JP2019220481A - 発光装置、電子機器及び照明装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】新規な発光装置を提供する。または生産性が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供する。【解決手段】青色の光を発する第１の発光素子１０１Ｂと、緑色の光を発する第２の発光素子１０１Ｇと、赤色の光を発する第３の発光素子１０１Ｒと、を有し、第１の発光素子は、第１の反射電極、第１の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、第２の発光素子は、第２の反射電極、第２の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、第３の発光素子は、第３の反射電極、第３の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、電極は、光を透過させる機能と、光を反射させる機能とを有し、第１乃至第３の反射電極は、銀を有し、第１の透明導電膜は、第３の透明導電膜よりも厚く、第３の透明導電膜は、第２の透明導電膜よりも厚い、発光装置。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる発光層を一対の電極間に挟
んでなる発光素子、または該発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関す
る。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発
明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション
・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明
装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例とし
て挙げることができる。
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）
を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は
、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加する
ことにより、発光性の物質からの発光が得られる。
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バッ
クライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製で
き、応答速度が高いなどの利点も有する。
発光素子からの光の取り出し効率を改善するために、一対の電極間で光の共振効果を利
用した微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を採用し、特定波長における光強度を増
加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１２−１８２１２７号公報
一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器構造（以下、マイクロキャビティ
構造という）を採用した場合、一対の電極の一方に反射率の高い金属膜（例えば銀を含む
金属膜など）を用いると、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｌａｓｍｏ
ｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）の影響により、反射率の高い金属膜の表面近傍で光の散乱また
は光の吸収が生じ、光取出し効率が低下する場合がある。
上述した課題に鑑み、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することを課題の一
つとする。または発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供すること
を課題の一つとする。または新規な発光装置の作製方法を提供することを課題の一つとす
る。
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細
書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽
出することが可能である。
本発明の一態様は、青色の光を発する第１の発光素子と、緑色の光を発する第２の発光
素子と、赤色の光を発する第３の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の反射電
極、第１の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層
され、第２の発光素子は、第２の反射電極、第２の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生
層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、第３の発光素子は、第３の反射電極、第３
の透明導電膜、第１の発光層、電荷発生層、第２の発光層、及び電極の順に積層され、電
極は、光を透過させる機能と、光を反射させる機能とを有し、第１乃至第３の反射電極は
、銀を有し、第１の透明導電膜は、第３の透明導電膜よりも厚く、第３の透明導電膜は、
第２の透明導電膜よりも厚いことを特徴とする発光装置である。より詳細には以下の通り
である。
本発明の一態様は、複数の光を発する発光装置であって、発光装置は、青色を呈する光
を発することができる機能を有する第１の発光素子と、緑色を呈する光を発することがで
きる機能を有する第２の発光素子と、赤色を呈する光を発することができる機能を有する
第３の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、第１の反射電極上の
第１の透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生
層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、第２の発光素
子は、第２の反射電極と、第２の反射電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上
の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第
２の発光層上の電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、第３の反射電極
上の第３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷
発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、電極は、
光を透過させることができる機能と、光を反射させることができる機能とを有し、第１乃
至第３の反射電極は、銀を有し、第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、第２の透明導
電膜は、第２の領域を有し、第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、第１の領域は、第
３の領域よりも厚く、第３の領域は、第２の領域よりも厚いことを特徴とする発光装置で
ある。
また、上記構成において、第１の発光層は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれ
る少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を有し、第２の発光層は、緑色
、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈
する第２の発光物質を有することが好ましい。この場合、第１の反射電極と第１の発光層
との光学距離が３／４λＢ以上であることが好ましい。また、第２の反射電極と第１の発
光層との光学距離が３／４λＧ未満であり、第３の反射電極と第１の発光層との光学距離
が３／４λＲ未満であると好ましい。
また、上記各構成において、第２の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λＧ
近傍であり、第３の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λＲ近傍であると好ま
しい。
また、本発明の他の一態様は、複数の光を発する発光装置であって、発光装置は、青色
を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子と、緑色を呈する光を発す
ることができる機能を有する第２の発光素子と、赤色を呈する光を発することができる機
能を有する第３の発光素子と、黄色を呈する光を発することができる機能を有する第４の
発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の反射電極と、第１の反射電極上の第１の
透明導電膜と、第１の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、
電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、第２の発光素子は、
第２の反射電極と、第２の反射電極上の第２の透明導電膜と、第２の透明導電膜上の第１
の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発
光層上の電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の反射電極と、第３の反射電極上の第
３の透明導電膜と、第３の透明導電膜上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層
と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の電極と、を有し、第４の発光素子
は、第４の反射電極と、第４の反射電極上の第４の透明導電膜と、第４の透明導電膜上の
第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２
の発光層上の電極と、を有し、電極は、光を透過させることができる機能と、光を反射さ
せることができる機能とを有し、第１乃至第４の反射電極は、銀を有し、第１の透明導電
膜は、第１の領域を有し、第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、第３の透明導電膜は
、第３の領域を有し、第４の透明導電膜は、第４の領域を有し、第１の領域は、第３の領
域よりも厚く、第３の領域は、第４の領域よりも厚く、第４の領域は、第２の領域よりも
厚いことを特徴とする発光装置である。
また、上記構成において、第１の発光層は、青色発光を呈する第１の発光物質を有し、
第２の発光層は、緑色、黄色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発
光を呈する第２の発光物質を有することが好ましい。この場合、第１の反射電極と第１の
発光層との光学距離が３／４λＢ以上であることが好ましい。また、第２の反射電極と第
１の発光層との光学距離が３／４λＧ未満であり、第３の反射電極と第１の発光層との光
学距離が３／４λＲ未満であり、第４の反射電極と第１の発光層との光学距離が３／４λ
Ｙ未満であると好ましい。
また、上記各構成において、第２の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λＧ
近傍であり、第３の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λＲ近傍であり、第４
の反射電極と第２の発光層との光学距離が３／４λＹ近傍であると好ましい。
また、上記各構成において、第１の発光素子に重なる第１の光学素子を有し、第２の発
光素子に重なる第２の光学素子を有し、第３の発光素子に重なる第３の光学素子を有し、
第１の光学素子は、青色を呈する光を透過する機能を有し、第２の光学素子は、緑色を呈
する光を透過する機能を有し、第３の光学素子は、赤色を呈する光を透過する機能を有す
ると好ましい。
また、本発明の一態様は、上記各構成の発光装置と、筐体またはタッチセンサとを有す
る電子機器、または上記各構成の発光装置と、筐体またはタッチセンサとを有する照明装
置も範疇に含めるものである。また、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイ
ス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ
（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃ
ａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配
線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）
方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとす
る。
本発明の一態様により、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一
態様により、発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することがで
きる。または、本発明の一態様により、新規な発光装置の作製方法を提供することができ
る。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する断面図。 本発明の一態様の表示装置を説明する上面図及び断面図。 本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図及び回路図。 表示モジュールを説明する斜視図。 電子機器について説明する図。 照明装置について説明する図。 実施例の素子構造を説明する図。 実施例１で作製した各発光素子の電流効率−輝度特性、及び電流−電圧特性を説明する図。 実施例１で作製した各発光素子の輝度−電圧特性を説明する図。 実施例１で作製した各発光素子の発光スペクトルを説明する図。 実施例２で作製した各発光素子の電流効率−輝度特性、及び電流−電圧特性を説明する図。 実施例２で作製した各発光素子の輝度−電圧特性を説明する図。 実施例２で作製した各発光素子の発光スペクトルを説明する図。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、
必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
また、本明細書などにおいて、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるもの
であり、工程順又は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２
の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記
載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない
場合がある。
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
また、本明細書等において、青色を呈する光とは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波
長帯域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有し、緑色を呈する光とは、５００ｎ
ｍ以上５５０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有し、黄色
を呈する光とは、５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長帯域に少なくとも一つの発光スペ
クトルピークを有し、赤色を呈する光とは、６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長帯域に
少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。
また、本明細書等において、透明導電膜とは、可視光において透光性を有し、且つ導電
性を有する膜である。例えば、透明導電膜としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）に代表される酸化物導電体膜、酸化物半導体膜、または有機物を含む有機導電
体膜を含む。有機物を含む有機導電体膜としては、例えば、有機化合物と電子供与体（ド
ナー）とを混合してなる複合材料を含む膜、有機化合物と電子受容体（アクセプター）と
を混合してなる複合材料を含む膜等が挙げられる。また、透明導電膜の抵抗率としては、
好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０４Ω・ｃｍ以下である。
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、場合によっ
ては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」
という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例え
ば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある
。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置、及び当該発光装置の作製方法について
、図１乃至図９を用いて以下説明する。
＜発光装置の構成例１＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。図１（Ａ）に示
す発光装置１００は、青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子
１０１Ｂと、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子１０１Ｇ
と、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子１０１Ｒと、を有
する。
また、第１の発光素子１０１Ｂは、第１の反射電極１０４Ｂと、第１の反射電極１０４
Ｂ上の第１の透明導電膜１０６Ｂと、第１の透明導電膜１０６Ｂ上の第１の発光層１０８
と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の発光層１
１２と、第２の発光層１１２上の半透過・半反射電極１１４と、を有し、第２の発光素子
１０１Ｇは、第２の反射電極１０４Ｇと、第２の反射電極１０４Ｇ上の第２の透明導電膜
１０６Ｇと、第２の透明導電膜１０６Ｇ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８
上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１
１２上の半透過・半反射電極１１４と、を有し、第３の発光素子１０１Ｒは、第３の反射
電極１０４Ｒと、第３の反射電極１０４Ｒ上の第３の透明導電膜１０６Ｒと、第３の透明
導電膜１０６Ｒ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１１０と
、電荷発生層１１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の半透過・半反射
電極１１４と、を有する。なお、半透過・半反射電極１１４を単に電極と呼称する場合が
ある。
また、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、及び第３の反射電極１０４
Ｒは、それぞれ銀を有する。第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、及び第
３の反射電極１０４Ｒに銀を有する材料を用いることで、反射率を高めることが可能とな
るため、各発光素子からの発光効率を高くすることができる。例えば、銀を含む導電膜を
形成し、該導電膜を島状に分離することで、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１
０４Ｇ、及び第３の反射電極１０４Ｒをそれぞれ形成することができる。このように、第
１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、及び第３の反射電極１０４Ｒを、同一
の導電膜を加工する工程を経て形成すると、製造コストが安くなるため好適である。
また、図１（Ａ）において、第２の発光層１１２は、第２の発光層１１２ａと、第２の
発光層１１２ｂとを有する。第２の発光層１１２は、単層構造、図１（Ａ）に示すような
２層の積層構造、または３層以上の積層構造とすることができる。
また、第１の発光層１０８は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくとも
いずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を有し、第２の発光層１１２は、緑色、黄緑
色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第
２の発光物質を有する。また、第２の発光層１１２を積層構造とした場合、第２の発光層
１１２は、異なる発光を呈する発光物質を有していてもよいし、同一の発光を呈する発光
物質を有していてもよい。例えば、第２の発光層１１２ａに、緑色の発光を呈する発光物
質を用い、第２の発光層１１２ｂに、赤色の発光を呈する発光物質を用いることができる
。または、第２の発光層１１２ａ、１１２ｂ共に、黄色の発光を呈する発光物質を用いる
ことができる。
このように、発光装置１００は、第１の発光層１０８が有する第１の発光物質、及び第
２の発光層１１２が有する第２の発光物質からの所望の発光波長を強めるべく調整するこ
とで単色光に近い発光を得ることが可能である。なお、発光装置１００は、第１の発光層
１０８が有する第１の発光物質からの発光と、第２の発光層１１２が有する第２の発光物
質からの発光とを組み合わせることで、白色発光を得ることも可能である。
また、図１（Ａ）においては、各発光素子から射出される、青色（Ｂ）を呈する光、緑
色（Ｇ）を呈する光、及び赤色（Ｒ）を呈する光を、それぞれ破線の矢印で模式的に表し
ている。なお、後述する発光装置においても同様である。このように、図１（Ａ）に示す
発光装置１００は、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反対側
に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）の構造である。ただし、本発明
の一態様はこれに限定されず、図２（Ａ）に示す、各発光素子が発する光を発光素子が形
成される基板１０２側に取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または
図２（Ｂ）に示す、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２の上方及び
