JP2000129419A - 蒸着マスク - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で精度よく透明電極等の薄膜形成
を可能にする蒸着マスクを提供する。 【解決手段】 ガラスや樹脂等の透明な基板１２の表面
に、ＩＴＯ等の透明な電極材料により所定のピッチでス
トライプ状となるように透明電極１４を形成するための
ストライプ状の開口部２０を有する。この開口部２０間
のマスク構成部分に、マスクのたるみを防止する補強用
の補強体２６を設ける。
を可能にする蒸着マスクを提供する。 【解決手段】 ガラスや樹脂等の透明な基板１２の表面
に、ＩＴＯ等の透明な電極材料により所定のピッチでス
トライプ状となるように透明電極１４を形成するための
ストライプ状の開口部２０を有する。この開口部２０間
のマスク構成部分に、マスクのたるみを防止する補強用
の補強体２６を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れるＥＬ素子の製造に用いる蒸着マスクに関する。
スプレイ、その他所定のパターン等の発光表示に用いら
れるＥＬ素子の製造に用いる蒸着マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機ＥＬ（エレクトルミネッセン
ス）素子は、ガラス等からなる透明な基板に、透光性の
ＩＴＯ膜を一面に形成し、所定のストライプ状にマスク
蒸着やエッチングにより透明電極を形成していた。透明
電極は、例えば５００Å〜３０００Åの厚さに形成さ
れ、透明電極の上に発光層が形成されている。発光層
は、有機ＥＬ材料が通常２〜３層にわたって、５００Å
〜１５００Å程度の厚さに形成され、さらに発光層の表
面に蒸着等により背面電極が形成されている。
ス）素子は、ガラス等からなる透明な基板に、透光性の
ＩＴＯ膜を一面に形成し、所定のストライプ状にマスク
蒸着やエッチングにより透明電極を形成していた。透明
電極は、例えば５００Å〜３０００Åの厚さに形成さ
れ、透明電極の上に発光層が形成されている。発光層
は、有機ＥＬ材料が通常２〜３層にわたって、５００Å
〜１５００Å程度の厚さに形成され、さらに発光層の表
面に蒸着等により背面電極が形成されている。
【０００３】ここで、発光層を構成する有機ＥＬ材料
は、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸
送材料と、発光材料であるアルミキレート錯体（Ａｌｑ
３）等の電子輸送材料からなる。発光層は、ホール輸送
材料の上に電子輸送材料を積層したものや、これらの混
合層からなる。また、背面電極材料は、Ａｌ、Ｌｉ、Ａ
ｇ、Ｍｇ、Ｉｎ等の金属またはこれらの合金からなる。
は、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸
送材料と、発光材料であるアルミキレート錯体（Ａｌｑ
３）等の電子輸送材料からなる。発光層は、ホール輸送
材料の上に電子輸送材料を積層したものや、これらの混
合層からなる。また、背面電極材料は、Ａｌ、Ｌｉ、Ａ
ｇ、Ｍｇ、Ｉｎ等の金属またはこれらの合金からなる。
【０００４】このようにして形成された発光部は、透明
電極と背面電極との間の所定の交点に所定の電流を流し
て発光層が発光する、いわゆるドットマトリックス方式
により駆動される。
電極と背面電極との間の所定の交点に所定の電流を流し
て発光層が発光する、いわゆるドットマトリックス方式
により駆動される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、ＩＴＯの透明電極の形成に際して、エッチングによ
る場合、洗浄等の工程やクリーンルームでの作業を必要
とし、洗浄後の廃液処理も問題であった。またエッチン
グ面が、発光層の厚さと比べて十分になめらかではな
く、電極間の短絡の原因にもなっていた。
合、ＩＴＯの透明電極の形成に際して、エッチングによ
る場合、洗浄等の工程やクリーンルームでの作業を必要
とし、洗浄後の廃液処理も問題であった。またエッチン
グ面が、発光層の厚さと比べて十分になめらかではな
