JP4684378B2 - 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4684378B2 JP4684378B2 JP22089198A JP22089198A JP4684378B2 JP 4684378 B2 JP4684378 B2 JP 4684378B2 JP 22089198 A JP22089198 A JP 22089198A JP 22089198 A JP22089198 A JP 22089198A JP 4684378 B2 JP4684378 B2 JP 4684378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- display panel
- panel according
- manufacturing
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 claims description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K aluminum;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光層への電荷の注入時に光を発する有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ(electroluminescent)ディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近では、有機発光ダイオード(Light Emitting Diode: LED)とも呼ばれる有機ＥＬ素子の技術が速い速度で発展しており、既にいくつかの試製品が発表されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、非常に薄く、マトリックス状にアドレス可能であり、１５Ｖ以上の低電圧でも駆動可能であるという長所があった。また、有機ＥＬ素子は、視野角が広く、プラスティックのような可撓性(flexible)透明基板上にも形成可能であり、このため次代の平板ディスプレイ(Flat Panel Display: FPD)に適した素子である。更に、よく知られているＬＣＤ(Liquid Crystal Display)に比べてバックライト(backlight)を必要としないため、電力消耗が少ないという長所もあった。
【０００４】
上記のような長所を持つ有機ＥＬ素子は、一般的に無機ＥＬ素子とは動作原理の面で大きな違いがある。
【０００５】
無機ＥＬ素子は、高い電界によって加速された電子が発光体(luminescent impurity)に衝突して励起され、励起された発光体が基底状態に落ちながら発光するのに対して、有機ＥＬ素子は、陰極及び陽極から各々注入された電子と正孔とが結合して生成されたエクスィトン(exciton)が励起状態から基底状態に落ちながら発光する。このような有機ＥＬ素子は、今まで発光効率を改善させ且つ多様な色を作り出すために活発に研究されてきた。また、今後有機ＥＬ素子の商業化のために生産性、均一性、信頼性等の研究に更に努力を注がなければならない。
【０００６】
有機ＥＬディスプレイパネルを駆動する最も簡単な方法は、図１に示すようにシンプルパッシブマトリックス(simple passive matrix)方式であり、直交する二つの電極の間に有機ＥＬ層を形成する構造を有する。この駆動方式では、各々の有機ＥＬ素子がディスプレイ素子とスイッチング素子の役割を共に行う。このような駆動モードでは、各々の有機ＥＬ素子がダイオードのような非線形電流−電圧の特性を有するため、理論的にはマルチプレックス(multiplexing)による駆動が可能である。
【０００７】
一方、有機ＥＬ素子を商業化するにあたって解決すべき問題は、ピクセレーション(pixellation)及びパターニング(patterning)技術である。その理由は、既存のピクセレーション技術が、ソルベントに弱い性質を有する有機物質によって多く制約されるからである。
【０００８】
既存のピクセレーション方法のうち、最も簡単な方法はシャドーマスク(shadow mask)を利用する方法である。
【０００９】
図１及び図２に示すように、透光性基板１上に第１電極２を帯(stripe)形状に形成した後、第１電極２上に順次積層された有機ＥＬ層３上にシャドーマスク(shadow mask)５の開口を通じて第２電極４を帯形状に形成し、有機ＥＬディスプレイパネルをピクセレーションする。
【００１０】
しかしながら、シャドーマスクを用いたピクセレーション方法は、微細なピクセルを製造するのには不適であり、解像度を高めるに限界があった。
【００１１】
このため、図３に示すように、米国特許第５、７０１、０５５号では、電気絶縁隔壁６を利用して微細なピクセルを形成する方法が提案されている。これは、主として単色(monochrome)の有機ＥＬディスプレイパネルを形成するのに用いられる。
【００１２】
一方、マルチカラー(multi-color)又はフルカラー(full-color)の有機ＥＬディスプレイパネルを作る方法は単色の有機ＥＬディスプレイパネルを作る方法に比べて多少複雑である。日本特開平８−３１５、９８１号公報では、図４ａ〜図４ｄに示すように、シャドーマスクを用いて赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を発する物質を別々に蒸着させる方法を提案している。
【００１３】
まず、隔壁６表面の上部に複数個の開口を有するシャドーマスク５−１、５−２、５−３を設け、対応する隔壁６の間に各開口を整列させ、前記開口を通じて順次に一つずつ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の有機ＥＬ層４−１、４−２、４−３を蒸着する。そして、有機ＥＬ層４−１、４−２、４−３及び隔壁６上に少なくとも一つの第２電極層３を形成して、フルカラーの有機ＥＬディスプレイパネルを制作する。
【００１４】
上記方法は、解像度(resolution)やサイズ(size)の面では適する。しかし、サイズが増加し、ピッチ(pitch)が減少すると、以下のような問題が生じる。
【００１５】
第１に、微細なパターンを有するシャドーマスクの制作が難しい。
【００１６】
第２に、隔壁上にシャドーマスクを整列し難い。
【００１７】
このため、この後、シャドーマスクを用いないピクセル形成方法が提案されたが、米国特許第５、６９３、９６２号、日本特開平９−２９３、５８９号に開示されている。
【００１８】
米国特許５、６９３、９６２号は図５ａから図５ｃに示す通りである。
【００１９】
まず、第１のサブピクセルの製造工程を説明する。
【００２０】
図５ａに示すように、透光性基板１１上に有機又は無機導電体層を蒸着し、一般的なリソグラフィー(lithography)技術を利用して前記導電体層をパターニングし、複数個の水平の第１電極である導電帯１２を形成する。そして、導電帯１２上に有機媒介層１３を蒸着し、基板１１の一定領域を露出させた後、フォトレジスト層１４−１をスピンコーティング(spin-coating)し、乾式又は湿式食刻工程で有機媒介層１３をパターニングする。次いで、有機ＥＬ層１６−１を積層し、有機ＥＬ層１６−１上に金属を蒸着し、サブピクセルのキャップ層１７−１を形成した後、リフトオフ(lift-off)工程でフォトレジスト層１４−１を除去する。
【００２１】
ここで、リフトオフ工程時に、アセトン(acetone)又は食刻溶液(stripping solution)が使用されるが、これらはキャップ層１７−１を介して有機ＥＬ層１６−１へ浸透するようになる。これが素子に大きな悪影響を及ぼすことではないが、キャップ層１７−１として用いられる金属と有機物質との間に相対的に接着力が落ちることになる。
【００２２】
次いで、図５ｂ及び図５ｃに示すように、上記と同様に、第２、第３のサブピクセルを製造する。
【００２３】
一方、日本特開平９−２９３、５８９号は図６ａから図６ｊに示す通りである。 図６ａに示すように、透光性基板２１上に第１電極２２、有機ＥＬ層２３、第２電極２４、保護膜２５を順次形成し、図６ｂに示すように保護膜２５上にフォトレジスト２６をスピンコーティングした後、図６ｃ、図６ｄに示すように赤色のサブピクセルをパターニングする。
【００２４】
そして、上記と同様にして、図６ｅから図６ｇに示すように緑色のサブピクセルを形成し、図６ｈから図６ｊに示すように青色のサブピクセルを形成する。
【００２５】
しかし、上記したような製造方法では、ピクセルがフォトレジストのソルベントに露出されるため、素子に悪影響を及ぼす。このフォトレジストの悪影響を防ぐためには、フォトリソグラフィック(photolithographic)工程を理解する必要があり、典型的なフォトリソグラフィック工程は以下の通りである。
【００２６】
まず、基板上にフォトレジスト溶液をスピンコーティングし、ソフトベーキング（ｓｏｆｔ−ｂａｋｉｎｇ）した後、紫外線に露出させる。それから、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）し、ハードベーキング（ｈａｒｄ−ｂａｋｉｎｇ）する。この後、フォトレジストの形成された基板にエッチング工程が行われ、再びフォトレジスト除去工程が行われる。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の方法において、有機ＥＬディスプレイパネルのピクセルは現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソルベントに露出されるより他はない。これらのソルベントの影響に起因して有機ＥＬ層が損なわれ、素子の性能が大幅に低下する。
【００２８】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、シャドーマスクを使用せず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソルベントに露出されることなく簡単にピクセレーションすることのできる有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機ＥＬ層、第２電極を順次積層する第３ステップと、第２ステップと第３ステップを１回または数回繰り返し行う第４ステップとを備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法にある。
また、前記第４ステップ後、隣接する二つのサブピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層及び第２電極を、１又は複数のレーザビームを用いて２部分に断ち切るステップを更に備えることを特徴とする。
また、前記絶縁膜と第１電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする。
また、前記バッファ層は、絶縁性のよい無機物又は有機物で形成されることを特徴とする。
また、前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする。
また、前記絶縁膜の厚さは０．１〜１００μｍであることを特徴とする。
また、前記第２ステップは、真空又は乾燥した不活性気体雰囲気下で行われることを特徴とする。
また、前記第４ステップ後、前記基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とする。
また、前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする。
【００３１】
また、透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機ＥＬ層、第２電極、第１保護膜を順次積層する第３ステップと、前記第２ステップと第３ステップを１回または数回繰り返し行う第４ステップとを備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法にある。
また、前記第３ステップで形成された第１保護膜は、吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴とする。
また、前記絶縁膜と第１電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする。
また、前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする。
また、前記第４ステップ後、前記基板の所定領域に前記第１保護膜と異なる第２保護膜を形成することを特徴とする。
