JP3915734B2 - 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置 - Google Patents

蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置に係り、特に有機発光素子を用いた表示装置の製造に好適な蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機発光素子を用いた有機発光ディスプレイが注目されている。有機発光ディスプレイは、自発光型であるので視野角が広く、消費電力が低いという特性を有し、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化が進められている。
【０００３】
従来の有機発光ディスプレイは、例えば図２８ないし図３４の工程を経て製造される。まず、図２８に示したように、基板１１１上に、複数の第１電極１１４を形成する。この第１電極１１４は、各有機発光素子ごとにパターニングされており、図示しない平坦化層を介して、各有機発光素子に対応して設けられた図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）に電気的に接続されている。
【０００４】
次に、図２９に示したように、複数の第１電極１１４の間の領域に絶縁膜１１５を形成する。この絶縁膜１１５には、第１電極１１４に対応して開口部１１５Ａが設けられている。
【０００５】
続いて、図３０に示したように、絶縁膜１１５の上の画面内に対応する位置に補助電極１１６Ａ、また、基板１１１の周縁の領域に補助電極１１６Ａの母線となる幹状補助電極１１６Ｂを形成する。補助電極１１６Ａは、電源（図示せず）と個々の発光部との間の配線抵抗を均一化し、電圧降下の差による発光むら（特に，画面内の中央部と周縁部との間の発光むら）の発生を抑制するためのものである。また、幹状補助電極１１６Ｂの端部には、第２電極１１６を電源につなぐための取り出し端子１１６Ｃを設ける。
【０００６】
そののち、例えば図３１に示したように各有機発光素子に対応して開口部１４１を有する蒸着マスク１４０を用いて、図３２に示したように、例えば、緑色の光を発生する有機発光素子１１０Ｇの有機層１１７を形成する。
【０００７】
次に、図３３に示したように、蒸着マスク１４０を移動させて赤色の光を発生する有機発光素子１１０Ｒの有機層１１７を形成し、同じく図３２に示したように、再び蒸着マスク１４０を移動させて青色の光を発生する有機発光素子１１０Ｂの有機層１１７を形成する。
【０００８】
続いて、図３４に示したように、基板１１１の略全面にわたって蒸着法により第２電極１１６を形成する。これにより、第２電極１１６と補助電極１１６Ａとがコンタクト部１１８において電気的に接続される。
【０００９】
なお、従来では、例えば、各有機発光素子の間に、有機層を形成するための蒸着マスクのスペーサとなるリブを設け、このリブに補助電極を形成するようにした構成のものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−１９５００８号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の蒸着マスク１４０は、開口部１４１が各有機発光素子に対応して設けられている（図３１）。このような蒸着マスク１４０を用いて蒸着を行うと、図３５に示したように、蒸発源１５２からの蒸着状況により有機層１１７に膜厚分布が発生する可能性がある。このような膜厚分布は、蒸着マスク１４０の板厚あるいは断面形状により、あるいは蒸発源１５２と蒸着マスク１４０の開口部１４１との位置関係により変化し、特に蒸発源１５２の特性の影響を受けやすい。有機発光素子の発光色すなわち発光波長は有機層１１７の膜厚に依存するので、画素内色むらの発生を防ぐためには、有機層１１７のうち均一な膜厚を有する中央付近の領域のみを有効発光領域１１７Ａとして利用することが必要である。よって、従来の蒸着マスク１４０を用いた場合には、有効発光領域１１７Ａが限定されてしまい、開口率が低下してしまうという問題があった。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、表示装置の開口率を高めることができる蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の第２の目的は、本発明の蒸着マスクを用いて製造される、開口率の向上した表示装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明による蒸着マスクは、基板に複数の有機発光素子の複数の行および列からなるマトリックス配列を有する表示装置の有機発光素子に共通の連続有機層を蒸着法により形成するためのものであって、マトリックス配列の少なくとも２行にわたる共通の連続有機層を形成するための１または２以上のストライプ状の開口部を有する本体部と、この本体部に開口部内に部分的に突出すると共に有機発光素子の行間の領域に対応して設けられた突起部とを備えたものである。
【００１５】
本発明による表示装置の製造方法は、基板に複数の有機発光素子の複数の行および列からなるマトリックス配列を有する表示装置を製造するものであって、基板に複数の有機発光素子の各々に対応して複数の第１電極をマトリックス状に形成する工程と、複数の第１電極の行間および列間の領域に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の上に、複数の第１電極の行間または列間の領域に補助電極を形成する工程と、１または２以上のストライプ状の開口部を有する本体部と、この本体部に開口部内に部分的に突出すると共に有機発光素子の行間の領域に対応して設けられた突起部とを備えた蒸着マスクを用いて、複数の第１電極のうち少なくとも二つにわたって共通の連続有機層を蒸着によりストライプ状に形成すると共に、ストライプ状の連続有機層の第１電極の行間の領域に対応する位置に切欠き部を形成する工程と、切欠き部を有する連続有機層を形成したのち、基板の略全面を覆う第２電極を形成すると共に、連続有機層の切欠き部においてコンタクト部を形成し、第２電極と補助電極とを電気的に接続させる工程とを含むものである。
【００１６】
本発明による表示装置は、基板に複数の有機発光素子の複数の行および列からなるマトリックス配列を有するものであって、基板に複数の有機発光素子の各々に対応して設けられた複数の第１電極と、これらの複数の第１電極の行間および列間の領域に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜の表面に、複数の第１電極の行間または列間の領域に設けられた補助電極と、１または２以上のストライプ状の開口部を有する本体部と、この本体部に開口部内に部分的に突出すると共に有機発光素子の行間の領域に対応して設けられた突起部とを備えた蒸着マスクを用いて形成され、複数の第１電極を含む基板の表面に複数の有機発光素子のマトリックス配列の少なくとも２行にわたって共通に設けられると共に、その側壁部分に、複数の第１電極の行間の領域に対応して切欠き部を有するストライプ状の連続有機層と、連続有機層を含む基板の略全面を覆うと共に、連続有機層の切欠き部に形成されたコンタクト部を介して補助電極と電気的に接続された第２電極とを備えたものである。
【００１７】
本発明による蒸着マスクでは、本体部に設けられたストライプ状の開口部を介して、複数の有機発光素子の複数の行および列からなるマトリックス配列の少なくとも２行にわたる共通の連続有機層が形成されるので、連続有機層の延長方向において膜厚分布が低減される。また、突起部が、開口部内に部分的に突出すると共に有機発光素子の行間の領域に対応して設けられているので、連続有機層の非発光領域すなわちマトリックス配列の行間の領域に、補助電極と第２電極とのコンタクト部となる切欠き部が形成される。
【００１８】
本発明による表示装置の製造方法では、基板に複数の有機発光素子の各々に対応して複数の第１電極がマトリックス状に形成される。次に、複数の第１電極の行間および列間の領域に絶縁膜が形成されたのち、絶縁膜の上に補助電極が形成される。続いて、１または２以上のストライプ状の開口部を有する本体部と、この本体部に開口部内に部分的に突出すると共に有機発光素子の行間の領域に対応して設けられた突起部とを備えた蒸着マスクを用いて、複数の第１電極のうち少なくとも二つにわたって共通の連続有機層が蒸着によりストライプ状に形成されると共に、ストライプ状の連続有機層の第１電極の行間の領域に対応する位置に切欠き部が形成される。そののち、基板の略全面を覆う第２電極が形成されると共に、連続有機層の切欠き部においてコンタクト部が形成され、第２電極と補助電極とが電気的に接続される。
【００１９】
