JP2014199899A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. チャネル形成領域に透光性を有する半導体膜を含むトランジスタと、
   第１の電極と、第２の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子とを有し、
   前記容量素子において、
   前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記誘電体膜は透光性を有する材料で形成され、
   前記トランジスタの前記透光性を有する半導体膜と同一表面上に形成される半導体膜が前記第１の電極として機能し、
   前記誘電体膜は窒化絶縁膜及び酸化絶縁膜の積層構造を有し、
   前記第２の電極は、前記窒化絶縁膜に接して形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記窒化絶縁膜は、窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の電極は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１の電極は、前記トランジスタの前記透光性を有する半導体膜のチャネル形成領域よりも導電率が高い領域を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第２の電極は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第１の電極または前記第２の電極の少なくとも一方は、
   ホウ素、窒素、フッ素、アルミニウム、リン、ヒ素、インジウム、スズ、アンチモン及び希ガス元素から選ばれた一種以上の元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第１の電極は、画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項７において、
   前記第２の電極の電位は、前記画素電極の電位よりも高い電位であることを特徴とする半導体装置。