下方の双方に取り出す両面射出型（デュアルエミッション型ともいう）であってもよい。
なお、図１（Ａ）において、第１の発光層１０８、電荷発生層１１０、第２の発光層１
１２、半透過・半反射電極１１４は、各発光素子でそれぞれ分離された状態で例示してい
るが、各発光素子で分離せずに共通して用いることができる。したがって、第２の発光素
子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒにおいて、第１の発光層１０８、電荷発生層１
１０、第２の発光層１１２、半透過・半反射電極１１４のハッチパターンを第１の発光素
子１０１Ｂと同一にし、とくに符号を付していない。
また、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１
Ｒは、マイクロキャビティ構造を有する。各発光素子が有するマイクロキャビティ構造に
ついて、以下説明する。
第１の発光層１０８及び第２の発光層１１２から射出される光は、一対の電極（第１の
反射電極１０４Ｂと半透過・半反射電極１１４、第２の反射電極１０４Ｇと半透過・半反
射電極１１４、及び第３の反射電極１０４Ｒと半透過・半反射電極１１４）の間で共振さ
れる。発光装置１００においては、各発光素子で第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明
導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒの厚さを調整することで、第１の発光層
１０８及び第２の発光層１１２から射出される光の波長を強めることができる。
具体的には、第１の透明導電膜１０６Ｂの膜厚を、第１の反射電極１０４Ｂと半透過・
半反射電極１１４との間の光学距離がｍｘλＢ／２（ｍｘは自然数を、λＢは青色の波長
（４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下）を、それぞれ表す）となるように調整する。また、第
２の透明導電膜１０６Ｇの膜厚を、第２の反射電極１０４Ｇと半透過・半反射電極１１４
との間の光学距離がｍｙλＧ／２（ｍｙは自然数を、λＧは緑色の波長（５００ｎｍ以上
５５０ｎｍ未満）を、それぞれ表す）となるように調整する。また、第３の透明導電膜１
０６Ｒの膜厚を、第３の反射電極１０４Ｒと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離
がｍｚλＲ／２（ｍｚは自然数を、λＲは赤色の波長（６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下）
を、それぞれ表す）となるように調整する。
さらに、第１の透明導電膜１０６Ｂの膜厚を調整することで、第１の反射電極１０４Ｂ
と第１の発光層１０８との光学距離を３／４λＢ以上、好ましくは３／４λＢ以上５／４
λＢ以下とする。例えば、第１の反射電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との光学距離が
１／４λＢ近傍の場合、第１の反射電極１０４Ｂの表面近傍での光の散乱または光の吸収
により、光取出し効率が低下しまう。しかしながら、発光装置１００においては、第１の
反射電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との光学距離を３／４λＢ以上、好ましくは３／
４λＢ以上５／４λＢ以下とすることで、第１の反射電極１０４Ｂの表面近傍での光の散
乱または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。したがって、第
１の発光素子１０１Ｂからは、第１の発光層１０８が有する第１の発光物質から青色の光
を効率よく取り出すことが可能となる。
また、第２の透明導電膜１０６Ｇの膜厚を調整することで、第２の反射電極１０４Ｇと
第１の発光層１０８との光学距離を３／４λＧ未満、好ましくは１／４λＧ以上３／４λ
Ｇ未満とすることができる。また、第２の透明導電膜１０６Ｇの膜厚を調整することで、
第２の反射電極１０４Ｇと第２の発光層１１２との光学距離を３／４λＧ近傍とすること
ができる。また、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚を調整することで、第３の反射電極１
０４Ｒと第１の発光層１０８との光学距離を３／４λＲ未満、好ましくは１／４λＲ以上
３／４λＲ未満とすることができる。また、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚を調整する
ことで、第３の反射電極１０４Ｒと第２の発光層１１２との光学距離を３／４λＲ近傍と
することができる。上記光学距離とすることで、第２の発光素子１０１Ｇからは、第２の
発光層１１２が有する第２の発光物質から緑色の光を効率よく取り出すことが可能となる
。また、第３の発光素子１０１Ｒからは、第２の発光層１１２が有する第２の発光物質か
ら赤色の光を効率よく取り出すことが可能となる。
このように、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明
導電膜１０６Ｒは、各発光素子の光学距離を調整する機能を有する。各発光素子の光学距
離を調整することで、第１の透明導電膜１０６Ｂの膜厚は、第３の透明導電膜１０６Ｒの
膜厚よりも厚く形成される。また、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚は、第２の透明導電
膜１０６Ｇよりも厚く形成される。別言すると、第１の透明導電膜１０６Ｂは、第１の領
域を有し、第２の透明導電膜１０６Ｇは、第２の領域を有し、第３の透明導電膜１０６Ｒ
は、第３の領域を有し、第１の領域は、第３の領域よりも厚く、第３の領域は第２の領域
よりも厚い。
なお、第１の反射電極１０４Ｂと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離は、厳密
には第１の反射電極１０４Ｂにおける反射領域から半透過・半反射電極１１４における反
射領域までの膜厚と屈折率の積で表される。しかし、第１の反射電極１０４Ｂ、及び半透
過・半反射電極１１４における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の
反射電極１０４Ｂと半透過・半反射電極１１４の任意の位置を反射領域と仮定することで
充分に上述の効果を得ることができるものとする。第２の反射電極１０４Ｇと半透過・半
反射電極１１４との間の光学距離、及び第３の反射電極１０４Ｒと半透過・半反射電極１
１４との間の光学距離についても同様である。
また、第１の反射電極１０４Ｂと、所望の光を射出する発光層との光学距離は、厳密に
は第１の反射電極１０４Ｂにおける反射領域と、所望の光を射出する発光層における発光
領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の反射電極１０４Ｂにおける
反射領域や、所望の光を射出する発光層における発光領域を厳密に決定することは困難で
あるため、第１の反射電極１０４Ｂの任意の位置を反射領域、所望の光を射出する発光層
の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとす
る。第２の反射電極１０４Ｇと、所望の光を射出する発光層との光学距離、及び第３の反
射電極１０４Ｒと、所望の光を射出する発光層との光学距離についても同様である。
以上のように、図１（Ａ）に示す発光装置１００においては、各発光素子の反射電極（
第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、及び第３の反射電極１０４Ｒ）と半
透過・半反射電極１１４との光学距離を調整することで、反射電極の表面近傍での光の散
乱または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現することができる。したがって、発
光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することができる。
＜発光装置の構成例２＞
次に、図１（Ａ）に示す発光装置１００と異なる構成例について、図１（Ｂ）を用いて
、以下説明を行う。
図１（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図１（Ｂ
）において、図１（Ａ）に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパター
ンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付
し、その詳細な説明は省略する場合がある。
図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａは、青色を呈する光を発することができる機能を有
する第１の発光素子１０１Ｂと、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２
の発光素子１０１Ｇと、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素
子１０１Ｒと、を有する。
また、第１の発光素子１０１Ｂは、第１の反射電極１０４Ｂと、第１の反射電極１０４
Ｂ上の第１の透明導電膜１０６Ｂと、第１の透明導電膜１０６Ｂ上の第１の正孔注入層１
３１と、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と、第１の正孔輸送層１３
２上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電子輸送層１３３と、第１
の電子輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子注入層１３４上の電荷発
生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と、第２の正孔注入層１３
５上の第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の第２の発光層１１２と、
第２の発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子輸送層１３７上の第２の
電子注入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反射電極１１４と、を有す
る。
また、第２の発光素子１０１Ｇは、第２の反射電極１０４Ｇと、第２の反射電極１０４
Ｇ上の第２の透明導電膜１０６Ｇと、第２の透明導電膜１０６Ｇ上の第１の正孔注入層１
３１と、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と、第１の正孔輸送層１３
２上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電子輸送層１３３と、第１
の電子輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子注入層１３４上の電荷発
生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と、第２の正孔注入層１３
５上の第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の第２の発光層１１２と、
第２の発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子輸送層１３７上の第２の
電子注入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反射電極１１４と、を有す
る。
また、第３の発光素子１０１Ｒは、第３の反射電極１０４Ｒと、第３の反射電極１０４
Ｒ上の第３の透明導電膜１０６Ｒと、第３の透明導電膜１０６Ｒ上の第１の正孔注入層１
３１と、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と、第１の正孔輸送層１３
２上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電子輸送層１３３と、第１
の電子輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子注入層１３４上の電荷発
生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と、第２の正孔注入層１３
５上の第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の第２の発光層１１２と、
第２の発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子輸送層１３７上の第２の
電子注入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反射電極１１４と、を有す
る。
このように、発光装置１００Ａにおいては、発光装置１００の構成に加え、透明導電膜
（第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６
Ｒ）と第１の発光層１０８との間に、第１の正孔注入層１３１及び第１の正孔輸送層１３
２を、第１の発光層１０８と電荷発生層１１０との間に、第１の電子輸送層１３３及び第
１の電子注入層１３４を、電荷発生層１１０と第２の発光層１１２との間に、第２の正孔
注入層１３５及び第２の正孔輸送層１３６を、第２の発光層１１２と半透過・半反射電極
１１４との間に、第２の電子輸送層１３７及び第２の電子注入層１３８を、それぞれ追加
した構成である。
また、発光装置１００Ａにおいては、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第１の正孔注入層１
３１、及び第１の正孔輸送層１３２の少なくともいずれか一つ膜厚によって、第１の反射
電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との光学距離を調整する。また、発光装置１００Ａに
おいては、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第１の正孔注入層１３１、及び第１の正孔輸送層
１３２の少なくともいずれか一つ膜厚によって、第２の反射電極１０４Ｇと第１の発光層
１０８との光学距離を調整する。また、発光装置１００Ａにおいては、第３の透明導電膜
１０６Ｒ、第１の正孔注入層１３１、及び第１の正孔輸送層１３２の少なくともいずれか
一つの膜厚によって、第３の反射電極１０４Ｒと第１の発光層１０８との光学距離を調整
する。
このように、第１の反射電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との光学距離については、
その間の複数の層の膜厚を変更することで調整してもよい。第２の反射電極１０４Ｇと第
１の発光層１０８との光学距離、及び第３の反射電極１０４Ｒと第１の発光層１０８との
光学距離についても同様である。
以上のように、発光装置１００Ａにおいては、発光装置１００の構成に加え、各発光素
子に第１の正孔注入層１３１、第１の正孔輸送層１３２、第１の電子輸送層１３３、第１
の電子注入層１３４、第２の正孔注入層１３５、第２の正孔輸送層１３６、第２の電子輸
送層１３７、及び第２の電子注入層１３８がそれぞれ設けられた構造である。その他の構
成については、図１（Ａ）に示す発光装置１００と同様であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例３＞
次に、図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａと異なる構成例について、図３を用いて、以
下説明を行う。
図３に示す発光装置１００Ｂは、図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａが有する、第１の
発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒに加え、隔壁
１２０を有する。また、発光装置１００Ｂは、基板１０２に対向する基板１５２を有する
。また、基板１５２には、遮光層１５４と、第１の光学素子１５６Ｂと、第２の光学素子
１５６Ｇと、第３の光学素子１５６Ｒとが設けられる。
隔壁１２０は、絶縁性を有する。また、隔壁１２０は、各発光素子の下部電極（第１の
反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、第１の透明導電
膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒ）の端部を覆い
、該下部電極と重畳する開口部を有する。
隔壁１２０を設けることによって、各発光素子の下部電極を、それぞれ島状に分離する
ことができる。
また、遮光層１５４は、隣接する発光素子からの光を遮光する機能を有する。なお、遮
光層１５４を設けない構成としてもよい。
第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒは、
入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。第１の光学素子
１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒを設ける構成とするこ
とで、各発光素子の色純度を高めることが可能となる。
以上のように、発光装置１００Ｂにおいては、発光装置１００Ａの構成に加え、各発光
素子の下部電極の端部を覆う隔壁１２０と、各発光素子に対向する第１の光学素子１５６
Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒが設けられた構造である。第
１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒを設ける
構成とすることで、発光装置１００Ｂの色純度を高めることが可能となる。その他の構成
については、図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａと同様であり、同様の効果を奏する。
ここで、図１（Ａ）に示す発光装置１００、図１（Ｂ）に示す発光装置１００Ａ、及び
図３に示す発光装置１００Ｂのその他の構成要素について、以下詳細に説明を行う。
＜基板＞
基板１０２は、発光素子の支持体として用いられる。また、基板１５２は、光学素子の
支持体として用いられる。基板１０２、１５２としては、例えばガラス、石英、又はプラ
スチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、
曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポ
リアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また
、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなるフィル
ム、または無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子
の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
＜反射電極＞
第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒは、各発
光素子の下部電極または陽極としての機能を有する。なお、第１の反射電極１０４Ｂ、第
２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒは、銀を含む反射性を有する導電性材料
により形成される。該導電性材料としては、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）と、Ｍ（Ｍは、
Ｙ、Ｎｄ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｐｄ、Ｉｒ、またはＡｕを表す）とを含む合金等が挙げられる。銀を含む合金としては、
例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合
金、銀とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金等が挙げられる。
また、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒに
用いることのできる導電性材料としては、可視光の反射率が４０％以上１００％以下、好
ましくは７０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下の
材料が挙げられる。また、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反
射電極１０４Ｒとしては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形
成することができる。
＜透明導電膜＞
第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６
Ｒは、各発光素子の下部電極または陽極としての機能を有する。または、第１の透明導電
膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒは、各発光層か
らの所望の光を共振させ、その波長を強めることができるように、光学距離を調整する機
能を有する。
第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６
Ｒとしては、例えば、ＩＴＯ、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム
−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ Ｄｏｐｅｄ ＳｉＯ２、以下ＩＴＳＯ
という）、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タ
ングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどを用いることができる。とくに、
第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒ
としては、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いることが好ましい。また、第
１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、及び第３の透明導電膜１０６Ｒと
しては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等を用いて形成することができ
る。
＜半透過・半反射電極＞
半透過・半反射電極１１４は、各発光素子の上部電極または陰極としての機能を有する
。なお、半透過・半反射電極１１４は、反射性及び透光性を有する１種類の導電性材料に
より形成される。または、半透過・半反射電極１１４は、反射性を有する導電性材料と透
光性を有する導電性材料と、の複数の導電性材料により形成される。該導電性材料として
は、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、
かつその抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。半透過・半反射
電極１１４としては、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用
