JP2012083391A - 液晶表示装置 - Google Patents

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Tsunehisa Yamada
倫久 山田
Hiromitsu Ishii
裕満 石井
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Abstract


【課題】 表示領域全域にかけてフリッカーが見えなくなるようにVCOM電圧を調整可能とする。
【解決手段】 液晶表示装置は、表示領域内で平行な二本のゲート配線と、表示領域外に異なる長さで引き回され、二本のゲート配線に接続された二本のゲート引き回し配線と、ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、各TFT素子を介して二本のゲート配線のいずれかに接続された複数の画素電極と、ゲート配線と絶縁された保持容量配線とを有している。保持容量配線と画素電極との間には保持容量が形成されている。ゲート配線には複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続されている。ゲート配線を介して二本のゲート引き回し配線のうち短い方のゲート引き回し配線に接続された複数の画素部の第一保持容量は、ゲート配線を介して二本のゲート引き回し配線のうち長い方のゲート引き回し配線に接続された複数の画素部の第二保持容量よりも大きい。
【選択図】 図8

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。
液晶表示装置には、液晶表示パネルが備えられており、この液晶表示パネル上には、画素部、ゲート端子部、ドレイン端子部等が備えられている(例えば特許文献1参照)。画素部には、画素電極と、この画素電極と接続され、当該画素電極に対する信号を制御するトランジスタとが設けられている。ゲート端子部は、ゲートドライバと接続されており、画素部のトランジスタが有するゲート電極に対して、ゲート配線を介してゲート信号を出力する。ドレイン端子部は、ドレインドライバと接続されており、画素部のトランジスタが有するドレイン電極に対してドレイン配線を介してドレイン信号を出力する。
特開平10−142630号公報
ところで、近年においては、表示領域の画素数が増加傾向にあるが、外形寸法の大型化を抑制するために、ゲート端子部やドレイン端子部までの引き回し配線の細線化、狭ピッチ化が図られている。例えば、図10(a)はゲート配線に対する引き回し配線201の細線化、狭ピッチ化が図られていない液晶表示パネル200の概略構成を示している。そして、図10(b)は液晶表示パネル200のA地点にある画素部に対するゲート信号の波形を示す説明図であり、図10(c)は液晶表示パネル200のB地点にある画素部に対するゲート信号の波形を示す説明図である。また、図11(a)はゲート配線に対する引き回し配線301の細線化、狭ピッチ化が図られた液晶表示パネル300の概略構成を示している。そして、図11(b)は液晶表示パネル300のA地点にある画素部に対するゲート信号の波形を示す説明図であり、図11(c)は液晶表示パネル300のB地点にある画素部に対するゲート信号の波形を示す説明図である。
図10及び図11を比較すると、引き回し配線201の細線化、狭ピッチ化が図られていない液晶表示パネル200では、A地点のゲート信号の波形202と、B地点のゲート信号の波形203とにはそれほど差が生じていないのに対し、引き回し配線301の細線化、狭ピッチ化が図られた液晶表示パネル300では、A地点のゲート信号の波形302と、B地点のゲート信号の波形303とが大きく異なり、波形のなまりも大きくなっている。
液晶表示パネル200に比べて液晶表示パネル300の方が、隣接する引き回し配線301間の配線間距離が短くなり、この引き回し配線間に発生する寄生容量が大きくなる。この寄生容量が大きくなればなるほど、画素部に対するゲート信号に配線遅延が生じてしまい、この配線遅延が前述したゲート信号の波形のなまりに起因する。
ここで、液晶表示パネル300は引き回し配線301の細線化、狭ピッチ化が図られているため、液晶表示パネル300の方が液晶表示パネル200よりも配線遅延の影響が大きくなる。そして、液晶表示パネル300においては、ゲートドライバの近くに配置されているA地点の画素部に供給されるゲート信号の波形302と、ゲートドライバの遠くに配置されているB地点のゲート信号の波形303とが大きく異なり、波形のなまりも大きくなる。
このように、ゲートドライバの近くに配置されているA地点の画素部に供給されるゲート信号の波形と、ゲートドライバの遠くに配置されているB地点のゲート信号の波形とが大きく異なると、液晶表示パネルの表示領域全域にかけてフリッカーが見えなくなるように画素電極に対向して配置される対向電極に印加する電圧(VCOM電圧)を調整することが困難となる。
そこで本発明の課題は、引き回し配線の細線化、狭ピッチ化された液晶表示装置において、表示領域全域にかけてフリッカーが見えなくなるようにVCOM電圧を調整できる液晶表示装置を提供することである。
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、
