JPH11111465A - 有機ｅｌ素子及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11111465A JPH11111465A JP10197821A JP19782198A JPH11111465A JP H11111465 A JPH11111465 A JP H11111465A JP 10197821 A JP10197821 A JP 10197821A JP 19782198 A JP19782198 A JP 19782198A JP H11111465 A JPH11111465 A JP H11111465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- organic
- partition
- film
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K aluminum;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 有機ＥＬ素子の製造方法は、透明基板上
に複数個の第１電極を一定の間隙に形成する第１工程
と、前記第１電極上に、下部面が上部面よりも広い台形
構造を有するとともに電気絶縁物質からなる多数の隔壁
を形成する第２工程と、前記隔壁上部を含む全面に有機
積層膜、第２電極、第１保護膜を順次に形成する第３工
程と、隣接するピクセルが電気的に絶縁されるように、
隔壁上部側の第２電極を完全に除去し、有機積層膜の一
部を除去する第４工程と、そして前記除去された表面上
に第２保護層を形成する第５工程と、を備える。
に複数個の第１電極を一定の間隙に形成する第１工程
と、前記第１電極上に、下部面が上部面よりも広い台形
構造を有するとともに電気絶縁物質からなる多数の隔壁
を形成する第２工程と、前記隔壁上部を含む全面に有機
積層膜、第２電極、第１保護膜を順次に形成する第３工
程と、隣接するピクセルが電気的に絶縁されるように、
隔壁上部側の第２電極を完全に除去し、有機積層膜の一
部を除去する第４工程と、そして前記除去された表面上
に第２保護層を形成する第５工程と、を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はディスプレイ素子に
関し、特に有機ＥＬ素子(organic electroluminescent
device)及びその製造方法に関する。
関し、特に有機ＥＬ素子(organic electroluminescent
device)及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＬＥＤ(Light Emitting Diode)とも
呼ばれる有機ＥＬ素子はＦＰＤ(FlatPanel Display)に
応用可能であって、とても人気のある素子である。なぜ
ならば、有機ＥＬ素子は、非常に薄く、マトリックス状
にアドレスを呼び出すことができ、相対的に低い電圧
（一般に１５Ｖ以下）でも動作可能であるという長所が
あるからである。又、有機ＥＬ素子は、視野角に殆ど依
存せず、撓み易い基板上でも素子の形状が安定するの
で、次代のＦＰＤに適する。
呼ばれる有機ＥＬ素子はＦＰＤ(FlatPanel Display)に
応用可能であって、とても人気のある素子である。なぜ
ならば、有機ＥＬ素子は、非常に薄く、マトリックス状
にアドレスを呼び出すことができ、相対的に低い電圧
（一般に１５Ｖ以下）でも動作可能であるという長所が
あるからである。又、有機ＥＬ素子は、視野角に殆ど依
存せず、撓み易い基板上でも素子の形状が安定するの
で、次代のＦＰＤに適する。
【０００３】この有機ＥＬ素子は一般的な無機ＥＬ素子
とは実質的に異なるが、特に有機ＥＬ素子は低い直流電
圧でも動作可能である点で違いがある。
とは実質的に異なるが、特に有機ＥＬ素子は低い直流電
圧でも動作可能である点で違いがある。
【０００４】今までの持続的な研究の結果、有機ＥＬ素
子は効率面及びカラー調整面で商業的に様々に応用され
得ることが分かったので、有機ＥＬ素子は商業的に大き
な価値があると期待される。しかしながら、有機ＥＬ素
子を商業化するためには製造性、均一性、信頼性、シス
テム等のいろいろの問題を解決しなければならない。特
に、有機ＥＬ素子を商業化するに先だって解決すべき問
題の一つはピクセレーション(pixellation)である。従
来のピクセレーション技術は、溶媒に極めて弱い有機物
質の性質に起因して幾多の工程上の困難さを経てきた。
このため、かかる問題を解決するべく、シャドー効果(s
hadowing effect)を利用して膜をパターニングする方法
が提示される。
子は効率面及びカラー調整面で商業的に様々に応用され
得ることが分かったので、有機ＥＬ素子は商業的に大き
