JP4684378B2 - A method of manufacturing an organic el display panel - Google Patents

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Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、発光層への電荷の注入時に光を発する有機EL素子からなる有機EL(electroluminescent)ディスプレイパネルに関する。 The present invention relates to an organic EL (electroluminescent) display panel comprising an organic EL element which emits light upon injection of charges into the light emitting layer.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
最近では、有機発光ダイオード(Light Emitting Diode: LED)とも呼ばれる有機EL素子の技術が速い速度で発展しており、既にいくつかの試製品が発表されている。 Recently, organic light emitting diodes (Light Emitting Diode: LED) and has been developed in technology faster rate of organic EL devices, also called, have already been published several Shisei products.
【0003】 [0003]
有機EL素子は、非常に薄く、マトリックス状にアドレス可能であり、15V以上の低電圧でも駆動可能であるという長所があった。 The organic EL device is very thin, are matrix-addressable, there is advantage also be driven by 15V or more low voltage. また、有機EL素子は、視野角が広く、プラスティックのような可撓性(flexible)透明基板上にも形成可能であり、このため次代の平板ディスプレイ(Flat Panel Display: FPD)に適した素子である。 Further, the organic EL element has a wide viewing angle, it is also possible to form the flexible (flexible) on a transparent substrate such as a plastic, Therefore next generation flat display: an element suitable for (Flat Panel Display FPD) is there. 更に、よく知られているLCD(Liquid Crystal Display)に比べてバックライト(backlight)を必要としないため、電力消耗が少ないという長所もあった。 Furthermore, since it does not require a backlight (Backlight) as compared to an LCD (Liquid Crystal Display) are well-known, it was also advantages less power consumption.
【0004】 [0004]
上記のような長所を持つ有機EL素子は、一般的に無機EL素子とは動作原理の面で大きな違いがある。 The organic EL device having the advantages as described above, generally the inorganic EL element is a big difference in terms of operating principles.
【0005】 [0005]
無機EL素子は、高い電界によって加速された電子が発光体(luminescent impurity)に衝突して励起され、励起された発光体が基底状態に落ちながら発光するのに対して、有機EL素子は、陰極及び陽極から各々注入された電子と正孔とが結合して生成されたエクスィトン(exciton)が励起状態から基底状態に落ちながら発光する。 Inorganic EL elements, electrons accelerated by a high electric field is excited by colliding with the light emitter (luminescent Impurity), whereas the excited luminescent material emits light while falling to the ground state, the organic EL device, the cathode and each injected electrons and Ekusuiton and holes are generated by combining (exciton) emits light while falling to the ground state from the excited state from the anode. このような有機EL素子は、今まで発光効率を改善させ且つ多様な色を作り出すために活発に研究されてきた。 Such organic EL devices have been actively studied in order to produce and variety of colors to improve the luminous efficiency ever. また、今後有機EL素子の商業化のために生産性、均一性、信頼性等の研究に更に努力を注がなければならない。 Further, the productivity for commercialization of organic EL devices future, uniformity must further poured effort to the study of such reliability.
【0006】 [0006]
有機ELディスプレイパネルを駆動する最も簡単な方法は、図1に示すようにシンプルパッシブマトリックス(simple passive matrix)方式であり、直交する二つの電極の間に有機EL層を形成する構造を有する。 The simplest method of driving an organic EL display panel is a simple passive matrix (simple passive matrix) method as shown in FIG. 1 has a structure of forming an organic EL layer between two electrodes orthogonal. この駆動方式では、各々の有機EL素子がディスプレイ素子とスイッチング素子の役割を共に行う。 In this driving method, each of the organic EL element performs both the roles of the display element and a switching element. このような駆動モードでは、各々の有機EL素子がダイオードのような非線形電流−電圧の特性を有するため、理論的にはマルチプレックス(multiplexing)による駆動が可能である。 In such a driving mode, each of the organic EL device is a nonlinear current as diode - for having the characteristics of voltage, theoretically it can be driven by multiplex (Multiplexing).
【0007】 [0007]
一方、有機EL素子を商業化するにあたって解決すべき問題は、ピクセレーション(pixellation)及びパターニング(patterning)技術である。 On the other hand, the problem to be solved when commercializing organic EL element is a pixelated (pixellation) and patterned (Patterning) technology. その理由は、既存のピクセレーション技術が、ソルベントに弱い性質を有する有機物質によって多く制約されるからである。 This is because existing pixelation techniques is constrained many by organic material having a weak properties Solvent.
【0008】 [0008]
既存のピクセレーション方法のうち、最も簡単な方法はシャドーマスク(shadow mask)を利用する方法である。 Of existing pixelation method, the simplest method is to use a shadow mask (shadow mask).
【0009】 [0009]
図1及び図2に示すように、透光性基板1上に第1電極2を帯(stripe)形状に形成した後、第1電極2上に順次積層された有機EL層3上にシャドーマスク(shadow mask)5の開口を通じて第2電極4を帯形状に形成し、有機ELディスプレイパネルをピクセレーションする。 As shown in FIGS. 1 and 2, after forming the first electrode 2 in a band (stripe) shape on the transparent substrate 1, the shadow mask on the organic EL layer 3 which are sequentially stacked on the first electrode 2 (shadow mask) through 5 of the opening to form a second electrode 4 in a band shape to pixelation of organic EL display panel.
【0010】 [0010]
しかしながら、シャドーマスクを用いたピクセレーション方法は、微細なピクセルを製造するのには不適であり、解像度を高めるに限界があった。 However, pixelation method using a shadow mask is not suitable for the production of fine pixels, there is a limit to increase the resolution.
【0011】 [0011]
このため、図3に示すように、米国特許第5、701、055号では、電気絶縁隔壁6を利用して微細なピクセルを形成する方法が提案されている。 Therefore, as shown in FIG. 3, in U.S. Patent No. 5,701,055, a method of forming a fine pixel through the use of electrical insulation barrier wall 6 has been proposed. これは、主として単色(monochrome)の有機ELディスプレイパネルを形成するのに用いられる。 This is used to form primarily an organic EL display panel of monochromatic (while monochrome).
【0012】 [0012]
一方、マルチカラー(multi-color)又はフルカラー(full-color)の有機ELディスプレイパネルを作る方法は単色の有機ELディスプレイパネルを作る方法に比べて多少複雑である。 Meanwhile, a method of making an organic EL display panel of the multi-color (multi-color) or full color (full-color) is less complex than the method of making the single-color organic EL display panel. 日本特開平8−315、981号公報では、図4a〜図4dに示すように、シャドーマスクを用いて赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の光を発する物質を別々に蒸着させる方法を提案している。 In Japanese Patent Laid-Open 8-315,981 discloses, as shown in FIG 4a~ Figure 4d, red using a shadow mask (R), green (G), deposited separately substance that emits light in the blue (B) We have proposed a method to.
【0013】 [0013]
まず、隔壁6表面の上部に複数個の開口を有するシャドーマスク5−1、5−2、5−3を設け、対応する隔壁6の間に各開口を整列させ、前記開口を通じて順次に一つずつ赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の有機EL層4−1、4−2、4−3を蒸着する。 One First, a shadow mask 5-1, 5-2, 5-3 having a plurality of openings on top of the partition wall 6 surface provided to align the respective openings between corresponding partition wall 6, sequentially through the opening each red (R), green (G), for depositing an organic EL layer 4-1, 4-2, 4-3 of the blue (B). そして、有機EL層4−1、4−2、4−3及び隔壁6上に少なくとも一つの第2電極層3を形成して、フルカラーの有機ELディスプレイパネルを制作する。 Then, forming at least one second electrode layer 3 on the organic EL layer 4-1, 4-2 and 4-3 and the partition 6, to produce the organic EL display panel of the full color.
【0014】 [0014]
上記方法は、解像度(resolution)やサイズ(size)の面では適する。 The method is suitable in terms of resolution (resolution) and size (size). しかし、サイズが増加し、ピッチ(pitch)が減少すると、以下のような問題が生じる。 However, size is increased, the pitch (pitch) is reduced, the following problems occur.
【0015】 [0015]
第1に、微細なパターンを有するシャドーマスクの制作が難しい。 In the first, it is difficult production of the shadow mask having a fine pattern.
【0016】 [0016]
第2に、隔壁上にシャドーマスクを整列し難い。 Second, it is difficult to align the shadow mask on the barrier rib.
【0017】 [0017]
このため、この後、シャドーマスクを用いないピクセル形成方法が提案されたが、米国特許第5、693、962号、日本特開平9−293、589号に開示されている。 Therefore, after this, although the pixel forming method without using a shadow mask has been proposed in U.S. Patent No. 5,693,962, it is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-293,589.
【0018】 [0018]
米国特許5、693、962号は図5aから図5cに示す通りである。 U.S. Patent No. 5,693,962 is shown in Figure 5c from Figure 5a.
【0019】 [0019]
まず、第1のサブピクセルの製造工程を説明する。 First, the manufacturing process of the first sub-pixel.
【0020】 [0020]
図5aに示すように、透光性基板11上に有機又は無機導電体層を蒸着し、一般的なリソグラフィー(lithography)技術を利用して前記導電体層をパターニングし、複数個の水平の第1電極である導電帯12を形成する。 As shown in Figure 5a, the organic or inorganic conductive layer is deposited on a transparent substrate 11, patterning the conductive layer using a common lithography (lithography) technology, a plurality of horizontal forming a conductive strip 12 is 1 electrode. そして、導電帯12上に有機媒介層13を蒸着し、基板11の一定領域を露出させた後、フォトレジスト層14−1をスピンコーティング(spin-coating)し、乾式又は湿式食刻工程で有機媒介層13をパターニングする。 Then, the organic medium layer 13 is deposited over the conductive strip 12, after exposing the predetermined area of ​​the substrate 11, a photoresist layer 14-1 was spin coated (spin-coating), organic dry or wet etching process patterning the medium layer 13. 次いで、有機EL層16−1を積層し、有機EL層16−1上に金属を蒸着し、サブピクセルのキャップ層17−1を形成した後、リフトオフ(lift-off)工程でフォトレジスト層14−1を除去する。 Then the organic EL layer 16-1 are laminated, the metal is deposited on the organic EL layer 16-1, after forming the capping layer 17-1 of the sub-pixels, the photoresist layer by lift-off (lift-off) process 14 to remove the -1.
【0021】 [0021]
ここで、リフトオフ工程時に、アセトン(acetone)又は食刻溶液(stripping solution)が使用されるが、これらはキャップ層17−1を介して有機EL層16−1へ浸透するようになる。 Here, at the time of lift-off process, but acetone (acetone) or etching solution (stripping solution) are used, it is as to penetrate into the organic EL layer 16-1 through the cap layer 17-1. これが素子に大きな悪影響を及ぼすことではないが、キャップ層17−1として用いられる金属と有機物質との間に相対的に接着力が落ちることになる。 This is not that a strong negative influence on the device, but will be relatively adhesion between the metal and the organic material used as a cap layer 17-1 falls.
【0022】 [0022]
次いで、図5b及び図5cに示すように、上記と同様に、第2、第3のサブピクセルを製造する。 Then, as shown in Figure 5b and Figure 5c, similar to the above, to produce a second, third sub-pixel.
【0023】 [0023]
一方、日本特開平9−293、589号は図6aから図6jに示す通りである。 On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 9-293,589 is shown in Figure 6j from Figure 6a. 図6aに示すように、透光性基板21上に第1電極22、有機EL層23、第2電極24、保護膜25を順次形成し、図6bに示すように保護膜25上にフォトレジスト26をスピンコーティングした後、図6c、図6dに示すように赤色のサブピクセルをパターニングする。 As shown in Figure 6a, the first electrode 22 on the transparent substrate 21, the organic EL layer 23, second electrode 24, sequentially forming a protective film 25, a photoresist on the protective film 25 as shown in Figure 6b 26 was spin coated, Fig 6c, patterned red sub-pixel, as shown in FIG. 6d.
【0024】 [0024]
そして、上記と同様にして、図6eから図6gに示すように緑色のサブピクセルを形成し、図6hから図6jに示すように青色のサブピクセルを形成する。 Then, in the same manner as described above, to form a green sub-pixels as shown in FIG. 6g Figures 6e, to form a blue sub-pixel as shown in Fig. 6j from Figure 6h.
【0025】 [0025]
しかし、上記したような製造方法では、ピクセルがフォトレジストのソルベントに露出されるため、素子に悪影響を及ぼす。 However, in the manufacturing method as described above, because the pixels are exposed to a solvent of the photoresist, adversely affecting the device. このフォトレジストの悪影響を防ぐためには、フォトリソグラフィック(photolithographic)工程を理解する必要があり、典型的なフォトリソグラフィック工程は以下の通りである。 To prevent adverse effects of photoresist, it is necessary to understand the photolithographic (photolithographic) step, a typical photolithographic process is as follows.
【0026】 [0026]
まず、基板上にフォトレジスト溶液をスピンコーティングし、ソフトベーキング(soft−baking)した後、紫外線に露出させる。 First, a photoresist solution was spin coated onto a substrate, after soft baking (soft-baking), is exposed to ultraviolet light. それから、現像(developing)し、ハードベーキング(hard−baking)する。 Then, it developed (Developing), hard baking (hard-baking). この後、フォトレジストの形成された基板にエッチング工程が行われ、再びフォトレジスト除去工程が行われる。 Thereafter, an etching process is performed on a substrate formed of a photoresist, photoresist removal step is carried out again.
【0027】 [0027]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
上記のように、従来の方法において、有機ELディスプレイパネルのピクセルは現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソルベントに露出されるより他はない。 As described above, in the conventional method, the other is not an organic EL display panel pixels are exposed to a variety of solvent development and etching solutions or photoresist. これらのソルベントの影響に起因して有機EL層が損なわれ、素子の性能が大幅に低下する。 Due to these solvent effects the organic EL layer is impaired, the performance of the device is greatly reduced.
【0028】 [0028]
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、シャドーマスクを使用せず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストの様々なソルベントに露出されることなく簡単にピクセレーションすることのできる有機ELディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object without using a shadow mask, easily pixelation without being exposed to various solvent development and etching solutions or photoresist It is to provide a method of manufacturing an organic EL display panel that can be.
【0029】 [0029]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
この発明は、透光性基板上に第1電極、絶縁膜を順次積層する第1ステップと、1又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第2ステップと、前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機EL層、第2電極を順次積層する第3ステップと、第2ステップと第3ステップを1回または数回繰り返し行う第4ステップとを備えることを特徴とする有機ELディスプレイパネルの製造方法にある。 The present invention, first electrode on a transparent substrate, a first step of sequentially laminating an insulating film, a second step of selectively removing the insulating film in a predetermined region in one or more laser beams, the insulation in a predetermined region including a film, an organic EL layer having a hole transporting layer and the luminescent layer, and a third step of sequentially laminating a second electrode, a fourth step of repeatedly performing the second step and the third step once or several times in a method of manufacturing an organic EL display panel characterized in that it comprises and.
また、前記第4ステップ後、隣接する二つのサブピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機EL層及び第2電極を、1又は複数のレーザビームを用いて2部分に断ち切るステップを更に備えることを特徴とする。 Moreover, further comprising the step of cutting off after the fourth step, the organic EL layer and a second electrode formed on the insulating film between two adjacent sub-pixels, into two parts using one or more laser beams it is characterized in.
また、前記絶縁膜と第1電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする。 Further, wherein the buffer layer is formed between the insulating film and the first electrode.
また、前記バッファ層は、絶縁性のよい無機物又は有機物で形成されることを特徴とする。 Also, the buffer layer, you characterized by being formed by a good inorganic or organic insulating property.
た、前記第1ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする。 Also, after the first step, and removing the solvent and moisture of the insulating film.
また、前記絶縁膜の厚さは0.1〜100μmであることを特徴とする。 The thickness of the insulating film is characterized in that it is a 0.1 to 100 [mu] m.
また、前記第2ステップは、真空又は乾燥した不活性気体雰囲気下で行われることを特徴とする。 The second step is characterized by being carried out under an inert gas atmosphere with a vacuum or dry.
また、前記第4ステップ後、前記基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とする。 Further, after the fourth step, and forming a protective film on a predetermined region of the substrate.
