WO2024052950A1 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2024052950A1
WO2024052950A1 PCT/JP2022/033220 JP2022033220W WO2024052950A1 WO 2024052950 A1 WO2024052950 A1 WO 2024052950A1 JP 2022033220 W JP2022033220 W JP 2022033220W WO 2024052950 A1 WO2024052950 A1 WO 2024052950A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
display device
electrode
layer
organic
edge cover
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/033220
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
忠芳 宮本
好伸 中村
俊博 金子
Original Assignee
シャープディスプレイテクノロジー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープディスプレイテクノロジー株式会社 filed Critical シャープディスプレイテクノロジー株式会社
Priority to PCT/JP2022/033220 priority Critical patent/WO2024052950A1/ja
Publication of WO2024052950A1 publication Critical patent/WO2024052950A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • This organic EL display device includes, for example, a base substrate, a thin film transistor (hereinafter also referred to as "TFT") layer provided on the base substrate, and an organic EL element layer provided on the TFT layer. and a sealing film provided on the organic EL element layer.
  • the organic EL element includes, for example, a first electrode provided on the TFT layer, an organic EL layer provided as a light emitting functional layer on the first electrode, and a second electrode provided on the organic EL layer. It is equipped with
  • Patent Document 1 discloses that a protrusion is formed on the surface of the first electrode due to the protrusion on the surface of the passivation film, thereby reflecting light generated from the light emitting element layer and improving luminous efficiency. It is stated that
  • an organic EL display device when forming an organic EL layer on the first electrode using a solution coating device such as an inkjet or various coaters, when drying the coating film that will become the organic EL layer, Since the solute components tend to aggregate at the edge of the coating film due to the coffee ring effect, the thickness of the organic EL layer on the center part of the first electrode becomes relatively thin, and the organic EL layer on the edge of the first electrode becomes relatively thin. The film thickness becomes relatively thick. In this case, the thickness of the organic EL layer varies within the sub-pixel, causing uneven light emission and a decrease in light emission efficiency, so there is room for improvement.
  • the present invention has been made in view of this point, and its purpose is to suppress variations in the thickness of the light-emitting functional layer within a sub-pixel.
  • a display device includes a base substrate, a thin film transistor layer provided on the base substrate, and a plurality of sub-pixels provided on the thin film transistor layer and forming a display area.
  • the first edge cover includes a plurality of first electrodes, a common first edge cover, a plurality of light emitting functional layers, and a light emitting element layer in which a common second electrode are laminated in order, and the first edge cover is connected to each of the first edge covers.
  • the display device is provided to cover a peripheral edge of an electrode, and a plurality of third electrodes are provided between the first edge cover and the plurality of light-emitting functional layers, corresponding to the plurality of sub-pixels.
  • Each of the first electrodes that is provided and exposed from the first edge cover is provided with a first recess that opens toward each of the third electrodes, and a surface of each of the third electrodes is provided with a first recess that is open to the first recess. It is characterized in that a corresponding second recess is provided.
  • the present invention it is possible to suppress variations in the thickness of the light emitting functional layer within the subpixel.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view of the first electrode exposed from the first edge cover that constitutes the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the TFT layer forming the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view of a modification of the first electrode exposed from the first edge cover constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view of a first electrode exposed from a first edge cover that constitutes an organic EL display device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view of a first modification of the first electrode exposed from the first edge cover constituting the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view of a second modification of the first electrode exposed from the first edge cover constituting the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view of a first electrode exposed from a first edge cover that constitutes an organic EL display device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device 50 of this embodiment.
  • 2 and 3 are a plan view and a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50.
  • FIG. 4 is a plan view of the first electrode 31a exposed from the first edge cover 32 that constitutes the organic EL display device 50.
  • FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the TFT layer 30 that constitutes the organic EL display device 50.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the organic EL layer 35 that constitutes the organic EL display device 50.
  • FIG. 7 is a plan view of a first electrode 31b that is a modification of the first electrode 31a exposed from the first edge cover 32.
  • the organic EL display device 50 includes, for example, a rectangular display area D for displaying an image, and a frame area F provided in a frame shape around the display area D.
  • a rectangular display area D is illustrated, but this rectangular shape may have, for example, a shape with arcuate sides, a shape with arcuate corners, or a shape with a part of the side.
  • a substantially rectangular shape such as a shape with a notch is also included.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
  • a sub-pixel P having a red light-emitting region Lr for displaying red color a sub-pixel P having a green light-emitting region Lg for displaying green color
  • sub-pixels P each having a blue light emitting region Lb for displaying blue color are provided adjacent to each other.
  • one pixel is configured by three adjacent sub-pixels P having, for example, a red light emitting region Lr, a green light emitting region Lg, and a blue light emitting region Lb.
  • a terminal portion T is provided at the right end of the frame area F in FIG. 1 so as to extend in one direction (Y direction in the figure).
  • a bending portion B that can be bent 180° (in a U-shape) is provided so as to extend in one direction (Y direction in the figure).
  • the organic EL display device 50 includes a resin substrate 10 provided as a base substrate, a TFT layer 30 provided on the resin substrate 10, and a light emitting element layer provided on the TFT layer 30. It includes an organic EL element layer 40 and a sealing film 45 provided on the organic EL element layer 40.
  • the resin substrate 10 is made of, for example, polyimide resin.
  • the TFT layer 30 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate 10, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11.
  • a protective insulating film 19 and a planarization film 20 are provided in this order over the first TFT 9a, each second TFT 9b, and each capacitor 9c.
  • a plurality of gate lines 14g are provided so as to extend parallel to each other in the X direction in the figure. Further, in the TFT layer 30, as shown in FIG.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend parallel to each other in a direction intersecting (orthogonal to) the plurality of gate lines 14g, that is, in the Y direction in the figure.
  • a plurality of power supply lines 18g are provided so as to extend parallel to each other in the Y direction in the figure.
  • each power supply line 18g is provided adjacent to each source line 18f.
  • each sub-pixel P is provided with a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c.
  • the TFT layer 30 as shown in FIG.
  • a base coat film 11 On the resin substrate 10, a base coat film 11, a semiconductor film that will become a semiconductor layer 12a, etc. to be described later, a gate insulating film 13, a first metal film that will become a gate line 14g, etc. are formed.
  • a first interlayer insulating film 15, a second metal film that will become an upper conductive layer 16c, etc. to be described later, a second interlayer insulating film 17, a third metal film that will become a source line 18f, a power supply line 18g, etc., a protective insulating film 19, and Planarization films 20 are laminated in order.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, the second interlayer insulating film 17, and the protective insulating film 19 are made of, for example, a single layer film or a laminated inorganic film of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, etc. It is composed of an insulating film.
  • the first TFT 9a is electrically connected to the corresponding gate line 14g and source line 18f in each sub-pixel P.
  • the first TFT 9a has a semiconductor layer 12a provided on the base coat film 11, a gate electrode 14a provided on the semiconductor layer 12a via the gate insulating film 13, and a second interlayer.
  • a source electrode 18a and a drain electrode 18b are provided on the insulating film 17 so as to be spaced apart from each other.
  • the semiconductor layer 12a is formed of a semiconductor film made of polysilicon such as LTPS (low temperature polysilicon), for example, and has a source region and a drain region defined to be spaced apart from each other, and a region between the source region and the drain region. and a defined channel area.
  • LTPS low temperature polysilicon
  • the gate electrode 14a is provided so as to overlap the channel region of the first semiconductor layer 12a, and is configured to control conduction between the source region and drain region of the first semiconductor layer 12a.
  • the gate electrode 14a is formed of a first metal film, similar to the gate line 14g and the like.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are connected to the source of the semiconductor layer 12a through contact holes formed in the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17. and the drain region, respectively.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are formed of a third metal film, similarly to the source line 18f and the power supply line 18g.
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power line 18g in each sub-pixel P.
  • the second TFT 9b has a semiconductor layer 12b provided on the base coat film 11, a gate electrode 14b provided on the semiconductor layer 12b via the gate insulating film 13, and a second interlayer.
  • a source electrode 18c and a drain electrode 18d are provided on the insulating film 17 so as to be spaced apart from each other.
