CN102130147A - 显示器及其制造方法、以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示器及其制造方法以及电子设备。提供了包括发光元件的显示器。发光元件包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极，其中在源-漏电极层或栅电极层中形成下显示电极。还提供了该显示器的制造方法以及包括该显示器的电子设备。

Description

显示器及其制造方法、以及电子设备
相关申请的交叉参考
本申请要求于2009年12月3日和2010年7月21日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2009-275487和JP 2010-163829的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本申请涉及使用TFT(薄膜晶体管)执行显示驱动的显示器、该显示器的制造方法、以及电子设备。
背景技术
近年来，在显示器领域中，已经积极开发了下一代显示器，并且期望具有更小尺寸、更高亮度、更低功耗等的显示器。作为这种显示器，使用有机EL(电致发光)元件的有机EL显示器受到关注。有机EL显示器是自发光型，所以有机EL显示器具有宽视角且不需要背光。因此，期望功耗降低。此外，有机EL显示器具有响应度高以及显示器厚度可减小的优点。此外，有机发光材料具有柔性，所以能够使用由塑料等制成的柔性基板作为基板形成具有柔性的显示器。
此处，使用利用TFT作为驱动元件的有源矩阵驱动系统作为有机EL显示器的驱动系统。有源矩阵系统在响应时间或分辨率上优于无源矩阵系统，并且有源矩阵系统被认为是用于具有上述特性的有机EL显示器的特别合适的驱动系统。
这种有源矩阵有机EL显示器包括在其中配置有包括有机发光材料的有机EL元件和用于驱动有机EL元件的驱动元件(TFT)的驱动基板。并且，将密封基板粘结到驱动基板，使得有机EL元件夹在驱动基板和密封基板之间。
此外，存在向上述驱动基板发射来自有机EL元件的光的底部发光方式有机EL显示器，以及向上述密封基板发射来自有机EL元件的光的顶部发光方式有机EL显示器。在顶部发光方式有机EL显示器中，允许在显示电极下面形成包括TFT的驱动电路，所以主要开发了顶部发光方式有机EL显示器，例如，如在日本未审查专利申请公开第2001-195008号和第2001-291595号中所述，由于有必要形成执行用于使均匀的电流流过驱动基板中的每个像素的校正的复杂校正电路等，在顶部发光方式中，允许在显示电极下面的小区域中配置这种校正电路，所以可以避免开口率下降。此外，经常使用透明导电膜作为有机EL元件的阳极电极，例如，如日本未审查专利申请公开第2006-310317号中所述。
发明内容
然而，近年来，随着像素随显示器的大型化而大型化或驱动晶体管的特性一致性的提高，上述校正电路得到简化。因此，即使在顶部发光方式中，也减小了在显示电极下面的小区域中配置电路的必要性，并且减小了开口率的影响。
另一方面，在顶部发光方式中，首先，在基板上形成包括TFT的驱动电路，然后在驱动电路上形成有机EL元件(中间具有平坦化膜)。更具体地，首先，在基板上顺序形成栅电极、栅绝缘膜、半导体层和源-漏电极层以形成TFT，然后在TFT上形成平坦化膜，在那之后，顺序形成下显示电极(阳极)、像素间绝缘膜、发光层、上显示电极(阴极)等以形成有机EL元件。作为TFT的成膜处理，除了上述处理外，还可以首先在基板上形成半导体层，然后顺序形成栅绝缘膜、栅电极和源-漏电极。结果，制造步骤或构成材料增加，导致成本上升的劣势。因此，期望获得制造步骤简化的显示器。
在一实施方式中，发光元件包括下电极、包括发光层的有机层、以及上电极，其中下电极形成在源-漏电极层或栅电极层中。
在一实施方式中，显示器包括配置在基板上的发光元件，其中发光元件包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极，其中下显示电极形成在源-漏电极层或栅电极层中。
在一实施方式中，显示元件包括：配置在基板上的发光元件，其包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极；以及配置在基板上的驱动元件，其包括栅电极层和源-漏电极层，其中栅电极层或源-漏电极层对于驱动元件和发光元件是公共的，并且其中，发光元件的下显示电极形成在栅电极层或源-漏电极层中。
在一实施方式中，显示器包括显示元件，其中显示元件包括：配置在基板上且包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极的发光元件；以及配置在基板上且包括栅电极层和源-漏电极层的驱动元件，其中栅电极层或源-漏电极层对于驱动元件和发光元件是公共的，并且其中，发光元件的下显示电极形成在栅电极层或源-漏电极层中。
在一实施方式中，显示元件的制造方法包括：在基板上形成发光元件，其中发光元件包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极；在基板上形成驱动元件，其中驱动元件包括栅电极层和源-漏电极层，其中栅电极层或源-漏电极层对于驱动元件和发光元件是公共的，并且其中，在栅电极层或源-漏电极层中形成发光元件的下显示电极。
在一实施方式中，显示器的制造方法包括：在基板上形成半导体层，其中基板包括与发光元件形成区域相关联的第一区域和与驱动元件形成区域相关联的第二区域，其中，半导体层包括沟道和栅电极层，且形成在第二区域中；在形成半导体层和栅电极层之后，在第一区域和第二区域中形成包括电极层的源-漏电极层；在源-漏电极层上形成在第一区域中具有开口的像素间绝缘膜；在形成像素间绝缘膜之后，选择性地去除在第一区域中的源-漏电极层的一部分；在去除源-漏电极层的该一部分之后，在第一区域中暴露的电极层上形成包括发光层的有机层和上显示电极。
在一实施方式中，显示器的制造方法包括：在基板上形成半导体层，其中基板包括与发光元件形成区域相关联的第一区域和与驱动元件形成区域相关联的第二区域，其中，半导体层包括沟道和栅电极层，且形成在第二区域中；在第一区域和第二区域中形成包括电极层的栅电极层；在形成半导体层和栅电极层之后，形成源-漏电极层；在形成源-漏电极层之后，在基板上形成在第一区域中具有开口的像素间绝缘膜；在形成像素间绝缘膜之后，选择性地去除在第一区域中的栅电极层的一部分；在去除栅电极层的该一部分之后，在第一区域中暴露的电极层上形成包括发光层的有机层和上显示电极。
在根据该实施方式的显示器的第一制造方法中，在第一和第二区域之上形成源-漏电极层，在源-漏电极层中，在电极层的顶面上层压了上金属层，所以当形成像素间绝缘膜时，上金属层具有作为保护膜的功能，以阻止对电极层的损坏。那之后，选择性地去除上金属层的对应于第一区域的部分以暴露电极层的表面，所以允许驱动元件的源-漏电极层(电极层)具有作为第一区域中的发光元件的下显示电极的功能。从而，在形成驱动元件之后，不需要形成平坦化膜的步骤，且也不需要单独形成发光元件的下显示电极。因此，可使得显示器的制造步骤简化。
在根据该实施方式的显示器的第二制造方法中，在第一和第二区域中形成栅电极层，在栅电极层中，在电极层的顶面上形成上金属层，所以当形成像素间绝缘膜时，上金属层具有作为保护膜的功能，以阻止对电极层的损坏。那之后，选择性地去除上金属层的对应于第一区域的部分以暴露电极层的表面，所以允许驱动元件的栅电极层(电极层)具有作为第一区域中的发光元件的下显示电极的功能。从而，在形成驱动元件之后，不需要形成平坦化膜的步骤，且也不需要单独形成发光元件的下显示电极。因此，可使得显示器的制造步骤简化。
在根据该实施方式的显示器和电子设备中，驱动元件的栅电极层或源-漏电极层配置在第一和第二区域中，其包括电极层和层叠在电极层的顶面上的上金属层。在配置发光元件的第一区域中，上金属层被去除，所以允许电极层具有作为下显示电极的功能。可使得制造步骤的数目或组成材料的数量减少，所以可降低成本。
本申请的其它的以及进一步的目的、特征和优点将从下列描述中更充分地显现出来。
此处描述了另外的特征和优点，这些将从下列详细的描述和附图中显现出来。
附图说明
图1是根据第一实施方式的显示器的截面图。
图2A和2B是示出图1所示的显示器的制造方法的步骤的示图。
图3是示出接着图2A和2B中步骤的步骤的示图。
图4是示出接着图3中步骤的步骤的示图。
图5是示出接着图4中步骤的步骤的示图。
图6是示出接着图5中步骤的步骤的示图。
图7是示出接着图6中步骤的步骤的示图。
图8是示出接着图7中步骤的步骤的示图。
图9是示出接着图8中步骤的步骤的示图。
图10是示出接着图9中步骤的步骤的示图。
图11是示出接着图10中步骤的步骤的示图。
图12是示出根据比较例的显示器的截面图。
图13是示出根据第二实施方式的显示器的截面图。
图14是示出图13所示的显示器的制造方法的步骤的示图。
图15A和15B是示出接着图14中步骤的步骤的示图。
图16是示出接着图15中步骤的步骤的示图。
图17是示出接着图16中步骤的步骤的示图。
图18是示出接着图17中步骤的步骤的示图。
图19是示出接着图18中步骤的步骤的示图。
图20是示出接着图19中步骤的步骤的示图。
图21是示出根据第三实施方式的显示器的截面图。
图22A和22B是示出图21所示的显示器的制造方法的步骤的示图。
图23是示出接着图22中步骤的步骤的示图。
图24是示出接着图23中步骤的步骤的示图。
图25是示出接着图24中步骤的步骤的示图。
图26是示出接着图25中步骤的步骤的示图。
图27是示出接着图26中步骤的步骤的示图。
图28是示出根据每个实施方式的显示器的包括外围电路的整体构造的示图。
图29是示出图28所示的像素的电路构造的示图。
图30是示出包括图28所示的显示器的模块的示意性构造的平面图。
图31是图28所示的显示器的应用例1的外部透视图。
图32A和32B分别是从应用例2的正面观看的外部透视图和从应用例2的背面观看的外部透视图。
图33是应用例3的外部透视图。
图34是应用例4的外部透视图。
图35A～35G示出应用例5，图35A和35B分别是应用例5打开状态的正视图和侧视图，以及图35C、35D、35E、35F和35G分别是应用例5闭合状态的正视图、左视图、右视图、俯视图和仰视图。
具体实施方式
在下文将参照附图详细描述本申请的实施方式。
第一实施方式(源-漏电极层也用作阳极电极的实施例)
第二实施方式(栅电极层也用作阳极电极的实施例)
第三实施方式(栅电极层也用作阳极电极的另一实施例)
应用例(电子设备的实施例)
第一实施方式
显示器1的构造
图1示出根据第一实施方式的显示器1的截面构造。例如，显示器1是有源矩阵有机EL显示器，包括以矩阵形式配置的多个像素。每个像素包括基板10上的区域10A(第一区域)中的有机EL元件1a和区域10B(第二区域)中的TFT 1b。在该实施方式中，TFT 1b中的源-漏电极层15也具有作为有机EL元件1a的阳极电极的功能。
TFT 1b
TFT 1b是所谓的底栅型(反转堆叠结构(inverted stagger configeration))TFT，在TFT 1b中，在基板10上顺序形成栅电极层11、栅绝缘膜12、半导体层13、沟道保护膜14、源-漏电极层15、以及保护膜16。
栅电极层11通过对显示器1施加的栅电极电压控制半导体层13中的载流子密度(本情形中为电子密度)。然而，栅电极层11不仅包括TFT 1b中的栅电极，还包括与栅电极配置在同一层、且形成有与栅电极同样的层叠膜结构的另一电极，例如，电容器的下电极等。栅电极层11通过接触孔(未示出)连接到源-漏电极层15。
栅电极层11具有多层膜结构，在该结构中层叠了包括电极层11a的多个金属膜，例如，在电极层11a的顶面上包括上金属层11b的两层结构。电极层11a由低电阻金属材料制成，例如，铝(Al)或银(Ag)或铜(Cu)的单质、铝合金、银合金、铜合金、或其层叠膜，且例如具有100nm～500nm的厚度。作为铝合金，使用铝和钕(Nd)的合金(AlNd合金)。上金属层11b例如包括钼(Mo)或钛(Ti)，且例如具有10nm～100nm的厚度。
在上述多层膜结构中，电极层11a具有作为控制载流子密度的栅电极的功能以及作为供给电位的配线的功能。配置上金属层11b以防止电极层11a受热或受腐蚀，并且确保电极层11a和源-漏电极层15之间的接触(通过接触孔的电接触)。在该实施方式中，栅电极层11可以是上述层叠膜或仅由电极层11a构成的单层膜。此外，可能仅需要在区域10B中配置栅电极层11。
栅绝缘膜12是由选自由氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及氧化铝膜等构成的组中的一种构成的单层膜，或由从该组中选择的两种或更多种构成的层叠膜。
半导体层13通过栅电极电压的施加而形成沟道，且例如使用非晶硅、晶体硅、氧化物半导体等形成。此处，使用更少泄露光且保持良好的TFT特性的氧化物半导体。当使用氧化物半导体时，不需要在半导体层13和源-漏电极层15之间形成n+层就可获得良好特性。
沟道保护膜14例如是氧化硅膜，防止在形成源-漏电极层15期间对沟道的损害。
源-漏电极层15在对应于半导体层13的沟道的区域中被分隔成几部分，一个部分具有作为源电极的功能，其它部分具有作为漏电极的功能。在该实施方式中，源-漏电极层15具有在其中层叠了包括电极层15a的多个金属膜的多层膜结构，例如，分别在电极层15a的顶面和底面上包括上金属层15b和下金属层15c的三层结构。电极层15a由具有低电阻和良好光反射性的金属制成，例如，铝或银(Ag)的单质、铝合金或银合金、或其层叠膜，且例如具有100nm～1000nm的厚度。铝合金的实例是AlNd合金。上金属层15b和下金属层15c例如由诸如钼(Mo)或钛(Ti)的不透明金属材料制成，且例如具有10nm～100nm的厚度。例如，在源-漏电极层15中，使用铝合金作为电极层15a，使用钼作为上金属层15b和下金属层15c。上金属层15b和下金属层15c可以由彼此相同或彼此不同的金属制成，可以具有彼此相同或彼此不同的厚度。此外，“不透明”在这里例如表示不是诸如ITO的透明导电膜的金属材料。
在这种多层膜结构中，电极层15a具有作为TFT 1b的源极和漏极的功能以及作为供给电位的配线的功能。此处，用于电极层15a的低电阻材料一般缺乏抗腐蚀性，与空气中的氧气、水、硫等或处理中使用的显影剂或剥离液反应而导致电极层15a的功能下降。此外，已知在图案化期间或之后，由于液体中产生的电池效应而在电极层15a中发生形状缺陷或腐蚀。上金属层15b和下金属层15c具有防止在这种电极层15a中的腐蚀的功能。此外，下金属层15c还具有确保电极层15a和其下的层(本情形中为半导体层13等)之间的接触的功能。在对与半导体层13等的接触或源-漏电极层15的图案化未产生影响的情况下，可以不形成下金属层15c。换句话说，源-漏电极层15可以具有包括电极层15a和上金属层15b的两层结构。
在该实施方式中，源-漏电极层15形成为不仅向配置TFT 1b的区域10B延伸，还向配置有机EL元件的区域10A延伸。更具体地，源-漏电极层15的源极或漏极形成为从区域10B向区域10A延伸。因此，如稍后将详细描述的，源-漏电极层15的电极层15a具有作为有机EL元件1a的阳极电极的功能(还用作阳极电极)。因此，电极层15a优选由具有70％以上的光反射率的金属材料形成。上述铝或银通常表现出90％以上的光反射率，适用于该实施方式中的电极层15a。
保护膜16例如是诸如氧化铝膜、氧化硅膜、或氮化硅膜的单层膜，或其层叠膜。此处，保护膜16与沟道保护膜14分别形成，但是沟道保护膜14也可用作保护膜16，或在沟道保护膜14是层叠膜的情况下，层叠膜中的膜也可以用作保护膜16。
在上述TFT 1b上，在基板10的整个表面上形成像素间绝缘膜17。像素间绝缘膜17在区域10A中具有开口，对应于像素间绝缘膜17的开口配置有机EL元件1a。
有机EL元件1a
有机EL元件1a例如是从顶面(与面对基板10的表面相对的表面)发射R、G和B中的一种颜色的光的顶部发光元件。有机EL元件1a使用被形成为向区域10A延伸的源-漏电极层15(更具体地，电极层15a)作为阳极电极(下显示电极)，且包括在源-漏电极层15上顺序形成的包括发光层的有机层18和阴极电极19(上显示电极)。
像素间绝缘膜17例如由光敏酚醛基树脂材料制成。像素间绝缘膜17通过光刻法曝光和显影上述树脂材料来进行图案化而形成，并且在氧气氛围下烘烤树脂材料以使树脂材料呈现褐色，从而减小短波长侧的透射率。除了这种材料，例如，在TFT 1b的光泄露大的情况下，任意其他的有色树脂材料，或诸如氧化硅膜的无机绝缘材料可以用于像素间绝缘膜17。然而，为了确保有机EL元件的层之间的绝缘并防止阴极电极的断开，例如形成圆截面形状的树脂材料用于像素间绝缘膜17。此外，当形成这种圆截面形状时，经常使用光敏树脂材料通过光刻进行曝光和显影这两步骤而进行图案化。
通过从靠近基板10的一侧顺序层叠例如空穴注入层、空穴传输层、发光层、以及电子传输层(所有均未示出)来形成有机层18。可根据需要配置除了发光层以外的其他层。设置空穴注入层以提高空穴注入效率，并且防止泄露。设置空穴传输层以提高向发光层的空穴传输效率。发光层通过响应于电场的施加而发生的电子和空穴的再结合来发光。设置电子传输层以提高向发光层的电子传输效率。此外，有机层18的材料可以是典型的低分子或高分子有机材料，没有特别限制。
阴极电极19作为基板10上的像素的公共电极而设置，例如由诸如铝、镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)或锂(Li)等金属元素的单质或其合金制成。在它们中间，优选镁和银的合金(MgAg合金)或铝和锂的合金(AlLi合金)。
必要时以诸如氮化硅膜或氧化硅膜的保护膜覆盖此有机EL元件1a。使用其间的粘合层将密封基板粘合至保护膜以密封有机EL元件1a。在密封基板中，配置滤色片和作为黑矩阵的遮光膜等。
显示器1的制造方法
图2A和2B～图11是用于描述显示器1的制造方法的示图。显示器1例如可通过下列步骤制造。
首先，如图2A所示，例如通过溅射法在基板10的整个表面上顺序形成电极层11a和上金属层11b，然后例如通过光刻法在电极层11a和上金属层11b上进行图案化以在选择区域中形成栅电极层11。
接下来，如图2B所示，例如通过等离子体CVD(化学气相沉积)法在栅电极层11上形成栅绝缘膜12。这时，在形成氮化硅膜作为栅绝缘膜12的情况下，包括硅烷(SiH4)、氨气(NH3)和氮气的混合气体用作材料气体。可替换地，在形成氧化硅膜作为栅绝缘膜12的情况下，使用包括硅烷和一氧化二氮(N2O)的混合气体。
接下来，如图3所示，例如通过溅射法形成半导体层13。更具体地，在使用氧化铟镓锌(IGZO)作为半导体层13的情况下，执行使用IGZO的陶瓷作为靶的DC溅射。这种情况下，例如，在DC溅射装置中，排除真空容器中的空气直到真空容器中的真空度达到1 
Figure BDA0000034579930000111
Pa以下，然后向真空容器导入氩(Ar)和氧气的混合气体以执行等离子体放电。那之后，例如通过CVD法在半导体层13上形成沟道保护膜14，并且将沟道保护膜14例如通过光刻法图案化为所期望的形状。在图案化沟道保护膜14之后，例如在配线端形成用于提供至栅电极层11的导电通路的接触孔(未示出)。
接下来，如图4所示，例如通过溅射法在基板10上的包括区域10A和10B的区域中形成其中顺次层叠了钼、铝和钼的金属薄膜，以形成源-漏电极层15。
那之后，如图5所示，例如使用光刻法，通过湿蚀刻来图案化源-漏电极层15。更具体地，在对应于源-漏电极层15的沟道的区域中形成沟槽，该沟槽形成为具有所期望的渐缩的形状。这时，通过沟道保护膜14保护半导体层13的表面(沟道表面)，从而防止半导体层13受到蚀刻的损害。
接下来，如图6所示，例如通过溅射法或原子层沉积(ALD：atomic layer deposition)法在基板10的整个表面上形成保护膜16。那之后，如图7所示，例如通过光刻法进行图案化，以去除已形成的保护膜16的对应于区域10A的部分。
之后，如图8所示，例如通过涂布法在基板10的整个表面上形成由光敏酚醛基树脂材料制成的像素间绝缘膜17。这时，已形成的像素间绝缘膜17通过在包括氧气的气氛中烘烤而变为褐色，以减小短波长侧上的透射率。
那之后，如图9所示，例如通过光刻法图案化已形成的像素间绝缘膜17，以在区域10A中形成开口17A。这时，使用碱性显影剂，但是这种显影剂例如具有溶解诸如铝的金属的特性。因此，如果像素间绝缘膜17下的源-漏电极层15中的电极层15a是单层膜，即，在电极层15a没有被上金属层15b涂覆的情况下，电极层15a的表面同像素间绝缘膜17一起被蚀刻以形成不平坦面(缺少平坦性)。在该实施方式中，如上所述，源-漏电极层15具有在电极层15a的顶面上层叠由钼等制成的上金属层15b的多层膜结构，从而上金属层15b具有作为保护膜的功能，使得可阻止对电极层15a的损害。
接下来，如图10所示，选择性地仅去除源-漏电极层15中的对应于上金属层15b的区域10A的部分。这时，使用在区域10A中具有开口17A的像素间绝缘膜17作为掩膜执行蚀刻。例如，在上金属层15b和电极层15a分别由钼和铝制成的情况下，使用其中的磷酸浓度为5％以下的磷酸/硝酸/醋酸的混合溶液来选择性地仅蚀刻由钼制成的上金属层15b。从而，在区域10A中，暴露了具有良好的光反射率的电极层15a。
之后，如图11所示，例如通过真空沉积法在暴露的电极层15a上形成包括发光层的有机层18。最后，例如通过溅射法或蒸发法在有机层18上形成阴极电极19以覆盖基板10的整个表面，从而完成图1所示的显示器1。
如上所述，在显示器1的制造步骤中，在基板10上顺序形成栅电极层11、栅绝缘膜12、以及半导体层13，然后在包括区域10A和10B的区域中形成源-漏电极层15。然后，在形成像素间绝缘膜17之后，选择性地去除源-漏电极层15中的对应于上金属层15b的区域10A的部分，使得由反射金属制成的电极层15a的表面暴露在区域10A中。当在暴露的电极层15a上形成有机层18和阴极电极19时，使用源-漏电极层15(电极层15a)作为阳极电极的有机EL元件1a可在区域10A中形成。
现在，图12示出根据比较例的显示器100的截面构造。如附图所示，显示器100包括基板101上的有机EL元件100a和TFT 100b，在该比较例中，在有机EL元件100a的阳极电极109的下面配置TFT 100b。更具体地，在TFT 100b中，在基板101上顺序形成栅电极层102、栅绝缘膜103、半导体层104、沟道保护膜105、源-漏电极层106、以及保护膜107。之后，在这样的TFT 100b上，在基板101的整个表面上形成平坦化膜108，并且配置用于提供至源-漏电极层106的导电通路的接触孔。在平坦化膜108上形成阳极电极109，以使接触孔填充有阳极电极109。在阳极电极109上形成具有开口的像素间绝缘膜110，在像素间绝缘膜110的开口部分中顺序形成有机层111和阴极电极112。
在根据该比较例的显示器100中，以平坦化膜108位于其间的方式形成有机EL元件100a和TFT 100b，所以在形成TFT 100b之后，在形成平坦化膜108的步骤和图案化平坦化膜108的步骤(形成接触孔的步骤)之后形成有机EL元件100a。因此，制造步骤的数目和成膜材料的数量增加，容易引起成本的增加。
另一方面，在该实施方式中，如上所述，当TFT 1b中的源-漏电极层15(电极层15a)具有作为有机EL元件1a的阳极电极的功能时，上述形成平坦化膜的步骤和上述图案化平坦化膜的步骤不是必需的，并且没有必要单独形成阳极电极。因此，可简化显示器1的制造步骤。
此外，在该实施方式中，作为源-漏电极层15，使用在其中顺序层叠下金属层15c、电极层15a、以及上金属层15b的多层膜结构。从而，当在稍后的步骤中图案化形成在区域10A中具有开口17A的像素间绝缘膜17时，上金属层15b具有作为电极层15a的保护膜的功能，以阻止对电极层15a的损害。然后，通过使用其上形成的像素间绝缘膜17作为掩膜进行蚀刻，可容易地去除上金属层15b。从而暴露了具有良好光反射率的电极层15a的表面，电极层15a可具有适于作为有机EL元件1a的阳极电极的功能。
此外，在该实施方式中，不透明金属材料用作下金属层15c和上金属层15b。通常，作为有机EL显示器的阳极电极，经常使用诸如ITO(氧化铟锡)的透明导电膜。这种情况下，例如，考虑使用包括作为上层的透明导电膜和作为下层的诸如铝合金的光反射金属膜的层叠膜结构作为源-漏电极。在这种情况下，代替去除区域10A中的透明导电膜，可通过执行氧化处理来提高透明导电膜中的透光率。
然而，由于下列原因，在该实施方式的情形中，源-漏电极优选具有使用不透明金属材料的层叠膜结构。当使用透明导电膜时，有必要层叠诸如ITO的氧化膜和诸如铝的光反射金属膜，但是这些膜材料具有彼此不同的蚀刻特性，所以在图案化电极的步骤中难以具有良好的电极形状(渐缩的形状)。并且，透明导电膜在其形成期间容易产生灰尘。因此，存在以下问题：灰尘容易引起诸如源-漏电极层15中(或与源-漏电极层15形成在相同的层中的信号线等)的短路或源-漏电极层15和阴极电极层之间的短路等缺陷。因此，当不透明金属，例如诸如钼或钛的金属用于源-漏电极层15中的上金属层15b时，与使用透明导电膜的情况相比，具有电极易于图案化且在成膜期间不太可能产生灰尘等的优点。
第二实施方式
显示器2的构造
图13示出根据第二实施方式的显示器2的截面构造。例如，如同根据第一实施方式的显示器1的情况，显示器2是有源矩阵有机EL显示器，并且在每个像素中，在基板10的区域10A和区域10B中分别配置有机EL元件2a和TFT 2b。然而，在该实施方式中，TFT 2b中的栅电极层21具有作为有机EL元件2a的阳极电极的功能。与第一实施方式相同的组件通过相同的数字表示，并且不再描述。
TFT 2b
TFT 2b是所谓的底栅型(反转堆叠结构)TFT，在TFT 2b中，在基板10上顺序形成栅电极层21、栅绝缘膜22、半导体层13、沟道保护膜14、源-漏电极层23、以及保护膜16。
如同第一实施方式中的栅电极层11的情况，栅电极层21通过对显示器2施加的栅电极电压控制半导体层13中的载流子密度。并且，栅电极层21具有多层膜结构，在该结构中，层叠了包括电极层21a的多个金属膜，且栅电极层21不仅包括TFT 2b中的栅电极，还包括与栅电极配置在同一层、且形成有与栅电极同样的层叠膜结构的另一电极，例如，电容器的下电极等。例如，作为多层膜结构，使用在电极层21a上包括上金属层21b的两层结构。电极层21a例如由诸如铝或银的单质、铝合金或银合金、或其层叠膜制成，且例如具有100nm～500nm的厚度。上金属层21b例如包括钼(Mo)或钛(Ti)，且例如具有10nm～200nm的厚度。
在上述多层膜结构中，更具体地，电极层21a具有作为控制载流子密度的栅电极的功能和供给电位的配线的功能。配置上金属层21b以确保电极层21a和源-漏电极层23之间的接触(通过接触孔(未示出)的电接触)，并且防止电极层21a受腐蚀。
在该实施方式中，栅电极层21不仅形成在配置TFT 2b的区域10B中，还形成在配置有机EL元件2a的区域10A中。因此，如稍后将详细描述的，栅电极层21的电极层21a具有作为有机EL元件2a的阳极电极的功能(还用作阳极电极)。因此，电极层21a优选由具有70％以上光反射率的金属材料形成。上述铝或银通常表现出90％以上的光反射率，适用于该实施方式中的电极层21a。
如同第一实施方式中的栅绝缘膜12的情况，栅绝缘膜22是由从由氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及氧化铝膜等构成的组选择的一种构成的单层膜，或由从该组选择的两种或更多种构成的层叠膜。然而，在该实施方式中，对应于区域10A形成开口(下文将要描述的开口22A)。
如同第一实施方式中的情况，源-漏电极层23在对应于半导体层13的沟道的区域中被分隔成几部分，一个部分具有作为源极的功能，其他部分具有作为漏极的功能。此外，源-漏电极层23例如具有从靠近半导体层13的一侧顺序层叠了下金属层23c、电极层23a、以及上金属层23b的三层结构。它们中的电极层23a由低电阻金属材料制成，例如，铝(Al)或银(Ag)或铜(Cu)的单质、铝合金、银合金或铜合金、或其层叠膜，且例如具有100nm～1000nm的厚度。上金属层23b和下金属层23c例如由诸如钼(Mo)或钛(Ti)的不透明金属材料制成，且例如具有1nm～100nm的厚度。在这种三层结构中，电极层23a具有作为TFT 2b的源极和漏极的功能以及作为提供电位的配线的功能，上金属层23b和下金属层23c具有防止电极层23a受到腐蚀的功能。下金属层23c还具有确保电极层23a和其下的层(本情形中为半导体层13等)之间的接触的功能。
然而，在该实施方式中，源-漏电极层23仅在区域10B中形成。并且，至少在上述三层结构中的下金属层23c中使用不同于上金属层21b的金属材料，以获得关于栅电极层21中的上金属层21b的蚀刻选择性。例如，在钼用于栅电极层21中的上金属层21b的情况下，钛可以用于源-漏电极层23的下金属层23c。
在上述TFT 2b上，在基板10的整个表面上形成像素间绝缘膜24。像素间绝缘膜24在区域10A中具有开口，对应于像素间绝缘膜24的开口配置有机EL元件2a。像素间绝缘膜24由与第一实施方式中的像素间绝缘膜17相同的材料制成。
有机EL元件2a
如在第一实施方式中的有机EL元件1a的情况，有机EL元件2a例如是从顶面发射R、G和B中的一种颜色的光的顶部发光元件。然而，有机EL元件2a使用形成在区域10A中的栅电极层21(更具体地，电极层21a)作为阳极电极，且包括在栅电极层21上顺序层叠的包括发光层的有机层18和阴极电极19。
显示器2的制造方法
图14～图20是用于描述显示器2的制造方法的示图。显示器2例如可通过下列步骤制造。
首先，如图14所示，如第一实施方式中的情况，在基板10上顺序形成栅电极层21和栅绝缘膜22。
其次，如图15A所示，如第一实施方式中的情况，形成半导体层13和沟道保护膜14，并且图案化为所期望的形状。
然后，如图15B所示，例如通过使用光刻法进行图案化以在栅绝缘膜22的对应于区域10A的部分中形成开口22A，以使栅电极层21的上金属层21b暴露在区域10A中。此外，这时，形成用于提供至栅电极层21的导电通路的接触孔(未示出)。
接下来，如图16所示，例如通过溅射法在基板10上形成顺序层叠了例如钛、铝和钛的金属多层膜。那之后，例如使用光刻法，通过湿蚀刻去除已形成的金属多层膜的对应于区域10A的部分，并且将金属多层膜图案化为所期望的形状以形成源-漏电极层23。
然后，如图17所示，例如通过溅射法或原子层沉积法在基板10的整个表面上形成保护膜16，然后例如通过光刻法进行图案化以去除已形成的保护膜16的对应于区域10A的部分。
接下来，如图18所示，首先，如第一实施方式中的像素间绝缘膜17的情况，在基板10的整个表面上形成像素间绝缘膜24。
那之后，如图19所示，如第一实施方式中的像素间绝缘膜17的情况，例如通过光刻法图案化已形成的像素间绝缘膜24，以在区域10A中形成开口24A。这时，栅电极层21具有由Mo等制成的上金属层21b层叠在电极层21a的顶面上的多层膜结构，所以上金属层21b具有作为保护膜的功能，以阻止对电极层21a的损害。
然后，如图20所示，选择性地仅去除栅电极层21中的上金属层21b的对应于区域10A的部分。这时，使用在区域10A中具有开口24A的像素间绝缘膜24作为掩膜执行蚀刻。从而，在区域10A中，暴露具有良好光反射率的电极层21a。
最后，如在第一实施方式中的情况，在暴露的电极层21a上顺序形成有机层18和阴极电极19，以完成图13所示的显示器2。
如上所述，在显示器2的制造步骤中，在基板10上形成栅电极层21、栅绝缘膜22、半导体层13、沟道保护膜14、以及源-漏电极层23。于是，在形成像素间绝缘膜24之后，选择性地去除栅电极层21中的上金属层21b的对应于区域10A的部分，以使由反射金属制成的电极层21a的表面可暴露在区域10A中。当在暴露的电极层21a上形成有机层18和阴极电极19时，使用栅电极层21(电极层21a)作为阳极电极的有机EL元件2a可在区域10A中形成。
换句话说，同样在该实施方式中，如同第一实施方式的情况，形成平坦化膜的步骤和图案化平坦化膜的步骤不是必需的，并且没有必要单独形成阳极电极。因此，可简化显示器2的制造步骤。
并且，作为栅电极层21，使用在电极层21a的顶面上层叠上金属层21b的多层膜结构。从而，当在稍后的步骤中图案化形成在区域10A中具有开口24A的像素间绝缘膜24时，上金属层21b具有作为电极层21a的保护层的功能，以阻止对电极层21a的损害。然后，通过使用其上形成的像素间绝缘膜24作为掩膜进行蚀刻，可容易地去除上金属层21b。从而暴露了具有良好光反射率的电极层21a的表面，且电极层21a可具有适于作为有机EL元件2a的阳极电极的功能。
此外，同样在该实施方式中，不透明金属材料用作上金属层21b，所以与使用透明导电膜的情况相比，电极易于图案化，且在成膜期间不太可能产生灰尘。并且，同样在源-漏电极层23中，由于相同的原因，上金属层23b和下金属层23c优选由不透明金属材料制成。
然而，在该实施方式中，由于栅电极层21用作阳极电极，因此可防止成品率的下降。通常，通过稍后的加热步骤，在铝、银等的表面上可能发生诸如丘(hillock)或须(whisker)的迁移，从而引起电极之间的短路缺陷。为了防止这种缺陷并增加耐热性，考虑向合金增加诸如钕的稀土元素。然而，存在以下缺点：合金化使得电阻增大，导致执行复杂信号的写入的信号线的时间常数增大，从而脉冲减弱以引起写入失败。并且，在显示器用于具有高帧频的面板时，期望源-漏电极层23具有更小的电阻，有必要增加源-漏电极层23的厚度。当源-漏电极层23的厚度增加时，电极表面的粗糙度增加，由于反射率的降低、其上形成的EL层的层间绝缘性的降低，而导致失效等增加。
与源-漏电极层23(或与源-漏电极层配置在相同层中的信号线)相比，栅电极层21不需具有低电阻，在稍后的步骤中，栅绝缘膜的成膜温度高达350℃～450℃。因此，有必要进行合金化以提高耐热性，但是即使执行了合金化，在稍后步骤中的栅绝缘膜的成膜温度处，杂质也会被偏析，从而容易减小电阻。因此，合金材料易用于栅电极层21以增强耐热性。并且，由于栅电极层21的材料被合金化，颗粒非常小，可形成相对薄的膜，所以防止了表面粗糙，不太可能发生由于栅电极层21和其上形成的阴极电极之间的短路缺陷而导致的成品率的降低。因此，与源-漏电极层15用作阳极电极的第一实施方式相比，在栅电极层21用作阳极电极的实施方式中，可进一步防止成品率下降，并且可装备具有低电阻的信号线。
第三实施方式
显示器3的构造
图21示出根据第三实施方式的显示器3的截面构造。例如，如同根据第一实施方式的显示器1的情况，显示器3是有源矩阵有机EL显示器，并且在每个像素中，在基板10的区域10A和区域10B中分别配置有机EL元件2a和TFT 3b。并且，如在第二实施方式中，栅电极层21(电极层21a)用作有机EL元件2a的阳极电极，且源-漏电极层23仅形成在区域10B中。与第一和第二实施方式相同的组件通过相同的数字表示，并且不再描述。
TFT 3b
TFT 3b是所谓的顶栅型TFT，在TFT 3b中，在基板10上顺序形成半导体层13、栅绝缘膜22、栅电极层21、层间绝缘膜25、保护膜16、以及源-漏电极层23。换句话说，在该实施方式中，TFT的层的层叠顺序(处理顺序)不同于第一和第二实施方式。更具体地，在靠近基板10的一侧的最底层中形成半导体层13，在半导体层13的预定区域上形成栅电极层21(栅绝缘膜22在这两者之间)。层间绝缘膜25在半导体层13、栅绝缘膜22、以及栅电极层21之上形成，且具有面向半导体层13的部分的一对接触孔(稍后将描述的接触孔25B)。源-漏电极层23配置为使得接触孔25B填充有源-漏电极层23。在这种情况下，在层间绝缘膜25的表面(除了区域10A的开口部分和用于形成源极和漏极的接触孔)上形成保护膜16。层间绝缘膜25是由从由氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、以及氧化铝膜等组成的组中选择的一种构成的单层膜，或由从该组中选择的两种或更多种构成的层叠膜。
显示器3的制造方法
图22A和22B～图27是用于描述显示器3的制造方法的示图。显示器3可通过下列步骤制造。
首先，如图22A所示，如第一实施方式中的情况，在基板10上形成半导体层13，并且图案化为所期望的形状。其次，在基板10上的区域10B中的预定区域(半导体层13上的一部分)中图案化形成栅绝缘膜22。
然后，如图23所示，通过与第一实施方式中的相同技术，栅电极层21图案化形成在已形成的栅绝缘膜22上。
接下来，如图24所示，例如通过等离子体CVD法在基板10的整个表面上形成由上述材料制成的层间绝缘膜25，然后例如通过光刻法在对应于区域10A的部分中形成开口25A，以使栅电极层21的上金属层21b暴露在区域10A中。并且，当形成开口25A时，形成用于提供半导体层13和源-漏电极层23之间的导电通路的一对接触孔25B。
然后，如图25所示，例如通过溅射法或原子层沉积法在基板10的整个表面上形成保护膜16，然后例如通过光刻法进行图案化，以去除保护膜16的对应于层间绝缘膜25的开口25A和接触孔25B的部分。可选择地，在基板10的整个表面上顺序形成上述层间绝缘膜25和保护膜16之后，可以蚀刻这两层以形成开口25A和接触孔25B。
接下来，如图26所示，例如通过溅射法在基板10上形成顺序层叠了例如钛、铝和钛的金属多层膜。那之后，例如使用光刻法，通过湿蚀刻去除已形成的金属多层膜的对应于区域10A的部分，将金属多层膜图案化为所期望的形状以形成源-漏电极层23。
然后，如图27所示，如第二实施方式中的情况，在基板10的整个表面上形成在区域10A中具有开口24A的像素间绝缘膜24，然后选择性地仅去除栅电极层21中的上金属层21b的对应于区域10A的部分。同样在该实施方式中，当形成像素间绝缘膜24时，在栅电极层21中，上金属层21b具有作为电极层21a的保护膜的功能，以防止对电极层21a的损害。并且，当选择性地去除上金属层21b时，使用像素间绝缘膜24作为掩膜执行蚀刻以在区域10A中暴露作为反射电极的电极层21a。
最后，如在第一实施方式中的情况，在暴露的电极层21a上顺序形成有机层18和阴极电极19以完成图21所示的显示器3。
如上所述，在显示器3的制造步骤中，在基板10上形成半导体层13、栅绝缘膜22、栅电极层21、层间绝缘膜25、保护膜16、以及源-漏电极层23。然后，如同第二实施方式中的情况，在形成像素间绝缘膜24之后，选择性地去除栅电极层21中的上金属层21b的对应于区域10A的部分，以使电极层21a的表面可暴露在区域10A中。当在暴露的电极层21a上形成了有机层18和阴极电极19时，使用栅电极层21(电极层21a)作为阳极电极的有机EL元件2a在区域10A中形成。
因此，同样在该实施方式中，如同第一实施方式中的情况，形成平坦化膜的步骤和图案化平坦化膜的步骤不是必需的，并且不需单独形成阳极电极，所以能够简化显示器3的制造步骤。并且，当栅电极层21具有包括上金属层21b的多层膜结构时，可阻止在图案化像素间绝缘膜24期间对电极层21a的损害。此外，当栅电极层21用作阳极电极时，与源-漏电极层用作阳极的情况相比，可防止成品率的下降。因此，可获得与第一和第二实施方式相同的效果。
在第三实施方式中，描述了通过从靠近基板10的一侧顺序层叠半导体层13、栅绝缘膜22、栅电极层21、层间绝缘膜25、以及源-漏电极层23而形成的构造用作TFT 3b的实例以及栅电极21具有作为有机EL元件2a的阳极电极的功能的情况。换句话说，第三实施方式相当于第二实施方式中的TFT的层叠结构和处理的另一实施例，并且这种TFT 3b可应用于第一实施方式。换句话说，TFT 3b中的源-漏电极层23可以形成在区域10A和区域10B之上，并且上金属层23b可被去除，且电极层23a可以具有作为阳极的功能。
显示器1和2的整体构造、像素电路构造
接下来，以下将描述根据第一和第二实施方式的显示器1和2的整体构造以及像素电路的构造。图28示出包括用作有机EL显示器的显示器的外围电路的整体构造。如图所示，例如在基板10上形成通过以矩阵形式配置多个包括有机EL元件的像素PXLC而构成的显示区域30，在显示区域30周围配置作为信号驱动电路的水平选择器(HSEL)31、作为扫描线驱动电路的写扫描器(WSCN)32、以及作为电源线驱动电路的驱动扫描器(DSCN)33。
在显示区域30中，在列方向上配置多条(整数n)信号线DTL1～DTLn，在行方向上配置多条(整数m)扫描线WSL1～WSLm和多条(整数m)电源线DSL1～DSLm。并且，在信号线DTL和扫描线WSL的每个交叉点处配置一个像素PXLC(对应于R、G和B的像素中的一个)。每条信号线DTL连接到水平选择器31，且从水平选择器31向每条信号线DTL提供图像信号。每条扫描线WSL连接到写扫描器32，且从写扫描器32向每条扫描线WSL提供扫描信号(选择脉冲)。每条电源线DSL连接到驱动扫描器33，且从驱动扫描器33向每条电源线DSL提供电源信号(控制脉冲)。
图29示出了像素PXLC的具体电路构造例。每个像素PXLC包括包含有机EL元件3D的像素电路40。像素电路40是包括采样晶体管3A、驱动晶体管3B、电容保持元件3C和有机EL元件3D的有源型驱动电路。在它们当中，有机EL元件3D相当于上述实施方式等中的有机EL元件1a或2a，晶体管3A(或晶体管3B)相当于上述实施方式等中的TFT 1b或2b。
采样晶体管3A的栅极连接到其对应的扫描线WSL，采样晶体管3A的源极和漏极中的一个连接到其对应的信号线DTL，另一个连接到驱动晶体管3B的栅极。驱动晶体管3B的漏极连接到其对应的电源线DSL，驱动晶体管3B的源极连接到有机EL元件3D的阳极。并且，有机EL元件3D的阴极连接到地线3H。此外，地线3H共通地连接到所有的像素PXLC。在驱动晶体管3B的源极和栅极之间配置电容保持元件3C。
采样晶体管3A响应于从扫描线WSL提供的扫描信号(选择脉冲)而导通，以采样从信号线DTL提供的图像信号的信号电位，并且将该信号电位保持在电容保持元件3C中。驱动晶体管3B接收来自被设定为预定的第一电位(未示出)的电源线DSL的电流供给，以响应于保持在电容保持元件3C中的信号电位向有机EL元件3D提供驱动电流。有机EL元件3D响应于从驱动晶体管3B提供的驱动电流，以发出根据图像信号的信号电位的亮度的光。
在这种电路构造中，采样晶体管3A响应于从扫描线WSL提供的扫描信号(选择脉冲)而导通，从而从信号线DTL提供的图像信号的信号电位被采样，并被保持在电容保持元件3C中。并且，从被设定为上述第一电位的电源线DSL向驱动晶体管3B提供电流，并响应于保持在电容保持元件3C中的信号电位向有机EL元件(红色、绿色、以及蓝色有机EL元件的每一个)提供驱动电流。于是，每个有机EL元件3D响应于提供的驱动电流，发出根据图像信号的信号电位的亮度的光。从而，在显示器上显示基于图像信号的图像。
应用例
下面将描述将上述显示器1和2用于电子设备的应用例。显示器1和2可应用于任何领域中的电子设备，例如电视机、数码相机、笔记本个人计算机、诸如便携式电话的便携式终端设备、以及摄像机。换句话说，显示器1和2可应用于将从外部输入的图像信号或内部产生的图像信号显示为图像或图画的任何领域中的电子设备。
模块
将上述显示器作为例如图30中所示的模块结合在诸如应用例1～5(稍后将描述)的各种电子设备中。在该模块中，例如，在基板10的一侧上配置从密封基板50露出的区域210，并且通过延伸水平选择器31、写扫描器32和驱动扫描器33的配线，在暴露的区域210中形成外部连接端子(未示出)。在外部连接端子中，可以配置用于信号输入/输出的柔性印刷电路(FPC)220。
应用例1
图31示出电视机的外观。电视机例如具有包括前面板310和滤光镜320的图像显示屏幕部300。图像显示屏幕部300相当于显示器1或2。
应用例2
图32A和32B示出数码相机的外观。数码相机例如具有用于闪光灯的发光部410、显示部420、菜单开关430、以及快门按钮440。显示部420相当于显示器1或2。
应用例3
图33示出笔记本个人计算机的外观。笔记本个人计算机例如具有主体510、用于字符输入等操作的键盘520、以及用于显示图像的显示部530。显示部530相当于显示器1或2。
应用例4
图34示出摄像机的外观。摄像机例如具有主体610、配置在主体610正面上的用于拍摄目标的透镜620、拍摄开始/停止开关630、以及显示部640。显示部640相当于显示器1或2。
应用例5
图35A～35G示出便携式电话的外观。便携式电话例如通过由连接部(转轴部)730彼此连接上侧外壳710和下侧外壳720而形成。便携式电话具有显示器740、子显示器750、闪光灯760、以及相机770。显示器740或子显示器750相当于显示器1或2。
尽管参照实施方式描述了本申请，但是本申请不限于此，可以进行各种修改。例如，在上述实施方式中，将金属薄膜覆盖电极层的顶部和底部表面的三层结构作为源-漏电极层的实例进行了描述，但是源-漏电极层的结构不限于此，源-漏电极层可以具有在电极层的顶面上形成上金属膜的两层结构。然而，为了确保与电极层下面的层的接触，并且防止处理期间的腐蚀，期望具有在上述实施方式中描述的包括三层或更多层的层叠膜结构。可选择地，可以使用层叠四层或更多层的多层膜结构。并且，将具有包括电极层和上金属层的两层结构的栅电极层的情形作为实例进行了描述，但栅电极层的结构不限于此，栅电极层可以具有包括三层或更多层的多层膜结构。
此外，在上述实施方式中，作为实例描述了在形成保护膜16之后，去除保护膜16的对应于区域10A的部分，然后形成像素间绝缘膜的情形，但保护膜16的图案化过程不限于此。例如，在基板10的整个表面上形成保护膜16之后，可以形成像素间绝缘膜，在像素间绝缘膜中形成开口之后，可以去除保护膜16的对应于区域10A的部分。同样在这种情况下，通过使用像素间绝缘膜作为掩膜而进行的蚀刻来选择性地去除保护膜16。
应该理解，对此处所描述的目前优选的实施方式的各种改变和修改对于本领域技术人员来说是显而易见的。可以在不背离本发明的精神和范围以及不减少其期望的优点的情况下，可以进行这种改变和修改。因此，所附权利要求意欲覆盖这种改变和修改。

Claims (40)

1.一种发光元件，包括下电极、包括发光层的有机层、以及上电极，其中所述下电极形成在源-漏电极层或栅电极层中。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述下电极包括下电极材料层和所述下电极材料层上的上金属层。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述上金属层限定了与所述有机层接触的所述下电极材料层上的暴露部分。
4.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述下电极材料层包括从由铝、铝合金、银、以及银合金构成的组中选择的光反射金属，并且其中，所述上金属层包括从由钼和钛构成的组中选择的不透明金属。
5.一种显示器，包括配置在基板上的发光元件，所述发光元件包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极，其中所述下显示电极形成在源-漏电极层或栅电极层中。
6.根据权利要求5所述的显示器，其中，所述下显示电极包括下电极材料层和所述下电极材料层上的上金属层。
7.根据权利要求6所述的显示器，其中，所述上金属层限定了与所述有机层接触的所述下电极材料层上的暴露部分。
8.根据权利要求6所述的显示器，其中，所述下电极材料层包括从由铝、铝合金、银、以及银合金构成的组中选择的光反射金属，并且其中，所述上金属层包括从由钼和钛构成的组中选择的不透明金属。
9.一种显示元件，包括：
发光元件，配置在基板上且包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极；以及
驱动元件，配置在所述基板上且包括栅电极层和源-漏电极层，其中所述栅电极层或所述源-漏电极层对于所述驱动元件和所述发光元件是公共的，并且其中，所述发光元件的所述下显示电极形成在所述栅电极层或所述源-漏电极层中。
10.根据权利要求9所述的显示元件，其中，所述下显示电极包括下电极材料层和所述下电极材料层上的上金属层。
11.根据权利要求10所述的显示元件，其中，所述上金属层限定了与所述有机层接触的所述下电极材料层上的暴露部分。
12.根据权利要求10所述的显示元件，其中，所述下电极材料层包括从由铝、铝合金、银、以及银合金构成的组中选择的光反射金属，并且其中，所述上金属层包括从由钼和钛构成的组中选择的不透明金属。
13.根据权利要求9所述的显示元件，其中，所述驱动元件包括底栅结构。
14.根据权利要求9所述的显示元件，其中，所述驱动元件包括顶栅结构。
15.一种显示器，包括显示元件，所述显示元件包括：
发光元件，配置在基板上且包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极；以及
驱动元件，配置在所述基板上且包括栅电极层和源-漏电极层，其中所述栅电极层或所述源-漏电极层对于所述驱动元件和所述发光元件是公共的，并且其中，所述发光元件的所述下显示电极形成在所述栅电极层或所述源-漏电极层中。
16.根据权利要求15所述的显示器，其中，所述下显示电极包括下电极材料层和所述下电极材料层上的上金属层。
17.根据权利要求16所述的显示器，其中，所述上金属层限定了与所述有机层接触的所述下电极材料层上的暴露部分。
18.根据权利要求16所述的显示器，其中，所述下电极材料层包括从由铝、铝合金、银、以及银合金构成的组中选择的光反射金属，并且其中，所述上金属层包括从由钼和钛构成的组中选择的不透明金属。
19.根据权利要求15所述的显示器，其中，所述驱动元件包括底栅结构。
20.根据权利要求15所述的显示器，其中，所述驱动元件包括顶栅结构。
21.一种显示元件的制造方法，包括：
在基板上形成发光元件，所述发光元件包括下显示电极、包括发光层的有机层、以及上显示电极；以及
在所述基板上形成驱动元件，所述驱动元件包括栅电极层和源-漏电极层，其中所述栅电极层或所述源-漏电极层对于所述驱动元件和所述发光元件是公共的，并且其中，在所述栅电极层或所述源-漏电极层中形成所述发光元件的所述下显示电极。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述下显示电极包括下电极材料层和所述下电极材料层上的上金属层。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述上金属层限定了与所述有机层接触的所述下电极材料层上的暴露部分。
24.根据权利要求22所述的方法，其中，所述下电极材料层包括从由铝、铝合金、银、以及银合金构成的组中选择的光反射金属，并且其中，所述上金属层包括从由钼和钛构成的组中选择的不透明金属。
25.根据权利要求21所述的方法，其中，所述驱动元件包括底栅结构。
26.根据权利要求21所述的方法，其中，所述驱动元件包括顶栅结构。
27.一种显示器的制造方法，包括：
在基板上形成半导体层，其中所述基板包括与发光元件形成区域相关联的第一区域和与驱动元件形成区域相关联的第二区域，其中，所述半导体层包括沟道，且在所述第二区域中形成所述半导体层和栅电极层；
在形成所述半导体层和所述栅电极层之后，在所述第一区域和所述第二区域中形成包括电极层的源-漏电极层；
在所述源-漏电极层上形成在所述第一区域中具有开口的像素间绝缘膜；
在形成所述像素间绝缘膜之后，选择性地去除所述源-漏电极层的在所述第一区域中的一部分；以及
在去除所述源-漏电极层的所述一部分之后，在所述第一区域中暴露的所述电极层上形成包括发光层的有机层和上显示电极。
28.根据权利要求27所述的显示器的制造方法，其中，在所述基板上的所述第二区域中顺序形成所述栅电极层、栅绝缘膜、以及所述半导体层。
29.根据权利要求27所述的显示器的制造方法，其中，在所述基板上的所述第二区域中顺序形成所述半导体层、栅绝缘膜、以及所述栅电极层。
30.根据权利要求27所述的显示器的制造方法，其中，所述源-漏电极层包括在所述半导体层上顺序形成的下金属层、所述电极层、以及上金属层。
31.根据权利要求30所述的显示器的制造方法，其中，所述电极层包括从由铝、铝合金、银、以及银合金构成的组中选择的光反射金属，并且其中，所述上金属层和所述下金属层包括从由钼和钛构成的组中选择的不透明金属材料。
32.根据权利要求30所述的显示器的制造方法，其中，经由所述第一区域中的所述像素间绝缘膜的所述开口通过蚀刻选择性地去除所述上金属层的一部分。
33.一种显示器的制造方法，包括：
在基板上形成半导体层，其中所述基板包括与发光元件形成区域相关联的第一区域和与驱动元件形成区域相关联的第二区域，其中，所述半导体层包括沟道，且在所述第二区域中形成所述半导体层；
在所述第一区域和所述第二区域中形成包括电极层的栅电极层；
在形成所述半导体层和所述栅电极层之后，形成源-漏电极层；
在形成所述源-漏电极层之后，在所述基板上形成在所述第一区域中具有开口的像素间绝缘膜；
在形成所述像素间绝缘膜之后，选择性地去除所述栅电极层的在所述第一区域中的一部分；以及
在去除所述栅电极层的所述一部分之后，在所述第一区域中暴露的所述电极层上形成包括发光层的有机层和上显示电极。
34.根据权利要求33所述的显示器的制造方法，其中，
在所述基板上的所述第一和第二区域中形成所述栅电极层之后，在所述第二区域中顺序形成栅绝缘膜和所述半导体层。
35.根据权利要求33所述的显示器的制造方法，其中，
在所述基板上的所述第二区域中顺序形成所述半导体层和栅绝缘膜之后，在所述第一和第二区域中形成所述栅电极层。
36.根据权利要求33所述的显示器的制造方法，其中，所述栅电极层包括所述电极层和所述电极层上的上金属层。
37.根据权利要求36所述的显示器的制造方法，其中，所述电极层包括从由铝、铝合金、银、以及银合金构成的组中选择的光反射金属，并且其中，所述上金属层包括从由钼和钛构成的组中选择的不透明金属。
38.根据权利要求36所述的显示器的制造方法，其中，经由所述第一区域中的所述像素间绝缘膜的所述开口通过蚀刻选择性地去除所述上金属层的一部分。
39.一种电子设备，包括根据权利要求5所述的显示器。
40.一种电子设备，包括根据权利要求15所述的显示器。
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