表示領域内で互いに平行に設けられた二本のゲート配線と、
前記表示領域外に各々異なる長さで引き回されて、一端部が前記二本のゲート配線の各端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた二本のゲート引き回し配線と、
前記ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、
前記複数のTFT素子のそれぞれを介して前記二本のゲート配線のいずれかに接続された複数の画素電極と、
前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
を有し、
前記保持容量配線と、前記画素電極との間には保持容量が形成され、
前記ゲート配線に前記複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続され、
前記ゲート配線を介して、前記二本のゲート引き回し配線のうち短い方のゲート引き回し配線に接続された前記複数の画素部の第一保持容量は、前記ゲート配線を介して、前記二本のゲート引き回し配線のうち長い方のゲート引き回し配線に接続された前記複数の画素部の第二保持容量よりも大きく形成されていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
表示領域内に設けられたゲート配線と、
前記表示領域外に一端部が前記ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされたゲート引き回し配線と、
前記ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、
前記複数のTFT素子のそれぞれを介して前記ゲート配線に接続された複数の画素電極と、
前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
を有し、
前記保持容量配線と、前記画素電極との間には保持容量が形成され、
前記ゲート配線に前記複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続され、
前記ゲート配線に接続された複数の画素部の各保持容量は、前記各画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び当該ゲート配線に接続された前記ゲート引き回し配線を介した長さが長いほど、小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
上記液晶表示装置において好ましくは、前記保持容量配線は遮光材料及び透明材料の少なくとも一方から形成されている。
上記液晶表示装置において好ましくは、前記遮光材料はCr、Al、Moやこれらの合金膜である。
上記液晶表示装置において好ましくは、前記透明材料はITOである。
上記液晶表示装置において好ましくは、前記遮光材料からなる金属導電膜の一部に前記透明材料からなる透明導電膜が重畳するように接続されることで前記保持容量配線が形成されている。
上記液晶表示装置において好ましくは、前記複数の画素電極と前記金属導電膜との各重畳面積を何れも等しくして、前記複数の画素電極と前記透明導電膜との各重畳面積を互いに異ならせることで、前記複数の画素部の各保持容量を異ならせている。
本発明の他の態様によれば、
表示領域内に設けられた第一ゲート配線と、
前記表示領域内に設けられた第二ゲート配線と、
前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記第一ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた第一ゲート引き回し配線と、
前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記第二ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた第二ゲート引き回し配線と、
前記第一ゲート配線に接続された第一のTFT素子と、
前記第二ゲート配線に接続された第二のTFT素子と、
前記第一のTFT素子を介して第一ゲート配線に接続された第一画素電極と、
前記第二のTFT素子を介して第二ゲート配線に接続された第二画素電極と、
前記第一画素電極に対向して、前記第一及び前記第二ゲート配線と絶縁された第一保持容量配線と、
前記第二画素電極に対向して、前記第一及び前記第二ゲート配線と絶縁された第二保持容量配線と、を有し、
前記第一保持容量配線と前記第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、
前記第二保持容量配線と前記第二画素電極との間には第二保持容量が形成され、
前記第一ゲート配線に前記第一画素電極を含む第一画素部が接続され、
前記第二ゲート配線に前記第二画素電極を含む第二画素部が接続され、
前記第一ゲート引き回し配線は前記第二ゲート引き回し配線よりも長くなるよう引き回されており、
前記第一ゲート配線を介して前記第一ゲート引き回し配線に接続された前記第一画素部の前記第一保持容量は、前記第二ゲート配線を介して前記第二ゲート引き回し配線に接続された前記第二画素部の前記第二保持容量よりも小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
表示領域内に設けられたゲート配線と、
前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされたゲート引き回し配線と、
前記ゲート配線に接続された第一のTFT素子と、
前記ゲート配線に前記第一のTFT素子と離間して接続された第二のTFT素子と、
前記第一のTFT素子を介して前記ゲート配線に接続された第一画素電極と、
前記第二のTFT素子を介して前記ゲート配線に接続された第二画素電極と、
前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
を有し、
前記保持容量配線の第一所定領域と、前記第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、
前記保持容量配線の第二所定領域と、前記第二画素電極との間には第二保持容量が形成され、
前記ゲート配線に前記第一画素電極を含む第一画素部が接続され、
前記ゲート配線に前記第二画素電極を含む第二画素部が接続され、
前記第一画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び前記ゲート引き回し配線を介した長さが、前記第二画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び前記ゲート引き回し配線を介した長さよりも長くなり、
前記第一画素部の前記第一保持容量は前記第二画素部の前記第二保持容量よりも小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
本発明によれば、引き回し配線の細線化、狭ピッチ化された液晶表示装置において、表示領域全域にかけてフリッカーが見えなくなるようにVCOM電圧を調整することができる。
本実施形態の表示パネルの全体構成を模式的に示した正面図である。 本実施形態に係る画素部の概略構成を示す透過平面図である。 図2のIII-III切断線から見た断面図である。 図2のIV-IV切断線から見た断面図である。 第一引き回し配線の長さと、画素部に印加されるΔVの大きさ及び配線遅延の大きさとの関係を示すグラフである。 第一引き回し配線の長さと、画素部に印加されるΔVの大きさとの関係を示すグラフである。 第一引き回し配線の長さと、画素部に印加される補正後のΔVの大きさとの関係を示すグラフである。 本実施形態に係る補正領域の画素部を示す透過平面図である。 図8のIX-IX切断線から見た断面図である。 従来の引き回し配線を示す説明図である。 従来の引き回し配線を示す説明図である。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。ただし、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
図1は本実施形態の液晶表示装置100に備わる表示パネル1の全体構成を模式的に示した正面図である。液晶表示装置100は、表示パネル1と、当該表示パネル1に対向する対向電極が形成された対向パネル(図示省略)との間に液晶を封止することで形成されている。
図1に示すように表示パネル1には、ガラス基板からなる透明基板Pの一面上に、複数本のゲート配線(第一配線)2が互いに平行になるように行方向に配列され、複数本のゲート配線2に対して絶縁した状態で直交するように複数本のドレイン配線(第二配線)3が互いに平行になるように列方向に配列されている。これら複数本のゲート配線2と、複数本のドレイン配線3とは、液晶表示装置100の表示領域内に設けられている。
そして、各ゲート配線2に対しては一本の保持容量配線4がそれぞれ平行に配列されている。また、各ゲート配線2の一端部にはゲート端子部21が設けられている。また、各ドレイン配線3の一端部にはドレイン端子部31が設けられている。この場合、隣接する二本のゲート配線2,2及び隣接する二本のドレイン配線3,3により形成された各領域に、画素電極51及び対向電極と、画素電極51及び対向電極によって挟持された液晶とを有する画素部5が形成される。そして、この複数の画素部5がマトリクス状に配列されることで表示パネル1が形成されている。
また、透明基板Pの一面上であって表示領域101外には、第一引き回し配線21aと、第二引き回し配線31aとがそれぞれ複数形成されている。具体的には、第一引き回し配線21aは、その一端部がゲート端子部21に接続され、他端部が駆動信号の入力される入力端子21bとされている。そして、この第一引き回し配線21aは、隣接する一対の第一引き回し配線21a間の配線間距離が全て等しくなるように引き回されている。そのため、隣接する一対の第一引き回し配線21a間に形成される単位長さあたりの寄生容量は全て等しくなる。また、この第一引き回し配線21aは全て同じ太さ、同じ厚みで形成されており、この第一引き回し配線21aの単位長さ当たりの抵抗値は全て等しくなる。なお、本実施形態では第二引き回し配線31aも第一引き回し配線21aと同様の構成で形成されている。
第二引き回し配線31aは、その一端部がドレイン端子部31に接続され、他端部が駆動信号の入力される入力端子31bとされている。入力端子21b,31bは、駆動信号を出力するドライバ部102に接続されている。なお、本実施形態では、第二引き回し配線31aの入力端子31b側に配置されたドライバ部102に第一引き回し配線21aが引き回されているため、各ゲート配線2とドライバ部102との距離が長くなるほど、当該ゲート配線2に接続された第一引き回し配線21aの長さが長くなる。
図2は、画素部5の概略構成を示す透過平面図である。図2に示すように、各画素部5は、ゲート配線2とドレイン配線3との交差位置に形成された略方形状の画素電極51を有している。画素電極51の一つの角部には、TFT素子としてのボトムゲート型のトランジスタ6が配置されている。このトランジスタ6を介して、画素電極51がゲート配線2及びドレイン配線3に電気的に接続されている。また、保持容量配線4は、金属導電膜からなる本体部42と、画素電極51の両側部に対してそれぞれ一部が重畳するように本体部42から延出する一対の金属導電膜からなる延出部41とが備えられている。これにより、画素電極51の側部と保持容量配線4の延出部41の側部及び本体部42の側部とが重畳することになる(図2における斜線部S1)。また、保持容量配線4には、本体部42及び延出部41の一部に接触し重畳するように、透明導電膜8が設けられている。透明導電膜8には、本体部42の内側部に重畳する導電膜本体81と、延出部41の内側部にそれぞれ重畳する一対の導電膜補助部82とが設けられている。導電膜本体81と、導電膜補助部82とは、一部が本体部42及び延出部41に接触した状態で重畳しているものの、他の部分が透明基板Pに直接成膜されている。
次いで、画素部5の断面構造について説明する。図3は図2のIII-III切断線から見た断面図であり、図4は図2のIV-IV切断線から見た断面図である。
図4に示すように画素部5には、透明基板P上に成膜された導電膜からなるゲート電極22及びゲート配線2が形成されている。ゲート電極22及びゲート配線2をなす導電膜は、例えばCr、Al、Moの少なくとも一つの金属膜、もしくはこれらの合金膜から形成されている。そして、このゲート電極22とゲート配線2とは電気的に接続されるように一体的に形成されている。ゲート電極22はトランジスタ6が形成される位置に配置されている。
また、図3及び図4に示すように、画素部5には、透明基板P上に成膜された遮光材料としての金属導電膜からなる保持容量配線4の本体部42及び延出部41が形成されている。保持容量配線4の本体部42及び延出部41をなす金属導電膜は、例えばCr、Al、Moの少なくとも一つの金属膜、もしくはこれらの合金膜から形成されている。
さらに、画素部5には、透明材料としてのITO等からなる透明導電膜8が、一部は本体部42及び延出部41に接触した状態で重畳し、他の部分が透明基板Pに直接成膜されるように形成されている。
そして、画素部5には、ゲート電極22上、ゲート配線2上、保持容量配線4上及び透明基板P上に、例えば酸化シリコン又は窒化シリコン等からなる第一絶縁膜61が形成されている。
そして、トランジスタ6が形成される位置及びドレイン配線3形成される位置において第一絶縁膜61の上面には、例えば真性アモルファスシリコン等の真性半導膜からなるチャネル膜62が設けられている。このチャネル膜62の上面ほぼ中央部には窒化シリコン等からなるチャネル保護膜63が設けられている。
そして、トランジスタ6が形成される位置において、チャネル保護膜63の上面両側及びその両側におけるチャネル膜62の上面にはn型半導体膜であるn型アモルファスシリコン等からなるオーミックコンタクト層64,65が設けられている。
また、ドレイン配線3が形成される位置において、チャネル膜62の上面にはオーミックコンタク層65が設けられている。
オーミックコンタクト層64,65の上面には、例えばCrからなるソース電極66、ドレイン電極67及びドレイン配線3が設けられている。なお、ドレイン電極67はドレイン配線3と電気的に接続されている(図2参照)。このように、トランジスタ6は、ゲート電極22、第一絶縁膜61、チャネル膜62、チャネル保護膜63、オーミックコンタクト層64,65、ソース電極66及びドレイン電極67により構成されている。
そして、第一絶縁膜61上、チャネル保護膜63上、ソース電極66上、ドレイン電極67上及びドレイン配線3上には、酸化シリコン等からなる第二絶縁膜68が形成されている。この第二絶縁膜68におけるソース電極66の上方には、第二絶縁膜68を貫通する開口としてのトランジスタ用コンタクトホール69が形成されている。
そして、第二絶縁膜68の上面には、ITO等からなる透光性の画素電極51が、トランジスタ用コンタクトホール69を介してソース電極66と電気的に接続するように形成されている。
ここで、保持容量配線4と、画素電極51との間には、保持容量が形成されることになる。信号電圧が液晶層と保持容量とに印加され、ゲートが閉じる際にゲート・ドレイン間の寄生容量でシフトダウンする信号電圧の電圧量であるΔVは、以下の式(1)のように表される。
ΔV=((トランジスタの容量)/(トランジスタの容量+液晶容量+保持容量))×駆動ゲート電圧差・・・(1)