本発明による表示装置では、ストライプ状の連続有機層が、複数の有機発光素子のマトリックス配列の少なくとも２行にわたって共通に設けられているので、連続有機層の延長方向において膜厚分布が低減される。また、この連続有機層は、１または２以上のストライプ状の開口部を有する本体部と、この本体部に開口部内に部分的に突出すると共に有機発光素子の行間の領域に対応して設けられた突起部とを備えた蒸着マスクを用いて形成されたものであり、連続有機層の側壁部分に、複数の第１電極の行間の領域に対応して切欠き部が設けられ、この切欠き部に形成されたコンタクト部を介して補助電極と第２電極とが電気的に接続されているので、電源と個々の有機発光素子との間の配線抵抗の差が緩和される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
まず、図１ないし図２３を参照して、本発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法、およびこれに用いられる蒸着マスクについて説明する。この表示装置は、例えば極薄型の有機発光ディスプレイとして用いられるものであり、図１に示したように、基板１１上に、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒ、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇおよび青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂの３原色の素子を１画素単位とし、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの複数の行および列からなるマトリックス配列を構成することにより、多数の画素を全体としてマトリックス状になるように配設したものである。
【００２２】
本実施の形態では、このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する前に、まず、図２に示したように、ガラスなどの絶縁材料よりなる基板１１の上に、ＴＦＴ１２を形成し、次いで、例えば酸化シリコンあるいはＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）などよりなる層間絶縁膜１２Ａを形成したのち、例えばアルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）―銅（Ｃｕ）合金よりなる信号線としての配線１２Ｂを形成する。ＴＦＴ１２のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続し、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、層間絶縁膜１２Ａに設けられた図示しない接続孔を介して配線１２Ｂに接続される。なお、ＴＦＴ１２の構成は、特に限定されず、例えば、ボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。
【００２３】
次に、同じく図２に示したように、基板１１の全面に、例えばスピンコート法により例えばポリイミド等の有機材料よりなる平坦化層１３を形成し、露光および現像により平坦化層１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔（コンタクトホール）１３Ａを形成する。平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された基板１１の表面を平坦化し、後工程で形成される有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の積層方向の膜厚（以下「厚み」という）を均一に形成するためのものである。平坦化層１３は、微細な接続孔１３Ａが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成することが好ましい。また、平坦化層１３の材料としては、ポリイミド等の有機材料のほか、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機材料を用いてもよい。
【００２４】
続いて、図３および図４に示したように、平坦化層１３の上に、例えばスパッタ法およびリソグラフィ技術により、各素子毎に対応して第１電極（個別電極）１４をマトリックス状に形成する。この第１電極１４は接続孔１３Ａを介して配線１２Ｂと接続される。第１電極１４は、反射層としての機能も兼ねており、例えば厚みを２００ｎｍ程度とし、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ）またはタングステン（Ｗ）などの仕事関数の高い金属元素の単体または合金により構成することが好ましい。
【００２５】
そののち、図５および図６に示したように、第１電極１４の行間および列間の領域に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学的気相成長）法およびリソグラフィ技術により、絶縁膜１５を形成すると共に発光領域に対応して開口部１５Ａを形成する。絶縁膜１５は、第１電極１４と後述する第２電極１６との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものである。絶縁膜１５は、例えば厚みを６００ｎｍ程度とし、酸化シリコンあるいはポリイミドなどの絶縁材料により構成する。
【００２６】
次に、図７および図８に示したように、絶縁膜１５の表面に、例えばスパッタ法およびリソグラフィ技術により、補助電極１６Ａを行列状に形成する。補助電極１６Ａは、電源（図示せず）と個々の発光部との間の配線抵抗を均一化し、電圧降下の差による発光むら（特に，画面内の中央部と周縁部との間の発光むら）の発生を抑制するためのものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）のような低抵抗の導電性材料を単層あるいは積層構造としたものにより構成する。また、同じく図７および図８に示したように、基板１１の周縁の領域に、例えばスパッタ法およびリソグラフィ技術により、補助電極１６Ａの母線となる幹状補助電極１６Ｂを形成する。幹状補助電極１６Ｂは、例えば、補助電極１６Ａと同様の材料により構成するが、基板１１の周縁の領域に形成するので、補助電極１６Ａよりも厚みを増やし幅も広くする、すなわち配線抵抗をより小さくすることが可能である。幹状補助電極１６Ｂと補助電極１６Ａとは、例えば補助電極１６Ａの端部が幹状補助電極１６Ｂに接触するように形成することにより、電気的に接続される。なお、幹状補助電極１６Ｂは、補助電極１６Ａと同一の工程で一体的に形成してもよく、別工程で形成してもよい。また、幹状補助電極１６Ｂは、基板１１上に形成してもよく、その場合、幹状補助電極１６Ｂと補助電極１６Ａとの電気的接続は、平坦化層１３を介してコンタクトホールにより行うことなどが可能である。
【００２７】
幹状補助電極１６Ｂの端部には、第２電極１６を電源（図示せず）につなぐための取り出し電極１６Ｃを設ける。この取り出し電極１６Ｃは、例えばチタン（Ｔｉ）―アルミニウム（Ａｌ）により構成することができる。
【００２８】
続いて、図９および図１０に示したように、ストライプ状の開口部４１を有する蒸着マスク４０を用いて、蒸着法により、有機発光素子１０Ｇに共通の緑色用連続有機層１７Ｇを形成する。これにより、図１１に示したように、有機発光素子１０Ｇの間の領域に例えば半楕円形の切欠き部１７Ａを有する緑色用連続有機層１７Ｇが形成される。
【００２９】
なお、緑色用連続有機層１７Ｇとしては、例えば、正孔輸送層および発光層を第１電極１４の側からこの順に積層する。正孔輸送層は、発光層への正孔注入効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。緑色用連続有機層１７Ｇの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、緑色用連続有機層１７Ｇの発光層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃ６；Coumarin６）を１体積％混合したものが挙げられる。
【００３０】
図９および図１０に示した蒸着マスク４０は、例えばニッケル（Ｎｉ）あるいはニッケルを含む合金など、着磁性のある材料により構成された平板状の本体部４０Ａに、１または２以上（ここでは２条）のストライプ状の開口部４１を有するものである。開口部４１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのうち発光色が同一のものを複数同時に形成できるように配置形成されており、例えば、図９および図１０に示したように開口部４１を有機発光素子１０Ｇの形成予定位置に対応させて成膜を行うことにより、有機発光素子１０Ｇに共通の緑色用連続有機層１７Ｇを形成することができる。このように緑色用連続有機層１７Ｇを複数（ここでは３個）の有機発光素子１０Ｇに共通に設けることにより、従来のように各有機発光素子１０Ｇごとに有機層を形成する場合と異なり、緑色用連続有機層１７Ｇの延長方向における膜厚分布の発生が解消される。よって、発光領域をその分拡大し、開口率を高めることができる。