また、前記第２保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする。
【００５５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を添付図面に基づいて説明する。
【００５６】
本発明の概念は、複数の第１、第２電極の間に有機ＥＬ層を有する有機ＥＬディスプレイパネルを製造する際、ピクセレーションのためのシャドーマスクを使用せず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストのいろいろのソルベントにピクセルが露出されることのないようにレーザビームを利用して簡単にピクセレーション(pixellation)することにある。
【００５７】
実際に有機ＥＬディスプレイパネルを制作するにあたっては、複数個のＲ（red)、Ｇ（green)、Ｂ（blue)のサブピクセル(sub-pixel)を形成するが、便宜上Ｒ、Ｇ、Ｂの各１つずつのサブピクセルの製造工程のみを説明する。
【００５８】
図７ａから図７ｈは本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す工程断面図である。
【００５９】
図７ａに示すように、透光性基板１０１上にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の透明層をパターニングして第１電極１０２の帯を形成し、その上に第１電極１０２の帯に垂直な方向に電気絶縁バッファ層１０３の帯を形成する。このバッファ層１０３は、後で発光しない部分であり、漏洩電流を減少させるのに寄与し、後工程で形成される第２電極が第１電極１０２にショート(short)されないように絶縁させる役割を果たす。バッファ層１０３として使用される物質は、例えばシリコンオキサイド(silicon oxide)やシリコン窒化物(silicon nitride)等の無機物化合物、または蒸気蒸着(vapor deposition)、Ｅ−ビーム蒸発(e-beam evaporation)、ＲＦスパッタリング(RF sputtering)、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)、スピンコーティング(spin coating)、ディッピング(dipping)、ドクターブレード(Dr. blade)、電気鍍金(electro-plating)、非電気鍍金(electroless plating)、スクリーンプリンティング(screen printing)方法で形成されるポリイミド(polyimide)等の高分子物質が適当である。
【００６０】
図７ｂに示すように、バッファ層１０３を含む所定領域に絶縁膜１０４を形成し、レーザビームを用いて赤色のサブピクセル形成部分の絶縁膜１０４を除去する。
【００６１】
この際、絶縁膜１０４の物質は、レーザビームの波長に吸収断面を有し且つ膜を形成しやすい物質がよい。前記物質は、例えばフォトレジストのような高分子がよく、約０．１〜１００μｍの厚さに形成することが好ましい。
【００６２】
ここで、従来の技術との相違点を説明すれば、本発明は、有機ＥＬ物質が形成される前にフォトレジストが形成されることである。これにより、本発明で用いられるフォトレジストは、充分に高い温度で長時間にわたってハードベーキング(hard baking)することができ、フォトレジスト内に残存するソルベントを完ぺきに除去することができる。
【００６３】
もしも、有機ＥＬ物質が上記のような荒い状態に置かれる場合、非常に速く悪化されるため、従来の技術ではフォトレジストを充分にベーキングすることができない。
【００６４】
ついに、本発明で用いられるフォトレジストは素子に何等の悪影響も与えない。
【００６５】
図７ｃに示すように、基板を酸素プラズマ(oxygen plasma)或いはＵＶ／オゾン(UV/ozone)で表面処理した後、絶縁膜１０４を含む所定領域に赤色光を発する第１有機ＥＬ層１０５ａ、第２電極１０６ａを順次蒸着する。
【００６６】
例えば、第１有機ＥＬ層１０５ａはバッファ層、正孔輸送層、発光層からなり、バッファ層は銅フタロシアニン(copper phthalocyanine)を約１０〜２０ｎｍの厚さに被せ、正孔輸送層は約３０〜６０ｎｍの厚さのＮ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−（１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ（ＴＰＤ）で形成し、その上の発光層はｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙ−ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）アルミニウム（Ａｌｑ３と略称する）を４０〜６０ｎｍの厚さに蒸着し、赤色の発光のためにドープ剤(dopant)にはＤＣＭ２を用いる。そして、第２電極１０６ａにはＡｌ、Ｃａ、Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉのうち何れか一つを用いる。
【００６７】
図７ｄに示すように絶縁膜１０４の他の部分をレーザビームで除去し、図７ｅに示すように基板を表面処理した後、緑色光を発する第２有機ＥＬ層１０５ｂ、第２電極１０６ｂを蒸着する。ここで、第２有機ＥＬ層１０５ｂの発光物質には例えばＡｌｑ３にクマリン(coumarin)６をドーピングする。
【００６８】
図７ｆに示すように、同様な方法により、絶縁膜１０４のまた他の部分をレーザビームで除去し、図７ｇに示すように基板を表面処理した後、青色光を発する第３有機ＥＬ層１０５ｃ、第２電極１０６ｃを蒸着する。ここで、第３有機ＥＬ層１０５ｃの発光物質には、例えばＢＡｌｑ３にペリレン(perylene)をドーピングする。
【００６９】
図７ｈに示すように、隣接するサブピクセル間の電気的絶縁を確かめるために、隣接するサブピクセル間の絶縁膜１０４上に形成された有機ＥＬ層及び第２電極をレーザビームを用いて２部分に断ち切る。この後、サブピクセルへの湿気を遮断するべく、パネルの全面に保護膜１０７を形成した後、ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ工程を施す。ここで、保護膜１０７は吸湿剤又はその混合物を含み、保護膜１０７の形成はレーザビーム断ち切り工程の以前に行ってもよい。
【００７０】
図８ａから図８ｋは本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す工程断面図である。
【００７１】
本発明の第２実施形態の製造工程は、サブピクセルを形成する度にサブピクセル上に保護膜をコーティングする点を除いては、本発明の第１実施形態の製造工程と殆ど類似する。
【００７２】
図８ｄ及び図８ｇに示すように、保護膜１０７ａ、１０７ｂは第３のサブピクセルを形成するに先だって第１、第２のサブピクセル上にコーティングされる。更に、保護膜１０７ｃは、図８ｊに示すように第３のピクセルの形成後に追加的にコーティングされる。
【００７３】
ここで、保護膜１０７ａ、１０７ｂは、連続的な工程時に、湿気及びソルベントから第１、第２のサブピクセルの各々を保護し、素子の寿命を延長させ、工程のデザインが自由自在である。そして、素子完成後、保護膜１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃの最外郭に保護膜１０７ｄを形成する。ゆえに、保護膜１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃは吸湿剤又はその混合物を含むべきである。
【００７４】
本発明では、レーザビームエッチング及び有機ＥＬ層の形成を経て連続的にサブピクセルを製造するため、工程が簡単であるという長所がある。
【００７５】
以下、レーザビームエッチング技術及び工程条件を説明する。
【００７６】
食刻工程時、ピクセル領域への悪影響を防止するためにパネルは真空または乾燥した不活性気体雰囲気下で工程を行わなければならない反面に、レーザビーム発生器は大気中で作動しなければならない。このレーザビームは、レーザビームの吸収断面を有する窓を介して、真空又は乾燥した不活性気体で満たされたチャンバ(chamber)又はグローブボックス(glove box)へ入射される。
【００７７】
そして、レーザシステムは、図９に示すように、レーザビームにて直接スキャン(scan)するか、あるいはパネルの装着されたムービングステージ(moving stage)をプログラムされた通り移動させるように設計される。しかし、一般に、レーザビームを移動させてスキャンする方法は、本発明のように正確性を要求するものには適しない。一方、ムービングステージは、エンコーダ(encoder)又はセンサを取り付けてフィードバック(feedback)制御を行うことができる。本発明では、ＩＴＯの電気光学的性質を用いて、位置によるフィードバック制御を容易に行うことができる。
【００７８】
又、食刻対象物質の物理化学的な特性を顧慮して適当な波長を有するレーザを選定しなければならない。この内、最も重要な顧慮対象は物質の吸収断面である。レーザの中では、金属又は有機物質をエッチングする際、緑色(green)波長を有するｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｏｕｂｌｅｄ Ｎｄ：ＹＡＧのレーザ、或いは紫外線波長を有するエキサイマ(eximer)レーザが好ましい。
【００７９】
このレーザは、連続発振(continuous)モードよりはパルス(pulse)モードが更に効果的である。この理由は、連続発振モードを使用すれば、熱的劣化(thermal degradation)によって容易に素子が損傷されるからである。レーザのパワー及びパルス反復周期(pulse repetition rate)は第２電極及び有機ＥＬ層を除去する程度のことであり、第１電極に損傷を被ってはいけない。
【００８０】
以下、本発明で使用可能なレーザは次の通りである。
【００８１】
【表１】
一方、レーザビームは、第１電極面からパネルに、又は第２電極面からパネルに照射可能である。この際、第１電極としてよく使われるＩＴＯ(Indium Tin Oxide)の場合、０．５３μｍで大きな吸収断面を有しないため、ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｏｕｂｌｅｄ Ｎｄ：ＹＡＧのレーザをＩＴＯ面に照射して有機ＥＬ層及び第２電極をエッチングすることができる。仮に、エッチング対象物質のエッチング時に、レーザビームと共に１又は複数の適切な反応ガスを注入すれば、エッチング対象物質のエッチング率を高めることができる。
【００８２】
レーザビームスポット(spot)の形態や寸法は必要に応じて調節することが可能であり、図１０に示すように適切にデザインされたエッチングマスクを用いて多数のサブピクセルを同時にエッチングすることも可能である。広い面積を一回で照射するためには、ビームスポットの大きい拡散ビームを使用しレーザの出力を増加させる必要がある。
【００８３】
【発明の効果】
本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法においては以下のような効果がある。
【００８４】
▲１▼レーザを用いた本発明の製造工程は、簡単であり、迅速であり、基板に対して正確に整列し難く、設け難いシャドーマスクを用いないため生産率が大きく増加する。
【００８５】
▲２▼素子に致命的なソルベント(solvent)や湿気に対する影響を最小化するため、素子の寿命が大幅に増加する。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的なパッシブアドレス(passive addressing)の有機ＥＬディスプレイパネルを示す平面図である。
【図２】シャドーマスクを用いて第２電極をパターニングする過程を示す断面図である。
【図３】絶縁隔壁を用いてピクセレーションする過程を示す断面図である。
【図４ａ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図４ｂ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図４ｃ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図４ｄ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図５ａ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図５ｂ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図５ｃ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ａ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｂ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｃ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｄ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｅ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｆ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｇ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｈ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｉ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｊ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ａ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｂ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｃ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｄ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｅ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｆ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｇ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｈ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ａ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｂ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｃ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｄ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｅ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｆ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｇ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｈ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｉ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｊ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｋ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明によるレーザビームエッチングシステムを示す図である。
【図１０】本発明によるマスクを用いたレーザビームエッチング過程を示す図である。
【符号の説明】
１０１ 透光性基板
１０２ 第１電極
１０３ バッファ層
１０４ 絶縁膜
１０５ａ、ｂ、ｃ 有機ＥＬ層
１０６ａ、ｂ、ｃ 第２電極
１０７、１０７ａ、ｂ、ｃ、ｄ 保護膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光層への電荷の注入時に光を発する有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ(electroluminescent)ディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近では、有機発光ダイオード(Light Emitting Diode: LED)とも呼ばれる有機ＥＬ素子の技術が速い速度で発展しており、既にいくつかの試製品が発表されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、非常に薄く、マトリックス状にアドレス可能であり、１５Ｖ以上の低電圧でも駆動可能であるという長所があった。また、有機ＥＬ素子は、視野角が広く、プラスティックのような可撓性(flexible)透明基板上にも形成可能であり、このため次代の平板ディスプレイ(Flat Panel Display: FPD)に適した素子である。更に、よく知られているＬＣＤ(Liquid Crystal Display)に比べてバックライト(backlight)を必要としないため、電力消耗が少ないという長所もあった。
【０００４】
上記のような長所を持つ有機ＥＬ素子は、一般的に無機ＥＬ素子とは動作原理の面で大きな違いがある。
【０００５】
無機ＥＬ素子は、高い電界によって加速された電子が発光体(luminescent impurity)に衝突して励起され、励起された発光体が基底状態に落ちながら発光するのに対して、有機ＥＬ素子は、陰極及び陽極から各々注入された電子と正孔とが結合して生成されたエクスィトン(exciton)が励起状態から基底状態に落ちながら発光する。このような有機ＥＬ素子は、今まで発光効率を改善させ且つ多様な色を作り出すために活発に研究されてきた。また、今後有機ＥＬ素子の商業化のために生産性、均一性、信頼性等の研究に更に努力を注がなければならない。
【０００６】
有機ＥＬディスプレイパネルを駆動する最も簡単な方法は、図１に示すようにシンプルパッシブマトリックス(simple passive matrix)方式であり、直交する二つの電極の間に有機ＥＬ層を形成する構造を有する。この駆動方式では、各々の有機ＥＬ素子がディスプレイ素子とスイッチング素子の役割を共に行う。このような駆動モードでは、各々の有機ＥＬ素子がダイオードのような非線形電流−電圧の特性を有するため、理論的にはマルチプレックス(multiplexing)による駆動が可能である。
【０００７】
一方、有機ＥＬ素子を商業化するにあたって解決すべき問題は、ピクセレーション(pixellation)及びパターニング(patterning)技術である。その理由は、既存のピクセレーション技術が、ソルベントに弱い性質を有する有機物質によって多く制約されるからである。
【０００８】
既存のピクセレーション方法のうち、最も簡単な方法はシャドーマスク(shadow mask)を利用する方法である。
【０００９】
図１及び図２に示すように、透光性基板１上に第１電極２を帯(stripe)形状に形成した後、第１電極２上に順次積層された有機ＥＬ層３上にシャドーマスク(shadow mask)５の開口を通じて第２電極４を帯形状に形成し、有機ＥＬディスプレイパネルをピクセレーションする。
【００１０】
しかしながら、シャドーマスクを用いたピクセレーション方法は、微細なピクセルを製造するのには不適であり、解像度を高めるに限界があった。
【００１１】
このため、図３に示すように、米国特許第５、７０１、０５５号では、電気絶縁隔壁６を利用して微細なピクセルを形成する方法が提案されている。これは、主として単色(monochrome)の有機ＥＬディスプレイパネルを形成するのに用いられる。
【００１２】
一方、マルチカラー(multi-color)又はフルカラー(full-color)の有機ＥＬディスプレイパネルを作る方法は単色の有機ＥＬディスプレイパネルを作る方法に比べて多少複雑である。日本特開平８−３１５、９８１号公報では、図４ａ〜図４ｄに示すように、シャドーマスクを用いて赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を発する物質を別々に蒸着させる方法を提案している。
【００１３】
まず、隔壁６表面の上部に複数個の開口を有するシャドーマスク５−１、５−２、５−３を設け、対応する隔壁６の間に各開口を整列させ、前記開口を通じて順次に一つずつ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の有機ＥＬ層４−１、４−２、４−３を蒸着する。そして、有機ＥＬ層４−１、４−２、４−３及び隔壁６上に少なくとも一つの第２電極層３を形成して、フルカラーの有機ＥＬディスプレイパネルを制作する。
【００１４】
上記方法は、解像度(resolution)やサイズ(size)の面では適する。しかし、サイズが増加し、ピッチ(pitch)が減少すると、以下のような問題が生じる。
【００１５】
第１に、微細なパターンを有するシャドーマスクの制作が難しい。
【００１６】
第２に、隔壁上にシャドーマスクを整列し難い。
【００１７】
このため、この後、シャドーマスクを用いないピクセル形成方法が提案されたが、米国特許第５、６９３、９６２号、日本特開平９−２９３、５８９号に開示されている。
【００１８】
米国特許５、６９３、９６２号は図５ａから図５ｃに示す通りである。
【００１９】
まず、第１のサブピクセルの製造工程を説明する。
【００２０】
図５ａに示すように、透光性基板１１上に有機又は無機導電体層を蒸着し、一般的なリソグラフィー(lithography)技術を利用して前記導電体層をパターニングし、複数個の水平の第１電極である導電帯１２を形成する。そして、導電帯１２上に有機媒介層１３を蒸着し、基板１１の一定領域を露出させた後、フォトレジスト層１４−１をスピンコーティング(spin-coating)し、乾式又は湿式食刻工程で有機媒介層１３をパターニングする。次いで、有機ＥＬ層１６−１を積層し、有機ＥＬ層１６−１上に金属を蒸着し、サブピクセルのキャップ層１７−１を形成した後、リフトオフ(lift-off)工程でフォトレジスト層１４−１を除去する。
【００２１】
ここで、リフトオフ工程時に、アセトン(acetone)又は食刻溶液(stripping solution)が使用されるが、これらはキャップ層１７−１を介して有機ＥＬ層１６−１へ浸透するようになる。これが素子に大きな悪影響を及ぼすことではないが、キャップ層１７−１として用いられる金属と有機物質との間に相対的に接着力が落ちることになる。
【００２２】
次いで、図５ｂ及び図５ｃに示すように、上記と同様に、第２、第３のサブピクセルを製造する。
【００２３】
一方、日本特開平９−２９３、５８９号は図６ａから図６ｊに示す通りである。 図６ａに示すように、透光性基板２１上に第１電極２２、有機ＥＬ層２３、第２電極２４、保護膜２５を順次形成し、図６ｂに示すように保護膜２５上にフォトレジスト２６をスピンコーティングした後、図６ｃ、図６ｄに示すように赤色のサブピクセルをパターニングする。
【００２４】
そして、上記と同様にして、図６ｅから図６ｇに示すように緑色のサブピクセルを形成し、図６ｈから図６ｊに示すように青色のサブピクセルを形成する。
【００２５】
しかし、上記したような製造方法では、ピクセルがフォトレジストのソルベントに露出されるため、素子に悪影響を及ぼす。このフォトレジストの悪影響を防ぐためには、フォトリソグラフィック(photolithographic)工程を理解する必要があり、典型的なフォトリソグラフィック工程は以下の通りである。
【００２６】
まず、基板上にフォトレジスト溶液をスピンコーティングし、ソフトベーキング（ｓｏｆｔ−ｂａｋｉｎｇ）した後、紫外線に露出させる。それから、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）し、ハードベーキング（ｈａｒｄ−ｂａｋｉｎｇ）する。この後、フォトレジストの形成された基板にエッチング工程が行われ、再びフォトレジスト除去工程が行われる。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の方法において、有機ＥＬディスプレイパネルのピクセルは現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソルベントに露出されるより他はない。これらのソルベントの影響に起因して有機ＥＬ層が損なわれ、素子の性能が大幅に低下する。
【００２８】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、シャドーマスクを使用せず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソルベントに露出されることなく簡単にピクセレーションすることのできる有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機ＥＬ層、第２電極を順次積層する第３ステップと、第２ステップと第３ステップを１回または数回繰り返し行う第４ステップとを備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法にある。
また、前記第４ステップ後、隣接する二つのサブピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層及び第２電極を、１又は複数のレーザビームを用いて２部分に断ち切るステップを更に備えることを特徴とする。
また、前記絶縁膜と第１電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする。
また、前記バッファ層は、絶縁性のよい無機物又は有機物で形成されることを特徴とする。
また、前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする。
また、前記絶縁膜の厚さは０．１〜１００μｍであることを特徴とする。
また、前記第２ステップは、真空又は乾燥した不活性気体雰囲気下で行われることを特徴とする。
また、前記第４ステップ後、前記基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とする。
また、前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする。
【００３１】
また、透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層する第１ステップと、１又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機ＥＬ層、第２電極、第１保護膜を順次積層する第３ステップと、前記第２ステップと第３ステップを１回または数回繰り返し行う第４ステップとを備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法にある。
また、前記第３ステップで形成された第１保護膜は、吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴とする。
また、前記絶縁膜と第１電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする。
また、前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする。
また、前記第４ステップ後、前記基板の所定領域に前記第１保護膜と異なる第２保護膜を形成することを特徴とする。
また、前記第２保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする。
【００５５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を添付図面に基づいて説明する。
【００５６】
本発明の概念は、複数の第１、第２電極の間に有機ＥＬ層を有する有機ＥＬディスプレイパネルを製造する際、ピクセレーションのためのシャドーマスクを使用せず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストのいろいろのソルベントにピクセルが露出されることのないようにレーザビームを利用して簡単にピクセレーション(pixellation)することにある。
【００５７】
実際に有機ＥＬディスプレイパネルを制作するにあたっては、複数個のＲ（red)、Ｇ（green)、Ｂ（blue)のサブピクセル(sub-pixel)を形成するが、便宜上Ｒ、Ｇ、Ｂの各１つずつのサブピクセルの製造工程のみを説明する。
【００５８】
図７ａから図７ｈは本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す工程断面図である。
【００５９】
図７ａに示すように、透光性基板１０１上にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の透明層をパターニングして第１電極１０２の帯を形成し、その上に第１電極１０２の帯に垂直な方向に電気絶縁バッファ層１０３の帯を形成する。このバッファ層１０３は、後で発光しない部分であり、漏洩電流を減少させるのに寄与し、後工程で形成される第２電極が第１電極１０２にショート(short)されないように絶縁させる役割を果たす。バッファ層１０３として使用される物質は、例えばシリコンオキサイド(silicon oxide)やシリコン窒化物(silicon nitride)等の無機物化合物、または蒸気蒸着(vapor deposition)、Ｅ−ビーム蒸発(e-beam evaporation)、ＲＦスパッタリング(RF sputtering)、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)、スピンコーティング(spin coating)、ディッピング(dipping)、ドクターブレード(Dr. blade)、電気鍍金(electro-plating)、非電気鍍金(electroless plating)、スクリーンプリンティング(screen printing)方法で形成されるポリイミド(polyimide)等の高分子物質が適当である。
【００６０】
図７ｂに示すように、バッファ層１０３を含む所定領域に絶縁膜１０４を形成し、レーザビームを用いて赤色のサブピクセル形成部分の絶縁膜１０４を除去する。
【００６１】
この際、絶縁膜１０４の物質は、レーザビームの波長に吸収断面を有し且つ膜を形成しやすい物質がよい。前記物質は、例えばフォトレジストのような高分子がよく、約０．１〜１００μｍの厚さに形成することが好ましい。
【００６２】
ここで、従来の技術との相違点を説明すれば、本発明は、有機ＥＬ物質が形成される前にフォトレジストが形成されることである。これにより、本発明で用いられるフォトレジストは、充分に高い温度で長時間にわたってハードベーキング(hard baking)することができ、フォトレジスト内に残存するソルベントを完ぺきに除去することができる。
【００６３】
もしも、有機ＥＬ物質が上記のような荒い状態に置かれる場合、非常に速く悪化されるため、従来の技術ではフォトレジストを充分にベーキングすることができない。
【００６４】
ついに、本発明で用いられるフォトレジストは素子に何等の悪影響も与えない。
【００６５】
図７ｃに示すように、基板を酸素プラズマ(oxygen plasma)或いはＵＶ／オゾン(UV/ozone)で表面処理した後、絶縁膜１０４を含む所定領域に赤色光を発する第１有機ＥＬ層１０５ａ、第２電極１０６ａを順次蒸着する。
【００６６】
例えば、第１有機ＥＬ層１０５ａはバッファ層、正孔輸送層、発光層からなり、バッファ層は銅フタロシアニン(copper phthalocyanine)を約１０〜２０ｎｍの厚さに被せ、正孔輸送層は約３０〜６０ｎｍの厚さのＮ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−（１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ（ＴＰＤ）で形成し、その上の発光層はｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙ−ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）アルミニウム（Ａｌｑ３と略称する）を４０〜６０ｎｍの厚さに蒸着し、赤色の発光のためにドープ剤(dopant)にはＤＣＭ２を用いる。そして、第２電極１０６ａにはＡｌ、Ｃａ、Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉのうち何れか一つを用いる。
【００６７】
図７ｄに示すように絶縁膜１０４の他の部分をレーザビームで除去し、図７ｅに示すように基板を表面処理した後、緑色光を発する第２有機ＥＬ層１０５ｂ、第２電極１０６ｂを蒸着する。ここで、第２有機ＥＬ層１０５ｂの発光物質には例えばＡｌｑ３にクマリン(coumarin)６をドーピングする。
【００６８】
図７ｆに示すように、同様な方法により、絶縁膜１０４のまた他の部分をレーザビームで除去し、図７ｇに示すように基板を表面処理した後、青色光を発する第３有機ＥＬ層１０５ｃ、第２電極１０６ｃを蒸着する。ここで、第３有機ＥＬ層１０５ｃの発光物質には、例えばＢＡｌｑ３にペリレン(perylene)をドーピングする。
【００６９】
図７ｈに示すように、隣接するサブピクセル間の電気的絶縁を確かめるために、隣接するサブピクセル間の絶縁膜１０４上に形成された有機ＥＬ層及び第２電極をレーザビームを用いて２部分に断ち切る。この後、サブピクセルへの湿気を遮断するべく、パネルの全面に保護膜１０７を形成した後、ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ工程を施す。ここで、保護膜１０７は吸湿剤又はその混合物を含み、保護膜１０７の形成はレーザビーム断ち切り工程の以前に行ってもよい。
【００７０】
図８ａから図８ｋは本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す工程断面図である。
【００７１】
本発明の第２実施形態の製造工程は、サブピクセルを形成する度にサブピクセル上に保護膜をコーティングする点を除いては、本発明の第１実施形態の製造工程と殆ど類似する。
【００７２】
図８ｄ及び図８ｇに示すように、保護膜１０７ａ、１０７ｂは第３のサブピクセルを形成するに先だって第１、第２のサブピクセル上にコーティングされる。更に、保護膜１０７ｃは、図８ｊに示すように第３のピクセルの形成後に追加的にコーティングされる。
【００７３】
ここで、保護膜１０７ａ、１０７ｂは、連続的な工程時に、湿気及びソルベントから第１、第２のサブピクセルの各々を保護し、素子の寿命を延長させ、工程のデザインが自由自在である。そして、素子完成後、保護膜１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃの最外郭に保護膜１０７ｄを形成する。ゆえに、保護膜１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃは吸湿剤又はその混合物を含むべきである。
【００７４】
本発明では、レーザビームエッチング及び有機ＥＬ層の形成を経て連続的にサブピクセルを製造するため、工程が簡単であるという長所がある。
【００７５】
以下、レーザビームエッチング技術及び工程条件を説明する。
【００７６】
食刻工程時、ピクセル領域への悪影響を防止するためにパネルは真空または乾燥した不活性気体雰囲気下で工程を行わなければならない反面に、レーザビーム発生器は大気中で作動しなければならない。このレーザビームは、レーザビームの吸収断面を有する窓を介して、真空又は乾燥した不活性気体で満たされたチャンバ(chamber)又はグローブボックス(glove box)へ入射される。
【００７７】
そして、レーザシステムは、図９に示すように、レーザビームにて直接スキャン(scan)するか、あるいはパネルの装着されたムービングステージ(moving stage)をプログラムされた通り移動させるように設計される。しかし、一般に、レーザビームを移動させてスキャンする方法は、本発明のように正確性を要求するものには適しない。一方、ムービングステージは、エンコーダ(encoder)又はセンサを取り付けてフィードバック(feedback)制御を行うことができる。本発明では、ＩＴＯの電気光学的性質を用いて、位置によるフィードバック制御を容易に行うことができる。
【００７８】
又、食刻対象物質の物理化学的な特性を顧慮して適当な波長を有するレーザを選定しなければならない。この内、最も重要な顧慮対象は物質の吸収断面である。レーザの中では、金属又は有機物質をエッチングする際、緑色(green)波長を有するｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｄｏｕｂｌｅｄ Ｎｄ：ＹＡＧのレーザ、或いは紫外線波長を有するエキサイマ(eximer)レーザが好ましい。
【００７９】
このレーザは、連続発振(continuous)モードよりはパルス(pulse)モードが更に効果的である。この理由は、連続発振モードを使用すれば、熱的劣化(thermal degradation)によって容易に素子が損傷されるからである。レーザのパワー及びパルス反復周期(pulse repetition rate)は第２電極及び有機ＥＬ層を除去する程度のことであり、第１電極に損傷を被ってはいけない。
【００８０】
以下、本発明で使用可能なレーザは次の通りである。
【００８１】
【表１】
【００８２】
レーザビームスポット(spot)の形態や寸法は必要に応じて調節することが可能であり、図１０に示すように適切にデザインされたエッチングマスクを用いて多数のサブピクセルを同時にエッチングすることも可能である。広い面積を一回で照射するためには、ビームスポットの大きい拡散ビームを使用しレーザの出力を増加させる必要がある。
【００８３】
【発明の効果】
本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法においては以下のような効果がある。
【００８４】
▲１▼レーザを用いた本発明の製造工程は、簡単であり、迅速であり、基板に対して正確に整列し難く、設け難いシャドーマスクを用いないため生産率が大きく増加する。
【００８５】
▲２▼素子に致命的なソルベント(solvent)や湿気に対する影響を最小化するため、素子の寿命が大幅に増加する。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的なパッシブアドレス(passive addressing)の有機ＥＬディスプレイパネルを示す平面図である。
【図２】シャドーマスクを用いて第２電極をパターニングする過程を示す断面図である。
【図３】絶縁隔壁を用いてピクセレーションする過程を示す断面図である。
【図４ａ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図４ｂ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図４ｃ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図４ｄ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図５ａ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図５ｂ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図５ｃ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ａ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｂ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｃ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｄ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｅ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｆ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｇ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｈ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｉ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図６ｊ】従来の技術による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ａ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｂ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｃ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｄ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｅ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｆ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｇ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図７ｈ】本発明の第１実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ａ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｂ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｃ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｄ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｅ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｆ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｇ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｈ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｉ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｊ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図８ｋ】本発明の第２実施形態による有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明によるレーザビームエッチングシステムを示す図である。
【図１０】本発明によるマスクを用いたレーザビームエッチング過程を示す図である。
【符号の説明】
１０１ 透光性基板
１０２ 第１電極
１０３ バッファ層
１０４ 絶縁膜
１０５ａ、ｂ、ｃ 有機ＥＬ層
１０６ａ、ｂ、ｃ 第２電極
１０７、１０７ａ、ｂ、ｃ、ｄ 保護膜
Claims (15)
- 透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層する第１ステップと、
１又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、
前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機ＥＬ層、第２電極を順次積層する第３ステップと、
第２ステップと第３ステップを１回または数回繰り返し行う第４ステップと
を備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 前記第４ステップ後、隣接する二つのサブピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機ＥＬ層及び第２電極を、１又は複数のレーザビームを用いて２部分に断ち切るステップを更に備えることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記絶縁膜と第１電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記バッファ層は、絶縁性のよい無機物又は有機物で形成されることを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記絶縁膜の厚さは０．１〜１００μｍであることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第２ステップは、真空又は乾燥した不活性気体雰囲気下で行われることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第４ステップ後、前記基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする請求項８記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 透光性基板上に第１電極、絶縁膜を順次積層する第１ステップと、
１又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第２ステップと、
前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機ＥＬ層、第２電極、第１保護膜を順次積層する第３ステップと、
前記第２ステップと第３ステップを１回または数回繰り返し行う第４ステップと
を備えることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 前記第３ステップで形成された第１保護膜は、吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴とする請求項１０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記絶縁膜と第１電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする請求項１０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第１ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする請求項１０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第４ステップ後、前記基板の所定領域に前記第１保護膜と異なる第２保護膜を形成することを特徴とする請求項１０記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第２保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする請求項１４記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1998-22756 | 1998-06-17 | ||
| KR1019980022756A KR100282393B1 (ko) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012220A JP2000012220A (ja) | 2000-01-14 |
| JP4684378B2 true JP4684378B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=36371732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22089198A Expired - Lifetime JP4684378B2 (ja) | 1998-06-17 | 1998-08-04 | 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6146715A (ja) |
| EP (1) | EP0966182B1 (ja) |
| JP (1) | JP4684378B2 (ja) |
| KR (1) | KR100282393B1 (ja) |
| CN (1) | CN1162052C (ja) |
| DE (1) | DE69834318T2 (ja) |
| HK (1) | HK1024374A1 (ja) |
Families Citing this family (93)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
| JP3641963B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2005-04-27 | 双葉電子工業株式会社 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
| US6680487B1 (en) | 1999-05-14 | 2004-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same |
| KR100351822B1 (ko) * | 2000-04-24 | 2002-09-11 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 |
| KR100617234B1 (ko) * | 2000-07-18 | 2006-08-31 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광 디스플레이 소자의 제조방법 |
| WO2002015264A2 (de) | 2000-08-18 | 2002-02-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
| DE10043204A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung |
| US6617186B2 (en) * | 2000-09-25 | 2003-09-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for producing electroluminescent element |
| US7221088B2 (en) | 2000-11-29 | 2007-05-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Universal host for RG or RGB emission in organic light emitting devices |
| US6797920B2 (en) * | 2000-12-20 | 2004-09-28 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Material for organic electroluminescent device and its manufacturing method |
| JP4292245B2 (ja) | 2001-02-05 | 2009-07-08 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光体、発光素子、及び発光表示装置 |
| DE10117663B4 (de) * | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
| JP4345278B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | パターニング方法、膜形成方法、パターニング装置、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子装置の製造方法 |
| KR100421879B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2004-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 더블 스캔 구조의 유기 ｅｌ 표시소자 |
| US7109653B2 (en) | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
| JP2003323138A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-11-14 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、電子機器 |
| JP2006065325A (ja) * | 2002-02-01 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP2006113598A (ja) * | 2002-02-01 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、及び電子機器 |
| KR20020025917A (ko) * | 2002-02-15 | 2002-04-04 | 박병주 | 유기 전계발광 소자 제조 방법 |
| JP4240893B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2009-03-18 | 大日本印刷株式会社 | 有機ｅｌディスプレイ |
| JP4360918B2 (ja) | 2002-03-20 | 2009-11-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| US6949389B2 (en) * | 2002-05-02 | 2005-09-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation for organic light emitting diodes devices |
| EP1525630A2 (de) | 2002-07-29 | 2005-04-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu |
| US6734625B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-05-11 | Xerox Corporation | Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode |
| DE10236854B4 (de) * | 2002-08-07 | 2004-09-23 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Elektroden von organischen lichtemittierenden Elementen |
| KR100504472B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2005-08-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2004127794A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Pioneer Electronic Corp | 有機ｅｌ素子のパターンニング方法及び装置、有機ｅｌ素子の作成方法、並びに、有機ｅｌ素子 |
| GB0224121D0 (en) * | 2002-10-16 | 2002-11-27 | Microemissive Displays Ltd | Method of patterning a functional material on to a substrate |
| JP2006505927A (ja) * | 2002-11-05 | 2006-02-16 | ポリアイシー ゲーエムベーハー ウント コー、 カーゲー | 高分解能の構造を有する有機電子要素およびそれを製造する方法 |
| JP2004165068A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機電界発光パネルの製造方法 |
| US7338820B2 (en) * | 2002-12-19 | 2008-03-04 | 3M Innovative Properties Company | Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes |
| CN1310270C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-04-11 | 清华大学 | 一种场发射显示器的制备方法 |
| DE10314166A1 (de) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Siemens Ag | Screensaver für organische Displays |
| US6995035B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-02-07 | Eastman Kodak Company | Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution |
| DE10339036A1 (de) * | 2003-08-25 | 2005-03-31 | Siemens Ag | Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu |
| DE10340643B4 (de) | 2003-09-03 | 2009-04-16 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht |
| KR100579549B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-05-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| US6931991B1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System for and method of manufacturing gravure printing plates |
| EP1742924A4 (en) * | 2004-05-06 | 2010-10-06 | Glaxosmithkline Llc | CALCILYTIC COMPOUNDS |
| JP4842927B2 (ja) * | 2004-05-10 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | 超高速レーザパターニングに用いる複合シート材料選択方法 |
| US7122489B2 (en) * | 2004-05-12 | 2006-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of composite sheet material using ultrafast laser pulses |
| KR100580329B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 범프가 형성된 배선 필름, 이를 이용한 필름 패키지 및 그제조 방법 |
| DE102004040831A1 (de) | 2004-08-23 | 2006-03-09 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Funketikettfähige Umverpackung |
| KR100606772B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 |
| DE102004059465A1 (de) | 2004-12-10 | 2006-06-14 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Erkennungssystem |
| DE102004059464A1 (de) | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbauteil mit Modulator |
| DE102004063435A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-27 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organischer Gleichrichter |
| DE102005009819A1 (de) | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe |
| US8679674B2 (en) | 2005-03-25 | 2014-03-25 | Front Edge Technology, Inc. | Battery with protective packaging |
| US7846579B2 (en) | 2005-03-25 | 2010-12-07 | Victor Krasnov | Thin film battery with protective packaging |
| DE102005017655B4 (de) | 2005-04-15 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion |
| EP1717877B1 (en) * | 2005-04-26 | 2015-06-03 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Laser process for reliable and low-resistance electrical contacts |
| DE102005031448A1 (de) | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Aktivierbare optische Schicht |
| DE102005035589A1 (de) | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
| DE102005044306A1 (de) | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
| US20070080632A1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-12 | Lambright Terry M | Electroluminescent display system |
| US7781023B2 (en) * | 2005-10-11 | 2010-08-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of producing an electroluminescent display |
| US20070090758A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Kwasny David M | Electroluminescent panel |
| WO2007064054A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Softpixel, Inc. | Method for fabricating micro pixel liquid crystal display |
| CN100456488C (zh) * | 2006-06-26 | 2009-01-28 | 友达光电股份有限公司 | 全彩有机电致发光显示面板及其制造方法 |
| TWI323047B (en) * | 2006-11-28 | 2010-04-01 | Univ Nat Taiwan | The method for forming electronic devices by using protection layers |
| US7662663B2 (en) * | 2007-03-28 | 2010-02-16 | Eastman Kodak Company | OLED patterning method |
| US20080261478A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Cok Ronald S | Patterning method for light-emitting devices |
| GB2448730A (en) * | 2007-04-25 | 2008-10-29 | Innos Ltd | Fabrication of Planar Electronic Circuit Devices |
| US7862627B2 (en) * | 2007-04-27 | 2011-01-04 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery substrate cutting and fabrication process |
| US8870974B2 (en) * | 2008-02-18 | 2014-10-28 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery fabrication using laser shaping |
| US7674712B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-03-09 | Cok Ronald S | Patterning method for light-emitting devices |
| US8193018B2 (en) * | 2008-01-10 | 2012-06-05 | Global Oled Technology Llc | Patterning method for light-emitting devices |
| KR100993426B1 (ko) * | 2008-11-10 | 2010-11-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| US20100291431A1 (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery with protective packaging |
| KR101420773B1 (ko) * | 2009-07-15 | 2014-07-17 | 주성엔지니어링(주) | 전기광학소자 및 이의 제작 방법 |
| US8502494B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-08-06 | Front Edge Technology, Inc. | Battery charging apparatus and method |
| JP5730547B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2015-06-10 | 株式会社カネカ | シースルー有機ｅｌ装置およびその製造方法 |
| JP5698921B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2015-04-08 | 株式会社カネカ | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| KR101874448B1 (ko) * | 2011-05-09 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
| CN102709487B (zh) * | 2011-10-17 | 2015-06-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制造方法 |
| US8865340B2 (en) | 2011-10-20 | 2014-10-21 | Front Edge Technology Inc. | Thin film battery packaging formed by localized heating |
| US9887429B2 (en) | 2011-12-21 | 2018-02-06 | Front Edge Technology Inc. | Laminated lithium battery |
| US8864954B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-10-21 | Front Edge Technology Inc. | Sputtering lithium-containing material with multiple targets |
| US9257695B2 (en) | 2012-03-29 | 2016-02-09 | Front Edge Technology, Inc. | Localized heat treatment of battery component films |
| US9077000B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-07-07 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery and localized heat treatment |
| US9159964B2 (en) | 2012-09-25 | 2015-10-13 | Front Edge Technology, Inc. | Solid state battery having mismatched battery cells |
| US8753724B2 (en) | 2012-09-26 | 2014-06-17 | Front Edge Technology Inc. | Plasma deposition on a partially formed battery through a mesh screen |
| US9356320B2 (en) | 2012-10-15 | 2016-05-31 | Front Edge Technology Inc. | Lithium battery having low leakage anode |
| US10008739B2 (en) | 2015-02-23 | 2018-06-26 | Front Edge Technology, Inc. | Solid-state lithium battery with electrolyte |
| US20180166511A1 (en) * | 2015-07-14 | 2018-06-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for manufacturing display device |
| KR102458680B1 (ko) | 2017-04-28 | 2022-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102300028B1 (ko) * | 2017-06-08 | 2021-09-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
| DE102017119311B4 (de) * | 2017-08-23 | 2019-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen eines mehrfarbig leuchtenden Bauelements |
| US10957886B2 (en) | 2018-03-14 | 2021-03-23 | Front Edge Technology, Inc. | Battery having multilayer protective casing |
| US20200058875A1 (en) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting manufacturing method |
| JPWO2022123382A1 (ja) * | 2020-12-07 | 2022-06-16 | ||
| CN116830805A (zh) * | 2021-02-12 | 2023-09-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示装置的制造方法、显示模块及电子设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06314592A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Komatsu Ltd | 透明電極薄膜のエッチング方法 |
| JPH07211455A (ja) * | 1994-01-19 | 1995-08-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌデバイス |
| JPH08222371A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の微細パターン化方法及びそれより得られた素子 |
| JPH0950888A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4117177A (en) * | 1976-09-13 | 1978-09-26 | Gte Laboratories Incorporated | Laser lithography of thin film resinates |
| JPS6145530A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-05 | Hitachi Ltd | カラ−ブラウン管螢光面の製造方法 |
| US4617085A (en) * | 1985-09-03 | 1986-10-14 | General Electric Company | Process for removing organic material in a patterned manner from an organic film |
| US5314709A (en) * | 1991-03-20 | 1994-05-24 | International Business Machines Corporation | Unzippable polymer mask for screening operations |
| AU2269692A (en) * | 1991-06-24 | 1993-01-25 | Durel Corporation | Electroluminescent lamp |
| JP2837558B2 (ja) * | 1991-06-26 | 1998-12-16 | パイオニア株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2837559B2 (ja) * | 1991-06-26 | 1998-12-16 | パイオニア株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| EP0605685B1 (en) * | 1992-06-01 | 1999-10-13 | Advanced Technology Incubator, Inc. | Light influencing element for high resolution optical systems and method of making same |
| JP3212405B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2001-09-25 | 富士通株式会社 | エキシマレーザ加工方法及び装置 |
| US5302423A (en) * | 1993-07-09 | 1994-04-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for fabricating pixelized phosphors |
| US5340619A (en) * | 1993-10-18 | 1994-08-23 | Brewer Science, Inc. | Method of manufacturing a color filter array |
| JP3813217B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2006-08-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
| US5701055A (en) * | 1994-03-13 | 1997-12-23 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same |
| US5693962A (en) * | 1995-03-22 | 1997-12-02 | Motorola | Full color organic light emitting diode array |
| JP3537591B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2004-06-14 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| JPH09320760A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法 |
| US5824374A (en) * | 1996-07-22 | 1998-10-20 | Optical Coating Laboratory, Inc. | In-situ laser patterning of thin film layers during sequential depositing |
-
1998
- 1998-06-17 KR KR1019980022756A patent/KR100282393B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-08-04 JP JP22089198A patent/JP4684378B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-21 DE DE69834318T patent/DE69834318T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-21 EP EP98306730A patent/EP0966182B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-25 CN CNB981207170A patent/CN1162052C/zh not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-03 US US09/261,254 patent/US6146715A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-16 HK HK00103641A patent/HK1024374A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06314592A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Komatsu Ltd | 透明電極薄膜のエッチング方法 |
| JPH07211455A (ja) * | 1994-01-19 | 1995-08-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌデバイス |
| JPH08222371A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の微細パターン化方法及びそれより得られた素子 |
| JPH0950888A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69834318D1 (de) | 2006-06-01 |
| HK1024374A1 (en) | 2000-10-05 |
| JP2000012220A (ja) | 2000-01-14 |
| US6146715A (en) | 2000-11-14 |
| KR20000002154A (ko) | 2000-01-15 |
| CN1239395A (zh) | 1999-12-22 |
| DE69834318T2 (de) | 2007-04-19 |
| KR100282393B1 (ko) | 2001-02-15 |
| EP0966182B1 (en) | 2006-04-26 |
| EP0966182A1 (en) | 1999-12-22 |
| CN1162052C (zh) | 2004-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4684378B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 | |
| US6864638B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
| US8968477B2 (en) | Deposition mask and method for manufacturing organic light emitting display using the same | |
| EP1758170B1 (en) | Organic light emitting display and method for fabricating the same | |
| US6582888B1 (en) | Method for producing organic electroluminescent components | |
| US20140206117A1 (en) | Method for manufacturing display device | |
| US6774392B2 (en) | Organic light emitting diode and method for producing the same | |
| JPH11111465A (ja) | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JP2000235894A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| WO2011122481A1 (ja) | 発光装置用基板の製造方法 | |
| JP2845233B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2010040510A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2002302759A (ja) | 薄膜パターンの形成方法および有機電界発光表示装置の製造方法 | |
| JPH09320760A (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法 | |
| KR101157263B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100606668B1 (ko) | 유기ｅｌ 디스플레이 소자 제조방법 | |
| JP2008108680A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| KR20070109613A (ko) | 섀도우 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법 | |
| KR100592388B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP2001284048A (ja) | 有機ｅｌ素子フルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP2010044916A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP4310866B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板及び表示素子 | |
| JP2002208480A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JP2004103268A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| KR20040085383A (ko) | 다층 구조의 격벽 구조물을 포함하는 유기 전계발광소자및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050726 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080501 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101012 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110112 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110209 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |