JP4187367B2 - 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法 - Google Patents

有機発光素子、その製造装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4187367B2
JP4187367B2 JP27432699A JP27432699A JP4187367B2 JP 4187367 B2 JP4187367 B2 JP 4187367B2 JP 27432699 A JP27432699 A JP 27432699A JP 27432699 A JP27432699 A JP 27432699A JP 4187367 B2 JP4187367 B2 JP 4187367B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
substrate
light emitting
width
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP27432699A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001093667A (ja
Inventor
純一 佐野
強 辻岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP27432699A priority Critical patent/JP4187367B2/ja
Publication of JP2001093667A publication Critical patent/JP2001093667A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4187367B2 publication Critical patent/JP4187367B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機材料からなる発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子等の有機発光素子、およびその製造装置ならびにその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報機器の多様化に伴い、一般に使用されているCRT(陰極線管)に比べて消費電力が少なく容量の小さい平面表示素子に対する要求が高まっている。このような平面表示素子の1つとして、エレクトロルミネッセンス素子(以下、EL素子と称する)が注目されている。このようなEL素子は、無機材料からなる発光層を有する無機EL素子と、有機材料からなる発光層を有する有機EL素子とに大別される。
【0003】
無機EL素子は、一般に発光部に高電界を作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光中心に衝突させることにより、発光中心を励起させて発光させるものである。これに対して、有機EL素子は、電子注入電極およびホール注入電極からそれぞれ電子およびホールを発光部内へ注入し、これらの電子およびホールを発光中心で再結合させて有機分子を励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態に戻るときに蛍光を発生するものである。このような有機EL素子は、複数の発光素子が基板上にマトリクス状に配置された構造を有する。
【0004】
無機EL素子は、高電界を必要とするため、駆動電圧として100V〜200Vの高い電圧を必要とするのに対し、有機EL素子は、5V〜20V程度の低い電圧で駆動できるという利点を有する。
【0005】
また、有機EL素子では、発光材料である蛍光物質を選択することにより適当な色彩に発光する発光素子を得ることができ、マルチカラーまたはフルカラーの表示装置としても利用することが期待される。さらに、有機EL素子は、低電圧で面発光できるため、液晶表示装置等の表示装置用のバックライトとして利用することも可能である。
【0006】
このような有機EL素子を表示装置として利用するためには、基板上の発光素子の高集積化および高解像度化ならびにフルカラー化が必要不可欠である。
【0007】
従来、有機EL素子の高集積化および高解像度化のために、基板上の発光素子間の間隔を狭めることにより集積化を図れる「リブ立て」と呼ばれる隔壁分離技術が導入されている。
【0008】
図9および図10は有機EL素子の製造方法を示す工程断面図である。
図9(a)に示すガラス基板等の基板31上に、図9(b)に示すように、ITO(インジウム・錫酸化物)からなる透明導電膜を形成し、その透明導電膜をパターニングすることによりホール注入電極32を形成する。
【0009】
次に、図9(c)に示すように、基板31上およびパターニングされたホール注入電極32上に、第1の絶縁層33を形成する。次いで、図9(d)に示すように、第1の絶縁層33上に、その第1の絶縁層33と比較して大きな厚みを有する第2の絶縁層34をリブとして形成する。それにより、高い段差が形成される。
【0010】
次に、図10(e)に示すように、ホール注入電極32、第1の絶縁層33および第2の絶縁層34上に蒸着法により有機発光材料からなる有機発光層35を形成する。さらに、図10(f)に示すように、有機発光層35上に電子注入電極36を形成する。それにより、基板31上に複数の発光素子が形成される。
【0011】
この場合、第2の絶縁層34が有機発光層35および電子注入電極36と比較して十分に大きな厚みを有するので、第2の絶縁層34の段差部で有機発光層35および電子注入電極36の切れ(段切れ)が生じ、発光素子間の分離が可能となる。
【0012】
最後に、図10(g)に示すように、基板31上に形成された複数の発光素子を封止剤37で封止する。
【0013】
単色の有機EL素子では、このようにして第1の絶縁層33および第2の絶縁層34により基板31上の複数の発光素子を分離することができる。
【0014】
しかしながら、フルカラー化を行うためには、基板上に赤色、緑色および青色をそれぞれ発する異なる発光素子を形成する必要がある。この場合、隣り合う発光素子にそれぞれ異なる有機発光材料を蒸着する必要がある。そのため、上記の隔壁分離技術とともにメタルマスクを用いた有機発光材料の塗り分けを併用する必要がある。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
