KR102182828B1 - 유기발광표시패널 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 상에 형성된 복수의 신호라인, 기판 상에 형성되며, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극으로 이루어진 트랜지스터, 기판과 트랜지스터 사이에 형성된 차광층, 소스전극 또는 드레인전극에 연결된 픽셀전극 및 픽셀전극의 가장자리를 따라 형성되어 픽셀전극의 일부를 노출시키고, 광을 흡수하는 물질로 이루어져 있거나 광 흡수제가 도포된 뱅크를 포함하되, 신호라인, 게이트전극, 소스전극, 드레인전극 및 차광층 중 적어도 하나는, 전체 또는 일부가 도전층과 하나 이상의 광차단층으로 이루어진 다중층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널을 제공한다.
Description
본 발명은 유기발광표시패널에 관한 것이다.
평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치가 널리 사용되어 왔으나, 액정표시장치는 스스로 빛을 생성하지 못하는 수광 소자(non-emissive device)여서, 휘도(brightness), 대조비(contrast ratio), 시야각(viewing angle) 및 대면적화 등에 단점이 있다.
이에 따라, 이러한 액정표시장치의 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판표시장치의 개발이 활발하게 전개되고 있는데, 새로운 평판표시장치 중 하나인 유기발광 표시장치는 스스로 빛을 생성하는 발광소자이므로, 액정표시장치에 비하여 휘도, 시야각 및 대조비 등이 우수하며, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다.
유기발광 표시장치의 유기발광표시패널은 각 화소영역의 박막트랜지스터에 연결된 유기발광소자로부터 출사되는 빛을 이용하여 영상을 표시하는데, 유기 발광소자는 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 유기물로 이루어진 유기발광층을 형성하고 전기장을 가함으로 빛을 내는 소자로서, 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 적고, 가볍고 연성(flexible) 기판 상부에도 제작이 가능한 특징을 갖는다.
이러한 유기발광표시장치가 야외 또는 밝은 장소에서 사용되는 경우, 외부에서 유입되는 광에 의해, 유기발광표시패널의 시인성이 저하되고, 휘도가 저감되며, 명암비(Contrast Ratio) 특성이 저하되는 문제가 발생한다.
본 발명의 목적은, 시인성을 향상시키고, 휘도를 향상시키며, 명암비 특성을 향상시킨 유기발광표시패널을 제공함에 있다.
전술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은, 일 측면에서, 기판 상에 형성된 복수의 신호라인; 상기 기판 상에 형성되며, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극으로 이루어진 트랜지스터; 상기 기판과 상기 트랜지스터 사이에 형성된 차광층;상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결된 픽셀전극; 및 상기 픽셀전극의 가장자리를 따라 형성되어 상기 픽셀전극의 일부를 노출시키고, 광을 흡수하는 물질로 이루어져 있거나 광 흡수제가 도포된 뱅크를 포함하되, 상기 신호라인, 상기 게이트전극, 상기 소스전극, 상기 드레인전극 및 상기 차광층 중 적어도 하나는, 전체 또는 일부가 도전층과 하나 이상의 광차단층으로 이루어진 다중층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널을 제공한다.
본 발명은 유기발광표시패널의 시인성을 향상시키고, 휘도를 향상시키며, 명암비 특성을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광 표시장치에 관한 시스템 구성도이다.
도 2는 일실시예에 따른 유기발광표시패널의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A', B-B'를 절단한 유기발광표시패널의 일예의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 다른 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 차광층의 예들을 나타낸 도면들이다.
도 5a 내지 도 5c는 또다른 실시예들에 따라 도 2의 A-A', B-B'를 절단한 예들의 개략적인 단면도들이다.
도 6은 또다른 실시예에 따라 도 2의 A-A', B-B'를 절단한 일예의 개략적인 단면도이다.
도 7a 내지 도 7g는 일반적인 유기발광표시패널의 외부 광에 대한 반사율을 나타내는 그래프들과 표이다.
도 8a 내지 도 8g는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 외부 광에 대한 반사율을 나타내는 그래프들과 표이다.
도 2는 일실시예에 따른 유기발광표시패널의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A', B-B'를 절단한 유기발광표시패널의 일예의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 다른 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 차광층의 예들을 나타낸 도면들이다.
도 5a 내지 도 5c는 또다른 실시예들에 따라 도 2의 A-A', B-B'를 절단한 예들의 개략적인 단면도들이다.
도 6은 또다른 실시예에 따라 도 2의 A-A', B-B'를 절단한 일예의 개략적인 단면도이다.
도 7a 내지 도 7g는 일반적인 유기발광표시패널의 외부 광에 대한 반사율을 나타내는 그래프들과 표이다.
도 8a 내지 도 8g는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 외부 광에 대한 반사율을 나타내는 그래프들과 표이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.
도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광 표시장치에 관한 시스템 구성도이다.
도 1을 참조하면, 유기발광 표시장치(100)는 (140), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130), 타이밍 콘트롤러(110) 등을 포함한다.
우선, 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 수직/수평 동기신호(Vsync, Hsync)와 영상데이터(data), 클럭신호(CLK) 등의 외부 타이밍 신호에 기초하여 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(Data Control Signal, DCS)와 게이트 구동부(130)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(Gate Control Signal, GCS)를 출력한다. 또한, 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템로부터 입력되는 영상데이터(data)를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식으로 변환하고 변환된 영상데이터(data')를 데이터 구동부(120)로 공급할 수 있다.
데이터 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 데이터 제어신호(DCS) 및 변환된 영상데이터(data')에 응답하여, 영상데이터(data')를 계조 값에 대응하는 전압 값인 데이터신호(아날로그 화소신호 혹은 데이터 전압)로 변환하여 데이터 라인(D1~Dm)에 공급한다.
게이트 구동부(130)는 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 게이트 제어신호(GCS)에 응답하여 게이트 라인(G1~Gn)에 스캔신호(게이트 펄스 또는 스캔펄스, 게이트 온신호)를 순차적으로 공급한다.
한편 유기발광표시패널(140) 상의 각 화소(P)는, 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)에 의해 정의된 화소영역에 형성되어 매트릭스 형태로 배치될 수 있고, 제1전극인 픽셀전극(anode), 제2전극인 공통전극(cathode), 유기층을 포함하는 적어도 하나의 유기발광소자일 수 있다.
각 화소(P)에는 게이트 라인(G1~Gn), 데이터라인(D1~Dm) 및 고전위전압을 공급하기 위한 고전위전압라인이 형성되어 있다. 또한, 각 화소(P)에는 게이트라인(G1~Gn) 및 데이터라인(D1~Dm) 사이에서 스위칭 트랜지스터(Switching Transistor)가 형성되어 있고, 양극, 음극 및 유기발광층으로 구성된 유기발광 다이오드와 스위칭 트랜지스터의 소스전극(혹은 드레인전극) 및 고전위전압라인 사이에서 구동 트랜지스터(Driving Transistor)가 형성되어 있다.
여기서 게이트 라인(G1~Gn), 데이터라인(D1~Dm), 고전위전압라인 및 각 트랜지스터들의 게이트전극, 소스전극(혹은 드레인전극) 중 적어도 하나는 도전층과 하나 이상의 광차단층으로 이루어진 다중층 구조를 가질 수 있다.
또한 각 트랜지스터들의 반도체층의 하부에는 외부 광을 차단하는 차광층이 형성될 수 있고, 차광층 또한 도전층과 하나 이상의 광차단층으로 이루어질 수 있다.
이하에서는 도면들을 참조하여, 이에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 2는 일실시예에 따른 유기발광표시패널의 개략적인 평면도이다. 도 2는 4개의 서브픽셀(sub pixel)들을 도시하였고, 이러한 서브픽셀들은 3개의 트랜지스터(T21, T22, T23)와 1개의 스토리지 캐패시터(Cstg)를 포함하는 3T(Transistor) 1C(Capacitor) 구조로 도시되었으며, 이는 설명의 편의를 위해 일예로서 도시한 것으로써, 본 발명은 이에 제한되지 않음에 유의하여야 한다. 각각의 서브픽셀들은 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 중 백색(White) 중 하나의 색을 발광할 수 있다.
도 2를 참조하면, 유기발광표시패널(200)은 기판(202) 상에 형성된 복수의 신호라인(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e), 기판(202) 상에 형성되며, 게이트전극(230, 252), 소스전극 및 드레인전극(240, 256, 258)으로 이루어진 트랜지스터(T21, T22, T23), 기판(202)과 트랜지스터(T21, T22, T23) 사이에 형성된 차광층(210, 210', 210"), 소스전극 또는 드레인전극(240, 256, 258)에 연결된 픽셀전극(272); 및 픽셀전극(272)의 가장자리를 따라 형성되어 픽셀전극(272)의 일부를 노출시키고, 광을 흡수하는 물질로 이루어져 있거나 광 흡수제가 도포된 뱅크(274)를 포함하되, 신호라인(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e), 게이트전극(230, 252), 소스전극, 드레인전극(240, 256, 258) 및 차광층(210, 210', 210") 중 적어도 하나는, 전체 또는 일부가 도전층(미도시)과 하나 이상의 광차단층(미도시)으로 이루어진 다중층 구조를 가질 수 있다.
유기발광표시패널(200)은 기판(202) 상에 다수의 신호라인을 포함할 수 있으며, 제1라인(260a), 제2라인(260b), 제3라인(260c), 제4라인(260d) 및 제5라인(260e)는 제1방향(도 2에서 세로 방향)으로 이격하여 나란하게 배열된다.
제1라인(260a)과 제5라인(260e)은 고전압전원라인(VDD 라인)이고, 제2라인(260b)과 제4라인(260d)은 데이터라인이며, 제3라인(260c)은 기준전압라인(260c)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제2방향(도 2에서 가로 방향)으로는 제6라인(250), 제7라인(252) 및 제8라인(254)이 이격하여 나란하게 배열된다. 여기서 제6라인(250)은 제1라인(260a)와 컨택홀로 연결되어 인접한 서브픽셀에 고전압전원을 공급할 수 있다. 제7라인(252)은 게이트라인(또는 스캔라인)일 수 있고, 제8라인(254)은 기준전압라인인 제3라인(260c)과 컨택홀로 연결되어, 인접한 서브픽섹들에 기준전압을 공급하는 기능을 할 수 있다.
한편, 각 서브픽셀들은 트랜지스터들(T21, T22, T23)을 포함할 수 있다.
제1트랜지스터(T21)는 픽셀전극(272)을 구동시키는 구동 트랜지스터(Driving Transistor)일 수 있고, 이러한 제1트랜지스터(T21)는 제1게이트전극(230) 및 제1소스전극/제1드레인전극(240)을 포함할 수 있다.
제2트랜지스터(T22)는 센싱 트랜지스터(Sensing Transistor)일 수 있고, 제2게이트전극(252) 및 제2소스전극/제2드레인전극(256)을 포함할 수 있다. 제2트랜지스터(T22)의 일단은 스토리지 캐패시터(Cstg)에 연결되며, 타단은 제8라인(254)에 연결된다.
제3트랜지스터(T23)는 스위칭 트랜지스터(Switching Transistor)일 수 있고, 제3게이트전극(252) 및 제3소스전극/제3드레인전극(258)을 포함할 수 있다. 제3트랜지스터(T23)의 일단은 제2라인(260b)에 연결되고, 타단은 컨택홀을 통하여 제1트랜지스터(T21)의 제1게이트전극(230)으로 연결된다.
유기발광표시패널(200)의 전기적 기능을 살펴보면, 먼저, 제3트랜지스터(T23)는 제6라인(252)으로부터 공급되는 스캔신호에 의해 턴온되어, 제2라인(260b)을 통해 공급되는 데이터신호를 제1트랜지스터(T21)의 제1게이트전극(230)으로 전달하는 기능을 수행한다. 그리고 스토리지 캐패시터(Cstg)는 제3트랜지스터(T23)를 통해 공급되는 데이터신호를 저장하여 제2트랜지스터(T22)가 일정 시간(하나의 프레임) 이상 턴온상태를 유지하도록 한다. 또한, 제1트랜지스터(T21)는 스토리지 캐패시터(Cstg)에 저장된 데이터신호에 대응하여 구동된다. 다시 말해서, 제1트랜지스터(T21)는 데이터신호에 대응하여 픽셀전극(272)으로 공급되는 구동전류 혹은 구동전압을 제어하게 된다.
제1트랜지스터(T21)가 구동되면, 유기층(미도시)의 발광층(미도시)은 제1라인(260a)을 통해 공급되는 전류에 의해 발광한다. 구동 트랜지스터(T21)를 통해 공급되는 구동전류는 픽셀전극(272)으로 전달되어 유기층(미도시)을 통해 흐르면서 전자와 정공이 재결합되어 발광이 일어나고, 최종적으로 공통전극(미도시)으로 흘러나가게 된다.
한편, 유기발광표시패널(200)은 픽셀전극(272) 및 이에 대향하고 이격되어 형성된 공통전극(미도시)을 포함하고, 픽셀전극(272)의 가장자리 영역에 형성된 뱅크(274)를 포함할 수 있다. 이러한 뱅크(274)는 흑색 계열의 물질로 이루어진 블랙 뱅크(Black Bank)일 수 있고, 이러한 뱅크(274)는 광을 흡수하는 물질로 이루어져 있거나 광 흡수제가 도포되어 외부로부터 유입된 외부 광을 흡수하는 기능을 수행할 수 있다.
실시예들에 따른 유기발광표시패널(200)의 각 트랜지스터들(T21, T22, T23)은 반도체층이 금속 산화물로 이루어진 산화물 트랜지스터(Oxide Transistor)일 수 있고, 각 트랜지스터들(T21, T22, T23)의 반도체층에 대응되는 영역에는 차광층들(210, 210', 210")이 형성될 수 있다. 이는 산화물 트랜지스터의 경우, 반도체층에 외부의 광이 유입되는 경우, 전기적 특성 또는 화학적 특성이 변할 수 있기 때문이다. 이에 대해서는 관련된 도면에 관한 설명 부분에서 자세히 설명한다.
한편, 전술한 신호라인(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e), 게이트전극(230, 252), 소스전극, 드레인전극(240, 256, 258) 및 차광층(210, 210', 210") 중 적어도 하나는, 전체 또는 일부가 도전층(미도시)과 하나 이상의 광차단층(미도시)으로 이루어진 다중층 구조를 가질 수 있다.
여기서 광차단층(미도시)은, 기판(202)을 통해 유입된 외부 광을 흡수하는 물질로 되어 있거나 광 흡수제가 도포된 것일 수 있다. 본 발명의 실시예들은 편광판 또는 편광층 등을 포함하지 않는 구조로 이루어지기 때문에, 외부 광은 비편광을 의미한다.
또한 광차단층(미도시)은 금속 산화물, 광을 흡수하는 금속 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있고, 흑색 계열의 색상을 가질 수 있다. 이에 관해서는 이하에서 상세히 설명한다.
도 3은 도 2의 A-A', B-B'를 절단한 유기발광표시패널의 일예의 개략적인 단면도이다.
도 3에서, A-A'는 도 2의 유기발광표시패널(200)의 제1라인(260a)과 제1트랜지스터(T21)를 절단한 단면도이고, B-B'는 도 2의 서브픽셀들을 제1방향으로 절단한 단면도를 나타낸다.
여기서 서브픽셀들은 각각 적색, 청색, 녹색, 백색 등의 색상을 발광할 수 있고, 좌우 대칭으로 설계된 유기발광표시패널(200)을 나타낸다. 또한 각각의 서브픽셀들은 발광이 이루어지는 영역과 트랜지스터(T21, T22, T23) 및 스토리지 캐패시터(Cstg) 등이 형성된 영역으로 나누어질 수 있다. 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 실시예들에 따른 유기발광표시패널(200)은 이에 제한되지 않고 다양하게 설계될 수 있다. 예를 들어 유기발광표시패널(200)은 2T 1C 구조일 수 있고, 게이트라인이 두 개 이상일 수 있으며, 보다 많은 트랜지스터가 형성될 수도 있다.
또한 도 3의 유기발광표시패널(200)은, 발광 방향이 픽셀전극(272)에서 기판(202) 방향인 하부발광(Bottom Emission) 방식인 것으로 도시되었지만, 본 발명은 이에 제한되지 않고 상부발광(Top Emission) 방식에 의할 수 있다.
도 3의 A-A' 부분에 도시된 바와 같이, 유기발광표시패널(200)은 기판 (202) 상에 형성된 제1절연막(218), 제1절연막(218) 상에 형성된 제1트랜지스터(T21)와 제1라인(260a), 제1트랜지스터(T21) 상에 위치하는 픽셀전극(272), 픽셀전극(272)을 덮도록 형성된 뱅크(274), 뱅크(274) 상에 순차적으로 형성된 유기층(276) 및 공통전극(278)을 포함할 수 있다.
여기서 유기발광표시패널(200)의 제1트랜지스터(T21)는, 일예로서, 산화물 트랜지스터일 수 있다. 또한 제1트랜지스터(T21)는 제1반도체층(220), 제1반도체층(220) 상에 형성된 제2절연막(222), 제2절연막(222) 상에 형성된 제1게이트전극(230), 제1게이트전극(230) 상에 형성된 제3절연막(238) 및 제3절연막(238) 상에 형성되고, 컨택홀을 통해 제1반도체층(220)에 연결되는 제1소스전극/제1드레인전극(240)을 포함할 수 있다. 여기서 제2절연막(222)은 제1게이트전극(230)과 제1반도체층(220)을 절연시키는 게이트절연막일 수 있다.
한편, 유기발광표시패널(200)은 제1라인(260a) 및 제1소스전극/제1드레인전극(240) 상에 형성되는 제4절연막(248) 및 제4절연막(248) 상에 형성되는 평탄화층(270)을 포함할 수 있다.
기판(202)은 글래스(Glass) 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등을 포함하는 플라스틱 기판 등일 수 있다. 또한, 기판(202) 상에는 불순원소의 침투를 차단하기 위한 버퍼층(buffering layer)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 질화실리콘 또는 산화실리콘의 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.
제1트랜지스터(T21)의 제1반도체층(220)은 금속 산화물로 이루어질 수 있고, 예를 들어, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), IHZO(Indium Hafnium Zinc Oxide) 및 IZZO(In Zirconium Zinc Oxide) 중 하나일 수 있다.
이러한 제1반도체층(220)은 외부에서 유입된 광에 의하여 전기적 또는 화학적 성질이 변할 수 있기 때문에, 제1반도체층(220)의 하부에는 제1차광층(210)이 형성될 수 있다. 제1차광층(210)은 기판(202)과 제1트랜지스터(T21)의 반도체층(220) 사이에 위치하고, 제1트랜지스터(T21)의 반도체층(220)에 대응되도록 형성될 수 있다. 제1차광층(210)은 외부 광으로부터 제1반도체층(220)을 보호하고, 외부 광이 반사되어 시인성을 저하시키고, 휘도를 향상시키며, 명암비 특성을 저감시키는 것을 방지하는 기능을 수행한다.
한편, 제1라인(260a), 제1차광층(210), 제1트랜지스터(T21)의 제1게이트전극(230), 제1소스전극 및 제1드레인전극(240) 중 적어도 하나는 다중층 구조로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 도전층(262a, 212, 232, 242)과 하나 이상의 광차단층(264a, 214, 234, 244)으로 이루어질 수 있다.
도 3에서는 하나의 광차단층(264a, 214, 234, 244)이 형성된 경우만을 도시하였지만, 실시예들은 이에 제한되지 않고, 다중층 구조로 이루어진 광차단층(264a, 214, 234, 244)일 수도 있다. 다중층 구조의 광차단층(264a, 214, 234, 244)에 관해서는, 관련된 도면에 대한 설명 부분에서 부가적으로 설명한다.
도전층(262a, 212, 232, 242)은, 예를 들어, Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
광차단층(264a, 214, 234, 244)은 유입된 외부 광을 흡수하는 물질로 되어 있거나 광 흡수제가 도포되어 있을 수 있다.
구체적으로 광차단층(264a, 214, 234, 244)은, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 금속 산화물일 수 있다. 외부에서 유입된 광은 광차단층(264a, 214, 234, 244)의 계면에서 반사되는 광과, 광차단층(264a, 214, 234, 244)을 투과하여 도전층(262a, 212, 232, 242)의 계면에서 반사되는 광으로 나뉠 수 있고, 이렇게 다른 계면에서 반사되는 광 간에 상쇄 간섭이 발생하여, 유입된 광이 다시 유기발광표시패널(200)의 외부로 되돌아나가지 않게 된다. 이에 따라 외부 광에 따른 시인성 저하를 방지할 수 있다.
또한 광차단층(264a, 214, 234, 244)은 광을 흡수하는 흑색 계열의 색상을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 광차단층(264a, 214, 234, 244)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 나이오븀(Nb), 망간(Mn), 탄탈륨(Ta) 중 어느 하나이거나 이들의 합금일 수 있다. 다만, 실시예들은 이에 제한되지 않고, 광을 흡수할 수 있는 다른 금속일 수 있다. 이에 따라 외부 광이 다시 외부로 반사되는 것을 방지할 수 있다.
제1라인(260a)의 도전층(262a), 제1차광층(210)의 도전층(212), 제1게이트전극(230)의 도전층(232) 및 제1소스전극/제1드레인전극(240)의 도전층(242) 각각은 동일 물질로 형성될 수 있고, 상이한 물질로 형성될 수도 있다. 또한 제1라인(260a)의 광차단층(264a), 제1차광층(210)의 광차단층(214), 제1게이트전극(230)의 광차단층(232) 및 제1소스전극/제1드레인전극(240)의 광차단층(244) 각각은 동일 물질로 형성될 수 있고, 상이한 물질로 형성될 수도 있다.
도 3에 도시되지는 않았지만, 도 2의 제2트랜지스터(T22)의 제2게이트전극(252), 제2소스전극/제2드레인전극(256)과, 제3트랜지스터(T23)의 제3게이트전극(252), 제3소스전극/제3드레인전극(258) 또한 각각 도전층과 하나 이상의 광차단층으로 형성될 수 있음에 유의하여야 한다.
한편, 제1절연막(218), 제2절연막(222), 제3절연막(238) 및 제4절연막(248)은 SiOx, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST 및 PZT중 어느 하나를 포함하는 무기절연물질, 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질, 또는 이들의 조합일 수 있다.
한편, 도 3의 B-B' 부분에 도시된 바와 같이, 유기발광표시패널(200)은 기판(202) 상에 형성된 제1절연막(218), 제1절연막(218) 상에 형성된 제3절연막(238), 제3절연막(238) 상에 형성된 다수의 신호라인들(260b, 260c, 260d, 260e), 신호라인들 상에 형성된 제4절연막(248), 제4절연막(248) 상에 형성된 컬러필터(268), 컬러필터(268) 상에 형성된 평탄화층(270), 평탄화층(270) 상에 형성된 픽셀전극(272), 픽셀전극(272)의 가장자리를 따라 형성되어 픽셀전극(272)의 일부를 노출시키는 뱅크(274) 및 픽셀전극(272)과 뱅크(274) 상에 순차적으로 적층된 유기층(276)과 공통전극(278)을 포함할 수 있다.
여기서 제2라인(260b), 제3라인(260c), 제4라인(260d) 및 제5라인(260e) 적어도 하나는 도전층(262b, 262c, 262d, 262e)과 하나 이상의 광차단층(264b, 264c, 264d, 264e)으로 이루어질 수 있다.
도전층(262b, 262c, 262d, 262e)은, 예를 들어, Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
광차단층(264b, 264c, 264d, 264e)은 기판(202)을 통해 유입된 외부 광을 흡수하는 물질로 되어 있거나 광 흡수제가 도포된 것일 수 있다. 또한 광차단층(264b, 264c, 264d, 264e)은 ITO나 IZO와 같은 금속 산화물이거나, 광을 흡수하는 금속 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있고, 흑색 계열의 색상을 가질 수 있다.
각각의 도전층(262b, 262c, 262d, 262e)과 각각의 광차단층(264b, 264c, 264d, 264e)은 동일한 물질로 이루어질 수도 있고, 상이한 물질로 이루어질 수도 있다.
또한, 도 3에서는 단일층으로 이루어진 광차단층(264b, 264c, 264d, 264e)이 도시되었지만, 이에 제한되지 않고 다중층으로 이루어질 수 있다.
픽셀전극(272)은, 애노드 전극(양극)일 수 있고, 일함수 값이 비교적 크고, 투명한 도전성 물질, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 혼합물, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 픽셀전극(272)은 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT), 그래핀(graphene), 은나노와이어(silver nano wire) 등일 수도 있다.
한편, 뱅크(274)는 기판(202) 전체적으로는 매트릭스 형태의 격자구조를 가지고, 픽셀전극(272)의 가장자리를 에워싸고 있으며, 픽셀전극(272)의 일부를 노출시킨다.
뱅크(274)는 흑색 계열의 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 카본블랙(carbon black)을 단독으로 이용하거나 카본블랙과 2가지 이상의 착색안료를 혼합한 흑색 안료, 흑색 염료를 단독으로 이용하거나 2종 이상의 서로 다른 색의 염료를 혼합하여 흑색으로 제조한 흑색 염료, 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이 및 블랙 에나멜 중 하나를 포함할 수 있다.
이러한 뱅크(274)는 외부에서 유입된 광을 흡수하여, 시인성과 명암비의 저하를 방지하고, 휘도를 향상시키는 효과를 갖는다.
한편, 유기층(276)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 발광보조층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함할 수 있다. 도 3의 유기층(276)은 패터닝(patterning)하지 않고 전면에 도포된다. 패터닝 과정이 생략됨으로써, 공정상의 간편함을 가져오는 효과가 있다.
유기층(276) 상에는 공통전극(278)이 형성되는데, 공통전극(278)은 캐소드전극(음극)일 수 있고, 일함수 값이 비교적 작은 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어 하부발광 방식인 경우, 공통전극(278)은 금속일 수 있고 제1금속, 예를 들어 Ag 등과 제2금속, 예를 들어 Mg 등이 일정 비율로 구성된 합금의 단일층 또는 이들의 다수층일 수도 있다.
도 3에 도시된 유기발광표시패널(200)의 유기발광 OLED(Organic Light Emitting Diode)는 백색을 발광하는 백색 OLED일 수 있다. 여기서 유기발광 OLED는 픽셀전극(272)과 유기층(276)과 공통전극(278)을 포함한 것이다. 이러한 유기발광 OLED의 유기층은 전면에 한 번의 공정으로 도포될 수 있는 공정상의 이점이 있고, 이 경우 컬러필터(268)가 포함될 수 있다.
각 서브픽셀의 컬러필터(268)는 적색, 청색, 녹색 중 어느 하나의 색상을 가질 수 있다. 또한 백색이 구현되는 서브픽셀의 경우, 컬러필터(268)가 형성되지 않을 수 있다. 적색, 청색, 녹색의 배열은 다양하게 형성될 수 있으며, 각 컬러필터(268) 사이에는 외부 광을 흡수할 수 있는 물질로 이루어진 블랙 매트릭스(Black Matrix, 미도시)가 구비될 수 있다.
유기발광표시패널(200)이 하부발광 방식인 경우, 컬러필터(268)는 픽셀전극(272)의 하부에 위치할 수 있다. 유기층에서 생성된 광은, 캐소드 전극인 공통전극(278)에서 반사되어 컬러필터(268)를 거쳐 유기발광표시패널(200)의 외부로 나가게 된다.
도 4a 내지 도 4d는 다른 실시예들에 따른 유기발광표시패널(200)의 차광층(210)의 예들을 나타낸 도면들이다.
도 4a 내지 도 4d에서는 외부 광을 차단하는 방식을 설명하기 위하여 차광층(210)의 예들만을 도시하였지만, 도 4a 내지 도 4d에 도시된 예들은 신호라인(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e), 게이트전극(230, 252), 소스전극, 드레인전극(240, 256, 258) 및 차광층(210, 210', 210") 모두에 적용될 수 있다.
또한 실시예들에 따른 유기발광표시패널(200)은 편광판 또는 편광층 등이 포함되지 않는 구조이기 때문에, 본 명세서에서 기재되는 외부 광은 비편광을 의미한다.
도 4a와 도 4b는 차광층(210)이 도전층(212)과 하나의 광차단층(214)으로 형성된 경우를 도시한 도면이다.
도 4a참조하면, 차광층(210)은 광차단층(214)이 광을 흡수할 수 있는 흑색 계열의 물질로 형성되거나 흑색 계열의 물질로 도포되어, 외부에서 유입된 제1광(L41)을 흡수할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 차광층(210)은 광차단층(214)이 금속 산화물 또는 광을 흡수하는 금속과 금속 산화물의 합금으로 이루어져, 외부에서 유입된 제2광(L42)을 차단할 수 있다. 구체적으로, 광차단층(214)의 표면에서 반사된 제2광(L42)과 광차단층(214)을 통과한 후 도전층(212)과 광차단층(214)의 계면에서 반사된 제2광(L42)이 서로 상쇄 간섭을 일으켜, 제2광(L42)이 다시 외부로 빠져나가는 것을 막을 수 있다.
도 4c는 차광층(210)이 도전층(212)과 두 개의 광차단층(215, 216)으로 형성된 경우를 도시한 도면이다.
도 4c를 참조하면, 광차단층(215, 216)은 제1차단층(215)과 제2차단층(216)으로 이루어질 수 있고, 제1차단층(215)은 금속 산화물을 포함하고, 제2차단층(216)은 광을 흡수할 수 있는 물질을 포함하거나, 광 흡수제가 도포되어 있을 수 있다. 구체적으로 제1차단층(215)은 ITO, IZO 및 ITZO 중 하나 이상을 포함하고, 제2차단층(216)은 Mo, Cr, Ti, Ta, Mn 및 Nb 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
도시된 바와 같이, 외부 광인 제3a광(L43a)과 제3c광(L43c)은 상쇄 간섭을 통해 소멸되고, 제3b광(L43b)은 제 2차단층(216)의 흡수 금속에 의해 흡수되어 소멸될 수 있다.
이러한 이중층 구조의 광차단층(215, 216)을 포함하는 유기발광표시패널(200)은 복수의 방식으로, 외부에서 유입된 광의 반사율을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과를 가질 수 있다.
도 4d를 참조하면, 유기발광표시패널(200)의 차광층(210)은 3중층 구조의 광차단층(215, 216, 217)을 포함할 수 있다. 즉, 차광층(210)은 제1차단층(215), 제2차단층(216), 제3차단층(217)을 포함할 수 있다. 제1차단층(215), 제2차단층(216) 및 제3차단층(217) 각각은 금속 산화물을 포함하거나, 광 흡수 물질을 포함하거나, 광 흡수제가 도포되어 있을 수 있다.
이밖에도, 실시예들에 따른 유기발광표시패널(200)은, 전술한 구조에 제한되지 않고, 다양한 형태와 순서로 이루어진 광차단층을 포함할 수 있음에 유의하여야 한다.
전술한 광차단층(214, 215, 216, 217)은, 상쇄 간섭 또는 흡수를 통해, 외부에서 유입된 외부 광(L41, L42, L43a, L43b, L43c)이 반사되어 시인성과 명암비 특성을 저하시키는 것을 방지하고, 휘도를 향상시키는 효과를 갖는다.
도 5a 내지 도 5c는 또다른 실시예들에 따라 도 2의 A-A', B-B'를 절단한 예들의 개략적인 단면도들이다.
도 2 및 도 3에서 기재한 바와 같이, 신호라인(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e), 게이트전극(230, 252), 소스전극, 드레인전극(240, 256, 258) 및 차광층(210, 210', 210") 중 적어도 하나는 외부 광을 차단하는 구조를 포함할 수 있다. 도 5a 내지 도 5c는 이러한 구조들의 몇 가지 예들을 나타낸 도면들이다. 다만, 본 명세서의 실시예들은 이러한 구조들에 제한되지 않고, 다양하게 설계될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 유기발광표시패널(200)은 다수의 신호라인(260a, 260b, 260c, 260d, 260e), 차광층(210), 제1게이트전극(230)과 제1소스전극/제1드레인전극(240), 픽셀전극(272), 뱅크(274) 및 공통전극(278) 등을 포함할 수 있다.
도 5a의 유기발광표시패널(200)의 다수의 신호라인(260a, 260b, 260c, 260d, 260e)과 차광층(210)은, 도전층(262a, 262b, 262c, 262d, 262e, 212), 제1차단층(265a, 265b, 265c, 265d, 265e, 215)과 제2차단층(266a, 266b, 266c, 266d, 266e, 216)을 포함할 수 있다.