図5は第一引き回し配線21aの長さと、画素部5に印加されるΔVの大きさ及び配線遅延の大きさとの関係を示すグラフである。このグラフから、第一引き回し配線21aが長くなると配線遅延が大きくなり、それに伴ってΔVも小さくなるという特性があることが分かる。
図6は、第一引き回し配線21aの長さと、画素部5に印加されるΔVの大きさとの関係を示すグラフである。このグラフのx軸の最小値をドライバ部102に最も近い側のゲート配線2A(図1参照)に接続されている第一引き回し配線21aの長さとし、x軸の最大値をドライバ部102から最も遠い側のゲート配線2B(図1参照)に接続されている第一引き回し配線21aの長さとしている。
すなわち、ドライバ部102に最も遠い側のゲート配線2Bを第一ゲート配線とすると、ゲート配線2Bに接続された第一引き回し配線21aが第一ゲート引き回し配線であり、ゲート配線2Bに接続されたトランジスタ6が第一のTFT素子、該トランジスタ6を介してゲート配線2Bに接続された画素電極51が第一画素電極、該画素電極51を含む画素部5が第二画素部、前記画素電極51に対向する保持容量配線4が第一保持容量配線となる。
一方、ドライバ部102に最も近い側のゲート配線2Aを第二ゲート配線とすると、ゲート配線2Aに接続された第一引き回し配線21aが第二ゲート引き回し配線であり、ゲート配線2Aに接続されたトランジスタ6が第二のTFT素子、該トランジスタ6を介してゲート配線2Aに接続された画素電極51が第二画素電極、該画素電極51を含む画素部が第二画素部、前記画素電極51に対向する保持容量配線4が第二保持容量配線となる。
そして、第一保持容量配線と第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、第二保持容量配線と第二画素電極との間に第二保持容量が形成されることになる。
例えば、図6に示すように、表示領域101の中央位置の画素部5に印加されるΔVを基準とした場合、中央位置の画素部5に印加されるΔV(ΔVc)と、表示領域101に配置されている画素部5のうち、ゲート配線2Aに接続されている画素部5A(図1参照)に印加されるΔV(ΔVa)との差の絶対値と、中央位置の画素部5に印加されるΔVcと表示領域101に配置されている画素部5のうち、ゲート配線2Bに接続されている画素部5B(図1参照)に印加されるΔV(ΔVb)との差の絶対値とに差が生じることになる。このようにΔVの値が画素部5Aと画素部5Bとで異なると、表示領域101の全域にかけて画素電極51と対向電極との間の信号電圧のDCアンバランスが最小になるようにVCOM電圧を調整することが困難となる。
液晶表示装置100のVCOM電圧を調整する際には、表示領域101の中央位置において、画素電極51と対向電極との間の信号電圧のDCアンバランスが最小になるようにVCOM電圧を調整している。そのようにVCOM電圧を調整すると、図6に示すように表示領域101の中央位置の画素部5に印加されるΔVcの大きさを基準として見た場合、中央位置の画素部5のΔVcと画素部5AのΔVaとの差の絶対値の方が、中央位置の画素部5のΔVcと画素部5BのΔVbとの差の絶対値に比べて大きいため、ドライバ部102側においては信号電圧のDCアンバランスが依然として大きいまま残ってしまう。よって、結果として表示領域101のドライバ部102側ではフリッカーが発生してしまうこととなる。
以上のように表示領域101の中央位置の画素部5に印加されるΔVcの大きさを基準として見た場合、中央位置の画素部5のΔVcと画素部5AのΔVaとの差の絶対値の方が、中央位置の画素部5のΔVcと画素部5BのΔVbとの差の絶対値に比べて大きいため、画素部5AのΔVaが小さくなるように調整すれば、フリッカーを抑え品質に問題ないレベルの表示が可能となる。ΔVは上記した式(1)で表されるが、この式を見ると保持容量を大きくすることでΔVが小さくなることが分かる。
従って、保持容量を大きくするために、保持容量配線4と画素電極51とが重畳している領域である斜線部S1の面積を広くするという方策が考えられる。ところが、このように斜線部S1の面積を広くするために保持容量配線4の太さを太くすると画素部5の開口率が小さくなってしまうため好ましくない。尚、保持容量配線4の本体部42及び延出部41を透明導電膜で形成すれば、上記した本体部42及び延出部41を構成する材料(Cr、Al、Moやこれらの合金膜)に比べて保持容量配線の抵抗が増大するが、保持容量配線4の太さを太くしても画素部5の開口率が小さくなるようなことはない。
また、斜線部S1の面積を広くするために画素電極51の面積を広くすると、画素電極51と対向電極とからなる液晶容量の値が変化してしまう。各々の画素部5で液晶容量の値が変化してしまうと、一定の信号電圧を印加した際に各々の液晶層に貯まる電荷量が変化してしまい好ましくない。
本実施形態では、ドライバ部102からの距離、つまり第一引き回し配線21aの長さによって、各画素部5の透明導電膜8の面積を調整して式(1)における保持容量を補正し、ΔVの調整を可能としている。
図7は第一引き回し配線21aの長さと、画素部5に印加される補正後のΔVの大きさとの関係を示すグラフである。このグラフのx軸の最小値をドライバ部102に最も近い側のゲート配線2A(図1参照)に接続されている第一引き回し配線21aの長さとし、x軸の最大値をドライバ部102に最も遠い側のゲート配線2B(図1参照)に接続されている第一引き回し配線21aの長さとしている。
図7に示すように、ドライバ部102側の近傍のみ(例えば表示領域101におけるドライバ部102側の1/3のみ)の保持容量を補正することが好ましい。配線遅延は配線抵抗と配線容量とを積算した値であるので、第一引き回し配線21aの長さの2乗に効くと考えられる。つまり、第一引き回し配線21aが長くなるとそれだけΔVの変化量も小さくなるので、ドライバ部102側の近傍のみを補正すれば、フリッカー抑制に効果的な調整を行うことができる。以下、保持容量の補正を行わない反ドライバ部102側の領域を非補正領域とし、保持容量の補正を行うドライバ部102側の領域を補正領域と称す(図1参照)。
例えば、図2,図4で示した画素部5においては、非補正領域に配置された画素部5である。この非補正領域においてはいずれの画素部5の透明導電膜8の面積は一定にされている。また、補正領域では、当該補正領域内に配置された複数本のゲート配線2のうち、一のゲート配線2に接続された複数の画素部5に形成された各保持容量が、前記一のゲート配線2に接続された第一引き回し配線21aが長いほど小さく形成されている。
補正領域における最もドライバ部102に近いゲート配線2aに接続された複数の画素部5は、当該ゲート配線2aを介して最も短い第一引き回し配線21aに接続されている。つまり、このゲート配線2aに接続された複数の画素部5の各保持容量は、他のゲート配線2に接続された複数の画素部5よりも大きく設定されている。具体的には、図8及び図9に示すように、各画素部5の透明導電膜8における導電膜本体81aが他の導電膜本体81よりも大きく形成されており、これにより画素電極51に重なる透明導電膜8の重畳面積が大きくなる。図8において一点鎖線部P1が非補正領域の各画素部における透明導電膜8の導電膜本体81を示している。
次いで、補正領域における二番目にドライバ部102に近いゲート配線2bに接続された複数の画素部5は、当該ゲート配線2bを介して二番目に短い第一引き回し配線21aに接続されている。このため、このゲート配線2bに接続された複数の画素部5の各保持容量は、最もドライバ部102に近いゲート配線2aに接続された複数の画素部5よりも小さく、非補正領域のゲート配線2に接続された複数の画素部5よりも大きく設定されている。具体的には、図8に示す一点鎖線部P2に示すように、各画素部5の透明導電膜8における導電膜本体81bが最もドライバ部102に近いゲート配線2aよりも小さく、非補正領域のゲート配線2に接続された複数の画素部5よりも大きく設定されている。
そして、補正領域における三番目にドライバ部102に近いゲート配線2cに接続された複数の画素部5は、当該ゲート配線2cを介して三番目に短い第一引き回し配線21aに接続されている。このため、このゲート配線2cに接続された複数の画素部5の各保持容量は、二番目にドライバ部102に近いゲート配線2bに接続された複数の画素部5よりも小さく、非補正領域のゲート配線2に接続された複数の画素部5よりも大きく設定されている。具体的には、図8に示す一点鎖線部P3に示すように、各画素部5の透明導電膜8における導電膜本体81cが二番目にドライバ部102に近いゲート配線2bよりも小さく、非補正領域のゲート配線2に接続された複数の画素部5よりも大きく設定されている。
なお、全ての画素部5において、複数の画素電極51のそれぞれと重なる保持容量配線4の本体部42及び延出部41の重畳面積は、複数の画素部5のいずれに対して同一の面積となっているため、上述したように複数の画素電極51のそれぞれと重なる透明導電膜8の重畳面積を異ならせれば、複数の画素部5の各保持容量が異なることになる。
以上のように、本実施形態によれば、複数本のゲート配線2のうち、一のゲート配線2に接続された複数の画素部5に形成された各保持容量が、前記一のゲート配線2に接続された第一引き回し配線21aが長いほど小さく形成されているので、開口率または液晶容量を変動させることなく、VCOM電圧を調整して、フリッカーの発生を抑制することができる。これにより、引き回し配線(第一引き回し配線21a、第二引き回し配線31a)の細線化、狭ピッチ化によるフリッカーの発生を抑制することができる。
また、保持容量配線4の本体部42及び延出部41に透明導電膜8を接触させ保持容量配線4と画素電極51とで保持容量を形成しているので、保持容量配線4の本体部42及び延出部41を細くすることができる。
なお、本実施形態は上記実施形態に限らず適宜変更可能である。
例えば、上記実施形態では、複数の第二引き回し配線31aはいずれも同じ長さに設定されていて、複数の第一引き回し配線21aは各々異なる長さに設定されている場合を例示して説明したが、ドライバ部102が第一引き回し配線21aの入力端子21b側に配置されている場合には、複数の第一引き回し配線21aがいずれも同じ長さに設定され、複数の第二引き回し配線31aが各々異なる長さに設定されることになる。
また、上記実施形態では、透明導電膜8の導電膜本体81の幅を異ならせることで、保持容量を調整していたが、導電膜補助部82の幅を異ならせて保持容量を統制してもよい。
また、上記実施形態では、保持容量配線4の本体部42及び延出部41上に透明導電膜8が成膜されている場合を例示して説明したが、透明導電膜8上に本体部42及び延出部41を成膜してもよい。
また、上記実施形態では、非補正領域では保持容量の補正を行っていない場合を例示して説明したが、全ての画素部5に対して保持容量の補正を行うことも可能である。この場合においても、ゲート配線2を介して接続された第一引き回し配線21aが長いほど、画素部5の保持容量が小さく形成される。
また、上記実施形態では、一のゲート配線2に接続された複数の画素部5においては、全て同じ保持容量とされている場合を例示して説明したが、一のゲート配線2に接続された複数の画素部5でも保持容量を異ならせてもよい。この場合、一のゲート配線2に接続された複数の画素部5に形成された各保持容量は、当該画素部5の画素電極51からゲート配線2を介して第一引き回し配線21aの入力端子21bまでの長さ(図1におけるH1,H2等参照)が長いほど小さく形成されている。この場合においても、引き回し配線(第一引き回し配線21a、第二引き回し配線31a)の細線化、狭ピッチ化によるフリッカーの発生を抑制することができる。
この場合、例えばゲート配線2を介して第一引き回し配線21aの入力端子21bまでの長さが長い画素部5を第一画素部とすると、当該画素部5に備わるトランジスタ6、画素電極51が、それぞれ第一のTFT素子、第一画素電極となる。一方、ゲート配線2を介して第一引き回し配線21aの入力端子21bまでの長さが短い画素部5を第二画素部とすると、当該画素部5に備わるトランジスタ6、画素電極51が、それぞれ第二のTFT素子、第二画素電極となる。そして、保持容量配線4のうち、第一画素電極と対向する領域が第一所定領域となり、第二画素電極と対向する領域が第二所定領域となる。
1 表示パネル
2 ゲート配線
3 ドレイン配線
4 保持容量配線
5 画素部
6 トランジスタ(TFT素子)
8 透明導電膜
21 ゲート端子部
21a 第一引き回し配線(ゲート引き回し配線)
21b 入力端子
22 ゲート電極
31 ドレイン端子部
31a 第二引き回し配線
31b 入力端子
41 延出部
51 画素電極
61 第一絶縁膜
62 チャネル膜
63 チャネル保護膜
64,65 オーミックコンタクト層
66 ソース電極
67 ドレイン電極
68 第二絶縁膜
69 トランジスタ用コンタクトホール
81 導電膜本体
82 導電膜補助部
100 液晶表示装置
101 表示領域
102 ドライバ部
P 透明基板

Claims (9)

  1. 表示領域内で互いに平行に設けられた二本のゲート配線と、
    前記表示領域外に各々異なる長さで引き回されて、一端部が前記二本のゲート配線の各端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた二本のゲート引き回し配線と、
    前記ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、
    前記複数のTFT素子のそれぞれを介して前記二本のゲート配線のいずれかに接続された複数の画素電極と、
    前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
    を有し、
    前記保持容量配線と、前記画素電極との間には保持容量が形成され、
    前記ゲート配線に前記複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続され、
    前記ゲート配線を介して、前記二本のゲート引き回し配線のうち短い方のゲート引き回し配線に接続された前記複数の画素部の第一保持容量は、前記ゲート配線を介して、前記二本のゲート引き回し配線のうち長い方のゲート引き回し配線に接続された前記複数の画素部の第二保持容量よりも大きく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 表示領域内に設けられたゲート配線と、
    前記表示領域外に一端部が前記ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされたゲート引き回し配線と、
    前記ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、
    前記複数のTFT素子のそれぞれを介して前記ゲート配線に接続された複数の画素電極と、
    前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
    を有し、
    前記保持容量配線と、前記画素電極との間には保持容量が形成され、
    前記ゲート配線に前記複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続され、
    前記ゲート配線に接続された複数の画素部の各保持容量は、前記各画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び当該ゲート配線に接続された前記ゲート引き回し配線を介した長さが長いほど、小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
