JP2016085970A - 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について、図1乃至図10を用いて以下説明する。
図1(A)(B)は、本発明の一態様の発光素子を示す断面図である。図1(A)に示す発光素子150は、電極層101と、EL層100と、電極層102と、を有する。また、電極層101は、導電層101aと、導電層101a上に接する酸化物層101bと、を有する。
電極層101を構成する導電層101aは、光が反射する機能を有する。導電層101aに、アルミニウム(Al)または銀(Ag)を有する材料を用いることで、導電層101aの反射率を高めることが可能となり、発光素子150の発光効率を高めることができる。なお、Alは材料コストが安く、パターン形成が容易であるため、発光素子の製造コストを安価にすることができ、好ましい。また、Agは特に高い反射率を有するため、発光素子の発光効率を高めることができ、好ましい。
次に、図1(A)(B)に示す発光素子150と異なる構成例について、図2(A)(B)を用いて、以下説明を行う。
次に、図1(A)(B)、および図2(A)(B)に示す発光素子と異なる構成例について、図3(A)(B)を用いて、以下説明を行う。
次に、図1乃至図3に示す発光素子と異なる構成例について、図4を用いて、以下説明を行う。
次に、図1乃至図4に示す発光素子と異なる構成例について、図5(A)(B)を用いて、以下説明を行う。
次に、図1乃至図5に示す発光素子と異なる構成例について、図6(A)(B)を用いて、以下説明を行う。
次に、図1乃至図6に示す発光素子と異なる構成例について、図7(A)(B)を用いて、以下説明を行う。
発光層121、及び発光層122から呈される光は、一対の電極層(例えば、電極層101と電極層102)の間で共振される。発光素子290及び発光素子292においては、各領域で酸化物層および透明導電膜の厚さを調整することで、発光層121及び発光層122から呈される光の波長を強めることができる。なお、各領域で正孔注入層111及び正孔輸送層112のうち、少なくとも一つの厚さを異ならせることで、発光層121及び発光層122から呈される光の波長を強めても良い。
次に、図1乃至図7に示す発光素子の構成要素の詳細について、以下説明を行う。
本発明の一様態に係る発光素子を形成できる基板としては、例えばガラス、石英、またはプラスチックなどを用いることできる。また可撓性基板を用いても良い。可撓性基板とは、曲げることができる(フレキシブル)基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレートからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び表示装置の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでも良い。あるいは、発光素子、及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
電極層101、電極層103は、各発光素子の陽極または陰極としての機能を有する。なお、電極層101を構成する導電層101a、及び電極層103を構成する導電層103aは、光を反射する機能を有する導電性材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、AlまたはAlを含む合金等が挙げられる。Alを含む合金としては、AlとL(Lは、Ti、Nd、ニッケル(Ni)、及びLaの一つまたは複数を表す)とを含む合金等が挙げられる。アルミニウムは、抵抗値が低く、光の反射率が高い。また、アルミニウムは、地殻における存在量が多く、安価であるため、アルミニウムを用いることによる発光素子の作製コストを低減することができる。また、AgまたはAgと、N(Nは、Y、Nd、Mg、Al、Ti、Ga、Zn、In、タングステン(W)、マンガン(Mn)、Sn、鉄(Fe)、Ni、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、または金(Au)を表す)とを含む合金等を用いても良い。銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金等が挙げられる。なお、電極層101及び電極層103から光を取り出す場合、導電層101a及び導電層103aは、光を透過する程度(好ましくは、5nm以上30nm以下程度)の膜厚の上記導電性材料に例示した金属薄膜で形成されることが好ましく、光を反射する機能と、光を透過する機能を有することが好ましい。
発光層120、発光層121または発光層122は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第1の化合物を有すると好ましい。または、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少なくともいずれか一つの発光を呈する第2の化合物を有すると好ましい。また、各発光層は、第1の化合物に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成される。また、各発光層は、第2の化合物に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または双方を含んで構成されると好ましい。
正孔注入層111、正孔注入層116は、陽極からEL層へ正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い物質を含む層である。例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物を用いることができる。この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)や銅フタロシアニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’−ビス{4−[ビス(3−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−N,N’−ジフェニル−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(略称:DNTPD)等の芳香族アミン化合物、或いはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(略称:PEDOT/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
正孔輸送層112、正孔輸送層117は正孔輸送性を有する材料(正孔輸送性材料)を含む層であり、正孔注入層111、正孔注入層116の材料として例示した材料を使用することができる。正孔輸送層112は正孔注入層111に注入された正孔を発光層121へ輸送する機能を有するため、正孔注入層111の最高被占軌道(Highest Occupied Molecular Orbital、HOMOともいう)準位と同じ、あるいは近いHOMOのエネルギー準位を有することが好ましい。
電子輸送層113、電子輸送層118は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層113及び電子輸送層118に用いる材料としては、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体などが挙げられる。具体的には、Alq3、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq2)、BAlq、Zn(BOX)2、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(II)(略称:Zn(BTZ)2)などの金属錯体を用いることができる。また、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:Bphen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、4,4’−ビス(5−メチルベンゾオキサゾール−2−イル)スチルベン(略称:BzOs)、などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ(2,5−ピリジンジイル)(略称:PPy)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に1×10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層113及び電子輸送層118として用いてもよい。
電子注入層114及び電子注入層119は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層114には、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)、リチウム酸化物(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム(ErF3)のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層114及び電子注入層119にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。また、電子注入層114及び電子注入層119に、電子輸送層113及び電子輸送層118で用いることが出来る物質を用いても良い。
電荷発生層115は、一対の電極(電極層101及び電極層102)間に電圧を印加したときに、一方の発光層(発光層121または発光層122)側に電子を注入し、他方の発光層(発光層121または発光層122)側に正孔を注入する機能を有する。
光学素子224R、光学素子224G、及び光学素子224Bは、入射される光から特定の色を呈する光を選択的に透過するものである。例えば、着色層(カラーフィルタともいう)、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。また、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット方式を用いる素子であると好適である。量子ドット方式を用いることにより、表示装置の色再現性を高めることができる。
遮光層223としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層223としては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層223としては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
隔壁140としては、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成される。該無機材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。該有機材料としては、例えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
次に、本発明の一態様の発光素子の作製方法について、図9及び図10を用いて以下説明を行う。なお、ここでは、図7(A)に示す発光素子290の作製方法について説明する。
第1のステップは、発光素子の電極層(具体的には、電極層101を構成する導電層101a、電極層103を構成する導電層103a、及び電極層104を構成する導電層104a)を、基板200上に形成する工程である(図9(A)参照)。
第2のステップは、電極層101を構成する導電層101a上に酸化物層101bを形成する工程である(図9(B)参照)。
第3のステップは、電極層103を構成する導電層103a上に接する酸化物層103b、及び電極層104を構成する導電層104a上に接する酸化物層104bを形成する工程である(図9(C))。
第4のステップは、発光素子の透明導電膜(具体的には、電極層101を構成する透明導電膜101c、及び電極層103を構成する透明導電膜103c)を、形成する工程である(図9(D)参照)。
第5のステップは、発光素子の各電極層の端部を覆う隔壁140を形成する工程である(図9(E)参照)。
第6のステップは、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層121、電子輸送層113、電子注入層114、及び電荷発生層115を形成する工程である(図10(A)参照)。
