JP2014199899A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透光性を有する半導体膜を含むトランジスタと、一対の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子において、一対の電極と誘電体膜を、透光性を有する材料で形成する。一対の電極のうち、一方の電極は、トランジスタの半導体膜と同一表面上に形成された半導体膜を用いる。容量素子を形成する誘電体膜としてゲート絶縁膜を用いる。一対の電極のうち、他方の電極は、透光性を有する半導体膜か、透光性を有する導電膜を用いて形成する。
【選択図】図3
Description
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について、図面を用いて説明する。なお、本実施の形態では、液晶表示装置を例にして本発明の一態様である半導体装置を説明する。
図1(A)に、半導体装置の構成例を示す図を示す。図1(A)に示す半導体装置は、画素部100と、走査線駆動回路104と、信号線駆動回路106と、各々が平行または略平行に配設され、且つ走査線駆動回路104によって電位が制御されるm本の走査線107と、各々が平行または略平行に配設され、且つ信号線駆動回路106によって電位が制御されるn本の信号線109と、を有する。さらに、画素部100はマトリクス状に配設された複数の画素101を有する。また、走査線107に沿って、各々が平行または略平行に配設された容量線115(図1(A)に図示せず。)を有する。なお、容量線115は、信号線109に沿って、各々が平行または略平行に配設されていてもよい。
ゲート絶縁膜127上、信号線109上、半導体膜111上、導電膜113上、半導体膜119上にトランジスタ103の保護絶縁膜として機能する絶縁膜129、絶縁膜131、及び絶縁膜132が設けられている。絶縁膜129、絶縁膜131、及び絶縁膜132には導電膜113に達する開口117が設けられており、開口117及び絶縁膜132上に画素電極121が設けられている。また、画素電極121及び絶縁膜132上に配向膜として機能する絶縁膜158が設けられている。なお、基板102と、電極122、走査線107及び容量線115並びにゲート絶縁膜127との間には下地絶縁膜が設けられていてもよい。
次に、上記の半導体装置に示す基板102上に設けられた素子部の作製方法について、図4及び図5を用いて説明する。
本発明の一態様である半導体装置において、画素内に設けられるトランジスタの形状は図2及び図3に示したトランジスタの形状に限定されず、適宜変更することができる。例えば、図6に示すように、画素151において、トランジスタ153は、信号線109に含まれるトランジスタ103のソース電極がU字型(C字型、コの字型、または馬蹄型)とし、ドレイン電極として機能する導電膜113を囲む形状のトランジスタであってもよい。このような形状とすることで、トランジスタの面積が小さくても、十分なチャネル幅を確保することが可能となり、トランジスタの導通時に流れるドレイン電流(オン電流ともいう)の量を増やすことが可能となる。なお、図6の画素151おいて、トランジスタ153以外の構成は図2と同様である。
また、本発明の一態様である半導体装置において、容量素子105を構成する一方の電極である電極122と接続する容量線115の形状は、適宜変更することができる。例えば、電極122と容量線115の接触抵抗を小さくするために、容量線115の一部を電極122の外周に沿って接して設けることができる。
また、本発明の一態様である半導体装置において、容量線の構成を適宜変更することができる。
図10に、隣接する画素間で容量線を共有する構成について示す。
上記実施の形態に開示したトランジスタ103及びトランジスタ153は、半導体膜111のチャネル形成領域が、信号線109及び導電膜113形成時に用いるエッチング溶液やエッチングガスに曝されるチャネルエッチング型のトランジスタである。ただし、トランジスタ103及びトランジスタ153に適用可能な構成は、チャネルエッチング型に限られるものではない。本実施の形態では、トランジスタ103及びトランジスタ153に適用可能なトランジスタの構成例について、図11を用いて説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したトランジスタ及び容量素子に用いることができる酸化物半導体膜の一態様について説明する。
上記実施の形態で一例を示したトランジスタ及び容量素子を用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう。)を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。本実施の形態では、上記実施の形態で一例を示したトランジスタを用いた表示装置の例について、図13乃至図15を用いて説明する。なお、図14は、図13(B)中でM−Nの一点鎖線で示した部位の断面構成を示す断面図である。なお、図14において、画素部の構造は一部のみ記載している。
本発明の一態様である半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう。)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機(パチンコ機、スロットマシン等)、ゲーム筐体が挙げられる。これらの電子機器の一例を図16に示す。
101 画素
102 基板
103 トランジスタ