図11は従来の有機発光素子の製造装置を示す模式的断面図である。図11の製造装置は、例えば有機EL素子の有機発光層の蒸着に用いられる。
【0016】
図11において、チャンバ101内に基板31が配置され、基板31の中央部の下方に蒸着源102が配置される。蒸着源102は、蒸着材料およびその蒸着材料を加熱するための加熱ホルダにより構成される。図11では、蒸着源102を基板31に近い位置P1に配置した場合、および蒸着源102を基板31から離れた位置P2に配置した場合が示されている。
【0017】
蒸着材料は、蒸着源102の中心線L1を中心として蒸着源102から等方的に飛散する。蒸着源102を基板31に近い位置P1に配置した場合には、基板31上の成膜速度が上昇する。しかしながら、蒸着源102から基板31の中央部までの距離と蒸着源102から基板31の端部までの距離との差が大きいため、基板31上に形成される有機発光層の膜厚にばらつきが生じやすい。すなわち、基板31内の膜厚均一性が低下するおそれがある。
【0018】
一方、蒸着源102を基板31から離れた位置P2に配置した場合、蒸着源102から基板31までの距離と蒸着源102から基板31の端部までの距離との差が小さくなるため、基板31上に形成される有機発光層の膜厚均一性がある程度確保される。しかしながら、蒸着源102から基板31までの距離が長くなるため、基板31上での成膜速度が低下する。この結果、量産時にスループットが低下するとともに、製造装置の大型化に伴って設備コストが増大する。
【0019】
図12はフルカラーの有機EL素子において有機発光材料の塗り分けを行う場合の蒸着源、基板およびメタルマスクの位置関係を示す図である。
【0020】
図12に示すように、有機発光材料の塗り分けを行う場合には、基板31に近接してメタルマスク20が設置される。メタルマスク20は幅Wの開口部を有する。
【0021】
基板31の中央部付近では、蒸着源102から飛散した蒸着材料がメタルマスク20の開口部を通して基板31にほぼ垂直に入射するため、蒸着材料がほぼメタルマスク20の開口部に対応する位置に蒸着されるとともに、蒸着された領域の幅W1がメタルマスク20の開口部の幅Wとほぼ等しくなる。これに対して、基板31の端部では、蒸着源102から飛散した蒸着材料がメタルマスク20の開口部を通して基板31に斜め方向に入射するため、蒸着材料が基板31上でメタルマスク20の開口部からずれた位置に蒸着されるとともに、蒸着される領域の幅W2がメタルマスク20の開口部の幅Wに比べて小さくなる。このように、基板31の場所により成膜位置にずれが生じるとともに、成膜面積にばらつきが生じる。
【0022】
特に、有機EL素子の高集積化および高解像度化のためには、パターニングされたホール注入電極上の所定位置に所定面積の有機発光層を高精度に蒸着することが必要となる。
【0023】
基板と同じ面積を有する蒸着源を使用すると、大面積の基板に有機発光材料を短時間で均一に蒸着することが可能となる。しかしながら、この場合、製造装置が大型化するとともに、蒸着材料の大量消費に伴ってコストが増大する。
【0024】
本発明の目的は、膜厚均一性を確保しつつ高い成膜速度で成膜位置のずれおよび成膜面積のばらつきを生じることなく基板上に蒸着層を形成することができ、小型化および低コスト化が可能な有機発光素子の製造装置および製造方法を提供することである。
【0025】
本発明の他の目的は、高集積化および高解像度化が図られ、カラー化が可能な安価な有機発光素子を提供することである。
【0026】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明に係る有機発光素子の製造装置は、基板上に第1の電極、有機材料層および第2の電極が積層された有機発光素子の少なくとも有機材料層を蒸着法により形成するための製造装置であって、開口部を有する遮蔽部材の一面側において開口部に対向する位置に蒸着源が配置され、遮蔽部材の他面側において基板を開口部に対して相対的に第1の方向に移動させる移動機構が設けられたものである。
【0027】
本発明に係る製造装置においては、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通して基板上に蒸着されつつ移動機構により基板が開口部に対して相対的に第1の方向に移動することにより、基板上の広い面積に蒸着層が形成される。
【0028】
この場合、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通して基板にほぼ垂直に入射するので、蒸着源を基板に近い位置に配置した場合でも、基板上に均一な膜厚の蒸着層を形成することができる。したがって、蒸着源を基板に近づけることにより、成膜速度を向上させることができ、成膜時間の短縮化による高スループット化が可能となる。
【0029】
また、基板にマスクを設置した場合でも、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通してマスクにほぼ垂直に入射するので、成膜位置のずれおよび成膜面積のばらつきが生じない。
【0030】
さらに、蒸着源を基板に近づけることができるため、装置の小型化を図ることができる。また、大面積の蒸着源を使用する必要がないため、低コスト化を図ることができる。
【0031】
なお、移動機構は、基板を移動させることにより基板を開口部に対して相対的に移動させてもよく、あるいは遮蔽部材を移動させることにより基板を開口部に対して相対的に移動させてもよい。
【0032】
蒸着源は、第1の方向と直交する第2の方向において基板上の蒸着領域の幅以上の幅を有することが好ましい。この場合、蒸着源から飛散した蒸着材料が基板上の蒸着領域の幅方向の全体にわたってほぼ垂直に入射する。したがって、基板を遮蔽部材の開口部に対して相対的に第1の方向に移動させることにより、基板上の蒸着領域の全体に均一な膜厚を有する蒸着層を形成することが可能となる。
【0033】
蒸着源は、第2の方向において基板上の蒸着領域の幅以上の幅を有する領域に一体的に設けられてもよい。この場合、単一の蒸着源から飛散した蒸着材料が基板上の蒸着領域の幅方向の全体にわたってほぼ垂直に入射することができる。それにより、基板上の蒸着領域の全体に均一な膜厚を有する蒸着層を形成することができる。
【0034】
蒸着源は、第2の方向において基板上の蒸着領域の幅以上の幅を有する領域に分散的に設けられてもよい。この場合、複数の蒸着源から飛散した蒸着材料が基板上の蒸着領域の幅方向の全体にわたってほぼ垂直に入射することができる。それにより、基板上の蒸着領域の全体に均一な膜厚を有する蒸着層を形成することができる。
【0035】