第7のステップは、正孔注入層116、正孔輸送層117、発光層122、電子輸送層118、電子注入層119、及び電極層102を形成する工程である(図10(B)参照)。
第8のステップは、基板220上に遮光層223、光学素子224R、光学素子224G、及び光学素子224Bを形成する工程である(図10(C)参照)。
第9のステップは、基板200上に形成された発光素子と、基板220上に形成された遮光層223、光学素子224R、光学素子224G、及び光学素子224Bと、を貼り合わせ、封止材を用いて封止する工程である(図示しない)。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子、または本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光素子の発光機構について、図11乃至図13を用いて以下説明する。
まず、発光層413の発光機構について、以下説明を行う。
・Host(422):ホスト材料422
・Guest(421):ゲスト材料421(蛍光材料)
・SFH:ホスト材料422の一重項励起状態の最も低い準位
・TFH:ホスト材料422の三重項励起状態の最も低い準位
・SFG:ゲスト材料421(蛍光材料)の一重項励起状態の最も低い準位
・TFG:ゲスト材料421(蛍光材料)の三重項励起状態の最も低い準位
次に、発光層414の発光機構について、以下説明を行う。
・Host(432):ホスト材料(有機化合物432)
・Assist(433):アシスト材料(有機化合物433)
・Guest(431):ゲスト材料431(燐光材料)
・Exciplex:励起錯体(有機化合物432及び有機化合物433)
・SPH:ホスト材料(有機化合物432)の一重項励起状態の最も低い準位
・TPH:ホスト材料(有機化合物432)の三重項励起状態の最も低い準位
・TPG:ゲスト材料431(燐光材料)の三重項励起状態の最も低い準位
・SE:励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・TE:励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
発光層413及び発光層414のそれぞれの発光機構について、上記説明したが、発光素子450に示すように、発光層413と、発光層414とが互いに接する構成を有する場合、発光層413と発光層414の界面において、励起錯体から発光層413のホスト材料422へのエネルギー移動(とくに三重項励起準位のエネルギー移動)が起こったとしても、発光層413にて上記三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
・Fluorescence EML(413):蛍光発光層(発光層413)
・Phosphorescence EML(414):燐光発光層(発光層414)
・SFH:ホスト材料422の一重項励起状態の最も低い準位
・TFH:ホスト材料422の三重項励起状態の最も低い準位
・SFG:ゲスト材料421(蛍光材料)の一重項励起状態の最も低い準位
・TFG:ゲスト材料421(蛍光材料)の三重項励起状態の最も低い準位
・SPH:ホスト材料(有機化合物432)の一重項励起状態の最も低い準位
・TPH:ホスト材料(有機化合物432)の三重項励起状態の最も低い準位
・TPG:ゲスト材料431(燐光材料)の三重項励起状態の最も低い準位
・SE:励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・TE:励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
発光層413中では、ホスト材料422が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料421(蛍光材料)は、ホスト材料422中に分散される。ホスト材料422のS1準位は、ゲスト材料421(蛍光材料)のS1準位よりも高く、ホスト材料422のT1準位は、ゲスト材料421(蛍光材料)のT1準位よりも低いことが好ましい。
発光層414中では、ホスト材料(有機化合物432)が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料431(燐光材料)は、ホスト材料(有機化合物432)中に分散される。発光層414のホスト材料(有機化合物432)のT1準位は、発光層413のゲスト材料421(蛍光材料)のT1準位よりも高いことが好ましく、発光層414のゲスト材料431(燐光材料)のT1準位よりも高いことが好ましい。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図14乃至図18を用いて説明する。
図14(A)は表示装置600を示す上面図、図14(B)は図14(A)の一点鎖線A−B、及び一点鎖線C−Dで切断した断面図である。表示装置600は、駆動回路部(信号線駆動回路部601、及び走査線駆動回路部603)、並びに画素部602を有する。なお、信号線駆動回路部601、走査線駆動回路部603、及び画素部602は、発光素子の発光を制御する機能を有する。
次に、表示装置の別の一例について、図15(A)(B)及び図16を用いて説明を行う。なお、図15(A)(B)及び図16は、本発明の一態様の表示装置の断面図である。
トップエミッション型の表示装置の断面図の一例を図17及び図18に示す。図17及び図18は、本発明の一態様の表示装置を説明する断面図であり、図15(A)(B)及び図16に示す駆動回路部1041、周辺部1042等を省略して例示している。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置について、図19(A)(B)を用いて説明を行う。
図19(A)に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域(以下、画素部802という)と、画素部802の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部(以下、駆動回路部804という)と、素子の保護機能を有する回路(以下、保護回路806という)と、端子部807と、を有する。なお、保護回路806は、設けない構成としてもよい。
