KR20110005514A

KR20110005514A - 전사기판

Info

Publication number: KR20110005514A
Application number: KR1020090063115A
Authority: KR
Inventors: 정성구; 박홍기; 김우찬
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2009-07-10
Filing date: 2009-07-10
Publication date: 2011-01-18

Abstract

본 발명은, 투명한 지지기판과; 상기 지지기판 상의 전면에 제 1 물질로 형성된 흡수 향상층과; 상기 흡수 향상층 위로 일정한 두께를 가지며 일정간격 이격하며 제 2 물질로 형성된 다수의 광열변환패턴과; 상기 다수의 광열변환패턴 위로 상기 지지기판 전면에 제 3 물질로 형성된 반사층과; 상기 반사층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층을 포함하며, 상기 흡수 향상층은 제 1 두께를 가지며 상기 다수의 광열변환패턴이 형성된 부분과 그 이외의 영역에 대응하여 조사되는 레이저 빔의 반사율 차이를 증대시키는 시키는 역할을 하는 것이 특징인 전사기판을 제공한다.

유기전계발광소자, 전사기판, 유기발광층, 대면적화, 흡수향상층, 반사율

Description

전사기판{Pattern laminating substrate}

본 발명은 대면적의 유기전계 발광소자의 제조에 이용되는 전사 선택성이 향상된 전사기판 및 이를 이용한 전사방법에 관한 것이다.

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하고, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구 되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다.

그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소영역(pixel)을 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 각 화소영역(pixel)별로 위치하고, 이러한 스위칭 박막트랜지스터의 일전극과 연결되며 구동 박막트랜지스터가 형성되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 연결되어 있는 애노드 전극은 각 화소영역 단위로 온(on)/오프(off)되고, 이러한 애노드 전극과 대향하여 캐소드 전극이 기판 전면에 형성되고 있다.

그리고, 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 각 화소영역에 인가된 전압이 스토리지 캐패시터(storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면을 계속해서 구동한다. 따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 간략한 회로도이다.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 하나의 화소영역은 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)로 이루어진다.

즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 일전극과 전기적으로 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다.

또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배 선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.

도 2는 종래의 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도이다.

도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(10, 30)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 30)의 가장자리는 씰패턴(40)에 의해 봉지되어 있다. 제 1 기판(10)의 상부에는 각 화소영역에 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. 또한, 상기 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되어 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 상기 제 1 전극(12) 상부에는 적(14a), 녹(14b), 청(14c)색을 발광하는 유기 발광층(14)이 격벽(15)에 의해 분리되며 형성되어 있으며, 유기 발광층(14) 상부에는 전면에 제 2 전극(16)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 전극(12, 16)은 상기 유기 발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 하고 있으며, 상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 각각 애노드 전극과 캐소드 전극을 이룰 수도 있고, 또는 그 반대로 캐소드 전극과 애노드 전극을 이룰 수도 있다.

한편, 전술한 씰패턴(40)에 의해서 상기 제 1 기판(10) 상의 전면에 형성된 상기 제 2 전극(16)과 상기 제 2 기판(30)은 일정간격 이격되며 위치하고 있다. 이 때 상기 제 1 기판(10)과 제 2 기판(30)의 이격영역에는 불활성 기체 또는 진공의 분위기를 이루는 것이 특징이다. 또한, 산소 또는 습기에 매우 취약한 상기 유기 발광층(14)의 열화 방지를 위해 상기 씰패턴(40)의 내측으로 외부로의 수분을 차단하는 흡습제(미도시)가 더욱 구비되고 있다.

한편, 전술한 구조를 갖는 유기전계 발광소자를 제조하는데 있어 유기 발광층은 주로 쉐도우 마스크를 통한 열증착을 통해 형성하고 있다.

하지만, 최근 표시장치는 대면적화가 추세이며, 이러한 대면적을 갖는 표시장치를 제조하기 위해서는 장비의 대형화가 필수가 되고 있다. 이 경우, 상기 유기 발광층을 형성하는데 사용되며 상기 기판의 면적에 비례하여 상기 기판보다 큰 면적을 갖는 상기 쉐도우 마스크는 400Kg 이상의 무게를 갖게 됨으로써 이를 장착하거나, 세정 등을 진행하기 위해 다른 쉐도우 마스크로 교체 시 너무 많은 시간이 걸리고 있으며, 이를 이용한 증착 공정 진행에 있어서도 쳐짐 등이 발생하여 패터닝 오차가 심하게 발생하고 있는 실정이다.

따라서 최근에는 쉐도우 마스크 없이 전사필름을 이용하여 유기 발광층을 형성하는 LITI(Laser Induced Thermal Imaging) 기술이 제안되고 있다. 이 기술은 전면에 유기 발광층이 형성된 전사기판을 이용하여 상기 유기 발광층을 전사할 기판에 대응하여 밀착시킨 후 레이저 빔을 조사함으로써 상기 전사기판에 형성된 상기 유기 발광층을 유기 발광층이 형성되어야 할 유기전계 발광소자용 기판 상에 전사시키는 방법이다.

도 3은 종래의 LITI기술을 이용한 유기 발광층 형성을 위한 전사기판 일부에 대한 단면도이다.

도시한 바와 같이, 종래의 전사기판(50)은 베이스를 이루는 지지기판(55) 상에 반사방지패턴(60)이 형성되어 있으며, 상기 반사방지패턴(60) 위로 상기 반사방지패턴(60)과 동일한 형태로 동일한 면적으로 가지며 완전 중첩하는 형태로 광열변환패턴(65)이 형성되고 있다.

또한, 상기 광열변환패턴(65) 위로 상기 지지기판(55) 전면에 고반사 효율을 갖는 물질로서 반사층(70)이 형성되어 있으며, 상기 반사층(70) 위로 상기 지지기판(55) 전면에 전사시킬 물질 예를들면 유기 발광 물질로 이루어진 전사재료층(75)이 형성되어 있다. 이때 상기 반사층(70)을 전면에 형성하는 이유는 전사공정 진행시 레이저 빔을 스캔타입 또는 일괄타입으로 상기 전사기판(50) 전면에 조사하여 전사공정 시간을 단축시키기 위함이다. 상기 반사층(70)을 상기 지지기판(55) 전면에 형성하지 않는 경우, 상기 광열변환패턴(65)이 형성된 부분에 대해서만 선택적으로 레이저 빔을 조사해야 하며, 이 경우 레이저 빔 조사 시간이 길어지게 되어 전사공정 시간이 길어지게 된다.

또한, 상기 반사층(70)이 형성되지 않는 상태에서 레이저 빔을 스캔형태로 조사하는 경우는 상기 레이저 빔이 반사방지패턴(60)간 이격영역으로 통과하여 피전사기판(미도시)에 구성된 구성요소(일례로 스위칭 또는 구동 박막트랜지스터 등)(미도시)에 조사됨으로써 상기 구성요소(미도시)가 파괴되는 현상이 발생한다. 따라서 이를 방지하기 위해서 상기 반사층(70)을 상기 전사기판의 전면에 형성하는 것이다.

하지만, 전술한 구성을 갖는 전사기판(50)은 반사방지패턴(60) 및 광열변환패턴(65) 형성을 위해 2회의 마스크 공정을 필요로 하고 있으며, 상기 반사방지패턴(60)과 광열변환패턴(65)의 패턴 크기나 패턴 형성 위치 오차 발생 시 레이저 빔을 조사하여 전사재료층(75)을 피전사기판(미도시)에 전사하는 경우 전사되는 전사재료층 패턴이 원하는 위치에 형성되지 않아 전사 불량을 유발시키는 문제가 발생하고 있다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 마스크 공정 수를 최소로 하여 제작할 수 있는 전사기판을 제공함으로써 공정 단순화와 그 제조 비용을 저감시키는 것을 그 목적으로 한다.

또한, 광열변환층과 반사층의 패턴 형성 오차가 발생하지 않는 구조를 제안함으로써 전사기판 제조시의 불량 발생을 최소화 하는 것을 또 다른 목적으로 하며, 나아가 조사되는 레이저 빔의 빛에너지의 이용을 극대화할 수 있는 전사기판을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전사기판은, 투명한 지지기판과; 상기 지지기판 상의 전면에 제 1 물질로 형성된 흡수 향상층과; 상기 흡수 향상층 위로 일정한 두께를 가지며 일정간격 이격하며 제 2 물질로 형성된 다수의 광열변환패턴과; 상기 다수의 광열변환패턴 위로 상기 지지기판 전면에 제 3 물질로 형성된 반사층과; 상기 반사층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층을 포함하며, 상기 흡수 향상층은 제 1 두께를 가지며 상기 다수의 광열변환패턴이 형성된 부분과 그 이외의 영역에 대응하여 조사되는 레이저 빔의 반사율 차이를 증대시키는 시키는 역할을 하는 것이 특징이다.

상기 지지기판과 상기 흡수 향상층 사이에 상기 다수의 각 광열변환패턴에 대응하여 제 4 물질로 이루어지며 제 2 두께를 갖는 다수의 흡수 향상패턴을 포함한다. 이때, 상기 제 1 물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 질화실리콘(SiNx), 산화티타늄(TiO₂) 중 어느 하나이며, 상기 제 2 물질은 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)이며, 상기 제 3 물질은 은(Ag) 또는 구리(Cu)이며, 상기 제 4 물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 질화실리콘(SiNx), 산화티타늄(TiO₂) 중 어느 하나이며, 상기 흡수 향상층과 상기 다수의 흡수 향상패턴은 서로 다른 물질로 이루어지는 것이 특징이다. 또한, 상기 제 1 물질은 질화실리콘(SiNx), 상기 제 2 물질은 몰리브덴(Mo), 상기 제 3 물질은 구리(Cu), 상기 제 4 물질은 산화티타늄(TiO₂)이며, 상기 제 1 두께가 177nm 이며, 상기 반사율의 차이가 50% 이상이 되도록 하는 상기 제 2 두께는 50nm 내지 140nm 인 것이 특징이다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전사기판은, 투명한 지지기판과; 상기 지지기판 상에 일정한 두께를 가지며 일정간격 이격하며 제 3 물질로 이루어진 다수 의 반사패턴과; 상기 다수의 반사패턴 위로 상기 지지기판 전면에 제 1 물질로 형성된 흡수 향상층과; 상기 흡수 향상층 위로 상기 지지기판 전면에 제 2 물질로 형성된 광열변환층과; 상기 광열변환층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층을 포함하며, 상기 흡수 향상층은 제 1 두께를 가지며 상기 반사패턴이 형성된 부분과 그 이외의 영역에 대응하여 조사되는 레이저 빔의 반사율 차이를 증대시키는 역할을 하는 것이 특징이다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전사기판은, 투명한 지지기판과; 상기 지지기판 상에 일정한 두께를 가지며 일정간격 이격하며 제 3 물질로 이루어진 다수의 반사패턴과; 상기 다수의 반사패턴 위로 상기 지지기판 전면에 제 1 물질로 형성된 흡수 향상층과; 상기 흡수 향상층 위로 일정한 두께를 가지며 일정간격 이격하며 상기 다수의 반사패턴간의 이격영역에 상기 다수의 반사패턴과 교대하며 그 양끝단이 상기 반사패턴과 중첩하며 제 2 물질로 형성된 다수의 광열변환패턴과; 상기 다수의 광열변환패턴 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층을 포함하며, 상기 흡수 향상층은 제 1 두께를 가지며 상기 다수의 반사패턴이 형성된 부분과 상기 다수의 광열변환패턴이 형성된 영역에 대응하여 조사되는 레이저 빔의 반사율 차이를 증대시키는 역할을 하는 것이 특징이다.

이때, 상기 제 1 물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 질화실리콘(SiNx), 산화티타늄(TiO₂) 중 어느 하나이며, 상기 제 2 물질은 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)이며, 상기 제 3 물질은 은(Ag) 또는 구리(Cu) 인 것이 특징이다.

또한, 상기 제 1 물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 상기 제 2 물질은 몰리브덴(Mo), 상기 제 3 물질은 구리(Cu)이며, 상기 반사율의 차이가 50% 이상이 되도록 하는 상기 제 1 두께는 38nm 내지 133nm 인 것이 특징이다.

또한, 상기 지지기판은 유리기판인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 전사기판은 별도의 패턴된 형태의 반사방지패턴을 형성할 필요가 없으므로 반사방지패턴과 광열변환패턴의 패터닝 오차에 의한 피전사기판에로의 전사불량을 억제하는 효과가 있다.

광열변환패턴이 패턴된 형태를 가지므로 종래의 전사기판 대비 1회의 마스크 공정을 줄임으로서 공정 단순화와 제조 비용을 저감시키는 효과가 있다.

조사되는 레이저 빔의 빛 흡수율을 향상시킬 수 있는 흡수 향상층이 구비됨으로써 레이저 빔의 빛 에너지의 이용을 극대화함으로써 레이저 장치의 파워를 낮춤으로써 단위 공정 진행을 위한 유지비용을 저감시키며, 전사재료층이 전사가 되어야 하는 부분과 전사가 되지말아야 할 부분에서의 레이저 빔에 대한 반사율이 크므로 안정적인 전사공정이 진행되도록 하는 효과가 있다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 레이저 빔 조사에 의한 전사재료층의 선택적 전사가 가능한 전사기판의 단면도이다.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판(100)은 베이스를 이루는 지지기판(105) 상의 전면에 본 발명에 있어 가장 특징적인 구성으로서 광열변환패턴(115)과 반사층(120) 사이의 반사율 차이를 극대화시키며 상기 광열변환패턴(115)의 빛 흡수를 향상시키는 역할을 하는 흡수 향상층(110)이 형성되어 있다. 또한, 상기 흡수 향상층(110) 위로 상기 광열변환패턴(115)이 형성되고 있으며, 상기 광열변환패턴(115) 위로 상기 지지기판(105) 전면에 상기 반사층(120)이 형성되어 있다. 또한 상기 반사층(120) 위로는 전면에 전사재료층(125)이 형성되어 있다.

이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판(100)을 이루는 각 구성요소의 특성에 대해 설명한다.

우선, 베이스를 이루는 지지기판(105)은 투명한 성질을 갖는다. 즉, 광학 상수 중 허수부인 소멸계수가 0에 가까워서 빛을 거의 흡수하지 않는 것이 특징이다. 또한, 상기 지지기판(105)은 레이저 빔 조사 시 상기 레이저 빔의 파장에 대하여 투과율이 90% 이상이며 흡수가 거의 발생하지 않는 것이 특징이다. 전술한 특성을 갖는 대표적인 물질로서 유리를 들 수 있다.

또한, 상기 지지기판(105) 상에 형성되는 상기 흡수 향상층(110)은 그 굴절율이 상기 지지기판(105)을 이루는 물질 일례로 유리보다 크며, 소멸계수가 0에 가까워 흡수 향상층(110) 자체가 빛을 거의 흡수하지 않는 것이 특징이다. 이러한 특징을 갖는 흡수 향상층(110)을 이루는 물질은 투명한 특성을 갖는 인듐-틴-옥사이 드(ITO), 질화실리콘(SiNx), 산화티타늄(TiO₂) 등을 들 수 있다.

한편, 상기 광열변환패턴(115)은 상기 지지기판(105)의 배면으로 조사되는 레이저 빔의 빛 에너지를 흡수하여 이를 열에너지로 변환하는 특성을 가지며, 특정 파장을 갖는 레이저 빔에 대한 반사율이 낮고 흡수율이 높은 금속물질로 이루어진다. 이러한 금속물질로써는 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)이 되고 있다.

또한, 상기 반사층(120)의 경우, 상기 지지기판(105)의 배면에서 조사되는 특정 파장대의 레이저 빔을 반사시키는 능력인 반사효율이 우수하고, 빛 에너지의 열에너지로의 변환이 거의 발생하지 않는 금속물질 일례로 은(Ag), 구리(Cu)로 구성되고 있다.

또한, 상기 전사재료층(125)은 열전사가 가능한 유기 발광 물질로 이루어지고 있다.

한편, 전술한 물질로 전술한 단면 구성을 가지며 형성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판(100)은 상기 광열변환패턴(115)만이 패턴된 형태를 가지며 상기 흡수 향상층(110)과 반사층(120)과 전사재료층(125)은 모두 상기 지지기판(105) 전면에 형성된 형태를 가지므로 총 1회의 마스크 공정을 통해 제조할 수 있다. 따라서 종래의 반사방지패턴과 광열변환패턴을 구비한 전사기판(도 3의 50) 대비 1회의 마스크 공정을 단축할 수 있는 것이 특징이다. 이때, 금속물질로 이루어진 상기 반사층(120)은 스퍼터(sputter) 장비를 이용한 스퍼터링(sputtering)을 진행함으로써 상기 지지기판(105) 전면에 형성할 수 있으며, 상기 흡수 향상 층(110)은 금속물질(인듐-틴-옥사이드(ITO), 산화티타늄(TiO₂)) 또는 무기물질(질화실리콘(SiNx))로 이루어지므로 금속물질인 경우 스퍼터링(sputtering)을 통해 무기물질인 경우 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)을 통해 상기 지지기판(105) 전면에 형성할 수 있다. 또한 상기 전사재료층(125)은 유기물질 특성상 잉크젯팅, 코팅 또는 열증착에 의해 형성할 수 있다.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판을 이용하여 전사재료층을 선택적으로 피전사기판에 전사하는 것을 간략히 도시한 공정 단면도이다. 편의를 위해 상기 피전사기판(150)은 간략화하여 이의 상부에 형성된 구성요소(게이트 및 데이터 배선과, 전원배선, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터와 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 연결된 유기전계 발광 다이오드의 제 1 전극)는 모두 생략하여 도시하였다.

상기 광열변환패턴(115) 및 반사층(120)은 그 재질이 금속물질이므로 열전도성은 매우 뛰어나다. 따라서 상기 기지기판(105)의 배면을 향해 특정 파장대를 갖는 레이저 빔을 스캔하듯 또는 일괄 조사하면, 상기 광열변환패턴(115)이 형성된 부분에 대응해서는 상기 광열변환패턴(115)의 작용에 의해 상기 특정 파장대의 레이저 빔(LB)의 빛에너지가 열에너지로 변환된다. 이때, 상기 광열변환패턴(115) 내에서 변환된 열에너지는 상기 광열변환패턴(115)과 중첩되는 부분의 반사층(120)으로 전달됨으로써 최종적으로 상기 광열변환패턴(115)과 중첩되는 부분에 대응하는 전사재료층(125)이 상기 피전사기판(150) 상에 전사됨으로써 상기 피전사기판(150) 상에 전사패턴(160)을 형성할 수 있게 된다.

이 경우, 상기 광열변환패턴(115) 사이의 영역에 대해서도 상기 레이저 빔이 조사되지만 이 부분에 대해서는 본 발명의 특징적인 구성인 흡수 향상층(110)에 의해 상기 반사층(120)에서의 반사율이 증가됨으로써 상기 레이저 빔(LB)의 대부분이 반사되어 빛에너지가 열에너지로의 변환이 거의 발생하지 않으므로 상기 전사재료층(125)에 충분한 열이 공급되지 않음으로써 상기 피전사기판(150)으로의 전사는 발생하지 않는다.

한편, 상기 흡수 향상층(110)은 상기 특정 파장대를 갖는 레이저 빔에 대해 상기 광열변환패턴(115)이 형성된 부분에 대해서는 상기 광열변환패턴(115)의 반사율을 더욱 저감시키며 상기 광열변환패턴(115)이 형성된 부분을 제외한 반사층(120)이 형성된 부분에 대해서는 상기 반사층(120)의 반사율을 증가시키는 역할을 함으로써 최종적으로 상기 반사층(120)과 광열변환패턴(115)의 특정 파장대의 레이저 빔의 반사율 차이를 더욱 확대 시키는 역할을 하는 것이 특징이다.

이때 상기 흡수 향상층(110)은 이와 접촉하며 형성되는 금속물질의 종류에 따라 반사율이 그 두께에 따라 변화되는 것이 특징이며, 상기 반사층(120)을 이루는 금속물질 및 상기 광열변환패턴(115)을 이루는 금속물질에 따라 그 형성 두께를 달리하여 상기 반사층(120) 및 상기 광열변환패턴(115)이 가장 큰 반사율 차이를 가질 수 있도록 적정 두께를 이루는 것이 특징이다.

도 6은 흡수 향상층의 두께 변화에 따른 반사율 변화를 나타낸 그래프이다. 이때, 사각 도트는 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 구리(Cu), 원 도트는 인듐-틴-옥사이 드(ITO)와 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 패턴이 형성된 부분에서의 레이저 빔의 반사율을 나타낸다.

도시한 바와같이, 흡수 향상층의 두께 변화에 의해 광열변환패턴과 반사층의 레이저 빔의 반사율은 변함을 알 수 있다. 특히, 인듐-틴-옥사이드(ITO)의 흡수 향상층과 몰리브덴(Mo) 광열변환패턴이 접촉하며 형성된 부분에서의 상기 인듐-틴-옥사이드(ITO)의 두께 변화에 따른 반사율의 변화가 거의 주기적이 됨을 알 수 있다.

즉, 흡수 향상층을 인듐-틴-옥사이드(ITO), 광열변환패턴을 몰리브덴(Mo), 반사층을 구리(Cu)로 형성한 경우, 상기 흡수 향상층의 특정 두께에서 구리(Cu)로 이루어진 상기 반사층과, 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 상기 광열변환패턴의 반사율이 비교적 큰 차이를 보이고 있음을 알 수 있다.

그래프를 살펴보면 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어진 상기 흡수 향상층의 두께가 85nm 정도가 되는 곳에서 반사율이 최저값을 가지며, 다시 300nm 정도의 두께를 갖는 곳에서 두 번째 최저값을 가짐을 알 수 있다.

따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판에 있어서 흡수 향상층을 인듐-틴-옥사이드(ITO), 광열변환패턴을 몰리브덴(Mo), 반사층을 구리(Cu)로 형성한 경우, 상기 광열변환패턴과 반사층의 반사율의 차이를 가장 극대화하기 위해서는 상기 흡수 향상층은 85nm의 두께를 갖도록 형성할 수 있다.

그래프를 참조하면, 상기 흡수 향상층은 상기 반사층과 상기 광열흡수패턴간의 반사율이 50% 이상 차이를 갖도록 하는 범위인 38nm 내지 133nm 정도가 되도록 형성함으로써 안정적으로 전사공정을 진행할 수 있다.

한편, 상기 흡수 향상층은 두 번째 반사율 저점을 갖는 범위의 두께를 갖도록 선택할 수도 있으나, 흡수 향상층의 두께가 두꺼워지면 재료 사용량이 증가되므로 제조 비용의 상승을 초래하므로 동일한 효과를 갖는다면 첫 번째 저점을 이루는 두께 범위에서 선택되는 것이 바람직하다.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 레이저 빔 조사에 의한 전사재료층의 선택적 전사가 가능한 전사기판의 단면도이다. 그 구성에 있어서는 전술한 제 1 실시예와 유사하므로, 상기 제 1 실시예와 차별점이 있는 부분에 대해서만 설명한다.

상기 제 2 실시예에 따른 전사기판(200)에 있어 제 1 실시예와 차별점이 있는 부분은 흡수 향상층(210)과 상기 지지기판(205) 사이에 패턴된 형태로 광열변환패턴(215)에 대응하여 흡수 향상패턴(207)이 구비되고 있다는 것이다. 그 외의 구성요소(지지기판(205), 전사재료층(225), 반사층(220), 흡수 향상층(210))는 모두 제 1 실시예와 동일하다. 이때, 상기 흡수 향상층(210)과 상기 흡수 향상패턴(207)은 산화티타늄(TiO₂),인듐-틴-옥사이드(ITO), 질화실리콘(SiNx) 중 서로 다른 물질로 이루어지는 것이 특징이다.

상기 흡수 향상층과 흡수 향상패턴의 두께 변화에 따른 반사율의 차이를 나타낸 그래프인 도 8을 참조하면, 상기 흡수 향상패턴을 산화티타늄(TiO₂)으로 상기 흡수 향상층을 질화실리콘(SiNx), 상기 광열변환패턴을 몰리브덴(Mo) 그리고 상기 반사층을 구리(Cu)로 형성하는 경우, 상기 광열변환패턴이 형성된 부분과 형성되지 않은 부분에서의 레이저 빔의 반사율 차이가 최대 88% 내지 90%가 되도록 할 수 있음을 알 수 있다.

이 경우 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 상기 흡수 향상층을 177nm 정도의 두께를 갖도록 형성하고, 산화티타늄(TiO₂)으로 이루어진 상기 흡수 향상패턴을 95nm로 형성하면 상기 광열변환패턴이 형성된 부분과 그 외의 영역에서 90%정도의 반사율 차이가 나게 됨을 알 수 있다.

따라서, 안정적인 전사공정 진행을 위해 상기 광열변환패턴이 형성된 부분과 그 외의 영역에서의 레이저 빔에 대한 반사율의 차이가 50% 이상이 나도록 상기 전사기판을 구성하고 싶다면, 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 상기 흡수 향상층의 두께를 177nm가 되도록 형성하고, 산화티타늄(TiO₂)으로 이루어진 상기 흡수 향상패턴의 두께를 50nm 내지 140nm의 범위에서 형성하면 된다. 이때 이러한 흡수 향상층과 흡수 향상패턴의 두께는 일례로 보인 것이며, 상기 흡수 향상층의 두께를 177nm가 아닌 다른 두께를 갖도록 구성하는 경우, 도시한 그래프와는 다른 결과를 보이게 될 것이다.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 레이저 빔 조사에 의한 전사재료층의 선택적 전사가 가능한 전사기판의 단면도이다.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전사기판(300)은 베이스를 이루는 지지기판(305) 상에 패턴된 형태로 반사패턴(310)이 형성되고 있으며, 상기 반사패턴(310) 위로 상기 지지기판(305) 전면에 흡수 향상층(315)이 형성되고 있 다. 또한 상기 흡수 향상층(315) 위로 상기 지지기판(305) 전면에 광열변환층(320)이 형성되고 있으며, 상기 광열변환층(320) 위로 상기 지지기판(305) 전면에 전사재료층(325)이 형성되고 있다.

전술한 구성을 갖는 제 3 실시예에 따른 전사기판(300) 또한 반사패턴(310)만이 패턴된 형태를 가지며, 그 외의 모든 구성요소는 모두 상기 지지기판(305) 전면에 형성됨으로써 1회의 마스크 공정 진행에 의해 제조할 수 있음을 알 수 있다. 이때 상기 반사패턴(310)은 제 1 실시예의 반사층(도 4의 120)을 이루는 금속물질인 은(Au) 또는 구리(Cu))로, 상기 광열변환층(320)은 상기 제 1 실시예의 광열변환패턴(도 4의 115)을 이루는 금속물질인 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)로 이루어지며, 그 외의 구성요소는 모두 제 1 실시예에 따른 전사기판(도 4의 100)과 동일한 구조 및 재질을 가지므로 그 설명은 생략한다.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전사기판(300)은 상기 반사패턴(310)이 형성된 부분에 대해서는 레이저 빔의 반사율이 높으므로 상기 전사재료층(325)의 전사는 이루어지지 않고, 상기 반사패턴(310)이 형성되지 않는 부분에 대응하여 상기 광열변환층(320)으로 레이저 빔이 입사되어 빛 에너지가 열에너지로 변환됨으로써 상기 전사재료층(325)을 피전사기판(미도시)에 전사시키게 된다. 이때 제 1 실시예를 통해 설명한 바와같이, 상기 제 3 실시예에 따른 전사기판(300)을 이용하여 전사공정을 진행하는 경우, 상기 반사패턴(310)이 형성된 부분과 그 외의 영역에 있어서는 레이저 빔에 대한 반사율이 50% 이상 차이가 됨으로써 안정적으로 상기 전사 공정이 진행될 수 있다.

도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 레이저 빔 조사에 의한 전사재료층의 선택적 전사가 가능한 전사기판의 단면도이다.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 전사기판(400)은 베이스를 이루는 지지기판(405) 상에 패턴된 형태로 반사패턴(410)이 형성되고 있으며, 상기 반사패턴(410) 위로 상기 지지기판(405) 전면에 흡수 향상층(415)이 형성되고 있다. 또한, 상기 흡수 향상층(415) 위로 상기 반사패턴(410)간의 이격영역에 대응하여 광열변환패턴(420)이 형성되고 있으며, 상기 광열변환패턴(420) 위로 상기 지지기판(405) 전면에 전사재료층(425)이 형성되고 있다. 이때 상기 광열변환패턴(420)은 그 양끝단이 상기 반사패턴(410)과 소정폭 중첩하도록 형성되고 있는 것이 특징이다. 이러한 구성을 갖도록 하는 이유는 전사공정 진행 시 레이저 빔 조사 시 피전사기판(미도시)으로 상기 레이저 빔이 도달하지 않도록 하기 위함이다.

이러한 구성을 갖는 제 4 실시예에 따른 전사기판(400)은 반사패턴(410)과 광열변환패턴(420)이 구비됨으로써 종래의 전사기판(도 3의 50) 대비 마스크 공정 수 저감의 효과는 없지만, 흡수 향상층(415)이 형성됨으로써 상기 반사패턴(410)이 형성된 부분과 광열변환패턴(420)이 형성된 부분에서의 레이저 빔에 대한 반사율이 50% 이상이 되도록 함으로써 안정적인 전사공정을 진행하도록 할 수 있는 것이 특징이다.

한편, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 전사기판(400)에 있어 모든 구성요소를 이루는 재질에 대해서는 제 1 내지 제 3 실시예를 통해 설명하였으므로 생략한다.

이후에는 전술한 제 1 내지 제 4 전사기판을 이용한 유기전계 발광소자의 제조 방법에 대해 간단히 설명한다. 이때 상기 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 전사기판을 이용한 전사공정은 모두 동일하게 진행되므로 이후 유기전계 발광소자 제조 방법의 설명에 있어서는 제 1 실시예에 따른 전사기판을 이용한 것을 일례로 설명한다.

도 11a 내지 11g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판을 이용한 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도로서, 구동 박막트랜지스터 및 유기전계 발광 다이오드를 포함하는 3개의 화소영역에 대한 도시하였다. 이때 도면에 있어서, 3개의 화소영역 중 하나의 화소영역에 대해서만 구동 박막트랜지스터를 도시하였으며, 나머지 두 개의 화소영역에서는 생략하였다.

우선, 도 11a에 도시한 바와 같이, 절연기판(501) 상에 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(520)을 형성하고, 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시, 520)이 교차하는 부근에 이들 두 배선(미도시, 520)과 연결되는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 일전극과 연결되는 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성한다. 상기 절연기판(501)상에 이러한 게이트 및 데이터 배선(미도시, 120)과 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)를 형성하는 것은 일반적인 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.

한편, 도면에 있어서는 폴리실리콘을 이용한 액티브영역(505a)과 불순물 도 핑영역(505b)을 갖는 반도체층(505)을 포함하여 그 상부로 게이트 절연막(508)과 게이트 전극(513)과, 층간절연막(517)과 상기 반도체층(505)의 불순물 도핑영역(505b)과 각각 접촉하며 이격하는 소스 및 드레인 전극(525, 528)으로 구성되는 탑 게이트 구조를 갖는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 형성되고 있음을 보이고 있지만, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)의 구조는 다양한 변화 및 변경이 가능함은 자명하다. 일례로 게이트 전극과 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층으로 구성된 반도체층과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극의 적층 구조를 갖는 보텀 게이트 구조의 구동 및 스위칭 박막트랜지스터를 형성할 수도 있다.

다음, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하거나 또는 유기절연물질 예를들면 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)을 도포함으로써 보호층(533)을 형성하고, 이에 대해 포토레지스트의 도포, 노광 마스크를 이용한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상, 식각 및 스트립 등 일련의 단위 공정을 포함하는 마스크 공정을 진행함으로써 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(528)(도면에서는 드레인 전극이 되고 있지만, 이는 구동 박막트랜지스터의 타입에 따라 소스 전극이 될 수도 있다)을 노출시키는 콘택홀(535)을 형성한다.

다음, 도 11b에 도시한 바와 같이, 상기 콘택홀(535)이 형성된 보호층(533) 위로 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합 금(AlNd)을 전면에 증착함으로써 금속층(미도시)을 형성하고, 이에 대해 마스크 공정을 실시하여 패터닝함으로써 상기 콘택홀(535)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(528)과 접촉하며 각 화소영역(P)별로 분리된 제 1 전극(540)을 형성한다. 이 경우 상기 제 1 전극(540)은 캐소드 전극의 역할을 하게 되지만, 일함수 값이 높은 물질 예를들어 인듐-틴-옥사이드 또는 인듐-징크-옥사이드로 형성할 경우 애노드 전극의 역할을 할 수도 있다.

다음, 도 11c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 전극(540)의 외부로 노출된 상기 보호층(533)과 상기 제 1 전극(540)의 테두리 상부에 상기 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선에(520) 대응하여 즉, 각 화소영역(P)의 경계에 버퍼패턴(545)을 형성한다. 이때 상기 버퍼패턴(545)은 각 화소영역(P)을 포획하는 형태가 되며, 상기 버퍼패턴(545)으로 둘러싸인 화소영역(P)에 있어서는 상기 제 1 전극(540)이 노출되고 있다. 이러한 버퍼패턴(545)은 추후 형성될 제 2 전극(미도시)과 상기 제 1 전극(540)간의 쇼트를 방지하기 위해 형성하는 것이다.

다음, 도 11d에 도시한 바와 같이, 상기 버퍼패턴(545)이 형성된 기판(501)을 진공의 분위기 형성이 가능한 진공 챔버(590) 내부에 위치시킨 후, 전술한 구조를 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판(100)의 상기 전사재료층(125)이 상기 제 1 전극(540)과 마주하도록 위치시킨다. 이때 상기 전사재료층(125)은 적색, 녹색 또는 청색을 발광하는 어느 한 발광물질로 이루어질 수 있으며, 일례로 적색을 발광하는 물질로 상기 전사재료층(125)이 이루어진 경우, 상기 광열변환패턴(115)이 상기 적색의 유기 발광층이 형성되어야 할 화소영역(P)의 상기 제 1 전 극(540)과 정확히 마주하도록 위치시키는 것이 바람직하다.

한편, 본 발명의 제 2 실시예 및 제 4 실시예에 따른 전사기판을 이용하는 경우, 상기 제 2 및 제 4 실시예에 따른 전사기판은 모두 상기 제 1 실시예에 따른 전사기판과 마찬가지로 광열변환패턴을 구비하고 있으므로 상기 광열변환패턴이 제 1 전극과 마주하도록 배치한 후, 이후 진행하면 동일한 결과를 얻을 수 있다.

또한, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전사기판을 이용하는 경우, 반사패턴 사이의 이격영역이 상기 피전사기판의 제 1 전극과 마주하도록 위치시킨 후, 이후 공정을 진행하면 동일한 결과를 얻을 수 있다.

다음, 도 11e에 도시한 바와 같이, 상기 진공 챔버(590) 내에서 서로 마주하는 전사기판(100)과 상기 버퍼패턴(545) 및 제 1 전극(540)이 형성된 기판(501, 이하 피전사기판이라 칭함)을 근접시켜 상기 서로 마주하는 상기 전사재료층(125)과 상기 제 1 전극(540)이 수백 ㎛ 내지 수 mm 정도 이격간격이 되도록 근접시킨다. 이후, 상기 전사기판(100)의 배면에 대해 레이저 조사장치(593)를 통해 특정 파장대를 갖는 레이저 빔(LB)을 일정한 속도를 가지며 이동시킴으로서 상기 전사기판(100)의 일측 끝단에서 타측 끝단으로 스캔하듯이 조사하거나 또는 상기 전사기판(100) 전면에 대해 일정시간 일괄 조사한다.

이러한 레이저 빔(LB) 조사에 의해 상기 레이저 빔(LB)에 대해 가장 낮은 반사율을 갖는 물질로 이루어진 상기 광열변환패턴(115)이 상기 전사재료층(125)을 전사시킬 수 있는 적당한 온도로 열을 방출하게 되고, 이러한 전사재료층(125)을 전사시킬 수 있는 적당한 온도를 갖는 열은 이와 접촉하며 형성된 반사층(120)으로 전도됨으로써 상기 광열변환패턴(115)에 대응하는 전사재료층(125)이 상기 피전사기판(501) 상의 상기 제 1 전극(540) 위로 전사되게 되며, 도 11f에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극(540) 상에 전사된 전사재료층(125)은 적색을 발광하는 제 1 유기 발광 패턴(550a)을 이루게 된다.

이후 전술한 도 11e에 나타낸 공정을 반복함으로써 즉, 이번에는 전사재료층(미도시)이 일례로 녹색 및 청색을 각각 발광하는 유기 발광물질로 이루어 진 전사기판(미도시)을 이용하여 전술한 동일한 전사공정을 진행함으로써 상기 제 1 유기 발광 패턴(550a)과 이웃하여 순차적으로 녹색을 발광하는 제 2 유기 발광 패턴(550b)과 청색을 발광하는 제 3 유기 발광 패턴(550c)을 형성한다. 이때 상기 제 1, 2 및 3 유기 발광패턴(550a, 550b, 550c)은 유기 발광층(550)을 이룬다.

이때, 이와 같은 전사기판(도 11e의 110)을 이용한 전사공정은 모두 진공의 챔버(도 11e의 590) 내부의 진공의 분위기에서 진행되므로 상기 전사되어 형성된 상기 제 1, 2 및 3 유기 발광패턴(550a, 550b, 550c)과 상기 제 1 전극(540) 사이에 공기층이 개재될 여지가 없으며, 또한, 상기 전사재료층(도 11e의 125)은 그 자체가 발광 유기물질이 되므로 연성 특성을 가지며, 상기 반사층(도 11e의 120)을 통해 전달된 열에 의해 상온보다는 높은 온도를 가짐으로써 상기 제 1 전극(440) 및 버퍼패턴(445)과 접촉 시 완전 밀착이 이루어지게 된다.

다음 도 11g에 도시한 바와 같이, 상기 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 상기 제 1, 2 및 3 유기 발광패턴(550a, 550b, 550c)이 형성된 피전사기판(501)에 대해 상기 제 1, 2 및 3 유기 발광패턴(550a, 550b, 550c) 위로 전면에 비교적 일함수 값이 높은 투명 도전성 물질 예를들어 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 전면에 증착하여 애노드 역할을 하는 제 2 전극(555)을 형성함으로써 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판(도 11e의 100)을 이용한 유기전계 발광소자용 기판(501)을 완성한다. 이때 상기 제 1 전극이 애노드 역할을 하도록 형성하였을 경우 상기 제 2 전극은 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질을 증착함으로써 캐소드 전극을 역할을 하도록 형성할 수도 있다. 이때 하나의 화소영역(P)에 순차 적층된 상기 제 1 전극(540)과 각 유기 발광패턴(550a, 550b, 550c)과 제 2 전극(555)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.

이후, 상기 제 2 전극(555)이 형성된 기판(501)에 대해 도면에 나타내지 않았지만, 다층의 유기막(미도시)을 형성하거나 또는 점착층(미도시)을 포함하는 필름(미도시)을 접착함으로써 상기 유기막(미도시) 또는 필름(미도시)을 인캡슐레이션막으로 이용하여 유기전계 발광소자를 완성할 수도 있으며, 또는 상기 유기전계 발광소자용 기판(501)의 테두리를 따라 씰패턴(미도시) 또는 프릿(frit)패턴(미도시)을 형성하고 투명한 기판(미도시)을 진공의 분위기 또는 불활성 기체 분위기에서 합착함으로써 본 발명에 따른 유기전계 발광소자를 완성할 수도 있다.

한편, 본 발명의 실시예에 있어서는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터와 유기 전계 발광 다이오드가 모두 하나의 기판에 형성되고 있는 유기전계 발광소자의 제조 방법을 일례로 보이고 있지만, 이에만 한정되는 것은 아니며 다양한 변화와 변경이 가능하다.

즉, 본 발명의 각 실시예에 따른 전사기판을 이용하여 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 제 1, 2 및 3 유기 발광패턴을 형성하는 전사방법을 이용하고, 구동 및 스위칭 박막트랜지스터와 유기전계 발광 다이오드를 각각 서로 다른 기판에 형성한 후, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 상기 유기전계 발광 다이오드의 제 2 전극을 전기적으로 연결하는 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자의 제조에도 적용될 수 있음은 자명하다.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 간략한 회로도.

도 2는 종래의 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도.

도 3은 종래의 LITI기술을 이용한 유기 발광층 형성을 위한 전사기판 일부에 대한 단면도.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 레이저 빔 조사에 의한 전사재료층의 선택적 전사가 가능한 전사기판의 단면도.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사기판을 이용하여 전사재료층을 선택적으로 피전사기판에 전사하는 것을 간략히 도시한 공정 단면도.

도 6은 흡수 향상층의 두께 변화에 따른 반사율 변화를 나타낸 그래프.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 레이저 빔 조사에 의한 전사재료층의 선택적 전사가 가능한 전사기판의 단면도.

도 8은 흡수 향상층과 흡수 향상패턴의 두께 변화에 따른 반사율의 차이를 나타낸 그래프.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 레이저 빔 조사에 의한 전사재료층의 선택적 전사가 가능한 전사기판의 단면도.

도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 레이저 빔 조사에 의한 전사재료층의 선택적 전사가 가능한 전사기판의 단면도.

도 11a 내지 11g는 본 발명에 따른 전사기판을 이용한 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

100 : 전사기판 105 : 지지기판

110 : 흡수 향상층 115 : 광열변환패턴

120 : 반사층 125 : 전사재료층

Claims

투명한 지지기판과;

상기 지지기판 상의 전면에 제 1 물질로 형성된 흡수 향상층과;

상기 흡수 향상층 위로 일정한 두께를 가지며 일정간격 이격하며 제 2 물질로 형성된 다수의 광열변환패턴과;

상기 다수의 광열변환패턴 위로 상기 지지기판 전면에 제 3 물질로 형성된 반사층과;

상기 반사층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층

을 포함하며, 상기 흡수 향상층은 제 1 두께를 가지며 상기 다수의 광열변환패턴이 형성된 부분과 그 이외의 영역에 대응하여 조사되는 레이저 빔의 반사율 차이를 증대시키는 시키는 역할을 하는 것이 특징인 전사기판.
제 1 항에 있어서,

상기 지지기판과 상기 흡수 향상층 사이에 상기 다수의 각 광열변환패턴에 대응하여 제 4 물질로 이루어지며 제 2 두께를 갖는 다수의 흡수 향상패턴을 포함하는 전사기판.
제 2 항에 있어서,

상기 제 1 물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 질화실리콘(SiNx), 산화티타늄(TiO₂) 중 어느 하나이며,

상기 제 2 물질은 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)이며,

상기 제 3 물질은 은(Ag) 또는 구리(Cu)이며,

상기 제 4 물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 질화실리콘(SiNx), 산화티타늄(TiO₂) 중 어느 하나이며, 상기 흡수 향상층과 상기 다수의 흡수 향상패턴은 서로 다른 물질로 이루어지는 것이 특징인 전사기판.
제 2 항에 있어서,

상기 제 1 물질은 질화실리콘(SiNx), 상기 제 2 물질은 몰리브덴(Mo),

상기 제 3 물질은 구리(Cu), 상기 제 4 물질은 산화티타늄(TiO₂)이며, 상기 제 1 두께가 177nm 이며, 상기 반사율의 차이가 50% 이상이 되도록 하는 상기 제 2 두께는 50nm 내지 140nm 인 것이 특징인 전사기판.
투명한 지지기판과;

상기 지지기판 상에 일정한 두께를 가지며 일정간격 이격하며 제 3 물질로 이루어진 다수의 반사패턴과;

상기 다수의 반사패턴 위로 상기 지지기판 전면에 제 1 물질로 형성된 흡수 향상층과;

상기 흡수 향상층 위로 상기 지지기판 전면에 제 2 물질로 형성된 광열변환층과;

상기 광열변환층 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층

을 포함하며, 상기 흡수 향상층은 제 1 두께를 가지며 상기 반사패턴이 형성된 부분과 그 이외의 영역에 대응하여 조사되는 레이저 빔의 반사율 차이를 증대시키는 역할을 하는 것이 특징인 전사기판.
투명한 지지기판과;

상기 지지기판 상에 일정한 두께를 가지며 일정간격 이격하며 제 3 물질로 이루어진 다수의 반사패턴과;

상기 다수의 반사패턴 위로 상기 지지기판 전면에 제 1 물질로 형성된 흡수 향상층과;

상기 흡수 향상층 위로 일정한 두께를 가지며 일정간격 이격하며 상기 다수의 반사패턴간의 이격영역에 상기 다수의 반사패턴과 교대하며 그 양끝단이 상기 반사패턴과 중첩하며 제 2 물질로 형성된 다수의 광열변환패턴과;

상기 다수의 광열변환패턴 위로 상기 지지기판 전면에 형성된 전사재료층

을 포함하며, 상기 흡수 향상층은 제 1 두께를 가지며 상기 다수의 반사패턴이 형성된 부분과 상기 다수의 광열변환패턴이 형성된 영역에 대응하여 조사되는 레이저 빔의 반사율 차이를 증대시키는 역할을 하는 것이 특징인 전사기판.
제 1 항, 제 5 항 및 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 제 1 물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 질화실리콘(SiNx), 산화티타늄(TiO₂) 중 어느 하나이며,

상기 제 2 물질은 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)이며,

상기 제 3 물질은 은(Ag) 또는 구리(Cu) 인 것이 특징인 전사기판.
제 7 항에 있어서,

상기 제 1 물질은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 상기 제 2 물질은 몰리브덴(Mo),

상기 제 3 물질은 구리(Cu)이며, 상기 반사율의 차이가 50% 이상이 되도록 하는 상기 제 1 두께는 38nm 내지 133nm 인 것이 특징인 전사기판.
제 1 항, 제 2 항, 제 5 항, 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 지지기판은 유리기판인 것이 특징인 전사기판.