は、射出さ
れる光のうち所望する波長の光の強度が強まる位置に形成される。例えば、電極１０１の
反射領域から発光層１２０の発光領域までの光学距離と、電極１０３Ｂの反射領域から発
光層１２０の発光領域までの光学距離と、を調整することにより、発光層１２０から射出
される光の強度を強めることができる。また、電極１０３Ｇおよび電極１０３Ｒの反射領
域から発光層１４０の発光領域までの光学距離と、電極１０１の反射領域から発光層１４
０の発光領域までの光学距離と、を調整することにより、発光層１４０から射出される光
の強度を強めることができる。すなわち、複数の発光層（ここでは、発光層１２０及び発
光層１４０）を積層する発光装置の場合、発光層１２０及び発光層１４０のそれぞれの光
学距離を最適化することが好ましい。
例えば、電極１０１、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０３Ｂにおいて、光を
反射する機能を有する導電膜の屈折率が、発光層１２０または発光層１４０の屈折率より
も小さい場合においては、電極１０３Ｒが有する導電膜１０６Ｒの膜厚を、電極１０１と
電極１０３Ｒとの間の光学距離がｍＲλＲ／２（ｍＲは自然数、λＲは発光素子２２２Ｒ
で強める光の波長を、それぞれ表す）となるよう調整する。同様に、電極１０３Ｇが有す
る導電膜１０６Ｇの膜厚を、電極１０３Ｇと電極１０１との間の光学距離がｍＧλＧ／２
（ｍＧは自然数、λＧは発光素子２２２Ｇで強める光の波長を、それぞれ表す）となるよ
う調整する。さらに、電極１０３Ｂが有する導電膜１０６Ｂの膜厚を、電極１０３Ｂと電
極１０１との間の光学距離がｍＢλＢ／２（ｍＢは自然数、λＢは発光素子２２２Ｂで強
める光の波長を、それぞれ表す）となるよう調整する。
上記構成において、発光素子２２２Ｒ、発光素子２２２Ｇ、及び発光素子２２２Ｂにお
ける強める光の波長が異なるため、各発光素子の光学距離は互いに異なる光学距離となる
。
マイクロキャビティ構造を用いることで、発光素子２２２Ｒから射出される光は、赤色
の波長領域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２２２Ｇから射出される光は、緑色
の波長領域に発光スペクトルピークを有し、発光素子２２２Ｂから射出される光は、青色
の波長領域に発光スペクトルピークを有する光となる。
上記のように、マイクロキャビティ構造を設け、各発光素子の一対の電極間の光学距離
を調整することで、各電極近傍における光の散乱および光の吸収を抑制し、所望の波長の
光に対する光取り出し効率を高めることができる。また、所望の波長の光の強度が強まる
ため、高い色純度を有する発光を得ることができる。
マイクロキャビティ構造を有する発光素子２２２Ｒ、発光素子２２２Ｇ、及び発光素子
２２２Ｂと、マイクロキャビティ構造を有さない発光素子２２２Ｗとを有する発光装置２
５０、発光装置２５２、及び発光装置２５４は、色純度の高い光と、白色またはそれに近
い色の光と、を高い光取り出し効率で取り出すことが可能である。したがって、発光装置
２５０、発光装置２５２、及び発光装置２５４の構成により、色純度が高く、発光効率が
高い発光装置を提供することができる。
なお、上記構成においては、電極１０２が有する導電膜、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０
６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂは、光を透過する機能を有することが好ましい。また、電極１
０２が有する導電膜、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂ、を構成す
る材料は、互いに同じであっても良いし、異なっていても良い。
また、導電膜１０４は、光を透過する機能と、光を反射する機能とを有することが好ま
しい。また、電極１０１は、光を反射する機能を有することが好ましい。
また、導電膜１０８に、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、または導電膜１０６Ｂと同
じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。導電膜１０８、導電膜１０６Ｒ、
導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂに同じ材料を用い、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、
及び電極１０３Ｂが同じ導電性材料で形成される場合、エッチング工程によるパターン形
成が容易になるため好ましい。また、発光装置２５０、発光装置２５２、及び発光装置２
５４の製造コストを低減することができる。なお、導電膜１０８は、２層以上の層が積層
された構成であっても良い。
なお、発光装置２５０、発光装置２５２、及び発光装置２５４が、導電膜１０８を有さ
ない構成としてもよい。
以上のような発光装置２５０、発光装置２５２、及び発光装置２５４を、表示装置の画
素に用いることで、色純度が高く、発光効率の高い表示装置を提供することができる。す
なわち、発光装置２５０、発光装置２５２、または発光装置２５４を有する表示装置は、
消費電力を低減することができる。
なお、発光装置２５０、発光装置２５２、及び発光装置２５４における他の構成につい
ては、発光装置１５０、発光装置１５２、発光装置１５４、及び発光装置１５６の構成を
参酌すればよい。
＜発光装置の構成例７＞
次に、図８に示す発光装置２５０と異なる構成例について図１１（Ａ）（Ｂ）を用いて
以下に説明する。
図１１（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置を示す断面模式図である。なお、図１１（
Ａ）において、図１乃至図１０に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチ
パターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の
符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
図１１（Ａ）に示す発光装置２５６は、基板２００上に、トランジスタ２４０と、発光
素子２２２Ｗと、発光素子２２２Ｒと、発光素子２２２Ｇと、発光素子２２２Ｂとを有す
る発光装置の構成例である。
また、発光素子２２２Ｗは、マイクロキャビティ構造を有さない発光素子であり、発光
素子２２２Ｒ、発光素子２２２Ｇ、及び発光素子２２２Ｂは、マイクロキャビティ構造を
有する発光素子であると好ましい。
発光素子２２２Ｒ、発光素子２２２Ｇ、及び発光素子２２２Ｂがマイクロキャビティ構
造を有するとき、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂは光を透過する
機能を有することが好ましい。この場合、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜
１０６Ｂの膜厚を調整することで、各発光素子（発光素子２２２Ｒ、発光素子２２２Ｇ、
及び発光素子２２２Ｂ）が呈する光のうち所望の波長の光の強度を強めることができる。
また、導電膜１０４は、光を反射する機能と、光を透過する機能とを有すると好ましい
。
また、発光装置２５６は、トランジスタ２４０と電極１０３Ｒとの間、トランジスタ２
４０と電極１０３Ｇとの間、及びトランジスタ２４０と電極１０３Ｂとの間に、それぞれ
光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｂを有する。そのため、各発
光素子から呈される光は、各光学素子を介して発光装置の外部に射出される。すなわち、
発光素子２２２Ｒから呈される光は、光学素子２２４Ｒを介して射出され、発光素子２２
２Ｇから呈される光は、光学素子２２４Ｇを介して射出され、発光素子２２２Ｂから呈さ
れる光は、光学素子２２４Ｂを介して射出される。
基板２００に光学素子を設けることで、発光装置２５６の厚さを低減することができる
。また、発光装置２５６の製造コストを低減することができる。
また、電極１０２、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０３Ｂは、それぞれトラ
ンジスタ２４０と電気的に接続される。
図１１（Ａ）に示す発光装置２５６が有するトランジスタ２４０の一例について、図１
１（Ｂ）を用いて説明する。図１１（Ｂ）は、トランジスタ２４０の断面模式図である。
図１１（Ｂ）に示すトランジスタ２４０には、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
を用いることができる。トランジスタ２４０は、基板２００上のゲート電極２７２と、基
板２００及びゲート電極２７２上のゲート絶縁層２７４と、ゲート絶縁層２７４上の半導
体層２７６と、ゲート絶縁層２７４及び半導体層２７６上のソース電極２７８ａと、ゲー
ト絶縁層２７４及び半導体層２７６上のドレイン電極２７８ｂと、を有する。また、トラ
ンジスタ２４０上には、絶縁層２８２と、絶縁層２８２上の絶縁層２８４と、絶縁層２８
４上の絶縁層２８６とが設けられる。
絶縁層２８２は、半導体層２７６と接する領域を有する。絶縁層２８２としては、例え
ば、酸化物絶縁材料により形成することができる。また、絶縁層２８４は、トランジスタ
２４０に入り込みうる不純物を抑制する機能を有する。絶縁層２８４としては、例えば、
窒化物絶縁材料により形成することができる。また、絶縁層２８６は、トランジスタ２４
０等に起因する凹凸等を平坦化する機能を有する。絶縁層２８６としては、例えば、有機
物絶縁材料により形成することができる。
また、絶縁層２８２、絶縁層２８４、及び絶縁層２８６には、開口部が設けられ、当該
開口部を介して、トランジスタ２４０のドレイン電極２７８ｂと、電極１０２、電極１０
３Ｒ、電極１０３Ｇ、または電極１０３Ｂとが電気的に接続される。トランジスタ２４０
を駆動させることで、電極１０２、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０３Ｂに流
れる、電流または電圧を制御することができる。これにより、トランジスタによって発光
装置２５６の駆動を制御するアクティブマトリクス型の表示装置を提供することができる
。
なお、発光装置２５６における他の構成については、発光装置２５０の構成を参酌すれ
ばよい。
＜発光装置の構成要素＞
次に、本発明の一態様に係わる発光装置の構成要素の詳細について、以下説明を行う。
≪正孔注入層≫
正孔注入層１１１及び１１６としては、一対の電極の一方及び電荷発生層１１５からの
ホール注入障壁を低減することでホール注入を促進する機能を有し、例えば遷移金属酸化
物、フタロシアニン誘導体、または芳香族アミンなどによって形成される。遷移金属酸化
物としては、例えばモリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングス
テン酸化物、及びマンガン酸化物などが挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、例
えばフタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）及び銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰＣ）等の金
属フタロシアニンなどが挙げられる。芳香族アミンとしてはベンジジン誘導体及びフェニ
レンジアミン誘導体などが挙げられる。ポリチオフェン及びポリアニリンなどの高分子化
合物を用いることもでき、例えば自己ドープされたポリチオフェンであるポリ（エチレン
ジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）など
がその代表例である。また、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体や、側鎖または主鎖
に芳香族アミン骨格またはπ電子過剰型複素芳香族骨格を有するポリアリーレン及びその
誘導体、などが挙げられる。
正孔注入層として、正孔輸送性材料（ドナー材料）と、これに対して電子受容性を示す
材料（アクセプター材料）の複合材料を有する層を用いることもできる。または、電子受
容性を示す材料を含む層と正孔輸送性材料を含む層の積層を用いても良い。これらの材料
間では定常状態、または電界存在下において電荷の授受が可能である。電子受容性を示す
材料としては、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及びヘキサアザトリフェニレン
誘導体などの有機アクセプターを挙げることができる。具体的には、７，７，８，８－テ
トラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、
クロラニル、及び２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１
２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基また
はシアノ基）を有する化合物である。また、遷移金属酸化物、例えば第４族から第８族金
属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タン
タル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、及び酸化レニウ
ムなどである。中でも酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやす
いため好ましい。
正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１
×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的に
は、例えば芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体など
を用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
これら正孔輸送性の高い材料として、例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’
－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰ
ＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ
］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）
アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジ
アミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニ
ル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
また、カルバゾール誘導体としては、具体的には、例えば、３－［Ｎ－（４－ジフェニ
ルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚ
ＤＰＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミ
ノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６－ビス［Ｎ－（４－
ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－（１－ナフチル）アミノ］－９－フェニルカルバゾー
ル（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ
－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビ
ス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フ
ェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰ
ＣＮ１）等を挙げることができる。
また、カルバゾール誘導体としては、他に、例えば、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル
）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニ
ル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェ
ニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリ
ル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
また、芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－
ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－
ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アン
トラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフ
ェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アント
ラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、
２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－
メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，
１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０－ビス［２－（１
－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（
１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフ
チル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－
ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル
、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’
－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－
テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロ
ネン等も用いることができる。このように、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度
を有し、炭素数１４乃至炭素数４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香
族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル
（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）フェニル］
アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
また、例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニル
トリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジ
フェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルア
ミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、及びポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ
，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等の高分子化合物を
用いることもできる。
また、正孔輸送性の高い材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル
）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビ
ス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４
’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）
トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナフチ
ル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’－ＴＮＡＴＡ）、４，４’
，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ
）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ト
リフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－
ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－
フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：Ｂ
ＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニ
ルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－
イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチル－２－［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメチル－
９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミノ］－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニルアミン
（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフェニルアミノ－９Ｈ－フ
ルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２－［Ｎ－（４－ジフェニ
ルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：Ｄ
ＰＡＳＦ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）ト
リフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フ
ェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ
）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）ト
リフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（
９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢ
Ｂ）、４－フェニルジフェニル－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）アミ
ン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－
Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ
’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール－３－イル
）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－
Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバ
ゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－
Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメ
チル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、９，９－ジメチル－Ｎ－
フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フル
オレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－
９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミ
ン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、２－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－
フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２，７－ビス
［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－スピロ－９，９’－
ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フ
ェニル］－Ｎ－（４－フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－
ビス［４－（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９－ジ
メチルフルオレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）などの芳香族アミン化合物等
を用いることができる。また、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、３－［４－（９－フェナントリル）－フェニ
ル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３，３’－ビス（９－
フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル
）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェ
ニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオ
レン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－Ｉ
Ｉ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）
（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、１，３，５－トリ（ジベンゾチオフェン－４－イル）－ベ
ンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－
９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－Ｉ
ＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フ
ェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）、４－［３－（トリフェニレン
－２－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ－ＩＩ）等のアミン
化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合物、フルオレン化合物、ト
リフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質
は、主に１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よ
りも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を用いてもよい。
≪正孔輸送層≫
正孔輸送層１１２及び１１７は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料には
正孔注入層の材料として例示した材料を使用することができる。正孔輸送層は正孔注入層
に注入された正孔を発光層へ輸送する機能を有するため、正孔注入層のＨＯＭＯ（Ｈｉｇ
ｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ、最高被占軌道とも
いう）準位と同じ、または近いＨＯＭＯ準位を有することが好ましい。
上記正孔輸送性材料としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物
質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以
外の物質を用いてもよい。なお、正孔輸送層は、単層だけでなく、上記物質からなる層が
二層以上積層してもよい。
≪電子注入層≫
電子注入層１１４及び１１９としては、一対の電極の一方及び電荷発生層１１５からの
電子注入障壁を低減することで電子注入を促進する機能を有し、例えば第１族金属、第２
族金属、またはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩などを用いることができる。また
、電子輸送性材料と、これに対して電子供与性（ドナー性）を示す材料の複合材料を用い
ることもできる。電子供与性を示す材料としては、第１族金属、第２族金属、またはこれ
らの酸化物などを挙げることができる。具体的には、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）
、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、及びリチウム酸化物（Ｌ
ｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、及びアルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用い
ることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用い
ることができる。また、電子注入層にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライド
としては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質
等が挙げられる。
また、電子注入層に、有機材料（アクセプター材料）と電子供与体（ドナー材料）とを
混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機
材料に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機
材料としては、発生した電子の輸送に優れた材料（電子輸送性材料）であることが好まし
く、具体的には、例えば金属錯体及び複素芳香族化合物等の電子輸送性材料を用いること
ができる。電子供与体としては、有機材料に対し電子供与性を示す物質であればよい。具
体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属が好ましく、例えばリチウ
ム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、及びイッテルビウム等が挙げら
れる。また、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物が好ましく、例えばリチウ
ム酸化物、カルシウム酸化物、及びバリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシ
ウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：Ｔ
ＴＦ）等の有機材料を用いることもできる。
電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１
×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましく、含窒素複
素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族、及び金属錯体などを用いることができ
る。具体的には、例えば、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子
、またはチアゾール配位子を有する金属錯体が挙げられる。また、例えば、オキサジアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジ
ン誘導体、及びピリミジン誘導体などが挙げられる。
具体的には、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａ
ｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌ
ｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称
：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）ア
ルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略
称：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げら
れる。また、この他ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども
用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４
－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，
３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２
－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキ
サジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３－（
４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，
４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイ
ル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３
－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾ
ール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バ
ソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン
－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－
ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベン
ゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ
－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（
略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－
９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ
）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキ
サリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び、６－［３－（ジベンゾチオフェン－
４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－Ｉ
Ｉ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：
４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリ
ミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾ
ール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）などのジアジン
骨格を有する複素環化合物、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３
－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，
５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素環化合物
、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３
５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称
：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物、４，４’－ビス（５－メチ
ルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合
物も用いることができる。また、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポ
リ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－
ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジ
イル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）
のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０－６ｃ
ｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い
物質であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
≪電子輸送層≫
電子輸送層１１３及び１１８は電子注入層１１９を経て一対の電極の他方から注入され
た電子を発光層へ輸送する機能を有する。電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸
送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有す
る材料であることが好ましい。電子輸送性材料としては、例えば含窒素複素芳香族化合物
のようなπ電子不足型複素芳香族及び金属錯体などを用いることができる。具体的には、
電子注入層に用いることができる電子輸送性材料として挙げたキノリン配位子、ベンゾキ
ノリン配位子、オキサゾール配位子、またはチアゾール配位子等を有する金属錯体が挙げ
られる。また、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体
、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体などが挙げられる。なお、正孔
よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構
