JP5117001B2 - 有機el表示装置 - Google Patents
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Description
(2)前記SD配線は複数の層からなり、最上層は透明導電膜で形成されていることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(3)前記SD配線の最上層となる透明導電膜はITO、IZO、WO3、またはMoO3であることを特徴とする(2)に記載の有機EL表示装置
(4)前記SD配線は複数の層からなり、最上層はTiまたはTiNで形成されていることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(5)前記SD配線の前記半導体層と接する層はMo、W、Ta、Tiまたはこれらのひとつの金属を有する合金であることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(6)前記SD配線の光を反射する金属または金属合金の層はAlまたはAl―Siの合金であることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(8)前記ゲート電極は、Mo、W、Ta、Tiまたはこれらのひとつの金属を有する合金であることを特徴とする(7)に記載の有機EL表示装置。
(9)前記ゲート電極は複数の層からなり、最上層はTi、TiN、ITO、IZOのいずれかで形成されていることを特徴とする(7)に記載の有機EL表示装置。
(11)前記SD配線の最上層はITO、IZO、WO3、またはMoO3で形成され、ITO、IZO、WO3、またはMoO3は前記有機EL層の下部電極を構成しないことを特徴とする(10)に記載の有機EL表示装置。
(12)前記SD配線は複数の層からなり、最上層はTiまたはTiNで形成されていることを特徴とする(10)に記載の有機EL表示装置。
(13)前記SD配線の前記半導体層と接する層はMo、W、Ta、Tiまたはこれらのひとつの金属を有する合金であることを特徴とする(10)に記載の有機EL表示装置。
(14)前記SD配線の光を反射する金属または金属合金の層はAlまたはAl―Siの合金であることを特徴とする(10)に記載の有機EL表示装置。
手段(2)によれば、手段(1)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定な透明導電膜で形成されているので、端子部の信頼性を保つことができる。
手段(3)によれば、手段(1)の効果に加え、端子部の最上層は、化学的に安定で、容易に入手可能な、ITO、IZO、WO3、またはMoO3を用いるので、端子部の信頼性を保つとともに、製造コストを抑制できる。
手段(4)によれば、手段(1)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定な、TiまたはTiNで形成されているので、端子部の信頼性を保つことができる。
手段(5)によれば、手段(1)の効果に加え、SD配線が半導体層と接する面は半導体層の汚染をしない金属であるため、TFTの動作を安定化できる。
手段(6)によれば、手段(1)の効果に加え、SD配線の反射金属として、AlまたはAl−Si合金等を使用するので、配線としては電気抵抗が小さく、有機EL層の下部電極としては反射率の高い金属を使用することができ、有機EL表示装置として高い性能を発揮できる。
手段(8)によれば、手段(1)の効果に加え、ゲート電極は高融点の金属であり、TFTの他の層を汚染することが無い。また、ゲート端子の金属として使用しても安定である。
手段(9)によれば、手段(1)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定なTi、TiN、ITO、IZOのいずれかで形成されているので、端子部の信頼性を保つことができる。
手段(11)によれば、手段(10)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定な金属酸化物を使用するので、端子部の安定性を向上することができる。
手段(12)によれば、手段(10)の効果に加え、端子部の最上層は化学的に安定なTiまたはTiNを使用するので、端子部の安定性を向上することができる。
手段(13)によれば、手段(10)の効果に加え、SD配線が半導体層と接する面は半導体層を汚染しない金属であるため、TFTの動作を安定化できる。
手段(14)によれば、手段(10)の効果に加え、SD配線の反射金属として、AlまたはAl−Si合金を使用するので、配線としては電気抵抗が小さく、有機EL層の下部電極としては反射率の高い金属を使用することができ、有機EL表示装置として高い性能を発揮できる。
手段(15)によれば、手段(10)の効果に加え、有機EL層の下部電極として、陰極として優れた特性と持つAlまたはAl−Si合金層等を使用するので、有機EL表示装置として高い性能を発揮できる。
Claims (2)
- 陽極となる上部電極と陰極となる下部電極との間に有機EL層が形成され、前記有機EL層に電流を流すことによる発光を利用する有機EL表示装置であって、基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を有するTFTが形成され、前記TFTを覆って、層間絶縁膜が形成され、SD配線は前記TFTの半導体層と接続するとともに、前記SD配線は前記層間絶縁膜上に延在して前記有機EL層の前記下部電極となり、前記SD配線は光を反射する金属または金属合金の層を含み、前記上部電極は透明電極からなり、前記基板上には前記TFT、前記上部電極と接続する端子部が形成され、
前記端子部周辺はパッシベーション膜によって保護され、
前記SD配線は複数の層からなり、
前記SD配線は端子部において、最上層は、ITO、IZO、WO3、またはMoO3のいずれかで形成され、
前記端子部周辺において、前記最上層を形成するITO、IZO、WO3、またはMoO3は、前記SD配線の他の層と直接積層された状態で、前記パッシベーション膜で覆われていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 陽極となる上部電極と陰極となる下部電極との間に有機EL層が形成され、前記有機EL層に電流を流すことによる発光を利用する有機EL表示装置であって、基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を有するTFTが形成され、前記TFTを覆って、層間絶縁膜が形成され、SD配線は前記TFTの半導体層と接続するとともに、前記層間絶縁膜上に延在して前記有機EL層の前記下部電極となり、前記SD配線は光を反射する金属または金属合金の層を含み、前記上部電極は透明電極からなり、前記基板上には前記TFT、前記上部電極と接続する端子部が形成され、前記端子部は前記ゲート電極と同じ層で形成されており、
前記端子部周辺はパッシベーション膜によって保護され、
前記ゲート電極は複数の層からなり、最上層はTi、TiN、ITO、IZOのいずれかで形成され、
前記端子部周辺において、前記最上層を形成するTi、TiN、ITO、IZOは、前記ゲート電極の他の層と直接積層された状態で、前記パッシベーション膜で覆われていることを特徴とする有機EL表示装置。
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