  • the semiconductor layer 12b is formed of a semiconductor film made of polysilicon such as LTPS, and has a source region and a drain region defined to be separated from each other, and a region between the source region and the drain region. and a channel region defined therebetween.
  • the gate electrode 14b is provided so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b, and is configured to control conduction between the source region and drain region of the first semiconductor layer 12b.
  • the gate electrode 14b is formed of the first metal film, similar to the gate line 14g and the like.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are connected to the semiconductor layer through contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the source region and drain region of 12b, respectively.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are formed of the third metal film, similarly to the source line 18f and the power supply line 18g.
  • the semiconductor layers 12a and 12b are formed of a semiconductor film made of polysilicon, but the semiconductor layers 12a and 12b may be formed of an oxide semiconductor such as In-Ga-Zn-O, It may be formed of a semiconductor film.
  • the TFT layer 30 may have a hybrid structure in which a TFT has a semiconductor layer made of polysilicon and a TFT has a semiconductor layer made of an oxide semiconductor.
  • the capacitor 9c is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the capacitor 9c includes a lower conductive layer 14c formed of a first metal film, an upper conductive layer 16c formed of a second metal film, and a lower conductive layer 16c formed of a second metal film. 14c and a first interlayer insulating film 15 provided between the upper conductive layer 16c. Note that the upper conductive layer 16c is electrically connected to the power supply line 18g via a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17, as shown in FIG.
  • the flattening film 20 has a flat surface in the display area D, and is made of, for example, an organic resin material such as polyimide resin.
  • the organic EL element layer 40 includes a plurality of first electrodes 31a stacked in order corresponding to a plurality of sub-pixels P, a common first edge cover 32, a plurality of third electrodes 33a, a common , a second edge cover 34 , a plurality of organic EL layers 35 , and a common second electrode 36 .
  • the first electrode 31a, the third electrode 33a, the organic EL layer 35, and the second electrode 36 constitute an organic EL element 39
  • a plurality of sub-pixels P A plurality of organic EL elements 39 are arranged in a matrix.
  • the first electrode 31a is electrically connected to the drain electrode 18d of the second TFT 9b of each sub-pixel P through a contact hole formed in the protective insulating film 19 and the planarization film 20.
  • the first electrode 31a is formed of, for example, a transparent conductive film such as indium tin oxide (hereinafter also referred to as "ITO"), and has light transmittance.
  • ITO indium tin oxide
  • the first electrode 31a has its peripheral end covered with a first edge cover 32, and the first electrode 31a exposed from the first edge cover 32 has a section shown in FIG. As shown in FIG.
  • a plurality of linear first recesses are formed to extend parallel to each other by penetrating the first electrode 31a to expose the planarization film 20 of the TFT layer 30.
  • 31ac is provided.
  • the first recess 31ac provided so as to penetrate the first electrode 31a is illustrated, but the first recess 31ac does not penetrate the first electrode 31a but extends toward the third electrode 33a. It may be provided so as to be open.
  • the first electrode 31a in which the plurality of first recesses 31ac are linearly provided is illustrated, but instead of the first electrode 31a, as shown in FIG.
  • the first electrodes 31b may be provided in a dotted manner so as to be spaced apart from each other.
  • the first edge cover 32 is provided in a grid pattern over the entire display area D, and as shown in FIG. 3, is provided to cover the peripheral end portion of the first electrode 31a.
  • the first edge cover 32 is made of, for example, an organic resin material such as polyimide resin or acrylic resin, or a polysiloxane-based SOG (spin on glass) material.
  • the third electrode 33a has a function of injecting holes into the organic EL layer 35. Moreover, in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 35, the third electrode 33a is more preferably formed of a material with a large work function.
  • the third electrode 33a is formed of a laminated film in which a transparent conductive film such as ITO, a metal film such as silver (Ag), and a transparent conductive film such as ITO are laminated in this order, and has light reflective properties. are doing.
  • a plurality of second recesses 33ac are provided on the surface of the third electrode 33a, corresponding to the plurality of first recesses 31ac of the first electrode 31a.
  • the second edge cover 34 is provided in a grid pattern over the entire display area D, and as shown in FIG. 3, is provided to cover the peripheral end of the third electrode 33a.
  • the second edge cover 34 is made of, for example, an inorganic insulating film in the form of a single layer or a laminated film of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, or the like.
  • the organic EL layer 35 is provided as a light emitting functional layer, and as shown in FIG. 6, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, and the electron transport layer 4 are laminated in this order on the third electrode 33a. and an electron injection layer 5.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 are formed by coating and drying an aqueous solution in which each constituent material is dissolved, as described later. be done.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of bringing the energy level of the third electrode 33a and the organic EL layer 35 close to each other and improving the hole injection efficiency from the third electrode 33a to the organic EL layer 35.
  • examples of the material constituting the hole injection layer 1 include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, phenylenediamine derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, Examples include hydrazone derivatives and stilbene derivatives.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving hole transport efficiency from the third electrode 33a to the organic EL layer 35.
  • examples of materials constituting the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, and oxadiazole.
  • the light-emitting layer 3 when a voltage is applied by the third electrode 33a and the second electrode 36, holes and electrons are injected from the third electrode 33a and the second electrode 36, respectively, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material with high luminous efficiency. Examples of materials constituting the light-emitting layer 3 include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, and coumarin derivatives.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently transporting electrons to the light emitting layer 3.
  • the materials constituting the electron transport layer 4 include, for example, organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , silole derivatives, metal oxinoid compounds, and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 36 and the organic EL layer 35 close to each other and improving the efficiency with which electrons are injected from the second electrode 36 to the organic EL layer 35. With this function, The driving voltage of the organic EL element 39 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • examples of materials constituting the electron injection layer 5 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride.
  • examples include inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO), and the like.
  • the second electrode 36 is provided so as to cover each organic EL layer 35 and the second edge cover 34, as shown in FIG. Further, the second electrode 36 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 35. Moreover, in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 35, the second electrode 36 is preferably made of a material with a small work function. Here, the second electrode 36 is formed of, for example, a transparent conductive film such as ITO, and has high light transmittance.
  • the top emission type organic EL element layer 40 is illustrated in which the first electrode 31a and the second electrode 36 have light transmittance and the third electrode 33a has light reflectivity.
  • the element layer 40 may be of a bottom emission type in which the first electrode 31a and the third electrode 33a have light transmittance, and the second electrode 36 has light reflectivity.
  • the sealing film 45 is provided to cover the second electrode 36, and includes a first inorganic sealing film 41, an organic sealing film 42, and a second sealing film laminated in this order on the second electrode 36. It includes an inorganic sealing film 43 and has a function of protecting the organic EL layer 35 of the organic EL element 39 from moisture, oxygen, and the like.
  • the first inorganic sealing film 41 and the second inorganic sealing film 43 are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, or the like.
  • the organic sealing film 42 is made of an organic resin material such as acrylic resin, epoxy resin, silicone resin, polyurea resin, parylene resin, polyimide resin, or polyamide resin.
  • the organic EL display device 50 described above turns on the first TFT 9a by inputting a gate signal to the first TFT 9a via the gate line 14g, and connects the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f. 14b and the capacitor 9c, and a current from the power supply line 18g corresponding to the gate voltage of the second TFT 9b is supplied to the organic EL layer 39, so that the light emitting layer 3 of the organic EL layer 35 emits light, and an image is generated. It is configured to display.
  • the organic EL display device 50 even if the first TFT 9a is turned off, the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so that the light emitting layer 3 does not emit light until the gate signal of the next frame is input. maintained.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 50 of this embodiment includes a TFT layer forming step, an organic EL element layer forming step, and a sealing film forming step.
  • ⁇ TFT layer formation process First, a silicon nitride film (about 50 nm thick) and a silicon oxide film (about 250 nm thick) are sequentially formed on a resin substrate 10 formed on a glass substrate by, for example, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method. By this, a base coat film 11 is formed.
  • a plasma CVD Chemical Vapor Deposition
  • an amorphous silicon film (about 50 nm thick) is formed on the substrate surface on which the base coat film 11 is formed by, for example, plasma CVD, and the amorphous silicon film is crystallized by laser annealing or the like to form polysilicon.
  • the semiconductor film is patterned to form semiconductor layers 12a and 12b, etc.
