JP6311311B2 - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル等の電子装置の構造およびその製造方法に関する。
近年、順方向に電流を供給すると発光する発光素子が開発されている。その中でも、例えば、有機蛍光性物質の電界発光現象を利用した発光素子である、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記載する。）が、広く活用されている。
例えば、特許文献１では、有機ＥＬ素子を備えた電子装置の一例として、図１７に示す有機ＥＬ表示パネル９０１が開示されている。有機ＥＬ表示パネル９０１は、ガラス基板９１１と、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）９１２と、第１導電層９１３と、有機絶縁層９２１と、第２導電層９２３と、中間層９３５と、隔壁９４１と、発光層９４２と、第３導電層９４３と、保護層９４８と、接着層９４９と、カラーフィルター層９５０と、封止層９５１とを備える。第１導電層９１３は、配線として機能する。有機絶縁層９２１は、第１導電層９１３上に形成され、第１導電層９１３の表面の一部を露出する開口があけられている。第２導電層９２３は、有機絶縁層９２１上から第１導電層９１３までを覆うように形成され、陽極として機能する。第１導電層９２３を構成する材料は、金属である。中間層９３５は、有機絶縁層９２１の上面、開口を臨む内周面９２１ａ、および底面９２１ｂにおいて、有機絶縁層９２１と第２導電層９２３との間に拡がっている。中間層９３５を構成する材料は、金属酸化物の一種であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）である。発光層９４２は、第２導電層９２３上に形成され有機発光材料からなる。第３導電層９４３は、陰極として機能し透明材料からなる。これにより、有機絶縁層９２１の開口の底面９２１ｂにおいて、中間層９３５を介して、第１導電層９１３から第２導電層９２３に電流が流れる構造が実現できる。一方、金属酸化物は有機材料に対しても金属材料に対しても密着性が高いことが知られている。そのため、有機絶縁層９２１と中間層９３５との密着性は高く、且つ、中間層９３５と第２導電層９２３との密着性も高い。従って、有機ＥＬ表示パネル９０１では、有機絶縁層９２１が第２導電層９２３から剥がれることを抑制できる。
ところで、上記従来の有機ＥＬ表示パネルのような電子装置において、例えば、アルミニウムあるいはアルミニウム合金を第２導電層の材料として使うと、コスト面で有利である。しかしながら、この場合、第２導電層の中間層と接している部分が、酸化アルミニウムに変質してしまうおそれがある。これは、アルミニウム原子の酸素原子に対する結合力が大きく、例えば、第２導電層に含まれるアルミニウム原子が中間層を構成するＩＴＯに含まれる酸素原子と反応しやすいためである。さらに、上記従来の有機ＥＬ表示パネルでは、第１導電層と第２導電層との間の全体に亘って中間層が形成されているため、有機絶縁層の開口の底面においても中間層が存在する。そして、有機絶縁層の開口の底面において、第２導電層の中間層と接している部分が酸化アルミニウムに変質すると、第１導電層と第２導電層との間のコンタクト抵抗が上がってしまうおそれがある。これは、酸化アルミニウムの導電性が、アルミニウムおよびアルミニウム合金と比べて小さいためである。このような問題は、第２導電層にアルミニウムあるいは酸化アルミニウムを採用し、且つ、中間層にＩＴＯを採用した場合に限らず、中間層に酸素原子または窒素原子が含まれる場合に生じるおそれがある。
そこで、本発明では、有機絶縁層と第２導電層とが剥がれにくく、且つ、第１導電層と第２導電層との間のコンタクト抵抗を抑制できる、電子装置の提供を目的とする。
本発明の一態様に係る電子装置は、基板と、前記基板上に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成され、且つ、前記第１導電層の一部を露出する開口があけられた有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上面、前記有機絶縁層の開口を臨む内周面、および前記開口から露出した第１導電層を覆うように形成された金属製の第２導電層と、前記有機絶縁層の開口を臨む内周面と前記第２導電層との間のみに形成された、酸化物あるいは窒化物を含む中間層とを備え、前記有機絶縁層の開口の底面において、前記第１導電層と前記第２導電層とが接触していることを特徴とする。
本発明の電子装置では、有機絶縁層の開口を臨む内周面と第２導電層との間のみに、酸化物あるいは窒化物を含む中間層が形成されている。ここで、酸化物および窒化物は、有機材料に対しても金属材料に対しても密着性が高いことが知られている。そのため、有機絶縁層と中間層との密着性は高く、且つ、中間層と第２導電層との密着性も高い。従って、中間層が形成されることにより、有機絶縁層と第１導電層とは剥がれにくくなる。
一方、有機絶縁層の開口の底面において、中間層が形成されず、第１導電層と第２導電層とが接触している。そのため、有機絶縁層の開口の底面において、第１導電層と第２導電層との直接接触が維持できるためコンタクト抵抗を小さくすることができる。
したがって、本発明の電子装置では、有機絶縁層と第２導電層とが剥がれにくく、且つ、第１導電層と第２導電層との間のコンタクト抵抗を抑制できる。
［本発明の一態様の概要］
本発明の一態様に係る電子装置は、 基板と、前記基板上に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成され、且つ、前記第１導電層の一部を露出する開口があけられた有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上面、前記有機絶縁層の開口を臨む内周面、および前記開口から露出した第１導電層を覆うように形成された金属製の第２導電層と、前記有機絶縁層の開口を臨む内周面と前記第２導電層との間のみに形成された、酸化物あるいは窒化物を含む中間層とを備え、前記有機絶縁層の開口の底面において、前記第１導電層と前記第２導電層とが接触していることを特徴とする。
本発明の一態様に係る電子装置は、 基板と、前記基板上に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成され、且つ、前記第１導電層の一部を露出する開口があけられた有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上面、前記有機絶縁層の開口を臨む内周面、および前記開口から露出した第１導電層を覆うように形成された金属製の第２導電層と、前記有機絶縁層の開口を臨む内周面と前記第２導電層との間のみに形成された、酸化物あるいは窒化物を含む中間層とを備え、前記有機絶縁層の開口の底面において、前記第１導電層と前記第２導電層とが接触していることを特徴とする。
