JP4362696B2 - 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光層で発生した光を第１電極で反射させて第２電極の側から取り出す発光素子およびその製造方法、ならびにこの発光素子を用いた表示装置に関する。

近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機発光素子を用いた有機発光ディスプレイが注目されている。有機発光ディスプレイは、自発光型であるので視野角が広く、消費電力が低いという特性を有し、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けて開発が進められている。

有機発光素子としては、例えば、基板の上に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）および平坦化層などを介して、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極が順に積層されたものが知られている。発光層で発生した光は、基板の側から取り出される場合もあるが、第２電極の側から取り出される場合もある。

光を取り出す側の電極としては、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）などの透過性を有する導電性材料により構成された透明電極が用いられることが多い。透明電極の構成については、従来より種々の提案がなされている。例えば、ＩＴＯの厚膜化によるコスト上昇を回避するため、銀（Ａｇ）などよりなる金属薄膜と酸化亜鉛（ＺｎＯ）などよりなる高屈折率薄膜とを積層するようにした提案がある（例えば、特許文献１参照。）。この透明電極では、高屈折率薄膜の厚みを５ｎｍ〜３５０ｎｍ、金属薄膜の厚みを１ｎｍ〜５０ｎｍと、高屈折率薄膜を金属薄膜に比較して相対的に厚くして透明性を高めると共に、高屈折率薄膜により金属薄膜の表面での反射を低減するようにしている。

光を取り出さない側の電極には種々の金属電極が用いられることが多い。例えば、光を第２電極の側から取り出す場合には、陽極である第１電極は例えばクロム（Ｃｒ）などの金属により構成される。従来では、例えば、第１電極をクロムよりなる金属材料層とクロムの酸化物よりなる緩衝薄膜層との２層構造とし、金属材料層を構成するクロムの表面粗さを緩衝薄膜層により緩和するようにした提案がある（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００２−３３４７９２号公報 特開２００２−２１６９７６号公報

光を第２電極の側から取り出す場合、発光層で発生した光は、第２電極を通って直接取り出されるものもあるが、第１電極で一度反射してから第２電極を通って放出されるものもある。従来は第１電極をクロムなどにより構成していたので、第１電極における光の吸収率が大きく、第１電極で反射されてから取り出される光の損失が大きいという問題があった。第１電極の光吸収率が有機発光素子に与える影響は大きく、発光効率が低いと同一輝度を得るために必要な電流量が増加する。駆動電流量の増加は、有機発光素子の実用化にとって極めて重要な素子寿命に大きな影響を及ぼす。

そのため、例えば、第１電極を、金属のうちで最も反射率の高い銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成することが考えられる。しかしながら、一方で、銀は極めて反応性に富み、加工が難しく、かつ密着性に乏しいという性質を有している。したがって、銀の長所を発揮させ、高反射率で化学的に安定な第１電極を実現するためには、その構成および製造プロセスにおいて更に研究改良の余地がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された反射層を有する第１電極の剥離あるいは変質を防止して高性能を得ると共に、反射層に対するダメージを緩和することができる発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置を提供することにある。

本発明による発光素子は、基板に、下地層を介して、第１電極、発光層を含む層および第２電極が順に積層され、発光層で発生した光を第２電極の側から取り出すものであって、第１電極は、下地層に接して設けられた密着層と、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成され、発光層で発生した光を反射させる反射層と、反射層を保護するバリア層とが基板の側から順に積層された構成を有すると共に所定の形状にパターニングされ、密着層の両端がバリア層および反射層の両端よりも外側に位置しているものである。

本発明による発光素子の製造方法は、基板に、下地層を介して、第１電極、発光層を含む層および第２電極が順に積層された発光素子を製造するものであって、下地層の上に密着層を形成する工程と、密着層の上に、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成され、発光層で発生した光を反射させる反射層を形成する工程と、反射層の上に、反射層を保護するバリア層を形成する工程と、バリア層および反射層をウェットエッチングにより所定の形状にパターニングする工程と、反射層の側壁をフォトレジストにより被覆して密着層をウェットエッチングによりパターニングすることにより、密着層の両端がバリア層および反射層の両端よりも外側に位置する第１電極を形成する工程と、第１電極の上に、発光層を含む層を形成する工程と、発光層を含む層の上に、第２電極を形成する工程とを含むものである。

本発明による表示装置は、基板に、下地層を介して、第１電極、発光層を含む層および第２電極が順に積層され、発光層で発生した光を第２電極の側から取り出す発光素子を有するものであって、第１電極は、下地層に接して設けられた密着層と、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成され、発光層で発生した光を反射させる反射層と、反射層を保護するバリア層とが基板の側から順に積層された構成を有すると共に発光素子の各々に対応してパターニングされ、密着層の両端がバリア層および反射層の両端よりも外側に位置しているものである。

本発明による発光素子および本発明による表示装置では、第１電極を、下地層に接して設けられた密着層と、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成され、発光層で発生した光を反射させる反射層と、この反射層を保護するバリア層とを有するように構成したので、バリア層により反射層の変質が防止されると共に、密着層により、反射層が下地層から剥離することが抑制され、剥離した部分から反射層の変質が生じるおそれがなくなる。また、密着層の両端がバリア層および反射層の両端よりも外側に位置しているので、製造工程において反射層の側壁がウェットエッチングの薬液に触れるおそれがなくなっており、反射層に対するダメージが緩和されている。よって、反射層を銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成する場合に特に好適である。

