JPH11312583A - Ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH11312583A JPH11312583A JP10134317A JP13431798A JPH11312583A JP H11312583 A JPH11312583 A JP H11312583A JP 10134317 A JP10134317 A JP 10134317A JP 13431798 A JP13431798 A JP 13431798A JP H11312583 A JPH11312583 A JP H11312583A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ材料を劣化させることなく、微細で
高品質な発光表示を可能にするＥＬ素子の製造方法を提
供する。 【解決手段】 透明な基板１０の表面に透明な電極材料
により所定のピッチでストライプ状となるように透明電
極１２を形成し、この透明電極１２にＥＬ材料からなる
発光層１４を蒸着等の真空薄膜形成技術により積層し、
発光層１４の全面に真空薄膜形成技術により電極材料か
らなる背面電極層１５を設ける。この背面電極層１５
に、所定のピッチで透明電極１２と略直交するストライ
プ状にレジスト１８を設けて、一次エッチングにより所
望のエッチング量の約半分以上を行う。この後上記レジ
スト１８を除去して二次エッチングにより背面電極層１
５の全面をエッチングし、レジスト１８が形成されなか
った部分が発光層１４に達するまでエッチングを行うこ
とにより、ストライプ状の背面電極１６を形成する。こ
の後発光層１４と背面電極１６の表面を絶縁膜２０で被
覆する。
高品質な発光表示を可能にするＥＬ素子の製造方法を提
供する。 【解決手段】 透明な基板１０の表面に透明な電極材料
により所定のピッチでストライプ状となるように透明電
極１２を形成し、この透明電極１２にＥＬ材料からなる
発光層１４を蒸着等の真空薄膜形成技術により積層し、
発光層１４の全面に真空薄膜形成技術により電極材料か
らなる背面電極層１５を設ける。この背面電極層１５
に、所定のピッチで透明電極１２と略直交するストライ
プ状にレジスト１８を設けて、一次エッチングにより所
望のエッチング量の約半分以上を行う。この後上記レジ
スト１８を除去して二次エッチングにより背面電極層１
５の全面をエッチングし、レジスト１８が形成されなか
った部分が発光層１４に達するまでエッチングを行うこ
とにより、ストライプ状の背面電極１６を形成する。こ
の後発光層１４と背面電極１６の表面を絶縁膜２０で被
覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れるチップ状ＥＬ素子に関する。
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れるチップ状ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機ＥＬ（エレクトルミネッセン
ス）素子は、透明な基板に透孔性のＩＴＯ膜を一面に形
成し、所定のストライプ状等の形状にエッチングし透明
電極を形成し、さらにこの透明電極の表面に発光層を全
面蒸着あるいはスピンコート法により薄い膜として形成
している。この発光層は、有機ＥＬ材料であり、トリフ
ェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料を設
け、その上に発光材料であるアルミキレート錯体（Ａｌ
ｑ3）等の電子輸送材料を積層したものや、これらの混
合層からなる。そしてその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，
Ｍｇ，Ｉｎ等の背面電極が、上記透明電極と対面するよ
うに蒸着等で設けられ、発光部を形成している。
ス）素子は、透明な基板に透孔性のＩＴＯ膜を一面に形
成し、所定のストライプ状等の形状にエッチングし透明
電極を形成し、さらにこの透明電極の表面に発光層を全
面蒸着あるいはスピンコート法により薄い膜として形成
している。この発光層は、有機ＥＬ材料であり、トリフ
ェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料を設
け、その上に発光材料であるアルミキレート錯体（Ａｌ
ｑ3）等の電子輸送材料を積層したものや、これらの混
合層からなる。そしてその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，