この電子装置では、有機絶縁層の開口を臨む内周面と第２導電層との間のみに、酸化物あるいは窒化物を含む中間層が形成されている。ここで、酸化物および窒化物は、有機材料に対しても金属材料に対しても密着性が高いことが知られている。そのため、有機絶縁層と中間層との密着性は高く、且つ、中間層と第２導電層との密着性も高い。従って、中間層が形成されることにより、有機絶縁層と第１導電層とは剥がれにくくなる。一方、有機絶縁層の開口の底面において、中間層が形成されず、第１導電層と第２導電層とが接触している。そのため、有機絶縁層の開口の底面において、第２導電層が酸化物あるいは窒化物に変質することを抑制できる。したがって、本発明の電子装置では、有機絶縁層と第２導電層とが剥がれにくく、且つ、第１導電層と第２導電層との間のコンタクト抵抗を抑制できる。
また、前記第１導電層は、金属で構成され、前記中間層は、前記第１導電層を構成する前記金属の酸化物で構成されてもよい。
また、前記中間層は、導電性酸化物で構成されてもよい。
また、酸化物あるいは窒化物で構成され、前記第１導電層と前記有機絶縁層との間に形成され、且つ、前記有機絶縁層の開口に対応して前記第１導電層の一部を露出する開口があけられた絶縁層をさらに備え、前記中間層は、前記絶縁層と同じ材料で構成されてもよい。
また、前記第１導電層は、金属で構成され、前記中間層と前記第２導電層との間に、前記第１導電層を構成する金属で構成された金属層がさらに形成されてもよい。
また、前記第１導電層は、金属で構成され、前記第１導電層と前記有機絶縁層との間には、前記第１導電層を構成する前記金属の酸化物で構成された金属酸化物層が形成され、前記有機絶縁層で直接覆われた第１導電層の領域の表面の粗さが、前記有機絶縁層から露出した第１導電層の領域の表面の粗さよりも大きくてもよい。
また、前記第１導電層は、金属で構成され、前記有機絶縁層で覆われた第１導電層の領域では、前記第１導電層と前記有機絶縁層との間に、前記第１導電層を構成する前記金属の酸化物で構成される酸化物層が形成されてもよい。
また、前記第１導電層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕの少なくともいずれかを含有する金属で構成されてもよい。
また、前記第２導電層は、Ａｌ合金あるいはＡｇ合金で構成されてもよい。
さらに、本発明の一態様に係る電子装置の製造方法は、基板を準備する第１工程と、前記基板上に金属で構成された第１導電層を形成する第２工程と、前記第１導電層上に、前記第１導電層の一部を露出する開口があけられ、有機材料で構成された有機絶縁層を形成する第３工程と、少なくとも前記有機絶縁層から露出した前記第１導電層の表面をスパッタリングすることで、前記有機絶縁層の内周面のみに、酸化物あるいは窒化物を含有する中間層を形成する第４工程と、前記有機絶縁層の上面、前記有機絶縁層の開口の内周面、および前記有機絶縁層から露出した第１導電層を覆うように、金属製の第２導電層を形成する第５工程と、を含むことを特徴とする。
また、前記中間層が含有する酸化物あるいは窒化物は、前記第１導電層を構成する前記金属の酸化物あるいは窒化物であってもよい。
また、前記第２工程から前記第４工程までの間に、前記第１導電層の少なくとも表面を酸化する工程を有してもよい。
また、前記第４工程と前記第５工程との間に、前記第１導電層の表面をスパッタリングして、前記中間層上に前記第１導電層に含まれる金属からなる金属層を形成する工程を有してもよい。
さらに、本発明の一態様に係る電子装置の製造方法は、基板を準備する第６工程と、前記基板および前記第１導電層上に酸化物あるいは窒化物で構成される絶縁層を形成する第７工程と、前記基板上に金属で構成された第１導電層を形成する第８工程と、前記第１導電層上に、前記第１導電層の一部を露出する開口があけられ、有機材料で構成された有機絶縁層を形成する第９工程と、前記第１導電層の表面が露出するように前記絶縁層の表面の一部をスパッタリングにより除去することにより、少なくとも前記有機絶縁層から露出した前記絶縁層の表面をスパッタリングすることで、前記有機絶縁層の内周面のみにおいて、前記絶縁層と同じ材料で構成される中間層を形成する第１０工程と、前記有機絶縁層の上面、前記有機絶縁層の開口の内周面、および前記有機絶縁層から露出した第１導電層を覆うように、金属製の第２導電層を形成する第１１工程とを含むことを特徴とする。
［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示パネル１の全体構成
図１は、本実施の形態１に係る、有機ＥＬ表示パネルの１画素分の構成を示す断面図である。
１．有機ＥＬ表示パネル１の全体構成
図１は、本実施の形態１に係る、有機ＥＬ表示パネルの１画素分の構成を示す断面図である。
有機ＥＬ表示パネル１は、ガラス基板１１と、ゲート電極１２と、絶縁層１４と、第１導電層１３と、酸化タングステン層１３ａと、半導体層１５と、パッシベーション層１６と、有機絶縁層２１と、中間層３５と、第２導電層２３と、隔壁４０と、発光層４１と、第３導電層４３と、封止層５１と、を備える。ゲート電極１２、ゲート電極１２上に形成された絶縁層１４、ＳＤ（ソースドレイン）電極として機能する第１導電層１３、および絶縁層１４を挟んでゲート電極１２上に形成された半導体層１５により、ＴＦＴが構成される。第１導電層１３は、ガラス基板１１および絶縁層１４で構成される基板上に形成されている。第１導電層１３を構成する材料は、タングステンである。酸化タングステン層１３ａは、パッシベーション層１６の開口であって有機絶縁層２１の開口を除く部分において、第１導電層１３と有機絶縁層２１との間に形成されている。パッシベーション層１６は、第１導電層１３上に形成され、第１導電層１３の一部および半導体層１５を覆うＳｉＮ（窒化シリコン）からなる。