図19(A)に示す複数の画素回路801は、例えば、図19(B)に示す構成とすることができる。
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置、及び該表示装置に入力装置を取り付けた電子機器について、図20乃至図24を用いて説明を行う。
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示装置と、入力装置とを合わせたタッチパネル2000について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセンサを用いる場合について説明する。
次に、図21(A)を用いて、表示装置2501の詳細について説明する。図21(A)は、図20(B)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図に相当する。
次に、図21(C)を用いて、タッチセンサ2595の詳細について説明する。図21(C)は、図20(B)に示す一点鎖線X3−X4間の断面図に相当する。
次に、図22(A)を用いて、タッチパネル2000の詳細について説明する。図22(A)は、図20(A)に示す一点鎖線X5−X6間の断面図に相当する。
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図23(A)(B)を用いて説明を行う。
また、図23(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量2603のみを設けるパッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有するアクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。アクティブマトリクス型のタッチセンサに含まれるセンサ回路の一例を図24に示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する表示モジュール及び電子機器について、図25及び図26を用いて説明を行う。
図25に示す表示モジュール8000は、上部カバー8001と下部カバー8002との間に、FPC8003に接続されたタッチセンサ8004、FPC8005に接続された表示装置8006、フレーム8009、プリント基板8010、バッテリ8011を有する。
図26(A)乃至図26(G)は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体9000、表示部9001、スピーカ9003、操作キー9005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子9006、センサ9007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン9008、等を有することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用した照明装置の一例について、図27を用いて説明する。
基板200上に電極層を構成する導電層101aとして、Al−Ni−La膜を厚さ200nmになるように形成した。次に、導電層101a上に接する酸化物層101bとして、In−Ga−Zn酸化物を厚さ10nmになるように形成した。この際、スパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、In:Ga:Zn=1:1:1を用い、基板温度は300℃にて成膜した。その後、酸化物層101b上に透明導電膜101cとして、ITSO膜を厚さ10nmになるよう形成した。ITSO膜の成膜後、250℃及び300℃にてそれぞれ1時間のベークを行った。以上の工程にて、電極1の作製を行った。
電極2は、先に示す電極1の酸化物層101bを形成する工程が異なり、それ以外の工程は電極1と同様の作製方法とした。すなわち、酸化物層101bとしてIn−Ga−Zn酸化物を成膜する際に、スパッタリングターゲットの金属元素の原子数比が、In:Ga:Zn=1:3:6を用い、基板温度は300℃にて成膜した。
比較電極1は、先に示す電極1の酸化物層101bを形成する工程が異なり、それ以外の工程は電極1と同様の作製方法とした。すなわち、酸化物層101bの替わりとして、Ti膜を厚さ6nmになるように形成後、300℃にて1時間のベーク処理を行うことで、Ti膜を酸化し、チタン酸化膜を形成した。
電極1と電極2、比較電極1の反射率を図28に示す。
基板510上に電極層501を構成する導電層501aとして、Al−Ni−La膜を厚さ200nmになるように形成した。
発光素子2は、先に示す発光素子1の作製と、以下の工程のみ異なり、それ以外の工程は発光素子1と同様の作製方法とした。
次に、上記作製した発光素子1及び発光素子2の電流効率−輝度特性を図30に示す。なお、各発光素子の測定は室温(23℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子3は、実施例2で示した発光素子1の作製と、以下の工程のみ異なり、それ以外の工程は発光素子1と同様の作製方法とした。
発光素子4は、発光素子3の作製と、以下の工程のみ異なり、それ以外の工程は発光素子3と同様の作製方法とした。
発光素子5は、発光素子3の作製と、以下の工程のみ異なり、それ以外の工程は発光素子3と同様の作製方法とした。
次に、上記作製した発光素子3乃至発光素子5の電流効率−輝度特性を図32に示す。また、輝度−電圧特性を図33に示す。なお、各発光素子の測定は室温(23℃に保たれた雰囲気)で行った。
基板510上に電極層501を構成する導電層501aとして、Al−Ni−La膜を厚さ200nmになるように形成した。
発光素子7は、先に示す発光素子6の作製と、以下の工程のみ異なり、それ以外の工程は発光素子6と同様の作製方法とした。
発光素子8は、発光素子6の作製と、以下の工程のみ異なり、それ以外の工程は発光素子6と同様の作製方法とした。
次に、上記作製した発光素子6乃至発光素子8の電流効率−輝度特性を図35に示す。また、輝度−電圧特性を図36に示す。なお、各発光素子の測定は室温(23℃に保たれた雰囲気)で行った。
101 電極層
101a 導電層
101b 酸化物層
101c 透明導電膜
101d 酸化物層
101e 透明導電膜