  • the gate insulating film 13 is formed by depositing a silicon oxide film (about 100 nm thick) on the surface of the substrate on which the semiconductor layer 12a and the like are formed, for example, by plasma CVD.
  • a first metal film such as a molybdenum film (about 200 nm thick) by sputtering, for example, on the substrate surface on which the gate insulating film 13 is formed, the first metal film is patterned. Gate electrodes 14a and 14b, etc. are formed.
  • a silicon nitride film (approximately 150 nm thick) and a silicon oxide film (approximately 100 nm thick) are sequentially formed on the surface of the substrate in which parts of the semiconductor layers 12a and 12b have been made conductive, for example, by plasma CVD. As a result, a first interlayer insulating film 15 is formed.
  • a second metal film such as a molybdenum film (about 200 nm thick) is formed on the surface of the substrate on which the first interlayer insulating film 15 is formed by, for example, sputtering, and then the second metal film is patterned. Then, the upper conductive layer 16c and the like are formed.
  • a silicon oxide film (about 300 nm thick) and a silicon nitride film (about 150 nm thick) are sequentially formed on the substrate surface on which the upper conductive layer 16c and the like are formed, for example, by plasma CVD.
  • a two-layer insulating film 17 is formed.
  • contact holes are formed by appropriately patterning the first gate insulating film 13, first interlayer insulating film 15, and second interlayer insulating film 17 on the substrate surface on which the second interlayer insulating film 17 is formed.
  • a titanium film (about 50 nm thick), an aluminum film (about 400 nm thick), a titanium film (about 100 nm thick), etc. are sequentially formed on the substrate surface where the contact hole is formed, for example, by sputtering.
  • the third metal film is patterned to form source electrodes 18a and 18c, drain electrodes 18b and 18d, and the like.
  • a protective insulating film 19 is formed by forming a silicon oxide film (about 250 nm thick) on the surface of the substrate on which the source electrode 18a and the like are formed, for example, by plasma CVD.
  • an acrylic photosensitive resin film (about 2 ⁇ m thick) is applied to the substrate surface on which the protective insulating film 19 is formed, for example, by spin coating or slit coating, and then the coated film is coated with , prebaking, exposure, development, and postbaking to form a planarization film 20 having contact holes.
  • the protective insulating film 19 exposed from the contact hole of the planarization film 20 is removed to allow the contact hole to reach the drain electrode 18d of the second TFT 9b.
  • the TFT layer 30 can be formed.
  • a transparent conductive film such as an ITO film (about 100 nm thick) is formed by sputtering, for example, on the surface of the substrate on which the TFT layer 30 is formed in the TFT layer forming step, and then the transparent conductive film is patterned.
  • the first electrode 31a and the like having the first recess 31ac are formed.
  • an acrylic photosensitive resin film (about 2 ⁇ m thick) is applied to the surface of the substrate on which the first electrode 31a etc. are formed, for example, by spin coating or slit coating, and then the applied film is coated with Then, the first edge cover 32 is formed by performing pre-baking, exposure, development, and post-baking.
  • a transparent conductive film such as an ITO film (about 40 nm in thickness), a metal film such as an Ag film (about 20 nm in thickness), and an ITO
  • the laminated films are patterned to form the third electrode 33a having the second recess 33ac.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film (about 250 nm thick) is formed on the surface of the substrate on which the third electrode 33a etc. are formed by, for example, plasma CVD, and the inorganic insulating film is patterned. Then, the second edge cover 34 is formed.
  • an aqueous solution in which a predetermined constituent material is dissolved is repeatedly applied and dried on the surface of the substrate on which the second edge cover 34 is formed, for example, by an inkjet method, thereby forming the hole injection layer 1 and the hole transport layer.
  • the organic EL layer 35 is formed by sequentially forming the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5.
  • a transparent conductive film such as an ITO film (about 100 nm thick) is formed by sputtering on the surface of the substrate on which the organic EL layer 35 is formed, thereby forming the second electrode 36. do.
  • the organic EL element layer 40 can be formed.
  • ⁇ Sealing film formation process> First, using a mask, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, etc. is deposited by plasma CVD on the surface of the substrate on which the organic EL element layer 40 is formed in the organic EL element layer forming step.
  • the first inorganic sealing film 41 is formed by a method.
  • an organic resin material such as acrylic resin is deposited on the surface of the substrate on which the first inorganic sealing film 41 is formed, for example, by an inkjet method, to form an organic sealing film 42.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, etc. is formed by plasma CVD on the substrate on which the organic sealing film 42 is formed.
  • the sealing film 45 is formed.
  • a laser beam is irradiated from the glass substrate side of the resin substrate 10 to remove the glass substrate from the bottom surface of the resin substrate 10.
  • a protective sheet is attached to the lower surface of the resin substrate 10 from which the glass substrate has been peeled off.
  • the organic EL display device 50 of this embodiment can be manufactured.
  • each first electrode 31a exposed from the first edge cover 32 has a flat surface of the TFT layer 30 that is formed by penetrating each first electrode 31a.
  • a plurality of first recesses 31ac that expose the chemical film 20 are provided linearly so as to extend each other, and a plurality of second recesses 33ac are provided on the surface of each third electrode 33a in correspondence with the plurality of first recesses 31ac. It is provided.
  • each solute component of the organic EL layer 35 which is formed by coating and drying on the surface of each third electrode 33a and generally tends to flow to the surroundings due to the coffee ring effect, is formed on the surface of each third electrode 33a.
  • the increase in surface area due to the plurality of second recesses 33ac makes it difficult for the water to flow to the surroundings. This reduces the difference in the thickness of the organic EL layer 35 formed by coating and drying on the surface of each third electrode 33a, thereby suppressing variations in the thickness of the organic EL layer 35 within the sub-pixel P. Can be done. Furthermore, since variations in the thickness of the organic EL layer 35 within the sub-pixel P can be suppressed, uneven light emission due to the organic EL element 39 of each sub-pixel P can be suppressed, and a decrease in luminous efficiency can be suppressed. can do.
  • the organic EL display device 50 of this embodiment since the plurality of second recesses 33ac are provided on the surface of the third electrode 33a having light reflectivity, in each sub-pixel P, the organic EL layer 35 It is possible to improve the brightness when emitting light.
  • FIG. 8 is a plan view of the first electrode 31c exposed from the first edge cover 32 constituting the organic EL display device of this embodiment.
  • FIG. 9 is a plan view of a first electrode 31d of a first modification of the first electrode 31c exposed from the first edge cover 32.
  • FIG. 10 is a plan view of a first electrode 31e of a second modification of the first electrode 31c exposed from the first edge cover 32.
  • the same parts as in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50 is provided with the first electrode 31a in which the plurality of first recesses 31ac are provided with the same size, but in this embodiment, the plurality of first recesses 31ac
  • An example of an organic EL display device is shown in which first electrodes 31c are provided with different sizes.
  • the organic EL display device of this embodiment differs from the organic EL display device 50 of the first embodiment in that only the first electrode 31c is used instead of the first electrode 31a, and the other configuration is an organic EL display device. Since it is substantially the same as that of the device 50, the configuration of the first electrode 31c will be mainly explained below.
  • the first electrode 31c is connected to the drain electrode of the second TFT 9b of each sub-pixel P through a contact hole formed in the protective insulating film 19 and the planarization film 20. 18d. Further, the first electrode 31c is formed of, for example, a transparent conductive film such as ITO, and has optical transparency. Further, the first electrode 31c has a circumferential end covered with a first edge cover 32, and the first electrode 31c exposed from the first edge cover 32 has a part extending through the first electrode 31c as shown in FIG. As a result, the planarization film 20 of the TFT layer 30 is exposed, and a plurality of linear first recesses 31cc are provided so as to extend parallel to each other.
  • a transparent conductive film such as ITO
  • the line width of the plurality of first recesses 31cc gradually becomes wider from the center toward the outside inside the inner peripheral end of the first edge cover 32. Furthermore, a plurality of second recesses 33ac are provided on the surface of the third electrode 33a that covers the first electrode 31c, corresponding to the plurality of first recesses 31cc of the first electrode 31c.
  • the 1st electrode 31c in which the several 1st recessed part 31cc was linearly provided was illustrated, as shown in FIG. 9, the several 1st recessed part 31dc is
  • the first electrodes 31d may be provided in a dotted manner so as to be spaced apart from each other.