わない。また、電子輸送層は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層して
もよい。
また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。
これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加し
た層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節す
ることが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発
生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
また、ｎ型の化合物半導体を用いても良く、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ
素、酸化錫、酸化タングステン、酸化タンタル、チタン酸バリウム、ジルコン酸バリウム
、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、ケイ酸ジ
ルコニウムのような酸化物、窒化ケイ素のような窒化物、硫化カドミウム、セレン化亜鉛
、及び硫化亜鉛等も用いることができる。
≪発光層≫
発光層１２０または発光層１４０の一方は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれ
る少なくとも一つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有する発光材料を有
する。また、他方は、緑色、黄緑色、黄色、黄橙色、橙色、または赤色の中から選ばれる
少なくとも一つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有する発光材料を有す
る。また、各発光層は、発光材料に加えて、ホスト材料を含んで構成される。ホスト材料
としては、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を有する構成が好まし
い。
また、発光層に用いる発光材料としては、一重項励起エネルギーを発光に変換できる機
能を有する発光材料、または三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する発光
材料を用いることができる。なお、上記発光材料としては、例えば以下が挙げられる。
一重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する発光材料としては、蛍光を発す
る物質（蛍光性化合物）が挙げられる。蛍光性化合物としては、特に限定はないが、アン
トラセン誘導体、テトラセン誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘
導体、ペリレン誘導体、スチルベン誘導体、アクリドン誘導体、クマリン誘導体、フェノ
キサジン誘導体、フェノチアジン誘導体などが好ましく、例えば以下の材料を用いること
ができる。
具体的には、５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２
，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル
－９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２
ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ
’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カ
ルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－
ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－
ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバ
ゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－
４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：Ｐ
ＣＢＡＰＡ）、４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－４’－（９
－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢ
Ａ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン（略称：ＴＢ
Ｐ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン
－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ
，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フ
ルオレン－９－イル）フェニル］－ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦ
ＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾフラン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル
ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾチ
オフェン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６
ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイル
ジ－４，１－フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジ
アミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェ
ニル－２－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡ
ＰＰＡ）、Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’
，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ
，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ
］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ
－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾー
ル－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル
）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ
）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、ク
マリン６、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、
ルブレン、５，１２－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イル）－６，１１－ジフェニル
テトラセン（略称：ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エ
テニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣ
Ｍ１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－
ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロ
パンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェ
ニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニ
ル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］
フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）、２－｛２－イソプロ
ピル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１
Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリ
デン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２－｛２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［
２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベ
ンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパ
ンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２－（２，６－ビス｛２－［４－（ジメチルアミノ
）フェニル］エテニル｝－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：Ｂ
ｉｓＤＣＭ）、２－｛２，６－ビス［２－（８－メトキシ－１，１，７，７－テトラメチ
ル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル
）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪ
ＴＭ）、５，１０，１５，２０－テトラフェニルビスベンゾ［５，６］インデノ［１，２
，３－ｃｄ：１’，２’，３’－ｌｍ］ペリレン、などが挙げられる。
また、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する発光材料（燐光性化合物
）としては、例えば、イリジウム系、ロジウム系、または白金系の有機金属錯体、あるい
は金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯
体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ－トリアゾール配位子、１Ｈ－ト
リアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン
配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体としては、ポルフィリ
ン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。
青色または緑色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス｛２－［５－（２
－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾ
ール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐ
ｔｚ－ｄｍｐ）３）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－ト
リアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［４－（３－
ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）３）、トリス［３－（５－ビフ
ェニル）－５－イソプロピル－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）のような４Ｈ－トリアゾール骨格を
有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５
－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍ
ｐｔｚ１－ｍｐ）３）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，
２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３）
のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ－トリス［１
－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェ
ニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属
イリジウム錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２
’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、
ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（
ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフ
ルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート
（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフ
ェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とす
る有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ－トリアゾール骨格を有
する有機金属イリジウム錯体は、信頼性及び発光効率に優れるため、特に好ましい。
また、緑色または黄色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス（４－メチ
ル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、
トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉ
ｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリ
ミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチ
ルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス
［４－（２－ノルボルニル）－６－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６
－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチ
ル－２－［６－（２，６－ジメチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－
κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、（
アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリ
ジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト
）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチル
アセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格
を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ
２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ
））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ
））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４－ジフェニル
－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２－［４’－（パーフルオロフェニル）フ
ェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト－Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ
））など有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナント
ロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土
類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体は、信頼性及び発光効率に際だって優れるため、特に好ましい。
また、黄色または赤色に発光ピークを有する物質としては、例えば、（ジイソブチリル
メタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６－ビス（３－メチル
フェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジ
ナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（
ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセト
ナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバ
ロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、（ア
セチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格
を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１－フェニルイソキノリナト
－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（
ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，
８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ
）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロ
パンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ
）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセト
ナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐ
ｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有
する有機金属イリジウム錯体は、信頼性及び発光効率に際だって優れるため、特に好まし
い。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得ら
れる。
発光層のホスト材料として用いることが可能な材料としては、特に限定はないが、例え
ば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４
－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１
０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビ
ス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ
）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス
［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビ
ス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）など
の金属錯体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，
３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチ
ルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７
）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）
－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベン
ゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）
、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９
－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ
－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなど
の芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体
、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香
族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎ
ｔｈ）、Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル
］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－
９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、
Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］
フェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、２ＰＣＡＰＡ、
６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジフェニルクリセン、ＤＢＣ１、９－［４－（１０－
フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、
３，６－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ
－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－
９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、７－［４－（
１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール
（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フ
ェニル］－ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－
フェニル－１０－｛４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４
’－イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフ
ェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン
（略称：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン
（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，９’－ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（
スチルベン－３，３’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（ス
チルベン－４，４’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５－ト
リ（１－ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）、５，１２－ジフェニルテトラセン、５
，１２－ビス（ビフェニル－２－イル）テトラセンなどを挙げることができる。これら及
び様々な物質の中から、上記発光材料のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャッ
プを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。また、発光材料が燐光を
発する物質である場合、ホスト材料としては、発光材料の三重項励起エネルギー（基底状
態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい物質を選択
すれば良い。
また、発光層のホスト材料として、複数の材料を用いる場合、励起錯体（エキサイプレ
ックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）を形成する２種類の化合物
を組み合わせて用いることが好ましい。この場合、様々なキャリア輸送性材料を適宜用い
ることができるが、効率よく励起錯体を形成するために、電子輸送性材料と、正孔輸送性
材料とを組み合わせることが特に好ましい。
なぜならば、電子輸送性材料と、正孔輸送性材料とを組み合わせて励起錯体を形成する
ホスト材料とする場合、電子輸送性材料及び正孔輸送性材料の混合比率を調節することで
、発光層における正孔と電子のキャリアバランスを最適化することが容易となる。発光層
における正孔と電子のキャリアバランスを最適化することにより、発光層中で電子と正孔
の再結合が起こる領域が偏ることを抑制できる。再結合が起こる領域の偏りを抑制するこ
とで、発光装置の信頼性を向上させることができる。
電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族及
び金属錯体などを用いることができる。具体的には、電子注入層または電子輸送層に用い
ることができる電子輸送性材料を用いることができる。中でも、ピリジン骨格、ジアジン
骨格、及びトリアジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に
、ジアジン（ピリミジン及びピラジン）骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物は
、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族（例えばカルバゾール誘導体及びイ
ンドール誘導体）又は芳香族アミンなどを好適に用いることができる。具体的には、正孔
注入層または正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。中
でも、芳香族アミン骨格を有する化合物及びカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性
が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。
なお、励起錯体を形成するホスト材料の組み合わせとしては、上述した化合物に限定さ
れることなく、キャリアを輸送でき、且つ励起錯体を形成できる組み合わせであり、当該
励起錯体の発光が、発光物質の吸収スペクトルにおける最も長波長側の吸収帯（発光物質
の一重項基底状態から一重項励起状態への遷移に相当する吸収）と重なっていればよく、
他の材料を用いても良い。
また、上記正孔輸送性材料と電子輸送性材料とが、効率よく励起錯体を形成するために
は、正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性材料のＨＯＭＯ準位より高く、正孔輸送
性材料のＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂ
ｉｔａｌ、最低空軌道ともいう）準位が電子輸送性材料のＬＵＭＯ準位より高いことが好
ましい。具体的には、正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位と電子輸送性材料のＨＯＭＯ準位と
のエネルギー差は、好ましくは０．０５ｅＶ以上であり、より好ましくは０．１ｅＶ以上
であり、さらに好ましくは０．２ｅＶ以上である。また、正孔輸送性材料のＬＵＭＯ準位
と電子輸送性材料のＬＵＭＯ準位とのエネルギー差は、好ましくは０．０５ｅＶ以上であ
り、より好ましくは０．１ｅＶ以上であり、さらに好ましくは０．２ｅＶ以上である。
また、発光層の発光材料またはホスト材料として、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌ
ｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）体
を用いても良い。熱活性化遅延蛍光体は、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネル
ギー準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起状態から一重項励起状態へエネ
ルギーを変換する機能を有する材料である。熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件と
しては、Ｓ１準位とＴ１準位とのエネルギー差が、好ましくは０ｅＶより大きく０．３ｅ
Ｖ以下、より好ましくは０ｅＶより大きく０．２ｅＶ以下、さらに好ましくは０ｅＶより
大きく０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。
熱活性化遅延蛍光体としては、一種類の材料から構成されていても良く、複数の材料か
ら構成されていても良い。例えば、熱活性化遅延蛍光体が、一種類の材料から構成される
場合、以下の材料を用いることができる。
まずフラーレン及びその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙
げられる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ
）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有
ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィ
リン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化ス
ズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ
２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯
体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化ス
ズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔ
ｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げ
られる。
また、一種の材料から構成される熱活性化遅延蛍光体としては、例えば２－（ビフェニ
ル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－
１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、２－｛４－［３－（
Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェ
ニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２
－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１
，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０
－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－ト
リアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－
１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，
９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－
ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アント
ラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不
足型複素芳香環を有する複素環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子
過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性
が高く、好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結
合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプ
ター性が共に強く、一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位の差が小さく
なるため、特に好ましい。
また、熱活性化遅延蛍光体をホスト材料として用いる場合、励起錯体を形成する２種類
の材料を組み合わせて用いることが好ましい。この場合、上記に示した励起錯体を形成す
る組み合わせである電子輸送性材料と、正孔輸送性材料とを用いることが特に好ましい。
また、発光層１２０及び発光層１４０の一方または双方において、ホスト材料および発
光材料以外の材料を有していても良い。
なお、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び電
荷発生層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、ノズ
ルプリント法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した、発光層
、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層には、上述した材料の他、量子
ドットなどの無機化合物または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）
を用いてもよい。
発光材料としては量子ドットも用いることができる。量子ドットは、数ｎｍサイズの半導
体ナノ結晶であり、１×１０３個から１×１０６個程度の原子から構成されている。量子
ドットはサイズに依存してエネルギーシフトするため、同じ物質から構成される量子ドッ
トであっても、サイズによって発光波長が異なり、用いる量子ドットのサイズを変更する
ことによって容易に発光波長を調整することができる。
また、量子ドットは、発光スペクトルのピーク幅が狭いため、色純度のよい発光を得るこ
とができる。さらに、量子ドットの理論的な内部量子効率はほぼ１００％であると言われ
ており、蛍光発光を呈する有機化合物の２５％を大きく上回り、りん光発光を呈する有機
化合物と同等となっている。このことから、量子ドットを発光材料として用いることによ
って発光効率の高い発光素子を得ることができる。その上、無機化合物である量子ドット
はその本質的な安定性にも優れているため、寿命の観点からも好ましい発光素子を得るこ
とができる。
量子ドットを構成する材料としては、周期表第１４族元素、周期表第１５族元素、周期
表第１６族元素、複数の周期表第１４族元素からなる化合物、第４族から第１４族に属す
る元素と第１６族元素との化合物、第２族元素と第１６族元素との化合物、第１３族元素
と第１５族元素との化合物、第１３族元素と第１７族元素との化合物、第１４族元素と第
１５族元素との化合物、第１１族元素と第１７族元素との化合物、酸化鉄類、酸化チタン
類、カルコゲナイドスピネル類、各種半導体クラスターなどを挙げることができる。
具体的には、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、テルル化
カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（
ＺｎＳ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）
、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ
）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）
、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、アンチモン化ガリウ
ム（ＧａＳｂ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アン
チモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、セレン化鉛（ＩＩ）（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（Ｉ
Ｉ）（ＰｂＴｅ）、硫化鉛（ＩＩ）（ＰｂＳ）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、
テルル化インジウム（Ｉｎ２Ｔｅ３）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、セレン化ガリウ
ム（Ｇａ２Ｓｅ３）、硫化砒素（ＩＩＩ）（Ａｓ２Ｓ３）、セレン化砒素（ＩＩＩ）（Ａ
ｓ２Ｓｅ３）、テルル化砒素（ＩＩＩ）（Ａｓ２Ｔｅ３）、硫化アンチモン（ＩＩＩ）（
Ｓｂ２Ｓ３）、セレン化アンチモン（ＩＩＩ）（Ｓｂ２Ｓｅ３）、テルル化アンチモン（
ＩＩＩ）（Ｓｂ２Ｔｅ３）、硫化ビスマス（ＩＩＩ）（Ｂｉ２Ｓ３）、セレン化ビスマス
（ＩＩＩ）（Ｂｉ２Ｓｅ３）、テルル化ビスマス（ＩＩＩ）（Ｂｉ２Ｔｅ３）、ケイ素（
Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）、
テルル（Ｔｅ）、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、リン（Ｐ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化
ホウ素（ＢＰ）、砒化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、硫化アルミニウ
ム（Ａｌ２Ｓ３）、硫化バリウム（ＢａＳ）、セレン化バリウム（ＢａＳｅ）、テルル化
バリウム（ＢａＴｅ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）、セレン化カルシウム（ＣａＳｅ）、
テルル化カルシウム（ＣａＴｅ）、硫化ベリリウム（ＢｅＳ）、セレン化ベリリウム（Ｂ
ｅＳｅ）、テルル化ベリリウム（ＢｅＴｅ）、硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、セレン化マ
グネシウム（ＭｇＳｅ）、硫化ゲルマニウム（ＧｅＳ）、セレン化ゲルマニウム（ＧｅＳ
ｅ）、テルル化ゲルマニウム（ＧｅＴｅ）、硫化錫（ＩＶ）（ＳｎＳ２）、硫化錫（ＩＩ
）（ＳｎＳ）、セレン化錫（ＩＩ）（ＳｎＳｅ）、テルル化錫（ＩＩ）（ＳｎＴｅ）、酸
化鉛（ＩＩ）（ＰｂＯ）、フッ化銅（Ｉ）（ＣｕＦ）、塩化銅（Ｉ）（ＣｕＣｌ）、臭化