104 走査線駆動回路
105 容量素子
106 信号線駆動回路
107 走査線
108 液晶素子
109 信号線
111 半導体膜
113 導電膜
115 容量線
117 開口
119 半導体膜
121 画素電極
122 電極
127 ゲート絶縁膜
128 絶縁膜
129 絶縁膜
130 絶縁膜
131 絶縁膜
132 絶縁膜
133 絶縁膜
135 導電膜
150 基板
151 画素
152 遮光膜
153 トランジスタ
154 対向電極
156 絶縁膜
158 絶縁膜
160 液晶層
161 画素
165 容量素子
167 容量線
182 チャネル保護膜
183 トランジスタ
190 トランジスタ
200 トランジスタ
901 基板
902 画素部
903 信号線駆動回路
904 走査線駆動回路
905 シール材
906 基板
908 液晶層
910 トランジスタ
911 トランジスタ
913 液晶素子
915 接続端子電極
916 端子電極
917 導電膜
918 FPC
919 異方性導電材料
922 ゲート絶縁膜
923 絶縁膜
924 絶縁膜
925 シール材
926 容量素子
927 酸化物半導体膜
928 電極
929 容量配線
930 電極
931 電極
932 絶縁膜
933 絶縁膜
935 スペーサ
971 ソース電極
973 ドレイン電極
975 共通電位線
977 共通電極
985 共通電位線
987 共通電極
9000 テーブル
9001 筐体
9002 脚部
9003 表示部
9004 表示ボタン
9005 電源コード
9033 具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9038 操作スイッチ
9100 テレビジョン装置
9101 筐体
9103 表示部
9105 スタンド
9107 表示部
9109 操作キー
9110 リモコン操作機
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9630 筐体
9631 表示部
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9638 操作キー
9639 ボタン
103_1 トランジスタ
103_2 トランジスタ
107_1 走査線
107_2 走査線
107a ゲート電極
109a ソース電極
111_1 半導体膜
111_2 半導体膜
113_1 導電膜
113_2 導電膜
113a ドレイン電極
117_1 開口
117_2 開口
119_1 半導体膜
119_2 半導体膜
121_1 画素電極
121_2 画素電極
122_1 電極
122_2 電極
127a ゲート絶縁膜
127b ゲート絶縁膜
199a 酸化物半導体膜
199b 酸化物半導体膜
199c 酸化物半導体膜
401_1 画素
401_2 画素
405_1 容量素子
405_2 容量素子
918a FPC
918b FPC
Claims (8)
- チャネル形成領域に透光性を有する半導体膜を含むトランジスタと、
第1の電極と、第2の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子を有し、
前記容量素子において、
前記第1の電極と、前記第2の電極と、前記誘電体膜は透光性を有する材料で形成され、
前記トランジスタの前記透光性を有する半導体膜と同一表面上に形成される半導体膜が前記第1の電極として機能し、
前記第2の電極は、前記トランジスタのゲート絶縁膜より下方に形成され、
前記ゲート絶縁膜の前記第1の電極と前記第2の電極が重畳する領域を前記誘電体膜として用いることを特徴とする半導体装置。 - チャネル形成領域に透光性を有する半導体膜を含むトランジスタと、
第1の電極と、第2の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子とを有し、
前記容量素子において、
前記第1の電極と、前記第2の電極と、前記誘電体膜は透光性を有する材料で形成され、
前記トランジスタの前記透光性を有する半導体膜と同一表面上に形成される半導体膜が前記第1の電極として機能し、
前記誘電体膜は窒化絶縁膜及び酸化絶縁膜の積層構造を有し、
前記第2の電極は、前記窒化絶縁膜に接して形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1の電極は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1の電極は、前記トランジスタの前記透光性を有する半導体膜のチャネル形成領域よりも導電率が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第2の電極は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1の電極または前記第2の電極の少なくとも一方は、
ホウ素、窒素、フッ素、アルミニウム、リン、ヒ素、インジウム、スズ、アンチモン及び希ガス元素から選ばれた一種以上の元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1の電極は、画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7において、
前記第2の電極の電位は、前記画素電極の電位よりも高い電位であることを特徴とする半導体装置。
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