Ｍｇ，Ｉｎ等の背面電極が、上記透明電極と対面するよ
うに蒸着等で設けられ、発光部を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、発光層を形成する有機ＥＬ材料は、化学的に脆弱な
材料であり、水分の存在下や７０℃を超える熱に対し容
易に劣化するものであり、背面電極のパターン形成の
際、通常の化学的ウエットエッチング法を用いることが
できなかった。
合、発光層を形成する有機ＥＬ材料は、化学的に脆弱な
材料であり、水分の存在下や７０℃を超える熱に対し容
易に劣化するものであり、背面電極のパターン形成の
際、通常の化学的ウエットエッチング法を用いることが
できなかった。
【０００４】またディスプレイ装置を形成する有機ＥＬ
材料は、画素の大きさが少なくとも０．３３ｍｍピッチ
程度にする必要があり、三原色の画素を形成する場合に
おいては、０．１ｍｍピッチ以下になると予測される。
しかしこのようなピッチとするには、画素間のスペース
を０．０１ｍｍ程度にする必要があり、マスク蒸着によ
り背面電極を形成することが難しいという問題を有して
いた。
材料は、画素の大きさが少なくとも０．３３ｍｍピッチ
程度にする必要があり、三原色の画素を形成する場合に
おいては、０．１ｍｍピッチ以下になると予測される。
しかしこのようなピッチとするには、画素間のスペース
を０．０１ｍｍ程度にする必要があり、マスク蒸着によ
り背面電極を形成することが難しいという問題を有して
いた。
【０００５】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、有機ＥＬ材料を劣化させること
なく、微細で高品質な発光表示を可能にするＥＬ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
てなされたものであり、有機ＥＬ材料を劣化させること
なく、微細で高品質な発光表示を可能にするＥＬ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明のＥＬ素子の製
造方法は、透明な基板表面に透明な電極材料により所定
のピッチでストライプ状となるように透明電極を形成
し、この透明電極にＥＬ材料からなる発光層を蒸着等の
真空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の全面に真
空薄膜形成技術により電極材料からなる背面電極層を設
け、この背面電極層に所定のピッチで上記透明電極と略
直交するストライプ状にレジストを設けて、一次エッチ
ングにより所望のエッチング量の約半分以上を行い、こ
の後上記レジストを除去して二次エッチングにより上記
背面電極層の全面をエッチングし、上記レジストが形成
されなかった部分が上記発光層に達するまでエッチング
を行うことによりストライプ状の背面電極を形成する。
この後上記発光層と上記背面電極の表面を絶縁膜で被覆
するものである。上記二次エッチングはドライエッチン
グである。さらに、上記二次エッチングを行った後、所
定部分の上記絶縁層と発光層を部分的に除去し、上記透
明電極の一部を表面に露出させ、この露出した表面電極
に導体パターンを接続するものである。
造方法は、透明な基板表面に透明な電極材料により所定
のピッチでストライプ状となるように透明電極を形成
し、この透明電極にＥＬ材料からなる発光層を蒸着等の
真空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の全面に真
空薄膜形成技術により電極材料からなる背面電極層を設
け、この背面電極層に所定のピッチで上記透明電極と略
直交するストライプ状にレジストを設けて、一次エッチ
ングにより所望のエッチング量の約半分以上を行い、こ
の後上記レジストを除去して二次エッチングにより上記
背面電極層の全面をエッチングし、上記レジストが形成
されなかった部分が上記発光層に達するまでエッチング
を行うことによりストライプ状の背面電極を形成する。
この後上記発光層と上記背面電極の表面を絶縁膜で被覆
するものである。上記二次エッチングはドライエッチン
グである。さらに、上記二次エッチングを行った後、所
定部分の上記絶縁層と発光層を部分的に除去し、上記透
明電極の一部を表面に露出させ、この露出した表面電極
に導体パターンを接続するものである。
【０００７】またこの発明は、透明な基板表面に透明な
電極材料により所定のピッチでストライプ状となるよう
に透明電極を形成し、この透明電極にＥＬ材料からなる
発光層を真空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の