また、前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする。 The protective layer is characterized by containing a hygroscopic agent, or mixtures thereof.
【0031】 [0031]
また、透光性基板上に第1電極、絶縁膜を順次積層する第1ステップと、1又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第2ステップと、前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機EL層、第2電極、 第1保護膜を順次積層する第3ステップと、前記第2ステップと第3ステップを1回または数回繰り返し行う第4ステップとを備えることを特徴とする有機ELディスプレイパネルの製造方法にある。 The first electrode on a transparent substrate, a first step of sequentially laminating an insulating film, a second step of selectively removing the insulating film in a predetermined region in one or more laser beams, the insulating film in a predetermined region including an organic EL layer having a hole transporting layer and the luminescent layer, a second electrode, a third step of sequentially laminating the first protective film, repeated once or several times the second step and the third step in a method of manufacturing an organic EL display panel characterized by comprising a fourth step of performing.
また、前記第3ステップで形成された第1保護膜は、吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴とする。 The first protective film formed in the third step, comprising a moisture absorbent or a mixture thereof.
た、前記絶縁膜と第1電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする。 Also, between the said insulating film and the first electrode, characterized in that the buffer layer is formed.
また、前記第1ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする。 Further, after the first step, and removing the solvent and moisture of the insulating film.
また、前記第4ステップ後、前記基板の所定領域に前記第1保護膜と異なる第2保護膜を形成することを特徴とする。 Further, after the fourth step, and forming the first protective layer is different from the second protective layer in a predetermined area of the substrate.
また、前記第2保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする。 The second protective layer is characterized by containing a hygroscopic agent, or mixtures thereof.
【0055】 [0055]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明による有機ELディスプレイパネルの製造方法を添付図面に基づいて説明する。 It will be described below based on a method of manufacturing an organic EL display panel according to the present invention with reference to the accompanying drawings.
【0056】 [0056]
本発明の概念は、複数の第1、第2電極の間に有機EL層を有する有機ELディスプレイパネルを製造する際、ピクセレーションのためのシャドーマスクを使用せず、現像及び食刻溶液又はフォトレジストのいろいろのソルベントにピクセルが露出されることのないようにレーザビームを利用して簡単にピクセレーション(pixellation)することにある。 The concept of the present invention, the plurality of first, when manufacturing the organic EL display panel having an organic EL layer between the second electrode, without using a shadow mask for pixelation, developing and etching solutions or photo easily variously solvent pixel of the resist using a laser beam so as not to be exposed is to pixelation (pixellation).
【0057】 [0057]
実際に有機ELディスプレイパネルを制作するにあたっては、複数個のR(red)、G(green)、B(blue)のサブピクセル(sub-pixel)を形成するが、便宜上R、G、Bの各1つずつのサブピクセルの製造工程のみを説明する。 Order to produce actually the organic EL display panel, a plurality of R (red), G (green), forms a B (blue) sub-pixels (sub-pixel) of convenience each of the R, G, and B only the manufacturing process of one by one sub-pixel will be described.
【0058】 [0058]
図7aから図7hは本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す工程断面図である。 Figure 7h Figures 7a are sectional views showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention.
【0059】 [0059]
図7aに示すように、透光性基板101上にITO(Indium Tin Oxide)等の透明層をパターニングして第1電極102の帯を形成し、その上に第1電極102の帯に垂直な方向に電気絶縁バッファ層103の帯を形成する。 As shown in Figure 7a, the band of the first electrode 102 was formed by patterning a transparent layer such as ITO (Indium Tin Oxide) on the transparent substrate 101, perpendicular to the bands of the first electrode 102 thereon to form a band of electrically insulating buffer layer 103 in the direction. このバッファ層103は、後で発光しない部分であり、漏洩電流を減少させるのに寄与し、後工程で形成される第2電極が第1電極102にショート(short)されないように絶縁させる役割を果たす。 The buffer layer 103 is a portion which does not emit light later, serves to insulate such that the second electrode is formed by contributions, and post-process to reduce the leakage current is not shorted (short) to the first electrode 102 play. バッファ層103として使用される物質は、例えばシリコンオキサイド(silicon oxide)やシリコン窒化物(silicon nitride)等の無機物化合物、または蒸気蒸着(vapor deposition)、E−ビーム蒸発(e-beam evaporation)、RFスパッタリング(RF sputtering)、CVD(Chemical Vapor Deposition)、スピンコーティング(spin coating)、ディッピング(dipping)、ドクターブレード(Dr. blade)、電気鍍金(electro-plating)、非電気鍍金(electroless plating)、スクリーンプリンティング(screen printing)方法で形成されるポリイミド(polyimide)等の高分子物質が適当である。 Material used as a buffer layer 103 is, for example, silicon oxide (Silicon Oxide) or silicon nitride (Silicon Nitride) inorganic compounds such or steam deposition (vapor deposition),, E- beam evaporation (e-beam evaporation), RF sputtering (RF sputtering), CVD (Chemical Vapor Deposition), spin-coating (spin coating), dipping (dipping), a doctor blade (Dr. blade), electroplating (electro-plating), non-electric plating (electroless plating), a screen printing (screen printing) polymer material of the polyimide (polyimide) or the like formed by the method is suitable.
【0060】 [0060]
図7bに示すように、バッファ層103を含む所定領域に絶縁膜104を形成し、レーザビームを用いて赤色のサブピクセル形成部分の絶縁膜104を除去する。 As shown in Figure 7b, an insulating film 104 in a predetermined region including the buffer layer 103, to remove the insulating film 104 of the red sub-pixel formation portion using a laser beam.
【0061】 [0061]
この際、絶縁膜104の物質は、レーザビームの波長に吸収断面を有し且つ膜を形成しやすい物質がよい。 In this case, material of the insulating film 104, and film is good forming material susceptible to having a laser beam wavelength to the absorption cross section of. 前記物質は、例えばフォトレジストのような高分子がよく、約0.1〜100μmの厚さに形成することが好ましい。 The substance, for example a polymer such as a photoresist is good, it is preferable to form a thickness of about 0.1 to 100 [mu] m.
【0062】 [0062]
ここで、従来の技術との相違点を説明すれば、本発明は、有機EL物質が形成される前にフォトレジストが形成されることである。 Here, will be described the difference from the prior art, the present invention is that the photoresist is formed before the organic EL material is formed. これにより、本発明で用いられるフォトレジストは、充分に高い温度で長時間にわたってハードベーキング(hard baking)することができ、フォトレジスト内に残存するソルベントを完ぺきに除去することができる。 Thus, the photoresist used in the present invention may be hard baked for a long time at a sufficiently high temperature (hard baking), it is possible to perfectly remove the solvent remaining in the photoresist.
【0063】 [0063]
もしも、有機EL物質が上記のような荒い状態に置かれる場合、非常に速く悪化されるため、従来の技術ではフォトレジストを充分にベーキングすることができない。 If, when the organic EL material is put into rough state as described above, to be exacerbated very fast, in the prior art can not be baked sufficiently photoresist.
【0064】 [0064]
ついに、本発明で用いられるフォトレジストは素子に何等の悪影響も与えない。 Finally, the photoresist used in the present invention does not give adverse effect of many such in the element.
【0065】 [0065]
図7cに示すように、基板を酸素プラズマ(oxygen plasma)或いはUV/オゾン(UV/ozone)で表面処理した後、絶縁膜104を含む所定領域に赤色光を発する第1有機EL層105a、第2電極106aを順次蒸着する。 As shown in FIG. 7c, after surface-treated with a substrate oxygen plasma (oxygen plasma) or UV / ozone (UV / ozone), the first organic EL layer 105a emitting red light in a predetermined region including the insulating film 104, the sequentially depositing a second electrode 106a.
【0066】 [0066]
例えば、第1有機EL層105aはバッファ層、正孔輸送層、発光層からなり、バッファ層は銅フタロシアニン(copper phthalocyanine)を約10〜20nmの厚さに被せ、正孔輸送層は約30〜60nmの厚さのN、N'−diphenyl−N、N'−bis(3−methylphenyl)−(1,1'−biphenyl)−4,4'−diamine(TPD)で形成し、その上の発光層はtris(8−hydroxy−quinolate)アルミニウム(Alq3と略称する)を40〜60nmの厚さに蒸着し、赤色の発光のためにドープ剤(dopant)にはDCM2を用いる。 For example, the first organic EL layer 105a is a buffer layer, a hole transport layer, made from the light-emitting layer, the buffer layer over the thickness of about 10~20nm copper phthalocyanine (copper phthalocyanine), a hole transport layer is from about 30 60nm thick of N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) - (1,1'-biphenyl) formed in -4,4'-diamine (TPD), emission thereon layer was deposited tris (abbreviated as Alq3) (8-hydroxy-quinolate) aluminum in a thickness of 40 to 60 nm, using a DCM2 the dopant (dopant) for red emission. そして、第2電極106aにはAl、Ca、Mg:Ag、Al:Liのうち何れか一つを用いる。 Then, the second electrode 106a Al, Ca, Mg: Ag, Al: using one of Li.
【0067】 [0067]
図7dに示すように絶縁膜104の他の部分をレーザビームで除去し、図7eに示すように基板を表面処理した後、緑色光を発する第2有機EL層105b、第2電極106bを蒸着する。 The other portion of the insulating film 104 as shown in Figure 7d is removed by a laser beam, after surface treatment of the substrate as shown in FIG. 7e, the second organic EL layer 105b emitting green light, a second electrode 106b deposition to. ここで、第2有機EL層105bの発光物質には例えばAlq3にクマリン(coumarin)6をドーピングする。 Here, the light emitting material of the second organic EL layer 105b doped with coumarin (coumarin ?????) 6, for example, Alq3.
【0068】 [0068]
図7fに示すように、同様な方法により、絶縁膜104のまた他の部分をレーザビームで除去し、図7gに示すように基板を表面処理した後、青色光を発する第3有機EL層105c、第2電極106cを蒸着する。 As shown in FIG. 7f, the same manner, a still another part of the insulating film 104 is removed by a laser beam, after surface treatment of the substrate as shown in FIG. 7 g, the third organic EL layer 105c emitting blue light , depositing a second electrode 106c. ここで、第3有機EL層105cの発光物質には、例えばBAlq3にペリレン(perylene)をドーピングする。 Here, the luminescent material of the third organic EL layer 105c, doping perylene (perylene) for example, BAlq3.
【0069】 [0069]
図7hに示すように、隣接するサブピクセル間の電気的絶縁を確かめるために、隣接するサブピクセル間の絶縁膜104上に形成された有機EL層及び第2電極をレーザビームを用いて2部分に断ち切る。 As shown in FIG. 7h, to ascertain the electrical insulation between adjacent subpixels, 2 and the organic EL layer and a second electrode formed on the insulating film 104 between adjacent sub-pixels by using a laser beam portion Breaking in. この後、サブピクセルへの湿気を遮断するべく、パネルの全面に保護膜107を形成した後、encapsulation工程を施す。 Thereafter, in order to cut off the moisture into subpixels, after forming the protective film 107 on the entire surface of the panel, applying the encapsulation process. ここで、保護膜107は吸湿剤又はその混合物を含み、保護膜107の形成はレーザビーム断ち切り工程の以前に行ってもよい。 The protective layer 107 includes a moisture absorbent or mixtures thereof, forming the protective film 107 may be performed before the laser beam cut off process.
【0070】 [0070]
図8aから図8kは本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す工程断面図である。 Figure 8k Figures 8a are sectional views showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.
【0071】 [0071]
本発明の第2実施形態の製造工程は、サブピクセルを形成する度にサブピクセル上に保護膜をコーティングする点を除いては、本発明の第1実施形態の製造工程と殆ど類似する。 Manufacturing process of the second embodiment of the present invention, except for coating a protective film on the subpixel whenever forming the sub-pixels is almost similar to the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.
【0072】 [0072]
図8d及び図8gに示すように、保護膜107a、107bは第3のサブピクセルを形成するに先だって第1、第2のサブピクセル上にコーティングされる。 As shown in FIGS. 8d and FIG. 8 g, the protective layer 107a, 107b is coated on the first, second sub-pixel prior to forming the third sub-pixel. 更に、保護膜107cは、図8jに示すように第3のピクセルの形成後に追加的にコーティングされる。 Further, the protective layer 107c is additionally coated after the formation of the third pixel as shown in FIG. 8j.
【0073】 [0073]
ここで、保護膜107a、107bは、連続的な工程時に、湿気及びソルベントから第1、第2のサブピクセルの各々を保護し、素子の寿命を延長させ、工程のデザインが自由自在である。 The protective layer 107a, 107b, upon continuous process, first from moisture and solvent, to protect each of the second sub-pixel, to extend the life of the device, the design process is freely. そして、素子完成後、保護膜107a、107b、107cの最外郭に保護膜107dを形成する。 Then, after formation elements completed, the protective film 107a, 107 b, a protective film 107d on the outermost 107c. ゆえに、保護膜107a、107b、107cは吸湿剤又はその混合物を含むべきである。 Thus, the protective film 107a, 107 b, 107c should contain hygroscopic agents or mixtures thereof.
【0074】 [0074]
本発明では、レーザビームエッチング及び有機EL層の形成を経て連続的にサブピクセルを製造するため、工程が簡単であるという長所がある。 In the present invention, for producing a laser beam etching and continuously sub-pixel through the formation of the organic EL layer, there is an advantage that the process is simple.
【0075】 [0075]
以下、レーザビームエッチング技術及び工程条件を説明する。 Hereinafter will be described a laser-beam etching techniques and process conditions.
【0076】 [0076]
食刻工程時、ピクセル領域への悪影響を防止するためにパネルは真空または乾燥した不活性気体雰囲気下で工程を行わなければならない反面に、レーザビーム発生器は大気中で作動しなければならない。 During etching process, the other hand panel must be performed a step in an inert gas atmosphere with a vacuum or drying in order to prevent adverse effects on the pixel area, the laser beam generator must operate in air. このレーザビームは、レーザビームの吸収断面を有する窓を介して、真空又は乾燥した不活性気体で満たされたチャンバ(chamber)又はグローブボックス(glove box)へ入射される。 The laser beam through a window having an absorption cross-section of the laser beam, and enters the vacuum or dry inert gas-filled chamber (chamber), or a glove box (glove box).
【0077】 [0077]
そして、レーザシステムは、図9に示すように、レーザビームにて直接スキャン(scan)するか、あるいはパネルの装着されたムービングステージ(moving stage)をプログラムされた通り移動させるように設計される。 The laser system, as shown in FIG. 9, is designed to move as programmed directly scan (scan) either, or panel-mounted moving stage (moving Stage) by the laser beam. しかし、一般に、レーザビームを移動させてスキャンする方法は、本発明のように正確性を要求するものには適しない。 However, in general, a method of scanning by moving the laser beam is not suitable for those requiring accuracy as in the present invention. 一方、ムービングステージは、エンコーダ(encoder)又はセンサを取り付けてフィードバック(feedback)制御を行うことができる。 On the other hand, moving stage may perform feedback (? Feedback) control is attached an encoder (encoder) or sensor. 本発明では、ITOの電気光学的性質を用いて、位置によるフィードバック制御を容易に行うことができる。 In the present invention, by using an electro-optical properties of ITO, it can be easily feedback control by the position.
【0078】 [0078]
又、食刻対象物質の物理化学的な特性を顧慮して適当な波長を有するレーザを選定しなければならない。 Also, it must be selected a laser having a suitable wavelength having regard to the physicochemical properties of the etching substance. この内、最も重要な顧慮対象は物質の吸収断面である。 Among them, the most important consideration target is the absorption cross section of the material. レーザの中では、金属又は有機物質をエッチングする際、緑色(green)波長を有するfrequency doubled Nd:YAGのレーザ、或いは紫外線波長を有するエキサイマ(eximer)レーザが好ましい。 Among lasers, when etching a metal or organic substance, a green (green) having a wavelength frequency doubled Nd: YAG laser, or Ekisaima (eximer) laser having an ultraviolet wavelength is preferred.