  • the area of the plurality of first recesses 31dc gradually increases from the center toward the outside inside the inner peripheral end of the first edge cover 32.
  • the first electrode 31c in which the plurality of first recesses 31cc are linearly provided is illustrated, but instead of the first electrode 31c, as shown in FIG.
  • the first electrode 31e may be provided in a linear manner, and the other plurality of first recesses 31ecb may be provided in a dotted manner.
  • the line width of the plurality of first recesses 31eca gradually increases from the center toward the outside inside the inner peripheral end of the first edge cover 32.
  • the plurality of first recesses 31ecb are provided between a pair of adjacent first recesses 31eca, as shown in FIG.
  • the first modification example, and the second modification example thereof the first recesses 31cc, 31dc, and 31eca (31ecb) provided so as to penetrate the first electrodes 31c, 31d, and 31e are illustrated;
  • the first recesses 31cc, 31dc, and 31eca (31ecb) may be provided so as to open toward the third electrode 33a without penetrating the first electrodes 31c, 31d, and 31e.
  • the organic EL display device of this embodiment has flexibility, like the organic EL display device 50 of the first embodiment, and in each sub-pixel P, an organic EL layer is formed through the first TFT 9a and the second TFT 9b. It is configured to display an image by causing the light emitting layer 3 of 35 to emit light as appropriate.
  • the organic EL display device of this embodiment can be manufactured by changing the pattern shape of the first electrode 31a in the organic EL element layer forming step in the method of manufacturing the organic EL display device 50 of the first embodiment. Can be done.
  • each first electrode 31c exposed from the first edge cover 32 has a flattening layer formed on the TFT layer 30 by penetrating each first electrode 31c.
  • a plurality of first recesses 31cc exposing the membrane 20 are provided in a linear manner so as to extend from one another, and a plurality of second recesses 33ac are provided on the surface of each third electrode 33a corresponding to the plurality of first recesses 31cc.
  • each solute component of the organic EL layer 35 which is formed by coating and drying on the surface of each third electrode 33a and generally tends to flow to the surroundings due to the coffee ring effect, is formed on the surface of each third electrode 33a.
  • the increase in surface area due to the plurality of second recesses 33ac makes it difficult for the water to flow to the surroundings. This reduces the difference in the thickness of the organic EL layer 35 formed by coating and drying on the surface of each third electrode 33a, thereby suppressing variations in the thickness of the organic EL layer 35 within the sub-pixel P. Can be done. Furthermore, since variations in the thickness of the organic EL layer 35 within the sub-pixel P can be suppressed, uneven light emission due to the organic EL element 39 of each sub-pixel P can be suppressed, and a decrease in luminous efficiency can be suppressed. can do.
  • the organic EL display device of this embodiment since the plurality of second recesses 33ac are provided on the surface of the third electrode 33a having light reflectivity, the organic EL layer 35 is formed in each sub-pixel P. The brightness when emitting light can be improved.
  • the line width of the plurality of first recesses 31cc provided in each of the first electrodes 31c exposed from the first edge cover 32 is the inner circumference of the first edge cover 32. On the inside of the edge, it gradually becomes wider from the center outward. As a result, the surface area of the plurality of second recesses 33ac formed on the surface of each third electrode 33a increases in the central portion inside the inner circumferential end of the first edge cover 32, so that coffee is generally Due to the ring effect, each solute component of the organic EL layer 35 that tends to flow to the surroundings becomes even more difficult to flow to the surroundings. Therefore, variations in the thickness of the organic EL layer 35 within the sub-pixel P can be further suppressed.
  • FIG. 11 shows a third embodiment of a display device according to the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view of the first electrode 31f exposed from the first edge cover 32f that constitutes the organic EL display device of this embodiment.
  • the organic EL display device (50) is illustrated in which the inner circumferential end of the first edge cover 32 is provided in a track shape, but in this embodiment, one of the inner circumferential ends of the first edge cover 32f is An example of an organic EL display device in which a portion is provided in an uneven shape when viewed from above is illustrated.
  • the term "track shape” refers to the shape of a track on a stadium, and is composed of a pair of straight parts facing each other and a pair of semicircular arc parts connected to both ends of the pair of straight parts, respectively.
  • the organic EL display device of this embodiment differs from the organic EL display device 50 of the first embodiment in that only the first edge cover 32f is used instead of the first edge cover 32, and the other components are organic. Since it is substantially the same as that of the EL display device 50, the configuration of the first edge cover 32f will be mainly described below.
  • the first electrode 31f is substantially the same as the first electrode 31a in the organic EL display device 50 of the first embodiment, and the first electrode 31f exposed from the first edge cover 32f has a first Similar to the electrode 31a, a plurality of linear first recesses 31fc are provided to extend parallel to each other by penetrating the first electrode 31f and exposing the flattening film 20 of the TFT layer 30.
  • the first edge cover 32f is provided in a grid pattern over the entire display area D, and is provided to cover the peripheral end of the first electrode 31f.
  • the first edge cover 32f is made of, for example, an organic resin material such as polyimide resin or acrylic resin, or a polysiloxane-based SOG material.
  • the inner peripheral end of the first edge cover 32f is provided in a substantially track shape, and a pair of mutually opposing linear portions called the tracks are provided in an uneven shape in a plan view.
  • a part of the inner peripheral end of the first edge cover 32f is provided in an uneven shape in plan view, but the entire inner peripheral end of the first edge cover 32f is provided in a planar view. It may be provided in an uneven shape.
  • the organic EL display device of this embodiment has flexibility, and in each sub-pixel P, an organic EL layer is formed through the first TFT 9a and the second TFT 9b. It is configured to display an image by causing the light emitting layer 3 of 35 to emit light as appropriate.
  • the organic EL display device of this embodiment is manufactured by changing the pattern shape of the first edge cover 32 in the organic EL element layer forming step in the method of manufacturing the organic EL display device 50 of the first embodiment. be able to.
  • each first electrode 31f exposed from the first edge cover 32f has a planarization layer formed on the TFT layer 30 by penetrating each first electrode 31f.
  • a plurality of first recesses 31fc exposing the membrane 20 are provided in a linear manner so as to extend from one another, and a plurality of second recesses 33ac are provided on the surface of each third electrode 33a corresponding to the plurality of first recesses 31fc.
  • each solute component of the organic EL layer 35 which is formed by coating and drying on the surface of each third electrode 33a and generally tends to flow to the surroundings due to the coffee ring effect, is formed on the surface of each third electrode 33a.
  • the increase in surface area due to the plurality of second recesses 33ac makes it difficult for the water to flow to the surroundings. This reduces the difference in the thickness of the organic EL layer 35 formed by coating and drying on the surface of each third electrode 33a, thereby suppressing variations in the thickness of the organic EL layer 35 within the sub-pixel P. Can be done. Furthermore, since variations in the thickness of the organic EL layer 35 within the sub-pixel P can be suppressed, uneven light emission due to the organic EL element 39 of each sub-pixel P can be suppressed, and a decrease in luminous efficiency can be suppressed. can do.
  • the organic EL display device of this embodiment since the plurality of second recesses 33ac are provided on the surface of the third electrode 33a having light reflectivity, the organic EL layer 35 is formed in each sub-pixel P. The brightness when emitting light can be improved.
  • the organic EL display device of the present embodiment at least a part of the inner circumferential end of the first edge cover 32f is provided with an uneven shape in a plan view, so that water generally flows around due to the coffee ring effect. Since the solute components of the organic EL layer 35 that are easily dispersed are dispersed in the uneven shape of the inner peripheral end of the first edge cover 32f, uneven light emission caused by the organic EL element 39 of each sub-pixel P can be suppressed.
  • the organic EL layer has a five-layer stacked structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It may be a three-layer stacked structure including a hole transport layer that also serves as a layer, a light emitting layer, and an electron injection layer that also serves as an electron transport layer.
  • an organic EL display device is illustrated in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode, but in the present invention, the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the source electrode.
  • the present invention can also be applied to organic EL display devices.
  • an organic EL display device is used as an example of a display device, but the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by an electric current, for example.
  • the present invention can be applied to a display device equipped with a QLED (Quantum-dot light emitting diode), which is a light-emitting element using a layer containing quantum dots.