く、電極間の短絡の原因にもなっていた。
【０００６】また、透明電極をマスク蒸着で形成する場
合、マスクが大きくなると、ストライプの中央部がたる
んでしまい、マスクされて形成されるストライプ状の透
明電極のエッジ部が正確にきれいに蒸着されず、ストラ
イプパターンがぼけてしまう場合がった。また、このマ
スクを磁石で吸引したりすることもできるが、磁石で均
一にマスクを吸引することは難しく、また、パター自体
の位置をずらしてしまい、かえって正確な蒸着時のパタ
ーン形成を妨げるものであった。
合、マスクが大きくなると、ストライプの中央部がたる
んでしまい、マスクされて形成されるストライプ状の透
明電極のエッジ部が正確にきれいに蒸着されず、ストラ
イプパターンがぼけてしまう場合がった。また、このマ
スクを磁石で吸引したりすることもできるが、磁石で均
一にマスクを吸引することは難しく、また、パター自体
の位置をずらしてしまい、かえって正確な蒸着時のパタ
ーン形成を妨げるものであった。
【０００７】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、簡単な構成で精度よく透明電極
等の薄膜形成を可能にする蒸着マスクを提供することを
目的としたものである。
てなされたものであり、簡単な構成で精度よく透明電極
等の薄膜形成を可能にする蒸着マスクを提供することを
目的としたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラスや樹
脂等の透明な基板表面に、ＩＴＯ等の透明な電極材料に
より所定のピッチでストライプ状となるように透明電極
を形成し、この透明電極にＥＬ材料からなる発光層を真
空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の表面に、上
記透明電極に対向し直交する方向にストライプ状に所定
ピッチの背面電極を形成する蒸着マスクであって、上記
電極を形成するためのストライプ状の開口部を有し、こ
の開口部間の上記マスク構成部分に、上記マスクのたる
みを防止する補強用の補強体を設けた蒸着マスクであ
る。
脂等の透明な基板表面に、ＩＴＯ等の透明な電極材料に
より所定のピッチでストライプ状となるように透明電極
を形成し、この透明電極にＥＬ材料からなる発光層を真
空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の表面に、上
記透明電極に対向し直交する方向にストライプ状に所定
ピッチの背面電極を形成する蒸着マスクであって、上記
電極を形成するためのストライプ状の開口部を有し、こ
の開口部間の上記マスク構成部分に、上記マスクのたる
みを防止する補強用の補強体を設けた蒸着マスクであ
る。
【０００９】またこの発明の上記マスクは、上記基板と
蒸着源との間に設けられ、上記基板の蒸着面側に向かっ
て円弧状に湾曲した形状に形成され、蒸着時に上記基板
に密着されるものである。さらに、上記マスクは形状記
憶合金で形成され、上記基板の蒸着面方向に向かって円
弧状に湾曲した形状に形状記憶され、蒸着時に上記基板
に密着される。さらに、上記補強体に通電して、上記形
状記憶合金のマスクを加熱し、上記基板の蒸着面方向に
向かって円弧状に湾曲した記憶形状を復帰させる。ま
た、上記補強体はワイヤであり、このワイヤに通電して
上記形状記憶合金のマスクを加熱し記憶形状を復帰させ
るものである。
蒸着源との間に設けられ、上記基板の蒸着面側に向かっ
て円弧状に湾曲した形状に形成され、蒸着時に上記基板
に密着されるものである。さらに、上記マスクは形状記
憶合金で形成され、上記基板の蒸着面方向に向かって円
弧状に湾曲した形状に形状記憶され、蒸着時に上記基板
に密着される。さらに、上記補強体に通電して、上記形
状記憶合金のマスクを加熱し、上記基板の蒸着面方向に
向かって円弧状に湾曲した記憶形状を復帰させる。ま
た、上記補強体はワイヤであり、このワイヤに通電して
上記形状記憶合金のマスクを加熱し記憶形状を復帰させ
るものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面に基づいて説明する。この実施形態の蒸着マスク