全面に真空薄膜形成技術により電極材料からなる背面電
極層を設け、この背面電極層に所定のピッチで上記透明
電極と略直交するストライプ状にレジストを設けて、ド
ライエッチングにより上記レジストが付着していない部
分の上記背面電極層を除去して上記発光層を露出させ、
この後上記レジスト及び上記露出した発光層をアッシン
グにより除去し、上記背面電極と対面しない部分の上記
透明電極を露出させるＥＬ素子の製造方法である。さら
に、上記アッシングを行った後、上記透明電極と上記背
面電極の表面を絶縁膜で被覆し、上記透明電極に接した
所定部分の上記絶縁層を部分的に除去し、上記透明電極
の一部を表面に露出させ、この露出した表面電極に導体
パターンを接続するものである。
電極材料により所定のピッチでストライプ状となるよう
に透明電極を形成し、この透明電極にＥＬ材料からなる
発光層を真空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の
全面に真空薄膜形成技術により電極材料からなる背面電
極層を設け、この背面電極層に所定のピッチで上記透明
電極と略直交するストライプ状にレジストを設けて、ド
ライエッチングにより上記レジストが付着していない部
分の上記背面電極層を除去して上記発光層を露出させ、
この後上記レジスト及び上記露出した発光層をアッシン
グにより除去し、上記背面電極と対面しない部分の上記
透明電極を露出させるＥＬ素子の製造方法である。さら
に、上記アッシングを行った後、上記透明電極と上記背
面電極の表面を絶縁膜で被覆し、上記透明電極に接した
所定部分の上記絶縁層を部分的に除去し、上記透明電極
の一部を表面に露出させ、この露出した表面電極に導体
パターンを接続するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面に基づいて説明する。図１、図２はこの発明のＥ
Ｌ素子の第一実施形態とその製造工程を示す。この実施
形態のＥＬ素子の製造方法は、ガラスや石英、樹脂等の
透明で、例えば厚さ０．７ｍｍ程度の基板１０の表面
に、ＩＴＯ等の透明な電極材料を蒸着等により設け、こ
の表面にレジストを塗布し、所定のピッチを有するスト
ライプ状のレジスト用パターンを重ねる。次に露光、現
像しストライプ状のレジスト用パターンに対応した形状
にレジストを残す。そして、透明な電極材料をエッチン
グ処理し、所望のストライプ状の透明電極１２を形成す
る。
て図面に基づいて説明する。図１、図２はこの発明のＥ
Ｌ素子の第一実施形態とその製造工程を示す。この実施
形態のＥＬ素子の製造方法は、ガラスや石英、樹脂等の
透明で、例えば厚さ０．７ｍｍ程度の基板１０の表面
に、ＩＴＯ等の透明な電極材料を蒸着等により設け、こ
の表面にレジストを塗布し、所定のピッチを有するスト
ライプ状のレジスト用パターンを重ねる。次に露光、現
像しストライプ状のレジスト用パターンに対応した形状
にレジストを残す。そして、透明な電極材料をエッチン
グ処理し、所望のストライプ状の透明電極１２を形成す
る。
【０００９】この透明電極１２は、例えば０．２８ｍｍ
幅で０．０５ｍｍ程度の間隔を有するストライプ状で、
１５Ω／□程度の抵抗値を有する。エッチングは、酸等
の液体を使用するウエットエッチング法と、反応性ガス
を用いるドライエッチング法のどちらでもよい。
幅で０．０５ｍｍ程度の間隔を有するストライプ状で、
１５Ω／□程度の抵抗値を有する。エッチングは、酸等
の液体を使用するウエットエッチング法と、反応性ガス
を用いるドライエッチング法のどちらでもよい。
【００１０】次に透明電極１２の表面に、例えば銅フタ
ロシアニン（ＣｕＰｃ）等からなるバッファー層、ＥＬ
材料としてＴＰＤ等のホール輸送材料からなるホール輸
送層、Ａｌｑ3等の電子輸送材料からなる電子輸送層や
発光材料からなる層をそれぞれ５００Å程度の厚さで、
真空蒸着やスパッタリング、その他真空薄膜形成技術に
より積層し、発光層１４を形成する。
ロシアニン（ＣｕＰｃ）等からなるバッファー層、ＥＬ
材料としてＴＰＤ等のホール輸送材料からなるホール輸
送層、Ａｌｑ3等の電子輸送材料からなる電子輸送層や
発光材料からなる層をそれぞれ５００Å程度の厚さで、
真空蒸着やスパッタリング、その他真空薄膜形成技術に
より積層し、発光層１４を形成する。
【００１１】ここで蒸着条件は、例えば真空度が６×１
０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合、５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また発光層等は、フラッシュ蒸着
