DE102015208493A1 - Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung - Google Patents

Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung Download PDF

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Abstract

Eine Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet ein erstes Licht emittierendes Element, das blaues Licht emittiert, ein zweites Licht emittierendes Element, das grünes Licht emittiert, und ein drittes Licht emittierendes Element, das rotes Licht emittiert. Eine erste reflektierende Elektrode und ein erster durchsichtiger leitender Film, eine zweite reflektierende Elektrode und ein zweiter durchsichtiger leitender Film, und eine dritte reflektierende Elektrode und ein dritter durchsichtiger leitender Film sind bei dem ersten, zweiten bzw. dritten Licht emittierenden Element übereinander geschichtet. Eine erste Licht emittierende Schicht, eine Ladungserzeugungsschicht, eine zweite Licht emittierende Schicht und eine Elektrode sind in dieser Reihenfolge über dem ersten durchsichtigen leitenden Film, dem zweiten durchsichtigen leitenden Film und dem dritten durchsichtigen leitenden Film übereinander geschichtet. Die Elektrode weist Funktionen zum Durchlassen und Reflektieren von Licht auf. Die ersten bis dritten reflektierenden Elektroden enthalten Silber. Der erste durchsichtige leitende Film ist dicker als der dritte durchsichtige leitende Film. Der dritte durchsichtige leitende Film ist dicker als der zweite durchsichtige leitende Film.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Element, bei dem eine Licht emittierende Schicht, die durch Anlegen eines elektrischen Feldes Licht emittieren kann, zwischen einem Paar von Elektroden angeordnet ist, und betrifft auch eine Licht emittierende Vorrichtung, ein elektronisches Gerät und eine Beleuchtungsvorrichtung, die jeweils ein solches Licht emittierendes Element beinhalten.
  • Es sei angemerkt, dass eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht auf das obige technische Gebiet beschränkt ist. Das technische Gebiet einer Ausführungsform der in dieser Beschreibung und dergleichen offenbarten Erfindung betrifft einen Gegenstand, ein Verfahren oder ein Herstellungsverfahren. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft zusätzlich einen Prozess, eine Maschine, ein Erzeugnis oder eine Zusammensetzung. Beispiele für das technische Gebiet einer Ausführungsform der in dieser Beschreibung offenbarten vorliegenden Erfindung umfassen insbesondere eine Halbleitervorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Beleuchtungsvorrichtung, eine Energiespeichervorrichtung, eine Speichervorrichtung, ein Ansteuerverfahren dafür und ein Herstellungsverfahren dafür.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • In den letzten Jahren sind intensiv Forschung und Entwicklung an Licht emittierenden Elementen durchgeführt worden, welche Elektrolumineszenz (EL) einsetzen. Bei einer grundlegenden Struktur dieser Licht emittierenden Elemente ist eine Schicht, die eine Licht emittierende Substanz enthält, zwischen einem Paar von Elektroden angeordnet. Durch Anlegen einer Spannung an dieses Element kann eine Lichtemission von der Licht emittierenden Substanz erhalten werden.
  • Da es sich bei dem obigen Licht emittierenden Element um einen selbstleuchtenden Typ handelt, hat eine Licht emittierende Vorrichtung, bei der dieses Licht emittierende Element verwendet wird, Vorteile, nämlich dass sie hohe Sichtbarkeit aufweist, keine Hintergrundbeleuchtung benötigt und einen niedrigen Strom verbraucht. Die Licht emittierende Vorrichtung, bei der das Licht emittierende Element verwendet wird, hat auch Vorteile darin, dass sie dünn und leicht hergestellt werden kann und hohe Reaktionsgeschwindigkeit aufweist.
  • Damit die Lichtextraktionseffizienz von einem Licht emittierenden Element verbessert wird, ist ein Verfahren vorgeschlagen worden, bei dem eine optische Mikroresonator-(Mikrokavitäts- bzw. microcavity-)Struktur verwendet wird, bei der ein Lichtresonanzeffekt zwischen einem Paar von Elektroden ausgenutzt wird, um die Intensität von Licht mit einer spezifischen Wellenlänge zu verstärken (z. B. siehe Patentdokument 1).
  • [Referenz]
  • [Patentdokument]
    • [Patentdokument 1] Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 2012-182127
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Wenn ein Metallfilm mit hoher Reflektivität (z. B. ein silberhaltiger Metallfilm) als eine Elektrode von einem Paar von Elektroden bei einer optischen Mikroresonatorstruktur (nachstehend als Mikrokavitätsstruktur bezeichnet) verwendet wird, bei der ein Lichtresonanzeffekt zwischen dem Paar von Elektroden ausgenutzt wird, könnte Licht in der Nähe einer Oberfläche des Metallfilms mit hoher Reflektivität unter dem Einfluss von Oberflächenplasmonenresonanz (surface plasmon resonance, SPR) gestreut oder absorbiert werden, was zu einer niedrigeren Lichtextraktionseffizienz führt.
  • Angesichts der vorstehenden Probleme ist eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, eine neuartige Licht emittierende Vorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe ist, eine neuartige Licht emittierende Vorrichtung mit einer hohen Emissionseffizienz und einem niedrigen Stromverbrauch bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe ist, ein Verfahren zum Herstellen der neuartigen Licht emittierenden Vorrichtung bereitzustellen.
  • Es sei angemerkt, dass die Beschreibung der vorstehenden Aufgaben dem Vorhandensein weiterer Aufgaben nicht im Wege steht. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es unnötig, alle Aufgaben zu erfüllen. Weitere Aufgaben sind aus der Erläuterung der Beschreibung und dergleichen ersichtlich und können davon abgeleitet werden.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, die beinhaltet: ein erstes Licht emittierendes Element, das blaues Licht emittiert, ein zweites Licht emittierendes Element, das grünes Licht emittiert, und ein drittes Licht emittierendes Element, das rotes Licht emittiert. Bei dem ersten Licht emittierenden Element sind eine erste reflektierende Elektrode, ein erster durchsichtiger leitender Film, eine erste Licht emittierende Schicht, eine Ladungserzeugungsschicht, eine zweite Licht emittierende Schicht und eine Elektrode in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet. Bei dem zweiten Licht emittierenden Element sind eine zweite reflektierende Elektrode, ein zweiter durchsichtiger leitender Film, die erste Licht emittierende Schicht, die Ladungserzeugungsschicht, die zweite Licht emittierende Schicht und die Elektrode in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet. Bei dem dritten Licht emittierenden Element sind eine dritte reflektierende Elektrode, ein dritter durchsichtiger leitender Film, die erste Licht emittierende Schicht, die Ladungserzeugungsschicht, die zweite Licht emittierende Schicht und die Elektrode in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet. Die Elektrode weist eine Funktion zum Durchlassen von Licht und eine Funktion zum Reflektieren von Licht auf. Die ersten bis dritten reflektierenden Elektroden enthalten jeweils Silber. Der erste durchsichtige leitende Film ist dicker als der dritte durchsichtige leitende Film, und der dritte durchsichtige leitende Film ist dicker als der zweite durchsichtige leitende Film. Die Details der Licht emittierenden Vorrichtung werden im Folgenden beschrieben.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, die Licht in mehreren Farben emittiert und die folgenden Elemente beinhaltet: ein erstes Licht emittierendes Element, das eine Funktion zum Emittieren von blauem Licht aufweist, ein zweites Licht emittierendes Element, das eine Funktion zum Emittieren von grünem Licht aufweist, und ein drittes Licht emittierendes Element, das eine Funktion zum Emittieren von rotem Licht aufweist. Das erste Licht emittierende Element beinhaltet eine erste reflektierende Elektrode, einen ersten durchsichtigen leitenden Film über der ersten reflektierenden Elektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über dem ersten durchsichtigen leitenden Film, eine Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht und eine Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Das zweite Licht emittierende Element beinhaltet eine zweite reflektierende Elektrode, einen zweiten durchsichtigen leitenden Film über der zweiten reflektierenden Elektrode, die erste Licht emittierende Schicht über dem zweiten durchsichtigen leitenden Film, die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Das dritte Licht emittierende Element beinhaltet eine dritte reflektierende Elektrode, einen dritten durchsichtigen leitenden Film über der dritten reflektierenden Elektrode, die erste Licht emittierende Schicht über dem dritten durchsichtigen leitenden Film, die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Die Elektrode weist eine Funktion zum Durchlassen von Licht und eine Funktion zum Reflektieren von Licht auf. Die ersten bis dritten reflektierenden Elektroden enthalten jeweils Silber. Der erste durchsichtige leitende Film hat einen ersten Bereich, der zweite durchsichtige leitende Film hat einen zweiten Bereich, und der dritte durchsichtige leitende Film hat einen dritten Bereich. Der erste Bereich ist dicker als der dritte Bereich, und der dritte Bereich ist dicker als der zweite Bereich.
  • Bei der vorstehenden Struktur enthält vorzugsweise die erste Licht emittierende Schicht eine erste Licht emittierende Substanz, die Licht in mindestens einer Farbe von Violett, Blau und Blaugrün emittiert, und die zweite Licht emittierende Schicht enthält eine zweite Licht emittierende Substanz, die Licht in mindestens einer Farbe von Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange und Rot emittiert. In diesem Fall ist vorzugsweise die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht größer als oder gleich 3/4λB. Zudem ist vorzugsweise die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht kleiner als 3/4λG, und die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht ist kleiner als 3/4λR.
  • Bei jeder der vorstehenden Strukturen ist vorzugsweise die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ungefähr 3/4λG, und die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ist ungefähr 3/4λR.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Vorrichtung, die Licht in mehreren Farben emittiert und die folgenden Elemente beinhaltet: ein erstes Licht emittierendes Element, das eine Funktion zum Emittieren von blauem Licht aufweist, ein zweites Licht emittierendes Element, das eine Funktion zum Emittieren von grünem Licht aufweist, ein drittes Licht emittierendes Element, das eine Funktion zum Emittieren von rotem Licht aufweist, und ein viertes Licht emittierendes Element, das eine Funktion zum Emittieren von gelbem Licht aufweist. Das erste Licht emittierende Element beinhaltet eine erste reflektierende Elektrode, einen ersten durchsichtigen leitenden Film über der ersten reflektierenden Elektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über dem ersten durchsichtigen leitenden Film, eine Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht und eine Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Das zweite Licht emittierende Element beinhaltet eine zweite reflektierende Elektrode, einen zweiten durchsichtigen leitenden Film über der zweiten reflektierenden Elektrode, die erste Licht emittierende Schicht über dem zweiten durchsichtigen leitenden Film, die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Das dritte Licht emittierende Element beinhaltet eine dritte reflektierende Elektrode, einen dritten durchsichtigen leitenden Film über der dritten reflektierenden Elektrode, die erste Licht emittierende Schicht über dem dritten durchsichtigen leitenden Film, die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Das vierte Licht emittierende Element beinhaltet eine vierte reflektierende Elektrode, einen vierten durchsichtigen leitenden Film über der vierten reflektierenden Elektrode, die erste Licht emittierende Schicht über dem vierten durchsichtigen leitenden Film, die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Die Elektrode weist eine Funktion zum Durchlassen von Licht und eine Funktion zum Reflektieren von Licht auf. Die ersten bis vierten reflektierenden Elektroden enthalten jeweils Silber. Der erste durchsichtige leitende Film hat einen ersten Bereich, der zweite durchsichtige leitende Film hat einen zweiten Bereich, der dritte durchsichtige leitende Film hat einen dritten Bereich, und der vierte durchsichtige leitende Film hat einen vierten Bereich. Der erste Bereich ist dicker als der dritte Bereich, der dritte Bereich ist dicker als der vierte Bereich, und der vierte Bereich ist dicker als der zweite Bereich.
  • Bei der vorstehenden Struktur enthält vorzugsweise die erste Licht emittierende Schicht eine erste Licht emittierende Substanz, die blaues Licht emittiert, und die zweite Licht emittierende Schicht enthält eine zweite Licht emittierende Substanz, die Licht in mindestens einer Farbe von Grün, Gelb und Rot emittiert. In diesem Fall ist vorzugsweise die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht größer als oder gleich 3/4λB. Zudem ist vorzugsweise die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht kleiner als 3/4λG, die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht ist kleiner als 3/4λR, und die optische Weglänge zwischen der vierten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht ist kleiner als 3/4λY.
  • Bei jeder der vorstehenden Strukturen ist vorzugsweise die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ungefähr 3/4λG, die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ist ungefähr 3/4λR, und die optische Weglänge zwischen der vierten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ist ungefähr 3/4λY.
  • Bei jeder der vorstehenden Strukturen sind vorzugsweise ein erstes optisches Element, das sich mit dem ersten Licht emittierenden Element überlappt, ein zweites optisches Element, das sich mit dem zweiten Licht emittierenden Element überlappt, und ein drittes optisches Element, das sich mit dem dritten Licht emittierenden Element überlappt, angeordnet. Das erste optische Element weist eine Funktion zum Durchlassen von blauem Licht auf, das zweite optische Element weist eine Funktion zum Durchlassen von grünem Licht auf, und das dritte optische Element weist eine Funktion zum Durchlassen von rotem Licht auf.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst in ihrer Kategorie auch ein elektronisches Gerät, das die Licht emittierende Vorrichtung mit einer der vorstehenden Strukturen und ein Gehäuse oder einen Berührungssensor beinhaltet, und eine Beleuchtungsvorrichtung, die die Licht emittierende Vorrichtung mit einer der vorstehenden Strukturen und ein Gehäuse oder einen Berührungssensor beinhaltet. Des Weiteren bezieht sich eine Licht emittierende Vorrichtung in dieser Beschreibung auf eine Bildanzeigevorrichtung oder eine Lichtquelle (darunter auch eine Beleuchtungsvorrichtung). Zusätzlich umfasst eine Licht emittierende Vorrichtung in ihrer Kategorie alle der folgenden Module: ein Modul, bei dem eine Licht emittierende Vorrichtung mit einem Verbinder, wie z. B. einer flexiblen gedruckten Schaltung (flexible printed circuit, FPC) oder einem Tape Carrier Package (TCP), verbunden ist, ein Modul, bei dem eine gedruckte Leiterplatte am Ende eines TCP bereitgestellt ist, und ein Modul, bei dem eine integrierte Schaltung (integrated circuit, IC) durch ein Chip-on-Glass-(COG-)Verfahren direkt an einem Licht emittierenden Element montiert ist.
  • Einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entsprechend kann eine neuartige Licht emittierende Vorrichtung bereitgestellt werden. Einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entsprechend kann eine neuartige Licht emittierende Vorrichtung mit einer hohen Emissionseffizienz und einem niedrigen Stromverbrauch bereitgestellt werden. Einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entsprechend kann ein Verfahren zum Herstellen der neuartigen Licht emittierenden Vorrichtung bereitgestellt werden.
  • Es sei angemerkt, dass die Beschreibung dieser Wirkungen dem Vorhandensein weiterer Wirkungen nicht im Wege steht. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung muss nicht unbedingt alle oben genannten Wirkungen erfüllen. Weitere Wirkungen sind aus der Erläuterung der Beschreibung, der Zeichnungen, der Patentansprüche und dergleichen ersichtlich und können davon abgeleitet werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1A und 1B sind Querschnittsansichten, die jeweils eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • 2A und 2B sind Querschnittsansichten, die jeweils eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, die eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 4A und 4B sind Querschnittsansichten, die jeweils eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht, die eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 8A bis 8D sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • 9A und 9B sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • 10A und 10B sind eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die eine Anzeigevorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • 11A und 11B sind ein Blockdiagramm und ein Schaltplan, die eine Anzeigevorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • 12 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Anzeigemodul darstellt.
  • 13A bis 13G stellen elektronische Geräte dar.
  • 14 stellt Beleuchtungsvorrichtungen dar.
  • 15 stellt eine in Beispielen eingesetzte Elementstruktur dar.
  • 16A und 16B sind Diagramme, die Stromeffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften und Strom-Spannungs-Eigenschaften von in dem Beispiel 1 hergestellten Licht emittierenden Elementen zeigen.
  • 17 ist ein Diagramm, das Leuchtdichte-Spannungs-Eigenschaften von in dem Beispiel 1 hergestellten Licht emittierenden Elementen zeigt.
  • 18 ist ein Diagramm, das Emissionsspektren von in dem Beispiel 1 hergestellten Licht emittierenden Elementen zeigt.
  • 19A und 19B sind Diagramme, die Stromeffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften und Strom-Spannungs-Eigenschaften von in dem Beispiel 2 hergestellten Licht emittierenden Elementen zeigen.
  • 20 ist ein Diagramm, das Leuchtdichte-Spannungs-Eigenschaften von in dem Beispiel 2 hergestellten Licht emittierenden Elementen zeigt.
  • 21 ist ein Diagramm, das Emissionsspektren von in dem Beispiel 2 hergestellten Licht emittierenden Elementen zeigt.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen detailliert beschrieben. Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die nachfolgende Beschreibung beschränkt ist und dass die Arten und Details auf verschiedene Weise modifiziert werden können, ohne vom Wesen und Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Dementsprechend sollte die vorliegende Erfindung nicht als durch den Inhalt der nachstehenden Ausführungsformen beschränkt angesehen werden.
  • Es sei angemerkt, dass die Position, die Größe, der Bereich oder dergleichen von jeder Struktur in den Zeichnungen und dergleichen in einigen Fällen für ein leichtes Verständnis nicht genau dargestellt ist. Die offenbarte Erfindung ist daher nicht notwendigerweise auf die Position, die Größe, den Bereich oder dergleichen, die in den Zeichnungen und dergleichen offenbart ist, beschränkt.
  • Die Ordinalzahlen, wie z. B. „erster” und „zweiter”, in dieser Beschreibung und dergleichen werden der Einfachheit halber verwendet und bezeichnen nicht die Reihenfolge von Schritten oder die Reihenfolge der übereinander geschichteten Schichten. Daher kann beispielsweise eine Beschreibung auch dann gegeben werden, wenn „erster” durch „zweiter” oder „dritter” nach Bedarf ersetzt wird. Außerdem sind die Ordinalzahlen in dieser Beschreibung und dergleichen nicht notwendigerweise denjenigen gleich, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bestimmen.
  • Beim Beschreiben von Strukturen der Erfindung anhand der Zeichnungen in dieser Beschreibung und dergleichen werden für die gleichen Abschnitte in verschiedenen Zeichnungen dieselben Bezugszeichen gemeinsam verwendet.
  • In dieser Beschreibung und dergleichen hat blaues Licht mindestens einen Peak des Emissionsspektrums im Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 420 nm und kleiner als oder gleich 480 nm, grünes Licht hat mindestens einen Peak des Emissionsspektrums im Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 500 nm und kleiner als 550 nm, gelbes Licht hat mindestens einen Peak des Emissionsspektrums im Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 550 nm und kleiner als oder gleich 580 nm, und rotes Licht hat mindestens einen Peak des Emissionsspektrums im Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 740 nm.
  • In dieser Beschreibung und dergleichen lässt ein durchsichtiger leitender Film sichtbares Licht durch und weist Leitfähigkeit auf. Beispiele für den durchsichtigen leitenden Film umfassen einen Oxidleiterfilm, der typischerweise ein Film aus Indiumzinnoxid (indium tin Oxide, ITO) ist, einen Oxidhalbleiterfilm und einen organischen leitenden Film, der eine organische Substanz enthält. Beispiele für den organischen leitenden Film, der eine organische Substanz enthält, umfassen einen Film, der ein Verbundmaterial enthält, in dem eine organische Verbindung und ein Elektronendonator (Donator) vermischt sind, und einen Film, der ein Verbundmaterial enthält, in dem eine organische Verbindung und ein Elektronenakzeptor (Akzeptor) vermischt sind. Der spezifische Widerstand des durchsichtigen leitenden Films ist bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 105 Ω·cm, stärker bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 104 Ω·cm.
  • In dieser Beschreibung und dergleichen können die Begriffe „Film” und „Schicht” je nach der Sachlage oder den Umständen untereinander ausgetauscht werden. Beispielsweise kann der Begriff „leitende Schicht” gegebenenfalls in den Begriff „leitender Film” umgewandelt werden. Auch der Begriff „Isolierfilm” kann gegebenenfalls in den Begriff „Isolierschicht” umgewandelt werden.
  • (Ausführungsform 1)
  • Bei dieser Ausführungsform werden eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und ein Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Vorrichtung im Folgenden anhand von 1A und 1B, 2A und 2B, 3, 4A und 4B, 5, 6, 7, 8A bis 8D sowie 9A und 9B beschrieben.
  • <Strukturbeispiel 1 für Licht emittierende Vorrichtung>
  • 1A ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Eine Licht emittierende Vorrichtung 100 in 1A beinhaltet ein erstes Licht emittierendes Element 101B, das eine Funktion zum Emittieren von blauem Licht aufweist, ein zweites Licht emittierendes Element 101G, das eine Funktion zum Emittieren von grünem Licht aufweist, und ein drittes Licht emittierendes Element 101R, das eine Funktion zum Emittieren von rotem Licht aufweist.
  • Das erste Licht emittierende Element 101B beinhaltet eine erste reflektierende Elektrode 104B, einen ersten durchsichtigen leitenden Film 106B über der ersten reflektierenden Elektrode 104B, eine erste Licht emittierende Schicht 108 über dem ersten durchsichtigen leitenden Film 106B, eine Ladungserzeugungsschicht 110 über der ersten Licht emittierenden Schicht 108, eine zweite Licht emittierende Schicht 112 über der Ladungserzeugungsschicht 110 und eine semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 über der zweiten Licht emittierenden Schicht 112. Das zweite Licht emittierende Element 101G beinhaltet eine zweite reflektierende Elektrode 104G, einen zweiten durchsichtigen leitenden Film 106G über der zweiten reflektierenden Elektrode 104G, die erste Licht emittierende Schicht 108 über dem zweiten durchsichtigen leitenden Film 106G, die Ladungserzeugungsschicht 110 über der ersten Licht emittierenden Schicht 108, die zweite Licht emittierende Schicht 112 über der Ladungserzeugungsschicht 110 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 über der zweiten Licht emittierenden Schicht 112. Das dritte Licht emittierende Element 101R beinhaltet eine dritte reflektierende Elektrode 104R, einen dritten durchsichtigen leitenden Film 106R über der dritten reflektierenden Elektrode 104R, die erste Licht emittierende Schicht 108 über dem dritten durchsichtigen leitenden Film 106R, die Ladungserzeugungsschicht 110 über der ersten Licht emittierenden Schicht 108, die zweite Licht emittierende Schicht 112 über der Ladungserzeugungsschicht 110 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 über der zweiten Licht emittierenden Schicht 112. Es sei angemerkt, dass in einigen Fällen die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 einfach als Elektrode bezeichnet wird.
  • Die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G und die dritte reflektierende Elektrode 104R enthalten jeweils Silber. Wenn die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G und die dritte reflektierende Elektrode 104R jeweils unter Verwendung eines silberhaltigen Materials ausgebildet werden, kann die Reflektivität erhöht werden, und die Emissionseffizienz jedes Licht emittierenden Elements kann erhöht werden. Beispielsweise wird ein silberhaltiger leitender Film ausgebildet und in eine Inselform getrennt. Auf diese Weise können die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G und die dritte reflektierende Elektrode 104R ausgebildet werden. Die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G und die dritte reflektierende Elektrode 104R werden vorzugsweise durch einen Schritt zum Verarbeiten des gleichen leitenden Films ausgebildet, weil die Herstellungskosten verringert werden können.