本発明による発光素子の製造方法では、下地層の上に密着層、反射層およびバリア層が順に形成されたのち、バリア層および反射層がウェットエッチングにより所定の形状にパターニングされる。続いて、反射層の側壁がフォトレジストにより被覆されて密着層がウェットエッチングによりパターニングされることにより、密着層の両端がバリア層および反射層の両端よりも外側に位置する第１電極が形成される。続いて、第１電極の上に、発光層を含む層が形成され、その上に第２電極が形成される。

本発明の発光素子または本発明の表示装置によれば、第１電極を密着層，反射層およびバリア層を積層した構成としたので、反射層の剥離あるいは変質を防止することができ、ひいては反射層の変質に起因する第１電極と第２電極との短絡の発生などを防止することができる。また、密着層の両端がバリア層および反射層の両端よりも外側に位置しているので、製造工程において反射層の側壁がウェットエッチングの薬液に触れるおそれがなくなっており、反射層に対するダメージが緩和されている。よって、反射層を銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成する場合に特に好適であり、表示装置の欠陥を低減し、寿命を長くすることができる。

本発明の発光素子の製造方法によれば、下地層の上に、密着層，反射層およびバリア層をすべて形成したのちに、バリア層および反射層をウェットエッチングにより所定の形状にパターニングし、続いて、反射層の側壁をフォトレジストにより被覆して密着層をウェットエッチングによりパターニングすることにより、密着層の両端がバリア層および反射層の両端よりも外側に位置する第１電極を形成するようにしたので、バリア層により、反射層を構成する材料が空気中の酸素または硫黄成分と反応することを防止することができると共に、反射層を形成した後の製造工程においても反射層に対するダメージを緩和することができる。また、密着層により、反射層が下地層から剥離するのを防止することができ、剥離した部分に侵入した空気あるいは薬液などによる反射層への悪影響を抑制することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル１０と封止パネル２０とが対向配置され、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０により全面が貼り合わせられている。駆動パネル１０は、例えば、ガラスなどの絶縁材料よりなる基板１１の上に、ＴＦＴ１２および平坦化層１３を介して、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に設けられている。

ＴＦＴ１２のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、例えば酸化シリコンあるいはＰＳＧ（Phos-Silicate Glass ）などよりなる層間絶縁膜１２Ａを介して設けられた配線１２Ｂに接続されている。配線１２Ｂは、層間絶縁膜１２Ａに設けられた図示しない接続孔を介してＴＦＴ１２のソースおよびドレインに接続され、信号線として用いられる。配線１２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）―銅（Ｃｕ）合金により構成されている。なお、ＴＦＴ１２の構成は、特に限定されず、例えば、ボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。

平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された基板１１の表面を平坦化し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の膜厚を均一に形成するための下地層である。平坦化層１３には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１４と配線１２Ｂとを接続する接続孔１３Ａが設けられている。平坦化層１３は、微細な接続孔１３Ａが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１３の材料としては、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）などの無機材料を用いることができる。本実施の形態では、平坦化層１３は、例えばポリイミド等の有機材料により構成されている。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、基板１１の側から、下地層である平坦化層１３を介して、陽極としての第１電極１４、絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層されている。第２電極１７の上には、必要に応じて、保護膜１８が形成されている。

第１電極１４は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。本実施の形態では、第１電極１４は、基板１１の側から、密着層１４Ａ、反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃがこの順に積層された構成を有している。密着層１４Ａは、平坦化層１３に接して設けられ、反射層１４Ｂが平坦化層１３から剥離するのを防止するものである。反射層１４Ｂは、発光層で発生した光を反射させるものである。バリア層１４Ｃは、反射層１４Ｂを保護するものである。

密着層１４Ａは、例えば、クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも１種を含む金属、導電性酸化物または金属化合物により構成されていることが好ましい。これらの物質は電気伝導度が高く、配線１２Ｂとの電気的な接合を良好に行うことができるからである。本実施の形態では、密着層１４Ａは、例えばクロムにより構成されている。

密着層１４Ａは、積層方向の膜厚（以下、単に膜厚と言う）が光を透過しない程度であることが好ましい。具体的には、密着層１４Ａをクロムにより構成する場合には、４０ｎｍ以上３００ｎｍであることが好ましく、更に５０ｎｍ以上１５０ｎｍであればより好ましい。

反射層１４Ｂは、例えば、銀または銀を含む合金により構成されていることが好ましい。銀は金属の中で最も反射率が高く、反射層１４Ｂにおける光の吸収損失を小さくすることができるからである。なお、反射層１４Ｂを銀により構成するようにすれば反射率を最も高くすることができるので好ましいが、銀と他の金属との合金により構成するようにすれば、化学的安定性および加工精度を高めることができると共に、密着層１４Ａおよびバリア層１４Ｃとの密着性も向上させることができるので好ましい。銀は非常に反応性が高く、加工精度および密着性も低いなど、極めて取り扱いが難しいからである。

反射層１４Ｂを構成する銀を含む合金としては、ネオジウム（Ｎｄ），サマリウム（Ｓｍ），イットリウム（Ｙ），セリウム（Ｃｅ），ユウロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），エルビウム（Ｅｒ），イッテルビウム（Ｙｂ），スカンジウム（Ｓｃ），ルテニウム（Ｒｕ），銅（Ｃｕ）および金（Ａｕ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素と、銀（Ａｇ）とを含む合金が挙げられる。具体的には、銀（Ａｇ）と、サマリウム（Ｓｍ）と、銅（Ｃｕ）とを含むＡｇＳｍＣｕ合金が挙げられ、特に、銀（Ａｇ）を主成分とし、０．０３質量％以上０．５質量％以下のサマリウム（Ｓｍ）と、０．２質量％以上１．０質量％以下の銅（Ｃｕ）とを含む合金が好ましい。更に、銀（Ａｇ）を主成分とし、０．０５質量％以上０．２質量％以下のサマリウム（Ｓｍ）と、０．２質量％以上１．０質量％以下の銅（Ｃｕ）とを含む合金がより好ましい。

