JP2003317971A - 発光装置およびその作製方法 - Google Patents

発光装置およびその作製方法

Info

Publication number
JP2003317971A
JP2003317971A JP2002125970A JP2002125970A JP2003317971A JP 2003317971 A JP2003317971 A JP 2003317971A JP 2002125970 A JP2002125970 A JP 2002125970A JP 2002125970 A JP2002125970 A JP 2002125970A JP 2003317971 A JP2003317971 A JP 2003317971A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
light
emitting device
light emitting
organic compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002125970A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003317971A5 (ja
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Tetsushi Seo
哲史 瀬尾
Hideaki Kuwabara
秀明 桑原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2002125970A priority Critical patent/JP2003317971A/ja
Priority to US10/422,380 priority patent/US7402948B2/en
Publication of JP2003317971A publication Critical patent/JP2003317971A/ja
Publication of JP2003317971A5 publication Critical patent/JP2003317971A5/ja
Priority to US12/157,594 priority patent/US8044580B2/en
Priority to US13/279,478 priority patent/US8497628B2/en
Priority to US13/952,863 priority patent/US8803418B2/en
Priority to US14/456,261 priority patent/US9412804B2/en
Priority to US15/226,251 priority patent/US9853098B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機化合物層において生じた光の全てが透明
電極である陰極からＴＦＴの方へ取り出されるわけでは
なく、例えば、横方向（基板面と平行な方向）にも発光
されるが、結果的にこの横方向に発光する光は取り出さ
れないため、ロスになっていた。そこで、本発明は、発
光素子において、ある一方向に取り出す発光量を増加さ
せる構造とした発光装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明は、第１の電極１８の端部を覆う
絶縁物１９の上端部に曲率半径を有する曲面を形成し、
該曲面に合わせて第２の電極２３ａに中央部から端部に
向かって斜面が形成される。第２の電極２３ａ上に形成
された有機化合物層２０からの発光を第２の電極２３ａ
の斜面で反射させて、図１（Ａ）中に示した矢印方向に
おけるトータルの光の取り出し量を増加させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極間に有
機化合物を含む膜（以下、「有機化合物を含む層」と記
す）を設けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光
が得られる発光素子を用いた発光装置及びその作製方法
に関する。なお、本明細書中における発光装置とは、画
像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装
置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えば
FPC（Flexible printed circuit）もしくはTAB（Tape A
utomated Bonding）テープもしくはTCP（Tape Carrier
Package）が取り付けられたモジュール、TABテープやTC
Pの先にプリント配線板が設けられたモジュール、また
は発光素子にCOG（Chip On Glass）方式によりIC（集積
回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含
むものとする。
【０００２】
【従来の技術】薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動
などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発
光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応
用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に
配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、
視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えら
れている。
【０００３】発光素子の発光機構は、一対の電極間に有
機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極か
ら注入された電子および陽極から注入された正孔が有機
化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成
し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを
放出して発光するといわれている。励起状態には一重項
励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を
経ても可能であると考えられている。
【０００４】このような発光素子をマトリクス状に配置
して形成された発光装置には、パッシブマトリクス駆動
（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（ア
クティブマトリクス型）といった駆動方法を用いること
が可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画
素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアク
ティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利で
あると考えられている。
【０００５】また、発光素子の中心とも言える有機化合
物層（厳密には発光層）となる有機化合物は、低分子系
材料と高分子系（ポリマー系）材料とがそれぞれ研究さ
れているが、低分子系材料よりも取り扱いが容易で耐熱
性の高い高分子系材料が注目されている。
【０００６】また、これまでアクティブマトリクス型の
発光装置において、基板上のＴＦＴと電気的に接続され
た電極が陽極として形成され、陽極上に有機化合物層が
形成され、有機化合物層上に陰極が形成される発光素子
を有し、有機化合物層において生じた光を透明電極であ
る陽極からＴＦＴの方へ取り出すという構造であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明では、
基板上のＴＦＴと電気的に接続されたＴＦＴ側の電極を
陽極として形成し、陽極上に有機化合物を含む層を形成
し、有機化合物を含む層上に光を通過する電極である陰
極を形成するという構造（以下、上面出射構造とよぶ）
の発光素子を有するアクティブマトリクス型の発光装置
を作製する。或いは、第１の電極を陰極として形成し、
陰極上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含
む層上に発光を透過する第２の電極からなる陽極を形成
するという構造の発光素子を有するアクティブマトリク
ス型の発光装置を作製する。
【０００８】また、有機化合物を含む層において生じた
光の全てが透明電極である陰極を通過して観察者の方へ
取り出されるわけではなく、例えば、横方向（基板面と
平行な方向）にも発光されるが、結果的にこの横方向に
発光する光は取り出されないため、ロスになっていた。
そこで、本発明は、発光素子において、ある一方向に取
り出す発光量を増加させる構造の発光装置およびその作
製方法を提供することを課題とする。
【０００９】また、上面出射構造において、透明電極の
膜抵抗が高くなるという問題が生じる。特に、透明電極
の膜厚を薄くした場合、さらに膜抵抗が高くなってしま
う。陽極または陰極となる透明電極の膜抵抗が高くなる
と電圧降下により面内電位分布が不均一になり、発光素
子の輝度にバラツキを生じるといった不具合が生じる。
そこで、本発明は、発光素子における透明電極の膜抵抗
を低下させる構造の発光装置およびその作製方法を提供
することを課題とする。そして、そのような発光装置を
表示部として用いる電気器具を提供することを課題とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の電極を
形成し、該第１の電極の端部を覆う絶縁物（バンク、隔
壁と呼ばれる）を形成した後、絶縁物の曲面となってい
る側面に接する第２の電極を形成し、凹部形状である第
２の電極上に有機化合物を含む層、および陰極を形成す
る。第２の電極は陽極として機能するとともに横方向の
発光を反射させて、ある一方向（陰極を通過する方向）
に取り出す発光量を増加させるものである。
【００１１】従って、斜面となる部分を有する第２の電
極の最表面は、光を反射する金属、例えばアルミニウ
ム、銀などを主成分とする材料とすることが好ましく、
有機化合物を含む層と接する中央部は、仕事関数の大き
い陽極材料、或いは、仕事関数の小さい陰極材料とする
ことが好ましい。
【００１２】さらに本発明は、第２の電極の形成と同時
に配線（補助配線）を各画素電極間に配置する絶縁物上
に形成し、陰極となる透明電極の膜抵抗の低抵抗化を図
るというものである。また、上記補助配線を用いて引き
出し配線を形成し、下層に存在する他の配線と接続を行
うことも本発明の特徴としている。
【００１３】本明細書で開示する作製方法に関する発明
の構成１は、絶縁表面を有する基板上に、薄膜トランジ
スタのソース領域またはドレイン領域と接続された第１
の電極と、該第１の電極の端部を覆う絶縁物と、該絶縁
物の側面または側面の一部を覆い、且つ、前記第１の電
極と接する第２の電極と、該第２の電極上に接する有機
化合物を含む層と、該層上に接する第３の電極とを有す
る発光素子を複数有することを特徴とする発光装置であ
る。
【００１４】さらに、上記構成において、上部電極（第
３の電極）を低抵抗化するために第２の電極と同時に補
助電極を形成することが好ましい。
【００１５】また、他の発明の構成２は、絶縁表面を有
する基板上に、薄膜トランジスタのソース領域またはド
レイン領域と接続された第１の電極と、該第１の電極の
端部を覆う絶縁物と、該絶縁物の側面または側面の一部
を覆い、且つ、前記第１の電極と接する第２の電極と、
該第２の電極上に接する有機化合物を含む層と、該層上
に接する第３の電極と、前記絶縁物上に前記第３の電極
と接し、同一電位となる補助電極とを有する発光素子を
複数有し、前記補助電極は、前記第２の電極と同一材料
であることを特徴とする発光装置である。
【００１６】また、上記各構成において、前記第１の電
極および前記第２の電極は、同一電位であって、陽極、
または陰極であることを特徴としている。
【００１７】また、上記各構成において、前記第２の電
極は、中央部から端部に向かうにつれて曲面を一部有す
る凹部形状となっており、前記有機化合物を含む層から
の発光を反射することを特徴としている。
【００１８】また、上記各構成において、前記第２の電
極の中央部は、前記第１の電極と接しており、前記第１
の電極の端部と前記第２の電極の端部との間には、前記
絶縁物を有していることを特徴としている。
【００１９】また、上記各構成において、前記第３の電
極は光を透過する導電膜であることを特徴としている。
【００２０】また、本発明は、塗布法により高分子から
なる有機化合物膜を形成する際、カバレッジ不良などを
無くすため、各画素間に設けられる絶縁物（バンク、隔
壁、障壁、土手などと呼ばれる）の形状に工夫を加え
る。上記各構成において、前記絶縁物の上端部に第１の
曲率半径を有する曲面を有し、前記絶縁物の下端部に第
２の曲率半径を有する曲面を有しており、前記第１の曲
率半径および前記第２の曲率半径は、０．２μｍ〜３μ
ｍであることを特徴としている。また、前記絶縁物のテ
ーパー角度は、３５°〜５５°とすればよい。
【００２１】曲率を持たせることによって段差被覆性を
良好とし、後に形成する有機化合物を含む層などが極め
て薄くとも成膜を可能とする。
【００２２】また、上記各構成において、前記第２の電
極は、前記第２の電極の中央部に向かう傾斜面を有し、
傾斜角度（テーパー角度とも呼ぶ）は、３０°を超え、
７０°未満、さらに好ましくは６０°未満であることを
特徴としている。なお、この前記第２の電極の傾斜面で
反射された光が層間で分散したり、迷光とならないよう
に適宜、傾斜角度、有機化合物層の材料および膜厚、ま
たは第３の電極の材料および膜厚を設定することが必要
である。
【００２３】また、上記各構成において、前記第３の電
極は光を透過する導電膜、例えば薄い金属膜、透明導電
膜、またはこれらの積層膜であることを特徴としてい
る。
【００２４】また、前記第２の電極の段差部分（傾斜部
の上端部）と絶縁物の側面とはほぼ一致しており、段差
被覆性の点から好ましくは、第２の電極の斜面における
傾斜角度と絶縁物の側面における傾斜角度とが同一であ
ることが望ましい。
【００２５】また、上記各構成において、前記第２の電
極は陽極であり、前記第３の電極は陰極であることを特
徴としている。或いは、上記各構成において、前記第２
の電極は陰極であり、前記第３の電極は陽極であること
を特徴としている。
【００２６】また、上記各構成において、前記有機化合
物を含む層は白色発光する材料であり、封止材に設けら
れたカラーフィルタと組み合わせたことを特徴とする発
光装置、或いは、前記有機化合物を含む層は単色発光す
る材料であり、封止材に設けられた色変換層または着色
層と組み合わせたことを特徴としている。
【００２７】また、上記各構成１、２を実現するための
発明の構成は、陽極と、該陽極に接する有機化合物を含
む層と、該有機化合物を含む層に接する陰極とを有する
発光素子を有する発光装置の作製方法であって、薄膜ト
ランジスタのソース領域またはドレイン領域と接続する
第１の電極の端部を覆う絶縁物を形成する工程と、前記
絶縁物の側面および第１の電極に接する第２の電極と、
前記絶縁物上に補助電極とを形成する工程と、前記第１
の電極と接している第２の電極の領域および前記第２の
電極の斜面に接する有機化合物を含む膜を形成する工程
と、該有機化合物を含む膜上に、光を透過する金属薄膜
からなる第３の電極を形成する工程とを有することを特
徴とする発光装置の作製方法である。
【００２８】また、上記作製方法に関する構成におい
て、前記第２の電極は陽極であり、前記第３の電極より
も仕事関数が大きい金属層からなることを特徴としてい
る。また、上記作製方法に関する構成において、前記第
２の電極は、アルミニウムを含む第１の金属層と、窒化
チタンまたは窒化タングステンを含む第２の金属層との
積層であることを特徴としている。窒化チタンまたは窒
化タングステンを陽極として使用する際には、仕事関数
を大きくするためにＵＶ照射などの処理を行うことが好
ましい。
【００２９】また、上記作製方法に関する構成におい
て、前記第２の電極は、前記第２の電極の中央部に向か
う傾斜面を有し、傾斜角度は、３０°を超え、７０°未
満であることを特徴としている。
【００３０】また、上記作製方法に関する構成におい
て、前記第１の電極の端部を覆う絶縁物は、上端部に曲
率半径を有する曲面を有しており、前記曲率半径は、
０．２μｍ〜３μｍであることを特徴としている。
【００３１】なお、ＥＬ素子は、電場を加えることで発
生するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得ら
れる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽
極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセ
ンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光
（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光
（リン光）とがあるが、本発明の製造装置および成膜方
法により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた
場合にも適用可能である。
【００３２】ＥＬ層を有する発光素子（ＥＬ素子）は一
対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、Ｅ
Ｌ層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダ
ック・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した
「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が
挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、
研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採
用している。
【００３３】また、他にも陽極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する
構造も良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピング
しても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料
を用いて形成しても良いし、全て高分子系の材料を用い
て形成しても良い。なお、本明細書において、陰極と陽
極との間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層とい
う。したがって、上記正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、電子輸送層及び電子注入層は、全てＥＬ層に含まれ
る。
【００３４】また、本発明の発光装置において、画面表
示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方
法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよ
い。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動