により形成してもよい。フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合したＥＬ材料を３００℃〜６００℃好まし
くは４００℃〜５００℃に加熱した蒸着源に落下させ、
ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。またそのＥＬ
材料を容器中に収容し、急速にその容器を加熱し、一気
に蒸着させるものでもよい。
０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合、５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また発光層等は、フラッシュ蒸着
により形成してもよい。フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合したＥＬ材料を３００℃〜６００℃好まし
くは４００℃〜５００℃に加熱した蒸着源に落下させ、
ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。またそのＥＬ
材料を容器中に収容し、急速にその容器を加熱し、一気
に蒸着させるものでもよい。
【００１２】次にＬｉを０．０１〜０．０５％程度含む
純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金、その他Ａｌ−Ｍｇ等
の陰極材料からなる背面電極層１５を、発光層１４の表
面に例えば２５００Å程度の厚さとなるように、真空蒸
着等の真空薄膜形成技術により設ける。
純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金、その他Ａｌ−Ｍｇ等
の陰極材料からなる背面電極層１５を、発光層１４の表
面に例えば２５００Å程度の厚さとなるように、真空蒸
着等の真空薄膜形成技術により設ける。
【００１３】この背面電極層１５の全面に図１（ａ）に
示すようにエッチング用のレジスト１８をスピンコート
等を用いて１μｍ程度の厚さに塗布し、真空槽に入れて
約２時間、常温で乾燥させる。ここでレジスト１８は、
例えばポジ形のＯＦＰＲ−８００等を用いる。
示すようにエッチング用のレジスト１８をスピンコート
等を用いて１μｍ程度の厚さに塗布し、真空槽に入れて
約２時間、常温で乾燥させる。ここでレジスト１８は、
例えばポジ形のＯＦＰＲ−８００等を用いる。
【００１４】次に透明電極１２のストライプと直交する
方向で、例えば０．２８ｍｍ幅で０．０５ｍｍ程度の間
隔となるストライプ状のレジスト用パターンを有するマ
スクをレジスト１８の表面に貼りつけ、ＵＶ光で５秒程
度露光し現像する。その後、例えばＮＭＯ−３のような
現像液にレジスト１８を６５秒程度浸漬し、純水でレジ
スト１８の表面を洗浄し、残留した現像液やレジストの
不要部分を除去する。そしてスピンドライヤー等を用い
て乾燥させ、図１（ｂ）に示すように、レジスト１８の
ストライプパターンを形成する。
方向で、例えば０．２８ｍｍ幅で０．０５ｍｍ程度の間
隔となるストライプ状のレジスト用パターンを有するマ
スクをレジスト１８の表面に貼りつけ、ＵＶ光で５秒程
度露光し現像する。その後、例えばＮＭＯ−３のような
現像液にレジスト１８を６５秒程度浸漬し、純水でレジ
スト１８の表面を洗浄し、残留した現像液やレジストの
不要部分を除去する。そしてスピンドライヤー等を用い
て乾燥させ、図１（ｂ）に示すように、レジスト１８の
ストライプパターンを形成する。
【００１５】次に図１（ｃ）に示すように、一次エッチ
ングとしてドライエッチングのＲＩＥ法によりレジスト
１８から露出した背面電極層１５を、残り５００Å程度
の厚さにまでエッチングする。ここではドライエッチン
グの代わりにウエットエッチングを用いてもよいが、エ
ッチングによるバラツキや発光層１４への影響からドラ
イエッチングの方が望ましい。
ングとしてドライエッチングのＲＩＥ法によりレジスト
１８から露出した背面電極層１５を、残り５００Å程度
の厚さにまでエッチングする。ここではドライエッチン
グの代わりにウエットエッチングを用いてもよいが、エ
ッチングによるバラツキや発光層１４への影響からドラ
イエッチングの方が望ましい。
【００１６】この後、図１（ｄ）に示すように、レジス
ト１８をアセトンに浸漬して除去する。そして、背面電
極層１５の全面を、二次エッチングとしてドライエッチ
ングであるＲＩＥ法によりエッチングし、背面電極層１