遮蔽部材の開口部は、第1の方向と直交する第2の方向において基板上の蒸着領域の幅以上の幅を有してもよい。この場合、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通して基板上の蒸着領域と同じ幅または蒸着領域よりも大きい幅の領域に入射することができる。したがって、基板を遮蔽部材の開口部に対して相対的に第1の方向に移動させることにより、基板上の蒸着領域の全体に蒸着層を効率的に形成することができる。
【0036】
本発明に係る有機発光素子の製造方法は、基板上に第1の電極、有機材料層および第2の電極が積層された有機発光素子の少なくとも有機材料層を蒸着法により形成するための製造方法であって、開口部を有する遮蔽部材の一面側において開口部に対向する位置に配置された蒸着源から蒸着材料を蒸発させつつ、遮蔽部材の他面側において基板を開口部に対して相対的に第1の方向に移動させることにより、基板上に蒸着層を形成するものである。
【0037】
本発明に係る製造方法によれば、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通して基板上に蒸着されつつ基板が開口部に対して相対的に第1の方向に移動することにより、基板上の広い面積に蒸着層が形成される。
【0038】
この場合、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通して基板にほぼ垂直に入射するので、蒸着源を基板に近い位置に配置した場合でも、基板上に均一な膜厚の蒸着層を形成することができる。したがって、蒸着源を基板に近づけることにより、成膜速度を向上させることができ、成膜時間の短縮化による高スループット化が可能となる。
【0039】
また、基板にマスクを設置した場合でも、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通してマスクにほぼ垂直に入射するので、成膜位置のずれおよび成膜面積のばらつきが生じない。
【0040】
さらに、蒸着源を基板に近づけることができるので、製造装置の小型化を図ることができる。また、大面積を有する蒸着源を使用する必要がないため、低コスト化を図ることができる。
【0041】
なお、基板を移動させることにより基板を開口部に対して相対的に移動させてもよく、あるいは遮蔽部材を移動させることにより基板を開口部に対して相対的に移動させてもよい。
【0042】
第1の方向と直交する第2の方向における蒸着源の幅を、基板上の蒸着領域の幅以上に設定することが好ましい。この場合、蒸着源から飛散した蒸着材料が基板上の蒸着領域の幅方向の全体にわたってほぼ垂直に入射する。したがって、基板を遮蔽部材の開口部に対して相対的に第1の方向に移動させることにより、基板上の蒸着領域の全体に均一な膜厚を有する蒸着層を形成することが可能となる。
【0043】
第1の方向と直交する第2の方向における遮蔽部材の開口部の幅を、基板上の蒸着領域の幅以上に設定してもよい。この場合、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通して基板上の蒸着領域と同じ幅または蒸着領域よりも大きい幅の領域に入射することができる。したがって、基板を遮蔽部材の開口部に対して相対的に第1の方向に移動させることにより、基板上の蒸着領域の全体に蒸着層を効率的に形成することが可能となる。
【0044】
本発明に係る有機発光素子は、基板上に第1の電極、有機材料層および第2の電極が積層され、有機材料層は、開口部を有する遮蔽部材の一面側において開口部に対向する位置に配置された蒸着源から蒸着材料を蒸発させつつ遮蔽部材の他面側において基板を開口部に対して相対的に移動させることにより形成されたものである。
【0045】
本発明に係る有機発光素子においては、有機材料層の形成の際に、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通して基板上に蒸着されつつ基板が遮蔽部材の開口部に対して相対的に移動することにより、基板上の第1の電極上に有機材料層が形成される。
【0046】
この場合、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通して基板にほぼ垂直に入射するので、蒸着源を基板に近い位置に配置した場合でも、基板上の第1の電極上に均一な膜厚を有する有機材料層を形成することができる。したがって、蒸着源を基板に近づけることにより、成膜速度を向上させることができ、成膜時間の短縮化による高スループット化が可能となる。
【0047】
また、基板にマスクを設置した場合でも、蒸着源から飛散した蒸着材料が遮蔽部材の開口部を通してマスクにほぼ垂直に入射するので、有機材料層の成膜位置のずれおよび成膜面積のばらつきが生じない。
【0048】
さらに、蒸着源を基板に近づけることができるため、製造装置の小型化を図ることができる。また、大面積を有する蒸着源を使用する必要がないので、低コスト化を図ることができる。
【0049】
したがって、高集積化および高解像度化が図られ、カラー化が可能な安価な有機発光素子が得られる。
【0050】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施例における有機発光素子の製造装置の模式的断面図、図2は図1の製造装置の模式的斜視図である。この製造装置は、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と略称する)の製造に用いられる。
【0051】
図1に示すように、チャンバ11内に遮蔽板12が上部空間と下部空間とを仕切るように設けられている。遮蔽板12には長方形の蒸着窓13が形成されている。遮蔽板12の下方には、蒸着窓13に対向するように蒸着源16が配設されている。蒸着源16は、長方形の加熱ホルダ14および長方形の蒸着材料15からなる。
【0052】
遮蔽板12上には、基板1を矢印Xの方向(以下、搬送方向Xと呼ぶ)およびその反対方向に移動させる移動機構17が設けられている。移動機構17は、1対の搬送ワイヤ18および1対の搬送ローラ19により構成される。1対の搬送ワイヤ18は、1対の搬送ローラ19間に架け渡されている。基板1は、1対の搬送ワイヤ18に取り付けられる。
【0053】
基板1の下面には、必要に応じてメタルマスク20が基板1に近接するように取り付けられる。チャンバ11内は排気系(図示せず)により真空に排気される。
【0054】
搬送方向Xと平行な方向における蒸着窓13の長さAおよび蒸着源16の蒸着材料15の長さCは任意である。本実施例では、蒸着窓13の長さAと蒸着材料15の長さCとが等しく設定される。