方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発
光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号
であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適
宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよ
い。
【００３５】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、以下
に説明する。
【００３６】アクティブマトリクス型発光装置の断面図
（１画素の一部）を図１（Ａ）に示す。ここでは、白色
発光する高分子材料からなる有機化合物を含む層を発光
層に用いた発光素子を一例として説明する。
【００３７】図１（Ａ）中、絶縁表面を有する基板１０
上に設けられたTFT（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、白色を発光
するＥＬ層２０に流れる電流を制御する素子であり、１
３、１４はソース領域またはドレイン領域である。基板
１０上には下地絶縁膜１１（ここでは、下層を窒化絶縁
膜、上層を酸化絶縁膜）が形成されており、ゲート電極
１５と活性層との間には、ゲート絶縁膜１２が設けられ
ている。
【００３８】なお、絶縁表面を有する基板１０としては
ガラス基板、石英基板、プラスチック基板などが挙げら
れるが、ＥＬ素子の放熱のために半導体基板を用いても
よい。
【００３９】また、１６ａは窒化珪素膜、窒化酸化珪素
膜からなる層間絶縁膜であり、１６ｂは塗布法で形成さ
れる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、ア
クリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまた
はベンゾシクロブテン）からなる平坦化絶縁膜、または
無機材料からなる平坦化絶縁膜（塗布シリコン酸化膜、
ＰＳＧ（リン添加ガラス、ＢＰＳＧ（ボロンとリンを添
加したガラス）などを含む）、またはこれらの積層膜を
用いる。
【００４０】また、ここでは図示しないが、一つの画素
には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャ
ネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、
ここでは、一つのチャネル形成領域を有するＴＦＴを示
したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦ
Ｔとしてもよい。
【００４１】また、１８は、薄膜トランジスタのソース
領域またはドレイン領域と接続する第１の電極である。
ここでは、１８としてチタン膜と、窒化チタン膜と、ア
ルミニウムを主成分とする膜と、窒化チタン膜とを順に
積層させる。なお、同じ積層構造で電源供給線１７も形
成される。上記積層構造は、アルミニウムを主成分とす
る膜を含んでおり、低抵抗な配線とすることができ、ソ
ース配線２２なども同時に形成される。
【００４２】また、第１の電極１８の両端部およびそれ
らの間は絶縁物１９（障壁またはバンクとも呼ばれる）
で覆われている。本発明において、この絶縁物１９の断
面形状が重要である。絶縁物１９の上端部において曲面
を有していない場合、絶縁物１９の上端部において凸部
が形成されてしまう成膜不良が発生しやすくなる。そこ
で、本発明は、絶縁物１９の上端部に曲率半径を有する
曲面を形成する。なお、曲率半径は、０．２μｍ〜３μ
ｍとすることが好ましい。本発明により、絶縁物の形成
後に成膜される有機化合物膜や金属膜のカバレッジを良
好とすることができる。また、絶縁物１９の側面におけ
るテーパー角度は、４５°±１０°とすればよい。
【００４３】また、２３ａは導電膜からなる第２の電
極、即ち、ＯＬＥＤの陽極（或いは陰極）であり、２１
は、導電膜からなる第３の電極、即ち、ＯＬＥＤの陰極
（或いは陽極）である。
【００４４】また、曲率半径を有する曲面を備えた絶縁
物１９を形成した後に第２の電極２３ａ、補助電極２３
ｂを形成する。絶縁物１９の曲面に沿って第２の電極１
８の凹部形状が形成される。曲面に合わせて第２の電極
に斜面が形成される。また、第２の電極１８ｂの底部表
面を平坦化する処理を行ってもよい。なお、第２の電極
１８の曲率半径は、０．２μｍ〜３μｍとすることが好
ましい。本発明により、第２の電極の形成後に成膜され
る有機化合物膜や金属膜のカバレッジを良好とすること
ができる。また、第２の電極１８の斜面におけるテーパ
ー角度は、絶縁物１９とともに４５°±１０°とすれば
よい。
【００４５】本発明において、有機化合物層２０からの
発光を第２の電極１８の斜面で反射させて、図１（Ａ）
中に示した矢印方向におけるトータルの光の取り出し量
を増加させることを特徴としている。
【００４６】ここでは、第２の電極２３ａとしてアルミ
ニウムを主成分とする膜と、窒化チタン膜とを順に積層
し、有機化合物を含む層２０に接する２３ａの最上層を
陽極として機能させる。さらに、有機化合物を含む層２
０で発光する光を反射する材料層を第２の電極２３ａに
用いる。ここでは、窒化チタン膜を１００ｎｍ以下に薄
くしてアルミニウムを主成分とする膜で発光を反射させ
る。なお、同じ積層構造で補助電極２３ｂも形成され
る。また、ここでは補助電極２３ｂは、導電膜（陰極）
２１の低抵抗化を図るために設けているが、導電膜（陰
極）２１の電気抵抗値が十分低くければ特に設けなくと
もよい。
【００４７】また、白色発光を得るため、有機化合物を
含む層２０として、正孔注入層として作用するポリ（エ
チレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン
酸）水溶液（PEDOT／PSS）を全面に塗布、焼成した後、
発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−
テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−
ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルア
ミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイル
レッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバ
ゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成する。なお、
PEDOT／PSSは溶媒に水を用いており、有機溶剤には溶け
ない。従って、ＰＶＫをその上から塗布する場合にも、
再溶解する心配はない。また、PEDOT／PSSとＰＶＫは溶
媒が異なるため、成膜室は同一のものを使用しないこと
が好ましい。また、有機化合物を含む層２０を単層とす
ることもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール
（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾー
ル誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗ
ｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素
（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適
当量分散することで白色発光が得られる。
【００４８】また、赤色発光する有機化合物を含む膜や
緑色発光する有機化合物を含む膜や青色発光する有機化
合物を含む膜を適宜選択し、重ねて混色させることによ
って全体として白色発光を得ることも可能である。
【００４９】また、ここでは発光素子が白色発光する例
を示したが、特に限定されず、それぞれ画素毎に赤色発
光する有機化合物を含む膜や緑色発光する有機化合物を
含む膜や青色発光する有機化合物を含む膜を適宜、選択
的に形成してフルカラー化を実現してもよい。
【００５０】また、図１（Ｂ）に有機化合物を含む層２
０と導電膜２１の界面付近の拡大模式図を示す。ここで
は、陰極バッファ層２１ｃと導電膜２１ｂとの積層を陰
極と呼ぶ。陰極バッファ層２１ｃとして仕事関数の小さ
い薄膜、例えばＬｉＦやＣａＦ 2を蒸着法で膜厚１ｎｍ
〜１０ｎｍ形成した後、最後に２１ａとしてアルミニウ
ムを主成分とする膜（Ａｌ膜、ＡｌＬｉ膜、ＡｌＭｇ膜
など）をスパッタ法または蒸着法により約１０ｎｍの膜
厚で形成し、陰極として機能させる。陰極は、有機化合
物を含む層２０からの光を通過する膜厚、材料を適宜選
択することが必要である。なお、本明細書中、陰極と
は、仕事関数の小さい材料膜の単層膜だけでなく、仕事
関数の小さい材料薄膜と導電膜との積層膜を含むものと
する。
【００５１】第３の電極２１としてアルミニウムを主成
分とする膜（Ａｌ膜）を用いる構成とすると、有機化合
物を含む層２０と接する材料を酸化物以外の材料で形成
することが可能となり、発光装置の信頼性を向上させる
ことができる。なお、Ａｌ膜に代えて、第３の電極２１
として透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合
金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―Ｚｎ
Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いてもよい。また、
第３の電極２１として薄い金属層（代表的にはＭｇＡ
ｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉなどの合金）と透明導電膜の積
層としてもよい。
【００５２】また、第３の電極２１としてアルミニウム
を主成分とする膜（Ａｌ膜）を用いた場合、特にその上
に酸素を含む保護膜を形成する際、図１（Ｂ）に示すよ
うに表面に酸化膜２１ｂが形成されやすくなるが、この
酸化膜２１ｂは、導電膜２１全体の透光率を向上させる
とともに劣化の原因となる水分や酸素の侵入をブロック
することができる。また、何らかの原因により、微小な
穴（ピンホールとも呼ばれる）が導電膜２１に形成され
た場合、図１（Ｃ）に示すように酸素と反応すると体積
が増えて微小な穴を塞ぐことができ、ＥＬ層への水分や
酸素の侵入をブロックすることができる。
【００５３】また、図示しないが、発光装置の信頼性を
高めるために第３の電極２１上に保護膜を形成すること
が好ましい。この保護膜はスパッタ法（ＤＣ方式やＲＦ
方式）により得られる窒化珪素または窒化酸化珪素を主
成分とする絶縁膜、または炭素を主成分とする薄膜であ
る。シリコンターゲットを用い、窒素とアルゴンを含む
雰囲気で形成すれば、窒化珪素膜が得られる。また、窒
化シリコンターゲットを用いてもよい。また、保護膜
は、リモートプラズマを用いた成膜装置を用いて形成し
てもよい。また、保護膜に発光を通過させるため、保護
膜の膜厚は、可能な限り薄くすることが好ましい。ま
た、導電膜２１としてアルミニウムを主成分とする膜を
用いた場合、保護膜として酸素を含む絶縁膜を用いても
表面に酸化膜が形成され、ＥＬ層への水分や酸素の侵入
をブロックすることができる。
【００５４】本発明において、前記炭素を主成分とする
薄膜は膜厚３〜５０ｎｍのＤＬＣ膜（Diamond like Car
bon）であることを特徴としている。ＤＬＣ膜は短距離
秩序的には炭素間の結合として、ＳＰ3結合をもってい
るが、マクロ的にはアモルファス状の構造となってい
る。ＤＬＣ膜の組成は炭素が７０〜９５原子％、水素が
５〜３０原子％であり、非常に硬く絶縁性に優れてい
る。このようなＤＬＣ膜は、また、水蒸気や酸素などの
ガス透過率が低いという特徴がある。また、微少硬度計
による測定で、１５〜２５ＧＰａの硬度を有することが
知られている。
【００５５】ＤＬＣ膜はプラズマＣＶＤ法（代表的に
は、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ法など）、スパッ
タ法などで形成することができる。いずれの成膜方法を
用いても、密着性良くＤＬＣ膜を形成することができ
る。ＤＬＣ膜は基板をカソードに設置して成膜する。ま
たは、負のバイアスを印加して、イオン衝撃をある程度
利用して緻密で硬質な膜を形成できる。
【００５６】成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭
化水素系のガス（例えばＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ6Ｈ6など）
とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイ
アスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜
する。こうすることにより、緻密で平滑なＤＬＣ膜を得
ることができる。なお、このＤＬＣ膜は、可視光に対し
て透明もしくは半透明な絶縁膜である。
【００５７】本明細書において、可視光に対して透明と
は可視光の透過率が８０〜１００％であることを指し、
可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０〜８０
％であることを指す。
【００５８】また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例
として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用
することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタ
ガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能
である。
【００５９】（実施の形態２）以下に、白色発光素子と
カラーフィルターを組み合わせた方法(以下、カラーフ
ィルター法とよぶ)について図５（Ａ）により説明す
る。
【００６０】カラーフィルター法は、白色発光を示す有
機化合物膜を有する発光素子を形成し、得られた白色発
光をカラーフィルターに通すことで赤、緑、青の発光を
得るという方式である。
【００６１】白色発光を得るためには、様々な方法があ
るが、ここでは塗布により形成可能な高分子材料からな
る発光層を用いる場合について説明する。この場合、発
光層となる高分子材料への色素ドーピングは溶液調整で
行うことができ、複数の色素をドーピングする共蒸着を
行う蒸着法に比べて極めて容易に得ることができる。
【００６２】具体的には、仕事関数の大きい金属（Ｐ
ｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ）からなる陽極
上に、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキ
シチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液
（PEDOT／PSS）を全面に塗布、焼成した後、発光層とし
て作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェ
ニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメ
チレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチ
リル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、ク
マリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（Ｐ
ＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成した後、仕事関数の小さ
い金属（Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｓ）を含む薄膜と、その上に積
層した透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合
金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―Ｚｎ
Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層からなる陰極を
形成する。なお、PEDOT／PSSは溶媒に水を用いており、
有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫをその上から塗
布する場合にも、再溶解する心配はない。また、PEDOT
／PSSとＰＶＫは溶媒が異なるため、成膜室は同一のも
のを使用しないことが好ましい。
【００６３】また、上記例では有機化合物層を積層とし
た例を示したが、有機化合物層を単層とすることもでき
る。例えば、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール
（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾー
ル誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗ
ｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素
（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適
当量分散することで白色発光が得られる。
【００６４】なお、有機化合物膜は、陽極と陰極の間に
形成されており、陽極から注入された正孔と陰極から注
入された電子が有機化合物膜において再結合することに
より、有機化合物膜において、白色発光が得られる。
【００６５】また、赤色発光する有機化合物膜や緑色発
光する有機化合物膜や青色発光する有機化合物膜を適宜
選択し、重ねて混色させることによって全体として白色
発光を得ることも可能である。
【００６６】以上により形成される有機化合物膜は、全
体として白色発光を得ることができる。
【００６７】上記有機化合物膜が白色発光する方向に赤
色発光以外を吸収する着色層（Ｒ）、緑色発光以外を吸
収する着色層（Ｇ）、青色発光以外を吸収する着色層
（Ｂ）をそれぞれ設けたカラーフィルタを形成すること
により、発光素子からの白色発光をそれぞれ分離して、
赤色発光、緑色発光、青色発光として得ることができ
る。また、アクティブマトリクス型の場合には、基板と
カラーフィルターの間にＴＦＴが形成される構造とな
る。
【００６８】また、着色層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）には、最も単
純なストライプパターンをはじめとして、斜めモザイク
配列、三角モザイク配列、ＲＧＢＧ四画素配列、もしく
はＲＧＢＷ四画素配列などを用いることができる。
【００６９】カラーフィルターを構成する着色層は、顔
料を分散した有機感光材料からなるカラーレジストを用
いて形成される。なお、白色発光の色度座標は（x,y）
＝（０．３４、０．３５）である。白色発光とカラーフ
ィルターを組み合わせれば、フルカラーとしての色再現
性は十分確保することができる。
【００７０】なお、この場合には、得られる発光色が異
なっていても、すべて白色発光を示す有機化合物膜で形
成されていることから、発光色ごとに有機化合物膜を塗
り分けて形成する必要がない。また、鏡面反射を防ぐ円