  • QLED Quantum-dot light emitting diode
  • the present invention is useful for flexible display devices.
  • Sub-pixel 10 Resin substrate (base substrate) 20 Planarization film 30 TFT layer (thin film transistor layer) 31a, 31b, 31c, 31d, 31e, 31f First electrode 31ac, 31bc, 31cc, 31dc, 31eca, 31fc First recess 31ecb (other) first recess 32, 32f First edge cover 33a Third electrode 33ac Second Recessed portion 34 Second edge cover 35 Organic EL layer (organic electroluminescence layer, light emitting functional layer) 36 Second electrode 40 Organic EL element layer (light emitting element layer) 45 Sealing film 50 Organic EL display device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

ベース基板（１０）上にＴＦＴ層（３０）が設けられ、ＴＦＴ層（３０）上に発光素子層（４０）が設けられ、発光素子層（４０）では、表示領域（Ｄ）を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極（３１ａ）、共通の第１エッジカバー（３２）、複数の第３電極（３３ａ）、複数の発光機能層（３５）及び共通の第２電極（３６）が順に積層され、第１エッジカバー（３２）から露出する各第１電極（３１ａ）には、第１凹部（３１ａｃ）が設けられ、各第３電極（３３ａ）の表面には、第１凹部（３１ａｃ）に対応して第２凹部（３３ａｃ）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下、「ＥＬ」とも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、例えば、ベース基板と、ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、「ＴＦＴ」とも称する）層と、ＴＦＴ層上に設けられた有機ＥＬ素子層と、有機ＥＬ素子層上に設けられた封止膜とを備えている。ここで、有機ＥＬ素子は、例えば、ＴＦＴ層上に設けられた第１電極と、第１電極上に発光機能層として設けられた有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に設けられた第２電極とを備えている。
　例えば、特許文献１には、パッシベーション膜の表面の凸部に起因して、第１電極の表面に突起部が形成されることにより、発光素子層から発生する光を反射させて発光効率を向上させることが記載されている。
米国特許出願公開第２０１７／０１２５７４０号明細書
　ところで、有機ＥＬ表示装置において、例えば、インクジェットや各種コーター等の溶液塗布装置を用いて、第１電極上に有機ＥＬ層を形成する場合には、有機ＥＬ層となる塗布膜を乾燥させる際に塗布膜の縁にその溶質成分がコーヒーリング効果により凝集し易いので、第１電極の中央部上の有機ＥＬ層の膜厚が相対的に薄くなり、第１電極の縁部上の有機ＥＬ層の膜厚が相対的に厚くなってしまう。そうなると、サブ画素内で有機ＥＬ層の膜厚がばらつくことにより、発光ムラが生じて、発光効率の低下を招くので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、サブ画素内での発光機能層の膜厚のばらつきを抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、共通の第１エッジカバー、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層とを備え、上記第１エッジカバーが上記各第１電極の周端部を覆うように設けられた表示装置であって、上記第１エッジカバー及び上記複数の発光機能層の間には、上記複数のサブ画素に対応して複数の第３電極が設けられ、上記第１エッジカバーから露出する上記各第１電極には、上記各第３電極側に開口する第１凹部が設けられ、上記各第３電極の表面には、上記第１凹部に対応して第２凹部が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、サブ画素内での発光機能層の膜厚のばらつきを抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する第１エッジカバーから露出する第１電極の平面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層の等価回路図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する第１エッジカバーから露出する第１電極の変形例の平面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する第１エッジカバーから露出する第１電極の平面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する第１エッジカバーから露出する第１電極の第１変形例の平面図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する第１エッジカバーから露出する第１電極の第２変形例の平面図である。 図１１は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する第１エッジカバーから露出する第１電極の平面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図７は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子層を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子層を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の概略構成を示す平面図である。また、図２及び図３は、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域Ｄの平面図及び断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０を構成する第１エッジカバー３２から露出する第１電極３１ａの平面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０を構成するＴＦＴ層３０の等価回路図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０を構成する有機ＥＬ層３５の断面図である。また、図７は、第１エッジカバー３２から露出する第１電極３１ａの変形例の第１電極３１ｂの平面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０は、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれる。
　表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
　額縁領域Ｆの図１中の右端部には、端子部Ｔが一方向（図中のＹ方向）に延びるように設けられている。また、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図１に示すように、すなわち、額縁領域Ｆにおいて、端子部Ｔの表示領域Ｄ側には、図中のＹ方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中のＹ方向）に延びるように設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０は、図３に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板１０と、樹脂基板１０上に設けられたＴＦＴ層３０と、ＴＦＴ層３０上に発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層４０と、有機ＥＬ素子層４０上に設けられた封止膜４５とを備えている。
　樹脂基板１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層３０は、図３に示すように、樹脂基板１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に順に設けられた保護絶縁膜１９及び平坦化膜２０とを備えている。ここで、ＴＦＴ層３０では、図２に示すように、図中のＸ方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、図２に示すように、複数のゲート線１４ｇと交差（直交）する方向、すなわち、図中のＹ方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、図２に示すように、図中のＹ方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。そして、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。なお、ＴＦＴ層３０では、図３に示すように、樹脂基板１０上に、ベースコート膜１１、後述する半導体層１２ａ等となる半導体膜、ゲート絶縁膜１３、ゲート線１４ｇ等となる第１金属膜、第１層間絶縁膜１５、後述する上側導電層１６ｃ等となる第２金属膜、第２層間絶縁膜１７、ソース線１８ｆや電源線１８ｇ等となる第３金属膜、保護絶縁膜１９、及び平坦化膜２０が順に積層されている。
　ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７及び保護絶縁膜１９は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の単層膜又は積層膜の無機絶縁膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図５に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４ｇ及びソース線１８ｆに電気的に接続されている。ここで、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に設けられた半導体層１２ａと、半導体層１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して設けられたゲート電極１４ａと、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられたソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂとを備えている。
　半導体層１２ａは、例えば、ＬＴＰＳ（low temperature polysilicon）等のポリシリコンからなる半導体膜により形成され、互いに離間するように規定されたソース領域及びドレイン領域と、それらのソース領域及びドレイン領域の間に規定されたチャネル領域とを備えている。
　ゲート電極１４ａは、第１半導体層１２ａのチャネル領域に重なるように設けられ、第１半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域の間の導通を制御するように構成されている。ここで、ゲート電極１４ａは、ゲート線１４ｇ等と同様に、第１金属膜により形成されている。
　ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域に電気的にそれぞれ接続されている。ここで、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同様に、第３金属膜により形成されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図５に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に設けられた半導体層１２ｂと、半導体層１２ｂ上にゲート絶縁膜１３を介して設けられたゲート電極１４ｂと、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられたソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄとを備えている。
　半導体層１２ｂは、半導体層１２ａと同様に、例えば、ＬＴＰＳ等のポリシリコンからなる半導体膜により形成され、互いに離間するように規定されたソース領域及びドレイン領域と、それらのソース領域及びドレイン領域の間に規定されたチャネル領域とを備えている。
　ゲート電極１４ｂは、半導体層１２ｂのチャネル領域に重なるように設けられ、第１半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域の間の導通を制御するように構成されている。ここで、ゲート電極１４ｂは、ゲート線１４ｇ等と同様に、第１金属膜により形成されている。
　ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域に電気的にそれぞれ接続されている。ここで、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同様に、第３金属膜により形成されている。
　なお、本実施形態では、ポリシリコンからなる半導体膜により形成された半導体層１２ａ及び１２ｂを例示したが、半導体層１２ａ及び１２ｂは、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系等の酸化物半導体からなる半導体膜により形成されていてもよい。さらに、ＴＦＴ層３０は、ポリシリコンにより形成された半導体層を有するＴＦＴ、及び酸化物半導体により形成された半導体層を有するＴＦＴがそれぞれ設けられたハイブリッド構造を有していてもよい。
　キャパシタ９ｃは、図５に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、第１金属膜により形成された下側導電層１４ｃと、第２金属膜により形成された設けられた上側導電層１６ｃと、下側導電層１４ｃ及び上側導電層１６ｃの間に設けられた第１層間絶縁膜１５とを備えている。なお、上側導電層１６ｃは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　平坦化膜２０は、表示領域Ｄにおいて、平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子層４０は、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応して順に積層された複数の第１電極３１ａ、共通の第１エッジカバー３２、複数の第３電極３３ａ、共通の第２エッジカバー３４、複数の有機ＥＬ層３５及び共通の第２電極３６を備えている。ここで、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極３１ａ、第３電極３３ａ、有機ＥＬ層３５及び第２電極３６は、有機ＥＬ素子３９を構成し、有機ＥＬ素子層４０では、複数のサブ画素Ｐに対応して設けられた複数の有機ＥＬ素子３９がマトリクス状に配置されている。
　第１電極３１ａは、図３に示すように、保護絶縁膜１９及び平坦化膜２０に形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。ここで、第１電極３１ａは、例えば、インジウムスズ酸化物（Indium Tin Oxide、以下、「ＩＴＯ」とも称する）等の透明導電膜により形成され、光透過性を有している。また、第１電極３１ａは、後述するように、その周端部が第１エッジカバー３２で覆われ、第１エッジカバー３２から露出する第１電極３１ａには、断面視的に図３に示すように、第１電極３１ａを貫通して、ＴＦＴ層３０の平坦化膜２０を露出させると共に、平面視的に図４に示すように、互いに平行に延びるように線状に複数の第１凹部３１ａｃが設けられている。なお、本実施形態では、第１電極３１ａを貫通するように設けられた第１凹部３１ａｃを例示したが、第１凹部３１ａｃは、第１電極３１ａを貫通せずに、第３電極３３ａ側に開口するように設けられていてもよい。また、本実施形態では、複数の第１凹部３１ａｃが線状に設けられた第１電極３１ａを例示したが、第１電極３１ａの代わりに、図７に示すように、複数の第１凹部３１ｂｃが互いに離間するように点状に設けられた第１電極３１ｂであってもよい。
　第１エッジカバー３２は、表示領域Ｄ全体に格子状に設けられ、図３に示すように、第１電極３１ａの周端部を覆うように設けられている。ここで、第１エッジカバー３２は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ（spin on glass）材料等により構成されている。
　第３電極３３ａは、有機ＥＬ層３５にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第３電極３３ａは、有機ＥＬ層３５への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第３電極３３ａは、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜、銀（Ａｇ）等の金属膜、及びＩＴＯ等の透明導電膜が順に積層された積層膜により形成され、光反射性を有している。また、第３電極３３ａの表面には、図３に示すように、第１電極３１ａの複数の第１凹部３１ａｃに対応して、複数の第２凹部３３ａｃが設けられている。
　第２エッジカバー３４は、表示領域Ｄ全体に格子状に設けられ、図３に示すように、第３電極３３ａの周端部を覆うように設けられている。ここで、第２エッジカバー３４は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の単層膜又は積層膜の無機絶縁膜により構成されている。
　有機ＥＬ層３５は、発光機能層として設けられ、図６に示すように、第３電極３３ａ上に順に積層された正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。ここで、正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５は、後述するように、各構成材料を溶解させた水溶液を塗布及び乾燥して形成される。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第３電極３３ａと有機ＥＬ層３５とのエネルギーレベルを近づけ、第３電極３３ａから有機ＥＬ層３５への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第３電極３３ａから有機ＥＬ層３５への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第３電極３３ａ及び第２電極３６による電圧印加の際に、第３電極３３ａ及び第２電極３６から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極３６と有機ＥＬ層３５とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極３６から有機ＥＬ層３５へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子３９の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極３６は、図３に示すように、各有機ＥＬ層３５及び第２エッジカバー３４を覆うように設けられている。また、第２電極３６は、有機ＥＬ層３５に電子を注入する機能を有している。また、第２電極３６は、有機ＥＬ層３５への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極３６は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜により形成され、高い光透過性を有している。
　なお、本実施形態では、第１電極３１ａ及び第２電極３６が光透過性を有し、第３電極３３ａが光反射性を有するトップエミッション型の有機ＥＬ素子層４０を例示したが、有機ＥＬ素子層４０は、第１電極３１ａ及び第３電極３３ａが光透過性を有し、第２電極３６が光反射性を有するボトムエミッション型であってもよい。
　封止膜４５は、図３に示すように、第２電極３６を覆うように設けられ、第２電極３６上に順に積層された第１無機封止膜４１、有機封止膜４２及び第２無機封止膜４３を備え、有機ＥＬ素子３９の有機ＥＬ層３５を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第１無機封止膜４１及び第２無機封止膜４３は、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。また、有機封止膜４２は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０は、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４ｇを介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにデータ信号を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に応じた電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層３９に供給されることにより、有機ＥＬ層３５の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０では、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法について説明する。ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子層形成工程及び封止膜形成工程を備える。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　まず、ガラス基板上に形成した樹脂基板１０上に、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、窒化シリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）及び酸化シリコン膜（厚さ２５０ｎｍ程度）を順に成膜することにより、ベースコート膜１１を形成する。
　続いて、ベースコート膜１１が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を成膜し、そのアモルファスシリコン膜をレーザーアニール等により結晶化して、ポリシリコンからなる半導体膜を形成した後に、その半導体膜をパターニングして、半導体層１２ａ及び１２ｂ等を形成する。
　その後、半導体層１２ａ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜することにより、ゲート絶縁膜１３を形成する。
　さらに、ゲート絶縁膜１３が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ２００ｎｍ程度）等の第１金属膜を成膜した後に、その第１金属膜をパターニングして、ゲート電極１４ａ及び１４ｂ等を形成する。
　続いて、ゲート電極１４ａ及び１４ｂをマスクとして、半導体層１２ａ及び１２ｂに不純物イオンをドーピングすることにより、半導体層１２ａ及び１２ｂの一部を導体化して、半導体層１２ａ及び１２ｂにソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域をそれぞれ形成する。
　その後、半導体層１２ａ及び１２ｂの一部が導体化された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）及び酸化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を順に成膜することにより、第１層間絶縁膜１５を形成する。
　さらに、第１層間絶縁膜１５が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ２００ｎｍ程度）等の第２金属膜を成膜した後に、その第２金属膜をパターニングして、上側導電層１６ｃ等を形成する。
　その後、上側導電層１６ｃ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（厚さ３００ｎｍ程度）及び窒化シリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）を順に成膜することにより、第２層間絶縁膜１７を形成する。
　続いて、第２層間絶縁膜１７が形成された基板表面において、第１ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７を適宜パターニングすることにより、コンタクトホールを形成する。
　その後、上記コンタクトホールが形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ４００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）等を順に成膜して第３金属膜を形成した後に、その第３金属膜をパターニングして、ソース電極１８ａ及び１８ｃ、並びにドレイン電極１８ｂ及び１８ｄ等を形成する。
　さらに、ソース電極１８ａ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（厚さ２５０ｎｍ程度）を成膜することにより、保護絶縁膜１９を形成する。
　続いて、保護絶縁膜１９が形成された基板表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、アクリル系の感光性樹脂膜（厚さ２μｍ程度）を塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、コンタクトホールを有する平坦化膜２０を形成する。
　最後に、平坦化膜２０のコンタクトホールから露出する保護絶縁膜１９を除去して、そのコンタクトホールを第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに到達させる。
　以上のようにして、ＴＦＴ層３０を形成することができる。
　＜有機ＥＬ素子層形成工程＞
　まず、上記ＴＦＴ層形成工程でＴＦＴ層３０が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜（厚さ１００ｎｍ程度）等の透明導電膜を成膜した後に、その透明導電膜をパターニングして、第１凹部３１ａｃを有する第１電極３１ａ等を形成する。