反射層１４Ｂの膜厚は、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚がこの範囲内であれば、密着性が確保され、第１電極１４の剥離を防止することができるからである。更に、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であればより好ましい。反射層１４Ｂを薄くすることにより表面粗さを小さくすることができ、したがってバリア層１４Ｃの膜厚を薄くして光の取り出し効率を上げることができるからである。また、反射層１４Ｂを薄くすることにより、製造途中の熱工程により反射層１４Ｂが結晶化して表面の凹凸が激しくなるのを緩和し、反射層１４Ｂ表面の凹凸によりバリア層１４Ｃの欠陥が増加するのを阻止することができるからである。

バリア層１４Ｃは、反射層１４Ｂを構成する銀あるいは銀を含む合金が空気中の酸素あるいは硫黄成分と反応することを防止すると共に、反射層１４Ｂを形成した後の製造工程においても反射層１４Ｂがダメージを受けることを緩和する保護膜としての機能を有している。なお、ここでいうダメージとは、具体的には、例えば後述する絶縁膜１５の開口部１５Ａを形成する際に用いられる薬液などによるものが考えられる。また、バリア層１４Ｃは、有機層１６への正孔注入効率を高めるという仕事関数調整層としての機能も有しており、反射層１４Ｂよりも仕事関数の高い材料により構成されていることが好ましい。

バリア層１４Ｃは、例えば、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），ガリウム（Ｇａ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも一種を含む金属、酸化物または金属化合物により構成された光透過性膜であることが好ましい。具体的には、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ；Indium Zinc Oxide ），酸化インジウム（Ｉｎ₂ Ｏ₃ ），酸化スズ（ＳｎＯ₂ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ），酸化チタン（ＴｉＯ₂ ），酸化クロム（ＣｒＯ₂ ），窒化ガリウム（ＧａＮ），酸化ガリウム（Ｇａ₂ Ｏ₃ ）および酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されることが好ましい。これらの光透過性無機材料は、バリア層１４Ｃを金属材料により構成する場合に比べて表面粗さが小さくなるように成膜可能であり、銀または銀を含む合金よりなる反射層１４Ｂの表面粗さを緩和し、第１電極１４の表面平坦性を高めることができるからである。また、第１電極１４の上に形成される有機層１６の各層の膜厚が均一になり、有機層１６の膜厚不足による第１電極１４と第２電極１７との短絡の虞がなくなると共に、特に後述の共振器構造を形成する場合には画素内色むらの発生を防いで色再現性を高めることができるので好適であるからである。更に、可視光領域における光吸収性が極めて小さく、光透過性が良好であり、発光層で発生した光がバリア層１４Ｃを通過する際の吸収損失を最小限に抑えることができるからである。

バリア層１４Ｃの膜厚は、上述した保護膜としての機能を確保するためには、例えば、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、更に、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましい。

絶縁膜１５は、第１電極１４と第２電極１７との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものである。絶縁膜１５は、例えば、膜厚が６００ｎｍ程度であり、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）あるいはポリイミドなどの絶縁材料により構成され、発光領域に対応して開口部１５Ａが設けられている。

有機層１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によって構成が異なっている。図２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂにおける有機層１６の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂの有機層１６は、正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃが第１電極１４の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層１６Ａは、発光層１６Ｂへの正孔注入効率を高めるためのものである。本実施の形態では、正孔輸送層１６Ａが正孔注入層を兼ねている。発光層１６Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、絶縁膜１５の開口部１５Ａに対応した領域で発光するようになっている。電子輸送層１６Ｃは、発光層１６Ｂへの電子注入効率を高めるためのものである。

有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａは、例えば、膜厚が４５ｎｍ程度であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂは、例えば、膜厚が５０ｎｍ程度であり、２，５−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）―Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン―１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃ ）により構成されている。

有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１６Ｂは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１６Ｃは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

図３は、有機発光素子１０Ｇにおける有機層１６の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｇの有機層１６は、正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂが第１電極１４の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層１６Ａは、正孔注入層を兼ねており、発光層１６Ｂは、電子輸送層を兼ねている。

有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａは、例えば、膜厚が５０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１６Ｂは、例えば、膜厚が６０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ₃ にクマリン６（Ｃ６；Coumarin６）を１体積％混合したものにより構成されている。

図１，図２および図３に示した第２電極１７は、例えば、膜厚が１０ｎｍ程度であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。本実施の形態では、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀との合金（ＭｇＡｇ合金）により構成されている。

第２電極１７は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのすべてを覆うように形成され、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極となっている。第２電極１７の電圧降下を抑制するため、絶縁膜１５の上には補助電極１７Ａが設けられていることが好ましい。補助電極１７Ａは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの隙間を縫って設けられており、その端部は、基板１１の周辺部に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた領域を取り囲むように形成された図示しない母線となる幹状補助電極に接続されている。補助電極１７Ａおよび図示しない母線となる幹状補助電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）のような低抵抗の導電性材料を単層あるいは積層構造としたものにより構成されている。

第２電極１７は、また、半透過性反射層としての機能を兼ねている。すなわち、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１電極１４の発光層１６Ｂ側の端面を第１端部Ｐ１、第２電極１７の発光層１６Ｂ側の端面を第２端部Ｐ２とし、有機層１６を共振部として、発光層１６Ｂで発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。このように共振器構造を有するようにすれば、発光層１６Ｂで発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができるので好ましい。また、封止パネル２０から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、後述するカラーフィルタ２２（図１参照）との組合せにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける外光の反射率を極めて小さくすることができるので好ましい。