  • In 1A umfasst die zweite Licht emittierende Schicht 112 eine zweite Licht emittierende Schicht 112a und eine zweite Licht emittierende Schicht 112b. Die zweite Licht emittierende Schicht 112 kann eine einschichtige Struktur, eine geschichtete Struktur, die zwei Schichten wie in 1A umfasst, oder eine geschichtete Struktur aufweisen, die drei oder mehr Schichten umfasst.
  • Die erste Licht emittierende Schicht 108 enthält eine erste Licht emittierende Substanz, die Licht in mindestens einer Farbe von Violett, Blau und Blaugrün emittiert, und die zweite Licht emittierende Schicht 112 enthält eine zweite Licht emittierende Substanz, die Licht in mindestens einer Farbe von Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange und Rot emittiert. Wenn die zweite Licht emittierende Schicht 112 eine geschichtete Struktur aufweist, kann die zweite Licht emittierende Schicht 112 Licht emittierende Substanzen, die Licht in unterschiedlichen Farben emittieren, oder Licht emittierende Substanzen enthalten, die Licht in der gleichen Farbe emittieren. Beispielsweise kann eine Licht emittierende Substanz, die grünes Licht emittiert, für die zweite Licht emittierende Schicht 112a verwendet werden, und eine Licht emittierende Substanz, die rotes Licht emittiert, kann für die zweite Licht emittierende Schicht 112b verwendet werden. Alternativ können Licht emittierende Substanzen, die gelbes Licht emittieren, für die beiden zweiten Licht emittierenden Schichten 112a und 112b verwendet werden.
  • Auf diese Weise werden bei der Licht emittierenden Vorrichtung 100 die erste Licht emittierende Substanz, die in der ersten Licht emittierenden Schicht 108 enthalten ist, und die zweite Licht emittierende Substanz, die in der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 enthalten ist, derart ausgewählt, dass eine gewünschte Emissionswellenlänge verstärkt werden kann, wodurch Licht in der Nähe von monochromatischem Licht erhalten werden kann. Des Weiteren können bei der Licht emittierenden Vorrichtung 100 eine Lichtemission von der ersten Licht emittierenden Substanz, die in der ersten Licht emittierenden Schicht 108 enthalten ist, und eine Lichtemission von der zweiten Licht emittierenden Substanz, die in der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 enthalten ist, derart kombiniert werden, dass eine weiße Lichtemission erhalten werden kann.
  • In 1A sind blaues Licht (B), grünes Licht (G) und rotes Licht (R), die von den jeweiligen Licht emittierenden Elementen emittiert werden, schematisch durch gestrichelte Pfeile dargestellt. Dasselbe gilt auch für später beschriebene Licht emittierende Vorrichtungen. Die Licht emittierende Vorrichtung 100 in 1A hat eine Top-Emission-Struktur, bei der Licht, das von Licht emittierenden Elementen emittiert wird, an die Seite extrahiert wird, die dem Substrat 102 gegenüberliegt, über dem die Licht emittierenden Elemente ausgebildet sind. Jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt und kann eine Bottom-Emission-Struktur wie in 2A, bei der Licht, das von Licht emittierenden Elementen emittiert wird, an die Seite des Substrats 102 extrahiert wird, über dem die Licht emittierenden Elemente ausgebildet sind, oder eine Dual-Emission-Struktur wie in 2B aufweisen, bei der Licht, das von Licht emittierenden Elementen emittiert wird, sowohl in der oberen als auch der unteren Richtung des Substrats 102 extrahiert wird, über dem die Licht emittierenden Elemente ausgebildet sind.
  • In 1A sind die erste Licht emittierende Schicht 108, die Ladungserzeugungsschicht 110, die zweite Licht emittierende Schicht 112 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 für die ersten bis dritten Licht emittierenden Elemente 101B bis 101R getrennt. Jedoch können sie auch verwendet werden, ohne getrennt zu werden. Deshalb werden bei dem zweiten Licht emittierenden Element 101G und dem dritten Licht emittierenden Element 101R die erste Licht emittierende Schicht 108, die Ladungserzeugungsschicht 110, die zweite Licht emittierende Schicht 112 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 durch die gleichen Schraffuren wie bei dem ersten Licht emittierenden Element 101B dargestellt und nicht besonders durch Bezugszeichen bezeichnet.
  • Das erste Licht emittierende Element 101B, das zweite Licht emittierende Element 101G und das dritte Licht emittierende Element 101R weisen jeweils eine Mikrokavitätsstruktur auf. Die Mikrokavitätsstruktur jedes Licht emittierenden Elements wird im Folgenden beschrieben.
  • Licht, das von der ersten Licht emittierenden Schicht 108 und der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 emittiert wird, gerät in Resonanz zwischen einem Paar von Elektroden (zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114, zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode 104G und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 und zwischen der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114). Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 100 werden die Dicken des ersten durchsichtigen leitenden Films 106B, des zweiten durchsichtigen leitenden Films 106G und des dritten durchsichtigen leitenden Films 106R in den Licht emittierenden Elementen jeweils derart gesteuert, dass eine gewünschte Wellenlänge von Licht, das von der ersten Licht emittierenden Schicht 108 und der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 emittiert wird, verstärkt werden kann.
  • Insbesondere wird die Dicke des ersten durchsichtigen leitenden Films 106B derart gesteuert, dass die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 mxλB/2 sein kann (mx ist eine natürliche Zahl und λB ist eine Wellenlänge (größer als oder gleich 420 nm und kleiner als oder gleich 480 nm) von blauem Licht). Zudem wird die Dicke des zweiten durchsichtigen leitenden Films 106G derart gesteuert, dass die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode 104G und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 myλG/2 sein kann (my ist eine natürliche Zahl, und λG ist eine Wellenlänge (größer als oder gleich 500 nm und kleiner als 550 nm) von grünem Licht). Zudem wird die Dicke des dritten durchsichtigen leitenden Films 106R derart gesteuert, dass die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 mzλR/2 sein kann (mz ist eine natürliche Zahl, und λR ist eine Wellenlänge (größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 740 nm) von rotem Licht).
  • Indem die Dicke des ersten durchsichtigen leitenden Films 106B gesteuert wird, wird die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 auf größer als oder gleich 3/4λB, bevorzugt größer als oder gleich 3/4λB und kleiner als oder gleich 5/4λB eingestellt. Beispielsweise wird dann, wenn die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 ungefähr 1/4λB ist, Licht in der Nähe einer Oberfläche der ersten reflektierenden Elektrode 104B gestreut oder absorbiert, was zu einer niedrigeren Lichtextraktionseffizienz führt. Jedoch wird bei der Licht emittierenden Vorrichtung 100 die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 auf größer als oder gleich 3/4λB, bevorzugt größer als oder gleich 3/4λB und kleiner als oder gleich 5/4λB, eingestellt, wodurch die Streuung oder Absorption von Licht in der Nähe der Oberfläche der ersten reflektierenden Elektrode 104B unterdrückt und somit eine hohe Lichtextraktionseffizienz erzielt werden kann. Folglich kann bei dem ersten Licht emittierenden Element 101B blaues Licht effizient von der ersten Licht emittierenden Substanz, die in der ersten Licht emittierenden Schicht 108 enthalten ist, extrahiert werden.
  • Indem die Dicke des zweiten durchsichtigen leitenden Films 106G gesteuert wird, kann die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode 104G und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 kleiner als 3/4λG, bevorzugt größer als oder gleich 1/4λG und kleiner als 3/4λG sein. Indem die Dicke des zweiten durchsichtigen leitenden Films 106G gesteuert wird, kann die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode 104G und der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 ungefähr 3/4λG sein. Indem die Dicke des dritten durchsichtigen leitenden Films 106R gesteuert wird, kann die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 kleiner als 3/4λR, bevorzugt größer als oder gleich 1/4λR und kleiner als 3/4λR sein. Indem die Dicke des dritten durchsichtigen leitenden Films 106R gesteuert wird, kann die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 ungefähr 3/4λR sein. Wenn die optische Weglänge wie oben beschrieben eingestellt wird, kann bei dem zweiten Licht emittierenden Element 101G grünes Licht effizient von der zweiten Licht emittierenden Substanz, die in der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 enthalten ist, extrahiert werden, und bei dem dritten Licht emittierenden Element 101R kann rotes Licht effizient von der zweiten Licht emittierenden Substanz, die in der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 enthalten ist, extrahiert werden.
  • Wie oben beschrieben worden ist, weisen der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G und der dritte durchsichtige leitende Film 106R jeweils eine Funktion zum Steuern der optischen Weglänge des entsprechenden Licht emittierenden Elements auf. Wenn die optische Weglänge bei jedem Licht emittierenden Element gesteuert wird, wird der erste durchsichtige leitende Film 106B dicker ausgebildet als der dritte durchsichtige leitende Film 106R, und der dritte durchsichtige leitende Film 106R wird dicker ausgebildet als der zweite durchsichtige leitende Film 106G. Mit anderen Worten: Der erste durchsichtige leitende Film 106B hat einen ersten Bereich, der zweite durchsichtige leitende Film 106G hat einen zweiten Bereich, und der dritte durchsichtige leitende Film 106R hat einen dritten Bereich. Der erste Bereich ist dicker als der dritte Bereich, und der dritte Bereich ist dicker als der zweite Bereich.
  • Die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 wird, strenggenommen, durch das Produkt aus einem Brechungsindex und der Dickenabmessung von einem reflektierenden Bereich in der ersten reflektierenden Elektrode 104B bis zu einem reflektierenden Bereich in der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 dargestellt. Jedoch ist es schwer, die Positionen der reflektierenden Bereiche in der ersten reflektierenden Elektrode 104B und in der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 präzise zu bestimmen. Deshalb wird davon ausgegangen, dass der zuvor beschriebene Effekt ausreichend erzielt werden kann, wenn die reflektierenden Bereiche in beliebigen Positionen in der ersten reflektierenden Elektrode 104B und in der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 bereitgestellt werden. Dasselbe gilt auch für die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode 104G und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 und die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114.
  • Des Weiteren ist, strenggenommen, die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der Licht emittierenden Schicht, die gewünschtes Licht emittiert, die optische Weglänge zwischen dem reflektierenden Bereich in der ersten reflektierenden Elektrode 104B und einem Licht emittierenden Bereich in der Licht emittierenden Schicht, die gewünschtes Licht emittiert. Jedoch ist es schwer, die Positionen des reflektierenden Bereichs in der ersten reflektierenden Elektrode 104B und des Licht emittierenden Bereichs in der Licht emittierenden Schicht, die gewünschtes Licht emittiert, präzise zu bestimmen. Deshalb wird davon ausgegangen, dass der zuvor beschriebene Effekt ausreichend erzielt werden kann, wenn der reflektierende Bereich und der Licht emittierende Bereich in beliebigen Positionen in der ersten reflektierenden Elektrode 104B und in der Licht emittierenden Schicht, die gewünschtes Licht emittiert, bereitgestellt werden. Dasselbe gilt auch für die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode 104G und der Licht emittierenden Schicht, die gewünschtes Licht emittiert, und die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der Licht emittierenden Schicht, die gewünschtes Licht emittiert.
  • Wie oben beschrieben worden ist, wird bei der Licht emittierenden Vorrichtung 100 in 1A die optische Weglänge zwischen der reflektierenden Elektrode (der ersten reflektierenden Elektrode 104B, der zweiten reflektierenden Elektrode 104G oder der dritten reflektierenden Elektrode 104R) und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 jedes Licht emittierenden Elements gesteuert, wodurch die Streuung oder Absorption von Licht in der Nähe der Oberfläche der reflektierenden Elektrode unterdrückt und somit eine hohe Lichtextraktionseffizienz erzielt werden kann. Daher kann eine neuartige Licht emittierende Vorrichtung mit einer hohen Emissionseffizienz und einem niedrigen Stromverbrauch bereitgestellt werden.
  • <Strukturbeispiel 2 für Licht emittierende Vorrichtung>
  • Als Nächstes wird ein Strukturbeispiel, das sich von demjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 100 in 1A unterscheidet, im Folgenden anhand von 1B beschrieben.
  • 1B ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. In 1B wird ein Abschnitt mit einer ähnlichen Funktion wie in 1A durch die gleiche Schraffur wie in 1A dargestellt und nicht besonders durch ein Bezugszeichen in einigen Fällen bezeichnet. Zudem werden gleiche Bezugszeichen für Abschnitte mit ähnlichen Funktionen verwendet, und eine ausführliche Beschreibung der Abschnitte wird in einigen Fällen weggelassen.
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung 100A in 1B beinhaltet das erste Licht emittierende Element 101B, das eine Funktion zum Emittieren von blauem Licht aufweist, das zweite Licht emittierende Element 101G, das eine Funktion zum Emittieren von grünem Licht aufweist, und das dritte Licht emittierende Element 101R, das eine Funktion zum Emittieren von rotem Licht aufweist.
  • Das erste Licht emittierende Element 101B beinhaltet die erste reflektierende Elektrode 104B, den ersten durchsichtigen leitenden Film 106B über der ersten reflektierenden Elektrode 104B, eine erste Lochinjektionsschicht 131 über dem ersten durchsichtigen leitenden Film 106B, eine erste Lochtransportschicht 132 über der ersten Lochinjektionsschicht 131, die erste Licht emittierende Schicht 108 über der ersten Lochtransportschicht 132, eine erste Elektronentransportschicht 133 über der ersten Licht emittierenden Schicht 108, eine erste Elektroneninjektionsschicht 134 über der ersten Elektronentransportschicht 133, die Ladungserzeugungsschicht 110 über der ersten Elektroneninjektionsschicht 134, eine zweite Lochinjektionsschicht 135 über der Ladungserzeugungsschicht 110, eine zweite Lochtransportschicht 136 über der zweiten Lochinjektionsschicht 135, die zweite Licht emittierende Schicht 112 über der zweiten Lochtransportschicht 136, eine zweite Elektronentransportschicht 137 über der zweiten Licht emittierenden Schicht 112, eine zweite Elektroneninjektionsschicht 138 über der zweiten Elektronentransportschicht 137 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 über der zweiten Elektroneninjektionsschicht 138.
  • Das zweite Licht emittierende Element 101G beinhaltet die zweite reflektierende Elektrode 104G, den zweiten durchsichtigen leitenden Film 106G über der zweiten reflektierenden Elektrode 104G, die erste Lochinjektionsschicht 131 über dem zweiten durchsichtigen leitenden Film 106G, die erste Lochtransportschicht 132 über der ersten Lochinjektionsschicht 131, die erste Licht emittierende Schicht 108 über der ersten Lochtransportschicht 132, die erste Elektronentransportschicht 133 über der ersten Licht emittierenden Schicht 108, die erste Elektroneninjektionsschicht 134 über der ersten Elektronentransportschicht 133, die Ladungserzeugungsschicht 110 über der ersten Elektroneninjektionsschicht 134, die zweite Lochinjektionsschicht 135 über der Ladungserzeugungsschicht 110, die zweite Lochtransportschicht 136 über der zweiten Lochinjektionsschicht 135, die zweite Licht emittierende Schicht 112 über der zweiten Lochtransportschicht 136, die zweite Elektronentransportschicht 137 über der zweiten Licht emittierenden Schicht 112, die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 über der zweiten Elektronentransportschicht 137 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 über der zweiten Elektroneninjektionsschicht 138.
  • Das dritte Licht emittierende Element 101R beinhaltet die dritte reflektierende Elektrode 104R, den dritten durchsichtigen leitenden Film 106R über der dritten reflektierenden Elektrode 104R, die erste Lochinjektionsschicht 131 über dem dritten durchsichtigen leitenden Film 106R, die erste Lochtransportschicht 132 über der ersten Lochinjektionsschicht 131, die erste Licht emittierende Schicht 108 über der ersten Lochtransportschicht 132, die erste Elektronentransportschicht 133 über der ersten Licht emittierenden Schicht 108, die erste Elektroneninjektionsschicht 134 über der ersten Elektronentransportschicht 133, die Ladungserzeugungsschicht 110 über der ersten Elektroneninjektionsschicht 134, die zweite Lochinjektionsschicht 135 über der Ladungserzeugungsschicht 110, die zweite Lochtransportschicht 136 über der zweiten Lochinjektionsschicht 135, die zweite Licht emittierende Schicht 112 über der zweiten Lochtransportschicht 136, die zweite Elektronentransportschicht 137 über der zweiten Licht emittierenden Schicht 112, die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 über der zweiten Elektronentransportschicht 137 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 über der zweiten Elektroneninjektionsschicht 138.
  • Wie oben beschrieben worden ist, sind bei der Licht emittierenden Vorrichtung 100A die folgenden Bestandteile zusätzlich zu den Bestandteilen der Licht emittierenden Vorrichtung 100 angeordnet: die erste Lochinjektionsschicht 131 und die erste Lochtransportschicht 132 zwischen den durchsichtigen leitenden Filmen (dem ersten durchsichtigen leitenden Film 106B, dem zweiten durchsichtigen leitenden Film 106G und dem dritten durchsichtigen leitenden Film 106R) und der ersten Licht emittierenden Schicht 108, die erste Elektronentransportschicht 133 und die erste Elektroneninjektionsschicht 134 zwischen der ersten Licht emittierenden Schicht 108 und der Ladungserzeugungsschicht 110, die zweite Lochinjektionsschicht 135 und die zweite Lochtransportschicht 136 zwischen der Ladungserzeugungsschicht 110 und der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 sowie die zweite Elektronentransportschicht 137 und die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 zwischen der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 100A wird die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 durch die Dicke von mindestens einem Bestandteil von dem ersten durchsichtigen leitenden Film 106B, der ersten Lochinjektionsschicht 131 und der ersten Lochtransportschicht 132 gesteuert; die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode 104G und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 wird durch die Dicke von mindestens einem Bestandteil von dem zweiten durchsichtigen leitenden Film 106G, der ersten Lochinjektionsschicht 131 und der ersten Lochtransportschicht 132 gesteuert; und die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 wird durch die Dicke von mindestens einem Bestandteil von dem dritten durchsichtigen leitenden Film 106R, der ersten Lochinjektionsschicht 131 und der ersten Lochtransportschicht 132 gesteuert.
  • Auf diese Weise kann die optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 dadurch gesteuert werden, dass die Dicken einer Vielzahl von Schichten zwischen der ersten reflektierenden Elektrode 104B und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 geändert werden. Dasselbe gilt auch für die optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode 104G und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 und die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der ersten Licht emittierenden Schicht 108.
  • Wie oben beschrieben worden ist, sind bei der Licht emittierenden Vorrichtung 100A die folgenden Bestandteile zusätzlich zu den Bestandteilen der Licht emittierenden Vorrichtung 100 in jedem Licht emittierenden Element angeordnet: die erste Lochinjektionsschicht 131, die erste Lochtransportschicht 132, die erste Elektronentransportschicht 133, die erste Elektroneninjektionsschicht 134, die zweite Lochinjektionsschicht 135, die zweite Lochtransportschicht 136, die zweite Elektronentransportschicht 137 und die zweite Elektroneninjektionsschicht 138. Die sonstigen Bestandteile sind denjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 100 in 1A ähnlich, und der Effekt wie im Falle der Licht emittierenden Vorrichtung 100 wird erhalten.
  • <Strukturbeispiel 3 für Licht emittierende Vorrichtung>
  • Als Nächstes wird ein Strukturbeispiel, das sich von demjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 100A in 1B unterscheidet, im Folgenden anhand von 3 beschrieben.
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung 1006 in 3 beinhaltet eine Trennwand 120 zusätzlich zu dem ersten Licht emittierenden Element 101B, dem zweiten Licht emittierenden Element 101G und dem dritten Licht emittierenden Element 101R, die in der Licht emittierenden Vorrichtung 100A in 1B enthalten sind. Die Licht emittierende Vorrichtung 100B beinhaltet auch ein Substrat 152, das dem Substrat 102 zugewandt ist. Das Substrat 152 ist mit einer Licht blockierenden Schicht 154, einem ersten optischen Element 156B, einem zweiten optischen Element 156G und einem dritten optischen Element 156R versehen.
  • Die Trennwand 120 weist eine isolierende Eigenschaft auf. Die Trennwand 120 bedeckt Endbereiche einer unteren Elektrode (der ersten reflektierenden Elektrode 104B, der zweiten reflektierenden Elektrode 104G, der dritten reflektierenden Elektrode 104R, des ersten durchsichtigen leitenden Films 106B, des zweiten durchsichtigen leitenden Films 106G oder des dritten durchsichtigen leitenden Films 106R) jedes Licht emittierenden Elements und weist eine Öffnung auf, die sich mit der unteren Elektrode überlappt.
  • Mit der Trennwand 120 können die unteren Elektroden der Licht emittierenden Elemente in Inselformen getrennt werden.
  • Die Licht blockierende Schicht 154 weist eine Funktion zum Blockieren von Licht von dem benachbarten Licht emittierenden Element auf. Es sei angemerkt, dass auch eine Struktur ohne die Licht blockierende Schicht 154 verwendet werden kann.
  • Das erste optische Element 156B, das zweite optische Element 156G und das dritte optische Element 156R weisen jeweils eine Funktion zum selektiven Durchlassen von Licht in einer bestimmten Farbe von einfallendem Licht auf. Mit dem ersten optischen Element 156B, dem zweiten optischen Element 156G und dem dritten optischen Element 156R kann die Farbreinheit jedes Licht emittierenden Elements erhöht werden.
  • Wie oben beschrieben worden ist, sind bei der Licht emittierenden Vorrichtung 100B die folgenden Bestandteile zusätzlich zu den Bestandteilen der Licht emittierenden Vorrichtung 100A angeordnet: die Trennwand 120, die die Endbereiche der unteren Elektrode jedes Licht emittierenden Elements bedeckt, sowie das erste optische Element 156B, das zweite optische Element 156G und das dritte optische Element 156R, die den Licht emittierenden Elementen zugewandt sind. Mit dem ersten optischen Element 156B, dem zweiten optischen Element 156G und dem dritten optischen Element 156R kann die Farbreinheit der Licht emittierenden Vorrichtung 100B erhöht werden. Die sonstigen Bestandteile sind denjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 100A in 1B ähnlich, und der Effekt wie im Falle der Licht emittierenden Vorrichtung 100A wird erhalten.
  • Nun werden sonstige Bestandteile der Licht emittierenden Vorrichtung 100 in 1A, der Licht emittierenden Vorrichtung 100A in 1B und der Licht emittierenden Vorrichtung 100B in 3 im Folgenden ausführlich beschrieben.
  • <Substrat>
  • Das Substrat 102 wird als Träger der Licht emittierenden Elemente verwendet. Das Substrat 152 wird als Träger der optischen Elemente verwendet. Für die Substrate 102 und 152 kann beispielsweise Glass, Quarz, Kunststoff oder dergleichen verwendet werden. Alternativ kann ein flexibles Substrat verwendet werden. Ein flexibles Substrat ist ein Substrat, das gebogen werden kann, wie z. B. ein Kunststoffsubstrat beispielsweise aus Polycarbonat, Polyarylat oder Polyethersulfon. Ein Film aus Polypropylen, Polyester, Polyvinylfluorid, Polyvinylchlorid oder dergleichen, ein durch Verdampfung ausgebildeter anorganischer Film oder dergleichen kann auch verwendet werden. Es sei angemerkt, dass andere Materialien auch verwendet werden können, solange sie als Träger bei einem Herstellungsprozess der Licht emittierenden Elemente und der optischen Elemente dienen können.