【００３１】
本実施の形態では、本体部４０Ａには開口部４１内に突出するように突起部４１Ａが設けられている。突起部４１Ａは、隣り合う有機発光素子１０Ｇの行間の領域に対応して緑色用連続有機層１７Ｇに後述する切欠き部１７Ａを設けるためのものである。突起部４１Ａは、例えば、開口部４１の幅方向の両側において相対する位置に対になって設けられている。また、このような突起部４１Ａの対は、有機発光素子１０Ｇの行間毎に対応するように複数組（ここでは２組）設けられている。
【００３２】
突起部４１Ａの形状は、絶縁膜１５の開口部１５Ａすなわち発光領域を妨げないように設定されていることが好ましい。開口率の向上を妨げることなく、後述する補助電極１６Ａと第２電極１６とのコンタクト部１８を設けることができるからである。突起部４１Ａの具体的な形状は、例えば、図１０に示した半楕円状、あるいは半円状（図示せず）のような丸みをつけた形状でもよいし、図１２に示したような三角形あるいは図１３に示したような矩形などのような丸みのない形状としてもよい。突起部４１Ａの寸法は、蒸着マスク４０の板厚、発光領域との位置関係、コンタクト部１８の寸法などを考慮して適切に設定される。本実施の形態では、開口部４１の延長方向における寸法ｄ１を例えば４０ｎｍ程度、延長方向に直交する方向の寸法（幅）ｄ２を例えば３０ｎｍ程度としている。開口部４１および突起部４１Ａは、例えばエッチングまたは電気鋳造法により形成することができる。
【００３３】
図１４は、このような蒸着マスク４０を用いて緑色用連続有機層１７Ｇを形成するための蒸着装置の概略構成を表すものである。この蒸着装置５０は、真空チャンバ５１内に、緑色用連続有機層１７Ｇの構成材料である有機材料を収容する蒸着源５２を備えている。蒸着源５２に対向して、基板１１に蒸着マスク４０を取り付けたワーク５３が配置される。真空チャンバ５１には、図示しないが、ワーク５３の搬入口および排出口が設けられている。
【００３４】
蒸着源５２の構成は特に限定されるものではなく、点状でもよく、ライン状でもよい。また、蒸着源５２は、抵抗蒸着源あるいはＥＢ（Electron Beam ；電子線）蒸着源などを用いることが可能である。なお、蒸着源５２は、例えば、緑色用連続有機層１７Ｇを構成する正孔輸送層および発光層に対してそれぞれ一つずつ設けることなどが可能である。
【００３５】
ワーク５３は、蒸発源５２の上方の固定位置において回転可能としてもよいし、蒸着源５２に対して相対移動可能としてもよい。蒸着マスク４０は、マスクホルダ５４により保持されて基板１１の蒸着源５２側に取り付けられ、基板１１の裏側に設けられたシートマグネット５５により固定されている。
【００３６】
このようにして緑色用連続有機層１７Ｇを形成したのち、蒸着マスク４０を有機発光素子１０Ｒの形成予定位置に対応させて位置合わせし、図１５に示したように、切欠き部１７Ａを有すると共に有機発光素子１０Ｒに共通の赤色用連続有機層１７Ｒを形成する。赤色用連続有機層１７Ｒの形成方法およびそれに用いられる蒸着装置は、有機発光素子１０Ｇの緑色用連続有機層１７Ｇの場合と同様である。これにより、緑色用連続有機層１７Ｇの切欠き部１７Ａと、赤色用連続有機層１７Ｒの切欠き部１７Ａとが合わさって、その合わさった領域に補助電極１６Ａが露出する。
【００３７】
なお、赤色用連続有機層１７Ｒとしては、例えば、正孔輸送層，発光層および電子輸送層を第１電極１４の側からこの順に積層する。電子輸送層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものである。赤色用連続有機層１７Ｒの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられ、赤色用連続有機層１７Ｒの発光層の構成材料としては、例えば、２，５−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）―Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン―１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）が挙げられ、赤色用連続有機層１７Ｒの電子輸送層の構成材料としては、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）が挙げられる。
【００３８】
続いて、蒸着マスク４０を再びずらして、図１６，図１７および図１８に示したように、切欠き部１７Ａを有すると共に有機発光素子１０Ｂに共通の青色用連続有機層１７Ｂを形成する。青色用連続有機層１７Ｂの形成方法およびそれに用いられる蒸着装置は、有機発光素子１０Ｇの緑色用連続有機層１７Ｇの場合と同様である。これにより、青色用連続有機層１７Ｂの切欠き部１７Ａと、緑色用連続有機層１７Ｇの切欠き部１７Ａとが合わさって、その合わさった領域に補助電極１６Ａが露出する。また、青色用連続有機層１７Ｂの切欠き部１７Ａと、赤色用連続有機層１７Ｒの切欠き部１７Ａとが合わさって、その合わさった領域に補助電極１６Ａが露出する。
【００３９】
なお、青色用連続有機層１７Ｂとしては、例えば、正孔輸送層，発光層および電子輸送層を第１電極１４の側からこの順に積層する。青色用連続有機層１７Ｂの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、青色用連続有機層１７Ｂの発光層の構成材料としては、例えば、４，４´−ビス（２，２´−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）が挙げられ、青色用連続有機層１７Ｂの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 が挙げられる。
【００４０】
赤色用連続有機層１７Ｒ，緑色用連続有機層１７Ｇおよび青色用連続有機層１７Ｂを形成したのち、図１９，図２０および図２１に示したように、例えば蒸着法により、基板１１の略全面を覆う第２電極１６を形成する。第２電極１６は、半透過性電極により構成されており、発光層で発生した光は第２電極１６の側から取り出されるようになっている。第２電極１６は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。本実施の形態では、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀との合金（ＭｇＡｇ合金）により構成されている。
【００４１】
第２電極１６を基板１１の略全面を覆うように形成することにより、切欠き部１７Ａにおいて、補助電極１６Ａと第２電極１６とのコンタクト部１８が形成され、補助電極１６Ａと第２電極１６とが電気的に接続される。また、第２電極１６は、幹状補助電極１６Ｂの少なくとも一部を覆うように形成し、第２電極１６と幹状補助電極１６Ｂとを電気的に接続させる。以上により、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００４２】
次に、図２２に示したように、第２電極１６の上に、例えば蒸着法，ＣＶＤ法あるいはスパッタ法により、保護膜１９を形成する。保護膜１９は、例えば、厚みを５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下とし、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ），窒化シリコン（ＳｉＮ）などの透明誘電体により構成する。
【００４３】
また、図２３（Ａ）に示したように、例えば、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料よりなる封止用基板２１の上に、赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、図２３（Ｂ）に示したように、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。こうして、封止用基板２１に、カラーフィルタ２２が形成される。カラーフィルタ２２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するものである。
【００４４】
そののち、図２４に示したように、基板１１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した側に、例えば熱硬化型樹脂よりなる接着層３０を塗布形成する。塗布は、例えば、スリットノズル型ディスペンサーから樹脂を吐出させて行うようにしてもよく、ロールコートあるいはスクリーン印刷などにより行うようにしてもよい。次いで、図２５に示したように、基板１１と封止用基板２１とを接着層３０を介して貼り合わせる。その際、封止用基板２１のうちカラーフィルタ２２を形成した側の面を、基板１１と対向させて配置することが好ましい。また、接着層３０に気泡などが混入しないようにすることが好ましい。そののち、封止用基板２１のカラーフィルタ２２と基板１１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの相対位置を整合させてから所定温度で所定時間加熱処理を行い、接着層３０の熱硬化性樹脂を硬化させる。以上により、本実施の形態に係る表示装置が完成する。