【0055】
図2に示すように、搬送方向Xと直交する方向における蒸着窓13の幅Bは、基板1の幅E以上に設定されている。また、搬送方向Xと直交する方向における蒸着源16の蒸着材料15の幅Dも、基板1の幅E以上に設定されている。
【0056】
本実施例では、蒸着窓13の長さAは5cmであり、幅Bは30cmである。また、蒸着源16の蒸着材料15の長さCは5cmであり、幅Dは30cmである。基板1と蒸着源16との間の距離は例えば20cmに設定される。
【0057】
本実施例の製造装置においては、蒸着源16から飛散した蒸着材料が遮蔽板12の蒸着窓13を通して基板1に蒸着されつつ移動機構17により基板1が搬送方向Xに搬送されることにより、基板1の広い面積に蒸着層が形成される。
【0058】
この場合、蒸着源16から飛散した蒸着材料が遮蔽板12の蒸着窓13を通して基板1にほぼ垂直に入射するので、蒸着源16を基板1に近い位置に配置した場合でも、基板1上に均一な膜厚の蒸着層を形成することができる。したがって、蒸着源16を基板1に近づけることにより、成膜速度を向上させることができ、成膜時間の短縮化による高スループット化が可能となる。
【0059】
また、基板1にメタルマスク20を設置した場合でも、蒸着源16から飛散した蒸着材料が遮蔽板12の蒸着窓13を通してメタルマスク20にほぼ垂直に入射するので、成膜位置のずれおよび成膜面積のばらつきが生じない。
【0060】
さらに、蒸着源16を基板1に近づけることができるため、製造装置の小型化を図ることができる。それにより、チャンバ11内を短時間で真空に排気することが可能となり、製造時間が短縮される。また、大面積の蒸着源を使用する必要がないため、低コスト化を図ることができる。
【0061】
図3、図4および図5は本発明の一実施例における有機EL素子の製造方法を示す工程断面図である。
【0062】
図3(a)において、基板1として300mm×300mmのガラス基板を用いる。基板1上に、スパッタ法により膜厚0.2μmのITOからなる透明導電膜を形成する。その後、透明導電膜上にレジストを塗布し、プリベーク(露光前ベーク)を行った後、レジストに所定のパターンを露光し、現像を行う。現像後、ポストベーク(現像後ベーク)を行い、基板1を塩化第2鉄溶液に浸漬してエッチングを行う。エッチング終了後、レジストを剥離する。このようにして、基板1上に透明導電膜からなるホール注入電極2が形成される。
【0063】
次に、基板1を洗浄した後、ホール注入電極2が形成された基板1上にレジストを塗布し、プリベークを行った後、レジストに所定のパターンを露光し、現像を行う。現像後、ポストベークを行い、さらに5Torrの真空中において200℃で2時間ベーキングを行い、レジストの硬化変質を行う。このようにして、図3(b)に示すように、ホール注入電極2上にレジストからなる絶縁層3が形成される。
【0064】
本実施例では、レジストの硬化変質のために真空中における200℃のベーキングを行っているが、これに限定されず、紫外線照射を行いながら窒素雰囲気中でベーキングする方法や紫外線照射を行いながら真空雰囲気中でベーキングする方法(いずれもUV(紫外線)キュアと呼ばれる)を用いてもよい。さらに、窒素雰囲気中において180℃以上の温度でベーキングを行ってもよい。
【0065】
次に、絶縁層3およびホール注入電極2の表面にレジストを塗布し、プリベークを行った後、レジストに所定のパターンを露光し、現像を行う。それにより、図3(c)に示すように、絶縁層3上にレジストからなる隔壁分離層4が形成される。
【0066】
この場合、後の工程で形成されるホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入電極および保護膜に段切れを生じさせるために、逆テーパ型のレジストを用い、さらにレジストの膜厚をホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入電極および保護膜の合計の膜厚に比べて大きくする。それにより、高い段差が形成される。本実施例では、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入電極および保護膜の合計の膜厚を約0.6μmとし、隔壁分離層4の膜厚を4μmとする。
【0067】
次に、隔壁分離層4が形成された基板1を図1および図2の製造装置の搬送ワイヤ18に取り付け、蒸着源16の蒸着材料15としてホール注入材料を加熱ホルダ14に設置する。ホール注入材料としては、CuPc(銅フタロシアニン:Copper(II)phthalocyanine)を用いる。チャンバ11内を所定の真空度に排気した後、移動機構17により基板1を搬送方向Xに搬送しつつ蒸着源16からホール注入材料を基板1上に蒸着し、図3(d)に示すように、ホール注入電極2、絶縁層3および隔壁分離層4上にホール注入層5を形成する。
【0068】
次いで、蒸着源16の蒸着材料15をホール輸送材料に交換する。ホール輸送材料としては、NPB(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-Di(phenyl-benzidine) )を用いる。チャンバ11内を所定の真空度に排気した後、移動機構17により基板1を搬送方向Xに搬送させつつ蒸着源16からホール輸送材料を基板1上に蒸着し、図3(d)に示すように、ホール注入層5上にホール輸送層6を形成する。
【0069】
その後、基板1を製造装置から取り出し、図4(e)に示すように、第1のメタルマスク20aを基板1に位置決めして設置する。第1のメタルマスク20aは、赤色の発光素子の領域に対応する位置に開口部を有する。第1のメタルマスク20aが設置された基板1を製造装置の搬送ワイヤ18に取り付ける。
【0070】
また、蒸着源16の蒸着材料15を赤色発光材料が添加された電子輸送材料に交換する。本例では、Alq3 (Tris(8-quinolinolato)aluminum) をホスト(電子輸送材料)とし、赤色発光レーザ色素であるAD688を5wt%ドーピングしたものを用いる。
【0071】
チャンバ11内を所定の真空度に排気した後、移動機構17により基板1を搬送方向Xに搬送しつつ蒸着源16から電子輸送材料を第1のメタルマスク20aを介して基板1上に蒸着し、ホール輸送層6上に赤色を発光する電子輸送層7aを形成する。
【0072】
続いて、基板1を製造装置から取り出し、図4(f)に示すように、第1のメタルマスク20aに代えて第2のメタルマスク20bを基板1に位置決めして設置する。第2のメタルマスク20bは、青色の発光素子の領域に対応する位置に開口部を有する。第2のメタルマスク20bが設置された基板1を製造装置の搬送ワイヤ18に取り付ける。