銅（Ｉ）（ＣｕＢｒ）、ヨウ化銅（Ｉ）（ＣｕＩ）、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）、セレン
化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｓｅ）、酸化ニッケル（ＩＩ）（ＮｉＯ）、酸化コバルト（ＩＩ）（
ＣｏＯ）、硫化コバルト（ＩＩ）（ＣｏＳ）、四酸化三鉄（Ｆｅ３Ｏ４）、硫化鉄（ＩＩ
）（ＦｅＳ）、酸化マンガン（ＩＩ）（ＭｎＯ）、硫化モリブデン（ＩＶ）（ＭｏＳ２）
、酸化バナジウム（ＩＩ）（ＶＯ）、酸化バナジウム（ＩＶ）（ＶＯ２）、酸化タングス
テン（ＩＶ）（ＷＯ２）、酸化タンタル（Ｖ）（Ｔａ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２、
Ｔｉ２Ｏ５、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ５Ｏ９など）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化ケイ
素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化ゲルマニウム（Ｇｅ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）
、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、セレンと亜鉛とカドミウムの化合物（ＣｄＺｎＳ
ｅ）、インジウムと砒素とリンの化合物（ＩｎＡｓＰ）、カドミウムとセレンと硫黄の化
合物（ＣｄＳｅＳ）、カドミウムとセレンとテルルの化合物（ＣｄＳｅＴｅ）、亜鉛とカ
ドミウムとセレンの化合物（ＺｎＣｄＳｅ）、インジウムとガリウムと砒素の化合物（Ｉ
ｎＧａＡｓ）、インジウムとガリウムとセレンの化合物（ＩｎＧａＳｅ）、インジウムと
セレンと硫黄の化合物（ＩｎＳｅＳ）、銅とインジウムと硫黄の化合物（例えばＣｕＩｎ
Ｓ２）およびこれらの組合せなどを挙げることができるが、これらに限定されない。また
、組成が任意の比率で表される、いわゆる合金型量子ドットを用いても良い。例えば、Ｃ
ｄＳｘＳｅ１－ｘ（ｘは０から１の任意の数）で表される合金型量子ドットは、ｘの比率
を変化させることで発光波長を変えることができるため、青色発光を得るには有効な手段
の一つである。
量子ドットの構造としては、コア型、コア－シェル型、コア－マルチシェル型などがあ
り、そのいずれを用いても良いが、コアを覆ってより広いバンドギャップを持つ別の無機
材料でシェルを形成することによって、ナノ結晶表面に存在する欠陥やダングリングボン
ドの影響を低減することができる。これにより、発光の量子効率が大きく改善するためコ
ア－シェル型やコア－マルチシェル型の量子ドットを用いることが好ましい。シェルの材
料の例としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）が挙げられる。
また、量子ドットは、表面原子の割合が高いことから、反応性が高く、凝集が起こりや
すい。そのため、量子ドットの表面には保護剤が付着している又は保護基が設けられてい
ることが好ましい。当該保護剤が付着している又は保護基が設けられていることによって
、凝集を防ぎ、溶媒への溶解性を高めることができる。また、反応性を低減させ、電気的
安定性を向上させることも可能である。保護剤（又は保護基）としては、例えば、ポリオ
キシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、トリプロピルホス
フィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン等の
トリアルキルホスフィン類、ポリオキシエチレンｎ－オクチルフェニルエーテル、ポリオ
キシエチレンｎ－ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエー
テル類、トリ（ｎ－ヘキシル）アミン、トリ（ｎ－オクチル）アミン、トリ（ｎ－デシル
）アミン等の第３級アミン類、トリプロピルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィン
オキシド、トリヘキシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド、トリデ
シルホスフィンオキシド等の有機リン化合物、ポリエチレングリコールジラウレート、ポ
リエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジエステル類、またピ
リジン、ルチジン、コリジン、キノリン類等の含窒素芳香族化合物等の有機窒素化合物、
ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン
、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等のアミノアルカン類、ジブチルスルフィド
等のジアルキルスルフィド類、ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキシド等のジアル
キルスルホキシド類、チオフェン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化合物、パルミチ
ン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸、アルコール類、ソルビタン脂肪酸エス
テル類、脂肪酸変性ポリエステル類、３級アミン変性ポリウレタン類、ポリエチレンイミ
ン類等が挙げられる。
なお、量子ドットは、棒状の量子ロッドであっても良い。量子ロッドはｃ軸方向に偏光
した指向性を有する光を呈するため、量子ロッドを発光材料として用いることにより、よ
り外部量子効率が良好な発光素子を得ることができる。
発光層の発光材料に量子ドットを用いる場合、当該発光層の膜厚は３ｎｍ乃至１００ｎ
ｍ、好ましくは１０ｎｍ乃至１００ｎｍとし、発光層中の量子ドットの含有率は１乃至１
００体積％とする。ただし、量子ドットのみで発光層を形成することが好ましい。なお、
当該量子ドットを発光材料としてホストに分散した発光層を形成する場合は、ホスト材料
に量子ドットを分散させる、またはホスト材料と量子ドットとを適当な液媒体に溶解また
は分散させてウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレード
コート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコ
ート法、ラングミュア・ブロジェット法など）により形成すればよい。
ウェットプロセスに用いる液媒体としては、たとえば、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲ
ン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族
炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒を用いることがで
きる。
発光層に用いることができる高分子化合物としては、例えば、ポリ［２－メトキシ－５
－（２－エチルヘキシルオキシ）－１，４－フェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ－ＰＰ
Ｖ）、ポリ（２，５－ジオクチル－１，４－フェニレンビニレン）等のポリフェニレンビ
ニレン（ＰＰＶ）誘導体、ポリ（９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレニル－２，７－ジイ
ル）（略称：ＰＦ８）、ポリ［（９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレニル－２，７－ジイ
ル）－ａｌｔ－（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール－４，８－ジイル）］（略称：Ｆ
８ＢＴ）、ポリ［（９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ａｌｔ
－（２，２’－ビチオフェン－５，５’－ジイル）］（略称Ｆ８Ｔ２）、ポリ［（９，９
－ジオクチル－２，７－ジビニレンフルオレニレン）－ａｌｔ－（９，１０－アントラセ
ン）］、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ａｌｔ－（２，５
－ジメチル－１，４－フェニレン）］等のポリフルオレン誘導体、ポリ（３－ヘキシルチ
オフェン－２，５－ジイル）（略称：Ｐ３ＨＴ）等のポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）
誘導体、ポリフェニレン誘導体等が挙げられる。また、これらの高分子化合物や、ポリ（
９－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（２－ビニルナフタレン）、ポリ［ビ
ス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］（略称：ＰＴＡＡ）等
の高分子化合物に、発光性の低分子化合物をドープして発光層に用いてもよい。発光性の
低分子化合物としては、先に挙げた発光材料を用いることができる。
≪電荷発生層≫
電荷発生層１１５は、正孔輸送性材料に電子受容体であるアクセプター性物質が添加さ
れた構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体であるドナー性物質が添加された構成
であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
電荷発生層１１５に、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料が含まれる場合、該
複合材料には先の正孔注入層に用いることができる複合材料を用いればよい。有機化合物
としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物（
オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。な
お、有機化合物としては、正孔移動度が１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上である有機化合物
を適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これ
ら以外の物質を用いてもよい。有機化合物とアクセプター性物質の複合材料は、キャリア
注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することがで
きる。
なお、電荷発生層１１５は、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と他
の材料により構成される層を組み合わせた積層構造として形成してもよい。例えば、有機
化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、ドナー性物質の中から選ばれた一の
化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有
機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、透明導電膜を含む層とを組み合わ
せて形成してもよい。
なお、電荷発生層１１５は、光取出し効率の点から、可視光に対して透光性（具体的に
は、電荷発生層１１５に対する可視光の透過率が４０％以上）を有することが好ましい。
また、電荷発生層１１５は、一対の電極よりも低い導電率であっても機能する。
上述した材料を用いて電荷発生層１１５を形成することにより、発光層が積層された場
合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
≪一対の電極≫
電極１０１、電極１０２、及び電極１０３（電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１
０３Ｂ）は、発光層へ正孔と電子を注入する機能を有する。電極１０１、電極１０２、及
び電極１０３（電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０３Ｂ）は、金属、合金、導電
性化合物、およびこれらの混合物または積層体などを用いて形成することができる。金属
としてはアルミニウム（Ａｌ）が典型例であり、その他、銀（Ａｇ）、タングステン、ク
ロム、モリブデン、銅、チタンなどの遷移金属、リチウム（Ｌｉ）及びセシウムなどのア
ルカリ金属、カルシウム、及びマグネシウム（Ｍｇ）などの第２族金属を用いることがで
きる。遷移金属としてイッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属を用いても良い。合金と
しては、上記金属を含む合金を使用することができ、例えばＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどが挙
げられる。導電性化合物としては、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯ）、珪素または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：Ｉ
ＴＳＯ）、酸化インジウム－酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タ
ングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどの金属酸化物が挙げられる。導電
性化合物としてグラフェンなどの無機炭素系材料を用いても良い。上述したように、これ
らの材料の複数を積層することによって電極を形成しても良い。
また、発光層から得られる発光は、一対の電極の一方または双方を通して取り出される
。したがって、少なくとも電極１０２及び電極１０３（電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及
び電極１０３Ｂ）は可視光を透過する機能を有する。光を透過する機能を有する導電性材
料としては、可視光の透過率が４０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％
以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。ま
た、電極１０３（電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０３Ｂ）が有する導電膜１０
４は、光を透過する機能と、光を反射する機能と、を有する導電性材料により形成される
と好ましい。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましく
は４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材
料が挙げられる。導電膜１０４に金属及び合金などの光透過性の低い材料を用いる場合に
は、可視光を透過できる程度の厚さ（例えば、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さ）で形成す
ればよい。
なお、本明細書等において、光を透過する機能を有する電極１０３、及び導電膜１０６
（導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂ）には、可視光を透過する機能
を有し、且つ導電性を有する材料を用いればよく、例えば上記のようなＩＴＯに代表され
る酸化物導電体層に加えて、酸化物半導体層、または有機物を含む有機導電体層を含む。
有機物を含む有機導電体層としては、例えば、有機材料（アクセプター材料）と電子供与
体（ドナー材料）とを混合してなる複合材料を含む層、有機材料（ドナー材料）と電子受
容体（アクセプター材料）とを混合してなる複合材料を含む層等が挙げられる。また、透
明導電膜の抵抗率としては、好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×
１０４Ω・ｃｍ以下である。
また、電極１０１、電極１０２、及び電極１０３（電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び
電極１０３Ｂ）の成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、塗布法、ＭＢＥ（Ｍ
ｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、Ａ
ＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができ
る。
≪基板≫
また、本発明の一態様に係る発光装置は、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に
作製すればよい。基板上に作製する順番としては、電極１０１側から順に積層しても、電
極１０２側から順に積層しても良い。
なお、本発明の一態様に係る発光装置を形成できる基板としては、例えばガラス、石英
、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性
基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボ
ネート、ポリアリレートからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無
機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光装置、及び光学素子の作製工程に
おいて支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。または、発光装
置、及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
例えば、本発明等においては、様々な基板を用いて発光装置を形成することが出来る。
基板の種類は、特に限定されない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶
基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属
基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステ
ン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状
の材料を含むセルロースナノファイバー（ＣＮＦ）や紙、又は基材フィルムなどがある。
ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又
はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなど
の一例としては、以下が挙げられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、
アクリル等の樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、
ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド
、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特に、半
導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを製造することによっ
て、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さい
トランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構成する
と、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光装置を形成してもよ
い。または、基板と発光装置との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光装
置を一部または全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いるこ
とができる。その際、耐熱性の劣る基板または可撓性の基板にも発光装置を転載できる。
なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構
造の構成、または基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を用いることができ
る。
つまり、ある基板を用いて発光装置を形成し、その後、別の基板に発光装置を転置し、
別の基板上に発光装置を配置してもよい。発光装置が転置される基板の一例としては、上
述した基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、
麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテー
ト、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板な
どがある。これらの基板を用いることにより、壊れにくい発光装置、耐熱性の高い発光装
置、軽量化された発光装置、または薄型化された発光装置とすることができる。
また、上述した基板上に、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、ＦＥＴと
電気的に接続された電極上に発光装置を作製してもよい。これにより、ＦＥＴによって発
光装置の駆動を制御するアクティブマトリクス型の表示装置を作製できる。
＜発光装置の作製方法＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図１２及び図１３を用いて以下
説明を行う。なお、ここでは、図８に示す発光装置２５０の作製方法について説明する。
図１２及び図１３は、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するための断面図で
ある。
以下で説明する発光装置２５０の作製方法は、第１乃至第７の７つのステップを有する
。
≪第１のステップ≫
第１のステップは、発光装置の電極の一部（具体的には、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ
、及び電極１０３Ｂを構成する導電膜１０８及び導電膜１０４）を、基板２００上に形成
する工程である（図１２（Ａ）参照）。
本実施の形態においては、基板２００上に、透過性の導電膜と反射性の導電膜とを順次
形成し、これら導電膜を所望の形状に加工することで、導電膜１０８及び導電膜１０４を
形成する。上記透過性の導電膜としては例えばＩＴＳＯを用い、上記反射性の導電膜とし
ては例えば銀とパラジウムと銅の合金膜（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ膜、ＡＰＣ膜ともいう）を用
いる。このように、導電膜１０８及び導電膜１０４を、同一の工程によって加工し形成す
ることで、製造コストを安くすることができるため好適である。
なお、第１のステップの前に、基板２００上にトランジスタを形成してもよい。また、
該トランジスタと、導電膜１０８とを、電気的に接続させてもよい。
≪第２のステップ≫
第２のステップは、基板２００上に電極１０２を構成する導電膜と、電極１０３Ｒを構
成する導電膜１０４上の導電膜１０６Ｒと、電極１０３Ｇを構成する導電膜１０４上の導
電膜１０６Ｇと、電極１０３Ｂを構成する導電膜１０４上の導電膜１０６Ｂと、をそれぞ
れ形成する工程である。導電膜１０６Ｒ、１０６Ｇ、及び１０６Ｂを、第１のステップで
形成した導電膜１０４上に形成することで、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０
３Ｂを形成する。本実施の形態においては、電極１０２を構成する導電膜、導電膜１０６
Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂとして、ＩＴＳＯ膜を用いる（図１２（Ｂ）参
照）。
なお、電極１０２を構成する導電膜、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１
０６Ｂの形成方法としては、複数回に分けて形成してもよい。複数回に分けて形成するこ
とで、電極１０２、各発光素子で適したマイクロキャビティ構造となる膜厚で導電膜１０
６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１０６Ｂを形成することができる。
また、電極１０２は、導電膜１０８、導電膜１０６Ｒ、導電膜１０６Ｇ、及び導電膜１
０６Ｂのいずれか一つまたは複数の形成工程と同時に形成してもよい。
≪第３のステップ≫
第３のステップは、発光装置の各電極の端部を覆う隔壁１４５を形成する工程である（
図１２（Ｃ）参照）。
隔壁１４５は、電極と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出する導電膜
が発光装置の陽極として機能する。本実施の形態では、隔壁１４５として、ポリイミド樹
脂を用いる。
なお、第１乃至第３のステップにおいては、ＥＬ層（有機化合物を含む層）を損傷する
おそれがないため、さまざまな成膜方法及び微細加工技術を適用できる。本実施の形態で
は、スパッタリング法を用いて透光性の導電膜及び反射性の導電膜を成膜した後、リソグ
ラフィ法を用いて、該導電膜のパターンを形成し、その後ウエットエッチング法を用いて
、該導電膜を島状に加工して、電極１０２、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０
３Ｂを形成する。
≪第４のステップ≫
第４のステップは、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１２０、電子輸送層
１１３、電子注入層１１４、及び電荷発生層１１５を形成する工程である（図１３（Ａ）
参照）。
正孔注入層１１１としては、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む材料とを共蒸
着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異
なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。
なお、正孔注入層１１１の形成方法としては、複数回に分けて形成してもよい。複数回
に分けて形成することで、各発光素子で適したマイクロキャビティ構造となる膜厚で、正
孔注入層１１１を形成することができる。
正孔輸送層１１２としては、正孔輸送性材料を蒸着することで形成することができる。
発光層１２０としては、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくとも一つの
波長領域に発光を呈する第１の発光材料を蒸着することで形成することができる。第１の
発光材料としては、蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化
合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性
の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該
ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
電子輸送層１１３としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することがで
きる。また、電子注入層１１４としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成す
ることができる。
電荷発生層１１５としては、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加され
た材料、または電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された材料を蒸着すること
で形成することができる。
≪第５のステップ≫
第５のステップは、正孔注入層１１６、正孔輸送層１１７、発光層１４０、電子輸送層
１１８、電子注入層１１９、及び電極１０１を形成する工程である（図１３（Ｂ）参照）
。
正孔注入層１１６としては、先に示す正孔注入層１１１と同様の材料及び同様の方法に
より形成することができる。また、正孔輸送層１１７としては、先に示す正孔輸送層１１
２と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。
発光層１４０としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少な
くとも一つの波長領域に発光を呈する第２の発光材料を蒸着することで形成することがで
きる。第２の発光材料としては、燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐
光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例
えば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホ
スト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。また、発光層１４０として、２層の
構成としてもよい。その場合、２層の発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を呈する発
光材料を有することが好ましい。
電子輸送層１１８としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することがで
きる。また、電子注入層１１９としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成す
ることができる。
電極１０１としては、反射性を有する導電膜により形成することができる。また、電極
１０１としては、単層構造、または積層構造としてもよい。
上記工程を経て、電極１０２、電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０３Ｂ上に、
それぞれ発光素子２２２Ｗ、発光素子２２２Ｒ、発光素子２２２Ｇ、及び発光素子２２２
Ｂを有する発光装置が基板２００上に形成される。
≪第６のステップ≫
第６のステップは、基板２２０上に遮光層２２３、光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４
Ｇ、及び光学素子２２４Ｂを形成する工程である（図１３（Ｃ）参照）。
遮光層２２３としては、黒色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成する。その後、基
板２２０及び遮光層２２３上に、光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２
２４Ｂを形成する。光学素子２２４Ｒとしては、赤色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に
形成する。また、光学素子２２４Ｇとしては、緑色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形
成する。また、光学素子２２４Ｂとしては、青色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成
する。
≪第７のステップ≫
第７のステップは、基板２００上に形成された発光装置と、基板２２０上に形成された
遮光層２２３、光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｂと、を貼り
合わせ、シール材を用いて封止する工程である（図示しない）。
以上の工程により、図８に示す発光装置２５０を形成することができる。
なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。または、他の実施の形
態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定
されない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載さ
れているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様
として、発光装置に適用した場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されな
い。例えば、場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様は、発光装置に適
用しなくてもよい。または、例えば、本発明の一態様では、第１の発光素子が、発光層と
第１の電極と第２の電極とを有し、第２の発光素子が、発光層と第１の電極と第３の電極
とを有し、第２の電極は、第１の導電膜のみからなり、第３の電極は、第２の導電膜と第
３の導電膜とを有し、第１の電極が光を反射する機能を有し、第１の導電膜及び第３の導
電膜が光を透過する機能を有し、第２の導電膜が光を反射する機能と光を透過する機能と
を有する場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては
、または、状況に応じて、本発明の一態様では、例えば、第２の発光素子が第２の導電膜
または第３の導電膜を有さなくても良い。あるいは、第１の発光素子が第２の導電膜また
は第３の導電膜を有しても良い。または、発光層を塗り分け方式で形成してもよい。
以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることがで
きる。
（実施の形態２）
本実施の形態においては、実施の形態１に示す発光装置に用いることができる発光素子
、及び当該発光素子の発光機構について、図１４乃至図１６を用いて、以下説明を行う。
なお、図１４乃至図１６において、図１乃至図１３に示す符号と同様の機能を有する箇所
には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有す
る箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
＜発光素子の構成例１＞
図１４（Ａ）は、発光素子２６０の断面模式図である。
図１４（Ａ）に示す発光素子２６０は、一対の電極（電極２０１及び電極２０２）の間
に、複数の発光ユニット（図１４（Ａ）においては、発光ユニット２０８及び発光ユニッ
ト２１０）を有する。複数の発光ユニットのうちいずれか一つの発光ユニットは、ＥＬ層
１００と同様な構成を有すると好ましい。なお、発光素子２６０において、電極２０２が
陽極として機能し、電極２０１が陰極として機能するとして、以下説明するが、発光素子
２６０の構成としては、逆であっても構わない。また、電極２０２の構成としては、実施
の形態１で示した電極１０２または電極１０３（電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極
１０３Ｂ）の構成を用いればよい。また、電極２０１の構成としては、実施の形態１で示
した電極１０１の構成を用いればよい。
また、図１４（Ａ）に示す発光素子２６０において、発光ユニット２０８と発光ユニッ
ト２１０とが積層されており、発光ユニット２０８と発光ユニット２１０との間には電荷
発生層１１５が設けられる。なお、発光ユニット２０８と発光ユニット２１０は、同じ構
成でも異なる構成でもよい。
また、発光素子２６０は、発光層１２０と、発光層１４０と、を有する。また、発光ユ
ニット２０８は、発光層１２０の他に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送
層１１３、及び電子注入層１１４を有する。また、発光ユニット２１０は、発光層１４０
の他に、正孔注入層１１６、正孔輸送層１１７、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１
９を有する。
なお、発光ユニットの陽極側の面が電荷発生層１１５に接している場合は、電荷発生層
１１５が該発光ユニットの正孔注入層または正孔輸送層の役割も担うことができるため、
該発光ユニットには正孔注入層または正孔輸送層を設けない構成であっても良い。あるい
は、発光ユニットの陰極側の面が電荷発生層１１５に接している場合は、電荷発生層１１
５が該発光ユニットの電子注入層または電子輸送層の役割も担うことができるため、該発
光ユニットには電子注入層または電子輸送層を設けない構成であっても良い。
なお、発光ユニット２０８と発光ユニット２１０とに挟まれる電荷発生層１１５は、電
極２０１と電極２０２とに電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、
他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図１４（Ａ）において
、電極２０２の電位の方が電極２０１の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、
電荷発生層１１５は、発光ユニット２０８に電子を注入し、発光ユニット２１０に正孔を
注入する。
また、図１４（Ａ）においては、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明し
たが、３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可
能である。発光素子２６０に示すように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生
層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さら
に長寿命な発光素子を実現できる。また、消費電力が低い発光素子を実現することができ
る。
また、発光ユニット２０８が有する発光層１２０は、図１４（Ｂ）に示すように、ホス
ト材料１２１と、ゲスト材料１２２とを有する。なお、ゲスト材料１２２は蛍光性化合物
として、以下説明する。また、発光ユニット２１０が有する発光層１４０は、図１５（Ａ
）に示すように、ホスト材料１４１と、ゲスト材料１４２とを有する。また、ホスト材料
１４１は、有機化合物１４１＿１と、有機化合物１４１＿２と、を有する。なお、発光層
１４０が有するゲスト材料１４２は燐光性化合物として、以下説明する。
≪発光層１２０の発光機構≫
発光層１２０の発光機構について、以下説明を行う。
一対の電極（電極２０１及び電極２０２）あるいは電荷発生層１１５から注入された電
子および正孔が発光層１２０において再結合することにより、励起子が生成する。ゲスト
材料１２２と比較してホスト材料１２１は大量に存在するので、励起子の生成により、ほ
ぼホスト材料１２１の励起状態が形成される。
なお、励起子はキャリア（電子および正孔）対のことである。励起子はエネルギーを有
するため、励起子が生成した材料は励起状態となる。
形成されたホスト材料１２１の励起状態が一重項励起状態である場合、ホスト材料１２
１のＳ１準位からゲスト材料１２２のＳ１準位へ一重項励起エネルギーがエネルギー移動
し、ゲスト材料１２２の一重項励起状態が形成される。
ゲスト材料１２２は蛍光性化合物であるため、ゲスト材料１２２において一重項励起状
態が形成されると、ゲスト材料１２２は速やかに発光する。このとき、高い発光効率を得
るためには、ゲスト材料１２２の蛍光量子収率は高いことが好ましい。なお、ゲスト材料
１２２において、キャリアが再結合し、生成した励起状態が一重項励起状態である場合も
同様である。
次に、キャリアの再結合によってホスト材料１２１の三重項励起状態が形成される場合
について説明する。この場合のホスト材料１２１およびゲスト材料１２２のエネルギー準
位の相関を図１４（Ｃ）に示す。また、図１４（Ｃ）における表記および符号は、以下の
通りである。なお、ホスト材料１２１のＴ１準位がゲスト材料１２２のＴ１準位より低い
ことが好ましいため、図１４（Ｃ）では、この場合を図示するが、ホスト材料１２１のＴ
１準位がゲスト材料１２２のＴ１準位よりも高くてもよい。
発光層１２０におけるホスト材料１２１と、ゲスト材料１２２とのエネルギー準位の相関
を図１４（Ｃ）に示す。なお、図１４（Ｃ）における表記及び符号は、以下の通りである
。
・Ｈｏｓｔ（１２１）：ホスト材料１２１