102 電極層
103 電極層
103a 導電層
103b 酸化物層
103c 透明導電膜
104 電極層
104a 導電層
104b 酸化物層
106 発光ユニット
108 発光ユニット
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 電子輸送層
114 電子注入層
115 電荷発生層
116 正孔注入層
117 正孔輸送層
118 電子輸送層
119 電子注入層
120 発光層
120a 発光層
120b 発光層
121 発光層
121a 発光層
121b 発光層
122 発光層
122a 発光層
122b 発光層
140 隔壁
150 発光素子
170 発光素子
172 発光素子
174 発光素子
176 発光素子
190 タンデム型発光素子
200 基板
210A 領域
210B 領域
211A 領域
211B 領域
212A 領域
212B 領域
213A 領域
213B 領域
220 基板
221B 領域
221G 領域
221R 領域
223 遮光層
224B 光学素子
224G 光学素子
224R 光学素子
250 発光素子
270 発光素子
280 発光素子
282 発光素子
290 発光素子
292 発光素子
400 EL層
401 電極層
401a 導電層
401b 酸化物層
402 電極層
411 正孔注入層
412 正孔輸送層
413 発光層
414 発光層
415 電子輸送層
416 電子注入層
421 ゲスト材料
422 ホスト材料
431 ゲスト材料
432 有機化合物
433 有機化合物
450 発光素子
501 電極層
501a 導電層
501b 酸化物層
501c 透明導電膜
502 電極層
503 電極層
503a 導電層
503b 酸化物層
503c 透明導電膜
510 基板
512 封止基板
514 光学素子
520 発光層
521 発光層
522 発光層
531 正孔注入層
532 正孔輸送層
533 電子輸送層
534 電子注入層
535 電荷発生層
537 正孔輸送層
538 電子輸送層
539 電子注入層
540 バッファ層
600 表示装置
601 信号線駆動回路部
602 画素部
603 走査線駆動回路部
604 封止基板
605 シール材
607 領域
608 配線
609 FPC
610 素子基板
611 トランジスタ
612 トランジスタ
613 下部電極
614 隔壁
616 EL層
617 上部電極
618 発光素子
621 光学素子
622 遮光層
623 トランジスタ
624 トランジスタ
801 画素回路
802 画素部
804 駆動回路部
804a 走査線駆動回路
804b 信号線駆動回路
806 保護回路
807 端子部
852 トランジスタ
854 トランジスタ
862 容量素子
872 発光素子
1001 基板
1002 下地絶縁膜
1003 ゲート絶縁膜
1006 ゲート電極
1007 ゲート電極
1008 ゲート電極
1020 層間絶縁膜
1021 層間絶縁膜
1022 電極
1024B 下部電極
1024G 下部電極
1024R 下部電極
1025 隔壁
1026 上部電極
1028 EL層
1029 封止層
1031 封止基板
1032 シール材
1033 基材
1034B 着色層
1034G 着色層
1034R 着色層
1035 遮光層
1036 オーバーコート層
1037 層間絶縁膜
1040 画素部
1041 駆動回路部
1042 周辺部
2000 タッチパネル
2001 タッチパネル
2501 表示装置
2502R 画素
2502t トランジスタ
2503c 容量素子
2503g 走査線駆動回路
2503s 信号線駆動回路
2503t トランジスタ
2509 FPC
2510 基板
2510a 絶縁層
2510b 可撓性基板
2510c 接着層
2511 配線
2519 端子
2521 絶縁層
2528 隔壁
2550R 発光素子
2560 封止層
2567BM 遮光層
2567p 反射防止層
2567R 着色層
2570 基板
2570a 絶縁層
2570b 可撓性基板
2570c 接着層
2580R 発光モジュール
2590 基板
2591 電極
2592 電極
2593 絶縁層
2594 配線
2595 タッチセンサ
2597 接着層
2598 配線
2599 接続層
2601 パルス電圧出力回路
2602 電流検出回路
2603 容量
2611 トランジスタ
2612 トランジスタ
2613 トランジスタ
2621 電極
2622 電極
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチセンサ
8005 FPC
8006 表示装置
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
8501 照明装置
8502 照明装置
8503 照明装置
8504 照明装置
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9050 操作ボタン
9051 情報
9052 情報
9053 情報
9054 情報
9055 ヒンジ
9100 携帯情報端末
9101 携帯情報端末
9102 携帯情報端末
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
Claims (21)
- 第1の電極層と、
第2の電極層と、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層の間に設けられたEL層と、
を有する発光素子であって、
前記第1の電極層は、
導電層と、
前記導電層に接する酸化物層と、を有し、
前記導電層は、光を反射する機能を有し、
前記酸化物層は、
Inと、M(MはAl、Si、Ti、Ga、Y、Zr、Sn、La、Ce、NdまたはHfを表す)と、を有し、
前記酸化物層に含まれる前記Mの含有量は前記Inの含有量以上である、
ことを特徴とする発光素子。 - 第1の電極層と、
前記第1の電極層上のEL層と、
前記EL層上の第2の電極層と、
を有する発光素子であって、
前記第1の電極層は、
導電層と、
前記導電層上に接する酸化物層と、を有し、
前記導電層は、光を反射する機能を有し、
前記酸化物層は、
Inと、M(MはAl、Si、Ti、Ga、Y、Zr、Sn、La、Ce、NdまたはHfを表す)と、を有し、