  • <Reflektierende Elektrode>
  • Die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G und die dritte reflektierende Elektrode 104R weisen jeweils eine Funktion als untere Elektrode oder Anode des entsprechenden Licht emittierenden Elements auf. Die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G und die dritte reflektierende Elektrode 104R werden jeweils unter Verwendung eines silberhaltigen, reflektierenden leitenden Materials ausgebildet. Beispiele für ein solches leitendes Material umfassen Silber (Ag) und eine Legierung, die Silber (Ag) und M (M stellt Y, Nd, Mg, Al, Ti, Ga, Zn, In, Mn, W, Sn, Fe, Ni, Cu, Pd, Ir oder Au dar) enthält. Beispiele für die silberhaltige Legierung umfassen eine Legierung, die Silber, Palladium und Kupfer enthält, eine Legierung, die Silber und Kupfer enthält, eine Legierung, die Silber und Magnesium enthält, eine Legierung, die Silber und Nickel enthält, und eine Legierung, die Silber und Gold enthält.
  • Die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G und die dritte reflektierende Elektrode 104R können jeweils unter Verwendung eines leitenden Materials ausgebildet werden, dessen Reflektivität für sichtbares Licht höher als oder gleich 40% und niedriger als oder gleich 100%, bevorzugt höher als oder gleich 70% und niedriger als oder gleich 100% ist, und dessen spezifischer Widerstand niedriger als oder gleich 1 × 10–2 Ω·cm ist. Die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G und die dritte reflektierende Elektrode 104R können jeweils durch ein Sputterverfahren, ein Verdampfverfahren, ein Druckverfahren, ein Beschichtungsverfahren oder dergleichen ausgebildet werden.
  • <Durchsichtiger leitender Film>
  • Der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G und der dritte durchsichtige leitende Film 106R weisen jeweils eine Funktion als untere Elektrode oder Anode des entsprechenden Licht emittierenden Elements auf. Zusätzlich weisen der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G und der dritte durchsichtige leitende Film 106R jeweils eine Funktion zum Steuern der optischen Weglänge auf, so dass gewünschtes Licht, das von der Licht emittierenden Schicht emittiert wird, in Resonanz gerät und seine Wellenlänge verstärkt werden kann.
  • Der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G und der dritte durchsichtige leitende Film 106R können jeweils unter Verwendung von beispielsweise ITO, Indiumoxid-Zinnoxid, das Silizium oder Siliziumoxid enthält (Indiumzinnoxid, das mit SiO2 dotiert ist; es wird nachstehend als ITSO bezeichnet), Indiumoxid-Zinkoxid (Indiumzinkoxid) oder Indiumoxid, das Wolframoxid und Zinkoxid enthält, ausgebildet werden. Im Besonderen werden der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G und der dritte durchsichtige leitende Film 106R jeweils vorzugsweise unter Verwendung eines Materials mit einer hohen Austrittsarbeit (höher als oder gleich 4,0 eV) ausgebildet. Der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G und der dritte durchsichtige leitende Film 106R können jeweils durch ein Sputterverfahren, ein Verdampfverfahren, ein Druckverfahren, ein Beschichtungsverfahren oder dergleichen ausgebildet werden.
  • <Semidurchlässige und semireflektierende Elektrode>
  • Die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 weist eine Funktion als obere Elektrode oder Kathode jedes Licht emittierenden Elements auf. Die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 wird unter Verwendung eines reflektierenden, lichtdurchlässigen leitenden Materials ausgebildet. Alternativ wird die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 unter Verwendung eines reflektierenden leitenden Materials und eines lichtdurchlässigen leitenden Materials ausgebildet. Beispiele für ein solches leitendes Material umfassen leitende Materialien, deren Reflektivität für sichtbares Licht höher als oder gleich 20% und niedriger als oder gleich 80%, bevorzugt höher als oder gleich 40% und niedriger als oder gleich 70% ist, und deren spezifischer Widerstand niedriger als oder gleich 1 × 10–2 Ω·cm ist. Die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 kann unter Verwendung von einer oder mehreren Art/en von leitenden Metallen, leitenden Legierungen, leitenden Verbindungen und dergleichen ausgebildet werden. Insbesondere wird vorzugsweise ein Material mit einer niedrigen Austrittsarbeit (niedriger als oder gleich 3,8 eV) verwendet. Beispiele für das Material umfassen Aluminium, Silber, ein Element der Gruppe 1 oder 2 des Periodensystems (beispielsweise ein Alkalimetall, wie z. B. Lithium oder Cäsium, ein Erdalkalimetall, wie z. B. Calcium oder Strontium, oder Magnesium), eine Legierung, die ein beliebiges Element dieser Elemente enthält (z. B. Ag-Mg oder Al-Li), ein Seltenerdmetall, wie z. B. Europium oder Ytterbium, und eine Legierung, die ein beliebiges Metall dieser Seltenerdmetalle enthält. Die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 kann durch ein Sputterverfahren, ein Verdampfverfahren, ein Druckverfahren, ein Beschichtungsverfahren oder dergleichen ausgebildet werden.
  • <Licht emittierende Schicht>
  • Die erste Licht emittierende Schicht 108 enthält die erste Licht emittierende Substanz, die Licht in mindestens einer Farbe von Violett, Blau und Blaugrün emittiert, und die zweite Licht emittierende Schicht 112 enthält die zweite Licht emittierende Substanz, die Licht in mindestens einer Farbe von Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange und Rot emittiert. Die erste Licht emittierende Schicht 108 enthält, zusätzlich zu der ersten Licht emittierenden Substanz, ein Elektronentransportmaterial und/oder ein Lochtransportmaterial. Die zweite Licht emittierende Schicht 112 enthält, zusätzlich zu der zweiten Licht emittierenden Substanz, ein Elektronentransportmaterial und/oder ein Lochtransportmaterial.
  • Als erste Licht emittierende Substanz und zweite Licht emittierende Substanz kann jede Licht emittierende Substanz, die Singulett-Anregungsenergie in Lumineszenz umwandelt, und jede Licht emittierende Substanz, die Triplett-Anregungsenergie in Lumineszenz umwandelt, verwendet werden. Beispiele für die Licht emittierende Substanz werden im Folgenden angegeben.
  • Beispiele für die Licht emittierende Substanz, die Singulett-Anregungsenergie in Lumineszenz umwandelt, umfassen Substanzen, die Fluoreszenz emittieren. Beispielsweise können die folgenden Substanzen verwendet werden: Substanzen, die blaues Licht emittieren (Emissionswellenlänge: größer als oder gleich 420 nm und kleiner als oder gleich 480 nm), wie z. B. N,N'-Bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenylstilben-4,4'-diamin (Abkürzung: YGA2S), 4-(9H-Carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamin (Abkürzung: YGAPA), 4-(9H-Carbazol-9-yl)-4'-(9,10-diphenyl-2-anthryl)triphenylamin (Abkürzung: 2YGAPPA), N,9-Diphenyl-N-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: PCAPA), 4-(10-Phenyl-9-anthryl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBAPA), 4-[4-(10-Phenyl-9-anthryl)phenyl]-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBAPBA), Perylen, 2,5,8,11-Tetra(tert-butyl)perylen (Abkürzung: TBP), N,N'-Bis[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenylpyren-1,6-diamin (Abkürzung: 1,6FLPAPrn) und N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis[3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]pyren-1,6-diamin (Abkürzung: 1,6mMemFLPAPrn); und Substanzen, die gelbes Licht emittieren (Emissionswellenlänge: größer als oder gleich 550 nm und kleiner als oder gleich 580 nm), wie z. B. Rubren, 5,12-Bis(1,1'-biphenyl-4-yl)-6,11-diphenyltetracen (Abkürzung: BPT), 2-(2-{2-[4-(Dimethylamino)phenyl]ethenyl}-6-methyl-4H-pyran-4-yliden)propandi nitril (Abkürzung: DCM1) und 2-{2-Methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]chinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-yliden}propandinitril (Abkürzung: DCM2).
  • Beispiele für die Licht emittierende Substanz, die Triplett-Anregungsenergie in Lumineszenz umwandelt, umfassen Substanzen, die Phosphoreszenz emittieren. Beispielsweise kann eine Substanz, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 440 nm und kleiner als oder gleich 520 nm aufweist, eine Substanz, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 520 nm und kleiner als oder gleich 600 nm aufweist, oder eine Substanz, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 700 nm aufweist, verwendet werden.
  • Beispiele für die Substanz, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 440 nm und kleiner als oder gleich 520 nm aufweist, umfassen metallorganische Iridiumkomplexe mit 4H-Triazol-Grüsten, wie z. B. Tris{2-[5-(2-methylphenyl)-4-(2,6-dimethylphenyl)-4H-1,2,4-tiazol-3-yl-κN2]phe nyl-kC}iridium(III) (Abkürzung: Ir(mpptz-dmp)3), Tris(5-methyl-3,4-diphenyl-4H-1,2,4-triazolato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(Mptz)3) und Tris[4-(3-biphenyl)-5-isopropyl-3-phenyl-4H-1,2,4-triazolato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(iPrptz-3b)3); metallorganische Iridiumkomplexe mit 1H-Triazol-Grüsten, wie z. B. Tris[3-methyl-1-(2-methylphenyl)-5-phenyl-1H-1,2,4-triazolato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(Mptz1-mp)3) und Tris(1-methyl-5-phenyl-3-propyl-1H-1,2,4-triazolato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(Prptz1-Me)3); metallorganische Iridiumkomplexe mit Imidazol-Gerüsten, wie z. B. fac-Tris[1-(2,6-diisopropylphenyl)-2-phenyl-1H-imidazol]iridium(III) (Abkürzung: Ir(iPrpmi)3) und Tris[3-(2,6-dimethylphenyl)-7-methylimidazo[1,2-f]phenanthridinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(dmpimpt-Me)3); und metallorganische Iridiumkomplexe, bei denen ein Phenylpyridin-Derivat mit einer elektronenziehenden Gruppe ein Ligand ist, wie z. B. Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)tetrakis(1-pyrazolyl)borat (Abkürzung: Flr6), Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)picolinat (Abkürzung: Flrpic), Bis{2-[3',5'-bis(trifluormethyl)phenyl]pyridinato-N,C2'}iridium(III)picolinat (Abkürzung: Ir(CF3ppy)2(pic)) und Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C2']iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Flr(acac)). Unter den vorstehenden Substanzen hat der metallorganische Iridiumkomplex mit einem 4H-Triazol-Gerüst eine hohe Zuverlässigkeit und eine hohe Emissionseffizienz und wird daher besonders bevorzugt.
  • Beispiele für die Substanz, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 520 nm und kleiner als oder gleich 600 nm aufweist, umfassen metallorganische Iridiumkomplexe mit Pyrimidin-Gerüsten, wie z. B. Tris(4-methyl-6-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppm)3), Tris(4-t-butyl-6-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tBuppm)3), (Acetylacetonato)bis(6-methyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppm)2(acac)), (Acetylacetonato)bis(6-tert-butyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tBuppm)2(acac)), (Acetylacetonato)bis[4-(2-norbornyl)-6-phenylpyrimidinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(nbppm)2(acac)), (Acetylacetonato)bis[5-methyl-6-(2-methylphenyl)-4-phenylpyrimidinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(mpmppm)2(acac)) und (Acetylacetonato)bis(4,6-diphenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(dppm)2(acac)); metallorganische Iridiumkomplexe mit Pyrazin-Gerüsten, wie z. B. (Acetylacetonato)bis(3,5-dimethyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppr-Me)2(acac)) und (Acetylacetonato)bis(5-isopropyl-3-methyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppr-iPr)2(acac)); metallorganische Iridiumkomplexe mit Pyridin-Gerüsten, wie z. B. Tris(2-phenylpyridinato-N,C2')iridium(III) (Abkürzung: Ir(ppy)3), Bis(2-phenylpyridinato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(ppy)2(acac)), Bis(benzo[h]chinolinato)iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(bzq)2(acac)), Tris(benzo[h]chinolinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(bzq)3), Tris(2-phenylchinolinato-N,C2')iridium(III) (Abkürzung: Ir(pq)3) und Bis(2-phenylchinolinato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(pq)2(acac)); und einen Seltenerdmetallkomplex wie z. B. Tris(acetylacetonato)(monophenanthrolin)terbium(III) (Abkürzung: Tb(acac)3(Phen)). Unter den vorstehenden Substanzen hat der metallorganische Iridiumkomplex mit einem Pyrimidin-Gerüst eine sehr hohe Zuverlässigkeit und eine sehr hohe Emissionseffizienz und wird daher besonders bevorzugt.
  • Unter den Substanzen, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 520 nm und kleiner als oder gleich 600 nm aufweisen, wird besonders bevorzugt eine Substanz verwendet, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 550 nm und kleiner als oder gleich 580 nm aufweist. Unter Verwendung der Substanz, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 550 nm und kleiner als oder gleich 580 nm aufweist, kann die Stromeffizienz des Licht emittierenden Elements erhöht werden.
  • Beispiele für die Substanz, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 550 nm und kleiner als oder gleich 580 nm aufweist, umfassen Bis{4,6-dimethyl-2-[6-(2,6-dimethylphenyl)-4-pyrimidinyl-κN3]phenyl-κC}(2,4-pentandionato-κ2O,O')iridium(III) (Abkürzung: Ir(dmppm-dmp)2(acac)).
  • Beispiele für die Substanz, die einen Emissionspeak bei größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 700 nm aufweist, umfassen metallorganische Iridiumkomplexe mit Pyrimidin-Gerüsten, wie z. B. (Diisobutyrylmethanato)bis[4,6-bis(3-methylphenyl)pyrimidinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(5mdppm)2(dibm)), Bis[4,6-bis(3-methylphenyl)pyrimidinato](dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(5mdppm)2(dpm)) und Bis[4,6-di(naphthalen-1-yl)pyrimidinato](dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(d1npm)2(dpm)); metallorganische Iridiumkomplexe mit Pyrazin-Gerüsten, wie z. B. (Acetylacetonato)bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tppr)2(acac)), Bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)(dipivaloylmethanato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tppr)2(dpm)) und (Acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorphenyl)chinoxalinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(Fdpq)2(acac)); metallorganische Iridiumkomplexe mit Pyridin-Gerüsten, wie z. B. Tris(1-phenylisochinolinato-N,C2')iridium(III) (Abkürzung: Ir(piq)3) und Bis(1-phenylisochinolinato-N,C2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(piq)2(acac)); einen Platinkomplex wie z. B. 2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphyrin-platin(II) (Abkürzung: PtOEP); und Seltenerdmetallkomplexe wie z. B. Tris(1,3-diphenyl-1,3-propandionato)(monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: Eu(DBM)3(Phen)) und Tris[1-(2-thenoyl)-3,3,3-trifluoracetonato](monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: Eu(TTA)3(Phen)). Unter den vorstehenden Substanzen hat der metallorganische Iridiumkomplex mit einem Pyrimidin-Gerüst eine sehr hohe Zuverlässigkeit und eine sehr hohe Emissionseffizienz und wird daher besonders bevorzugt. Ferner kann der metallorganische Iridiumkomplex mit einem Pyrazin-Gerüst eine rote Lichtemission mit vorteilhafter Chromatizität aufweisen.
  • Als Elektronentransportmaterial, das für die erste Licht emittierende Schicht 108 und die zweite Licht emittierende Schicht 112 verwendet wird, wird eine π-elektronenarme heteroaromatische Verbindung, wie z. B. eine stickstoffhaltige heteroaromatische Verbindung, bevorzugt, deren Beispiele umfassen: Chinoxalin-Derivate und Dibenzochinoxalin-Derivate, wie z. B. 2-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II), 2-[4-(3,6-Diphenyl-9H-carbazol-9-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2CzPDBq-III), 7-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 7mDBTPDBq-II) und 6-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxaiin (Abkürzung: 6mDBTPDBq-II).
  • Als Lochtransportmaterial, das für die erste Licht emittierende Schicht 108 und die zweite Licht emittierende Schicht 112 verwendet wird, wird eine π-elektronenreiche heteroaromatische Verbindung (z. B. ein Carbazol-Derivat oder ein Indol-Derivat) oder eine aromatische Aminverbindung bevorzugt, dessen Beispiele umfassen: 4-Phenyl-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBA1BP), 4,4'-Di(1-naphthyl)-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB), 3-[N-(1-Naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCN1), 4,4',4''-Tris[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]triphenylamin (Abkürzung: 1'-TNATA), 2,7-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-spiro-9,9'-bifluoren (Abkürzung: DPA2SF), N,N'-Bis(9-phenylcarbazol-3-yl)-N,N'-diphenylbenzol-1,3-diamin (Abkürzung: PCA2B), N-(9,9-Dimethyl-2-diphenylamino-9H-fluoren-7-yl)diphenylamin (Abkürzung: DPNF), N,N',N''-Triphenyl-N,N',N''-tris(9-phenylcarbazol-3-yl)benzol-1,3,5-triamin (Abkürzung: PCA3B), 2-[N-(9-Phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]spiro-9,9'-bifluoren (Abkürzung: PCASF), 2-[N-(4-Diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]spiro-9,9'-bifluoren (Abkürzung: DPASF), N,N'-Bis[4-(carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenyl-9,9-dimethylfluoren-2,7-diamin (Abkürzung: YGA2F), 4,4'-Bis[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: TPD), 4,4'-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: DPAB), N-(9,9-Dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-N-{9,9-dimethyl-2-[N'-phenyl-N'-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amino]-9H-fluoren-7-yl}phenylamin (Abkürzung: DFLADFL), 3-[N-(9-Phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCAq1), 3-[N-(4-Diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzDPA1), 3,6-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzDPA2), 4,4'-Bis(N-{4-[N-(3-methylphenyl)-N'-phenylamino]phenyl}-N-phenylamino)biphenyl (Abkürzung: DNTPD), 3,6-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-(1-naphthyl)amino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzTPN2) und 3,6-Bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA2).
  • <Lochinjektionsschicht und Lochtransportschicht>
  • Die erste Lochinjektionsschicht 131 injiziert Löcher über die erste Lochtransportschicht 132 mit einer hohen Lochtransporteigenschaft in die erste Licht emittierende Schicht 108 und enthält ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial. Die erste Lochinjektionsschicht 131 enthält ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial, so dass Elektronen durch das Akzeptormaterial von dem Lochtransportmaterial extrahiert werden, um Löcher zu erzeugen, und die Löcher werden über die erste Lochtransportschicht 132 in die erste Licht emittierende Schicht 108 injiziert. Die erste Lochinjektionsschicht 131 kann eine Struktur aufweisen, bei der ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial übereinander geschichtet sind. Die erste Lochtransportschicht 132 wird unter Verwendung eines Lochtransportmaterials ausgebildet. Die zweite Lochinjektionsschicht 135 injiziert Löcher über die zweite Lochtransportschicht 136 mit einer hohen Lochtransporteigenschaft in die zweite Licht emittierende Schicht 112 und enthält ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial. Die zweite Lochinjektionsschicht 135 enthält ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial, so dass Elektronen durch das Akzeptormaterial von dem Lochtransportmaterial extrahiert werden, um Löcher zu erzeugen, und die Löcher werden über die zweite Lochtransportschicht 136 in die zweite Licht emittierende Schicht 112 injiziert. Die zweite Lochinjektionsschicht 135 kann eine Struktur aufweisen, bei der ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial übereinander geschichtet sind. Die zweite Lochtransportschicht 136 wird unter Verwendung eines Lochtransportmaterials ausgebildet.
  • Beispiele für das Lochtransportmaterial, das für die erste Lochinjektionsschicht 131, die erste Lochtransportschicht 132, die zweite Lochinjektionsschicht 135 und die zweite Lochtransportschicht 136 verwendet wird, umfassen aromatische Aminverbindungen, wie z. B. 4,4'-Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: NPB oder α-NPD), N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamin (Abkürzung: TPD), 4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: TCTA), 4,4',4''-Tris(N,N'-diphenylamino)triphenylamin (Abkürzung: TDATA), 4,4',4''-Tris[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamin (Abkürzung: MTDATA) und 4,4'-Bis[N-(spiro-9,9'-bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: BSPB); 3-[N-(9-Phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA1); 3,6-Bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA2) und 3-[N-(1-Naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCN1). Weitere Beispiele umfassen Carbazol-Derivate, wie z. B. 4,4'-Di(N-carbazolyl)biphenyl (Abkürzung: CBP), 1,3,5-Tris[4-(N-carbazolyl)phenyl]benzol (Abkürzung: TCPB) und 9-[4-(10-Phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-Carbazol (Abkürzung: CzPA). Die hier genannten Substanzen sind hauptsächlich Substanzen mit einer Löcherbeweglichkeit von höher als oder gleich 1 × 10–6 cm2/Vs. Es sei angemerkt, dass andere Substanzen auch verwendet werden können, solange ihre Lochtransporteigenschaften höher sind als ihre Elektronentransporteigenschaften.
  • Des Weiteren kann eine hochmolekulare Verbindung, wie z. B. Poly(N-vinylcarbazol) (Abkürzung: PVK), Poly(4-vinyltriphenylamin) (Abkürzung: PVTPA), Poly[N-(4-{N'[4-(4-diphenylamino)phenyl]phenyl-N'-phenylamino}phenyl)methacrylamid] (Abkürzung: PTPDMA) oder Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin] (Abkürzung: Poly-TPD), verwendet werden.
  • Beispiele für das Akzeptormaterial, das für die erste Lochinjektionsschicht 131 und die zweite Lochinjektionsschicht 135 verwendet wird, umfassen Verbindungen mit einer elektronenziehenden Gruppe (einer Halogengruppe oder einer Cyanogruppe), wie z. B. 7,7,8,8-Tetracyano-2,3,5,6-tetrafluorchinodimethan (Abkürzung: F4-TCNQ), Chloranil und 2,3,6,7,10,11-Hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylen (HAT-CN). Insbesondere ist eine Verbindung, in der elektronenziehende Gruppen an einen kondensierten aromatischen Ring mit einer Vielzahl von Heteroatomen gebunden sind, wie z. B. HAT-CN, thermisch stabil und vorzuziehen. Ein Übergangsmetalloxid kann auch verwendet werden. Oxide der Metalle, die zu den Gruppen 4 bis 8 des Periodensystems gehören, können auch verwendet werden. Insbesondere wird Vanadiumoxid, Nioboxid, Tantaloxid, Chromoxid, Molybdänoxid, Wolframoxid, Manganoxid oder Rheniumoxid vorzugsweise verwendet, weil sie hohe Elektronenakzeptoreigenschaften aufweisen. Molybdänoxid wird im Besonderen bevorzugt, weil es an der Luft stabil ist, eine niedrige hygroskopische Eigenschaft aufweist und leicht gehandhabt werden kann.
  • Die erste Lochinjektionsschicht 131 und die zweite Lochinjektionsschicht 135 können auch unter Verwendung lediglich des vorstehenden Akzeptormaterials oder einer Kombination von dem vorstehenden Akzeptormaterial und einem weiteren Material ausgebildet werden. In diesem Fall extrahiert das Akzeptormaterial Elektronen von der Lochtransportschicht, so dass Löcher in die Lochtransportschicht injiziert werden können. Das Akzeptormaterial transportiert die extrahierten Elektronen zu der Anode.