偏光板も特に必要ないものとすることができる。
【００７１】次に青色発光性の有機化合物膜を有する青
色発光素子と蛍光性の色変換層を組み合わせることによ
り実現されるＣＣＭ法（color changing mediums）につ
いて図５（Ｂ）により説明する。
【００７２】ＣＣＭ法は、青色発光素子から出射された
青色発光で蛍光性の色変換層を励起し、それぞれの色変
換層で色変換を行う。具体的には色変換層で青色から赤
色への変換（Ｂ→Ｒ）、色変換層で青色から緑色への変
換（Ｂ→Ｇ）、色変換層で青色から青色への変換（Ｂ→
Ｂ）（なお、青色から青色への変換は行わなくても良
い。）を行い、赤色、緑色及び青色の発光を得るという
ものである。ＣＣＭ法の場合にも、アクティブマトリク
ス型の場合には、基板と色変換層の間にＴＦＴが形成さ
れる構造となる。
【００７３】なお、この場合にも有機化合物膜を塗り分
けて形成する必要がない。また、鏡面反射を防ぐ円偏光
板も特に必要ないものとすることができる。
【００７４】また、ＣＣＭ法を用いる場合には、色変換
層が蛍光性であるため外光により励起され、コントラス
トを低下させる問題があるので、図５（Ｃ）に示したよ
うにカラーフィルターを装着するなどしてコントラスト
を上げるようにすると良い。
【００７５】また、本実施の形態は、実施の形態１と組
み合わせることが可能である。
【００７６】（実施の形態３）ここでは、ＥＬモジュー
ルの全体および乾燥剤の配置に関して図４で説明する。
なお、図４（A）は、ＥＬモジュールの上面図であり、
図４（Ｂ）は、断面図の一部である。
【００７７】無数のＴＦＴが設けられた基板（ＴＦＴ基
板とも呼ぶ）には、表示が行われる画素部４０と、画素
部の各画素を駆動させる駆動回路４１ａ、４１ｂと、Ｅ
Ｌ層上に設けられる電極と引き出し配線とを接続する接
続部と、外部回路と接続するためにＦＰＣを貼り付ける
端子部４２と、乾燥剤４４とが設けられている。また、
図４（Ａ）および図４（Ｂ）では一部と重なるように配
置されているが、図４（Ｃ）に示すように乾燥剤によっ
て駆動回路の全部が隠れるように配置してもよい。ま
た、ＥＬ素子を封止するための基板と、シール材４９と
によって密閉する。また、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）中
における鎖線Ａ−Ａ’で切断した場合の断面図である。
【００７８】画素部４０には規則的に画素が無数に配置
されており、ここでは図示しないが、Ｘ方向にＲ、Ｇ、
Ｂの順で配置されている。
【００７９】また、図４（Ｂ）に示すように、約２〜３
０μｍの間隔が保たれるようにシール材４９によって封
止基板４８が貼りつけられており、全ての発光素子は密
閉されている。封止基板４８にはサンドブラスト法など
によって凹部が形成されており、その凹部に乾燥剤が配
置されている。なお、シール材４９は、駆動回路の一部
と重なるようにして狭額縁化させることが好ましい。シ
ール材４９によって封止基板４８を貼りつける直前には
真空でアニールを行って脱気を行うことが好ましい。ま
た、封止基板４８を貼りつける際には、不活性気体（希
ガスまたは窒素）を含む雰囲気下で行うことが好まし
い。
【００８０】また、本実施の形態は、実施の形態１また
は実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
【００８１】以上の構成でなる本発明について、以下に
示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととす
る。
【００８２】（実施例） ［実施例１］本実施例では、本発明の発光素子の形成手
順の一例を簡略に図２、および図３を用いて以下に説明
する。
【００８３】まず、絶縁表面を有する基板３０上に下地
絶縁膜３１を形成する。
【００８４】下地絶縁膜３１は、１層目としてプラズマ
ＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガ
スとして成膜される酸化窒化シリコン膜を１０〜２００
nm（好ましくは５０〜１００nm）形成する。ここでは、
膜厚５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２
％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成す
る。次いで、下地絶縁膜の２層目としては、プラズマＣ
ＶＤ法を用い、ＳｉＨ4及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜
される酸化窒化シリコン膜を５０〜２００ｎｍ（好まし
くは１００〜１５０nm）の厚さに積層形成する。ここで
は、膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ
＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成す
る。本実施例では下地絶縁膜１０８として２層構造を用
いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた
構造を用いても良い。
【００８５】次いで、下地膜上に半導体層を形成する。
ＴＦＴの活性層となる半導体層は、非晶質構造を有する
半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、ま
たはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結
晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッ
ケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られ
た結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成
する。この半導体層の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましく
は３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜
の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリ
コンゲルマニウム合金などで形成すると良い。
【００８６】また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜
を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザー
を用いることができる。これらのレーザーを用いる場合
には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学
系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良
い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものである
が、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数
３０Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４０
０mJ/cm2(代表的には２００〜３００mJ/cm2)とする。ま
た、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を
用いパルス発振周波数１〜１０ｋＨｚとし、レーザーエ
ネルギー密度を３００〜６００mJ/cm2(代表的には３５
０〜５００mJ/cm2)とすると良い。そして幅１００〜１
０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザ
ー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー
光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％
として行えばよい。
【００８７】次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエ
ッチャントで洗浄し、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形
成する。ゲート絶縁膜はプラズマＣＶＤ法またはスパッ
タ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを
含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ
法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成
比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で
形成する。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化シリコン膜に
限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単
層または積層構造として用いても良い。
【００８８】次いで、ゲート絶縁膜の表面を洗浄した
後、ゲート電極を形成する。
【００８９】次いで、半導体にｐ型を付与する不純物元
素（Ｂなど）、ここではボロンを適宜添加して、ソース
領域及びドレイン領域３２を形成する。添加した後、不
純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、ま
たはレーザー光の照射を行う。また、活性化と同時にゲ
ート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導
体層との界面へのプラズマダメージを回復することがで
きる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面
または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波を照射して
不純物元素を活性化させることは非常に有効である。Ｙ
ＡＧレーザーはメンテナンスが少ないため好ましい活性
化手段である。
【００９０】次いで、ＰＣＶＤ法により窒化珪素膜、窒
化酸化珪素膜からなる層間絶縁膜３３を形成し、塗布法
で形成される感光性または非感光性の有機材料（ポリイ
ミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジ
ストまたはベンゾシクロブテン）からなる平坦化絶縁
膜、または無機材料からなる平坦化絶縁膜（塗布シリコ
ン酸化膜、ＰＳＧ（リン添加ガラス、ＢＰＳＧ（ボロン
とリンを添加したガラス）などを含む）、またはこれら
の積層膜を用いて層間絶縁膜３５を形成する。
【００９１】次いで、水素化を行った後、ソース領域、
またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成す
る。次いで、ソース電極（配線）、第１の電極（ドレイ
ン電極）を形成してＦＥＴ（ｐチャネル型ＦＥＴ）を完
成させる。
【００９２】また、本実施例ではｐチャネル型ＴＦＴを
用いて説明したが、ｐ型不純物元素に代えてｎ型不純物
元素（Ｐ、Ａｓ等）を用いることによってｎチャネル型
ＴＦＴを形成することができることは言うまでもない。
【００９３】また、本実施例ではトップゲート型ＴＦＴ
を例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を
適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆
スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが
可能である。
【００９４】以上の工程で、ＴＦＴ（ここではドレイン
領域３２しか図示しない）、層間絶縁膜３３、３５、第
１の電極３６ａ〜３６ｄを形成する。（図３（Ａ））
【００９５】本実施例では、第１の電極３６ａ〜３６ｄ
は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉXＮY、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、
Ｗ、ＷＳｉX、ＷＮX、ＷＳｉXＮY、Ｔａ、ＴａＮX、Ｔ
ａＳｉXＮY、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、
Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を
主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とす
る膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００
ｎｍの範囲で用いればよい。
【００９６】特に、ドレイン領域３２に接する第１の電
極３６ａは、シリコンとのオーミック接触が形成可能な
材料、代表的にはチタンが好ましく、膜厚１０〜１００
ｎｍの範囲とすればよい。また、第１の電極３６ｃは、
低抵抗な金属材料、代表的にはＡｌまたはＡｇを主成分
とする金属材料が好ましく、膜厚１００〜６００ｎｍの
範囲とすればよい。なお、第１の電極３６ｂは、第１の
電極３６ｃと第１の電極３６ａの合金化を防ぐブロッキ
ング層としても機能している。また、第１の電極３６ｄ
は、第１の電極３６ｃの酸化防止、腐食防止、またはヒ
ロック等の発生を防止する材料、代表的には窒化金属
（ＴｉＮ、ＷＮなど）が好ましく、膜厚２０〜１００ｎ
ｍの範囲とすればよい。
【００９７】また、第１の電極３６ａ〜３６ｄは、他の
配線、例えば、ソース配線３４、電源供給線などと同時
に形成する。
【００９８】次いで、第１の電極の端部（およびドレイ
ン領域３２とのコンタクト部分）を覆う絶縁物（バン
ク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。
（図３（Ｂ））絶縁物としては、無機材料（酸化シリコ
ン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性ま
たは非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリ
アミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシク
ロブテン）、またはこれらの積層などを用いることがで
きるが、本実施例では感光性の有機樹脂を用いる。例え
ば、絶縁物の材料としてポジ型の感光性アクリルを用い
た場合、絶縁物の上端部のみに曲率半径を有する曲面を
持たせることが好ましい。そして、最終的な、絶縁物の
上端部の曲率半径は、０．２μｍ〜３μｍとすることが
好ましい。また、絶縁物として、感光性の光によってエ
ッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によって
エッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用する
ことができる。
【００９９】次いで、第２の電極３６ｅ、３６ｆを形成
する。図３（Ｂ）に示すように、第２の電極は、中央部
が第１の電極に接し、端部が絶縁物３７上、または絶縁
物の側面に位置するように形成する。第２の電極３６
ｅ、３６ｆには、絶縁物３７の側面に沿って傾斜面が形
成される。また、第２の電極の中央部に向かう傾斜面の
角度（傾斜角度、テーパー角度）は、３０°を超え、７
０°未満とし、後に形成する有機化合物を含む層からの
発光を反射させる。
【０１００】本実施例では、第２の電極３６ｅ、３６ｆ
は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉXＮY、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、
Ｗ、ＷＳｉX、ＷＮX、ＷＳｉXＮY、Ｔａ、ＴａＮX、Ｔ
ａＳｉXＮY、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、
Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を
主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とす
る膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００
ｎｍの範囲で用いればよい。本実施例では光反射率の高
い材料膜（Ａｌ膜）３６ｅと仕事関数の大きい金属薄膜
（ＴｉＮ膜）３７ｆとの積層としたが、特に限定され
ず、単層または３層以上の積層としてもよい。
【０１０１】また、後に形成される第３の電極の低抵抗
化を図るため、第２の電極と同時に絶縁物上に補助電極
を形成してもよい。
【０１０２】次いで、有機化合物を含む層３８を蒸着法
または塗布法を用いて選択的に形成する。例えば、蒸着
法を用いる場合、真空度が５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６
６５Ｐａ）以下、好ましくは１０-4〜１０-6Ｐａまで真
空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵
抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシ
ャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化
された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設
けられた開口部を通って基板に蒸着される。蒸着により
積層することによって発光素子全体として白色を示す有
機化合物を含む層を形成する。
【０１０３】例えば、Ａｌｑ3、部分的に赤色発光色素
であるナイルレッドをドープしたＡｌｑ3、Ａｌｑ3、ｐ
−ＥｔＴＡＺ、ＴＰＤ（芳香族ジアミン）を順次積層す
ることで白色を得ることができる。
【０１０４】また、スピンコートを用いた塗布法により
有機化合物を含む層を形成する場合、塗布した後、真空
加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層と
して作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポ
リ（スチレンスルホン酸）水溶液（PEDOT／PSS）を塗
布、焼成し、その後、発光層として作用する発光中心色
素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジ
エン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−
６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン
（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープ
したポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を塗布、焼
成すればよい。
【０１０５】また、上記例では有機化合物層を積層とし
た例を示したが、有機化合物層を単層とすることもでき
る。例えば、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール
（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾー
ル誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗ
ｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素
（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適
当量分散することで白色発光が得られる。また、有機化
合物層として高分子材料からなる層と、低分子材料から
なる層とを積層してもよい。
【０１０６】次いで、仕事関数の小さい金属（ＭｇＡ
ｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＭｇ、ＬｉＦ、ＡｌＬｉ、Ｃａ
Ｆ2、ＣａＮなどの合金、または周期表の１族もしくは
２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形
成した膜）を含む薄膜（陰極バッファ層（ここでは図示
しない）と、その上に薄い導電膜（ここではアルミニウ
ム膜）３９とを蒸着して積層する。（図２（Ｂ））アル
ミニウム膜は水分や酸素をブロッキングする能力が高い
膜であり、発光装置の信頼性を向上させる上で導電膜３
９に好ましい材料である。なお、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’の断面を示している。この積層
膜は、発光を通過するのに十分な薄さを有しており、本
実施例では陰極として機能させる。また、薄い導電膜３
９に代えて、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化
スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―
ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いてもよい。ま
た、導電膜３９として、薄い金属膜と透明導電膜との積
層としてもよい。また、陰極の低抵抗化を図るため、導
電膜３９上に補助電極を設けてもよい。また、陰極形成
の際には蒸着による抵抗加熱法を用い、蒸着マスクを用
いて選択的に形成すればよい。
【０１０７】こうして得られる発光素子は、図２（Ｂ）
中の矢印方向に白色発光を示し、第２の電極３６ｆ、３
６ｅの傾斜面で横方向の発光を反射して矢印方向の発光
量を増加させることができる。
【０１０８】以上の工程で第２の電極（導電膜３９）ま
でを形成した後は、基板３０上に形成された発光素子を
封止するためにシール剤により封止基板（透明基板）を
貼り合わせる。なお、封止基板と発光素子との間隔を確
保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。
そして、シール剤の内側の空間には窒素等の不活性気体
が充填されている。なお、シール剤としてはエポキシ系
樹脂を用いるのが好ましい。また、シール剤はできるだ
け水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
さらに、空間の内部に酸素や水を吸収する効果をもつ物
質（乾燥剤など）を含有させても良い。
【０１０９】以上のようにして発光素子を空間に封入す
ることにより、発光素子を外部から完全に遮断すること
ができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣
化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従っ
て、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０１１０】［実施例２］本実施例では、補助電極を形
成する例を図６〜図８を用いて以下に説明する。
【０１１１】図６（Ａ）は画素の上面図であり、鎖線Ａ
−Ａ’で切断した断面図が図６（Ｂ）である。
【０１１２】本実施例は、絶縁物６７を形成するまでの
工程は、実施例１と同一であるため、ここでは省略す
る。図２（Ｂ）における絶縁物３７が図６（Ｂ）中の絶
縁物６７に対応している。
【０１１３】実施例１に従って、絶縁表面を有する基板
上に下地絶縁膜、ドレイン領域６２、層間絶縁膜６３、
６５、第１の電極６６ａ〜６６ｄ、絶縁物６７を形成す
る。
【０１１４】次いで、一部に曲面を有する第２の電極６
６ｅ、６６ｆを形成する。次いで、有機化合物を含む層
６８を選択的に形成する。本実施例では蒸着マスクを用
いた蒸着法、またはインクジェット法などによって選択
的に有機化合物を含む層６８を形成する。
【０１１５】次いで、絶縁物６７上に第２の電極と同時
に補助電極６０を選択的に形成する。本実施例では、図
６（Ａ）示すようにＹ方向に補助電極６０を配置する例
を示したが、特に限定されず、図７に示すようにＸ方向
に補助電極７０を配置してもよい。なお、図７中に示す
鎖線鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図は図２（Ｂ）と同一
となる。
【０１１６】また、図８に図７と対応するパネルの外観
図を示す。補助電極（補助配線）７０は図８に示すよう
に引き回されており、画素部８２とソース側駆動回路８
３との間の領域で引き回し配線８７と接するように形成
する。なお、図８において、８２は画素部、８３はソー
ス側駆動回路、８４、８５はゲート側駆動回路、８６は
電源供給線である。また、第１の電極と同時に形成され
る配線は、電源供給線８６、引き回し配線８７、ソース
配線である。また、図８においては、ゲート配線と同時
にＦＰＣと接続する端子電極を形成している。
【０１１７】次いで、実施例１と同様に仕事関数の小さ
い金属（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、Ｃ
ａＮなどの合金、または周期表の１族もしくは２族に属
する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した
膜）を含む薄膜と、その上に薄い導電膜（ここではアル
ミニウム膜）６９とを蒸着して積層する。この積層膜
は、発光を通過するのに十分な薄さを有しており、本実
施例では陰極として機能させる。また、薄い導電膜に代
えて、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合
金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―Ｚｎ
Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いてもよい。また、
本実施例では、陰極の低抵抗化を図るため、導電膜６９
と接するように絶縁物６７上に補助電極６０を設ける。
【０１１８】こうして得られる発光素子は、図６（Ｂ）
中の矢印方向に白色発光を示し、第２の電極６６ｅ、６
６ｆの傾斜面で横方向の発光を反射して矢印方向の発光
量を増加させることができる。
【０１１９】また、本実施例は、補助電極６０、７０を
形成することによって、陰極の低抵抗化を図っているた
め、画素部のサイズが大きいものにも適用することがで
きる。
【０１２０】また、本実施例は、実施の形態１乃至３、
実施例１のいずれか一と自由に組み合わせることができ
る。
【０１２１】［実施例３］本実施例では、アクティブマ
トリクス型発光装置全体の外観図について図９に説明す
る。なお、図９（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図９
（Ｂ）は図９（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図であ
る。点線で示された９０１はソース信号線駆動回路、９
０２は画素部、９０３はゲート信号線駆動回路である。
また、９０４は封止基板、９０５はシール剤であり、シ
ール剤９０５で囲まれた内側は、空間９０７になってい
る。また、９３０ａ、９３０ｂはメモリ、ＣＰＵ、Ｄ／
Ａコンバータ等を備えたＩＣチップであり、基板９１０
にＣＯＧ（chip on glass）方法やワイヤボンディング
方法、或いはＴＡＢ（tape automated bonding）方法に
より実装されている。
【０１２２】なお、９０８はソース信号線駆動回路９０
１及びゲート信号線駆動回路９０３に入力される信号を
伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ
（フレキシブルプリントサーキット）９０９からビデオ
信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣ
しか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線
基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書
における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それ
にＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含む
ものとする。
【０１２３】次に、断面構造について図９（Ｂ）を用い
て説明する。基板９１０上には駆動回路及び画素部が形
成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号
線駆動回路９０１と画素部９０２が示されている。
【０１２４】なお、ソース信号線駆動回路９０１はｎチ
ャネル型ＴＦＴ９２３とｐチャネル型ＴＦＴ９２４とを
組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回
路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ
回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本
実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一
体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではな
く外部に形成することもできる。
【０１２５】また、画素部９０２はスイッチング用ＴＦ
Ｔ９１１と、電流制御用ＴＦＴ９１２とそのドレインに
電気的に接続された第１の電極９１３を含む複数の画素
により形成される。
【０１２６】また、第１の電極９１３の両端には絶縁層
９１４が形成され、絶縁層９１４の側面に沿って第２の
電極（陽極）の一部が斜面を有している。この斜面で有
機化合物を含む層９１５で発光した光を反射させて、図
９中に矢印で示す発光方向の発光量を増大させる。
【０１２７】また、第２の電極（陽極）上には有機化合
物を含む層９１５を選択的に形成する。さらに、有機化
合物を含む層９１５上には第３の電極（陰極）９１６が
形成される。これにより、第２の電極（陽極）、有機化
合物を含む層９１５、及び第３の電極（陰極）９１６か
らなる発光素子９１８が形成される。ここでは発光素子
９１８は白色発光とする例であるので着色層９３１とＢ
Ｍ９３２からなるカラーフィルター（簡略化のため、こ
こではオーバーコート層は図示しない）が設けている。
【０１２８】また、絶縁層９１４上には実施例２に示し
た構成の一部である補助電極９１７が第２の電極と同時
に形成されており、第３の電極の低抵抗化を実現してい
る。また、第３の電極（陰極）９１６は全画素に共通の
配線としても機能し、補助電極９１７および接続配線９
０８を経由してＦＰＣ９０９に電気的に接続されてい
る。
【０１２９】また、基板９１０上に形成された発光素子
９１８を封止するためにシール剤９０５により封止基板
９０４を貼り合わせる。なお、封止基板９０４と発光素
子９１８との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペ
ーサを設けても良い。そして、シール剤９０５の内側の
空間９０７には窒素等の不活性気体が充填されている。
なお、シール剤９０５としてはエポキシ系樹脂を用いる
のが好ましい。また、シール剤９０５はできるだけ水分
や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さら
に、空間９０７の内部に酸素や水を吸収する効果をもつ
物質を含有させても良い。
【０１３０】また、本実施例では封止基板９０４を構成
する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fi
berglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニル
フロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル
等からなるプラスチック基板を用いることができる。ま
た、シール剤９０５を用いて封止基板９０４を接着した
後、さらに側面（露呈面）を覆うようにシール剤で封止
することも可能である。
【０１３１】以上のようにして発光素子を空間９０７に
封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断す
ることができ、外部から水分や酸素といった有機化合物
層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができ
る。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができ
る。
【０１３２】また、本実施例は実施の形態１乃至３、実
施例１、実施例２と自由に組み合わせることができる。
【０１３３】［実施例４］本発明を実施することによっ
てＯＬＥＤを有するモジュール（アクティブマトリクス
型ＥＬモジュール）を組み込んだ全ての電子機器が完成
される。
【０１３４】その様な電子機器としては、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴ
ーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジ
ェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯
情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子
書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１０、図
１１に示す。
【０１３５】図１０（Ａ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２０
０３、キーボード２００４等を含む。
【０１３６】図１０（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６等を含む。
【０１３７】図１０（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モ
ービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部
２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表
示部２２０５等を含む。
【０１３８】図１０（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイで
あり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０
３等を含む。
【０１３９】図１０（Ｅ）はプログラムを記録した記録
媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであ
り、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０
３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含
む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄ
ｉｇｔｉａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ
等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネッ
トを行うことができる。
【０１４０】図１０（Ｆ）はデジタルカメラであり、本
体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作ス
イッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
【０１４１】図１１（Ａ）は携帯電話であり、本体２９
０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示
部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０
６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７
等を含む。
【０１４２】図１１（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であ
り、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒
体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６
等を含む。
【０１４３】図１１（Ｃ）はディスプレイであり、本体
３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。
【０１４４】ちなみに図１１（Ｃ）に示すディスプレイ
は中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画
面サイズのものである。また、このようなサイズの表示
部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用
い、多面取りを行って量産することが好ましい。中小型
または大型のものとする場合、実施例２または実施例３
に示した補助電極を形成することが好ましい。
【０１４５】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用すること
が可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態
１乃至３、実施例１乃至３のどのような組み合わせから
なる構成を用いても実現することができる。
【０１４６】
【発明の効果】本発明により、有機化合物を含む層から
の発光のうち、横方向（基板面と平行な方向）の発光を
第２の電極の段差部分に形成された斜面で反射させて、
ある一方向（第３の電極を通過する方向）に取り出すト
ータルの発光量を増加させることができる。即ち、迷光
などの発光のロスが少ない発光装置を実現することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１を示す図。
【図２】 実施例１を示す図。
【図３】 実施例１を示す図。
【図４】 実施の形態３を示す図。
【図５】 実施の形態２を示す図。
【図６】 実施例２を示す図。
【図７】 実施例２を示す図。
【図８】 実施例２を示す図。
【図９】 実施例３を示す図。
【図１０】 電子機器の一例を示す図。
【図１１】 電子機器の一例を示す図。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB17 BB01 BB06 CB01 CC01 DB03