５の残り５００Å程度の厚さの部分、及びレジスト１８
が形成されていた部分の背面電極層１５をエッチング
し、発光層１４を露出させる。このとき、一次エッチン
グでレジスト１８下にありエッチングされなかった背面
電極１６の部分も、５００Å程度の厚さをエッチングに
より除去され、図１（ｅ）に示すようにストライプ状の
厚さ２０００Å程度の背面電極１６を形成する。
ト１８をアセトンに浸漬して除去する。そして、背面電
極層１５の全面を、二次エッチングとしてドライエッチ
ングであるＲＩＥ法によりエッチングし、背面電極層１
５の残り５００Å程度の厚さの部分、及びレジスト１８
が形成されていた部分の背面電極層１５をエッチング
し、発光層１４を露出させる。このとき、一次エッチン
グでレジスト１８下にありエッチングされなかった背面
電極１６の部分も、５００Å程度の厚さをエッチングに
より除去され、図１（ｅ）に示すようにストライプ状の
厚さ２０００Å程度の背面電極１６を形成する。
【００１７】次に背面電極１６と発光層１４の全面にＳ
ｉＯ等の絶縁性の保護膜２０を真空蒸着やスパッタリン
グ、その他真空薄膜形成技術により形成し、図２に示す
ように、ＸＹ方向の単純マトリックス構造の電極を有し
たＥＬ素子を形成する。
ｉＯ等の絶縁性の保護膜２０を真空蒸着やスパッタリン
グ、その他真空薄膜形成技術により形成し、図２に示す
ように、ＸＹ方向の単純マトリックス構造の電極を有し
たＥＬ素子を形成する。
【００１８】この実施形態のＥＬ素子の製造方法によれ
ば、一次エッチングを発光層１４に達する前に停止し、
背面電極１６で発光層１４を保護した状態でレジスト１
８を除去するため、水分やエッチング液によるＥＬ材料
の劣化を防止することができる。またエッチングにより
透明電極１２や背面電極１６を形成するため、そのピッ
チを細かくすることが可能となり、緻密で高画質のＥＬ
素子を得ることができる。
ば、一次エッチングを発光層１４に達する前に停止し、
背面電極１６で発光層１４を保護した状態でレジスト１
８を除去するため、水分やエッチング液によるＥＬ材料
の劣化を防止することができる。またエッチングにより
透明電極１２や背面電極１６を形成するため、そのピッ
チを細かくすることが可能となり、緻密で高画質のＥＬ
素子を得ることができる。
【００１９】次にこの発明の第二実施形態について図３
を基にして説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態の
ＥＬ素子の製造方法は、第一実施形態と同様の方法でＥ
Ｌ素子を製造した後、背面電極１６が形成されていない
部分の一部で、保護膜２０と発光層１４を除去し、透孔
２４を形成する。
を基にして説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態の
ＥＬ素子の製造方法は、第一実施形態と同様の方法でＥ
Ｌ素子を製造した後、背面電極１６が形成されていない
部分の一部で、保護膜２０と発光層１４を除去し、透孔
２４を形成する。
【００２０】次に、除去した部分の透孔２４及び保護膜
２０の表面に、Ａｌ等の金属や導電性材料を透明電極１
２に沿ってストライプ状に設け、導体パターン２２を形
成する。導体パターン２２は、アルミニウム等を、全面
蒸着してエチングするか、マスク蒸着により形成する。
これにより透明電極１２に対し背面からの給電を行う。
２０の表面に、Ａｌ等の金属や導電性材料を透明電極１
２に沿ってストライプ状に設け、導体パターン２２を形
成する。導体パターン２２は、アルミニウム等を、全面
蒸着してエチングするか、マスク蒸着により形成する。
これにより透明電極１２に対し背面からの給電を行う。
【００２１】この実施形態のＥＬ素子によれば、導体パ
ターン２２から直接透明電極２２に給電するため、透明
電極１２の抵抗値の影響を抑えることができ、透明電極
１２の比抵抗の高さが原因の明るさのムラを解消するこ
とができる。
ターン２２から直接透明電極２２に給電するため、透明
電極１２の抵抗値の影響を抑えることができ、透明電極
１２の比抵抗の高さが原因の明るさのムラを解消するこ
とができる。
【００２２】次にこの発明の第三実施形態について図４
を基にして説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態の
ＥＬ素子の製造方法は、第一実施形態と同様の方法でＥ
Ｌ素子の背面電極層１５を形成し、この後、第一実施形
態と同様に、この背面電極層１５の全面に図４（ａ）に
示すようにエッチング用のレジスト１８を塗布し、真空
槽に入れて約２時間、常温で乾燥させる。そして、スト
ライプ状のレジスト用パターンを有するマスクをレジス
ト１８の表面に貼りつけ、ＵＶ光で５秒程度露光し現像
する。その後、現像液にレジスト１８を浸漬し、純水で
レジスト１８の表面を洗浄し、残留した現像液やレジス
トの不要部分を除去する。そしてスピンドライヤー等を
用いて乾燥させ、図４（ｂ）に示すように、レジスト１
８のストライプパターンを形成する。
を基にして説明する。ここで上記実施形態と同様の部材
は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態の
ＥＬ素子の製造方法は、第一実施形態と同様の方法でＥ
Ｌ素子の背面電極層１５を形成し、この後、第一実施形
態と同様に、この背面電極層１５の全面に図４（ａ）に
示すようにエッチング用のレジスト１８を塗布し、真空
槽に入れて約２時間、常温で乾燥させる。そして、スト
ライプ状のレジスト用パターンを有するマスクをレジス
ト１８の表面に貼りつけ、ＵＶ光で５秒程度露光し現像
する。その後、現像液にレジスト１８を浸漬し、純水で
レジスト１８の表面を洗浄し、残留した現像液やレジス
トの不要部分を除去する。そしてスピンドライヤー等を
用いて乾燥させ、図４（ｂ）に示すように、レジスト１
８のストライプパターンを形成する。
【００２３】次に図４（ｃ）に示すように、ドライエッ
チングのＲＩＥ法等によりレジスト１８から露出した背
面電極層１５をエッチングし、発光層１４を露出させ
る。この後、図４（ｄ）に示すように、露出した発光層
１４及びレジスト１８を、プラズマ等の雰囲気中でアッ
シングにより除去する。これにより、レジスト１８が形
成された部分の背面電極１６が表面に露出するととも
に、背面電極１６が形成されていない部分の透明電極１
２が露出する。次に露出した透明電極１２と背面電極１
６の全面にＳｉＯ等の絶縁性の保護膜２０を、真空蒸着
やスパッタリング、その他真空薄膜形成技術により形成
し、図４（ｅ）に示すように、ＸＹ方向の単純マトリッ
クス構造の電極を有したＥＬ素子を形成する。
チングのＲＩＥ法等によりレジスト１８から露出した背
面電極層１５をエッチングし、発光層１４を露出させ
る。この後、図４（ｄ）に示すように、露出した発光層
１４及びレジスト１８を、プラズマ等の雰囲気中でアッ
シングにより除去する。これにより、レジスト１８が形
成された部分の背面電極１６が表面に露出するととも
に、背面電極１６が形成されていない部分の透明電極１
２が露出する。次に露出した透明電極１２と背面電極１
６の全面にＳｉＯ等の絶縁性の保護膜２０を、真空蒸着
やスパッタリング、その他真空薄膜形成技術により形成
し、図４（ｅ）に示すように、ＸＹ方向の単純マトリッ
クス構造の電極を有したＥＬ素子を形成する。
【００２４】さらに、この後、背面電極１６が形成され
ていない部分の一部で、保護膜２０を除去し、上記第二
実施形態と同様に、図示しない透孔を形成する。そし
て、除去した部分の透孔及び保護膜２０の表面に、Ａｌ
等の金属や導電性材料を透明電極１２に沿ってストライ
プ状に設け、導体パターン２２を形成する。導体パター
ン２２は、アルミニウム等を、全面蒸着してエチッング
するか、マスク蒸着により形成する。これにより透明電
極１２に対し背面からの給電を行う。
ていない部分の一部で、保護膜２０を除去し、上記第二
実施形態と同様に、図示しない透孔を形成する。そし
て、除去した部分の透孔及び保護膜２０の表面に、Ａｌ
等の金属や導電性材料を透明電極１２に沿ってストライ
プ状に設け、導体パターン２２を形成する。導体パター
ン２２は、アルミニウム等を、全面蒸着してエチッング
するか、マスク蒸着により形成する。これにより透明電
極１２に対し背面からの給電を行う。
【００２５】この実施形態のＥＬ素子の製造方法によれ
ば、ドライエッチングを発光層１４まで行うので、エッ
チングの制御が容易である。また、透明電極１２への給
電も容易に可能であり、良好な発光を可能にする。
ば、ドライエッチングを発光層１４まで行うので、エッ
チングの制御が容易である。また、透明電極１２への給
電も容易に可能であり、良好な発光を可能にする。
【００２６】なおこの発明のＥＬ素子は、上記実施形態
に限定されるものではなく、背面電極や保護膜の厚さ
は、発光層のＥＬ材料を保護するのに充分であればよ
く、また適宜のＥＬ材料を選択することが可能である。
に限定されるものではなく、背面電極や保護膜の厚さ
は、発光層のＥＬ材料を保護するのに充分であればよ
く、また適宜のＥＬ材料を選択することが可能である。
【００２７】
【発明の効果】この発明のＥＬ素子の製造方法によれ
ば、各電極をエッチングにより微細なピッチで形成する
ことができ、また水分やその他の液体によるＥＬ材料の
劣化を防止することができ、高い品質と性能を有するＥ
Ｌ素子を得ることが可能となる。
ば、各電極をエッチングにより微細なピッチで形成する
ことができ、また水分やその他の液体によるＥＬ材料の
劣化を防止することができ、高い品質と性能を有するＥ
Ｌ素子を得ることが可能となる。
【図１】この発明の第一実施形態のＥＬ素子の製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】この発明の第一実施形態のＥＬ素子を示す断面
図である。
図である。
【図３】この発明の第二実施形態のＥＬ素子を示す断面
図と平面図である。
図と平面図である。
【図４】この発明の第三実施形態のＥＬ素子の製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１０ 基板 １２ 透明電極 １４ 発光層 １５ 背面電極層 １６ 背面電極 １８ レジスト ２０ 保護層 ２２ 導体パターン ２４ 透孔
フロントページの続き (72)発明者 福本 滋 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 山本 肇 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 透明な基板表面に透明な電極材料によ
り所定のピッチでストライプ状となるように透明電極を
形成し、この透明電極にＥＬ材料からなる発光層を真空
薄膜形成技術により積層し、上記発光層の全面に真空薄
膜形成技術により電極材料からなる背面電極層を設け、
この背面電極層に所定のピッチで上記透明電極と略直交
するストライプ状にレジストを設けて、一次エッチング
により所望のエッチング量の約半分以上を行い、この後
上記レジストを除去して二次エッチングにより上記背面
電極の全面をエッチングし、上記レジストが形成されな
かった部分が上記発光層に達するまでエッチングを行う
ことによりストライプ状の背面電極を形成し、この後上
記発光層と上記背面電極の表面を絶縁膜で被覆するＥＬ
素子の製造方法。 - 【請求項２】 上記二次エッチングはドライエッチン
グである請求項１記載のＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項３】 上記二次エッチングを行った後、所定
部分の上記絶縁層と発光層を部分的に除去し、上記透明
電極の一部を表面に露出させ、この露出した表面電極に
導体パターンを接続する請求項１又は２記載のＥＬ素子
の製造方法。 - 【請求項４】 透明な基板表面に透明な電極材料によ
り所定のピッチでストライプ状となるように透明電極を
形成し、この透明電極にＥＬ材料からなる発光層を真空
薄膜形成技術により積層し、上記発光層の全面に真空薄
膜形成技術により電極材料からなる背面電極層を設け、
この背面電極層に所定のピッチで上記透明電極と略直交
するストライプ状にレジストを設けて、ドライエッチン
グにより上記レジストが付着していない部分の上記背面
電極層を除去して上記発光層を露出させ、この後上記レ
ジスト及び上記露出した発光層をアッシングにより除去
し、上記レジスト下の背面電極と対面しない部分の上記
透明電極を露出させるＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項５】 上記アッシングを行った後、上記透明
電極と上記背面電極の表面を絶縁膜で被覆し、上記透明
電極に接した所定部分の上記絶縁層を部分的に除去し、
上記透明電極の一部を表面に露出させ、この露出した表
面電極に導体パターンを接続する請求項４記載のＥＬ素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10134317A JPH11312583A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10134317A JPH11312583A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312583A true JPH11312583A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=15125486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10134317A Pending JPH11312583A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | Ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11312583A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002170673A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| JP2003332051A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| JP2005032735A (ja) * | 2000-09-25 | 2005-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子 |
| KR100570992B1 (ko) * | 2001-01-08 | 2006-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
| JP2008166029A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 |
| US7615388B2 (en) | 2000-09-25 | 2009-11-10 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electroluminescent element |
| TWI548132B (zh) * | 2010-10-12 | 2016-09-01 | Ｏｌｅｄ工廠有限責任公司 | 製造有機電子裝置之方法 |
| TWI596753B (zh) * | 2012-09-19 | 2017-08-21 | 三星顯示器有限公司 | 有機電致發光顯示器之製造方法 |
-
1998
- 1998-04-27 JP JP10134317A patent/JPH11312583A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002170673A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| JP2005032735A (ja) * | 2000-09-25 | 2005-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子 |
| US7615388B2 (en) | 2000-09-25 | 2009-11-10 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electroluminescent element |
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| JP2003332051A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| US7534557B2 (en) | 2002-05-09 | 2009-05-19 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Production method for electroluminescent element |
| KR100931279B1 (ko) | 2002-05-09 | 2009-12-11 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 전계발광소자의 제조 방법 |
| JP2008166029A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 |
| TWI548132B (zh) * | 2010-10-12 | 2016-09-01 | Ｏｌｅｄ工廠有限責任公司 | 製造有機電子裝置之方法 |
| US10062858B2 (en) | 2010-10-12 | 2018-08-28 | Oledworks, Llc | Method for manufacturing an organic electronic device |
| TWI596753B (zh) * | 2012-09-19 | 2017-08-21 | 三星顯示器有限公司 | 有機電致發光顯示器之製造方法 |
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