いて形成することができる。とくに、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を用いる
ことが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム、セシ
ウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウ
ム等）、これら元素を含む合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イ
ッテルビウム等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用い
ることができる。また、半透過・半反射電極１１４としては、スパッタリング法、蒸着法
、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。
＜発光層＞
第１の発光層１０８は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれ
か一つの発光を呈する第１の発光物質を有し、第２の発光層１１２は、緑色、黄緑色、黄
色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発
光物質を有する。また、第１の発光層１０８は、第１の発光物質に加えて、電子輸送性材
料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また、第２の発光層１１
２は、第２の発光物質に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方
を含んで構成される。
また、第１の発光物質及び第２の発光物質としては、一重項励起エネルギーを発光に変
える発光性物質や三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用いることができる
。なお、上記発光性物質としては、以下のようなものが挙げられる。
一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、蛍光を発する物質が挙げら
れ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，
Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−
カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルア
ミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０
−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９
−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カル
バゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）
−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：
ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（
９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰ
ＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：Ｔ
ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル
〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−
フルオレン−９−イル）フェニル］−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍ
ＦＬＰＡＰｒｎ）などの青色の発光（発光波長４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下）を呈する
物質や、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジ
フェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェ
ニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略
称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ
，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデ
ン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）などの黄色の発光（発光波長５５０ｎｍ以上
５８０ｎｍ以下）を呈する物質を用いることができる。
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、例えば、燐光を発す
る物質が挙げられ、例えば、４４０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質
、５２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質、６００ｎｍ以上７００ｎ
ｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることができる。
４４０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、トリス｛２−［
５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−
トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２
，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［４
−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾ
ラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）３）のような４Ｈ−ト
リアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メ
チルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プ
ロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐ
ｔｚ１−Ｍｅ）３）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や
、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イ
ミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３−（
２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）３）のようなイミダゾール
骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル
）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラー
ト（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ
，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３
’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム
（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４
’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチ
ルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリ
ジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ
−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるた
め、特に好ましい。
５２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、トリス（４−メ
チル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）
、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピ
リミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセ
チルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビ
ス［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−
６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフ
ェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））
のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビ
ス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−
３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−
ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ト
リス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐ
ｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチル
アセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト
）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））
、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）
、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチ
ルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有
機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テ
ルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体
が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信
頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
また、５２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質の中でも、とくに５
５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いると好ましい。５５０ｎ
ｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質を用いることで、発光素子の電流効率
を高めることができる。
５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、ビス｛４，６−
ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェ
ニル−κＣ｝（２，４−ペンタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
また、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下に発光のピークを有する物質としては、（ジイソ
ブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６−ビス（３
−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）
ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐ
ｍ）２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセ
チルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト
）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ
））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリ
ナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピラジ
ン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１−フェニルイソキ
ノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉ
ｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白
金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１
，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅ
ｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフル
オロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴ
Ａ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジ
ン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、
特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色
発光が得られる。
また、第１の発光層１０８及び第２の発光層１１２に用いる電子輸送性材料としては、
含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば、２
−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン
（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）
ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ
−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル
］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジ
ベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍ
ＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル
］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等のキノキサリ
ンないしはジベンゾキノキサリン誘導体が挙げられる。
また、第１の発光層１０８及び第２の発光層１１２に用いる正孔輸送性材料としては、
π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や芳香
族アミン化合物が好ましく、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カル
バゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジ（１
−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニル
アミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカル
バゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、
４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニル
アミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）
、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベン
ゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニ
ルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ
’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３
−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フ
ェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレ
ン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−
（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフル
オレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（
４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）
、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−
２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミ
ノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［
Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカ
ルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−
ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカ
ルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチ
ルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（
略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１
−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−
ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェ
ニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。
＜正孔注入層、正孔輸送層＞
第１の正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い第１の正孔輸送層１３２を介して第１の
発光層１０８に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含む
層である。正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことで、アクセプター性材料に
より正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、第１の正孔輸送層
１３２を介して第１の発光層１０８に正孔が注入される。または、第１の正孔注入層１３
１は、正孔輸送性材料と、アクセプター性材料とを、積層した構成としてもよい。なお、
第１の正孔輸送層１３２は、正孔輸送性材料を用いて形成される。また、第２の正孔注入
層１３５は、正孔輸送性の高い第２の正孔輸送層１３６を介して第２の発光層１１２に正
孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含む層である。正孔輸
送性材料とアクセプター性材料とを含むことで、アクセプター性材料により正孔輸送性材
料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、第２の正孔輸送層１３６を介して第
２の発光層１１２に正孔が注入される。または、第２の正孔注入層１３５は、正孔輸送性
材料と、アクセプター性材料とを、積層した構成としてもよい。なお、第２の正孔輸送層
１３６は、正孔輸送性材料を用いて形成される。
第１の正孔注入層１３１、第１の正孔輸送層１３２、第２の正孔注入層１３５、及び第
２の正孔輸送層１３６に用いる正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−
（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）
やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェ
ニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾー
ル−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ
，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’
−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略
称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イ
ル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、
３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェ
ニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバ
ゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚ
ＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル
）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その
他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリ
ス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１
０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ
）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１
０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送
性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフ
ェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニ
ルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］
（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いるこ
ともできる。
また、第１の正孔注入層１３１及び第２の正孔注入層１３５に用いるアクセプター性材
料としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメ
タン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシア
ノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ−ＣＮ）等の電子吸
引基（ハロゲン基やシアノ基）を有する化合物を挙げることができる。特に、ＨＡＴ−Ｃ
Ｎのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的
に安定であり好ましい。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表に
おける第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化
バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステ
ン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モ
リブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
なお、第１の正孔注入層１３１及び第２の正孔注入層１３５は、上述したアクセプター
性材料を単独または他の材料と混合して形成しても良い。この場合、アクセプター性材料
が正孔輸送層から電子を引き抜き、正孔輸送層に正孔注入することができる。アクセプタ
ー性材料は引き抜いた電子を陽極へ輸送する。
＜電子輸送層＞
第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７は、電子輸送性の高い物質を含む
層である。第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７には、Ａｌｑ３、トリス
（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒ
ドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、ビス［
２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）
、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ
）２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（
４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１
，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−
２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４
−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、
３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフ
ェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリ
ン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メ
チルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化
合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、
ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５
−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−
ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ
）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６
ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高
い物質であれば、上記以外の物質を第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７
として用いてもよい。
また、第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７は、単層のものだけでなく
、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。
＜電子注入層＞
第１の電子注入層１３４及び第２の電子注入層１３８は、電子注入性の高い物質を含む
層である。第１の電子注入層１３４及び第２の電子注入層１３８には、フッ化リチウム（
ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物
（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用い
ることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用い
ることができる。また、第１の電子注入層１３４及び第２の電子注入層１３８にエレクト
ライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウム
の混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。
また、第１の電子注入層１３４及び第２の電子注入層１３８に、有機化合物と電子供与
体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供
与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れてい
る。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ま
しく、具体的には、例えば上述した第１の電子輸送層１３３及び第２の電子輸送層１３７
を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体と
しては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金
属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カ
ルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やア
ルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物
等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。ま
た、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
＜電荷発生層＞
電荷発生層１１０は、一対の電極（下部電極及び上部電極）間に電圧を印加したときに
、一方の発光層（第１の発光層１０８または第２の発光層１１２）側に電子を注入し、他
方の発光層（第１の発光層１０８または第２の発光層１１２）側に正孔を注入する機能を
有する。
例えば、図１（Ａ）に示す第１の発光素子１０１Ｂにおいては、下部電極（第１の反射
電極１０４Ｂ及び第１の透明導電膜１０６Ｂ）に半透過・半反射電極１１４よりも電位が
高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１１０から第１の発光層１０８に電子が注
入され、第２の発光層１１２に正孔が注入される。また、図１（Ｂ）に示す第１の発光素
子１０１Ｂにおいては、下部電極（第１の反射電極１０４Ｂ及び第１の透明導電膜１０６
Ｂ）に半透過・半反射電極１１４よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発
生層１１０から第１の電子注入層１３４に電子が注入され、第２の正孔注入層１３５に正
孔が注入される。
なお、電荷発生層１１０は、光取出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（
具体的には、電荷発生層１１０に対する可視光の透過率が４０％以上）ことが好ましい。
また、電荷発生層１１０は、一対の電極（下部電極及び上部電極）よりも低い導電率であ
っても機能する。
また、電荷発生層１１０は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加され
た構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であっても
よい。または、これらの両方の構成が積層されていても良い。
なお、上述した材料を用いて電荷発生層１１０を形成することにより、発光層が積層さ
れた場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
なお、上述した、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、及び電
荷発生層は、それぞれ、スパッタリング法、蒸着法（真空蒸着法を含む）、印刷法（例え
ば、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、平版印刷法、孔版印刷法等）、インクジ
ェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
＜遮光層＞
遮光層１５４は、隣接する発光素子から発せられる光を遮光し、混色を防ぐ機能を有す
る。または、遮光層１５４は、外光の反射を抑制する機能を有する。遮光層１５４として
は、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の
固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
＜光学素子＞
第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び第３の光学素子１５６Ｒは、
入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過するものである。例えば、カラーフ
ィルタ、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。なお、光学素子に色変
換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当該光の波長より長い
波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット方式を用いる素子で
あると好適である。量子ドット方式を用いることにより、発光装置の色再現性を高めるこ
とができる。
第１の光学素子１５６Ｂは、第１の発光素子１０１Ｂが発する光から青色を呈する光を
透過する。また、第２の光学素子１５６Ｇは、第２の発光素子１０１Ｇが発する光から緑
色を呈する光を透過する。また、第３の光学素子１５６Ｒは、第３の発光素子１０１Ｒが
発する光から赤色を呈する光を透過する。
なお、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１
Ｒ上に複数の光学素子を重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏向板や
反射防止膜などを設けることができる。円偏光板を、発光装置の発光素子が発する光が取
り出される側に設けると、発光装置の外部から入射した光が、発光装置の内部で反射され
て、外部に射出される現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、発光装置
の表面で反射される外光を弱めることができる。これにより、発光装置が発する発光を、
鮮明に観察できる。
＜発光装置の構成例４＞
次に、図１（Ａ）に示す発光装置１００と異なる構成例について、図４（Ａ）を用いて
、以下説明を行う。
図４（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。図４（Ａ）に示
す発光装置１６０は、青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子
１０１Ｂと、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子１０１Ｇ
と、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子１０１Ｒと、黄色
を呈する光を発することができる機能を有する第４の発光素子１０１Ｙと、を有する。
第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒは、
図１（Ａ）に示す第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素
子１０１Ｒの構成と同様である。第４の発光素子１０１Ｙは、第４の反射電極１０４Ｙと
、第４の反射電極１０４Ｙ上の第４の透明導電膜１０６Ｙと、第４の透明導電膜１０６Ｙ
上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１
１０上の第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の半透過・半反射電極１１４と、
を有する。
また、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、
及び第４の反射電極１０４Ｙは、それぞれ銀を有する。第１の反射電極１０４Ｂ、第２の
反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙに銀を有する
材料を用いることで、反射率を高めることが可能となるため、各発光素子からの発光効率
を高くすることができる。例えば、銀を含む導電膜を形成し、該導電膜を島状に分離する
ことで、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、
及び第４の反射電極１０４Ｙをそれぞれ形成することができる。このように、第１の反射
電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極
１０４Ｙを、同一の導電膜を加工する工程を経て形成すると、製造コストが安くなるため
好適である。
また、図４（Ａ）において、第２の発光層１１２は、第２の発光層１１２ａと、第２の
発光層１１２ｂとを有する。第２の発光層１１２は、単層構造、図４（Ａ）に示すような
２層の積層構造、または３層以上の積層構造とすることができる。
なお、図４（Ａ）において、第１の発光層１０８、電荷発生層１１０、第２の発光層１
１２、半透過・半反射電極１１４は、各発光素子でそれぞれ分離している状態で例示して
あるが、各発光素子で分離せずに共通して用いることができる。したがって、第２の発光
素子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙにおいて、第１の
発光層１０８、電荷発生層１１０、第２の発光層１１２、半透過・半反射電極１１４のハ
ッチパターンを第１の発光素子１０１Ｂと同一にし、とくに符号を付していない。
このように、図４（Ａ）に示す発光装置１６０は、図１（Ａ）に示す発光装置１００の
構成に加え、第４の発光素子１０１Ｙを有する構成である。
以下に発光装置１６０が有する、第４の発光素子１０１Ｙの詳細について、説明する。
第４の発光素子１０１Ｙは、マイクロキャビティ構造を有する。第１の発光層１０８及
び第２の発光層１１２から射出される光は、一対の電極（第４の反射電極１０４Ｙと半透
過・半反射電極１１４）の間で共振される。発光装置１６０においては、第４の発光素子
１０１Ｙで第４の透明導電膜１０６Ｙの厚さを調整することで、第１の発光層１０８及び
第２の発光層１１２から射出される光の波長を強めることができる。
具体的には、第４の反射電極１０４Ｙと半透過・半反射電極１１４との間の光学距離が
ｍｗλＹ／２（ｍｗは自然数を、λＹは黄色の波長（５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下）を
、それぞれ表す）となるように調整する。
また、第４の透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、第４の反射電極１０４Ｙと
第１の発光層１０８との光学距離を３／４λＹ未満、好ましくは１／４λＹ以上３／４λ
Ｙ未満とすることができる。また、第４の透明導電膜１０６Ｙの膜厚を調整することで、
第４の反射電極１０４Ｙと第２の発光層１１２との光学距離を３／４λＹ近傍とすること
ができる。上記光学距離とすることで、第４の発光素子１０１Ｙからは、第２の発光層１
１２が有する第２の発光物質から黄色の光を効率よく取り出すことが可能となる。
このように、第４の透明導電膜１０６Ｙは、第４の発光素子１０１Ｙの光学距離を調整
する機能を有する。また、各発光素子の光学距離を調整することで、第１の透明導電膜１
０６Ｂの膜厚は、第３の透明導電膜１０６Ｒの膜厚よりも厚く形成される。また、第３の
透明導電膜１０６Ｒの膜厚は、第４の透明導電膜１０６Ｙよりも厚く形成される。また、
第４の透明導電膜１０６Ｙの膜厚は、第２の透明導電膜１０６Ｇよりも厚く形成される。
別言すると、第１の透明導電膜１０６Ｂは、第１の領域を有し、第２の透明導電膜１０６
Ｇは、第２の領域を有し、第３の透明導電膜１０６Ｒは、第３の領域を有し、第４の透明
導電膜１０６Ｙは、第４の領域を有し、第１の領域は、第３の領域よりも厚く、第３の領
域は第４の領域よりも厚く、第４の領域は第２の領域よりも厚い。
以上のように、発光装置１６０においては、発光装置１００の構成に加え、第４の発光
素子１０１Ｙが設けられた構造である。その他の構成については、図１（Ａ）に示す発光
装置１００と同様であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例５＞
次に、図４（Ａ）に示す発光装置１６０と異なる構成例について、図４（Ｂ）を用いて
、以下説明を行う。
図４（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図４（Ｂ
）において、図４（Ａ）に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパター
ンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付
し、その詳細な説明は省略する場合がある。
図４（Ｂ）に示す発光装置１６０Ａは、青色を呈する光を発することができる機能を有
する第１の発光素子１０１Ｂと、緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２
の発光素子１０１Ｇと、赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素
子１０１Ｒと、黄色を呈する光を発することができる機能を有する第４の発光素子１０１
Ｙと、を有する。
第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１Ｒは、
図１（Ｂ）に示す第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素
子１０１Ｒの構成と同様である。第４の発光素子１０１Ｙは、第４の反射電極１０４Ｙと
、第４の反射電極１０４Ｙ上の第４の透明導電膜１０６Ｙと、第４の透明導電膜１０６Ｙ
上の第１の正孔注入層１３１と、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と
、第１の正孔輸送層１３２上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電
子輸送層１３３と、第１の電子輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子
注入層１３４上の電荷発生層１１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と
、第２の正孔注入層１３５上の第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の
第２の発光層１１２と、第２の発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子
輸送層１３７上の第２の電子注入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反
射電極１１４と、を有する。
また、発光装置１６０Ａにおいては、第４の透明導電膜１０６Ｙ、第１の正孔注入層１
３１、及び第１の正孔輸送層１３２のいずれか一つの膜厚によって、第４の反射電極１０
４Ｙと第１の発光層１０８との光学距離を調整する。
このように、第４の反射電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との光学距離については、
その間の複数の層の膜厚を変更することで調整してもよい。
以上のように、発光装置１６０Ａにおいては、発光装置１６０の構成に加え、各発光素
子に第１の正孔注入層１３１、第１の正孔輸送層１３２、第１の電子輸送層１３３、第１
の電子注入層１３４、第２の正孔注入層１３５、第２の正孔輸送層１３６、第２の電子輸
送層１３７、及び第２の電子注入層１３８がそれぞれ設けられた構造である。その他の構
成については、図４（Ａ）に示す発光装置１６０と同様であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例６＞
次に、図４（Ｂ）に示す発光装置１６０Ａと異なる構成例について、図５を用いて、以
下説明を行う。
図５に示す発光装置１６０Ｂは、図４（Ｂ）に示す発光装置１６０Ａが有する、第１の
発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光
素子１０１Ｙに加え、隔壁１２０を有する。また、発光装置１６０Ｂは、基板１０２に対
向する基板１５２を有し、基板１５２には、遮光層１５４と、第１の光学素子１５６Ｂと
、第２の光学素子１５６Ｇと、第３の光学素子１５６Ｒと、第４の光学素子１５６Ｙとが
設けられる。