【００４５】
このようにして製造された表示装置では、第１電極１４と第２電極１６との間に所定の電圧が印加されると、連続有機層１７の発光層に電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより発光が起こる。この光は、封止用基板２１の側から取り出される。ここでは、赤色用連続有機層１７Ｒが複数（図１１では３個）の有機発光素子１０Ｒにおいて共通に、同様に、緑色用連続有機層１７Ｇが複数の有機発光素子１０Ｇ、青色用連続有機層１７Ｂが複数の有機発光素子１０Ｂにおいてそれぞれ共通に設けられているので、従来のように各有機発光素子に対応して有機層を形成する場合と異なり、各素子では、赤色用連続有機層１７Ｒ等の延長方向において膜厚分布が解消され、均一の厚さとなっている。
【００４６】
また、赤色用連続有機層１７Ｒ、緑色用連続有機層１７Ｇおよび青色用連続有機層１７Ｂの非発光領域（すなわち、マトリックス配列の行間の領域）に対応する位置に切欠き部１７Ａが設けられているので、開口率を低下させることなく、第２電極１６と補助電極１６Ａとのコンタクト部１８が素子毎に形成される。
【００４７】
図２６は、各素子と取り出し電極１６Ｃとの間の接続回路部分の等価回路図を表すものである。ここで、第２電極１６は薄膜状の共通電極であるために、取り出し電極１６Ｃと最も近い素子との間の抵抗成分Ｒ１および素子間の抵抗成分Ｒ２，Ｒ３が高く、各素子の取り出し電極１６Ｃからの距離の違いに応じて、電圧降下が異なり、そのため表示画面の中央部とその周辺部とで輝度のばらつきの原因となる。本実施の形態では、第２電極１６は、各素子に対応する位置においてコンタクト部１８を介して補助電極１６Ａに電気的に接続される。補助電極１６Ａは膜厚が厚く、取り出し電極１６Ｃと最も近い素子との間の抵抗成分Ｒ４および素子間の抵抗成分Ｒ５，Ｒ６はＲ１〜Ｒ３に比較して相対的に小さくなっている。すなわち、取り出し電極１６Ｃから補助電極１６Ａおよびコンタクト部１８を介して各素子に至る経路では、取り出し電極１６Ｃと個々の素子との間の配線抵抗の差が緩和され均一化している。したがって、電源（図示せず）から取り出し電極１６Ｃを介して供給された電流は、電圧降下に大きな差を生ずることなく、補助電極１６Ａおよびコンタクト部１８を通じて各素子に流れ、その結果、画面全体にわたって均一な輝度で表示がなされる。
【００４８】
このように本実施の形態では、赤色用連続有機層１７Ｒ，緑色用連続有機層１７Ｇおよび青色用連続有機層１７Ｂを、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにそれぞれ共通に設けるようにしたので、赤色用連続有機層１７Ｒ，緑色用連続有機層１７Ｇおよび青色用連続有機層１７Ｂの延長方向において膜厚分布が解消され、開口率をその分高めることができる。また、各連続有機層の非発光領域に形成した切欠き部１７Ａにおいて第２電極１６と補助電極１６Ａとのコンタクト部１８を形成するようにしたので、パネル内部に各素子に対応してコンタクト部１８を形成することができ、取り出し電極１８Ｃと個々の素子との間の配線抵抗の差を緩和し均一化できる。よって、表示画面の中央と周辺部との間の輝度のばらつきを改善することができる。
【００４９】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、突起部４１Ａを、開口部４１の幅方向の両側において相対する位置に対になるように設け、切欠き部１７Ａを互いに隣り合わせるようにした場合について説明したが、例えば図２７に示したように、開口部４１の幅方向の片側のみに幅方向に長い突起部４１Ｃを設け、切欠き部１７Ａを隣り合わせなくてもコンタクト部１８が形成されるようにしてもよい。ただし、上記実施の形態の方が、赤色用連続有機層１７Ｒ，緑色用連続有機層１７Ｇおよび青色連続有機層１７Ｂの延長方向における膜厚分布の低減により開口率を向上させる効果を確実に得ることができるので好ましい。なお、開口部４１の幅方向の片側にのみ突起部４１Ｃを設ける場合、突起部４１Ｃは必ずしも開口部４１の幅方向の同じ側にのみ設ける必要はない。
【００５０】
また、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがそれぞれインライン（直線状）配置され、赤色用連続有機層１７Ｒ，緑色用連続有機層１７Ｇおよび青色連続有機層１７Ｂが真直ぐなストライプ状に形成されている場合について説明したが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、赤色用連続有機層１７Ｒ，緑色用連続有機層１７Ｇおよび青色連続有機層１７Ｂを有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの２行以上に共通に形成できるように配置されていればよく、必ずしも直線状に配置されている必要はない。例えば千鳥状に配置されていてもよい。
【００５１】
更に、上記実施の形態では、絶縁膜１５の上に、第１電極１４の行間および列間の領域に補助電極１６Ａを行列状に形成した場合について説明したが、補助電極１６Ａは、第１電極１４の行間の領域のみに設けてもよいし、第１電極１４の列間の領域のみに設けてもよい。
【００５２】
加えて、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、赤色用連続有機層１７Ｒ，緑色用連続有機層１７Ｇおよび青色用連続有機層１７Ｂの成膜順序は、上記実施の形態で述べた例に限られない。
【００５３】
更にまた、例えば、上記実施の形態においては、基板１０に、第１電極１４，連続有機層１７および第２電極１６を基板１１の側からこの順で積層し、封止用基板２１の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。ただし、上記実施の形態では、基板１１の上に各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応してＴＦＴ１２を設け、このＴＦＴ１２により有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを駆動するようにしているので、ＴＦＴ１２を設けない封止用基板２１の側から光を取り出すようにする方が開口率が大きくなり、本発明の効果を更に高めることができて有利である。
【００５４】
加えてまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極１４を陽極、第２電極１６を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１６を陽極としてもよい。更に、第１電極１４を陰極、第２電極１６を陽極とすると共に、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【００５５】
更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。また、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの赤色用連続有機層１７Ｒ，緑色用連続有機層１７Ｇおよび青色用連続有機層１７Ｂの層構成および構成材料は、上記実施の形態の例に限られない。
【００５６】
加えてまた、上記実施の形態では、本発明をカラーディスプレイに適用した場合について説明したが、本発明は例えば単色ディスプレイの場合にも適用可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の蒸着マスクおよび本発明の表示装置の製造方法によれば、蒸着マスクの本体部に設けられたストライプ状の開口部を介して、複数の有機発光素子のマトリックス配列の少なくとも２行にわたる共通の連続有機層を形成するようにしたので、連続有機層の延長方向において膜厚分布を解消し、開口率をその分高めることができる。また、蒸着マスクには、突起部を、開口部内に部分的に突出すると共に有機発光素子の行間の領域に対応して設けるようにしたので、連続有機層に、補助電極と第２電極（共通電極）とのコンタクト部となる切欠き部を形成することができ、電源と個々の素子との間の配線抵抗の差を緩和し均一化できる。よって、表示画面の中央と周辺部との間の輝度のばらつきを改善することができる。
【００５８】
