JP2012083391A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012083391A JP2012083391A JP2010227119A JP2010227119A JP2012083391A JP 2012083391 A JP2012083391 A JP 2012083391A JP 2010227119 A JP2010227119 A JP 2010227119A JP 2010227119 A JP2010227119 A JP 2010227119A JP 2012083391 A JP2012083391 A JP 2012083391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- wiring
- storage capacitor
- pixel
- gate wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
【課題】 表示領域全域にかけてフリッカーが見えなくなるようにVCOM電圧を調整可能とする。
【解決手段】 液晶表示装置は、表示領域内で平行な二本のゲート配線と、表示領域外に異なる長さで引き回され、二本のゲート配線に接続された二本のゲート引き回し配線と、ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、各TFT素子を介して二本のゲート配線のいずれかに接続された複数の画素電極と、ゲート配線と絶縁された保持容量配線とを有している。保持容量配線と画素電極との間には保持容量が形成されている。ゲート配線には複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続されている。ゲート配線を介して二本のゲート引き回し配線のうち短い方のゲート引き回し配線に接続された複数の画素部の第一保持容量は、ゲート配線を介して二本のゲート引き回し配線のうち長い方のゲート引き回し配線に接続された複数の画素部の第二保持容量よりも大きい。
【選択図】 図8
Description
図10及び図11を比較すると、引き回し配線201の細線化、狭ピッチ化が図られていない液晶表示パネル200では、A地点のゲート信号の波形202と、B地点のゲート信号の波形203とにはそれほど差が生じていないのに対し、引き回し配線301の細線化、狭ピッチ化が図られた液晶表示パネル300では、A地点のゲート信号の波形302と、B地点のゲート信号の波形303とが大きく異なり、波形のなまりも大きくなっている。
ここで、液晶表示パネル300は引き回し配線301の細線化、狭ピッチ化が図られているため、液晶表示パネル300の方が液晶表示パネル200よりも配線遅延の影響が大きくなる。そして、液晶表示パネル300においては、ゲートドライバの近くに配置されているA地点の画素部に供給されるゲート信号の波形302と、ゲートドライバの遠くに配置されているB地点のゲート信号の波形303とが大きく異なり、波形のなまりも大きくなる。
このように、ゲートドライバの近くに配置されているA地点の画素部に供給されるゲート信号の波形と、ゲートドライバの遠くに配置されているB地点のゲート信号の波形とが大きく異なると、液晶表示パネルの表示領域全域にかけてフリッカーが見えなくなるように画素電極に対向して配置される対向電極に印加する電圧(VCOM電圧)を調整することが困難となる。
そこで本発明の課題は、引き回し配線の細線化、狭ピッチ化された液晶表示装置において、表示領域全域にかけてフリッカーが見えなくなるようにVCOM電圧を調整できる液晶表示装置を提供することである。
表示領域内で互いに平行に設けられた二本のゲート配線と、
前記表示領域外に各々異なる長さで引き回されて、一端部が前記二本のゲート配線の各端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた二本のゲート引き回し配線と、
前記ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、
前記複数のTFT素子のそれぞれを介して前記二本のゲート配線のいずれかに接続された複数の画素電極と、
前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
を有し、
前記保持容量配線と、前記画素電極との間には保持容量が形成され、
前記ゲート配線に前記複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続され、
前記ゲート配線を介して、前記二本のゲート引き回し配線のうち短い方のゲート引き回し配線に接続された前記複数の画素部の第一保持容量は、前記ゲート配線を介して、前記二本のゲート引き回し配線のうち長い方のゲート引き回し配線に接続された前記複数の画素部の第二保持容量よりも大きく形成されていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
表示領域内に設けられたゲート配線と、
前記表示領域外に一端部が前記ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされたゲート引き回し配線と、
前記ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、
前記複数のTFT素子のそれぞれを介して前記ゲート配線に接続された複数の画素電極と、
前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
を有し、
前記保持容量配線と、前記画素電極との間には保持容量が形成され、
前記ゲート配線に前記複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続され、
前記ゲート配線に接続された複数の画素部の各保持容量は、前記各画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び当該ゲート配線に接続された前記ゲート引き回し配線を介した長さが長いほど、小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
上記液晶表示装置において好ましくは、前記遮光材料はCr、Al、Moやこれらの合金膜である。
上記液晶表示装置において好ましくは、前記透明材料はITOである。
上記液晶表示装置において好ましくは、前記遮光材料からなる金属導電膜の一部に前記透明材料からなる透明導電膜が重畳するように接続されることで前記保持容量配線が形成されている。
上記液晶表示装置において好ましくは、前記複数の画素電極と前記金属導電膜との各重畳面積を何れも等しくして、前記複数の画素電極と前記透明導電膜との各重畳面積を互いに異ならせることで、前記複数の画素部の各保持容量を異ならせている。
表示領域内に設けられた第一ゲート配線と、
前記表示領域内に設けられた第二ゲート配線と、
前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記第一ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた第一ゲート引き回し配線と、
前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記第二ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた第二ゲート引き回し配線と、
前記第一ゲート配線に接続された第一のTFT素子と、
前記第二ゲート配線に接続された第二のTFT素子と、
前記第一のTFT素子を介して第一ゲート配線に接続された第一画素電極と、
前記第二のTFT素子を介して第二ゲート配線に接続された第二画素電極と、
前記第一画素電極に対向して、前記第一及び前記第二ゲート配線と絶縁された第一保持容量配線と、
前記第二画素電極に対向して、前記第一及び前記第二ゲート配線と絶縁された第二保持容量配線と、を有し、
前記第一保持容量配線と前記第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、
前記第二保持容量配線と前記第二画素電極との間には第二保持容量が形成され、
前記第一ゲート配線に前記第一画素電極を含む第一画素部が接続され、
前記第二ゲート配線に前記第二画素電極を含む第二画素部が接続され、
前記第一ゲート引き回し配線は前記第二ゲート引き回し配線よりも長くなるよう引き回されており、
前記第一ゲート配線を介して前記第一ゲート引き回し配線に接続された前記第一画素部の前記第一保持容量は、前記第二ゲート配線を介して前記第二ゲート引き回し配線に接続された前記第二画素部の前記第二保持容量よりも小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
表示領域内に設けられたゲート配線と、
前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされたゲート引き回し配線と、
前記ゲート配線に接続された第一のTFT素子と、
前記ゲート配線に前記第一のTFT素子と離間して接続された第二のTFT素子と、
前記第一のTFT素子を介して前記ゲート配線に接続された第一画素電極と、
前記第二のTFT素子を介して前記ゲート配線に接続された第二画素電極と、
前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
を有し、
前記保持容量配線の第一所定領域と、前記第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、
前記保持容量配線の第二所定領域と、前記第二画素電極との間には第二保持容量が形成され、
前記ゲート配線に前記第一画素電極を含む第一画素部が接続され、
前記ゲート配線に前記第二画素電極を含む第二画素部が接続され、
前記第一画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び前記ゲート引き回し配線を介した長さが、前記第二画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び前記ゲート引き回し配線を介した長さよりも長くなり、
前記第一画素部の前記第一保持容量は前記第二画素部の前記第二保持容量よりも小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
図1に示すように表示パネル1には、ガラス基板からなる透明基板Pの一面上に、複数本のゲート配線(第一配線)2が互いに平行になるように行方向に配列され、複数本のゲート配線2に対して絶縁した状態で直交するように複数本のドレイン配線(第二配線)3が互いに平行になるように列方向に配列されている。これら複数本のゲート配線2と、複数本のドレイン配線3とは、液晶表示装置100の表示領域内に設けられている。
そして、各ゲート配線2に対しては一本の保持容量配線4がそれぞれ平行に配列されている。また、各ゲート配線2の一端部にはゲート端子部21が設けられている。また、各ドレイン配線3の一端部にはドレイン端子部31が設けられている。この場合、隣接する二本のゲート配線2,2及び隣接する二本のドレイン配線3,3により形成された各領域に、画素電極51及び対向電極と、画素電極51及び対向電極によって挟持された液晶とを有する画素部5が形成される。そして、この複数の画素部5がマトリクス状に配列されることで表示パネル1が形成されている。
第二引き回し配線31aは、その一端部がドレイン端子部31に接続され、他端部が駆動信号の入力される入力端子31bとされている。入力端子21b,31bは、駆動信号を出力するドライバ部102に接続されている。なお、本実施形態では、第二引き回し配線31aの入力端子31b側に配置されたドライバ部102に第一引き回し配線21aが引き回されているため、各ゲート配線2とドライバ部102との距離が長くなるほど、当該ゲート配線2に接続された第一引き回し配線21aの長さが長くなる。
さらに、画素部5には、透明材料としてのITO等からなる透明導電膜8が、一部は本体部42及び延出部41に接触した状態で重畳し、他の部分が透明基板Pに直接成膜されるように形成されている。
そして、トランジスタ6が形成される位置において、チャネル保護膜63の上面両側及びその両側におけるチャネル膜62の上面にはn型半導体膜であるn型アモルファスシリコン等からなるオーミックコンタクト層64,65が設けられている。
また、ドレイン配線3が形成される位置において、チャネル膜62の上面にはオーミックコンタク層65が設けられている。
図6は、第一引き回し配線21aの長さと、画素部5に印加されるΔVの大きさとの関係を示すグラフである。このグラフのx軸の最小値をドライバ部102に最も近い側のゲート配線2A(図1参照)に接続されている第一引き回し配線21aの長さとし、x軸の最大値をドライバ部102から最も遠い側のゲート配線2B(図1参照)に接続されている第一引き回し配線21aの長さとしている。
一方、ドライバ部102に最も近い側のゲート配線2Aを第二ゲート配線とすると、ゲート配線2Aに接続された第一引き回し配線21aが第二ゲート引き回し配線であり、ゲート配線2Aに接続されたトランジスタ6が第二のTFT素子、該トランジスタ6を介してゲート配線2Aに接続された画素電極51が第二画素電極、該画素電極51を含む画素部が第二画素部、前記画素電極51に対向する保持容量配線4が第二保持容量配線となる。
そして、第一保持容量配線と第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、第二保持容量配線と第二画素電極との間に第二保持容量が形成されることになる。
また、斜線部S1の面積を広くするために画素電極51の面積を広くすると、画素電極51と対向電極とからなる液晶容量の値が変化してしまう。各々の画素部5で液晶容量の値が変化してしまうと、一定の信号電圧を印加した際に各々の液晶層に貯まる電荷量が変化してしまい好ましくない。
図7に示すように、ドライバ部102側の近傍のみ(例えば表示領域101におけるドライバ部102側の1/3のみ)の保持容量を補正することが好ましい。配線遅延は配線抵抗と配線容量とを積算した値であるので、第一引き回し配線21aの長さの2乗に効くと考えられる。つまり、第一引き回し配線21aが長くなるとそれだけΔVの変化量も小さくなるので、ドライバ部102側の近傍のみを補正すれば、フリッカー抑制に効果的な調整を行うことができる。以下、保持容量の補正を行わない反ドライバ部102側の領域を非補正領域とし、保持容量の補正を行うドライバ部102側の領域を補正領域と称す(図1参照)。
次いで、補正領域における二番目にドライバ部102に近いゲート配線2bに接続された複数の画素部5は、当該ゲート配線2bを介して二番目に短い第一引き回し配線21aに接続されている。このため、このゲート配線2bに接続された複数の画素部5の各保持容量は、最もドライバ部102に近いゲート配線2aに接続された複数の画素部5よりも小さく、非補正領域のゲート配線2に接続された複数の画素部5よりも大きく設定されている。具体的には、図8に示す一点鎖線部P2に示すように、各画素部5の透明導電膜8における導電膜本体81bが最もドライバ部102に近いゲート配線2aよりも小さく、非補正領域のゲート配線2に接続された複数の画素部5よりも大きく設定されている。
そして、補正領域における三番目にドライバ部102に近いゲート配線2cに接続された複数の画素部5は、当該ゲート配線2cを介して三番目に短い第一引き回し配線21aに接続されている。このため、このゲート配線2cに接続された複数の画素部5の各保持容量は、二番目にドライバ部102に近いゲート配線2bに接続された複数の画素部5よりも小さく、非補正領域のゲート配線2に接続された複数の画素部5よりも大きく設定されている。具体的には、図8に示す一点鎖線部P3に示すように、各画素部5の透明導電膜8における導電膜本体81cが二番目にドライバ部102に近いゲート配線2bよりも小さく、非補正領域のゲート配線2に接続された複数の画素部5よりも大きく設定されている。
また、保持容量配線4の本体部42及び延出部41に透明導電膜8を接触させ保持容量配線4と画素電極51とで保持容量を形成しているので、保持容量配線4の本体部42及び延出部41を細くすることができる。
例えば、上記実施形態では、複数の第二引き回し配線31aはいずれも同じ長さに設定されていて、複数の第一引き回し配線21aは各々異なる長さに設定されている場合を例示して説明したが、ドライバ部102が第一引き回し配線21aの入力端子21b側に配置されている場合には、複数の第一引き回し配線21aがいずれも同じ長さに設定され、複数の第二引き回し配線31aが各々異なる長さに設定されることになる。
また、上記実施形態では、透明導電膜8の導電膜本体81の幅を異ならせることで、保持容量を調整していたが、導電膜補助部82の幅を異ならせて保持容量を統制してもよい。
また、上記実施形態では、保持容量配線4の本体部42及び延出部41上に透明導電膜8が成膜されている場合を例示して説明したが、透明導電膜8上に本体部42及び延出部41を成膜してもよい。
また、上記実施形態では、非補正領域では保持容量の補正を行っていない場合を例示して説明したが、全ての画素部5に対して保持容量の補正を行うことも可能である。この場合においても、ゲート配線2を介して接続された第一引き回し配線21aが長いほど、画素部5の保持容量が小さく形成される。
この場合、例えばゲート配線2を介して第一引き回し配線21aの入力端子21bまでの長さが長い画素部5を第一画素部とすると、当該画素部5に備わるトランジスタ6、画素電極51が、それぞれ第一のTFT素子、第一画素電極となる。一方、ゲート配線2を介して第一引き回し配線21aの入力端子21bまでの長さが短い画素部5を第二画素部とすると、当該画素部5に備わるトランジスタ6、画素電極51が、それぞれ第二のTFT素子、第二画素電極となる。そして、保持容量配線4のうち、第一画素電極と対向する領域が第一所定領域となり、第二画素電極と対向する領域が第二所定領域となる。
2 ゲート配線
3 ドレイン配線
4 保持容量配線
5 画素部
6 トランジスタ(TFT素子)
8 透明導電膜
21 ゲート端子部
21a 第一引き回し配線(ゲート引き回し配線)
21b 入力端子
22 ゲート電極
31 ドレイン端子部
31a 第二引き回し配線
31b 入力端子
41 延出部
51 画素電極
61 第一絶縁膜
62 チャネル膜
63 チャネル保護膜
64,65 オーミックコンタクト層
66 ソース電極
67 ドレイン電極
68 第二絶縁膜
69 トランジスタ用コンタクトホール
81 導電膜本体
82 導電膜補助部
100 液晶表示装置
101 表示領域
102 ドライバ部
P 透明基板
Claims (9)
- 表示領域内で互いに平行に設けられた二本のゲート配線と、
前記表示領域外に各々異なる長さで引き回されて、一端部が前記二本のゲート配線の各端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた二本のゲート引き回し配線と、
前記ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、
前記複数のTFT素子のそれぞれを介して前記二本のゲート配線のいずれかに接続された複数の画素電極と、
前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
を有し、
前記保持容量配線と、前記画素電極との間には保持容量が形成され、
前記ゲート配線に前記複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続され、
前記ゲート配線を介して、前記二本のゲート引き回し配線のうち短い方のゲート引き回し配線に接続された前記複数の画素部の第一保持容量は、前記ゲート配線を介して、前記二本のゲート引き回し配線のうち長い方のゲート引き回し配線に接続された前記複数の画素部の第二保持容量よりも大きく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 表示領域内に設けられたゲート配線と、
前記表示領域外に一端部が前記ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされたゲート引き回し配線と、
前記ゲート配線に接続された複数のTFT素子と、
前記複数のTFT素子のそれぞれを介して前記ゲート配線に接続された複数の画素電極と、
前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
を有し、
前記保持容量配線と、前記画素電極との間には保持容量が形成され、
前記ゲート配線に前記複数の画素電極をそれぞれ含む複数の画素部が接続され、
前記ゲート配線に接続された複数の画素部の各保持容量は、前記各画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び当該ゲート配線に接続された前記ゲート引き回し配線を介した長さが長いほど、小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
前記保持容量配線は遮光材料及び透明材料の少なくとも一方から形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3記載の液晶表示装置において、
前記遮光材料はCr、Al、Moやこれらの合金膜であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3又は4に記載の液晶表示装置において、
前記透明材料はITOであることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3〜5のいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
前記遮光材料からなる金属導電膜の一部に前記透明材料からなる透明導電膜が重畳するように接続されることで前記保持容量配線が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項6記載の液晶表示装置において、
前記複数の画素電極と前記金属導電膜との各重畳面積を何れも等しくして、
前記複数の画素電極と前記透明導電膜との各重畳面積を互いに異ならせることで、前記複数の画素部の各保持容量を異ならせていることを特徴とする液晶表示装置。 - 表示領域内に設けられた第一ゲート配線と、
前記表示領域内に設けられた第二ゲート配線と、
前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記第一ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた第一ゲート引き回し配線と、
前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記第二ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされた第二ゲート引き回し配線と、
前記第一ゲート配線に接続された第一のTFT素子と、
前記第二ゲート配線に接続された第二のTFT素子と、
前記第一のTFT素子を介して第一ゲート配線に接続された第一画素電極と、
前記第二のTFT素子を介して第二ゲート配線に接続された第二画素電極と、
前記第一画素電極に対向して、前記第一及び前記第二ゲート配線と絶縁された第一保持容量配線と、
前記第二画素電極に対向して、前記第一及び前記第二ゲート配線と絶縁された第二保持容量配線と、を有し、
前記第一保持容量配線と前記第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、
前記第二保持容量配線と前記第二画素電極との間には第二保持容量が形成され、
前記第一ゲート配線に前記第一画素電極を含む第一画素部が接続され、
前記第二ゲート配線に前記第二画素電極を含む第二画素部が接続され、
前記第一ゲート引き回し配線は前記第二ゲート引き回し配線よりも長くなるよう引き回されており、
前記第一ゲート配線を介して前記第一ゲート引き回し配線に接続された前記第一画素部の前記第一保持容量は、前記第二ゲート配線を介して前記第二ゲート引き回し配線に接続された前記第二画素部の前記第二保持容量よりも小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 表示領域内に設けられたゲート配線と、
前記表示領域外に引き回されて、一端部が前記ゲート配線の端部に接続され他端部が駆動信号の入力される入力端子とされたゲート引き回し配線と、
前記ゲート配線に接続された第一のTFT素子と、
前記ゲート配線に前記第一のTFT素子と離間して接続された第二のTFT素子と、
前記第一のTFT素子を介して前記ゲート配線に接続された第一画素電極と、
前記第二のTFT素子を介して前記ゲート配線に接続された第二画素電極と、
前記ゲート配線と絶縁された保持容量配線と、
を有し、
前記保持容量配線の第一所定領域と、前記第一画素電極との間には第一保持容量が形成され、
前記保持容量配線の第二所定領域と、前記第二画素電極との間には第二保持容量が形成され、
前記ゲート配線に前記第一画素電極を含む第一画素部が接続され、
前記ゲート配線に前記第二画素電極を含む第二画素部が接続され、
前記第一画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び前記ゲート引き回し配線を介した長さが、前記第二画素電極から前記入力端子までの、前記ゲート配線及び前記ゲート引き回し配線を介した長さよりも長くなり、
前記第一画素部の前記第一保持容量は前記第二画素部の前記第二保持容量よりも小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010227119A JP2012083391A (ja) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010227119A JP2012083391A (ja) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012083391A true JP2012083391A (ja) | 2012-04-26 |
Family
ID=46242366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010227119A Ceased JP2012083391A (ja) | 2010-10-07 | 2010-10-07 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012083391A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104575418A (zh) * | 2014-08-19 | 2015-04-29 | 友达光电股份有限公司 | 面板驱动电路、液晶像素数据的升压电路及驱动其的方法 |
JP2018190989A (ja) * | 2012-08-10 | 2018-11-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0540271A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nec Corp | アクテイブマトリツクス型液晶表示素子アレイ |
JPH1039328A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
JP2009180916A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板、及び表示装置 |
-
2010
- 2010-10-07 JP JP2010227119A patent/JP2012083391A/ja not_active Ceased
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0540271A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nec Corp | アクテイブマトリツクス型液晶表示素子アレイ |
JPH1039328A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
JP2009180916A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板、及び表示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018190989A (ja) * | 2012-08-10 | 2018-11-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN104575418A (zh) * | 2014-08-19 | 2015-04-29 | 友达光电股份有限公司 | 面板驱动电路、液晶像素数据的升压电路及驱动其的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4385993B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US7209192B2 (en) | Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
US11460742B2 (en) | Display device | |
US10656489B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US10978529B2 (en) | Active matrix substrate and method for manufacturing the same | |
JP4633060B2 (ja) | 電極基板及びそれを備えた表示装置 | |
US20200241340A1 (en) | Array substrate and display device | |
US10388676B2 (en) | Active matrix substrate and method for producing same, and in-cell touch panel-type display device | |
US20060157705A1 (en) | Thin film transistor array panel | |
CN112786670B (zh) | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 | |
JP2007164172A (ja) | 液晶ディスプレイ、及び液晶ディスプレイの製造方法 | |
JP4703258B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板及び液晶表示パネル | |
JP5305190B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US20170194440A1 (en) | Thin film transistor, manufacturing method thereof, and display device including the same | |
US20190273168A1 (en) | Semiconductor device and display device | |
US20200124891A1 (en) | Active matrix substrate, liquid crystal display panel, and method for manufacturing liquid crystal display panel | |
JP2014239173A (ja) | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置 | |
JP2012083391A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH04326329A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
US10833197B2 (en) | TFT substrate having compensation capacitance unit for change in capacitance formed between gate electrode and drain electrode | |
US20140306222A1 (en) | Pixel structure | |
US9349755B2 (en) | Array substrate and display device | |
US10777587B2 (en) | Active matrix substrate and display device provided with active matrix substrate | |
US20210208460A1 (en) | Display panel, display apparatus and driving method for the same | |
JP5305646B2 (ja) | 半導体装置、電気光学装置、及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130913 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141006 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150324 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150317 |
|
AA92 | Notification of invalidation |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971092 Effective date: 20150512 |
|
AA92 | Notification of invalidation |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971092 Effective date: 20150602 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150616 |