を用いて形成される有機ＥＬ素子１０は、図２に示すよ
うに、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１２の一方の
表面に、ＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極１４
が形成されている。この透明電極１４は、所定のピッチ
でストライプ状に基板１２上に形成されている。透明電
極１４の表面には、５００Å程度のホール輸送材料、及
び５００Å程度の電子輸送材料、その他発光材料による
ＥＬ材料からなる発光層１６が積層されている。そして
発光層１６の表面には、Ｌｉを０．０１〜０．０５％程
度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金、その他Ａｌ−
Ｍｇ等の陰極材料による背面電極１８が、適宜の５００
Å〜１０００Å程度の厚みで積層されている。
て図面に基づいて説明する。この実施形態の蒸着マスク
を用いて形成される有機ＥＬ素子１０は、図２に示すよ
うに、ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１２の一方の
表面に、ＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極１４
が形成されている。この透明電極１４は、所定のピッチ
でストライプ状に基板１２上に形成されている。透明電
極１４の表面には、５００Å程度のホール輸送材料、及
び５００Å程度の電子輸送材料、その他発光材料による
ＥＬ材料からなる発光層１６が積層されている。そして
発光層１６の表面には、Ｌｉを０．０１〜０．０５％程
度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金、その他Ａｌ−
Ｍｇ等の陰極材料による背面電極１８が、適宜の５００
Å〜１０００Å程度の厚みで積層されている。
【００１１】この背面電極１８は、透明電極１４と直交
して対向し、ストライプ状に形成される。これら基板１
２上に積層された透明電極１４から背面電極１８までが
発光部を形成する。
して対向し、ストライプ状に形成される。これら基板１
２上に積層された透明電極１４から背面電極１８までが
発光部を形成する。
【００１２】ここで発光層１８は、母胎材料のうちホー
ル輸送材料としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等があ
る。一方、電子輸送材料としては、アルミキレート錯体
（Ａｌｑ３）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢ
ｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセ
ン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリ
レン類、チアゾール類等を用いる。さらに適宜の発光材
料を混合してもよく、ホール輸送材料と電子輸送材料を
混合した発光層を形成してもよく、その場合、ホール輸
送材料と電子輸送材料の比は、１０：９０乃至９０：１
０の範囲で適宜変更可能である。
ル輸送材料としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等があ
る。一方、電子輸送材料としては、アルミキレート錯体
（Ａｌｑ３）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰＶＢ
ｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセ
ン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリ
レン類、チアゾール類等を用いる。さらに適宜の発光材
料を混合してもよく、ホール輸送材料と電子輸送材料を
混合した発光層を形成してもよく、その場合、ホール輸
送材料と電子輸送材料の比は、１０：９０乃至９０：１
０の範囲で適宜変更可能である。
【００１３】この有機ＥＬ素子を製造する蒸着マスク２
２は、図１（Ａ）に示すように、例えば矩形の環状のフ
レーム２４に、ストライプ状に開口部２０が形成され、
この開口部２０間の細い部分には、線状材料からなる補
強体２６が緊張状態で取り付けられている。
２は、図１（Ａ）に示すように、例えば矩形の環状のフ
レーム２４に、ストライプ状に開口部２０が形成され、
この開口部２０間の細い部分には、線状材料からなる補
強体２６が緊張状態で取り付けられている。
【００１４】補強体２６は、導電性のワイヤや、ポリイ
ミド系のアラミド繊維などである。この補強体２６は、
例えば３０ｃｍの基板１２に５ｍｍ程度のピッチで等間
隔に４ｍｍ角程度の発光ドットを形成するとすると、各
開口部２０間のマスク部分には、例えば０．５ｍｍ程度
の補強体２６を配置する。このとき、図３に示すよう
に、フレーム２４は、基板１２側に向けてわずかに円弧
状に湾曲した状態に補強体２６を取り付ける。
ミド系のアラミド繊維などである。この補強体２６は、
例えば３０ｃｍの基板１２に５ｍｍ程度のピッチで等間
隔に４ｍｍ角程度の発光ドットを形成するとすると、各
開口部２０間のマスク部分には、例えば０．５ｍｍ程度
の補強体２６を配置する。このとき、図３に示すよう
に、フレーム２４は、基板１２側に向けてわずかに円弧
状に湾曲した状態に補強体２６を取り付ける。
【００１５】そして、この蒸着マスク２２を透明な基板
１２の表面に当接させて、ＩＴＯ等の透明な電極材料を
蒸着等により設ける。このとき、図４に示すように、蒸
着マスク２２は、その湾曲に抗して基板１２に密着さ
せ、蒸着マスク２２を透明基板１２に重ね合わせ、蒸着
マスク２２を、基板１２に対して蒸着源３４側に位置さ
せ、真空蒸着する。そして、蒸着後、蒸着マスク２２を
基板１２上から除去する。これにより、開口２０による
透明電極１４が正確に形成される。
１２の表面に当接させて、ＩＴＯ等の透明な電極材料を
蒸着等により設ける。このとき、図４に示すように、蒸
着マスク２２は、その湾曲に抗して基板１２に密着さ
せ、蒸着マスク２２を透明基板１２に重ね合わせ、蒸着
マスク２２を、基板１２に対して蒸着源３４側に位置さ
せ、真空蒸着する。そして、蒸着後、蒸着マスク２２を
基板１２上から除去する。これにより、開口２０による
透明電極１４が正確に形成される。
【００１６】次に透明電極１４の表面に、例えば有機Ｅ
Ｌ材料としてＴＰＤ等のホール輸送材料からなるホール
輸送層、Ａｌｑ３等の電子輸送材料からなる電子輸送層
やその他発光材料からなる層を、真空蒸着やスパッタリ
ング、その他真空薄膜形成技術により積層し、発光層１
６を形成する。
Ｌ材料としてＴＰＤ等のホール輸送材料からなるホール
輸送層、Ａｌｑ３等の電子輸送材料からなる電子輸送層
やその他発光材料からなる層を、真空蒸着やスパッタリ
ング、その他真空薄膜形成技術により積層し、発光層１
６を形成する。
【００１７】発光層１６の蒸着に際して、図１（Ｂ）に
示すように、発光層１６の大きさの開口２８を有した発
光層用マスク３０を用いて真空蒸着を行なう。この蒸着
条件として、例えば、真空度が６×１０−５Ｔｏｒｒ
で、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸着速度で成膜さ
せる。また発光層１４等は、フラッシュ蒸着により形成
してもよい。フラッシュ蒸着法は、予め所定の比率で混
合したＥＬ材料を、３００℃〜６００℃好ましくは４０
０℃〜５００℃に加熱した蒸着源に落下させ、ＥＬ材料
を一気に蒸発させるものである。またそのＥＬ材料を容
器中に収容し、急速にその容器を加熱し、一気に蒸着さ
せるものでもよい。
示すように、発光層１６の大きさの開口２８を有した発
光層用マスク３０を用いて真空蒸着を行なう。この蒸着
条件として、例えば、真空度が６×１０−５Ｔｏｒｒ
で、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸着速度で成膜さ
せる。また発光層１４等は、フラッシュ蒸着により形成
してもよい。フラッシュ蒸着法は、予め所定の比率で混
合したＥＬ材料を、３００℃〜６００℃好ましくは４０
０℃〜５００℃に加熱した蒸着源に落下させ、ＥＬ材料
を一気に蒸発させるものである。またそのＥＬ材料を容
器中に収容し、急速にその容器を加熱し、一気に蒸着さ
せるものでもよい。
【００１８】次に、Ｌｉを０．０１〜０．０５％程度含
む純度９９％程度のＡｌ−Lｉ合金、その他Ａｌ−Ｍｇ
の陰極材料からなる背面電極材料を、発光層１６の表面
に真空蒸着等の真空薄膜形成技術により設ける。このと
きも、図１（C）に示すように、図１（Ａ）と同様の蒸
着マスク３２を利用して、透明電極１４と直交する方向
に背面電極１８を形成する。背面電極１８は、約５００
Å〜１０００Å程度の厚みで積層する。
む純度９９％程度のＡｌ−Lｉ合金、その他Ａｌ−Ｍｇ
の陰極材料からなる背面電極材料を、発光層１６の表面
に真空蒸着等の真空薄膜形成技術により設ける。このと
きも、図１（C）に示すように、図１（Ａ）と同様の蒸
着マスク３２を利用して、透明電極１４と直交する方向
に背面電極１８を形成する。背面電極１８は、約５００
Å〜１０００Å程度の厚みで積層する。
【００１９】また、発光層と背面電極の全面には、図示
しないＳｉＯ等の絶縁性の保護膜等を、真空蒸着やスパ
ッタリング、その他真空薄膜形成技術により形成しても
よい。さらに、撥水膜や樹脂の保護膜等を設けてもよ
い。
しないＳｉＯ等の絶縁性の保護膜等を、真空蒸着やスパ
ッタリング、その他真空薄膜形成技術により形成しても
よい。さらに、撥水膜や樹脂の保護膜等を設けてもよ
い。
【００２０】この実施形態のＥＬ素子の製造用蒸着マス
クよれば、大型のＥＬ素子を形成する際にも、エッチン
グによらず、真空蒸着等の薄膜形成技術により、容易に
正確なパターンを有したＥＬ素子を形成することができ
る。特に、マスク２２が補強され、基板側に湾曲してい
るので、基板１２に押しつけた際に基板１２の全面で緊
密に当接し、マスク中央部がたるんで基板表面に対して
隙間が生じることがなく、正確なパターンの電極が形成
される。
クよれば、大型のＥＬ素子を形成する際にも、エッチン
グによらず、真空蒸着等の薄膜形成技術により、容易に
正確なパターンを有したＥＬ素子を形成することができ
る。特に、マスク２２が補強され、基板側に湾曲してい
るので、基板１２に押しつけた際に基板１２の全面で緊
密に当接し、マスク中央部がたるんで基板表面に対して
隙間が生じることがなく、正確なパターンの電極が形成
される。
【００２１】なおこの発明の蒸着用マスクは、上記実施
形態に限定されるものではなく、フレーム２４を形状記
憶合金とし、加熱とともに図３に示す形状となるもので
もよい。これにより、先ず、平らなマスク２２を基板１
２に当接し、その後、マスク２２を加熱すると、フレー
ム２４が図３に示すように湾曲しようとし、基板１２の
表面に、マスク２２が緊密に当接する。
形態に限定されるものではなく、フレーム２４を形状記
憶合金とし、加熱とともに図３に示す形状となるもので
もよい。これにより、先ず、平らなマスク２２を基板１
２に当接し、その後、マスク２２を加熱すると、フレー
ム２４が図３に示すように湾曲しようとし、基板１２の
表面に、マスク２２が緊密に当接する。
【００２２】また、形状記憶合金製のマスク２２の加熱
手段として、補強体２６をワイヤとし、通電によりマス
ク２２を加熱し、形状記憶動作を行わせるものでもよ
い。さらに、補強体２６自体が、基板１２側に湾曲した
形状とし、この形状を記憶形状とした形状記憶合金とし
て、当初図４に示すように、平らな基板１２に密着し、
この後蒸着前に加熱して補強体２６が基板１２側に湾曲
するように配置することにより、蒸着時には、常にマス
ク２２の中央部は基板１２側に湾曲しようとして、基板
１２とマスク２２との間に隙間ができることがない。
手段として、補強体２６をワイヤとし、通電によりマス
ク２２を加熱し、形状記憶動作を行わせるものでもよ
い。さらに、補強体２６自体が、基板１２側に湾曲した
形状とし、この形状を記憶形状とした形状記憶合金とし
て、当初図４に示すように、平らな基板１２に密着し、
この後蒸着前に加熱して補強体２６が基板１２側に湾曲
するように配置することにより、蒸着時には、常にマス
ク２２の中央部は基板１２側に湾曲しようとして、基板
１２とマスク２２との間に隙間ができることがない。
【００２３】また、形状記憶動作に際して加熱する必要
があるが、このとき、基板１２を必要以上に加熱しない
ためには、例えば、通電可能なワイヤにより形状記憶合
金製のフレームを加熱するようにすとよい。これによ
り、基板側への加熱が抑えられ、確実にフレーム部が加
熱される。
があるが、このとき、基板１２を必要以上に加熱しない
ためには、例えば、通電可能なワイヤにより形状記憶合
金製のフレームを加熱するようにすとよい。これによ
り、基板側への加熱が抑えられ、確実にフレーム部が加
熱される。
【００２４】
【発明の効果】この発明の蒸着用マスクによれば、大き
な表示面積のＥＬ素子においても正確にマスク蒸着が可
能となり、コストも安価であり、ＥＬ素子の大画面化に
大きく寄与する。
な表示面積のＥＬ素子においても正確にマスク蒸着が可
能となり、コストも安価であり、ＥＬ素子の大画面化に
大きく寄与する。
【図１】この発明の一実施形態の蒸着用マスクの使用工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図２】この発明の蒸着用マスクの一実施形態を示す断
面図である。
面図である。
【図３】この発明の蒸着用マスクの使用状態を示す正面
図である。
図である。
【図４】この発明の蒸着用マスクの使用状態を示す正面
図である。
図である。
１２ 基板 １４ 透明電極 １６ 発光層 １８ 背面電極 ２０ 開口部 ２６ 補強体
フロントページの続き (72)発明者 福本 滋 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 丹保 哲也 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB18 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 FA03 4K029 BC09 HA03
Claims (6)
- 【請求項１】 基板表面に所定の形状の薄膜を形成する
ために、上記基板表面を覆う蒸着マスクにおいて、 上記マスクの開口部以外の箇所に上記マスクのたるみを
防止する補強用の補強体を設けたことを特徴とする蒸着
マスク。 - 【請求項２】 透明な基板表面に透明な電極材料により
所定のピッチでストライプ状となるように透明電極を形
成し、この透明電極にＥＬ材料からなる発光層を真空薄
膜形成技術により積層し、上記発光層の表面に、上記透
明電極に対向し直交する方向にストライプ状に所定ピッ
チの背面電極を形成したＥＬ素子の製造に用いる蒸着マ
スクにおいて、 上記電極を形成するためのストライプ状の開口部を有
し、この開口部間の上記マスク構成部分に、上記マスク
のたるみを防止する補強用の補強体を設けたことを特徴
とする蒸着マスク。 - 【請求項３】 上記マスクは、上記基板と蒸着源との間
に設けられ、上記基板の蒸着面側に向かって湾曲した形
状に形成され、蒸着時に上記基板に密着される請求項１
または２記載の蒸着マスク。 - 【請求項４】 上記マスクは形状記憶合金で形成され、
上記基板の蒸着面側に向かって湾曲した形状に形状記憶
され、蒸着時に上記基板に密着される請求項１または２
記載の蒸着マスク。 - 【請求項５】 上記補強体に通電して、上記形状記憶合
金のマスクを加熱し、上記基板の蒸着面側に向かって湾
曲した記憶形状を復帰させる請求項４記載の蒸着マス
ク。 - 【請求項６】 上記補強体はワイヤであり、このワイヤ
に通電して上記形状記憶合金のマスクを加熱し記憶形状
を復帰させる請求項５記載の蒸着マスク。
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- 1998-10-22 JP JP30129398A patent/JP4364957B2/ja not_active Expired - Fee Related
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