【0073】
また、蒸着源16の蒸着材料15を青色発光材料が添加された電子輸送材料に交換する。本例では、Balq((1,1'-bisphenyl)-(4-olato)bis(2-methyl-8-quinolinolate-N1,O8)Alminum)をホスト(電子輸送材料)とし、青色発光蛍光色素であるペリレンを2.5wt%ドーピングしたものを用いる。
【0074】
チャンバ11内を所定の真空度に排気した後、移動機構17により基板1を搬送方向Xに搬送しつつ蒸着源16から電子輸送材料を第2のメタルマスク20bを介して基板1上に蒸着し、ホール輸送層6上に青色を発光する電子輸送層7bを形成する。
【0075】
続いて、基板1を製造装置から取り出し、図4(g)に示すように、第2のメタルマスク20bに代えて第3のメタルマスク20cを基板1に位置決めして設置する。第3のメタルマスク20cは、緑色の発光素子の領域に対応する位置に開口部を有する。第3のメタルマスク20cが設置された基板1を製造装置の搬送ワイヤ18に取り付ける。
【0076】
また、蒸着源16の蒸着材料15を緑色発光材料が添加された電子輸送材料に交換する。本例では、緑色発光材料であるAlq3 を電子輸送材料として用いる。
【0077】
チャンバ11内を所定の真空度に排気した後、移動機構17により基板1を搬送方向Xに搬送しつつ蒸着源16から電子輸送材料を第3のメタルマスク20cを介して基板1上に蒸着し、ホール輸送層6上に緑色を発光する電子輸送層7cを形成する。
【0078】
その後、基板1から第3のメタルマスク20cを取り外し、蒸着源16の蒸着材料15を電極材料に交換する。電極材料としては、MgInを用いる。チャンバ11内を所定の真空度に排気した後、移動機構17により基板1を搬送方向Xに搬送しつつ蒸着源16から電極材料を基板1上に蒸着し、図5(h)に示すように、電子輸送層7a,7b,7c上に電子注入電極8を形成する。
【0079】
さらに、蒸着源16の蒸着材料15を保護膜の材料と交換し、電子注入電極8上に保護膜9を形成する。本例では、保護膜9として、SiOを用いる。このようにして、基板1上に赤色の発光素子、青色の発光素子および緑色の発光素子が形成される。
【0080】
最後に、図5(i)に示すように、封止剤10を用いて基板1上の複数の発光素子を封止する。この場合、ホール注入材料、ホール輸送材料、電子輸送材料等の有機発光材料は、水分を含みやすく、水分を含むと、発光強度の劣化が生じやすいため、乾燥窒素雰囲気中で封止を行う。
【0081】
以上の工程により、基板1上に赤色、青色および緑色の発光素子が配置されたフルカラーの有機EL素子が製造される。
【0082】
ここで、図1および図2の製造装置において基板と蒸着源との間の距離を変化させた場合のホール注入材料、ホール輸送材料および電子輸送材料の蒸着速度の変化を測定した。その測定結果を図6に示す。この測定では、遮蔽板12の蒸着窓13の搬送方向Xの長さAを5cmとし、搬送方向Xに直交する方向の幅Bを30cmとした。
【0083】
図6に示すように、基板1と蒸着源16との間の距離が小さくなるに従って蒸着速度が増加している。たとえば、基板1と蒸着源16との間の距離を20cmにすると、ホール注入材料の蒸着速度は22Å/秒となり、ホール輸送材料の蒸着速度は55Å/秒となり、電子輸送材料の蒸着速度は76Å/秒となる。
【0084】
また、図1および図2の製造装置において遮蔽板の蒸着窓の長さを変えて蒸着速度の変化を測定した。その測定結果を図7に示す。この測定では、遮蔽板12の蒸着窓13の搬送方向Xの長さAを1cm、5cmおよび8cmとし、搬送方向Xに直交する方向の幅Bを30cmとした。また、蒸着材料15として、ホール注入材料を用いた。
【0085】
図7に示すように、蒸着窓13の長さAが大きくなるに従って蒸着速度が増加している。たとえば、基板1と蒸着源16との間の距離を20cmに設定した場合、蒸着窓13の長さAを1cmにすると蒸着速度は7Å/秒となり、蒸着窓13の長さAを5cmにすると蒸着速度は22Å/秒となり、蒸着窓13の長さAを8cmにすると蒸着速度は46Å/秒となる。
【0086】
図7の結果から、遮蔽板12の蒸着窓13の長さAを5cmとすると、蒸着速度は22Å/秒となるため、約4.6秒でホール注入材料が100Å成膜する。したがって、図3(d)の工程において、膜厚100Åのホール注入層5を形成する場合、基板1が約4.6秒で5cm移動するように、移動機構17による基板1の搬送速度を11mm/秒に設定する。
【0087】
上記のように、図1および図2の製造装置を用いて有機EL素子のホール注入層5、ホール輸送層6、電子輸送層7a,7b,7c、電子注入電極8および保護膜9を形成する場合、均一な膜厚を確保することができる。
【0088】
また、基板1上にメタルマスク20a,20b,20cを設置して電子輸送層7a,7b,7cを形成する場合に、蒸着源16から飛散した蒸着材料が遮蔽板12の蒸着窓13を通してメタルマスク20a,20b,20cにほぼ垂直に入射するので、成膜位置のずれおよび成膜面積のばらつきが生じない。
【0089】
さらに、蒸着源16を基板1に近づけることができるので、蒸着層の成膜速度が向上し、成膜時間が短縮される。また、チャンバ11が小型化されるので、チャンバ11内を短時間で排気することができ、製造時間が短縮される。これらの結果、高スループット化が可能となる。
【0090】
また、大きな面積を有する蒸着源を使用する必要がないので、低コスト化を図ることができる。
【0091】
したがって、高集積化および高解像度化が図られ、フルカラー化が可能な安価な有機EL素子が得られる。
【0092】
図8は本発明の他の実施例における有機発光素子の製造装置の模式的斜視図である。
【0093】
図8の製造装置においては、遮蔽板12の蒸着窓13の下方に、複数の蒸着源16aが配設されている。各蒸着源16aは、長方形の加熱ホルダ14aおよび長方形の蒸着材料15aからなる。複数の蒸着源16aは、遮蔽板12の蒸着窓13に対向する領域に分散的に配置されている。本実施例では、複数の蒸着源16aが搬送方向Xに直交する方向に沿って配列されている。
【0094】
本実施例では、複数の蒸着源16aが配置される領域の長さCが、蒸着窓13の長さAと等しく設定される。また、複数の蒸着源16aが配置される領域の幅Dは、蒸着窓13の幅Bとほぼ等しく設定されている。図8の製造装置のその他の部分の構成は、図1および図2の製造装置の構成と同様である。
【0095】