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁表面を有する基板上に、薄膜トランジ
    スタと、該薄膜トランジスタのソース領域またはドレイ
    ン領域と接続された第１の電極と、 該第１の電極の端部を覆う絶縁物と、 該絶縁物の側面を覆い、且つ、前記第１の電極と接する
    第２の電極と、 該第２の電極上に接する有機化合物を含む層と、該層上
    に接する第３の電極とを有する発光素子を複数有するこ
    とを特徴とする発光装置。
  2. 【請求項２】絶縁表面を有する基板上に、薄膜トランジ
    スタと、該薄膜トランジスタのソース領域またはドレイ
    ン領域と接続された第１の電極と、 該第１の電極の端部を覆う絶縁物と、 該絶縁物の側面を覆い、且つ、前記第１の電極と接する
    第２の電極と、 該第２の電極上に接する有機化合物を含む層と、該層上
    に接する第３の電極と、 前記絶縁物上に前記第３の電極と接し、同一電位となる
    補助電極とを有する発光素子を複数有し、 前記補助電極は、前記第２の電極と同一材料であること
    を特徴とする発光装置。
  3. 【請求項３】請求項１または請求項２において、前記第
    １の電極および前記第２の電極は、同一電位であって、
    陽極、または陰極であることを特徴とする発光装置。
  4. 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一において、前
    記第２の電極は、中央部から端部に向かうにつれて曲面
    を一部有する凹部形状となっており、前記有機化合物を
    含む層からの発光を反射することを特徴とする発光装
    置。
  5. 【請求項５】請求項１乃至４のいずれか一において、前
    記第２の電極の中央部は、前記第１の電極と接してお
    り、前記第１の電極の端部と前記第２の電極の端部との
    間には、前記絶縁物を有していることを特徴とする発光
    装置。
  6. 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一において、前
    記第３の電極は光を透過する導電膜であることを特徴と
    する発光装置。
  7. 【請求項７】請求項１乃至６のいずれか一において、前
    記第１の電極の端部を覆う絶縁物は、上端部に曲率半径
    を有する曲面を有しており、前記曲率半径は、０．２μ
    ｍ〜３μｍであることを特徴とする発光装置。
  8. 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一において、前
    記第１の電極の端部を覆う絶縁物は、上端部に第１の曲
    率半径を有する曲面を有し、前記絶縁物の下端部に第２
    の曲率半径を有する曲面を有しており、前記第１の曲率
    半径および前記第２の曲率半径は、０．２μｍ〜３μｍ
    であることを特徴とする発光装置。
  9. 【請求項９】請求項１乃至８のいずれか一において、前
    記第２の電極は、前記第２の電極の中央部に向かう傾斜
    面を有し、傾斜角度は、３０°を超え、７０°未満であ
    ることを特徴とする発光装置。
  10. 【請求項１０】請求項１乃至９のいずれか一において、
    前記有機化合物を含む層は、赤色発光する材料、緑色発
    光する材料、もしくは青色発光する材料であることを特
    徴とする発光装置。
  11. 【請求項１１】請求項１乃至９のいずれか一において、
    前記有機化合物を含む層は白色発光する材料であり、封
    止材に設けられたカラーフィルタと組み合わせたことを
    特徴とする発光装置。
  12. 【請求項１２】請求項１乃至９のいずれか一において、
    前記有機化合物を含む層は単色発光する材料であり、封
    止材に設けられた色変換層または着色層と組み合わせた
    ことを特徴とする発光装置。
  13. 【請求項１３】請求項１乃至１２のいずれか一におい
    て、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、
    ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソ
    ナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、電子遊技機器、
    または携帯情報端末であることを特徴とする発光装置。
  14. 【請求項１４】陽極と、該陽極に接する有機化合物を含
    む層と、該有機化合物を含む層に接する陰極とを有する
    発光素子を有する発光装置の作製方法であって、薄膜ト
    ランジスタのソース領域またはドレイン領域と接続する
    第１の電極の端部を覆う絶縁物を形成する工程と、前記
    絶縁物の側面および第１の電極に接する第２の電極と、
    前記絶縁物上に補助電極とを形成する工程と、前記第１
    の電極と接している第２の電極の領域および前記第２の
    電極の斜面に接する有機化合物を含む膜を形成する工程
    と、該有機化合物を含む膜上に、光を透過する金属薄膜
    からなる第３の電極を形成する工程とを有することを特
    徴とする発光装置の作製方法。
  15. 【請求項１５】請求項１４において、前記第２の電極は
    陽極であり、前記第３の電極よりも仕事関数が大きい金
    属層からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
  16. 【請求項１６】請求項１４または請求項１５において、
    前記第２の電極は、アルミニウムを含む第１の金属層
    と、窒化チタンまたは窒化タングステンを含む第２の金
    属層との積層であることを特徴とする発光装置の作製方
    法。
  17. 【請求項１７】請求項１４乃至１６のいずれか一におい
    て、前記第２の電極は、前記第２の電極の中央部に向か
    う傾斜面を有し、傾斜角度は、３０°を超え、７０°未
    満であることを特徴とする発光装置の作製方法。
  18. 【請求項１８】請求項１４乃至１７のいずれか一におい
    て、前記第１の電極の端部を覆う絶縁物は、上端部に曲
    率半径を有する曲面を有しており、前記曲率半径は、
    ０．２μｍ〜３μｍであることを特徴とする発光装置の
    作製方法。
JP2002125970A 2002-04-26 2002-04-26 発光装置およびその作製方法 Withdrawn JP2003317971A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002125970A JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2002-04-26 発光装置およびその作製方法
US10/422,380 US7402948B2 (en) 2002-04-26 2003-04-24 Light emitting device
US12/157,594 US8044580B2 (en) 2002-04-26 2008-06-11 Light emitting device and manufacturing method of the same
US13/279,478 US8497628B2 (en) 2002-04-26 2011-10-24 Light emitting device and manufacturing method of the same
US13/952,863 US8803418B2 (en) 2002-04-26 2013-07-29 Light emitting device and manufacturing method of the same
US14/456,261 US9412804B2 (en) 2002-04-26 2014-08-11 Light emitting device and manufacturing method of the same
US15/226,251 US9853098B2 (en) 2002-04-26 2016-08-02 Light emitting device and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002125970A JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2002-04-26 発光装置およびその作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003317971A true JP2003317971A (ja) 2003-11-07
JP2003317971A5 JP2003317971A5 (ja) 2005-09-22