・Ｇｕｅｓｔ（１２２）：ゲスト材料１２２（蛍光性化合物）
・ＳＦＨ：ホスト材料１２１のＳ１準位
・ＴＦＨ：ホスト材料１２１のＴ１準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料１２２（蛍光性化合物）のＳ１準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料１２２（蛍光性化合物）のＴ１準位
図１４（Ｃ）に示すように、三重項－三重項消滅（ＴＴＡ：Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐ
ｌｅｔ Ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）によって、キャリアの再結合によって生成した三重
項励起子同士が相互作用し、互いに励起エネルギーの受け渡し、及びスピン角運動量の交
換を行うことで、結果としてホスト材料１２１のＳ１準位（ＳＦＨ）のエネルギーを有す
る一重項励起子に変換される反応が生じる（図１４（Ｃ） ＴＴＡ参照）。ホスト材料１
２１の一重項励起エネルギーは、ＳＦＨから、それよりもエネルギーの低いゲスト材料１
２２のＳ１準位（ＳＦＧ）へエネルギー移動が生じ（図１４（Ｃ） ルートＥ５参照）、
ゲスト材料１２２の一重項励起状態が形成され、ゲスト材料１２２が発光する。
なお、発光層１２０における三重項励起子の密度が十分に高い場合（例えば、１×１０
１２ｃｍ－３以上）では、三重項励起子単体の失活を無視し、２つの近接した三重項励起
子による反応のみを考えることができる。
また、ゲスト材料１２２においてキャリアが再結合し三重項励起状態が形成されるとき
、ゲスト材料１２２の三重項励起状態は熱失活するため、発光に利用することが困難とな
る。しかしながら、ホスト材料１２１のＴ１準位（ＴＦＨ）がゲスト材料１２２のＴ１準
位（ＴＦＧ）より低い場合、ゲスト材料１２２の三重項励起エネルギーは、ゲスト材料１
２２のＴ１準位（ＴＦＧ）からホスト材料１２１のＴ１準位（ＴＦＨ）へエネルギー移動
する（図１４（Ｃ） ルートＥ６参照）ことが可能であり、その後ＴＴＡに利用される。
すなわち、ホスト材料１２１は、ＴＴＡによって三重項励起エネルギーを一重項励起エ
ネルギーに変換する機能を有すると好ましい。そうすることで、発光層１２０で生成した
三重項励起エネルギーの一部を、ホスト材料１２１におけるＴＴＡによって一重項励起エ
ネルギーに変換し、該一重項励起エネルギーをゲスト材料１２２に移動することで、蛍光
発光として取り出すことが可能となる。そのためには、ホスト材料１２１のＳ１準位（Ｓ
ＦＨ）は、ゲスト材料１２２のＳ１準位（ＳＦＧ）より高いことが好ましい。また、ホス
ト材料１２１のＴ１準位（ＴＦＨ）は、ゲスト材料１２２のＴ１準位（ＴＦＧ）より低い
ことが好ましい。
なお、特に、ゲスト材料１２２のＴ１準位（ＴＦＧ）がホスト材料１２１のＴ１準位（
ＴＦＨ）よりも低い場合においては、ホスト材料１２１とゲスト材料１２２との重量比は
、ゲスト材料１２２の重量比が低い方が好ましい。具体的には、ゲスト材料１２２の含有
量がホスト材料１２１に対する重量比で、０より大きく０．０５以下が好ましい。そうす
ることで、ゲスト材料１２２でキャリアが再結合する確率を低減させることができる。ま
た、ホスト材料１２１のＴ１準位（ＴＦＨ）からゲスト材料１２２のＴ１準位（ＴＦＧ）
へのエネルギー移動が生じる確率を低減させることができる。
なお、ホスト材料１２１は単一の化合物で構成されていても良く、複数の化合物から構
成されていても良い。
≪発光層１４０の発光機構≫
次に、発光層１４０の発光機構について、以下説明を行う。
発光層１４０が有する、有機化合物１４１＿１と、有機化合物１４１＿２とは励起錯体
を形成すると好ましい。
有機化合物１４１＿１と有機化合物１４１＿２との組み合わせは、互いに励起錯体を形
成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が正孔輸送性を有する化合物であり
、他方が電子輸送性を有する化合物であることが、より好ましい。
発光層１４０における有機化合物１４１＿１と、有機化合物１４１＿２と、ゲスト材料
１４２とのエネルギー準位の相関を図１５（Ｂ）に示す。なお、図１５（Ｂ）における表
記及び符号は、以下の通りである。
・Ｈｏｓｔ（１４１＿１）：有機化合物１４１＿１（ホスト材料）
・Ｈｏｓｔ（１４１＿２）：有機化合物１４１＿２（ホスト材料）
・Ｇｕｅｓｔ（１４２）：ゲスト材料１４２（燐光性化合物）
・ＳＰＨ１：有機化合物１４１＿１（ホスト材料）のＳ１準位
・ＴＰＨ１：有機化合物１４１＿１（ホスト材料）のＴ１準位
・ＳＰＨ２：有機化合物１４１＿２（ホスト材料）のＳ１準位
・ＴＰＨ２：有機化合物１４１＿２（ホスト材料）のＴ１準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料１４２（燐光性化合物）のＴ１準位
・ＳＰＥ：励起錯体のＳ１準位
・ＴＰＥ：励起錯体のＴ１準位
有機化合物１４１＿１と有機化合物１４１＿２とは励起錯体を形成し、該励起錯体のＳ
１準位（ＳＰＥ）とＴ１準位（ＴＰＥ）は互いに隣接するエネルギーとなる（図１５（Ｂ
） ルートＥ７参照）。
有機化合物１４１＿１及び有機化合物１４１＿２は、一方がホールを、他方が電子を受
け取ることで速やかに励起錯体を形成する。あるいは、一方が励起状態となると、速やか
に他方と相互作用することで励起錯体を形成する。したがって、発光層１４０における励
起子のほとんどが励起錯体として存在する。励起錯体の励起エネルギー準位（ＳＰＥまた
はＴＰＥ）は、励起錯体を形成するホスト材料（有機化合物１４１＿１及び有機化合物１
４１＿２）のＳ１準位（ＳＰＨ１及びＳＰＨ２）より低くなるため、より低い励起エネル
ギーでホスト材料１４１の励起状態を形成することが可能となる。これによって、発光素
子の駆動電圧を下げることができる。
そして、励起錯体の（ＳＰＥ）と（ＴＰＥ）の双方のエネルギーを、ゲスト材料１４２
（燐光性化合物）のＴ１準位へ移動させて発光が得られる（図１５（Ｂ） ルートＥ８、
Ｅ９参照）。
なお、励起錯体のＴ１準位（ＴＰＥ）は、ゲスト材料１４２のＴ１準位（ＴＰＧ）より
大きいことが好ましい。そうすることで、生成した励起錯体の一重項励起エネルギーおよ
び三重項励起エネルギーを、励起錯体のＳ１準位（ＳＰＥ）およびＴ１準位（ＴＰＥ）か
らゲスト材料１４２のＴ１準位（ＴＰＧ）へエネルギー移動することができる。
また、励起錯体からゲスト材料１４２へ効率よく励起エネルギーを移動させるためには
、励起錯体のＴ１準位（ＴＰＥ）が、励起錯体を形成する各有機化合物（有機化合物１４
１＿１および有機化合物１４１＿２）のＴ１準位（ＴＰＨ１およびＴＰＨ２）と同等か、
より小さいことが好ましい。これにより、各有機化合物（有機化合物１４１＿１及び有機
化合物１４１＿２）による励起錯体の三重項励起エネルギーのクエンチが生じにくくなり
、効率よく励起錯体からゲスト材料１４２へエネルギー移動が発生する。
また、有機化合物１４１＿１と有機化合物１４１＿２とが、効率よく励起錯体を形成す
るためには、有機化合物１４１＿１および有機化合物１４１＿２の一方のＨＯＭＯ準位が
他方のＨＯＭＯ準位より高く、一方のＬＵＭＯ準位が他方のＬＵＭＯ準位より高いことが
好ましい。例えば、有機化合物１４１＿１が正孔輸送性を有し、有機化合物１４１＿２が
電子輸送性を有する場合、有機化合物１４１＿１のＨＯＭＯ準位が有機化合物１４１＿２
のＨＯＭＯ準位より高いことが好ましく、有機化合物１４１＿１のＬＵＭＯ準位が有機化
合物１４１＿２のＬＵＭＯ準位より高いことが好ましい。あるいは、有機化合物１４１＿
２が正孔輸送性を有し、有機化合物１４１＿１が電子輸送性を有する場合、有機化合物１
４１＿２のＨＯＭＯ準位が有機化合物１４１＿１のＨＯＭＯ準位より高いことが好ましく
、有機化合物１４１＿２のＬＵＭＯ準位が有機化合物１４１＿１のＬＵＭＯ準位より高い
ことが好ましい。具体的には、有機化合物１４１＿１のＨＯＭＯ準位と有機化合物１４１
＿２のＨＯＭＯ準位とのエネルギー差は、好ましくは０．０５ｅＶ以上であり、より好ま
しくは０．１ｅＶ以上であり、さらに好ましくは０．２ｅＶ以上である。また、有機化合
物１４１＿１のＬＵＭＯ準位と有機化合物１４１＿２のＬＵＭＯ準位とのエネルギー差は
、好ましくは０．０５ｅＶ以上であり、より好ましくは０．１ｅＶ以上であり、さらに好
ましくは０．２ｅＶ以上である。
また、有機化合物１４１＿１と有機化合物１４１＿２との組み合わせが、正孔輸送性を
有する化合物と電子輸送性を有する化合物との組み合わせである場合、その混合比によっ
てキャリアバランスを容易に制御することが可能となる。具体的には、正孔輸送性を有す
る化合物：電子輸送性を有する化合物＝１：９から９：１（重量比）の範囲が好ましい。
また、該構成を有することで、容易にキャリアバランスを制御することができることから
、キャリア再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
＜エネルギー移動機構＞
次に、ホスト材料１４１と、ゲスト材料１４２との分子間のエネルギー移動過程の支配
因子について説明する。分子間のエネルギー移動の機構としては、フェルスター機構（双
極子－双極子相互作用）と、デクスター機構（電子交換相互作用）の２つの機構が提唱さ
れている。ここでは、ホスト材料１４１とゲスト材料１４２との分子間のエネルギー移動
過程について説明するが、ホスト材料１４１が励起錯体の場合も同様である。
≪フェルスター機構≫
フェルスター機構では、エネルギー移動に、分子間の直接的接触を必要とせず、ホスト
材料１４１及びゲスト材料１４２間の双極子振動の共鳴現象を通じてエネルギー移動が起
こる。双極子振動の共鳴現象によってホスト材料１４１がゲスト材料１４２にエネルギー
を受け渡し、励起状態のホスト材料１４１が基底状態になり、基底状態のゲスト材料１４
２が励起状態になる。なお、フェルスター機構の速度定数ｋｈ＊→ｇを数式（１）に示す
。
数式（１）において、νは、振動数を表し、ｆ’ｈ（ν）は、ホスト材料１４１の規格
化された発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペ
クトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）を表し、
εｇ（ν）は、ゲスト材料１４２のモル吸光係数を表し、Ｎは、アボガドロ数を表し、ｎ
は、媒体の屈折率を表し、Ｒは、ホスト材料１４１とゲスト材料１４２の分子間距離を表
し、τは、実測される励起状態の寿命（蛍光寿命や燐光寿命）を表し、ｃは、光速を表し
、φは、発光量子収率（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光量子収
率、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光量子収率）を表し、Ｋ２は
、ホスト材料１４１とゲスト材料１４２の遷移双極子モーメントの配向を表す係数（０か
ら４）である。なお、ランダム配向の場合はＫ２＝２／３である。
≪デクスター機構≫
デクスター機構では、ホスト材料１４１とゲスト材料１４２が軌道の重なりを生じる接
触有効距離に近づき、励起状態のホスト材料１４１の電子と、基底状態のゲスト材料１４
２との電子の交換を通じてエネルギー移動が起こる。なお、デクスター機構の速度定数ｋ
ｈ＊→ｇを数式（２）に示す。
数式（２）において、ｈは、プランク定数であり、Ｋは、エネルギーの次元を持つ定数
であり、νは、振動数を表し、ｆ’ｈ（ν）は、ホスト材料１４１の規格化された発光ス
ペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項
励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）を表し、ε’ｇ（ν）は
、ゲスト材料１４２の規格化された吸収スペクトルを表し、Ｌは、実効分子半径を表し、
Ｒは、ホスト材料１４１とゲスト材料１４２の分子間距離を表す。
ここで、ホスト材料１４１からゲスト材料１４２へのエネルギー移動効率φＥＴは、数
式（３）で表される。ｋｒは、ホスト材料１４１の発光過程（一重項励起状態からのエネ
ルギー移動を論じる場合は蛍光、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐
光）の速度定数を表し、ｋｎは、ホスト材料１４１の非発光過程（熱失活や項間交差）の
速度定数を表し、τは、実測されるホスト材料１４１の励起状態の寿命を表す。
数式（３）より、エネルギー移動効率φＥＴを高くするためには、エネルギー移動の速
度定数ｋｈ＊→ｇを大きくし、他の競合する速度定数ｋｒ＋ｋｎ（＝１／τ）が相対的に
小さくなれば良いことがわかる。
≪エネルギー移動を高めるための概念≫
フェルスター機構によるエネルギー移動においては、エネルギー移動効率φＥＴは、量
子収率φ（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じている場合は蛍光量子収率、三重
項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光量子収率）が高い方が良い。また、
ホスト材料１４１の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合
は蛍光スペクトル）とゲスト材料１４２の吸収スペクトル（一重項基底状態から三重項励
起状態への遷移に相当する吸収）との重なりが大きいことが好ましい。さらに、ゲスト材
料１４２のモル吸光係数も高い方が好ましい。このことは、ホスト材料１４１の発光スペ
クトルと、ゲスト材料１４２の最も長波長側に現れる吸収帯とが重なることを意味する。
また、デクスター機構によるエネルギー移動において、速度定数ｋｈ＊→ｇを大きくす
るにはホスト材料１４１の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じ
る場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペ
クトル）とゲスト材料１４２の吸収スペクトル（一重項基底状態から三重項励起状態への
遷移に相当する吸収）との重なりが大きい方が良い。したがって、エネルギー移動効率の
最適化は、ホスト材料１４１の発光スペクトルと、ゲスト材料１４２の最も長波長側に現
れる吸収帯とが重なることによって実現される。
なお、ホスト材料１４１からゲスト材料１４２へのエネルギー移動と同様に、励起錯体
からゲスト材料１４２へのエネルギー移動過程についても、フェルスター機構、及びデク
スター機構の双方の機構によるエネルギー移動が生じる。
すなわち、ホスト材料１４１は、ゲスト材料１４２に効率的にエネルギー移動が可能な
エネルギードナーとしての機能を有する励起錯体であり、該励起錯体を形成する組み合わ
せの有機化合物１４１＿１および有機化合物１４１＿２を有する。有機化合物１４１＿１
および有機化合物１４１＿２が形成する励起錯体は、有機化合物１４１＿１および有機化
合物１４１＿２単体の励起状態より低い励起エネルギーで形成が可能となる。したがって
、発光素子の駆動電圧を低減することができる。
さらに、励起錯体のＳ１準位からエネルギーアクセプターとなるゲスト材料１４２のＴ
１準位へのエネルギー移動が生じやすくするためには、励起錯体の発光スペクトルと、ゲ
スト材料１４２の最も長波長側（低エネルギー側）に現れる吸収帯と、が重なると好まし
い。そうすることで、ゲスト材料１４２の三重項励起状態の生成効率を高めることができ
る。
なお、発光層１４０において生成する励起錯体は、一重項励起エネルギー準位と三重項
励起エネルギー準位とが近接しているという特徴を有するため、励起錯体の発光スペクト
ルとゲスト材料１４２の最も長波長側（低エネルギー側）に現れる吸収帯を重ねることで
、励起錯体の三重項励起エネルギー準位からゲスト材料１４２の三重項励起エネルギー準
位へのエネルギー移動も生じやすくすることが可能となる。
発光層１４０を上述の構成とすることで、発光層１４０のゲスト材料１４２（燐光性化
合物）からの発光を、効率よく得ることが可能となる。
なお、上記に示すルートＥ７乃至Ｅ９の過程を、本明細書等においてＥｘＴＥＴ（Ｅｘ
ｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）と呼称する場合があ
る。別言すると、発光層１４０は、励起錯体からゲスト材料１４２への励起エネルギーの
供与がある。なお、この場合は必ずしもＴＰＥからＳＰＥへの逆項間交差効率が高い必要
はなく、ＳＰＥからの発光量子収率が高い必要もないため、材料を幅広く選択することが
可能となる。
なお、上記各構成において、発光ユニット２０８及び発光ユニット２１０に用いるゲス
ト材料が呈する発光色としては、互いに同じであっても異なっていてもよい。発光ユニッ
ト２０８及び発光ユニット２１０で互いに同じ色の発光を呈する機能を有するゲスト材料
を有する場合、発光素子２６０は少ない電流値で高い発光輝度を呈する発光素子となり好
ましい。また、発光ユニット２０８及び発光ユニット２１０で互いに異なる色の発光を呈
する機能を有するゲスト材料を有する場合、発光素子２６０は多色発光を呈する発光素子
となり好ましい。この場合、発光層１２０及び発光層１４０のいずれか一方もしくは双方
に発光波長の異なる複数の発光材料を用いることによって、発光素子２６０が呈する発光
スペクトルは異なる発光ピークを有する発光が合成された光となるため、少なくとも二つ
の極大値を有する発光スペクトルとなる。
上記の構成は白色発光を得るためにも好適である。発光層１２０及び発光層１４０の光
を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。特に、演色性の
高い白色発光、あるいは少なくとも赤色と緑色と青色とを有する発光、になるようゲスト
材料を選択することが好適である。
また、発光ユニット２０８と発光ユニット２１０とで発光色が異なるゲスト材料を有す
る場合、発光層１２０からの発光が、発光層１４０からの発光よりも短波長側に発光のピ
ークを有する構成とすることが好ましい。高い三重項励起エネルギー準位を有する材料を
用いた発光素子は輝度劣化が早い傾向がある。そこで、短波長な発光を呈する発光層にＴ
ＴＡを用いることによって、輝度劣化の小さい発光素子を提供することができる。
また、発光層１２０または発光層１４０の少なくとも一つを層状にさらに分割し、当該
分割した層ごとに異なる発光材料を含有させるようにしても良い。すなわち、発光層１２
０または発光層１４０の少なくとも一つが２層以上の複数層でもって構成することもでき
る。例えば、第１の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層とする
場合、第１の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する材料を用い、第２の発光層の
ホスト材料として電子輸送性を有する材料を用いる構成などがある。この場合、第１の発
光層と第２の発光層とが有する発光材料は、同じ材料あっても異なる材料であってもよく
、同じ色の発光を呈する機能を有する材料であっても、異なる色の発光を呈する機能を有
する材料であってもよい。互いに異なる色の発光を呈する機能を有する複数の発光材料を
有する構成により、三原色や、４色以上の発光色からなる演色性の高い白色発光を得るこ
ともできる。
＜発光素子の構成例２＞
次に、図１４及び図１５に示す発光素子と異なる構成例について、図１６（Ａ）（Ｂ）
（Ｃ）を用いて、以下説明を行う。
図１６（Ａ）は、発光素子２６２の断面模式図である。
図１６（Ａ）に示す発光素子２６２は、一対の電極（電極２０１及び電極２０２）の間
にＥＬ層１００が挟まれた構造である。なお、発光素子２６２において、電極２０２が陽
極として機能し、電極２０１が陰極として機能するとして、以下説明するが、発光素子２
６２構成としては、逆であっても構わない。また、電極２０２の構成としては、実施の形
態１で示した電極１０２または電極１０３（電極１０３Ｒ、電極１０３Ｇ、及び電極１０
３Ｂ）の構成を用いればよい。また、電極２０１の構成としては、実施の形態１で示した
電極１０１の構成を用いればよい。
また、ＥＬ層１００は、発光層１３０を有し、発光層１３０は、発光層１２０と、発光
層１４０と、を有する。また、発光素子２６２おいて、ＥＬ層１００として、発光層の他
に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１９が
図示されているが、これらの積層構造は一例であり、発光素子２６２におけるＥＬ層１０
０の構成はこれらに限定されない。例えば、ＥＬ層１００において、上記各層の積層順を
変えてもよい。または、ＥＬ層１００において、上記各層以外の機能層を設けてもよい。
該機能層としては、例えば、正孔または電子の注入障壁を低減する機能、正孔または電子
の輸送性を向上する機能、正孔または電子の輸送性を阻害する機能、正孔または電子を発
生する機能、を有する構成であってもよい。
また、図１６（Ｂ）に示すように、発光層１２０は、ホスト材料１２１と、ゲスト材料
１２２とを有する。また、発光層１４０は、ホスト材料１４１と、ゲスト材料１４２とを
有する。ホスト材料１４１は、有機化合物１４１＿１と、有機化合物１４１＿２とを有す
る。なお、ゲスト材料１２２が蛍光性化合物、ゲスト材料１４２が燐光性化合物として、
以下説明する。
≪発光層１３０の発光機構≫
発光層１２０の発光機構としては、図１４（Ｂ）（Ｃ）に示す発光層１２０と同様の発
光機構である。また、発光層１４０の発光機構としては、図１５（Ａ）（Ｂ）に示す発光
層１４０と同様の発光機構である。
図１６（Ａ）に示すように、発光層１２０と、発光層１４０とが互いに接する構成を有
する場合、発光層１２０と発光層１４０との界面において、発光層１４０の励起錯体から
発光層１２０のホスト材料１２１へのエネルギー移動（とくに三重項励起準位のエネルギ
ー移動）が起こったとしても、発光層１２０にて上記三重項励起エネルギーを発光に変換
することができる。
なお、発光層１２０のホスト材料１２１のＴ１準位が、発光層１４０が有する有機化合
物１４１＿１及び有機化合物１４１＿２のＴ１準位よりも低いと好ましい。また、発光層
１２０において、ホスト材料１２１のＳ１準位がゲスト材料１２２（蛍光性化合物）のＳ
１準位よりも高く、且つ、ホスト材料１２１のＴ１準位がゲスト材料１２２（蛍光性化合
物）のＴ１準位よりも低いと好ましい。
具体的には、発光層１２０にＴＴＡを用い、発光層１４０にＥｘＴＥＴを用いる場合の
エネルギー準位の相関を図１６（Ｃ）に示す。なお、図１６（Ｃ）における表記及び符号
は、以下の通りである。
・Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ＥＭＬ（１２０）：発光層１２０（蛍光発光層）
・Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ＥＭＬ（１４０）：発光層１４０（燐光発光層）
・Ｈｏｓｔ（１２１）：ホスト材料１２１
・Ｇｕｅｓｔ（１２２）：ゲスト材料１２２（蛍光性化合物）
・Ｈｏｓｔ（１４１＿１）：有機化合物１４１＿１（ホスト材料）
・Ｇｕｅｓｔ（１４２）：ゲスト材料１４２（燐光性化合物）
・Ｅｘｃｉｐｌｅｘ：励起錯体（有機化合物１４１＿１及び有機化合物１４１＿２）
・ＳＦＨ：ホスト材料１２１のＳ１準位
・ＴＦＨ：ホスト材料１２１のＴ１準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料１２２（蛍光性化合物）のＳ１準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料１２２（蛍光性化合物）のＴ１準位
・ＳＰＨ：ホスト材料（有機化合物１４１＿１）のＳ１準位
・ＴＰＨ：ホスト材料（有機化合物１４１＿１）のＴ１準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料１４２（燐光性化合物）のＴ１準位
・ＳＥ：励起錯体のＳ１準位
・ＴＥ：励起錯体のＴ１準位
図１６（Ｃ）に示すように、励起錯体は励起状態でしか存在しないため、励起錯体と励
起錯体との間の励起子拡散は生じにくい。また、励起錯体の励起エネルギー準位（ＳＥ、
ＴＥ）は、発光層１４０の有機化合物１４１＿１（すなわち、燐光性化合物のホスト材料
）の励起エネルギー準位（ＳＰＨ、ＴＰＨ）よりも低いので、励起錯体から有機化合物１
４１＿１へのエネルギーの拡散も生じない。すなわち、燐光発光層（発光層１４０）内に
おいて、励起錯体の励起子拡散距離は短いため、燐光発光層（発光層１４０）の効率を保
つことが可能となる。また、蛍光発光層（発光層１２０）と燐光発光層（発光層１４０）
の界面において、燐光発光層（発光層１４０）の励起錯体の三重項励起エネルギーの一部
が、蛍光発光層（発光層１２０）に拡散したとしても、その拡散によって生じた蛍光発光
層（発光層１２０）の三重項励起エネルギーは、ＴＴＡを通じて発光に変換されるため、
エネルギー損失を低減することが可能となる。
以上のように、発光素子２６２は、発光層１４０にＥｘＴＥＴを利用し、且つ発光層１
２０にＴＴＡを利用することで、エネルギー損失が低減されるため、高い発光効率の発光
素子とすることができる。また、発光素子２６２に示すように、発光層１２０と、発光層
１４０とが互いに接する構成とする場合、上記エネルギー損失が低減されるとともに、Ｅ
Ｌ層１００の層数を低減させることができる。したがって、製造コストの少ない発光素子
とすることができる。
なお、発光層１２０と発光層１４０とは互いに接していない構成であっても良い。この
場合、発光層１４０中で生成する、有機化合物１４１＿１、有機化合物１４１＿２、また
はゲスト材料１４２（燐光性化合物）の励起状態から発光層１２０中のホスト材料１２１
、またはゲスト材料１２２（蛍光性化合物）へのデクスター機構によるエネルギー移動（
特に三重項エネルギー移動）を防ぐことができる。したがって、発光層１２０と発光層１
４０との間に設ける層は数ｎｍ程度の厚さがあればよい。具体的には、１ｎｍ以上５ｎｍ
以下であると、駆動電圧の上昇を抑制することができ好適である。
発光層１２０と発光層１４０との間に設ける層は単一の材料で構成されていても良いが
、正孔輸送性材料と電子輸送性材料の両方が含まれていても良い。単一の材料で構成する
場合、バイポーラー性材料を用いても良い。ここでバイポーラー性材料とは、電子と正孔
の移動度の比が１００以下である材料を指す。また、正孔輸送性材料または電子輸送性材
料などを使用しても良い。もしくは、そのうちの少なくとも一つは、発光層１４０のホス
ト材料（有機化合物１４１＿１または有機化合物１４１＿２）と同一の材料で形成しても
良い。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。さらに
、正孔輸送性材料と電子輸送性材料とで励起錯体を形成しても良く、これによって励起子
の拡散を効果的に防ぐことができる。具体的には、発光層１４０のホスト材料（有機化合
物１４１＿１または有機化合物１４１＿２）あるいはゲスト材料１４２（燐光性化合物）
の励起状態から、発光層１２０のホスト材料１２１あるいはゲスト材料１２２（蛍光性化
合物）へのエネルギー移動を防ぐことができる。
また、発光素子２６２においては、発光層１２０が正孔輸送層１１２側、発光層１４０
が電子輸送層１１８側として説明したが、本発明の一態様の発光素子としては、これに限
定されず、発光層１２０が電子輸送層１１８側、発光層１４０が正孔輸送層１１２側であ
っても構わない。
なお、発光素子２６２では、キャリアの再結合領域はある程度の分布を持って形成され
ることが好ましい。このため、発光層１２０または発光層１４０において、適度なキャリ
アトラップ性があることが好ましく、発光層１４０が有するゲスト材料１４２（燐光性化
合物）が電子トラップ性を有していることが好ましい。または、発光層１２０が有するゲ
スト材料１２２（蛍光性化合物）が正孔トラップ性を有していることが好ましい。
なお、発光層１２０からの発光が、発光層１４０からの発光よりも短波長側に発光のピ
ークを有する構成とすることが好ましい。短波長の発光を呈する燐光性化合物を用いた発
光素子は輝度劣化が早い傾向がある。そこで、短波長の発光を蛍光発光とすることによっ
て、輝度劣化の小さい発光素子を提供することができる。
また、発光層１２０と発光層１４０とで異なる発光波長の光を得ることによって、多色
発光の素子とすることができる。この場合、発光スペクトルは異なる発光ピークを有する
発光が合成された光となるため、少なくとも二つの極大値を有する発光スペクトルとなる
。
また、上記の構成は白色発光を得るためにも好適である。発光層１２０と発光層１４０
との光を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。
また、発光層１２０及び発光層１４０のいずれか一方または双方に、発光波長の異なる
複数の発光材料を用いることによって、三原色や、４色以上の発光色からなる演色性の高
い白色発光を得ることもできる。この場合、発光層を層状にさらに分割し、当該分割した
層ごとに異なる発光材料を含有させるようにしても良い。
＜発光層に用いることができる材料の例＞
次に、発光層１２０、及び発光層１４０に用いることのできる材料について、以下説明
する。
≪発光層１２０に用いることのできる材料≫
発光層１２０中では、ホスト材料１２１が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料１２２
（蛍光性化合物）は、ホスト材料１２１中に分散される。ホスト材料１２１のＳ１準位は
、ゲスト材料１２２（蛍光性化合物）のＳ１準位よりも高く、ホスト材料１２１のＴ１準
位は、ゲスト材料１２２（蛍光性化合物）のＴ１準位よりも低いことが好ましい。
発光層１２０において、ゲスト材料１２２としては、特に限定はないが、アントラセン
誘導体、テトラセン誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ペ
リレン誘導体、スチルベン誘導体、アクリドン誘導体、クマリン誘導体、フェノキサジン
誘導体、フェノチアジン誘導体などが好ましい。具体的には、例えば、実施の形態１で例
示した蛍光性化合物を用いることができる。
また、発光層１２０において、ホスト材料１２１に用いることが可能な材料としては、
特に限定はないが、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称
：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：
Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（
略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト
）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）
（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－
ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５
－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベン
ゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅ
ｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’
’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾー
ル）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイ
ン（略称：ＢＣＰ）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－
イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、４，４
’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまた
はα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１
，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（
スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称
：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェ
ナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体
等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０－ジフェニルアントラセン
（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アン
トリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（
１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４－（９
Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニ
ルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９
－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ
，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フ
ェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９－ジフェニ
ル－Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン
（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジフェニルクリセン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，
ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９－［４－（１
０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、
３，６－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ
－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル
）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称
：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称
：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，９’－ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチル
ベン－３，３’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベ
ン－４，４’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５－トリ（１
－ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。また、これら及び
公知の物質の中から、上記ゲスト材料１２２のエネルギーギャップより大きなエネルギー
ギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。
なお、発光層１２０は２層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第１
の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層１２０とする場合、第１
の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層のホスト材料
として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。
また、発光層１２０において、ホスト材料１２１は、一種の化合物から構成されていて
も良く、複数の化合物から構成されていても良い。あるいは、発光層１２０において、ホ
スト材料１２１およびゲスト材料１２２以外の材料を有していても良い。
また、発光層１２０が、実施の形態１で示した発光層の構成を有してもよい。その場合
、実施の形態１で示したホスト材料及び発光材料（蛍光性化合物）を用いることが好まし
い。
≪発光層１４０に用いることのできる材料≫
発光層１４０中では、ホスト材料１４１が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料１４２
（燐光性化合物）は、ホスト材料１４１中に分散される。発光層１４０のホスト材料１４
１（有機化合物１４１＿１及び有機化合物１４１＿２）のＴ１準位は、ゲスト材料１４２
のＴ１準位よりも高いことが好ましい。
有機化合物１４１＿１としては、亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、オキサジアゾー
ル誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベ
ンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ピリミジ
ン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘
導体などが挙げられる。他の例としては、芳香族アミンやカルバゾール誘導体などが挙げ
られる。具体的には、実施の形態１で示した電子輸送性材料および正孔輸送性材料を用い
ることができる。
有機化合物１４１＿２としては、有機化合物１４１＿１と励起錯体を形成できる組み合
わせが好ましい。具体的には、例えば、実施の形態１で示した電子輸送性材料および正孔
輸送性材料を用いることができる。この場合、有機化合物１４１＿１と有機化合物１４１
＿２とで形成される励起錯体の発光ピークが、ゲスト材料１４２（燐光性化合物）の三重
項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移
の吸収帯、より具体的には、最も長波長側の吸収帯と重なるように、有機化合物１４１＿
１、有機化合物１４１＿２、およびゲスト材料１４２（燐光性化合物）を選択することが
好ましい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。ただ
し、燐光性化合物に替えて熱活性化遅延蛍光性化合物を用いる場合においては、最も長波
長側の吸収帯は一重項の吸収帯であることが好ましい。
ゲスト材料１４２（燐光性化合物）としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の
有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジ
ウム系オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ－トリアゾ
ール配位子、１Ｈ－トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミ
ジン配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体
としては、ポルフィリン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。具体的には、例えば
、実施の形態１で示した発光材料として例示した燐光性化合物を用いることができる。
発光層１４０に含まれる発光材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変換できる
材料であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、燐光性化
合物の他に、熱活性化遅延蛍光体が挙げられる。したがって、燐光性化合物と記載した部
分に関しては、熱活性化遅延蛍光体と読み替えても構わない。
また、熱活性化遅延蛍光を示す材料は、単独で逆項間交差により三重項励起状態から一
重項励起状態を生成できる材料であっても良いし、励起錯体（エキサイプレックス、また
はＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）を形成する複数の材料から構成されても良い。