　続いて、第１電極３１ａ等が形成された基板表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、アクリル系の感光性樹脂膜（厚さ２μｍ程度）を塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、第１エッジカバー３２を形成する。
　その後、第１エッジカバー３２が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜（厚さ４０ｎｍ程度）等の透明導電膜、Ａｇ膜（厚さ２０ｎｍ程度）等の金属膜、及びＩＴＯ膜（厚さ４０ｎｍ程度）等の透明導電膜を順に成膜した後に、それらの積層膜をパターニングして、第２凹部３３ａｃを有する第３電極３３ａ等を形成する。
　さらに、第３電極３３ａ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜（厚さ２５０ｎｍ程度）等の無機絶縁膜を成膜することにより、その無機絶縁膜をパターニングして、第２エッジカバー３４を形成する。
　続いて、第２エッジカバー３４が形成された基板表面に、所定の構成材料を溶解した水溶液を、例えば、インクジェット法により、塗布及び乾燥を繰り返すことにより、正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を順に形成して、有機ＥＬ層３５を形成する。
　最後に、有機ＥＬ層３５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、ＩＴＯ膜（厚さ１００ｎｍ程度）等の透明導電膜をスパッタリング法により成膜して、第２電極３６を形成する。
　以上のようにして、有機ＥＬ素子層４０を形成することができる。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程で有機ＥＬ素子層４０が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第１無機封止膜４１を形成する。
　続いて、第１無機封止膜４１が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機封止膜４２を形成する。
　さらに、有機封止膜４２が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機封止膜４３を形成することにより、封止膜４５を形成する。
　最後に、封止膜４５が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０を製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０によれば、第１エッジカバー３２から露出する各第１電極３１ａには、各第１電極３１ａを貫通して、ＴＦＴ層３０の平坦化膜２０を露出させる複数の第１凹部３１ａｃが互いに延びるように線状に設けられ、各第３電極３３ａの表面には、複数の第１凹部３１ａｃに対応して複数の第２凹部３３ａｃが設けられている。ここで、各第３電極３３ａの表面に塗布及び乾燥により形成され、一般的にコーヒーリング効果により周囲に流れ易い有機ＥＬ層３５の各溶質成分は、各第３電極３３ａの表面に形成された複数の第２凹部３３ａｃによる表面積の増加により、周囲に流れ難くなる。これにより、各第３電極３３ａの表面に塗布及び乾燥により形成される有機ＥＬ層３５の膜厚差が小さくなるので、サブ画素Ｐ内での有機ＥＬ層３５の膜厚のばらつきを抑制することができる。さらに、サブ画素Ｐ内での有機ＥＬ層３５の膜厚のばらつきを抑制することができるので、各サブ画素Ｐの有機ＥＬ素子３９による発光ムラを抑制することができ、発光効率の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０によれば、光反射性を有する第３電極３３ａの表面に複数の第２凹部３３ａｃが設けられているので、各サブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ層３５を発光させた際の輝度を向上させることができる。
　《第２の実施形態》
　図８～図１０は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置を構成する第１エッジカバー３２から露出する第１電極３１ｃの平面図である。また、図９は、第１エッジカバー３２から露出する第１電極３１ｃの第１変形例の第１電極３１ｄの平面図である。また、図１０は、第１エッジカバー３２から露出する第１電極３１ｃの第２変形例の第１電極３１ｅの平面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、複数の第１凹部３１ａｃが互いに同じサイズに設けられた第１電極３１ａを備えた有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、本実施形態では、複数の第１凹部３１ｃｃが互いに異なるサイズに設けられた第１電極３１ｃを備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０において、第１電極３１ａの代わりに第１電極３１ｃを用いているだけで、それ以外の構成が有機ＥＬ表示装置５０のものと実質的に同じになっているので、以下では、第１電極３１ｃの構成を中心に説明する。
　第１電極３１ｃは、上記第１の実施形態の第１電極３１ａと同様に、保護絶縁膜１９及び平坦化膜２０に形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極３１ｃは、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜により形成され、光透過性を有している。また、第１電極３１ｃは、その周端部が第１エッジカバー３２で覆われ、第１エッジカバー３２から露出する第１電極３１ｃには、図８に示すように、第１電極３１ｃを貫通して、ＴＦＴ層３０の平坦化膜２０を露出させると共に、互いに平行に延びるように線状に複数の第１凹部３１ｃｃが設けられている。ここで、複数の第１凹部３１ｃｃの線幅は、図８に示すように、第１エッジカバー３２の内周端の内側において、中央から外方に向かって次第に広くなっている。また、第１電極３１ｃを覆う第３電極３３ａの表面には、第１電極３１ｃの複数の第１凹部３１ｃｃに対応して、複数の第２凹部３３ａｃが設けられている。
　なお、本実施形態では、複数の第１凹部３１ｃｃが線状に設けられた第１電極３１ｃを例示したが、第１電極３１ｃの代わりに、図９に示すように、複数の第１凹部３１ｄｃが互いに離間するように点状に設けられた第１電極３１ｄであってもよい。ここで、複数の第１凹部３１ｄｃの面積は、図９に示すように、第１エッジカバー３２の内周端の内側において、中央から外方に向かって次第に大きくなっている。
　また、本実施形態では、複数の第１凹部３１ｃｃが線状に設けられた第１電極３１ｃを例示したが、第１電極３１ｃの代わりに、図１０に示すように、複数の第１凹部３１ｅｃａが線状に設けられ、他の複数の第１凹部３１ｅｃｂが点状に設けられた第１電極３１ｅであってもよい。ここで、複数の第１凹部３１ｅｃａの線幅は、図１０に示すように、第１エッジカバー３２の内周端の内側において、中央から外方に向かって次第に広くなっている。また、複数の第１凹部３１ｅｃｂは、図１０に示すように、隣り合う一対の第１凹部３１ｅｃａの間に設けられている。
　また、本実施形態、その第１変形例及び第２変形例では、第１電極３１ｃ、３１ｄ及び３１ｅを貫通するように設けられた第１凹部３１ｃｃ、３１ｄｃ及び３１ｅｃａ（３１ｅｃｂ）を例示したが、第１凹部３１ｃｃ、３１ｄｃ及び３１ｅｃａ（３１ｅｃｂ）は、第１電極３１ｃ、３１ｄ及び３１ｅを貫通せずに、第３電極３３ａ側に開口するように設けられていてもよい。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０と同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層３５の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法における有機ＥＬ素子層形成工程において、第１電極３１ａのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、第１エッジカバー３２から露出する各第１電極３１ｃには、各第１電極３１ｃを貫通して、ＴＦＴ層３０の平坦化膜２０を露出させる複数の第１凹部３１ｃｃが互いに延びるように線状に設けられ、各第３電極３３ａの表面には、複数の第１凹部３１ｃｃに対応して複数の第２凹部３３ａｃが設けられている。ここで、各第３電極３３ａの表面に塗布及び乾燥により形成され、一般的にコーヒーリング効果により周囲に流れ易い有機ＥＬ層３５の各溶質成分は、各第３電極３３ａの表面に形成された複数の第２凹部３３ａｃによる表面積の増加により、周囲に流れ難くなる。これにより、各第３電極３３ａの表面に塗布及び乾燥により形成される有機ＥＬ層３５の膜厚差が小さくなるので、サブ画素Ｐ内での有機ＥＬ層３５の膜厚のばらつきを抑制することができる。さらに、サブ画素Ｐ内での有機ＥＬ層３５の膜厚のばらつきを抑制することができるので、各サブ画素Ｐの有機ＥＬ素子３９による発光ムラを抑制することができ、発光効率の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、光反射性を有する第３電極３３ａの表面に複数の第２凹部３３ａｃが設けられているので、各サブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ層３５を発光させた際の輝度を向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、第１エッジカバー３２から露出する各第１電極３１ｃに設けられた複数の第１凹部３１ｃｃの線幅は、第１エッジカバー３２の内周端の内側において、中央から外方に向かって次第に広くなっている。これにより、各第３電極３３ａの表面に形成された複数の第２凹部３３ａｃによる表面積は、第１エッジカバー３２の内周端の内側において、中央の部分でより増加するので、一般的にコーヒーリング効果により周囲に流れ易い有機ＥＬ層３５の各溶質成分が周囲にいっそう流れ難くなる。そのため、サブ画素Ｐ内での有機ＥＬ層３５の膜厚のばらつきをいっそう抑制することができる。
　《第３の実施形態》
　図１１は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置を構成する第１エッジカバー３２ｆから露出する第１電極３１ｆの平面図である。
　上記各実施形態では、第１エッジカバー３２の内周端がトラック状に設けられた有機ＥＬ表示装置（５０）を例示したが、本実施形態では、第１エッジカバー３２ｆの内周端の一部が平面視で凹凸状に設けられた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、トラック状とは、競技場におけるトラックの形状を意味し、互いに対向する一対の直線部と、一対の直線部の両端にそれぞれ連結する一対の半円弧部とにより構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０において、第１エッジカバー３２の代わりに第１エッジカバー３２ｆを用いているだけで、それ以外の構成が有機ＥＬ表示装置５０のものと実質的に同じになっているので、以下では、第１エッジカバー３２ｆの構成を中心に説明する。なお、第１電極３１ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０における第１電極３１ａと実質的に同じであり、第１エッジカバー３２ｆから露出する第１電極３１ｆには、第１電極３１ａと同様に、第１電極３１ｆを貫通して、ＴＦＴ層３０の平坦化膜２０を露出させると共に、互いに平行に延びるように線状に複数の第１凹部３１ｆｃが設けられている。
　第１エッジカバー３２ｆは、表示領域Ｄ全体に格子状に設けられ、第１電極３１ｆの周端部を覆うように設けられている。ここで、第１エッジカバー３２ｆは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ材料等により構成されている。また、第１エッジカバー３２ｆの内周端は、図１１に示すように、略トラック状に設けられ、トラックでいう互いに対向する一対の直線部が平面視で凹凸状に設けられている。なお、本実施形態では、第１エッジカバー３２ｆの内周端の一部が平面視で凹凸状に設けられた構成を例示したが、第１エッジカバー３２ｆの内周端の全部が平面視で凹凸状に設けられていてもよい。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０と同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層３５の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法における有機ＥＬ素子層形成工程において、第１エッジカバー３２のパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、第１エッジカバー３２ｆから露出する各第１電極３１ｆには、各第１電極３１ｆを貫通して、ＴＦＴ層３０の平坦化膜２０を露出させる複数の第１凹部３１ｆｃが互いに延びるように線状に設けられ、各第３電極３３ａの表面には、複数の第１凹部３１ｆｃに対応して複数の第２凹部３３ａｃが設けられている。ここで、各第３電極３３ａの表面に塗布及び乾燥により形成され、一般的にコーヒーリング効果により周囲に流れ易い有機ＥＬ層３５の各溶質成分は、各第３電極３３ａの表面に形成された複数の第２凹部３３ａｃによる表面積の増加により、周囲に流れ難くなる。これにより、各第３電極３３ａの表面に塗布及び乾燥により形成される有機ＥＬ層３５の膜厚差が小さくなるので、サブ画素Ｐ内での有機ＥＬ層３５の膜厚のばらつきを抑制することができる。さらに、サブ画素Ｐ内での有機ＥＬ層３５の膜厚のばらつきを抑制することができるので、各サブ画素Ｐの有機ＥＬ素子３９による発光ムラを抑制することができ、発光効率の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、光反射性を有する第３電極３３ａの表面に複数の第２凹部３３ａｃが設けられているので、各サブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ層３５を発光させた際の輝度を向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、第１エッジカバー３２ｆの内周端の少なくとも一部が平面視で凹凸状に設けられているので、一般的にコーヒーリング効果により周囲に流れ易い有機ＥＬ層３５の各溶質成分が第１エッジカバー３２ｆの内周端の凹凸形状で分散するため、各サブ画素Ｐの有機ＥＬ素子３９による発光ムラを抑制することができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができ、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ　　　　　表示領域