  • <Elektronentransportschicht>
  • Die erste Elektronentransportschicht 133 und die zweite Elektronentransportschicht 137 enthalten jeweils eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft. Die erste Elektronentransportschicht 133 und die zweite Elektronentransportschicht 137 können jeweils unter Verwendung eines Metallkomplexes, wie z. B. Alq3, Tris(4-methyl-8-chinolinolato)aluminium (Abkürzung: Almq3), Bis(10-hydroxybenzo[h]-chinolinato)beryllium (Abkürzung: BeBq2), BAlq, Bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zink(II) (Abkürzung: Zn(BOX)2) oder Bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zink (Abkürzung: Zn(BTZ)2), ausgebildet werden. Des Weiteren kann eine heteroaromatische Verbindung, wie z. B. 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (Abkürzung: PBD), 1,3-Bis[5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzol (Abkürzung: OXD-7), 3-(4-tert-Butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-biphenylyl)-1,2,4-triazol (Abkürzung: TAZ), 3-(4-tert-Butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-biphenylyl)-1,2,4-triazol (Abkürzung: p-EtTAZ), Bathophenanthrolin (Abkürzung: Bphen), Bathocuproin (Abkürzung: BCP) oder 4,4'-Bis(5-methylbenzoxazol-2-yl)stilben (Abkürzung: BzOs) verwendet werden. Des Weiteren kann eine hochmolekulare Verbindung, wie z. B. Poly(2,5-pyridindiyl) (Abkürzung: PPy), Poly[(9,9-dihexylfluoren-2,7-diyl)-co-(pyridin-3,5-diyl)] (Abkürzung: PF-Py) oder Poly[(9,9-dioctylfluoren-2,7-diyl)-co-(2,2'-bipyridin-6,6'-diyl)] (Abkürzung: PF-BPy) verwendet werden. Die hier genannten Substanzen sind hauptsächlich Substanzen mit einer Elektronenbeweglichkeit von höher als oder gleich 1 × 10–6 cm2/Vs. Es sei angemerkt, dass andere Substanzen auch für die erste Elektronentransportschicht 133 und die zweite Elektronentransportschicht 137 verwendet werden können, solange ihre Elektronentransporteigenschaften höher sind als ihre Lochtransporteigenschaften.
  • Die erste Elektronentransportschicht 133 und die zweite Elektronentransportschicht 137 sind nicht auf eine Einzelschicht beschränkt und können eine Schichtanordnung aus zwei oder mehr Schichten sein, die beliebige Substanzen von den oben genannten Substanzen enthalten.
  • <Elektroneninjektionsschicht>
  • Die erste Elektroneninjektionsschicht 134 und die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 enthalten jeweils eine Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft. Die erste Elektroneninjektionsschicht 134 und die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 können jeweils unter Verwendung eines Alkalimetalls, eines Erdalkalimetalls oder seiner Verbindung, wie z. B. Lithiumfluorid (LiF), Cäsiumfluorid (CsF), Calciumfluorid (CaF2) oder Lithiumoxid (LiOx), ausgebildet werden. Des Weiteren kann eine Seltenerdmetallverbindung, wie z. B. Erbiumfluorid (ErF3), verwendet werden. Ein Elektrid kann auch für die erste Elektroneninjektionsschicht 134 und die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 verwendet werden. Beispiele für das Elektrid umfassen eine Substanz, in der Elektronen mit einer hohen Konzentration zu Calciumoxid-Aluminiumoxid hinzugefügt sind.
  • Ein Verbundmaterial, in dem eine organische Verbindung und ein Elektronendonator (Donator) vermischt sind, kann auch für die erste Elektroneninjektionsschicht 134 und die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 verwendet werden. Ein solches Verbundmaterial weist eine ausgezeichnete Elektroneninjektionseigenschaft und eine ausgezeichnete Elektronentransporteigenschaft auf, da durch den Elektronendonator Elektronen in der organischen Verbindung erzeugt werden. Die organische Verbindung ist in einem solchen Fall vorzugsweise ein Material, das in ausgezeichneter Weise die erzeugten Elektronen transportiert; konkrete Beispiele dafür umfassen die oben genannte Substanz zum Ausbilden der ersten Elektronentransportschicht 133 und der zweiten Elektronentransportschicht 137 (wie z. B. einen Metallkomplex oder eine heteroaromatische Verbindung). Als Elektronendonator kann eine Substanz verwendet werden, die eine Elektronen abgebende Eigenschaft hinsichtlich der organischen Verbindung zeigt. Insbesondere werden ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall und ein Seltenenerdmetall bevorzugt, und es können Lithium, Cäsium, Magnesium, Calcium, Erbium, Ytterbium und dergleichen angegeben werden. Des Weiteren werden ein Alkalimetalloxid und ein Erdalkalimetalloxid bevorzugt, und es können Lithiumoxid, Calciumoxid, Bariumoxid und dergleichen angegeben werden. Eine Lewis-Base, wie z. B. Magnesiumoxid, kann auch verwendet werden. Eine organische Verbindung, wie z. B. Tetrathiafulvalen (Abkürzung: TTF), kann auch verwendet werden.
  • <Ladungserzeugungsschicht>
  • Die Ladungserzeugungsschicht 110 weist eine Funktion zum Injizieren von Elektronen in eine der Licht emittierenden Schichten (die erste Licht emittierende Schicht 108 oder die zweite Licht emittierende Schicht 112) und zum Injizieren von Löchern in die andere Licht emittierende Schicht (die erste Licht emittierende Schicht 108 oder die zweite Licht emittierende Schicht 112) auf, wenn eine Spannung zwischen dem Paar von Elektroden (der unteren Elektrode und der oberen Elektrode) angelegt wird.
  • Wenn beispielsweise bei dem ersten Licht emittierenden Element 101B in 1A eine Spannung derart angelegt wird, dass das Potential der unteren Elektrode (der ersten reflektierenden Elektrode 104B und des ersten durchsichtigen leitenden Films 106B) höher ist als dasjenige der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114, injiziert die Ladungserzeugungsschicht 110 Elektronen in die erste Licht emittierende Schicht 108 und Löcher in die zweite Licht emittierende Schicht 112. Wenn bei dem ersten Licht emittierenden Element 101B in 1B eine Spannung derart angelegt wird, dass das Potential der unteren Elektrode (der ersten reflektierenden Elektrode 104B und des ersten durchsichtigen leitenden Films 106B) höher ist als dasjenige der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114, injiziert die Ladungserzeugungsschicht 110 Elektronen in die erste Elektroneninjektionsschicht 134 und Löcher in die zweite Lochinjektionsschicht 135.
  • Es sei angemerkt, dass hinsichtlich der Lichtextraktionseffizienz die Ladungserzeugungsschicht 110 bevorzugt sichtbares Licht durchlässt (konkret gesagt, hat die Ladungserzeugungsschicht 110 eine Durchlässigkeit für sichtbares Licht von höher als oder gleich 40%). Die Ladungserzeugungsschicht 110 funktioniert, auch wenn sie eine niedrigere Leitfähigkeit aufweist als das Paar von Elektroden (die untere Elektrode und die obere Elektrode).
  • Die Ladungserzeugungsschicht 110 kann entweder eine Struktur, bei der einem Lochtransportmaterial ein Elektronenakzeptor (Akzeptor) zugesetzt ist, oder eine Struktur aufweisen, bei der einem Elektronentransportmaterial ein Elektronendonator (Donator) zugesetzt ist. Alternativ können beide dieser Strukturen übereinander geschichtet sein.
  • Indem die Ladungserzeugungsschicht 110 unter Verwendung eines beliebigen Materials von den vorstehenden Materialien ausgebildet wird, kann ein Anstieg der Betriebsspannung, der durch die Schichtanordnung aus den Licht emittierenden Schichten hervorgerufen wird, unterdrückt werden.
  • Die vorstehende Licht emittierende Schicht, Lochtransportschicht, Lochinjektionsschicht, Elektronentransportschicht, Elektroneninjektionsschicht und Ladungserzeugungsschicht können jeweils durch ein beliebiges Verfahren der folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein Sputterverfahren, ein Verdampfverfahren (darunter auch ein Vakuum-Verdampfverfahren), ein Druckverfahren (wie z. B. Hochdruck, Tiefdruck, Kupfertiefdruck, Flachdruck und Schablonendruck), ein Tintenstrahlverfahren, ein Beschichtungsverfahren und dergleichen.
  • <Licht blockierende Schicht>
  • Die Licht blockierende Schicht 154 weist eine Funktion zum Blockieren von Licht von dem benachbarten Licht emittierenden Element und zum Verhindern einer Mischung von Licht auf. Zudem weist die Licht blockierende Schicht 154 eine Funktion zum Verringern der Reflexion von externem Licht auf. Für die Licht blockierende Schicht 154 kann ein Metall, ein Harz, das ein schwarzes Pigment enthält, Ruß, ein Metalloxid, ein Verbundoxid, das einen Mischkristall von einer Vielzahl von Metalloxiden enthält, oder dergleichen verwendet werden.
  • <Optisches Element>
  • Das erste optische Element 156B, das zweite optische Element 156G und das dritte optische Element 156R lassen jeweils selektiv Licht in einer bestimmten Farbe von einfallendem Licht durch. Beispielsweise kann ein Farbfilter, ein Bandpassfilter, ein mehrschichtiges Filter oder dergleichen verwendet werden. Farbumwandlungselemente können auch als optische Elemente verwendet werden. Ein Farbumwandlungselement ist ein optisches Element, das einfallendes Licht in Licht mit einer längeren Wellenlänge als das einfallende Licht umwandelt. Als Farbwandlungselemente werden Quantenpunktelemente vorteilhaft verwendet. Die Verwendung der Quantenpunktelemente kann die Farbreproduzierbarkeit der Licht emittierenden Vorrichtung erhöhen.
  • Das erste optische Element 156B lässt blaues Licht von Licht durch, das von dem ersten Licht emittierenden Element 101B emittiert wird. Das zweite optische Element 156G lässt grünes Licht von Licht durch, das von dem zweiten Licht emittierenden Element 101G emittiert wird. Das dritte optische Element 156R lässt rotes Licht von Licht durch, das von dem dritten Licht emittierenden Element 101R emittiert wird.
  • Eine Vielzahl von optischen Elementen kann auch über jedem des ersten Licht emittierenden Elements 101B, des zweiten Licht emittierenden Elements 101G und des dritten Licht emittierenden Elements 101R geschichtet sein. Als optisches Element kann beispielsweise auch eine zirkular polarisierende Platte, ein Antireflexionsfilm oder dergleichen verwendet werden. Eine zirkular polarisierende Platte, die an der Seite angeordnet ist, von der Licht, das von dem Licht emittierenden Element der Licht emittierenden Vorrichtung emittiert wird, extrahiert wird, kann ein Phänomen verhindern, dass Licht, das von außerhalb der Licht emittierenden Vorrichtung einfällt, in der Licht emittierenden Vorrichtung reflektiert und nach außen emittiert wird. Ein Antireflexionsfilm kann externes Licht abschwächen, das von einer Oberfläche der Licht emittierenden Vorrichtung reflektiert wird. Folglich ist Licht, das von der Licht emittierenden Vorrichtung emittiert wird, deutlich wahrzunehmen.
  • <Strukturbeispiel 4 für Licht emittierende Vorrichtung>
  • Als Nächstes wird ein Strukturbeispiel, das sich von demjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 100 in 1A unterscheidet, im Folgenden anhand von 4A beschrieben.
  • 4A ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Eine Licht emittierende Vorrichtung 160 in 4A beinhaltet das erste Licht emittierende Element 101B, das eine Funktion zum Emittieren von blauem Licht aufweist, das zweite Licht emittierende Element 101G, das eine Funktion zum Emittieren von grünem Licht aufweist, das dritte Licht emittierende Element 101R, das eine Funktion zum Emittieren von rotem Licht aufweist, und ein viertes Licht emittierendes Element 101Y, das eine Funktion zum Emittieren von gelbem Licht aufweist.
  • Das erste Licht emittierende Element 101B, das zweite Licht emittierende Element 101G und das dritte Licht emittierende Element 101R weisen Strukturen auf, die denjenigen des ersten Licht emittierenden Elements 101B, des zweiten Licht emittierenden Elements 101G bzw. des dritten Licht emittierenden Elements 101R in 1A ähnlich sind. Das vierte Licht emittierende Element 101Y beinhaltet eine vierte reflektierende Elektrode 104Y, einen vierten durchsichtigen leitenden Film 106Y über der vierten reflektierenden Elektrode 104Y, die erste Licht emittierende Schicht 108 über dem vierten durchsichtigen leitenden Film 106Y, die Ladungserzeugungsschicht 110 über der ersten Licht emittierenden Schicht 108, die zweite Licht emittierende Schicht 112 über der Ladungserzeugungsschicht 110 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 über der zweiten Licht emittierenden Schicht 112.
  • Die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G, die dritte reflektierende Elektrode 104R und die vierte reflektierende Elektrode 104Y enthalten jeweils Silber. Wenn die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G, die dritte reflektierende Elektrode 104R und die vierte reflektierende Elektrode 104Y jeweils unter Verwendung eines silberhaltigen Materials ausgebildet werden, kann die Reflektivität erhöht werden, und die Emissionseffizienz jedes Licht emittierenden Elements kann erhöht werden. Beispielsweise wird ein silberhaltiger leitender Film ausgebildet und in eine Inselform getrennt. Auf diese Weise können die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G, die dritte reflektierende Elektrode 104R und die vierte reflektierende Elektrode 104Y ausgebildet werden. Die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G, die dritte reflektierende Elektrode 104R und die vierte reflektierende Elektrode 104Y werden vorzugsweise durch einen Schritt zum Verarbeiten des gleichen leitenden Films ausgebildet, weil die Herstellungskosten verringert werden können.
  • In 4A umfasst die zweite Licht emittierende Schicht 112 die zweite Licht emittierende Schicht 112a und die zweite Licht emittierende Schicht 112b. Die zweite Licht emittierende Schicht 112 kann eine einschichtige Struktur, eine geschichtete Struktur, die zwei Schichten wie in 4A umfasst, oder eine geschichtete Struktur aufweisen, die drei oder mehr Schichten umfasst.
  • In 4A sind die erste Licht emittierende Schicht 108, die Ladungserzeugungsschicht 110, die zweite Licht emittierende Schicht 112 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 für die ersten bis vierten Licht emittierenden Elemente 101B bis 101Y getrennt. Jedoch können sie auch verwendet werden, ohne getrennt zu werden. Deshalb werden bei dem zweiten Licht emittierenden Element 101G, dem dritten Licht emittierenden Element 101R und dem vierten Licht emittierenden Element 101Y die erste Licht emittierende Schicht 108, die Ladungserzeugungsschicht 110, die zweite Licht emittierende Schicht 112 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 durch die gleichen Schraffuren wie bei dem ersten Licht emittierenden Element 101B dargestellt und nicht besonders durch Bezugszeichen bezeichnet.
  • Wie oben beschrieben worden ist, ist bei der Licht emittierenden Vorrichtung 160 in 4A das vierte Licht emittierende Element 101Y zusätzlich zu den Bestandteilen der Licht emittierenden Vorrichtung 100 in 1A bereitgestellt.
  • Das vierte Licht emittierende Element 101Y in der Licht emittierenden Vorrichtung 160 wird im Folgenden ausführlich beschrieben.
  • Das vierte Licht emittierende Element 101Y weist eine Mikrokavitätsstruktur auf. Licht, das von der ersten Licht emittierenden Schicht 108 und der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 emittiert wird, gerät in Resonanz zwischen einem Paar von Elektroden (zwischen der vierten reflektierenden Elektrode 104Y und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114). Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 160 wird die Dicke des vierten durchsichtigen leitenden Films 106Y in dem vierten Licht emittierenden Element 101Y derart gesteuert, dass eine gewünschte Emissionswellenlänge von Licht, das von der ersten Licht emittierenden Schicht 108 und der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 emittiert wird, verstärkt werden kann.
  • Insbesondere wird die Dicke des vierten durchsichtigen leitenden Films 106Y derart gesteuert, dass die optische Weglänge zwischen der vierten reflektierenden Elektrode 104Y und der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 114 mwλY/2 sein kann (mw ist eine natürliche Zahl und λY ist eine Wellenlänge (größer als oder gleich 550 nm und kleiner als oder gleich 580 nm) von gelbem Licht).
  • Indem die Dicke des vierten durchsichtigen leitenden Films 106Y gesteuert wird, kann die optische Weglänge zwischen der vierten reflektierenden Elektrode 104Y und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 kleiner als 3/4λY, bevorzugt größer als oder gleich 1/4λY und kleiner als 3/4λY, sein. Indem die Dicke des vierten durchsichtigen leitenden Films 106Y gesteuert wird, kann die optische Weglänge zwischen der vierten reflektierenden Elektrode 104Y und der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 ungefähr 3/4λY sein. Wenn die optische Weglänge wie oben beschrieben eingestellt wird, kann bei dem vierten Licht emittierenden Element 101Y gelbes Licht effizient von der zweiten Licht emittierenden Substanz, die in der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 enthalten ist, extrahiert werden.
  • Wie oben beschrieben worden ist, weist der vierte durchsichtige leitende Film 106Y eine Funktion zum Steuern der optischen Weglänge bei dem vierten Licht emittierenden Element 101Y auf. Wenn die optische Weglänge bei jedem Licht emittierenden Element gesteuert wird, wird der erste durchsichtige leitende Film 106B dicker ausgebildet als der dritte durchsichtige leitende Film 106R, der dritte durchsichtige leitende Film 106R wird dicker ausgebildet als der vierte durchsichtige leitende Film 106Y, und der vierte durchsichtige leitende Film 106Y wird dicker ausgebildet als der zweite durchsichtige leitende Film 106G. Mit anderen Worten: Der erste durchsichtige leitende Film 106B hat einen ersten Bereich, der zweite durchsichtige leitende Film 106G hat einen zweiten Bereich, der dritte durchsichtige leitende Film 106R hat einen dritten Bereich, und der vierte durchsichtige leitende Film 106Y hat einen vierten Bereich. Der erste Bereich ist dicker als der dritte Bereich, der dritte Bereich ist dicker als der vierte Bereich, und der vierte Bereich ist dicker als der zweite Bereich.
  • Wie oben beschrieben worden ist, ist bei der Licht emittierenden Vorrichtung 160 das vierte Licht emittierende Element 101Y zusätzlich zu den Bestandteilen der Licht emittierenden Vorrichtung 100 bereitgestellt. Die sonstigen Bestandteile sind denjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 100 in 1A ähnlich, und der Effekt wie im Falle der Licht emittierenden Vorrichtung 100 wird erhalten.
  • <Strukturbeispiel 5 für Licht emittierende Vorrichtung>
  • Als Nächstes wird ein Strukturbeispiel, das sich von demjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 160 in 4A unterscheidet, im Folgenden anhand von 4B beschrieben.
  • 4B ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. In 4B wird ein Abschnitt mit einer ähnlichen Funktion wie in 4A durch die gleiche Schraffur wie in 4A dargestellt und in einigen Fällen nicht besonders durch ein Bezugszeichen bezeichnet. Zudem werden gleiche Bezugszeichen für Abschnitte mit ähnlichen Funktionen verwendet, und eine ausführliche Beschreibung der Abschnitte wird in einigen Fällen weggelassen.
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung 160A in 4B beinhaltet das erste Licht emittierende Element 101B, das eine Funktion zum Emittieren von blauem Licht aufweist, das zweite Licht emittierende Element 101G, das eine Funktion zum Emittieren von grünem Licht aufweist, das dritte Licht emittierende Element 101R, das eine Funktion zum Emittieren von rotem Licht aufweist, und das vierte Licht emittierende Element 101Y, das eine Funktion zum Emittieren von gelbem Licht aufweist.
  • Das erste Licht emittierende Element 101B, das zweite Licht emittierende Element 101G und das dritte Licht emittierende Element 101R weisen Strukturen auf, die denjenigen des ersten Licht emittierenden Elements 101B, des zweiten Licht emittierenden Elements 101G bzw. des dritten Licht emittierenden Elements 101R in 1B ähnlich sind. Das vierte Licht emittierende Element 101Y beinhaltet die vierte reflektierende Elektrode 104Y, den vierten durchsichtigen leitenden Film 106Y über der vierten reflektierenden Elektrode 104Y, die erste Lochinjektionsschicht 131 über dem vierten durchsichtigen leitenden Film 106Y, die erste Lochtransportschicht 132 über der ersten Lochinjektionsschicht 131, die erste Licht emittierende Schicht 108 über der ersten Lochtransportschicht 132, die erste Elektronentransportschicht 133 über der ersten Licht emittierenden Schicht 108, die erste Elektroneninjektionsschicht 134 über der ersten Elektronentransportschicht 133, die Ladungserzeugungsschicht 110 über der ersten Elektroneninjektionsschicht 134, die zweite Lochinjektionsschicht 135 über der Ladungserzeugungsschicht 110, die zweite Lochtransportschicht 136 über der zweiten Lochinjektionsschicht 135, die zweite Licht emittierende Schicht 112 über der zweiten Lochtransportschicht 136, die zweite Elektronentransportschicht 137 über der zweiten Licht emittierenden Schicht 112, die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 über der zweiten Elektronentransportschicht 137 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 über der zweiten Elektroneninjektionsschicht 138.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 160A wird die optische Weglänge zwischen der vierten reflektierenden Elektrode 104Y und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 durch die Dicke von mindestens einem Bestandteil von dem vierten durchsichtigen leitenden Film 106Y, der ersten Lochinjektionsschicht 131 und der ersten Lochtransportschicht 132 gesteuert.
  • Auf diese Weise kann die optische Weglänge zwischen der vierten reflektierenden Elektrode 104Y und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 dadurch gesteuert werden, dass die Dicken einer Vielzahl von Schichten zwischen der vierten reflektierenden Elektrode 104Y und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 geändert werden.
  • Wie oben beschrieben worden ist, sind bei der Licht emittierenden Vorrichtung 160A die folgenden Bestandteile zusätzlich zu den Bestandteilen der Licht emittierenden Vorrichtung 160 in jedem Licht emittierenden Element angeordnet: die erste Lochinjektionsschicht 131, die erste Lochtransportschicht 132, die erste Elektronentransportschicht 133, die erste Elektroneninjektionsschicht 134, die zweite Lochinjektionsschicht 135, die zweite Lochtransportschicht 136, die zweite Elektronentransportschicht 137 und die zweite Elektroneninjektionsschicht 138. Die sonstigen Bestandteile sind denjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 160 in 4A ähnlich, und der Effekt wie im Falle der Licht emittierenden Vorrichtung 160 wird erhalten.
  • <Strukturbeispiel 6 für Licht emittierende Vorrichtung>
  • Als Nächstes wird ein Strukturbeispiel, das sich von demjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 160A in 4B unterscheidet, im Folgenden anhand von 5 beschrieben.
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung 160B in 5 beinhaltet die Trennwand 120 zusätzlich zu dem ersten Licht emittierenden Element 101B, dem zweiten Licht emittierenden Element 101G, dem dritten Licht emittierenden Element 101R und dem vierten Licht emittierenden Element 101Y, die in der Licht emittierenden Vorrichtung 160A in 4B enthalten sind. Die Licht emittierende Vorrichtung 160B beinhaltet auch das Substrat 152, das dem Substrat 102 zugewandt ist. Das Substrat 152 ist mit der Licht blockierenden Schicht 154, dem ersten optischen Element 156B, dem zweiten optischen Element 156G, dem dritten optischen Element 156R und einem vierten optischen Element 156Y versehen.
  • Die Trennwand 120, die Licht blockierende Schicht 154, das erste optische Element 156B, das zweite optische Element 156G und das dritte optische Element 156R können Strukturen aufweisen, die denjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 100B in 3 ähnlich sind. Das vierte optische Element 156Y weist eine Funktion zum selektiven Durchlassen von Licht in einer bestimmten Farbe von einfallendem Licht auf. Mit dem vierten optischen Element 156Y kann die Farbreinheit des vierten Licht emittierenden Elements 101Y erhöht werden.