Family

ID=29243781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002125970A Withdrawn JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2002-04-26 発光装置およびその作製方法

Country Status (2)

Country Link
US (6) US7402948B2 (ja)
JP (1) JP2003317971A (ja)

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005209633A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法
JP2005331665A (ja) * 2004-05-19 2005-12-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2006012585A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Kyocera Corp 有機ｅｌ表示パネルとその製法
JP2006049394A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006049393A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006049395A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006049396A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006066379A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006066380A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006098663A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd ディスプレイパネル
JP2006114499A (ja) * 2004-10-11 2006-04-27 Samsung Sdi Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2006156828A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006210845A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2007141821A (ja) * 2005-10-17 2007-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2007149605A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2007273409A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Tdk Corp 画像表示装置及びその製造方法
WO2008047716A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Dispositif d'affichage
US7446338B2 (en) 2004-09-29 2008-11-04 Casio Computer Co., Ltd. Display panel
US7449833B2 (en) 2003-11-07 2008-11-11 Seiko Epson Corporation Light-emitting device having openings in electrode
JP2009151955A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Sony Corp 面発光光源およびその製造方法
US7579767B2 (en) 2004-05-28 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device having triple layered pixel electrode
JP2009206041A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Sony Corp 有機発光装置およびその製造方法
US7663142B2 (en) 2002-06-28 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2011134706A (ja) * 2009-11-24 2011-07-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives エレクトロルミネッセンス画面を有する電子表示装置と電子表示装置の製造方法
JP2011171053A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2012230928A (ja) * 2006-06-19 2012-11-22 Sony Corp 発光表示装置およびその製造方法
JP2013020986A (ja) * 2005-03-25 2013-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
KR101296657B1 (ko) * 2007-09-13 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR101308466B1 (ko) 2007-10-08 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
JP2013186448A (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 Sony Corp 表示パネル、表示装置および電子機器
KR101319343B1 (ko) 2007-10-23 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US8659021B2 (en) 2010-12-14 2014-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US8716758B2 (en) 2010-10-01 2014-05-06 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor and organic light-emitting display
JP2014107266A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Samsung Display Co Ltd 有機電界発光装置
KR20140116024A (ko) * 2013-03-21 2014-10-01 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 인캡슐레이션 방법 및 관련 장치
US8927970B2 (en) 2007-09-13 2015-01-06 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
JP2015046239A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
US9224792B2 (en) 2005-10-17 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2024052950A1 (ja) * 2022-09-05 2024-03-14 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置