そのためには、共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌは数１を満たすようにし、共振器の共振波長（取り出される光のスペクトルのピーク波長）と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長とを一致させることが好ましい。光学的距離Ｌは、実際には、数１を満たす正の最小値となるように選択することが好ましい。

（数１）
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、Ｌは第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ₁ と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ₂ との和（Φ＝Φ₁ ＋Φ₂ ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬが正となる整数をそれぞれ表す。なお、数１においてＬおよびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）

ここで、本実施の形態のように第１電極１４を、密着層１４Ａ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを積層した構成とした場合には、第１端部Ｐ１の位置は、各層の材料および膜厚により異なりうる。原則として、第１端部Ｐ１の側における発光層１６Ｂで発生した光の反射光ｈは、図２および図３に示したように、密着層１４Ａと反射層１４Ｂとの界面で生じる反射光ｈ１と、反射層１４Ｂとバリア層１４Ｃとの界面で生じる反射光ｈ２と、バリア層１４Ｃと有機層１６との界面で生じる反射光ｈ３との合成波であり、第１端部Ｐ１はこの合成波に対応する仮想界面となる。ただし、本実施の形態では、反射層１４Ｂが銀または銀を含む合金により構成されているので、反射層１４Ｂの膜厚が十分に厚ければ、密着層１４Ａと反射層１４Ｂとの界面で生じる反射光ｈ１はわずかである。また、バリア層１４Ｃが上述した材料により形成されている場合には、バリア層１４Ｃと有機層１６との界面で生じる反射光ｈ３もわずかであり、バリア層１４Ｃは共振部に含まれ、第１端部Ｐ１は反射層１４Ｂとバリア層１４Ｃとの界面と考えることができる。

図１に示した保護膜１８は、例えば、膜厚が５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であり、透明誘電体からなるパッシベーション膜である。保護膜１８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ），窒化シリコン（ＳｉＮ）などにより構成されている。

封止パネル２０は、図１に示したように、駆動パネル１０の第２電極１７の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する封止用基板２１を有している。封止用基板２１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２１には、例えば、カラーフィルタ２２が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

カラーフィルタ２２は、封止用基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、駆動パネル１０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２２が表面に露出せず、接着層３０により保護することができるからである。カラーフィルタ２２は、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。

赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

さらに、カラーフィルタ２２における透過率の高い波長範囲と、共振器構造から取り出す光のスペクトルのピーク波長λとは一致している。これにより、封止パネル２０から入射する外光のうち、取り出す光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタ２２を透過し、その他の波長の外光が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに侵入することが防止される。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。

図４ないし図１３はこの表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図４（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に、ＴＦＴ１２，層間絶縁膜１２Ａおよび配線１２Ｂを形成する。

次に、図４（Ｂ）に示したように、基板１１の全面に、例えばスピンコート法により上述した材料よりなる平坦化層１３を形成し、露光および現像により平坦化層１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成する。そののち、ポリイミドをイミド化させるため、クリーンベーク炉で例えば３２０℃の温度で焼成する。

続いて、図５（Ａ）に示したように、平坦化層１３の上に、例えばスパッタ法により、例えばクロム（Ｃｒ）よりなる密着層１４Ａを例えば８０ｎｍの膜厚で形成する。

そののち、図５（Ｂ）に示したように、密着層１４Ａの上に、例えばスパッタ法により、例えば銀を含む合金よりなる反射層１４Ｂを例えば１５０ｎｍの膜厚で形成する。このように、平坦化層１３の上に、密着層１４Ａを介して反射層１４Ｂを形成することにより、反射層１４Ｂが下地層としての平坦化層１３から剥離するのを防止することができる。更に、剥離した部分からエッチング液あるいは空気などが侵入し、反射層１４Ｂを構成する銀または銀を含む合金がそれらに含まれる酸素や硫黄成分などと反応することを防止することもできる。

次に、図５（Ｃ）に示したように、反射層１４Ｂの上に、例えばスパッタ法により、例えばＩＴＯよりなるバリア層１４Ｃを例えば１５ｎｍの膜厚で形成する。このように、反射層１４Ｂの成膜後、速やかにバリア層１４Ｃを形成することにより、反射層１４Ｂを構成する銀または銀を含む合金が空気中の酸素または硫黄成分と反応することを防止することができると共に、反射層１４Ｂを形成した後の製造工程においても反射層１４Ｂに対するダメージを緩和し、反射層１４Ｂとバリア層１４Ｃとの界面を清浄に保つことができる。

密着層１４Ａ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを形成したのち、図６（Ａ）に示したように、例えばリソグラフィ技術およびウェットエッチングにより、バリア層１４Ｃおよび反射層１４Ｂを選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。

続いて、図６（Ｂ）に示したように、例えばリソグラフィ技術およびウェットエッチングにより、密着層１４Ａをパターニングし、第１電極１４を形成する。このとき、反射層１４Ｂの側壁をフォトレジストにより被覆するようにすることが好ましい。反射層１４Ｂの側壁がウェットエッチングの薬液に触れるおそれがなくなり、反射層１４Ｂに対するダメージを緩和することができるからである。

そののち、図７（Ａ）に示したように、基板１１の全面にわたり、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学的気相成長）法により絶縁膜１５を上述した膜厚で成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて絶縁膜１５のうち発光領域に対応する部分を選択的に除去し開口部１５Ａを形成する。

次に、図７（Ｂ）に示したように、絶縁膜１５の上に、基板１１の全面にわたり補助電極１７Ａを形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。