本発明による表示装置によれば、連続有機層が、１または２以上のストライプ状の開口部を有する本体部と、この本体部に開口部内に部分的に突出すると共に有機発光素子の行間の領域に対応して設けられた突起部とを備えた蒸着マスクを用いて形成されたものであり、この連続有機層の切欠き部に形成されたコンタクト部を介して補助電極と第２電極とが電気的に接続されているようにしたので、電源から供給された電流を、電圧降下に大きな差を生じることなく補助電極およびコンタクト部を通じて各素子に流すことができる。よって、表示画面の中央と周辺部との間の輝度のばらつきを改善し、画面全体にわたって均一な輝度で表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す平面図である。
【図２】図１に示した表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３】図２の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】図３および図４の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【図７】図５および図６の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図９】図７および図８の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に示した蒸着マスクの構成を表す平面図である。
【図１１】図９および図１０に示した蒸着マスクを用いて緑色用連続有機層を形成した状態を表す平面図である。
【図１２】図１０に示した蒸着マスクの変形例を表す平面図である。
【図１３】図１０に示した蒸着マスクの他の変形例を表す平面図である。
【図１４】図９および図１１の工程において用いられる蒸着装置の概略構成を説明するための図である。
【図１５】図９および図１１の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図１６】図１５の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿った断面図である。
【図１８】図１６のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図１９】図１６の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図２０】図１９のＸＸ−ＸＸ線に沿った断面図である。
【図２１】図１９のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿った断面図である。
【図２２】図１９の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２２の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図２４】図２３の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図２５】図２４の工程に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図２６】図２５に示した表示装置の作用を説明するための図である。
【図２７】図１０に示した蒸着マスクの更に他の変形例を表す平面図である。
【図２８】従来の表示装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図２９】図２８の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図３０】図２９の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図３１】図３０の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図３２】図３１の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図３３】図３２の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図３４】図３３の工程に続く製造工程を説明するための平面図である。
【図３５】従来の表示装置の製造に用いられる蒸着マスクの問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…ＴＦＴ、１２Ａ…層間絶縁膜、１２Ｂ…配線、１３…平坦化層、１３Ａ…接続孔、１４…第１電極、１５…絶縁膜、１６…第２電極、１６Ａ…補助電極、１６Ｂ…幹状補助電極、１７Ａ…切欠き部、１７Ｒ…赤色用連続有機層、１７Ｇ…緑色用連続有機層、１７Ｂ…青色用連続有機層、１８…コンタクト部、１９…保護膜、３０…接着層、４０…蒸着マスク、４１…開口部、４１Ａ，４１Ｃ…突起部、５０…蒸着装置、５１…真空チャンバ、５２…蒸着源、５３…ワーク

Claims (14)

  1. 基板に複数の有機発光素子の複数の行および列からなるマトリックス配列を有する表示装置の前記有機発光素子に共通の連続有機層を蒸着法により形成するための蒸着マスクであって、
    前記マトリックス配列の少なくとも２行にわたる共通の連続有機層を形成するための１または２以上のストライプ状の開口部を有する本体部と、
    この本体部に前記開口部内に部分的に突出すると共に前記有機発光素子の行間の領域に対応して設けられた突起部と
    を備えたことを特徴とする蒸着マスク。
  2. 前記突起部は、半円形状、半楕円形状または多角形状である
    ことを特徴とする請求項１記載の蒸着マスク。
  3. 前記突起部は、前記開口部の幅方向の両側において相対する位置に対になって設けられている
    ことを特徴とする請求項１記載の蒸着マスク。
  4. 前記突起部の対は、前記有機発光素子の行間毎に対応するよう複数組設けられている
    ことを特徴とする請求項３記載の蒸着マスク。
  5. 前記開口部は、エッチングまたは電気鋳造法により形成される
    ことを特徴とする請求項１記載の蒸着マスク。
  6. 前記本体部は着磁性のある材料により構成されている
    ことを特徴とする請求項１記載の蒸着マスク。
  7. 基板に複数の有機発光素子の複数の行および列からなるマトリックス配列を有する表示装置の製造方法であって、
    前記基板に前記複数の有機発光素子の各々に対応して複数の第１電極をマトリックス状に形成する工程と、
    前記複数の第１電極の行間および列間の領域に絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜の上に、前記複数の第１電極の行間または列間の領域に補助電極を形成する工程と、
    １または２以上のストライプ状の開口部を有する本体部と、この本体部に前記開口部内に部分的に突出すると共に前記有機発光素子の行間の領域に対応して設けられた突起部とを備えた蒸着マスクを用いて、前記複数の第１電極のうち少なくとも二つにわたって共通の連続有機層を蒸着によりストライプ状に形成すると共に、前記ストライプ状の連続有機層の前記第１電極の行間の領域に対応する位置に切欠き部を形成する工程と、
    前記切欠き部を有する連続有機層を形成したのち、前記基板の略全面を覆う第２電極を形成すると共に、前記連続有機層の切欠き部においてコンタクト部を形成し、前記第２電極と前記補助電極とを電気的に接続させる工程と
    を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
  8. 前記切欠き部を、半円形状、半楕円形状または多角形状に形成する
    ことを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記基板の周縁の領域に、前記補助電極の母線となる幹状補助電極を形成する
    ことを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
  10. 基板に複数の有機発光素子の複数の行および列からなるマトリックス配列を有する表示装置であって、
    前記基板に前記複数の有機発光素子の各々に対応して設けられた複数の第１電極と、
    これらの複数の第１電極の行間および列間の領域に設けられた絶縁膜と、
    この絶縁膜の表面に、前記複数の第１電極の行間または列間の領域に設けられた補助電極と、
    １または２以上のストライプ状の開口部を有する本体部と、この本体部に前記開口部内に部分的に突出すると共に前記有機発光素子の行間の領域に対応して設けられた突起部と を備えた蒸着マスクを用いて形成され、前記複数の第１電極を含む基板の表面に前記複数の有機発光素子のマトリックス配列の少なくとも２行にわたって共通に設けられると共に、その側壁部分に、前記複数の第１電極の行間の領域に対応して切欠き部を有するストライプ状の連続有機層と、
    前記連続有機層を含む基板の略全面を覆うと共に、前記連続有機層の切欠き部に形成されたコンタクト部を介して前記補助電極と電気的に接続された第２電極と
    を備えたことを特徴とする表示装置。
  11. 前記切欠き部は、半円形状、半楕円形状または多角形状である
    ことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