Families Citing this family (122)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7579771B2 (en) * 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7164155B2 (en) 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
US7109650B2 (en) * 2002-07-08 2006-09-19 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
WO2004053816A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光装置およびその作製方法
JP4373086B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
KR100527193B1 (ko) * 2003-06-03 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 다층구조 화소전극을 갖는 유기전계발광소자 및 그의제조방법
JP2005019211A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd Ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示パネルの製造方法
EP1505666B1 (en) * 2003-08-05 2018-04-04 LG Display Co., Ltd. Top-emission active matrix organic electroluminescent display device and method for fabricating the same
KR100552972B1 (ko) * 2003-10-09 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100611152B1 (ko) * 2003-11-27 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
KR100581901B1 (ko) * 2004-02-06 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자
JP2005317476A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP4761425B2 (ja) * 2004-05-12 2011-08-31 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置および表示装置の製造方法
KR100635065B1 (ko) * 2004-05-17 2006-10-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP2006012786A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子、並びに該製造方法
KR100611652B1 (ko) * 2004-06-28 2006-08-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
KR100607520B1 (ko) * 2004-11-11 2006-08-02 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
KR100700643B1 (ko) * 2004-11-29 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8026531B2 (en) * 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006318910A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Lg Electronics Inc 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法
US7990047B2 (en) * 2005-10-28 2011-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR101143006B1 (ko) 2005-10-28 2012-05-08 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101252083B1 (ko) * 2005-12-22 2013-04-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP5117001B2 (ja) * 2006-07-07 2013-01-09 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機ｅｌ表示装置
KR100787461B1 (ko) * 2006-11-10 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 발광 디스플레이 장치
US20080150421A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
JP2008234922A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、ラインヘッド、及び電子機器
JP2009026619A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR101432110B1 (ko) * 2007-09-11 2014-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
US20090091254A1 (en) * 2007-10-08 2009-04-09 Lg.Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
JP5244378B2 (ja) * 2007-12-21 2013-07-24 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
KR100943948B1 (ko) * 2008-01-08 2010-02-26 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
KR100937865B1 (ko) 2008-03-18 2010-01-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8933625B2 (en) 2008-03-18 2015-01-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus that can function as a mirror
JP5291378B2 (ja) * 2008-05-15 2013-09-18 スタンレー電気株式会社 フォトカソード装置
KR101415794B1 (ko) * 2008-06-12 2014-07-11 삼성디스플레이 주식회사 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20100001597A (ko) * 2008-06-27 2010-01-06 삼성전자주식회사 표시 장치와 그 제조 방법
KR20100037876A (ko) * 2008-10-02 2010-04-12 삼성전자주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
JP2010093068A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR100963076B1 (ko) * 2008-10-29 2010-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR20100048608A (ko) * 2008-10-31 2010-05-11 삼성전자주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
JP4871344B2 (ja) * 2008-11-25 2012-02-08 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
JP2010157493A (ja) * 2008-12-02 2010-07-15 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP5377985B2 (ja) * 2009-01-13 2013-12-25 株式会社東芝 半導体発光素子
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5126159B2 (ja) * 2009-05-07 2013-01-23 日立電線株式会社 ネットワーク中継機器及びリングネットワーク
KR101097337B1 (ko) * 2010-03-05 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5437895B2 (ja) 2010-04-20 2014-03-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP2012169189A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
KR101890876B1 (ko) * 2011-03-23 2018-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
JP5796344B2 (ja) * 2011-05-13 2015-10-21 セイコーエプソン株式会社 センサー装置
JP2013054863A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器
KR101904012B1 (ko) 2011-09-30 2018-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10446629B2 (en) 2011-10-14 2019-10-15 Diftek Lasers, Inc. Electronic device and method of making thereof
CN103891402A (zh) * 2011-10-18 2014-06-25 凸版印刷株式会社 有机电致发光显示面板及其制造方法
KR20140014682A (ko) * 2012-07-25 2014-02-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
JP6302186B2 (ja) 2012-08-01 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6204012B2 (ja) 2012-10-17 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6076683B2 (ja) 2012-10-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20140050994A (ko) * 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US20140166991A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-19 Dmitri E. Nikonov Transparent light-emitting display
JP6155020B2 (ja) 2012-12-21 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
JP6216125B2 (ja) 2013-02-12 2017-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6104649B2 (ja) 2013-03-08 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9246133B2 (en) 2013-04-12 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device
KR102039685B1 (ko) * 2013-04-17 2019-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140143631A (ko) * 2013-06-07 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150006125A (ko) * 2013-07-08 2015-01-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법
JP6424456B2 (ja) * 2013-07-17 2018-11-21 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、受発光装置、電子機器
CN103715230B (zh) * 2013-12-31 2018-12-07 北京维信诺科技有限公司 一种透明oled器件及其显示装置
USRE48695E1 (en) 2013-12-31 2021-08-17 Beijing Visionox Technology Co., Ltd. Transparent OLED device and display device employing same
CN103681775B (zh) * 2013-12-31 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 Amoled显示装置
KR20150101508A (ko) * 2014-02-26 2015-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법
TWI765679B (zh) 2014-05-30 2022-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
CN106463634B (zh) * 2014-06-03 2019-01-18 夏普株式会社 有机el元件和制造方法
US10680017B2 (en) * 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
KR102303433B1 (ko) * 2014-11-24 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
JP6584099B2 (ja) * 2015-03-10 2019-10-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびその製造方法
JP6577224B2 (ja) 2015-04-23 2019-09-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102540372B1 (ko) * 2015-05-28 2023-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102555656B1 (ko) * 2015-05-29 2023-07-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102472642B1 (ko) * 2015-06-16 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CA3002752A1 (en) 2015-10-26 2017-05-04 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
US10312310B2 (en) * 2016-01-19 2019-06-04 Diftek Lasers, Inc. OLED display and method of fabrication thereof
KR102528300B1 (ko) * 2016-03-10 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102627284B1 (ko) * 2016-05-12 2024-01-22 엘지디스플레이 주식회사 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극의 접속구조 형성 방법과 그를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치
KR102491880B1 (ko) * 2016-06-16 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
WO2018033860A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 Oti Lumionics Inc. Light transmissive electrode for light emitting devices
KR102553981B1 (ko) * 2016-08-16 2023-07-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 백플레인 및 이의 제조 방법
CN106299145A (zh) * 2016-10-17 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管器件及其制作方法和显示面板
KR20180079503A (ko) 2016-12-30 2018-07-11 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴 및 이를 구비하는 표시 장치
CN110785867B (zh) 2017-04-26 2023-05-02 Oti照明公司 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
US11043636B2 (en) 2017-05-17 2021-06-22 Oti Lumionics Inc. Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating
CN107316949B (zh) * 2017-07-11 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR102451538B1 (ko) * 2017-12-05 2022-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그 제조 방법
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR102560100B1 (ko) * 2018-03-08 2023-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210006912A (ko) 2018-05-07 2021-01-19 오티아이 루미오닉스 인크. 보조 전극을 제공하는 방법 및 보조 전극을 포함하는 장치
CN109148727B (zh) 2018-08-31 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及制备方法、显示装置
KR20200040046A (ko) * 2018-10-08 2020-04-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US11730012B2 (en) 2019-03-07 2023-08-15 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
CN110323356B (zh) * 2019-05-08 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及制造方法、显示装置
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
CN117500334A (zh) 2019-06-26 2024-02-02 Oti照明公司 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备
US20220278299A1 (en) 2019-08-09 2022-09-01 Oti Lumionics Inc. Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition
US11444139B2 (en) 2019-08-28 2022-09-13 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel providing planarization layer on pixel defining layer around light emitting functional layer, display device, and manufacturing method of the display panel
CN110600513B (zh) * 2019-08-28 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110828694A (zh) * 2019-10-31 2020-02-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及触控显示装置
CN111244326A (zh) * 2020-01-22 2020-06-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN111403452A (zh) 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示模组及电子装置
US11296163B2 (en) * 2020-05-27 2022-04-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel and OLED display device
CN111864106B (zh) * 2020-07-10 2021-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
JP2023553379A (ja) 2020-12-07 2023-12-21 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド 核形成抑制被膜及び下地金属被膜を用いた導電性堆積層のパターニング
CN113327971B (zh) * 2021-06-30 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999039393A1 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 International Business Machines Corporation Anode modification for organic light emitting diodes
JP2000021566A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Nippon Seiki Co Ltd エレクトロルミネセンス
JP2001043980A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2001076868A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP2001230086A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Idemitsu Kosan Co Ltd アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
WO2001063975A1 (fr) * 2000-02-25 2001-08-30 Seiko Epson Corporation Dispositif organique el et procede de fabrication
JP2001351787A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Sharp Corp 有機ｌｅｄ素子とその製造方法および有機ｌｅｄディスプレイ
JP2002093586A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法

Family Cites Families (133)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4411735A (en) 1982-05-06 1983-10-25 National Semiconductor Corporation Polymeric insulation layer etching process and composition
US5063327A (en) 1988-07-06 1991-11-05 Coloray Display Corporation Field emission cathode based flat panel display having polyimide spacers
CA1302547C (en) 1988-12-02 1992-06-02 Jerzy A. Dobrowolski Optical interference electroluminescent device having low reflectance
US5047687A (en) * 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5232549A (en) 1992-04-14 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Spacers for field emission display fabricated via self-aligned high energy ablation
JP3587537B2 (ja) 1992-12-09 2004-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US5962962A (en) 1994-09-08 1999-10-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Method of encapsulating organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
DE69535970D1 (de) 1994-12-14 2009-08-06 Eastman Kodak Co Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer organischen elektrolumineszenten Schicht
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5640067A (en) 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US5786664A (en) * 1995-03-27 1998-07-28 Youmin Liu Double-sided electroluminescent device
JP2824411B2 (ja) 1995-08-25 1998-11-11 株式会社豊田中央研究所 有機薄膜発光素子
US6037712A (en) 1996-06-10 2000-03-14 Tdk Corporation Organic electroluminescence display device and producing method thereof
JP3392672B2 (ja) 1996-11-29 2003-03-31 三洋電機株式会社 表示装置
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
KR100226548B1 (ko) 1996-12-24 1999-10-15 김영환 웨이퍼 습식 처리 장치
US5882982A (en) 1997-01-16 1999-03-16 Vlsi Technology, Inc. Trench isolation method
US6462722B1 (en) 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
TW578130B (en) 1997-02-17 2004-03-01 Seiko Epson Corp Display unit
TW477907B (en) 1997-03-07 2002-03-01 Toshiba Corp Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method
JPH10289784A (ja) 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3541625B2 (ja) 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JPH1131590A (ja) * 1997-07-09 1999-02-02 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6753584B1 (en) 1997-08-21 2004-06-22 Micron Technology, Inc. Antireflective coating layer
FR2767939B1 (fr) 1997-09-04 2001-11-02 Bull Sa Procede d'allocation de memoire dans un systeme de traitement de l'information multiprocesseur
JPH1197182A (ja) 1997-09-24 1999-04-09 Pioneer Electron Corp 発光ディスプレイパネル
KR19990037527A (ko) 1997-10-31 1999-05-25 후지쯔 가부시끼가이샤 폴리이미드계 감광성 수지조성물용 현상액
US6396208B1 (en) 1998-01-27 2002-05-28 Nec Corporation Organic electroluminescent device and its manufacturing process
US6501217B2 (en) 1998-02-02 2002-12-31 International Business Machines Corporation Anode modification for organic light emitting diodes
GB9803764D0 (en) 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
CN100530758C (zh) 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
CN100358970C (zh) 1998-04-09 2008-01-02 出光兴产株式会社 有机电致发光装置
JPH11307264A (ja) 1998-04-17 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
WO1999059379A2 (en) 1998-05-14 1999-11-18 Fed Corporation An organic light emitting diode device for use with opaque substrates
JP3951445B2 (ja) 1998-05-15 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子、表示装置、光学装置、有機ｅｌ素子の製造方法、表示装置の製造方法、および光学装置の製造方法
JPH11339970A (ja) 1998-05-26 1999-12-10 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
KR20010023412A (ko) 1998-06-30 2001-03-26 나가이 아츠오 전계발광 디스플레이
US6114158A (en) * 1998-07-17 2000-09-05 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Orpinomyces cellulase celf protein and coding sequences
JP2000077181A (ja) 1998-09-01 2000-03-14 Denso Corp Ｅｌ素子
JP2000091083A (ja) 1998-09-09 2000-03-31 Sony Corp 有機ｅｌディスプレイ
WO2000016361A1 (en) 1998-09-11 2000-03-23 Fed Corporation Top emitting oled with refractory metal compounds as bottom cathode
US6351010B1 (en) * 1998-09-22 2002-02-26 Sony Corporation Electrooptical device, substrate for driving electrooptical device and methods for making the same
GB9821311D0 (en) 1998-10-02 1998-11-25 Koninkl Philips Electronics Nv Reflective liquid crystal display device
JP2000164716A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2000193994A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Victor Co Of Japan Ltd 反射型液晶表示装置
US6306559B1 (en) 1999-01-26 2001-10-23 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device comprising a patterned photosensitive composition and a method for producing same
JP3125777B2 (ja) 1999-01-28 2001-01-22 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネル
JP2000269473A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6475836B1 (en) 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP2001043981A (ja) 1999-05-24 2001-02-16 Toray Ind Inc 表示装置およびその製造方法
JP2001052870A (ja) 1999-06-03 2001-02-23 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US8853696B1 (en) * 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TW527735B (en) * 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
JP4627822B2 (ja) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6720572B1 (en) 1999-06-25 2004-04-13 The Penn State Research Foundation Organic light emitters with improved carrier injection
TW543206B (en) 1999-06-28 2003-07-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and electronic device
US6411019B1 (en) 1999-07-27 2002-06-25 Luxell Technologies Inc. Organic electroluminescent device
JP4472073B2 (ja) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
TW522453B (en) 1999-09-17 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
US6641933B1 (en) 1999-09-24 2003-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting EL display device
TW468283B (en) * 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
US6384427B1 (en) 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP2001148291A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2001154001A (ja) 1999-11-30 2001-06-08 Fuji Photo Optical Co Ltd 導電性反射防止膜
TWI252592B (en) 2000-01-17 2006-04-01 Semiconductor Energy Lab EL display device
US6639265B2 (en) 2000-01-26 2003-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW495812B (en) 2000-03-06 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device
US6881501B2 (en) * 2000-03-13 2005-04-19 Seiko Epson Corporation Organic electro-luminescence element and the manufacturing method thereof
JP4810739B2 (ja) 2000-03-21 2011-11-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US6853130B2 (en) 2000-03-21 2005-02-08 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device and manufacturing method therefor
TW484238B (en) 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US7301276B2 (en) * 2000-03-27 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP4004709B2 (ja) 2000-03-30 2007-11-07 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
US6515310B2 (en) 2000-05-06 2003-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric apparatus
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
US6692845B2 (en) 2000-05-12 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR100623989B1 (ko) 2000-05-23 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법
JP2001332741A (ja) 2000-05-25 2001-11-30 Sony Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP4581187B2 (ja) * 2000-06-13 2010-11-17 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP2002008566A (ja) 2000-06-19 2002-01-11 Asahi Glass Co Ltd 光吸収性反射防止ガラス基体とその製造方法
US6528824B2 (en) * 2000-06-29 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2002015860A (ja) 2000-06-30 2002-01-18 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4626018B2 (ja) 2000-06-30 2011-02-02 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US6690034B2 (en) 2000-07-31 2004-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6956324B2 (en) 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP4423767B2 (ja) 2000-08-22 2010-03-03 ソニー株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
US6261913B1 (en) 2000-08-23 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Method for using thin spacers and oxidation in gate oxides
JP2002071902A (ja) 2000-08-25 2002-03-12 Asahi Glass Co Ltd 光吸収性反射防止体
JP2002076352A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2002083691A (ja) 2000-09-06 2002-03-22 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置及びその製造方法
JP2002082627A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Sony Corp 表示装置
US6739931B2 (en) 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
TWI286349B (en) 2000-10-02 2007-09-01 Ibm Electrode, fabricating method thereof, and organic electroluminescent device
JP2002131506A (ja) 2000-10-20 2002-05-09 Sony Corp 反射防止体及び陰極線管
JP3695308B2 (ja) 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP3943900B2 (ja) 2000-11-09 2007-07-11 株式会社東芝 自己発光型表示装置
TW535137B (en) 2000-11-09 2003-06-01 Toshiba Corp Self-illuminating display device
JP4954366B2 (ja) 2000-11-28 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2002198182A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Sony Corp 有機ｅｌ素子
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4798322B2 (ja) 2001-01-26 2011-10-19 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
US6717181B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device having thin film transistor
JP3608613B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP4801278B2 (ja) 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2002352963A (ja) 2001-05-23 2002-12-06 Sony Corp 表示装置
JP2003017272A (ja) 2001-07-03 2003-01-17 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
JP2003017273A (ja) 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
JP4024526B2 (ja) 2001-08-29 2007-12-19 富士フイルム株式会社 縮合八環芳香族化合物並びにそれを用いた有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
SG111968A1 (en) 2001-09-28 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003139932A (ja) 2001-10-31 2003-05-14 Seiko Epson Corp カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器
US6822264B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6597111B2 (en) 2001-11-27 2003-07-22 Universal Display Corporation Protected organic optoelectronic devices
JP4101511B2 (ja) 2001-12-27 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US7098069B2 (en) 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
KR100581850B1 (ko) 2002-02-27 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법
EP1343206B1 (en) * 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
JP2003303684A (ja) 2002-04-09 2003-10-24 Canon Inc 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ
KR100563675B1 (ko) * 2002-04-09 2006-03-28 캐논 가부시끼가이샤 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI263339B (en) * 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
KR100477746B1 (ko) * 2002-06-22 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자
JP4216008B2 (ja) 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
JP4373086B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9312392B2 (en) * 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999039393A1 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 International Business Machines Corporation Anode modification for organic light emitting diodes
JP2000021566A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Nippon Seiki Co Ltd エレクトロルミネセンス
JP2001076868A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP2001043980A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2001230086A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Idemitsu Kosan Co Ltd アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
WO2001063975A1 (fr) * 2000-02-25 2001-08-30 Seiko Epson Corporation Dispositif organique el et procede de fabrication
JP2001351787A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Sharp Corp 有機ｌｅｄ素子とその製造方法および有機ｌｅｄディスプレイ
JP2002093586A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法

Cited By (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7663142B2 (en) 2002-06-28 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7868543B2 (en) 2003-11-07 2011-01-11 Seiko Epson Corporation Light-emitting device having openings in electrode
US7449833B2 (en) 2003-11-07 2008-11-11 Seiko Epson Corporation Light-emitting device having openings in electrode
JP2005209633A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法
JP2005331665A (ja) * 2004-05-19 2005-12-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4645064B2 (ja) * 2004-05-19 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
US8183063B2 (en) 2004-05-28 2012-05-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device and method of fabricating the same
US7579767B2 (en) 2004-05-28 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device having triple layered pixel electrode
JP2006012585A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Kyocera Corp 有機ｅｌ表示パネルとその製法
JP4534054B2 (ja) * 2004-06-25 2010-09-01 京セラ株式会社 有機ｅｌ表示パネルとその製法
JP2006066379A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006066380A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006049394A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4565921B2 (ja) * 2004-07-30 2010-10-20 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4565922B2 (ja) * 2004-07-30 2010-10-20 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006049393A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006049395A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006049396A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
US7498733B2 (en) 2004-09-29 2009-03-03 Casio Computer Co., Ltd. Display panel
JP2006098663A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd ディスプレイパネル
US7446338B2 (en) 2004-09-29 2008-11-04 Casio Computer Co., Ltd. Display panel
US7915821B2 (en) 2004-10-11 2011-03-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. OLED comprising an organic insulating layer with grooves and an inorganic layer filling the grooves
JP2006114499A (ja) * 2004-10-11 2006-04-27 Samsung Sdi Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2006156828A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4578215B2 (ja) * 2004-11-30 2010-11-10 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006210845A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2013020986A (ja) * 2005-03-25 2013-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US9246056B2 (en) 2005-03-25 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2015057792A (ja) * 2005-03-25 2015-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US11770965B2 (en) 2005-10-17 2023-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10199612B2 (en) 2005-10-17 2019-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having reduced upper surface shape of a partition in order to improve definition and manufacturing method thereof
JP2007141821A (ja) * 2005-10-17 2007-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9224792B2 (en) 2005-10-17 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9536932B2 (en) 2005-10-17 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a semiconductor lighting emitting device that prevents defect of the mask without increasing steps
US9893325B2 (en) 2005-10-17 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a structure that prevents defects due to precision, bending and the like of a mask without increasing manufacturing steps
US11171315B2 (en) 2005-10-17 2021-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a structure which prevents a defect due to precision and bending and manufacturing method thereof
JP2007149605A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4715596B2 (ja) * 2006-03-31 2011-07-06 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
JP2007273409A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Tdk Corp 画像表示装置及びその製造方法
JP2012230928A (ja) * 2006-06-19 2012-11-22 Sony Corp 発光表示装置およびその製造方法
WO2008047716A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Dispositif d'affichage
KR101296657B1 (ko) * 2007-09-13 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US8927970B2 (en) 2007-09-13 2015-01-06 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
KR101308466B1 (ko) 2007-10-08 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR101319343B1 (ko) 2007-10-23 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
JP2009151955A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Sony Corp 面発光光源およびその製造方法
JP2009206041A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Sony Corp 有機発光装置およびその製造方法
JP2011134706A (ja) * 2009-11-24 2011-07-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives エレクトロルミネッセンス画面を有する電子表示装置と電子表示装置の製造方法
JP2011171053A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US8947610B2 (en) 2010-02-17 2015-02-03 Japan Display Inc. Display device comprising a TFT with a barrier metal formed of a first layer and a second layer wherein an amount of oxygen in the first layer is larger than in the second layer
US8817200B2 (en) 2010-02-17 2014-08-26 Japan Display Inc. Liquid crystal display device comprising a TFT with a barrier metal formed of a first layer and a second layer wherein the first layer is denser than the second layer
US8716758B2 (en) 2010-10-01 2014-05-06 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor and organic light-emitting display
US9281319B2 (en) 2010-10-01 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor and organic light-emitting display
US8659021B2 (en) 2010-12-14 2014-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
JP2013186448A (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 Sony Corp 表示パネル、表示装置および電子機器
JP2014107266A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Samsung Display Co Ltd 有機電界発光装置
KR20140116024A (ko) * 2013-03-21 2014-10-01 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 인캡슐레이션 방법 및 관련 장치
KR102164586B1 (ko) 2013-03-21 2020-10-12 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 인캡슐레이션 방법 및 관련 장치
JP2014197677A (ja) * 2013-03-21 2014-10-16 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ 封止方法及びそれに関連するデバイス
US10074708B2 (en) 2013-08-27 2018-09-11 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes
US10714555B2 (en) 2013-08-27 2020-07-14 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes
US11374077B2 (en) 2013-08-27 2022-06-28 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes
US11557637B2 (en) 2013-08-27 2023-01-17 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes
JP2015046239A (ja) * 2013-08-27 2015-03-12 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
US11895871B2 (en) 2013-08-27 2024-02-06 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes
WO2024052950A1 (ja) * 2022-09-05 2024-03-14 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140346492A1 (en) 2014-11-27
US9853098B2 (en) 2017-12-26
US20030201716A1 (en) 2003-10-30
US8044580B2 (en) 2011-10-25
US7402948B2 (en) 2008-07-22
US8497628B2 (en) 2013-07-30
US20080252207A1 (en) 2008-10-16
US20120098013A1 (en) 2012-04-26
US20140027803A1 (en) 2014-01-30
US8803418B2 (en) 2014-08-12
US20160343793A1 (en) 2016-11-24
US9412804B2 (en) 2016-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9853098B2 (en) Light emitting device and manufacturing method of the same
US8309976B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US9978811B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4373086B2 (ja) 発光装置
US7663305B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4401688B2 (ja) 発光装置およびその作製方法、並びに電子機器
JP4060113B2 (ja) 発光装置
JP4156431B2 (ja) 発光装置およびその作製方法
JP4339000B2 (ja) 半導体装置およびその作製方法
JP2004220870A (ja) 発光装置の製造方法
JP4683825B2 (ja) 半導体装置およびその作製方法
JP2003332073A (ja) 発光装置およびその作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050411

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050411

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070829

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071113

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20071203