続いて、図８に示したように、例えば蒸着法により、上述した膜厚および材料よりなる有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａ，有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂおよび有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｒの有機層１６を形成する。その際、形成予定領域に対応して開口４１Ａを有する金属性のマスク４１を用い、発光領域、すなわち絶縁膜１５の開口部１５Ａに対応して成膜するようにすることが好ましい。但し、開口部１５Ａにのみ高精度に蒸着することは難しいので、開口部１５Ａ全体を覆い、絶縁膜１５の縁に少しかかるようにしてもよい。

そののち、マスク４１をずらして、図９に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した膜厚および材料よりなる有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂを順次成膜し、有機発光素子１０Ｇの有機層１６を形成する。続いて、マスク４１を再びずらして、同じく図９に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した膜厚および材料よりなる有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｂの有機層１６を形成する。なお、図９には、マスク４１の開口４１Ａが有機発光素子１０Ｂの有機層１６に対向している状態を表している。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１６を形成したのち、図１０に示したように、基板１１の全面にわたり、例えば蒸着法により、上述した膜厚および材料よりなる第２電極１７を形成する。これにより、第２電極１７は、既に形成されている補助電極１７Ａおよび図示しない母線となる幹状補助電極に電気的に接続される。以上により、図１ないし図３に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

次に、図１１に示したように、第２電極１７の上に、上述した膜厚および材料よりなる保護膜１８を形成する。これにより、図１に示した駆動パネル１０が形成される。

また、図１２（Ａ）に示したように、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２１の上に、赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、図１２（Ｂ）に示したように、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。これにより、封止パネル２０が形成される。

封止パネル２０および駆動パネル１０を形成したのち、図１３に示したように、基板１１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した側に、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０を塗布形成する。塗布は、例えば、スリットノズル型ディスペンサーから樹脂を吐出させて行うようにしてもよく、ロールコートあるいはスクリーン印刷などにより行うようにしてもよい。次いで、図１に示したように、駆動パネル１０と封止パネル２０とを接着層３０を介して貼り合わせる。その際、封止パネル２０のうちカラーフィルタ２２を形成した側の面を、駆動パネル１０と対向させて配置することが好ましい。また、接着層３０に気泡などが混入しないようにすることが好ましい。そののち、封止パネル２０のカラーフィルタ２２と駆動パネル１０の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの相対位置を整合させてから所定温度で所定時間加熱処理を行い、接着層３０の熱硬化性樹脂を硬化させる。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、例えば、第１電極１４と第２電極１７との間に所定の電圧が印加されると、有機層１６の発光層１６Ｂに電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより、主として発光層１６Ｂの正孔輸送層１６Ａ側の界面において発光が起こる。この光は、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間で多重反射し、第２電極１７を透過して取り出される。本実施の形態では、第１電極１４が密着層１４Ａ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを積層した構成とされているので、バリア層１４Ｃにより反射層１４Ｂの変質が防止されると共に、密着層１４Ａにより、反射層１４Ｂが平坦化層１３から剥離することが抑制される。

このように、本実施の形態では、第１電極１４を密着層１４Ａ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを積層した構成としたので、反射層１４Ｂの剥離あるいは変質を防止することができ、ひいては反射層１４Ｂの変質に起因する第１電極１４と第２電極１７との短絡の発生などを防止することができる。よって、反射層１４Ｂを銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成する場合に特に好適であり、表示装置の欠陥を低減し、寿命を長くすることができる。

また、本実施の形態では、下地層としての平坦化層１３の上に、密着層１４Ａ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃをすべて形成したのちに、バリア層１４Ｃ側から順にパターニングすることにより第１電極１４を形成するようにしたので、バリア層１４Ｃにより、反射層１４Ｂを構成する銀または銀を含む合金が空気中の酸素または硫黄成分と反応することを防止することができると共に、反射層１４Ｂを形成した後の製造工程においても反射層１４Ｂに対するダメージを緩和することができる。また、密着層１４Ａにより、反射層１４Ｂが下地層としての平坦化層１３から剥離するのを防止することができ、剥離した部分に侵入した空気あるいは薬液などによる反射層１４Ｂへの悪影響を抑制することができる。

〔第２の実施の形態〕
図１４は本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、第１電極１４の密着層１４Ａの代わりに、発光層１６Ｂで発生し反射層１４Ｂを透過した光を反射させる反射補助膜を兼ねる密着層兼反射補助膜１４Ｄが設けられていることを除いては、第１の実施の形態で説明した表示装置と同一である。したがって、同一の構成要素には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。

密着層兼反射補助膜１４Ｄは、例えば、クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも１種を含む金属、導電性酸化物または金属化合物により構成されていることが好ましい。これらの物質は電気伝導度が高く、配線１２Ｂとの電気的な接合を良好に行うことができるからである。また、反射率の観点からは、可視光領域で吸収が少なく、反射補助膜として高い効果を得ることができるからである。また、密着層兼反射補助膜１４Ｄは、５０％以上の反射率を有することが好ましい。より高い効果が得られるからである。本実施の形態では、密着層兼反射補助膜１４Ｄは、例えばクロム（反射率は４００ｎｍないし５００ｎｍの波長範囲で約７０％前後、それ以上の波長になると緩やかに下がり、６００ｎｍないし８００ｎｍの波長範囲で約６６％前後）により構成されている。

密着層兼反射補助膜１４Ｄの膜厚は、第１の実施の形態の密着層１４Ａと同様に、光を透過しない程度であることが好ましい。具体的には、密着層兼反射補助膜１４Ｄをクロムにより構成する場合には、４０ｎｍ以上３００ｎｍであることが好ましく、更に５０ｎｍ以上１５０ｎｍであればより好ましい。

反射層１４Ｂは、例えば、第１の実施の形態と同様に、銀または銀を含む合金により構成されていることが好ましい。反射層１４Ｂの膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚がこの範囲内であれば、密着層兼反射補助膜１４Ｄとの相乗効果により第１の実施の形態と同等の反射率が得られるからである。更に、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であればより好ましい。反射層１４Ｂをより薄くすることにより表面粗さをより小さくすることができ、したがってバリア層１４Ｃの膜厚をより薄くして光の取り出し効率を更に上げることができるからである。また、反射層１４Ｂをより薄くすることにより、製造途中の熱工程により反射層１４Ｂが結晶化して表面の凹凸が更に激しくなるのを緩和し、反射層１４Ｂ表面の凹凸によりバリア層１４Ｃの欠陥が増加するのをより効果的に阻止することができるからである。

バリア層１４Ｃは、第１の実施の形態と同様に、例えば、透明無機材料により構成されていることが好ましく、具体的には、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ；Indium Zinc Oxide ），酸化スズ（ＳｎＯ₂ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ），酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）および酸化クロム（ＣｒＯ₂ ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されることが好ましい。

バリア層１４Ｃの膜厚は、例えば、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、更に、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であればより好ましい。本実施の形態では上述したように反射層１４Ｂを薄くすることができるので、バリア層１４Ｃの膜厚を上記範囲内まで薄くしても保護膜としての機能は確保されるからである。また、バリア層１４Ｃを薄くすることにより光の吸収損失を抑え、光の取り出し効率をより高めることができるからである。

本実施の形態のように第１電極１４を、密着層兼反射補助膜１４Ｄ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを積層した構成とした場合には、上述したように反射層１４Ｂの膜厚が第１の実施の形態よりも薄くすることができる。その場合、反射層１４Ｂとバリア層１４Ｃとの界面で生じる反射光ｈ２は第１の実施の形態よりも小さくなり、密着層兼反射補助膜１４Ｄと反射層１４Ｂとの界面で生じる反射光ｈ１は第１の実施の形態よりも大きくなる。よって、図１５および図１６に示したように、第１端部Ｐ１は、反射層１４Ｂとバリア層１４Ｃとの界面および密着層兼反射補助膜１４Ｄと反射層１４Ｂとの界面の両方と考えることができる。なお、バリア層１４Ｃと有機層１６との界面で生じる反射光ｈ３は、第１の実施の形態と同様にわずかであり、バリア層１４Ｃは共振部に含まれる。

この表示装置は、第１の実施の形態と同様に製造することができる。

この表示装置では、例えば、第１電極１４と第２電極１７との間に所定の電圧が印加されると、有機層１６の発光層１６Ｂに電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより、主として発光層１６Ｂの正孔輸送層１６Ａ側の界面において発光が起こる。この光は、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間で多重反射し、第２電極１７を透過して取り出される。本実施の形態では、第１電極１４が密着層兼反射補助膜１４Ｄ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを積層した構成とされているので、発光層１６Ｂで発生しバリア層１４Ｃおよび反射層１４Ｂを透過した光は、密着層兼反射補助膜１４Ｄで反射される。よって、反射層１４Ｂの膜厚が薄くても高い反射率が維持される。

このように、本実施の形態では、第１電極１４を密着層兼反射補助膜１４Ｄ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを積層した構成としたので、反射層１４Ｂの膜厚を薄くしても密着層兼反射補助膜１４Ｄにより反射層１４Ｂの反射率の低下を補い、高反射率を得ることができる。更に、反射層１４Ｂの膜厚を薄くすることによりバリア層１４Ｃの膜厚も薄くすることができ、光の取り出し効率を高めることができる。

更に、本発明の具体的な実施例について説明する。

（実施例１）
第２の実施の形態と同様にして、有機発光素子を作製した。その際、第１電極１４を、膜厚４０ｎｍのクロムよりなる密着層兼反射補助膜１４Ｄと、膜厚３６ｎｍの銀を含む合金よりなる反射層１４Ｂと、膜厚７．５ｎｍのＩＴＯよりなるバリア層１４Ｃとを積層した構成とした。また、上述した共振器の共振波長（第２電極１７側から取り出される光のスペクトルのピーク波長）は、４００ｎｍおよび８００ｎｍとした。得られた有機発光素子について、第１電極１４の反射率をそれぞれ調べた。得られた結果を図１７に示す。

本実施例に対する参照例１〜５として、図１８に示したように、反射層１１４Ｂとバリア層１１４Ｃのみからなり、密着層兼反射補助膜を省いたことを除き、本実施例と同様にして第１電極１１４を作製した。その際、反射層１１４Ｂの膜厚は、参照例１では３６ｎｍ、参照例２では７０ｎｍ、参照例３では９０ｎｍ、参照例４では１１０ｎｍ、参照例５では１５０ｎｍとした。この参照例１〜５についても、第１電極１１４の反射率を調べた。得られた結果を図１９に示すと共に、参照例１，５については図１７にも合わせて示す。

図１９から分かるように、密着層兼反射補助膜を設けない参照例１〜５では、反射層１１４Ｂの膜厚が薄くなるに伴って、共振波長８００ｎｍおよび４００ｎｍのいずれの場合も反射率は低下した。中でも、反射層１１４Ｂの膜厚を１００ｎｍ以下とした参照例１〜３では、特に４００ｎｍの場合の反射率の低下が著しかった。これに対して、図１７から分かるように、密着層兼反射補助膜１４Ｄを設けた本実施例では、同じ膜厚の反射層１１４Ｂを有する参照例１に比べて、共振波長８００ｎｍおよび４００ｎｍのいずれの場合にも反射率が向上した。特に４００ｎｍの場合については、反射層１１４Ｂの膜厚を１５０ｎｍと厚くした参照例５とほぼ同等の反射率を得ることができた。すなわち、第１電極１４が密着層兼反射補助膜１４Ｄを有するようにすれば、反射層１４Ｂを薄くすることによる反射率の低下を補うことができ、特性を改善できることが分かった。

（実施例２）
密着層１４Ａの膜厚を１５０ｎｍとしたことを除き、他は実施例１と同様にして第１電極１４を作製し、反射率を調べたところ、実施例１と同様の結果が得られた。得られた結果を図１７に合わせて示す。

以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および膜厚、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および膜厚としてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、密着層１４Ａまたは密着層兼反射補助膜１４Ｄは、スパッタ法のほか、蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属気相成長）法、レーザーアブレーション法、あるいはメッキ法などを用いることが可能である。反射層１４Ｂについても、同様に、スパッタ法のほか、蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、レーザーアブレーション法、あるいはメッキ法などを用いることが可能である。

また、例えば、上記実施の形態および実施例においては、密着層１４Ａまたは密着層兼反射補助膜１４Ｄ、反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃをウェットエッチングによりパターニングするようにした場合について説明したが、ドライエッチングによりパターニングしてもよい。

更に、例えば、上記実施の形態および実施例においては、バリア層１４Ｃと反射層１４Ｂとをパターニングしたのち、密着層１４Ａまたは密着層兼反射補助膜１４Ｄをパターニングするようにした場合について説明したが、まず図２０（Ａ）に示したように、バリア層１４Ｃのみをパターニングし、そののち図２０（Ｂ）に示したように、反射層１４Ｂと密着層１４Ａまたは密着層兼反射補助膜１４Ｄとをパターニングするようにしてもよい。また、バリア層１４Ｃ、反射層１４Ｂおよび密着層１４Ａまたは密着層兼反射補助膜１４Ｄをバリア層１４Ｃ側から一層ずつパターニングするようにしてもよい。

加えて、例えば、上記第２の実施の形態においては、密着層と反射補助膜とを兼ねる密着層兼反射補助膜１４Ｄを備えた場合について説明したが、下地層としての平坦化層１３側から反射補助膜と密着層とをこの順に積層した積層構造としてもよい。

更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、絶縁膜１５，補助電極１７Ａあるいは保護膜１８などの全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。なお、第２電極１７Ａを半透過性電極でなく透明電極とし、共振器構造を備えない場合についても本発明を適用することができるが、本発明は、第１電極１４での反射率を高めるものであるので、第１電極１４の発光層１６Ｂ側の界面を第１端部Ｐ１、第２電極１７の発光層１６Ｂ側の界面を第２端部Ｐ２とし、有機層１６を共振部として共振器構造を構成する場合の方が、より高い効果を得ることができる。

加えてまた、上記実施の形態では、本発明を有機発光素子あるいは有機発光素子を備えた表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は、例えば液晶表示パネルなどの他の表示装置にも適用可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。 図１に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 図７に続く工程を表す断面図である。 図８に続く工程を表す断面図である。 図９に続く工程を表す断面図である。 図１０に続く工程を表す断面図である。 図１１に続く工程を表す断面図である。 図１２に続く工程を表す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１４に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。 図１４に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。 本発明の実施例に係る有機発光素子の第１電極の反射率を表す図である。 本発明の参照例に係る有機発光素子の第１電極の構成を表す断面図である。 図１８に示した参照例に係る第１電極の反射率を表す図である。 図６に示した工程の変形例を工程順に表す断面図である。

符号の説明

１０…駆動パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…ＴＦＴ、１２Ａ…層間絶縁膜、１２Ｂ…配線、１３…平坦化層、１３Ａ…接続孔、１４…第１電極（陽極）、１４Ａ…密着層、１４Ｂ…反射層、１４Ｃ…バリア層、１４Ｄ…密着層兼反射補助膜、１５…絶縁膜、１５Ａ…開口部、１６…有機層、１６Ａ…正孔輸送層、１６Ｂ…発光層、１６Ｃ…電子輸送層、１７…第２電極（陰極）、１７Ａ…補助電極、２０…封止パネル、２１…封止用基板、２２…カラーフィルタ、２２Ｒ…赤色フィルタ、２２Ｇ…緑色フィルタ、２２Ｂ…青色フィルタ、３０…接着層、４１…マスク、４１Ａ…開口

Claims (25)

1. 基板に、下地層を介して、第１電極、発光層を含む層および第２電極が順に積層され、前記発光層で発生した光を前記第２電極の側から取り出す発光素子であって、
   前記第１電極は、前記下地層に接して設けられた密着層と、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成され、前記発光層で発生した光を反射させる反射層と、前記反射層を保護するバリア層とが前記基板の側から順に積層された構成を有すると共に所定の形状にパターニングされ、前記密着層の両端が前記バリア層および前記反射層の両端よりも外側に位置している
   発光素子。
2. 前記密着層は、クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも１種を含む金属、導電性酸化物または金属化合物により構成されている
   請求項１記載の発光素子。
3. 前記反射層は、ネオジウム（Ｎｄ），サマリウム（Ｓｍ），イットリウム（Ｙ），セリウム（Ｃｅ），ユウロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），エルビウム（Ｅｒ），イッテルビウム（Ｙｂ），スカンジウム（Ｓｃ），ルテニウム（Ｒｕ），銅（Ｃｕ）および金（Ａｕ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素と、銀（Ａｇ）とを含む合金により構成された
   請求項１記載の発光素子。
4. 前記反射層は、銀（Ａｇ）と、サマリウム（Ｓｍ）と、銅（Ｃｕ）とを含む合金により構成された
   請求項１記載の発光素子。
5. 前記反射層は、銀（Ａｇ）を主成分とし、０．０３質量％以上０．５質量％以下のサマリウム（Ｓｍ）と、０．２質量％以上１．０質量％以下の銅（Ｃｕ）とを含む合金により構成された
   請求項１記載の発光素子。
6. 前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），ガリウム（Ｇａ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも一種を含む金属、酸化物または金属化合物により構成された光透過性膜である
   請求項１記載の発光素子。
7. 前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ），酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ），酸化チタン（ＴｉＯ２ ），酸化クロム（ＣｒＯ２ ），窒化ガリウム（ＧａＮ），酸化ガリウム（Ｇａ２ Ｏ３ ）および酸化アルミニウム（Ａｌ２ Ｏ３ ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されている
   請求項１記載の発光素子。
8. 前記バリア層の膜厚が、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である
   請求項１記載の発光素子。
9. 前記下地層は、平坦化層である
   請求項１記載の発光素子。
10. 前記発光層を含む層は、有機層である
    請求項１記載の発光素子。
11. 前記密着層は、前記発光層で発生し前記反射層を透過した光を反射させる反射補助膜を兼ねる
    請求項１記載の発光素子。
12. 前記反射補助膜は、クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも１種を含む金属、導電性酸化物または金属化合物により構成されている
    請求項１１記載の発光素子。
13. 前記反射補助膜は、５０％以上の反射率を有する
    請求項１１記載の発光素子。
14. 基板に、下地層を介して、第１電極、発光層を含む層および第２電極が順に積層された発光素子の製造方法であって、
    前記下地層の上に密着層を形成する工程と、
    前記密着層の上に、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成され、前記発光層で発生した光を反射させる反射層を形成する工程と、
    前記反射層の上に、前記反射層を保護するバリア層を形成する工程と、
    前記バリア層および前記反射層をウェットエッチングにより所定の形状にパターニングする工程と、
    前記反射層の側壁をフォトレジストにより被覆して前記密着層をウェットエッチングによりパターニングすることにより、前記密着層の両端が前記バリア層および前記反射層の両端よりも外側に位置する前記第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極の上に、発光層を含む層を形成する工程と、
    前記発光層を含む層の上に、第２電極を形成する工程と
    を含む発光素子の製造方法。
15. 前記第１電極を形成する工程において、前記バリア層、前記反射層および前記密着層を、前記バリア層側から順に一層ずつパターニングする
    請求項１４記載の発光素子の製造方法。
16. 前記密着層を、クロム（Ｃｒ），インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも１種を含む金属、導電性酸化物または金属化合物により構成する
    請求項１４記載の発光素子の製造方法。
17. 前記反射層を、ネオジウム（Ｎｄ），サマリウム（Ｓｍ），イットリウム（Ｙ），セリウム（Ｃｅ），ユウロピウム（Ｅｕ），ガドリニウム（Ｇｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），エルビウム（Ｅｒ），イッテルビウム（Ｙｂ），スカンジウム（Ｓｃ），ルテニウム（Ｒｕ），銅（Ｃｕ）および金（Ａｕ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素と、銀（Ａｇ）とを含む合金により構成する
    請求項１４記載の発光素子の製造方法。
18. 前記反射層を、銀（Ａｇ）と、サマリウム（Ｓｍ）と、銅（Ｃｕ）とを含む合金により構成する
    請求項１４記載の発光素子の製造方法。
19. 前記反射層を、銀（Ａｇ）を主成分とし、０．０３質量％以上０．５質量％以下のサマリウム（Ｓｍ）と、０．２質量％以上１．０質量％以下の銅（Ｃｕ）とを含む合金により構成する
    請求項１４記載の発光素子の製造方法。
20. 前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），ガリウム（Ｇａ）およびアルミニウム（Ａｌ）からなる金属元素の群のうちの少なくとも一種を含む金属、酸化物または金属化合物により構成された光透過性膜である
    請求項１４記載の発光素子の製造方法。
21. 前記バリア層を、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ），酸化インジウム（Ｉｎ２ Ｏ３ ），酸化スズ（ＳｎＯ２ ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ），酸化チタン（ＴｉＯ２ ），酸化クロム（ＣｒＯ２ ），窒化ガリウム（ＧａＮ），酸化ガリウム（Ｇａ２ Ｏ３ ）および酸化アルミニウム（Ａｌ２ Ｏ３ ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成する
    請求項１４記載の発光素子の製造方法。
22. 前記バリア層の膜厚を、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする
    請求項１４記載の発光素子の製造方法。
23. 前記発光層を含む層として、有機層を形成する
    請求項１４記載の発光素子の製造方法。
24. 基板に、下地層を介して、第１電極、発光層を含む層および第２電極が順に積層され、前記発光層で発生した光を前記第２電極の側から取り出す発光素子を有する表示装置であって、
    前記第１電極は、前記下地層に接して設けられた密着層と、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成され、前記発光層で発生した光を反射させる反射層と、前記反射層を保護するバリア層とが前記基板の側から順に積層された構成を有すると共に前記発光素子の各々に対応してパターニングされ、前記密着層の両端が前記バリア層および前記反射層の両端よりも外側に位置している
    表示装置。
25. 前記発光層を含む層は、有機層である
    請求項２４記載の表示装置。

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