【0079】 [0079]
このレーザは、連続発振(continuous)モードよりはパルス(pulse)モードが更に効果的である。 This laser pulse (pulse) mode is more effective than continuous wave (continuous) mode. この理由は、連続発振モードを使用すれば、熱的劣化(thermal degradation)によって容易に素子が損傷されるからである。 The reason for this is if using a continuous oscillation mode, since readily element by thermal degradation (thermal degradation) is damaged. レーザのパワー及びパルス反復周期(pulse repetition rate)は第2電極及び有機EL層を除去する程度のことであり、第1電極に損傷を被ってはいけない。 Power and pulse repetition period of the laser (pulse repetition rate) is that the degree of removing the second electrode and the organic EL layer, do not suffer damage to the first electrode.
【0080】 [0080]
以下、本発明で使用可能なレーザは次の通りである。 Hereinafter, usable lasers in the present invention are as follows.
【0081】 [0081]
【表1】 [Table 1]
一方、レーザビームは、第1電極面からパネルに、又は第2電極面からパネルに照射可能である。 On the other hand, the laser beam, the panel from the first electrode surface, or can be irradiated to the panel from the second electrode surface. この際、第1電極としてよく使われるITO(Indium Tin Oxide)の場合、0.53μmで大きな吸収断面を有しないため、frequency doubled Nd:YAGのレーザをITO面に照射して有機EL層及び第2電極をエッチングすることができる。 At this time, if of ITO (Indium Tin Oxide) which is often used as a first electrode, because it does not have a large absorption cross section at 0.53μm, frequency doubled Nd: organic EL layer is irradiated with a laser of YAG on ITO surface and a it can be etched 2 electrodes. 仮に、エッチング対象物質のエッチング時に、レーザビームと共に1又は複数の適切な反応ガスを注入すれば、エッチング対象物質のエッチング率を高めることができる。 If, during the etching of the etching object material, if injecting one or more appropriate reactive gas together laser beams, it is possible to increase the etching rate of the etching object material.
【0082】 [0082]
レーザビームスポット(spot)の形態や寸法は必要に応じて調節することが可能であり、図10に示すように適切にデザインされたエッチングマスクを用いて多数のサブピクセルを同時にエッチングすることも可能である。 Form and dimensions of the laser beam spot (spot) is can be adjusted as needed, can also be etched simultaneously a large number of sub-pixels using appropriately designed etch mask, as shown in FIG. 10 it is. 広い面積を一回で照射するためには、ビームスポットの大きい拡散ビームを使用しレーザの出力を増加させる必要がある。 For illuminating in a single wide area, it is necessary to increase the output of the laser using the large diffusion beam of a beam spot.
【0083】 [0083]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明による有機ELディスプレイパネルの製造方法においては以下のような効果がある。 In the method of manufacturing an organic EL display panel according to the present invention has the following effects.
【0084】 [0084]
▲1▼レーザを用いた本発明の製造工程は、簡単であり、迅速であり、基板に対して正確に整列し難く、設け難いシャドーマスクを用いないため生産率が大きく増加する。 ▲ 1 ▼ manufacturing process of the present invention that a laser using is simple, rapid, difficult to accurately aligned with respect to the substrate, the production rate is greatly increased because of not using the hardly provided a shadow mask.
【0085】 [0085]
▲2▼素子に致命的なソルベント(solvent)や湿気に対する影響を最小化するため、素子の寿命が大幅に増加する。 ▲ 2 ▼ to minimize the impact on critical solvent (Solvent) and moisture in the element, lifetime of the device is greatly increased.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】一般的なパッシブアドレス(passive addressing)の有機ELディスプレイパネルを示す平面図である。 1 is a plan view showing an organic EL display panel of a general passive address (passive addressing).
【図2】シャドーマスクを用いて第2電極をパターニングする過程を示す断面図である。 2 is a sectional view showing the process of patterning the second electrode using a shadow mask.
【図3】絶縁隔壁を用いてピクセレーションする過程を示す断面図である。 3 is a sectional view showing the process of pixelation using insulating partition wall.
【図4a】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 4a is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図4b】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 4b is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図4c】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 4c is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図4d】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 4d is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図5a】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 5a is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図5b】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 5b is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図5c】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 5c is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6a】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6a is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6b】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6b is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6c】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6c is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6d】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6d is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6e】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6e is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6f】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6f is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6g】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6g is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6h】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6h is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6i】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6i is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図6j】従来の技術による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 6j is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to the prior art.
【図7a】本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 7a is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention.
【図7b】本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 7b is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention.
【図7c】本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 7c is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention.
【図7d】本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 7d is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention.
【図7e】本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 7e is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention.
【図7f】本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 7f is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention.
【図7g】本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing an organic EL display panel manufacturing process according to the first embodiment of FIG. 7g present invention.
【図7h】本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 7h is a sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention.
【図8a】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 8a is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.
【図8b】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 8b is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.
【図8c】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 8c is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.
【図8d】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 8d is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.
【図8e】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 8e is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.
【図8f】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 8f is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.
【図8g】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing an organic EL display panel manufacturing process according to the second embodiment of Figure 8g the present invention.
【図8h】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 Figure 8h is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.
【図8i】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing an organic EL display panel manufacturing process according to the second embodiment of Figure 8i present invention.
【図8j】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing an organic EL display panel manufacturing process according to the second embodiment of Figure 8j present invention.
【図8k】本発明の第2実施形態による有機ELディスプレイパネルの製造工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing an organic EL display panel manufacturing process according to the second embodiment of Figure 8k present invention.
【図9】本発明によるレーザビームエッチングシステムを示す図である。 9 is a diagram showing a laser beam etching system according to the present invention.
【図10】本発明によるマスクを用いたレーザビームエッチング過程を示す図である。 Is a diagram showing a laser beam etching process using a mask according to the present invention; FIG.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
101 透光性基板102 第1電極103 バッファ層104 絶縁膜105a、b、c 有機EL層106a、b、c 第2電極107、107a、b、c、d 保護膜 101 light-transmitting substrate 102 first electrode 103 buffer layer 104 insulating film 105a, b, c the organic EL layer 106a, b, c second electrode 107,107a, b, c, d protective film

Claims (15)

  1. 透光性基板上に第1電極、絶縁膜を順次積層する第1ステップと、 First electrode on a transparent substrate, a first step of sequentially laminating an insulating film,
    1又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第2ステップと、 A second step of selectively removing the insulating film in a predetermined region in one or more laser beams,
    前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機EL層、第2電極を順次積層する第3ステップと、 In a predetermined region including the insulating layer, an organic EL layer having a hole transporting layer and the luminescent layer, and a third step of sequentially laminating a second electrode,
    第2ステップと第3ステップを1回または数回繰り返し行う第4ステップと を備えることを特徴とする有機ELディスプレイパネルの製造方法。 Method of manufacturing an organic EL display panel characterized by comprising a fourth step of repeatedly performing the second step and the third step once or several times.
  2. 前記第4ステップ後、隣接する二つのサブピクセルの間の絶縁膜上に形成された有機EL層及び第2電極を、1又は複数のレーザビームを用いて2部分に断ち切るステップを更に備えることを特徴とする請求項1記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 After the fourth step, that the organic EL layer and a second electrode formed on the insulating film between two adjacent sub-pixels, further comprising the step of cutting off the two parts using one or more laser beams method of manufacturing an organic EL display panel of claim 1, wherein.
  3. 前記絶縁膜と第1電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする請求項1記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 Said insulating film and method of manufacturing an organic EL display panel of claim 1, wherein the buffer layer is formed between the first electrode.
  4. 前記バッファ層は、絶縁性のよい無機物又は有機物で形成されることを特徴とする請求項3記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 The buffer layer manufacturing method of the organic EL display panel according to claim 3, characterized in that it is formed by good inorganic or organic insulating property.
  5. 前記第1ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする請求項1記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 Wherein after the first step, the manufacturing method according to claim 1 the organic EL display panel, wherein removing the solvent and moisture of the insulating film.
  6. 前記絶縁膜の厚さは0.1〜100μmであることを特徴とする請求項1記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 The organic EL display panel manufacturing method of claim 1, wherein the thickness of the insulating film is 0.1 to 100 [mu] m.
  7. 前記第2ステップは、真空又は乾燥した不活性気体雰囲気下で行われることを特徴とする請求項1記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 The second step is a method of manufacturing an organic EL display panel of claim 1, wherein a carried out under an inert gas atmosphere with a vacuum or dry.
  8. 前記第4ステップ後、前記基板の所定領域に保護膜を形成することを特徴とする請求項1記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 Wherein after the fourth step, the method of manufacturing the organic EL display panel of claim 1, wherein the forming a protective film on a predetermined region of the substrate.
  9. 前記保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする請求項記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 The protective layer moisture absorbent or a method of manufacturing an organic EL display panel of claim 8, wherein the mixtures thereof.
  10. 透光性基板上に第1電極、絶縁膜を順次積層する第1ステップと、 First electrode on a transparent substrate, a first step of sequentially laminating an insulating film,
    1又は複数のレーザビームで所定領域の絶縁膜を選択的に除去する第2ステップと、 A second step of selectively removing the insulating film in a predetermined region in one or more laser beams,
    前記絶縁膜を含む所定領域に、正孔輸送層および発光層を有する有機EL層、第2電極、 第1保護膜を順次積層する第3ステップと、 In a predetermined region including the insulating layer, an organic EL layer having a hole transporting layer and the luminescent layer, and a third step of laminating the second electrode, the first protective layer sequentially
    前記第2ステップと第3ステップを1回または数回繰り返し行う第4ステップと を備えることを特徴とする有機ELディスプレイパネルの製造方法。 The second step and the organic EL display panel manufacturing method characterized in that it comprises a fourth step of repeatedly carried out once or several times a third step.
  11. 前記第3ステップで形成された第1保護膜は、吸湿剤またはその混合物を含むことを特徴とする請求項10記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 The third first protective film formed in step, a method of manufacturing an organic EL display panel of claim 10, wherein it contains a hygroscopic agent, or mixtures thereof.
  12. 前記絶縁膜と第1電極との間にはバッファ層が形成されることを特徴とする請求項10記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 Said insulating film and method of manufacturing an organic EL display panel of claim 10, wherein the buffer layer is formed between the first electrode.
  13. 前記第1ステップ後、前記絶縁膜のソルベント及び湿気を除去することを特徴とする請求項10記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 Wherein after the first step, the manufacturing method of claim 10 organic EL display panel, wherein removing the solvent and moisture of the insulating film.
  14. 前記第4ステップ後、前記基板の所定領域に前記第1保護膜と異なる第2保護膜を形成することを特徴とする請求項10記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 Wherein after the fourth step, the method of manufacturing the organic EL display panel of claim 10, wherein it is characterized in that forming the first protective layer is different from the second protective layer in a predetermined area of the substrate.
  15. 前記第2保護膜は吸湿剤又はその混合物を含むことを特徴とする請求項14記載の有機ELディスプレイパネルの製造方法。 The second protective film manufacturing method of the organic EL display panel of claim 14, characterized in that it comprises a moisture absorbent or a mixture thereof.
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