여기서 제1차단층(265a, 265b, 265c, 265d, 265e, 215)은 ITO, IZO 및 ITZO 등의 금속 산화물로 이루어질 수 있고, 제2차단층(266a, 266b, 266c, 266d, 266e, 216)은 Mo, Cr, Ti, Ta, Mn 및 Nb 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
도 5b의 유기발광표시패널(200)의 경우, 차광층(210)과 제1게이트전극(230)은 광차단층을 포함하지 않고, 다수의 신호라인(260a, 260b, 260c, 260d, 260e)과 제1소스전극/제1드레인전극(240)은 하나의 층으로 이루어진 광차단층(264a, 264b, 264c, 264d, 264e, 244)을 포함할 수 있다.
한편, 도 5c의 유기발광표시패널(200)의 경우, 다수의 신호라인(260a, 260b, 260c, 260d, 260e)은 광차단층을 포함하지 않고, 제1게이트전극(230)과 제1소스전극/제1드레인전극(240)과 차광층(210)은 금속 산화물로 이루어진 제1차단층(215, 235, 245)과 흑색 계열의 광 흡수 물질로 이루어진 제2차단층(216, 236, 246)을 포함할 수 있다.
도 5a 내지 도 5c에 도시된 유기발광표시패널(200)의 뱅크(274)는 흑색 계열의 물질로 이루어진 블랙뱅크이고, 예를 들어, 카본블랙(carbon black)을 단독으로 이용하거나 카본블랙과 2가지 이상의 착색안료를 혼합한 흑색 안료, 흑색 염료를 단독으로 이용하거나 2종 이상의 서로 다른 색의 염료를 혼합하여 흑색으로 제조한 흑색 염료, 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이 및 블랙 에나멜 중 하나를 포함할 수 있다.
이러한 유기발광표시패널(200)은, 외부에서 광이 유입되는 경우, 전술한 광차단층(264a, 264b, 264c, 264d, 264e, 244), 제1차단층(265a, 265b, 265c, 265d, 265e, 215, 235, 245), 제2차단층(266a, 266b, 266c, 266d, 266e, 216, 236, 246) 및 뱅크(274) 등에 의해 외부 광이 흡수되거나 상쇄 간섭으로 인해 소멸되어 시인성이 향상되고, 명암비 특성이 향상되며, 휘도가 향상되는 효과를 가질 수 있다.
이상에서는 실시예들에 따른 유기발광표시패널(200)의 구조에 관하여 설명하였고, 이하에서는 그 효과에 대하여 자세하게 설명한다.
도 6은 또다른 실시예에 따라 도 2의 A-A', B-B'를 절단한 일예의 개략적인 단면도이다.
도 6을 참조하면, 유기발광표시패널(200)은 차광층(210), 다수의 신호라인(260a, 260b, 260c, 260d, 260e), 제1게이트전극(230) 및 제1소스전극/제1드레인전극(240)이 도전층(212, 262a, 262b, 262c, 262d, 262e, 232, 242), 제1차단층(215, 265a, 265b, 265c, 265d, 265e, 235, 245) 및 제2차단층(216, 266a, 266b, 266c, 266d, 266e, 236, 246)으로 이루어질 수 있다. 또한 유기발광표시패널(200)은 픽셀전극(272)의 가장자리를 따라 형성되고 흑색계열의 물질로 이루어진 뱅크(274), 뱅크(274)와 픽셀전극(272) 상의 전면에 형성된 유기층(276) 및 유기층(276) 상의 전면에 형성된 공통전극(278)을 포함할 수 있다. 또한 유기발광표시패널(200)은, 일예로서, 백색 OLED를 포함하는 것으로 도시되었고, 이에 따라 컬러필터(268)가 제4절연막(248) 상에 형성되어 있고, 예를 들어, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 컬러필터(268)일 수 있다.
일반적인 유기발광표시패널에 있어서, 외부에서 유입된 외부 광은 각종 신호라인이나 전극 등에 의해 반사되어 시인성과 휘도를 떨어뜨리고, 명암비(Contrast Ratio) 특성을 저하시키는 원인이 된다.
반면, 도 2의 유기발광표시패널(200)의 A-A'를 절단한 단면을 검토하면, 외부 광인 제1광(L71)은 제1라인(260)의 제1차단층(265a)과 제2차단층(266a)에 의해 상쇄간섭 또는 흡수될 수 있다. 제2광(L72)은 제1라인(260a)과 제1트랜지스터(T21) 사이로 통과하여 뱅크(274)에 의해 흡수될 수 있다. 또한 제3광(L73)은 차광층(210)의 제1차단층(215) 및 제2차단층(216)에 의해 상쇄간섭 또는 흡수되어 소멸될 수 있다. 이 밖에도 제1게이트전극(230) 및 제1소스전극/제1드레인전극(240) 또한 외부 광을 차단하는 역할을 수행할 수 있다.
도 2의 유기발광표시패널(200)의 B-B'를 절단한 단면을 검토하면, 제4광(L74), 제6광(L76), 제7광(L77), 제8광(L78)은 각각 제2라인(260b), 제3라인(260c), 제4라인(260d), 제5라인(260e)에 의해 차단될 수 있다. 또한 기판(202)에 비스듬한 각도로 입사한 제5광(L75)의 경우에도, 뱅크(274)에 의해 흡수될 수 있다.
유기발광표시패널(200)은, 도시된 바와 같이, 하부발광 방식에 의할 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 상부발광 방식에 의할 수도 있다.
하부발광 방식의 유기발광표시패널(200)의 경우, 기판(202)의 하부(픽셀전극(272)과 반대방향) 방향에서 비편광인 외부 광(L71 내지 L78)이 입사될 수 있다. 이 경우, 광을 흡수할 수 있는 뱅크(274)와 다수의 광차단층에 의해 외부 광(L71 내지 L78)에 의한 시인성 저하, 휘도 저하 또는 명암비 특성 저하가 방지될 수 있다. 이때 뱅크(274)는 제1차단층(215, 265a, 265b, 265c, 265d, 265e, 235, 245) 및 제2차단층(216, 266a, 266b, 266c, 266d, 266e, 236, 246)이 위치하지 않는 영역에서 외부 광(L71 내지 L78)을 흡수하게 된다.
또한 뱅크(274)는 공통전극(278)에 의한 반사율을 저감시키는 효과를 갖는다. 하부발광 방식의 유기발광표시패널(200)에 있어서, 공통전극(278)은 반사율이 큰 금속으로 이루어지기 때문에, 외부 광(L71 내지 L78)과 관련해서도 큰 반사율을 나타낼 수 있다. 이때 뱅크(274)에 의해 공통전극(278)에 의한 반사가 최소화될 수 있다.
한편, 실시예들에 따른 유기층(276)과 공통전극(278)은 전면에 걸쳐 도포되는데, 이는 패터닝 공정이 제거되어 공정 수를 감소시킴으로서, 제조원가를 절감시키는 이점이 있다. 여기서 유기층(276)은, 일예로서, 백색을 발광하는 발광층을 포함하는 것으로 도시되었다.
한편, 다른 측면에서, 본 발명에 의한 표시장치(100)는 기판(202) 상에 위치하고, 전체 또는 일부가 도전층과 하나 이상의 광차단층으로 이루어진 다중층 구조를 갖는 패턴(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e, 230, 252, 240, 256, 258, 210, 210', 210") 및 패턴(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e, 230, 252, 240, 256, 258, 210, 210', 210") 상에 위치하며, 광을 흡수하는 물질로 이루어진 뱅크(274)를 포함할 수 있다.
여기서 패턴(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e, 230, 252, 240, 256, 258, 210, 210', 210")은 기판(202) 상에 형성된 신호라인(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e), 트랜지스터의 전극(230, 252, 240, 256, 258), 상기 트랜지스터에 대응되도록 형성된 차광층(210, 210', 210")을 포함할 수 있다.
이하에서는, 유기발광표시패널(200)의 외부 광에 대한 반사율과 관련한 실험 결과를 그래프와 표로 설명한다.
이러한 실험은 360nm에서 740nm의 파장을 갖는 광을 사용하여 진행하였고, 광의 입사각은 기판(202)에 수직인 방향으로부터 8°이며, 적분구 방식의 장비를 사용하였다. 측정에 사용한 유기발광표시패널(200)의 크기는 지름 3mm이고, 무광택 간지(writing paper)의 환경에서 실험하였다. 이하에서 반사율을 입사한 광에 대해 반사된 광의 비율을 의미한다.
도 7a 내지 도 7g는 일반적인 유기발광표시패널의 외부 광에 대한 반사율을 나타내는 그래프들과 표이다.
도 7a는 일반적인 유기발광표시패널에서 게이트전극 및 소스전극/드레인전극에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과이고, 도 7b는 차광층이 형성된 영역에 반사율을 측정한 결과를 나타낸다. 또한 도 7c는 적색 컬러필터가 형성된 영역에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과이고, 도 7d는 컬러필터가 형성되지 않은 영역, 즉 백색이 발광되는 영역에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과이고, 도 7e는 녹색 컬러필터가 형성된 영역에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과이며, 도 7f는 청색 컬러필터가 형성된 영역에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과를 나타낸다.
도 7a에서의 반사율의 평균값은 41.1%, 도 7b의 경우 46.5%, 도 7c의 경우 13.5%, 도 7d의 경우 74.3%, 도 7e의 경우 24.8%, 도 7f의 경우 6.6%이다.
이를 정리한 결과 도 7g의 표이다. 도 7g에서, R', G', B'는 컬러필터와 뱅크가 중첩되어 있는 영역에 광을 조사한 경우를 의미하고, R, G, B는 컬러필터와 뱅크가 중첩되지 않는 영역, 즉 개구부 영역에 광을 조사한 경우를 의미한다. 또한 면적비는 단위 픽셀당 각 구성요소가 차지하는 영역의 면적의 비율을 의미하고, 면적별 반사율은 측정된 반사율에 면적비를 곱한 값을 의미한다. 이러한 각 영역의 면적별 반사율을 모두 더하면, 총 반사율 값이 계산된다.
일반적인 유기발광표시패널의 경우, 총 39.05%의 외부 광이 반사되었음을 볼 수 있다. 반사된 외부 광은, 유기발광표시패널의 휘도와 시인성 저하는 물론 명암비(Contrast Ratio) 특성의 저하를 가져올 수 있다.
도 8a 내지 도 8g는 또다른 실시예에 따른 유기발광표시패널의 외부 광에 대한 반사율을 나타내는 그래프들과 표이다.
도 8a 내지 도 8g는 차광층(210, 210', 210"), 복수의 신호라인(250, 252, 254, 260a, 260b, 260c, 260d, 260e), 게이트전극(230, 252), 소스전극 및 드레인전극(240, 256, 258)을 도전층과 이중층의 광차단층(제1차단층, 제2차단층)으로 형성하고, 광 흡수 물질로 이루어진 뱅크(274)를 사용한 경우에 있어서의 반사율 측정 결과들이다.
구체적으로, 도 8a는 유기발광표시패널(200)에서 뱅크(274)에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과이고, 도 8b는 유기발광표시패널(200)에서 에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과이고, 도 8c는 유기발광표시패널(200)에서 적색(R) 컬러필터(268)와 뱅크(274)가 중첩된 영역에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과이고, 도 8d는 뱅크(274)가 형성되지 않은 영역, 즉 백색을 발광하는 영역과 중첩되는 뱅크(274)에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과이며, 도 8e는 유기발광표시패널(200)에서 녹색(G) 컬러필터(268)와 뱅크(274)가 중첩된 영역에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과이고, 도 8f는 유기발광표시패널(200)에서 청색(B) 컬러필터(268)와 뱅크(274)가 중첩된 영역에 광을 조사하여 반사율을 측정한 결과를 나타낸다.
도 8a에서의 반사율의 평균값은 5.08%, 도 8b에서의 반사율의 평균값은 7.44%, 도 8c에서의 반사율의 평균값은 6.12%, 도 8d에서의 반사율의 평균값은 6.07%, 도 8e에서의 반사율의 평균값은 5.97%, 도 8f에서의 반사율의 평균값은 6.02%이다.
전술한 결과를 정리한 표가 도 8g에 도시되었다.
도 7g와 도 8g를 비교하면, 차광층(210)이 형성된 영역에서의 반사율이 46.5%에서 7.5%로 감소하였고, 게이트전극(230, 252)과 소스전극 및 드레인전극(240, 256, 258)이 형성된 영역에서의 반사율이 41.1%에서 7.5%로 감소하였다. 또한 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 컬러필터와 뱅크(274)가 중첩된 영역 각각에서의 반사율이 13.5%, 24.8%, 6.6%에서 6.0%로 감소하였음을 볼 수 있다. 또한 공통전극(278)과 뱅크(274)가 중첩된 영역에서의 반사율이 74.3%에서 5.0%로 감소하였음을 확인할 수 있다. 전체적인 반사율은 39.5%에서 15.16%로 감소하였다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광표시패널(200)은 외부 광의 반사율을 현저하게 감소시키는 효과를 갖는다. 따라서 유기발광표시패널(200)의 시인성이 향상되고, 휘도가 증가하며, 명암비 특성이 현저하게 향상될 수 있다.
또한 유기발광표시패널(200)은 고비용의 편광판 또는 편광층 구조를 제거함으로써 제조 원가를 절감시킬 수 있고, 유기층(276)을 전면에 도포하여 제조 원가를 절감시키고, 공정 수를 저감시키는 효과를 갖는다.
이상 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
202: 기판 210: 차광층
230: 게이트전극 272: 픽셀전극
274: 뱅크 278: 공통전극
230: 게이트전극 272: 픽셀전극
274: 뱅크 278: 공통전극
Claims (10)
- 기판 상에 형성된 복수의 신호라인;
상기 기판 상에 형성되며, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극으로 이루어진 트랜지스터;
상기 기판과 상기 트랜지스터 사이에 형성된 차광층;
상기 소스전극 또는 상기 드레인전극에 연결된 픽셀전극; 및
상기 픽셀전극의 가장자리를 따라 형성되어 상기 픽셀전극의 일부를 노출시키고, 광을 흡수하는 물질로 이루어져 있거나 광 흡수제가 도포된 뱅크를 포함하되,
상기 신호라인, 상기 게이트전극, 상기 소스전극, 상기 드레인전극 및 상기 차광층 중 적어도 하나는, 전체 또는 일부가 도전층과 하나 이상의 광차단층으로 이루어진 다중층 구조를 갖고,
상기 광차단층은, 금속 산화물로 이루어진 제1차단층 및 광을 흡수하는 금속으로 이루어진 제2차단층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 1항에 있어서,
상기 하나 이상의 광차단층은,
상기 기판을 통해 유입된 외부 광을 흡수하는 물질로 되어 있거나 광 흡수제가 도포된 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제2항에 있어서,
상기 기판을 통해 유입된 외부 광은 비편광인 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 1항에 있어서,
상기 광차단층은 금속 산화물, 광을 흡수하는 금속 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 1항에 있어서,
상기 광차단층은 흑색 계열의 색상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 뱅크는 흑색 계열의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 제 1항에 있어서,
상기 차광층은 상기 기판과 상기 트랜지스터의 반도체층 사이에 위치하고, 상기 트랜지스터의 반도체층에 대응되도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널. - 기판 상에 위치하고, 전체 또는 일부가 도전층과 하나 이상의 광차단층으로 이루어진 다중층 구조를 갖는 패턴; 및
상기 패턴 상에 위치하며, 광을 흡수하는 물질로 이루어진 뱅크를 포함하고,
상기 광차단층은,금속 산화물로 이루어진 제1차단층 및 광을 흡수하는 금속으로 이루어진 제2차단층으로 이루어진 표시장치. - 제 9항에 있어서,
상기 패턴은 상기 기판 상에 형성된 신호라인, 트랜지스터의 전극, 상기 트랜지스터에 대응되도록 형성된 차광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11720184B2 (en) | 2021-08-12 | 2023-08-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and touch sensing system including code patterns for more accurate input |
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Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102458864B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2022-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| KR102568383B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| KR102519678B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2023-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| WO2018101356A1 (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | 東レ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| CN107256872B (zh) * | 2017-07-10 | 2019-11-26 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN109273482B (zh) * | 2017-07-17 | 2021-12-31 | 和鑫光电股份有限公司 | 触控显示装置 |
| JP6960807B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| JP7086582B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2022-06-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102615707B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2023-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 및 이를 이용한 유기발광표시장치 |
| JP2019174609A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| CN109300957B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板及透明显示器 |
| CN109638053B (zh) * | 2018-12-15 | 2021-05-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器的散热结构 |
| CN109786323A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板 |
| KR20200116576A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치 |
| KR20210069289A (ko) * | 2019-12-03 | 2021-06-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20220061338A (ko) * | 2020-11-05 | 2022-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 전자기기 |
| US20240282894A1 (en) * | 2022-03-31 | 2024-08-22 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light-emitting substrate and method for manufacturing the same, and display apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002352955A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-12-06 | Seiko Epson Corp | 表示装置の製造方法及び表示装置並びに電子機器 |
| JP2005519294A (ja) | 2002-01-14 | 2005-06-30 | アンセル・ヘルスケア・プロダクツ・インコーポレーテッド | 磁気検出可能ラテックス物品 |
| JP2008310298A (ja) | 2007-05-16 | 2008-12-25 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 表示装置および電子装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100845557B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2008-07-10 | 삼성전자주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP4240276B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2009-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP3915734B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2007-05-16 | ソニー株式会社 | 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置 |
| JP2005005227A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-06 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ発光表示装置 |
| KR100741967B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
| KR101167661B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2012-07-23 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법 |
| KR20070054806A (ko) * | 2005-11-24 | 2007-05-30 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US7800101B2 (en) * | 2006-01-05 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor having openings formed therein |
| KR20070096609A (ko) * | 2006-03-27 | 2007-10-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR101293562B1 (ko) * | 2006-06-21 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7960916B2 (en) * | 2007-05-16 | 2011-06-14 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Display device and electronic device using thin-film transistors formed on semiconductor thin films which are crystallized on insulating substrates |
| CN101685233B (zh) * | 2008-09-23 | 2012-06-27 | 乐金显示有限公司 | 电泳显示设备及其制造方法 |
| JP5217949B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2013-06-19 | ソニー株式会社 | 反射板の製造方法および表示装置の製造方法 |
| CN107452630B (zh) * | 2010-07-02 | 2020-11-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| US20130264568A1 (en) * | 2010-12-22 | 2013-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, color filter substrate, display device provided with color filter substrate, and method for manufacturing semiconductor device |
| KR101773087B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2017-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 블랙 매트릭스 함유 ｎｄ 필름을 구비한 유기 발광 표시 장치 |
| KR101922937B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2018-11-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR101486363B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2015-01-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| KR102038817B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2019-11-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
-
2014
- 2014-08-14 KR KR1020140105779A patent/KR102182828B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002352955A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-12-06 | Seiko Epson Corp | 表示装置の製造方法及び表示装置並びに電子機器 |
| JP2005519294A (ja) | 2002-01-14 | 2005-06-30 | アンセル・ヘルスケア・プロダクツ・インコーポレーテッド | 磁気検出可能ラテックス物品 |
| JP2008310298A (ja) | 2007-05-16 | 2008-12-25 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 表示装置および電子装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12041818B2 (en) | 2020-10-19 | 2024-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having a conductive metal layer disposed on a surface of an antireflection layer |
| US11720184B2 (en) | 2021-08-12 | 2023-08-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and touch sensing system including code patterns for more accurate input |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US20160049615A1 (en) | 2016-02-18 |
| US9306190B2 (en) | 2016-04-05 |
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