  12. 前記基板の周縁の領域に、前記補助電極の母線となる幹状補助電極が形成されている
    ことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
  13. 前記有機発光素子は、前記連続有機層で発生した光を前記第２電極の側から取り出す
    ことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
  14. 前記基板の前記複数の有機発光素子側に封止用基板が対向配置され、前記基板と前記封止用基板とが接着層を介して全面にわたって貼り合せられている
    ことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
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TW093112451A TWI232700B (en) 2003-05-12 2004-05-04 Deposition mask, method for manufacturing display unit using it, and display unit
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KR1020040033019A KR101021542B1 (ko) 2003-05-12 2004-05-11 증착 마스크, 이 증착 마스크를 사용하여 디스플레이 유닛을 제조하는 방법, 및 디스플레이 유닛
CNB2004100550578A CN100433355C (zh) 2003-05-12 2004-05-12 沉积掩模、应用它制造显示装置的方法及显示装置
US11/870,226 US8828477B2 (en) 2003-05-12 2007-10-10 Deposition mask, method for manufacturing display unit using it, and display unit
US13/074,624 US8598783B2 (en) 2003-05-12 2011-03-29 Deposition mask, method for manufacturing display unit using it, and display unit
US14/454,261 US20140349429A1 (en) 2003-05-12 2014-08-07 Method for manufacturing a display unit
US14/453,894 US8970105B2 (en) 2003-05-12 2014-08-07 Display unit and light emitting device
US14/572,109 US20150137106A1 (en) 2003-05-12 2014-12-16 Method for manufacturing a display unit
US14/807,340 US9184225B1 (en) 2003-05-12 2015-07-23 Display unit
US15/379,043 US10522759B2 (en) 2003-05-12 2016-12-14 Method for manufacturing a display unit

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10418581B2 (en) 2015-03-25 2019-09-17 Pioneer Corporation Light emitting device

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
US7221095B2 (en) * 2003-06-16 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating light emitting device
KR20050112456A (ko) * 2004-05-25 2005-11-30 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US20060105493A1 (en) 2004-11-15 2006-05-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of organic devices
US7189991B2 (en) * 2004-12-29 2007-03-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic devices comprising conductive members that connect electrodes to other conductive members within a substrate and processes for forming the electronic devices
KR100686120B1 (ko) * 2005-05-17 2007-02-26 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자의 제조방법
GB0510282D0 (en) * 2005-05-20 2005-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Top-electroluminescent devices comprising cathode bus bars
US7994711B2 (en) * 2005-08-08 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2007128049A (ja) * 2005-10-03 2007-05-24 Sanyo Electric Co Ltd 表示パネル
KR101166838B1 (ko) * 2005-12-30 2012-07-19 엘지디스플레이 주식회사 듀얼 플레이트 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP5046521B2 (ja) 2006-01-18 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2007234678A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR101245217B1 (ko) * 2006-06-12 2013-03-19 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
JP2008034362A (ja) * 2006-06-28 2008-02-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
TW200808119A (en) * 2006-06-28 2008-02-01 Sumitomo Chemical Co Organic electroluminescence device
KR100836471B1 (ko) * 2006-10-27 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 마스크 및 이를 이용한 증착 장치
JP4338144B2 (ja) * 2006-12-28 2009-10-07 財団法人山形県産業技術振興機構 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US7839083B2 (en) 2007-02-08 2010-11-23 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic apparatus
JP5104274B2 (ja) * 2007-02-08 2012-12-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP2008226746A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Sony Corp 表示装置および電子機器
US7791978B2 (en) * 2008-02-01 2010-09-07 International Business Machines Corporation Design structure of implementing power savings during addressing of DRAM architectures
KR100830318B1 (ko) * 2007-04-12 2008-05-16 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