本実施例の製造装置においては、複数の蒸着源16aから飛散した蒸着材料が遮蔽板12の蒸着窓13を通して基板1に蒸着されつつ移動機構17により基板1が蒸着窓13に対して搬送方向Xに搬送されることにより、基板1の広い面積に蒸着層が形成される。
【0096】
この場合、複数の蒸着源16aから飛散した蒸着材料が遮蔽板12の蒸着窓13を通して基板1にほぼ垂直に入射するので、複数の蒸着源16aを基板1に近い位置に配置した場合でも、基板1上に均一な膜厚の蒸着層を形成することができる。したがって、複数の蒸着源16aを基板に近づけることにより、成膜速度を向上させることができ、成膜時間の短縮化による高スループット化が可能となる。
【0097】
また、基板1にメタルマスク20を設置した場合でも、複数の蒸着源16aから飛散した蒸着材料が遮蔽板12の蒸着窓13を通してメタルマスク20にほぼ垂直に入射するので、成膜位置のずれおよび成膜面積のばらつきが生じない。
【0098】
さらに、蒸着源16aを基板1に近づけることができるため、製造装置の小型化を図ることができる。したがって、チャンバ内を短時間で真空に排気することができ、製造時間が短縮される。また、大面積の蒸着源を使用する必要がないため、低コスト化を図ることができる。
【0099】
なお、上記実施例では、移動機構17により基板1を移動させることにより基板1を蒸着窓13に対して相対的に移動させているが、遮蔽板12を移動させることにより基板1を蒸着窓13に対して相対的に移動させてもよい。
【0100】
また、上記実施例では、遮蔽板12の蒸着窓13の幅Bおよび蒸着源16の蒸着材料15の幅Dを基板1の幅よりも大きく設定しているが、基板1上の一部の領域に蒸着する場合には、遮蔽板12の蒸着窓13の幅Bおよび蒸着源16の蒸着材料15の幅Dを蒸着領域の幅以上で基板1の幅Eよりも小さく設定してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における有機発光素子の製造装置の模式的断面図である。
【図2】図1の製造装置の模式的斜視図である。
【図3】図1の製造装置を用いた有機EL素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図4】図1の製造装置を用いた有機EL素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図5】図1の製造装置を用いた有機EL素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図6】図1の製造装置において基板と蒸着源との間の距離を変化させた場合のホール注入材料、ホール輸送材料および電子輸送材料の蒸着速度の変化の測定結果を示す図である。
【図7】図1の製造装置において遮蔽板の蒸着窓の長さを変えて蒸着速度の変化を測定した場合の測定結果を示す図である。
【図8】本発明の他の実施例における有機発光素子の製造装置の模式的斜視図である。
【図9】有機EL素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図10】有機EL素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図11】従来の有機発光素子の製造装置を示す模式的断面図である。
【図12】フルカラーの有機EL素子において有機発光材料の塗り分けを行う場合の蒸着源、基板およびメタルマスクの位置関係を示す図である。
【符号の説明】
1 基板
2 ホール注入電極
3 絶縁層
4 隔壁分離層
5 ホール注入層
6 ホール輸送層
7a,7b,7c 電子輸送層
8 電子注入電極
9 保護膜
10 封止剤
11 チャンバ
12 遮蔽板
13 蒸着窓
14,14a 加熱ホルダ
15,15a 蒸着材料
16,16a 蒸着源
17 移動機構
18 搬送ワイヤ
19 搬送ローラ
20,20a,20b,20c メタルマスク

Claims (8)

  1. 基板上に第1の電極、有機材料層および第2の電極が積層された有機発光素子の少なくとも前記有機材料層をメタルマスクを用いた蒸着法により形成するための製造装置であって、開口部を有する遮蔽部材の一面側において前記開口部に対向する位置に蒸着源が配置され、前記遮蔽部材の他面側において、前記メタルマスクが設置された前記基板を前記開口部に対して相対的に第1の方向に移動させる移動機構が設けられたことを特徴とする有機発光素子の製造装置。
  2. 前記蒸着源は、前記第1の方向と直交する第2の方向において前記基板上の蒸着領域の幅以上の幅を有することを特徴とする請求項1記載の有機発光素子の製造装置。
  3. 前記蒸着源は、前記第2の方向において前記基板上の蒸着領域の幅以上の幅を有する領域に一体的に設けられたことを特徴とする請求項2記載の有機発光素子の製造装置。
  4. 前記蒸着源は、前記第2の方向において前記基板上の蒸着領域の幅以上の幅を有する領域に分散的に設けられたことを特徴とする請求項2記載の有機発光素子の製造装置。
  5. 前記遮蔽部材の前記開口部は、前記第1の方向と直交する第2の方向において前記基板上の蒸着領域の幅以上の幅を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機発光素子の製造装置。
  6. 基板上に第1の電極、有機材料層および第2の電極が積層された有機発光素子の少なくとも前記有機材料層をメタルマスクを用いた蒸着法により形成するための製造方法であって、開口部を有する遮蔽部材の一面側において前記開口部に対向する位置に配置された蒸着源から蒸着材料を蒸発させつつ、前記遮蔽部材の他面側において、前記メタルマスクが設置された前記基板を前記開口部に対して相対的に第1の方向に移動させることにより、前記基板上に蒸着層を形成することを特徴とする有機発光素子の製造方法。
  7. 前記第1の方向と直交する第2の方向における前記蒸着源の幅を、前記基板上の蒸着領域の幅以上に設定することを特徴とする請求項6記載の有機発光素子の製造方法。
  8. 前記第1の方向と直交する第2の方向における前記遮蔽部材の前記開口部の幅を、前記基板上の蒸着領域の幅以上に設定することを特徴とする請求項6または7記載の有機発光素子の製造方法。
JP27432699A 1999-09-28 1999-09-28 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法 Expired - Lifetime JP4187367B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27432699A JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 1999-09-28 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27432699A JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 1999-09-28 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001093667A JP2001093667A (ja) 2001-04-06
JP4187367B2 true JP4187367B2 (ja) 2008-11-26

Family

ID=17540107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27432699A Expired - Lifetime JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 1999-09-28 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4187367B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8920563B2 (en) 2010-12-15 2014-12-30 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
KR20200038768A (ko) 2018-10-04 2020-04-14 (주)알파플러스 Oled 디스플레이, 그 제조용 증착원과 그 제조 방법

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US7517551B2 (en) 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
US6649436B2 (en) * 2002-02-11 2003-11-18 Eastman Kodak Company Using organic materials in making an organic light-emitting device
SG113448A1 (en) 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
JP2004006311A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法および製造装置
US7309269B2 (en) 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
JP4216522B2 (ja) * 2002-04-23 2009-01-28 株式会社アルバック 蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置
US20030232563A1 (en) * 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040035360A1 (en) 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
EP1382713B1 (en) * 2002-07-19 2006-05-17 Lg Electronics Inc. Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers
US20040040504A1 (en) 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
KR101006938B1 (ko) * 2002-09-20 2011-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조 시스템 및 발광장치 제작방법
JP2004119304A (ja) 2002-09-27 2004-04-15 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
KR100889762B1 (ko) * 2002-11-07 2009-03-24 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 방법 및 그 장치
US7211461B2 (en) 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP3970253B2 (ja) 2003-03-27 2007-09-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4493926B2 (ja) 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US7211454B2 (en) 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
JP4522777B2 (ja) * 2003-07-25 2010-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US8123862B2 (en) 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP3794407B2 (ja) 2003-11-17 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機el表示装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器
JP4552184B2 (ja) * 2004-10-22 2010-09-29 富士電機ホールディングス株式会社 有機発光素子用基板に有機層を蒸着させる装置および方法
JP5064810B2 (ja) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
TWI472639B (zh) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101097311B1 (ko) 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