有機絶縁層２１は、パッシベーション層１６を介して第１導電層１３上に形成される。有機絶縁層２１には、第１導電層１３の表面の一部を露出する開口があけられている。有機絶縁層２１の開口は、上面から底面に向かうにつれ縮径した逆テーパー状に形成されている。有機絶縁層２１の開口の最上面の内径は、例えば１５μｍであり、有機絶縁層２１の開口の底面２１ｂ内径は、例えば５μｍであり、有機絶縁層２１の膜厚は、例えば４μｍである。有機絶縁層２１を構成する材料は、例えば、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等）である。中間層３５は、コンタクト部周辺αの拡大図である図２（ａ）に示すように、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａ上に存在するが、有機絶縁層２１の上面には存在せず、また、有機絶縁層２１の開口から露出した第１導電層１３上にも存在しない。すなわち、中間層３５は、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａと第２導電層２３との間にのみ形成されている。中間層３５の拡がる領域は、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａの第１導電層側の半分のみである。中間層３５と有機絶縁層２１との界面周辺部βの詳細な構成は、図２（ｂ）に示されている。有機絶縁層２１で直接覆われた酸化タングステン層１３ａの表面１３ｂの粗さは、有機絶縁層２１の開口から露出した第１導電層１３の表面１３ｃの粗さよりも大きい。この形状は、製造方法によるものと考えられる。図１に戻って、第２導電層２３は、有機絶縁層２１の上面、中間層３５を介した有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａ、および有機絶縁層２１の開口から露出した第１導電層１３を覆うように形成され陽極として機能する。第２導電層２３を構成する材料は、アルミニウム合金である。有機絶縁層２１の開口の底面２１ｂにおいて、第２導電層２３は、第１導電層１３に直接接触しており、第２導電層２３には第１導電層１３から電流が供給されている。すなわち、第２導電層２３と第１導電層１３との接触箇所がコンタクト部となっている。
隔壁４０は、有機絶縁層２１の開口に埋め込まれ、例えば、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等）からなる。発光層４１は、第２導電層２３上における隣り合う隔壁４０の間に形成され、有機発光材料からなる。第３導電層４３は、隔壁４０および発光層４１を覆うように形成され、陰極として働く。第３導電層４３を構成する材料は、例えば、透明材料（例えば、ＩＴＯあるいはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）である。第３導電層４３には、有機ＥＬ表示パネル１のパネル部の周囲にある駆動回路から電流が供給されている。封止層５１は、第３導電層４３を覆うように形成され、ＳｉＮ等のガスバリア性を有する材料からなる。
２．製造方法
以下、有機ＥＬ表示パネル１の製造方法、特に、中間層３５を形成する工程について、図面を用いて説明する。なお、有機ＥＬ表示パネルを形成する工程のうち、下記以外の工程については、公知の技術を適用できるので、説明を省略する。
以下、有機ＥＬ表示パネル１の製造方法、特に、中間層３５を形成する工程について、図面を用いて説明する。なお、有機ＥＬ表示パネルを形成する工程のうち、下記以外の工程については、公知の技術を適用できるので、説明を省略する。
まず、図３（ａ）に示すように、絶縁層１４を含む基板上に、表面にパッシベーション層１６が設けられ、且つタングステンからなる第１導電材料層１３ｄを準備する。具体的には、基板上に、第１導電材料層１３ｄを形成し、さらに、第１導電材料層１３ｄ上にパッシベーション層１６の材料であるＳｉＮを堆積する。その後、一般的なフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、パッシベーション層１６の材料を選択的にエッチングすることにより、パッシベーション層１６の所望の位置に開口を形成し、第１導電材料層１３ｄの表面の一部を露出させる。
次に、図３（ｂ）に示すように、第１導電材料層１３ｄの露出した領域およびパッシベーション層１６を覆うように、有機絶縁材料層２１ｄを積層する。
図３（ｃ）に示すように、第１導電材料層１３ｄの露出した領域およびパッシベーション層１６上に、開口があけられた有機絶縁層２１を形成する。具体的には、有機絶縁層２１の材料として感光性材料を採用し、一般的なフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、有機絶縁材料層２１ｄの一部を選択的にエッチングし、さらに、焼成を行うことで、開口があけられた有機絶縁層２１を形成する。
次に、図３（ｄ）に示すように、タングステンからなる第１導電材料層１３ｄの表面のうちパッシベーション層１６から露出した部分を、酸化タングステンからなる金属酸化膜１３ｅに変質させる。具体的には、アニールを行うことで、第１導電材料層１３ｄの表面の一部を酸化する。なお、この第１導電材料層１３ｄの一部酸化工程は、図３（ｃ）で説明した焼成と兼ねてもよい。
図４（ａ）に示すように、不活性ガスを用いた逆スパッタリング法により、金属酸化膜１３ｅの一部を有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａに付着する。ここで、逆スパッタリング法とは、基板の特定の層をターゲットとして、これに不活性ガスイオンを衝突させることで、ターゲットからターゲット原子を飛び出させる技術である。本実施の形態では、矢印に示される、例えばＡｒ（アルゴン）のような不活性ガスイオンを、酸化タングステンからなる金属酸化膜１３ｅに衝突させ、酸化タングステンを金属酸化膜１３ｅから飛び出させる。飛び出した酸化タングステンの多くは、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａに付着する。なお、この逆スパッタリングの条件は、平行平板電極のＤＣスパッタ装置を用いて、ＤＣ電力１．０ｋＷ以上１．５ｋＷ以下、アルゴンガス圧力０．３Ｐａ以上７Ｐａ以下、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ以上２００ｓｃｃｍ以下とした。
図４（ａ）の結果、図４（ｂ）に示すように、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａのみに中間層３５が形成される。
さらに、図４（ｃ）に示すように、第２導電層２３を形成した後、有機絶縁層２１の開口に隔壁４０を形成する。
３．考察
以下、中間層３５の構造および組成の確認結果を示すとともに、中間層３５の形成のメカニズムについて考察する。
（３−１）中間層３５の構造
上記製造方法で形成した有機絶縁層２１の構成を、ＴＥＭ（走査透過型電子顕微）で観察した。図５（ａ）は有機ＥＬ素子の本実施の形態によるコンタクト部分のＴＥＭによる撮影図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の撮影図のトレース図である。なお、酸化タングステン層１３ａは、第１導電層１３と有機絶縁層２１との間に存在すると考えられるが図面には現れていない。これは、酸化タングステン層１３ａと第１導電層１３とがＴＥＭでは同じ濃さのものとして撮影されるためである。
以下、中間層３５の構造および組成の確認結果を示すとともに、中間層３５の形成のメカニズムについて考察する。
（３−１）中間層３５の構造