    前記保持容量配線は遮光材料及び透明材料の少なくとも一方から形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  4. 請求項3記載の液晶表示装置において、
    前記遮光材料はCr、Al、Moやこれらの合金膜であることを特徴とする液晶表示装置。
  5. 請求項3又は4に記載の液晶表示装置において、
    前記透明材料はITOであることを特徴とする液晶表示装置。
  6. 請求項3〜5のいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
    前記遮光材料からなる金属導電膜の一部に前記透明材料からなる透明導電膜が重畳するように接続されることで前記保持容量配線が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  7. 請求項6記載の液晶表示装置において、
    前記複数の画素電極と前記金属導電膜との各重畳面積を何れも等しくして、
    前記複数の画素電極と前記透明導電膜との各重畳面積を互いに異ならせることで、前記複数の画素部の各保持容量を異ならせていることを特徴とする液晶表示装置。
  8. 表示領域内に設けられた第一ゲート配線と、
    前記表示領域内に設けられた第二ゲート配線と、
    前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記第一ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた第一ゲート引き回し配線と、
    前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記第二ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた第二ゲート引き回し配線と、
    前記第一ゲート配線に接続された第一のTFT素子と、
    前記第二ゲート配線に接続された第二のTFT素子と、
    前記第一のTFT素子を介して第一ゲート配線に接続された第一画素電極と、
    前記第二のTFT素子を介して第二ゲート配線に接続された第二画素電極と、
    前記第一画素電極に対向して、前記第一及び前記第二ゲート配線と絶縁された第一保持容量配線と、
    前記第二画素電極に対向して、前記第一及び前記第二ゲート配線と絶縁された第二保持容量配線と、を有し、
    前記第一保持容量配線と前記第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、
    前記第二保持容量配線と前記第二画素電極との間には第二保持容量が形成され、
    前記第一ゲート配線に前記第一画素電極を含む第一画素部が接続され、
    前記第二ゲート配線に前記第二画素電極を含む第二画素部が接続され、
    前記第一ゲート引き回し配線は前記第二ゲート引き回し配線よりも長くなるよう引き回されており、
    前記第一ゲート配線を介して前記第一ゲート引き回し配線に接続された前記第一画素部の前記第一保持容量は、前記第二ゲート配線を介して前記第二ゲート引き回し配線に接続された前記第二画素部の前記第二保持容量よりも小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  9. 表示領域内に設けられたゲート配線と、
    前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされたゲート引き回し配線と、
    前記ゲート配線に接続された第一のTFT素子と、
    前記ゲート配線に前記第一のTFT素子と離間して接続された第二のTFT素子と、
    前記第一のTFT素子を介して前記ゲート配線に接続された第一画素電極と、
    前記第二のTFT素子を介して前記ゲート配線に接続された第二画素電極と、
    前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
    を有し、
    前記保持容量配線の第一所定領域と、前記第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、
    前記保持容量配線の第二所定領域と、前記第二画素電極との間には第二保持容量が形成され、
    前記ゲート配線に前記第一画素電極を含む第一画素部が接続され、
    前記ゲート配線に前記第二画素電極を含む第二画素部が接続され、
    前記第一画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び前記ゲート引き回し配線を介した長さが、前記第二画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び前記ゲート引き回し配線を介した長さよりも長くなり、
    前記第一画素部の前記第一保持容量は前記第二画素部の前記第二保持容量よりも小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
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