JP2018181675A - 有機発光装置、有機発光装置の製造方法、及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記第1電極は、第1金属を有する金属層と、前記金属層と前記有機層との間の混在層と、を有し、前記混在層は、前記第1金属と、前記第1金属より反射率の低い第2金属を含む有機発光装置に関する。
前記第1電極は、アルミニウムまたは銀を有する金属層と、前記金属層と前記有機層との間に配され、チタン、モリブデン、タングステンの少なくとも1つと、前記金属層が有する金属と、を有する混在層と、を有する有機発光装置に関する。
図1は、本実施の形態にかかる有機発光装置を構成する画素の一例を示す断面図である。図1に示した画素は、基板100、トランジスタTr2、多層配線構造102、プラグ103、第一電極110、有機層120、第二電極130、防湿層140、平坦化層150、及びカラーフィルタ160を備えている。基板100としては、例えばシリコン基板を用いることができる。図1において、有機発光素子ELは、第1電極120、有機層120、及び第2電極130を有する。
本実施の形態における有機発光装置、及びその製造方法について、図6乃至図9を用いて説明する。本実施の形態と実施の形態1との違いは、第一電極の構造が異なる点、及び本実施の形態ではバンク絶縁層を有する点である。なお、実施の形態1と同様の構成、機能、方法、効果については、説明を省略する。
本実施の形態では、実施の形態1または2に記載の有機発光装置を電子機器に適用する例について図9を用いて説明する。
113a 混在層
120 有機層
130 第二電極
Claims (25)
- 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極の間の、発光層を含む有機層と、
を有し、
前記第1電極は、第1金属を有する金属層と、前記金属層と前記有機層との間の混在層と、を有し、
前記混在層は、前記第1金属と、前記第1金属より反射率の低い第2金属を含む、
有機発光装置。 - 前記第1金属は、アルミニウムまたは銀である請求項1に記載の有機発光装置。
- 前記第2金属は、チタン、モリブデン、及びタングステンのすくなくとも1つであることを特徴とする請求項1または2に記載の有機発光装置。
- 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極の間の、発光層を含む有機層と、
を有し、
前記第1電極は、
第1金属を有する金属層と、
前記金属層と前記有機層との間に配され、前記第1金属及び第2金属を有する混在層と、
を有し、
第1金属はアルミニウムまたは銀であり、
第2金属は、チタン、モリブデン、タングステンの少なくとも1つである有機発光装置。 - 前記第1電極の端部は、バンク絶縁層に覆われ、
前記バンク絶縁層は、前記第1電極上に第1開口を有し、
前記有機層は、前記第1開口において、前記第1電極と前記第2電極との間に配されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機発光装置。 - 前記第1電極は、前記第1開口において第1の膜厚を有し、前記バンク絶縁層に覆われる領域において第2の膜厚を有し、前記第1の膜厚は前記第2の膜厚より小さいことを特徴とする請求項5に記載の有機発光装置。
- 前記第1電極は、前記混在層と前記バンク絶縁層の間に配され、前記第2金属を有する導電層を有する請求項5または6に記載の有機発光装置。
- 前記導電層は、前記第1開口において、前記混在層と前記有機層の間に配される請求項7に記載の有機発光装置。
- 前記導電層は第2開口を有し、前記有機層は、前記第1開口及び前記第2開口において、前記混在層と接する請求項7に記載の有機発光装置。
- 前記混在層は酸素を含むことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記混在層の前記第1電極の膜厚方向における長さは10nm以上である請求項1乃至10のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記混在層の前記第1電極の膜厚方向における長さは、5nm以上である請求項1乃至10のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記バンク絶縁層は無機絶縁層である請求項5乃至12のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記バンク絶縁層は酸化シリコンを有する請求項5乃至13のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記混在層において、前記第1金属に対する前記第2金属の割合は、前記有機層側から前記金属層側に向かって減少している請求項1乃至14のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記混在層に占める前記第2金属の割合は、前記有機層側から前記金属層側に向かって減少している請求項1乃至15のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記第1電極は、多層配線構造の上に配され、
前記多層配線構造の表面の絶縁層は、前記第1電極に覆われていない部分に凹部を有する請求項1乃至16のいずれか1項に記載の有機発光装置。 - 前記第1電極は、シリコン基板に配された多層配線構造の上に配され、前記第1電極は反射電極であり、前記第2電極は透明電極である請求項1乃至16のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- レンズと、
前記レンズからの光が入射する撮像素子と、
前記撮像素子からの出力が入力される制御部と、
前記制御部から信号が入力される、請求項1乃至18のいずれか1項に記載の有機発光装置と、
を有する撮像装置。 - 第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上に発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第2電極を形成する工程を含み、
前記第1電極を形成する工程は、
第1金属を含む金属膜を形成する工程と、
前記金属層に前記第1金属と、前記第1金属より反射率の低い第2金属とを含む混在層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機発光装置の製造方法。 - 前記混在層を形成する工程は、
前記第1金属を含む金属膜の上に、前記第2金属を含む導電膜を形成する工程と、
前記第1金属を含む金属膜及び前記第2金属を含む導電膜の一部を除去して、前記第1金属を含む金属層と、前記第2金属を含む導電層を形成する工程と、
前記第1金属を含む金属層と前記第2金属を含む導電層を形成した後、加熱処理を行う工程と、
を有することを特徴とする請求項20に記載の有機発光装置の製造方法。 - 前記加熱処理によって、前記金属膜に前記第2金属が拡散することで、前記混合層が形成される請求項21に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記加熱処理を行う工程は、
前記第2金属を含む導電層の上に、絶縁膜を形成する工程である請求項21または22に記載の有機発光装置。 - 前記加熱処理の温度は300℃以上である請求項20乃至23のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を形成後、前記絶縁膜の一部をエッチングにより除去して開口を形成する工程と、
前記開口において、前記導電層の一部を除去する工程と、を有することを特徴とする請求項20乃至24のいずれか1項に記載の有機発光装置の製造方法。
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