隔壁１２０、遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、及び
第３の光学素子１５６Ｒとしては、図３に示す発光装置１００Ｂと同様の構成とすること
ができる。また、第４の光学素子１５６Ｙは、入射される光から特定の色を呈する光を選
択的に透過する機能を有する。第４の光学素子１５６Ｙを設ける構成とすることで、第４
の発光素子１０１Ｙの色純度を高めることが可能となる。
以上のように、発光装置１６０Ｂにおいては、発光装置１６０の構成に加え、各発光素
子の下部電極の端部を覆う隔壁１２０と、各発光素子に対向する第１の光学素子１５６Ｂ
、第２の光学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙが設
けられた構造である。その他の構成については、図４（Ａ）に示す発光装置１６０と同様
であり、同様の効果を奏する。
＜発光装置の構成例７＞
次に、図５に示す発光装置１６０Ｂと異なる構成例について、図６を用いて以下説明を
行う。
図６に示す発光装置１６０Ｃは、図５に示す発光装置１６０Ｂが有する、第４の光学素
子１５６Ｙが設けられていない構成である。その他の構成については、図５に示す発光装
置１６０Ｂと同様であり、同様の効果を奏する。
第４の発光素子１０１Ｙに重なる第４の光学素子１５６Ｙを設けない構成とすることで
、第４の光学素子１５６Ｙを設けた構成よりも、第４の発光素子１０１Ｙから射出された
光のエネルギー損失が少ないために、消費電力を低くすることが可能となる。
＜発光装置の構成例８＞
次に、図６に示す発光装置１６０Ｃと異なる構成例について、図７を用いて以下説明を
行う。
図７に示す発光装置１６０Ｄは、図６に示す発光装置１６０Ｃが有する、第４の発光素
子１０１Ｙの代わりに第５の発光素子１０１Ｗを有する。
第５の発光素子１０１Ｗは、第５の反射電極１０４Ｗと、第５の反射電極１０４Ｗ上の
第５の透明導電膜１０６Ｗと、第５の透明導電膜１０６Ｗ上の第１の正孔注入層１３１と
、第１の正孔注入層１３１上の第１の正孔輸送層１３２と、第１の正孔輸送層１３２上の
第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第１の電子輸送層１３３と、第１の電子
輸送層１３３上の第１の電子注入層１３４と、第１の電子注入層１３４上の電荷発生層１
１０と、電荷発生層１１０上の第２の正孔注入層１３５と、第２の正孔注入層１３５上の
第２の正孔輸送層１３６と、第２の正孔輸送層１３６上の第２の発光層１１２と、第２の
発光層１１２上の第２の電子輸送層１３７と、第２の電子輸送層１３７上の第２の電子注
入層１３８と、第２の電子注入層１３８上の半透過・半反射電極１１４と、を有する。
また、第５の発光素子１０１Ｗにおいては、第５の透明導電膜１０６Ｗ、第１の正孔注
入層１３１、及び第１の正孔輸送層１３２のいずれか一つの膜厚によって、第５の反射電
極１０４Ｗと第１の発光層１０８との光学距離を調整する。
例えば、第５の透明導電膜１０６Ｗの膜厚と、第３の透明導電膜１０６Ｒとを概略同じ
膜厚とする。第５の発光素子１０１Ｗからは、第１の発光層１０８が有する第１の発光物
質からの発光と、及び第２の発光層１１２が有する第２の発光物質からの発光とが組み合
わさることによって、白色発光を得ることができる。
また、第５の発光素子１０１Ｗは、第５の発光素子１０１Ｗに重なる光学素子が設けら
ない構成である。したがって、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、第３
の発光素子１０１Ｒよりも、第５の発光素子１０１Ｗから射出された光のエネルギー損失
が少ないために、消費電力を低くすることが可能となる。
なお、上記例示した発光装置の各構成については、適宜組み合わせて用いることができ
る。
＜発光装置の作製方法１＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図８及び図９を用いて以下説明
を行う。なお、ここでは、図５に示す発光装置１６０Ｂの作製方法について説明する。
図８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）及び図９（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の
作製方法を説明するための断面図である。
以下で説明する発光装置１６０Ｂの作製方法は、第１乃至第７の７つのステップを有す
る。
＜第１のステップ＞
第１のステップは、各発光素子の反射電極（具体的には、第１の反射電極１０４Ｂ、第
２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙ）を、基
板１０２上に形成する工程である（図８（Ａ）参照）。
本実施の形態においては、基板１０２上に、反射性の導電膜を形成し、該導電膜を所望
の形状に加工することで、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反
射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙを形成する。上記反射性の導電膜としては
、銀とパラジウムと銅の合金膜を用いる。
なお、第１のステップの前に、基板１０２上に複数のトランジスタを形成してもよい。
また、上記複数のトランジスタと、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、
第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙと、を電気的に接続させてもよい
。
＜第２のステップ＞
第２のステップは、各発光素子の透明導電膜（第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明
導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙ）を、反射
電極上に形成する工程である（図８（Ｂ）参照）。
本実施の形態においては、基板１０２、第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０
４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙ上に、透明導電膜を形成し
、該透明導電膜を所望の形状に加工することで、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明
導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙを形成する
。本実施の形態においては、上記透明導電膜として、ＩＴＳＯ膜を用いる。
なお、第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０
６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙの形成方法としては、複数回に分けて形成してもよ
い。複数回に分けて形成することで、各発光素子内でマイクロキャビティ構造を有するこ
とができる膜厚で第１の透明導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導
電膜１０６Ｒ、及び第４の透明導電膜１０６Ｙを形成することができる。
＜第３のステップ＞
第３のステップは、各発光素子の下部電極（具体的には、第１の反射電極１０４Ｂ、第
２の反射電極１０４Ｇ、第３の反射電極１０４Ｒ、第４の反射電極１０４Ｙ、第１の透明
導電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透
明導電膜１０６Ｙ）の端部を覆う隔壁１２０を形成する工程である（図８（Ｃ）参照）。
隔壁１２０は、下部電極と重なるように開口部を有する。該開口部と重畳した透明導電
膜が発光素子の下部電極として機能する。本実施の形態では、隔壁１２０として、アクリ
ル樹脂を用いる。
なお、第１乃至第３のステップにおいては、有機化合物を含む発光層を損傷するおそれ
がないため、さまざまな成膜方法及び微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、ス
パッタリング法を用いて反射性の導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該導電膜上
にパターンを形成し、その後ドライエッチング法またはウエットエッチング法を用いて、
該導電膜を島状に加工して第１の反射電極１０４Ｂ、第２の反射電極１０４Ｇ、第３の反
射電極１０４Ｒ、及び第４の反射電極１０４Ｙを形成する。その後、スパッタリング法を
用いて透明導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該透明導電膜上にパターンを形成
し、その後ウエットエッチング法を用いて、該透明導電膜を島状に加工して第１の透明導
電膜１０６Ｂ、第２の透明導電膜１０６Ｇ、第３の透明導電膜１０６Ｒ、及び第４の透明
導電膜１０６Ｙを形成する。
＜第４のステップ＞
第４のステップは、第１の正孔注入層１３１、第１の正孔輸送層１３２、第１の発光層
１０８、第１の電子輸送層１３３、第１の電子注入層１３４、及び電荷発生層１１０を形
成する工程である（図８（Ｄ）参照）。
第１の正孔注入層１３１としては、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む材料と
を共蒸着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれ
ぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。また、第１の正孔輸送層１３２と
しては、正孔輸送性材料を蒸着することで形成することができる。
第１の発光層１０８としては、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくとも
いずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を蒸着することで形成することができる。第
１の発光物質としては、蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有
機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍
光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料
に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
第１の電子輸送層１３３としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成するこ
とができる。また、第１の電子注入層１３４としては、電子注入性の高い物質を蒸着する
ことで形成することができる。
電荷発生層１１０としては、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加され
た材料、または電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された材料を蒸着すること
で形成することができる。
＜第５のステップ＞
第５のステップは、第２の正孔注入層１３５、第２の正孔輸送層１３６、第２の発光層
１１２、第２の電子輸送層１３７、第２の電子注入層１３８、及び半透過・半反射電極１
１４を形成する工程である（図９（Ａ）参照）。
第２の正孔注入層１３５としては、先に示す第１の正孔注入層１３１と同様の材料及び
同様の方法により形成することができる。また、第２の正孔輸送層１３６としては、先に
示す第１の正孔輸送層１３２と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。
第２の発光層１１２としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれ
る少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を蒸着することで形成すること
ができる。第２の発光物質としては、燐光性の有機化合物を用いることができる。また、
該燐光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい
。例えば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大き
なホスト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
第２の電子輸送層１３７としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成するこ
とができる。また、第２の電子注入層１３８としては、電子注入性の高い物質を蒸着する
ことで形成することができる。
半透過・半反射電極１１４としては、反射性を有する導電膜と、透光性を有する導電膜
を積層することで形成することができる。また、半透過・半反射電極１１４としては、単
層構造、または積層構造としてもよい。
上記工程を経て、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、第３の発光素子
１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙが基板１０２上に形成される。
＜第６のステップ＞
第６のステップは、基板１５２上に遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光
学素子１５６Ｇ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙを形成する工程
である（図９（Ｂ）参照）。
遮光層１５４としては、黒色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。その後
、基板１５２及び遮光層１５４上に、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ
、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙを形成する。第１の光学素子１
５６Ｂとしては、青色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第２の光
学素子１５６Ｇとしては、緑色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、
第３の光学素子１５６Ｒとしては、赤色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に形成する
。また、第４の光学素子１５６Ｙとしては、黄色顔料を含んだ有機樹脂膜を所望の領域に
形成する。
＜第７のステップ＞
第７のステップは、基板１０２上に形成された第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素
子１０１Ｇ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｙと、基板１５２上に
形成された遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｇ、第３の光
学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｙと、を貼り合わせ、封止材を用いて封止す
る工程である（図示しない）。
以上の工程により、図５に示す発光装置１６０Ｂを形成することができる。
以上、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、発光装置の一形態である表示装置（表示パネル、または発光パネル
ともいう）の上面及び断面について、図１０（Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。
図１０（Ａ）は、第１の基板５０１が有する発光素子と、第２の基板５０６が有する光
学素子と、をシール材によって封止した発光パネルの上面図であり、図１０（Ｂ）は、図
１０（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２間の切断面の断面図に相当する。
第１の基板５０１は、画素部５０２と、信号線駆動回路部５０３と、走査線駆動回路部
５０４ａ、５０４ｂと、を有する。また、第２の基板５０６は、遮光層５２１と、青色を
呈する光を透過する機能を有する第１の光学素子５２２Ｂと、緑色を呈する光を透過する
機能を有する第２の光学素子５２２Ｇと、赤色を呈する光を透過する機能を有する第３の
光学素子５２２Ｒと、を有する。また、第１の基板５０１と第２の基板５０６は、シール
材５０５によって封止されている。
また、画素部５０２、信号線駆動回路部５０３、及び走査線駆動回路部５０４ａ、５０
４ｂは、第１の基板５０１、第２の基板５０６、シール材５０５、及び充填材５０７によ
って、密封されている。
シール材５０５としては、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。ま
た、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料が好ましい。
充填材５０７としては、窒素やアルゴンなどの不活性な気体、あるいは紫外線硬化樹脂
または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）系樹脂、アクリ
ル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニル
ブチラル）系樹脂またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）系樹脂を用いることができ
る。
また、信号線駆動回路部５０３及び走査線駆動回路部５０４ａ、５０４ｂは、別途用意
された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回路で実装さ
れていてもよい。
また、画素部５０２、信号線駆動回路部５０３、及び走査線駆動回路部５０４ａ、５０
４ｂは、複数のトランジスタを有しており、図１０（Ｂ）においては、画素部５０２に含
まれるトランジスタ５１０、５１１、５１２と、信号線駆動回路部５０３に含まれるトラ
ンジスタ５０９とを例示している。
なお、図１０（Ｂ）において、トランジスタの一例として逆スタガ型のトランジスタ構
造を例示したが、これに限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタを用いてもよい
。また、トランジスタの極性についても特に限定はなく、Ｎ型およびＰ型のトランジスタ
を有する構造、及びＮ型のトランジスタまたはＰ型のトランジスタのいずれか一方のみか
らなる構造を用いてもよい。また、トランジスタに用いられる半導体膜の結晶性について
も特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。ま
た、半導体材料としては、第１３族（ガリウム等）半導体、第１４族（シリコン等）半導
体、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トラン
ジスタ５０９、５１０、５１１、５１２としては、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ
以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用いる
ことで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。該酸化物半導体
としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、またはＮｄ）等が挙げられる。
また、信号線駆動回路部５０３、走査線駆動回路部５０４ａ、５０４ｂ、及び画素部５
０２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ５１８から供給される。
ＦＰＣ５１８は、異方性導電膜５１９及び接続端子電極５１７を介して、端子電極５２
５と電気的に接続される。なお、接続端子電極５１７は、トランジスタ５１０、５１１、
５１２が有するソース電極及びドレイン電極と同一の導電膜を加工する工程を経て形成さ
れる。また、端子電極５２５は、トランジスタ５１０、５１１、５１２が有するゲート電
極と同一の導電膜を加工する工程を経て形成される。
また、第１の基板５０１及び第２の基板５０６に用いることのできる材料としては、半
導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、
プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを
有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り
合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一
例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライム
ガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては
、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチ
レンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチ
ックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例と
しては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどが
ある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着
フィルム、又は紙類などがある。
また、発光素子やトランジスタを形成する基板として、上述した可撓性基板を用いる場
合には、可撓性基板上に発光素子やトランジスタを直接形成してもよいし、ベース基板上
に剥離層を介して発光素子やトランジスタを一部または全部形成した後、ベース基板より
分離し、他の基板に転載してもよい。このような剥離層を用いて別の基板に転載して作製
する場合には、耐熱性の劣る基板や直接形成が難しい可撓性の基板上に発光素子やトラン
ジスタを形成することができる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸
化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成
された構成等を用いることができる。さらに、転載する基板としては、上述した発光素子
やトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミド
フィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、
綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセ
テート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基
板などがある。これらの基板を用いることにより、耐久性や耐熱性に優れ、軽量化および
薄型化を図ることができる。
また、トランジスタ５１０のソース電極またはドレイン電極に第１の反射電極５１３Ｂ
が電気的に接続され、トランジスタ５１１のソース電極またはドレイン電極に第２の反射
電極５１３Ｇが電気的に接続され、トランジスタ５１２のソース電極またはドレイン電極
に第３の反射電極５１３Ｒが電気的に接続されている。
また、第１の反射電極５１３Ｂ、第２の反射電極５１３Ｇ、及び第３の反射電極５１３
Ｒの端部を覆うように、隔壁５２０が形成される。なお、隔壁５２０の上端部または下端
部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。隔壁５２０の形状を上記の
ように形成することで、隔壁５２０の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとするこ
とができる。
また、第１の反射電極５１３Ｂは、第１の発光素子５２４Ｂの下部電極の一部として機
能する。また、第２の反射電極５１３Ｇは、第２の発光素子５２４Ｇの下部電極の一部と
して機能する。また、第３の反射電極５１３Ｒは、第３の発光素子５２４Ｒの下部電極の
一部として機能する。
第１の発光素子５２４Ｂ、第２の発光素子５２４Ｇ、及び第３の発光素子５２４Ｒは、
それぞれ先の実施の形態１に示す素子構成を適用することができる。実施の形態１に示す
素子構成を用いることで、発光効率が高く、消費電力が低減された発光装置とすることが
できる。
また、第１の発光素子５２４Ｂ、第２の発光素子５２４Ｇ、及び第３の発光素子５２４
Ｒから射出される光は、第２の基板５０６側から射出される。そのため、第２の基板５０
６は、透光性を持たせる必要があり、例えば、ガラス板、プラスチック板、ポリエステル
フィルムまたはアクリルフィルムのような材料を用いるとよい。
また、第２の基板５０６上に、偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板
（λ／４板、λ／２板）などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏
光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込み
を低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
また、第１の発光素子５２４Ｂ、第２の発光素子５２４Ｇ、及び第３の発光素子５２４
Ｒ上に、保護膜を形成してもよい。該保護膜としては、酸素、水素、水分、二酸化炭素等
が各発光素子内に入り込まないような機能を有していればよい。例えば、保護膜としては
、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いればよい。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図１１を用
いて説明を行う。
図１１（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部６０２と
いう）と、画素部６０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（
以下、駆動回路部６０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路６０
６という）と、端子部６０７と、を有する。なお、保護回路６０６は、設けない構成とし
てもよい。
駆動回路部６０４の一部、または全部は、画素部６０２と同一基板上に形成されている
ことが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部６０４
の一部、または全部が、画素部６０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回
路部６０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
画素部６０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置され
た複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路６０１という）を有し、駆動回
路部６０４は、画素を選択する信号（走査信号）を供給する回路（以下、走査線駆動回路
部６０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するた
めの回路（以下、信号線駆動回路部６０４ｂ）などの駆動回路を有する。
走査線駆動回路部６０４ａは、シフトレジスタ等を有する。走査線駆動回路部６０４ａ
は、端子部６０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出
力する。例えば、走査線駆動回路部６０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が
入力され、パルス信号を出力する。走査線駆動回路部６０４ａは、走査信号が与えられる
配線（以下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお
、走査線駆動回路部６０４ａを複数設け、複数の走査線駆動回路部６０４ａにより、走査
線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、走査線駆動回路部６０４ａ
は、初期化信号を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、走査
線駆動回路部６０４ａは、別の信号を供給することも可能である。
信号線駆動回路部６０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。信号線駆動回路部６０４ｂ
は、端子部６０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元
となる信号（画像信号）が入力される。信号線駆動回路部６０４ｂは、画像信号を元に画
素回路６０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、信号線駆動回路部６
０４ｂは、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、
データ信号の出力を制御する機能を有する。また、信号線駆動回路部６０４ｂは、データ
信号が与えられる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する
機能を有する。または、信号線駆動回路部６０４ｂは、初期化信号を供給することができ
る機能を有する。ただし、これに限定されず、信号線駆動回路部６０４ｂは、別の信号を
供給することも可能である。
信号線駆動回路部６０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される
。信号線駆動回路部６０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることによ
り、画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。
複数の画素回路６０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを
介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介し
てデータ信号が入力される。また、複数の画素回路６０１のそれぞれは、走査線駆動回路
部６０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ
列目の画素回路６０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介して走査線駆動回
路部６０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿
ｎ（ｎはＹ以下の自然数）を介して信号線駆動回路部６０４ｂからデータ信号が入力され
る。
図１１（Ａ）に示す保護回路６０６は、例えば、走査線駆動回路部６０４ａと画素部６
０２の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路６０６は、信号線駆動
回路部６０４ｂと画素部６０２の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保
護回路６０６は、走査線駆動回路部６０４ａと端子部６０７との間の配線に接続すること
ができる。または、保護回路６０６は、信号線駆動回路部６０４ｂと端子部６０７との間
の配線に接続することができる。なお、端子部６０７は、外部の回路から表示装置に電源
及び制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
保護回路６０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
図１１（Ａ）に示すように、画素部６０２と駆動回路部６０４にそれぞれ保護回路６０
６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：
静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。
ただし、保護回路６０６の構成はこれに限定されず、例えば、走査線駆動回路部６０４ａ
に保護回路６０６を接続した構成、または信号線駆動回路部６０４ｂに保護回路６０６を
接続した構成とすることもできる。あるいは、端子部６０７に保護回路６０６を接続した
構成とすることもできる。
また、図１１（Ａ）においては、走査線駆動回路部６０４ａと信号線駆動回路部６０４
ｂによって駆動回路部６０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない
。例えば、走査線駆動回路部６０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路
が形成された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板
）を実装する構成としても良い。
また、図１１（Ａ）に示す複数の画素回路６０１は、例えば、図１１（Ｂ）に示す構成
とすることができる。
図１１（Ｂ）に示す画素回路６０１は、トランジスタ６５２、６５４と、容量素子６６
２と、発光素子６７２と、を有する。
トランジスタ６５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる
配線（以下、データ線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ６
５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電
気的に接続される。
トランジスタ６５２は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデー
タの書き込みを制御する機能を有する。
容量素子６６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ
＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ６５２のソース電極及びドレイ
ン電極の他方に電気的に接続される。
容量素子６６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
トランジスタ６５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電
気的に接続される。さらに、トランジスタ６５４のゲート電極は、トランジスタ６５２の
ソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
発光素子６７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続
され、他方は、トランジスタ６５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続
される。
発光素子６７２としては、実施の形態１に示す発光素子のいずれかを用いることができ
る。
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
図１１（Ｂ）の画素回路６０１を有する表示装置では、例えば、図１１（Ａ）に示す走
査線駆動回路部６０４ａにより各行の画素回路６０１を順次選択し、トランジスタ６５２
をオン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
データ信号が書き込まれた画素回路６０１は、トランジスタ６５２がオフ状態になるこ
とで保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ６５
４のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子６７２は、流れ
る電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる
。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図１２及び図１３を用いて説明を行う。
図１２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
た表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を
有する。
本発明の一態様の発光装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又
は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、
加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電
場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する
機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有することができる。
図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。
例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッ
チセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（
プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々な
コンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信ま
たは受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表
示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）に
示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。また、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）には図示していないが、電子機器は、複
数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を撮
影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵）
に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図１３（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が
有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に
沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセン
サを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表
示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することが
できる。
図１３（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は
、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具
体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、
スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図
１３（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯
情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、
３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００
１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９０
０１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メール
やＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示
、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バ
ッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている
位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
図１３（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は
、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、
情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携
帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状
態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信し
た電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位
置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示
を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図１３（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末
９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信
、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表
示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行するこ
とが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハン
ズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を
有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。ま
た接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００
６を介さずに無線給電により行ってもよい。
図１３（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図であ
る。また、図１３（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図１３
（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図１３（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状
態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２
０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００
に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることによ
り、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させるこ
とができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲
げることができる。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器
にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部におい
ては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り
畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面
部に表示を行う構成としてもよい。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について
、図１４を用いて説明する。
図１４は、発光装置を室内の照明装置８５０１として用いた例である。なお、発光装置
は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面
を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８５０２を形成すること
もできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザ
インの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができ
る。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照明装置８５
０１、８５０２、８５０３に、タッチセンサを設けて、照明装置の電源のオンまたはオフ
を行ってもよい。
また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照
明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いること
により、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置
は本発明の一態様に含まれるものとする。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子１及び発光素子２と、比較発光素子３と
を作製し、それぞれ評価を行った。なお、発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３
の素子構造の詳細については、図１５を用いて説明する。まず、本実施例で用いた発光素
子の材料の化学式を以下に示す。
以下に本実施例の発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の作製方法を示す。
≪発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の作製方法≫
まず、基板４００２上に反射電極４００４として、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）と
銅（Ｃｕ）の合金膜（略称：ＡＰＣ）をスパッタリング法により成膜した。なお、反射電
極４００４の膜厚を１００ｎｍとし、面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、反射電極４００４上に、透明導電膜４００６として、酸化シリコンを含むインジ
ウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜した。なお、発光素子１
の透明導電膜４００６の膜厚を６０ｎｍとし、発光素子２の透明導電膜４００６の膜厚を
３０ｎｍとし、比較発光素子３の透明導電膜４００６の膜厚を１０ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、反射電極４００４及び透明導電膜４００
６が形成された基板４００２の透明導電膜４００６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼
成した後、透明導電膜４００６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板４００２を導入し
、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板４
００２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電膜４００６が形成された面が下方となるように、基板４００２を真空蒸
着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、第１の正
孔注入層４１３１、第１の正孔輸送層４１３２、第１の発光層４００８、第１の電子輸送
層４１３３ａ、４１３３ｂ、第１の電子注入層４１３４を順次形成した後、電荷発生層４
０１０を形成し、次に第２の正孔注入層４１３５、第２の正孔輸送層４１３６、第２の発
光層４０１２ａ、４０１２ｂ、第２の電子輸送層４１３７ａ、４１３７ｂ、第２の電子注
入層４１３８を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電膜４００６上に、第１の
正孔注入層４１３１として、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェ
ニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰｃＰＰｎ）と酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸
化モリブデン＝１：０．５（質量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子１及び発
光素子２の第１の正孔注入層４１３１の膜厚を３５ｎｍとし、比較発光素子３の第１の正
孔注入層４１３１の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、第１の正孔注入層４１３１上に第１の正孔輸送層４１３２を形成した。第１の正
孔輸送層４１３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、発光素子１及び発光素子２の
第１の正孔輸送層４１３２の膜厚を１５ｎｍとし、比較発光素子３の第１の正孔輸送層４
１３２の膜厚を１０ｎｍとした。
次に、第１の正孔輸送層４１３２上に第１の発光層４００８を形成した。第１の発光層
４００８としては、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９
Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）と、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−４−イル）
−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ−ＩＩ）
とを、ＣｚＰＡ：１，６ＦｒＡＰｒｎ＝１：０．０５（質量比）となるように共蒸着した
。また、第１の発光層４００８の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、第１の発光層４００８上に第１の電子輸送層４１３３ａとして、膜厚５ｎｍのＣ
ｚＰＡを蒸着した。次に、第１の電子輸送層４１３３ａ上に第１の電子輸送層４１３３ｂ
として、膜厚１５ｎｍのバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を蒸着した。次に、
第１の電子輸送層４１３３ｂ上に、第１の電子注入層４１３４として、膜厚０．１ｎｍの
酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を蒸着した。
次に、第１の電子注入層４１３４上に、電荷発生層４０１０として、膜厚２ｎｍの銅フ
タロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を蒸着した。
次に、電荷発生層４０１０上に、第２の正孔注入層４１３５として、１，３，５−トリ
（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と、酸化モリ
ブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比）となるように共
蒸着した。なお、第２の正孔注入層４１３５の膜厚を１２．５ｎｍとした。
次に、第２の正孔注入層４１３５上に第２の正孔輸送層４１３６として、膜厚２０ｎｍ
のＢＰＡＦＬＰを蒸着した。
次に、第２の正孔輸送層４１３６上に、第２の発光層４０１２ａとして、２−［３’−
（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサ
リン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）と、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’
−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢ
ＮＢＢ）と、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミ
ジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））とを、２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝０．
７：０．３：０．０６（質量比）となるよう共蒸着した。なお、第２の発光層４０１２ａ
の膜厚を２０ｎｍとした。
次に、第２の発光層４０１２ａ上に第２の発光層４０１２ｂとして、２ｍＤＢＴＢＰＤ
Ｂｑ−ＩＩ、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（２，６−ジメチルフェニル）−３−
（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，４−ペ
ンタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄ
ｍｐ）２（ａｃａｃ））を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ
）２（ａｃａｃ）＝１：０．０６（質量比）となるよう共蒸着した。なお、第２の発光層
４０１２ｂの膜厚を２０ｎｍとした。
次に、第２の発光層４０１２ｂ上に第２の電子輸送層４１３７ａとして、膜厚３０ｎｍ
の２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサ
リン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）を蒸着した。次に、第２の電子輸送層４１３７
ａ上に第２の電子輸送層４１３７ｂとして、膜厚１５ｎｍのＢｐｈｅｎを蒸着した。
次に、第２の電子輸送層４１３７ｂ上に第２の電子注入層４１３８として、膜厚１ｎｍ
のフッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着した。
次に、第２の電子注入層４１３８上に半透過・半反射電極４０１４ａとして、銀（Ａｇ
）とマグネシウム（Ｍｇ）とを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、半透過・半反
射電極４０１４ａの膜厚は、１５ｎｍとした。次に、半透過・半反射電極４０１４ａ上に
半透過・半反射電極４０１４ｂとして、膜厚７０ｎｍのインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を
スパッタリング法により形成した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の素子構造を表１に
示す。
なお、表１に示すように、発光素子１の対向基板４１５２には、着色層４１５６として
、膜厚２．４μｍの赤色（Ｒ）のカラーフィルタを、発光素子２の対向基板４１５２には
、着色層４１５６として、膜厚１．３μｍの緑色（Ｇ）のカラーフィルタを、比較発光素
子３の対向基板４１５２には、着色層４１５６として、膜厚０．６μｍの青色（Ｂ）のカ
ラーフィルタを、それぞれ形成した。
上記により作製した発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３と、上記により作製
した対向基板４１５２とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内にお
いて貼り合わせることにより封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に３６５
ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射し、８０℃にて１時間熱処理した）。
≪発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の動作特性≫
次に、上記作製した各発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５
℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の電流効率−輝度特性を図１６（Ａ）に
示す。なお、図１６（Ａ）において、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を、横軸は輝度（ｃｄ
／ｍ２）を、それぞれ示す。また、発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３の電流
−電圧特性を図１６（Ｂ）に示す。なお、図１６（Ｂ）において、縦軸は電流（ｍＡ）を
、横軸は電圧（Ｖ）を、それぞれ示す。また、発光素子１、発光素子２、及び比較発光素
子３の輝度−電圧特性を図１７に示す。なお、図１７において、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２
）、横軸は電圧（Ｖ）を、をそれぞれ示す。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３
の主な初期特性値を表２に示す。
また、発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度
で電流を流した際の発光スペクトルを図１８に示す。図１８に示す通り、発光素子１の発
光スペクトルは６１１ｎｍ付近、発光素子２の発光スペクトルは５３９ｎｍ付近、比較発
光素子３の発光スペクトルは４６０ｎｍ付近にそれぞれピークを有している。
上記結果から、発光素子１は、赤色（Ｒ）の発光を呈することが分かる。また、発光素
子２は、緑色（Ｇ）の発光を呈することが分かる。また、比較発光素子３は、青色（Ｂ）
の発光を呈することが分かる。発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３を組みあわ
せて用いることで、フルカラー化を実現できることが分かる。しかしながら、素子構成、
及び発光波長が異なるので単純な比較はできないが、比較発光素子３と、発光素子１及び
発光素子２とを比較した場合、比較発光素子３の電流効率が低い結果であった。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子４及び発光素子５を作製し、評価を行っ
た。なお、発光素子４及び発光素子５の素子構造の詳細については、図１５を用いて説明
する。また、本実施例で作製した発光素子４及び発光素子５に用いた材料は、実施例１と
同じである。したがって、本実施例で用いた材料の化学式については、記載を省略する。
＜＜発光素子４及び発光素子５の作製方法＞＞
まず、基板４００２上に反射電極４００４として、ＡＰＣをスパッタリング法により成
膜した。なお、反射電極４００４の膜厚を１００ｎｍとし、面積を４ｍｍ２（２ｍｍ×２
ｍｍ）とした。
次に、反射電極４００４上に、透明導電膜４００６として、ＩＴＳＯをスパッタリング
法により成膜した。なお、発光素子４及び発光素子５の透明導電膜４００６の膜厚を６０
ｎｍとした。
次に、有機化合物層の蒸着前の前処理として、反射電極４００４及び透明導電膜４００
６が形成された基板４００２の透明導電膜４００６側を水で洗浄し、２００℃で１時間焼
成した後、透明導電膜４００６の表面に対し、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板４００２を導入し
、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板４
００２を３０分程度放冷した。
次に、透明導電膜４００６が形成された面が下方となるように、基板４００２を真空蒸
着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、第１の正
孔注入層４１３１、第１の正孔輸送層４１３２、第１の発光層４００８、第１の電子輸送
層４１３３ａ、４１３３ｂ、第１の電子注入層４１３４を順次形成した後、電荷発生層４
０１０を形成し、次に第２の正孔注入層４１３５、第２の正孔輸送層４１３６、第２の発
光層４０１２ａ、４０１２ｂ、第２の電子輸送層４１３７ａ、４１３７ｂ、第２の電子注
入層４１３８を順次形成した。詳細な作製方法を以下に記す。
まず、真空蒸着装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、透明導電膜４００６上に第１の正
孔注入層４１３１として、ＰｃＰＰｎと酸化モリブデンとを、ＰｃＰＰｎ：酸化モリブデ
ン＝１：０．５（質量比）となるように共蒸着した。なお、発光素子４の第１の正孔注入
層４１３１の膜厚を６５ｎｍとし、発光素子５の第１の正孔注入層４１３１の膜厚を７０
ｎｍとした。
次に、第１の正孔注入層４１３１上に第１の正孔輸送層４１３２を形成した。第１の正
孔輸送層４１３２としては、ＰＣＰＰｎを蒸着した。なお、発光素子４及び発光素子５の
第１の正孔輸送層４１３２の膜厚を１５ｎｍとした。
次に、第１の正孔輸送層４１３２上に第１の発光層４００８を形成した。第１の発光層
４００８としては、ＣｚＰＡと、１，６ＦｒＡＰｒｎ−ＩＩとを、ＣｚＰＡ：１，６Ｆｒ
ＡＰｒｎ＝１：０．０５（質量比）となるように共蒸着した。また、第１の発光層４００
８の膜厚を２５ｎｍとした。
次に、第１の発光層４００８上に第１の電子輸送層４１３３ａとして、膜厚５ｎｍのＣ
ｚＰＡを蒸着した。次に、第１の電子輸送層４１３３ａ上に第１の電子輸送層４１３３ｂ
として、膜厚１５ｎｍのＢＰｈｅｎを蒸着した。次に、第１の電子輸送層４１３３ｂ上に
、第１の電子注入層４１３４として、膜厚０．１ｎｍのＬｉ２Ｏを蒸着した。
次に、第１の電子注入層４１３４上に、電荷発生層４０１０として、膜厚２ｎｍのＣｕ
Ｐｃを蒸着した。
次に、電荷発生層４０１０上に、第２の正孔注入層４１３５として、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ
と酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比）とな
るように共蒸着した。なお、第２の正孔注入層４１３５の膜厚を１２．５ｎｍとした。
次に、第２の正孔注入層４１３５上に第２の正孔輸送層４１３６として、膜厚２０ｎｍ
のＢＰＡＦＬＰを蒸着した。
次に、第２の正孔輸送層４１３６上に、第２の発光層４０１２ａとして、２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢと、Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢ
ＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）＝０．７：０
．３：０．０６（質量比）となるよう共蒸着した。なお、第２の発光層４０１２ａの膜厚
を２０ｎｍとした。
次に、第２の発光層４０１２ａ上に第２の発光層４０１２ｂとして、２ｍＤＢＴＢＰＤ
Ｂｑ−ＩＩと、Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）とを、２ｍＤＢＴＢＰＤＢ
ｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）＝１：０．０６（質量比）とな
るよう共蒸着した。なお、第２の発光層４０１２ｂの膜厚を２０ｎｍとした。
次に、第２の発光層４０１２ｂ上に第２の電子輸送層４１３７ａとして、膜厚３０ｎｍ
の２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩを蒸着した。次に、第２の電子輸送層４１３７ａ上に第２の
電子輸送層４１３７ｂとして、膜厚１５ｎｍのＢｐｈｅｎを蒸着した。
次に、第２の電子輸送層４１３７ｂ上に第２の電子注入層４１３８として、膜厚１ｎｍ
のＬｉＦを蒸着した。
次に、第２の電子注入層４１３８上に半透過・半反射電極４０１４ａとして、銀（Ａｇ
）とマグネシウム（Ｍｇ）とを１：０．１（体積比）で共蒸着した。なお、半透過・半反
射電極４０１４ａの膜厚は、１５ｎｍとした。次に、半透過・半反射電極４０１４ａ上に
半透過・半反射電極４０１４ｂとして、膜厚７０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により
形成した。
なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
以上により得られた発光素子４及び発光素子５の素子構造を表３に示す。
なお、表３に示すように、発光素子４の対向基板４１５２には、着色層４１５６として
、膜厚０．６μｍの青色（Ｂ）のカラーフィルタを、発光素子５の対向基板４１５２には
、着色層４１５６として、膜厚１．０μｍの青色（Ｂ）のカラーフィルタを、それぞれ形
成した。
上記により作製した発光素子４及び発光素子５と、上記により作製した対向基板４１５
２とを大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において貼り合わせるこ
とにより封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ
／ｃｍ２照射し、８０℃にて１時間熱処理した）。
≪発光素子４及び発光素子５の動作特性≫
次に、上記作製した各発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５
℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子４及び発光素子５の電流効率−輝度特性を図１９（Ａ）に示す。なお、図１９
（Ａ）において、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、それぞ
れ示す。また、発光素子４及び発光素子５の電流−電圧特性を図１９（Ｂ）に示す。なお
、図１９（Ｂ）において、縦軸は電流（ｍＡ）を、横軸は電圧（Ｖ）を、それぞれ示す。
また、発光素子４及び発光素子５の輝度−電圧特性を図２０に示す。なお、図２０におい
て、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、横軸は電圧（Ｖ）を、それぞれ示す。なお、図１９（
Ａ）（Ｂ）、及び図２０において、発光素子４と発光素子５のグラフが略重なって図示さ
れている。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子４及び発光素子５の主な初期特性値を
表４に示す。
また、発光素子４及び発光素子５に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の
発光スペクトルを図２１に示す。図２１に示す通り、発光素子４の発光スペクトルは４６
２ｎｍ付近、発光素子５の発光スペクトルは４６６ｎｍ付近にそれぞれピークを有してい
る。
上記結果から、発光素子４及び発光素子５は、青色（Ｂ）の発光を呈することが分かる
。また、実施例１で作製した比較発光素子３と比べ、本発明の一態様の発光素子４及び発
光素子５の電流効率が高いことが分かる。これは、反射電極として用いたＡＰＣと、第１
の発光層との光学距離が異なることに起因していると示唆される。
また、実施例１で作製した発光素子１、発光素子２、及び比較発光素子３と、実施例２
で作製した発光素子４、及び発光素子５のＡＰＣから第１の発光層（以下、ＥＭＬ１とし
て示す場合がある）までの光学距離と、ＡＰＣから第２の発光層（以下、ＥＭＬ２として
示す場合がある）までの光学距離と、各発光素子からの波長のλ／４、及び３λ／４の計
算結果を表５に示す。
なお、表５において、光学距離としては、透明導電膜４００６として用いたＩＴＳＯ膜
の屈折率を２．２とし、その他の有機層（第１の正孔注入層４１３１、第１の正孔輸送層
４１３２、第１の発光層４００８、第１の電子輸送層４１３３、第１の電子注入層４１３
４、電荷発生層４０１０、第２の正孔注入層４１３５、第２の正孔輸送層４１３６、及び
第２の発光層４０１２）の屈折率を１．９として算出した。
表５に示すように、比較発光素子３においては、ＡＰＣからＥＭＬ１までの光学距離が
概ねλＢ／４であるため、ＡＰＣの表面近傍で光の散乱または光の吸収が生じたため、電
流効率が低くなったと示唆される。一方で、本発明の一態様の発光素子４及び発光素子５
においては、ＡＰＣからＥＭＬ１までの光学距離が概ね３λＢ／４であるため、ＡＰＣの
表面近傍での光の散乱または光の吸収が抑制されたため、比較発光素子３よりも電流効率
が高い結果になったと考えられる。
また、表５に示すように、本発明の一態様の発光素子１は、ＡＰＣからＥＭＬ２までの
光学距離が概ね３λＲ／４であった。また、本発明の一態様の発光素子２は、ＡＰＣから
ＥＭＬ２までの光学距離が概ね３λＧ／４であった。
以上、本実施例に示す構成は、他の実施例及び実施の形態と適宜組み合わせて用いる事
ができる。
１００ 発光装置
１００Ａ 発光装置
１００Ｂ 発光装置
１０１Ｂ 発光素子
１０１Ｇ 発光素子
１０１Ｒ 発光素子
１０１Ｙ 発光素子
１０１Ｗ 発光素子
１０２ 基板
１０４Ｂ 反射電極
１０４Ｇ 反射電極
１０４Ｒ 反射電極
１０４Ｙ 反射電極
１０４Ｗ 反射電極
１０６Ｂ 透明導電膜
１０６Ｇ 透明導電膜
１０６Ｒ 透明導電膜
１０６Ｙ 透明導電膜
１０６Ｗ 透明導電膜
１０８ 発光層
１１０ 電荷発生層
１１２ 発光層
１１２ａ 発光層
１１２ｂ 発光層
１１４ 半透過・半反射電極
１２０ 隔壁
１３１ 正孔注入層
１３２ 正孔輸送層
１３３ 電子輸送層
１３４ 電子注入層
１３５ 正孔注入層
１３６ 正孔輸送層
１３７ 電子輸送層
１３８ 電子注入層
１５２ 基板
１５４ 遮光層
１５６Ｂ 光学素子
１５６Ｇ 光学素子
１５６Ｒ 光学素子
１５６Ｙ 光学素子
１６０ 発光装置
１６０Ａ 発光装置
１６０Ｂ 発光装置
１６０Ｃ 発光装置
１６０Ｄ 発光装置
５０１ 基板
５０２ 画素部
５０３ 信号線駆動回路部
５０４ａ 走査線駆動回路部
５０４ｂ 走査線駆動回路部
５０５ シール材
５０６ 基板
５０７ 充填材
５０９ トランジスタ
５１０ トランジスタ
５１１ トランジスタ
５１２ トランジスタ
５１３Ｂ 反射電極
５１３Ｇ 反射電極
５１３Ｒ 反射電極
５１７ 接続端子電極
５１８ ＦＰＣ
５１９ 異方性導電膜
５２０ 隔壁
５２１ 遮光層
５２２Ｂ 光学素子
５２２Ｇ 光学素子
５２２Ｒ 光学素子
５２４Ｂ 発光素子
５２４Ｇ 発光素子
５２４Ｒ 発光素子
５２５ 端子電極
６０１ 画素回路
６０２ 画素部
６０４ 駆動回路部
６０４ａ 走査線駆動回路部
６０４ｂ 信号線駆動回路部
６０６ 保護回路
６０７ 端子部
６５２ トランジスタ
６５４ トランジスタ
６６２ 容量素子
６７２ 発光素子
４００２ 基板
４００４ 反射電極
４００６ 透明導電膜
４００８ 発光層
４０１０ 電荷発生層
４０１２ 発光層
４０１２ａ 発光層
４０１２ｂ 発光層
４０１４ａ 半透過・半反射電極
４０１４ｂ 半透過・半反射電極
４１３１ 正孔注入層
４１３２ 正孔輸送層
４１３３ 電子輸送層
４１３３ａ 電子輸送層
４１３３ｂ 電子輸送層
４１３４ 電子注入層
４１３５ 正孔注入層
４１３６ 正孔輸送層
４１３７ａ 電子輸送層
４１３７ｂ 電子輸送層
４１３８ 電子注入層
４１５２ 対向基板
４１５６ 着色層
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
８５０１ 照明装置
８５０２ 照明装置
８５０３ 照明装置
８５０４ 照明装置
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ 操作ボタン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１００ 携帯情報端末
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末

Claims (9)

  1. 青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子と、
    緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子と、
    赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子と、を有し、
    前記第１乃至第３の発光素子は、第１の発光層と第２の発光層とを共通に有し、
    前記第１の発光素子は、
    第１の反射電極と、
    前記第１の反射電極上の第１の透明導電膜と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    第２の反射電極と、
    前記第２の反射電極上の第２の透明導電膜と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    第３の反射電極と、
    前記第３の反射電極上の第３の透明導電膜と、を有し、
    前記第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、
    前記第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、
    前記第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、
    前記第１の領域は、前記第３の領域よりも厚く、
    前記第３の領域は、前記第２の領域よりも厚く、
    前記第１の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λＢ以上（但し、λＢは４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下）である発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１の発光層は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第１の発光物質を有し、
    前記第２の発光層は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を有する発光装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記第２の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λＧ未満（但し、λＧは５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下）であり、
    前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λＲ未満（但し、λＲは６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下）である発光装置。
  4. 青色を呈する光を発することができる機能を有する第１の発光素子と、
    緑色を呈する光を発することができる機能を有する第２の発光素子と、
    赤色を呈する光を発することができる機能を有する第３の発光素子と、
    黄色を呈する光を発することができる機能を有する第４の発光素子と、を有し、
    前記第１乃至第４の発光素子は、第１の発光層と第２の発光層とを共通に有し、
    前記第１の発光素子は、
    第１の反射電極と、
    前記第１の反射電極上の第１の透明導電膜と、を有し、
    前記第２の発光素子は、
    第２の反射電極と、
    前記第２の反射電極上の第２の透明導電膜と、を有し、
    前記第３の発光素子は、
    第３の反射電極と、
    前記第３の反射電極上の第３の透明導電膜と、を有し、
    前記第４の発光素子は、
    第４の反射電極と、
    前記第４の反射電極上の第４の透明導電膜と、を有し、
    前記第１の透明導電膜は、第１の領域を有し、
    前記第２の透明導電膜は、第２の領域を有し、
    前記第３の透明導電膜は、第３の領域を有し、
    前記第４の透明導電膜は、第４の領域を有し、
    前記第１の領域は、前記第３の領域よりも厚く、
    前記第３の領域は、前記第４の領域よりも厚く、
    前記第４の領域は、前記第２の領域よりも厚く、
    前記第１の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λＢ（但し、λＢは４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下）以上である発光装置。
  5. 請求項４において、
    前記第１の発光層は、青色発光を呈する第１の発光物質を有し、
    前記第２の発光層は、緑色、黄色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第２の発光物質を有する発光装置。
  6. 請求項４または請求項５において、
    前記第２の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λＧ未満（但し、λＧは５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下）であり、
    前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λＲ未満（但し、λＲは６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下）であり、
    前記第４の反射電極と前記第１の発光層との光学距離が３／４λＹ未満（但し、λＹは５５０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下）である発光装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一つにおいて、
    前記第１の発光素子に重なる第１の光学素子を有し、
    前記第２の発光素子に重なる第２の光学素子を有し、
    前記第３の発光素子に重なる第３の光学素子を有し、
    前記第１の光学素子は、
    青色を呈する光を透過する機能を有し、
    前記第２の光学素子は、
    緑色を呈する光を透過する機能を有し、
    前記第３の光学素子は、
    赤色を呈する光を透過する機能を有する発光装置。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一つに記載の発光装置と、
    筐体またはタッチセンサと、
    を有する電子機器。
  9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一つに記載の発光装置と、
    筐体またはタッチセンサと、
    を有する照明装置。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI745740B (zh) * 2014-05-15 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備
JP6337111B2 (ja) * 2014-06-20 2018-06-06 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光デバイスおよび表示装置
US9343691B2 (en) 2014-08-08 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9627650B2 (en) 2014-10-24 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Multiple light-emitting element device each with varying wavelength
KR102543330B1 (ko) * 2015-02-25 2023-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN104966789A (zh) * 2015-06-30 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种电荷连接层及其制造方法、叠层oled器件
WO2017073459A1 (ja) * 2015-10-27 2017-05-04 パイオニア株式会社 発光システム
US10797113B2 (en) * 2016-01-25 2020-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with layered electrode structures
JP6731748B2 (ja) * 2016-02-26 2020-07-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180076422A (ko) * 2016-12-27 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 색 변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US10529780B2 (en) * 2017-02-28 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
WO2018173825A1 (ja) * 2017-03-21 2018-09-27 パイオニア株式会社 光装置
US10777125B2 (en) * 2017-11-27 2020-09-15 Universal Display Corporation Multi-mode OLED display
CN111384107B (zh) * 2018-12-27 2023-03-10 乐金显示有限公司 显示装置
CN112467049A (zh) * 2020-11-18 2021-03-09 安徽熙泰智能科技有限公司 一种oled器件的结构
CN114068845A (zh) * 2021-11-17 2022-02-18 京东方科技集团股份有限公司 电极及其制备方法、发光器件、显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005129510A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
US20090026933A1 (en) * 2005-12-28 2009-01-29 Cdt Oxford Limited Organic Electroluminescent Device
JP2011181508A (ja) * 2005-03-25 2011-09-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2012204165A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2012227133A (ja) * 2011-04-08 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、電子機器、および照明装置
WO2012168978A1 (ja) * 2011-06-09 2012-12-13 パナソニック株式会社 有機発光パネルおよびその製造方法
WO2013099744A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 シャープ株式会社 表示装置

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7755577B2 (en) 2005-09-26 2010-07-13 Kyocera Corporation Electroluminescent device
TW478019B (en) 1999-10-29 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Self light-emitting device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4403399B2 (ja) * 2003-09-19 2010-01-27 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP4754795B2 (ja) * 2003-09-19 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の作製方法
EP3413369A1 (en) 2003-09-19 2018-12-12 Sony Corporation Organic light emitting display
JP2005317506A (ja) 2004-03-31 2005-11-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US7554265B2 (en) 2004-06-25 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006295104A (ja) 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
EP1624502B1 (en) 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
EP1820372B1 (en) 2004-09-24 2016-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
WO2006049323A1 (en) 2004-11-05 2006-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
US8633473B2 (en) 2004-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High contrast light emitting device and method for manufacturing the same
JP4939809B2 (ja) 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2006278258A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sony Corp 有機発光装置
US7271537B2 (en) 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
JP4507964B2 (ja) * 2005-04-15 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US8269227B2 (en) 2005-06-09 2012-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP2008027722A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
US9030320B2 (en) * 2006-10-11 2015-05-12 Thermal Matrix USA, Inc. Real time threat detection system using integrated passive sensors
JP2008130485A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Canon Inc 有機ｅｌ素子アレイ
JP2009231274A (ja) 2008-02-27 2009-10-08 Canon Inc 有機発光素子及び表示装置
JP2009288956A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Canon Inc タッチパネル機能付き有機ｅｌ表示装置
US8674964B2 (en) * 2009-07-02 2014-03-18 Au Optronics Corp. Organic light emitting diode touch display
KR101058109B1 (ko) 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101321878B1 (ko) * 2009-09-25 2013-10-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
JP5407910B2 (ja) 2010-01-29 2014-02-05 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
JP5407907B2 (ja) 2010-01-29 2014-02-05 ソニー株式会社 発光素子、照明装置および表示装置
KR101108167B1 (ko) 2010-02-12 2012-02-06 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
CN103026790B (zh) * 2010-07-22 2016-05-25 株式会社日本有机雷特显示器 发光元件以及使用该发光元件的显示装置
KR102095382B1 (ko) 2011-02-11 2020-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 표시 장치
JP5969216B2 (ja) 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
US8957442B2 (en) 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP5996876B2 (ja) * 2011-02-11 2016-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子及び表示装置
JP2012199231A (ja) 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR20120106568A (ko) 2011-03-18 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
TWI562424B (en) * 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
KR101884199B1 (ko) 2011-06-29 2018-08-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 구조물, 발광 구조물을 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP5591903B2 (ja) 2012-11-16 2014-09-17 株式会社トーモク 消火器用保護部材
JP5849981B2 (ja) * 2013-03-25 2016-02-03 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
TWI745740B (zh) * 2014-05-15 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005129510A (ja) * 2003-09-30 2005-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
JP2011181508A (ja) * 2005-03-25 2011-09-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US20090026933A1 (en) * 2005-12-28 2009-01-29 Cdt Oxford Limited Organic Electroluminescent Device
JP2012204165A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2012227133A (ja) * 2011-04-08 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、電子機器、および照明装置
WO2012168978A1 (ja) * 2011-06-09 2012-12-13 パナソニック株式会社 有機発光パネルおよびその製造方法
WO2013099744A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 シャープ株式会社 表示装置

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