KR20110014442A (ko) 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127575B1 (ko) 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
JP5676175B2 (ja) 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101127578B1 (ko) 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
CN102482760B (zh) 2009-09-15 2014-07-02 夏普株式会社 蒸镀方法和蒸镀装置
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101146997B1 (ko) 2010-07-12 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 패터닝 슬릿 시트 인장 장치
KR101182448B1 (ko) * 2010-07-12 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102107104B1 (ko) 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN108762561B (zh) * 2018-05-25 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其制造方法、驱动方法、触控显示装置
CN116377394A (zh) * 2023-04-04 2023-07-04 上海天马微电子有限公司 蒸镀装置、蒸镀方法和有机发光显示面板
CN118064842B (zh) * 2024-04-22 2024-08-09 季华实验室 一种多蒸发源间隔蒸镀装置及镀膜方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8920563B2 (en) 2010-12-15 2014-12-30 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
KR20200038768A (ko) 2018-10-04 2020-04-14 (주)알파플러스 Oled 디스플레이, 그 제조용 증착원과 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001093667A (ja) 2001-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4187367B2 (ja) 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
JP4684378B2 (ja) 有機elディスプレイパネルの製造方法
JP4526776B2 (ja) 発光装置及び電子機器
TWI513075B (zh) 發光裝置的製造方法
US6099746A (en) Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US6302756B1 (en) Organic electroluminecent display device suitable for a flat display and method of forming the same
US8969111B2 (en) Method for manufacturing display device
JP3948082B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR100555262B1 (ko) 증착 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR100944861B1 (ko) 유기 일렉트로 루미네센스 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3539597B2 (ja) 有機光学的素子及びその製造方法
KR20040014370A (ko) 전계발광 소자 및 그를 이용한 발광 장치
JP2001052862A (ja) 有機el素子の製造方法と装置
JP2000235894A (ja) 有機el素子とその製造方法
CN102709487B (zh) 一种有机发光显示面板及其制造方法
JPH09320760A (ja) 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法
JPH10208883A (ja) 発光装置とその製造方法
JP2003007463A (ja) 有機電界発光表示素子の製造方法
JPH10241858A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および製造装置
JP2003203769A (ja) 線状パターン及びパターン形成方法、画像表示装置及びその製造方法
JP2001023773A (ja) 有機el素子の製造方法と装置
KR100606668B1 (ko) 유기el 디스플레이 소자 제조방법
KR20040085383A (ko) 다층 구조의 격벽 구조물을 포함하는 유기 전계발광소자및 그의 제조 방법
JP2001185351A (ja) 有機発光素子およびその製造方法
US6717356B1 (en) Organic electroluminescent device with trapezoidal walls

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080610

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080718

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080812

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080909

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4187367

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919

Year of fee payment: 5

EXPY Cancellation because of completion of term