TWI745740B - 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備 - Google Patents

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TWI745740B
TWI745740B TW108130849A TW108130849A TWI745740B TW I745740 B TWI745740 B TW I745740B TW 108130849 A TW108130849 A TW 108130849A TW 108130849 A TW108130849 A TW 108130849A TW I745740 B TWI745740 B TW I745740B
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佐佐木俊毅
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日商半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

一種發光裝置包括：發射藍色光的第一發光元件；發射綠色光的第二發光元件；以及發射紅色光的第三發光元件。在第一發光元件至第三發光元件中，分別層疊有第一反射電極及第一透明導電膜、第二反射電極及第二透明導電膜、第三反射電極及第三透明導電膜。在第一導電膜、第二導電膜、第三導電膜的每一個上依次層疊有第一發光層、電荷產生層、第二發光層以及電極。電極具有能夠使光透過的功能及能夠反射光的功能，第一反射電極至第三反射電極包含銀，第一透明導電膜的厚度比第三導電膜厚，第三透明導電膜的厚度比第二導電膜厚。

Description

發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備
本發明的一個方式係關於一種將藉由施加電場來獲得發光的發光層夾在一對電極之間而成的發光元件或者包括該發光元件的發光裝置、電子裝置以及照明設備。
注意，本發明的一個方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。因此，更明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個方式的技術領域的一個例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明設備、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法或它們的製造方法。
近年來，對利用電致發光(Electroluminescence： EL)的發光元件的研究開發日益火熱。在這些發光元件的基本結構中，在一對電極之間夾有包含發光物質的層。藉由對該元件施加電壓，可以獲得來自發光物質的發光。
因為上述發光元件是自發光型發光元件，所以使用該發光元件的發光裝置具有如下優點：具有良好的可見度；不需要背光源；以及功耗低等。而且，使用該發光元件的發光裝置還具有如下優點：被製造成薄且輕；以及回應速度高等。
為了改善來自發光元件的光的提取效率，已提出採用在一對電極之間利用光的共振效應的光學微諧振腔(micro optical resonator)(微腔)結構而提高所定波長的光強度的方法(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2012-182127號公報
在採用在一對電極之間利用光的共振效應的光學微諧振腔結構(以下稱為微腔結構)的情況下，當在一對電極中的一個中使用高反射率的金屬膜(例如，包含銀的金屬膜等)時，由於表面等離子共振(SPR：Surface Plasmon Resonance)的影響而在高反射率的金屬膜的表面附近產生光的散射或光的吸收，由此有時光提取效率會降低。
鑒於上述問題，本發明的一個方式的目的之 一是提供一種新穎發光裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種發光效率高且功耗得到降低的新穎發光裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎發光裝置的製造方法。
注意，上述目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。從說明書等的記載中可明顯看出上述以外的目的是顯然的，並可以從說明書等的記載中抽出上述以外的目的。
本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：發射藍色光的第一發光元件；發射綠色光的第二發光元件；以及發射紅色光的第三發光元件，在第一發光元件中依次層疊有第一反射電極、第一透明導電膜、第一發光層、電荷產生層、第二發光層以及電極，在第二發光元件中依次層疊有第二反射電極、第二透明導電膜、第一發光層、電荷產生層、第二發光層以及電極，在第三發光元件中依次層疊有第三反射電極、第三透明導電膜、第一發光層、電荷產生層、第二發光層以及電極，電極具有能夠使光透過的功能及能夠反射光的功能，第一反射電極至第三反射電極都包含銀，第一透明導電膜的厚度比第三透明導電膜厚，第三透明導電膜的厚度比第二透明導電膜厚。下面進行詳細的說明。
本發明的一個方式是一種發射多種顏色的光的發光裝置，包括：能夠發射藍色光的第一發光元件；能夠發射綠色光的第二發光元件；以及能夠發射紅色光的第 三發光元件，第一發光元件包括第一反射電極、第一反射電極上的第一透明導電膜、第一透明導電膜上的第一發光層、第一發光層上的電荷產生層、電荷產生層上的第二發光層以及第二發光層上的電極，第二發光元件包括第二反射電極、第二反射電極上的第二透明導電膜、第二透明導電膜上的第一發光層、第一發光層上的電荷產生層、電荷產生層上的第二發光層以及第二發光層上的電極，第三發光元件包括第三反射電極、第三反射電極上的第三透明導電膜、第三透明導電膜上的第一發光層、第一發光層上的電荷產生層、電荷產生層上的第二發光層以及第二發光層上的電極，電極具有能夠使光透過的功能及能夠反射光的功能，第一反射電極至第三反射電極都包含銀，第一透明導電膜具有第一區域，第二透明導電膜具有第二區域，第三透明導電膜具有第三區域，第一區域的厚度比第三區域厚，第三區域的厚度比第二區域厚。
另外，在上述結構中，第一發光層較佳為包含發射藍紫色、藍色和藍綠色中至少一個的光的第一發光物質，第二發光層較佳為包含發射綠色、黃綠色、黃色、橙色和紅色中至少一個的光的第二發光物質。此時，第一反射電極與第一發光層之間的光學距離較佳為3/4λB以上。另外，第二反射電極與第一發光層之間的光學距離較佳為小於3/4λG，第三反射電極與第一發光層之間的光學距離較佳為小於3/4λR。
另外，在上述各結構中，第二反射電極與第 二發光層之間的光學距離較佳為3/4λG左右，第三反射電極與第二發光層之間的光學距離較佳為3/4λR左右。
另外，本發明的其他一個方式是一種發射多種顏色的光的發光裝置，包括：能夠發射藍色光的第一發光元件；能夠發射綠色光的第二發光元件；能夠發射紅色光的第三發光元件；以及能夠發射黃色光的第四發光元件，第一發光元件包括第一反射電極、第一反射電極上的第一透明導電膜、第一透明導電膜上的第一發光層、第一發光層上的電荷產生層、電荷產生層上的第二發光層以及第二發光層上的電極，第二發光元件包括第二反射電極、第二反射電極上的第二透明導電膜、第二透明導電膜上的第一發光層、第一發光層上的電荷產生層、電荷產生層上的第二發光層以及第二發光層上的電極，第三發光元件包括第三反射電極、第三反射電極上的第三透明導電膜、第三透明導電膜上的第一發光層、第一發光層上的電荷產生層、電荷產生層上的第二發光層以及第二發光層上的電極，第四發光元件包括第四反射電極、第四反射電極上的第四透明導電膜、第四透明導電膜上的第一發光層、第一發光層上的電荷產生層、電荷產生層上的第二發光層以及第二發光層上的電極，電極具有能夠使光透過的功能及能夠反射光的功能，第一反射電極至第四反射電極都包含銀，第一透明導電膜具有第一區域，第二透明導電膜具有第二區域，第三透明導電膜具有第三區域，第四透明導電膜具有第四區域，第一區域的厚度比第三區域厚，第三區 域的厚度比第四區域厚，第四區域的厚度比第二區域厚。
另外，在上述結構中，第一發光層較佳為包含藍色光的第一發光物質，第二發光層較佳為包含發射綠色、黃色和紅色中至少一個的光的第二發光物質。此時，第一反射電極與第一發光層之間的光學距離較佳為3/4λB以上。另外，第二反射電極與第一發光層之間的光學距離較佳為小於3/4λG，第三反射電極與第一發光層之間的光學距離較佳為小於3/4λR，第四反射電極與第一發光層之間的光學距離較佳為小於3/4λY。
另外，在上述各結構中，第二反射電極與第二發光層之間的光學距離較佳為3/4λG左右，第三反射電極與第二發光層之間的光學距離較佳為3/4λR左右，第四反射電極與第二發光層之間的光學距離較佳為3/4λY左右。
另外，在上述各結構中，較佳的是，包括與第一發光元件重疊的第一光學元件、與第二發光元件重疊的第二光學元件以及與第三發光元件重疊的第三光學元件，第一光學元件具有使呈現藍色的光透過的功能，第二光學元件具有使呈現綠色的光透過的功能，第三光學元件具有使呈現紅色的光透過的功能。
另外，本發明的一個方式的範圍還包括：具有上述各結構的發光裝置及外殼或者上述各結構的發光裝置及觸控感測器的電子裝置；或者，具有上述各結構的發光裝置及外殼或者上述各結構的發光裝置及觸控感測器的 照明設備。注意，本說明書中的發光裝置是指影像顯示裝置或光源(包括照明設備)。此外，發光裝置還包括如下模組：將連接器諸如FPC(Flexible printed circuit：撓性印刷電路)、TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)安裝到發光裝置的模組；將印刷線路板設置於TCP的端部的模組；或者將IC(積體電路)藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式直接安裝到發光元件的模組。
藉由本發明的一個方式，可以提供一種新穎發光裝置。另外，藉由本發明的一個方式，可以提供一種發光效率高且功耗得到降低的新穎發光裝置。另外，藉由本發明的一個方式，可以提供一種新穎發光裝置的製造方法。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。注意，本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。另外，從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載可明顯看出這些效果外的效果，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中抽出這些效果外的效果。
100‧‧‧發光裝置
100A‧‧‧發光裝置
100B‧‧‧發光裝置
101B‧‧‧發光元件
101G‧‧‧發光元件
101R‧‧‧發光元件
101Y‧‧‧發光元件
101W‧‧‧發光元件
102‧‧‧基板
104‧‧‧反射電極
104B‧‧‧反射電極
104G‧‧‧反射電極
104R‧‧‧反射電極
104Y‧‧‧反射電極
104W‧‧‧反射電極
106B‧‧‧透明導電膜
106G‧‧‧透明導電膜
106R‧‧‧透明導電膜
106Y‧‧‧透明導電膜
106W‧‧‧透明導電膜
108‧‧‧發光層
110‧‧‧電荷產生層
112‧‧‧發光層
112a‧‧‧發光層
112b‧‧‧發光層
114‧‧‧半透射．半反射電極
120‧‧‧分隔壁
120B‧‧‧發光元件
120G‧‧‧發光元件
120R‧‧‧發光元件
120Y‧‧‧發光元件
131‧‧‧電洞注入層
132‧‧‧電洞傳輸層
133‧‧‧電子傳輸層
134‧‧‧電子注入層
135‧‧‧電洞注入層
136‧‧‧電洞傳輸層
137‧‧‧電子傳輸層
138‧‧‧電子注入層
152‧‧‧基板
154‧‧‧遮光層
156B‧‧‧光學元件
156G‧‧‧光學元件
156R‧‧‧光學元件
156Y‧‧‧光學元件
160‧‧‧發光裝置
160A‧‧‧發光裝置
160B‧‧‧發光裝置
160C‧‧‧發光裝置
160D‧‧‧發光裝置
501‧‧‧基板
502‧‧‧像素部
503‧‧‧信號線驅動電路部
504a‧‧‧掃描線驅動電路部
504b‧‧‧掃描線驅動電路部
505‧‧‧密封材料
506‧‧‧基板
507‧‧‧填充材料
509‧‧‧電晶體
510‧‧‧電晶體
511‧‧‧電晶體
512‧‧‧電晶體
513B‧‧‧反射電極
513G‧‧‧反射電極
513R‧‧‧反射電極
517‧‧‧連接端子電極
518‧‧‧FPC
519‧‧‧異方性導電膜
520‧‧‧分隔壁
521‧‧‧遮光層
522B‧‧‧光學元件
522G‧‧‧光學元件
522R‧‧‧光學元件
524B‧‧‧發光元件
524G‧‧‧發光元件
524R‧‧‧發光元件
525‧‧‧端子電極
601‧‧‧像素電路
602‧‧‧像素部
604‧‧‧驅動電路部
604a‧‧‧掃描線驅動電路部
604b‧‧‧信號線驅動電路部
606‧‧‧保護電路
607‧‧‧端子部
652‧‧‧電晶體
654‧‧‧電晶體
662‧‧‧電容元件
672‧‧‧發光元件
4002‧‧‧基板
4004‧‧‧反射電極
4006‧‧‧透明導電膜
4008‧‧‧發光層
4010‧‧‧電荷產生層
4012‧‧‧發光層
4012a‧‧‧發光層
4012b‧‧‧發光層
4014a‧‧‧半透射．半反射電極
4014b‧‧‧半透射．半反射電極
4131‧‧‧電洞注入層
4132‧‧‧電洞傳輸層
4133‧‧‧電子傳輸層
4133a‧‧‧電子傳輸層
4133b‧‧‧電子傳輸層
4134‧‧‧電子注入層
4135‧‧‧電洞注入層
4136‧‧‧電洞傳輸層
4137a‧‧‧電子傳輸層
4137b‧‧‧電子傳輸層
4138‧‧‧電子注入層
4152‧‧‧相對基板
4156‧‧‧彩色層
8000‧‧‧顯示模組
8001‧‧‧上蓋
8002‧‧‧下蓋
8003‧‧‧FPC
8004‧‧‧觸控面板
8005‧‧‧FPC
8006‧‧‧顯示面板
8009‧‧‧框架
8010‧‧‧印刷電路板
8011‧‧‧電池
8501‧‧‧照明設備
8502‧‧‧照明設備
8503‧‧‧照明設備
8504‧‧‧照明設備
9000‧‧‧外殼
9001‧‧‧顯示部
9003‧‧‧揚聲器
9005‧‧‧操作鍵
9006‧‧‧連接端子
9007‧‧‧感測器
9008‧‧‧麥克風
9050‧‧‧操作按鈕
9051‧‧‧資訊
9052‧‧‧資訊
9053‧‧‧資訊
9054‧‧‧資訊
9055‧‧‧鉸鏈
9100‧‧‧可攜式資訊終端
9101‧‧‧可攜式資訊終端
9102‧‧‧可攜式資訊終端
9200‧‧‧可攜式資訊終端
9201‧‧‧可攜式資訊終端
在圖式中：圖1A和圖1B是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；圖2A和圖2B是說明本發明的一個方式的發光裝置 的剖面圖；圖3是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；圖4A和圖4B是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；圖5是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；圖6是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；圖7是說明本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；圖8A至圖8D是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖9A和圖9B是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖10A和圖10B是說明本發明的一個方式的顯示裝置的俯視圖及剖面圖；圖11A和圖11B是說明本發明的一個方式的顯示裝置的方塊圖及電路圖；圖12是說明顯示模組的透視圖；圖13A至圖13G是說明電子裝置的圖；圖14是說明照明設備的圖；圖15是說明實施例的元件結構的圖；圖16A和圖16B是說明在實施例1中製造的各發光元件的電流效率-亮度特性及電流-電壓特性的圖；圖17是說明在實施例1中製造的各發光元件的亮度-電壓特性的圖；圖18是說明在實施例1中製造的各發光元件的發射 光譜的圖；圖19A和圖19B是說明在實施例2中製造的各發光元件的電流效率-亮度特性及電流-電壓特性的圖；圖20是說明在實施例2中製造的各發光元件的亮度-電壓特性的圖；圖21是說明在實施例2中製造的各發光元件的發射光譜的圖。
以下，參照圖式詳細地說明本發明的實施方式。注意，本發明不限於下文的描述並且可以用多種方式修改本發明的模式和細節而不偏離本發明的目的和範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。
另外，為了便於理解，有時在圖式等中示出的各結構的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
在本說明書等中，為了方便起見，附加了第一、第二等序數詞，而其並不表示製程順序或疊層順序。因此，例如可以將“第一”適當地替換為“第二”或“第三”等來進行說明。此外，本說明書等中所記載的序數詞與用於指定本發明的一個方式的序數詞有時不一致。
注意，在本說明書等中，當利用圖式說明發 明結構時，在不同的圖式中共同使用表示相同部分的元件符號。
注意，在本說明書等中，藍色光在420nm以上且480nm以下的波長區域具有至少一個的發射光譜的峰值，綠色光在500nm以上且小於550nm的波長區域具有至少一個的發射光譜的峰值，黃色光在550nm以上且580nm以下的波長區域具有至少一個的發射光譜的峰值，紅色光在600nm以上且740nm以下的波長區域具有至少一個的發射光譜的峰值。
注意，在本說明書等中，透明導電膜是指能夠使可見光透過且具有導電性的膜。例如，作為透明導電膜舉出以ITO(Indium Tin Oxide)為代表的氧化物導電體膜、氧化物半導體膜或包含有機物的有機導電體膜。作為包含有機物的有機導電體膜，例如可以舉出包含混合有機化合物與電子予體(施體)而成的複合材料的膜、包含混合有機化合物與電子受體(受體)而成的複合材料的膜等。另外，透明導電膜的電阻率較佳為1×105Ω．cm以下，更佳為1×104Ω．cm以下。
注意，在本說明書等中，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”調換為“導電膜”。另外，有時可以將“絕緣膜”調換為“絕緣層”。
實施方式1
在本實施方式中，下面參照圖1A至圖9B說明本發明的一個方式的發光裝置以及該發光裝置的製造方法。
<發光裝置的結構實例1>
圖1A是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的剖面圖。圖1A所示的發光裝置100包括能夠發射藍色光的第一發光元件101B、能夠發射綠色光的第二發光元件101G以及能夠發射紅色光的第三發光元件101R。
第一發光元件101B包括第一反射電極104B、第一反射電極104B上的第一透明導電膜106B、第一透明導電膜106B上的第一發光層108、第一發光層108上的電荷產生層110、電荷產生層110上的第二發光層112以及第二發光層112上的半透射．半反射電極114。第二發光元件101G包括第二反射電極104G、第二反射電極104G上的第二透明導電膜106G、第二透明導電膜106G上的第一發光層108、第一發光層108上的電荷產生層110、電荷產生層110上的第二發光層112以及第二發光層112上的半透射．半反射電極114。第三發光元件101R包括第三反射電極104R、第三反射電極104R上的第三透明導電膜106R、第三透明導電膜106R上的第一發光層108、第一發光層108上的電荷產生層110、電荷產生層110上的第二發光層112以及第二發光層112上的半透射．半反射電極114。注意，有時將半透射．半反射電極114簡稱為電極。
第一反射電極104B、第二反射電極104G以及第三反射電極104R都包含銀。藉由使用包含銀的材料形成第一反射電極104B、第二反射電極104G以及第三反射電極104R，可以提高反射率及各發光元件的發光效率。例如，藉由形成包含銀的導電膜並將該導電膜分成為島狀，可以形成第一反射電極104B、第二反射電極104G以及第三反射電極104R。如此，藉由對一個導電膜進行加工形成第一反射電極104B、第二反射電極104G以及第三反射電極104R，製造成本得到降低，所以是較佳的。
另外，在圖1A中，第二發光層112包括第二發光層112a及第二發光層112b。第二發光層112可以採用單層結構、圖1A所示的兩層的疊層結構或三層以上的疊層結構。
第一發光層108包含發射藍紫色、藍色和藍綠色中至少一個的光的第一發光物質，第二發光層112包含發射綠色、黃綠色、黃色、橙色和紅色中至少一個的光的第二發光物質。當第二發光層112採用疊層結構時，第二發光層112中的各層既可以包含呈現彼此不同的光的發光物質，又可以包含呈現相同的發光的發光物質。例如，可以將發射綠色光的發光物質用於第二發光層112a，可以將發射紅色光的發光物質用於第二發光層112b。或者，可以將發射黃色光的發光物質用於第二發光層112a、第二發光層112b。
如此，在發光裝置100中，藉由以增強所希 望的發光波長的方式選擇第一發光層108所包含的第一發光物質及第二發光層112所包含的第二發光物質，可以獲得與單色光接近的發光。另外，在發光裝置100中，藉由組合來自第一發光層108所包含的第一發光物質的光與來自第二發光層112所包含的第二發光物質的光，也可以獲得白色發光。
另外，在圖1A中，使用虛線箭頭示意地示出從各發光元件發射的藍色光(B)、綠色光(G)以及紅色光(R)。後面說明的發光裝置也是與此同樣。如此，圖1A所示的發光裝置100採用頂部發射(top-emission)結構，即，將各發光元件所發射的光提取到與形成有發光元件的基板102相反的一側的結構。但是，本發明的一個方式不侷限於上述結構，既可以採用圖2A所示的底部發射(bottom-emission)結構，又可以採用圖2B所示的雙面發射(dual-emission)結構，該底部發射結構是將各發光元件所發射的光提取到形成有發光元件的基板102一側的結構，該雙面發射結構是各發光元件所發射的光提取到形成有發光元件的基板102的上面及下面。
雖然圖1A例示出各發光元件包括彼此分開的第一發光層108、電荷產生層110、第二發光層112、半透射．半反射電極114的狀態，但是各發光元件也可以共同使用各構成要素。由此，在第二發光元件101G及第三發光元件101R中使用與第一發光元件101B相同的陰影線示出第一發光層108、電荷產生層110、第二發光層 112、半透射．半反射電極114，而不特別附加元件符號。
另外，第一發光元件101B、第二發光元件101G以及第三發光元件101R都具有微腔結構。下面對各發光元件所具有的微腔結構進行說明。
從第一發光層108及第二發光層112發射的光在一對電極(第一反射電極104B與半透射．半反射電極114、第二反射電極104G與半透射．半反射電極114以及第三反射電極104R與半透射．半反射電極114)之間被諧振。在發光裝置100中，藉由調整各發光元件中的第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G及第三透明導電膜106R的厚度，可以增強從第一發光層108及第二發光層112發射的光的所希望的波長。
明確地說，以第一反射電極104B與半透射．半反射電極114之間的光學距離為mxλB/2(mx表示自然數，λB表示藍色波長(420nm以上且480nm以下))的方式調整第一透明導電膜106B的厚度。另外，以第二反射電極104G與半透射．半反射電極114之間的光學距離為myλG/2(my表示自然數，λG表示綠色波長(500nm以上且小於550nm))的方式調整第二透明導電膜106G的厚度。另外，以第三反射電極104R與半透射．半反射電極114之間的光學距離為mzλR/2(mz表示自然數，λR表示紅色波長(600nm以上且740nm以下))的方式調整第三透明導電膜106R的厚度。
並且，藉由調整第一透明導電膜106B的厚 度，將第一反射電極104B與第一發光層108之間的光學距離設定為3/4λB以上，較佳為3/4λB以上且5/4λB以下。例如，當第一反射電極104B與第一發光層108之間的光學距離為1/4λB左右時，在第一反射電極104B的表面附近產生光的散射或光的吸收，由此光提取效率會降低。然而，在發光裝置100中，藉由將第一反射電極104B與第一發光層108之間的光學距離設定為3/4λB以上，較佳為3/4λB以上且5/4λB以下，可以抑制在第一反射電極104B的表面附近產生光的散射或光的吸收，從而可以實現高光提取效率。由此，在第一發光元件101B中，可以從第一發光層108所包含的第一發光物質高效率地提取藍色光。
另外，藉由調整第二透明導電膜106G的厚度，可以將第二反射電極104G與第一發光層108之間的光學距離設定為小於3/4λG，較佳為1/4λG以上且小於3/4λG。此外，藉由調整第二透明導電膜106G的厚度，可以將第二反射電極104G與第二發光層112之間的光學距離設定為3/4λG左右。藉由調整第三透明導電膜106R的厚度，可以將第三反射電極104R與第一發光層108之間的光學距離設定為小於3/4λR，較佳為1/4λR以上且小於3/4λR。此外，藉由調整第三透明導電膜106R的厚度，可以將第三反射電極104R與第二發光層112之間的光學距離設定為3/4λR左右。藉由將光學距離設定為上述，可以從第二發光元件101G中的第二發光層112所包含的第二 發光物質高效率地提取綠色光。另外，可以從第三發光元件101R中的第二發光層112所包含的第二發光物質高效率地提取紅色光。
如此，第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G及第三透明導電膜106R都具有調整各發光元件的光學距離的功能。藉由調整各發光元件的光學距離，以第一透明導電膜106B的厚度比第三透明導電膜106R厚的方式形成第一透明導電膜106B。另外，以第三透明導電膜106R的厚度比第二透明導電膜106G厚的方式形成第三透明導電膜106R。換句話說，第一透明導電膜106B包括第一區域，第二透明導電膜106G包括第二區域，第三透明導電膜106R包括第三區域，第一區域的厚度比第三區域厚，第三區域的厚度比第二區域厚。
注意，嚴格而言，第一反射電極104B與半透射．半反射電極114之間的光學距離以從第一反射電極104B中的反射區域到半透射．半反射電極114中的反射區域的厚度與折射率的乘積表示。但是，難以嚴格地決定第一反射電極104B及半透射．半反射電極114中的反射區域，所以假定第一反射電極104B和半透射．半反射電極114中的任意的位置為反射區域，就可以充分地獲得上述效果。第二反射電極104G與半透射．半反射電極114之間的光學距離及第三反射電極104R與半透射．半反射電極114之間的光學距離也是與上述同樣的。
另外，嚴格而言，第一反射電極104B和射出 所希望的光的發光層之間的光學距離是第一反射電極104B中的反射區域和射出所希望的光的發光層中的發光區域之間的光學距離。但是，因為難以嚴格地決定第一反射電極104B中的反射區域及射出所希望的光的發光層中的發光區域的位置，所以假定第一反射電極104B中的任意的位置為反射區域且射出所希望的光的發光層的任意的位置為發光區域，就可以充分得到上述效果。第二反射電極104G與射出所希望的光的發光層之間的光學距離及第三反射電極104R與射出所希望的光的發光層之間的光學距離也是與上述同樣的。
如上所述，在圖1A所示的發光裝置100中，藉由調整各發光元件的反射電極(第一反射電極104B、第二反射電極104G或第三反射電極104R)與半透射．半反射電極114之間的光學距離，可以抑制在反射電極表面附近會產生光的散射或光的吸收，從而可以實現高的光提取效率。因此，可以提供一種發光效率高且功耗得到降低的新穎發光裝置。
<發光裝置的結構實例2>
接著，下面參照圖1B說明與圖1A所示的發光裝置100不同的結構實例。
圖1B是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的剖面圖。在圖1B中使用與圖1A相同的陰影線示出具有與圖1A相同的功能的部分，而不特別附加元 件符號。此外，具有與圖1A所示的功能同樣的功能的部分由相同的元件符號表示，有時省略其詳細說明。
圖1B所示的發光裝置100A包括能夠發射藍色光的第一發光元件101B、能夠發射綠色光的第二發光元件101G以及能夠發射紅色光的第三發光元件101R。
第一發光元件101B包括第一反射電極104B、第一反射電極104B上的第一透明導電膜106B、第一透明導電膜106B上的第一電洞注入層131、第一電洞注入層131上的第一電洞傳輸層132、第一電洞傳輸層132上的第一發光層108、第一發光層108上的第一電子傳輸層133、第一電子傳輸層133上的第一電子注入層134、第一電子注入層134上的電荷產生層110、電荷產生層110上的第二電洞注入層135、第二電洞注入層135上的第二電洞傳輸層136、第二電洞傳輸層136上的第二發光層112、第二發光層112上的第二電子傳輸層137、第二電子傳輸層137上的第二電子注入層138以及第二電子注入層138上的半透射．半反射電極114。
第二發光元件101G包括第二反射電極104G、第二反射電極104G上的第二透明導電膜106G、第二透明導電膜106G上的第一電洞注入層131、第一電洞注入層131上的第一電洞傳輸層132、第一電洞傳輸層132上的第一發光層108、第一發光層108上的第一電子傳輸層133、第一電子傳輸層133上的第一電子注入層134、第一電子注入層134上的電荷產生層110、電荷產 生層110上的第二電洞注入層135、第二電洞注入層135上的第二電洞傳輸層136、第二電洞傳輸層136上的第二發光層112、第二發光層112上的第二電子傳輸層137、第二電子傳輸層137上的第二電子注入層138以及第二電子注入層138上的半透射．半反射電極114。
第三發光元件101R包括第三反射電極104R、第三反射電極104R上的第三透明導電膜106R、第三透明導電膜106R上的第一電洞注入層131、第一電洞注入層131上的第一電洞傳輸層132、第一電洞傳輸層132上的第一發光層108、第一發光層108上的第一電子傳輸層133、第一電子傳輸層133上的第一電子注入層134、第一電子注入層134上的電荷產生層110、電荷產生層110上的第二電洞注入層135、第二電洞注入層135上的第二電洞傳輸層136、第二電洞傳輸層136上的第二發光層112、第二發光層112上的第二電子傳輸層137、第二電子傳輸層137上的第二電子注入層138以及第二電子注入層138上的半透射．半反射電極114。
如此，在發光裝置100A中，除了發光裝置100的構成要素以外，還包括透明導電膜(第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G及第三透明導電膜106R)與第一發光層108之間的第一電洞注入層131及第一電洞傳輸層132、第一發光層108與電荷產生層110之間的第一電子傳輸層133及第一電子注入層134、電荷產生層110與第二發光層112之間的第二電洞注入層135及第二電洞 傳輸層136、以及第二發光層112與半透射．半反射電極114之間的第二電子傳輸層137及第二電子注入層138。
另外，在發光裝置100A中，根據第一透明導電膜106B、第一電洞注入層131和第一電洞傳輸層132中的至少一個的厚度調整第一反射電極104B與第一發光層108之間的光學距離。在發光裝置100A中，根據第二透明導電膜106G、第一電洞注入層131和第一電洞傳輸層132中的至少一個的厚度調整第二反射電極104G與第一發光層108之間的光學距離。在發光裝置100A中，根據第三透明導電膜106R、第一電洞注入層131和第一電洞傳輸層132中的至少一個的厚度調整第三反射電極104R與第一發光層108之間的光學距離。
如此，藉由改變第一反射電極104B與第一發光層108之間的多個層的厚度，也可以調整第一反射電極104B與第一發光層108之間的光學距離。第二反射電極104G與第一發光層108之間的光學距離及第三反射電極104R與第一發光層108之間的光學距離也是與上述同樣的。
如上所述，在發光裝置100A中，除了發光裝置100的構成要素以外，對各發光元件還設置有第一電洞注入層131、第一電洞傳輸層132、第一電子傳輸層133、第一電子注入層134、第二電洞注入層135、第二電洞傳輸層136、第二電子傳輸層137以及第二電子注入層138。其他構成要素與圖1A所示的發光裝置100相同，發 光裝置100A發揮相同的效果。
<發光裝置的結構實例3>
接著，下面參照圖3說明與圖1B所示的發光裝置100A不同的結構實例。
圖3所示的發光裝置100B除了圖1B所示的發光裝置100A所包括的第一發光元件101B、第二發光元件101G以及第三發光元件101R以外，還包括分隔壁120。另外，發光裝置100B包括與基板102對置的基板152。此外，在基板152上設置有遮光層154、第一光學元件156B、第二光學元件156G以及第三光學元件156R。
分隔壁120具有絕緣性。另外，分隔壁120覆蓋發光元件的下部電極(第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R、第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G以及第三透明導電膜106R)的端部並包括與該下部電極重疊的開口部。
藉由設置分隔壁120，可以將各發光元件的下部電極分成為島狀的電極。
遮光層154具有阻擋來自鄰近的發光元件的光的功能。另外，也可以不設置遮光層154。
第一光學元件156B、第二光學元件156G以及第三光學元件156R具有選擇性地使入射光中的呈現特定顏色的光透過的功能。藉由設置第一光學元件156B、 第二光學元件156G以及第三光學元件156R，可以提高各發光元件的色純度。
如上所述，在發光裝置100B中，除了發光裝置100A的構成要素以外，還包括覆蓋各發光元件的下部電極的端部的分隔壁120、與各發光元件對置的第一光學元件156B、第二光學元件156G以及第三光學元件156R。藉由設置第一光學元件156B、第二光學元件156G以及第三光學元件156R，可以提高發光裝置100B的色純度。其他構成要素與圖1B所示的發光裝置100A相同，發光裝置100B發揮相同的效果。
在此，下面詳細地說明圖1A所示的發光裝置100、圖1B所示的發光裝置100A以及圖3所示的發光裝置100B的其他構成要素。
<基板>
基板102被用作發光元件的支撐物。另外，基板152被用作光學元件的支撐物。作為基板102、152，例如可以使用玻璃、石英或塑膠等。或者，可以使用撓性基板。撓性基板是可以彎曲的基板，例如由聚碳酸酯、聚芳酯或者聚醚碸製成的塑膠基板等。另外，可以使用由聚丙烯、聚酯、聚氟乙烯、聚氯乙烯等構成的薄膜、藉由蒸鍍形成的無機薄膜等。注意，可以使用其它材料，只要其在發光元件及光學元件的製造過程中起支撐物的作用。
<反射電極>
第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R都具有各發光元件的下部電極或陽極的功能。另外，使用包含銀的具有反射性的導電性材料形成第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R。作為該導電性材料，可以舉出銀(Ag)或者包含銀(Ag)及M(M表示Y、Nd、Mg、Al、Ti、Ga、Zn、In、Mn、W、Sn、Fe、Ni、Cu、Pd、Ir或Au)的合金等。作為包含銀的合金，例如可以舉出包含銀、鈀及銅的合金、包含銀及銅的合金、包含銀及鎂的合金、包含銀及鎳的合金以及包含銀及金的合金等。
作為可用於第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R的導電性材料，可以舉出可見光的反射率為40%以上且100%以下、較佳為70%以上且100%以下，且導電率為1×10-2Ω．cm以下的材料。另外，第一反射電極104B、第二反射電極104G及第三反射電極104R藉由利用濺射法、蒸鍍法、印刷法或塗佈法等可以形成。
<透明導電膜>
第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G以及第三透明導電膜106R都具有各發光元件的下部電極或陽極的功能。另外，第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G以及第三透明導電膜106R都具有以使來自各發光層 的所希望的光諧振而增強其波長的方式調整光學距離的功能。
作為第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G以及第三透明導電膜106R，例如可以使用ITO、含有矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫(Indium Tin Oxide Doped SiO2，以下稱為ITSO)、氧化銦-氧化鋅(Indium Zinc Oxide)、含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等。尤其是，作為第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G以及第三透明導電膜106R，較佳為使用功函數大(4.0eV以上)的材料。另外，第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G以及第三透明導電膜106R藉由利用濺射法、蒸鍍法、印刷法或塗佈法等可以形成。
<半透射．半反射電極>
半透射．半反射電極114具有各發光元件的上部電極或陰極的功能。使用一種具有反射性及透光性的導電性材料形成半透射．半反射電極114。或者，使用具有反射性的導電性材料及具有透光性的導電性材料形成半透射．半反射電極114。作為該導電性材料，可以舉出可見光的反射率為20%以上且80%以下，較佳為40%以上且70%以下，且電阻率為1×10-2Ω．cm以下的導電性材料。半透射．半反射電極114可以使用一種或多種具有導電性的金屬、導電性合金和導電性化合物形成。尤其是，較佳為使用功函數小(3.8eV以下)的材料。例如，可以使用屬於元素週 期表中第1族或第2族的元素(例如，鋰或銫等鹼金屬、鈣或鍶等鹼土金屬、鎂等)、包含上述元素的合金(例如，Ag-Mg或Al-Li)、銪或鐿等稀土金屬、包含上述稀土金屬的合金、鋁、銀等。另外，半透射．半反射電極114藉由利用濺射法、蒸鍍法、印刷法或塗佈法等可以形成。
<發光層>
第一發光層108包含發射藍紫色、藍色和藍綠色中至少一個的光的第一發光物質，第二發光層112包含發射綠色、黃綠色、黃色、橙色和紅色中至少一個的光的第二發光物質。另外，第一發光層108除了第一發光物質以外還包含電子傳輸性材料和電洞傳輸性材料中的一個或兩個。另外，第二發光層112除了第二發光物質以外還包含電子傳輸性材料和電洞傳輸性材料中的一個或兩個。
此外，作為第一發光物質及第二發光物質，可以使用能夠將單重激發態能轉換為發光的發光物質及能夠將三重激發態能轉換為發光的發光物質。作為該上述發光物質，可以舉出如下材料。
作為將單重激發態能轉換成發光的發光物質，可以舉出發射螢光的物質，例如可以使用發射藍色光(發光波長為420nm以上且480nm以下)的物質，即N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基芪-4,4’-二胺(簡稱：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9,10-二苯基-2- 蒽基)三苯胺(簡稱：2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBAPA)、4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBAPBA)、苝、2,5,8,11-四(三級丁基)苝(簡稱：TBP)、N,N’-雙[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(簡稱：1,6FLPAPrn)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-芘-1,6-二胺(簡稱：1,6mMemFLPAPrn)等，或者可以使用呈現黃色光(發光波長為550nm以上且580nm以下)的物質，即紅螢烯、5,12-雙(1,1’-聯苯-4-基)-6,11-二苯基稠四苯(簡稱：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲基胺基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCM2)等。
作為將三重激發態能轉換成發光的發光物質，例如可以舉出發射磷光的物質。作為該發射磷光的物質，例如可以使用在440nm以上且520nm以下處具有發光峰值的物質、在520nm以上且600nm以下處具有發光峰值的物質以及在600nm以上且700nm以下處具有發光峰值的物質。
例如在440nm以上且520nm以下處具有發光峰值的物質，可以舉出：三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2,6-二甲基苯基)-4H-1,2,4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}銥(III)(簡 稱：Ir(mpptz-dmp)3)、三(5-甲基-3,4-二苯基-4H-1,2,4-三唑(triazolato))銥(III)(簡稱：Ir(Mptz)3)、三[4-(3-聯苯)-5-異丙基-3-苯基-4H-1,2,4-三唑(triazolato)]銥(III)(簡稱：Ir(iPrptz-3b)3)等具有4H-三唑骨架的有機金屬銥錯合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1,2,4-三唑(triazolato)]銥(III)(簡稱：Ir(Mptz1-mp)3)、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1,2,4-三唑)銥(III)(簡稱：Ir(Prptz1-Me)3)等具有1H-三唑骨架的有機金屬銥錯合物；fac-三[1-(2,6-二異丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]銥(III)(簡稱：Ir(iPrpmi)3)、三[3-(2,6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根(phenanthridinato)]銥(III)(簡稱：Ir(dmpimpt-Me)3)等具有咪唑骨架的有機金屬銥錯合物；以及雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶根-N,C2’]銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱：FIr6)、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶根-N,C2’]銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱：FIrpic)、雙{2-[3’,5’-雙(三氟甲基)苯基]吡啶根-N,C2’}銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱：Ir(CF3ppy)2(pic))、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶根-N,C2’]銥(III)乙醯丙酮(簡稱：FIr(acac))等以具有拉電子基團的苯基吡啶衍生物為配體的有機金屬銥錯合物。在上述金屬錯合物中，由於具有4H-三唑骨架的有機金屬銥錯合物具有優異的可靠性及發光效率，所以是特別佳的。
作為在520nm以上且600nm以下處具有發光峰值的物質，例如可以舉出三(4-甲基-6-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(mppm)3)、三(4-三級丁基-6-苯基嘧啶)銥 (III)(簡稱：Ir(tBuppm)3)、(乙醯丙酮根)雙(6-甲基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(mppm)2(acac))、(乙醯丙酮根)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(tBuppm)2(acac))、(乙醯丙酮根)雙[4-(2-降莰基)-6-苯基嘧啶]銥(III)(簡稱：Ir(nbppm)2(acac))、(乙醯丙酮根)雙[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]銥(III)(簡稱：Ir(mpmppm)2(acac))、(乙醯丙酮根)雙(4,6-二苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(dppm)2(acac))等具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物、(乙醯丙酮根)雙(5-二甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：Ir(mppr-Me)2(acac))、(乙醯丙酮根)雙(3,5-異丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：Ir(mppr-iPr)2(acac))等具有吡嗪骨架的有機金屬銥錯合物、三(2-苯基吡啶-N,C2’)銥(III)(簡稱：Ir(ppy)3)、(乙醯丙酮根)雙(2-苯基吡啶-N,C2’)銥(III)(簡稱：Ir(ppy)2(acac))、(乙醯丙酮根)雙(苯并[h]喹啉)銥(III)(簡稱：Ir(bzq)2(acac))、三(苯并[h]喹啉)銥(III)(簡稱：Ir(bzq)3)、三(2-苯基喹啉-N,C2' )銥(III)(簡稱：Ir(pq)3)、(乙醯丙酮根)雙(2-苯基喹啉-N,C2' )銥(III)(簡稱：Ir(pq)3(acac))等具有吡啶骨架的有機金屬銥錯合物、三(乙醯丙酮根)(單啡啉)鋱(III)(簡稱：Tb(acac)3(Phen))等稀土金屬錯合物。在上述金屬錯合物中，由於具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物具有優異的可靠性及發光效率，所以是特別佳的。
另外，在520nm以上且600nm以下處具有發光峰值的物質中，特別佳為使用在550nm以上且580nm以下處具有發光峰值的物質。藉由使用在550nm以上且 580nm以下處具有發光峰值的物質，可以提高發光元件的電流效率。
作為在550nm以上且580nm以下處具有發光峰值的物質，可以舉出雙{4,6-二甲基-2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κ2O,O’)銥(III)(簡稱：Ir(dmppm-dmp)2(acac))等。
另外，例如作為在600nm以上且700nm以下處具有發光峰值的物質，可以舉出：(二異丁醯甲烷根)雙[4,6-雙(3-甲基苯基)嘧啶根]銥(III)(簡稱：Ir(5mdppm)2(dibm))、雙[4,6-雙(3-甲基苯基)嘧啶根](二新戊醯基甲烷根)銥(III)(簡稱：Ir(5mdppm)2(dpm))、雙[4,6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊醯基甲烷根)銥(III)(簡稱：Ir(d1npm)2(dpm))等的具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物；(乙醯丙酮根)雙(2,3,5-三苯基吡嗪根)銥(III)(簡稱：Ir(tppr)2(acac))、雙(2,3,5-三苯基吡嗪根)(二新戊醯基甲烷根)銥(III)(簡稱：Ir(tppr)2(dpm))、(乙醯丙酮根)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹
Figure 108130849-A0101-12-0029-46
啉]合銥(III)(簡稱：Ir(Fdpq)2(acac))等的具有吡嗪骨架的有機金屬銥錯合物；三(1-苯基異喹啉-N,C2’)銥(III)(簡稱：Ir(piq)3)、雙(1-苯基異喹啉-N,C2’)乙醯丙酮銥(III)(簡稱：Ir(piq)2(acac))等的具有吡啶骨架的有機金屬銥錯合物；2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉鉑(II)(簡稱：PtOEP)等的鉑錯合物；以及三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮(propanedionato))(單啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙 酮](單啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(TTA)3(Phen))等的稀土金屬錯合物。在上述金屬錯合物中，由於具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物具有優異的可靠性及發光效率，所以是特別佳的。另外，具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物可以提供色度良好的紅色發光。
另外，作為用於第一發光層108及第二發光層112的電子傳輸性材料，較佳為使用缺π電子型雜芳族化合物諸如含氮雜芳族化合物，例如可以舉出喹
Figure 108130849-A0101-12-0030-49
啉衍生物或二苯并喹
Figure 108130849-A0101-12-0030-47
啉衍生物諸如2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹
Figure 108130849-A0101-12-0030-48
啉(簡稱：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹
Figure 108130849-A0101-12-0030-50
啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、2-[4-(3,6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f,h]喹
Figure 108130849-A0101-12-0030-51
啉(簡稱：2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹
Figure 108130849-A0101-12-0030-53
啉(簡稱：7mDBTPDBq-II)和6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹
Figure 108130849-A0101-12-0030-54
啉(簡稱：6mDBTPDBq-II)等。
另外，作為用於第一發光層108及第二發光層112的電洞傳輸性材料，較佳為有富π電子型雜芳族化合物(例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物)或芳香胺化合物，例如可以舉出：4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)、4,4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBNBB)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)、4,4’,4”-三[N-(1-萘基)-N-苯胺基]三苯胺(簡稱：1’-TNATA)、2,7- 雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]-螺-9,9’-二茀(簡稱：DPA2SF)、N,N’-雙(9-苯基咔唑-3-基)-N,N’-二苯基苯-1,3-二胺(簡稱：PCA2B)、N-(9,9-二甲基-2-二苯胺基-9H-茀-7-基)二苯基胺(簡稱：DPNF)、N,N’,N”-三苯基-N,N’,N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1,3,5-三胺(簡稱：PCA3B)、2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺基]螺-9,9’-二茀(簡稱：PCASF)、2-[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]螺-9,9’-二茀(簡稱：DPASF)、N,N’-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-9,9-二甲基茀-2,7-二胺(簡稱：YGA2F)、4,4’-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺基]聯苯(簡稱：TPD)、4,4’-雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]聯苯(簡稱：DPAB)、N-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-N-{9,9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基]-9H-茀-7-基}苯基胺(簡稱：DFLADFL)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3-[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA1)、3,6-雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA2)、4,4’-雙(N-{4-[N’-(3-甲基苯基)-N’-苯胺基]苯基}-N-苯胺基)聯苯(簡稱：DNTPD)、3,6-雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-(1-萘基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzTPN2)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)等。
<電洞注入層及電洞傳輸層>
第一電洞注入層131為藉由電洞傳輸性高的第一電洞 傳輸層132對第一發光層108注入電洞的層，且為包含電洞傳輸性材料及受體材料的層。藉由包含電洞傳輸性材料及受體材料，由於受體材料而從電洞傳輸性材料抽出電子來發生電洞，電洞藉由第一電洞傳輸層132注入到第一發光層108。另外，第一電洞注入層131也可以採用層疊電洞傳輸性材料與受體材料的結構。此外，第一電洞傳輸層132使用電洞傳輸性材料形成。第二電洞注入層135為藉由電洞傳輸性高的第二電洞傳輸層136對第二發光層112注入電洞的層，且為包含電洞傳輸性材料及受體材料的層。藉由包含電洞傳輸性材料及受體材料，由於受體材料而從電洞傳輸性材料抽出電子來發生電洞，電洞藉由第二電洞傳輸層136注入到第二發光層112。另外，第二電洞注入層135也可以採用層疊電洞傳輸性材料與受體材料的結構。此外，第二電洞傳輸層136使用電洞傳輸性材料形成。
作為用於第一電洞注入層131、第一電洞傳輸層132、第二電洞注入層135以及第二電洞傳輸層136的電洞傳輸性材料，例如可以舉出4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：TCTA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯胺)三苯胺(簡稱：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺]三苯胺(簡稱：MTDATA)、4,4’-雙[N-(螺-9,9’-二茀-2-基)-N-苯胺]聯苯(簡稱：BSPB)等芳香胺化合物；3- [N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。除上述以外，還可以使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)等的咔唑衍生物等。在此所述的物質主要是電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。但是，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就可以使用上述以外的物質。
再者，還可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯胺)苯基]苯基-N’-苯胺}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等高分子化合物。
作為用於第一電洞注入層131及第二電洞注入層135的受體材料，可以舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(簡稱：F4-TCNQ)、氯醌、2,3,6,7,10,11-六氰-1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯(簡稱：HAT-CN)等具有拉電子基團(鹵基或氰基)的化合物。尤其是，拉電子基團鍵合於具有多個雜原子的稠合芳香環的化合物諸如HAT-CN等熱穩定，所以是較佳的。另外，也可以舉出遷移金屬氧化物。此外，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，較佳為使用氧化釩、氧化鈮、 氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，這是因為它們具有高電子接受性。其中，尤其佳為使用氧化鉬，因為氧化鉬在大氣中很穩定，吸濕性低，並且容易進行處理。
另外，可以單獨使用上述受體材料或者使用與其他材料混合了的上述受體材料來形成第一電洞注入層131及第二電洞注入層135。此時，受體材料可以從電洞傳輸層抽出電子，而電洞注入到電洞傳輸層。受體材料將抽出了的電子傳輸到陽極。
<電子傳輸層>
第一電子傳輸層133及第二電子傳輸層137是都包含電子傳輸性高的物質的層。作為第一電子傳輸層133及第二電子傳輸層137，可以使用金屬錯合物諸如Alq3、三(4-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(III)(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉合)鈹(II)(簡稱：BeBq2)、BAlq、雙[2-(2-苯并
Figure 108130849-A0101-12-0034-55
唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱：Zn(BOX)2)或雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(II)(簡稱：Zn(BTZ)2)等。此外，還可以使用雜芳族化合物諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁苯基)-1,3,4-
Figure 108130849-A0101-12-0034-56
二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對三級丁苯基)-1,3,4-
Figure 108130849-A0101-12-0034-57
二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-三級丁苯基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、3-(4-三級丁苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：p-EtTAZ)、紅啡啉(簡稱：Bphen)、浴銅靈(簡稱：BCP)、4,4’-雙(5-甲基苯 并
Figure 108130849-A0101-12-0035-58
唑-2-基)茋(簡稱：BzOs)等。此外，也可以使用高分子化合物諸如聚(2,5-吡啶二基)(簡稱：PPy)、聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-co-(吡啶-3,5-二基)](簡稱：PF-Py)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-(2,2’-聯吡啶-6,6’-二基)](簡稱：PF-BPy)。在此所述的物質主要是電子移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。另外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的物質，就可以將上述物質之外的物質用於第一電子傳輸層133及第二電子傳輸層137。
另外，第一電子傳輸層133及第二電子傳輸層137既可以是單層又可以是層疊有兩層以上的由上述物質構成的疊層。
<電子注入層>
第一電子注入層134及第二電子注入層138是都包含電子傳輸性高的物質的層。作為第一電子注入層134及第二電子注入層138，可以使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)及鋰氧化物(LiOx)等鹼金屬、鹼土金屬或這些金屬的化合物。還可以使用諸如氟化鉺(ErF3)等稀土金屬化合物。另外，對第一電子注入層134及第二電子注入層138也可以使用電子鹽。作為該電子鹽，例如可以舉出對氧化鈣-氧化鋁以高濃度添加電子而成的物質等。
另外，也可以將混合有機化合物與電子予體(施體)而成的複合材料用於第一電子注入層134及第二電 子注入層138。這種複合材料的電子注入性及電子傳輸性高，因為由於電子予體而電子產生在有機化合物中。在此情況下，有機化合物較佳是在傳輸產生的電子方面上優異的材料，明確而言，例如可以使用上述構成第一電子傳輸層133及第二電子傳輸層137的物質(金屬錯合物和雜芳族化合物等)。明確地說，較佳為使用鹼金屬、鹼土金屬和稀土金屬，可以舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，較佳為使用鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物，可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，還可以使用氧化鎂等路易士鹼。或者，也可以使用四硫富瓦烯(簡稱：TTF)等有機化合物。
<電荷產生層>
電荷產生層110具有在對一對電極(下部電極及上部電極)施加電壓時將電子注入一個發光層(第一發光層108或第二發光層112)一側並將電洞注入另一個發光層(第一發光層108或第二發光層112)一側的功能。
例如，在圖1A所示的第一發光元件101B中，在以下部電極(第一反射電極104B及第一透明導電膜106B)的電位比半透射．半反射電極114高的方式對下部電極施加電壓時，電子從電荷產生層110注入到第一發光層108並且電洞注入到第二發光層112。另外，在圖1B所示的第一發光元件101B中，在下部電極(第一反射電極104B及第一透明導電膜106B)的電位比半透射．半反射電 極114高的方式對下部電極施加電壓時，電子從電荷產生層110注入到第一電子注入層134並且電洞注入到第二電洞注入層135。
另外，從光提取效率的觀點來看，電荷產生層110較佳為具有可見光透射性(明確而言，電荷產生層110具有40%以上的可見光透射率)。另外，電荷產生層110即使導電率小於一對電極(下部電極及上部電極)也發揮作用。
電荷產生層110既可以具有對電洞傳輸性材料添加有電子受體(受體)的結構，又可以具有對電子傳輸性材料添加有電子予體(施體)的結構。或者，也可以層疊有這兩種結構。
另外，藉由使用上述材料形成電荷產生層110，可以抑制在層疊發光層時的驅動電壓的增大。
此外，上述發光層、電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、電子注入層以及電荷產生層可以藉由濺射法、蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、印刷法(例如，凸版印刷、凹版印刷、照相凹版印刷、平板印刷及孔版印刷等)、噴墨法及塗佈法等形成。
<遮光層>
遮光層154具有阻擋從相鄰的發光元件發射出的光且防止混色的功能。另外，遮光層154具有抑制外光的反射的功能。遮光層154可以使用金屬、包含黑色顏料的樹 脂、碳黑、金屬氧化物、包含多種金屬氧化物的固溶體的複合氧化物等。
<光學元件>
第一光學元件156B、第二光學元件156G以及第三光學元件156R為選擇性地使入射光中的呈現特定顏色的光透過的元件。例如，可以採用濾色片、帶通濾光片、多層膜濾光片等。可以將顏色轉換元件應用於光學元件。顏色轉換元件是將所入射的光轉換為具有比該光的波長長的波長的光的光學元件。作為顏色轉換元件，較佳為使用利用量子點方式的元件。藉由利用量子點方式，可以提高發光裝置的色彩再現性。
第一光學元件156B使第一發光元件101B所發射的光中的藍色光透過。第二光學元件156G使第二發光元件101G所發射的光中的綠色光透過。第三光學元件156R使第三發光元件101R所發射的光中的紅色光透過。
另外，也可以在第一發光元件101B、第二發光元件101G以及第三發光元件101R上都層疊多個光學元件。作為其他光學元件，例如可以設置圓偏光板或抗反射膜等。藉由將圓偏光板設置在發光裝置中的發光元件所發射的光被提取的一側，可以防止從發光裝置的外部入射的光在發光裝置的內部被反射而射出到外部的現象。另外，藉由設置抗反射膜，可以減弱在發光裝置的表面被反射的外光。由此，可以清晰地觀察發光裝置所發射的光。
<發光裝置的結構實例4>
接著，下面參照圖4A說明與圖1A所示的發光裝置100不同的結構實例。
圖4A是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的剖面圖。圖4A所示的發光裝置160包括能夠發射藍色光的第一發光元件101B、能夠發射綠色光的第二發光元件101G、能夠發射紅色光的第三發光元件101R以及能夠發射黃色光的第四發光元件101Y。
第一發光元件101B、第二發光元件101G及第三發光元件101R的結構與圖1A所示的第一發光元件101B、第二發光元件101G及第三發光元件101R的結構相同。第四發光元件101Y包括第四反射電極104Y、第四反射電極104Y上的第四透明導電膜106Y、第四透明導電膜106Y上的第一發光層108、第一發光層108上的電荷產生層110、電荷產生層110上的第二發光層112以及第二發光層112上的半透射．半反射電極114。
第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R以及第四反射電極104Y都包含銀。藉由使用包含銀的材料形成第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R以及第四反射電極104Y，可以提高反射率，從而可以提高各發光元件的發光效率。例如，藉由形成包含銀的導電膜將該導電膜分成為島狀，可以形成第一反射電極104B、第二反射電極 104G、第三反射電極104R以及第四反射電極104Y，如此，藉由對一個導電膜進行加工形成第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R以及第四反射電極104Y，製造成本得到降低，所以是較佳的。
另外，在圖4A中，第二發光層112包括第二發光層112a及第二發光層112b。第二發光層112可以採用單層結構、圖4A所示的兩層的疊層結構或三層以上的疊層結構。
雖然圖4A例示出各發光元件包括彼此分開的第一發光層108、電荷產生層110、第二發光層112、半透射．半反射電極114的狀態，但是也可以各發光元件共同使用各構成要素。由此，在第二發光元件101G、第三發光元件101R及第四發光元件101Y中使用與第一發光元件101B相同的陰影線示出第一發光層108、電荷產生層110、第二發光層112、半透射．半反射電極114，而不特別附加元件符號。
如此，圖4A所示的發光裝置160除了圖1A所示的發光裝置100的構成要素以外，還包括第四發光元件101Y。
下面說明發光裝置160所包括的第四發光元件101Y的詳細內容。
第四發光元件101Y具有微腔結構。從第一發光層108及第二發光層112發射的光在一對電極(第四反射電極104Y與半透射．半反射電極114之間)被諧振。在 發光裝置160中，藉由調整第四發光元件101Y中的第四透明導電膜106Y的厚度，可以增強從第一發光層108及第二發光層112發射的光的所希望的波長。
明確地說，以第四反射電極104Y與半透射．半反射電極114之間的光學距離為mwλY/2(mw表示自然數，λY表示黃色波長(550nm以上且580nm以下))的方式調整第四透明導電膜106Y的厚度。
另外，藉由調整第四透明導電膜106Y的厚度，可以將第四反射電極104Y與第一發光層108之間的光學距離設定為小於3/4λY，較佳為1/4λY以上且小於3/4λY。此外，藉由調整第四透明導電膜106Y的厚度，可以將第四反射電極104Y與第二發光層112之間的光學距離設定為3/4λY左右。藉由將光學距離設定為上述，在第四發光元件101Y中可以從第二發光層112所包含的第二發光物質高效率地提取黃色光。
如此，第四透明導電膜106Y具有調整第四發光元件101Y的光學距離的功能。藉由調整各發光元件的光學距離，第一透明導電膜106B形成得比第三透明導電膜106R厚。另外，第三透明導電膜106R形成得比第四透明導電膜106Y厚。另外，第四透明導電膜106Y形成得比第二透明導電膜106G厚。換句話說，第一透明導電膜106B包括第一區域，第二透明導電膜106G包括第二區域，第三透明導電膜106R包括第三區域，第四透明導電膜106Y包括第四區域，第一區域的厚度比第三區域 厚，第三區域的厚度比第四區域厚，第四區域比第二區域厚。
如上所述，在發光裝置160中，除了發光裝置100的構成要素以外，還設置第四發光元件101Y。其他構成要素與圖1A所示的發光裝置100相同，發光裝置160發揮相同的效果。
<發光裝置的結構實例5>
接著，下面參照圖4B說明與圖4A所示的發光裝置160不同的結構實例。
圖4B是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的剖面圖。在圖4B中對具有與圖4A所示的符號相同的功能的部分使用同樣的陰影線，而不特別附加元件符號。注意，具有與上圖4A所示的功能同樣的功能的部分由相同的元件符號表示，有時省略其詳細說明。
圖4B所示的發光裝置160A包括能夠發射藍色光的第一發光元件101B、能夠發射綠色光的第二發光元件101G、能夠發射紅色光的第三發光元件101R以及能夠發射黃色光的第四發光元件101Y。
第一發光元件101B、第二發光元件101G及第三發光元件101R的結構與圖1B所示的第一發光元件101B、第二發光元件101G及第三發光元件101R的結構相同。第四發光元件101Y包括第四反射電極104Y、第四反射電極104Y上的第四透明導電膜106Y、第四透明導電 膜106Y上的第一電洞注入層131、第一電洞注入層131上的第一電洞傳輸層132、第一電洞傳輸層132上的第一發光層108、第一發光層108上的第一電子傳輸層133、第一電子傳輸層133上的第一電子注入層134、第一電子注入層134上的電荷產生層110、電荷產生層110上的第二電洞注入層135、第二電洞注入層135上的第二電洞傳輸層136、第二電洞傳輸層136上的第二發光層112、第二發光層112上的第二電子傳輸層137、第二電子傳輸層137上的第二電子注入層138以及第二電子注入層138上的半透射．半反射電極114。
在發光裝置160A中，根據第四透明導電膜106Y、第一電洞注入層131和第一電洞傳輸層132中的至少一個的厚度調整第四反射電極104Y與第一發光層108之間的光學距離。
如此，藉由改變第四反射電極104Y與第一發光層108之間的多個層的厚度，也可以調整第四反射電極104Y與第一發光層108之間的光學距離。
如上所述，在發光裝置160A中，除了發光裝置160的構成要素以外，對各發光元件還設置有第一電洞注入層131、第一電洞傳輸層132、第一電子傳輸層133、第一電子注入層134、第二電洞注入層135、第二電洞傳輸層136、第二電子傳輸層137以及第二電子注入層138。其他構成要素與圖4A所示的發光裝置160相同，發光裝置160發揮相同的效果。
<發光裝置的結構實例6>
接著，下面參照圖5說明與圖4B所示的發光裝置160A不同的結構實例。
圖5所示的發光裝置160B除了圖4B所示的發光裝置160A所包括的第一發光元件101B、第二發光元件101G、第三發光元件101R以及第四發光元件101Y以外，還包括分隔壁120。另外，發光裝置160B包括與基板102對置的基板152。此外，在基板152上設置有遮光層154、第一光學元件156B、第二光學元件156G、第三光學元件156R以及第四光學元件156Y。
分隔壁120、遮光層154、第一光學元件156B、第二光學元件156G及第三光學元件156R可以採用與圖3所示的發光裝置100B相同的結構。第四光學元件156Y具有選擇性地使入射光中的呈現特定顏色的光透過的功能。藉由設置第四光學元件156Y，可以提高第四發光元件101Y的色純度。
如上所述，在發光裝置160B中，除了發光裝置160以外，還包括覆蓋各發光元件的下部電極的端部的分隔壁120、與各發光元件對置的第一光學元件156B、第二光學元件156G、第三光學元件156R以及第四光學元件156Y。其他構成要素與圖4A所示的發光裝置160相同，發光裝置160發揮相同的效果。
<發光裝置的結構實例7>
接著，下面參照圖6說明與圖5所示的發光裝置160B不同的結構實例。
圖6所示的發光裝置160C採用沒有設置圖5所示的發光裝置160B所包括的第四發光元件156Y的結構。其他構成要素與圖5所示的發光裝置160B相同，發光裝置160C發揮相同的效果。
藉由採用沒有設置與第四發光元件101Y重疊的第四光學元件156Y的結構，可以使從第四發光元件101Y發射出的光的能量損失比設置第四光學元件156Y的結構少，從而可以減少功耗。
<發光裝置的結構實例8>
接著，下面參照圖7說明與圖6所示的發光裝置160C不同的結構實例。
圖7所示的發光裝置160D包括第五發光元件101W代替圖6所示的發光裝置160C所包括的第四發光元件101Y。
第五發光元件101W包括第五反射電極104W、第五反射電極104W上的第五透明導電膜106W、第五透明導電膜106W上的第一電洞注入層131、第一電洞注入層131上的第一電洞傳輸層132、第一電洞傳輸層132上的第一發光層108、第一發光層108上的第一電子傳輸層133、第一電子傳輸層133上的第一電子注入層 134、第一電子注入層134上的電荷產生層110、電荷產生層110上的第二電洞注入層135、第二電洞注入層135上的第二電洞傳輸層136、第二電洞傳輸層136上的第二發光層112、第二發光層112上的第二電子傳輸層137、第二電子傳輸層137上的第二電子注入層138以及第二電子注入層138上的半透射．半反射電極114。
在第五發光元件101W中，根據第五透明導電膜106W、第一電洞注入層131和第一電洞傳輸層132中的至少一個的厚度調整第五反射電極104W與第一發光層108之間的光學距離。
例如，使第五透明導電膜106W的厚度與第三透明導電膜106R的厚度大致為相同。另外，在第五發光元件101W中，藉由組合來自第一發光層108所包含的第一發光物質的發光與來自第二發光層112所包含的第二發光物質的發光，也可以獲得白色發光。
第五發光元件101W採用不設置與第五發光元件101W重疊的光學元件的結構。由此，使從第五發光元件101W發射出的光的能量損失比第一發光元件101B、第二發光元件101G以及第三發光元件101R少，從而可以減少功耗。
另外，可以適當地組合而使用上述例示出的發光裝置的各結構。
<發光裝置的製造方法1>
接著，下面參照圖8A至圖9B說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法。在此，說明圖5所示的發光裝置160B的製造方法。
圖8A至圖8D及圖9A和圖9B是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖。
下面將說明的發光裝置160B的製造方法包括第一步驟至第七步驟的七個步驟。
<第一步驟>
第一步驟為在基板102上形成各發光元件的反射電極(明確而言，第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R以及第四反射電極104Y)的製程(參照圖8A)。
在本實施方式中，藉由在基板102上形成具有反射性的導電膜而將該導電膜加工為所希望的形狀，可以形成第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R以及第四反射電極104Y。作為具有反射性的導電膜使用銀、鈀及銅的合金膜。
另外，也可以在進行第一步驟之前形成基板102上的多個電晶體。此外，也可以使該上述多個電晶體與第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R以及第四反射電極104Y電連接。
<第二步驟>
第二步驟為在反射電極上形成各發光元件的透明導電膜(第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G、第三透明導電膜106R以及第四透明導電膜106Y)的製程(參照圖8B)。
在本實施方式中，在基板102、第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R以及第四反射電極104Y上形成透明導電膜而將該透明導電膜加工為所希望的形狀，由此形成第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G、第三透明導電膜106R以及第四透明導電膜106Y。在本實施方式中，作為上述透明導電膜使用ITSO膜。
另外，經過多個步驟可以形成第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G、第三透明導電膜106R以及第四透明導電膜106Y。藉由經過多個步驟形成第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G、第三透明導電膜106R以及第四透明導電膜106Y，可以以各發光元件中可以具有微腔結構的厚度形成第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G、第三透明導電膜106R以及第四透明導電膜106Y。
<第三步驟>
第三步驟為形成覆蓋各發光元件的下部電極(明確而言，第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R、第四反射電極104Y、第一透明導電膜106B、 第二透明導電膜106G、第三透明導電膜106R以及第四透明導電膜106Y)的端部的分隔壁120的製程(參照圖8C)。
分隔壁120包括與下部電極重疊的開口部。與該開口部重疊的透明導電膜被用作發光元件的下部電極。在本實施方式中，作為分隔壁120使用丙烯酸樹脂。
另外，在第一步驟至第三步驟中沒有損傷包含有機化合物的發光層的可能性，由此可以使用各種各樣的成膜方法及微細加工技術。在本實施方式中，利用濺射法形成具有反射性的導電膜，利用光微影法在該導電膜上形成圖案，然後利用乾蝕刻法或濕蝕刻法將該導電膜加工為島狀，來形成第一反射電極104B、第二反射電極104G、第三反射電極104R以及第四反射電極104Y。然後，利用濺射法形成透明導電膜，利用光微影法在該透明導電膜上形成圖案，然後利用濕蝕刻法將該透明導電膜加工為島狀，來形成第一透明導電膜106B、第二透明導電膜106G、第三透明導電膜106R以及第四透明導電膜106Y。
<第四步驟>
第四步驟為形成第一電洞注入層131、第一電洞傳輸層132、第一發光層108、第一電子傳輸層133、第一電子注入層134以及電荷產生層110的製程(參照圖8D)。
藉由共蒸鍍電洞傳輸性材料和包含受體物質的材料，可以形成第一電洞注入層131。注意，共蒸鍍是 指使多個不同的物質分別從不同的蒸發源同時蒸發的蒸鍍法。藉由蒸鍍電洞傳輸性材料，可以形成第一電洞傳輸層132。
藉由蒸鍍發射藍紫色、藍色和藍綠色中至少一個的光的第一發光物質，可以形成第一發光層108。第一發光物質可以使用螢光性有機化合物。既可以單獨蒸鍍螢光性有機化合物，又可以蒸鍍與其他材料混合了的螢光性有機化合物。例如，也可以以螢光性有機化合物為客體材料，並將該客體材料分散在其激發能比客體材料大的主體材料中，來進行蒸鍍。
藉由蒸鍍電子傳輸性高的物質，可以形成第一電子傳輸層133。另外，藉由蒸鍍電子注入性高的物質，可以形成第一電子注入層134。
藉由蒸鍍對電洞傳輸性材料添加有電子受體(受體)的材料或對電子傳輸性材料添加有電子予體(施體)的材料，可以形成電荷產生層110。
<第五步驟>
第五步驟為形成第二電洞注入層135、第二電洞傳輸層136、第二發光層112、第二電子傳輸層137、第二電子注入層138以及半透射．半反射電極114的製程(參照圖9A)。
藉由利用與上面所示的第一電洞注入層131相同的材料及方法，可以形成第二電洞注入層135。另 外，藉由利用與上面所示的第一電洞傳輸層132相同的材料及方法，可以形成第二電洞傳輸層136。
藉由蒸鍍呈現選自綠色、黃綠色、黃色、橙色和紅色中至少一個的光的第二發光物質，可以形成第二發光層112。第二發光物質可以使用磷光性有機化合物。既可以單獨蒸鍍該磷光性有機化合物，又可以與其他材料混合而蒸鍍該磷光性有機化合物。例如，也可以以磷光性有機化合物為客體材料，並將該客體材料分散在其激發能比客體材料大的主體材料中，來進行蒸鍍。
藉由蒸鍍電子傳輸性高的物質，可以形成第二電子傳輸層137。另外，藉由蒸鍍電子注入性高的物質，可以形成第二電子注入層138。
藉由層疊具有反射性的導電膜與具有透光性的導電膜，可以形成半透射．半反射電極114。半透射．半反射電極114可以採用單層結構或疊層結構。
藉由上述製程，在基板102上形成第一發光元件101B、第二發光元件101G、第三發光元件101R以及第四發光元件101Y。
<第六步驟>
第六步驟為在基板152上形成遮光層154、第一光學元件156B、第二光學元件156G、第三光學元件156R以及第四光學元件156Y的製程(參照圖9B)。
將包含黑色顏料的有機樹脂膜形成在所希望 的區域中，來形成遮光層154。然後，在基板152及遮光層154上形成第一光學元件156B、第二光學元件156G、第三光學元件156R以及第四光學元件156Y。將包含藍色顏料的有機樹脂膜形成在所希望的區域中，來形成第一光學元件156B。將包含綠色顏料的有機樹脂膜形成在所希望的區域中，來形成第二光學元件156G。將包含紅色顏料的有機樹脂膜形成在所希望的區域中，來形成第三光學元件156R。將包含黃色顏料的有機樹脂膜形成在所希望的區域中，來形成第四光學元件156Y。
<第七步驟>
第七步驟為貼合形成在基板102上的第一發光元件101B、第二發光元件101G、第三發光元件101R以及第四發光元件101Y與形成在基板152上的遮光層154、第一光學元件156B、第二光學元件156G、第三光學元件156R以及第四光學元件156Y而由密封材料進行密封的製程(未圖示)。
藉由上述製程，可以形成圖5所示的發光裝置160B。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖10A和圖10B說明發光裝 置的一個方式的顯示裝置(也稱為顯示面板或發光面板)的俯視圖及剖面圖。
圖10A是由密封材料對第一基板501所包括的發光元件及第二基板506所包括的光學元件進行密封的發光面板的俯視圖，圖10B相當於沿著圖10A所示的點劃線A1-A2切斷的剖面圖。
第一基板501配置有像素部502、信號線驅動電路部503、掃描線驅動電路部504a、504b。另外，在第二基板506上具有遮光層521、具有使藍色光透過的功能的第一光學元件522B、具有使綠色光透過的功能的第二光學元件522G以及具有使紅色光透過的功能的第三光學元件522R。對第一基板501和第二基板506由密封材料505進行密封。
對像素部502、信號線驅動電路部503及掃描線驅動電路部504a、504b由第一基板501、第二基板506、密封材料505以及填充材料507進行密封。
作為密封材料505，較佳為使用環氧類樹脂或玻璃粉。另外，這些材料較佳是儘量不使水分、氧透過的材料。
作為填充材料507，可以使用氮或氬等惰性氣體或者紫外線硬化性樹脂或熱固性樹脂，例如可以使用PVC(聚氯乙烯)類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚醯亞胺類樹脂、環氧類樹脂、矽酮類樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)類樹脂或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)類樹脂。
作為信號線驅動電路部503及掃描線驅動電路部504a、504b，可以安裝在另行形成的基板上使用單晶半導體膜或多晶半導體膜形成的驅動電路。
像素部502、信號線驅動電路部503及掃描線驅動電路部504a、504b都包括多個電晶體，在圖10B中例示出像素部502所包括的電晶體510、511、512、以及信號線驅動電路部503所包括的電晶體509。
在圖10B中，作為電晶體的一個例子示出反交錯型電晶體，但是不侷限於此。例如，可以使用交錯型電晶體。另外，對電晶體的極性沒有特別的限制，也可以採用包括N型電晶體及P型電晶體的結構或者只包括N型電晶體或P型電晶體的結構。對用於電晶體的半導體膜的結晶性也沒有特別的限制。例如，可以使用非晶半導體膜或結晶性半導體膜。作為半導體材料，可以使用第13族(鎵等)半導體、第14族(矽等)半導體、化合物半導體(包括氧化物半導體)、有機半導體等。作為電晶體509、510、511、512，例如使用能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的氧化物半導體，由此可以降低電晶體的關態電流(off-state current)，所以是較佳的。作為該氧化物半導體，例如可以舉出In-Ga氧化物、In-M-Zn氧化物(M為Al、Ga、Y、Zr、La、Ce或Nd)等。
從FPC518對信號線驅動電路部503、掃描線驅動電路部504a、504b及像素部502供應各種信號及電 位。
FPC518藉由異方性導電膜519及連接端子電極517與端子電極525電連接。連接端子電極517藉由對與電晶體510、511、512所包括的源極電極及汲極電極相同的導電膜進行加工來形成。端子電極525藉由對與電晶體510、511、512所包括的閘極電極相同的導電膜進行加工來形成。
作為可用於第一基板501及第二基板506的材料，例如可以舉出半導體基板(例如，單晶基板或矽基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、金屬基板、不鏽鋼基板、具有不鏽鋼箔的基板、鎢基板、具有鎢箔的基板、撓性基板、貼合薄膜、包含纖維狀的材料的紙或者基材薄膜等。作為玻璃基板的例子，有鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃等。作為撓性基板、貼合薄膜、基材薄膜的例子，可以舉出以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)為代表的塑膠。或者，作為例子，可以舉出丙烯酸等合成樹脂等。或者，作為例子，可以舉出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯或氯乙烯等。或者，作為例子，可以舉出聚醯胺、聚醯亞胺、芳族聚醯胺、環氧、無機蒸鍍薄膜、紙類等。
此外，在作為形成發光元件或電晶體的基板，使用上述撓性基板的情況下，既可以在撓性基板上直接形成發光元件或電晶體，又可以在基體基板上隔著剝離層形成發光元件或電晶體的一部分或全部之後，將該發光 元件或電晶體從基體基板分離並轉置在其它基板上。在藉由使用這種剝離層且將該發光元件或電晶體在其它基板上轉置來進行製造時，可以在耐熱性低的基板或在其上不容易直接形成該發光元件或電晶體的撓性基板上形成發光元件或電晶體。另外，作為上述剝離層，例如可以使用鎢膜與氧化矽膜的無機膜的層疊結構或在基板上形成有聚醯亞胺等有機樹脂膜的結構等。作為被轉置的基板的例子，除了上述可以形成電晶體及發光元件的基板之外，還可以有紙基板、玻璃紙基板、芳族聚醯胺薄膜基板、聚醯亞胺薄膜基板、石材基板、木材基板、布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板等。藉由使用這種基板，可以實現良好的耐性、良好的耐熱性、輕量化及薄型化。
電晶體510的源極電極或汲極電極與第一反射電極513B電連接，電晶體511的源極電極或汲極電極與第二反射電極513G電連接，電晶體512的源極電極或汲極電極與第三反射電極513R電連接。
以覆蓋第一反射電極513B、第二反射電極513G及第三反射電極513R的端部的方式形成分隔壁520。較佳為將分隔壁520的上端部或下端部形成為具有曲率的曲面。藉由將分隔壁520形成為上述形狀，可以提高形成在分隔壁520上的膜的覆蓋性。
第一反射電極513B被用作第一發光元件 524B的下部電極的一部分。第二反射電極513G被用作第二發光元件524G的下部電極的一部分。第三反射電極513R被用作第三發光元件524R的下部電極的一部分。
第一發光元件524B、第二發光元件524G及第三發光元件524R都可以使用上面實施方式1所示的元件結構。藉由使用實施方式1所示的元件結構，可以實現發光效率高且功耗得到降低的發光裝置。
第一發光元件524B、第二發光元件524G及第三發光元件524R所射出的光經過第二基板506被發射出。因此，需要使第二基板506具有透光性，例如可以將玻璃板、塑膠板、聚酯膜或丙烯酸膜等材料用於第二基板506。
另外，在第二基板506上可以適當地設置如偏光板、圓偏光板(包括橢圓偏光板)、相位差板(λ/4板、λ/2板)等光學膜。此外，也可以在偏光板或圓偏光板上設置抗反射膜。例如，可以進行抗眩光處理，該處理是利用表面的凹凸擴散反射光以降低眩光的處理。
另外，也可以在第一發光元件524B、第二發光元件524G及第三發光元件524R上形成保護膜。該保護膜只要具有不使氧、氫、水分及二氧化碳等進入各發光元件內的功能就可。例如，作為該保護膜可以使用氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜等。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖11A和圖11B說明具有本發明的一個方式的發光裝置的顯示裝置。
圖11A所示的顯示裝置包括：具有顯示元件的像素的區域(以下稱為像素部602)；配置在像素部602外側並具有用來驅動像素的電路的電路部(以下稱為驅動電路部604)；具有保護元件的功能的電路(以下稱為保護電路606)；以及端子部607。此外，也可以採用不設置保護電路606的結構。
驅動電路部604的一部分或全部較佳為形成在與像素部602相同的基板上。由此，可以減少構件的數量或端子的數量。當驅動電路部604的一部分或全部不形成在與像素部602相同的基板上時，可以藉由COG或TAB(Tape Automated Bonding：捲帶自動接合)安裝驅動電路部604的一部分或全部。
像素部602包括用來驅動配置為X行(X為2以上的自然數)Y列(Y為2以上的自然數)的多個顯示元件的電路(以下稱為像素電路601)，驅動電路部604包括供應選擇像素的信號(掃描信號)的電路(以下稱為掃描線驅動電路部604a)、用來供應用來驅動像素的顯示元件的信號(資料信號)的電路(以下稱為信號線驅動電路部604b)等驅動電路。
掃描線驅動電路部604a具有移位暫存器等。 掃描線驅動電路部604a藉由端子部607被輸入用來驅動移位暫存器的信號並輸出信號。例如，掃描線驅動電路部604a被輸入起動脈衝信號、時脈信號等並輸出脈衝信號。掃描線驅動電路部604a具有控制被供應掃描信號的佈線(以下稱為掃描線GL_1至GL_X)的電位的功能。另外，也可以設置多個掃描線驅動電路部604a，並藉由多個掃描線驅動電路部604a分別控制掃描線GL_1至GL_X。或者，掃描線驅動電路部604a具有能夠供應初始化信號的功能。但是，不侷限於此，掃描線驅動電路部604a可以供應其他信號。
信號線驅動電路部604b具有移位暫存器等。除了用來驅動移位暫存器的信號之外，作為資料信號的基礎的信號(影像信號)也藉由端子部607被輸入到信號線驅動電路部604b。信號線驅動電路部604b具有根據影像信號生成寫入到像素電路601的資料信號的功能。另外，信號線驅動電路部604b具有依照輸入起動脈衝信號、時脈信號等而得到的脈衝信號來控制資料信號的輸出的功能。另外，信號線驅動電路部604b具有控制被供應資料信號的佈線(以下稱為資料線DL_1至DL_Y)的電位的功能。或者，信號線驅動電路部604b具有能夠供應初始化信號的功能。但是，不侷限於此，信號線驅動電路部604b可以供應其他信號。
信號線驅動電路部604b例如使用多個類比開關等來構成。藉由依次使多個類比開關成為導通狀態，信 號線驅動電路部604b可以輸出對影像信號進行時間分割而成的信號作為資料信號。
多個像素電路601的每一個分別藉由被供應掃描信號的多個掃描線GL之一而被輸入脈衝信號，並藉由被供應資料信號的多個資料線DL之一而被輸入資料信號。另外，多個像素電路601的每一個藉由掃描線驅動電路部604a來控制資料信號的資料的寫入及保持。例如，藉由掃描線GL_m(m是X以下的自然數)從掃描線驅動電路部604a對第m行第n列的像素電路601輸入脈衝信號，並根據掃描線GL_m的電位而藉由資料線DL_n(n是Y以下的自然數)從信號線驅動電路部604b對第m行第n列的像素電路601輸入資料信號。
圖11A所示的保護電路606例如連接於掃描線驅動電路部604a與像素部602之間的掃描線GL。或者，保護電路606連接於信號線驅動電路部604b與像素部602之間的資料線DL。或者，保護電路606可以連接於掃描線驅動電路部604a與端子部607之間的佈線。或者，保護電路606可以連接於信號線驅動電路部604b與端子部607之間的佈線。此外，端子部607是指設置有用來從外部的電路對顯示裝置輸入電源、控制信號及視訊信號的端子的部分。
保護電路606是在自身所連接的佈線被供應一定的範圍之外的電位時使該佈線與其他佈線導通的電路。
如圖11A所示，藉由對像素部602和驅動電路部604分別設置保護電路606，可以提高顯示裝置對因ESD(Electro Static Discharge：靜電放電)等而產生的過電流的電阻。但是，保護電路606的結構不侷限於此，例如，也可以採用將掃描線驅動電路部604a與保護電路606連接的結構或將信號線驅動電路部604b與保護電路606連接的結構。或者，也可以採用將端子部607與保護電路606連接的結構。
另外，雖然在圖11A中示出由掃描線驅動電路部604a和信號線驅動電路部604b形成驅動電路部604的例子，但是不侷限於此結構。例如，也可以採用只形成掃描線驅動電路部604a並安裝另外準備的形成有源極驅動電路的基板(例如，使用單晶半導體膜、多晶半導體膜形成的驅動電路基板)的結構。
此外，圖11A所示的多個像素電路601例如可以採用圖11B所示的結構。
圖11B所示的像素電路601包括電晶體652、電晶體654、電容元件662以及發光元件672。
電晶體652的源極電極和汲極電極中的一個與被供應資料信號的佈線(以下，稱為資料線DL_n)電連接。並且，電晶體652的閘極電極與被供應閘極信號的佈線(以下，稱為掃描線GL_m)電連接。
電晶體652具有藉由成為導通狀態或關閉狀態而對資料信號的資料的寫入進行控制的功能。
電容元件662的一對電極中的一個與被供應電位的佈線(以下，稱為電位供應線VL_a)電連接，另一個與電晶體652的源極電極和汲極電極中的另一個電連接。
電容元件662被用作儲存被寫入的資料的儲存電容器。
電晶體654的源極電極和汲極電極中的一個與電位供應線VL_a電連接。並且，電晶體654的閘極電極與電晶體652的源極電極和汲極電極中的另一個電連接。
發光元件672的陽極和陰極中的一個與電位供應線VL_b電連接，另一個與電晶體654的源極電極和汲極電極中的另一個電連接。
作為發光元件672，可以使用實施方式1所示的發光元件中的任一。
此外，對電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的一個供應高電源電位VDD，對另一個供應低電源電位VSS。
在具有圖11B的像素電路601的顯示裝置中，例如，藉由圖11A所示的掃描線驅動電路部604a依次選擇各行的像素電路601，並使電晶體652成為導通狀態而寫入資料信號的資料。
當電晶體652成為關閉狀態時，被寫入資料信號的像素電路601成為保持狀態。並且，流在電晶體 654的源極電極與汲極電極之間的電流量根據被寫入的資料信號的電位被控制，發光元件672以對應於流動的電流量的亮度發光。藉由按行依次進行上述步驟，可以顯示影像。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式4
在本實施方式中，參照圖12至圖13G說明具有本發明的一個方式的發光裝置的顯示模組及電子裝置。
圖12所示的顯示模組8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接於FPC8003的觸控面板8004、連接於FPC8005的顯示面板8006、框架8009、印刷電路板8010、電池8011。
可以將本發明的一個方式的發光裝置例如用於顯示面板8006。
上蓋8001及下蓋8002可以根據觸控面板8004及顯示面板8006的尺寸適當地改變其形狀或尺寸。
觸控面板8004可以是電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板，並且能夠以與顯示面板8006重疊的方式被形成。此外，也可以使顯示面板8006的相對基板(密封基板)具有觸控面板功能。另外，也可以在顯示面板8006的各像素內設置光感測器，以製成光學觸控面板。
框架8009除了具有保護顯示面板8006的功 能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。此外，框架8009也可以具有散熱板的功能。
印刷電路板8010包括電源電路以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以使用外部的商業電源，又可以使用另行設置的電池8011的電源。當使用商用電源時，可以省略電池8011。
此外，在顯示模組8000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片等構件。
圖13A至圖13G是示出電子裝置的圖。這些電子裝置可以包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005(包括電源開關或操作開關)、連接端子9006、感測器9007(它具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風9008等。
圖13A至圖13G所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部；觸控面板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發 送或接收；讀出儲存在儲存介質中的程式或資料來將其顯示在顯示部等。注意，圖13A至圖13G所示的電子裝置可具有的功能不侷限於上述功能，而可以具有各種各樣的功能。另外，雖然未在圖13A至圖13G中示出，但是電子裝置也可以採用包括多個顯示部的結構。另外，可以對該電子裝置設置相機等，使其具有拍攝靜態影像的功能、拍攝動態影像的功能、將拍攝的影像儲存到儲存介質(外部或內置於相機)的功能、將拍攝的影像顯示在顯示部的功能等。
下面對圖13A至圖13G所示的電子裝置進行詳細的說明。
圖13A是示出可攜式資訊終端9100的透視圖。可攜式資訊終端9100所包括的顯示部9001具有撓性。因此，可以沿著彎曲的外殼9000的彎曲面安裝顯示部9001。另外，顯示部9001具備觸控感測器，可以用手指或觸控筆等觸摸畫面來進行操作。例如，藉由觸摸顯示於顯示部9001的圖示，可以啟動應用程式。
圖13B是示出可攜式資訊終端9101的透視圖。可攜式資訊終端9101例如具有選自電話機、電子筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言，可以將該可攜式資訊終端9101用作智慧手機。注意，在可攜式資訊終端9101中，省略揚聲器9003、連接端子9006、感測器9007等進行圖示，但是也可以在與圖13A所示的可攜式資訊終端9100同樣的位置設置揚聲器 9003、連接端子9006、感測器9007等。另外，作為可攜式資訊終端9101，可以將文字或影像資訊顯示在其多個面上。例如，可以將三個操作按鈕9050(也稱為操作圖示或圖示)顯示在顯示部9001的一個面上。另外，可以將以虛線的矩形示出的資訊9051顯示在顯示部9001的其他面上。此外，作為資訊9051的一個例子，有提醒收到電子郵件、SNS(Social Networking Services：社交網路服務)、電話等的顯示；電子郵件或SNS等的標題；電子郵件或SNS等的發送者名字；日期；時間；電池電量；天線的信號接收強度等。或者，也可以在顯示資訊9051的位置顯示操作按鈕9050等來代替資訊9051。
圖13C是示出可攜式資訊終端9102的透視圖。可攜式資訊終端9102具有在顯示部9001的三個面以上顯示資訊的功能。在此，示出將資訊9052、資訊9053、資訊9054分別顯示在不同的面上的例子。例如，可攜式資訊終端9102的使用者能夠在將可攜式資訊終端9102放在上衣口袋裡的狀態下確認其顯示(這裡是資訊9053)。明確而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從可攜式資訊終端9102的上方觀看到這些資訊的位置。使用者可以確認到該顯示，由此判斷是否接電話，而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端9102。
圖13D是示出手錶型的可攜式資訊終端9200的透視圖。可攜式資訊終端9200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通信、電腦 遊戲等各種應用程式。另外，顯示部9001的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。另外，可攜式資訊終端9200可以進行基於通信標準的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通信，可以進行免提通話。另外，可攜式資訊終端9200包括連接端子9006，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由連接端子9006進行充電。另外，充電動作也可以利用無線供電進行，而不藉由連接端子9006。
圖13E、圖13F、圖13G是示出能夠折疊的可攜式資訊終端9201的透視圖。另外，圖13E是將可攜式資訊終端9201展開的狀態的透視圖，圖13F是將可攜式資訊終端9201從展開的狀態和折疊的狀態中的一個轉換成另一個時的中途的狀態的透視圖，圖13G是將可攜式資訊終端9201折疊的狀態的透視圖。可攜式資訊終端9201在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下因為具有無縫拼接較大的顯示區域所以顯示的瀏覽性強。可攜式資訊終端9201所包括的顯示部9001被由鉸鏈9055連結的三個外殼9000支撐。藉由鉸鏈9055使兩個外殼9000之間彎曲，可以使可攜式資訊終端9201從展開的狀態可逆性地變為折疊的狀態。例如，可攜式資訊終端9201能夠以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲。
本實施方式所述的電子裝置的特徵在於具有用來顯示某些資訊的顯示部。注意，本發明的一個方式的 發光裝置也能夠應用於不包括顯示部的電子裝置。另外，在本實施方式所述的電子裝置的顯示部中，示出具有撓性且能夠沿著彎曲的顯示面進行顯示的結構或能夠折疊的顯示部的結構，但並不侷限於此，也可以採用不具有撓性而在平面部進行顯示的結構。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖14說明應用本發明的一個方式的發光裝置的照明設備的例子。
圖14是將發光裝置用於室內照明設備8501的例子。另外，因為發光裝置可以實現大面積化，所以也可以形成大面積的照明設備。此外，也可以藉由使用具有曲面的外殼來形成發光區域具有曲面的照明設備8502。包括在本實施方式所示的發光裝置中的發光元件為薄膜狀，所以外殼的設計的彈性高。因此，可以形成能夠對應各種設計的照明設備。再者，室內的牆面也可以設置有大型的照明設備8503。另外，也可以對照明設備8501、8502、8503設置觸控感測器而將照明設備的電源開或關。
另外，藉由將發光裝置用於桌子的表面，可以提供具有桌子的功能的照明設備8504。此外，藉由將發光裝置用於其他家具的一部分，可以提供具有家具的功 能的照明設備。
如上所述，可以得到應用發光裝置的各種各樣的照明設備。另外，這種照明設備包括在本發明的一個方式中。
本實施方式所示的結構可以與其它實施方式中的任何結構適當地組合而使用。
實施例1
在本實施例中，製造本發明的一個方式的發光元件1及發光元件2以及對比發光元件3，並對這些發光元件進行評價。參照圖15對發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3的元件結構的詳細內容進行說明。首先，下面示出本實施例所使用的發光元件的材料的化學式。
Figure 108130849-A0101-12-0070-1
Figure 108130849-A0101-12-0071-2
下面示出本實施例的發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3的製造方法。
《發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3的製造方法》
首先，作為反射電極4004，在基板4002上利用濺射法形成銀(Ag)、鈀(Pd)和銅(Cu)的合金膜(簡稱：APC)。將反射電極4004的厚度設定為100nm，將面積設定為4mm2(2mm×2mm)。
接著，作為透明導電膜4006，在反射電極4004上利用濺射法形成包含氧化矽的銦錫氧化物(簡稱： ITSO)膜。另外，將發光元件1的透明導電膜4006的厚度設定為60nm，將發光元件2的透明導電膜4006的厚度設定為30nm，將對比發光元件3的透明導電膜4006的厚度設定為10nm。
接著，作為蒸鍍有機化合物層的預處理，使用水對形成有反射電極4004及透明導電膜4006的基板4002的透明導電膜4006一側進行洗滌，以200℃進行1小時的燒成，然後對透明導電膜4006的表面進行370秒的UV臭氧處理。
然後，將基板4002放入到其內部被減壓到10-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，並在真空蒸鍍裝置內的加熱室中，以170℃進行60分鐘的真空焙燒，然後對基板4002進行30分鐘左右的冷卻。
接著，以形成有透明導電膜4006的面朝下方的方式將基板4002固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架上。在本實施例中，在利用真空蒸鍍法依次形成第一電洞注入層4131、第一電洞傳輸層4132、第一發光層4008、第一電子傳輸層4133a、4133b以及第一電子注入層4134之後形成電荷產生層4010，接著依次形成第二電洞注入層4135、第二電洞傳輸層4136、第二發光層4012a、4012b、第二電子傳輸層4137a、4137b以及第二電子注入層4138。下面示出詳細的製造方法。
首先，將真空蒸鍍裝置的內部減壓到10-4Pa左右，然後將3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡 稱：PCPPn)和氧化鉬以PcPPn：氧化鉬=1：0.5(質量比)的比例共蒸鍍在透明導電膜4006上。另外，將發光元件1及發光元件2的第一電洞注入層4131的厚度設定為35nm，將對比發光元件3的第一電洞注入層4131的厚度設定為15nm。
接著，在第一電洞注入層4131上形成第一電洞傳輸層4132。作為第一電洞傳輸層4132，蒸鍍PCPPn。另外，將發光元件1及發光元件2的第一電洞傳輸層4132的厚度設定為15nm，將對比發光元件3的第一電洞傳輸層4132的厚度設定為10nm。
接著，在第一電洞傳輸層4132上形成第一發光層4008。作為第一發光層4008，將9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)和N,N’-雙(二苯并呋喃-4-基)-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(簡稱：1,6FrAPrn-II)以CzPA：1,6FrAPrn-II=1：0.05(質量比)的比例共蒸鍍。另外，將第一發光層4008的厚度設定為25nm。
接著，作為第一電子傳輸層4133a，在第一發光層4008上以5nm的厚度蒸鍍CzPA。接著，作為第一電子傳輸層4133b，在第一電子傳輸層4133a上以15nm的厚度蒸鍍紅啡啉(簡稱：Bphen)。接著，作為第一電子注入層4134，在第一電子傳輸層4133b上以0.1nm的厚度蒸鍍氧化鋰(Li2O)。
接著，作為電荷產生層4010，在第一電子注入層4134上以2nm的厚度蒸鍍銅酞青(簡稱：CuPc)。
接著，作為第二電洞注入層4135，在電荷產生層4010上將1,3,5-三(二苯并噻吩-4-基)-苯(簡稱：DBT3P-II)和氧化鉬以DBT3P-II：氧化鉬=1：0.5(質量比)的比例共蒸鍍。另外，將第二電洞注入層4135的厚度設定為12.5nm。
接著，作為第二電洞傳輸層4136，在第二電洞注入層4135上以20nm的厚度蒸鍍BPAFLP。
接著，作為第二發光層4012a，在第二電洞傳輸層4136上將2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹
Figure 108130849-A0101-12-0074-59
啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、4,4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBNBB)和(乙醯丙酮根)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(tBuppm)2(acac))以2mDBTBPDBq-II：PCBNBB：Ir(tBuppm)2(acac)=0.7：0.3：0.06(質量比)的比例共蒸鍍。另外，將第二發光層4012a的厚度設定為20nm。
接著，作為第二發光層4012b，將2mDBTBPDBq-II和雙{4,6-二甲基-2-[5-(2,6-二甲基苯基)-3-(3,5-二甲基苯基)-2-吡嗪基-κN]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κ2O,O’)銥(III)(簡稱：Ir(dmdppr-dmp)2(acac))以2mDBTBPDBq-II：Ir(dmdppr-dmp)2(acac)=1：0.06(質量比)的比例共蒸鍍在第二發光層4012a上。另外，將第二發光層4012b的厚度設定為20nm。
接著，作為第二電子傳輸層4137a，在第二發光層4012b上以30nm的厚度蒸鍍2-[3-(二苯并噻吩-4-基) 苯基]二苯并[f,h]喹
Figure 108130849-A0101-12-0075-60
啉(簡稱：2mDBTPDBq-II)。接著，作為第二電子傳輸層4137b，在第二電子傳輸層4137a上以15nm的厚度蒸鍍Bphen。
接著，作為第二電子注入層4138，在第二電子傳輸層4137b上以1nm的厚度蒸鍍氟化鋰(LiF)。
接著，作為半透射．半反射電極4014a，將銀(Ag)和鎂(Mg)以銀：鎂=1：0.1(體積比)的比例共蒸鍍在第二電子注入層4138上。另外，將半透射．半反射電極4014a的厚度設定為15nm。接著，作為半透射．半反射電極4014b，在半透射．半反射電極4014a上利用濺射法以70nm的厚度形成ITO(銦錫氧化物)膜。
另外，在上述蒸鍍過程中，作為蒸鍍都採用電阻加熱法。
表1示出藉由上述步驟獲得的發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3的元件結構。
Figure 108130849-A0101-12-0076-3
另外，如表1所示，作為發光元件1的相對基板4152上的彩色層4156，形成厚度為2.4μm的紅色(R)濾色片，作為發光元件2的相對基板4152上的彩色層4156，形成厚度為1.3μm的綠色(G)濾色片，作為對比發 光元件3的相對基板4152上的彩色層4156，形成厚度為0.6μm的藍色(B)濾色片。
在氮氛圍的手套箱中以不暴露於大氣的方式貼合所製造的發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3與如上所述製造的相對基板4152進行密封(將密封材料塗佈在元件的周圍，並且在密封時照射6J/cm2的365nm的紫外光，並且以80℃進行1小時的熱處理)。
《發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3的工作特性》
接著，對所製造的各發光元件的工作特性進行測定。注意，在室溫下(在保持於25℃的氛圍中)進行測定。
圖16A示出發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3的電流效率-亮度特性。在圖16A中，縱軸表示電流效率(cd/A)，橫軸表示亮度(cd/m2)。另外，圖16B示出發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3的電流-電壓特性。在圖16B中，縱軸表示電流(mA)，橫軸表示電壓(V)。另外，圖17示出發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3的亮度-電壓特性。在圖17中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電壓(V)。
此外，表2示出1000cd/m2附近的發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3的主要初期特性值。
Figure 108130849-A0101-12-0078-4
圖18示出以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3時的發射光譜。如圖18所示，發光元件1的發射光譜在611nm附近具有峰值，發光元件2的發射光譜在539nm附近具有峰值，對比發光元件3的發射光譜在460nm附近具有峰值。
由上述結果可知，發光元件1發射紅色(R)光。另外，可知發光元件2發射綠色(G)光。另外，可知對比發光元件3發射藍色(B)光。由此可知，藉由組合發光元件1、發光元件2和對比發光元件3，可以實現全彩色化。然而，由於元件結構及發光波長不同而不能進行單純的比較，但是在對對比發光元件3與發光元件1及發光元件2進行比較時，其結果是對比發光元件3的電流效率比發光元件1及發光元件2低。
實施例2
在本實施例中，製造本發明的一個方式的發 光元件4及發光元件5，並對這些發光元件進行評價。參照圖15對發光元件4及發光元件5的元件結構的詳細內容進行說明。另外，用於本實施例中所製造的發光元件4及發光元件5的材料與實施例1相同。由此，省略本實施例中所使用的材料的化學式。
《發光元件4及發光元件5的製造方法》
首先，作為反射電極4004，在基板4002上利用濺射法形成APC。將反射電極4004的厚度設定為100nm，將面積設定為4mm2(2mm×2mm)。
接著，作為透明導電膜4006，在反射電極4004上利用濺射法形成ITSO膜。另外，將發光元件4及發光元件5的透明導電膜4006的厚度設定為60nm。
接著，作為蒸鍍有機化合物層的預處理，使用水對形成有反射電極4004及透明導電膜4006的基板4002的透明導電膜4006一側進行洗滌，以200℃進行1小時的燒成，然後對透明導電膜4006的表面進行370秒的UV臭氧處理。
然後，將基板4002放入其內部被減壓到10-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，並在真空蒸鍍裝置內的加熱室中，以170℃進行60分鐘的真空焙燒，然後對基板4002進行30分鐘左右的冷卻。
接著，以形成有透明導電膜4006的面朝下方的方式將基板4002固定於設置在真空蒸鍍裝置內的支架 上。在本實施例中，在利用真空蒸鍍法依次形成第一電洞注入層4131、第一電洞傳輸層4132、第一發光層4008、第一電子傳輸層4133a、4133b以及第一電子注入層4134之後形成電荷產生層4010，接著依次形成第二電洞注入層4135、第二電洞傳輸層4136、第二發光層4012a、4012b、第二電子傳輸層4137a、4137b以及第二電子注入層4138。下面示出詳細的製造方法。
首先，將真空蒸鍍裝置的內部減壓到10-4Pa左右，然後作為第一電洞注入層4131將PCPPn和氧化鉬以PcPPn：氧化鉬=1：0.5(質量比)的比例共蒸鍍在透明導電膜4006上。另外，將發光元件4的第一電洞注入層4131的厚度設定為65nm，將發光元件5的第一電洞注入層4131的厚度設定為70nm。
接著，在第一電洞注入層4131上形成第一電洞傳輸層4132。作為第一電洞傳輸層4132，蒸鍍PCPPn。另外，將發光元件4及發光元件5的第一電洞傳輸層4132的厚度設定為15nm。
接著，在第一電洞傳輸層4132上形成第一發光層4008。作為第一發光層4008，將CzPA和1,6FrAPrn-II以CzPA：1,6FrAPrn-II=1：0.05(質量比)的比例共蒸鍍。另外，將第一發光層4008的厚度設定為25nm。
接著，作為第一電子傳輸層4133a，在第一發光層4008上以5nm的厚度蒸鍍CzPA。接著，作為第一電子傳輸層4133b，在第一電子傳輸層4133a上以15nm 的厚度蒸鍍Bphen。接著，作為第一電子注入層4134，在第一電子傳輸層4133b上以0.1nm的厚度蒸鍍Ii2O。
接著，作為電荷產生層4010，在第一電子注入層4134上以2nm的厚度蒸鍍CuPc。
接著，作為第二電洞注入層4135，在電荷產生層4010上將DBT3P-II和氧化鉬以DBT3P-II：氧化鉬=1：0.5(質量比)的比例共蒸鍍。另外，將第二電洞注入層4135的厚度設定為12.5nm。
接著，作為第二電洞傳輸層4136，在第二電洞注入層4135上以20nm的厚度蒸鍍BPAFLP。
接著，作為第二發光層4012a，在第二電洞傳輸層4136上將2mDBTBPDBq-II、PCBNBB和Ir(tBuppm)2(acac)以2mDBTBPDBq-II：PCBNBB：Ir(tBuppm)2(acac)=0.7：0.3：0.06(質量比)的比例共蒸鍍。另外，將第二發光層4012a的厚度設定為20nm。
接著，作為第二發光層4012b，在第二發光層4012a上將2mDBTBPDBq-II和Ir(dmdppr-dmp)2(acac)以2mDBTBPDBq-II：Ir(dmdppr-dmp)2(acac)=1：0.06(質量比)的比例共蒸鍍。另外，將第二發光層4012b的厚度設定為20nm。
接著，作為第二電子傳輸層4137a，在第二發光層4012b上以30nm的厚度蒸鍍2mDBTPDBq-II。接著，作為第二電子傳輸層4137b，在第二電子傳輸層4137a上以15nm的厚度蒸鍍Bphen。
接著，作為第二電子注入層4138，在第二電子傳輸層4137b上以1nm的厚度蒸鍍LiF。
接著，作為半透射．半反射電極4014a，在第二電子注入層4138上將銀(Ag)和鎂(Mg)以銀：鎂=1：0.1(體積比)的比例共蒸鍍。另外，將半透射．半反射電極4014a的厚度設定為15nm。接著，作為半透射．半反射電極4014b，在半透射．半反射電極4014a上利用濺射法以70nm的厚度形成ITO膜。
另外，在上述蒸鍍過程中，作為蒸鍍都採用電阻加熱法。
表3示出藉由上述步驟獲得的發光元件4及發光元件5的元件結構。
Figure 108130849-A0101-12-0083-5
另外，如表3所示，作為發光元件4的相對基板4152上的彩色層4156，形成厚度為0.6μm的藍色(B)濾色片，作為發光元件5的相對基板4152上的彩色層4156，形成厚度為1.0μm的藍色(B)濾色片。
在氮氛圍的手套箱中以不暴露於大氣的方式貼合所製造的發光元件4以及發光元件5與如上所述製造 的相對基板4152進行密封(將密封材料塗佈在元件的周圍，並且在密封時照射6J/cm2的365nm的紫外光，並且以80℃進行1小時的熱處理)。
《發光元件4及發光元件5的工作特性》
接著，對所製造的各發光元件的工作特性進行測定。注意，在室溫下(在保持於25℃的氛圍中)進行測定。
圖19A示出發光元件4及發光元件5的電流效率-亮度特性。在圖19A中，縱軸表示電流效率(cd/A)，橫軸表示亮度(cd/m2)。另外，圖19B示出發光元件4及發光元件5的電流-電壓特性。在圖19B中，縱軸表示電流(mA)，橫軸表示電壓(V)。另外，圖20示出發光元件4及發光元件5的亮度-電壓特性。在圖20中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電壓(V)。注意，在圖19A和圖19B以及圖20中，發光元件4及發光元件5的結果大致一致。
此外，表4示出1000cd/m2附近的發光元件4及發光元件5的主要初期特性值。
Figure 108130849-A0101-12-0085-6
圖21示出以2.5mA/cm2的電流密度使電流流過發光元件4及發光元件5時的發射光譜。如圖21所示，發光元件4的發射光譜在462nm附近具有峰值，發光元件5的發射光譜在466nm附近具有峰值。
由上述結果可知，發光元件4及發光元件5發射藍色(B)光。另外，可知本發明的一個方式的發光元件4及發光元件5的電流效率比在實施例1中製造的對比發光元件3高。這可認為起因於用作反射電極的APC與第一發光層之間的光學距離差異。
另外，表5示出如下計算結果：在實施例1中製造的發光元件1、發光元件2以及對比發光元件3、以及在實施例2中製造的發光元件4及發光元件5中，從APC到第一發光層(以下，有時表示為EML1)的光學距離、從APC到第二發光層(以下，有時表示為EML2)的光學距離、各發光元件的波長λ/4以及3λ/4。
Figure 108130849-A0101-12-0086-7
另外，在表5中，光學距離是在將用作透明導電膜4006的ITSO膜的折射率設定為2.2且將其他有機層(第一電洞注入層4131、第一電洞傳輸層4132、第一發光層4008、第一電子傳輸層4133、第一電子注入層4134、電荷產生層4010、第二電洞注入層4135、第二電洞傳輸層4136以及第二發光層4012)的折射率設定為1.9的情況下計算出的。
如表5所示，對比發光元件3的從APC到EML1的光學距離為λB/4左右，由此可認為由於APC的表面附近產生光的散射或光的吸收，所以電流效率低。另一方面，本發明的一個方式的發光元件4及發光元件5的從APC到EML1的光學距離為3λB/4左右，可認為由於可以抑制APC的表面附近產生光的散射或光的吸收，所以發光元件4及發光元件5的電流效率比對比發光元件3高。
另外，如表5所示，本發明的一個方式的發光元件1的從APC到EML2的光學距離為3λR/4左右。此外，本發明的一個方式的發光元件2的從APC到EML2 的光學距離為3λG/4左右。
如上所述，本實施例所示的結構可以與其他實施方式及實施方式所示的結構適當地組合而使用。
100‧‧‧發光裝置
101B‧‧‧發光元件
101G‧‧‧發光元件
101R‧‧‧發光元件
102‧‧‧基板
104B‧‧‧反射電極
104G‧‧‧反射電極
104R‧‧‧反射電極
106B‧‧‧透明導電膜
106G‧‧‧透明導電膜
106R‧‧‧透明導電膜
108‧‧‧發光層
110‧‧‧電荷產生層
112‧‧‧發光層
112a‧‧‧發光層
112b‧‧‧發光層
114‧‧‧半透射．半反射電極

Claims (6)

  1. 一種發光裝置，包括：能夠發射藍色光的第一發光元件，該第一發光元件包括：第一透明導電膜；與該第一透明導電膜接觸之第一反射電極；該第一透明導電膜上的第一發光層；該第一發光層上的第二發光層；以及該第二發光層上的電極，能夠發射綠色光的第二發光元件，該第二發光元件包括：第二透明導電膜；該第二透明導電膜上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；以及該第二發光層上的該電極，能夠發射紅色光的第三發光元件，該第三發光元件包括：第三透明導電膜；該第三透明導電膜上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；以及該第二發光層上的該電極，以及能夠發射白色光的第四發光元件，該第四發光元件包括：第四透明導電膜； 該第四透明導電膜上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；以及該第二發光層上的該電極，其中，該第一透明導電膜具有第一區域，其中，該第二透明導電膜具有第二區域，其中，該第三透明導電膜具有第三區域，其中，該第四透明導電膜具有第四區域，其中，該第一區域的厚度比該第三區域與該第四區域厚，其中，該第三區域與該第四區域各者的厚度比該第二區域厚，其中，該第一反射電極與該第一發光層之間的光學距離為3/4λB以上，λB為在420nm以上且480nm以下的波長區域，以及其中，該第一反射電極包括銀。
  2. 一種發光裝置，包括：能夠發射藍色光的第一發光元件，該第一發光元件包括：第一透明導電膜；與該第一透明導電膜接觸之第一反射電極；該第一透明導電膜上的第一發光層；該第一發光層上的第二發光層；以及該第二發光層上的電極，能夠發射綠色光的第二發光元件，該第二發光元件包 括：第二透明導電膜；該第二透明導電膜上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；以及該第二發光層上的該電極，能夠發射紅色光的第三發光元件，該第三發光元件包括：第三透明導電膜；該第三透明導電膜上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；以及該第二發光層上的該電極，以及能夠發射白色光的第四發光元件，該第四發光元件包括：第四透明導電膜；該第四透明導電膜上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；以及該第二發光層上的該電極，其中，該第一透明導電膜具有第一區域，其中，該第二透明導電膜具有第二區域，其中，該第三透明導電膜具有第三區域，其中，該第四透明導電膜具有第四區域，其中，該第一區域的厚度比該第三區域與該第四區域厚，其中，該第三區域與該第四區域各者的厚度比該第二 區域厚，其中，該第一發光層包括螢光化合物，其中，該第二發光層包括磷光化合物，其中，該第一反射電極與該第一發光層之間的光學距離為3/4λB以上，λB為在420nm以上且480nm以下的波長區域，以及其中，該第一反射電極包括銀。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中，該第一發光層包含發射藍紫色、藍色和藍綠色中至少一個的光的第一發光物質，以及其中，該第二發光層包含發射綠色、黃綠色、黃色、橙色和紅色中至少一個的光的第二發光物質。
  4. 根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置，還包括：與該第二透明導電膜接觸之第二反射電極；以及與該第三透明導電膜接觸之第三反射電極，其中，該第二反射電極與該第一發光層之間的光學距離小於3/4λG，λG為在500nm以上且小於550nm的波長區域，其中，該第三反射電極與該第一發光層之間的光學距離小於3/4λR，λR為在600nm以上且740nm以下的波長區域，其中，該第二反射電極包括銀，以及其中，該第三反射電極包括銀。
  5. 根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置，還包括： 與該第二透明導電膜接觸之第二反射電極；以及與該第三透明導電膜接觸之第三反射電極，其中，該第二反射電極與該第二發光層之間的光學距離為3/4λG左右，λG為在500nm以上且小於550nm的波長區域，其中，該第三反射電極與該第二發光層之間的光學距離為3/4λR左右，λR為在600nm以上且740nm以下的波長區域，其中，該第二反射電極包括銀，以及其中，該第三反射電極包括銀。
  6. 一種電子裝置，包括：申請專利範圍第1或2項之發光裝置，以及外殼與觸控感測器中的至少一個。
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