  • Wie oben beschrieben worden ist, sind bei der Licht emittierenden Vorrichtung 160B die folgenden Bestandteile zusätzlich zu den Bestandteilen der Licht emittierenden Vorrichtung 160 angeordnet: die Trennwand 120, die die Endbereiche der unteren Elektrode jedes Licht emittierenden Elements bedeckt, sowie das erste optische Element 156B, das zweite optische Element 156G, das dritte optische Element 156R und das vierte optische Element 156Y, die den Licht emittierenden Elementen zugewandt sind. Die sonstigen Bestandteile sind denjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 160 in 4A ähnlich, und der Effekt wie im Falle der Licht emittierenden Vorrichtung 160 wird erhalten.
  • <Strukturbeispiel 7 für Licht emittierende Vorrichtung>
  • Als Nächstes wird ein Strukturbeispiel, das sich von demjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 160B in 5 unterscheidet, im Folgenden anhand von 6 beschrieben.
  • Bei einer Licht emittierenden Vorrichtung 160C in 6 ist das vierte optische Element 156Y, das in der Licht emittierenden Vorrichtung 160B in 5 enthalten ist, nicht angeordnet. Die sonstigen Bestandteile sind denjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 160B in 5 ähnlich, und der Effekt wie im Falle der Licht emittierenden Vorrichtung 160B wird erhalten.
  • Da das vierte optische Element 156Y, das sich mit dem vierten Licht emittierenden Element 101Y überlappt, nicht angeordnet ist, geht weniger Energie von Licht, das von dem vierten Licht emittierenden Element 101Y emittiert wird, verloren als bei der Struktur mit dem vierten optischen Element 156Y, was zu einem niedrigeren Stromverbrauch führt.
  • <Strukturbeispiel 8 für Licht emittierende Vorrichtung>
  • Als Nächstes wird ein Strukturbeispiel, das sich von demjenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 160C in 6 unterscheidet, im Folgenden anhand von 7 beschrieben.
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung 160D in 7 beinhaltet ein fünftes Licht emittierendes Element 101W anstelle des vierten Licht emittierenden Elements 101Y, das in der Licht emittierenden Vorrichtung 160C in 6 enthalten ist.
  • Das fünfte Licht emittierende Element 101W beinhaltet eine fünfte reflektierende Elektrode 104W, einen fünften durchsichtigen leitenden Film 106W über der fünften reflektierenden Elektrode 104W, die erste Lochinjektionsschicht 131 über dem fünften durchsichtigen leitenden Film 106W, die erste Lochtransportschicht 132 über der ersten Lochinjektionsschicht 131, die erste Licht emittierende Schicht 108 über der ersten Lochtransportschicht 132, die erste Elektronentransportschicht 133 über der ersten Licht emittierenden Schicht 108, die erste Elektroneninjektionsschicht 134 über der ersten Elektronentransportschicht 133, die Ladungserzeugungsschicht 110 über der ersten Elektroneninjektionsschicht 134, die zweite Lochinjektionsschicht 135 über der Ladungserzeugungsschicht 110, die zweite Lochtransportschicht 136 über der zweiten Lochinjektionsschicht 135, die zweite Licht emittierende Schicht 112 über der zweiten Lochtransportschicht 136, die zweite Elektronentransportschicht 137 über der zweiten Licht emittierenden Schicht 112, die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 über der zweiten Elektronentransportschicht 137 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 über der zweiten Elektroneninjektionsschicht 138.
  • Bei dem fünften Licht emittierenden Element 101W wird die optische Weglänge zwischen der fünften reflektierenden Elektrode 104W und der ersten Licht emittierenden Schicht 108 durch die Dicke von mindestens einem Bestandteil von dem fünften durchsichtigen leitenden Film 106W, der ersten Lochinjektionsschicht 131 und der ersten Lochtransportschicht 132 gesteuert.
  • Beispielsweise ist die Dicke des fünften durchsichtigen leitenden Films 106W im Wesentlichen gleich derjenigen des dritten durchsichtigen leitenden Films 106R. Bei dem fünften Licht emittierenden Element 101W werden eine Lichtemission von der ersten Licht emittierenden Substanz, die in der ersten Licht emittierenden Schicht 108 enthalten ist, und eine Lichtemission von der zweiten Licht emittierenden Substanz, die in der zweiten Licht emittierenden Schicht 112 enthalten ist, derart kombiniert, dass eine weiße Lichtemission erhalten werden kann.
  • Außerdem ist kein optisches Element angeordnet, das sich mit dem fünften Licht emittierenden Element 101W überlappt. Daher geht weniger Energie von Licht, das von dem fünften Licht emittierenden Element 101W emittiert wird, verloren als bei dem ersten Licht emittierenden Element 101B, dem zweiten Licht emittierenden Element 101G und dem dritten Licht emittierenden Element 101R, was zu einem niedrigeren Stromverbrauch führt.
  • Die vorstehenden Strukturen der Licht emittierenden Vorrichtungen können gegebenenfalls kombiniert werden.
  • <Herstellungsverfahren 1 der Licht emittierenden Vorrichtung>
  • Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Folgenden anhand von 8A bis 8D sowie 9A und 9B beschrieben. Hier wird ein Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Vorrichtung 160B in 5 beschrieben.
  • 8A bis 8D sowie 9A und 9B sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • Das im Folgenden beschriebene Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Vorrichtung 160B umfasst erste bis siebte Schritte.
  • <Erster Schritt>
  • In dem ersten Schritt wird eine reflektierende Elektrode (z. B. die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G, die dritte reflektierende Elektrode 104R oder die vierte reflektierende Elektrode 104Y) jedes Licht emittierenden Elements über dem Substrat 102 ausgebildet (siehe 8A).
  • Bei dieser Ausführungsform wird ein reflektierender leitender Film über dem Substrat 102 ausgebildet und in eine gewünschte Form verarbeitet. Auf diese Weise werden die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G, die dritte reflektierende Elektrode 104R und die vierte reflektierende Elektrode 104Y ausgebildet. Als reflektierender leitender Film wird ein Legierungsfilm von Silber, Palladium und Kupfer verwendet.
  • Es sei angemerkt, dass eine Vielzahl von Transistoren vor dem ersten Schritt über dem Substrat 102 ausgebildet werden kann. Die Vielzahl von Transistoren kann elektrisch mit der ersten reflektierenden Elektrode 104B, der zweiten reflektierenden Elektrode 104G, der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der vierten reflektierenden Elektrode 104Y verbunden werden.
  • <Zweiter Schritt>
  • In dem zweiten Schritt wird ein durchsichtiger leitender Film (z. B. der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G, der dritte durchsichtige leitende Film 106R oder der vierte durchsichtige leitende Film 106Y) jedes Licht emittierenden Elements über der reflektierenden Elektrode ausgebildet (siehe 8B).
  • Bei dieser Ausführungsform wird ein durchsichtiger leitender Film über dem Substrat 102, der ersten reflektierenden Elektrode 104B, der zweiten reflektierenden Elektrode 104G, der dritten reflektierenden Elektrode 104R und der vierten reflektierenden Elektrode 104Y ausgebildet und in eine gewünschte Form verarbeitet. Auf diese Weise werden der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G, der dritte durchsichtige leitende Film 106R und der vierte durchsichtige leitende Film 106Y ausgebildet. Als durchsichtiger leitender Film wird ein ITSO-Film bei dieser Ausführungsform verwendet.
  • Der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G, der dritte durchsichtige leitende Film 106R und der vierte durchsichtige leitende Film 106Y können durch mehrere Schritte ausgebildet werden. Wenn der erste durchsichtige leitende Film 106B, der zweite durchsichtige leitende Film 106G, der dritte durchsichtige leitende Film 106R und der vierte durchsichtige leitende Film 106Y durch mehrere Schritte ausgebildet werden, können sie mit Dicken ausgebildet werden, mit denen jedes Licht emittierende Element eine Mikrokavitätsstruktur aufweisen kann.
  • <Dritter Schritt>
  • In dem dritten Schritt wird die Trennwand 120 ausgebildet, die Endbereiche einer unteren Elektrode (z. B. der ersten reflektierenden Elektrode 104B, der zweiten reflektierenden Elektrode 104G, der dritten reflektierenden Elektrode 104R, der vierten reflektierenden Elektrode 104Y, des ersten durchsichtigen leitenden Films 106B, des zweiten durchsichtigen leitenden Films 106G, des dritten durchsichtigen leitenden Films 106R oder des vierten durchsichtigen leitenden Films 106Y) jedes Licht emittierenden Elements bedeckt (siehe 8C).
  • Die Trennwand 120 weist eine Öffnung auf, die sich mit der unteren Elektrode überlappt. Der durchsichtige leitende Film, der sich mit der Öffnung überlappt, dient als untere Elektrode des Licht emittierenden Elements. Bei dieser Ausführungsform wird ein Acrylharz für die Trennwand 120 verwendet.
  • In den ersten bis dritten Schritten können verschiedene Filmausbildungsverfahren und Mikrobearbeitungstechniken zum Einsatz kommen, da es keine Möglichkeit gibt, dass eine Licht emittierende Schicht, die eine organische Verbindung enthält, beschädigt wird. Bei dieser Ausführungsform wird ein reflektierender leitender Film durch ein Sputterverfahren ausgebildet, ein Muster wird durch ein Lithografieverfahren über dem reflektierenden leitenden Film ausgebildet, und dann wird der reflektierende leitende Film durch ein Trockenätzverfahren oder ein Nassätzverfahren in eine Inselform verarbeitet, um die erste reflektierende Elektrode 104B, die zweite reflektierende Elektrode 104G, die dritte reflektierende Elektrode 104R und die vierte reflektierende Elektrode 104Y auszubilden. Dann wird ein durchsichtiger leitender Film durch ein Sputterverfahren ausgebildet, ein Muster wird durch ein Lithografieverfahren über dem durchsichtigen leitenden Film ausgebildet, und dann wird der durchsichtige leitende Film durch ein Nassätzverfahren in eine Inselform verarbeitet, um den ersten durchsichtigen leitenden Film 106B, den zweiten durchsichtigen leitenden Film 106G, den dritten durchsichtigen leitenden Film 106R und den vierten durchsichtigen leitenden Film 106Y auszubilden.
  • <Vierter Schritt>
  • In dem vierten Schritt werden die erste Lochinjektionsschicht 131, die erste Lochtransportschicht 132, die erste Licht emittierende Schicht 108, die erste Elektronentransportschicht 133, die erste Elektroneninjektionsschicht 134 und die Ladungserzeugungsschicht 110 ausgebildet (siehe 8D).
  • Die erste Lochinjektionsschicht 131 kann durch Co-Verdampfung eines Lochtransportmaterials und eines Materials, das eine Akzeptorsubstanz enthält, ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass Co-Verdampfung ein Verdampfverfahren ist, bei dem mehrere verschiedene Substanzen gleichzeitig aus jeweiligen Verdampfquellen verdampft werden. Die erste Lochtransportschicht 132 kann durch Verdampfung eines Lochtransportmaterials ausgebildet werden.
  • Die erste Licht emittierende Schicht 108 kann durch Verdampfung der ersten Licht emittierenden Substanz, die Licht in mindestens einer Farbe von Violett, Blau und Blaugrün emittiert, ausgebildet werden. Als erste Licht emittierende Substanz kann eine fluoreszierende organische Verbindung verwendet werden. Es kann lediglich die fluoreszierende organische Verbindung verdampft werden, oder die fluoreszierende organische Verbindung, die mit einem weiteren Material vermischt ist, kann verdampft werden. Beispielsweise kann die fluoreszierende organische Verbindung als Gastmaterial verwendet werden, und das Gastmaterial kann in ein Wirtsmaterial, das eine höhere Anregungsenergie aufweist als das Gastmaterial, dispergiert und verdampft werden.
  • Die erste Elektronentransportschicht 133 kann durch Verdampfung einer Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft ausgebildet werden. Die erste Elektroneninjektionsschicht 134 kann durch Verdampfung einer Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft ausgebildet werden.
  • Die Ladungserzeugungsschicht 110 kann durch Verdampfung eines Materials, das durch Zusatz eines Elektronenakzeptors (Akzeptors) zu einem Lochtransportmaterial erhalten wird, oder eines Materials ausgebildet werden, das durch Zusatz eines Elektronendonators (Donators) zu einem Elektronentransportmaterial erhalten wird.
  • <Fünfter Schritt>
  • In dem fünften Schritt werden die zweite Lochinjektionsschicht 135, die zweite Lochtransportschicht 136, die zweite Licht emittierende Schicht 112, die zweite Elektronentransportschicht 137, die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 und die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 ausgebildet (siehe 9A).
  • Die zweite Lochinjektionsschicht 135 kann unter Verwendung eines Materials und eines Verfahrens ausgebildet werden, die denjenigen der ersten Lochinjektionsschicht 131 ähnlich sind. Die zweite Lochtransportschicht 136 kann unter Verwendung eines Materials und eines Verfahrens ausgebildet werden, die denjenigen der ersten Lochtransportschicht 132 ähnlich sind.
  • Die zweite Licht emittierende Schicht 112 kann durch Verdampfung der zweiten Licht emittierenden Substanz, die Licht in mindestens einer Farbe von Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange und Rot emittiert, ausgebildet werden. Als zweite Licht emittierende Substanz kann eine phosphoreszierende organische Verbindung verwendet werden. Es kann lediglich die phosphoreszierende organische Verbindung verdampft werden, oder die phosphoreszierende organische Verbindung, die mit einem weiteren Material vermischt ist, kann verdampft werden. Beispielsweise kann die phosphoreszierende organische Verbindung als Gastmaterial verwendet werden, und das Gastmaterial kann in ein Wirtsmaterial, das eine höhere Anregungsenergie aufweist als das Gastmaterial, dispergiert und verdampft werden.
  • Die zweite Elektronentransportschicht 137 kann durch Verdampfung einer Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft ausgebildet werden. Die zweite Elektroneninjektionsschicht 138 kann durch Verdampfung einer Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft ausgebildet werden.
  • Die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 kann ausgebildet werden, indem ein reflektierender leitender Film und ein lichtdurchlässiger leitender Film übereinander geschichtet werden. Die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 114 kann eine einschichtige Struktur oder eine geschichtete Struktur aufweisen.
  • Durch die vorstehenden Schritte werden das erste Licht emittierende Element 101B, das zweite Licht emittierende Element 101G, das dritte Licht emittierende Element 101R und das vierte Licht emittierende Element 101Y über dem Substrat 102 ausgebildet.
  • <Sechster Schritt>
  • In dem sechsten Schritt werden die Licht blockierende Schicht 154, das erste optische Element 156B, das zweite optische Element 156G, das dritte optische Element 156R und das vierte optische Element 156Y über dem Substrat 152 ausgebildet (siehe 9B).
  • Als die Licht blockierende Schicht 154 wird ein organischer Harzfilm, der ein schwarzes Pigment enthält, in einem gewünschten Bereich ausgebildet. Dann werden das erste optische Element 156B, das zweite optische Element 156G, das dritte optische Element 156R und das vierte optische Element 156Y über dem Substrat 152 und der Licht blockierenden Schicht 154 ausgebildet. Als das erste optische Element 156B wird ein organischer Harzfilm, der ein blaues Pigment enthält, in einem gewünschten Bereich ausgebildet. Als das zweite optische Element 156G wird ein organischer Harzfilm, der ein grünes Pigment enthält, in einem gewünschten Bereich ausgebildet. Als das dritte optische Element 156R wird ein organischer Harzfilm, der ein rotes Pigment enthält, in einem gewünschten Bereich ausgebildet. Als das vierte optische Element 156Y wird ein organischer Harzfilm, der ein gelbes Pigment enthält, in einem gewünschten Bereich ausgebildet.
  • <Siebter Schritt>
  • In dem siebten Schritt werden das erste Licht emittierende Element 101B, das zweite Licht emittierende Element 101G, das dritte Licht emittierende Element 101R und das vierte Licht emittierende Element 101Y, die über dem Substrat 102 ausgebildet sind, an der Licht blockierenden Schicht 154, dem ersten optischen Element 156B, dem zweitem optischem Element 156G, dem dritten optischen Element 156R und dem vierten optischen Element 156Y, die über dem Substrat 152 ausgebildet sind, angebracht und mit einem Dichtungsmittel abgedichtet (nicht abgebildet).
  • Durch die vorstehenden Schritte kann die Licht emittierende Vorrichtung 160B in 5 hergestellt werden.
  • Diese Ausführungsform kann gegebenenfalls mit einer der anderen Ausführungsformen kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 2)
  • Bei dieser Ausführungsform werden eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung (auch als Anzeigetafel oder Licht emittierende Tafel bezeichnet), die eine Ausführungsform einer Licht emittierenden Vorrichtung ist, anhand von 10A und 10B beschrieben.
  • 10A ist eine Draufsicht auf eine Licht emittierende Tafel, bei der ein Licht emittierendes Element, das über einem ersten Substrat 501 bereitgestellt ist, und ein optisches Element, das über einem zweiten Substrat 506 bereitgestellt ist, mit einem Dichtungsmittel abgedichtet sind. 10B ist eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A1-A2 in 10A.
  • Das erste Substrat 501 ist mit einem Pixelabschnitt 502, einem Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 503 und Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitten 504a und 504b versehen. Das zweite Substrat 506 ist mit einer Licht blockierenden Schicht 521, einem ersten optischen Element 522B mit einer Funktion zum Durchlassen von blauem Licht, einem zweiten optischen Element 522G mit einer Funktion zum Durchlassen von grünem Licht und einem dritten optischen Element 522R mit einer Funktion zum Durchlassen von rotem Licht versehen. Das erste Substrat 501 und das zweite Substrat 506 sind mit einem Dichtungsmittel 505 abgedichtet.
  • Der Pixelabschnitt 502, der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 503 und die Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitte 504a und 504b sind mit dem ersten Substrat 501, dem zweiten Substrat 506, dem Dichtungsmittel 505 und einem Füllstoff 507 abgedichtet.
  • Ein Harz auf Epoxid-Basis oder eine Glasfritte wird vorzugsweise für das Dichtungsmittel 505 verwendet. Ein solches Material lässt vorzugsweise möglichst wenig Feuchtigkeit oder möglichst wenig Sauerstoff durch.
  • Als der Füllstoff 507 kann ein Inertgas, wie z. B. Stickstoff oder Argon, oder ein Ultraviolett-härtbares Harz oder ein Thermosetting-Harz verwendet werden. Beispielsweise kann ein Harz auf Polyvinylchlorid-(PVC-)Basis, ein Harz auf Acryl-Basis, ein Harz auf Polyimid-Basis, ein Harz auf Epoxid-Basis, ein Harz auf Silikon-Basis, ein Harz auf Polyvinylbutyral-(PVB-)Basis oder ein Harz auf Ethylenvinylacetat-(EVA-)Basis verwendet werden.
  • Als der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 503 und die Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitte 504a und 504b können Treiberschaltungen montiert werden, die unter Verwendung eines einkristallinen Halbleiterfilms oder eines polykristallinen Halbleiterfilms über einem getrennt vorbereiteten Substrat ausgebildet sind.
  • Der Pixelabschnitt 502, der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 503 und die Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitte 504a und 504b beinhalten jeweils eine Vielzahl von Transistoren, und 10B stellt als Beispiel Transistoren 510, 511 und 512, die in dem Pixelabschnitt 502 enthalten sind, und einen Transistor 509 dar, der in dem Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 503 enthalten ist.
  • In 10B ist als Beispiel für den Transistor ein umgekehrt gestapelter Transistor (inverted staggered transistor) dargestellt; jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt, und ein gestapelter Transistor (staggered transistor) kann auch verwendet werden. Zudem gibt es keine besondere Beschränkung bezüglich der Polarität des Transistors. Eine Struktur mit einem n-Kanal-Transistor und einem p-Kanal-Transistor, eine Struktur mit nur einem n-Kanal-Transistor oder eine Struktur mit nur einem p-Kanal-Transistor kann verwendet werden. Darüber hinaus gibt es keine besondere Beschränkung bezüglich der Kristallinität eines Halbleiterfilms, der für den Transistor verwendet wird. Beispielsweise kann ein amorpher Halbleiterfilm oder ein kristalliner Halbleiterfilm verwendet werden. Beispiele für ein Halbleitermaterial umfassen Halbleiter der Gruppe 13 (z. B. Gallium), Halbleiter der Gruppe 14 (z. B. Silizium), Verbundhalbleiter (darunter auch Oxidhalbleiter) und organische Halbleiter. Beispielsweise wird ein Oxidhalbleiter, der eine Energielücke von größer als oder gleich 2 eV, bevorzugt größer als oder gleich 2,5 eV, stärker bevorzugt größer als oder gleich 3 eV aufweist, für die Transistoren 509, 510, 511 und 512 vorzugsweise verwendet, da der Sperrstrom der Transistoren verringert werden kann. Beispiele für den Oxidhalbleiter umfassen ein In-Ga-Oxid und ein In-M-Zn-Oxid (M stellt Al, Ga, Y, Zr, La, Ce oder Nd dar).
  • Verschiedene Signale und Potentiale werden von einer FPC 518 zu dem Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 503, den Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitten 504a und 504b und dem Pixelabschnitt 502 zugeführt.
  • Die FPC 518 ist über einen anisotropen leitenden Film 519 und eine Verbindungsanschlusselektrode 517 elektrisch mit einer Anschlusselektrode 525 verbunden. Die Verbindungsanschlusselektrode 517 wird durch einen Schritt zum Verarbeiten des gleichen leitenden Films wie Source-Elektroden und Drain-Elektroden der Transistoren 510, 511 und 512 ausgebildet. Die Anschlusselektrode 525 wird durch einen Schritt zum Verarbeiten des gleichen leitenden Films wie Gate-Elektroden der Transistoren 510, 511 und 512 ausgebildet.
  • Als das erste Substrat 501 und das zweite Substrat 506 kann ein Halbleitersubstrat (z. B. ein einkristallines Substrat oder ein Siliziumsubstrat), ein SOI-Substrat, ein Glassubstrat, ein Quarzsubstrat, ein Kunststoffsubstrat, ein Metallsubstrat, ein Edelstahlsubstrat, ein Substrat, das eine Edelstahlfolie beinhaltet, ein Wolframsubstrat, ein Substrat, das eine Wolframfolie beinhaltet, ein flexibles Substrat, ein Befestigungsfilm, Papier, darunter ein Fasermaterial, ein Basismaterialfilm oder dergleichen verwendet werden. Beispiele für ein Glassubstrat umfassen ein Bariumborosilikatglas-Substrat, ein Aluminiumborosilikatglas-Substrat und ein Kalknatronglas-Substrat. Beispiele für das flexible Substrat, den Befestigungsfilm und den Basismaterialfilm sind wie folgt: Kunststoffe, die typischerweise Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN) und Polyethersulfon (PES) sind, ein synthetisches Harz, wie z. B. Acryl, Polypropylen, Polyester, Polyvinylfluorid, Polyvinylchlorid, Polyamid, Polyimid, Aramid, Epoxid, ein durch Verdampfung ausgebildeter anorganischer Film und Papier.