US7915816B2 (en) 2007-05-14 2011-03-29 Sony Corporation Organic electroluminescence display device comprising auxiliary wiring
JP2008311212A (ja) 2007-05-14 2008-12-25 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP5017584B2 (ja) * 2007-08-02 2012-09-05 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機ｅｌ表示装置
JP5262226B2 (ja) * 2007-08-24 2013-08-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP5141354B2 (ja) * 2008-04-22 2013-02-13 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
KR100953540B1 (ko) * 2008-06-11 2010-04-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
EP2139041B1 (en) * 2008-06-24 2015-08-19 LG Display Co., Ltd. Luminescence display panel and method for fabricating the same
KR101726620B1 (ko) * 2008-06-24 2017-04-14 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
JP5002553B2 (ja) * 2008-07-30 2012-08-15 株式会社東芝 自発光型素子及びその製造方法
KR100993426B1 (ko) 2008-11-10 2010-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP5293497B2 (ja) * 2009-08-18 2013-09-18 ソニー株式会社 表示装置
JP5328726B2 (ja) * 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) * 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101174874B1 (ko) * 2010-01-06 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스, 박막 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101146984B1 (ko) * 2010-03-09 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101156441B1 (ko) * 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8421064B2 (en) * 2010-04-09 2013-04-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic-light-emitting-diode flat-panel light-source apparatus
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP2012059631A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンス用マスク
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
CN103299712B (zh) * 2011-01-18 2016-01-27 夏普株式会社 被成膜基板和有机el显示装置
KR101810683B1 (ko) 2011-02-14 2017-12-20 삼성디스플레이 주식회사 자석 수단의 교체가 가능한 마스크 고정장치 및 이를 포함하는 증착장치
WO2012124258A1 (en) 2011-03-11 2012-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method of light-emitting element
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101407587B1 (ko) * 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
JP6168742B2 (ja) * 2011-09-02 2017-07-26 キヤノン株式会社 有機ｅｌ装置
WO2013114552A1 (ja) * 2012-01-31 2013-08-08 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法
WO2013121505A1 (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法
KR101951029B1 (ko) * 2012-06-13 2019-04-26 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP2013008704A (ja) * 2012-10-11 2013-01-10 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
KR20150127071A (ko) * 2013-03-08 2015-11-16 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법
KR102037376B1 (ko) * 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102083983B1 (ko) * 2013-05-29 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN104752460B (zh) * 2013-12-25 2018-05-01 清华大学 有机发光二极管阵列的制备方法
CN104752457B (zh) * 2013-12-25 2018-01-19 清华大学 有机发光二极管阵列的制备方法
CN104752611B (zh) * 2013-12-25 2017-09-01 清华大学 有机发光二极管阵列
CN104752459B (zh) * 2013-12-25 2018-04-03 清华大学 有机发光二极管阵列
KR102182828B1 (ko) * 2014-08-14 2020-11-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널
KR102360783B1 (ko) * 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102353329B1 (ko) 2015-01-16 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2016219125A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置
CN105679795B (zh) * 2015-12-31 2018-11-09 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US10243175B2 (en) 2016-02-02 2019-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting apparatus fabricated using a fluoropolymer and method of manufacturing the same
JP2017168397A (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102627284B1 (ko) * 2016-05-12 2024-01-22 엘지디스플레이 주식회사 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극의 접속구조 형성 방법과 그를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치
CN107580410B (zh) * 2016-07-05 2019-12-13 元太科技工业股份有限公司 电连接结构
CN106756780B (zh) * 2017-01-23 2019-03-05 京东方科技集团股份有限公司 一种用于溅射成膜工艺的掩膜板及溅射装置
US10439138B2 (en) * 2017-08-31 2019-10-08 Sakai Display Products Corporation Method for producing deposition mask
US10847739B2 (en) * 2017-09-21 2020-11-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having larger openings on inner sides of anode electrodes in display region than on inner sides of anode electrodes in peripheral display region
WO2019106481A1 (en) * 2017-11-30 2019-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display panel
CN108866476B (zh) * 2018-06-29 2020-03-10 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版及其制作方法、蒸镀方法、显示屏
CN108615742A (zh) * 2018-07-10 2018-10-02 南方科技大学 一种显示面板制作方法、显示面板及显示装置
CN108919571B (zh) * 2018-07-11 2021-07-27 业成科技（成都）有限公司 显示面板
KR20200021573A (ko) * 2018-08-20 2020-03-02 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
WO2020105433A1 (ja) * 2018-11-20 2020-05-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器
KR20200121414A (ko) * 2019-04-15 2020-10-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210053395A (ko) * 2019-11-01 2021-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110993649A (zh) * 2019-11-18 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4976988A (en) * 1987-02-03 1990-12-11 Nissan Motor Co., Ltd. Vacuum evaporation method for zinc sulfide
JP3480757B2 (ja) * 1995-02-21 2003-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パネルの作製方法
JP2815004B2 (ja) * 1996-10-30 1998-10-27 日本電気株式会社 表示装置およびその製造方法
US6331722B1 (en) * 1997-01-18 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Hybrid circuit and electronic device using same
JPH10319870A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Nec Corp シャドウマスク及びこれを用いたカラー薄膜ｅｌ表示装置の製造方法
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JP2000113980A (ja) 1998-10-07 2000-04-21 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子の製造方法
JP2000331783A (ja) 1999-05-21 2000-11-30 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
JP3809758B2 (ja) 1999-10-28 2006-08-16 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001230089A (ja) 2000-02-15 2001-08-24 Matsushita Electric Works Ltd 光源点灯装置
JP4434411B2 (ja) 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
TWI282697B (en) 2000-02-25 2007-06-11 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device
US7129918B2 (en) * 2000-03-10 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving electronic device
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
JP2001296819A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Nec Corp 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法
JP2002033058A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Sony Corp 電界放出型表示装置用の前面板
JP3610325B2 (ja) * 2000-09-01 2005-01-12 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造方法
JP4078813B2 (ja) * 2001-06-12 2008-04-23 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
KR20030002947A (ko) * 2001-07-03 2003-01-09 엘지전자 주식회사 풀칼라 유기 ｅｌ 표시소자 및 제조방법
JP2003022892A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の製造方法
KR100757574B1 (ko) * 2001-09-14 2007-09-10 엘지전자 주식회사 유기전계 발광소자용 마스크
JP2003123969A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
JP2003234186A (ja) * 2001-12-06 2003-08-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
SG126714A1 (en) * 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
EP1343206B1 (en) * 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
US7190335B2 (en) * 2002-03-26 2007-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7474045B2 (en) * 2002-05-17 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having TFT with radiation-absorbing film
JP4222035B2 (ja) 2003-01-20 2009-02-12 セイコーエプソン株式会社 成膜用精密マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法、電子機器
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
KR100552972B1 (ko) * 2003-10-09 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10418581B2 (en) 2015-03-25 2019-09-17 Pioneer Corporation Light emitting device

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