KR20130010730A - 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치 - Google Patents

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조영수
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Abstract

본 발명의 일 측면은, 도펀트 증발원과, 상기 도펀트 증발원 일 측에 배치되는 제1증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원 타 측에 배치되는 제2증발원 유닛을 포함하는 제1호스트 증발원과, 상기 도펀트 증발원의 일 측에서 상기 제1증발원과 나란히 배치되는 제3증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원의 타 측에서 상기 제2증발원과 나란히 배치되는 제4증발원 유닛을 포함하는 제2 호스트 증발원을 구비하는 증착 소스를 제공한다

Description

증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치{Deposition source and deposition apparatus with the same}
본 발명의 실시예들은 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치에 관한 것으로서, 상세하게는 증착막을 균일하게 형성할 수 있는 증착 소스에 관한 것이다.
전자 장치는 미세한 미세한 박막을 형성하기 위하여 다양한 방법을 이용한다. 특히 평판 표시 장치는 복수의 박막을 형성하여 제조되므로 박막의 특성 향상이 중요하다.
평판 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 다른 평판 표시 장치에 비하여 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수하고 응답속도가 빨라 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치에서 가시광선을 발광하는 유기 발광층 및 유기 발광층 주위에 배치되는 유기층은 다양한 방법을 이용하여 형성하는데 공정이 단순한 진공 증착법이 자주 사용된다. 진공 증착법은 증착을 하기 위한 분말, 고체 형태의 증착 재료를 도가니에 넣고 도가니를 가열하여 원하는 부분에 증착막을 형성하는 것이다.
본 발명의 주된 목적은 호스트와 도펀트의 공증착 영역 및 공증착 비율의 균일도를 향상할 수 있는 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 소스는, 도펀트 증발원과, 상기 도펀트 증발원 일 측에 배치되는 제1증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원 타 측에 배치되는 제2증발원 유닛을 포함하는 제1호스트 증발원과, 상기 도펀트 증발원의 일 측에서 상기 제1증발원과 나란히 배치되는 제3증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원의 타 측에서 상기 제2증발원과 나란히 배치되는 제4증발원 유닛을 포함하는 제2 호스트 증발원을 구비할 수 있다.
상기 도펀트 증발원은 선형 증발원일 수 있다.
상기 선형 증발원의 노즐의 배열 방향은 상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛이 배열된 방향과 서로 교차할 수 있다.
상기 선형 증발원의 노즐의 배열 방향은 상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛이 배열된 방향과 서로 수직일 수 있다.
상기 도펀트 증발원은 포인트 소스일 수 있다.
상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 사이에 배치되는 제1포인트 소스와, 상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛 사이에 배치되는 제2포인트 소스; 로 이루질 수 있다.
상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛은 상기 도펀트 증발원을 중심으로 서로 대칭적으로 배치될 수 있다.
상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛은 상기 도펀트 증발원을 중심으로 서로 대칭적으로 배치될 수 있다.
상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 각각은 선형 증발원일 수 있다.
상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 각각은 상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛이 배열된 방향과 동일한 방향으로 형성된 노즐을 구비할 수 있다.
상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛 각각은 상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛이 배열된 방향과 동일한 방향으로 형성된 노즐을 구비할 수 있다.
상기 제1증발원과 상기 제2증발원이 배열된 방향과 상기 제3증발원과 상기 제4증발원이 배열된 방향은 서로 평행할 수 있다.
상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛은 서로 크기와 형상이 동일할 수 있다.
상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛은 서로 크기와 형상이 동일할 수 있다.
제1호스트 증발원은 상기 제1증발원 유닛의 제1도가니와 상기 제2증발원 유닛의 제2도가니에 열을 가하도록 상기 제1도가니와 상기 제2도가니를 감싸면서 배치된 제1가열부를 구비할 수 있다.
제2호스트 증발원은 상기 제3증발원 유닛의 제3도가니와 상기 제4증발원 유닛의 제4도가니에 열을 가하도록 상기 제3도가니와 상기 제4도가니를 감싸면서 배치된 제2가열부를 구비할 수 있다.
제1호스트 증발원은 상기 제1증발원 유닛의 제1도가니에 열을 가하도록 상기 제1도가니를 감싸면서 배치된 제1가열부와, 상기 제2증발원 유닛의 제2도가니에 열을 가하도록 상기 제2도가니를 감싸면서 배치된 제2가열부를 구비할 수 있다.
제2호스트 증발원은 상기 제3증발원 유닛의 제3도가니에 열을 가하도록 상기 제3도가니를 감싸면서 배치된 제3가열부와, 상기 제4증발원 유닛의 제4도가니에 열을 가하도록 상기 제4도가니를 감싸면서 배치된 제4가열부를 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치는, 챔버와, 챔버 내에 이송되는 피증착체에 증착재를 증착시키는 증착 소스를 포함하는 증착장치로서, 상기 증착 소스는, 도펀트 증발원과, 상기 도펀트 증발원 일 측에 배치되는 제1증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원 타 측에 배치되는 제2증발원 유닛을 포함하는 제1호스트 증발원과, 상기 도펀트 증발원의 일 측에서 상기 제1증발원과 나란히 배치되는 제3증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원의 타 측에서 상기 제2증발원과 나란히 배치되는 제4증발원 유닛을 포함하는 제2 호스트 증발원을 구비할 수 있다.
상기 도펀트 증발원은 선형 증발원일 수 있다.
상기 도펀트 증발원은, 상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 사이에 배치되는 제1포인트 소스와, 상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛 사이에 배치되는 제2포인트 소스로 이루어질 수 있다.
상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛은 상기 도펀트 증발원을 중심으로 서로 대칭적으로 배치되며, 상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛은 상기 도펀트 증발원을 중심으로 서로 대칭적으로 배치될 수 있다.
상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 각각은 선형 증발원일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 호스트와 도펀트가 균일하게 공증착이 이루어져 유기 발광 소자의 상온 수명이 증가하고 발광 효율이 개선될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 증착 소스를 구비한 증착 장치를 개략적으로 도시한 정면도이다.
도 2는 도 1의 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 소스를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 소스를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 소스를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 소스를 개략적으로 도시한 평면도이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 증착 소스를 구비한 증착 장치를 개략적으로 도시한 정면도이고, 도 2는 도 1의 측면도이다. 구체적으로 도 2는 도 1의 좌측면도 또는 우측면도일 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면 증착 장치(1000)는 챔버(10)내부에 기판(20) 및 증착 소스(100)를 구비한다.
챔버(10) 내부는 진공 또는 저압을 유지하기 위하여 한 개 이상의 펌프(미도시)에 의하여 연결된다. 또한 챔버(10)의 측면에는 기판(20)의 출입을 위한 한 개 이상의 출입구(미도시)가 형성된다.
기판(20)은 원하는 물질이 증착되는 피증착재로서 클램프 또는 지지대에 의하여 고정된다. 기판(20)이 고정된 후에 증착 공정이 진행될 수 있다.
챔버(10)내부에 기판(20)을 대향하도록 증착 소스(100)가 배치된다. 증착 소스(100)는 기판(20)의 길이 방향으로 길게 연장될 수 있다.
도 1에 도시한 것과 같이 증착 소스(100)는 일 방향으로 길게 연장되지만 도2에 도시한 것과 같이 증착 소스(100)의 타 방향으로의 폭은 기판(20)의 길이에 비하여 작게 형성될 수 있다.
증착 소스(100)가 일 방향으로 길게 연장된 경우 기판(20)의 전체 면적을 증착하기 위하여 증착 소스(100)는 이동하는 것이 바람직하다. 증착 소스(100)의 하단부에는 일방향 또는 다방향으로 이동하는 이동부(30)가 배치된다. 이러한 이동부(30)에 의하여 증착 소스(100)는 직선 운동을 하면서 기판(20)에 증착재를 균일하게 증착할 수 있다.
도 3은 도 1의 증착 소스를 개략적으로 도시한 평면도이다.
증착 소스(100)는 제1호스트 증발원(110), 제2호스트 증발원(130), 및 도펀트 증발원(150)을 구비할 수 있다. 제1호스트 증발원(110)은 제1호스트 재료를 증발시키며, 제2호스트 증발원(130)은 제2호스트 재료를 증발시키고, 도펀트 증발원(150)은 도펀트 재료를 증발시킨다.
제1호스트 증발원(110)은 제1증발원 유닛(110a)과 제2증발원 유닛(110b)을 구비할 수 있다. 제1증발원 유닛(110a)은 도가니(111)와 제1가열부(113)로 이루어지며, 제2증발원 유닛(110b)은 도가니(121)와 제1가열부(113)로 이루어질 수 있다. 도가니(111, 121)에는 증착을 위한 증착 재료가 채워진다. 구체적으로 도가니(111, 121)에는 유기 발광 소자에 구비되는 유기물을 증착하기 위한 제1호스트 재료를 덩어리 또는 분말 형태로 넣을 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 형태의 증착 재료를 도가니(111, 121)에 넣을 수 있다.
도가니(111, 121)는 일 방향(X축 방향)으로 길게 연장된 구조일 수 있다. 도가니(111, 121)의 길이 방향은 피증착재인 기판(20)의 길이 방향에 대응할 수 있다.
도가니(111, 121)의 상부 즉 기판(20)을 대향하는 방향에는 복수의 노즐(112, 122)이 형성되어 있다. 도가니(111, 121)에 채워진 제1호스트 재료가 가열되면 노즐(112, 122)을 통하여 제1호스트 재료가 기판(20)으로 이동한다. 노즐(112, 122)을 기판(20)의 크기, 증착 재료의 특성 증 공정 조건에 따라 다양한 형태, 크기 및 개수로 형성될 수 있다.
도가니(111, 121)의 주변에는 제1가열부(113)가 배치될 수 있다. 제1가열부(113)는 정현파 또는 지그재그 패턴 등의 형태로 형성된 코일을 구비할 수 있고, 코일은 외부의 전원(미도시)에 연결된다.
제1가열부(113)는 제1증발원 유닛(110a)의 도가니(111)와 제2증발원 유닛(110b)의 도가니(121) 모두에 열 에너지를 공급하여 도가니(111, 121)에 공급하여 도가니(111, 121)에 채워진 제1호스트 재료를 증발시킨다. 제1가열부(113)는 도가니(111, 121)를 감싸도록 도가니(111, 121)의 외주면에 배치될 수 있다. 제1가열부(113)는 외부 전원에 의하여 연결된다. 하나의 제1가열부(113)에 의해 두 개의 도가니(111, 121)가 가열되므로 도가니(111, 121)에 균일한 열 에너지가 공급될 수 있다.
제2호스트 증발원(130)은 제3증발원 유닛(130a)과 제4증발원 유닛(130b)을 구비할 수 있다. 제3증발원 유닛(130a)은 도가니(131)와 제2가열부(115)로 이루어지며, 제4증발원 유닛(130b)은 도가니(141)와 제2가열부(115)로 이루어질 수 있다. 도가니(131, 141)에는 증착을 위한 증착 재료가 채워진다. 구체적으로 제2호스트 증발원(130)과는 달리 도가니(131, 141)에는 유기 발광 소자에 구비되는 유기물을 증착하기 위한 제2호스트 재료를 덩어리 또는 분말 형태로 넣을 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 형태의 증착 재료를 도가니(111, 121)에 넣을 수 있다. 제1호스트 재료와 제2호스트 재료는 도펀트 재료와 공증착이 이루어진다.
도가니(131, 141)는 도가니(111, 121)와 같이 일 방향(X축 방향)으로 길게 연장된 구조일 수 있다. 즉, 도가니(131, 141)과 도가니(111, 121)는 일 방향(X축 방향)으로 길게 연장되며, 서로 평행하게 배치될 수 있다. 도가니(131, 141)의 길이 방향은 피증착재인 기판(20)의 길이 방향에 대응할 수 있다.
도가니(131, 141)의 상부 즉 기판(20)을 대향하는 방향에는 복수의 노즐(132, 142)가 형성되어 있다. 도가니(131, 141)에 채워진 제2호스트 재료가 가열되면 노즐(132, 142)을 통하여 제2호스트 재료가 기판(20)으로 이동한다. 노즐(132, 142)을 기판(20)의 크기, 증착 재료의 특성 증 공정 조건에 따라 다양한 형태, 크기 및 개수로 형성될 수 있다.
도가니(131, 141)의 주변에는 제2가열부(115)가 배치될 수 있다. 제2가열부(115)는 정현파 또는 지그재그 패턴 등의 형태로 형성된 코일을 구비할 수 있고, 코일은 외부의 전원(미도시)에 연결된다.
제2가열부(115)는 제3증발원 유닛(130a)의 도가니(131)와 제4증발원 유닛(130b)의 도가니(141) 모두에 열 에너지를 공급하여 도가니(131, 141)에 공급하여 도가니(131, 141)에 채워진 제2호스트 재료를 증발시킨다. 제2가열부(115)는 도가니(131, 141)를 감싸도록 도가니(131, 141)의 외주면에 배치될 수 있다. 제2가열부(115)는 외부 전원에 의하여 연결된다. 하나의 제2가열부(115)에 의해 두 개의 도가니(131, 141)가 가열되므로 도가니(131, 141)에 균일한 열 에너지가 공급될 수 있다.
제1가열부(113)과 제2가열부(115)는 별도의 전원에 연결되어 별도로 제어될 수 있다.
제1호스트 증발원(110)과 제2호스트 증발원(130)은 일방향(X축 방향)을 따라 서로 평행하게 배치되며, 제1호스트 증발원(110)과 제2호스트 증발원(130) 각각에서 증발되는 제1호스트 재료와 제2호스트 재료는 제1호스트 증발원(110)과 제2호스트 증발원(130)가 배열된 방향에 수직한 방향(Y축 방향)에서 균일하게 섞이게 된다.
도펀트 증발원(150)은 선형 증발원일 수 있다. 선형 증발원인 도펀트 증발원(150)은 도가니(151)와 가열부(117)를 구비할 수 있다. 도가니(151)에는 증착을 위한 증착 재료가 채워진다. 구체적으로 도가니(151)에는 유기 발광 소자에 구비되는 유기물을 증착하기 위한 도펀트 재료를 덩어리 또는 분말 형태로 넣을 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 형태의 증착 재료를 도가니(151)에 넣을 수 있다.
도가니(151)는 제1호스트 증발원(110)이 배열된 방향, 즉 제1증발원 유닛(110a)과 제2증발원 유닛(110b)이 배열된 방향(X축 방향)에 교차되는 방향으로 길게 연장된 구조일 수 있다. 일 실시예로서, 도가니(151)의 길이 방향(Y축 방향)은 제1증발원 유닛(110a) 또는 제2증발원 유닛(110b)이 배열된 방향(X축 방향)에 수직일 수 있다.
도가니(151)의 상부 즉 기판(20)을 대향하는 방향에는 복수의 노즐(152)이 형성되어 있다. 복수의 노즐(152)이 배열된 방향은 도가니(151)의 길이 방향(Y축 방향)과 동일할 수 있다. 즉, 복수의 노즐(152)이 배열된 방향은 제1호스트 증발원(110) 또는 제2호스트 증발원(130)의 노즐(112, 122, 132, 142)이 배열된 방향과 수직일 수 있다.
도펀트 증발원(150)은 제1증발원 유닛(110a)과 제2증발원 유닛(110b) 사이 및 제3증발원 유닛(130a)과 제4증발원 유닛(130b) 사이에 배치되며, 도펀트 증발원(150)은 제1증발원 유닛(110a)과 제2증발원 유닛(110b)이 배열된 방향(Y축 방향)(또는 제3증발원 유닛(130a)과 제4증발원 유닛(130b)이 배열된 방향)에서 뿐만 아니라 제1호스트 증발원(110)와 제2호스트 증발원(130)가 배열된 방향(X축 방향)에서 도펀트 재료가 제1, 2호스트 재료와 섞일 수 있도록 도펀트 재료를 증발시킨다.
도가니(151)에 채워진 도펀트 재료가 가열되면 노즐(152)을 통하여 도펀트 재료가 기판(20)으로 이동한다. 노즐(152)을 기판(20)의 크기, 증착 재료의 특성 증 공정 조건에 따라 다양한 형태, 크기 및 개수로 형성될 수 있다.
도가니(151)의 주변에는 가열부(117)가 배치될 수 있다. 가열부(117)는 정현파 또는 지그재그 패턴 등의 형태로 형성된 코일을 구비할 수 있고, 코일은 외부의 전원(미도시)에 연결된다.
가열부(117)는 도펀트 증발원(150)의 도가니(151)에 열 에너지를 공급하여 도가니(151)에 공급하여 도가니(151)에 채워진 도펀트 재료를 증발시킨다. 가열부(117)는 도가니(151)를 감싸도록 도가니(151)의 외주면에 배치될 수 있다. 가열부(117)는 외부 전원에 의하여 연결될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1호스트 재료와 제2호스트 재료를 증발시키는 제1호스트 증발원(110)과 제2호스트 증발원(130)이 서로 평행하게 배치되고, 도펀트 재료를 증발시키는 도펀트 증발원(150)이 제1호스트 재료를 증발시키는 제1증발원 유닛(110a)과 제2증발원 유닛(110b) 사이에 배치되며, 또한 도펀트 증발원(150)이 제2호스트 재료를 증발시키는 제3증발원 유닛(130a)과 제4증발원 유닛(130b) 사이에 배치됨으로써 제1호스트 재료, 제2호스트 재료, 및 도펀트 재료의 공증착 영역이 증가하고 상기 재료들의 공증착 비율이 균일하게 된다. 이와 같이 제1호스트 재료, 제2호스트 재료, 및 도펀트 재료의 공증착 영역과 비율이 균일하게 됨으로써 유기 발광 소자의 상온 수명이 저하되는 현상을 감소시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 소스를 개략적으로 도시한 평면도이다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 소스(200)는 제1호스트 증발원(210), 제2호스트 증발원(220), 및 도펀트 증발원(250)을 구비할 수 있다.
제1호스트 증발원(210)은 제1증발원 유닛(210a), 제2증발원 유닛(210b), 및 제1가열부(213)를 구비할 수 있다.
제1증발원 유닛(210a) 및 제2증발원 유닛(210b) 각각은 제1호스트 재료를 담고 있는 도가니(211, 221)와 제1가열부(213)를 구비할 수 있다. 도가니(211, 221)는 일 방향(X축 방향)으로 길게 연장된 구조이며, 도가니(211, 221)의 상부 즉 기판(20)을 대향하는 방향에는 복수의 노즐(212, 222)가 형성되어 있다. 복수의 노즐(212, 222)은 도가니(211, 221)의 길이 방향(X축 방향)을 따라 배열될 수 있다.
제1가열부(213)는 도가니(211, 221)의 외주면에 배치될 수 있다. 하나의 제1가열부(213)에 의해 두 개의 도가니(211, 221)가 가열되므로 도가니(211, 221)에 균일한 열 에너지가 공급될 수 있다.
제2호스트 증발원(230)은 제3증발원 유닛(230a), 제4증발원 유닛(230b), 및 제2가열부(215)를 구비할 수 있다.
제3증발원 유닛(230a) 및 제4증발원 유닛(230b) 각각은 제2호스트 재료를 담고 있는 도가니(231, 241)와 제2가열부(215)를 구비할 수 있다. 도가니(231, 241)는 일 방향(X축 방향)으로 길게 연장된 구조이며, 도가니(231, 241)의 상부 즉 기판(20)을 대향하는 방향에는 복수의 노즐(232, 242)가 형성되어 있다. 복수의 노즐(232, 242)은 도가니(231, 241)의 길이 방향(X축 방향)을 따라 배열될 수 있다.
제2가열부(215)는 도가니(231, 241)의 외주면에 배치될 수 있다. 하나의 제2가열부(215)에 의해 두 개의 도가니(231, 241)가 가열되므로 도가니(231, 241)에 균일한 열 에너지가 공급될 수 있다.
도 4에 도시된 증착 소스(200)는 도 3에 도시된 증착 소스(100)와 도펀트 증발원(250)에서 차이가 있다. 즉, 3에 도시된 증착 소스(100)의 도펀트 증발원(150)은 선형 증발원인데 반하여, 도 4에 도시된 증착 소스(200)의 도펀트 증발원(250)은 포인트 소스이다. 증착 소스(200)는 제1포인트 소스(250a)와 제2포인트 소스(250b)를 구비할 수 있다. 제1포인트 소스(250a)는 제1증발원 유닛(210a)과 제2증발원 유닛(210b) 사이에 배치되며, 제2포인트 소스(250b)는 제3증발원 유닛(230a)과 제4증발원 유닛(230b) 사이에 배치될 수 있다.
제1포인트 소스(250a)와 제2포인트 소스(250b) 각각은 동일한 도펀트 재료를 담고 있는 도가니(261, 271)를 구비할 수 있다. 도가니(261, 271)의 상부 즉 기판(20)의 대향하는 방향에는 노즐(262, 272)이 배치될 수 있다.
제1포인트 소스(250a)의 도가니(261)의 외주면에는 제1가열부(217)가 배치되며, 제2포인트 소스(250b)의 도가니(271)의 외주면에는 제2가열부(218)이 배치될 수 있으며, 제1가열부(217)는 제1포인트 소스(250a)의 도가니(261)에 열 에너지를 공급하고, 제2가열부(218)는 제2포인트 소스(250b)의 도가니(271)에 열 에너지를 공급한다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 소스를 개략적으로 도시한 평면도이다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 소스(300)는 제1호스트 증발원(310), 제2호스트 증발원(320), 및 도펀트 증발원(350)을 구비할 수 있다.
도 5에 도시된 증착 소스(300)는 도 3에 도시된 증착 소스(100)와 제1호스트 증발원(310) 및 제2호스트 증발원(320)에서 차이가 있다. 즉, 도 3에 도시된 증착 소스(100)의 제1호스트 증발원(110)은 제1증발원 유닛(110a)의 도가니(111)와 제2증발원 유닛(110b)의 도가니(121)가 제1가열부(113)에 의해 열 에너지가 공급되고, 제2호스트 증발원(130)은 제3증발원 유닛(130a)의 도가니(131)와 제4증발원 유닛(130b)의 도가니(141)가 제2가열부(115)에 의해 열 에너지가 공급되지만, 도 5에 도시된 증착 소스(300)는 제1호스트 증발원(310)의 제1증발원 유닛(310a)과 제2증발원 유닛(310b)가 별도의 가열부(313, 314)를 구비하며, 제2호스트 증발원(330)이 제3증발원 유닛(330a)과 제4증발원 유닛(330b)가 별도의 가열부(315, 316)를 구비할 수 있다.
상세하게는, 제1증발원 유닛(310a)의 도가니(311)의 외주면에는 제1가열부(313)가 배치되어 도가니(311)에 열 에너지를 공급하며, 제2증발원 유닛(310b)의 도가니(321)의 외주면에는 제1가열부(313)와 별도로 구성된 제2가열부(314)가 배치되어 도가니(321)에 열 에너지를 공급한다. 또한, 제3증발원 유닛(330a)의 도가니(331)의 외주면에 제3가열부(315)가 배치되어 도가니(331)에 열 에너지를 공급하고, 제4증발원 유닛(330b)의 도가니(341)의 외주면에 제4가열부(316)가 배치되어 도가니(341)에 열 에너지를 공급할 수 있다. 제1, 2, 3, 4가열부(313, 314, 315, 316) 각각은 별도의 전원과 연결될 수 있다.
이와 같이 제1, 2, 3, 4증발원 유닛(310a, 310b, 330a, 330b) 각각이 별도로 구성된 제1, 2, 3, 4가열부(313, 314, 315, 316)에 의해 열 에너지를 공급받게 되므로 제1, 2, 3, 4증발원 유닛(310a, 310b, 330a, 330b) 각각의 온도 제어가 가능하다.
제1호스트 증발원(310)의 도가니(311, 321)는 일 방향(X축 방향)으로 길게 연장된 구조이며, 도가니(311, 321)의 상부 즉 기판(20)을 대향하는 방향에는 복수의 노즐(312, 322)가 형성되어 있다. 복수의 노즐(312, 322)은 도가니(311, 321)의 길이 방향(X축 방향)을 따라 배열될 수 있다. 도가니(311, 321) 내에는 제1호스트 재료를 담고 있다.
제2호스트 증발원(330)의 도가니(331, 341)는 일 방향(X축 방향)으로 길게 연장된 구조이며, 도가니(331, 341)의 상부 즉 기판(20)을 대향하는 방향에는 복수의 노즐(332, 342)가 형성되어 있다. 복수의 노즐(332, 342)은 도가니(331, 341)의 길이 방향(X축 방향)을 따라 배열될 수 있다.
제1, 2증발원 유닛(310a, 310b)이 배열된 방향과 제3, 4증발원 유닛(330a, 330b)이 배열된 방향은 서로 평행하다.
도 5에 도시된 증착 소스(300)의 도펀트 증발원(350)은 도 3에 도시된 증착 소스(100)의 도펀트 증발원(150)과 동일하다. 즉, 도펀트 증발원(350)은 선형 증발원이며, 도펀트 증발원(350)은 제1, 2증발원 유닛(310a, 310b) 사이와 제3, 4증발원 유닛(330a, 330b) 사이에 배치된다. 도펀트 증발원(350)의 도가니(351) 상부에는 복수의 노즐(352)이 형성되어 있으며, 복수의 노즐(352)이 배열된 방향은 도가니(351)의 길이 방향(Y축 방향)과 동일할 수 있다. 즉, 복수의 노즐(352)이 배열된 방향은 제1호스트 증발원(310) 또는 제2호스트 증발원(320)의 노즐(312, 322, 332, 342)이 배열된 방향과 수직일 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 소스를 개략적으로 도시한 평면도이다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 상이한 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 소스(400)는 제1호스트 증발원(410), 제2호스트 증발원(420), 및 도펀트 증발원(450)을 구비할 수 있다.
도 6에 도시된 증착 소스(400)는 도 4에 도시된 증착 소스(200)와 제1호스트 증발원(410) 및 제2호스트 증발원(420)에서 차이가 있다. 즉, 도 4에 도시된 증착 소스(200)의 제1호스트 증발원(210)은 제1증발원 유닛(210a)의 도가니(211)와 제2증발원 유닛(210b)의 도가니(221)가 제1가열부(213)에 의해 열 에너지가 공급되고, 제2호스트 증발원(230)은 제3증발원 유닛(230a)의 도가니(231)와 제4증발원 유닛(230b)의 도가니(241)가 제2가열부(215)에 의해 열 에너지가 공급되지만, 도 6에 도시된 증착 소스(400)는 제1호스트 증발원(410)의 제1증발원 유닛(410a)과 제2증발원 유닛(410b)가 별도의 가열부(413, 414)를 구비하며, 제2호스트 증발원(430)이 제3증발원 유닛(430a)과 제4증발원 유닛(430b)가 별도의 가열부(415, 416)를 구비할 수 있다.
상세하게는, 제1증발원 유닛(410a)의 도가니(411)의 외주면에는 제1가열부(413)가 배치되어 도가니(411)에 열 에너지를 공급하며, 제2증발원 유닛(410b)의 도가니(421)의 외주면에는 제1가열부(413)와 별도로 구성된 제2가열부(414)가 배치되어 도가니(421)에 열 에너지를 공급한다. 또한, 제3증발원 유닛(430a)의 도가니(431)의 외주면에 제3가열부(415)가 배치되어 도가니(431)에 열 에너지를 공급하고, 제4증발원 유닛(430b)의 도가니(441)의 외주면에 제4가열부(416)가 배치되어 도가니(441)에 열 에너지를 공급할 수 있다. 제1, 2, 3, 4가열부(413, 414, 415, 416) 각각은 별도의 전원과 연결될 수 있다.
이와 같이 제1, 2, 3, 4증발원 유닛(410a, 410b, 430a, 430b) 각각이 별도로 구성된 제1, 2, 3, 4가열부(313, 314, 415, 316)에 의해 열 에너지를 공급받게 되므로 제1, 2, 3, 4증발원 유닛(310a, 310b, 330a, 330b) 각각의 온도 제어가 가능하다.
제1호스트 증발원(410)의 도가니(411, 421)는 일 방향(X축 방향)으로 길게 연장된 구조이며, 도가니(411, 421)의 상부 즉 기판(20)을 대향하는 방향에는 복수의 노즐(412, 422)가 형성되어 있다. 복수의 노즐(412, 422)은 도가니(411, 421)의 길이 방향(X축 방향)을 따라 배열될 수 있다. 도가니(411, 421) 내에는 제1호스트 재료를 담고 있다.
제2호스트 증발원(430)의 도가니(431, 441)는 일 방향(X축 방향)으로 길게 연장된 구조이며, 도가니(431, 441)의 상부 즉 기판(20)을 대향하는 방향에는 복수의 노즐(432, 442)가 형성되어 있다. 복수의 노즐(432, 442)은 도가니(431, 441)의 길이 방향(X축 방향)을 따라 배열될 수 있다.
제1, 2증발원 유닛(410a, 410b)이 배열된 방향과 제3, 4증발원 유닛(430a, 430b)이 배열된 방향은 서로 평행하다.
도 6에 도시된 증착 소스(400)의 도펀트 증발원(450)은 도 4에 도시된 증착 소스(200)의 도펀트 증발원(250)과 동일하다. 즉, 도펀트 증발원(450)은 포인트 소스이다. 증착 소스(400)는 제1포인트 소스(450a)와 제2포인트 소스(450b)를 구비할 수 있다. 제1포인트 소스(450a)는 제1증발원 유닛(410a)과 제2증발원 유닛(410b) 사이에 배치되며, 제2포인트 소스(450b)는 제3증발원 유닛(430a)과 제4증발원 유닛(430b) 사이에 배치될 수 있다.
제1포인트 소스(450a)와 제2포인트 소스(450b) 각각은 동일한 도펀트 재료를 담고 있는 도가니(461, 471)를 구비할 수 있다. 도가니(461, 471)의 상부 즉 기판(20)의 대향하는 방향에는 노즐(462, 472)이 배치될 수 있다.
제1포인트 소스(450a)의 도가니(461)의 외주면에는 제1가열부(417)가 배치되며, 제2포인트 소스(450b)의 도가니(471)의 외주면에는 제2가열부(418)이 배치될 수 있으며, 제1가열부(417)는 제1포인트 소스(450a)의 도가니(461)에 열 에너지를 공급하고, 제2가열부(418)는 제2포인트 소스(450b)의 도가니(471)에 열 에너지를 공급한다.
본 명세서에서는 본 발명을 한정된 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능하다. 또한 설명되지는 않았으나, 균등한 수단도 또한 본 발명에 그대로 결합되는 것이라 할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
1000: 증착 장치 10: 챔버
20: 기판 100: 증착 소스
110: 제1호스트 증발원 130: 제2호스트 증발원
150: 도펀트 증발원 110a: 제1증발원 유닛
110b: 제2증발원 유닛 111, 121: 도가니
113: 제1가열부 112, 122: 노즐
130a: 제3증발원 유닛 130b: 제4증발원 유닛
131, 141: 도가니 115: 제2가열부
150: 도펀트 증발원 117: 가열부
151: 도가니

Claims (23)

  1. 상기 도펀트 증발원은 포인트 소스인 것을 특징으로 하는 증착 소스.
    도펀트 증발원;
    상기 도펀트 증발원 일 측에 배치되는 제1증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원 타 측에 배치되는 제2증발원 유닛을 포함하는 제1호스트 증발원; 및
    상기 도펀트 증발원의 일 측에서 상기 제1증발원과 나란히 배치되는 제3증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원의 타 측에서 상기 제2증발원과 나란히 배치되는 제4증발원 유닛을 포함하는 제2 호스트 증발원; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도펀트 증발원은 선형 증발원인 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 선형 증발원의 노즐의 배열 방향은 상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛이 배열된 방향과 서로 교차하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 선형 증발원의 노즐의 배열 방향은 상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛이 배열된 방향과 서로 수직인 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도펀트 증발원은 포인트 소스인 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 도펀트 증발원은,
    상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 사이에 배치되는 제1포인트 소스; 및
    상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛 사이에 배치되는 제2포인트 소스;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛은 상기 도펀트 증발원을 중심으로 서로 대칭적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛은 상기 도펀트 증발원을 중심으로 서로 대칭적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 각각은 선형 증발원인 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 각각은 상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛이 배열된 방향과 동일한 방향으로 형성된 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛 각각은 상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛이 배열된 방향과 동일한 방향으로 형성된 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1증발원과 상기 제2증발원이 배열된 방향과 상기 제3증발원과 상기 제4증발원이 배열된 방향은 서로 평행한 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛은 서로 크기와 형상이 동일한 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛은 서로 크기와 형상이 동일한 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  15. 제1항에 있어서,
    제1호스트 증발원은 상기 제1증발원 유닛의 제1도가니와 상기 제2증발원 유닛의 제2도가니에 열을 가하도록 상기 제1도가니와 상기 제2도가니를 감싸면서 배치된 제1가열부를 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  16. 제15항에 있어서,
    제2호스트 증발원은 상기 제3증발원 유닛의 제3도가니와 상기 제4증발원 유닛의 제4도가니에 열을 가하도록 상기 제3도가니와 상기 제4도가니를 감싸면서 배치된 제2가열부를 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  17. 제1항에 있어서,
    제1호스트 증발원은 상기 제1증발원 유닛의 제1도가니에 열을 가하도록 상기 제1도가니를 감싸면서 배치된 제1가열부와, 상기 제2증발원 유닛의 제2도가니에 열을 가하도록 상기 제2도가니를 감싸면서 배치된 제2가열부를 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  18. 제17항에 있어서,
    제2호스트 증발원은 상기 제3증발원 유닛의 제3도가니에 열을 가하도록 상기 제3도가니를 감싸면서 배치된 제3가열부와, 상기 제4증발원 유닛의 제4도가니에 열을 가하도록 상기 제4도가니를 감싸면서 배치된 제4가열부를 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 소스.
  19. 챔버와, 챔버 내에 이송되는 피증착체에 증착재를 증착시키는 증착 소스를 포함하는 증착장치로서, 상기 증착 소스는,
    도펀트 증발원;
    상기 도펀트 증발원 일 측에 배치되는 제1증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원 타 측에 배치되는 제2증발원 유닛을 포함하는 제1호스트 증발원; 및
    상기 도펀트 증발원의 일 측에서 상기 제1증발원과 나란히 배치되는 제3증발원 유닛과 상기 도펀트 증발원의 타 측에서 상기 제2증발원과 나란히 배치되는 제4증발원 유닛을 포함하는 제2 호스트 증발원; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 도펀트 증발원은 선형 증발원인 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 도펀트 증발원은,
    상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 사이에 배치되는 제1포인트 소스; 및
    상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛 사이에 배치되는 제2포인트 소스;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛은 상기 도펀트 증발원을 중심으로 서로 대칭적으로 배치되며,
    상기 제3증발원 유닛과 상기 제4증발원 유닛은 상기 도펀트 증발원을 중심으로 서로 대칭적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  23. 제19항에 있어서,
    상기 제1증발원 유닛과 상기 제2증발원 유닛 각각은 선형 증발원인 것을 특징으로 하는 증착 장치.
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US (1) US9150952B2 (ko)
KR (1) KR20130010730A (ko)
CN (1) CN102888589B (ko)
TW (1) TWI560292B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170002943A (ko) 2015-06-30 2017-01-09 주식회사 선익시스템 다중 증착 증발원
KR20170007556A (ko) 2015-06-30 2017-01-19 주식회사 선익시스템 다중 증착 증발원
US11441220B2 (en) 2019-09-03 2022-09-13 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150040970A1 (en) * 2013-08-06 2015-02-12 First Solar, Inc. Vacuum Deposition System For Solar Cell Production And Method Of Manufacturing
CN103590015B (zh) * 2013-11-08 2016-03-09 蚌埠玻璃工业设计研究院 一种p型掺杂非晶硅薄膜的制备方法及装置
CN103741096B (zh) * 2013-12-27 2015-11-11 深圳市华星光电技术有限公司 Oled蒸镀机的蒸发源组件
CN103924196B (zh) * 2013-12-31 2016-06-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种蒸镀装置
KR102376728B1 (ko) * 2015-07-07 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 증착원, 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법
TWI607103B (zh) * 2016-11-08 2017-12-01 財團法人工業技術研究院 蒸鍍源及應用所述蒸鍍源的蒸鍍裝置
CN111334758A (zh) * 2020-04-03 2020-06-26 Tcl华星光电技术有限公司 蒸发源装置

Family Cites Families (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125279B2 (ja) 1991-02-25 2001-01-15 東海カーボン株式会社 真空蒸着用黒鉛ルツボ
JPH0598425A (ja) 1991-10-04 1993-04-20 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
FR2695943B1 (fr) 1992-09-18 1994-10-14 Alsthom Cge Alcatel Procédé de dépôt en phase vapeur d'un film en verre fluoré sur un substrat.
US6274198B1 (en) 1997-02-24 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Shadow mask deposition
KR100257219B1 (ko) 1997-10-23 2000-05-15 박용관 가스배관용 폴리에틸렌 밸브의 개폐 안전 구동장치 및 그 방법
JP2000068054A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子の製造方法
KR20000019254A (ko) 1998-09-08 2000-04-06 석창길 화학 기상 증착 장치의 박막 두께 균일도 개선을 위한 장치
JP2001052862A (ja) 1999-08-04 2001-02-23 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法と装置
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
KR100302159B1 (ko) 1999-10-29 2001-09-22 최중호 향발생장치 및 방법
WO2001030404A1 (ko) 1999-10-29 2001-05-03 E. One Co., Ltd. Scent diffusion apparatus and method thereof
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100653515B1 (ko) 1999-12-30 2006-12-04 주식회사 팬택앤큐리텔 이동통신 시스템의 단말기
TW593622B (en) 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
KR20020000201A (ko) 2000-06-23 2002-01-05 최승락 레이저와 기상을 이용한 엘씨디 세정 방법
JP2002175878A (ja) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
KR100726132B1 (ko) 2000-10-31 2007-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US6468496B2 (en) 2000-12-21 2002-10-22 Arco Chemical Technology, L.P. Process for producing hydrogen peroxide
KR100625403B1 (ko) 2000-12-22 2006-09-18 주식회사 하이닉스반도체 버추얼 채널 에스디램
KR100698033B1 (ko) 2000-12-29 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조 방법
KR100405080B1 (ko) 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법.
KR100463212B1 (ko) 2001-05-19 2004-12-23 주식회사 아이엠티 건식 표면 클리닝 장치
JP2003077662A (ja) 2001-06-22 2003-03-14 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置
JP2003003250A (ja) 2001-06-22 2003-01-08 Alps Electric Co Ltd 真空蒸着重合装置及びこれを用いた有機被膜の形成方法
JP3705237B2 (ja) 2001-09-05 2005-10-12 ソニー株式会社 有機電界発光素子を用いた表示装置の製造システムおよび製造方法
TW591202B (en) 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
US20030101937A1 (en) 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US20030168013A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
JP2003297562A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法
US6749906B2 (en) 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US20030232563A1 (en) 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
JP4292777B2 (ja) 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
KR100908232B1 (ko) 2002-06-03 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
CN100464440C (zh) 2002-06-03 2009-02-25 三星移动显示器株式会社 用于有机电致发光装置的薄层真空蒸发的掩模框组件
JP2004043898A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
KR100397196B1 (ko) 2002-08-27 2003-09-13 에이엔 에스 주식회사 유기 반도체 장치의 유기물질 증착원 장치 및 그 방법
JP2004091858A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Toyota Industries Corp 真空蒸着装置及び方法並びに蒸着膜応用製品の製造方法
JP2004103269A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2004103341A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4139186B2 (ja) 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
JP2004143521A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
KR100532657B1 (ko) 2002-11-18 2005-12-02 주식회사 야스 다증발원을 이용한 동시증착에서 균일하게 혼합된 박막의증착을 위한 증발 영역조절장치
JP2004183044A (ja) 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP2004199919A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR100646160B1 (ko) 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
US20040144321A1 (en) 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
JP3966292B2 (ja) 2003-03-27 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
JP3915734B2 (ja) 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
US6837939B1 (en) 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
JP2005044592A (ja) 2003-07-28 2005-02-17 Toyota Industries Corp 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置
JP2005050747A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Ulvac Japan Ltd 蒸着源、成膜装置、及び成膜方法
KR100656845B1 (ko) 2003-08-14 2006-12-13 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착용 증착원
EP1505167B1 (en) 2003-08-04 2014-09-17 LG Display Co., Ltd. Evaporation source
KR20050028943A (ko) 2003-09-17 2005-03-24 삼성전자주식회사 저압 화학기상증착 장치의 압력조절 시스템
KR20050039140A (ko) 2003-10-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 바라트론 센서
KR100520159B1 (ko) 2003-11-12 2005-10-10 삼성전자주식회사 다중 안테나를 사용하는 직교주파수분할다중 시스템에서간섭신호 제거 장치 및 방법
JP4441282B2 (ja) 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 蒸着マスク及び有機ｅｌ表示デバイスの製造方法
JP2005235568A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Seiko Epson Corp 蒸着装置及び有機ｅｌ装置の製造方法
JP2005293968A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2005296737A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Mikuni Corp ビートプレート
JP4545504B2 (ja) 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
KR20060008602A (ko) 2004-07-21 2006-01-27 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착 방법
JP2006057173A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
KR100579406B1 (ko) 2004-08-25 2006-05-12 삼성에스디아이 주식회사 수직 이동형 유기물 증착 장치
EP1802177A4 (en) 2004-09-08 2010-04-14 Toray Industries ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
KR101070539B1 (ko) 2004-09-08 2011-10-05 도레이 카부시키가이샤 증착 마스크 및 이를 사용한 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
KR100700641B1 (ko) 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치, 패터닝 방법 및 그를 이용한 레이저열전사 패터닝 방법과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법
KR20060073367A (ko) 2004-12-24 2006-06-28 엘지전자 주식회사 클리닝룸의 유기물 처리장치
JP4384109B2 (ja) 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム
KR100796148B1 (ko) 2005-01-05 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 수직이동형 증착시스템
KR100645719B1 (ko) 2005-01-05 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 물질증착용 증착원 및 이를 구비한 증착장치
KR100600357B1 (ko) 2005-01-05 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 증착시스템용 증착원의 구동축 밀폐장치 및 이를 구비한증착시스템
KR101200693B1 (ko) 2005-01-11 2012-11-12 김명희 대면적 유기박막 제작용 선형 다점 도가니 장치
KR20060083510A (ko) 2005-01-17 2006-07-21 삼성전자주식회사 결함성 부산물들을 제거하는 포토마스크 장비
KR100703427B1 (ko) 2005-04-15 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 채용한 증착장치
JP4440837B2 (ja) 2005-01-31 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
US7918940B2 (en) 2005-02-07 2011-04-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
KR100719314B1 (ko) 2005-03-31 2007-05-17 세메스 주식회사 기판 이송 장치 및 기판 상에 유기 박막을 증착하는 장치
KR100687007B1 (ko) 2005-03-22 2007-02-26 세메스 주식회사 유기전계 발광 소자 제조에 사용되는 유기 박박 증착 장치
JP2006275433A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 吸収式小型冷却及び冷凍装置
KR100637714B1 (ko) 2005-03-31 2006-10-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100773249B1 (ko) 2005-04-18 2007-11-05 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 형성용 마스크
KR100797787B1 (ko) 2005-06-03 2008-01-24 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 건식세정시스템
JP4655812B2 (ja) 2005-08-08 2011-03-23 カシオ計算機株式会社 楽音発生装置、及びプログラム
KR100711885B1 (ko) 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
KR20070035796A (ko) 2005-09-28 2007-04-02 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자의 제조장치
KR100696547B1 (ko) 2005-12-09 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 증착 방법
JP5064810B2 (ja) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
KR20070080635A (ko) 2006-02-08 2007-08-13 주식회사 아바코 유기물증발 보트
KR20070084973A (ko) 2006-02-22 2007-08-27 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
KR20070098122A (ko) 2006-03-31 2007-10-05 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
KR20070105595A (ko) 2006-04-27 2007-10-31 두산메카텍 주식회사 유기박막 증착장치
KR100770653B1 (ko) 2006-05-25 2007-10-29 에이엔 에스 주식회사 박막형성용 증착장치
KR101248004B1 (ko) 2006-06-29 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 증착 스템과, 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100800125B1 (ko) 2006-06-30 2008-01-31 세메스 주식회사 유기발광소자 증착장비의 소스셔터 및 기판 제어방법
KR100980729B1 (ko) 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 증착 공정용 다중 노즐 증발원
KR100723627B1 (ko) 2006-08-01 2007-06-04 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치의 증발원
KR100815265B1 (ko) 2006-08-28 2008-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 마이크로 히터 및 도가니 제조 방법, 그리고 이들을 구비한유기물 진공 증착 장치
JP4971723B2 (ja) 2006-08-29 2012-07-11 キヤノン株式会社 有機発光表示装置の製造方法
US7322248B1 (en) 2006-08-29 2008-01-29 Eastman Kodak Company Pressure gauge for organic materials
KR100823508B1 (ko) 2006-10-19 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 구비한 증착 장치
KR100839380B1 (ko) 2006-10-30 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 진공 증착 장치
JP4768584B2 (ja) 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
US20080131587A1 (en) 2006-11-30 2008-06-05 Boroson Michael L Depositing organic material onto an oled substrate
KR20080060400A (ko) 2006-12-27 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생장치의 제조 방법
KR20080061132A (ko) 2006-12-28 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기막 증착 장치
KR20080062212A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
KR20080003720U (ko) 2007-03-02 2008-09-05 동양매직 주식회사 비데의 가스 리크와 과압 밸브 일체형 구조
DE112008000803T5 (de) * 2007-03-30 2010-04-08 Tokyo Electron Limited Abscheidungsquelleneinheit, Abscheidungsvorrichtung und Temperatursteuereinrichtung einer Abscheidungsquelleneinheit
JP5081516B2 (ja) 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
JP4974832B2 (ja) 2007-09-10 2012-07-11 株式会社アルバック 蒸着源、蒸着装置
KR20090038733A (ko) 2007-10-16 2009-04-21 주식회사 실트론 Ｓｏｉ 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법 및이를 위한 열처리 장치
KR100790718B1 (ko) 2007-11-05 2008-01-02 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
KR100928136B1 (ko) 2007-11-09 2009-11-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기물 선형 증착 장치
KR100994114B1 (ko) 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 방법
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
US20110104398A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 General Electric Company Method and system for depositing multiple materials on a substrate
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170002943A (ko) 2015-06-30 2017-01-09 주식회사 선익시스템 다중 증착 증발원
KR20170007556A (ko) 2015-06-30 2017-01-19 주식회사 선익시스템 다중 증착 증발원
US11441220B2 (en) 2019-09-03 2022-09-13 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus

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