上記製造方法で形成した有機絶縁層２１の構成を、ＴＥＭ（走査透過型電子顕微）で観察した。図５（ａ）は有機ＥＬ素子の本実施の形態によるコンタクト部分のＴＥＭによる撮影図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の撮影図のトレース図である。なお、酸化タングステン層１３ａは、第１導電層１３と有機絶縁層２１との間に存在すると考えられるが図面には現れていない。これは、酸化タングステン層１３ａと第１導電層１３とがＴＥＭでは同じ濃さのものとして撮影されるためである。
図５に示すように、中間層３５は、有機絶縁層２１と第２導電層２３との間に拡がっている。これにより、上記製造方法を実施すれば、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａに、中間層３５が形成されていることが確認できた。また、有機絶縁層２１で直接覆われた酸化タングステン層１３ａの表面１３ｂの粗さは、有機絶縁層２１の開口から露出した第１導電層１３の表面１３ｃの粗さよりも大きいことも確認できた。
（３−２）中間層３５の組成
さらに、上記製造方法で形成した有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａを、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で観察した。図６は、図１に示した有機ＥＬ素子の有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａのＸＰＳによるタングステン４ｆ軌道の測定図である。タングステン４ｆ軌道を測定すると、金属単体であるタングステンが存在する場合には、２つのピークが観測され、金属酸化物である酸化タングステンが存在する場合には、４つのピークが観測される。図６では、図３（ｄ）の酸化工程を行わなかった場合（比較例）と、図３（ｄ）の酸化工程を行った場合（本実施の形態）との測定結果を示している。一点鎖線が比較例に対応し、二点鎖線が本実施の形態に対応する。図６に示すように、比較例では表面にタングステンが存在し、本実施の形態では酸化タングステンが存在する。このように、上記製造方法により形成した有機ＥＬ表示パネル１における中間層３５は、酸化タングステンからなることが確認できた。
（３−３）中間層３５の形成メカニズム
さらに、上記製造方法における、逆スパッタリング法による中間層の形成について図面を用いて詳しく考察する。図７（ａ）は特許文献１に係る中間層形成工程の模式図であり、図７（ｂ）は本実施の形態に係る中間層形成工程の模式図である。
（３−２）中間層３５の組成
さらに、上記製造方法で形成した有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａを、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で観察した。図６は、図１に示した有機ＥＬ素子の有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａのＸＰＳによるタングステン４ｆ軌道の測定図である。タングステン４ｆ軌道を測定すると、金属単体であるタングステンが存在する場合には、２つのピークが観測され、金属酸化物である酸化タングステンが存在する場合には、４つのピークが観測される。図６では、図３（ｄ）の酸化工程を行わなかった場合（比較例）と、図３（ｄ）の酸化工程を行った場合（本実施の形態）との測定結果を示している。一点鎖線が比較例に対応し、二点鎖線が本実施の形態に対応する。図６に示すように、比較例では表面にタングステンが存在し、本実施の形態では酸化タングステンが存在する。このように、上記製造方法により形成した有機ＥＬ表示パネル１における中間層３５は、酸化タングステンからなることが確認できた。
（３−３）中間層３５の形成メカニズム
さらに、上記製造方法における、逆スパッタリング法による中間層の形成について図面を用いて詳しく考察する。図７（ａ）は特許文献１に係る中間層形成工程の模式図であり、図７（ｂ）は本実施の形態に係る中間層形成工程の模式図である。
従来の中間層９３５を形成する場合には、図７（ａ）に示すように、有機絶縁層９２１の開口の形成後、スパッタリング法を用いて、上方から中間層９３５の材料となる金属酸化物であるＩＴＯ９３５ｂを、有機絶縁層９２１の上面から開口を臨む内周面９２１ａおよび底面９２１ｂに、スパッタすることが考えられる。しかしながら、特に、有機絶縁層９２１の開口を臨む内周面９２１ａへのＩＴＯ９３５ｂの入射角が浅いため、ＩＴＯ９３５ｂが内周面９２１ａに付着しづらい傾向がある。そのため、有機絶縁層９２１の開口を臨む内周面９２１ａにおいて、十分にＩＴＯ９３５ｂを付着させることができず、中間層９３５が薄く形成されるおそれがある。ここで、スパッタリング法とは、基板の上方にターゲットを設け、これに不活性ガスを衝突させることで、ターゲットからターゲット原子を飛び出させ、基板に付着させる技術である。
一方、本実施の形態では、図７（ｂ）に示すように、まず、逆スパッタリング法を、基板の第１導電層１３に形成された金属酸化膜１３ｅをターゲットとして行う。逆スパッタリング法により、不活性ガスイオンであるＡｒ６０を第１導電層１３に形成された金属酸化膜１３ｅに衝突させることで、金属酸化膜１３ｅから酸化タングステン１３ｆを飛び出させる。このとき、酸化タングステン１３ｆはあらゆる角度に飛び出すため、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａへの酸化タングステン１３ｆの入射角が深いものもある。そのため、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａの傾斜が急であっても、酸化タングステン１３ｆを内周面２１ａに付着することができる。そのため、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａにおいて、十分に酸化タングステンの厚みを確保できる。これにより、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａに垂直な方向における中間層３５の厚みが小さくなることを抑制できる。なお、逆スパッタリング法を用いているため、有機絶縁層２１の上部には酸化タングステン１３ｆは付着しにくい。また、酸化タングステン１３ｆは、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａにおける開口の上面から底面に近づくほど付着しやすいため、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａに垂直な方向における中間層３５の厚みは、開口の上面から底面に近づくほど大きくなっている。さらに、第１導電層１３に形成された金属酸化膜１３ｅから酸化タングステン１３ｆが飛び出すため、図２（ｂ）に示すように、基板に垂直な方向における第１導電層１３の厚みは、有機絶縁層２１の開口の底面２１ｂにおける厚みの方が、他における厚みよりも小さい。
４．効果
本実施の形態では、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａと第２導電層２３との間に、酸化タングステンで構成される中間層３５が形成されている。ここで、酸化タングステンは、有機材料に対しても金属材料に対しても密着性が高いことが知られている。そのため、有機絶縁層２１と中間層３５との密着性は高く、且つ、中間層３５と第２導電層２３との密着性も高い。従って、中間層３５が形成されることにより、有機絶縁層２１と第２導電層２３とは剥がれにくくなる。
本実施の形態では、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａと第２導電層２３との間に、酸化タングステンで構成される中間層３５が形成されている。ここで、酸化タングステンは、有機材料に対しても金属材料に対しても密着性が高いことが知られている。そのため、有機絶縁層２１と中間層３５との密着性は高く、且つ、中間層３５と第２導電層２３との密着性も高い。従って、中間層３５が形成されることにより、有機絶縁層２１と第２導電層２３とは剥がれにくくなる。
加えて、本実施の形態では、不活性ガスの逆スパッタリングにより、第１導電層１３に形成された金属酸化膜１３ｅを構成する酸化タングステン１３ｆを飛び出させる。これにより、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａに付着させ、中間層３５を形成する。そのため、上述のように、有機絶縁層２１の上方から中間層３５の材料をスパッタするよりも、有機絶縁層９２１の開口を臨む内周面９２１ａにおいて、十分に中間層３５の厚みを確保できる。
ところで、本実施の形態では、第１導電層１３と第２導電層２３との間のコンタクト抵抗の抑制も期待できる。これについて説明するため、まず、第１導電層１３と第２導電層２３との間のコンタクトについて考察する。図８は、アルミニウム合金を第２導電層２３の材料として用いて、ＩＴＯからなる中間層３５が、有機絶縁層２１の開口の底面２１ｂを含む第１導電層１３と第２導電層２３との間の全部に形成された比較例に関する図であり、図８（ａ）はＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による撮影図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）の拡大図およびＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）による測定図である。第２導電層２３であるＡｌ合金と中間層３５であるＩＴＯとの接触部分に、膜厚７ｎｍ〜１０ｎｍ以上で、酸化アルミニウムが形成されている。このように、第２導電層２３と中間層３５とを接触して形成すると、第２導電層２３の接触部分が、中間層３５に含まれる酸素原子と反応し、酸化アルミニウムに変質してしまう。これにより、第２導電層２３の中間層３５と接触している部分のコンタクト抵抗が大きくなるおそれがある。しかしながら、本実施の形態では、有機絶縁層２１の開口の底面２１ｂにおいて、中間層３５が存在しておらず、第１導電層１３と第２導電層２３とが接触している。これにより、第１導電層１３と第２導電層２３との直接接触が維持できるため、コンタクト抵抗は小さくなる。
また、図９は逆スパッタをしないサンプル（比較例）と、本実施の形態の逆スパッタをしたサンプルとのコンタクト抵抗値を示す図である。逆スパッタをしないサンプル（比較例）では、コンタクト抵抗値は約１０9Ωときわめて大きいが、本実施の形態の逆スパッタをしたサンプルでは、コンタクト抵抗値は約２Ω程度と小さくすることができた。
加えて、第１導電層１３と有機絶縁層２１との間に、第１導電層１３に含まれるタングステンを酸化した、酸化タングステンで構成される酸化タングステン層１３ａが形成されている。酸化タングステン層１３ａは第１導電層１３が変質されたものであるため、酸化タングステン層１３ａは第１導電層１３から剥がれにくい。また、有機絶縁層２１と酸化タングステン層１３ａとの密着性は高い。そのため、第１導電層１３と有機絶縁層２１とが剥がれにくくなっている。
さらに、図２（ｂ）で説明したように、有機絶縁層２１で直接覆われた酸化タングステン層１３ａの表面１３ｂの粗さは、有機絶縁層２１の開口から露出した第１導電層１３の表面１３ｃの粗さよりも大きい。そして、表面１３ｂの粗さが大きいと、機械的な性質により、有機絶縁層２１と酸化タングステン層１３ａとが密着しやすい。その結果、第１導電層１３が有機絶縁層２１からさらに剥がれにくくなっている。
［実施の形態２］
１．構成
図１０は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２０１の断面図である。実施の形態２では、金属酸化物からなる中間層上に金属層が形成されている。下記以外の構成は、有機ＥＬ表示パネル１と同じなので、説明を省略する。
１．構成
図１０は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２０１の断面図である。実施の形態２では、金属酸化物からなる中間層上に金属層が形成されている。下記以外の構成は、有機ＥＬ表示パネル１と同じなので、説明を省略する。
図１０に示すように、有機ＥＬ表示パネル２０１は、有機絶縁層２１の開口を臨む内周面２１ａにおいて、中間層３５と第２導電層２３との間に、金属層である張り出し部２１３ｄを備える。張り出し部２１３ｄは、第１導電層２１３と同じ金属であるタングステンで構成されている。
２．製造方法
以下、有機ＥＬ表示パネル２０１の製造方法、特に、中間層３５および第１導電層２１３の張り出し部２１３ｄを形成する工程について、図面を用いて説明する。
２．製造方法
以下、有機ＥＬ表示パネル２０１の製造方法、特に、中間層３５および第１導電層２１３の張り出し部２１３ｄを形成する工程について、図面を用いて説明する。
図１１（ａ）に示すように、有機絶縁層２１の開口の内周面２１ａに中間層３５が形成される。具体的には、図３（ａ）〜（ｄ）と同様の製造方法で、第１導電材料層２１３ｃに金属酸化膜を形成した後、図４（ａ）、（ｂ）と同様の不活性ガスを用いた逆スパッタリング法により、金属酸化膜の一部を有機絶縁層２１の開口の内周面２１ａに付着させる。
さらに、図１１（ｂ）に示すように、図４（ａ）、（ｂ）と同様の不活性ガスを用いた逆スパッタリング法により、第１導電材料層２１３ｃの一部を有機絶縁層２１の開口の内周面２１ａ上に形成された中間層３５上に付着する。本実施の形態では、矢印に示される、例えばＡｒ（アルゴン）のような不活性ガスイオンを、タングステンからなる第１導電材料層２１３ｃに衝突させ、タングステンを第１導電層２１３から飛び出させる。飛び出したタングステンの多くは、有機絶縁層２１の開口の内周面２１ａ上に形成された中間層３５上に付着する。なお、この逆スパッタリングの条件は、平行平板電極のＤＣスパッタ装置を用いて、ＤＣ電力１．０ｋＷ以上１．５ｋＷ以下、アルゴンガス圧力０．３Ｐａ以上７．０Ｐａ以下、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ以上２００ｓｃｃｍ以下とした。
図１１（ｂ）の結果、図１１（ｃ）に示すように、有機絶縁層２１の開口の内周面２１ａに中間層３５に加えて第１導電層２１３と同じくタングステンで構成された張り出し部２１３ｄが形成される。
次に、図１１（ｄ）に示すように、第２導電層２３を形成し、さらに、有機絶縁層２１の開口に、隔壁４０を形成する。
３．効果
中間層３５と第２導電層２３との間に、タングステンで構成された張り出し部２１３ｄがさらに形成されている。そして、有機絶縁層２１の開口において、タングステン層とアルミニウム合金層との界面は、張り出し部２１３ｄと第２導電層２３との接触面となる。当該接触面の面積は、有機絶縁層２１の開口の底部の面積よりも大きい。一方、第１電極層２１３と張り出し部２１３ｄとの間にはコンタクト抵抗は存在しない。従って、この構成では、実施の形態１よりもコンタクト抵抗を抑制できる。なお、当該効果が生じるためには、張り出し部２１３ｄが第１導電層２１３を構成する金属と同じ材料で構成されなければならない。張り出し部２１３ｄが第２導電層３２を構成する金属と同じ材料で構成される場合は、実施の形態１とコンタクト抵抗が変わらず効果が発生しない。また、張り出し部２１３ｄが第１導電層２１３および第２導電層２３の材料と異なる材料で構成される場合、第１導電層２１３と張り出し部２１３ｄとの間にコンタクト抵抗が存在するので、効果が発生しない。
３．効果
中間層３５と第２導電層２３との間に、タングステンで構成された張り出し部２１３ｄがさらに形成されている。そして、有機絶縁層２１の開口において、タングステン層とアルミニウム合金層との界面は、張り出し部２１３ｄと第２導電層２３との接触面となる。当該接触面の面積は、有機絶縁層２１の開口の底部の面積よりも大きい。一方、第１電極層２１３と張り出し部２１３ｄとの間にはコンタクト抵抗は存在しない。従って、この構成では、実施の形態１よりもコンタクト抵抗を抑制できる。なお、当該効果が生じるためには、張り出し部２１３ｄが第１導電層２１３を構成する金属と同じ材料で構成されなければならない。張り出し部２１３ｄが第２導電層３２を構成する金属と同じ材料で構成される場合は、実施の形態１とコンタクト抵抗が変わらず効果が発生しない。また、張り出し部２１３ｄが第１導電層２１３および第２導電層２３の材料と異なる材料で構成される場合、第１導電層２１３と張り出し部２１３ｄとの間にコンタクト抵抗が存在するので、効果が発生しない。
［変形例］
以上の通り、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限らない。以下に、上記実施の形態の変形例について説明する。
以上の通り、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限らない。以下に、上記実施の形態の変形例について説明する。
１．第１導電層の酸化方法
実施の形態等では、アニールまたは焼成により第１導電層を酸化したが、第１導電層の酸化方法はこれに限らない。例えば、図１２、図１３に示すように、Ｏ2アッシングにより第１導電層１３の表面の一部を酸化してもよい。
実施の形態等では、アニールまたは焼成により第１導電層を酸化したが、第１導電層の酸化方法はこれに限らない。例えば、図１２、図１３に示すように、Ｏ2アッシングにより第１導電層１３の表面の一部を酸化してもよい。
図１２は、第１導電材料層１３ｄを形成した後にＯ2アッシングを行う工程を示している。具体的には、まず、図１２（ａ）に示すように、図３（ａ）と同様に、絶縁層１４を含む基板上に、パッシベーション層１６を形成したタングステンからなる第１導電材料層１３ｄを準備する。次に、図１２（ｂ）に示すように、例えば、Ｏ2プラズマを用いてアッシングを行い、タングステンからなる第１導電材料層１３ｄの表面におけるパッシベーション層１６が形成されていない部分を、酸化タングステンからなる金属酸化膜１３ｅに変質させる。その後、図１２（ｃ）（ｄ）に示すように、図３（ｂ）（ｃ）と同様のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、開口があけられた有機絶縁層２１を形成する。
一方、図１３は、開口があけられた有機絶縁層２１を形成した後にＯ2アッシングを行う工程を示している。具体的には、まず、図１３（ａ）に示すように、図３（ａ）と同様に、絶縁層１４を含む基板上に、パッシベーション層１６を形成したタングステンからなる第１導電材料層１３ｄを準備する。次に、図１３（ｂ）（ｃ）に示すように、図３（ｂ）（ｃ）と同様のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、開口があけられた有機絶縁層２１を形成する。さらに、図１３（ｄ）に示すように、例えば、Ｏ2プラズマを用いてアッシングを行い、タングステンからなる第１導電材料層１３ｄの表面におけるパッシベーション層１６が形成されていない部分を、酸化タングステンからなる金属酸化膜１３ｅに変質させる。
２．中間層の材料
実施の形態等では、中間層を酸化タングステンあるいは酸化タングステンとタングステンとで構成されるとして説明した。しかしながら、これに限らず、中間層の材料は酸化物あるいは窒化物を含むものであればよい。ここでいう「酸化物あるいは窒化物」は酸窒化物を含む。以下、具体的に説明する。
実施の形態等では、中間層を酸化タングステンあるいは酸化タングステンとタングステンとで構成されるとして説明した。しかしながら、これに限らず、中間層の材料は酸化物あるいは窒化物を含むものであればよい。ここでいう「酸化物あるいは窒化物」は酸窒化物を含む。以下、具体的に説明する。
２−１．導電性酸化物
中間層をＩＴＯのような導電性酸化物で形成してもよい。中間層３３５を、酸化タングステンよりも導電性の高い導電性酸化物で形成することにより、有機絶縁層２１の開口の底部における中間層３３５と第１導電層１３との間の界面でも電流が流れることとなる。その結果、有機絶縁層２１の開口の底部における第１導電層１３と第２導電層２３とのコンタクト抵抗をさらに抑制できる。以下、導電性酸化物からなる中間層の例として、ＩＴＯで構成される中間層を含む有機ＥＬ素子の製造方法を、図１４に示す。
中間層をＩＴＯのような導電性酸化物で形成してもよい。中間層３３５を、酸化タングステンよりも導電性の高い導電性酸化物で形成することにより、有機絶縁層２１の開口の底部における中間層３３５と第１導電層１３との間の界面でも電流が流れることとなる。その結果、有機絶縁層２１の開口の底部における第１導電層１３と第２導電層２３とのコンタクト抵抗をさらに抑制できる。以下、導電性酸化物からなる中間層の例として、ＩＴＯで構成される中間層を含む有機ＥＬ素子の製造方法を、図１４に示す。
まず、図１４（ａ）に示すように、絶縁層１４を含む基板上に、パッシベーション層１６およびＩＴＯからなる金属酸化膜３１３ｅを形成したタングステンからなる第１導電層１３を準備する。
次に、図１４（ｂ）、（ｃ）に示すように、図３（ｂ）（ｃ）と同様のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、開口があけられた有機絶縁層２１を形成する。
さらに、図１４（ｄ）に示すように、図４（ａ）に示すような、不活性ガスを用いた逆スパッタリング法により、ＩＴＯからなる金属酸化膜３１３ｅの一部を有機絶縁層２１の開口の内周面２１ａに付着する。
図１４（ｄ）の結果、図１４（ｅ）に示すように、有機絶縁層２１の開口の内周面２１ａに、ＩＴＯからなる中間層３３５を形成する。
その後、図１４（ｆ）に示すように、図４（ｃ）と同様に、第２導電層２３を形成し、さらに、有機絶縁層２１の開口に、隔壁４０を形成する。ここで、図１４（ｆ）では、絶縁層２１の開口部分で第１導電層１３が掘り込まれた形状となっているが、これは逆スパッタの結果、第１導電層１３の表面も逆スパッタされた場合の状態を示す一例示である。なお、第１導電層１３の表面は掘り込まれていなくてもよい。
２−２．パッシベーション層と同一材料
中間層を、パッシベーション層を構成する材料で形成してもよい。パッシベーション層と中間層とを同一材料で形成することで、中間層を形成するために新たな材料を用いる必要がなくなる。パッシベーション層と中間層とを同一材料で形成する場合も、中間層の形成工程は、上述したような不活性ガスによる逆スパッタリングにより行うことができる。ここで、パッシベーション層と同一材料からなる中間層の例として、ＳｉＮで構成される中間層を含む有機ＥＬ素子の製造方法を、図１５に示す。
中間層を、パッシベーション層を構成する材料で形成してもよい。パッシベーション層と中間層とを同一材料で形成することで、中間層を形成するために新たな材料を用いる必要がなくなる。パッシベーション層と中間層とを同一材料で形成する場合も、中間層の形成工程は、上述したような不活性ガスによる逆スパッタリングにより行うことができる。ここで、パッシベーション層と同一材料からなる中間層の例として、ＳｉＮで構成される中間層を含む有機ＥＬ素子の製造方法を、図１５に示す。
まず、図１５（ａ）に示すように、絶縁層１４を含む基板上に、第１導電層１３であるタングステンを堆積し、さらにパッシベーション層材料１１３ｄであるＳｉＮを堆積する。
次に、図１５（ｂ）、（ｃ）に示すように、図３（ｂ）（ｃ）と同様のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、パッシベーション層材料１１３ｄ上に、開口があけられた有機絶縁層２１を形成する。
さらに、図１５（ｄ）に示すように、例えばＣＦ4を用いた反応性エッチング法により、パッシベーション層材料１１３ｄの一部であるＳｉＮを、ＣＦ4由来のラジカルガスと反応させ、ガス化して除去する。なお、この反応性エッチングの条件は、平行平板電極のＤＣスパッタ装置を用いて、ＤＣ電力０．２５ｋＷ以上１．０ｋＷ以下、アルゴンガス圧力０．７Ｐａ以上７．０Ｐａ以下、ＣＦ4ガス流量１００ｓｃｃｍ以上２００ｓｃｃｍ以下、およびＯ2ガス流量を０ｓｃｃｍ以上５０ｓｃｃｍ以下とした。ここで、反応性エッチングは、不活性ガスによる逆スパッタリングよりもエッチングレートが高いことが知られている。そのため、ＣＦ4を用いたパッシベーション層材料１１３ｄの反応性エッチングは、Ａｒガスを用いたパッシベーション層材料１１３ｄの逆スパッタリングによるエッチングよりも早く進行する。なお、パッシベーション層材料１１３ｄの除去は、パッシベーション層材料１１３ｄの膜厚が所望の中間層１３５ｂを形成するのに必要な膜厚となるまで行えばよい。
ＣＦ4を用いた反応性エッチング法により、パッシベーション層材料１１３ｄをある程度除去した後、図１６（ａ）に示すように、図４（ａ）と同様に、Ａｒのような不活性ガスを用いた逆スパッタリング法により、ＳｉＮからなるパッシベーション層材料１１３ｄの一部を有機絶縁層２１の開口の内周面に付着する。本変形例では、矢印に示される、例えばＡｒのような不活性ガスイオンをＳｉＮからなるパッシベーション層材料１１３ｄに衝突させ、ＳｉＮをパッシベーション層材料１１３ｄから飛び出させる。飛び出したＳｉＮの多くは、有機絶縁層２１の開口の内周面に付着する。
図１６（ａ）の結果、図１６（ｂ）に示すように、有機絶縁層２１の開口の内周面２１ａに中間層１３５ｂが形成される
さらに、図１６（ｃ）に示すように、図４（ｃ）と同様に、第２導電層２３を形成し、さらに、有機絶縁層２１の開口に、隔壁４０を形成する。
さらに、図１６（ｃ）に示すように、図４（ｃ）と同様に、第２導電層２３を形成し、さらに、有機絶縁層２１の開口に、隔壁４０を形成する。
３．中間層の拡がる範囲
上記実施の形態等では、中間層は、有機絶縁層の開口の内周面の第１導電層側の半分のみに拡がっていた。しかしながら、中間層は、有機絶縁層の開口の内周面の全部に拡がっていてもよい。
上記実施の形態等では、中間層は、有機絶縁層の開口の内周面の第１導電層側の半分のみに拡がっていた。しかしながら、中間層は、有機絶縁層の開口の内周面の全部に拡がっていてもよい。
４．中間層の製造方法
上記実施の形態等では、中間層を逆スパッタリングで形成したが、アルゴンガスを用いたドライエッチングを用いても中間層を形成することができる。
上記実施の形態等では、中間層を逆スパッタリングで形成したが、アルゴンガスを用いたドライエッチングを用いても中間層を形成することができる。
５．その他の構成
上記実施の形態等では、発光層は有機発光材料から構成したが、これに限らず、少なくとも有機ＥＬ層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの各種の機能層を含む材料で構成すればよい。また、第１電極層は、導電性の高い材料で構成すればよく、特に、タングステン、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕのいずれかを含有することが望ましい。第２導電層は、アルミニウムあるいはアルミニウム合金に限らず、例えば、Ａｇ合金のような導電性および光反射性を有する材料から構成すればよい。
上記実施の形態等では、発光層は有機発光材料から構成したが、これに限らず、少なくとも有機ＥＬ層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの各種の機能層を含む材料で構成すればよい。また、第１電極層は、導電性の高い材料で構成すればよく、特に、タングステン、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕのいずれかを含有することが望ましい。第２導電層は、アルミニウムあるいはアルミニウム合金に限らず、例えば、Ａｇ合金のような導電性および光反射性を有する材料から構成すればよい。
６．他の電子装置への本発明の適用
本発明は、上記実施の形態等で示した、ＳＤ電極である第１導電層と陽極である第２導電層との間のコンタクト以外にも、導電層、開口があけられた有機絶縁層、金属膜の積層構造を採り、有機絶縁層の開口において、導電層と金属膜とが接するような構造の電子装置に用いることができる。
本発明は、上記実施の形態等で示した、ＳＤ電極である第１導電層と陽極である第２導電層との間のコンタクト以外にも、導電層、開口があけられた有機絶縁層、金属膜の積層構造を採り、有機絶縁層の開口において、導電層と金属膜とが接するような構造の電子装置に用いることができる。
例えば、図１に示したＴＦＴ基板のゲート電極１２と第１導電層１３とのコンタクトにも用いることができる。なお、液晶の場合でも有機物の絶縁層を介してコンタクトホールが存在している場合に用いることができる。
本発明は、有機ＥＬ素子のような電子装置に広く利用可能であり、特に有機ＥＬ素子を用いた表示パネルに利用可能である。
有機ＥＬ表示パネル １
ガラス基板 １１
第１導電層 １３
有機絶縁層 ２１
有機絶縁層の開口の内周面 ２１ａ
有機絶縁層の開口の底面 ２１ｂ
第２導電層 ２３
中間層 ３５
ガラス基板 １１
第１導電層 １３
有機絶縁層 ２１
有機絶縁層の開口の内周面 ２１ａ
有機絶縁層の開口の底面 ２１ｂ
第２導電層 ２３
中間層 ３５
Claims (14)
- 基板と、
前記基板上に形成された第１導電層と、
前記第１導電層上に形成され、且つ、前記第１導電層の一部を露出する開口があけられた有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上面、前記有機絶縁層の開口を臨む内周面、および前記開口から露出した前記第１導電層を覆うように形成された金属製の第２導電層と、
前記有機絶縁層の前記開口を臨む内周面と前記第２導電層との間における前記第１導電層側の半分のみに形成された酸化物あるいは窒化物を含む中間層と、を備え、
前記中間層が形成された箇所において、前記有機絶縁層の前記開口を臨む内周面と、前記第２導電層が前記中間層を介して接すると共に、
前記有機絶縁層の開口の底面において、前記第１導電層と前記第２導電層とが接触している
電子装置。 - 前記第１導電層は、金属で構成され、
前記中間層は、前記第１導電層を構成する前記金属の酸化物で構成されている、
請求項１に記載の電子装置。 - 前記中間層は、導電性酸化物で構成されている、
請求項１に記載の電子装置。 - 酸化物あるいは窒化物で構成され、前記第１導電層と前記有機絶縁層との間に形成され、且つ、前記有機絶縁層の開口に対応して前記第１導電層の一部を露出する開口があけられた絶縁層をさらに備え、
前記中間層は、前記絶縁層と同じ材料で構成されている、
請求項１に記載の電子装置。 - 前記第１導電層は、金属で構成され、
前記中間層と前記第２導電層との間に、前記第１導電層を構成する前記金属で構成された金属層がさらに形成されている、
請求項１に記載の電子装置。 - 前記第１導電層は、金属で構成され、
前記第１導電層と前記有機絶縁層との間には、前記第１導電層を構成する前記金属の酸化物で構成された金属酸化物層が形成され、
前記有機絶縁層で直接覆われた前記第１導電層の領域の表面の粗さが、
前記有機絶縁層から露出した前記第１導電層の領域の表面の粗さよりも大きい、
請求項１に記載の電子装置。 - 前記第１導電層は、金属で構成され、
前記有機絶縁層で覆われた前記第１導電層の領域では、前記第１導電層と前記有機絶縁層との間に、前記第１導電層を構成する前記金属の酸化物で構成される酸化物層が形成されている、
請求項１に記載の電子装置。 - 前記第１導電層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕの少なくともいずれかを含有する金属で構成されている
請求項１に記載の電子装置。 - 前記第２導電層は、Ａｌ合金あるいはＡｇ合金で構成されている、
請求項１に記載の電子装置。 - 基板を準備する第１工程と、
前記基板上に金属で構成された第１導電層を形成する第２工程と、
前記第１導電層上に、前記第１導電層の一部を露出する開口があけられ、有機材料で構成された有機絶縁層を形成する第３工程と、
少なくとも前記有機絶縁層から露出した前記第１導電層の表面をスパッタリングすることで、前記有機絶縁層の前記開口を臨む内周面における前記第１導電層側の半分のみに酸化物あるいは窒化物を含有する中間層を形成する第４工程と、
前記有機絶縁層の上面、前記有機絶縁層の前記開口の内周面、および前記有機絶縁層から露出した前記第１導電層を覆うように、金属製の第２導電層を形成する第５工程とを含む、
電子装置の製造方法。 - 前記中間層が含有する酸化物あるいは窒化物は、前記第１導電層を構成する前記金属の酸化物あるいは窒化物である、
請求項１０に記載の電子装置の製造方法。 - 前記第２工程から前記第４工程までの間に、
前記第１導電層の少なくとも表面を酸化する工程を有する、
請求項１１に記載の電子装置の製造方法。 - 前記第４工程と前記第５工程との間に、
前記第１導電層の表面をスパッタリングして、前記中間層上に前記第１導電層に含まれる金属からなる金属層を形成する工程を有する、
請求項１１あるいは１２に記載の電子装置の製造方法。 - 基板を準備する第６工程と、
前記基板上に金属で構成された第１導電層を形成する第７工程と、
前記基板および前記第１導電層上に酸化物あるいは窒化物で構成される絶縁層を形成する第８工程と、
前記第１導電層上に、前記第１導電層の一部を露出する開口があけられ、有機材料で構成された有機絶縁層を形成する第９工程と、
前記第１導電層の表面が露出するように前記絶縁層の表面の一部をスパッタリングにより除去することにより、少なくとも前記有機絶縁層から露出した前記絶縁層の表面をスパッタリングすることで、前記有機絶縁層の前記開口を臨む内周面における前記第１導電層側の半分のみに前記絶縁層と同じ材料で構成される中間層を形成する第１０工程と、
前記有機絶縁層の上面、前記有機絶縁層の前記開口の内周面、および前記有機絶縁層から露出した前記第１導電層を覆うように、金属製の第２導電層を形成する第１１工程とを含む
電子装置の製造方法。
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