  • Wenn das vorstehende flexible Substrat als Substrat verwendet wird, über dem ein Licht emittierendes Element oder ein Transistor ausgebildet wird, kann das Licht emittierende Element oder der Transistor direkt über dem flexiblen Substrat ausgebildet werden. Alternativ kann ein Teil des Licht emittierenden Elements oder des Transistors oder das/der gesamte Licht emittierende Element oder Transistor über einem Basis-Substrat ausgebildet werden, wobei eine Trennschicht dazwischen liegt, und dann kann das Licht emittierende Element oder der Transistor von dem Basis-Substrat getrennt und auf ein anderes Substrat übertragen werden. Wenn, wie oben beschrieben, das Licht emittierende Element oder der Transistor auf ein anderes Substrat unter Verwendung einer Trennschicht übertragen wird, kann das Licht emittierende Element oder der Transistor über einem Substrat mit einer niedrigen Wärmebeständigkeit oder einem flexiblen Substrat ausgebildet werden, über dem das Licht emittierende Element oder der Transistor nur schwer direkt auszubilden ist. Beispiele für die vorstehende Trennschicht umfassen eine Schichtanordnung, die anorganische Filme, z. B. einen Wolframfilm und einen Siliziumoxidfilm, umfasst, und einen organischen Harzfilm, der aus Polyimid oder dergleichen über einem Substrat ausgebildet ist. Beispiele für ein Substrat, auf das ein Licht emittierendes Element oder ein Transistor übertragen wird, umfassen, zusätzlich zu den vorstehenden Substraten, über denen ein Licht emittierendes Element oder ein Transistor ausgebildet werden kann, ein Papiersubstrat, ein Zellglassubstrat, ein Aramidfilm-Substrat, ein Polyimidfilm-Substrat, ein Steinsubstrat, ein Holzsubstrat, ein Stoffsubstrat (darunter auch eine Naturfaser (z. B. Seide, Baumwolle oder Hanf), eine Kunstfaser (z. B. Nylon, Polyurethan oder Polyester), eine Regeneratfaser (z. B. Acetat, Cupro, Viskose oder regenerierter Polyester) oder dergleichen), ein Ledersubstrat und ein Gummisubstrat. Unter Verwendung jedes dieser Substrate kann die Haltbarkeit oder Wärmebeständigkeit erhöht werden, und das Gewicht oder die Dicke kann verringert werden.
  • Eine erste reflektierende Elektrode 513B ist elektrisch mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode des Transistors 510 verbunden, eine zweite reflektierende Elektrode 513G ist elektrisch mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode des Transistors 511 verbunden, und eine dritte reflektierende Elektrode 513R ist elektrisch mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode des Transistors 512 verbunden.
  • Eine Trennwand 520 ist derart ausgebildet, dass sie Endbereiche der ersten reflektierenden Elektrode 513B, der zweiten reflektierenden Elektrode 513G und der dritten reflektierenden Elektrode 513R bedeckt. Die Trennwand 520 hat vorzugsweise eine gekrümmte Oberfläche mit einer Krümmung in ihrem oberen Endbereich oder ihrem unteren Endbereich. Mit der Trennwand 520 mit einer derartigen Form kann die Abdeckung mit einem Film, der über der Trennwand 520 auszubilden ist, vorteilhaft sein.
  • Die erste reflektierende Elektrode 513B dient als Teil einer unteren Elektrode eines ersten Licht emittierenden Elements 524B. Die zweite reflektierende Elektrode 513G dient als Teil einer unteren Elektrode eines zweiten Licht emittierenden Elements 524G. Die dritte reflektierende Elektrode 513R dient als Teil einer unteren Elektrode eines dritten Licht emittierenden Elements 524R.
  • Das erste Licht emittierende Element 524B, das zweite Licht emittierende Element 524G und das dritte Licht emittierende Element 524R können jeweils eine beliebige Struktur der bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Elementstrukturen aufweisen. Mit einer beliebigen Struktur der bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Elementstrukturen kann eine Licht emittierende Vorrichtung mit einer hohen Emissionseffizienz und einem niedrigen Stromverbrauch bereitgestellt werden.
  • Licht wird von dem ersten Licht emittierenden Element 524B, dem zweiten Licht emittierenden Element 524G und dem dritten Licht emittierenden Element 524R durch das zweite Substrat 506 emittiert. Deshalb muss das zweite Substrat 506 eine Lichtdurchlässigkeit aufweisen. Beispielsweise kann ein Material, wie z. B. eine Glasplatte, eine Kunststoffplatte, ein Polyesterfilm oder ein Acrylfilm, für das zweite Substrat 506 verwendet werden.
  • Das zweite Substrat 506 kann mit einem optischen Film, wie z. B. einer polarisierenden Platte, einer zirkular polarisierenden Platte (darunter auch einer elliptisch polarisierenden Platte) oder einer Retardationsplatte (einer Viertelwellenplatte oder einer Halbwellenplatte) versehen sein. Die polarisierende Platte oder die zirkular polarisierende Platte kann mit einem Antireflexionsfilm versehen sein. Es kann beispielsweise eine Blendschutzbehandlung (anti-glare treatment) durchgeführt werden, durch die reflektiertes Licht durch Vorsprünge und Vertiefungen an der Oberfläche gestreut werden kann, um die Blendung zu verringern.
  • Ein Schutzfilm kann über dem ersten Licht emittierenden Element 524B, dem zweiten Licht emittierenden Element 524G und dem dritten Licht emittierenden Element 524R ausgebildet sein. Eine Funktion des Schutzfilms besteht darin, zu verhindern, dass Sauerstoff, Wasserstoff, Feuchtigkeit, Kohlendioxid oder dergleichen in jedes Licht emittierende Element eindringt. Beispielsweise kann ein Siliziumnitridfilm, ein Siliziumnitridoxidfilm, ein Aluminiumoxidfilm oder dergleichen für den Schutzfilm verwendet werden.
  • Diese Ausführungsform kann in einer geeigneten Kombination mit einer Struktur der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen implementiert werden.
  • (Ausführungsform 3)
  • Bei dieser Ausführungsform wird eine Anzeigevorrichtung, die eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet, anhand von 11A und 11B beschrieben.
  • Die Anzeigevorrichtung in 11B beinhaltet einen Bereich, der Pixel mit Anzeigeelementen beinhaltet (nachstehend wird der Bereich als Pixelabschnitt 602 bezeichnet), einen Schaltungsabschnitt, der außerhalb des Pixelabschnitts 602 angeordnet ist und eine Schaltung zum Betreiben der Pixel beinhaltet (nachstehend wird der Schaltungsabschnitt als Treiberschaltungsabschnitt 604 bezeichnet), Schaltungen, die jeweils eine Funktion zum Schützen eines Elements aufweisen (nachstehend werden die Schaltungen als Schutzschaltungen 606 bezeichnet), und einen Anschlussabschnitt 607. Es sei angemerkt, dass die Schutzschaltungen 606 nicht notwendigerweise bereitgestellt sind.
  • Ein Teil des Treiberschaltungsabschnitts 604 oder der gesamte Treiberschaltungsabschnitt 604 wird vorzugsweise über einem Substrat ausgebildet, über dem der Pixelabschnitt 602 ausgebildet ist. Auf diese Weise können die Anzahl der Bestandteile und die Anzahl der Anschlüsse verringert werden. Wenn ein Teil des Treiberschaltungsabschnitts 604 oder der gesamte Treiberschaltungsabschnitt 604 nicht über dem Substrat ausgebildet ist, über dem der Pixelabschnitt 602 ausgebildet ist, kann ein Teil des Treiberschaltungsabschnitts 604 oder der gesamte Treiberschaltungsabschnitt 604 durch COG oder Tape-Automated-Bonding (TAB) montiert werden.
  • Der Pixelabschnitt 602 beinhaltet Schaltungen zum Betreiben einer Vielzahl von Anzeigeelementen, die in X Zeilen (X ist eine natürliche Zahl größer als oder gleich 2) und Y Spalten (Y ist eine natürliche Zahl größer als oder gleich 2) angeordnet sind (nachstehend werden die Schaltungen als Pixelschaltungen 601 bezeichnet). Der Treiberschaltungsabschnitt 604 beinhaltet Treiberschaltungen, wie z. B. eine Schaltung zum Zuführen eines Signals (Abtastsignals), um ein Pixel auszuwählen (nachstehend wird die Schaltung als Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a bezeichnet), und eine Schaltung zum Zuführen eines Signals (Datensignals), um ein Anzeigeelement in einem Pixel zu betreiben (nachstehend wird die Schaltung als Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b bezeichnet).
  • Der Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a beinhaltet ein Schieberegister oder dergleichen. Über den Anschlussabschnitt 607 empfängt der Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a ein Signal zum Betreiben des Schieberegisters und gibt ein Signal aus. Beispielsweise empfängt der Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a ein Startimpulssignal, ein Taktsignal oder dergleichen und gibt ein Impulssignal aus. Der Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a weist eine Funktion zum Steuern der Potentiale von Leitungen auf, denen Abtastsignale zugeführt werden (nachstehend werden die Leitungen als Abtastleitungen GL_1 bis GL_X bezeichnet). Eine Vielzahl von Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitten 604a kann auch bereitgestellt sein, um die Abtastleitungen GL_1 bis GL_X getrennt zu steuern. Alternativ weist der Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a eine Funktion zum Zuführen eines Initialisierungssignals auf. Jedoch kann der Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a ohne Beschränkung darauf andere Signale zuführen.
  • Der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b beinhaltet ein Schieberegister oder dergleichen. Über den Anschlussabschnitt 607 empfängt der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b neben einem Signal zum Betreiben des Schieberegisters ein Signal (Bildsignal), aus dem ein Datensignal abgeleitet wird. Der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b weist eine Funktion zum Erzeugen der Datensignale, die in die Pixelschaltungen 601 geschrieben werden, basierend auf Bildsignalen auf. Der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b weist eine Funktion zum Steuern der Ausgabe eines Datensignals als Antwort auf ein Impulssignal auf, das durch Eingabe eines Startimpulses, eines Taktsignals oder dergleichen erzeugt wird. Der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b weist eine Funktion zum Steuern der Potentiale von Leitungen auf, denen Datensignale zugeführt werden (nachstehend werden die Leitungen als Datenleitungen DL_1 bis DL_Y bezeichnet). Alternativ weist der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b eine Funktion zum Zuführen eines Initialisierungssignals auf. Jedoch kann der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b ohne Beschränkung darauf andere Signale zuführen.
  • Der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b beinhaltet beispielsweise eine Vielzahl von analogen Schaltern. Der Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b kann durch sequentielles Einschalten der Vielzahl von analogen Schaltern Signale, die durch zeitliches Teilen der Bildsignale erhalten werden, als Datensignale ausgeben.
  • Ein Impulssignal und ein Datensignal werden in jede der Vielzahl von Pixelschaltungen 601 über eine der Vielzahl von Abtastleitungen GL, denen Abtastsignale zugeführt werden, bzw. eine der Vielzahl von Datenleitungen DL, denen Datensignale zugeführt werden, eingegeben. Das Schreiben und das Halten des Datensignals in jeder der Vielzahl von Pixelschaltungen 601 werden durch den Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a gesteuert. Beispielsweise wird in die Pixelschaltung 601 in der m-ten Zeile und der n-ten Spalte (m ist eine natürliche Zahl kleiner als oder gleich X und n ist eine natürliche Zahl kleiner als oder gleich Y) ein Impulssignal aus dem Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a über eine Abtastleitung GL_m eingegeben, und ein Datensignal wird aus dem Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b über eine Datenleitung DL_n entsprechend dem Potential der Abtastleitung GL_m eingegeben.
  • In 11A ist die Schutzschaltung 606 beispielsweise mit der Abtastleitung GL zwischen dem Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a und dem Pixelabschnitt 602 verbunden. Die Schutzschaltung 606 ist zudem mit der Datenleitung DL zwischen dem Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b und dem Pixelabschnitt 602 verbunden. Die Schutzschaltung 606 kann zudem mit einer Leitung zwischen dem Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a und dem Anschlussabschnitt 607 verbunden sein. Die Schutzschaltung 606 kann zudem mit einer Leitung zwischen dem Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b und dem Anschlussabschnitt 607 verbunden sein. Es sei angemerkt, dass der Anschlussabschnitt 607 einen Abschnitt mit Anschlüssen zur Eingabe von Strom, Steuersignalen und Bildsignalen in die Anzeigevorrichtung aus externen Schaltungen bedeutet.
  • Die Schutzschaltung 606 ist eine Schaltung, die elektrisch eine Leitung, die mit der Schutzschaltung verbunden ist, mit einer anderen Leitung verbindet, wenn ein außerhalb eines bestimmten Bereichs liegendes Potential der Leitung, die mit der Schutzschaltung verbunden ist, zugeführt wird.
  • Wie in 11A dargestellt, kann dann, wenn der Pixelabschnitt 602 und der Treiberschaltungsabschnitt 604 beide mit den Schutzschaltungen 606 versehen sind, die Beständigkeit der Anzeigevorrichtung gegen Überstrom, der durch elektrostatische Entladung (electrostatic discharge, ESD) oder dergleichen erzeugt wird, verbessert werden. Die Konfiguration der Schutzschaltungen 606 ist nicht darauf beschränkt; beispielsweise kann die Schutzschaltung 606 mit dem Abtastleitungstreiberabschnitt 604a verbunden sein, oder die Schutzschaltung 606 kann mit dem Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b verbunden sein. Die Schutzschaltung 606 kann alternativ mit dem Anschlussabschnitt 607 verbunden sein.
  • 11A stellt ein Beispiel dar, in dem der Treiberschaltungsabschnitt 604 den Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a und den Signalleitungstreiberschaltungsabschnitt 604b umfasst; jedoch ist die Struktur nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann der Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a lediglich ausgebildet werden, und ein getrennt vorbereitetes Substrat, über dem eine Source-Treiberschaltung ausgebildet ist (z. B. ein Treiberschaltungssubstrat, das aus einem einkristallinen Halbleiterfilm oder einem polykristallinen Halbleiterfilm ausgebildet ist), kann montiert werden.
  • Die Vielzahl von Pixelschaltungen 601 in 11A kann beispielsweise jeweils eine in 11B dargestellte Struktur aufweisen.
  • Die Pixelschaltung 601 in 11B beinhaltet Transistoren 652 und 654, einen Kondensator 662 und ein Licht emittierendes Element 672.
  • Eine Elektrode von einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Transistors 652 ist elektrisch mit einer Leitung verbunden, der ein Datensignal zugeführt wird (nachstehend als Datenleitung DL_n bezeichnet). Eine Gate-Elektrode des Transistors 652 ist elektrisch mit einer Leitung verbunden, der ein Gate-Signal zugeführt wird (nachstehend als Abtastleitung GL_m bezeichnet).
  • Eine Funktion des Transistors 652 besteht darin, dass er, indem er eingeschaltet oder ausgeschaltet wird, steuert, ob ein Datensignal geschrieben wird.
  • Eine Elektrode von einem Paar von Elektroden des Kondensators 662 ist elektrisch mit einer Leitung, der ein Potential zugeführt wird (nachstehend als Potentialversorgungsleitung VL_a bezeichnet), verbunden, und die andere Elektrode ist elektrisch mit der anderen Elektrode von der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors 652 verbunden.
  • Der Kondensator 662 dient als Speicherkondensator zum Halten von geschriebenen Daten.
  • Eine Elektrode von einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Transistors 654 ist elektrisch mit der Potentialversorgungsleitung VL_a verbunden. Eine Gate-Elektrode des Transistors 654 ist elektrisch mit der anderen Elektrode von der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors 652 verbunden.
  • Eine Elektrode von einer Anode und einer Kathode des Licht emittierenden Elements 672 ist elektrisch mit einer Potentialversorgungsleitung VL_b verbunden, und die andere Elektrode ist elektrisch mit der anderen Elektrode von der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors 654 verbunden.
  • Als das Licht emittierende Element 672 kann ein beliebiges Element der bei der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Elemente verwendet werden.
  • Ein hohes Stromversorgungspotential VDD wird einer Leitung von der Potentialversorgungsleitung VL_a und der Potentialversorgungsleitung VL_b zugeführt, und ein niedriges Stromversorgungspotential VSS wird der anderen Leitung zugeführt.
  • Beispielsweise werden bei der Anzeigevorrichtung mit der Pixelschaltung 601 in 11B die Pixelschaltungen 601 durch den Abtastleitungstreiberschaltungsabschnitt 604a in 11A nacheinander zeilenweise ausgewählt, wodurch die Transistoren 652 eingeschaltet werden und Datensignale geschrieben werden.
  • Wenn die Transistoren 652 ausgeschaltet werden, werden die Pixelschaltungen 601, in denen die Datensignale geschrieben worden sind, in einen Haltezustand versetzt. Die Menge an Strom, der zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors 654 fließt, wird entsprechend dem Potential des geschriebenen Datensignals gesteuert. Das Licht emittierende Element 672 emittiert Licht mit einer Leuchtdichte entsprechend der Menge an fließendem Strom. Dieser Vorgang wird nacheinander zeilenweise durchgeführt; somit kann ein Bild angezeigt werden.
  • Die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur kann in einer geeigneten Kombination mit einer Struktur der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen verwendet werden.
  • (Ausführungsform 4)
  • Bei dieser Ausführungsform werden ein Anzeigemodul und elektronische Geräte, die jeweils eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhalten, anhand von 12 und 13A bis 13G beschrieben.
  • Bei einem Anzeigemodul 8000 in 12 sind ein Touchscreen 8004, der mit einer FPC 8003 verbunden ist, ein Anzeigefeld 8006, das mit einer FPC 8005 verbunden ist, ein Rahmen 8009, eine gedruckte Leiterplatte 8010 und eine Batterie 8011 zwischen einem oberen Deckel 8001 und einem unteren Deckel 8002 angeordnet.
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann beispielsweise für das Anzeigefeld 8006 verwendet werden.
  • Die Formen und Größen des oberen Deckels 8001 und des unteren Deckels 8002 können jeweils entsprechend den Größen des Touchscreens 8004 und des Anzeigefeldes 8006 geändert werden.
  • Der Touchscreen 8004 kann ein resistiver Touchscreen oder ein kapazitiver Touchscreen sein und kann derart ausgebildet sein, dass er sich mit dem Anzeigefeld 8006 überlappt. Ein Gegensubstrat (Abdichtungssubstrat) des Anzeigefeldes 8006 kann alternativ eine Touchscreen-Funktion aufweisen. Ein Fotosensor kann alternativ in jedem Pixel des Anzeigefeldes 8006 bereitgestellt sein, so dass ein optischer Touchscreen erhalten wird.
  • Der Rahmen 8009 schützt das Anzeigefeld 8006 und dient auch als elektromagnetische Abschirmung zum Blockieren von elektromagnetischen Wellen, die durch den Betrieb der gedruckten Leiterplatte 8010 erzeugt werden. Der Rahmen 8009 kann auch als Abstrahlplatte dienen.
  • Die gedruckte Leiterplatte 8010 beinhaltet eine Stromversorgungsschaltung und eine Signalverarbeitungsschaltung zum Ausgeben eines Videosignals und eines Taktsignals. Als Stromquelle zum Zuführen von Strom zu der Stromversorgungsschaltung kann eine externe Netzstromquelle oder eine Stromquelle verwendet werden, bei der die getrennt bereitgestellte Batterie 8011 verwendet wird. Die Batterie 8011 kann im Falle der Verwendung einer Netzstromquelle weggelassen werden.
  • Das Anzeigemodul 8000 kann zusätzlich mit einem Bestandteil, wie z. B. einer polarisierenden Platte, einer Retardationsplatte oder einer Prismenfolie, versehen sein.
  • 13A bis 13G stellen elektronische Geräte dar. Diese elektronischen Geräte können jeweils ein Gehäuse 9000, einen Anzeigeabschnitt 9001, einen Lautsprecher 9003, eine Bedienungstaste 9005 (darunter auch einen Netzschalter oder einen Bedienungsschalter), einen Verbindungsanschluss 9006, einen Sensor 9007 (einen Sensor mit einer Funktion zum Messen von Kraft, Verschiebung, Position, Geschwindigkeit, Beschleunigung, Winkelgeschwindigkeit, Drehzahl, Abstand, Licht, Flüssigkeit, Magnetismus, Temperatur, chemischer Substanz, Ton, Zeit, Härte, elektrischem Feld, Strom, Spannung, elektrischer Leistung, Strahlung, Durchflussmenge, Feuchtigkeit, Steigungsgrad, Schwingung, Geruch oder Infrarotstrahl), ein Mikrofon 9008 und dergleichen beinhalten.
  • Die elektronischen Geräte in 13A bis 13G können verschiedene Funktionen, so beispielsweise eine Funktion zum Anzeigen verschiedener Informationen (eines Standbildes, eines Bewegtbildes, eines Textbildes und dergleichen) auf dem Anzeigeabschnitt, eine Berührungssensor-Funktion, eine Funktion zum Anzeigen eines Kalenders, des Datums, der Zeit und dergleichen, eine Funktion zum Steuern einer Verarbeitung mit diversen Arten von Software (Programmen), eine drahtlose Kommunikationsfunktion, eine Funktion zum Verbinden mit verschiedenen Computernetzwerken mittels einer drahtlosen Kommunikationsfunktion, eine Funktion zum Übertragen und Empfangen verschiedener Daten mittels einer drahtlosen Kommunikationsfunktion, eine Funktion zum Lesen eines Programms oder Daten, das/die in einem Speichermedium gespeichert ist/sind, und Anzeigen des Programms oder der Daten auf dem Anzeigeabschnitt und dergleichen aufweisen. Es sei angemerkt, dass Funktionen der elektronischen Geräte in 13A bis 13G nicht darauf beschränkt sind und die elektronischen Geräte verschiedene Funktionen aufweisen können. Obwohl nicht in 13A bis 13G dargestellt, können die elektronischen Geräte jeweils eine Vielzahl von Anzeigeabschnitten beinhalten.
  • Die elektronischen Geräte können jeweils eine Kamera oder dergleichen beinhalten und eine Funktion zum Aufnehmen eines Standbildes, eine Funktion zum Aufnehmen eines Bewegtbildes, eine Funktion zum Speichern des aufgenommenen Bildes in einem Speichermedium (einem externen Speichermedium oder einem Speichermedium, das in der Kamera eingebaut ist), eine Funktion zum Anzeigen des aufgenommenen Bildes auf dem Anzeigeabschnitt und dergleichen aufweisen.
  • Die elektronischen Geräte in 13A bis 13G werden nachstehend ausführlich beschrieben.
  • 13A ist eine perspektivische Ansicht eines tragbaren Informationsendgeräts 9100. Der Anzeigeabschnitt 9001 des tragbaren Informationsendgeräts 9100 ist flexibel und kann daher in dem Gehäuse 9000 entlang seiner gekrümmten Oberfläche eingebaut sein. Der Anzeigeabschnitt 9001 beinhaltet ferner einen Berührungssensor, und ein Betrieb kann durch Berühren eines Bildschirms mit einem Finger, einem Stift oder dergleichen durchgeführt werden. Beispielsweise kann durch Berühren eines Icons, das auf dem Anzeigeabschnitt 9001 angezeigt wird, eine Applikation begonnen werden.
  • 13B ist eine perspektivische Ansicht eines tragbaren Informationsendgeräts 9101. Das tragbare Informationsendgerät 9101 dient beispielsweise als ein oder mehrere Gerät/e von einem Telefon, einem Notizbuch, einem Informationssuchsystem und dergleichen. Insbesondere kann das tragbare Informationsendgerät 9101 als Smartphone verwendet werden. Es sei angemerkt, dass der Lautsprecher 9003, der Verbindungsanschluss 9006, der Sensor 9007 und dergleichen, die nicht in 13B dargestellt sind, in dem tragbaren Informationsendgerät 9101 wie in dem tragbaren Informationsendgerät 9100 in 13A angeordnet sein können. Das tragbare Informationsendgerät 9101 kann einen Text und Bildinformationen auf seiner Vielzahl von Oberflächen anzeigen. Beispielsweise können drei Bedienungstasten 9050 (auch als Bedienungsicons, oder einfach als Icons bezeichnet) auf einer Oberfläche des Anzeigeabschnitts 9001 angezeigt werden. Außerdem können Informationen 9051, die durch gestrichelte Rechtecke dargestellt werden, auf einer anderen Oberfläche des Anzeigeabschnitts 9001 angezeigt werden. Beispiele für die Informationen 9051 umfassen Mitteilung von einem sozialen Netzwerk (social networking service, SNS), Anzeige, die Ankunft einer E-Mail oder eines Anrufs darstellt, den Titel der E-Mail, des SNS oder dergleichen, den Absender der E-Mail, des SNS oder dergleichen, das Datum, die Zeit, Restladung der Batterie und die Empfangsstärke einer Antenne. Anstelle der Informationen 9051 können die Bedienungstasten 9050 oder dergleichen in den Positionen, in denen die Informationen 9051 angezeigt werden, angezeigt werden.
  • 13C ist eine perspektivische Ansicht eines tragbaren Informationsendgeräts 9102. Das tragbare Informationsendgerät 9102 weist eine Funktion zum Anzeigen von Informationen auf drei oder mehr Oberflächen des Anzeigeabschnitts 9001 auf. Hier werden Information 9052, Information 9053 und Information 9054 auf unterschiedlichen Oberflächen angezeigt. Beispielsweise kann ein Benutzer des tragbaren Informationsendgeräts 9102 die Anzeige (hier die Information 9053) ansehen, wobei das tragbare Informationsendgerät 9102 in einer Brusttasche seines Hemdes angeordnet ist. Insbesondere kann die Telefonnummer, der Name oder dergleichen eines Anrufers in der Position angezeigt werden, die von oberhalb des tragbaren Informationsendgeräts 9102 aus gesehen werden kann. Daher kann der Benutzer die Anzeige ansehen, ohne das tragbare Informationsendgerät 9102 aus der Tasche herauszunehmen, und entscheiden, ob er den Anruf annimmt.
  • 13D ist eine perspektivische Ansicht eines tragbaren Informationsendgeräts 9200 in Form einer Armbanduhr. Das tragbare Informationsendgerät 9200 kann verschiedene Applikationen wie z. B. Mobiltelefongespräche, E-Mails schicken und empfangen, Texte zeigen und bearbeiten, Musik wiedergeben, Internet-Kommunikation und Computer-Spiele ausführen. Die Anzeigeoberfläche des Anzeigeabschnitts 9001 ist gekrümmt, und Bilder können auf der gekrümmten Anzeigeoberfläche angezeigt werden. Das tragbare Informationsendgerät 9200 kann die Nahbereichskommunikation entsprechend einem Kommunikationsstandard verwenden. Zum Beispiel kann durch gegenseitige Kommunikation zwischen dem tragbaren Informationsendgerät 9200 und einem Headset, das zur drahtlosen Kommunikation geeignet ist, ein freihändiges Telefongespräch erfolgen. Das tragbare Informationsendgerät 9200 beinhaltet ferner den Verbindungsanschluss 9006, und Daten können über einen Steckverbinder direkt zu/von einem anderen Informationsendgerät gesendet und empfangen werden. Aufladen mit Strom durch den Verbindungsanschluss 9006 ist auch möglich. Es sei angemerkt, dass der Ladevorgang ohne den Verbindungsanschluss 9006 durch drahtlose Stromzufuhr durchgeführt werden kann.
  • 13E, 13F und 13G sind perspektivische Ansichten eines klappbaren, tragbaren Informationsendgeräts 9201, das geöffnet ist, das von dem geöffneten Zustand in den geklappten Zustand oder von dem geklappten Zustand in den geöffneten Zustand versetzt wird, bzw. das geklappt ist. Das tragbare Informationsendgerät 9201 ist sehr gut tragbar, wenn es geklappt ist. Wenn das tragbare Informationsendgerät 9201 geöffnet ist, bietet ein nahtloser großer Anzeigebereich hohe Durchsuchbarkeit an. Der Anzeigeabschnitt 9001 des tragbaren Informationsendgeräts 9201 wird von drei Gehäusen 9000 getragen, die durch Scharniere 9055 miteinander verbunden sind. Indem das tragbare Informationsendgerät 9201 an einer Verbindungsstelle zwischen zwei Gehäusen 9000 mit den Scharnieren 9055 geklappt wird, kann die Form des tragbaren Informationsendgeräts 9201 reversibel von dem geöffneten Zustand zu dem geklappten Zustand geändert werden. Beispielsweise kann das tragbare Informationsendgerät 9201 mit einem Krümmungsradius von größer als oder gleich 1 mm und kleiner als oder gleich 150 mm gebogen werden.
  • Die elektronischen Geräte bei dieser Ausführungsform beinhalten jeweils den Anzeigeabschnitt zum Anzeigen gewisser Arten von Informationen. Jedoch kann eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auch für ein elektronisches Gerät verwendet werden, das keinen Anzeigeabschnitt beinhaltet. Darüber hinaus können die Anzeigeabschnitte der elektronischen Geräte bei dieser Ausführungsform auch nicht flexibel sein und Bilder auf einer flachen Oberfläche anzeigen, ohne dass sie auf einen flexiblen Modus, in dem Bilder auf einer gekrümmten Anzeigeoberfläche angezeigt werden können, oder einen klappbaren Modus beschränkt sind.
  • Die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur kann in einer geeigneten Kombination mit einer Struktur der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen verwendet werden.
  • (Ausführungsform 5)
  • Bei dieser Ausführungsform werden Beispiele für eine Beleuchtungsvorrichtung, auf die eine Licht emittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewendet wird, anhand von 14 beschrieben.
  • 14 stellt ein Beispiel dar, in dem eine Licht emittierende Vorrichtung als eine Raumbeleuchtungsvorrichtung 8501 verwendet wird. Da die Fläche der Licht emittierenden Vorrichtung vergrößert werden kann, kann eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer großen Fläche ausgebildet werden. Zudem kann auch eine Beleuchtungsvorrichtung 8502, bei der ein Licht emittierender Bereich eine gekrümmte Oberfläche aufweist, unter Verwendung eines Gehäuses mit einer gekrümmten Oberfläche erhalten werden. Ein Licht emittierendes Element in der Licht emittierenden Vorrichtung, die bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, hat die Form eines dünnen Films, was ermöglicht, dass das Gehäuse freier konstruiert wird. Folglich kann die Beleuchtungsvorrichtung in verschiedenen Arten kunstvoll konstruiert werden. Darüber hinaus kann eine Wand des Zimmers mit einer großen Beleuchtungsvorrichtung 8503 versehen sein. Berührungssensoren können in den Beleuchtungsvorrichtungen 8501, 8502 und 8503 angeordnet sein, um das Ein-/oder Ausschalten der Beleuchtungsvorrichtungen zu steuern.
  • Wenn die Licht emittierende Vorrichtung für eine Oberfläche eines Tisches verwendet wird, kann eine Beleuchtungsvorrichtung 8504 mit einer Funktion als Tisch erhalten werden. Wenn die Licht emittierende Vorrichtung als Teil anderer Möbel verwendet wird, kann eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer Funktion als die Möbel erhalten werden.
  • Auf diese Weise können verschiedene Beleuchtungsvorrichtungen erhalten werden, auf die die Licht emittierende Vorrichtung angewendet wird. Es sei angemerkt, dass solche Beleuchtungsvorrichtungen ebenfalls Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind.
  • Die bei dieser Ausführungsform beschriebene Struktur kann in einer geeigneten Kombination mit einer Struktur der bei den anderen Ausführungsformen beschriebenen Strukturen verwendet werden.
  • [Beispiel 1]
  • In diesem Beispiel wurden ein Licht emittierendes Element 1 (als LEE 1 in den Zeichnungen bezeichnet) und ein Licht emittierendes Element 2 (als LEE 2 in den Zeichnungen bezeichnet), die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind, und ein Licht emittierendes Bezugselement 3 (als LEE 3 in den Zeichnungen bezeichnet) hergestellt und ausgewertet. Die Elementstrukturen des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3 werden ausführlich anhand von 15 beschrieben. Zuerst werden chemische Formeln von Materialien, die für die Licht emittierenden Elemente in diesem Beispiel verwendet wurden, im Folgenden gezeigt.
    Figure DE102015208493A1_0002
    Figure DE102015208493A1_0003
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3 dieses Beispiels beschrieben.
  • <<Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements>>
  • Zuerst wurde über einem Substrat 4002 ein Legierungsfilm von Silber (Ag), Palladium (Pd) und Kupfer (Cu) (der Legierungsfilm wird nachstehend als APC bezeichnet) durch ein Sputterverfahren als eine reflektierende Elektrode 4004 ausgebildet. Es sei angemerkt, dass die Dicke der reflektierenden Elektrode 4004 100 nm betrug und die Fläche 4 mm2 (2 mm × 2 mm) betrug.
  • Dann wurde über der reflektierenden Elektrode 4004 ein Film aus Indiumzinnoxid, das Siliziumoxid enthielt (der Film wird nachstehend als ITSO bezeichnet), durch ein Sputterverfahren als ein durchsichtiger leitender Film 4006 ausgebildet. Es sei angemerkt, dass die Dicke des durchsichtigen leitenden Films 4006 bei dem Licht emittierenden Element 1 60 nm betrug, die Dicke des durchsichtigen leitenden Films 4006 bei dem Licht emittierenden Element 2 30 nm betrug, und die Dicke des durchsichtigen leitenden Films 4006 bei dem Licht emittierenden Bezugselement 3 10 nm betrug.
  • Dann wurde als Vorbehandlung zur Aufdampfung von einer organischen Verbindungsschicht die mit dem durchsichtigen leitenden Film 4006 versehene Seite des Substrats 4002, das mit der reflektierenden Elektrode 4004 und dem durchsichtigen leitenden Film 4006 versehen war, mit Wasser gewaschen, ein Backen wurde eine Stunde lang bei 200°C durchgeführt, und dann wurde eine UV-Ozonbehandlung an einer Oberfläche des durchsichtigen leitenden Films 4006 370 Sekunden lang durchgeführt.
  • Danach wurde das Substrat 4002 in eine Vakuumverdampfeinrichtung überführt, in der der Druck auf etwa 10–4 Pa verringert worden war, und in einer Heizkammer der Vakuumverdampfeinrichtung 60 Minuten lang bei 170°C einem Vakuumbacken unterzogen, und dann wurde das Substrat 4002 ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Anschließend wurde das Substrat 4002 an einem Halter in der Vakuumverdampfeinrichtung so befestigt, dass eine Oberfläche des Substrats 4002, über der der durchsichtige leitende Film 4006 ausgebildet war, nach unten gerichtet war. In diesem Beispiel wurden durch ein Vakuum-Verdampfverfahren eine erste Lochinjektionsschicht 4131, eine erste Lochtransportschicht 4132, eine erste Licht emittierende Schicht 4008, erste Elektronentransportschichten 4133a und 4133b, eine erste Elektroneninjektionsschicht 4134, eine Ladungserzeugungsschicht 4010, eine zweite Lochinjektionsschicht 4135, eine zweite Lochtransportschicht 4136, zweite Licht emittierende Schichten 4012a und 4012b, zweite Elektronentransportschichten 4137a und 4137b und eine zweite Elektroneninjektionsschicht 4138 nacheinander ausgebildet. Das Herstellungsverfahren wird nachstehend ausführlich beschrieben.
  • Zuerst wurde der Druck in der Vakuumverdampfeinrichtung auf 10–4 Pa verringert. Dann wurden auf dem durchsichtigen leitenden Film 4006 3-[4-(9-Phenanthryl)-phenyl]-9-phenyl-9H-carbazol (Abkürzung: PCPPn) und Molybdänoxid als die erste Lochinjektionsschicht 4131 co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von PCPPn zu Molybdänoxid 1:0,5 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der ersten Lochinjektionsschicht 4131 sowohl bei dem Licht emittierenden Element 1 als auch bei dem Licht emittierenden Element 2 35 nm betrug, und dass die Dicke der ersten Lochinjektionsschicht 4131 bei dem Licht emittierenden Bezugselement 3 15 nm betrug.
  • Dann wurde die erste Lochtransportschicht 4132 auf der ersten Lochinjektionsschicht 4131 ausgebildet. Als die erste Lochtransportschicht 4132 wurde PCPPn verdampft. Es sei angemerkt, dass die Dicke der ersten Lochtransportschicht 4132 sowohl bei dem Licht emittierenden Element 1 als auch bei dem Licht emittierenden Element 2 15 nm betrug, und dass die Dicke der ersten Lochtransportschicht 4132 bei dem Licht emittierenden Bezugselement 3 10 nm betrug.
  • Dann wurde die erste Licht emittierende Schicht 4008 auf der ersten Lochtransportschicht 4132 ausgebildet. Als die erste Licht emittierende Schicht 4008 wurden 9-[4-(10-Phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CzPA) und N,N'-Bis(dibenzofuran-4-yl)-N,N'-diphenylpyren-1,6-diamin (Abkürzung: 1,6FrAPrn-II) co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von CzPA zu 1,6FrAPrn-II 1:0,05 betrug. Die Dicke der ersten Licht emittierenden Schicht 4008 betrug 25 nm.
  • Dann wurde auf der ersten Licht emittierenden Schicht 4008 CzPA in einer Dicke von 5 nm als die erste Elektronentransportschicht 4133a verdampft. Dann wurde auf der ersten Elektronentransportschicht 4133a Bathophenanthrolin (Abkürzung: Bphen) in einer Dicke von 15 nm als die erste Elektronentransportschicht 4133b verdampft. Dann wurde auf der ersten Elektronentransportschicht 4133b Lithiumoxid (Li2O) in einer Dicke von 0,1 nm als die erste Elektroneninjektionsschicht 4134 verdampft.
  • Dann wurde auf der ersten Elektroneninjektionsschicht 4134 Kupferphthalocyanin (Abkürzung: CuPc) in einer Dicke von 2 nm als die Ladungserzeugungsschicht 4010 verdampft.
  • Dann wurden auf der Ladungserzeugungsschicht 4010 1,3,5-Tri(dibenzothiophen-4-yl)benzol (Abkürzung: DBT3P-II) und Molybdänoxid als die zweite Lochinjektionsschicht 4135 co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von DBT3P-II zu Molybdänoxid 1:0,5 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der zweiten Lochinjektionsschicht 4135 12,5 nm betrug.
  • Dann wurde auf der zweiten Lochinjektionsschicht 4135 BPAFLP in einer Dicke von 20 nm als die zweite Lochtransportschicht 4136 verdampft.
  • Dann wurden auf der zweiten Lochtransportschicht 4136 2-[3'-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTBPDBq-II), 4,4'-Di(1-naphthyl)-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBNBB) und (Acetylacetonato)bis(6-tert-butyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tBuppm)2(acac)) als die zweite Licht emittierende Schicht 4012a co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II zu PCBNBB und Ir(tBuppm)2(acac) 0,7:0,3:0,06 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der zweiten Licht emittierenden Schicht 4012a 20 nm betrug.
  • Dann wurden auf der zweiten Licht emittierenden Schicht 4012a 2mDBTBPDBq-II und Bis{4,6-dimethyl-2-[5-(2,6-dimethylphenyl)-3-(3,5-dimethylphenyl)-2-pyrazinyl-κN]phenyl-κC}(2,4-pentandionato-k2O,O')iridium(III) (Abkürzung: Ir(dmdppr-dmp)2(acac)) als die zweite Licht emittierende Schicht 4012b co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II zu Ir(dmdppr-dmp)2(acac) 1:0,06 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der zweiten Licht emittierenden Schicht 4012b 20 nm betrug.
  • Dann wurde auf der zweiten Licht emittierenden Schicht 4012b 2-[3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]chinoxalin (Abkürzung: 2mDBTPDBq-II) in einer Dicke von 30 nm als die zweite Elektronentransportschicht 4137a verdampft. Dann wurde auf der zweiten Elektronentransportschicht 4137a Bphen in einer Dicke von 15 nm als die zweite Elektronentransportschicht 4137b verdampft.
  • Dann wurde auf der zweiten Elektronentransportschicht 4137b Lithiumfluorid (LiF) in einer Dicke von 1 nm als die zweite Elektroneninjektionsschicht 4138 verdampft.
  • Dann wurden auf der zweiten Elektroneninjektionsschicht 4138 Silber (Ag) und Magnesium (Mg) als eine semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 4014a co-verdampft, so dass das Volumenverhältnis 1:0,1 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 4014a 15 nm betrug. Dann wurde auf der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 4014a ein Film aus Indiumzinnoxid (ITO) durch ein Sputterverfahren in einer Dicke von 70 nm als eine semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 4014b ausgebildet.
  • Bei allen obigen Verdampfschritten wurde die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt.
  • Die Tabelle 1 zeigt die Elementstrukturen des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3, welche wie oben beschrieben hergestellt wurden. [Tabelle 1]
    Figure DE102015208493A1_0004
    *1) CzPA:1,6FrAPrn-II (1:0,05) (25 nm)
    *2) 2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:Ir(tBuppm)2(acac) (0,7:0,3:0,06) (20 nm)
    *3) 2mDBTBPDBq-II:Ir(dmdppr-dmp)2(acac) (1:0,06) (20 nm)
  • Wie in der Tabelle 1 gezeigt, wurde ein rotes Farbfilter (R) in einer Dicke von 2,4 μm als eine Farbschicht 4156 auf einem Gegensubstrat 4152 für das Licht emittierende Element 1 ausgebildet, ein grünes Farbfilter (G) wurde in einer Dicke von 1,3 μm als die Farbschicht 4156 auf dem Gegensubstrat 4152 für das Licht emittierende Element 2 ausgebildet, und ein blaues Farbfilter (B) wurde in einer Dicke von 0,6 μm als die Farbschicht 4156 auf dem Gegensubstrat 4152 für das Licht emittierende Bezugselement 3 ausgebildet.
  • Das Licht emittierende Element 1, das Licht emittierende Element 2 und das Licht emittierende Bezugselement 3, welche auf vorstehende Weise hergestellt wurden, wurden jeweils abgedichtet, indem sie in einem Handschuhkasten in einer Stickstoffatmosphäre derart an dem auf vorstehende Weise hergestellten Gegensubstrat 4152 befestigt wurden, dass sie nicht der Luft ausgesetzt waren (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel aufgebracht, um die Elemente zu umschließen, und zur Abdichtung wurden eine Bestrahlung mit UV-Licht mit einer Wellenlänge von 365 nm bei 6 J/cm2 und eine Wärmebehandlung bei 80°C für 1 Stunde durchgeführt).
  • <<Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3>>
  • Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3, welche wie oben beschrieben hergestellt wurden, wurden gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • 16A zeigt Stromeffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3. In 16A stellt die vertikale Achse die Stromeffizienz (cd/A) dar, und die horizontale Achse stellt die Leuchtdichte (cd/m2) dar. 16B zeigt Strom-Spannungs-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3. In 16B stellt die vertikale Achse den Strom (mA) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar. 17 zeigt Leuchtdichte-Spannungs-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3. In 17 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar.
  • Die Tabelle 2 zeigt die Anfangswerte der Haupteigenschaften des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2. [Tabelle 2]
    Spannung (V) Strom (mA) Stromdichte mA/(cm2) Chromatizität (x; y) Leuchtdichte (cd/m2) Stromeffizienz (cd/A)
    Licht emittierendes Element 1 6,6 0,15 3,9 (0,67; 0,33) 903 23,0
    Licht emittierendes Element 2 6,2 0,07 1,7 (0,28; 0,71) 1193 68,8
    Licht emittierendes Bezugselement 3 8,8 1,59 39,7 (0,14; 0,06) 1086 2,7
  • 18 zeigt die Emissionsspektren des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3, durch die ein Strom mit einer Stromdichte von 2,5 mA/cm2 fließt. Wie in 18 gezeigt, hat das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 1 einen Peak bei ungefähr 611 nm, das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 2 hat einen Peak bei ungefähr 539 nm, und das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Bezugselements 3 hat einen Peak bei ungefähr 460 nm.
  • Die obigen Ergebnisse deuten darauf hin, dass das Licht emittierende Element 1 rotes Licht (R) emittiert, das Licht emittierende Element 2 grünes Licht (G) emittiert, und das Licht emittierende Bezugselement 3 blaues Licht (B) emittiert; daher kann unter Verwendung einer Kombination von dem Licht emittierenden Element 1, dem Licht emittierenden Element 2 und dem Licht emittierenden Bezugselement 3 eine Farbanzeige erzielt werden. Jedoch war dann, wenn das Licht emittierende Bezugselement 3 mit den Licht emittierenden Elementen 1 und 2 verglichen wurde (obwohl sie nicht einfach miteinander verglichen werden konnten, da die Elementstrukturen und die Emissionswellenlängen zwischen ihnen unterschiedlich waren), die Stromeffizienz des Licht emittierenden Bezugselements 3 niedriger als diejenigen der Licht emittierenden Elemente 1 und 2.
  • [Beispiel 2]
  • In diesem Beispiel wurden ein Licht emittierendes Element 4 (als LEE 4 in den Zeichnungen bezeichnet) und ein Licht emittierendes Element 5 (als LEE 5 in den Zeichnungen bezeichnet), die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind, hergestellt und ausgewertet. Die Elementstrukturen des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5 werden ausführlich anhand von 15 beschrieben. Das Licht emittierende Element 4 und das Licht emittierende Element 5 in diesem Beispiel wurden unter Verwendung der gleichen Materialien wie diejenigen der Licht emittierenden Elemente in dem Beispiel 1 hergestellt. Daher wird eine Beschreibung der chemischen Formeln der in diesem Beispiel verwendeten Materialien weggelassen.
  • <<Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5>>
  • Zuerst wurde über dem Substrat 4002 APC durch ein Sputterverfahren als die reflektierende Elektrode 4004 ausgebildet. Es sei angemerkt, dass die Dicke der reflektierenden Elektrode 4004 100 nm betrug und die Fläche 4 mm2 (2 mm × 2 mm) betrug.
  • Dann wurde über der reflektierenden Elektrode 4004 ITSO durch ein Sputterverfahren als der durchsichtige leitende Film 4006 ausgebildet. Es sei angemerkt, dass die Dicke des durchsichtigen leitenden Films 4006 sowohl bei dem Licht emittierenden Element 4 als auch bei dem Licht emittierenden Element 5 60 nm betrug.
  • Dann wurde als Vorbehandlung zur Aufdampfung von einer organischen Verbindungsschicht die mit dem durchsichtigen leitenden Film 4006 versehene Seite des Substrats 4002, das mit der reflektierenden Elektrode 4004 und dem durchsichtigen leitenden Film 4006 versehen war, mit Wasser gewaschen, ein Backen wurde eine Stunde lang bei 200°C durchgeführt, und dann wurde eine UV-Ozonbehandlung an einer Oberfläche des durchsichtigen leitenden Films 4006 370 Sekunden lang durchgeführt.
  • Danach wurde das Substrat 4002 in eine Vakuumverdampfeinrichtung überführt, in der der Druck auf etwa 10–4 Pa verringert worden war, und in einer Heizkammer der Vakuumverdampfeinrichtung 60 Minuten lang bei 170°C einem Vakuumbacken unterzogen, und dann wurde das Substrat 4002 ungefähr 30 Minuten lang abgekühlt.
  • Anschließend wurde das Substrat 4002 an einem Halter in der Vakuumverdampfeinrichtung so befestigt, dass eine Oberfläche des Substrats 4002, über der der durchsichtige leitende Film 4006 ausgebildet war, nach unten gerichtet war. In diesem Beispiel wurden durch ein Vakuum-Verdampfverfahren die erste Lochinjektionsschicht 4131, die erste Lochtransportschicht 4132, die erste Licht emittierende Schicht 4008, die ersten Elektronentransportschichten 4133a und 4133b, die erste Elektroneninjektionsschicht 4134, die Ladungserzeugungsschicht 4010, die zweite Lochinjektionsschicht 4135, die zweite Lochtransportschicht 4136, die zweiten Licht emittierenden Schichten 4012a und 4012b, die zweiten Elektronentransportschichten 4137a und 4137b und die zweite Elektroneninjektionsschicht 4138 nacheinander ausgebildet. Das Herstellungsverfahren wird nachstehend ausführlich beschrieben.
  • Zuerst wurde der Druck in der Vakuumverdampfeinrichtung auf 10–4 Pa verringert. Dann wurden auf dem durchsichtigen leitenden Film 4006 PCPPn und Molybdänoxid als die erste Lochinjektionsschicht 4131 co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von PCPPn zu Molybdänoxid 1:0,5 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der ersten Lochinjektionsschicht 4131 bei dem Licht emittierenden Element 4 65 nm betrug, und dass die Dicke der ersten Lochinjektionsschicht 4131 bei dem Licht emittierenden Element 5 70 nm betrug.
  • Dann wurde die erste Lochtransportschicht 4132 auf der ersten Lochinjektionsschicht 4131 ausgebildet. Als die erste Lochtransportschicht 4132 wurde PCPPn verdampft. Es sei angemerkt, dass die Dicke der ersten Lochtransportschicht 4132 sowohl bei dem Licht emittierenden Element 4 als auch bei dem Licht emittierenden Element 5 15 nm betrug.
  • Dann wurde die erste Licht emittierende Schicht 4008 auf der ersten Lochtransportschicht 4132 ausgebildet. Als die erste Licht emittierende Schicht 4008 wurden CzPA und 1,6FrAPrn-II co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von CzPA zu 1,6FrAPrn-II 1:0,05 betrug. Die Dicke der ersten Licht emittierenden Schicht 4008 betrug 25 nm.
  • Dann wurde auf der ersten Licht emittierenden Schicht 4008 CzPA in einer Dicke von 5 nm als die erste Elektronentransportschicht 4133a verdampft. Dann wurde auf der ersten Elektronentransportschicht 4133a Bphen in einer Dicke von 15 nm als die erste Elektronentransportschicht 4133b verdampft. Dann wurde auf der ersten Elektronentransportschicht 4133b Li2O in einer Dicke von 0,1 nm als die erste Elektroneninjektionsschicht 4134 verdampft.
  • Dann wurde auf der ersten Elektroneninjektionsschicht 4134 CuPc in einer Dicke von 2 nm als die Ladungserzeugungsschicht 4010 verdampft.
  • Dann wurden auf der Ladungserzeugungsschicht 4010 DBT3P-II und Molybdänoxid als die zweite Lochinjektionsschicht 4135 co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von DBT3P-II zu Molybdänoxid 1:0,5 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der zweiten Lochinjektionsschicht 4135 12,5 nm betrug.
  • Dann wurde auf der zweiten Lochinjektionsschicht 4135 BPAFLP in einer Dicke von 20 nm als die zweite Lochtransportschicht 4136 verdampft.
  • Dann wurden auf der zweiten Lochtransportschicht 4136 2mDBTBPDBq-II, PCBNBB und Ir(tBuppm)2(acac) als die zweite Licht emittierende Schicht 4012a co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II zu PCBNBB und Ir(touppm)2(acac) 0,7:0,3:0,06 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der zweiten Licht emittierenden Schicht 4012a 20 nm betrug.
  • Dann wurden auf der zweiten Licht emittierenden Schicht 4012a 2mDBTBPDBq-II und Ir(dmdppr-dmp)2(acac) als die zweite Licht emittierende Schicht 4012b co-verdampft, so dass das Massenverhältnis von 2mDBTBPDBq-II zu Ir(dmdppr-dmp)2(acac) 1:0,06 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der zweiten Licht emittierenden Schicht 4012b 20 nm betrug.
  • Dann wurde auf der zweiten Licht emittierenden Schicht 4012b 2mDBTPDBq-II in einer Dicke von 30 nm als die zweite Elektronentransportschicht 4137a verdampft. Dann wurde auf der zweiten Elektronentransportschicht 4137a Bphen in einer Dicke von 15 nm als die zweite Elektronentransportschicht 4137b verdampft.
  • Dann wurde auf der zweiten Elektronentransportschicht 4137b LiF in einer Dicke von 1 nm als die zweite Elektroneninjektionsschicht 4138 verdampft.
  • Dann wurden auf der zweiten Elektroneninjektionsschicht 4138 Silber (Ag) und Magnesium (Mg) als die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 4014a co-verdampft, so dass das Volumenverhältnis 1:0,1 betrug. Es sei angemerkt, dass die Dicke der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 4014a 15 nm betrug. Dann wurde auf der semidurchlässigen und semireflektierenden Elektrode 4014a ein Film aus ITO durch ein Sputterverfahren in einer Dicke von 70 nm als die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode 4014b ausgebildet.
  • Bei allen obigen Verdampfschritten wurde die Verdampfung durch ein Widerstandserwärmungsverfahren durchgeführt.
  • Die Tabelle 3 zeigt die Elementstrukturen des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5, welche wie oben beschrieben hergestellt wurden. [Tabelle 3]
    Figure DE102015208493A1_0005
    *1) CzPA:1,6FrAPrn-II (1:0,05) (25 nm)
    *2) 2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:Ir(tBuppm)2(acac) (0,7:0,3:0,06) (20 nm)
    *3) 2mDBTBPDBq-II:Ir(dmdppr-dmp)2(acac) (1:0,06) (20 nm)
  • Wie in der Tabelle 3 gezeigt, wurde ein blaues Farbfilter (B) in einer Dicke von 0,6 μm als die Farbschicht 4156 auf dem Gegensubstrat 4152 für das Licht emittierende Element 4 ausgebildet, und ein blaues Farbfilter (B) wurde in einer Dicke von 1,0 μm als die Farbschicht 4156 auf dem Gegensubstrat 4152 für das Licht emittierende Element 5 ausgebildet.
  • Das Licht emittierende Element 4 und das Licht emittierende Element 5, welche auf vorstehende Weise hergestellt wurden, wurden jeweils abgedichtet, indem sie in einem Handschuhkasten in einer Stickstoffatmosphäre derart an dem auf vorstehende Weise hergestellten Gegensubstrat 4152 befestigt wurden, dass sie nicht der Luft ausgesetzt waren (insbesondere wurde ein Dichtungsmittel aufgebracht, um die Elemente zu umschließen, und zur Abdichtung wurden eine Bestrahlung mit UV-Licht mit einer Wellenlänge von 365 nm bei 6 J/cm2 und eine Wärmebehandlung bei 80°C für 1 Stunde durchgeführt).
  • <<Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5>>
  • Betriebseigenschaften des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5, welche wie oben beschrieben hergestellt wurden, wurden gemessen. Es sei angemerkt, dass die Messungen bei Raumtemperatur (in einer bei 25°C gehaltenen Atmosphäre) durchgeführt wurden.
  • 19A zeigt Stromeffizienz-Leuchtdichte-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5. In 19A stellt die vertikale Achse die Stromeffizienz (cd/A) dar, und die horizontale Achse stellt die Leuchtdichte (cd/m2) dar. 19B zeigt Strom-Spannungs-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5. In 19B stellt die vertikale Achse den Strom (mA) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar. 20 zeigt Leuchtdichte-Spannungs-Eigenschaften des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5. In 20 stellt die vertikale Achse die Leuchtdichte (cd/m2) dar, und die horizontale Achse stellt die Spannung (V) dar. In 19A und 19B sowie in 20 sind die Messergebnisse des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5 im Wesentlichen gleich.
  • Die Tabelle 4 zeigt die Anfangswerte der Haupteigenschaften des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5 bei einer Leuchtdichte von etwa 1000 cd/m2. [Tabelle 4]
    Spannung (V) Strom (mA) Stromdichte (mA/cm2) Chromatizität (x; y) Leuchtdichte (cd/m2) Stromeffizienz (cd/A)
    Licht emittierendes Element 4 8,2 0,98 24,4 (0,16; 0,07) 1040 4,3
    Licht emittierendes Element 5 8,4 1,19 29,9 (0,14; 0,07) 1001 3,4
  • 21 zeigt die Emissionsspektren des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5, durch die ein Strom mit einer Stromdichte von 2,5 mA/cm2 fließt. Wie in 21 gezeigt, hat das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 4 einen Peak bei ungefähr 462 nm, und das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Elements 5 hat einen Peak bei ungefähr 466 nm.
  • Die obigen Ergebnisse deuten darauf hin, dass das Licht emittierende Element 4 und das Licht emittierende Element 5 blaues Licht (B) emittieren und dass die Stromeffizienz des Licht emittierenden Elements 4 und diejenige des Licht emittierenden Elements 5, die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind, höher sind als diejenige des Licht emittierenden Bezugselements 3, das in dem Beispiel 1 hergestellt wurde, was durch einen Unterschied der optischen Weglänge zwischen APC, der als reflektierende Elektrode verwendet wurde, und der ersten Licht emittierenden Schicht verursacht werden könnte.
  • Die Tabelle 5 zeigt die folgenden Daten: die optische Weglänge zwischen APC und der ersten Licht emittierenden Schicht (nachstehend in einigen Fällen als EML1 bezeichnet) des Licht emittierenden Elements 1, des Licht emittierenden Elements 2 und des Licht emittierenden Bezugselements 3, die in dem Beispiel 1 hergestellt wurden, sowie des Licht emittierenden Elements 4 und des Licht emittierenden Elements 5, die in dem Beispiel 2 hergestellt wurden; die optische Weglänge zwischen APC und der zweiten Licht emittierenden Schicht (nachstehend in einigen Fällen als EML2 bezeichnet) der Licht emittierenden Elemente; sowie 1/4 und 3/4 der Wellenlänge von Licht, das von den Licht emittierenden Elementen emittiert wurde. [Tabelle 5]
    optische Weglänge zwischen APC und EML1 optische Weglänge zwischen APC und EML2 λ/4 3λ/4
    Licht emittierendes Element 1 275 454 153 458
    Licht emittierendes Element 2 209 388 135 404
    Licht emittierendes Bezugselement 3 117 297 115 345
    Licht emittierendes Element 4 332 511 116 347
    Licht emittierendes Element 5 341 521 117 350
    Figure DE102015208493A1_0006
    λ stellt die Wellenlänge von Licht dar, das von dem Licht emittierenden Element emittiert wird.
  • Die optische Weglänge in der Tabelle 5 wurde unter den folgenden Bedingungen berechnet: Der Brechungsindex des ITSO-Films, der als der durchsichtige leitende Film 4006 verwendet wurde, betrug 2,2, und die Brechungsindizes der anderen organischen Schichten (der ersten Lochinjektionsschicht 4131, der ersten Lochtransportschicht 4132, der ersten Licht emittierenden Schicht 4008, der ersten Elektronentransportschicht 4133, der ersten Elektroneninjektionsschicht 4134, der Ladungserzeugungsschicht 4010, der zweiten Lochinjektionsschicht 4135, der zweiten Lochtransportschicht 4136 und der zweiten Licht emittierenden Schicht 4012) betrugen 1,9.
  • Es wird darauf hingedeutet, dass, da, wie in der Tabelle 5 gezeigt, bei dem Licht emittierenden Bezugselement 3 die optische Weglänge zwischen APC und EML1 ungefähr λB/4 war, Licht in der Nähe einer Oberfläche von APC gestreut oder absorbiert wurde, was zu einer niedrigen Stromeffizienz führte. Andererseits wird darauf hingedeutet, dass, da sowohl bei dem Licht emittierenden Element 4 als auch bei dem Licht emittierenden Element 5, die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind, die optische Weglänge zwischen APC und EML1 ungefähr 3λB/4 war, die Streuung oder Absorption von Licht in der Nähe einer Oberfläche von APC unterdrückt wurde, was zu einer höheren Stromeffizienz führte als bei dem Licht emittierenden Bezugselement 3.
  • Die Tabelle 5 zeigt auch, dass bei dem Licht emittierenden Element 1, das eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, die optische Weglänge zwischen APC und EML2 ungefähr 3λR/4 war, und dass bei dem Licht emittierenden Element 2, das eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, die optische Weglänge zwischen APC und EML2 ungefähr 3λG/4 war.
  • Die in diesem Beispiel beschriebenen Strukturen können in einer geeigneten Kombination mit einer Struktur der bei den anderen Ausführungsformen und Beispiel beschriebenen Strukturen verwendet werden.
  • Diese Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung mit der Seriennr. 2014-101116 , eingereicht beim japanischen Patentamt am 15. Mai 2014, deren gesamter Inhalt hiermit zum Gegenstand der vorliegenden Offenlegung gemacht ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2012-182127 [0006]
    • JP 2014-101116 [0313]

Claims (27)

  1. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: ein erstes Licht emittierendes Element, das geeignet ist, blaues Licht zu emittieren, wobei das erste Licht emittierende Element umfasst: eine erste reflektierende Elektrode; einen ersten durchsichtigen leitenden Film über der ersten reflektierenden Elektrode; eine erste Licht emittierende Schicht über dem ersten durchsichtigen leitenden Film; eine Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; eine zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und eine Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, ein zweites Licht emittierendes Element, das geeignet ist, grünes Licht zu emittieren, wobei das zweite Licht emittierende Element umfasst: eine zweite reflektierende Elektrode; einen zweiten durchsichtigen leitenden Film über der zweiten reflektierenden Elektrode; die erste Licht emittierende Schicht über dem zweiten durchsichtigen leitenden Film; die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, und ein drittes Licht emittierendes Element, das geeignet ist, rotes Licht zu emittieren, wobei das dritte Licht emittierende Element umfasst: eine dritte reflektierende Elektrode; einen dritten durchsichtigen leitenden Film über der dritten reflektierenden Elektrode; die erste Licht emittierende Schicht über dem dritten durchsichtigen leitenden Film; die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, wobei die erste Elektrode bis die dritte Elektrode jeweils Silber umfassen, wobei der erste durchsichtige leitende Film einen ersten Bereich hat, wobei der zweite durchsichtige leitende Film einen zweiten Bereich hat, wobei der dritte durchsichtige leitende Film einen dritten Bereich hat, wobei der erste Bereich dicker ist als der dritte Bereich, und wobei der dritte Bereich dicker ist als der zweite Bereich.
  2. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste Licht emittierende Substanz umfasst, die Licht in mindestens einer Farbe von Violett, Blau und Blaugrün emittiert, und wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite Licht emittierende Substanz umfasst, die Licht in mindestens einer Farbe von Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange und Rot emittiert.
  3. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht größer als oder gleich 3/4λB ist, wobei λB ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 420 nm und kleiner als oder gleich 480 nm ist.
  4. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht kleiner als 3/4λG ist, wobei λG ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 500 nm und kleiner als 550 nm ist, und wobei eine optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht kleiner als 3/4λR ist, wobei λR ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 740 nm ist.
  5. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ungefähr 3/4λG ist, wobei λG ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 500 nm und kleiner als 550 nm ist, und wobei eine optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ungefähr 3/4λR ist, wobei λR ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 740 nm ist.
  6. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Elektrode geeignet ist, Licht durchzulassen und zu reflektieren.
  7. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner umfasst: ein erstes optisches Element, das sich mit dem ersten Licht emittierenden Element überlappt; ein zweites optisches Element, das sich mit dem zweiten Licht emittierenden Element überlappt; und ein drittes optisches Element, das sich mit dem dritten Licht emittierenden Element überlappt, wobei das erste optische Element geeignet ist, blaues Licht durchzulassen, wobei das zweite optische Element geeignet ist, grünes Licht durchzulassen, und wobei das dritte optische Element geeignet ist, rotes Licht durchzulassen.
  8. Elektronisches Gerät, das umfasst: die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, und ein Gehäuse oder einen Berührungssensor.
  9. Beleuchtungsvorrichtung, die umfasst: die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, und ein Gehäuse oder einen Berührungssensor.
  10. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: ein erstes Licht emittierendes Element, das geeignet ist, blaues Licht zu emittieren, wobei das erste Licht emittierende Element umfasst: eine erste reflektierende Elektrode; einen ersten durchsichtigen leitenden Film über der ersten reflektierenden Elektrode; eine erste Licht emittierende Schicht über dem ersten durchsichtigen leitenden Film; eine Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; eine zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und eine Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, ein zweites Licht emittierendes Element, das geeignet ist, grünes Licht zu emittieren, wobei das zweite Licht emittierende Element umfasst: eine zweite reflektierende Elektrode; einen zweiten durchsichtigen leitenden Film über der zweiten reflektierenden Elektrode; die erste Licht emittierende Schicht über dem zweiten durchsichtigen leitenden Film; die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, ein drittes Licht emittierendes Element, das geeignet ist, rotes Licht zu emittieren, wobei das dritte Licht emittierende Element umfasst: eine dritte reflektierende Elektrode; einen dritten durchsichtigen leitenden Film über der dritten reflektierenden Elektrode; die erste Licht emittierende Schicht über dem dritten durchsichtigen leitenden Film; die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, und ein viertes Licht emittierendes Element, das geeignet ist, gelbes Licht zu emittieren, wobei das vierte Licht emittierende Element umfasst: eine vierte reflektierende Elektrode; einen vierten durchsichtigen leitenden Film über der vierten reflektierenden Elektrode; die erste Licht emittierende Schicht über dem vierten durchsichtigen leitenden Film; die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, wobei die erste Elektrode bis die vierte Elektrode jeweils Silber umfassen, wobei der erste durchsichtige leitende Film einen ersten Bereich hat, wobei der zweite durchsichtige leitende Film einen zweiten Bereich hat, wobei der dritte durchsichtige leitende Film einen dritten Bereich hat, wobei der vierte durchsichtige leitende Film einen vierten Bereich hat, wobei der erste Bereich dicker ist als der dritte Bereich, wobei der dritte Bereich dicker ist als der vierte Bereich, und wobei der vierte Bereich dicker ist als der zweite Bereich.
  11. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste Licht emittierende Substanz umfasst, die blaues Licht emittiert, und wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite Licht emittierende Substanz umfasst, die Licht in mindestens einer Farbe von Grün, Gelb und Rot emittiert.
  12. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei eine optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht größer als oder gleich 3/4λB ist, wobei λB ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 420 nm und kleiner als oder gleich 480 nm ist.
  13. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei eine optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht kleiner als 3/4λG ist, wobei λG ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 500 nm und kleiner als 550 nm ist, wobei eine optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht kleiner als 3/4λR ist, wobei λR ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 740 nm ist, und wobei eine optische Weglänge zwischen der vierten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht kleiner als 3/4λY ist, wobei λY ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 550 nm und kleiner als oder gleich 580 nm ist.
  14. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei eine optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ungefähr 3/4λG ist, wobei λG ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 500 nm und kleiner als 550 nm ist, wobei eine optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ungefähr 3/4λR ist, wobei λR ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 740 nm ist, und wobei eine optische Weglänge zwischen der vierten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ungefähr 3/4λY ist, wobei λY ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 550 nm und kleiner als oder gleich 580 nm ist.
  15. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei die Elektrode geeignet ist, Licht durchzulassen und zu reflektieren.
  16. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, die ferner umfasst: ein erstes optisches Element, das sich mit dem ersten Licht emittierenden Element überlappt; ein zweites optisches Element, das sich mit dem zweiten Licht emittierenden Element überlappt; und ein drittes optisches Element, das sich mit dem dritten Licht emittierenden Element überlappt, wobei das erste optische Element geeignet ist, blaues Licht durchzulassen, wobei das zweite optische Element geeignet ist, grünes Licht durchzulassen, und wobei das dritte optische Element geeignet ist, rotes Licht durchzulassen.
  17. Elektronisches Gerät, das umfasst: die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, und ein Gehäuse oder einen Berührungssensor.
  18. Beleuchtungsvorrichtung, die umfasst: die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, und ein Gehäuse oder einen Berührungssensor.
  19. Licht emittierende Vorrichtung, die umfasst: ein erstes Licht emittierendes Element, das geeignet ist, blaues Licht zu emittieren, wobei das erste Licht emittierende Element umfasst: eine erste reflektierende Elektrode; einen ersten durchsichtigen leitenden Film über der ersten reflektierenden Elektrode; eine erste Licht emittierende Schicht über dem ersten durchsichtigen leitenden Film; eine Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; eine zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und eine Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, ein zweites Licht emittierendes Element, das geeignet ist, grünes Licht zu emittieren, wobei das zweite Licht emittierende Element umfasst: eine zweite reflektierende Elektrode; einen zweiten durchsichtigen leitenden Film über der zweiten reflektierenden Elektrode; die erste Licht emittierende Schicht über dem zweiten durchsichtigen leitenden Film; die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, und ein drittes Licht emittierendes Element, das geeignet ist, rotes Licht zu emittieren, wobei das dritte Licht emittierende Element umfasst: eine dritte reflektierende Elektrode; einen dritten durchsichtigen leitenden Film über der dritten reflektierenden Elektrode; die erste Licht emittierende Schicht über dem dritten durchsichtigen leitenden Film; die Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht; die zweite Licht emittierende Schicht über der Ladungserzeugungsschicht; und die Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht, wobei die erste Elektrode bis die dritte Elektrode jeweils Silber umfassen, wobei eine optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht länger ist als eine optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der dritten Licht emittierenden Schicht, und wobei die optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der dritten Licht emittierenden Schicht länger ist als eine optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht.
  20. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei die erste Licht emittierende Schicht eine erste Licht emittierende Substanz umfasst, die Licht in mindestens einer Farbe von Violett, Blau und Blaugrün emittiert, und wobei die zweite Licht emittierende Schicht eine zweite Licht emittierende Substanz umfasst, die Licht in mindestens einer Farbe von Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange und Rot emittiert.
  21. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei eine optische Weglänge zwischen der ersten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht größer als oder gleich 3/4λB ist, wobei λB ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 420 nm und kleiner als oder gleich 480 nm ist.
  22. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei eine optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht kleiner als 3/4λG ist, wobei AG ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 500 nm und kleiner als 550 nm ist, und wobei eine optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der ersten Licht emittierenden Schicht kleiner als 3/4λR ist, wobei λR ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 740 nm ist.
  23. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei eine optische Weglänge zwischen der zweiten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ungefähr 3/4λG ist, wobei λG ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 500 nm und kleiner als 550 nm ist, und wobei eine optische Weglänge zwischen der dritten reflektierenden Elektrode und der zweiten Licht emittierenden Schicht ungefähr 3/4λR ist, wobei λR ein Wellenlängenbereich von größer als oder gleich 600 nm und kleiner als oder gleich 740 nm ist.
  24. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei die Elektrode geeignet ist, Licht durchzulassen und zu reflektieren.
  25. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 19, die ferner umfasst: ein erstes optisches Element, das sich mit dem ersten Licht emittierenden Element überlappt; ein zweites optisches Element, das sich mit dem zweiten Licht emittierenden Element überlappt; und ein drittes optisches Element, das sich mit dem dritten Licht emittierenden Element überlappt, wobei das erste optische Element geeignet ist, blaues Licht durchzulassen, wobei das zweite optische Element geeignet ist, grünes Licht durchzulassen, und wobei das dritte optische Element geeignet ist, rotes Licht durchzulassen.
  26. Elektronisches Gerät, das umfasst: die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 19, und ein Gehäuse oder einen Berührungssensor.
  27. Beleuchtungsvorrichtung, die umfasst: die Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 19, und ein Gehäuse oder einen Berührungssensor.
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