熱活性化遅延蛍光体が、一種類の材料から構成される場合、具体的には、実施の形態１
で示した熱活性化遅延蛍光体を用いることができる。
また、熱活性化遅延蛍光体をホスト材料として用いる場合、励起錯体を形成する２種類
の化合物を組み合わせて用いることが好ましい。この場合、上記に示した励起錯体を形成
する組み合わせである電子を受け取りやすい化合物と、正孔を受け取りやすい化合物とを
用いることが特に好ましい。
また、発光層１２０及び発光層１４０に含まれる発光材料の発光色に限定は無く、それ
ぞれ同じでも異なっていても良い。各々から得られる発光が混合されて素子外へ取り出さ
れるので、例えば両者の発光色が互いに補色の関係にある場合、発光素子は白色の光を与
えることができる。発光素子の信頼性を考慮すると、発光層１２０に含まれる発光材料の
発光ピーク波長は発光層１４０に含まれる発光材料のそれよりも短いことが好ましい。
なお、発光ユニット２０８、発光ユニット２１０、及び電荷発生層１１５は、蒸着法（
真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成すること
ができる。
以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１７乃至図２１を用いて説
明する。
＜表示装置の構成例１＞
図１７（Ａ）は表示装置６００を示す上面図、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）の一点鎖線
Ａ－Ｂ、及び一点鎖線Ｃ－Ｄで切断した断面図である。表示装置６００は、駆動回路部（
信号線駆動回路部６０１、及び走査線駆動回路部６０３）、並びに画素部６０２を有する
。なお、信号線駆動回路部６０１、走査線駆動回路部６０３、及び画素部６０２は、発光
素子の発光を制御する機能を有する。
また、表示装置６００は、素子基板６１０と、封止基板６０４と、シール材６０５と、
シール材６０５で囲まれた領域６０７と、引き回し配線６０８と、ＦＰＣ６０９と、を有
する。
なお、引き回し配線６０８は、信号線駆動回路部６０１及び走査線駆動回路部６０３に
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ６０９からビデ
オ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰ
Ｃ６０９しか図示されていないが、ＦＰＣ６０９にはプリント配線基板（ＰＷＢ：Ｐｒｉ
ｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）が取り付けられていても良い。
また、信号線駆動回路部６０１は、Ｎチャネル型のトランジスタ６２３とＰチャネル型
のトランジスタ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。なお、信号線駆動回
路部６０１または走査線駆動回路部６０３は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路、また
はＮＭＯＳ回路を用いることが出来る。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路部を
形成したドライバと画素とを同一の表面上に設けた表示装置を示すが、必ずしもその必要
はなく、駆動回路部を基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素部６０２は、スイッチング用のトランジスタ６１１と、電流制御用のトラン
ジスタ６１２と、電流制御用のトランジスタ６１２のドレインに電気的に接続された下部
電極６１３と、を有する。なお、下部電極６１３の端部を覆って隔壁６１４が形成されて
いる。隔壁６１４としては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。
また、被覆性を良好にするため、隔壁６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面
が形成されるようにする。例えば、隔壁６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用
いた場合、隔壁６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ以上３μｍ以下）を有する曲
面を持たせることが好ましい。また、隔壁６１４として、ネガ型の感光性樹脂、またはポ
ジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
なお、トランジスタ（トランジスタ６１１、６１２、６２３、６２４）の構造は、特に
限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタの
極性についても特に限定はなく、Ｎチャネル型およびＰチャネル型のトランジスタを有す
る構造、及びＮチャネル型のトランジスタまたはＰチャネル型のトランジスタのいずれか
一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタに用いられる半導体膜の結晶
性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることが
できる。また、半導体材料としては、１４族（ケイ素等）半導体、化合物半導体（酸化物
半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トランジスタとしては、例えば、
エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ
以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるた
め好ましい。該酸化物半導体としては、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（Ｍは
、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ
）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、錫（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはネ
オジム（Ｎｄ）を表す）等が挙げられる。
下部電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および上部電極６１７がそれぞれ形成されてい
る。例えば、下部電極６１３は、陽極として機能し、上部電極６１７は、陰極として機能
する。
また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法（真空蒸着法を含む）、液滴吐出法
（インクジェット法ともいう）、スピンコート法等の塗布法、グラビア印刷法等の種々の
方法によって形成される。また、ＥＬ層６１６を構成する材料としては、低分子化合物、
または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。
なお、下部電極６１３、ＥＬ層６１６、及び上部電極６１７により、発光素子６１８が
形成される。発光素子６１８は、実施の形態１及び実施の形態２の構成を有する発光素子
であると好ましい。なお、画素部に複数の発光素子が形成される場合、実施の形態１及び
実施の形態２に記載の発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれてい
ても良い。
また、シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、
素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた領域６０７に発光素
子６１８が備えられた構造になっている。なお、領域６０７には、充填材が充填されてお
り、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５に用いるこ
とができる紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂で充填される場合もあり、例えば、ＰＶＣ（
ポリビニルクロライド）系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、
シリコーン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）系樹脂、またはＥＶＡ（エチレンビニ
ルアセテート）系樹脂を用いることができる。また、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機材料を
用いてもよい。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けると水分の影響による劣
化を抑制することができ、好ましい構成である。なお、領域６０７によって、水などの不
純物が表示装置６００の外部から表示装置内部の発光素子６１８まで侵入するのを効果的
に防ぐことができるよう、樹脂と無機材料とを積層させると好ましい構成である。また、
シール材６０５または封止基板６０４を設けない構成としてもよい。
また、発光素子６１８と互いに重なるように、光学素子を素子基板６１０の下方に設け
てもよい。光学素子としては、実施の形態１に示す光学素子と同様の構成とすればよい。
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。ま
た、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しにくい材料であることが望ましい。ま
た、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ
Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリ
エステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
≪液滴吐出法による発光素子の形成方法≫
ここで、液滴吐出法を用いてＥＬ層６１６を形成する方法について、図２０を用いて説
明する。図２０（Ａ）乃至図２０（Ｄ）は、ＥＬ層６１６の形成方法を説明する断面図で
ある。
まず、図２０（Ａ）においては、下部電極６１３及び隔壁６１４が形成された素子基板
６１０を図示しているが、図１７（Ｂ）のように絶縁膜上に下部電極６１３及び隔壁６１
４が形成された基板を用いてもよい。
次に、隔壁６１４の開口部である下部電極６１３の露出部に、液滴吐出装置６８３より
液滴６８４を吐出し、組成物を含む層６８５を形成する。液滴６８４は、溶媒を含む組成
物であり、下部電極６１３上に付着する（図２０（Ｂ）参照）。
なお、液滴６８４を吐出する工程を減圧下で行ってもよい。
次に、組成物を含む層６８５より溶媒を除去し、固化することによってＥＬ層６１６を
形成する（図２０（Ｃ）参照）。
なお、溶媒の除去方法としては、乾燥工程または加熱工程を行えばよい。
次に、ＥＬ層６１６上に上部電極６１７を形成し、発光素子６１８を形成する（図２０
（Ｄ）参照）。
このようにＥＬ層６１６を液滴吐出法で行うと、選択的に組成物を吐出することができ
るため、材料のロスを削減することができる。また、形状を加工するためのリソグラフィ
工程なども必要ないために工程も簡略化することができ、低コスト化が達成できる。
なお、図２０においては、ＥＬ層６１６を一層で形成する工程を説明したが、ＥＬ層６
１６が発光層に加えて機能層を有する場合、各層を下部電極６１３側から順に形成してい
けばよい。このとき、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を
液滴吐出法を用いて形成してもよく、正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層を液滴吐出法
を用いて形成し、電子輸送層及び電子注入層を蒸着法等にて形成してもよい。また、発光
層を液滴吐出法と蒸着法等とで形成してもよい。
正孔注入層としては、例えば、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレン
スルホン酸）を液滴吐出法やスピンコート法等の塗布法を用いて形成することができる。
また、正孔輸送層としては、正孔輸送性材料によって形成することができ、例えば、ポリ
ビニルカルバゾールを液滴吐出法やスピンコート法等の塗布法を用いて形成することがで
きる。正孔注入層の形成後および正孔輸送層の形成後に、大気雰囲気下または窒素などの
不活性気体雰囲気下で、それぞれ加熱処理を行ってもよい。
発光層としては、紫色、青色、青緑色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中か
ら選ばれる少なくとも一つの発光を呈する高分子化合物または低分子化合物によって形成
することができる。高分子化合物および低分子化合物としては、蛍光または燐光を呈する
発光性の有機化合物を用いることができる。高分子化合物および低分子化合物は、溶媒に
溶解させることで、液滴吐出法やスピンコート法等の塗布法により形成することができる
。また、発光層の形成後に、大気雰囲気下または窒素などの不活性気体雰囲気下で、加熱
処理を行ってもよい。なお、蛍光性または燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト
材料より励起エネルギーが大きな高分子化合物または低分子化合物に該ゲスト材料を分散
してもよい。また、該発光性の有機化合物は、単独で成膜してもよいが、他の物質と混合
して成膜してもよい。また、発光層として、２層の構成としてもよい。その場合、２層の
発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を呈する発光性の有機化合物を有することが好ま
しい。また、発光層に低分子化合物を用いる場合、蒸着法を用いて形成することができる
。
電子輸送層としては、電子輸送性の高い物質を成膜することで形成することができる。
また、電子注入層としては、電子注入性の高い物質を成膜することで形成することができ
る。なお、電子輸送層および電子注入層は、蒸着法を用いて形成することができる。
上部電極６１７は、蒸着法を用いて形成することができる。上部電極６１７としては、
反射性を有する導電膜を用いて形成することができる。また、上部電極６１７としては、
反射性を有する導電膜と透光性を有する導電膜とを積層してもよい。
なお、上記説明した液滴吐出法とは、組成物の吐出口を有するノズル、または一つもし
くは複数のノズルを有するヘッド等の液滴を吐出する手段を有するものの総称とする。
≪液滴吐出装置≫
次に、液滴吐出法に用いる液滴吐出装置について、図２１を用いて説明する。図２１は
、液滴吐出装置１４００を説明する概念図である。
液滴吐出装置１４００は、液滴吐出手段１４０３を有する。また、液滴吐出手段１４０
３は、ヘッド１４０５と、ヘッド１４１２とを有する。
ヘッド１４０５、及びヘッド１４１２は制御手段１４０７に接続され、それがコンピュ
ータ１４１０で制御することにより予めプログラミングされたパターンに描画することが
できる。
また、描画するタイミングとしては、例えば、基板１４０２上に形成されたマーカー１
４１１を基準に行えば良い。あるいは、基板１４０２の外縁を基準にして基準点を確定さ
せても良い。ここでは、マーカー１４１１を撮像手段１４０４で検出し、画像処理手段１
４０９にてデジタル信号に変換したものをコンピュータ１４１０で認識して制御信号を発
生させて制御手段１４０７に送る。
撮像手段１４０４としては、電荷結合素子（ＣＣＤ）や相補型金属酸化物半導体（ＣＭ
ＯＳ）を利用したイメージセンサなどを用いることができる。なお、基板１４０２上に形
成されるべきパターンの情報は記憶媒体１４０８に格納されており、この情報を基にして
制御手段１４０７に制御信号を送り、液滴吐出手段１４０３の個々のヘッド１４０５、ヘ
ッド１４１２を個別に制御することができる。吐出する材料は、材料供給源１４１３、材
料供給源１４１４より配管を通してヘッド１４０５、ヘッド１４１２にそれぞれ供給され
る。
ヘッド１４０５の内部は、点線が示すように液状の材料を充填する空間１４０６と、吐
出口であるノズルを有する構造となっている。図示しないが、ヘッド１４１２もヘッド１
４０５と同様な内部構造を有する。ヘッド１４０５とヘッド１４１２のノズルを異なるサ
イズで設けると、異なる材料を異なる幅で同時に描画することができる。一つのヘッドで
、複数種の発光材料などをそれぞれ吐出し、描画することができ、広領域に描画する場合
は、スループットを向上させるため複数のノズルより同材料を同時に吐出し、描画するこ
とができる。大型基板を用いる場合、ヘッド１４０５、ヘッド１４１２は基板上を、図２
１中に示すＸ、Ｙ、Ｚの矢印の方向に自在に走査し、描画する領域を自由に設定すること
ができ、同じパターンを一枚の基板に複数描画することができる。
また、組成物を吐出する工程は、減圧下で行ってもよい。吐出時に基板を加熱しておい
てもよい。組成物を吐出後、乾燥と焼成の一方又は両方の工程を行う。乾燥と焼成の工程
は、両工程とも加熱処理の工程であるが、その目的、温度と時間が異なる。乾燥の工程、
焼成の工程は、常圧下又は減圧下で、レーザ光の照射や瞬間熱アニール、加熱炉などによ
り行う。なお、この加熱処理を行うタイミング、加熱処理の回数は特に限定されない。乾
燥と焼成の工程を良好に行うためには、そのときの温度は、基板の材質及び組成物の性質
に依存する。
以上のように、液滴吐出装置を用いてＥＬ層６１６を作製することができる。
以上のようにして、実施の形態１及び実施の形態２に記載の発光装置を有する表示装置
を得ることができる。
＜表示装置の構成例２＞
次に、表示装置の別の一例について、図１８（Ａ）（Ｂ）及び図１９を用いて説明を行
う。なお、図１８（Ａ）（Ｂ）及び図１９は、本発明の一態様の表示装置の断面図である
。
図１８（Ａ）には基板１００１、下地絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート
電極１００６、１００７、１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０
２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、発光素子の下部電極１０
２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光素
子の上部電極１０２６、封止層１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２などが図
示されている。
また、図１８（Ａ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、
緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂ）を透明な基材１０３３に設けて
いる。また、遮光層１０３５をさらに設けても良い。着色層及び遮光層が設けられた透明
な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及び遮光層
は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図１８（Ａ）においては、着色層
１０３４Ｒは赤色の光を透過し、着色層１０３４Ｇは緑色の光を透過し、着色層１０３４
Ｂは青色の光を透過する機能を有する。
図１８（Ｂ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁
膜１０２０との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止
基板１０３１の間に設けられていても良い。
図１９では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層
１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を第１の層間絶縁膜１０２０と第２の層間絶縁膜
１０２１との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止基
板１０３１の間に設けられていても良い。
また、本発明の一態様の表示装置は、４色（赤色、緑色、青色、黄色、あるいは赤色、
緑色、青色、白色）の副画素を有する表示装置である。黄色あるいは白色の発光を呈する
発光素子は発光効率が高いため、黄色または白色の副画素を有する表示装置は、消費電力
を低減することができる。
下部電極１０２４Ｗは、光を透過する機能を有することが好ましい。また、ＥＬ層１０
２８上に上部電極１０２６が設けられる。上部電極１０２６は、光を反射する機能を有す
ることが好ましい。また、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、及び１０２４Ｂは光を透過
する機能と光を反射する機能とを有し、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂと
、上部電極１０２６との間で、マイクロキャビティ構造を採用し、特定波長における光強
度を増加させると好ましい。
また、図１８及び図１９においては、複数の発光素子と、該複数の発光素子にそれぞれ
着色層を設ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、赤色の着色層１０３４
Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂのいずれかを設けない構成と
してもよい。発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、外光反射を抑制できる
といった効果を奏する。一方、着色層を設けない構成とした場合、発光素子から射出され
る光の損失が少ないため、消費電力を低くできるといった効果を奏する。
また、以上に説明した表示装置では、トランジスタが形成されている基板１００１側に
光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の表示装置としたが、封止基板１０３１側に
発光を取り出す構造（トップエミッション型）の表示装置としても良い。
なお、封止基板１０３１は、発光素子を保護する機能を有するものであればよい。その
ため、封止基板１０３１には、可撓性を有する基板やフィルムを用いることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態や本実施の形態中の他の構成と適宜
組み合わせることが可能である。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図２２乃至
図２４を用いて説明を行う。
なお、図２２（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図であり、図２
２（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。
＜表示装置に関する説明＞
図２２（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部８０２と
いう）と、画素部８０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（
以下、駆動回路部８０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路８０
６という）と、端子部８０７と、を有する。なお、保護回路８０６は、設けない構成とし
てもよい。
駆動回路部８０４の一部、または全部は、画素部８０２と同一基板上に形成されている
ことが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部８０４
の一部、または全部が、画素部８０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回
路部８０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
画素部８０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置され
た複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路８０１という）を有し、駆動回
路部８０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、走査線駆動回路
８０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するため
の回路（以下、信号線駆動回路８０４ｂ）などの駆動回路を有する。
走査線駆動回路８０４ａは、シフトレジスタ等を有する。走査線駆動回路８０４ａは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力す
る。例えば、走査線駆動回路８０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力さ
れ、パルス信号を出力する。走査線駆動回路８０４ａは、走査信号が与えられる配線（以
下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、走査線
駆動回路８０４ａを複数設け、複数の走査線駆動回路８０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃
至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、走査線駆動回路８０４ａは、初期化信号
を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、走査線駆動回路８０
４ａは、別の信号を供給することも可能である。
信号線駆動回路８０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。信号線駆動回路８０４ｂは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元とな
る信号（画像信号）が入力される。信号線駆動回路８０４ｂは、画像信号を元に画素回路
８０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは
、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信
号の出力を制御する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは、データ信号が与え
られる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有す
る。または、信号線駆動回路８０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有す
る。ただし、これに限定されず、信号線駆動回路８０４ｂは、別の信号を供給することも
可能である。
信号線駆動回路８０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。
信号線駆動回路８０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、
画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを
用いて信号線駆動回路８０４ｂを構成してもよい。
複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを
介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介し
てデータ信号が入力される。また、複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査線駆動回路
８０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列
目の画素回路８０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介して走査線駆動回路
８０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（
ｎはＹ以下の自然数）を介して信号線駆動回路８０４ｂからデータ信号が入力される。
図２２（Ａ）に示す保護回路８０６は、例えば、走査線駆動回路８０４ａと画素回路８
０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路８０６は、信号線駆動
回路８０４ｂと画素回路８０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保
護回路８０６は、走査線駆動回路８０４ａと端子部８０７との間の配線に接続することが
できる。または、保護回路８０６は、信号線駆動回路８０４ｂと端子部８０７との間の配
線に接続することができる。なお、端子部８０７は、外部の回路から表示装置に電源及び
制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
保護回路８０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
図２２（Ａ）に示すように、画素部８０２と駆動回路部８０４にそれぞれ保護回路８０
６を接続することにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ
：静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる
。ただし、保護回路８０６の構成はこれに限定されず、例えば、走査線駆動回路８０４ａ
に保護回路８０６を接続した構成、または信号線駆動回路８０４ｂに保護回路８０６を接
続した構成とすることもできる。あるいは、端子部８０７に保護回路８０６を接続した構
成とすることもできる。
また、図２２（Ａ）においては、走査線駆動回路８０４ａと信号線駆動回路８０４ｂに
よって駆動回路部８０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例
えば、走査線駆動回路８０４ａのみを形成し、別途用意された信号線駆動回路が形成され
た基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装す
る構成としても良い。
＜画素回路の構成例＞
図２２（Ａ）に示す複数の画素回路８０１は、例えば、図２２（Ｂ）に示す構成とする
ことができる。
図２２（Ｂ）に示す画素回路８０１は、トランジスタ８５２、８５４と、容量素子８６
２と、発光素子８７２と、を有する。
トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる
配線（データ線ＤＬ＿ｎ）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５２のゲート
電極は、ゲート信号が与えられる配線（走査線ＧＬ＿ｍ）に電気的に接続される。
トランジスタ８５２は、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
容量素子８６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ
＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイ
ン電極の他方に電気的に接続される。
容量素子８６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電
気的に接続される。さらに、トランジスタ８５４のゲート電極は、トランジスタ８５２の
ソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
発光素子８７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続
され、他方は、トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続
される。
発光素子８７２としては、実施の形態１及び実施の形態２に示す発光素子の構成を用い
ることができる。
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
図２２（Ｂ）の画素回路８０１を有する表示装置では、例えば、図２２（Ａ）に示す走
査線駆動回路８０４ａにより各行の画素回路８０１を順次選択し、トランジスタ８５２を
オン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
データが書き込まれた画素回路８０１は、トランジスタ８５２がオフ状態になることで
保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ８５４の
ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子８７２は、流れる電
流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
また、画素回路に、トランジスタのしきい値電圧等の変動の影響を補正する機能を持た
せてもよい。図２３（Ａ）（Ｂ）及び図２４（Ａ）（Ｂ）に画素回路の一例を示す。
図２３（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０３＿１乃至３
０３＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図２３（Ａ）に
示す画素回路には、配線３０１＿１乃至３０１＿５、並びに配線３０２＿１及び配線３０
２＿２が電気的に接続されている。なお、トランジスタ３０３＿１乃至３０３＿６につい
ては、例えばＰチャネル型のトランジスタを用いることができる。
図２３（Ｂ）に示す画素回路は、図２３（Ａ）に示す画素回路に、トランジスタ３０３
＿７を追加した構成である。また、図２３（Ｂ）に示す画素回路には、配線３０１＿６及
び配線３０１＿７が電気的に接続されている。ここで、配線３０１＿５と配線３０１＿６
とは、それぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０３＿７について
は、例えばＰチャネル型のトランジスタを用いることができる。
図２４（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０８＿１乃至３
０８＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図２４（Ａ）に
示す画素回路には、配線３０６＿１乃至３０６＿３、並びに配線３０７＿１乃至３０７＿
３が電気的に接続されている。ここで配線３０６＿１と配線３０６＿３とは、それぞれ電
気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０８＿１乃至３０８＿６については
、例えばＰチャネル型のトランジスタを用いることができる。
図２４（Ｂ）に示す画素回路は、２つのトランジスタ（トランジスタ３０９＿１及びト
ランジスタ３０９＿２）と、２つの容量素子（容量素子３０４＿１及び容量素子３０４＿
２）と、発光素子３０５と、を有する。また、図２４（Ｂ）に示す画素回路には、配線３
１１＿１乃至配線３１１＿３、配線３１２＿１、及び配線３１２＿２が電気的に接続され
ている。また、図２４（Ｂ）に示す画素回路の構成とすることで、例えば、電圧入力－電
流駆動方式（ＣＶＣＣ方式ともいう）とすることができる。なお、トランジスタ３０９＿
１及び３０９＿２については、例えばＰチャネル型のトランジスタを用いることができる
。
また、本発明の一態様の発光素子は、表示装置の画素に能動素子を有するアクティブマ
トリクス方式、または、表示装置の画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式の
それぞれの方式に適用することができる。
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、ト
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子
）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素
子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とが出来る。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態５）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置、及び該表示装
置に入力装置を取り付けた電子機器について、図２５乃至図２９を用いて説明を行う。
＜タッチパネルに関する説明１＞
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示装置と、入力装置とを合わ
せたタッチパネル２０００について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセン
サを有する場合について説明する。
図２５（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図２５（Ａ）（
Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
タッチパネル２０００は、表示装置２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図２
５（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び基
板２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０はいずれも
可撓性を有する。ただし、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０のいずれか一
つまたは全てが可撓性を有さない構成としてもよい。
表示装置２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給することが
できる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にま
で引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９
（１）と電気的に接続する。また、複数の配線２５１１は、信号線駆動回路２５０３ｓ（
１）からの信号を複数の画素に供給することができる。
基板２５９０は、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する
複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回
され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接
続される。なお、図２５（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１０
と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示している
。
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
なお、図２５（Ｂ）に示すタッチセンサ２５９５は、投影型静電容量方式のタッチセン
サを適用した構成である。
なお、タッチセンサ２５９５には、指等の検知対象の近接または接触を検知することが
できる、様々なセンサを適用することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有す
る。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は
複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
電極２５９２は、図２５（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続される形状を有する。
電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し
配置されている。
配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このと
き、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい
。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減
できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減すること
ができる。
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りう
る。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介
して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける
構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に
絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい
。
＜表示装置に関する説明＞
次に、図２６（Ａ）を用いて、表示装置２５０１の詳細について説明する。図２６（Ａ
）は、図２５（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間の断面図に相当する。
表示装置２５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。該画素は表示素
子と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
以下の説明においては、白色の光を射出する発光素子を表示素子に適用する場合につい
て説明するが、表示素子はこれに限定されない。例えば、隣接する画素毎に射出する光の
色が異なるように、発光色が異なる発光素子を適用してもよい。
基板２５１０及び基板２５７０としては、例えば、水蒸気の透過率が１×１０－５ｇ・
ｍ－２・ｄａｙ－１以下、好ましくは１×１０－６ｇ・ｍ－２・ｄａｙ－１以下である可
撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基
板２５７０の熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率
が１×１０－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０－５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０－
５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
なお、基板２５１０は、発光素子への不純物の拡散を防ぐ絶縁層２５１０ａと、可撓性
基板２５１０ｂと、絶縁層２５１０ａ及び可撓性基板２５１０ｂを貼り合わせる接着層２
５１０ｃと、を有する積層体である。また、基板２５７０は、発光素子への不純物の拡散
を防ぐ絶縁層２５７０ａと、可撓性基板２５７０ｂと、絶縁層２５７０ａ及び可撓性基板
２５７０ｂを貼り合わせる接着層２５７０ｃと、を有する積層体である。
接着層２５１０ｃ及び接着層２５７０ｃとしては、例えば、ポリエステル、ポリオレフ
ィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアク
リル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂を用いることができる。もしくは、シリコーンな
どのシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
また、基板２５１０と基板２５７０との間に封止層２５６０を有する。封止層２５６０
は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。なお、封止層２５６０側に光を取り出す
場合は、封止層２５６０は光学的な接合層を兼ねることができる。
また、封止層２５６０の外周部にシール材を形成してもよい。当該シール材を用いるこ
とにより、基板２５１０、基板２５７０、封止層２５６０、及びシール材で囲まれた領域
に発光素子２５５０Ｒを有する構成とすることができる。なお、封止層２５６０として、
不活性気体（窒素やアルゴン等）を充填してもよい。また、当該不活性気体内に、乾燥材
を設けて、水分等を吸着させる構成としてもよい。あるいは、アクリルやエポキシ等の樹
脂によって充填してもよい。また、上述のシール材としては、例えば、エポキシ系樹脂や
ガラスフリットを用いるのが好ましい。また、シール材に用いる材料としては、水分や酸
素を透過しない材料を用いると好適である。
また、表示装置２５０１は、画素２５０２Ｒを有する。また、画素２５０２Ｒは発光モ
ジュール２５８０Ｒを有する。
画素２５０２Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、発光素子２５５０Ｒに電力を供給すること
ができるトランジスタ２５０２ｔとを有する。なお、トランジスタ２５０２ｔは、画素回
路の一部として機能する。また、発光モジュール２５８０Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、
着色層２５６７Ｒとを有する。
発光素子２５５０Ｒは、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間にＥＬ層と
を有する。発光素子２５５０Ｒとして、例えば、実施の形態１及び実施の形態２に示す発
光素子を適用することができる。
また、下部電極と上部電極との間で、マイクロキャビティ構造を採用し、特定波長にお
ける光強度を増加させてもよい。
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子
２５５０Ｒが発する光の一部は着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発
光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
また、表示装置２５０１には、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭが設けられる。
遮光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
着色層２５６７Ｒとしては、特定の波長帯域の光を透過する機能を有していればよく、
例えば、赤色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、黄色の波長帯域の光を
透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を
用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法な
どで形成することができる。
また、表示装置２５０１には、絶縁層２５２１が設けられる。絶縁層２５２１はトラン
ジスタ２５０２ｔを覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化す
るための機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与し
てもよい。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下を
抑制できる。
また、発光素子２５５０Ｒは、絶縁層２５２１の上方に形成される。また、発光素子２
５５０Ｒが有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。
なお、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に
形成してもよい。
走査線駆動回路２５０３ｇ（１）は、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃ
とを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができ
る。
また、基板２５１０上には、信号を供給することができる配線２５１１が設けられる。
また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰ
Ｃ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、ビデオ信号、
クロック信号、スタート信号、リセット信号等を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２
５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
また、表示装置２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。図
２６（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例示し
ているが、これに限定されず、例えば、図２６（Ｂ）に示す、トップゲート型のトランジ
スタを表示装置２５０１に適用する構成としてもよい。
また、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔの極性については、特に限
定はなく、Ｎチャネル型およびＰチャネル型のトランジスタを有する構造、Ｎチャネル型
のトランジスタまたはＰチャネル型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用
いてもよい。また、トランジスタ２５０２ｔ及び２５０３ｔに用いられる半導体膜の結晶
性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることが
できる。また、半導体材料としては、１４族の半導体（例えば、ケイ素を有する半導体）
、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トランジ
スタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔのいずれか一方または双方に、エネルギーギ
ャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物
半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。
当該酸化物半導体としては、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、またはＮｄを表す）等が挙げられる。
＜タッチセンサに関する説明＞
次に、図２６（Ｃ）を用いて、タッチセンサ２５９５の詳細について説明する。図２６
（Ｃ）は、図２５（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ３－Ｘ４間の断面図に相当する。
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１及び電極
２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５
９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性
を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる
。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状
に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法と
しては、熱を加える方法等を挙げることができる。
例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターン形成技術により、不要な部分を除去して
、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。
また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂な
どの樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化
シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接す
る電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高
めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１
及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好
適に用いることができる。
電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられてい
る。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は
一対の電極２５９１を電気的に接続している。
なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置され
る必要はなく、０度より大きく９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また
、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミ
ニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いること
ができる。
なお、絶縁層２５９３及び配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９５
を保護してもよい。
また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる
。
接続層２５９９としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
＜タッチパネルに関する説明２＞
次に、図２７を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図２７は、図
２５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５－Ｘ６間の断面図に相当する。
図２７に示すタッチパネル２０００は、図２６（Ａ）で説明した表示装置２５０１と、
図２６（Ｃ）で説明したタッチセンサ２５９５と、を貼り合わせた構成である。
また、図２７に示すタッチパネル２０００は、図２６（Ａ）及び図２６（Ｃ）で説明し
た構成の他、接着層２５９７と、反射防止層２５６７ｐと、を有する。
タッチセンサ２５９５は、表示装置２５０１の基板２５１０側に設けられている。
接着層２５９７は、基板２５１０と基板２５９０の間にあり、表示装置２５０１とタッ
チセンサ２５９５を貼り合わせる。
また、接着層２５９７は、透光性を有すると好ましい。また、接着層２５９７としては
、熱硬化性樹脂、または紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば、アクリル系樹脂
、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いることができる。
反射防止層２５６７ｐは、画素に重なる位置に設けられる。反射防止層２５６７ｐとし
て、例えば円偏光板を用いることができる。
また、着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。また、図２７に
示す発光素子２５５０Ｒは、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する
。これにより、発光素子２５５０Ｒが発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、
図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
＜タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図２８（Ａ）（Ｂ）を用いて説明を行
う。
図２８（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図２８
（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、
図２８（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１－Ｘ６として、電流の変
化を検知する電極２６２２をＹ１－Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。ま
た、図２８（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重なることで形成される容量２
６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換え
てもよい。
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１－Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路
である。Ｘ１－Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する電
極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等によ
り容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または
接触を検出することができる。
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１－Ｙ６の配線
での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙ６の配線では、被検知体の近接、
または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または
接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検
出は、積分回路等を用いて行えばよい。
次に、図２８（Ｂ）には、図２８（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図２８（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行う。また図２８（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）
と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ１－Ｙ
６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。
Ｘ１－Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１－
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
＜センサ回路に関する説明＞
また、図２８（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設ける
パッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有する
アクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。アクティブマトリクス型のタッチ
センサに含まれるセンサ回路の一例を図２９に示す。
図２９に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ
２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に
電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１
のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方が
トランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたは
ドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。
次に、図２９に示すセンサ回路の動作について説明する。まず、信号Ｇ２としてトラン
ジスタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲー
トが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２と
してトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が
保持される。
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化する
ことに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノ
ードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、
酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにト
ランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を
長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リ
フレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置と、反射型の液晶素子とを有し、透過モ
ードと反射モードの両方の表示を行うことが可能な表示装置について、図３０乃至図３３
を用いて以下説明する。
図３０（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置３００の構成を説明する下面図である。ま
た、図３０（Ｂ）は、図３０（Ａ）の一部を説明する下面図である。なお、煩雑さを避け
るため、図３０（Ｂ）では図示する一部の構成を省略している。
図３１は、本発明の一態様の表示装置３００の構成を説明する断面図である。図３１は
、図３０（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２、Ｘ３－Ｘ４、Ｘ５－Ｘ６、Ｘ７－Ｘ８、Ｘ９－Ｘ１
０、Ｘ１１－Ｘ１２における断面図である。
図３２は、本発明の一態様の表示装置３００が有する画素３０２の回路を説明する図で
ある。
＜表示装置の構成例＞
図３０（Ａ）に示すように、本発明の一態様の表示装置３００は、画素部５０２と、画
素部５０２の外側に配置される駆動回路ＧＤ及び駆動回路ＳＤとを有する。また、画素部
５０２は、画素３０２を有する。
画素３０２は、液晶素子３５０と、発光素子５５０と、を有する。また、画素３０２は
、トランジスタ５８１を有する。また、画素３０２は、トランジスタ５８５及びトランジ
スタ５８６を有する（図３１参照）。
発光素子５５０は、液晶素子３５０が表示をする方向と同一の方向に表示をする機能を
有する。例えば、液晶素子３５０が外光を反射する強度を制御して表示をする方向を、図
３１中の破線矢印で示す。また、発光素子５５０が表示をする方向を、図３１中の実線矢
印で示す。
液晶素子３５０は、入射する光を反射する機能を有する反射膜３５１Ｂと、反射する光
の強さを制御する機能を有する材料を有する液晶層３５３と、を有する。そのため、液晶
素子３５０は、入射する光を反射する機能と、反射する光の強さを制御する機能と、を有
する。
液晶素子３５０には、反射型の液晶素子を用いることが好ましい。具体的には、液晶素
子３５０は、液晶層３５３の他に、電極３５１と、電極３５２と、を有する。電極３５１
は、光を反射する機能を有する反射膜３５１Ｂを有する。また、液晶層３５３は、液晶材
料を有する。なお、電極３５２は、電極３５１との間に液晶材料の配向を制御する電界が
形成されるよう配置される。また、液晶層３５３は、液晶素子３５０に入射し反射膜３５
１Ｂで反射する光の強さを制御する機能を有する。
電極３５１は、トランジスタ５８１と電気的に接続される。また、電極３５１は、反射
膜３５１Ｂを挟持するように、導電膜３５１Ａ及び導電膜３５１Ｃを有する構成であると
好ましい。反射膜３５１Ｂを導電膜３５１Ａ及び導電膜３５１Ｃが挟持することで、反射
膜３５１Ｂが有する元素が他の層に拡散することを抑制することができる。また、外部か
ら侵入する不純物によって反射膜３５１Ｂが汚染されることを抑制することができる。
また、導電膜３５１Ａ、及び導電膜３５１Ｃは、光を透過する機能を有することが好ま
しい。導電膜３５１Ａが光を透過する機能を有することで、外部から液晶素子３５０に入
射した光を効率よく反射膜３５１Ｂで反射させることができる。また、導電膜３５１Ｃが
光を透過する機能を有することで、後に示すように発光素子５５０が射出する光を効率よ
く外部へ取り出すことができる。
また、表示装置３００は、配向膜３３１および配向膜３３２を有する。配向膜３３２は
、配向膜３３１との間に液晶層３５３を挟持するように配設される。
また、表示装置３００は、画素３０２と重なる領域に、着色層３７５と、遮光層３７３
と、絶縁膜３７１と、機能膜３７０Ｄと、機能膜３７０Ｐと、を有する。
着色層３７５は、液晶素子３５０と重なる領域を有する。遮光層３７３は、液晶素子３
５０と重なる領域に開口部を有する。着色層３７５を設けることにより、外部から液晶素
子３５０に入射する光が着色層３７５を介して反射膜３５１Ｂに入射し、反射膜３５１Ｂ
で反射した光が着色層３７５を介して外部へ取り出されるため、外部から液晶素子３５０
に入射し、反射する光を所定の色で外部に取り出すことができる。
絶縁膜３７１は、着色層３７５と液晶層３５３との間、または遮光層３７３と液晶層３
５３との間に配設される。これにより、遮光層３７３または着色層３７５等から液晶層３
５３への不純物の拡散を抑制することができる。また、着色層３７５の厚さに基づく凹凸
を平坦にするよう絶縁膜３７１を配設してもよい。
機能膜３７０Ｄ及び機能膜３７０Ｐは、液晶素子３５０と重なる領域を有する。機能膜
３７０Ｄは、液晶素子３５０との間に、基板３７０を挟持するように配設される。機能膜
３７０Ｄ及び機能膜３７０Ｐには、液晶素子３５０及び発光素子５５０の表示を鮮明にす
る機能を有する膜や、表示装置３００の表面を保護する機能を有する膜などを用いること
ができる。なお、機能膜３７０Ｄ及び機能膜３７０Ｐは、どちらか一方であってもよい。
また、表示装置３００は、基板３７０と、基板５７０と、機能層５２０と、を有する。
基板３７０は、基板５７０と重なる領域を有する。機能層５２０は、基板５７０および
基板３７０との間に配設される。
機能層５２０は、画素３０２が有するトランジスタと、発光素子５５０と、絶縁膜５２
１と、絶縁膜５２８と、を有する。
絶縁膜５２１は、画素３０２が有するトランジスタおよび発光素子５５０との間に配設
される。絶縁膜５２１は、絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化
することができるよう形成されると好ましい。
また、発光素子５５０の構成としては、実施の形態１及び実施の形態２で示した本発明
の一態様の発光装置の構成を用いることが好ましい。
発光素子５５０は、電極５５１と、電極５５２と、発光層５５３と、を有する。電極５
５２は、電極５５１と重なる領域を有し、発光層５５３は、電極５５１及び電極５５２の
間に配設される。そして、電極５５１は、接続部５２２において、画素３０２が有するト
ランジスタ５８５と電気的に接続される。
発光素子５５０が、ボトムエミッション型である場合、電極５５２は、光を反射する機
能を有することが好ましい。そのため、電極５５２は、光を反射する機能を有する反射膜
を有することが好ましい。また、電極５５１は、光を透過する機能を有することが好まし
い。
また、絶縁膜５２８は、電極５５１と電極５５２とで挟持される領域を有する。絶縁膜
５２８は、絶縁性を有し、電極５５１及び電極５５２の短絡を防止することができる。そ
のためには、電極５５１の側端部は、絶縁膜５２８と接する領域を有すると好ましい。ま
た、絶縁膜５２８は、発光素子５５０と重なる領域に開口部を有し、該開口部において、
発光素子５５０が発光する。
発光層５５３は、発光性の材料として、有機材料または無機材料を有することが好まし
い。具体的には、蛍光発光性の有機材料、または燐光発光性の有機材料を用いることがで
きる。また、量子ドットなどの発光性の無機材料を用いることができる。
また、液晶素子３５０が有する反射膜３５１Ｂは、開口部３５１Ｈを有する。開口部３
５１Ｈは、光を透過する機能を有する導電膜３５１Ａ及び導電膜３５１Ｃと重なる領域を
有する。発光素子５５０は、開口部３５１Ｈに向けて光を射出する機能を有する。換言す
ると、液晶素子３５０は、反射膜３５１Ｂと重なる領域に表示を行う機能を有し、発光素
子５５０は、開口部３５１Ｈと重なる領域に表示を行う機能を有する。
また、液晶素子は、反射膜３５１Ｂと重なる領域に表示をする機能を有し、発光素子は
、開口部３５１Ｈと重なる領域に表示をする機能を有するため、発光素子５５０は、液晶
素子３５０が表示をする領域に囲まれた領域に表示をする機能を有する（図３０（Ｂ）参
照）。
以上のように、反射型の液晶素子を液晶素子３５０に用い、発光素子を発光素子５５０
に用い、明るい環境下においては反射型の液晶素子３５０により表示を行い、暗い環境下
においては発光素子５５０が射出する光を用いて表示を行うことで、消費電力が低減され
、明るい環境下でも暗い環境下でも視認性の高く利便性の高い表示装置を提供することが
できる。また、薄暗い環境下においては、外光を利用した反射型の液晶素子による表示と
、発光素子が射出する光を用いた表示を行うことで、視認性が高く消費電力が低減された
利便性の高い表示装置を提供することができる。
また、本発明の一態様の表示装置は、発光素子５５０と重なる領域に、光学素子（例え
ば、着色層、色変換層（例えば量子ドット等）、偏光板、反射防止膜等）として機能する
着色層３７５、機能膜３７０Ｄ、及び機能膜３７０Ｐを有する。そのため、発光素子５５
０が呈する発光の色純度を向上させることができ、表示装置３００の色純度を高めること
ができる。あるいは、表示装置３００のコントラスト比を高めることができる。なお、機
能膜３７０Ｄ及び機能膜３７０Ｐには、例えば、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射
防止膜または集光フィルム等を用いることができる。または、２色性色素を含む偏光板を
用いることができる。また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする
撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜３７０Ｄ及び
機能膜３７０Ｐに用いることができる。
また、液晶素子３５０と発光素子５５０とに挟持され開口部３５１Ｈと重なる領域に、
着色層５７５を有する構成であってもよい。このような構成とすることで、発光素子５５
０から射出される光が着色層５７５及び着色層３７５を通して外部に射出されるため、発
光素子５５０から射出される光の色純度を高めることができ、且つ、発光素子５５０から
射出される光の強度を高めることができる。
なお、所定の色の光を透過する材料を着色層３７５及び着色層５７５に用いることがで
きる。これにより、着色層３７５及び着色層５７５を例えばカラーフィルタに用いること
ができる。例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料、赤色の光を透過
する材料、黄色の光を透過する材料または白色の光を透過する材料などを着色層３７５及
び着色層５７５に用いることができる。
また、図３１に示す表示装置３００に、タッチパネルを設ける構成としてもよい。当該
タッチパネルとしては、静電容量方式（表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等）を
好適に用いることができる。
＜画素および配線等の配置例＞
駆動回路ＧＤは、走査線ＧＬ１及びＧＬ２と電気的に接続される。駆動回路ＧＤは、例
えば、トランジスタ５８６を有する。具体的には、画素３０２が有するトランジスタ（例
えばトランジスタ５８１）と同じ工程で形成することができる半導体膜を有するトランジ
スタを、トランジスタ５８６に用いることができる（図３１参照）。
駆動回路ＳＤは、信号線ＳＬ１及びＳＬ２と電気的に接続される。駆動回路ＳＤは、例
えば、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同一の工程で形成することができる端子に、導
電性材料を用いて電気的に接続される。
また、画素３０２は、信号線ＳＬ１と電気的に接続される（図３２参照）。なお、トラ
ンジスタ５８１のソース電極またはドレイン電極の一方が、信号線ＳＬ１と電気的に接続
されると好ましい（図３１および図３２参照）。
図３３（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置３００に用いることができる画素の回路お
よび配線等の配置を説明するブロック図である。また、図３３（Ｂ－１）および図３３（
Ｂ－２）は、本発明の一態様の表示装置３００に用いることができる開口部３５１Ｈの配
置を説明する模式図である。
なお、本発明の一態様の表示装置３００は、複数の画素３０２を有する。画素３０２は
、それぞれ液晶素子３５０、発光素子５５０、トランジスタ５８１、及びトランジスタ５
８５等を有し、行方向（図３３（Ａ）において矢印Ｒで示す方向）、及び行方向と交差す
る列方向（図３３（Ａ）において矢印Ｃで示す方向）に配設される。
行方向に配設される一群の画素３０２は、走査線ＧＬ１と電気的に接続される。また、
列方向に配設される他の一群の画素３０２は、信号線ＳＬ１と電気的に接続される。
例えば、画素３０２の行方向（図３３（Ｂ－１）において矢印Ｒで示す方向）に隣接す
る画素は、画素３０２が有する開口部３５１Ｈの配置と異なるように、配設される開口部
を有する。また、例えば、画素３０２の列方向（図３３（Ｂ－２）において矢印Ｃで示す
方向）に隣接する画素は、画素３０２が有する開口部３５１Ｈの配置と異なるように、配
置される開口部を有する。
また、多角形（例えば四角形や十字等）、楕円形、または円形等の形状を開口部３５１
Ｈの形状に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開
口部３５１Ｈの形状に用いることができる。また、開口部３５１Ｈを隣接する画素に寄せ
て配置してもよい。好ましくは、開口部３５１Ｈを同じ色を表示する機能を有する他の画
素に寄せて配置する。これにより、発光素子５５０が射出する光が隣接する画素に配置さ
れた着色膜に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制できる。
以上のように、本発明の一態様の表示装置３００は、画素３０２を有し、画素３０２は
、液晶素子３５０と、発光素子５５０とを有し、液晶素子３５０が有する電極３５１は、
画素３０２が有するトランジスタ５８１と電気的に接続し、発光素子５５０が有する電極
５５１は、画素３０２が有するトランジスタ５８５と電気的に接続し、発光素子５５０は
、開口部３５１Ｈを通して光を射出する機能を有し、液晶素子３５０は、表示装置３００
に入射する光を反射する機能を有する。
これによって、例えば同一の工程を用いて形成することができるトランジスタを用いて
、液晶素子３５０と、発光素子５５０と、を駆動することができる。
＜表示装置の構成要素＞
画素３０２は、信号線ＳＬ１、信号線ＳＬ２、走査線ＧＬ１、走査線ＧＬ２、配線ＣＳ
ＣＯＭおよび配線ＡＮＯと電気的に接続される（図３２参照）。
なお、信号線ＳＬ２に供給する信号に用いる電圧が、隣接する画素の信号線ＳＬ１に供
給する信号に用いる電圧と異なる場合、隣接する画素の信号線ＳＬ１を信号線ＳＬ２から
離して配置する。具体的には、信号線ＳＬ２と隣接する画素の信号線ＳＬ２とが隣接する
ように配置する。
画素３０２は、トランジスタ５８１、容量素子Ｃ１、トランジスタ５８２、トランジス
タ５８５および容量素子Ｃ２を有する。
例えば、走査線ＧＬ１と電気的に接続されるゲート電極と、信号線ＳＬ１と電気的に接
続される第１の電極（ソース電極及びドレイン電極の一方）と、を有するトランジスタを
、トランジスタ５８１に用いることができる。
容量素子Ｃ１は、トランジスタ５８１の第２の電極（ソース電極及びドレイン電極の他
方）に電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭに電気的に接続される第２の電
極と、を有する。
例えば、走査線ＧＬ２と電気的に接続されるゲート電極と、信号線ＳＬ２と電気的に接
続される第１の電極（ソース電極及びドレイン電極の一方）と、を有するトランジスタを
、トランジスタ５８２に用いることができる。
トランジスタ５８５は、トランジスタ５８２の第２の電極（ソース電極及びドレイン電
極の他方）に電気的に接続されるゲート電極と、配線ＡＮＯと電気的に接続される第１の
電極（ソース電極及びドレイン電極の一方）と、を有する。
なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を有するトランジス
タを、トランジスタ５８５に用いることができる。例えば、トランジスタ５８５の第１の
電極（ソース電極及びドレイン電極の一方）と同じ電位を供給することができる配線と、
電気的に接続された導電膜を該導電膜に用いることができる。
容量素子Ｃ２は、トランジスタ５８２の第２の電極（ソース電極及びドレイン電極の他
方）に電気的に接続される第１の電極と、トランジスタ５８５の第１の電極（ソース電極
及びドレイン電極の一方）に電気的に接続される第２の電極と、を有する。
なお、液晶素子３５０の第１の電極をトランジスタ５８１の第２の電極（ソース電極及
びドレイン電極の他方）と電気的に接続し、液晶素子３５０の第２の電極を配線ＶＣＯＭ
１と電気的に接続する。これにより、液晶素子３５０を駆動することができる。
また、発光素子５５０の第１の電極をトランジスタ５８５の第２の電極（ソース電極及
びドレイン電極の他方）と電気的に接続し、発光素子５５０の第２の電極を配線ＶＣＯＭ
２と電気的に接続する。これにより、発光素子５５０を駆動することができる。
≪画素の構成要素≫
また、画素３０２は、絶縁膜５０１Ｃと、中間膜３５４と、を有する。また、画素３０
２は、トランジスタ５８１を有する。また、画素３０２は、トランジスタ５８５及びトラ
ンジスタ５８６を有する。これらのトランジスタに用いる半導体膜は、酸化物半導体であ
ると好ましい。
また、表示装置３００は、端子５１９Ｂを有し、端子５１９Ｂは、導電膜５１１Ｂと、
中間膜３５４と、を有する。また、表示装置３００は、端子５１９Ｃと、導電体３３７と
を有し、端子５１９Ｃは、導電膜５１１Ｃと、中間膜３５４とを有する（図３１参照）。
例えば、水素を透過または供給する機能を備える材料を中間膜３５４に用いることができ
る。また、導電性を有する材料を中間膜３５４に用いることができる。また、透光性を有
する材料を中間膜３５４に用いることができる。
絶縁膜５０１Ｃは、絶縁膜５０１Ａと導電膜５１１Ｂとの間に挟持される領域を有する
。
導電膜５１１Ｂは、画素３０２と電気的に接続される。例えば、電極３５１または第１
の導電膜を反射膜３５１Ｂに用いる場合、端子５１９Ｂの接点として機能する面は、電極
３５１における、液晶素子３５０に入射する光に向いている面と同じ方向を向いている。
また、導電性材料３３９を用いて、フレキシブルプリント基板３７７と端子５１９Ｂと
を電気的に接続することができる。これにより、端子５１９Ｂを介して電力または信号を
、画素３０２に供給することができる。
導電膜５１１Ｃは、画素３０２と電気的に接続される。例えば、電極３５１または第１
の導電膜を反射膜３５１Ｂに用いる場合、端子５１９Ｃの接点として機能する面は、電極
３５１における、液晶素子３５０に入射する光に向いている面と同じ方向を向いている。
導電体３３７は、端子５１９Ｃと電極３５２との間に挟持され、端子５１９Ｃと電極３
５２とを電気的に接続する。例えば、導電性の粒子を導電体３３７に用いることができる
。
また、表示装置３００は、接合層５０５と、シール材３１５と、構造体３３５と、を有
する。
接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０との間に配設され、機能層５２０およ
び基板５７０を貼り合わせる機能を有する。接合層５０５には、例えば、シール材３１５
に用いることができる材料を用いることができる。
シール材３１５は、機能層５２０および基板３７０との間に配設され、機能層５２０お
よび基板５７０を貼り合せる機能を有する。
構造体３３５は、機能層５２０および基板５７０との間に所定の間隔を設ける機能を有
する。
構造体３３５等には、例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材
料を用いることができる。これにより、構造体３３５等を挟む構成の間に所定の間隔を設
けることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択さ
れた複数の樹脂の複合材料などを用いることができる。また、感光性を有する材料を用い
て形成してもよい。
≪液晶素子の構成要素≫
次に、本発明の一態様の表示装置を構成する液晶素子の構成例について説明する。
液晶素子３５０は、光の反射または透過を制御する機能を有する。例えば、液晶素子と
偏光板とを組み合わせた構成、またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いること
ができる。また、反射型の表示素子を用いることにより、表示装置の消費電力を低減する
ことができる。具体的には、反射型の液晶素子を液晶素子３５０に用いることが好ましい
。
ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎ
ｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モー
ド、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅ
ｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉ
ｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いること
ができる。
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉ
ｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖ
ｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃ
ｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏ
ｕｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓ
ｕｐｅｒ－Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用
いることができる。
また、液晶素子３５０の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌ
ｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホスト
モードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子およびその駆動方式として様々
なものを用いることができる。
液晶素子３５０には、液晶素子に用いることができる液晶材料等を用いればよい。例え
ば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶
、反強誘電性液晶等を用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相
、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができ
る。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
また、配向膜を用いないブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）を示す液晶を用いてもよい
。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリッ
ク相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現
しないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成
物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度
が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、かつ、視野角
依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラ
ビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表
示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させる
ことが可能となる。
また、画素（ピクセル）をいくつかの領域（サブピクセル）に分け、それぞれ別の方向
に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれ
る方法を用いることができる。
≪トランジスタの構成要素≫
トランジスタ５８１、トランジスタ５８２、トランジスタ５８５、トランジスタ５８６
等には、例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタを用いることが
できる。
また、例えば、第１４族の元素を含む半導体を上記トランジスタの半導体膜に利用する
ことができる。具体的には、シリコンを含む半導体をトランジスタの半導体膜に用いるこ
とができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファ
スシリコンなどをトランジスタの半導体膜に用いることができる。
また、トランジスタ５８１、トランジスタ５８２、トランジスタ５８５、トランジスタ
５８６等には、例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することが
できる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛
を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
酸化物半導体を用いたトランジスタをトランジスタ５８１、トランジスタ５８２、トラ
ンジスタ５８５、トランジスタ５８６等に用いることで、アモルファスシリコンを半導体
膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持する
ことができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しなが
ら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の
頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減す
ることができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせ
て用いることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図３４乃至図３８を用いて説明を行う。
＜表示モジュールに関する説明＞
図３４に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチセンサ８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
た表示装置８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有
する。
本発明の一態様の発光装置は、例えば、表示装置８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチセンサ８００４及び表示装置８
００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチセンサ８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを表示装置８
００６に重ねて用いることができる。また、表示装置８００６の対向基板（封止基板）に
、タッチセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示装置８００６の
各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。
フレーム８００９は、表示装置８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作
により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレー
ム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
＜電子機器に関する説明＞
図３５（Ａ）乃至図３５（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又
は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、
加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電
場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する
機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有することができる。また、センサ９
００７は、脈拍センサや指紋センサ等のように生体情報を測定する機能を有してもよい。
図３５（Ａ）乃至図３５（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。
例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッ
チセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（
プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々な
コンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信ま
たは受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表
示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図３５（Ａ）乃至図３５（Ｇ）に
示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。また、図３５（Ａ）乃至図３５（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、
複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を
撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵
）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図３５（Ａ）乃至図３５（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図３５（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が
有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に
沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセン
サを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表
示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することが
できる。
図３５（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は
、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具
体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、
スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図
３５（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯
情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、
３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００
１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９０
０１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メール
やＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示
、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バ
ッテリの残量、電波等の受信信号の強度を示す表示などがある。または、情報９０５１が
表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示しても
よい。
筐体９０００の材料としては、合金、プラスチック、セラミックス等を用いることがで
きる。プラスチックとしては強化プラスチックを用いることもできる。強化プラスチック
の一種である炭素繊維強化樹脂複合材（Ｃａｒｂｏｎ Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅ
ｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ：ＣＦＲＰ）は軽量であり、且つ、腐食しない利点がある。また、
他の強化プラスチックとしては、ガラス繊維を用いた強化プラスチック、アラミド繊維を
用いた強化プラスチックを挙げることができる。合金としては、アルミニウム合金やマグ
ネシウム合金が挙げられるが、中でもジルコニウムと銅とニッケルとチタンを含む非晶質
合金（金属ガラスとも呼ばれる）が弾性強度の点で優れている。この非晶質合金は、室温
においてガラス遷移領域を有する非晶質合金であり、バルク凝固非晶質合金とも呼ばれ、
実質的に非晶質原子構造を有する合金である。凝固鋳造法により、少なくとも一部の筐体
の鋳型内に合金材料が鋳込まれ、凝固させて一部の筐体をバルク凝固非晶質合金で形成す
る。非晶質合金は、ジルコニウム、銅、ニッケル、チタン以外にもベリリウム、シリコン
、ニオブ、ボロン、ガリウム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、イ
ットリウム、バナジウム、リン、炭素などを含んでもよい。また、非晶質合金は、凝固鋳
造法に限定されず、真空蒸着法、スパッタ法、電解めっき法、無電解メッキ法などによっ
て形成してもよい。また、非晶質合金は、全体として長距離秩序（周期構造）を持たない
状態を維持するのであれば、微結晶またはナノ結晶を含んでもよい。なお、合金とは、単
一の固体相構造を有する完全固溶体合金と、２つ以上の相を有する部分溶体の両方を含む
こととする。筐体９０００に非晶質合金を用いることで高い弾性を有する筐体を実現でき
る。従って、携帯情報端末９１０１を落下させても、筐体９０００が非晶質合金であれば
、衝撃が加えられた瞬間には一時的に変形しても元に戻るため、携帯情報端末９１０１の
耐衝撃性を向上させることができる。
図３５（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は
、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、
情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携
帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状
態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信し
た電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位
置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示
を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図３５（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末
９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信
、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表
示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行するこ
とが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハン
ズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を
有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。ま
た接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００
６を介さずに無線給電により行ってもよい。
図３５（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図であ
る。また、図３５（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図３５
（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図３５（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状
態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２
０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００
に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることによ
り、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させるこ
とができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲
げることができる。
また、電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信
機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、
デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、ゴーグル型
ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再
生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を
用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイ
オンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、リチウムイオン電池、ニッケル水素電
池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜
鉛電池などが挙げられる。
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信す
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池
を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
図３６（Ａ）は携帯型ゲーム機であり、筐体７１０１、筐体７１０２、表示部７１０３
、表示部７１０４、マイク７１０５、スピーカ７１０６、操作キー７１０７、スタイラス
７１０８等を有する。表示部７１０３または表示部７１０４に本発明の一態様に係る発光
装置を用いることで、ユーザーの使用感に優れ、品質の低下が起こりにくい携帯型ゲーム
機を提供することができる。なお、図３６（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つの表示
部７１０３と表示部７１０４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、
これに限定されない。
図３６（Ｂ）はビデオカメラであり、筐体７７０１、筐体７７０２、表示部７７０３、
操作キー７７０４、レンズ７７０５、接続部７７０６等を有する。操作キー７７０４およ
びレンズ７７０５は筐体７７０１に設けられており、表示部７７０３は筐体７７０２に設
けられている。そして、筐体７７０１と筐体７７０２とは、接続部７７０６により接続さ
れており、筐体７７０１と筐体７７０２の間の角度は、接続部７７０６により変更が可能
である。表示部７７０３における映像を、接続部７７０６における筐体７７０１と筐体７
７０２との間の角度にしたがって切り替える構成としてもよい。
図３６（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体７１２１、表示部７１２
２、キーボード７１２３、ポインティングデバイス７１２４等を有する。なお、表示部７
１２２は、非常に画素密度が高く高精細とすることができるため、中小型でありながら８
ｋの表示を行うことができ、非常に鮮明な画像を得ることができる。
図３６（Ｄ）には、ヘッドマウントディスプレイ７２００の外観を示している。
ヘッドマウントディスプレイ７２００は、装着部７２０１、レンズ７２０２、本体７２
０３、表示部７２０４、ケーブル７２０５等を有している。また装着部７２０１には、バ
ッテリ７２０６が内蔵されている。
ケーブル７２０５は、バッテリ７２０６から本体７２０３に電力を供給する。本体７２
０３は無線受信機等を備え、受信した画像データ等の映像情報を表示部７２０４に表示さ
せることができる。また、本体７２０３に設けられたカメラで使用者の眼球やまぶたの動
きを捉え、その情報をもとに使用者の視点の座標を算出することにより、使用者の視点を
入力手段として用いることができる。
また、装着部７２０１には、使用者に触れる位置に複数の電極が設けられていてもよい
。本体７２０３は使用者の眼球の動きに伴って電極に流れる電流を検知することにより、
使用者の視点を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流を検知す
ることにより、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部７２０
１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使
用者の生体情報を表示部７２０４に表示する機能を有していてもよい。また、使用者の頭
部の動きなどを検出し、表示部７２０４に表示する映像をその動きに合わせて変化させて
もよい。
図３６（Ｅ）に、カメラ７３００の外観を示す。カメラ７３００は、筐体７３０１、表
示部７３０２、操作ボタン７３０３、シャッターボタン７３０４、結合部７３０５等を有
する。またカメラ７３００には、レンズ７３０６を取り付けることができる。
結合部７３０５は、電極を有し、後述するファインダー７４００のほか、ストロボ装置
等を接続することができる。
ここではカメラ７３００として、レンズ７３０６を筐体７３０１から取り外して交換す
ることが可能な構成としたが、レンズ７３０６と筐体７３０１が一体となっていてもよい
。
シャッターボタン７３０４を押すことにより、撮像することができる。また、表示部７
３０２はタッチセンサを有し、表示部７３０２を操作することにより撮像することも可能
である。
表示部７３０２に、本発明の一態様の表示装置、またはタッチセンサを適用することが
できる。
図３６（Ｆ）には、カメラ７３００にファインダー７４００を取り付けた場合の例を示
している。
ファインダー７４００は、筐体７４０１、表示部７４０２、ボタン７４０３等を有する
。
筐体７４０１には、カメラ７３００の結合部７３０５と係合する結合部を有しており、
ファインダー７４００をカメラ７３００に取り付けることができる。また当該結合部には
電極を有し、当該電極を介してカメラ７３００から受信した映像等を表示部７４０２に表
示させることができる。
ボタン７４０３は、電源ボタンとしての機能を有する。ボタン７４０３により、表示部
７４０２の表示のオンとオフとを切り替えることができる。
なお、図３６（Ｅ）（Ｆ）では、カメラ７３００とファインダー７４００とを別の電子
機器とし、これらを脱着可能な構成としたが、カメラ７３００の筐体７３０１に、本発明
の一態様の表示装置、またはタッチセンサを備えるファインダーが内蔵されていてもよい
。
図３７（Ａ）乃至（Ｅ）は、ヘッドマウントディスプレイ７５００及び７５１０の外観
を示す図である。
ヘッドマウントディスプレイ７５００は、筐体７５０１、２つの表示部７５０２、操作
ボタン７５０３、及びバンド状の固定具７５０４を有する。
ヘッドマウントディスプレイ７５００は、上記ヘッドマウントディスプレイ７２００が
有する機能に加え、２つの表示部を備える。
２つの表示部７５０２を有することで、使用者は片方の目につき１つの表示部を見るこ
とができる。これにより、視差を用いた３次元表示等を行う際であっても、高い解像度の
映像を表示することができる。また、表示部７５０２は使用者の目を概略中心とした円弧
状に湾曲している。これにより、使用者の目から表示部の表示面までの距離が一定となる
ため、使用者はより自然な映像を見ることができる。また、表示部からの光の輝度や色度
が見る角度によって変化してしまうような場合であっても、表示部の表示面の法線方向に
使用者の目が位置するため、実質的にその影響を無視することができるため、より現実感
のある映像を表示することができる。
操作ボタン７５０３は、電源ボタンなどの機能を有する。また操作ボタン７５０３の他
にボタンを有していてもよい。
また、ヘッドマウントディスプレイ７５１０は、筐体７５０１、表示部７５０２、バン
ド状の固定具７５０４、及び一対のレンズ７５０５を有する。
使用者は、レンズ７５０５を通して、表示部７５０２の表示を視認することができる。
なお、表示部７５０２を湾曲して配置させると好適である。表示部７５０２を湾曲して配
置することで、使用者が高い臨場感を感じることができる。
表示部７５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態
様の表示装置は、精細度を高くすることが可能なため、図３７（Ｅ）のようにレンズ７５
０５を用いて拡大したとしても、使用者に画素が視認されることなく、より現実感の高い
映像を表示することができる。
図３８（Ａ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置９３００は、筐体９
０００に表示部９００１が組み込まれている。ここでは、スタンド９３０１により筐体９
０００を支持した構成を示している。
図３８（Ａ）に示すテレビジョン装置９３００の操作は、筐体９０００が備える操作ス
イッチや、別体のリモコン操作機９３１１により行うことができる。または、表示部９０
０１にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部９００１に触れることで操作して
もよい。リモコン操作機９３１１は、当該リモコン操作機９３１１から出力する情報を表
示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機９３１１が備える操作キー又はタッチ
パネルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９００１に表示される
映像を操作することができる。
なお、テレビジョン装置９３００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線
による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向
（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
また、本発明の一態様の電子機器又は照明装置は可撓性を有するため、家屋やビルの内
壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能で
ある。
図３８（Ｂ）に自動車９７００の外観を示す。図３８（Ｃ）に自動車９７００の運転席
を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、ダッシュボード９７０３、ラ
イト９７０４等を有する。本発明の一態様の表示装置又は発光装置等は、自動車９７００
の表示部などに用いることができる。例えば、図３８（Ｃ）に示す表示部９７１０乃至表
示部９７１５に本発明の一態様の表示装置又は発光装置等を設けることができる。
表示部９７１０と表示部９７１１は、自動車のフロントガラスに設けられた表示装置で
ある。本発明の一態様の表示装置又は発光装置等は、電極や配線を、透光性を有する導電
性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態とする
ことができる。表示部９７１０や表示部９７１１がシースルー状態であれば、自動車９７
００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の表示装置又は
発光装置等を自動車９７００のフロントガラスに設置することができる。なお、表示装置
又は発光装置等を駆動するためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を
用いた有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するト
ランジスタを用いるとよい。
表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた
撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を
補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置であ
る。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによ
って、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側
に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高める
ことができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和
感なく安全確認を行うことができる。
また、図３８（Ｄ）は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示し
ている。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けら
れた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界
を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置であ
る。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお
、表示装置を座面や背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱
を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。
表示部９７１４、表示部９７１５、または表示部９７２２はナビゲーション情報、スピ
ードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その
他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目やレイアウト
などは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部
９７１０乃至表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができ
る。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照
明装置として用いることも可能である。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示
部９７２１乃至表示部９７２３は加熱装置として用いることも可能である。
図３９（Ａ）（Ｂ）に示す表示装置９５００は、複数の表示パネル９５０１と、軸部９
５１１と、軸受部９５１２と、を有する。また、複数の表示パネル９５０１は、表示領域
９５０２と、透光性を有する領域９５０３と、を有する。
また、複数の表示パネル９５０１は、可撓性を有する。また、隣接する２つの表示パネ
ル９５０１は、それらの一部が互いに重なるように設けられる。例えば、隣接する２つの
表示パネル９５０１の透光性を有する領域９５０３を重ね合わせることができる。複数の
表示パネル９５０１を用いることで、大画面の表示装置とすることができる。また、使用
状況に応じて、表示パネル９５０１を巻き取ることが可能であるため、汎用性に優れた表
示装置とすることができる。
また、図３９（Ａ）（Ｂ）においては、表示領域９５０２が隣接する表示パネル９５０
１で離間する状態を図示しているが、これに限定されず、例えば、隣接する表示パネル９
５０１の表示領域９５０２を隙間なく重ねあわせることで、連続した表示領域９５０２と
してもよい。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
る。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器にも適用すること
ができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部においては、可撓性を有
し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り畳み可能な表示部
の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面部に表示を行う構
成としてもよい。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図４０及び図４１を用いて説
明する。
本実施の形態で示す、発光装置３０００の斜視図を図４０（Ａ）に、図４０（Ａ）に示
す一点鎖線Ｅ－Ｆ間に相当する断面図を図４０（Ｂ）に、それぞれ示す。なお、図４０（
Ａ）において、図面の煩雑さを避けるために、構成要素の一部を破線で表示している。
図４０（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置３０００は、基板３００１と、基板３００１上の発
光素子３００５と、発光素子３００５の外周に設けられた第１の封止領域３００７と、第
１の封止領域３００７の外周に設けられた第２の封止領域３００９と、を有する。
また、発光素子３００５からの発光は、基板３００１及び基板３００３のいずれか一方
または双方から射出される。図４０（Ａ）（Ｂ）においては、発光素子３００５からの発
光が下方側（基板３００１側）に射出される構成について説明する。
また、図４０（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光装置３０００は、発光素子３００５が第
１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００９とに、囲まれて配置される二重封止構
造である。二重封止構造とすることで、発光素子３００５側に入り込む外部の不純物（例
えば、水、酸素など）を、好適に抑制することができる。ただし、第１の封止領域３００
７及び第２の封止領域３００９を、必ずしも設ける必要はない。例えば、第１封止領域３
００７のみの構成としてもよい。
なお、図４０（Ｂ）において、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９は
、基板３００１及び基板３００３と接して設けられる。ただし、これに限定されず、例え
ば、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３０
０１の上方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。
または、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板
３００３の下方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよ
い。
基板３００１及び基板３００３としては、それぞれ先の実施の形態に記載の基板２００
と、基板２２０と同様の構成とすればよい。発光素子３００５としては、先の実施の形態
に記載の発光素子と同様の構成とすればよい。
第１の封止領域３００７としては、ガラスを含む材料（例えば、ガラスフリット、ガラ
スリボン等）を用いればよい。また、第２の封止領域３００９としては、樹脂を含む材料
を用いればよい。第１の封止領域３００７として、ガラスを含む材料を用いることで、生
産性や封止性を高めることができる。また、第２の封止領域３００９として、樹脂を含む
材料を用いることで、耐衝撃性や耐熱性を高めることができる。ただし、第１の封止領域
３００７と、第２の封止領域３００９とは、これに限定されず、第１の封止領域３００７
が樹脂を含む材料で形成され、第２の封止領域３００９がガラスを含む材料で形成されて
もよい。
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、
酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸
化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸
化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸化マ
ンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、
酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス
、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少なく
とも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、基板上にフリットペーストを塗布し、
これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペーストには、上記ガラスフリ
ットと、有機溶媒で希釈した樹脂（バインダとも呼ぶ）とが含まれる。また、ガラスフリ
ットにレーザ光の波長の光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レー
ザとして、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザや半導体レーザなどを用いることが好ましい。ま
た、レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。
また、上述の樹脂を含む材料としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリ
アミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、
ポリウレタン、エポキシ樹脂を用いることができる。もしくは、シリコーンなどのシロキ
サン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
なお、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９のいずれか一方または双方
にガラスを含む材料を用いる場合、当該ガラスを含む材料と、基板３００１との熱膨張率
が近いことが好ましい。上記構成とすることで、熱応力によりガラスを含む材料または基
板３００１にクラックが入るのを抑制することができる。
例えば、第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用い、第２の封止領域３００９
に樹脂を含む材料を用いる場合、以下の優れた効果を有する。
第２の封止領域３００９は、第１の封止領域３００７よりも、発光装置３０００の外周
部に近い側に設けられる。発光装置３０００は、外周部に向かうにつれ、外力等による歪
みが大きくなる。よって、歪みが大きくなる発光装置３０００の外周部側、すなわち第２
の封止領域３００９に、樹脂を含む材料によって封止し、第２の封止領域３００９よりも
内側に設けられる第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用いて封止することで、
外力等の歪みが生じても発光装置３０００が壊れにくくなる。
また、図４０（Ｂ）に示すように、基板３００１、基板３００３、第１の封止領域３０
０７、及び第２の封止領域３００９に囲まれた領域には、第１の領域３０１１が形成され
る。また、基板３００１、基板３００３、発光素子３００５、及び第１の封止領域３００
７に囲まれた領域には、第２の領域３０１３が形成される。
第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、例えば、希ガスまたは窒素ガス
等の不活性ガスが充填されていると好ましい。あるいは、アクリルやエポキシ等の樹脂が
充填されていると好ましい。なお、第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては
、大気圧状態よりも減圧状態であると好ましい。
また、図４０（Ｂ）に示す構成の変形例を図４０（Ｃ）に示す。図４０（Ｃ）は、発光
装置３０００の変形例を示す断面図である。
図４０（Ｃ）は、基板３００３の一部に凹部を設け、該凹部に乾燥剤３０１８を設ける
構成である。それ以外の構成については、図４０（Ｂ）に示す構成と同じである。
乾燥剤３０１８としては、化学吸着によって水分等を吸着する物質、または物理吸着に
よって水分等を吸着する物質を用いることができる。例えば、乾燥剤３０１８として用い
ることができる物質としては、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、
シリカゲル等が挙げられる。
次に、図４０（Ｂ）に示す発光装置３０００の変形例について、図４１（Ａ）（Ｂ）（
Ｃ）（Ｄ）を用いて説明する。なお、図４１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は、図４０（Ｂ）
に示す発光装置３０００の変形例を説明する断面図である。
図４１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す発光装置は、第２の封止領域３００９を設けず
に、第１の封止領域３００７とした構成である。また、図４１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）
に示す発光装置は、図４０（Ｂ）に示す第２の領域３０１３の代わりに領域３０１４を有
する。
領域３０１４としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロ
ン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、ポリウレタン、
エポキシ樹脂を用いることができる。もしくは、シリコーンなどのシロキサン結合を有す
る樹脂を含む材料を用いることができる。
領域３０１４として、上述の材料を用いることで、いわゆる固体封止の発光装置とする
ことができる。
また、図４１（Ｂ）に示す発光装置は、図４１（Ａ）に示す発光装置の基板３００１側
に、基板３０１５を設ける構成である。
基板３０１５は、図４１（Ｂ）に示すように凹凸を有する。凹凸を有する基板３０１５
を、発光素子３００５の光を取り出す側に設ける構成とすることで、発光素子３００５か
らの光の取出し効率を向上させることができる。なお、図４１（Ｂ）に示すような凹凸を
有する構造の代わりに、拡散板として機能する基板を設けてもよい。
また、図４１（Ｃ）に示す発光装置は、図４１（Ａ）に示す発光装置が基板３００１側
から光を取り出す構造であったのに対し、基板３００３側から光を取り出す構造である。
図４１（Ｃ）に示す発光装置は、基板３００３側に基板３０１５を有する。それ以外の
構成は、図４１（Ｂ）に示す発光装置と同様である。
また、図４１（Ｄ）に示す発光装置は、図４１（Ｃ）に示す発光装置の基板３００３、
３０１５を設けずに、基板３０１６を設ける構成である。
基板３０１６は、発光素子３００５の近い側に位置する第１の凹凸と、発光素子３００
５の遠い側に位置する第２の凹凸と、を有する。図４１（Ｄ）に示す構成とすることで、
発光素子３００５からの光の取出し効率をさらに、向上させることができる。
したがって、本実施の形態に示す構成を実施することにより、水分や酸素などの不純物
による劣化が抑制された発光装置を実現することができる。または、本実施の形態に示す
構成を実施することにより、光取出し効率の高い発光装置を実現することができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせること
ができる。
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を様々な照明装置及び電子機器に適用す
る一例について、図４２及び図４３を用いて説明する。
本発明の一態様の発光装置を、可撓性を有する基板上に作製することで、曲面を有する
発光領域を有する電子機器、照明装置を実現することができる。
また、本発明の一態様を適用した発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、
例えば、ダッシュボードや、フロントガラス、天井等に照明を設置することもできる。
図４２（Ａ）は、多機能端末３５００の一方の面の斜視図を示し、図４２（Ｂ）は、多
機能端末３５００の他方の面の斜視図を示している。多機能端末３５００は、筐体３５０
２に表示部３５０４、カメラ３５０６、照明３５０８等が組み込まれている。本発明の一
態様の発光装置を照明３５０８に用いることができる。
照明３５０８は、本発明の一態様の発光装置を用いることで、面光源として機能する。
したがって、ＬＥＤに代表される点光源と異なり、指向性が少ない発光が得られる。例え
ば、照明３５０８とカメラ３５０６とを組み合わせて用いる場合、照明３５０８を点灯ま
たは点滅させて、カメラ３５０６により撮像することができる。照明３５０８としては、
面光源としての機能を有するため、自然光の下で撮影したような写真を撮影することがで
きる。
なお、図４２（Ａ）、（Ｂ）に示す多機能端末３５００は、図３５（Ａ）乃至図３５（
Ｇ）に示す電子機器と同様に、様々な機能を有することができる。
また、筐体３５０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角
速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、
電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含む
もの）、マイクロフォン等を有することができる。また、多機能端末３５００の内部に、
ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、多
機能端末３５００の向き（縦か横か）を判断して、表示部３５０４の画面表示を自動的に
切り替えるようにすることができる。
表示部３５０４は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部３
５０４に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部３５０４に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、表示部３５
０４に本発明の一態様の発光装置を適用してもよい。
図４２（Ｃ）は、防犯用のライト３６００の斜視図を示している。ライト３６００は、
筐体３６０２の外側に照明３６０８を有し、筐体３６０２には、スピーカ３６１０等が組
み込まれている。本発明の一態様の発光装置を照明３６０８に用いることができる。
ライト３６００としては、例えば、照明３６０８を握持する、掴持する、または保持す
ることで発光することができる。また、筐体３６０２の内部には、ライト３６００からの
発光方法を制御できる電子回路を備えていてもよい。該電子回路としては、例えば、１回
または間欠的に複数回、発光が可能なような回路としてもよいし、発光の電流値を制御す
ることで発光の光量が調整可能なような回路としてもよい。また、照明３６０８の発光と
同時に、スピーカ３６１０から大音量の警報音が出力されるような回路を組み込んでもよ
い。
ライト３６００としては、あらゆる方向に発光することが可能なため、例えば、暴漢等
に向けて光、または光と音で威嚇することができる。また、ライト３６００にデジタルス
チルカメラ等のカメラ、撮影機能を有する機能を備えてもよい。
図４３は、発光装置を室内の照明装置８５０１として用いた例である。なお、発光装置
は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面
を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８５０２を形成すること
もできる。本実施の形態で示す発光装置は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い
。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の
壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照明装置８５０１、８５０２、８
５０３に、タッチセンサを設けて、電源のオンまたはオフを行ってもよい。
また、発光装置をテーブルの表面側に用いることによりテーブルとしての機能を備えた
照明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いるこ
とにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
以上のようにして、本発明の一態様の発光装置を適用して照明装置及び電子機器を得る
ことができる。なお、適用できる照明装置及び電子機器は、本実施の形態に示したものに
限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
本実施例では、本発明の一態様の発光装置の作製例を示す。本実施例で作製した発光装
置が有する発光素子の断面模式図を図４４（Ａ）（Ｂ）に、素子構造の詳細を表１乃至表
４に、それぞれ示す。また、使用した化合物の構造と略称を以下に示す。
Figure 0007346517000004
Figure 0007346517000005
Figure 0007346517000006
Figure 0007346517000007
Figure 0007346517000008
Figure 0007346517000009
＜発光素子の作製＞
≪発光素子１の作製≫
基板６５０上にＩＴＳＯ、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、またはＡＰ
Ｃともいう）、及びＩＴＳＯを厚さがそれぞれ７０ｎｍ、２０ｎｍ、及び１０ｎｍになる
よう順次形成することで、電極６４２を形成した。ＩＴＳＯ膜は、光を透過する機能を有
し、ＡＰＣ膜は、光を反射する機能と光を透過する機能とを有する導電膜である。なお、
電極６４２の電極面積は、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、電極６４２上に正孔注入層６３１として、３－［４－（９－フェナントリル）－
フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）と、酸化モリブデ
ン（ＭｏＯ３）と、を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ
厚さが９５ｎｍになるように共蒸着した。
次に、正孔注入層６３１上に正孔輸送層６３２として、ＰＣＰＰｎを厚さが１５ｎｍに
なるように蒸着した。
次に、正孔輸送層６３２上に、発光層６４４として、７－［４－（１０－フェニル－９
－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣ
ｚＰＡ）と、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス［（６，Ｎ－ジフェニルベンゾ
［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０
３）と、を重量比（ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）が１：０．０３に
なるように、且つ厚さが２５ｎｍになるように共蒸着した。
次に、発光層６４４上に、電子輸送層６３３として、ｃｇＤＢＣｚＰＡと、２，９－ビ
ス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称
：ＮＢＰｈｅｎ）とを、厚さがそれぞれ１０ｎｍと１５ｎｍとになるように順次蒸着した
。
次に、電子輸送層６３３上に、電子注入層６３４として、酸化リチウム（略称：Ｌｉ２
Ｏ）と、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）とを、厚さがそれぞれ０．１ｎｍと２ｎｍ
とになるように順次蒸着した。
次に、正孔注入層を兼ねる電荷発生層６３５として、４，４’，４’’－（ベンゼン－
１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）と、酸
化モリブデン（ＭｏＯ３）と、を重量比（ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ：ＭｏＯ３）が１：０．５に
なるように、且つ厚さが１０ｎｍになるように共蒸着した。
次に、電荷発生層６３５上に正孔輸送層６３７として、４－フェニル－４’－（９－フ
ェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を厚さが１５
ｎｍになるように蒸着した。
次に、発光層６４６として、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニ
ル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）
と、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カル
バゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（
略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フ
ェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ
））と、を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）
２（ａｃａｃ））が０．８：０．２：０．０６になるように、且つ厚さが２０ｎｍになる
ように共蒸着し、続いて、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、ビス｛４，
６－ジメチル－２－［５－（２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェ
ニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，８－ジメチル－４，６－ノナン
ジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）
２（ｄｉｖｍ））と、を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｄ
ｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）２（ｄｉｖｍ））が０．８：０．２：０．０６になるように、且つ
厚さが１０ｎｍになるように共蒸着し、続いて、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩと、ＰＣＢ
ＢｉＦと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）と、を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－
ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））が０．８：０．２：０．０
６になるように、且つ厚さが１０ｎｍになるように共蒸着した。
次に、発光層６４６上に電子輸送層６３８として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩと、Ｎ
ＢＰｈｅｎとを、それぞれ厚さが３０ｎｍ及び１５ｎｍになるように順次蒸着した。また
、電子輸送層６３８上に電子注入層６３９として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を厚さが１
ｎｍになるよう蒸着した。
次に、電子注入層６３９上に、電極６４１として、アルミニウム（Ａｌ）を厚さが１２
０ｎｍになるように形成した。
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、有機ＥＬ用シール材を用いて封止す
るための基板６５２を、有機材料を形成した基板６５０に固定することで、発光素子１を
封止した。具体的には、基板６５０に形成した有機材料の周囲にシール材を塗布し、該基
板６５０と基板６５２とを貼り合わせ、波長が３６５ｎｍの紫外光をシール材に６Ｊ／ｃ
ｍ２照射し、８０℃にて１時間熱処理した。以上の工程により発光素子１を得た。
また、発光素子１に重畳する光学素子６４８として、基板６５４上に赤色のカラーフィ
ルタ（ＣＦ Ｒｅｄ）を２．１μｍの厚さで形成した。
≪発光素子２及び３の作製≫
発光素子２及び３は、先に示す発光素子１と、正孔注入層６３１の形成工程、及び光学
素子６４８のの材料み異なり、それ以外の工程及び材料は発光素子１と同様の作製方法と
した。
発光素子２の正孔注入層６３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３と、を重量比（ＰＣＰ
Ｐｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが５０ｎｍになるように共蒸着し
た。
また、発光素子２に重畳する光学素子６４８として、基板６５４上に緑色のカラーフィ
ルタ（ＣＦ Ｇｒｅｅｎ）を１．２μｍの厚さで形成した。
発光素子３の正孔注入層６３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３と、を重量比（ＰＣＰ
Ｐｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが５ｎｍになるように共蒸着した
。
また、発光素子３に重畳する光学素子６４８として、基板６５４上に青色のカラーフィ
ルタ（ＣＦ Ｂｌｕｅ）を０．８μｍの厚さで形成した。
≪発光素子４の作製≫
発光素子４は、先に示す発光素子１と、電極６４２及び正孔注入層６３１の形成工程、
及び光学素子６４８のみ異なり、それ以外の工程は発光素子１と同様の作製方法とした。
なお、発光素子４は、光学素子を有さないこととした。
発光素子４の電極６４２として、基板６５０上にＩＴＳＯを厚さが７０ｎｍになるよう
形成した。ＩＴＳＯ膜は、光を透過する機能を有する導電膜である。なお、電極６４２の
電極面積は、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、電極６４２上に発光素子４の正孔注入層６３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３
と、を重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが５ｎｍに
なるように共蒸着した。
≪発光素子５乃至７の作製≫
発光素子５乃至７は、先に示す発光素子４と、正孔注入層６３１の形成工程のみ異なり
、それ以外の工程は発光素子４と同様の作製方法とした。
発光素子５の正孔注入層６３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３と、を重量比（ＰＣＰ
Ｐｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが２０ｎｍになるように共蒸着し
た。
発光素子６の正孔注入層６３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３と、を重量比（ＰＣＰ
Ｐｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが３５ｎｍになるように共蒸着し
た。
発光素子７の正孔注入層６３１として、ＰＣＰＰｎと、ＭｏＯ３と、を重量比（ＰＣＰ
Ｐｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが５０ｎｍになるように共蒸着し
た。
＜発光素子の特性＞
作製した発光素子１乃至７の輝度－電流密度特性を図４５及び図４６に示す。また、電
流密度－電圧特性を図４７及び図４８に示す。また、電流効率－輝度特性を図４９及び図
５０に示す。なお、各発光素子の輝度およびＣＩＥ色度の測定には色彩輝度計（トプコン
社製、ＢＭ－５Ａ）を用い、測定は室温（２３℃に保たれた雰囲気）で行った。
また、発光素子１乃至７に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の電界発光
スペクトル（ＥＬスペクトル）を図５１及び図５２に示す。なお、電界発光スペクトルの
測定にはマルチチャンネル分光器（浜松ホトニクス社製、ＰＭＡ－１１）を用いた。また
、図５１及び図５２において縦軸は、各電界発光スペクトルの最大値で規格化した発光強
度（ＥＬ強度）である。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における、発光素子１乃至７の素子特性を表５及び表６
に示す。
Figure 0007346517000010
Figure 0007346517000011
図５１に示すように、発光素子１、発光素子２、及び発光素子３の電界発光スペクトル
のピーク波長はそれぞれ６１５ｎｍ、５３８ｎｍ、及び４５７ｎｍであり、赤色、緑色、
及び青色の発光を示した。また、発光素子１、発光素子２、及び発光素子３の電界発光ス
ペクトルの半値全幅はそれぞれ３４ｎｍ、３１ｎｍ、及び２０ｎｍであり、色純度の高い
発光を示した。
また、図５２に示すように、発光素子４乃至７の電界発光スペクトルは、青色と緑色と
赤色の波長領域にそれぞれピークを有する白色の発光を示した。
発光素子１乃至７における発光層６４４、６４６、正孔輸送層６３２、６３７、電子輸
送層６３３、６３８、電子注入層６３４、６３９、電荷発生層６３５、及び電極６４１は
同じ構成である。また、発光素子１乃至３は、電極６４２に光を反射する機能と、光を透
過する機能とを有する導電膜を有し、マイクキャビティ構造を有する発光素子である。ま
た、発光素子４乃至７は、電極６４２に光を透過する機能を有する導電膜を有し、マイク
ロキャビティ構造を有さない発光素子である。このことから、発光素子の電極６４２及び
正孔注入層６３１の構成のみを変えることで、発光素子が外部に射出する光の色を変える
ことができることが分かる。
また、図４５乃至図５０、及び表５及び表６で示すように、発光素子１、発光素子２、
及び発光素子３は、それぞれ赤色、緑色、及び青色を呈する発光素子として高い電流効率
を示している。また、発光素子４乃至７は、白色を呈する発光素子として高い電流効率を
示している。したがって、これらの発光素子の構成は、発光装置に好適に用いることがで
きる。
＜発光装置の消費電力の見積もり＞
次に、上記作製した発光素子を有する発光装置を作製した場合における、該発光装置の
消費電力を見積もった。
発光装置１は、発光素子１、発光素子２、及び発光素子３を有する発光装置であり、発
光装置２は、発光素子１、発光素子２、発光素子３、及び発光素子４を有する発光装置で
あり、発光装置３は、発光素子１、発光素子２、発光素子３、及び発光素子５を有する発
光装置であり、発光装置４は、発光素子１、発光素子２、発光素子３、及び発光素子６を
有する発光装置であり、発光装置５は、発光素子１、発光素子２、発光素子３、及び発光
素子７を有する発光装置である。発光装置の構成を表７に示す。
本実施例においては、表示領域の縦横比が１６：９で、対角サイズが４．３インチで、
面積が５０．９７ｃｍ２である発光装置において、開口率が３５％と仮定して、発光装置
の消費電力を見積もった。また、該仕様の発光装置において、色温度が６５００Ｋの白色
（色度（ｘ，ｙ）が（０．３１３，０．３２９））を３００ｃｄ／ｍ２で表示領域全面に
表示させたときの発光素子及び発光装置の特性を表８に示す。
表８のように、上記仕様の発光装置１においては、発光素子１の輝度が６０３ｃｄ／ｍ
２、発光素子２の輝度が１６８９ｃｄ／ｍ２、発光素子３の輝度が２８０ｃｄ／ｍ２の時
に、色温度が６５００Ｋの白色（色度（ｘ，ｙ）が（０．３１３，０．３２９））を３０
０ｃｄ／ｍ２で表示領域全面に表示させることができ、この時に発光装置１の消費電力は
４１７ｍＷと見積もることができた。
また、上記仕様の発光装置２においては、発光素子１の輝度が０ｃｄ／ｍ２、発光素子
２の輝度が５７３ｃｄ／ｍ２、発光素子３の輝度が９５ｃｄ／ｍ２、発光素子４の輝度が
２７６１ｃｄ／ｍ２の時に、色温度が６５００Ｋの白色（色度（ｘ，ｙ）が（０．３１３
，０．３２９））を３００ｃｄ／ｍ２で表示領域全面に表示させることができ、この時に
発光装置２の消費電力は１９８ｍＷと見積もることができた。
また、上記仕様の発光装置３においては、発光素子１の輝度が７１ｃｄ／ｍ２、発光素
子２の輝度が４２９ｃｄ／ｍ２、発光素子３の輝度が０ｃｄ／ｍ２、発光素子５の輝度が
２９２９ｃｄ／ｍ２の時に、色温度が６５００Ｋの白色（色度（ｘ，ｙ）が（０．３１３
，０．３２９））を３００ｃｄ／ｍ２で表示領域全面に表示させることができ、この時に
発光装置３の消費電力は１７６ｍＷと見積もることができた。
また、上記仕様の発光装置４においては、発光素子１の輝度が１２７ｃｄ／ｍ２、発光
素子２の輝度が０ｃｄ／ｍ２、発光素子３の輝度が２８ｃｄ／ｍ２、発光素子４の輝度が
３２７４ｃｄ／ｍ２の時に、色温度が６５００Ｋの白色（色度（ｘ，ｙ）が（０．３１３
，０．３２９））を３００ｃｄ／ｍ２で表示領域全面に表示させることができ、この時に
発光装置４の消費電力は１９２ｍＷと見積もることができた。
また、上記仕様の発光装置５においては、発光素子１の輝度が２８４ｃｄ／ｍ２、発光
素子２の輝度が０ｃｄ／ｍ２、発光素子３の輝度が１７３ｃｄ／ｍ２、発光素子４の輝度
が２９７２ｃｄ／ｍ２の時に、色温度が６５００Ｋの白色（色度（ｘ，ｙ）が（０．３１
３，０．３２９））を３００ｃｄ／ｍ２で表示領域全面に表示させることができ、この時
に発光装置５の消費電力は２５１ｍＷと見積もることができた。
また、全米テレビジョン放送方式標準化委員会（ＮＴＳＣ）が策定した色域規格に対し
て発光装置１乃至５が表示可能な領域は、ＣＩＥ１９７６色度座標における面積比（ＮＴ
ＳＣ比）で、いずれも９６％と見積もられ、高い色再現性を示すことが分かった。
以上のように、発光装置２乃至５は、発光装置１より消費電力が低い発光装置となるこ
とが示された。特に、発光装置２乃至４は、発光装置１の消費電力の半分以下と極めて低
い消費電力であった。すなわち、マイクロキャビティ構造を有する赤色、緑色、及び青色
の発光素子と、マイクロキャビティ構造を有さない白色の発光素子とを有する発光装置は
、消費電力の低い発光装置であることが示された。
以上のように、本発明の一態様により、消費電力が低い発光装置を提供することができ
る。また、本発明の一態様により、消費電力が低く、色再現性が高い発光装置を提供する
ことができる。
本実施例に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いる事ができる。
ＡＮＯ 配線
Ｃ１ 容量素子
Ｃ２ 容量素子
ＣＳＣＯＭ 配線
ＧＤ 駆動回路
ＧＬ 走査線
ＧＬ１ 走査線
ＧＬ２ 走査線
ＳＬ１ 信号線
ＳＬ２ 信号線
ＳＤ 駆動回路
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 配線
１００ ＥＬ層
１０１ 電極
１０２ 電極
１０３ 電極
１０３Ｂ 電極
１０３Ｇ 電極
１０３Ｒ 電極
１０４ 導電膜
１０６ 導電膜
１０６Ｂ 導電膜
１０６Ｇ 導電膜
１０６Ｒ 導電膜
１０８ 導電膜
１１１ 正孔注入層
１１１Ｂ 正孔注入層
１１１Ｇ 正孔注入層
１１１Ｒ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 電子輸送層
１１４ 電子注入層
１１５ 電荷発生層
１１６ 正孔注入層
１１７ 正孔輸送層
１１８ 電子輸送層
１１９ 電子注入層
１２０ 発光層
１２１ ホスト材料
１２２ ゲスト材料
１３０ 発光層
１４０ 発光層
１４０ａ 発光層
１４０ｂ 発光層
１４１ ホスト材料
１４１＿１ 有機化合物
１４１＿２ 有機化合物
１４２ ゲスト材料
１４５ 隔壁
１５０ 発光装置
１５２ 発光装置
１５４ 発光装置
１５６ 発光装置
１５８ 発光装置
１６０ 発光装置
１６２ 発光装置
２００ 基板
２０１ 電極
２０２ 電極
２０８ 発光ユニット
２１０ 発光ユニット
２２０ 基板
２２１ 発光素子
２２１Ｂ 発光素子
２２１Ｇ 発光素子
２２１Ｒ 発光素子
２２１Ｗ 発光素子
２２２Ｂ 発光素子
２２２Ｇ 発光素子
２２２Ｒ 発光素子
２２２Ｗ 発光素子
２２３ 遮光層
２２４Ｂ 光学素子
２２４Ｇ 光学素子
２２４Ｒ 光学素子
２２４Ｗ 光学素子
２４０ トランジスタ
２５０ 発光装置
２５２ 発光装置
２５４ 発光装置
２５６ 発光装置
２６０ 発光素子
２６２ 発光素子
２７２ ゲート電極
２７４ ゲート絶縁層
２７６ 半導体層
２７８ａ ソース電極
２７８ｂ ドレイン電極
２８２ 絶縁層
２８４ 絶縁層
２８６ 絶縁層
３００ 表示装置
３０１＿１ 配線
３０１＿５ 配線
３０１＿６ 配線
３０１＿７ 配線
３０２ 画素
３０２＿１ 配線
３０２＿２ 配線
３０３＿１ トランジスタ
３０３＿６ トランジスタ
３０３＿７ トランジスタ
３０４ 容量素子
３０４＿１ 容量素子
３０４＿２ 容量素子
３０５ 発光素子
３０６＿１ 配線
３０６＿３ 配線
３０７＿１ 配線
３０７＿３ 配線
３０８＿１ トランジスタ
３０８＿６ トランジスタ
３０９＿１ トランジスタ
３０９＿２ トランジスタ
３１１＿１ 配線
３１１＿３ 配線
３１２＿１ 配線
３１２＿２ 配線
３１５ シール材
３３１ 配向膜
３３２ 配向膜
３３５ 構造体
３３７ 導電体
３３９ 導電性材料
３５０ 液晶素子
３５１ 電極
３５１Ａ 導電膜
３５１Ｂ 反射膜
３５１Ｃ 導電膜
３５１Ｈ 開口部
３５２ 電極
３５３ 液晶層
３５４ 中間膜
３７０ 基板
３７０Ｄ 機能膜
３７０Ｐ 機能膜
３７１ 絶縁膜
３７３ 遮光層
３７５ 着色層
３７７ フレキシブルプリント基板
５０１Ａ 絶縁膜
５０１Ｃ 絶縁膜
５０２ 画素部
５０５ 接合層
５１１Ｂ 導電膜
５１１Ｃ 導電膜
５１９Ｂ 端子
５１９Ｃ 端子
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２２ 接続部
５２８ 絶縁膜
５５０ 発光素子
５５１ 電極
５５２ 電極
５５３ 発光層
５７０ 基板
５７５ 着色層
５８１ トランジスタ
５８２ トランジスタ
５８５ トランジスタ
５８６ トランジスタ
６００ 表示装置
６０１ 信号線駆動回路部
６０２ 画素部
６０３ 走査線駆動回路部
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 領域
６０８ 配線
６０９ ＦＰＣ
６１０ 素子基板
６１１ トランジスタ
６１２ トランジスタ
６１３ 下部電極
６１４ 隔壁
６１６ ＥＬ層
６１７ 上部電極
６１８ 発光素子
６２３ トランジスタ
６２４ トランジスタ
６３１ 正孔注入層
６３２ 正孔輸送層
６３３ 電子輸送層
６３４ 電子注入層
６３５ 電荷発生層
６３７ 正孔輸送層
６３８ 電子輸送層
６３９ 電子注入層
６４１ 電極
６４２ 電極
６４４ 発光層
６４６ 発光層
６４８ 光学素子
６５０ 基板
６５２ 基板
６５４ 基板
６８３ 液滴吐出装置
６８４ 液滴
６８５ 層
８０１ 画素回路
８０２ 画素部
８０４ 駆動回路部
８０４ａ 走査線駆動回路
８０４ｂ 信号線駆動回路
８０６ 保護回路
８０７ 端子部
８５２ トランジスタ
８５４ トランジスタ
８６２ 容量素子
８７２ 発光素子
１００１ 基板
１００２ 下地絶縁膜
１００３ ゲート絶縁膜
１００６ ゲート電極
１００７ ゲート電極
１００８ ゲート電極
１０２０ 層間絶縁膜
１０２１ 層間絶縁膜
１０２４Ｂ 下部電極
１０２４Ｇ 下部電極
１０２４Ｒ 下部電極
１０２４Ｗ 下部電極
１０２５ 隔壁
１０２６ 上部電極
１０２８ ＥＬ層
１０２９ 封止層
１０３１ 封止基板
１０３２ シール材
１０３３ 基材
１０３４Ｂ 着色層
１０３４Ｇ 着色層
１０３４Ｒ 着色層
１０３５ 遮光層
１０３６ オーバーコート層
１０４０ 画素部
１０４１ 駆動回路部
１０４２ 周辺部
１４００ 液滴吐出装置
１４０２ 基板
１４０３ 液滴吐出手段
１４０４ 撮像手段
１４０５ ヘッド
１４０６ 空間
１４０７ 制御手段
１４０８ 記憶媒体
１４０９ 画像処理手段
１４１０ コンピュータ
１４１１ マーカー
１４１２ ヘッド
１４１３ 材料供給源
１４１４ 材料供給源
２０００ タッチパネル
２５０１ 表示装置
２５０２Ｒ 画素
２５０２ｔ トランジスタ
２５０３ｃ 容量素子
２５０３ｇ 走査線駆動回路
２５０３ｓ 信号線駆動回路
２５０３ｔ トランジスタ
２５０９ ＦＰＣ
２５１０ 基板
２５１０ａ 絶縁層
２５１０ｂ 可撓性基板
２５１０ｃ 接着層
２５１１ 配線
２５１９ 端子
２５２１ 絶縁層
２５２８ 隔壁
２５５０Ｒ 発光素子
２５６０ 封止層
２５６７ＢＭ 遮光層
２５６７ｐ 反射防止層
２５６７Ｒ 着色層
２５７０ 基板
２５７０ａ 絶縁層
２５７０ｂ 可撓性基板
２５７０ｃ 接着層
２５８０Ｒ 発光モジュール
２５９０ 基板
２５９１ 電極
２５９２ 電極
２５９３ 絶縁層
２５９４ 配線
２５９５ タッチセンサ
２５９７ 接着層
２５９８ 配線
２５９９ 接続層
２６０１ パルス電圧出力回路
２６０２ 電流検出回路
２６０３ 容量
２６１１ トランジスタ
２６１２ トランジスタ
２６１３ トランジスタ
２６２１ 電極
２６２２ 電極
３０００ 発光装置
３００１ 基板
３００３ 基板
３００５ 発光素子
３００７ 封止領域
３００９ 封止領域
３０１１ 領域
３０１３ 領域
３０１４ 領域
３０１５ 基板
３０１６ 基板
３０１８ 乾燥剤
３０５４ 表示部
３５００ 多機能端末
３５０２ 筐体
３５０４ 表示部
３５０６ カメラ
３５０８ 照明
３６００ ライト
３６０２ 筐体
３６０８ 照明
３６１０ スピーカ
７１０１ 筐体
７１０２ 筐体
７１０３ 表示部
７１０４ 表示部
７１０５ マイク
７１０６ スピーカ
７１０７ 操作キー
７１０８ スタイラス
７１２１ 筐体
７１２２ 表示部
７１２３ キーボード
７１２４ ポインティングデバイス
７２００ ヘッドマウントディスプレイ
７２０１ 装着部
７２０２ レンズ
７２０３ 本体
７２０４ 表示部
７２０５ ケーブル
７２０６ バッテリ
７３００ カメラ
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ シャッターボタン
７３０５ 結合部
７３０６ レンズ
７４００ ファインダー
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ ボタン
７５００ ヘッドマウントディスプレイ
７５０１ 筐体
７５０２ 表示部
７５０３ 操作ボタン
７５０４ 固定具
７５０５ レンズ
７５１０ ヘッドマウントディスプレイ
７７０１ 筐体
７７０２ 筐体
７７０３ 表示部
７７０４ 操作キー
７７０５ レンズ
７７０６ 接続部
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチセンサ
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示装置
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
８５０１ 照明装置
８５０２ 照明装置
８５０３ 照明装置
８５０４ 照明装置
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ 携帯情報端末
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末
９３００ テレビジョン装置
９３０１ スタンド
９３１１ リモコン操作機
９５００ 表示装置
９５０１ 表示パネル
９５０２ 表示領域
９５０３ 領域
９５１１ 軸部
９５１２ 軸受部
９７００ 自動車
９７０１ 車体
９７０２ 車輪
９７０３ ダッシュボード
９７０４ ライト
９７１０ 表示部
９７１１ 表示部
９７１２ 表示部
９７１３ 表示部
９７１４ 表示部
９７１５ 表示部
９７２１ 表示部
９７２２ 表示部
９７２３ 表示部

Claims (2)

  1. 第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有する発光装置であって、
    前記第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた第１の発光層と、前記第１の発光層と前記第２の電極との間に設けられた第２の発光層と、前記第１の発光層と前記第１の電極との間に設けられた第１の層と、を有し、
    前記第２の発光素子は、前記第１の電極と、第３の電極と、前記第１の電極と前記第３の電極との間に設けられた前記第１の発光層と、前記第１の発光層と前記第３の電極との間に設けられた前記第２の発光層と、前記第１の発光層と前記第１の電極との間に設けられた前記第１の層と、を有し、
    前記第２の発光層に含まれる発光材料の発光ピーク波長は、前記第１の発光層に含まれる発光材料の発光ピーク波長より短く、
    前記第１の発光層および前記第１の層は、トリアジン骨格を有する複素環化合物を含み、
    前記第２の電極は、光を透過する機能を有する第１の導電膜のみからなり、
    前記第３の電極は、ＩＴＳＯを有する第２の導電膜と、前記第２の導電膜上のＡｇを有する第３の導電膜と、前記第３の導電膜上のＩＴＳＯを有する第４の導電膜、のみからなり、
    前記第１の発光素子は、青色の波長領域、緑色の波長領域、黄色の波長領域、及び赤色の波長領域、の少なくとも一に発光スペクトルピークを有する発光を呈する機能を有し、
    前記第２の発光素子は、赤色の波長領域に発光スペクトルピークを有する発光を呈する機能を有する発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１の発光素子からの光は、色変換素子を介さずに射出され、
    前記第２の発光素子からの光は、色変換素子を介して長い波長の光に変換されて射出される発光装置。
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