な価値があると期待される。しかしながら、有機ＥＬ素
子を商業化するためには製造性、均一性、信頼性、シス
テム等のいろいろの問題を解決しなければならない。特
に、有機ＥＬ素子を商業化するに先だって解決すべき問
題の一つはピクセレーション(pixellation)である。従
来のピクセレーション技術は、溶媒に極めて弱い有機物
質の性質に起因して幾多の工程上の困難さを経てきた。
このため、かかる問題を解決するべく、シャドー効果(s
hadowing effect)を利用して膜をパターニングする方法
が提示される。
【０００５】Ｃ．Ｔａｎｇら、米国特許第５，２９４，
８７０号では隔壁(partition walls)を用いてシャドー
効果を与える。これにより、透明支持体上に所定角度ほ
ど斜めにして第２電極物質を蒸着すると、相対的に高い
隔壁により分離されて各々の第２電極帯(strip)が形成
される。しかしながら、この方法は大量生産には適しな
い。なぜならば、蒸気状の蒸着物質はあちこちに散漫に
回折する性質を有することから、蒸着物質が蒸着される
角度が多様になるため、全パネルの表面上に一定に蒸着
物質を蒸着し難く、生産収率も十分な水準ではないから
である。
８７０号では隔壁(partition walls)を用いてシャドー
効果を与える。これにより、透明支持体上に所定角度ほ
ど斜めにして第２電極物質を蒸着すると、相対的に高い
隔壁により分離されて各々の第２電極帯(strip)が形成
される。しかしながら、この方法は大量生産には適しな
い。なぜならば、蒸気状の蒸着物質はあちこちに散漫に
回折する性質を有することから、蒸着物質が蒸着される
角度が多様になるため、全パネルの表面上に一定に蒸着
物質を蒸着し難く、生産収率も十分な水準ではないから
である。
【０００６】ゆえに、Ｋ．Ｎａｇａｙａｍａら、米国特
許第５，７０１，０５５号では、小さな傘束のような形
状の電気絶縁隔壁(electrically insulating ramparts)
を用いた、新たな方法を提示している。この方法は、米
国特許第５，２９４，８７０号に示すように物質の蒸着
時に所定角ほど傾けて蒸着する必要がないため、効果的
である。
許第５，７０１，０５５号では、小さな傘束のような形
状の電気絶縁隔壁(electrically insulating ramparts)
を用いた、新たな方法を提示している。この方法は、米
国特許第５，２９４，８７０号に示すように物質の蒸着
時に所定角ほど傾けて蒸着する必要がないため、効果的
である。
【０００７】図１ａ〜図１ｄは、米国特許第５，７０
１，０５５号に提示された製造工程を示す図である。
１，０５５号に提示された製造工程を示す図である。
【０００８】まず、図１ａに示すように、透明基板１上
にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる第１電極２を形成
し、その上に絶縁膜３パターンを形成する。
にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる第１電極２を形成
し、その上に絶縁膜３パターンを形成する。
【０００９】図１ｂに示すように、各絶縁膜３パターン
の中間領域にフォトレジストからなる隔壁４を形成す
る。ここで、隔壁４の上部のオーバーハング(overhang)
８は、蒸気状の蒸着物質を分離させるシャドーの役割を
果たすため、非常に大切である。
の中間領域にフォトレジストからなる隔壁４を形成す
る。ここで、隔壁４の上部のオーバーハング(overhang)
８は、蒸気状の蒸着物質を分離させるシャドーの役割を
果たすため、非常に大切である。
【００１０】図１ｃに示すように、全面に正孔注入輸送
層、発光層、電子注入輸送層等からなる有機積層膜５、
第２電極６を順次に蒸着することにより、隔壁を介在し
て有機積層膜５及び第２電極６が隔壁４の両側に分離さ
れるようにしてピクセレーションがなされるようにす
る。すなわち、隔壁４のオーバーハング８が横方向に広
くなっていることから、隔壁４上に蒸着された第２電極
６と隔壁４間に形成された第２電極６とは物理的に断ち
切られ、ついには電気的に絶縁されるため、ピクセレー
ションが可能となる。ここで、大切なことは、隔壁４の
側面にはシャドー効果により蒸着物資が形成されないか
ら、２つの隣接するピクセル間が確実に電気的に絶縁さ
れるという点である。
層、発光層、電子注入輸送層等からなる有機積層膜５、
第２電極６を順次に蒸着することにより、隔壁を介在し
て有機積層膜５及び第２電極６が隔壁４の両側に分離さ
れるようにしてピクセレーションがなされるようにす
る。すなわち、隔壁４のオーバーハング８が横方向に広
くなっていることから、隔壁４上に蒸着された第２電極
６と隔壁４間に形成された第２電極６とは物理的に断ち
切られ、ついには電気的に絶縁されるため、ピクセレー
ションが可能となる。ここで、大切なことは、隔壁４の
側面にはシャドー効果により蒸着物資が形成されないか
ら、２つの隣接するピクセル間が確実に電気的に絶縁さ
れるという点である。
【００１１】次いで、図１ｄに示すように、第２電極６
を含む全面に、保護膜、吸湿膜、防湿膜等からなる封緘
(encapsulation)層７を形成することにより、有機ＥＬ
素子を作製する。
を含む全面に、保護膜、吸湿膜、防湿膜等からなる封緘
(encapsulation)層７を形成することにより、有機ＥＬ
素子を作製する。
【００１２】このように、米国特許第５，７０１，０５
５号の特徴は、隔壁のオーバーハングを用いて第２電極
を物理的に断絶させて効果的にピクセレーションさせる
ことである。
５号の特徴は、隔壁のオーバーハングを用いて第２電極
を物理的に断絶させて効果的にピクセレーションさせる
ことである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術による有機
ＥＬ素子においては次のような問題点があった。
ＥＬ素子においては次のような問題点があった。
【００１４】第１に、米国特許第５，７０１，０５５号
に示す隔壁の形態はさまざまであるが、上記図１ｂに示
すような隔壁が最も典型的な形態である。しかしなが
ら、かかる形態の隔壁は、第２電極縁で第１電極と第２
電極との間に電気的短絡が発生し易い。このため、これ
を防止するための絶縁膜パターンが追加されるため、工
程が複雑となる。
に示す隔壁の形態はさまざまであるが、上記図１ｂに示
すような隔壁が最も典型的な形態である。しかしなが
ら、かかる形態の隔壁は、第２電極縁で第１電極と第２
電極との間に電気的短絡が発生し易い。このため、これ
を防止するための絶縁膜パターンが追加されるため、工
程が複雑となる。
【００１５】第２に、米国特許第５，７０１，０５５号
において大切な役割をする隔壁のオーバーハングは、安
定した場合にのみ良好の効果が現れる。しかし、安定し
たオーバーハングを有する隔壁を作るためには極めて精
巧な工程を必要とするため、製造し難い。
において大切な役割をする隔壁のオーバーハングは、安
定した場合にのみ良好の効果が現れる。しかし、安定し
たオーバーハングを有する隔壁を作るためには極めて精
巧な工程を必要とするため、製造し難い。
【００１６】第３に、隔壁形成後に、連続的な製造工程
に因り隔壁の一部又は隔壁上に形成された膜が取れるた
め、素子を傷つけることがある。
に因り隔壁の一部又は隔壁上に形成された膜が取れるた
め、素子を傷つけることがある。
【００１７】このような問題を解決するための本発明
は、安定的な構造を有する隔壁を用いて簡単にピクセレ
ーションすることのできる有機ＥＬ素子及びその製造方
法を提供することにその目的がある。
は、安定的な構造を有する隔壁を用いて簡単にピクセレ
ーションすることのできる有機ＥＬ素子及びその製造方
法を提供することにその目的がある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明による有機ＥＬ素
子の特徴は、第１電極上に突出配置されるとともに下部
面が上部面よりも広い台形構造を有する電気絶縁性の隔
壁を備え、隔壁の上部側の第２電極と有機積層膜とは断
ち切られ、各ピクセルは電気的に絶縁されることにあ
る。
子の特徴は、第１電極上に突出配置されるとともに下部
面が上部面よりも広い台形構造を有する電気絶縁性の隔
壁を備え、隔壁の上部側の第２電極と有機積層膜とは断
ち切られ、各ピクセルは電気的に絶縁されることにあ
る。
【００１９】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の特徴
は、透明基板上に複数個の第１電極を一定の間隙に形成
する第１工程と、第１電極上に、下部面が上部面よりも
広い台形構造を有するとともに電気絶縁物質からなる多
数の隔壁を形成する第２工程と、隔壁上部を含む全面に
有機積層膜、第２電極、第１保護膜を順次に形成する第
３工程と、隣接するピクセルが電気的に絶縁されるよう
に、隔壁の上部側の第２電極を完全に除去し且つ有機積
層膜の一部を除去する第４工程と、そして除去された表
面上に第２保護層を形成する第５工程とを包含すること
にある。
は、透明基板上に複数個の第１電極を一定の間隙に形成
する第１工程と、第１電極上に、下部面が上部面よりも
広い台形構造を有するとともに電気絶縁物質からなる多
数の隔壁を形成する第２工程と、隔壁上部を含む全面に
有機積層膜、第２電極、第１保護膜を順次に形成する第
３工程と、隣接するピクセルが電気的に絶縁されるよう
に、隔壁の上部側の第２電極を完全に除去し且つ有機積
層膜の一部を除去する第４工程と、そして除去された表
面上に第２保護層を形成する第５工程とを包含すること
にある。
【００２０】本発明の有機ＥＬ素子は、第１電極、有機
積層膜、第２電極からなる多数のピクセルを含む発光素
子において、該第１電極上に突出配置されるとともに、
下部面が上部面よりも広い台形構造を有する電気絶縁性
の隔壁を備え、該隔壁上部側の第２電極と有機積層膜と
は断ち切られ、該各ピクセルは電気的に絶縁される。
積層膜、第２電極からなる多数のピクセルを含む発光素
子において、該第１電極上に突出配置されるとともに、
下部面が上部面よりも広い台形構造を有する電気絶縁性
の隔壁を備え、該隔壁上部側の第２電極と有機積層膜と
は断ち切られ、該各ピクセルは電気的に絶縁される。
【００２１】好適な実施態様において、上記隔壁は、フ
ォトレジスト、シリコン窒化物、およびシリコン酸化物
のうち何れか一物質で形成される。
ォトレジスト、シリコン窒化物、およびシリコン酸化物
のうち何れか一物質で形成される。
【００２２】好適な実施態様において、上記各ピクセル
上にのみ形成される第１保護膜と、上記第１保護膜を含
む全面に形成される第２保護膜とを更に備える。
上にのみ形成される第１保護膜と、上記第１保護膜を含
む全面に形成される第２保護膜とを更に備える。
【００２３】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、透明
基板上に複数個の第１電極を一定の間隙に形成する第１
工程と、該第１電極上に、下部面が上部面よりも広い台
形構造を有するとともに電気絶縁物質からなる多数の隔
壁を形成する第２工程と、該隔壁上部を含む全面に有機
積層膜、第２電極、第１保護膜を順次に形成する第３工
程と、隣接するピクセルが電気的に絶縁されるように、
隔壁上部側の第２電極を完全に除去し、有機積層膜の一
部を除去する第４工程と、そして該除去された表面上に
第２保護層を形成する第５工程と、を包含する。
基板上に複数個の第１電極を一定の間隙に形成する第１
工程と、該第１電極上に、下部面が上部面よりも広い台
形構造を有するとともに電気絶縁物質からなる多数の隔
壁を形成する第２工程と、該隔壁上部を含む全面に有機
積層膜、第２電極、第１保護膜を順次に形成する第３工
程と、隣接するピクセルが電気的に絶縁されるように、
隔壁上部側の第２電極を完全に除去し、有機積層膜の一
部を除去する第４工程と、そして該除去された表面上に
第２保護層を形成する第５工程と、を包含する。
【００２４】好適な実施態様において、上記第１保護膜
は、スピンコーティングまたはドクターブレードで形成
される。
は、スピンコーティングまたはドクターブレードで形成
される。
【００２５】好適な実施態様において、上記隔壁は、フ
ォトレジスト、シリコン窒化物、およびシリコン酸化物
のうち何れかで形成される。
ォトレジスト、シリコン窒化物、およびシリコン酸化物
のうち何れかで形成される。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機ＥＬ素子及び
その製造方法を添付図面に基づき説明する。
その製造方法を添付図面に基づき説明する。
【００２７】図２ａ〜図２ｅは本発明の有機ＥＬ素子の
製造工程を示す工程断面図である。
製造工程を示す工程断面図である。
【００２８】まず、図２ａに示すように、透明基板１１
上に複数個の第１電極１２を一方向に一定の間隙を有す
るように形成する。
上に複数個の第１電極１２を一方向に一定の間隙を有す
るように形成する。
【００２９】図２ｂに示すように、第１電極１２を含む
全面に、電極間の電気的絶縁のためにフォトレジスト、
シリコン酸化物、シリコン窒化物等の有機物又は無機物
を形成し、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工
程により一定の高さの隔壁１３を一定の間隙に形成す
る。隔壁１３は底面が上面よりも広い台形構造に形成す
るが、隔壁１３の底面角（θ）は９０度以下になること
が好ましい。この台形状の隔壁１３は全体的に安定な構
造を有するため、従来のような工程の困難さが無く、素
子を容易に製造することができる。ここで、隔壁１３の
高さは約５００〜１０,０００ｎｍ程度であるが、約２
０００ｎｍ程度が最も好ましい。隔壁１３の幅は、ピク
セル間のピッチ(pitch)等のような解像度に応じて多少
変わるが、１００〜５０,０００ｎｍ程度とする。
全面に、電極間の電気的絶縁のためにフォトレジスト、
シリコン酸化物、シリコン窒化物等の有機物又は無機物
を形成し、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工
程により一定の高さの隔壁１３を一定の間隙に形成す
る。隔壁１３は底面が上面よりも広い台形構造に形成す
るが、隔壁１３の底面角（θ）は９０度以下になること
が好ましい。この台形状の隔壁１３は全体的に安定な構
造を有するため、従来のような工程の困難さが無く、素
子を容易に製造することができる。ここで、隔壁１３の
高さは約５００〜１０,０００ｎｍ程度であるが、約２
０００ｎｍ程度が最も好ましい。隔壁１３の幅は、ピク
セル間のピッチ(pitch)等のような解像度に応じて多少
変わるが、１００〜５０,０００ｎｍ程度とする。
【００３０】次いで、隔壁１３の形成された透明基板１
１を真空熱処理(vacuum annealing)及びＵＶ硬化(UV ha
rdening)させる。特に、隔壁１３がフォトレジスト等の
有機物質からなる場合には、溶媒(solvent)が完全に除
去された状態で硬化されるようにする。従来では、隔壁
のオーバーハングが他部分よりも熱に敏感なので更に壊
れやすかった。しかし、本発明の隔壁１３は従来に比べ
て構造的に安定であり、熱処理にも余り敏感でない。
１を真空熱処理(vacuum annealing)及びＵＶ硬化(UV ha
rdening)させる。特に、隔壁１３がフォトレジスト等の
有機物質からなる場合には、溶媒(solvent)が完全に除
去された状態で硬化されるようにする。従来では、隔壁
のオーバーハングが他部分よりも熱に敏感なので更に壊
れやすかった。しかし、本発明の隔壁１３は従来に比べ
て構造的に安定であり、熱処理にも余り敏感でない。
【００３１】図２ｃに示すように、隔壁１３を含む透明
基板１１の全面に、正孔注入輸送層、発光層、電子注入
輸送層等からなる有機積層膜１４、第２電極１５、第１
保護層１６を順次に形成する。ここで、一般的に緑色光
を発光する有機積層膜１４は、約１０〜２０ｎｍの厚
さの、フタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）からなるバッファ
層、約３０〜５０ｎｍの厚さの、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−４，４’
−ジアミン（ＴＰＤ）からなる正孔輸送層、クマリン
(coumarin)６のドーパント(dopant)がドーピング(dopin
g)され、トリス（８−ヒドロキシ−キノールエート）ア
ルミニウム（Ａｌｑ３）からなる発光層から構成され
る。この際、発光層の厚さは約４０〜６０ｎｍであり、
ドーパントの濃度は約１．０ｗｔ.％である。そして、
第２電極１５は、アルミニウム、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ａ
ｇのうち何れか一つからなる。又、第１保護膜１６は、
湿気及び酸素から有機ＥＬ素子を保護する役割を果た
し、金属、合金、有機物質のうち何れか一つ或いは２つ
以上の物質からなるが、上部表面が平坦化されるように
形成する。この際、第１保護膜１６を平坦化する理由
は、次工程で隔壁１３の上部に形成された第２電極１５
及び有機積層膜１４をエッチングする際、各隔壁１３の
間の発光領域にある第２電極１５及び有機積層膜１４は
エッチングされないようにするためである。そして、湿
気を防止するべく第１保護膜１６を吸湿層、防湿層、平
坦層を積層して形成し、平坦化するべく最外郭層をスピ
ンコーティング(spin coating)、ドクターブレード(Dr.
Blade)法で形成する。
基板１１の全面に、正孔注入輸送層、発光層、電子注入
輸送層等からなる有機積層膜１４、第２電極１５、第１
保護層１６を順次に形成する。ここで、一般的に緑色光
を発光する有機積層膜１４は、約１０〜２０ｎｍの厚
さの、フタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）からなるバッファ
層、約３０〜５０ｎｍの厚さの、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−４，４’
−ジアミン（ＴＰＤ）からなる正孔輸送層、クマリン
(coumarin)６のドーパント(dopant)がドーピング(dopin
g)され、トリス（８−ヒドロキシ−キノールエート）ア
ルミニウム（Ａｌｑ３）からなる発光層から構成され
る。この際、発光層の厚さは約４０〜６０ｎｍであり、
ドーパントの濃度は約１．０ｗｔ.％である。そして、
第２電極１５は、アルミニウム、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ａ
ｇのうち何れか一つからなる。又、第１保護膜１６は、
湿気及び酸素から有機ＥＬ素子を保護する役割を果た
し、金属、合金、有機物質のうち何れか一つ或いは２つ
以上の物質からなるが、上部表面が平坦化されるように
形成する。この際、第１保護膜１６を平坦化する理由
は、次工程で隔壁１３の上部に形成された第２電極１５
及び有機積層膜１４をエッチングする際、各隔壁１３の
間の発光領域にある第２電極１５及び有機積層膜１４は
エッチングされないようにするためである。そして、湿
気を防止するべく第１保護膜１６を吸湿層、防湿層、平
坦層を積層して形成し、平坦化するべく最外郭層をスピ
ンコーティング(spin coating)、ドクターブレード(Dr.
Blade)法で形成する。
【００３２】次いで、図２ｄに示すように、２つの隣接
するピクセル間の電気絶縁のために、隔壁１３の上部側
の第２電極１５が完全に除去されるように上部層をエッ
チングする。ここで、エッチング工程には反応性イオン
エッチング等の乾式エッチング方法を使用する。そし
て、作動圧力(working pressure)やプラズマパワー(pla
sma power)等のエッチングパラメーター(etching param
eter)、エッチングガスは、物質を均衡的に除去可能な
ように選択される。
するピクセル間の電気絶縁のために、隔壁１３の上部側
の第２電極１５が完全に除去されるように上部層をエッ
チングする。ここで、エッチング工程には反応性イオン
エッチング等の乾式エッチング方法を使用する。そし
て、作動圧力(working pressure)やプラズマパワー(pla
sma power)等のエッチングパラメーター(etching param
eter)、エッチングガスは、物質を均衡的に除去可能な
ように選択される。
【００３３】図２ｅに示すように、エッチングされた表
面上に第２保護膜１７を形成することにより、素子を完
成する。ここで、第２保護膜１７は第１保護膜１６のよ
うに平坦化する必要がない。
面上に第２保護膜１７を形成することにより、素子を完
成する。ここで、第２保護膜１７は第１保護膜１６のよ
うに平坦化する必要がない。
【００３４】
【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子及びその製造方法
では次のような効果がある。
では次のような効果がある。
【００３５】従来のようなオーバーハングを有する隔壁
を使用せずに、安定且つ簡単な構造の隔壁を使用するた
め、製造が容易であり、収率が向上する。
を使用せずに、安定且つ簡単な構造の隔壁を使用するた
め、製造が容易であり、収率が向上する。
【００３６】更に、安定且つ堅固な隔壁は素子の安定性
を長い間維持する。
を長い間維持する。
【図１】ａ〜ｄは従来の技術の有機ＥＬ素子の製造工程
を示す工程断面図である。
を示す工程断面図である。
【図２】ａ〜ｅは本発明の有機ＥＬ素子の製造工程を示
す工程断面図である。
す工程断面図である。
１１ 透明基板 １２ 第１電極 １３ 隔壁 １４ 有機積層膜 １５ 第２電極 １６ 第１保護膜 １７ 第２保護膜
Claims (6)
- 【請求項１】 第１電極、有機積層膜、第２電極からな
る多数のピクセルを含む発光素子において、 該第１電極上に突出配置されるとともに、下部面が上部
面よりも広い台形構造を有する電気絶縁性の隔壁を備
え、 該隔壁上部側の第２電極と有機積層膜とは断ち切られ、
該各ピクセルは電気的に絶縁されることを特徴とする有
機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記隔壁は、フォトレジスト、シリコン
窒化物、およびシリコン酸化物のうち何れか一物質で形
成されることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素
子。 - 【請求項３】 前記各ピクセル上にのみ形成される第１
保護膜と、前記第１保護膜を含む全面に形成される第２
保護膜とを更に備えることを特徴とする請求項１記載の
有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 透明基板上に複数個の第１電極を一定の
間隙に形成する第１工程と、 該第１電極上に、下部面が上部面よりも広い台形構造を
有するとともに電気絶縁物質からなる多数の隔壁を形成
する第２工程と、 該隔壁上部を含む全面に有機積層膜、第２電極、第１保
護膜を順次に形成する第３工程と、 隣接するピクセルが電気的に絶縁されるように、隔壁上
部側の第２電極を完全に除去し、有機積層膜の一部を除
去する第４工程と、そして該除去された表面上に第２保
護層を形成する第５工程と、を包含することを特徴とす
る有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１保護膜は、スピンコーティング
またはドクターブレードで形成されることを特徴とする
請求項４記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記隔壁は、フォトレジスト、シリコン
窒化物、およびシリコン酸化物のうち何れかで形成され
ることを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ素子の製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970047579A KR100244185B1 (ko) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR1997-47579 | 1997-09-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111465A true JPH11111465A (ja) | 1999-04-23 |
| JP4588813B2 JP4588813B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=19521385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19782198A Expired - Lifetime JP4588813B2 (ja) | 1997-09-18 | 1998-07-13 | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6099746A (ja) |
| EP (1) | EP0917410B1 (ja) |
| JP (1) | JP4588813B2 (ja) |
| KR (1) | KR100244185B1 (ja) |
| CN (1) | CN1134850C (ja) |
| DE (1) | DE69825705T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100635044B1 (ko) * | 2002-01-14 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자의 제조방법 및 이에 따른유기전계발광표시소자 |
| JP2008177169A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Toppoly Optoelectronics Corp | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイデバイス及びその製造方法 |
| KR20170118019A (ko) * | 2013-03-15 | 2017-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 유기 디바이스의 제조 방법 및 유기 디바이스의 제조 장치 |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6449024B1 (en) | 1996-01-26 | 2002-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Inc. | Liquid crystal electro-optical device utilizing a polymer with an anisotropic refractive index |
| US7090890B1 (en) * | 1998-04-13 | 2006-08-15 | The Trustees Of Princeton University | Modification of polymer optoelectronic properties after film formation by impurity addition or removal |
| EP1096568A3 (en) * | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
| JP4004709B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-11-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
| AU2001253472A1 (en) * | 2000-04-14 | 2001-10-30 | Emagin Corporation | Improved method of fabrication and extraction of light from color changing medium layers in organic light emitting devices |
| KR100432344B1 (ko) * | 2001-04-04 | 2004-05-22 | 헬릭스 테크놀로지 인코퍼레이티드 | 유기 발광 다이오드 제조 방법 |
| KR100773873B1 (ko) * | 2001-04-09 | 2007-11-06 | 쿄세라 코포레이션 | 유기 전자 발광 소자의 구조 및 그 제조 방법 |
| JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| KR100413450B1 (ko) | 2001-07-20 | 2003-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 표시소자의 보호막 구조 |
| KR100736578B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2007-07-06 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 패널 및 그의 제조방법 |
| KR100774878B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 패널의 제조방법 |
| AU2003253719A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix display devices, and their manufacture |
| WO2003079442A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture |
| KR100435054B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2004-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| SG130013A1 (en) * | 2002-07-25 | 2007-03-20 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating light emitting device |
| GB2391686B (en) | 2002-07-31 | 2006-03-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Electroluminescent display and process for producing the same |
| GB2416066B (en) * | 2002-07-31 | 2006-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Electroluminescent display and process for producing the same |
| KR100675625B1 (ko) | 2002-08-08 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| US20040048033A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-03-11 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd. | Oled devices with improved encapsulation |
| US6887733B2 (en) * | 2002-09-11 | 2005-05-03 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Method of fabricating electronic devices |
| US7224116B2 (en) | 2002-09-11 | 2007-05-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of active electronic devices |
| US7193364B2 (en) * | 2002-09-12 | 2007-03-20 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Encapsulation for organic devices |
| KR100528910B1 (ko) * | 2003-01-22 | 2005-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자 유기 전계 발광 소자 |
| WO2004084590A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JP2004296665A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置、および電子機器 |
| US6853133B2 (en) * | 2003-05-07 | 2005-02-08 | Eastman Kodak Company | Providing an emission-protecting layer in an OLED device |
| TWI241148B (en) * | 2003-05-21 | 2005-10-01 | Pioneer Corp | Organic electroluminescence display panel |
| KR100496425B1 (ko) * | 2003-05-30 | 2005-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| US20040238846A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-02 | Georg Wittmann | Organic electronic device |
| CN100355096C (zh) * | 2003-09-23 | 2007-12-12 | 晶元光电股份有限公司 | 具有热吸收层的发光元件的制造方法 |
| JP2005142054A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置および電子機器 |
| CN100359706C (zh) * | 2004-03-26 | 2008-01-02 | 晶元光电股份有限公司 | 具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件 |
| CN100350642C (zh) * | 2004-03-26 | 2007-11-21 | 晶元光电股份有限公司 | 垂直结构的有机粘结发光组件 |
| CN100359711C (zh) * | 2004-08-17 | 2008-01-02 | 友达光电股份有限公司 | 顶发光型有机发光二极管结构及其制作方法 |
| CN100456515C (zh) * | 2004-11-15 | 2009-01-28 | 胜华科技股份有限公司 | 一种电极隔离壁的制作方法 |
| US7235463B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-06-26 | Wintek Corporation | Method for fabricating an electrical insulator |
| US7333790B2 (en) * | 2005-04-08 | 2008-02-19 | Broadcom Corporation | Method and apparatus for generating arbitrary phase shift using a phase shifter based on adding two perpendicular vectors with variable gains |
| TWI267447B (en) * | 2005-11-25 | 2006-12-01 | Icf Technology Co Ltd | Method of manufacturing a thin film pattern layer |
| TWI307978B (en) * | 2006-04-28 | 2009-03-21 | Au Optronics Corp | Cascade organic electroluminescent device |
| CN100463214C (zh) * | 2006-06-02 | 2009-02-18 | 友达光电股份有限公司 | 串联式有机电激发光装置 |
| KR101424260B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2014-08-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| KR101423685B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2014-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| US8599465B2 (en) * | 2010-09-23 | 2013-12-03 | Incha Hsieh | Method for making an electrowetting device |
| TWI462635B (zh) * | 2011-12-22 | 2014-11-21 | Au Optronics Corp | 有機電致發光裝置 |
| JP6139196B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-05-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| KR20140113386A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 유기 디바이스의 제조 방법, 유기 디바이스의 제조 장치 및 유기 디바이스 |
| JP6444446B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2018-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| CN109300939B (zh) * | 2018-08-30 | 2022-02-01 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法、显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06267657A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Hitachi Maxell Ltd | 面状発光体 |
| JPH08202287A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Futaba Corp | 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法 |
| JPH08227276A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
| JPH0982475A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Sharp Corp | 薄膜カラーｅｌパネル及びその製造方法 |
| WO1997031508A1 (fr) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique et procede de fabrication |
| JPH1174082A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Seiko Epson Corp | 発光ディスプレイ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650692A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Planar Systems, Inc. | Electroluminescent device construction employing polymer derivative coating |
| WO1998036407A1 (en) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Seiko Epson Corporation | Display device |
-
1997
- 1997-09-18 KR KR1019970047579A patent/KR100244185B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-04-10 US US09/058,293 patent/US6099746A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-30 EP EP98303389A patent/EP0917410B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-30 DE DE69825705T patent/DE69825705T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-29 CN CNB981087140A patent/CN1134850C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-13 JP JP19782198A patent/JP4588813B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06267657A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Hitachi Maxell Ltd | 面状発光体 |
| JPH08202287A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Futaba Corp | 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法 |
| JPH08227276A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
| JPH0982475A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Sharp Corp | 薄膜カラーｅｌパネル及びその製造方法 |
| WO1997031508A1 (fr) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique et procede de fabrication |
| JPH1174082A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Seiko Epson Corp | 発光ディスプレイ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100635044B1 (ko) * | 2002-01-14 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자의 제조방법 및 이에 따른유기전계발광표시소자 |
| JP2008177169A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Toppoly Optoelectronics Corp | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイデバイス及びその製造方法 |
| KR20170118019A (ko) * | 2013-03-15 | 2017-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 유기 디바이스의 제조 방법 및 유기 디바이스의 제조 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990025797A (ko) | 1999-04-06 |
| EP0917410A1 (en) | 1999-05-19 |
| EP0917410B1 (en) | 2004-08-18 |
| DE69825705D1 (de) | 2004-09-23 |
| JP4588813B2 (ja) | 2010-12-01 |
| CN1211829A (zh) | 1999-03-24 |
| US6099746A (en) | 2000-08-08 |
| DE69825705T2 (de) | 2005-01-13 |
| CN1134850C (zh) | 2004-01-14 |
| KR100244185B1 (ko) | 2000-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11111465A (ja) | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| US10411223B2 (en) | Organic electroluminescence device and illumination device | |
| JP4684378B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 | |
| US6664730B2 (en) | Electrode structure of el device | |
| US8193018B2 (en) | Patterning method for light-emitting devices | |
| JP3641963B2 (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP2010108949A (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
| JP2003100466A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| WO2012086758A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
| KR20100106366A (ko) | 유기 반도체 디바이스 제조 방법 및 유기 반도체 디바이스 | |
| JP2008108680A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH11312583A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| US6717356B1 (en) | Organic electroluminescent device with trapezoidal walls | |
| KR100606668B1 (ko) | 유기ｅｌ 디스플레이 소자 제조방법 | |
| KR100612118B1 (ko) | 다층 구조의 격벽 구조물을 포함하는 유기 전계발광소자및 그의 제조 방법 | |
| JP3531597B2 (ja) | 有機電界発光装置 | |
| KR101157263B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100417921B1 (ko) | 캔리스 유기 전계 발광 디스플레이 | |
| KR100304880B1 (ko) | 유기이엘(el)디스플레이패널제조방법 | |
| JP5857333B2 (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP2000243579A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| KR20070056175A (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100858819B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 유기발광 소자 | |
| KR20040103059A (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
| JP2003045642A (ja) | 表示素子とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050712 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080804 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081029 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090327 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100902 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100909 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |