JP2015233001A - 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】新規な発光装置を提供する。または生産性が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供する。【解決手段】青色の光を発する第１の発光素子と、緑色の光を発する第２の発光素子と、赤色の光を発する第３の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の反射電極、第１の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、第２の発光素子は、第２の反射電極、第２の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、第３の発光素子は、第３の反射電極、第３の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、電極は、光を透過させる機能と、光を反射させる機能とを有し、第１乃至第３の反射電極は、銀を有し、第１の透明導電膜は、第３の透明導電膜よりも厚く、第３の透明導電膜は、第２の透明導電膜よりも厚い。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる発光層を一対の電極間に挟んでなる発光素子、または該発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。

上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。

発光素子からの光の取り出し効率を改善するために、一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を採用し、特定波長における光強度を増加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１２−１８２１２７号公報

一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器構造（以下、マイクロキャビティ構造という）を採用した場合、一対の電極の一方に反射率の高い金属膜（例えば銀を含む金属膜など）を用いると、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｌａｓｍｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）の影響により、反射率の高い金属膜の表面近傍で光の散乱または光の吸収が生じ、光取出し効率が低下する場合がある。

上述した課題に鑑み、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することを課題の一つとする。または新規な発光装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。

なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、青色の光を発する第１の発光素子と、緑色の光を発する第２の発光素子と、赤色の光を発する第３の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の反射電極、第１の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、第２の発光素子は、第２の反射電極、第２の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、第３の発光素子は、第３の反射電極、第３の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、電極は、光を透過させる機能と、光を反射させる機能とを有し、第１乃至第３の反射電極は、銀を有し、第１の透明導電膜は、第３の透明導電膜よりも厚く、第３の透明導電膜は、第２の透明導電膜よりも厚いことを特徴とする発光装置である。より詳細には以下の通りである。

本発明の一態様は、複数の光を発する発光装置であって、発光装置は、青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子と、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子と、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、第１の反射電極上の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、第２の反射電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、第３の反射電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、電極は、光を透過させることができる機能と、光を反射させることができる機能とを有し、第１乃至第３の反射電極は、銀を有し、第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、第１の領域は、第３の領域よりも厚く、第３の領域は、第２の領域よりも厚いことを特徴とする発光装置である。

また、上記構成において、第１の発光層は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を有し、第２の発光層は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を有することが好ましい。この場合、第１の反射電極と第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｂ以上であることが好ましい。また、第２の反射電極と第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｇ未満であり、第３の反射電極と第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｒ未満であると好ましい。

また、上記各構成において、第２の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｇ近傍であり、第３の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｒ近傍であると好ましい。

また、本発明の他の一態様は、複数の光を発する発光装置であって、発光装置は、青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子と、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子と、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子と、黄色を呈する光を発することができる機能を有する第４の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、第１の反射電極上の第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の反射電極と、第２の反射電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、第３の反射電極上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、第４の発光素子は、第４の反射電極と、第４の反射電極上の第４の透明導電膜と、第４の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、電極は、光を透過させることができる機能と、光を反射させることができる機能とを有し、第１乃至第４の反射電極は、銀を有し、第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、第４の透明導電膜は、第４の領域を有し、第１の領域は、第３の領域よりも厚く、第３の領域は、第４の領域よりも厚く、第４の領域は、第２の領域よりも厚いことを特徴とする発光装置である。

また、上記構成において、第１の発光層は、青色発光を呈する第１の発光物質を有し、第２の発光層は、緑色、黄色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を有することが好ましい。この場合、第１の反射電極と第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｂ以上であることが好ましい。また、第２の反射電極と第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｇ未満であり、第３の反射電極と第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｒ未満であり、第４の反射電極と第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｙ未満であると好ましい。

また、上記各構成において、第２の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｇ近傍であり、第３の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｒ近傍であり、第４の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｙ近傍であると好ましい。

また、上記各構成において、第１の発光素子に重なる第１の光学素子を有し、第２の発光素子に重なる第２の光学素子を有し、第３の発光素子に重なる第３の光学素子を有し、第１の光学素子は、青色を呈する光を透過する機能を有し、第２の光学素子は、緑色を呈する光を透過する機能を有し、第３の光学素子は、赤色を呈する光を透過する機能を有すると好ましい。

また、本発明の一態様は、上記各構成の発光装置と、筐体またはタッチセンサとを有する電子機器、または上記各構成の発光装置と、筐体またはタッチセンサとを有する照明装置も範疇に含めるものである。また、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明の一態様により、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な発光装置の作製方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面図。 本発明の一態様の表示装置を説明する上面図及び断面図。 本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図及び回路図。 表示モジュールを説明する斜視図。 電子機器について説明する図。 照明装置について説明する図。 実施例の素子構造を説明する図。 実施例１で作製した各発光素子の電流効率−輝度特性、及び電流−電圧特性を説明する図。 実施例１で作製した各発光素子の輝度−電圧特性を説明する図。 実施例１で作製した各発光素子の発光スペクトルを説明する図。 実施例２で作製した各発光素子の電流効率−輝度特性、及び電流−電圧特性を説明する図。 実施例２で作製した各発光素子の輝度−電圧特性を説明する図。 実施例２で作製した各発光素子の発光スペクトルを説明する図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

また、本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。

また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。

また、本明細書等において、青色を呈する光とは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長帯域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有し、緑色を呈する光とは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有し、黄色を呈する光とは、５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長帯域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有し、赤色を呈する光とは、６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長帯域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。

また、本明細書等において、透明導電膜とは、可視光において透光性を有し、且つ導電性を有する膜である。例えば、透明導電膜としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）に代表される酸化物導電体膜、酸化物半導体膜、または有機物を含む有機導電体膜を含む。有機物を含む有機導電体膜としては、例えば、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を含む膜、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料を含む膜等が挙げられる。また、透明導電膜の抵抗率としては、好ましくは１×１０^５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０^４Ω・ｃｍ以下である。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置、及び当該発光装置の作製方法について、図１乃至図９を用いて以下説明する。

＜発光装置の構成例１＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。図１（Ａ）に示す発光装置１００は、青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子１０１Ｂと、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子１０１Ｇと、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子１０１Ｒと、を有する。

また、第１の発光素子１０１Ｂは、第１の反射電極１０４Ｂと、第１の反射電極１０４Ｂ上の第１の透明導電膜１０６Ｂと、第１の透明導電膜１０６Ｂ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の半透過・半反射電極１１４と、を有し、第２の発光素子１０１Ｇは、第２の反射電極１０４Ｇと、第２の反射電極１０４Ｇ上の第２の透明導電膜１０６Ｇと、第２の透明導電膜１０６Ｇ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の半透過・半反射電極１１４と、を有し、第３の発光素子１０１Ｒは、第３の反射電極１０４Ｒと、第３の反射電極１０４Ｒ上の第３の透明導電膜１０６Ｒと、第３の透明導電膜１０６Ｒ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の半透過・半反射電極１１４と、を有する。なお、半透過・半反射電極１１４を単に電極と呼称する場合がある。

また、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、及び第３の反射電極１０４Ｒは、それぞれ銀を有する。第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、及び第３の反射電極１０４Ｒに銀を有する材料を用いることで、反射率を高めることが可能となるため、各発光素子からの発光効率を高くすることができる。例えば、銀を含む導電膜を形成し、該導電膜を島状に分離することで、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、及び第３の反射電極１０４Ｒをそれぞれ形成することができる。このように、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、及び第３の反射電極１０４Ｒを、同一の導電膜を加工する工程を経て形成すると、製造コストが安くなるため好適である。

また、図１（Ａ）において、第２の発光層１１２は、第２の発光層１１２ａと、第２の発光層１１２ｂとを有する。第２の発光層１１２は、単層構造、図１（Ａ）に示すような２層の積層構造、または３層以上の積層構造とすることができる。

また、第１の発光層１０８は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を有し、第２の発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を有する。また、第２の発光層１１２を積層構造とした場合、第２の発光層１１２は、異なる発光を呈する発光物質を有していてもよいし、同一の発光を呈する発光物質を有していてもよい。例えば、第２の発光層１１２ａに、緑色の発光を呈する発光物質を用い、第２の発光層１１２ｂに、赤色の発光を呈する発光物質を用いることができる。または、第２の発光層１１２ａ、１１２ｂ共に、黄色の発光を呈する発光物質を用いることができる。

このように、発光装置１００は、第１の発光層１０８が有する第１の発光物質、及び第２の発光層１１２が有する第２の発光物質からの所望の発光波長を強めるべく調整することで単色光に近い発光を得ることが可能である。なお、発光装置１００は、第１の発光層１０８が有する第１の発光物質からの発光と、第２の発光層１１２が有する第２の発光物質からの発光とを組み合わせることで、白色発光を得ることも可能である。

また、図１（Ａ）においては、各発光素子から射出される、青色（Ｂ）を呈する光、緑色（Ｇ）を呈する光、及び赤色（Ｒ）を呈する光を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している。なお、後述する発光装置においても同様である。このように、図１（Ａ）に示す発光装置１００は、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反対側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）の構造である。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、図２（Ａ）に示す、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２側に取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または図２（Ｂ）に示す、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（デュアルエミッション型ともいう）であってもよい。

なお、図１（Ａ）において、第１の発光層１０８、電荷発生層１１０、第２の発光層１１２、半透過・半反射電極１１４は、各発光素子でそれぞれ分離された状態で例示しているが、各発光素子で分離せずに共通して用いることができる。したがって、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒにおいて、第１の発光層１０８、電荷発生層１１０、第２の発光層１１２、半透過・半反射電極１１４のハッチパターンを第１の発光素子１０１Ｂと同一にし、とくに符号を付していない。

また、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒは、マイクロキャビティ構造を有する。各発光素子が有するマイクロキャビティ構造について、以下説明する。

第１の発光層１０８及び第２の発光層１１２から射出される光は、一対の電極（第１の反射電極１０４Ｂと半透過・半反射電極１１４、第２の反射電極１０４Ｇと半透過・半反射電極１１４、及び第３の反射電極１０４Ｒと半透過・半反射電極１１４）の間で共振される。発光装置１００においては、各発光素子で第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒの厚さを調整することで、第１の発光層１０８及び第２の発光層１１２から射出される光の波長を強めることができる。

具体的には、第１の透明導電膜１０６Ｂの膜厚を、第１の反射電極１０４Ｂと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離がｍ_ｘλ_Ｂ／２（ｍ_ｘは自然数を、λ_Ｂは青色の波長（４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下）を、それぞれ表す）となるように調整する。また、第２の透明導電膜１０６Ｇの膜厚を、第２の反射電極１０４Ｇと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離がｍ_ｙλ_Ｇ／２（ｍ_ｙは自然数を、λ_Ｇは緑色の波長（５００ｎｍ以上５５０ｎｍ未満）を、それぞれ表す）となるように調整する。また、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚を、第３の反射電極１０４Ｒと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離がｍ_ｚλ_Ｒ／２（ｍ_ｚは自然数を、λ_Ｒは赤色の波長（６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下）を、それぞれ表す）となるように調整する。

さらに、第１の透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、第１の反射電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との光学距離を３／４λ_Ｂ以上、好ましくは３／４λ_Ｂ以上５／４λ_Ｂ以下とする。例えば、第１の反射電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との光学距離が１／４λ_Ｂ近傍の場合、第１の反射電極１０４Ｂの表面近傍での光の散乱または光の吸収により、光取出し効率が低下しまう。しかしながら、発光装置１００においては、第１の反射電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との光学距離を３／４λ_Ｂ以上、好ましくは３／４λ_Ｂ以上５／４λ_Ｂ以下とすることで、第１の反射電極１０４Ｂの表面近傍での光の散乱または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。したがって、第１の発光素子１０１Ｂからは、第１の発光層１０８が有する第１の発光物質から青色の光を効率よく取り出すことが可能となる。

また、第２の透明導電膜１０６Ｇの膜厚を調整することで、第２の反射電極１０４Ｇと第１の発光層１０８との光学距離を３／４λ_Ｇ未満、好ましくは１／４λ_Ｇ以上３／４λ_Ｇ未満とすることができる。また、第２の透明導電膜１０６Ｇの膜厚を調整することで、第２の反射電極１０４Ｇと第２の発光層１１２との光学距離を３／４λ_Ｇ近傍とすることができる。また、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚を調整することで、第３の反射電極１０４Ｒと第１の発光層１０８との光学距離を３／４λ_Ｒ未満、好ましくは１／４λ_Ｒ以上３／４λ_Ｒ未満とすることができる。また、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚を調整することで、第３の反射電極１０４Ｒと第２の発光層１１２との光学距離を３／４λ_Ｒ近傍とすることができる。上記光学距離とすることで、第２の発光素子１０１Ｇからは、第２の発光層１１２が有する第２の発光物質から緑色の光を効率よく取り出すことが可能となる。また、第３の発光素子１０１Ｒからは、第２の発光層１１２が有する第２の発光物質から赤色の光を効率よく取り出すことが可能となる。

このように、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒは、各発光素子の光学距離を調整する機能を有する。各発光素子の光学距離を調整することで、第１の透明導電膜１０６Ｂの膜厚は、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚よりも厚く形成される。また、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚は、第２の透明導電膜１０６Ｇよりも厚く形成される。別言すると、第１の透明導電膜１０６Ｂは、第１の領域を有し、第２の透明導電膜１０６Ｇは、第２の領域を有し、第３の透明導電膜１０６Ｒは、第３の領域を有し、第１の領域は、第３の領域よりも厚く、第３の領域は第２の領域よりも厚い。

なお、第１の反射電極１０４Ｂと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離は、厳密には第１の反射電極１０４Ｂにおける反射領域から半透過・半反射電極１１４における反射領域までの膜厚と屈折率の積で表される。しかし、第１の反射電極１０４Ｂ、及び半透過・半反射電極１１４における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の反射電極１０４Ｂと半透過・半反射電極１１４の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。第２の反射電極１０４Ｇと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離、及び第３の反射電極１０４Ｒと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離についても同様である。

また、第１の反射電極１０４Ｂと、所望の光を射出する発光層との光学距離は、厳密には第１の反射電極１０４Ｂにおける反射領域と、所望の光を射出する発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の反射電極１０４Ｂにおける反射領域や、所望の光を射出する発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の反射電極１０４Ｂの任意の位置を反射領域、所望の光を射出する発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。第２の反射電極１０４Ｇと、所望の光を射出する発光層との光学距離、及び第３の反射電極１０４Ｒと、所望の光を射出する発光層との光学距離についても同様である。

以上のように、図１（Ａ）に示す発光装置１００においては、各発光素子の反射電極（第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、及び第３の反射電極１０４Ｒ）と半透過・半反射電極１１４との光学距離を調整することで、反射電極の表面近傍での光の散乱または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。したがって、発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することができる。

＜発光装置の構成例２＞
次に、図１（Ａ）に示す発光装置１００と異なる構成例について、図１（Ｂ）を用いて、以下説明を行う。

図１（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１（Ｂ）において、図１（Ａ）に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。

図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａは、青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子１０１Ｂと、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子１０１Ｇと、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子１０１Ｒと、を有する。

また、第１の発光素子１０１Ｂは、第１の反射電極１０４Ｂと、第１の反射電極１０４Ｂ上の第１の透明導電膜１０６Ｂと、第１の透明導電膜１０６Ｂ上の第１の正孔注入層１３１と、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と、第１の正孔輸送層１３２上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電子輸送層１３３と、第１の電子輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子注入層１３４上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と、第２の正孔注入層１３５上の第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子輸送層１３７上の第２の電子注入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反射電極１１４と、を有する。

また、第２の発光素子１０１Ｇは、第２の反射電極１０４Ｇと、第２の反射電極１０４Ｇ上の第２の透明導電膜１０６Ｇと、第２の透明導電膜１０６Ｇ上の第１の正孔注入層１３１と、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と、第１の正孔輸送層１３２上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電子輸送層１３３と、第１の電子輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子注入層１３４上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と、第２の正孔注入層１３５上の第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子輸送層１３７上の第２の電子注入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反射電極１１４と、を有する。

また、第３の発光素子１０１Ｒは、第３の反射電極１０４Ｒと、第３の反射電極１０４Ｒ上の第３の透明導電膜１０６Ｒと、第３の透明導電膜１０６Ｒ上の第１の正孔注入層１３１と、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と、第１の正孔輸送層１３２上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電子輸送層１３３と、第１の電子輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子注入層１３４上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と、第２の正孔注入層１３５上の第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子輸送層１３７上の第２の電子注入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反射電極１１４と、を有する。

このように、発光装置１００Ａにおいては、発光装置１００の構成に加え、透明導電膜（第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒ）と第１の発光層１０８との間に、第１の正孔注入層１３１及び第１の正孔輸送層１３２を、第１の発光層１０８と電荷発生層１１０との間に、第１の電子輸送層１３３及び第１の電子注入層１３４を、電荷発生層１１０と第２の発光層１１２との間に、第２の正孔注入層１３５及び第２の正孔輸送層１３６を、第２の発光層１１２と半透過・半反射電極１１４との間に、第２の電子輸送層１３７及び第２の電子注入層１３８を、それぞれ追加した構成である。

また、発光装置１００Ａにおいては、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第１の正孔注入層１３１、及び第１の正孔輸送層１３２の少なくともいずれか一つ膜厚によって、第１の反射電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との光学距離を調整する。また、発光装置１００Ａにおいては、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第１の正孔注入層１３１、及び第１の正孔輸送層１３２の少なくともいずれか一つ膜厚によって、第２の反射電極１０４Ｇと第１の発光層１０８との光学距離を調整する。また、発光装置１００Ａにおいては、第３の透明導電膜１０６Ｒ、第１の正孔注入層１３１、及び第１の正孔輸送層１３２の少なくともいずれか一つの膜厚によって、第３の反射電極１０４Ｒと第１の発光層１０８との光学距離を調整する。

このように、第１の反射電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との光学距離については、その間の複数の層の膜厚を変更することで調整してもよい。第２の反射電極１０４Ｇと第１の発光層１０８との光学距離、及び第３の反射電極１０４Ｒと第１の発光層１０８との光学距離についても同様である。

以上のように、発光装置１００Ａにおいては、発光装置１００の構成に加え、各発光素子に第１の正孔注入層１３１、第１の正孔輸送層１３２、第１の電子輸送層１３３、第１の電子注入層１３４、第２の正孔注入層１３５、第２の正孔輸送層１３６、第２の電子輸送層１３７、及び第２の電子注入層１３８がそれぞれ設けられた構造である。その他の構成については、図１（Ａ）に示す発光装置１００と同様であり、同様の効果を奏する。

＜発光装置の構成例３＞
次に、図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａと異なる構成例について、図３を用いて、以下説明を行う。

図３に示す発光装置１００Ｂは、図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａが有する、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒに加え、隔壁１２０を有する。また、発光装置１００Ｂは、基板１０２に対向する基板１５２を有する。また、基板１５２には、遮光層１５４と、第１の光学素子１５６Ｂと、第２の光学素子１５６Ｇと、第３の光学素子１５６Ｒとが設けられる。

隔壁１２０は、絶縁性を有する。また、隔壁１２０は、各発光素子の下部電極（第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒ）の端部を覆い、該下部電極と重畳する開口部を有する。

隔壁１２０を設けることによって、各発光素子の下部電極を、それぞれ島状に分離することができる。

また、遮光層１５４は、隣接する発光素子からの光を遮光する機能を有する。なお、遮光層１５４を設けない構成としてもよい。

第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒは、入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒを設ける構成とすることで、各発光素子の色純度を高めることが可能となる。

以上のように、発光装置１００Ｂにおいては、発光装置１００Ａの構成に加え、各発光素子の下部電極の端部を覆う隔壁１２０と、各発光素子に対向する第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒが設けられた構造である。第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒを設ける構成とすることで、発光装置１００Ｂの色純度を高めることが可能となる。その他の構成については、図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａと同様であり、同様の効果を奏する。

ここで、図１（Ａ）に示す発光装置１００、図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａ、及び図３に示す発光装置１００Ｂのその他の構成要素について、以下詳細に説明を行う。

＜基板＞
基板１０２は、発光素子の支持体として用いられる。また、基板１５２は、光学素子の支持体として用いられる。基板１０２、１５２としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなるフィルム、または無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

＜反射電極＞
第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒは、各発光素子の下部電極または陽極としての機能を有する。なお、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒは、銀を含む反射性を有する導電性材料により形成される。該導電性材料としては、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）と、Ｍ（Ｍは、Ｙ、Ｎｄ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、またはＡｕを表す）とを含む合金等が挙げられる。銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金等が挙げられる。

また、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒに用いることのできる導電性材料としては、可視光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ω・ｃｍ以下の材料が挙げられる。また、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒとしては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。

＜透明導電膜＞
第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒは、各発光素子の下部電極または陽極としての機能を有する。または、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒは、各発光層からの所望の光を共振させ、その波長を強めることができるように、光学距離を調整する機能を有する。

第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒとしては、例えば、ＩＴＯ、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ Ｄｏｐｅｄ ＳｉＯ_２、以下ＩＴＳＯという）、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどを用いることができる。とくに、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒとしては、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いることが好ましい。また、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒとしては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。

＜半透過・半反射電極＞
半透過・半反射電極１１４は、各発光素子の上部電極または陰極としての機能を有する。なお、半透過・半反射電極１１４は、反射性及び透光性を有する１種類の導電性材料により形成される。または、半透過・半反射電極１１４は、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料と、の複数の導電性材料により形成される。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。半透過・半反射電極１１４としては、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用いて形成することができる。とくに、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用いることができる。また、半透過・半反射電極１１４としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。

＜発光層＞
第１の発光層１０８は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を有し、第２の発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を有する。また、第１の発光層１０８は、第１の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また、第２の発光層１１２は、第２の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。

また、第１の発光物質及び第２の発光物質としては、一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質や三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用いることができる。なお、上記発光性物質としては、以下のようなものが挙げられる。

一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、蛍光を発する物質が挙げられ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）などの青色の発光（発光波長４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下）を呈する物質や、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）などの黄色の発光（発光波長５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下）を呈する物質を用いることができる。

また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、例えば、燐光を発する物質が挙げられ、例えば、４４０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質、５２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることができる。

４４０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３）のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるため、特に好ましい。

５２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_３）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、５２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質の中でも、とくに５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いると好ましい。５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることで、発光素子の電流効率を高めることができる。

５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。

また、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ））、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。

また、第１の発光層１０８及び第２の発光層１１２に用いる電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体が挙げられる。

また、第１の発光層１０８及び第２の発光層１１２に用いる正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。

＜正孔注入層、正孔輸送層＞
第１の正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い第１の正孔輸送層１３２を介して第１の発光層１０８に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことで、アクセプター性材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、第１の正孔輸送層１３２を介して第１の発光層１０８に正孔が注入される。または、第１の正孔注入層１３１は、正孔輸送性材料と、アクセプター性材料とを、積層した構成としてもよい。なお、第１の正孔輸送層１３２は、正孔輸送性材料を用いて形成される。また、第２の正孔注入層１３５は、正孔輸送性の高い第２の正孔輸送層１３６を介して第２の発光層１１２に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことで、アクセプター性材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、第２の正孔輸送層１３６を介して第２の発光層１１２に正孔が注入される。または、第２の正孔注入層１３５は、正孔輸送性材料と、アクセプター性材料とを、積層した構成としてもよい。なお、第２の正孔輸送層１３６は、正孔輸送性材料を用いて形成される。

第１の正孔注入層１３１、第１の正孔輸送層１３２、第２の正孔注入層１３５、及び第２の正孔輸送層１３６に用いる正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

また、第１の正孔注入層１３１及び第２の正孔注入層１３５に用いるアクセプター性材料としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ−ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基やシアノ基）を有する化合物を挙げることができる。特に、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

なお、第１の正孔注入層１３１及び第２の正孔注入層１３５は、上述したアクセプター性材料を単独または他の材料と混合して形成しても良い。この場合、アクセプター性材料が正孔輸送層から電子を引き抜き、正孔輸送層に正孔注入することができる。アクセプター性材料は引き抜いた電子を陽極へ輸送する。

＜電子輸送層＞
第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７は、電子輸送性の高い物質を含む層である。第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７には、Ａｌｑ_３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７として用いてもよい。

また、第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。

＜電子注入層＞
第１の電子注入層１３４及び第２の電子注入層１３８は、電子注入性の高い物質を含む層である。第１の電子注入層１３４及び第２の電子注入層１３８には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、第１の電子注入層１３４及び第２の電子注入層１３８にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。

また、第１の電子注入層１３４及び第２の電子注入層１３８に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

＜電荷発生層＞
電荷発生層１１０は、一対の電極（下部電極及び上部電極）間に電圧を印加したときに、一方の発光層（第１の発光層１０８または第２の発光層１１２）側に電子を注入し、他方の発光層（第１の発光層１０８または第２の発光層１１２）側に正孔を注入する機能を有する。

例えば、図１（Ａ）に示す第１の発光素子１０１Ｂにおいては、下部電極（第１の反射電極１０４Ｂ及び第１の透明導電膜１０６Ｂ）に半透過・半反射電極１１４よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１１０から第１の発光層１０８に電子が注入され、第２の発光層１１２に正孔が注入される。また、図１（Ｂ）に示す第１の発光素子１０１Ｂにおいては、下部電極（第１の反射電極１０４Ｂ及び第１の透明導電膜１０６Ｂ）に半透過・半反射電極１１４よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１１０から第１の電子注入層１３４に電子が注入され、第２の正孔注入層１３５に正孔が注入される。

なお、電荷発生層１１０は、光取出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１１０に対する可視光の透過率が４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１１０は、一対の電極（下部電極及び上部電極）よりも低い導電率であっても機能する。

また、電荷発生層１１０は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。または、これらの両方の構成が積層されていても良い。

なお、上述した材料を用いて電荷発生層１１０を形成することにより、発光層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

なお、上述した、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、及び電荷発生層は、それぞれ、スパッタリング法、蒸着法（真空蒸着法を含む）、印刷法（例えば、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、平版印刷法、孔版印刷法等）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

＜遮光層＞
遮光層１５４は、隣接する発光素子から発せられる光を遮光し、混色を防ぐ機能を有する。または、遮光層１５４は、外光の反射を抑制する機能を有する。遮光層１５４としては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。

＜光学素子＞
第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒは、入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過するものである。例えば、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。なお、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット方式を用いる素子であると好適である。量子ドット方式を用いることにより、発光装置の色再現性を高めることができる。

第１の光学素子１５６Ｂは、第１の発光素子１０１Ｂが発する光から青色を呈する光を透過する。また、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子１０１Ｇが発する光から緑色を呈する光を透過する。また、第３の光学素子１５６Ｒは、第３の発光素子１０１Ｒが発する光から赤色を呈する光を透過する。

なお、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒ上に複数の光学素子を重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏向板や反射防止膜などを設けることができる。円偏光板を、発光装置の発光素子が発する光が取り出される側に設けると、発光装置の外部から入射した光が、発光装置の内部で反射されて、外部に射出される現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、発光装置の表面で反射される外光を弱めることができる。これにより、発光装置が発する発光を、鮮明に観察できる。

＜発光装置の構成例４＞
次に、図１（Ａ）に示す発光装置１００と異なる構成例について、図４（Ａ）を用いて、以下説明を行う。

図４（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。図４（Ａ）に示す発光装置１６０は、青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子１０１Ｂと、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子１０１Ｇと、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子１０１Ｒと、黄色を呈する光を発することができる機能を有する第４の発光素子１０１Ｙと、を有する。

第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒは、図１（Ａ）に示す第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒの構成と同様である。第４の発光素子１０１Ｙは、第４の反射電極１０４Ｙと、第４の反射電極１０４Ｙ上の第４の透明導電膜１０６Ｙと、第４の透明導電膜１０６Ｙ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の半透過・半反射電極１１４と、を有する。

また、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙは、それぞれ銀を有する。第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙに銀を有する材料を用いることで、反射率を高めることが可能となるため、各発光素子からの発光効率を高くすることができる。例えば、銀を含む導電膜を形成し、該導電膜を島状に分離することで、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙをそれぞれ形成することができる。このように、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙを、同一の導電膜を加工する工程を経て形成すると、製造コストが安くなるため好適である。

また、図４（Ａ）において、第２の発光層１１２は、第２の発光層１１２ａと、第２の発光層１１２ｂとを有する。第２の発光層１１２は、単層構造、図４（Ａ）に示すような２層の積層構造、または３層以上の積層構造とすることができる。

なお、図４（Ａ）において、第１の発光層１０８、電荷発生層１１０、第２の発光層１１２、半透過・半反射電極１１４は、各発光素子でそれぞれ分離している状態で例示してあるが、各発光素子で分離せずに共通して用いることができる。したがって、第２の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙにおいて、第１の発光層１０８、電荷発生層１１０、第２の発光層１１２、半透過・半反射電極１１４のハッチパターンを第１の発光素子１０１Ｂと同一にし、とくに符号を付していない。

このように、図４（Ａ）に示す発光装置１６０は、図１（Ａ）に示す発光装置１００の構成に加え、第４の発光素子１０１Ｙを有する構成である。

以下に発光装置１６０が有する、第４の発光素子１０１Ｙの詳細について、説明する。

第４の発光素子１０１Ｙは、マイクロキャビティ構造を有する。第１の発光層１０８及び第２の発光層１１２から射出される光は、一対の電極（第４の反射電極１０４Ｙと半透過・半反射電極１１４）の間で共振される。発光装置１６０においては、第４の発光素子１０１Ｙで第４の透明導電膜１０６Ｙの厚さを調整することで、第１の発光層１０８及び第２の発光層１１２から射出される光の波長を強めることができる。

具体的には、第４の反射電極１０４Ｙと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離がｍ_ｗλ_Ｙ／２（ｍ_ｗは自然数を、λ_Ｙは黄色の波長（５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下）を、それぞれ表す）となるように調整する。

また、第４の透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、第４の反射電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との光学距離を３／４λ_Ｙ未満、好ましくは１／４λ_Ｙ以上３／４λ_Ｙ未満とすることができる。また、第４の透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、第４の反射電極１０４Ｙと第２の発光層１１２との光学距離を３／４λ_Ｙ近傍とすることができる。上記光学距離とすることで、第４の発光素子１０１Ｙからは、第２の発光層１１２が有する第２の発光物質から黄色の光を効率よく取り出すことが可能となる。

このように、第４の透明導電膜１０６Ｙは、第４の発光素子１０１Ｙの光学距離を調整する機能を有する。また、各発光素子の光学距離を調整することで、第１の透明導電膜１０６Ｂの膜厚は、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚よりも厚く形成される。また、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚は、第４の透明導電膜１０６Ｙよりも厚く形成される。また、第４の透明導電膜１０６Ｙの膜厚は、第２の透明導電膜１０６Ｇよりも厚く形成される。別言すると、第１の透明導電膜１０６Ｂは、第１の領域を有し、第２の透明導電膜１０６Ｇは、第２の領域を有し、第３の透明導電膜１０６Ｒは、第３の領域を有し、第４の透明導電膜１０６Ｙは、第４の領域を有し、第１の領域は、第３の領域よりも厚く、第３の領域は第４の領域よりも厚く、第４の領域は第２の領域よりも厚い。

以上のように、発光装置１６０においては、発光装置１００の構成に加え、第４の発光素子１０１Ｙが設けられた構造である。その他の構成については、図１（Ａ）に示す発光装置１００と同様であり、同様の効果を奏する。

＜発光装置の構成例５＞
次に、図４（Ａ）に示す発光装置１６０と異なる構成例について、図４（Ｂ）を用いて、以下説明を行う。

図４（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図４（Ｂ）において、図４（Ａ）に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。

図４（Ｂ）に示す発光装置１６０Ａは、青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子１０１Ｂと、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子１０１Ｇと、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子１０１Ｒと、黄色を呈する光を発することができる機能を有する第４の発光素子１０１Ｙと、を有する。

第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒは、図１（Ｂ）に示す第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒの構成と同様である。第４の発光素子１０１Ｙは、第４の反射電極１０４Ｙと、第４の反射電極１０４Ｙ上の第４の透明導電膜１０６Ｙと、第４の透明導電膜１０６Ｙ上の第１の正孔注入層１３１と、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と、第１の正孔輸送層１３２上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電子輸送層１３３と、第１の電子輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子注入層１３４上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と、第２の正孔注入層１３５上の第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子輸送層１３７上の第２の電子注入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反射電極１１４と、を有する。

また、発光装置１６０Ａにおいては、第４の透明導電膜１０６Ｙ、第１の正孔注入層１３１、及び第１の正孔輸送層１３２のいずれか一つの膜厚によって、第４の反射電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との光学距離を調整する。

このように、第４の反射電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との光学距離については、その間の複数の層の膜厚を変更することで調整してもよい。

以上のように、発光装置１６０Ａにおいては、発光装置１６０の構成に加え、各発光素子に第１の正孔注入層１３１、第１の正孔輸送層１３２、第１の電子輸送層１３３、第１の電子注入層１３４、第２の正孔注入層１３５、第２の正孔輸送層１３６、第２の電子輸送層１３７、及び第２の電子注入層１３８がそれぞれ設けられた構造である。その他の構成については、図４（Ａ）に示す発光装置１６０と同様であり、同様の効果を奏する。

＜発光装置の構成例６＞
次に、図４（Ｂ）に示す発光装置１６０Ａと異なる構成例について、図５を用いて、以下説明を行う。

図５に示す発光装置１６０Ｂは、図４（Ｂ）に示す発光装置１６０Ａが有する、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙに加え、隔壁１２０を有する。また、発光装置１６０Ｂは、基板１０２に対向する基板１５２を有し、基板１５２には、遮光層１５４と、第１の光学素子１５６Ｂと、第２の光学素子１５６Ｇと、第３の光学素子１５６Ｒと、第４の光学素子１５６Ｙとが設けられる。

隔壁１２０、遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒとしては、図３に示す発光装置１００Ｂと同様の構成とすることができる。また、第４の光学素子１５６Ｙは、入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。第４の光学素子１５６Ｙを設ける構成とすることで、第４の発光素子１０１Ｙの色純度を高めることが可能となる。

以上のように、発光装置１６０Ｂにおいては、発光装置１６０の構成に加え、各発光素子の下部電極の端部を覆う隔壁１２０と、各発光素子に対向する第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙが設けられた構造である。その他の構成については、図４（Ａ）に示す発光装置１６０と同様であり、同様の効果を奏する。

＜発光装置の構成例７＞
次に、図５に示す発光装置１６０Ｂと異なる構成例について、図６を用いて以下説明を行う。

図６に示す発光装置１６０Ｃは、図５に示す発光装置１６０Ｂが有する、第４の光学素子１５６Ｙが設けられていない構成である。その他の構成については、図５に示す発光装置１６０Ｂと同様であり、同様の効果を奏する。

第４の発光素子１０１Ｙに重なる第４の光学素子１５６Ｙを設けない構成とすることで、第４の光学素子１５６Ｙを設けた構成よりも、第４の発光素子１０１Ｙから射出された光のエネルギー損失が少ないために、消費電力を低くすることが可能となる。

＜発光装置の構成例８＞
次に、図６に示す発光装置１６０Ｃと異なる構成例について、図７を用いて以下説明を行う。

図７に示す発光装置１６０Ｄは、図６に示す発光装置１６０Ｃが有する、第４の発光素子１０１Ｙの代わりに第５の発光素子１０１Ｗを有する。

第５の発光素子１０１Ｗは、第５の反射電極１０４Ｗと、第５の反射電極１０４Ｗ上の第５の透明導電膜１０６Ｗと、第５の透明導電膜１０６Ｗ上の第１の正孔注入層１３１と、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と、第１の正孔輸送層１３２上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電子輸送層１３３と、第１の電子輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子注入層１３４上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と、第２の正孔注入層１３５上の第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子輸送層１３７上の第２の電子注入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反射電極１１４と、を有する。

また、第５の発光素子１０１Ｗにおいては、第５の透明導電膜１０６Ｗ、第１の正孔注入層１３１、及び第１の正孔輸送層１３２のいずれか一つの膜厚によって、第５の反射電極１０４Ｗと第１の発光層１０８との光学距離を調整する。

例えば、第５の透明導電膜１０６Ｗの膜厚と、第３の透明導電膜１０６Ｒとを概略同じ膜厚とする。第５の発光素子１０１Ｗからは、第１の発光層１０８が有する第１の発光物質からの発光と、及び第２の発光層１１２が有する第２の発光物質からの発光とが組み合わさることによって、白色発光を得ることができる。

また、第５の発光素子１０１Ｗは、第５の発光素子１０１Ｗに重なる光学素子が設けらない構成である。したがって、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒよりも、第５の発光素子１０１Ｗから射出された光のエネルギー損失が少ないために、消費電力を低くすることが可能となる。

なお、上記例示した発光装置の各構成については、適宜組み合わせて用いることができる。

＜発光装置の作製方法１＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図８及び図９を用いて以下説明を行う。なお、ここでは、図５に示す発光装置１６０Ｂの作製方法について説明する。

図８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）及び図９（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するための断面図である。

以下で説明する発光装置１６０Ｂの作製方法は、第１乃至第７の７つのステップを有する。

＜第１のステップ＞
第１のステップは、各発光素子の反射電極（具体的には、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙ）を、基板１０２上に形成する工程である（図８（Ａ）参照）。

本実施の形態においては、基板１０２上に、反射性の導電膜を形成し、該導電膜を所望の形状に加工することで、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙを形成する。上記反射性の導電膜としては、銀とパラジウムと銅の合金膜を用いる。

なお、第１のステップの前に、基板１０２上に複数のトランジスタを形成してもよい。また、上記複数のトランジスタと、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙと、を電気的に接続させてもよい。

＜第２のステップ＞
第２のステップは、各発光素子の透明導電膜（第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙ）を、反射電極上に形成する工程である（図８（Ｂ）参照）。

本実施の形態においては、基板１０２、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙ上に、透明導電膜を形成し、該透明導電膜を所望の形状に加工することで、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙを形成する。本実施の形態においては、上記透明導電膜として、ＩＴＳＯ膜を用いる。

なお、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙの形成方法としては、複数回に分けて形成してもよい。複数回に分けて形成することで、各発光素子内でマイクロキャビティ構造を有することができる膜厚で第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙを形成することができる。

＜第３のステップ＞
第３のステップは、各発光素子の下部電極（具体的には、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、第４の反射電極１０４Ｙ、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙ）の端部を覆う隔壁１２０を形成する工程である（図８（Ｃ）参照）。

隔壁１２０は、下部電極と重なるように開口部を有する。該開口部と重畳した透明導電膜が発光素子の下部電極として機能する。本実施の形態では、隔壁１２０として、アクリル樹脂を用いる。

なお、第１乃至第３のステップにおいては、有機化合物を含む発光層を損傷するおそれがないため、さまざまな成膜方法及び微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、スパッタリング法を用いて反射性の導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該導電膜上にパターンを形成し、その後ドライエッチング法またはウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙを形成する。その後、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該透明導電膜上にパターンを形成し、その後ウエットエッチング法を用いて、該透明導電膜を島状に加工して第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙを形成する。

＜第４のステップ＞
第４のステップは、第１の正孔注入層１３１、第１の正孔輸送層１３２、第１の発光層１０８、第１の電子輸送層１３３、第１の電子注入層１３４、及び電荷発生層１１０を形成する工程である（図８（Ｄ）参照）。

第１の正孔注入層１３１としては、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む材料とを共蒸着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。また、第１の正孔輸送層１３２としては、正孔輸送性材料を蒸着することで形成することができる。

第１の発光層１０８としては、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を蒸着することで形成することができる。第１の発光物質としては、蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。

第１の電子輸送層１３３としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することができる。また、第１の電子注入層１３４としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成することができる。

電荷発生層１１０としては、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された材料、または電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された材料を蒸着することで形成することができる。

＜第５のステップ＞
第５のステップは、第２の正孔注入層１３５、第２の正孔輸送層１３６、第２の発光層１１２、第２の電子輸送層１３７、第２の電子注入層１３８、及び半透過・半反射電極１１４を形成する工程である（図９（Ａ）参照）。

第２の正孔注入層１３５としては、先に示す第１の正孔注入層１３１と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。また、第２の正孔輸送層１３６としては、先に示す第１の正孔輸送層１３２と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。

第２の発光層１１２としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を蒸着することで形成することができる。第２の発光物質としては、燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。

第２の電子輸送層１３７としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することができる。また、第２の電子注入層１３８としては、電子注入性の高い物質を蒸着することで形成することができる。

半透過・半反射電極１１４としては、反射性を有する導電膜と、透光性を有する導電膜を積層することで形成することができる。また、半透過・半反射電極１１４としては、単層構造、または積層構造としてもよい。

上記工程を経て、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙが基板１０２上に形成される。

＜第６のステップ＞
第６のステップは、基板１５２上に遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙを形成する工程である（図９（Ｂ）参照）。

遮光層１５４としては、黒色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。その後、基板１５２及び遮光層１５４上に、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙを形成する。第１の光学素子１５６Ｂとしては、青色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第２の光学素子１５６Ｇとしては、緑色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第３の光学素子１５６Ｒとしては、赤色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第４の光学素子１５６Ｙとしては、黄色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。

＜第７のステップ＞
第７のステップは、基板１０２上に形成された第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙと、基板１５２上に形成された遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙと、を貼り合わせ、封止材を用いて封止する工程である（図示しない）。

以上の工程により、図５に示す発光装置１６０Ｂを形成することができる。

以上、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、発光装置の一形態である表示装置（表示パネル、または発光パネルともいう）の上面及び断面について、図１０（Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。

図１０（Ａ）は、第１の基板５０１が有する発光素子と、第２の基板５０６が有する光学素子と、をシール材によって封止した発光パネルの上面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２間の切断面の断面図に相当する。

第１の基板５０１は、画素部５０２と、信号線駆動回路部５０３と、走査線駆動回路部５０４ａ、５０４ｂと、を有する。また、第２の基板５０６は、遮光層５２１と、青色を呈する光を透過する機能を有する第１の光学素子５２２Ｂと、緑色を呈する光を透過する機能を有する第２の光学素子５２２Ｇと、赤色を呈する光を透過する機能を有する第３の光学素子５２２Ｒと、を有する。また、第１の基板５０１と第２の基板５０６は、シール材５０５によって封止されている。

また、画素部５０２、信号線駆動回路部５０３、及び走査線駆動回路部５０４ａ、５０４ｂは、第１の基板５０１、第２の基板５０６、シール材５０５、及び充填材５０７によって、密封されている。

シール材５０５としては、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料が好ましい。

充填材５０７としては、窒素やアルゴンなどの不活性な気体、あるいは紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）系樹脂またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）系樹脂を用いることができる。

また、信号線駆動回路部５０３及び走査線駆動回路部５０４ａ、５０４ｂは、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回路で実装されていてもよい。

また、画素部５０２、信号線駆動回路部５０３、及び走査線駆動回路部５０４ａ、５０４ｂは、複数のトランジスタを有しており、図１０（Ｂ）においては、画素部５０２に含まれるトランジスタ５１０、５１１、５１２と、信号線駆動回路部５０３に含まれるトランジスタ５０９とを例示している。

なお、図１０（Ｂ）において、トランジスタの一例として逆スタガ型のトランジスタ構造を例示したが、これに限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタの極性についても特に限定はなく、Ｎ型およびＰ型のトランジスタを有する構造、及びＮ型のトランジスタまたはＰ型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては、第１３族（ガリウム等）半導体、第１４族（シリコン等）半導体、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トランジスタ５０９、５１０、５１１、５１２としては、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。該酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）等が挙げられる。

また、信号線駆動回路部５０３、走査線駆動回路部５０４ａ、５０４ｂ、及び画素部５０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ５１８から供給される。

ＦＰＣ５１８は、異方性導電膜５１９及び接続端子電極５１７を介して、端子電極５２５と電気的に接続される。なお、接続端子電極５１７は、トランジスタ５１０、５１１、５１２が有するソース電極及びドレイン電極と同一の導電膜を加工する工程を経て形成される。また、端子電極５２５は、トランジスタ５１０、５１１、５１２が有するゲート電極と同一の導電膜を加工する工程を経て形成される。

また、第１の基板５０１及び第２の基板５０６に用いることのできる材料としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。

また、発光素子やトランジスタを形成する基板として、上述した可撓性基板を用いる場合には、可撓性基板上に発光素子やトランジスタを直接形成してもよいし、ベース基板上に剥離層を介して発光素子やトランジスタを一部または全部形成した後、ベース基板より分離し、他の基板に転載してもよい。このような剥離層を用いて別の基板に転載して作製する場合には、耐熱性の劣る基板や直接形成が難しい可撓性の基板上に発光素子やトランジスタを形成することができる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。さらに、転載する基板としては、上述した発光素子やトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、耐久性や耐熱性に優れ、軽量化および薄型化を図ることができる。

また、トランジスタ５１０のソース電極またはドレイン電極に第１の反射電極５１３Ｂが電気的に接続され、トランジスタ５１１のソース電極またはドレイン電極に第２の反射電極５１３Ｇが電気的に接続され、トランジスタ５１２のソース電極またはドレイン電極に第３の反射電極５１３Ｒが電気的に接続されている。

また、第１の反射電極５１３Ｂ、第２の反射電極５１３Ｇ、及び第３の反射電極５１３Ｒの端部を覆うように、隔壁５２０が形成される。なお、隔壁５２０の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。隔壁５２０の形状を上記のように形成することで、隔壁５２０の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。

また、第１の反射電極５１３Ｂは、第１の発光素子５２４Ｂの下部電極の一部として機能する。また、第２の反射電極５１３Ｇは、第２の発光素子５２４Ｇの下部電極の一部として機能する。また、第３の反射電極５１３Ｒは、第３の発光素子５２４Ｒの下部電極の一部として機能する。

第１の発光素子５２４Ｂ、第２の発光素子５２４Ｇ、及び第３の発光素子５２４Ｒは、それぞれ先の実施の形態１に示す素子構成を適用することができる。実施の形態１に示す素子構成を用いることで、発光効率が高く、消費電力が低減された発光装置とすることができる。

また、第１の発光素子５２４Ｂ、第２の発光素子５２４Ｇ、及び第３の発光素子５２４Ｒから射出される光は、第２の基板５０６側から射出される。そのため、第２の基板５０６は、透光性を持たせる必要があり、例えば、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような材料を用いるとよい。

また、第２の基板５０６上に、偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

また、第１の発光素子５２４Ｂ、第２の発光素子５２４Ｇ、及び第３の発光素子５２４Ｒ上に、保護膜を形成してもよい。該保護膜としては、酸素、水素、水分、二酸化炭素等が各発光素子内に入り込まないような機能を有していればよい。例えば、保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いればよい。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図１１を用いて説明を行う。

図１１（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部６０２という）と、画素部６０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（以下、駆動回路部６０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路６０６という）と、端子部６０７と、を有する。なお、保護回路６０６は、設けない構成としてもよい。

駆動回路部６０４の一部、または全部は、画素部６０２と同一基板上に形成されていることが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部６０４の一部、または全部が、画素部６０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回路部６０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。

画素部６０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置された複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路６０１という）を有し、駆動回路部６０４は、画素を選択する信号（走査信号）を供給する回路（以下、走査線駆動回路部６０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（以下、信号線駆動回路部６０４ｂ）などの駆動回路を有する。

走査線駆動回路部６０４ａは、シフトレジスタ等を有する。走査線駆動回路部６０４ａは、端子部６０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力する。例えば、走査線駆動回路部６０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力され、パルス信号を出力する。走査線駆動回路部６０４ａは、走査信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、走査線駆動回路部６０４ａを複数設け、複数の走査線駆動回路部６０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、走査線駆動回路部６０４ａは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、走査線駆動回路部６０４ａは、別の信号を供給することも可能である。

信号線駆動回路部６０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。信号線駆動回路部６０４ｂは、端子部６０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元となる信号（画像信号）が入力される。信号線駆動回路部６０４ｂは、画像信号を元に画素回路６０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、信号線駆動回路部６０４ｂは、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信号の出力を制御する機能を有する。また、信号線駆動回路部６０４ｂは、データ信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有する。または、信号線駆動回路部６０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、信号線駆動回路部６０４ｂは、別の信号を供給することも可能である。

信号線駆動回路部６０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。信号線駆動回路部６０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。

複数の画素回路６０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介してデータ信号が入力される。また、複数の画素回路６０１のそれぞれは、走査線駆動回路部６０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列目の画素回路６０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介して走査線駆動回路部６０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介して信号線駆動回路部６０４ｂからデータ信号が入力される。

図１１（Ａ）に示す保護回路６０６は、例えば、走査線駆動回路部６０４ａと画素部６０２の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路６０６は、信号線駆動回路部６０４ｂと画素部６０２の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保護回路６０６は、走査線駆動回路部６０４ａと端子部６０７との間の配線に接続することができる。または、保護回路６０６は、信号線駆動回路部６０４ｂと端子部６０７との間の配線に接続することができる。なお、端子部６０７は、外部の回路から表示装置に電源及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。

保護回路６０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該配線と別の配線とを導通状態にする回路である。

図１１（Ａ）に示すように、画素部６０２と駆動回路部６０４にそれぞれ保護回路６０６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。ただし、保護回路６０６の構成はこれに限定されず、例えば、走査線駆動回路部６０４ａに保護回路６０６を接続した構成、または信号線駆動回路部６０４ｂに保護回路６０６を接続した構成とすることもできる。あるいは、端子部６０７に保護回路６０６を接続した構成とすることもできる。

また、図１１（Ａ）においては、走査線駆動回路部６０４ａと信号線駆動回路部６０４ｂによって駆動回路部６０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例えば、走査線駆動回路部６０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装する構成としても良い。

また、図１１（Ａ）に示す複数の画素回路６０１は、例えば、図１１（Ｂ）に示す構成とすることができる。

図１１（Ｂ）に示す画素回路６０１は、トランジスタ６５２、６５４と、容量素子６６２と、発光素子６７２と、を有する。

トランジスタ６５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ６５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気的に接続される。

トランジスタ６５２は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。

容量素子６６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ６５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。

容量素子６６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。

トランジスタ６５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続される。さらに、トランジスタ６５４のゲート電極は、トランジスタ６５２のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。

発光素子６７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、トランジスタ６５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。

発光素子６７２としては、実施の形態１に示す発光素子のいずれかを用いることができる。

なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。

図１１（Ｂ）の画素回路６０１を有する表示装置では、例えば、図１１（Ａ）に示す走査線駆動回路部６０４ａにより各行の画素回路６０１を順次選択し、トランジスタ６５２をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。

データ信号が書き込まれた画素回路６０１は、トランジスタ６５２がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ６５４のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子６７２は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図１２及び図１３を用いて説明を行う。

図１２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有する。

本発明の一態様の発光装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。

上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。

フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。

また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。

図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有することができる。

図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信または受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。また、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）には図示していないが、電子機器は、複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図１３（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することができる。

図１３（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図１３（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。

図１３（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

図１３（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００６を介さずに無線給電により行ってもよい。

図１３（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図１３（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図１３（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図であり、図１３（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることにより、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部においては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面部に表示を行う構成としてもよい。

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について、図１４を用いて説明する。

図１４は、発光装置を室内の照明装置８５０１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８５０２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照明装置８５０１、８５０２、８５０３に、タッチセンサを設けて、照明装置の電源のオンまたはオフを行ってもよい。

また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子１及び発光素子２と、比較発光素子３とを作製し、それぞれ評価を行った。なお、発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の素子構造の詳細については、図１５を用いて説明する。まず、本実施例で用いた発光素子の材料の化学式を以下に示す。

以下に本実施例の発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の作製方法を示す。

≪発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の作製方法≫
まず、基板４００２上に反射電極４００４として、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）の合金膜（略称：ＡＰＣ）をスパッタリング法により成膜した。なお、反射電極４００４の膜厚を１００ｎｍとし、面積を４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

次に、反射電極４００４上に、透明導電膜４００６として、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜した。なお、発光素子１の透明導電膜４００６の膜厚を６０ｎｍとし、発光素子２の透明導電膜４００６の膜厚を３０ｎｍとし、比較発光素子３の透明導電膜４００６の膜厚を１０ｎｍとした。

次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、反射電極４００４及び透明導電膜４００６が形成された基板４００２の透明導電膜４００６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電膜４００６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板４００２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板４００２を３０分程度放冷した。

次に、透明導電膜４００６が形成された面が下方となるように、基板４００２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、第１の正孔注入層４１３１、第１の正孔輸送層４１３２、第１の発光層４００８、第１の電子輸送層４１３３ａ、４１３３ｂ、第１の電子注入層４１３４を順次形成した後、電荷発生層４０１０を形成し、次に第２の正孔注入層４１３５、第２の正孔輸送層４１３６、第２の発光層４０１２ａ、４０１２ｂ、第２の電子輸送層４１３７ａ、４１３７ｂ、第２の電子注入層４１３８を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。

まず、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、透明導電膜４００６上に、第１の正孔注入層４１３１として、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰｃＰＰｎ）と酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子１及び発光素子２の第１の正孔注入層４１３１の膜厚を３５ｎｍとし、比較発光素子３の第１の正孔注入層４１３１の膜厚を１５ｎｍとした。

次に、第１の正孔注入層４１３１上に第１の正孔輸送層４１３２を形成した。第１の正孔輸送層４１３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、発光素子１及び発光素子２の第１の正孔輸送層４１３２の膜厚を１５ｎｍとし、比較発光素子３の第１の正孔輸送層４１３２の膜厚を１０ｎｍとした。

次に、第１の正孔輸送層４１３２上に第１の発光層４００８を形成した。第１の発光層４００８としては、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）と、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−４−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ−ＩＩ）とを、ＣｚＰＡ：１，６ＦｒＡＰｒｎ＝１：０．０５（質量比）となるように共蒸着した。また、第１の発光層４００８の膜厚を２５ｎｍとした。

次に、第１の発光層４００８上に第１の電子輸送層４１３３ａとして、膜厚５ｎｍのＣｚＰＡを蒸着した。次に、第１の電子輸送層４１３３ａ上に第１の電子輸送層４１３３ｂとして、膜厚１５ｎｍのバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を蒸着した。次に、第１の電子輸送層４１３３ｂ上に、第１の電子注入層４１３４として、膜厚０．１ｎｍの酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）を蒸着した。

次に、第１の電子注入層４１３４上に、電荷発生層４０１０として、膜厚２ｎｍの銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を蒸着した。

次に、電荷発生層４０１０上に、第２の正孔注入層４１３５として、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と、酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比）となるように共蒸着した。なお、第２の正孔注入層４１３５の膜厚を１２．５ｎｍとした。

次に、第２の正孔注入層４１３５上に第２の正孔輸送層４１３６として、膜厚２０ｎｍのＢＰＡＦＬＰを蒸着した。

次に、第２の正孔輸送層４１３６上に、第２の発光層４０１２ａとして、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）と、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）と、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）＝０．７：０．３：０．０６（質量比）となるよう共蒸着した。なお、第２の発光層４０１２ａの膜厚を２０ｎｍとした。

次に、第２の発光層４０１２ａ上に第２の発光層４０１２ｂとして、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ））を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）＝１：０．０６（質量比）となるよう共蒸着した。なお、第２の発光層４０１２ｂの膜厚を２０ｎｍとした。

次に、第２の発光層４０１２ｂ上に第２の電子輸送層４１３７ａとして、膜厚３０ｎｍの２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）を蒸着した。次に、第２の電子輸送層４１３７ａ上に第２の電子輸送層４１３７ｂとして、膜厚１５ｎｍのＢｐｈｅｎを蒸着した。

次に、第２の電子輸送層４１３７ｂ上に第２の電子注入層４１３８として、膜厚１ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着した。

次に、第２の電子注入層４１３８上に半透過・半反射電極４０１４ａとして、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、半透過・半反射電極４０１４ａの膜厚は、１５ｎｍとした。次に、半透過・半反射電極４０１４ａ上に半透過・半反射電極４０１４ｂとして、膜厚７０ｎｍのインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリング法により形成した。

なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

以上により得られた発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の素子構造を表１に示す。

なお、表１に示すように、発光素子１の対向基板４１５２には、着色層４１５６として、膜厚２．４μｍの赤色（Ｒ）のカラーフィルタを、発光素子２の対向基板４１５２には、着色層４１５６として、膜厚１．３μｍの緑色（Ｇ）のカラーフィルタを、比較発光素子３の対向基板４１５２には、着色層４１５６として、膜厚０．６μｍの青色（Ｂ）のカラーフィルタを、それぞれ形成した。

上記により作製した発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３と、上記により作製した対向基板４１５２とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し、８０℃にて１時間熱処理した）。

≪発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の動作特性≫
次に、上記作製した各発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の電流効率−輝度特性を図１６（Ａ）に示す。なお、図１６（Ａ）において、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、それぞれ示す。また、発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の電流−電圧特性を図１６（Ｂ）に示す。なお、図１６（Ｂ）において、縦軸は電流（ｍＡ）を、横軸は電圧（Ｖ）を、それぞれ示す。また、発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の輝度−電圧特性を図１７に示す。なお、図１７において、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、横軸は電圧（Ｖ）を、をそれぞれ示す。

また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の主な初期特性値を表２に示す。

また、発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３に２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図１８に示す。図１８に示す通り、発光素子１の発光スペクトルは６１１ｎｍ付近、発光素子２の発光スペクトルは５３９ｎｍ付近、比較発光素子３の発光スペクトルは４６０ｎｍ付近にそれぞれピークを有している。

上記結果から、発光素子１は、赤色（Ｒ）の発光を呈することが分かる。また、発光素子２は、緑色（Ｇ）の発光を呈することが分かる。また、比較発光素子３は、青色（Ｂ）の発光を呈することが分かる。発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３を組みあわせて用いることで、フルカラー化を実現できることが分かる。しかしながら、素子構成、及び発光波長が異なるので単純な比較はできないが、比較発光素子３と、発光素子１及び発光素子２とを比較した場合、比較発光素子３の電流効率が低い結果であった。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子４及び発光素子５を作製し、評価を行った。なお、発光素子４及び発光素子５の素子構造の詳細については、図１５を用いて説明する。また、本実施例で作製した発光素子４及び発光素子５に用いた材料は、実施例１と同じである。したがって、本実施例で用いた材料の化学式については、記載を省略する。

＜＜発光素子４及び発光素子５の作製方法＞＞
まず、基板４００２上に反射電極４００４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成膜した。なお、反射電極４００４の膜厚を１００ｎｍとし、面積を４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

次に、反射電極４００４上に、透明導電膜４００６として、ＩＴＳＯをスパッタリング法により成膜した。なお、発光素子４及び発光素子５の透明導電膜４００６の膜厚を６０ｎｍとした。

次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、反射電極４００４及び透明導電膜４００６が形成された基板４００２の透明導電膜４００６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、透明導電膜４００６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板４００２を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板４００２を３０分程度放冷した。

次に、透明導電膜４００６が形成された面が下方となるように、基板４００２を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、第１の正孔注入層４１３１、第１の正孔輸送層４１３２、第１の発光層４００８、第１の電子輸送層４１３３ａ、４１３３ｂ、第１の電子注入層４１３４を順次形成した後、電荷発生層４０１０を形成し、次に第２の正孔注入層４１３５、第２の正孔輸送層４１３６、第２の発光層４０１２ａ、４０１２ｂ、第２の電子輸送層４１３７ａ、４１３７ｂ、第２の電子注入層４１３８を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。

まず、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、透明導電膜４００６上に第１の正孔注入層４１３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子４の第１の正孔注入層４１３１の膜厚を６５ｎｍとし、発光素子５の第１の正孔注入層４１３１の膜厚を７０ｎｍとした。

次に、第１の正孔注入層４１３１上に第１の正孔輸送層４１３２を形成した。第１の正孔輸送層４１３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、発光素子４及び発光素子５の第１の正孔輸送層４１３２の膜厚を１５ｎｍとした。

次に、第１の正孔輸送層４１３２上に第１の発光層４００８を形成した。第１の発光層４００８としては、ＣｚＰＡと、１，６ＦｒＡＰｒｎ−ＩＩとを、ＣｚＰＡ：１，６ＦｒＡＰｒｎ＝１：０．０５（質量比）となるように共蒸着した。また、第１の発光層４００８の膜厚を２５ｎｍとした。

次に、第１の発光層４００８上に第１の電子輸送層４１３３ａとして、膜厚５ｎｍのＣｚＰＡを蒸着した。次に、第１の電子輸送層４１３３ａ上に第１の電子輸送層４１３３ｂとして、膜厚１５ｎｍのＢＰｈｅｎを蒸着した。次に、第１の電子輸送層４１３３ｂ上に、第１の電子注入層４１３４として、膜厚０．１ｎｍのＬｉ_２Ｏを蒸着した。

次に、第１の電子注入層４１３４上に、電荷発生層４０１０として、膜厚２ｎｍのＣｕＰｃを蒸着した。

次に、電荷発生層４０１０上に、第２の正孔注入層４１３５として、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比）となるように共蒸着した。なお、第２の正孔注入層４１３５の膜厚を１２．５ｎｍとした。

次に、第２の正孔注入層４１３５上に第２の正孔輸送層４１３６として、膜厚２０ｎｍのＢＰＡＦＬＰを蒸着した。

次に、第２の正孔輸送層４１３６上に、第２の発光層４０１２ａとして、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）＝０．７：０．３：０．０６（質量比）となるよう共蒸着した。なお、第２の発光層４０１２ａの膜厚を２０ｎｍとした。

次に、第２の発光層４０１２ａ上に第２の発光層４０１２ｂとして、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）＝１：０．０６（質量比）となるよう共蒸着した。なお、第２の発光層４０１２ｂの膜厚を２０ｎｍとした。

次に、第２の発光層４０１２ｂ上に第２の電子輸送層４１３７ａとして、膜厚３０ｎｍの２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩを蒸着した。次に、第２の電子輸送層４１３７ａ上に第２の電子輸送層４１３７ｂとして、膜厚１５ｎｍのＢｐｈｅｎを蒸着した。

次に、第２の電子輸送層４１３７ｂ上に第２の電子注入層４１３８として、膜厚１ｎｍのＬｉＦを蒸着した。

次に、第２の電子注入層４１３８上に半透過・半反射電極４０１４ａとして、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、半透過・半反射電極４０１４ａの膜厚は、１５ｎｍとした。次に、半透過・半反射電極４０１４ａ上に半透過・半反射電極４０１４ｂとして、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により形成した。

なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

以上により得られた発光素子４及び発光素子５の素子構造を表３に示す。

なお、表３に示すように、発光素子４の対向基板４１５２には、着色層４１５６として、膜厚０．６μｍの青色（Ｂ）のカラーフィルタを、発光素子５の対向基板４１５２には、着色層４１５６として、膜厚１．０μｍの青色（Ｂ）のカラーフィルタを、それぞれ形成した。

上記により作製した発光素子４及び発光素子５と、上記により作製した対向基板４１５２とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせることにより封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し、８０℃にて１時間熱処理した）。

≪発光素子４及び発光素子５の動作特性≫
次に、上記作製した各発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子４及び発光素子５の電流効率−輝度特性を図１９（Ａ）に示す。なお、図１９（Ａ）において、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、それぞれ示す。また、発光素子４及び発光素子５の電流−電圧特性を図１９（Ｂ）に示す。なお、図１９（Ｂ）において、縦軸は電流（ｍＡ）を、横軸は電圧（Ｖ）を、それぞれ示す。また、発光素子４及び発光素子５の輝度−電圧特性を図２０に示す。なお、図２０において、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、横軸は電圧（Ｖ）を、それぞれ示す。なお、図１９（Ａ）（Ｂ）、及び図２０において、発光素子４と発光素子５のグラフが略重なって図示されている。

また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光素子４及び発光素子５の主な初期特性値を表４に示す。

また、発光素子４及び発光素子５に２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを図２１に示す。図２１に示す通り、発光素子４の発光スペクトルは４６２ｎｍ付近、発光素子５の発光スペクトルは４６６ｎｍ付近にそれぞれピークを有している。

上記結果から、発光素子４及び発光素子５は、青色（Ｂ）の発光を呈することが分かる。また、実施例１で作製した比較発光素子３と比べ、本発明の一態様の発光素子４及び発光素子５の電流効率が高いことが分かる。これは、反射電極として用いたＡＰＣと、第１の発光層との光学距離が異なることに起因していると示唆される。

また、実施例１で作製した発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３と、実施例２で作製した発光素子４、及び発光素子５のＡＰＣから第１の発光層（以下、ＥＭＬ１として示す場合がある）までの光学距離と、ＡＰＣから第２の発光層（以下、ＥＭＬ２として示す場合がある）までの光学距離と、各発光素子からの波長のλ／４、及び３λ／４の計算結果を表５に示す。

なお、表５において、光学距離としては、透明導電膜４００６として用いたＩＴＳＯ膜の屈折率を２．２とし、その他の有機層（第１の正孔注入層４１３１、第１の正孔輸送層４１３２、第１の発光層４００８、第１の電子輸送層４１３３、第１の電子注入層４１３４、電荷発生層４０１０、第２の正孔注入層４１３５、第２の正孔輸送層４１３６、及び第２の発光層４０１２）の屈折率を１．９として算出した。

表５に示すように、比較発光素子３においては、ＡＰＣからＥＭＬ１までの光学距離が概ねλ_Ｂ／４であるため、ＡＰＣの表面近傍で光の散乱または光の吸収が生じたため、電流効率が低くなったと示唆される。一方で、本発明の一態様の発光素子４及び発光素子５においては、ＡＰＣからＥＭＬ１までの光学距離が概ね３λ_Ｂ／４であるため、ＡＰＣの表面近傍での光の散乱または光の吸収が抑制されたため、比較発光素子３よりも電流効率が高い結果になったと考えられる。

また、表５に示すように、本発明の一態様の発光素子１は、ＡＰＣからＥＭＬ２までの光学距離が概ね３λ_Ｒ／４であった。また、本発明の一態様の発光素子２は、ＡＰＣからＥＭＬ２までの光学距離が概ね３λ_Ｇ／４であった。

以上、本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態と適宜組み合わせて用いる事ができる。

１００ 発光装置
１００Ａ 発光装置
１００Ｂ 発光装置
１０１Ｂ 発光素子
１０１Ｇ 発光素子
１０１Ｒ 発光素子
１０１Ｙ 発光素子
１０１Ｗ 発光素子
１０２ 基板
１０４Ｂ 反射電極
１０４Ｇ 反射電極
１０４Ｒ 反射電極
１０４Ｙ 反射電極
１０４Ｗ 反射電極
１０６Ｂ 透明導電膜
１０６Ｇ 透明導電膜
１０６Ｒ 透明導電膜
１０６Ｙ 透明導電膜
１０６Ｗ 透明導電膜
１０８ 発光層
１１０ 電荷発生層
１１２ 発光層
１１２ａ 発光層
１１２ｂ 発光層
１１４ 半透過・半反射電極
１２０ 隔壁
１３１ 正孔注入層
１３２ 正孔輸送層
１３３ 電子輸送層
１３４ 電子注入層
１３５ 正孔注入層
１３６ 正孔輸送層
１３７ 電子輸送層
１３８ 電子注入層
１５２ 基板
１５４ 遮光層
１５６Ｂ 光学素子
１５６Ｇ 光学素子
１５６Ｒ 光学素子
１５６Ｙ 光学素子
１６０ 発光装置
１６０Ａ 発光装置
１６０Ｂ 発光装置
１６０Ｃ 発光装置
１６０Ｄ 発光装置
５０１ 基板
５０２ 画素部
５０３ 信号線駆動回路部
５０４ａ 走査線駆動回路部
５０４ｂ 走査線駆動回路部
５０５ シール材
５０６ 基板
５０７ 充填材
５０９ トランジスタ
５１０ トランジスタ
５１１ トランジスタ
５１２ トランジスタ
５１３Ｂ 反射電極
５１３Ｇ 反射電極
５１３Ｒ 反射電極
５１７ 接続端子電極
５１８ ＦＰＣ
５１９ 異方性導電膜
５２０ 隔壁
５２１ 遮光層
５２２Ｂ 光学素子
５２２Ｇ 光学素子
５２２Ｒ 光学素子
５２４Ｂ 発光素子
５２４Ｇ 発光素子
５２４Ｒ 発光素子
５２５ 端子電極
６０１ 画素回路
６０２ 画素部
６０４ 駆動回路部
６０４ａ 走査線駆動回路部
６０４ｂ 信号線駆動回路部
６０６ 保護回路
６０７ 端子部
６５２ トランジスタ
６５４ トランジスタ
６６２ 容量素子
６７２ 発光素子
４００２ 基板
４００４ 反射電極
４００６ 透明導電膜
４００８ 発光層
４０１０ 電荷発生層
４０１２ 発光層
４０１２ａ 発光層
４０１２ｂ 発光層
４０１４ａ 半透過・半反射電極
４０１４ｂ 半透過・半反射電極
４１３１ 正孔注入層
４１３２ 正孔輸送層
４１３３ 電子輸送層
４１３３ａ 電子輸送層
４１３３ｂ 電子輸送層
４１３４ 電子注入層
４１３５ 正孔注入層
４１３６ 正孔輸送層
４１３７ａ 電子輸送層
４１３７ｂ 電子輸送層
４１３８ 電子注入層
４１５２ 対向基板
４１５６ 着色層
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
８５０１ 照明装置
８５０２ 照明装置
８５０３ 照明装置
８５０４ 照明装置
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ 携帯情報端末
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末

Claims (13)

1. 複数の光を発する発光装置であって、
   前記発光装置は、
   青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子と、
   緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子と、
   赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子と、を有し、
   前記第１の発光素子は、
   第１の反射電極と、
   前記第１の反射電極上の第１の透明導電膜と、
   前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の電荷発生層と、
   前記電荷発生層上の第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、
   第２の反射電極と、
   前記第２の反射電極上の第２の透明導電膜と、
   前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記電荷発生層と、
   前記電荷発生層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記電極と、を有し、
   前記第３の発光素子は、
   第３の反射電極と、
   前記第３の反射電極上の第３の透明導電膜と、
   前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記電荷発生層と、
   前記電荷発生層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記電極と、を有し、
   前記電極は、光を透過させることができる機能と、光を反射させることができる機能とを有し、
   前記第１乃至第３の反射電極は、銀を有し、
   前記第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、
   前記第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、
   前記第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記第３の領域よりも厚く、
   前記第３の領域は、前記第２の領域よりも厚い、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の発光層は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を有し、
   前記第２の発光層は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を有する、
   ことを特徴とする発光装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｂ以上である、
   ことを特徴とする発光装置。
4. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｇ未満であり、
   前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｒ未満である、
   ことを特徴とする発光装置。
5. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の反射電極と前記第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｇ近傍であり、
   前記第３の反射電極と前記第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｒ近傍である、
   ことを特徴とする発光装置。
6. 複数の光を発する発光装置であって、
   前記発光装置は、
   青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子と、
   緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子と、
   赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子と、
   黄色を呈する光を発することができる機能を有する第４の発光素子と、を有し、
   前記第１の発光素子は、
   第１の反射電極と、
   前記第１の反射電極上の第１の透明導電膜と、
   前記第１の透明導電膜上の第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の電荷発生層と、
   前記電荷発生層上の第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の電極と、を有し、
   前記第２の発光素子は、
   第２の反射電極と、
   前記第２の反射電極上の第２の透明導電膜と、
   前記第２の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記電荷発生層と、
   前記電荷発生層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記電極と、を有し、
   前記第３の発光素子は、
   第３の反射電極と、
   前記第３の反射電極上の第３の透明導電膜と、
   前記第３の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記電荷発生層と、
   前記電荷発生層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記電極と、を有し、
   前記第４の発光素子は、
   第４の反射電極と、
   前記第４の反射電極上の第４の透明導電膜と、
   前記第４の透明導電膜上の前記第１の発光層と、
   前記第１の発光層上の前記電荷発生層と、
   前記電荷発生層上の前記第２の発光層と、
   前記第２の発光層上の前記電極と、を有し、
   前記電極は、光を透過させることができる機能と、光を反射させることができる機能とを有し、
   前記第１乃至第４の反射電極は、銀を有し、
   前記第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、
   前記第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、
   前記第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、
   前記第４の透明導電膜は、第４の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記第３の領域よりも厚く、
   前記第３の領域は、前記第４の領域よりも厚く、
   前記第４の領域は、前記第２の領域よりも厚い、
   ことを特徴とする発光装置。
7. 請求項６において、
   前記第１の発光層は、青色発光を呈する第１の発光物質を有し、
   前記第２の発光層は、緑色、黄色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を有する、
   ことを特徴とする発光装置。
8. 請求項６または請求項７において、
   前記第１の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｂ以上である、
   ことを特徴とする発光装置。
9. 請求項６または請求項７において、
   前記第２の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｇ未満であり、
   前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｒ未満であり、
   前記第４の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λ_Ｙ未満である、
   ことを特徴とする発光装置。
10. 請求項６または請求項７において、
    前記第２の反射電極と前記第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｇ近傍であり、
    前記第３の反射電極と前記第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｒ近傍であり、
    前記第４の反射電極と前記第２の発光層との光学距離が３／４λ_Ｙ近傍である、
    ことを特徴とする発光装置。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一つにおいて、
    前記第１の発光素子に重なる第１の光学素子を有し、
    前記第２の発光素子に重なる第２の光学素子を有し、
    前記第３の発光素子に重なる第３の光学素子を有し、
    前記第１の光学素子は、
    青色を呈する光を透過する機能を有し、
    前記第２の光学素子は、
    緑色を呈する光を透過する機能を有し、
    前記第３の光学素子は、
    赤色を呈する光を透過する機能を有する、
    ことを特徴とする発光装置。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一つに記載の発光装置と、
    筐体またはタッチセンサと、
    を有する電子機器。
13. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一つに記載の発光装置と、
    筐体またはタッチセンサと、
    を有する照明装置。