Ｐ　　　　　サブ画素
１０　　　　樹脂基板（ベース基板）
２０　　　　平坦化膜
３０　　　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆ　　第１電極
３１ａｃ，３１ｂｃ，３１ｃｃ，３１ｄｃ，３１ｅｃａ，３１ｆｃ　　第１凹部
３１ｅｃｂ　　　（他の）第１凹部
３２，３２ｆ　　第１エッジカバー
３３ａ　　　第３電極
３３ａｃ　　第２凹部
３４　　　　第２エッジカバー
３５　　　　有機ＥＬ層（有機エレクトロルミネッセンス層、発光機能層）
３６　　　　第２電極
４０　　　　有機ＥＬ素子層（発光素子層）
４５　　　　封止膜
５０　　　　有機ＥＬ表示装置

Claims (13)

  1. 　ベース基板と、
    　上記ベース基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、共通の第１エッジカバー、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層とを備え、
    　上記第１エッジカバーが上記各第１電極の周端部を覆うように設けられた表示装置であって、
    　上記第１エッジカバー及び上記複数の発光機能層の間には、上記複数のサブ画素に対応して複数の第３電極が設けられ、
    　上記第１エッジカバーから露出する上記各第１電極には、第１凹部が設けられ、
    　上記各第３電極の表面には、上記第１凹部に対応して第２凹部が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記第１凹部は、上記各第１電極を貫通するように設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記薄膜トランジスタ層は、上記発光素子層側に設けられた平坦化膜を備え、
    　上記第１凹部は、上記平坦化膜を露出させるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記複数の第３電極及び上記複数の発光機能層の間には、上記複数のサブ画素に対応して共通の第２エッジカバーが設けられ、
    　上記第２エッジカバーは、上記各第３電極の周端部を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項１～４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１凹部は、互いに平行に延びるように線状に複数設けられていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項５に記載された表示装置において、
    　複数の上記第１凹部の線幅は、上記第１エッジカバーの内周端の内側において、中央から外方に向かって次第に広くなっていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項５又は６に記載された表示装置において、
    　複数の上記第１凹部の間には、互いに離間するように点状に他の第１凹部が複数設けられていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項１～４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１凹部は、互いに離間するように点状に複数設けられていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項８に記載された表示装置において、
    　複数の上記第１凹部の面積は、上記第１エッジカバーの内周端の内側において、中央から外方に向かって次第に大きくなっていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１エッジカバーの内周端の少なくとも一部は、平面視で凹凸状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１～１０の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各第１電極及び上記第２電極は、光透過性を有し、
    　上記各第３電極は、光反射性を有していることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１～１１の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記発光素子層上に設けられた封止膜を備えていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１～１２の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各発光機能層は、有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする表示装置。
PCT/JP2022/033220 2022-09-05 2022-09-05 表示装置 WO2024052950A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2022/033220 WO2024052950A1 (ja) 2022-09-05 2022-09-05 表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2022/033220 WO2024052950A1 (ja) 2022-09-05 2022-09-05 表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024052950A1 true WO2024052950A1 (ja) 2024-03-14

Family

ID=90192341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/033220 WO2024052950A1 (ja) 2022-09-05 2022-09-05 表示装置

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2024052950A1 (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2005294204A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
US20100176717A1 (en) * 2009-01-12 2010-07-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2016167400A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびその製造方法
JP2018125295A (ja) * 2015-11-30 2018-08-09 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2019040113A (ja) * 2017-08-28 2019-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019075220A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111969025A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
JP2021107918A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル表示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2005294204A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
US20100176717A1 (en) * 2009-01-12 2010-07-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2016167400A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびその製造方法
JP2018125295A (ja) * 2015-11-30 2018-08-09 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2019040113A (ja) * 2017-08-28 2019-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019075220A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2021107918A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル表示装置
CN111969025A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022042059A1 (zh) Oled显示面板及其制备方法、显示装置
US11329110B2 (en) Display device having organic buffer layer between inorganic sealing films and method of manufacturing display device
US11751445B2 (en) Display device
US20200020880A1 (en) Display device
US11957015B2 (en) Display device
EP3316312B1 (en) Display device having emitting areas
US11342398B2 (en) Display device and method of manufacturing same
US20230077957A1 (en) Display device
US11380871B2 (en) Display device including sealing layers having optimized wettability
WO2019187121A1 (ja) 表示装置
US10497907B1 (en) Method for manufacturing display device by UV-curing organic layer of sealing film
US20210098548A1 (en) Display device
WO2024052950A1 (ja) 表示装置
WO2024100801A1 (ja) 表示装置
WO2024100768A1 (ja) 表示装置
WO2020053923A1 (ja) 表示装置
WO2020017007A1 (ja) 表示装置およびその製造方法
WO2019142360A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2019142261A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2019142262A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2022074713A1 (ja) 表示装置、及び、その製造方法
WO2024105749A1 (ja) 表示装置
JP7543568B2 (ja) 表示装置の製造方法
WO2024154202A1 (ja) 表示装置
US9312515B2 (en) Organic EL device and method for manufacturing organic EL device

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22958034

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1