前記酸化物層に含まれる前記Mの含有量は前記Inの含有量以上である、
ことを特徴とする発光素子。 - 第1の電極層と、
前記第1の電極層上に接するEL層と、
前記EL層上に接する第2の電極層と、
を有する発光素子であって、
前記第1の電極層は、
導電層と、
前記導電層上に接する酸化物層と、を有し、
前記導電層は、光を反射する機能を有し、
前記酸化物層は、
Inと、M(MはAl、Si、Ti、Ga、Y、Zr、Sn、La、Ce、NdまたはHfを表す)と、を有し、
前記酸化物層に含まれる前記Mの含有量は前記Inの含有量以上である、
ことを特徴とする発光素子。 - 第1の電極層と、
第2の電極層と、
第3の電極層と、
EL層と、
を有する発光素子であって、
前記EL層は、
前記第1の電極層と前記第2の電極層との間、および前記第2の電極層と前記第3の電極層との間に設けられ、
前記第1の電極層は、
導電層と、
前記導電層に接する酸化物層と、を有し、
前記導電層は、光を反射する機能を有し、
前記酸化物層は、
Inと、M(MはAl、Si、Ti、Ga、Y、Zr、Sn、La、Ce、NdまたはHfを表す)と、を有し、
前記酸化物層に含まれる前記Mの含有量は前記Inの含有量以上である、
ことを特徴とする発光素子。 - 第1の電極層と、
前記第1の電極層上のEL層と、
前記EL層上の第2の電極層と、
第3の電極層と、
を有する発光素子であって、
前記EL層は、
前記第3の電極層上に設けられ、
前記第1の電極層は、
導電層と、
前記導電層上に接する酸化物層と、を有し、
前記導電層は、光を反射する機能を有し、
前記酸化物層は、
Inと、M(MはAl、Si、Ti、Ga、Y、Zr、Sn、La、Ce、NdまたはHfを表す)と、を有し、
前記酸化物層に含まれる前記Mの含有量は前記Inの含有量以上である、
ことを特徴とする発光素子。 - 第1の電極層と、
前記第1の電極層上に接するEL層と、
前記EL層上に接する第2の電極層と、
第3の電極層と
を有する発光素子であって、
前記EL層は、
前記第3の電極層上に接して設けられ、
前記第1の電極層は、
導電層と、
前記導電層に接する前記導電層上の酸化物層と、を有し、
前記導電層は、光を反射する機能を有し、
前記酸化物層は、
Inと、M(MはAl、Si、Ti、Ga、Y、Zr、Sn、La、Ce、NdまたはHfを表す)と、を有し、
前記酸化物層に含まれる前記Mの含有量は前記Inの含有量以上である、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項4乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第3の電極層は、
前記酸化物層の構成と異なる酸化物を有する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項4乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第1の電極層と、前記第2の電極層と、で挟持される第1の領域は、
前記第2の電極層と、前記第3の電極層と、で挟持される第2の領域が呈することができる光の色と、異なる色の光を呈することができる、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記EL層は、第1の発光層及び第2の発光層を有し、
前記第1の発光層は、光を呈する機能を有する第1の化合物を有し、
前記第2の発光層は、光を呈する機能を有する第2の化合物を有する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項9において、
前記第1の化合物と前記第2の化合物の一方は、一重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有し、
前記第1の化合物と前記第2の化合物の他方は、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項9または請求項10において、
前記第1の化合物は、前記第2の化合物が呈する光の色と、異なる色の光を呈する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、
前記導電層は、AlまたはAgを有する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記第2の電極層は、
In、Ag、Mgの少なくとも一つを有する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一項において、
前記酸化物層は、
さらに、Znを有する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、
前記Mは、Gaである、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項15のいずれか一項において、
前記酸化物層は、Inと、Gaと、Znと、を有する
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項16のいずれか一項に記載の発光素子を有する表示装置であって、
前記表示装置は、
前記発光素子のスイッチングを行うトランジスタを有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、
Inと、M(MはAl、Si、Ti、Ga、Y、Zr、Sn、La、Ce、NdまたはHfを表す)と、を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項17において、
前記酸化物層と前記酸化物半導体層と、が同じ元素を有する、
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項18のいずれか一項に記載の発光素子と、
カラーフィルタ、またはトランジスタと、
を有する表示装置。 - 請求項17乃至請求項19のいずれか一項に記載の表示装置と、
筐体またはタッチセンサと、
を有する電子機器。 - 請求項1乃至請求項16のいずれか一項に記載の発光素子と、
筐体またはタッチセンサと、
を有する照明装置。
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